JPH07118862A - Ｃｖｄ装置の反応ガス濃度制御方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の反応ガス濃度制御方法Info
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- JPH07118862A JPH07118862A JP28382793A JP28382793A JPH07118862A JP H07118862 A JPH07118862 A JP H07118862A JP 28382793 A JP28382793 A JP 28382793A JP 28382793 A JP28382793 A JP 28382793A JP H07118862 A JPH07118862 A JP H07118862A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バブリングと加熱方式を併用した反応ガス発
生装置において、液体ソースＬQ より所定の濃度の反応
ガスＧを発生させ、これを一定値に維持してＣＶＤ装置
に供給する。 【構成】 濃度制御部38を設け、加熱ヒーター32に対す
る供給電流ｉを制御して液体ソースＬQ の温度を調整
し、所定でかつ一定値の濃度ＫS の反応ガスＧを発生す
る。 【効果】 ウエハに形成される薄膜の品質向上に寄与す
る。
生装置において、液体ソースＬQ より所定の濃度の反応
ガスＧを発生させ、これを一定値に維持してＣＶＤ装置
に供給する。 【構成】 濃度制御部38を設け、加熱ヒーター32に対す
る供給電流ｉを制御して液体ソースＬQ の温度を調整
し、所定でかつ一定値の濃度ＫS の反応ガスＧを発生す
る。 【効果】 ウエハに形成される薄膜の品質向上に寄与す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＣＶＤ装置に供給す
る反応ガスの濃度を制御する方法に関する。
る反応ガスの濃度を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、素材のウ
エハの表面に対してＣＶＤ装置により酸化シリコンや窒
化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。図２によ
りＣＶＤ装置２における薄膜形成の概要を説明する。Ｃ
ＶＤ装置２の載置台21に載置された被処理のウエハ１に
対して、反応ガス発生装置３よりの反応ガスＧが供給配
管22を通して、また酸化剤の酸素ガスＯ2 とキャリヤー
用の窒素ガスＮ2 （またはヘリウムＨe ）とが供給配管
23を通して、それぞれＣＶＤ装置２に供給される。各ガ
スは反応しながらウエハ１の表面をフローして薄膜が形
成され、反応済みのガスは排出口24より外部に排出され
る。
エハの表面に対してＣＶＤ装置により酸化シリコンや窒
化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。図２によ
りＣＶＤ装置２における薄膜形成の概要を説明する。Ｃ
ＶＤ装置２の載置台21に載置された被処理のウエハ１に
対して、反応ガス発生装置３よりの反応ガスＧが供給配
管22を通して、また酸化剤の酸素ガスＯ2 とキャリヤー
用の窒素ガスＮ2 （またはヘリウムＨe ）とが供給配管
23を通して、それぞれＣＶＤ装置２に供給される。各ガ
スは反応しながらウエハ１の表面をフローして薄膜が形
成され、反応済みのガスは排出口24より外部に排出され
る。
【０００３】ＣＶＤ装置２は、内圧を１気圧程度とする
常圧方式、真空に近い１ＴＯＲＲとする減圧方式、同様
に１ＴＯＲＲの内圧とし、反応ガスＧに対して高周波電
圧を加圧するプラズマ方式に大別される。反応ガスＧに
は各種があり、当初においては、常温で気体のモノシラ
ン（ＳｉＨ4)が専ら使用されていたが、有害な毒性と爆
発性があるため、これに代わって、常温で液状のＴＥＯ
Ｓ（正珪酸エチル）や、ＴＭＢ（硼酸トリメチル）、Ｔ
ＭＯＰ（正燐酸トリメチル）などが使用されつつあり、
これらは液体ソースとして加熱またはバブリングにより
ガス化してＣＶＤ装置２に供給されている。
常圧方式、真空に近い１ＴＯＲＲとする減圧方式、同様
に１ＴＯＲＲの内圧とし、反応ガスＧに対して高周波電
圧を加圧するプラズマ方式に大別される。反応ガスＧに
は各種があり、当初においては、常温で気体のモノシラ
ン（ＳｉＨ4)が専ら使用されていたが、有害な毒性と爆
発性があるため、これに代わって、常温で液状のＴＥＯ
Ｓ（正珪酸エチル）や、ＴＭＢ（硼酸トリメチル）、Ｔ
ＭＯＰ（正燐酸トリメチル）などが使用されつつあり、
これらは液体ソースとして加熱またはバブリングにより
ガス化してＣＶＤ装置２に供給されている。
【０００４】図３は、上記の液体ソースに対して実用さ
れている、加熱とバブリングを併用した反応ガス発生装
置３を示す。ただし以下においては、液体ソースとして
ＴＥＯＳを使用した場合について説明する。図３におい
て、液体ソースＬQ のＴＥＯＳは密閉容器31に適当な高
さ満たされ、加熱ヒーター32により適温に維持される。
ＴＥＯＳは沸点が１６５°Ｃであるので、適温は約４０
°Ｃとされている。これに対して、マスフローコントロ
ーラ（ＭＦＣ）33により流量が制御された窒素ガスＮ2
を、吹き込みパイプ34により噴射すると、液体ソースＬ
Q はバブリングされ、その気泡により反応ガスＧが発生
する。発生した反応ガスＧと噴射された窒素ガスＮ2 の
混合ガス（Ｇ＋Ｎ2)は、取り出しパイプ35より取り出さ
れ、これに接続されている流量計（ＭＦＭ）36により供
給量ＱS ’が計測されて、ＣＶＤ装置２に供給される。
この場合、ＣＶＤ装置２に対する混合ガスの所定の供給
量（所定量と略記する）をＱS とし、これが流量設定回
路36に予め設定される。計測された供給量ＱS ’は流量
設定回路36に入力し、設定された所定量ＱS との差分
（ＱS −ＱS ’) が求められ、この信号をＭＦＣ33に与
えて窒素ガスＮ2 の噴射量Ｑ1 を制御する。これによ
り、混合ガスは所定量ＱS に調整されてＣＶＤ装置２に
供給される。所定量ＱS はもちろん任意に設定可能であ
る。なお、上記においては液体ソースＬQ としてＴＥＯ
Ｓを例としたが、他のＴＭＢ、ＴＭＯＰなども上記と同
様に処理されて、それぞれの反応ガスＧを発生する。た
だしこれらの沸点はＴＥＯＳとそれぞれ異なるので、異
なる適温に加熱される。
れている、加熱とバブリングを併用した反応ガス発生装
置３を示す。ただし以下においては、液体ソースとして
ＴＥＯＳを使用した場合について説明する。図３におい
て、液体ソースＬQ のＴＥＯＳは密閉容器31に適当な高
さ満たされ、加熱ヒーター32により適温に維持される。
ＴＥＯＳは沸点が１６５°Ｃであるので、適温は約４０
°Ｃとされている。これに対して、マスフローコントロ
ーラ（ＭＦＣ）33により流量が制御された窒素ガスＮ2
を、吹き込みパイプ34により噴射すると、液体ソースＬ
Q はバブリングされ、その気泡により反応ガスＧが発生
する。発生した反応ガスＧと噴射された窒素ガスＮ2 の
混合ガス（Ｇ＋Ｎ2)は、取り出しパイプ35より取り出さ
れ、これに接続されている流量計（ＭＦＭ）36により供
給量ＱS ’が計測されて、ＣＶＤ装置２に供給される。
この場合、ＣＶＤ装置２に対する混合ガスの所定の供給
量（所定量と略記する）をＱS とし、これが流量設定回
路36に予め設定される。計測された供給量ＱS ’は流量
設定回路36に入力し、設定された所定量ＱS との差分
（ＱS −ＱS ’) が求められ、この信号をＭＦＣ33に与
えて窒素ガスＮ2 の噴射量Ｑ1 を制御する。これによ
り、混合ガスは所定量ＱS に調整されてＣＶＤ装置２に
供給される。所定量ＱS はもちろん任意に設定可能であ
る。なお、上記においては液体ソースＬQ としてＴＥＯ
Ｓを例としたが、他のＴＭＢ、ＴＭＯＰなども上記と同
様に処理されて、それぞれの反応ガスＧを発生する。た
だしこれらの沸点はＴＥＯＳとそれぞれ異なるので、異
なる適温に加熱される。
【０００５】上記の反応ガス発生装置３に対して、バブ
リング方式をとらず、加熱方式のみとするガス供給装置
が考案され、この発明と同一の特許出願人により、「特
願平3-114034号、ＴＥＯＳガス供給装置」が特許出願さ
れている。その要旨は、ＴＥＯＳを、前記より高い７０
°〜８０°の範囲内の一定温度に加熱すると、多量の反
応ガスＧを発生する。これを適当な手段により一定濃度
に維持してＣＶＤ装置２に供給するものである。ただし
このような加熱方式のみの場合は、気化した反応ガスＧ
は圧力が小さいため、反応ガスとともにＣＶＤ装置２に
供給される、圧力の高い酸素や窒素ガスがガス供給装置
に逆流する問題があり、その対策がとられている。ま
た、同じ理由により、このガス供給装置の適用範囲は、
内圧が低い減圧方式またはプラズマ方式のＣＶＤ装置の
みに限定されている。以上に対して上記の反応ガス発生
装置３は、バブリングのための窒素ガスＮ2は圧力が高
いので、常圧方式に対しても適用できる点が有利であ
る。
リング方式をとらず、加熱方式のみとするガス供給装置
が考案され、この発明と同一の特許出願人により、「特
願平3-114034号、ＴＥＯＳガス供給装置」が特許出願さ
れている。その要旨は、ＴＥＯＳを、前記より高い７０
°〜８０°の範囲内の一定温度に加熱すると、多量の反
応ガスＧを発生する。これを適当な手段により一定濃度
に維持してＣＶＤ装置２に供給するものである。ただし
このような加熱方式のみの場合は、気化した反応ガスＧ
は圧力が小さいため、反応ガスとともにＣＶＤ装置２に
供給される、圧力の高い酸素や窒素ガスがガス供給装置
に逆流する問題があり、その対策がとられている。ま
た、同じ理由により、このガス供給装置の適用範囲は、
内圧が低い減圧方式またはプラズマ方式のＣＶＤ装置の
みに限定されている。以上に対して上記の反応ガス発生
装置３は、バブリングのための窒素ガスＮ2は圧力が高
いので、常圧方式に対しても適用できる点が有利であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】さて、ウエハ１の表面
に良好な薄膜を形成するには、反応ガスＧの濃度を所定
の一定値に維持することが必要である。もし、濃度が変
化すると薄膜の厚さにムラを生じて品質が低下するなど
の弊害が生ずる。これに対して、図３の反応ガス発生器
３においては、ＭＦＣ33による窒素ガスＮ2 ，ヘリウム
ガス等の不活性ガスの流量制御により、混合ガスが所定
値ＱS に調整され、これに伴って反応ガスＧの発生量Ｑ
2 も間接的には調整されている。すなわち、窒素ガス等
の噴射量Ｑ1 が変わると、反応ガスＧの発生量Ｑ2 も変
化する。両者の相関関係は明らかではないが、かりに両
者が凡その比例関係にあると仮定する。噴射量Ｑ1 を例
えばｋ倍にすると、発生量Ｑ2 と混合ガスの供給量Ｑ
S ’もそれぞれｋ倍となり、混合ガスの供給量ｋＱS ’
＝ｋ（Ｑ1 ＋Ｑ2)に対する反応ガスＧの発生量Ｑ2 の比
（Ｑ2 ／ＱS ’) 、すなわち反応ガスＧの濃度ＫS ’
は、ｋの値にかかわらず、つねにほぼ一定値となる。従
って、混合ガスの供給量ＱS ’または所定量ＱS を変え
ずに、反応ガスＧの濃度Ｋを調整する必要がある場合、
窒素ガス等によりこれを調整することは原理上困難であ
る。これに対して、液体ソースＬQ の温度を制御すれば
反応ガスＧの発生量Ｑ2 のみ、従って濃度Ｋを調整でき
るものと考えられる。この発明は以上に鑑みてなされた
もので、液体ソースＬQ の温度制御により、発生する反
応ガスＧの濃度を所定値とし、これを一定値に維持して
ＣＶＤ装置に供給する、反応ガス濃度制御方法を提供す
ることを目的とする。
に良好な薄膜を形成するには、反応ガスＧの濃度を所定
の一定値に維持することが必要である。もし、濃度が変
化すると薄膜の厚さにムラを生じて品質が低下するなど
の弊害が生ずる。これに対して、図３の反応ガス発生器
３においては、ＭＦＣ33による窒素ガスＮ2 ，ヘリウム
ガス等の不活性ガスの流量制御により、混合ガスが所定
値ＱS に調整され、これに伴って反応ガスＧの発生量Ｑ
2 も間接的には調整されている。すなわち、窒素ガス等
の噴射量Ｑ1 が変わると、反応ガスＧの発生量Ｑ2 も変
化する。両者の相関関係は明らかではないが、かりに両
者が凡その比例関係にあると仮定する。噴射量Ｑ1 を例
えばｋ倍にすると、発生量Ｑ2 と混合ガスの供給量Ｑ
S ’もそれぞれｋ倍となり、混合ガスの供給量ｋＱS ’
＝ｋ（Ｑ1 ＋Ｑ2)に対する反応ガスＧの発生量Ｑ2 の比
（Ｑ2 ／ＱS ’) 、すなわち反応ガスＧの濃度ＫS ’
は、ｋの値にかかわらず、つねにほぼ一定値となる。従
って、混合ガスの供給量ＱS ’または所定量ＱS を変え
ずに、反応ガスＧの濃度Ｋを調整する必要がある場合、
窒素ガス等によりこれを調整することは原理上困難であ
る。これに対して、液体ソースＬQ の温度を制御すれば
反応ガスＧの発生量Ｑ2 のみ、従って濃度Ｋを調整でき
るものと考えられる。この発明は以上に鑑みてなされた
もので、液体ソースＬQ の温度制御により、発生する反
応ガスＧの濃度を所定値とし、これを一定値に維持して
ＣＶＤ装置に供給する、反応ガス濃度制御方法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成した反応ガス濃度制御方法であって、バブリング方
式と加熱方式を併用した前記の反応ガス発生装置に対し
て、濃度算出回路と濃度設定回路および電流制御回路よ
りなる濃度制御部を設ける。濃度算出回路により、混合
ガスの所定量ＱS のデータと、マスフローコントローラ
よりの窒素ガス，ヘリウムガス等の不活性ガスの噴射量
Ｑ1 のデータとにより、液体ソースが発生した反応ガス
の濃度ＫS ’＝（ＱS −Ｑ1)／ＱS を算出する。算出さ
れた濃度ＫS ’と、濃度設定回路に予め設定された所定
の濃度ＫS との差分（ＫS −ＫS’) を求め、この差分
信号により電流制御回路の加熱ヒーターに対する供給電
流を制御し、液体ソースの温度を調整し、所定の濃度Ｋ
S の反応ガスを発生して一定値に維持し、ＣＶＤ装置に
供給するものである。
達成した反応ガス濃度制御方法であって、バブリング方
式と加熱方式を併用した前記の反応ガス発生装置に対し
て、濃度算出回路と濃度設定回路および電流制御回路よ
りなる濃度制御部を設ける。濃度算出回路により、混合
ガスの所定量ＱS のデータと、マスフローコントローラ
よりの窒素ガス，ヘリウムガス等の不活性ガスの噴射量
Ｑ1 のデータとにより、液体ソースが発生した反応ガス
の濃度ＫS ’＝（ＱS −Ｑ1)／ＱS を算出する。算出さ
れた濃度ＫS ’と、濃度設定回路に予め設定された所定
の濃度ＫS との差分（ＫS −ＫS’) を求め、この差分
信号により電流制御回路の加熱ヒーターに対する供給電
流を制御し、液体ソースの温度を調整し、所定の濃度Ｋ
S の反応ガスを発生して一定値に維持し、ＣＶＤ装置に
供給するものである。
【０００８】
【作用】上記の反応ガス濃度制御方法においては、濃度
制御部の濃度算出回路には、流量計よりの混合ガスの所
定量ＱS のデータと、マスフロー・コントローラよりの
窒素ガスの噴射量Ｑ1 のデータとが入力し、これらによ
り液体ソースが発生した反応ガスの濃度ＫS ’＝（ＱS
−Ｑ1)／ＱS が算出される。算出された濃度ＫS’と、
濃度設定回路に設定された所定の濃度ＫS の差分（ＫS
−ＫS ’) が求められ、その信号が電流制御回路にフィ
ードバックして加熱ヒーターに対する供給電流が制御さ
れる。このフィードバック制御により液体ソースは温度
が調整されて所定の濃度ＫS の反応ガスが発生し、か
つ、これが一定値に維持されてＣＶＤ装置に供給され
る。以上によりウエハに形成される薄膜には膜厚ムラが
無くなり、品質の低下が防止される。なお、上記の所定
の濃度ＫS は必要に応じて任意に設定される。
制御部の濃度算出回路には、流量計よりの混合ガスの所
定量ＱS のデータと、マスフロー・コントローラよりの
窒素ガスの噴射量Ｑ1 のデータとが入力し、これらによ
り液体ソースが発生した反応ガスの濃度ＫS ’＝（ＱS
−Ｑ1)／ＱS が算出される。算出された濃度ＫS’と、
濃度設定回路に設定された所定の濃度ＫS の差分（ＫS
−ＫS ’) が求められ、その信号が電流制御回路にフィ
ードバックして加熱ヒーターに対する供給電流が制御さ
れる。このフィードバック制御により液体ソースは温度
が調整されて所定の濃度ＫS の反応ガスが発生し、か
つ、これが一定値に維持されてＣＶＤ装置に供給され
る。以上によりウエハに形成される薄膜には膜厚ムラが
無くなり、品質の低下が防止される。なお、上記の所定
の濃度ＫS は必要に応じて任意に設定される。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明を適用した反応ガス発生装
置３Ａの一実施例の構成図を示す。図１において、反応
ガス発生装置３Ａの構成は、前記した図３とほぼ同一で
あり、同一要素には同一符号を付記して示す。ただし、
図３の構成に対して、濃度算出回路38a と濃度設定回路
38b および電流制御回路38c よりなる濃度制御部38が付
加され、それぞれ図示のように接続される。
置３Ａの一実施例の構成図を示す。図１において、反応
ガス発生装置３Ａの構成は、前記した図３とほぼ同一で
あり、同一要素には同一符号を付記して示す。ただし、
図３の構成に対して、濃度算出回路38a と濃度設定回路
38b および電流制御回路38c よりなる濃度制御部38が付
加され、それぞれ図示のように接続される。
【００１０】以下、反応ガス発生装置３Ａにおける濃度
制御部38の動作と作用を説明する。図１は、窒素ガス，
ヘリウムガス等の不活性ガスの噴射量Ｑ1 は前記により
制御されて、ＣＶＤ装置２に対して所定量ＱS の混合ガ
スが供給されている状態を示し、従って流量設定回路37
の出力（ＱS −ＱS ’）は０である。流量計36が計測し
た混合ガスの所定量ＱS のデータと、マスフローコント
ローラ（ＭＦＣ）33よりの窒素ガス等の噴射量Ｑ1 のデ
ータは、濃度算出回路38a に入力して両者の差分（ＱS
−Ｑ1)が求められる。この差分は液体ソースＬQ が発生
した反応ガスＧの発生量Ｑ2 を示す。よって、発生量Ｑ
2 と所定量ＱS の比＝Ｑ2 ／ＱS を算出すれば、これが
混合ガスに含まれている反応ガスＧの割合、すなわち濃
度ＫS ’を示すことはすでに説明した通りである。一
方、濃度設定回路38b には、必要とする所定の濃度ＫS
が予め設定され、上記により算出された濃度ＫS ’はこ
れに入力して、両者の差分（ＫS −ＫS ’)が求められ
る。この差分信号は電流制御回路38c にフィードバック
され、加熱ヒーター32に対する供給電流ｉが制御され
る。これにより液体ソースＬQ の温度は、反応ガスＧの
濃度の変化に対応して上昇または下降し、反応ガスＧの
発生量Ｑ2 が制御されて所定の濃度ＫS に調整され、か
つ一定値に維持されてＣＶＤ装置２に供給される。上記
において、供給電流ｉの増減に対する液体ソースＬQ の
温度変化量や、温度に対する反応ガスＧの発生効率など
は、液体ソースＬQ の種類や、密閉容器31に満たされた
量、または窒素ガス等の噴射量Ｑ1 など、多くのパラメ
ータに依存して変化するので、その全容を把握すること
は容易ではない。しかし、試行実験などにより、実用上
に必要な最小限の範囲に対して、供給電流ｉに対する反
応ガスＧの発生量または濃度の特性を求めることは可能
であるので、これらを求めて供給電流ｉの変化範囲を適
切に設定することが必要である。
制御部38の動作と作用を説明する。図１は、窒素ガス，
ヘリウムガス等の不活性ガスの噴射量Ｑ1 は前記により
制御されて、ＣＶＤ装置２に対して所定量ＱS の混合ガ
スが供給されている状態を示し、従って流量設定回路37
の出力（ＱS −ＱS ’）は０である。流量計36が計測し
た混合ガスの所定量ＱS のデータと、マスフローコント
ローラ（ＭＦＣ）33よりの窒素ガス等の噴射量Ｑ1 のデ
ータは、濃度算出回路38a に入力して両者の差分（ＱS
−Ｑ1)が求められる。この差分は液体ソースＬQ が発生
した反応ガスＧの発生量Ｑ2 を示す。よって、発生量Ｑ
2 と所定量ＱS の比＝Ｑ2 ／ＱS を算出すれば、これが
混合ガスに含まれている反応ガスＧの割合、すなわち濃
度ＫS ’を示すことはすでに説明した通りである。一
方、濃度設定回路38b には、必要とする所定の濃度ＫS
が予め設定され、上記により算出された濃度ＫS ’はこ
れに入力して、両者の差分（ＫS −ＫS ’)が求められ
る。この差分信号は電流制御回路38c にフィードバック
され、加熱ヒーター32に対する供給電流ｉが制御され
る。これにより液体ソースＬQ の温度は、反応ガスＧの
濃度の変化に対応して上昇または下降し、反応ガスＧの
発生量Ｑ2 が制御されて所定の濃度ＫS に調整され、か
つ一定値に維持されてＣＶＤ装置２に供給される。上記
において、供給電流ｉの増減に対する液体ソースＬQ の
温度変化量や、温度に対する反応ガスＧの発生効率など
は、液体ソースＬQ の種類や、密閉容器31に満たされた
量、または窒素ガス等の噴射量Ｑ1 など、多くのパラメ
ータに依存して変化するので、その全容を把握すること
は容易ではない。しかし、試行実験などにより、実用上
に必要な最小限の範囲に対して、供給電流ｉに対する反
応ガスＧの発生量または濃度の特性を求めることは可能
であるので、これらを求めて供給電流ｉの変化範囲を適
切に設定することが必要である。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による濃
度制御方法によれば、加熱とバブリングによりＴＥＯＳ
などの液体ソースが発生する反応ガスＧは、濃度制御部
の制御により所定の濃度とされ、かつ濃度は変動するこ
となく一定値に維持されて、ＣＶＤ装置に供給されるも
ので、ウエハに形成される薄膜の品質向上に寄与すると
こめろには、大きいものがある。
度制御方法によれば、加熱とバブリングによりＴＥＯＳ
などの液体ソースが発生する反応ガスＧは、濃度制御部
の制御により所定の濃度とされ、かつ濃度は変動するこ
となく一定値に維持されて、ＣＶＤ装置に供給されるも
ので、ウエハに形成される薄膜の品質向上に寄与すると
こめろには、大きいものがある。
【図１】 この発明を適用した反応ガス発生装置３Ａの
一実施例の構成図である。
一実施例の構成図である。
【図２】 ＣＶＤ装置２における薄膜形成の概要説明図
である。
である。
【図３】 加熱とバブリングを併用した従来の反応ガス
発生装置３の構成図である。
発生装置３の構成図である。
１…ウエハ、２…ＣＶＤ装置、21…載置台、22,23 …供
給配管、24…排出口、３…従来の反応ガス発生装置、３
Ａ…この発明を適用した反応ガス発生装置、31…密閉容
器、32…加熱ヒーター、33…マスフローコントローラ
（ＭＦＣ）、34…吹き込みパイプ、35…取り出しパイ
プ、36…流量計（ＭＦＭ）、37…流量設定回路、38…こ
の発明による濃度制御部、38a …濃度算出回路、38b …
濃度設定回路、38c …電流制御回路、Ｇ…反応ガス、Ｎ
2 …窒素ガス、ＬQ …液体ソース、Ｑ1 …窒素ガスの噴
射量Ｑ2 …反応ガスＧの発生量、ＱS …混合ガスの所定
量、ＱS ’…混合ガスの計測された供給量、ＫS …反応
ガスＧの所定の濃度、または設定値、ＫS ’…反応ガス
Ｇの算出された濃度。
給配管、24…排出口、３…従来の反応ガス発生装置、３
Ａ…この発明を適用した反応ガス発生装置、31…密閉容
器、32…加熱ヒーター、33…マスフローコントローラ
（ＭＦＣ）、34…吹き込みパイプ、35…取り出しパイ
プ、36…流量計（ＭＦＭ）、37…流量設定回路、38…こ
の発明による濃度制御部、38a …濃度算出回路、38b …
濃度設定回路、38c …電流制御回路、Ｇ…反応ガス、Ｎ
2 …窒素ガス、ＬQ …液体ソース、Ｑ1 …窒素ガスの噴
射量Ｑ2 …反応ガスＧの発生量、ＱS …混合ガスの所定
量、ＱS ’…混合ガスの計測された供給量、ＫS …反応
ガスＧの所定の濃度、または設定値、ＫS ’…反応ガス
Ｇの算出された濃度。
Claims (1)
- 【請求項１】 密閉容器に満たされたＴＥＯＳなどの液
体ソースを、加熱ヒーターにより所定の温度に加熱し、
該加熱された液体ソースに対して窒素ガス，ヘリウムガ
ス等の不活性ガスを、マスフローコントローラを通して
噴射してバブリングし、該液体ソースが発生した反応ガ
スと前記窒素ガス等との混合ガスの流量ＱS ’を流量計
により計測し、該流量ＱS ’と、流量設定回路に予め設
定された所定量ＱS との差分（ＱS −ＱS ’ )信号を前
記マスフローコントローラに入力して、前記窒素ガス等
の噴射量Ｑ1 を制御し、ＣＶＤ装置に対して前記所定量
ＱS の混合ガスを供給する反応ガス発生装置において、
濃度算出回路と濃度設定回路および電流制御回路よりな
る濃度制御部を設け、該濃度算出回路により、前記混合
ガスの所定量ＱS のデータと、前記マスフローコントロ
ーラよりの前記窒素ガス等の噴射量Ｑ1 のデータとによ
り、前記液体ソースが発生した反応ガスの濃度ＫS ’＝
（ＱS −Ｑ1)／ＱS を算出し、該算出された濃度ＫS ’
と、前記濃度設定回路に予め設定された所定の濃度ＫS
との差分（ＫS −ＫS ’) を求め、該差分信号により、
前記電流制御回路の前記加熱ヒーターに対する供給電流
を制御して前記液体ソースの温度を調整し、該所定の濃
度ＫS の反応ガスを発生して一定値に維持し、前記ＣＶ
Ｄ装置に供給することを特徴とする、ＣＶＤ装置の反応
ガス濃度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28382793A JPH07118862A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | Ｃｖｄ装置の反応ガス濃度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005274282A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Takasugi Seisakusho:Kk | ガス発生量測定方法及びガス発生量測定装置 |
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-
1993
- 1993-10-19 JP JP28382793A patent/JPH07118862A/ja active Pending
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