JP4509697B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4509697B2 JP4509697B2 JP2004245937A JP2004245937A JP4509697B2 JP 4509697 B2 JP4509697 B2 JP 4509697B2 JP 2004245937 A JP2004245937 A JP 2004245937A JP 2004245937 A JP2004245937 A JP 2004245937A JP 4509697 B2 JP4509697 B2 JP 4509697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pump
- valve
- processing chamber
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
(1)ボート217にウエハ200を移載する。
(2)ボート217を処理室201内へ挿入する。
(3)ボート217の挿入が終わると、メイン排気バルブ243dを開いてポンプ246により処理室201内を真空引きし、窒化プロセスの500℃ー750℃程度まで処理室201内を昇温する。
(4)NH3とDCSを処理室201内に導入し、ウエハ200上に窒化膜堆積を行う。
(5)処理室201内に残留している反応ガスのガス引きを行う。
(6)処理室201内を大気圧に復帰し、ボート217を処理室201より引き出す。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室に連通する排気配管と、
前記排気配管に設けられたベローズタイプの開閉バルブと、
前記開閉バルブより下流側にて前記排気配管に連通するポンプと、
少なくとも前記開閉バルブ、ポンプを制御する制御手段と、を有する基板処理装置であって、
前記ポンプに異常な状態が発生した場合は、前記制御手段が前記開閉バルブを閉じる信号を送信してから予め設定した時間経過後に前記ポンプを停止するようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明の好ましい実施例においては、ポンプ故障要因(例えば、電流値異常など)が発生した場合は即座にポンプ停止を実行せずに、まず、ポンプ停止信号を成膜装置である縦型ALD装置のコントローラーへ発信する。そして、ポンプ停止信号を受信したコントローラーは、即座にメイン排気バルブを閉じる。実際にメイン排気バルブが閉じるのに1秒程度要するため約2秒後または2秒以上後に実際にポンプを停止する処理手順を採った。シーケンスを図示すると図1のようになる。
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを併行して流す。まずガス供給管232aに設けたバルブ243a、及びガス排気管231に設けたバルブ243dを共に開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ243aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、棒状電極269及び棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種として処理室201に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ243dを適正に調整して処理室201内圧力を10〜100Paとする。マスフローコントローラ241aで制御するNH3の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207の温度はウエハが500〜600℃になるよう設定してある。NH3は反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
ステップ2では、ガス供給管232aのバルブ243aを閉めて、NH3の供給を止めるが、引続きガス溜め247へ供給を継続する。ガス溜め247に所定圧、所定量のDCSが溜まったら上流側のバルブ243bも閉めて、ガス溜め247にDCSを閉じ込めておく。また、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理室201から排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201に供給すると、更に残留NH3を排除する効果が高まる。ガス溜め247内には、圧力が20000Pa以上になるようにDCSを溜める。また、ガス溜め247と処理室201との間のコンダクタンスが1.5×10−3m3/s以上になるように装置を構成する。また、反応管203の容積とこれに対する必要なガス溜め247の容積との比として考えると、反応管203の容積1001(リットル)の場合においては、100〜300ccであることが好ましく、容積比としてはガス溜め247は反応室容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
ステップ3では、処理室201の排気が終わったらガス排気管231のバルブ243cを閉じて排気を止める。ガス供給管232bの下流側のバルブ243cを開く。これによりガス溜め247に溜められたDCSが処理室201に一気に供給される。このときガス排気管231のバルブ243dが閉じられているので、処理室201内の圧力は急激に上昇して約931Pa(7Torr)まで昇圧される。DCSを供給するための時間は2〜4秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2〜4秒に設定し、合計6秒とした。このときのウエハ温度はNH3の供給時と同じく、500〜600℃である。DCSの供給により、下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、ウエハ200上にSiN膜が成膜される。成膜後、バルブ243cを閉じ、バルブ243dを開けて処理室201を真空排気し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201に供給すると、更に残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを処理室201から排除する効果が高まる。またバルブ243bを開いてガス溜め247へのDCSの供給を開始する。
なお、カセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
101…筐体
105…カセットステージ
109…カセット棚
110…予備カセット棚
112…ウエハ移載機
113…移載エレベータ
114…カセット移載機
115…カセットエレベータ
116…炉口シャッタ
118…クリーンユニット
121…ボートエレベータ
122…昇降部材
123…移載棚
124…搬送制御手段
200…ウエハ
201…処理室
202…処理炉
203…反応管
207…ヒータ
208…断熱部材
217…ボート
218…石英キャップ
219…シールキャップ
220…Oリング
224…プラズマ生成領域
231…ガス排気管
232a…ガス供給管
232b…ガス供給管
233…ノズル
237…バッファ室
241a…マスフローコントローラ
241b…マスフローコントローラ
243a…バルブ
243b…バルブ
243c…バルブ
243d…バルブ
246…真空ポンプ
247…ガス溜め
248a…ガス供給孔
248b…ガス供給孔
248c…ガス供給孔
249…ガス供給部
267…ボート回転機構
269…棒状電極
270…棒状電極
272…整合器
273…高周波電源
275…電極保護管
321…コントローラ
Claims (2)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室に連通する排気配管と、
前記排気配管に設けられたベローズタイプの開閉バルブと、
前記開閉バルブより下流側にて前記排気配管に連通するポンプと、
少なくとも前記開閉バルブ、ポンプを制御する制御手段と、を有する基板処理装置であって、
前記ポンプに異常な状態が発生した場合は、前記制御手段が前記開閉バルブを閉じる信号を送信してから予め設定した時間経過後に前記ポンプを停止するようにしたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記予め設定した時間は2秒以上である請求項1記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004245937A JP4509697B2 (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004245937A JP4509697B2 (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066555A JP2006066555A (ja) | 2006-03-09 |
JP4509697B2 true JP4509697B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=36112770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004245937A Active JP4509697B2 (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4509697B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5504107B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-05-28 | エドワーズ株式会社 | 逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプ |
CN109162925A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-01-08 | 浙江羿阳太阳能科技有限公司 | 一种用于铸锭炉的防回流真空泵 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6319580U (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | ||
JPH0261068A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
JPH10324972A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 排気系切替え装置及び排気装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0826857B2 (ja) * | 1988-10-22 | 1996-03-21 | 富士電機株式会社 | 真空ポンプ保護方法 |
JPH03172589A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置の安全装置 |
JPH07300393A (ja) * | 1994-05-02 | 1995-11-14 | Nissin Electric Co Ltd | 粗引きラインベント機構 |
JPH08121345A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 真空排気方法及び装置 |
-
2004
- 2004-08-25 JP JP2004245937A patent/JP4509697B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6319580U (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | ||
JPH0261068A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
JPH10324972A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 排気系切替え装置及び排気装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006066555A (ja) | 2006-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4734317B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4354987B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5027850B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100961594B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2006038659A1 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5568212B2 (ja) | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP4566787B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4717495B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2012114200A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4563113B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP4242733B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4509697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4938805B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4434807B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4267434B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006269532A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2005167027A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005277264A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005223144A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006066593A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005251775A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006216612A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006013204A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006261441A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100428 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4509697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |