JPH04318174A - Teosガス供給装置 - Google Patents
Teosガス供給装置Info
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- JPH04318174A JPH04318174A JP11403491A JP11403491A JPH04318174A JP H04318174 A JPH04318174 A JP H04318174A JP 11403491 A JP11403491 A JP 11403491A JP 11403491 A JP11403491 A JP 11403491A JP H04318174 A JPH04318174 A JP H04318174A
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマCVD反応
炉に対してTEOSガスを供給する装置に関する。
炉に対してTEOSガスを供給する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ICの製造においては、ウエハの
表面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜
の形成方法には化学的気相成長法(CVD)が用いられ
ている。CVD法には常圧法、減圧法およびプラズマ法
の3方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超LSIに対してはプラズマ法が有利な点がある
として注目されている。この方法は真空中に噴射された
反応ガスに対し、高周波電圧を加圧してプラズマ化し、
反応に必要なエネルギーをうるもので、良好な膜質がえ
られることと、膜形成速度が速いことなど多くの点で優
れたものである。以上のプラズマ法における反応ガスに
はプロセスに対応して各種があるが、その中にはテトラ
エチルオルソ・シリケート[Si(OC2 H5 )4
]、(TEOSと略記)のガスに酸素(O2)を混合
したものがある。TEOSは常温においては液体で、そ
の沸点は摂氏100°以上あり、これをガス発生装置に
より気化してTEOSガスされて反応炉に供給される。
表面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜
の形成方法には化学的気相成長法(CVD)が用いられ
ている。CVD法には常圧法、減圧法およびプラズマ法
の3方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超LSIに対してはプラズマ法が有利な点がある
として注目されている。この方法は真空中に噴射された
反応ガスに対し、高周波電圧を加圧してプラズマ化し、
反応に必要なエネルギーをうるもので、良好な膜質がえ
られることと、膜形成速度が速いことなど多くの点で優
れたものである。以上のプラズマ法における反応ガスに
はプロセスに対応して各種があるが、その中にはテトラ
エチルオルソ・シリケート[Si(OC2 H5 )4
]、(TEOSと略記)のガスに酸素(O2)を混合
したものがある。TEOSは常温においては液体で、そ
の沸点は摂氏100°以上あり、これをガス発生装置に
より気化してTEOSガスされて反応炉に供給される。
【0003】図2は反応ガスとしてTEOSガスを使用
した場合の、従来のプラズマCVD装置の構成を示し、
1はTEOSガスを発生するバブラー(気泡式発生器)
、2は反応ガス供給路、3はプラズマCVD反応炉3で
ある。バブラー1においては、ヒーター12により約4
0°Cに維持される恒温槽11を設け、その内部に容器
13を収容し、これに液体TEOS14が適当な高さに
満たされる。満たされた液体にパイプ15の先端を挿入
し、窒素ガス(N2)またはヘリゥムガス(He) の
キャリャーガスを吹き込むと、液体TEOSが気化し、
これがキャリャーガスの気泡に含まれて液面より発散す
る。発散したTEOSガスはキャリャーガスとともに取
り出しパイプ16により反応ガス供給路2を経てプラズ
マ反応炉3に供給される。以下参考までに反応ガス供給
路2とプラズマCVD反応炉3について述べると、反応
ガス供給路2においては、混合器(MIX)21により
TEOSガスに対して所定量の酸素ガスO2 が混合さ
れて反応ガスとなり、供給配管22によりプラズマCV
D反応炉3に供給される。ここで、供給する反応ガスが
冷却してTEOSが再び液化することを防止するために
、供給配管22にヒーターテープ23を添捲し、これに
適当な電流を流して反応ガスの温度を一定値に維持する
。反応炉3は気密構造で内部が真空とされ、そのインレ
ット31より炉内に吸入された反応ガスはシャワー電極
32より噴射され、図示しない高周波電源により加圧さ
れた高周波電圧によりプラズマ化され、サセプタ33に
載置された被処理のウエハ4に薄膜が形成される。反応
処理すみのガスは排気口34より外部に設けられた排気
ガス処理部に排出される。
した場合の、従来のプラズマCVD装置の構成を示し、
1はTEOSガスを発生するバブラー(気泡式発生器)
、2は反応ガス供給路、3はプラズマCVD反応炉3で
ある。バブラー1においては、ヒーター12により約4
0°Cに維持される恒温槽11を設け、その内部に容器
13を収容し、これに液体TEOS14が適当な高さに
満たされる。満たされた液体にパイプ15の先端を挿入
し、窒素ガス(N2)またはヘリゥムガス(He) の
キャリャーガスを吹き込むと、液体TEOSが気化し、
これがキャリャーガスの気泡に含まれて液面より発散す
る。発散したTEOSガスはキャリャーガスとともに取
り出しパイプ16により反応ガス供給路2を経てプラズ
マ反応炉3に供給される。以下参考までに反応ガス供給
路2とプラズマCVD反応炉3について述べると、反応
ガス供給路2においては、混合器(MIX)21により
TEOSガスに対して所定量の酸素ガスO2 が混合さ
れて反応ガスとなり、供給配管22によりプラズマCV
D反応炉3に供給される。ここで、供給する反応ガスが
冷却してTEOSが再び液化することを防止するために
、供給配管22にヒーターテープ23を添捲し、これに
適当な電流を流して反応ガスの温度を一定値に維持する
。反応炉3は気密構造で内部が真空とされ、そのインレ
ット31より炉内に吸入された反応ガスはシャワー電極
32より噴射され、図示しない高周波電源により加圧さ
れた高周波電圧によりプラズマ化され、サセプタ33に
載置された被処理のウエハ4に薄膜が形成される。反応
処理すみのガスは排気口34より外部に設けられた排気
ガス処理部に排出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたバブラー
1によるTEOSガスの発生方法は、液体TEOSに対
してキャリャーガスを吹き込むことにより気泡を発生さ
せ、これとともにTEOSを気化するものである。この
場合液体TEOSは恒温槽により約40°Cに維持され
る筈であるが、気化に必要な気化熱が奪われるためにそ
の分だけ温度が低下することと、気化につれて液面の高
さが漸次低下することなどにより気泡の発生量、従って
TEOSガスの気化量が変化して濃度が変動する。この
ように濃度が変動したTEOSガスにより形成される薄
膜の膜質は不均一となり、良質な薄膜がえられない欠点
がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、液体
TEOSの温度をバブラー方式の場合より高く維持する
ことにより、直接的にこれを気化して一定濃度のTEO
Sガスを発生し、その一定量を供給する装置を提供する
ことを目的とするものである。
1によるTEOSガスの発生方法は、液体TEOSに対
してキャリャーガスを吹き込むことにより気泡を発生さ
せ、これとともにTEOSを気化するものである。この
場合液体TEOSは恒温槽により約40°Cに維持され
る筈であるが、気化に必要な気化熱が奪われるためにそ
の分だけ温度が低下することと、気化につれて液面の高
さが漸次低下することなどにより気泡の発生量、従って
TEOSガスの気化量が変化して濃度が変動する。この
ように濃度が変動したTEOSガスにより形成される薄
膜の膜質は不均一となり、良質な薄膜がえられない欠点
がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、液体
TEOSの温度をバブラー方式の場合より高く維持する
ことにより、直接的にこれを気化して一定濃度のTEO
Sガスを発生し、その一定量を供給する装置を提供する
ことを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、プラズマC
VD反応炉に対してTEOSガスを供給するためのTE
OSガス供給装置であって、液体TEOSを収容し、加
熱ヒーターにより所定の一定温度に維持して気化し、一
定濃度のTEOSガスを発生する容器と、容器より取り
出されたTEOSガスの供給量を一定量に制御するマス
フローコントローラとにより構成される。
VD反応炉に対してTEOSガスを供給するためのTE
OSガス供給装置であって、液体TEOSを収容し、加
熱ヒーターにより所定の一定温度に維持して気化し、一
定濃度のTEOSガスを発生する容器と、容器より取り
出されたTEOSガスの供給量を一定量に制御するマス
フローコントローラとにより構成される。
【0006】上記において、液体TEOSを気化する所
定の一定温度は摂氏70〜80°内の一定温度とする。
定の一定温度は摂氏70〜80°内の一定温度とする。
【0007】
【作用】以上のTEOSガス供給装置においては、容器
に収容された液体TEOSは加熱ヒーターにより加熱さ
れて70〜80°C内の一定温度に維持される。この温
度は100°以上とされる沸点よりやや低いが、TEO
Sを十分気化できるものであり、また温度を一定に維持
することにより一定濃度のTEOSガスがえられる。こ
れにより気化したTEOSガスは液面より一定の濃度で
発散し、マスフローコントローラの制御により一定の供
給量とされてプラズマCVD反応炉に供給される。供給
されるTEOSガスは一定の濃度で、かつ一定量である
ので、形成される薄膜の膜質の均一性が維持され、良質
な薄膜が形成されるものである。
に収容された液体TEOSは加熱ヒーターにより加熱さ
れて70〜80°C内の一定温度に維持される。この温
度は100°以上とされる沸点よりやや低いが、TEO
Sを十分気化できるものであり、また温度を一定に維持
することにより一定濃度のTEOSガスがえられる。こ
れにより気化したTEOSガスは液面より一定の濃度で
発散し、マスフローコントローラの制御により一定の供
給量とされてプラズマCVD反応炉に供給される。供給
されるTEOSガスは一定の濃度で、かつ一定量である
ので、形成される薄膜の膜質の均一性が維持され、良質
な薄膜が形成されるものである。
【0008】
【実施例】図1はこの発明によるTEOSガス発生装置
1′を適用したプラズマCVD装置の一実施例を示し、
反応ガス供給路2とプラズマCVD反応炉3は前記した
図2のものと同一である。
1′を適用したプラズマCVD装置の一実施例を示し、
反応ガス供給路2とプラズマCVD反応炉3は前記した
図2のものと同一である。
【0009】図1において、TEOSガス発生装置1′
は液体TEOS14を収容する容器13、容器13に対
する加熱ヒーター12、取り出しパイプ16、2個のバ
ルブ17,18 、およびマスフローコントローラ(M
FC)19により構成される。容器13に収容された液
体TEOS14は加熱ヒーター12により加熱されて7
0〜80°C内の一定の温度に維持され、一定濃度のT
EOSガスに気化して液面より発散する。発散したTE
OSガスは取り出しパイプ16により取り出され、バル
ブ17を経てMFC19に導かれ、一定供給量に制御さ
れて反応ガス供給路2に送られる。以下、前記した図2
と同様に混合器(MIX)21において酸素ガス(O2
)と混合されて反応ガスとなり、供給配管22を通して
反応炉3に供給される。供給配管22にはヒーターテー
プ23が添捲されて反応ガスを一定温度に維持し、TE
OSが液化することが防止されていることは従来と同様
である。なお、反応炉3の処理を停止するときは、バル
ブ17を閉じ、バルブ18を開いてTEOSガスは外部
の排気ガス処理設備に排気される。
は液体TEOS14を収容する容器13、容器13に対
する加熱ヒーター12、取り出しパイプ16、2個のバ
ルブ17,18 、およびマスフローコントローラ(M
FC)19により構成される。容器13に収容された液
体TEOS14は加熱ヒーター12により加熱されて7
0〜80°C内の一定の温度に維持され、一定濃度のT
EOSガスに気化して液面より発散する。発散したTE
OSガスは取り出しパイプ16により取り出され、バル
ブ17を経てMFC19に導かれ、一定供給量に制御さ
れて反応ガス供給路2に送られる。以下、前記した図2
と同様に混合器(MIX)21において酸素ガス(O2
)と混合されて反応ガスとなり、供給配管22を通して
反応炉3に供給される。供給配管22にはヒーターテー
プ23が添捲されて反応ガスを一定温度に維持し、TE
OSが液化することが防止されていることは従来と同様
である。なお、反応炉3の処理を停止するときは、バル
ブ17を閉じ、バルブ18を開いてTEOSガスは外部
の排気ガス処理設備に排気される。
【0010】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明において
は、容器に収容された液体TEOSは加熱ヒーターによ
り70〜80°C内の一定温度に維持することにより、
一定濃度のTEOSガスに気化されて液面より発散し、
マスフローコントローラにより一定供給量に制御されて
プラズマCVD反応炉に供給されるもので、一定濃度と
一定供給量のTEOSガスにより、ウエハに対して均一
性のある薄膜が形成できる効果には大きいものがある。
は、容器に収容された液体TEOSは加熱ヒーターによ
り70〜80°C内の一定温度に維持することにより、
一定濃度のTEOSガスに気化されて液面より発散し、
マスフローコントローラにより一定供給量に制御されて
プラズマCVD反応炉に供給されるもので、一定濃度と
一定供給量のTEOSガスにより、ウエハに対して均一
性のある薄膜が形成できる効果には大きいものがある。
【図1】 この発明の一実施例を示し、この発明によ
るTEOSガス供給装置を具備したプラズマCVD装置
の構成図を示す。
るTEOSガス供給装置を具備したプラズマCVD装置
の構成図を示す。
【図2】 TEOSガス発生装置として、バブラーを
使用した従来のプラズマCVD装置の構成図を示す。
使用した従来のプラズマCVD装置の構成図を示す。
1…バブラー(気泡式発生器)、11…恒温槽、12…
加熱ヒーター、13…容器、14…液体TEOS 1
5…パイプ、16…取り出しパイプ、17,18 …バ
ルブ、19…マスフローコントローラ(MFC)、2…
反応ガス供給路、21…混合器(MIX)、22…供給
配管、23…ヒーターテープ、3…プラズマCVD反応
炉、31…インレット、32…シャワー電極、33…サ
セプタ、34…排気口、4…ウエハ。
加熱ヒーター、13…容器、14…液体TEOS 1
5…パイプ、16…取り出しパイプ、17,18 …バ
ルブ、19…マスフローコントローラ(MFC)、2…
反応ガス供給路、21…混合器(MIX)、22…供給
配管、23…ヒーターテープ、3…プラズマCVD反応
炉、31…インレット、32…シャワー電極、33…サ
セプタ、34…排気口、4…ウエハ。
Claims (2)
- 【請求項1】 プラズマCVD反応炉に対するTEO
Sガスの供給において、液体TEOSを収容し、加熱ヒ
ーターにより該液体TEOSを所定の一定温度に維持し
て気化し、一定濃度の前記TEOSガスを発生する容器
と、該容器より取り出された該TEOSガスの供給量を
一定値に制御するマスフローコントローラとにより構成
されたことを特徴とする、TEOSガス供給装置。 - 【請求項2】 前記液体TEOSを気化する前記所定
の一定温度を摂氏70〜80°内の一定温度とする、請
求項1記載のTEOSガス供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11403491A JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Teosガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11403491A JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Teosガス供給装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04318174A true JPH04318174A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14627378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11403491A Pending JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Teosガス供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04318174A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5496410A (en) * | 1992-03-10 | 1996-03-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of processing substrates by using same apparatus |
US5580708A (en) * | 1993-09-09 | 1996-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic material and color image forming process |
WO2011101361A1 (de) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
US8343281B2 (en) | 2009-09-22 | 2013-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP11403491A patent/JPH04318174A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5496410A (en) * | 1992-03-10 | 1996-03-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of processing substrates by using same apparatus |
US5580708A (en) * | 1993-09-09 | 1996-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic material and color image forming process |
US8343281B2 (en) | 2009-09-22 | 2013-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same |
WO2011101361A1 (de) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
DE102010000479A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Ag, 52134 | Vorrichtung zur Homogenisierung eines verdampften Aerosols sowie Vorrichtung zum Abscheiden einer organischen Schicht auf einem Substrat mit einer derartigen Homogenisierungseinrichtung |
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