JPH03126872A - 液状半導体形成材料気化供給装置 - Google Patents
液状半導体形成材料気化供給装置Info
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- JPH03126872A JPH03126872A JP26297589A JP26297589A JPH03126872A JP H03126872 A JPH03126872 A JP H03126872A JP 26297589 A JP26297589 A JP 26297589A JP 26297589 A JP26297589 A JP 26297589A JP H03126872 A JPH03126872 A JP H03126872A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液状半導体形成材料の気化供給装置に関する。
更に詳細には、本発明は液状半導体形成材料を霧吹きの
原理により霧状にし、この霧を気化することからなる液
状半導体形成材料気化供給装置に関する。
原理により霧状にし、この霧を気化することからなる液
状半導体形成材料気化供給装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体
物質にし、基板上に堆積することをいう。
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体
物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜ 、Ｓ ｉやＳｉ上の熱酸化
膜上に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜ 、Ｓ ｉやＳｉ上の熱酸化
膜上に成長した場合も電気的特性が安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００℃−５００℃
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｔＨ＋＋
０２．またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨ３＋０２）を供給して
行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内のウ
ェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるい
はフォスフォンリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成
する。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行わ
れることもある。
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、ＳｔＨ＋＋
０２．またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨ３＋０２）を供給して
行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内のウ
ェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２あるい
はフォスフォンリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成
する。また、Ｓ ｉ ０２とＰＳＧとの２相成膜が行わ
れることもある。
［発明が解決しようとする課題］
従来から使用されてきた反応ガスのモノシラン（ＳｉＨ
４）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若干劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加ｆのためにステップカ
バレージが一層重視されるようになってきた。
４）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若干劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加ｆのためにステップカ
バレージが一層重視されるようになってきた。
このため、モノシランに代わって、段差被覆外に優れた
テトラエトキシシラン（ＴＥ０１）が使用されるように
なってきた。しかし、テトラエトキンシランは常温では
液状なので、ＣＶＤで使用する場合には、気化またはガ
ス化してから供給しなければならない。
テトラエトキシシラン（ＴＥ０１）が使用されるように
なってきた。しかし、テトラエトキンシランは常温では
液状なので、ＣＶＤで使用する場合には、気化またはガ
ス化してから供給しなければならない。
液状テトラエトキシシランのガス化のために、従来は第
２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図に
おいて、恒温槽１００の中に配置されたバブラー１１０
には液状のテトラニドキシンラン１１２が貯溜されてい
る。バブラー１１０の−Ｌ部にはキャリアガス導入パイ
プ１１４が配設されており、パイプの先端はテトラエト
キシ７ランの液面よりも一層に埋沈されている。また、
バブラー１１０の上部には気化したテトラエトキシシラ
ンガスを反応チャンバ（図示されていない）に送るため
の、送出パイプ１１６も配設されている。
２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図に
おいて、恒温槽１００の中に配置されたバブラー１１０
には液状のテトラニドキシンラン１１２が貯溜されてい
る。バブラー１１０の−Ｌ部にはキャリアガス導入パイ
プ１１４が配設されており、パイプの先端はテトラエト
キシ７ランの液面よりも一層に埋沈されている。また、
バブラー１１０の上部には気化したテトラエトキシシラ
ンガスを反応チャンバ（図示されていない）に送るため
の、送出パイプ１１６も配設されている。
この送出バイブの先端は当然、テトラエトキシ７ランの
液面よりもＥにある。更に、送出されるガスの流量を制
御するため、送出パイプの途中にはマスフローコントロ
ーラ１１８が配設サレテイル。
液面よりもＥにある。更に、送出されるガスの流量を制
御するため、送出パイプの途中にはマスフローコントロ
ーラ１１８が配設サレテイル。
第２図に示されるような装置では、恒温槽により液状テ
トラニドキシンランを一定温度に加熱することにより気
化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体が
気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低下させ
る。そのため、気体の蒸気圧が低下し、キャリアガス中
に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。ま
た、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追従
できないため、テトラエトキシ７ランの濃度低下は次第
に大きくなっていく。
トラニドキシンランを一定温度に加熱することにより気
化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体が
気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低下させ
る。そのため、気体の蒸気圧が低下し、キャリアガス中
に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。ま
た、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追従
できないため、テトラエトキシ７ランの濃度低下は次第
に大きくなっていく。
従って、本発明の目的は液状半導体材料を気化させる際
に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持しな
がら該材料を安定に気化供給する装置を提供することで
ある。
に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持しな
がら該材料を安定に気化供給する装置を提供することで
ある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するための手段として、本発明では、液
状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給する
ための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該装
置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材料を加熱
気化する機構とからなり、前記液状半導体形成材料噴霧
機構の噴霧口は前記加熱気化機構の端部に配設されてい
ることを特徴とする液状半導体形成材料気化供給装置を
提供する。
状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給する
ための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該装
置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材料を加熱
気化する機構とからなり、前記液状半導体形成材料噴霧
機構の噴霧口は前記加熱気化機構の端部に配設されてい
ることを特徴とする液状半導体形成材料気化供給装置を
提供する。
［作用］
１１１１記のように、本発明によれば、液状半導体形成
材料を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化
させる。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材
料の濃度を一定に維持することができる。
材料を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化
させる。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材
料の濃度を一定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従来
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低ドはなくなり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の濃度低下が防止できる。
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低ドはなくなり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の濃度低下が防止できる。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の−
・例の概要図である。
・例の概要図である。
第１図において、本発明の液状半導体形成材料気化供給
装置は符号１でその全体が表されている。
装置は符号１でその全体が表されている。
本発明の装置１には、キャリアガス送入パイプ３が配設
されている。このパイプは例えば、ステンレスなどから
構成されている。このパイプは図示されていないキャリ
アガス供給源に接続されている。キャリアガスとしては
例えば、Ｎ２＋ＡｒまたはＨｅなどを使用することがで
きる。キャリアガス送入パイプ３の途中にはキャリアガ
ス用のマスフローコントローラ７が配設されている。
されている。このパイプは例えば、ステンレスなどから
構成されている。このパイプは図示されていないキャリ
アガス供給源に接続されている。キャリアガスとしては
例えば、Ｎ２＋ＡｒまたはＨｅなどを使用することがで
きる。キャリアガス送入パイプ３の途中にはキャリアガ
ス用のマスフローコントローラ７が配設されている。
本発明の装置１は、テトラエトキシシランなどのような
液状半導体形成材料の貯溜槽１０を有する。この貯溜槽
１０は加圧器としても機能する。
液状半導体形成材料の貯溜槽１０を有する。この貯溜槽
１０は加圧器としても機能する。
従って、貯溜槽１０の上部には、槽内圧力を高めるため
の、加圧ガス送入管１２が設けられている。
の、加圧ガス送入管１２が設けられている。
加圧ガス送入管１２の途中にはバルブ１４が設けられて
いて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例えば、Ｎ２
＋ Ａ ｒまたはＨｅ）の流量をコントロールする。ま
た、槽内圧力を検出するための圧力計１６も配設されて
いる。材料給送管２ｏは管５の内部に挿入され、管５の
先細口の先端より若干内部に引っ込んだ箇所に位置決め
され、ネブライザー５０を構成する。給送管２０は例え
ば、ステンレスからなる。この給送管の一端は貯溜槽１
０の底部付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。
いて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例えば、Ｎ２
＋ Ａ ｒまたはＨｅ）の流量をコントロールする。ま
た、槽内圧力を検出するための圧力計１６も配設されて
いる。材料給送管２ｏは管５の内部に挿入され、管５の
先細口の先端より若干内部に引っ込んだ箇所に位置決め
され、ネブライザー５０を構成する。給送管２０は例え
ば、ステンレスからなる。この給送管の一端は貯溜槽１
０の底部付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。
途中には、液状材料用のマスフローコントローラ２２と
バルブ２４が配設されている。
バルブ２４が配設されている。
貯溜槽１０内の液状半導体形成材料１８は加圧ガス送入
管１２からの不活性ガス等によって加圧され、給送管２
０に送り出される。その流量は液状材料用マスフローコ
ントローラ２２により制御され、バルブ２４により供給
および供給停止が行われる。給送管２０内の液状半導体
材料は管５から送られてくる高圧キャリアガスによりネ
ブライザー５０により霧化されて気化室３０内に噴霧さ
れる。
管１２からの不活性ガス等によって加圧され、給送管２
０に送り出される。その流量は液状材料用マスフローコ
ントローラ２２により制御され、バルブ２４により供給
および供給停止が行われる。給送管２０内の液状半導体
材料は管５から送られてくる高圧キャリアガスによりネ
ブライザー５０により霧化されて気化室３０内に噴霧さ
れる。
気化室の内径は比較的大きく、噴霧された霧化材料は気
化室内に拡散して効率的に気化される。
化室内に拡散して効率的に気化される。
気化室３０の外周にはヒータ３２が捲回されている。熱
効準あるいは気化効率を高めるために、気化室およびヒ
ータは全体が断熱材３４により被包されている。断熱材
の内部には温度センサ３６が配設されており、温度セン
サ３６とヒータ３２は温調器３８に接続されている。ヒ
ータは電熱式のものでもよく、あるいは他の形式（例え
ば、熱媒循環式）のものでもよい。気化室の温度は液状
半導体形成材料の分解あるいは燃焼あるいは爆発などを
起こすことなく、霧化半導体形成材料を気化させるのに
必要十分な温度であればよい。気化室３０の出口には適
当な径のパイプ４０が接続されており、キャリアガスと
液状゛ト導体形成材料の気化ガスの混合物は、このパイ
プ４０により気相反応装置（例えば、プラズマＣＶＤ装
置など）の反応室（図示されていない）に供給される。
効準あるいは気化効率を高めるために、気化室およびヒ
ータは全体が断熱材３４により被包されている。断熱材
の内部には温度センサ３６が配設されており、温度セン
サ３６とヒータ３２は温調器３８に接続されている。ヒ
ータは電熱式のものでもよく、あるいは他の形式（例え
ば、熱媒循環式）のものでもよい。気化室の温度は液状
半導体形成材料の分解あるいは燃焼あるいは爆発などを
起こすことなく、霧化半導体形成材料を気化させるのに
必要十分な温度であればよい。気化室３０の出口には適
当な径のパイプ４０が接続されており、キャリアガスと
液状゛ト導体形成材料の気化ガスの混合物は、このパイ
プ４０により気相反応装置（例えば、プラズマＣＶＤ装
置など）の反応室（図示されていない）に供給される。
本発明の液状半導体形成材料気化供給装置１を自動運転
するために、信号処理回路４２が設けられている。信号
処理回路４２の内部には例えば、ＣＰＵと動作プログラ
ムを記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリ
アガス用マスフローコントローラ７、Ｍ状材料用マスフ
ローコントローラ２２とバルブ２４、貯溜槽の加圧バル
ブ１４および圧力計１６および温調器３８がこの信号処
理回路４２に接続されている。本発明の装置はキャリア
がス用マスフローコントローラ７と液状材料用マスフロ
ーコントローラ２２の信号で、演算処理を行い、キャリ
アガス中の液体材料のガス濃度を自動制御できるように
なっている。また、ガス濃度にしたがって気化室３０の
ヒータ３２の温度も自動的に制御される。
するために、信号処理回路４２が設けられている。信号
処理回路４２の内部には例えば、ＣＰＵと動作プログラ
ムを記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリ
アガス用マスフローコントローラ７、Ｍ状材料用マスフ
ローコントローラ２２とバルブ２４、貯溜槽の加圧バル
ブ１４および圧力計１６および温調器３８がこの信号処
理回路４２に接続されている。本発明の装置はキャリア
がス用マスフローコントローラ７と液状材料用マスフロ
ーコントローラ２２の信号で、演算処理を行い、キャリ
アガス中の液体材料のガス濃度を自動制御できるように
なっている。また、ガス濃度にしたがって気化室３０の
ヒータ３２の温度も自動的に制御される。
貯溜槽１０には下部液面センサ４６が設けられていて、
液状材料の残量が少なくなると、適当な補給源（図示さ
れていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設
定液面にまで液状材料が補給されると、上部液面センサ
４８からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号
に基づき、補給が中＋ｈされる。
液状材料の残量が少なくなると、適当な補給源（図示さ
れていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設
定液面にまで液状材料が補給されると、上部液面センサ
４８からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号
に基づき、補給が中＋ｈされる。
以上、本発明をＣＶＤ用の液状半導体形成材料気化供給
装置として詳細に説明したきたが、本発明の装置はＣＶ
Ｄに限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置など
）についても使用できる。
装置として詳細に説明したきたが、本発明の装置はＣＶ
Ｄに限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置など
）についても使用できる。
また、本発明にもとることなく、本発明に対して様々な
変更あるいは改変を加えることができる。
変更あるいは改変を加えることができる。
例えば、貯溜槽１０に加圧機構を設けず、ネブライザー
の負圧吸引作用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化す
ることもできる。
の負圧吸引作用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化す
ることもできる。
［発明の効果コ
以上１悦明したように、本発明によれば、液状’１４導
体形成材料を先ずネブライザーで霧状にし、これを加熱
機で直接気化させる。しかも、ネブライザーが加熱機と
一体になっているので熱効率の点でも極めて効果的であ
る。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の
濃度を一定に維持することができる。
体形成材料を先ずネブライザーで霧状にし、これを加熱
機で直接気化させる。しかも、ネブライザーが加熱機と
一体になっているので熱効率の点でも極めて効果的であ
る。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の
濃度を一定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従来
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の濃度低下が防止できる。
のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液体
表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれる
液状材料の濃度低下が防止できる。
また、液状半導体形成材料の濃度が一定に保たれるので
、生成される膜中の不純物濃度も安定し、均一な品質を
有する膜を安定的に生成することができる。その結果、
膜生成のスループットも大幅に向上される。
、生成される膜中の不純物濃度も安定し、均一な品質を
有する膜を安定的に生成することができる。その結果、
膜生成のスループットも大幅に向上される。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の一
例の概要図であり、第２図は従来の気化供給装置のＷ１
要図である。 １・・・本発明の液状半導体形成材料気化供給装置３・
・・キャリアガス送入パイプ、５・・・管。 ７・・・キャリアガス用マスフローコントローラ。 １０・・・液状半導体形成材料貯溜槽、１２・・・加圧
ガス送入管、１４・・・パルプ、１６・・・圧力計。 ２０・・・液状半導体形成材料給送管、２２・・・液状
半導体形成材料用マスフローコントローラ。 ２４・・・バルブ、３０・・・気化室、３２・・・ヒー
タ。 ３４・・・断熱材、３６・・・温度センサ、３８・・・
温調器。 ４０・・・気化ガス送出パイプ、４２・・・信号処理回
路。 ４６・・・下部液面センサ、４８・・・土部岐面センサ
。 ５０・・・ネブライザー
例の概要図であり、第２図は従来の気化供給装置のＷ１
要図である。 １・・・本発明の液状半導体形成材料気化供給装置３・
・・キャリアガス送入パイプ、５・・・管。 ７・・・キャリアガス用マスフローコントローラ。 １０・・・液状半導体形成材料貯溜槽、１２・・・加圧
ガス送入管、１４・・・パルプ、１６・・・圧力計。 ２０・・・液状半導体形成材料給送管、２２・・・液状
半導体形成材料用マスフローコントローラ。 ２４・・・バルブ、３０・・・気化室、３２・・・ヒー
タ。 ３４・・・断熱材、３６・・・温度センサ、３８・・・
温調器。 ４０・・・気化ガス送出パイプ、４２・・・信号処理回
路。 ４６・・・下部液面センサ、４８・・・土部岐面センサ
。 ５０・・・ネブライザー
Claims (2)
- （１）液状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ
供給するための液状半導体形成材料気化供給装置であっ
て、該装置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材
料を加熱気化する機構とからなり、前記液状半導体形成
材料噴霧機構の噴霧口は前記加熱気化機構の端部に配設
されていることを特徴とする液状半導体形成材料気化供
給装置。 - （２）加熱気化機構の室内は噴霧材料を拡散するのに十
分な容積を有することを特徴とする請求項１記載の液状
半導体形成材料気化供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262975A JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262975A JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126872A true JPH03126872A (ja) | 1991-05-30 |
| JP3047241B2 JP3047241B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=17383152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1262975A Expired - Lifetime JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047241B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291040A (ja) * | 1992-03-03 | 1994-10-18 | Rintetsuku:Kk | 液体気化供給方法と液体気化供給器 |
| JPH0747201A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Toshiba Corp | 気化装置 |
| US8197600B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-06-12 | Tokyo Electron Limited | Vaporizer and semiconductor processing system |
| US8197601B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-06-12 | Tokyo Electron Limited | Vaporizer, vaporization module and film forming apparatus |
| US8253426B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-08-28 | Pioneer Corporation | Capacitance detector |
| US8382903B2 (en) | 2005-10-06 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Vaporizer and semiconductor processing system |
| CN111485285A (zh) * | 2019-01-25 | 2020-08-04 | 丰田自动车株式会社 | 成膜装置及半导体装置的制造方法 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1262975A patent/JP3047241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291040A (ja) * | 1992-03-03 | 1994-10-18 | Rintetsuku:Kk | 液体気化供給方法と液体気化供給器 |
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| US8197601B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-06-12 | Tokyo Electron Limited | Vaporizer, vaporization module and film forming apparatus |
| US8197600B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-06-12 | Tokyo Electron Limited | Vaporizer and semiconductor processing system |
| US8253426B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-08-28 | Pioneer Corporation | Capacitance detector |
| CN111485285A (zh) * | 2019-01-25 | 2020-08-04 | 丰田自动车株式会社 | 成膜装置及半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3047241B2 (ja) | 2000-05-29 |
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