JPH038330A - 液状半導体形成材料気化供給装置 - Google Patents
液状半導体形成材料気化供給装置Info
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- JPH038330A JPH038330A JP14377789A JP14377789A JPH038330A JP H038330 A JPH038330 A JP H038330A JP 14377789 A JP14377789 A JP 14377789A JP 14377789 A JP14377789 A JP 14377789A JP H038330 A JPH038330 A JP H038330A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液状１へ導体形成材料の気化供給装置に関する
。更に詳細には、本発明は液状゛ｒ・導体形成材料を霧
吹きの原理により霧状にし、この霧を気化することから
なる液状半導体形成材料気化供給装置に関する。
。更に詳細には、本発明は液状゛ｒ・導体形成材料を霧
吹きの原理により霧状にし、この霧を気化することから
なる液状半導体形成材料気化供給装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として゛卜導体【−業において一般に広
く用いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒｆ）ｅｐｏｓ
ｉ ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
く用いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒｆ）ｅｐｏｓ
ｉ ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜％ＳＩやＳｉ上の熱酸化＃ｌ
Ｘ、ｈに成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のパンシベーシロン膜として利用され
ている。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜％ＳＩやＳｉ上の熱酸化＃ｌ
Ｘ、ｈに成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のパンシベーシロン膜として利用され
ている。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００℃−５００℃
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ，＊
＋０２．またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨ３＋０２）を供給し
て行われる。」１記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内
のウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あ
るいはフォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を
形成する。また、５ｉ０２とＰＳＧとの２相成膜が行わ
れることもある。
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ，＊
＋０２．またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨ３＋０２）を供給し
て行われる。」１記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内
のウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あ
るいはフォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を
形成する。また、５ｉ０２とＰＳＧとの２相成膜が行わ
れることもある。
［発明が解決しようとする課題］
従来から使用されてきた反応ガスのモノシラン（ＳｉＨ
４）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若モ劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加［のためにステップカ
バレージが・層−ＦＩＩＱされるようになってきた。
４）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若モ劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加［のためにステップカ
バレージが・層−ＦＩＩＱされるようになってきた。
このため、モノシランに代わって、段差被覆性に優れた
テトラエトキシシラン（ＴＥ０１）が使用されるように
なってきた。しかし、テトラエトキシ７ランは常ａｔで
は液状なので、ＣＶＤで使用する場合には、気化または
ガス化してから供給しなければならない。
テトラエトキシシラン（ＴＥ０１）が使用されるように
なってきた。しかし、テトラエトキシ７ランは常ａｔで
は液状なので、ＣＶＤで使用する場合には、気化または
ガス化してから供給しなければならない。
液状テトラエトキシシランのガス化のために、従来は第
２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図に
おいて、恒温槽１００の中に配置されたバブラー１１０
には液状のテトラエトキシシラン１１２が貯溜されてい
る。バブラー１１０の１０部にはキャリアガス導入パイ
プ１１４が配設されており、パイプの先端はテトラエト
キシシランの液面よりもＦに埋沈されている。また、バ
ブラー１１０の一■一部には気化したテトラエトキシシ
ランガスを反応チャンバ（図示されていない）に送るた
めの、送出パイプ１１６も配設されている。
２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図に
おいて、恒温槽１００の中に配置されたバブラー１１０
には液状のテトラエトキシシラン１１２が貯溜されてい
る。バブラー１１０の１０部にはキャリアガス導入パイ
プ１１４が配設されており、パイプの先端はテトラエト
キシシランの液面よりもＦに埋沈されている。また、バ
ブラー１１０の一■一部には気化したテトラエトキシシ
ランガスを反応チャンバ（図示されていない）に送るた
めの、送出パイプ１１６も配設されている。
この送出パイプの先端は当然、テトラエトキシシランの
液面よりも上にある。更に、送出されるガスの滝川を制
御するため、送出パイプの途中にはマスフローコントロ
ーラ１１８が配設されている。
液面よりも上にある。更に、送出されるガスの滝川を制
御するため、送出パイプの途中にはマスフローコントロ
ーラ１１８が配設されている。
第２図に示されるような装置では、恒温槽により液状テ
トラエトキシシランを一定温度に加熱することにより気
化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体が
気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低ドさせ
る。そのため、気体の蒸気圧が低ドし、キャリアガス中
に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。ま
た、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追従
できないため、テトラエトキシシランの濃度低下は次第
に大きくなっていく。
トラエトキシシランを一定温度に加熱することにより気
化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体が
気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低ドさせ
る。そのため、気体の蒸気圧が低ドし、キャリアガス中
に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。ま
た、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追従
できないため、テトラエトキシシランの濃度低下は次第
に大きくなっていく。
従って、本発明の目的は液状゛ト導体材料を気化させる
際に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持し
ながら該材料を安定に気化供給する装置を提供すること
である。
際に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持し
ながら該材料を安定に気化供給する装置を提供すること
である。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するための１段として、本発明では、液
状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給する
ための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該装
置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧機構の霧化
゛ト導体形成材料放出［−１に連通して隣接する加熱気
化機構とからなることを特徴とする液状半導体形成材料
気化供給装置を提供する。
状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給する
ための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該装
置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧機構の霧化
゛ト導体形成材料放出［−１に連通して隣接する加熱気
化機構とからなることを特徴とする液状半導体形成材料
気化供給装置を提供する。
［作用］
前記のように、本発明によれば、液状゛ｒ、導体形成材
料を先ず噴霧機で霧伏にし、これを加熱機で直接気化さ
せる。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料
の濃度を−・定に維持することができる。
料を先ず噴霧機で霧伏にし、これを加熱機で直接気化さ
せる。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料
の濃度を−・定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従来
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低下はな（なり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の４度低ドが防ＩＩ：。
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低下はな（なり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の４度低ドが防ＩＩ：。
できる。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の一
例のａＳ図である。
例のａＳ図である。
第１図において、本発明の液状半導体形成材料気化供給
装置は符号１でその全体が表されている。
装置は符号１でその全体が表されている。
本発明の装置１には、キャリアガス送入パイプ３が配設
されている。このパイプは例えば、ステンレスなどから
構成されている。このパイプは図示されていないキャリ
アガス供給源に接続されている。キャリアガスとしては
例えばｓ Ｎ２ ｅ Ａ ｒまたはＨｅなどを使用する
ことができる。また、このパイプ３の先端は径が細めら
れた、いわゆる、オリフィス管５の形状に成形されてい
る。キャリアガス送入パイプ３の途中にはキャリアガス
用のマスフローコントローラ７が配設されている。
されている。このパイプは例えば、ステンレスなどから
構成されている。このパイプは図示されていないキャリ
アガス供給源に接続されている。キャリアガスとしては
例えばｓ Ｎ２ ｅ Ａ ｒまたはＨｅなどを使用する
ことができる。また、このパイプ３の先端は径が細めら
れた、いわゆる、オリフィス管５の形状に成形されてい
る。キャリアガス送入パイプ３の途中にはキャリアガス
用のマスフローコントローラ７が配設されている。
本発明の装置１は、テトラエトキシシランなどのような
液状半導体形成材料の貯溜槽１０を有する。この貯溜槽
１０は加圧器としても機能する。
液状半導体形成材料の貯溜槽１０を有する。この貯溜槽
１０は加圧器としても機能する。
従って、貯溜槽１０のＬ部には、槽内圧力を高めるため
の、加圧ガス送入管１２が設けられている。
の、加圧ガス送入管１２が設けられている。
加圧ガス送入管１２の途中にはバルブ１４が設けられて
いて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例えばｓＮ２＋
ＡｒまたはＨｅ）の流ｆｚｔをコントロールする。また
、槽内圧力を検出するための圧力計１６も配設されてい
る。槽内の液状材料１８は材料給送管２０により前記オ
リフィス管５部分に送られる。給送管２０は例えば、ス
テンレスからなる。この給送管の−・端は貯溜槽１０の
底部付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。他端
はオリフィス管５に接続されている。途中には、液状材
料用のマスフローコントローラ２２とバルブ２４が配設
されている。
いて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例えばｓＮ２＋
ＡｒまたはＨｅ）の流ｆｚｔをコントロールする。また
、槽内圧力を検出するための圧力計１６も配設されてい
る。槽内の液状材料１８は材料給送管２０により前記オ
リフィス管５部分に送られる。給送管２０は例えば、ス
テンレスからなる。この給送管の−・端は貯溜槽１０の
底部付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。他端
はオリフィス管５に接続されている。途中には、液状材
料用のマスフローコントローラ２２とバルブ２４が配設
されている。
貯溜槽１０内の液状゛ト導体形成材料１８は加圧ガス送
入管１２からの不活性ガス等によって加圧され、給送管
２０に送り出される。その／＃Ｌｎは液状材料用マスフ
ローコントローラ２２により制御され、バルブ２４によ
り供給および供給停止が行われる。いわゆる、′霧吹き
”の原理に従い、キャリアガス送入パイプ３からオリフ
ィス５に向かって高い圧力でキャリアガスを送ると、液
状材料給送管２０を経て圧送された液体材料は霧状にな
って、気化室３０へ送られる。
入管１２からの不活性ガス等によって加圧され、給送管
２０に送り出される。その／＃Ｌｎは液状材料用マスフ
ローコントローラ２２により制御され、バルブ２４によ
り供給および供給停止が行われる。いわゆる、′霧吹き
”の原理に従い、キャリアガス送入パイプ３からオリフ
ィス５に向かって高い圧力でキャリアガスを送ると、液
状材料給送管２０を経て圧送された液体材料は霧状にな
って、気化室３０へ送られる。
前記オリフィス管の先端には霧化された液状材料を気化
するための加熱気化室３０が連接されている。気化室の
内径は比較的大きく、霧化材料は効率的に気化される。
するための加熱気化室３０が連接されている。気化室の
内径は比較的大きく、霧化材料は効率的に気化される。
気化室３０の外周にはヒータ３２が捲回されている。熱
効率あるいは気化効率を高めるために、気化室およびヒ
ータは全体が断熱材３４により被包されている。断熱材
の内部には温度センサ３６が配設されており、温度セン
サ３６とヒータ３２は温調器３８に接続されている。ヒ
ータは電熱式のものでもよく、あるいは他の形式（例え
ば、熱媒循環式）のものでもよい。
効率あるいは気化効率を高めるために、気化室およびヒ
ータは全体が断熱材３４により被包されている。断熱材
の内部には温度センサ３６が配設されており、温度セン
サ３６とヒータ３２は温調器３８に接続されている。ヒ
ータは電熱式のものでもよく、あるいは他の形式（例え
ば、熱媒循環式）のものでもよい。
気化室の温度は液状）１６導体形成材料の分解あるいは
燃焼あるいは爆発などを起こすことな（、霧化半導体形
成材料を気化させるのに必要ト分な温度であればよい。
燃焼あるいは爆発などを起こすことな（、霧化半導体形
成材料を気化させるのに必要ト分な温度であればよい。
気化室３０の出口には適当な径のパイプ４０が接続され
ており、キャリアガスと液状半導体形成材料の気化ガス
の混合物は、このバイブ４０により気相反応装置（例え
ば、プラズマＣＶＤ装置など）の反応室（図示されてい
ない）に供給される。
ており、キャリアガスと液状半導体形成材料の気化ガス
の混合物は、このバイブ４０により気相反応装置（例え
ば、プラズマＣＶＤ装置など）の反応室（図示されてい
ない）に供給される。
本発明の液状半導体形成材料気化供給装置ｌを自動運転
するために、信号処理回路４２が設けられている。信号
処理回路４２の内部には例えば、ＣＰＵと動作プログラ
ムを記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリ
アガス用マスフローコントローラ７、液状材料用マスフ
ローコントローラ２２とバルブ２４、貯溜槽の加圧バル
ブ１４および圧力計１６および温調器３８がこの信号処
理回路４２に接続されている。本発明の装置はキャリア
ガス用マスフローコントローラ７と液状材？＋ 用マス
フローコントローラ２２の信号で、演算処理を杼い、キ
ャリアガス中の液体材料のガス１度を自動制御できるよ
うになっている。また、ガス１度にしたがって気化室３
０のヒータ３２の温度も自動的に制御される。
するために、信号処理回路４２が設けられている。信号
処理回路４２の内部には例えば、ＣＰＵと動作プログラ
ムを記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリ
アガス用マスフローコントローラ７、液状材料用マスフ
ローコントローラ２２とバルブ２４、貯溜槽の加圧バル
ブ１４および圧力計１６および温調器３８がこの信号処
理回路４２に接続されている。本発明の装置はキャリア
ガス用マスフローコントローラ７と液状材？＋ 用マス
フローコントローラ２２の信号で、演算処理を杼い、キ
ャリアガス中の液体材料のガス１度を自動制御できるよ
うになっている。また、ガス１度にしたがって気化室３
０のヒータ３２の温度も自動的に制御される。
貯溜槽１０には下部液面センナ４６が設けられていて、
液状材料の残晴が少なくなると、適当な補給源（図示さ
れていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設
定液面にまで液状材料が補給されると、Ｌ部液面センサ
４８からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号
に基づき、補給が中止される。
液状材料の残晴が少なくなると、適当な補給源（図示さ
れていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設
定液面にまで液状材料が補給されると、Ｌ部液面センサ
４８からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号
に基づき、補給が中止される。
以１−１本発明をＣＶ Ｄ用の液状？導体形成材料気化
供給装置として詳細に説明したきたが、本発明の装置は
ＣＶＤに限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置
など）についても使用できる。
供給装置として詳細に説明したきたが、本発明の装置は
ＣＶＤに限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置
など）についても使用できる。
また、本発明にもとることなく、本発明に対して様々な
変更あるいは改変を加えることができる。
変更あるいは改変を加えることができる。
例えば、貯溜槽１０に加圧機構を設けず、オリフィス管
の負圧吸引作用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化す
ることもできる。
の負圧吸引作用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化す
ることもできる。
［発明の効果］
以し説明したように、本発明によれば、液状半導体形成
材料を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化
させる。このため、キャリアガス中の気化゛ｒ、導体形
成材料の濃度を−・定に維持することができる。
材料を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化
させる。このため、キャリアガス中の気化゛ｒ、導体形
成材料の濃度を−・定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従来
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低ドはな（なり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の１度低ドが防＋ｆ−できる。
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低ドはな（なり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の１度低ドが防＋ｆ−できる。
また、液状半導体形成材料の濃度が一定に保たれるので
、生成される膜中の不純物濃度および膜生成速度が安定
し、均一な品質を有する膜を安定的に生成することがで
きる。その結果、゛ｉ導体デバイスの歩留りが大幅に向
−１−される。
、生成される膜中の不純物濃度および膜生成速度が安定
し、均一な品質を有する膜を安定的に生成することがで
きる。その結果、゛ｉ導体デバイスの歩留りが大幅に向
−１−される。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の一
例の概妥図であり、第２図は従来の気化供給装置のＷ１
要図である。 １・・・本発明の液状半導体形成材料気化供給装置。 ３・・・キャリアガス送入パイプ、５・・・オリフィス
管。 ７・・・キャリアガス用マスフローコントローラ。 ｌＯ・・・液状゛ｌへ導体形成材料貯溜槽、１２・・・
加圧ガス送入管、１４・・・バルブ、１６・・・圧力計
。 ２０・・・液状を導体形成材料給送管、２２・・・液状
１へ導体形成材料用マスフローコントローラ。 ２４・・・バルブ、３０・・・気化室、３２・・・ヒー
タ。 ３４・・・断熱材、３６・・・温度センサ、３８・・・
温調器。 ４０・・・気化ガス送出パイプ、４２・・・信号処理回
路。
例の概妥図であり、第２図は従来の気化供給装置のＷ１
要図である。 １・・・本発明の液状半導体形成材料気化供給装置。 ３・・・キャリアガス送入パイプ、５・・・オリフィス
管。 ７・・・キャリアガス用マスフローコントローラ。 ｌＯ・・・液状゛ｌへ導体形成材料貯溜槽、１２・・・
加圧ガス送入管、１４・・・バルブ、１６・・・圧力計
。 ２０・・・液状を導体形成材料給送管、２２・・・液状
１へ導体形成材料用マスフローコントローラ。 ２４・・・バルブ、３０・・・気化室、３２・・・ヒー
タ。 ３４・・・断熱材、３６・・・温度センサ、３８・・・
温調器。 ４０・・・気化ガス送出パイプ、４２・・・信号処理回
路。
Claims (1)
- （１）液状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ
供給するための液状半導体形成材料気化供給装置であっ
て、該装置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧機
構の霧化半導体形成材料放出口に連通して隣接する加熱
気化機構とからなることを特徴とする液状半導体形成材
料気化供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143777A JP2767284B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143777A JP2767284B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038330A true JPH038330A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2767284B2 JP2767284B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=15346772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143777A Expired - Lifetime JP2767284B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767284B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337075A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Nec Yamaguchi Ltd | 気相成長装置 |
| US5192141A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-09 | Tidemark Corporation | Multi-dimensional media printer with media based registration and free edge printing |
| JPH08102442A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Yamagata Ltd | 化学気相成長装置 |
| JP2000299296A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子の銅金属配線形成方法 |
| EP1122335A1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for vaporization of liquids |
| JP2001516960A (ja) * | 1997-09-11 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気化・堆積装置および方法 |
| US6784118B2 (en) | 2000-04-20 | 2004-08-31 | Nec Corporation | Method for vaporization of liquid organic feedstock and method for growth of insulation film |
| JP2007247031A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Utec:Kk | 薄膜形成装置、及び薄膜形成方法 |
| WO2009025362A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Limited | 気化器、気化器を含む原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3896594B2 (ja) | 2004-10-01 | 2007-03-22 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ用気化器、溶液気化式ｃｖｄ装置及びｃｖｄ用気化方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6367728A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-03-26 | ウンバラ リミテツド | 化学的気相成長方法および装置 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143777A patent/JP2767284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6367728A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-03-26 | ウンバラ リミテツド | 化学的気相成長方法および装置 |
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| US5192141A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-09 | Tidemark Corporation | Multi-dimensional media printer with media based registration and free edge printing |
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| EP1122335A1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for vaporization of liquids |
| US6596085B1 (en) | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system |
| US6784118B2 (en) | 2000-04-20 | 2004-08-31 | Nec Corporation | Method for vaporization of liquid organic feedstock and method for growth of insulation film |
| JP2007247031A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Utec:Kk | 薄膜形成装置、及び薄膜形成方法 |
| WO2009025362A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Limited | 気化器、気化器を含む原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767284B2 (ja) | 1998-06-18 |
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