JP5680565B2 - 安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法 - Google Patents
安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5680565B2 JP5680565B2 JP2011553592A JP2011553592A JP5680565B2 JP 5680565 B2 JP5680565 B2 JP 5680565B2 JP 2011553592 A JP2011553592 A JP 2011553592A JP 2011553592 A JP2011553592 A JP 2011553592A JP 5680565 B2 JP5680565 B2 JP 5680565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor
- liquid
- nozzle structure
- liquid precursor
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 120
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 102
- 239000006260 foam Substances 0.000 title claims description 19
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 127
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 84
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 76
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 53
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 44
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 6
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000547 structure data Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
発明の分野
本発明の実施例は、一般に、液体先駆物質を泡立たせるための装置および方法に関する。特に、この液体先駆物質を泡立たせるための装置および方法は、実用されるバブラーノズル構造および方法に利用される。
半導体プロセスにおける新たな進歩は、材料堆積プロセスを含む多くのプロセスで使用する液体先駆物質のプロセスチャンバーへの改良された運搬を要求する。この液体先駆物質は、この先駆物質の効果的な使用のため、およびプロセスチャンバー内における基体上に堆積された材料の形成の効果的なコントロールのため、好ましくは、蒸気の状態で与えられる。
本発明の実施例は、液体先駆物質を気化するための装置および方法をあまねく供給する。1つの実施例において、第1の端部および第2の端部を有するガス流導管と、このガス流導管の上記第2の端部に接続され、上記ガス流導管の上記第2の端部へ流体を流通可能に接続された1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管を有するノズル構造と、上記ガス流導管の周りで且つ上記ノズル構造から離間した関係で配置されたプレートと、を有し、上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管および上記プレートは、両方とも、上記ガス流導管の軸から放射状に延びている、液体先駆物質の蒸気を供給するための泡立てシステムが供給される。
ここに開示されたものは、方法、装置、およびその複合の限定されない実施例であり、これらは、半導体、光電池、LCD−TFT、或いはフラットパネルタイプの装置に使用される。背景技術で明らかにされた問題は、革新的なノズル構造、温度制御装置、供給の初めで先駆物質を供給する方法、および供給ラインの温度制御の方法を含むこの発明の種々の実施例によって解決されるであろう。
図5のバブラーノズル構造、液体温度コントロールシステム、および、供給およびライン加熱システムへの処置を含む、この発明の形態は、以下の実験において比較される。実験では、液体中における泡の動きをチェックし、図5のノズル構造を使用したときの蒸気の濃度の安定性をチェックし、液体の与えられた量のどれだけを使用可能であるかをチェックし、液体先駆物質を供給する革新的な処置の有効性をチェックする。
図5に示されたようなノズル構造を伴うここに開示された泡立てシステムは、泡の発生および泡の動きに関して、図2Aおよび2Bに示されたような従来技術のノズル構造と比較され、図6A、6B、および6Cに示されているような泡立て供給プロセスの間中、観測される。全ての3つのノズル構造のための泡立てプロセスは、アルゴンガス(Ar)を約3slm(スタンダードリッターパーミニッツ)の流量で、大気圧で容器を伴う水の液体先駆物質を通して流す工程を含む。
ここに図4に示すような液体コントロールシステムを伴うここに開示された図7に示すような装置を用いて実験2−4が実施される。動作において、オクタンの蒸気を伴うアルゴンガスは、キャリアガスバルブ(DIPチューブバルブ)704を介してキャリアガスライン718を通してバブラー711内へのアルゴンキャリアの導入によって、ガス濃度モニター715へ供給される。アルゴンガスは、オクタン液先駆物質710内に配置されたDIPチューブ708の端部にそれぞれ接続された図2A、2B、および図5に示されたようなそれぞれのノズル構造から導入される。ガスの流量は、流量コントローラー702によってコントロールされ、3slmの流量に維持される。液体先駆物質は、ジャケットヒーター712によって30℃の温度に維持される。バブラー711内の液体の上方のガス相において、オクタン蒸気がアルゴンガスと混合され、そして、引き出されたガス混合物が、ガス供給バルブ(ヘッドバルブ)706を介してガス濃度モニター715へ運ばれて供給ライン720を通る。液体先駆物質、すなわちオクタンの濃度は、電圧としてガス濃度モニター715によって計測される。真空ポンプ716は、実験の継続のため一定の泡立て圧力(170トル)を維持するために用いられる。ガス濃度モニター715の前の供給ライン714は、40℃に加熱される。液体先駆物質蒸気の濃度安定性は、ガス濃度モニター715の値をモニターすることによって観測されることができる。このガス濃度モニター715は、通過する液体先駆物質蒸気の赤外線吸収分光測定法による計測に基づいて、電圧信号を供給する。液体先駆物質蒸気の正確な量は、泡立てプロセスの間中、バブラー711内に初めにある液体先駆物質の重さから、泡立て後に残っている液体先駆物質の重さを引くことによって測定される。
実験3は、図7の装置によっておよび実験2で説明されたプロセスによって、図2Bのノズル構造および図5のノズル構造を用いた場合、どのくらいの液体先駆物質がバブラー内で使用されたかを比較することでなされる。図2Bのノズル構造のデータを図にした図11は、時間軸に沿った液体温度(ラインA)および蒸気濃度(ラインB)を図示する。図11において、図2Bのノズル構造のため、一定温度での先駆物質の濃度は、劇的に増大され、ポイントCで液体表面レベルがノズル構造から約2cmの距離まで減少したとき不安定になり、そして液体先駆物質の表面のレベルのさらなる減少を伴ってより不安定になる。これに対し、図5のノズル構造のデータを図にした図12は、ノズル構造から約0.5cm離れた驚くほどおよび意外な液体表面レベルでCの位置での僅かな増大のみ示す。このように、取り付けられたプレート506が、蒸発のため液体先駆物質を伴ってキャリアガスが長くとどまることを許容し、それにより、図2Aおよび2Bの従来のノズル構造よりバブラー内における液体先駆物質の使用効率の増大を許容することが観測される。この効果は、バブラーの直径が大きくなるにつれて、より宣言されるようになることが信じられている。
先駆物質供給の初めで減少する温度を減少する処置は、図13の泡立てコアユニット1300を参照して以下に説明される。初めに、レギュレーター1326は、流量コントローラー1324によってモニターされ且つコントロールされた約3slmのアルゴンガス流量を許容する最小の圧力を供給するように調節される。メイクバルブ1312は、液体先駆物質1306の蒸気がポンプ1322によって与えられた真空によってバブラー1304から出て供給ライン1308およびモニター1320を通してプロセスチャンバーへ出ることを許容するため開かれ、そして、キャリアガスバルブ1314は、ガス導管1310によってバブラー1304内へキャリアガスが入ることを許容するため開かれる。そして、次のバルブ1316がゆっくり開かれる。この実験において、図5のノズル構造および供給ライン1308を用いるバブラーが40℃に保持される。液体先駆物質1306は、オクタンであり、上述した液体温度コントロールシステムによって約30℃に維持される。泡立て圧力は、ポンプ1322によって約170トルに維持される。
以下、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]
第1の端部および第2の端部を有するガス流導管と、
このガス流導管の上記第2の端部に接続され、上記ガス流導管の上記第2の端部へ流体を流通可能に接続された1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管を有するノズル構造と、
上記ガス流導管の周りで且つ上記ノズル構造から離間した関係で配置されたプレートと、を有し、
上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管および上記プレートは、両方とも、上記ガス流導管の軸から放射状に延びている、
液体先駆物質の蒸気を供給するための泡立てシステム。
[2]
上記プレートは、上記ガス流導管の周りで且つ上記ノズル構造から平行に離間した関係で配置されている、[1]によるところの泡立てシステム。
[3]
上記プレートは、上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管の長さと等しく或いはそれより大きい直径を有する環状ディスクを有する、[1]或いは[2]によるところの泡立てシステム。
[4]
上記環状ディスクは、該環状ディスクの直径と上記孔の開いた導管の長さの比が1:1から約2:1より大きくなる割合を有する、[3]によるところの泡立てシステム。
[5]
上記環状ディスクは、約1:12から約1:1の上記ノズル構造からの距離と環状ディスクの直径の割合によって、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から離れて配置されている、[3]によるところの泡立てシステム。
[6]
上記プレートは、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から約0.5cmから約6cm離れて配置されている、[1]によることろの泡立てシステム。
[7]
上記プレートは、約4cmから約8cmのディスク直径を有する環状ディスクを有し、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から約3cmから約4cm離れて配置されている、[6]によるところの泡立てシステム。
[8]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、上記ガス流導管へ直交する方法で指向されている、[1]によるところの泡立てシステム。
[9]
流体容器内に配置されたガス流導管をさらに有する、[1]によるところの泡立てシステム。
[10]
上記流体容器は、約0.1リッターから約10リッターの容積を有する、[9]によるところの泡立てシステム。
[11]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管それぞれは、2つのアームを有し、各アームは、1つ或いはそれ以上の孔を有する、[1]によるところの泡立てシステム。
[12]
各孔は、約0.1mmから約3mmの直径である、[11]によるところの泡立てシステム。
[13]
各孔は、直線に沿って互いに離間された関係で各アームに沿って配置されている、[11]によるところの泡立てシステム。
[14]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに30°から90°の角度で配置されている、[11]によるところの泡立てシステム。
[15]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに約90°の角度で配置された2つの導管を有する、[11]によるところの泡立てシステム。
[16]
バブラーは、上記容器の側壁および底に配置されたジャケットヒーター、およびこのジャケットヒーターに接続されたコントローラーをさらに有する、[9]によるところの泡立てシステム。
[17]
上記流体容器と上記ジャケットヒーターとの間に配置された熱拡散シートをさらに有する、[16]によるところの泡立てシステム。
[18]
上記容器内に配置されたポート、およびこのポート内に配置された熱電対をさらに有する、[9]によるところの泡立てシステム。
[19]
上記ポートと上記熱電対との間に配置された熱拡散ジェルをさらに有する、[18]によるところの泡立てシステム。
[20]
上記ジャケットヒーターは、開口およびこの開口内に配置された熱電対をさらに有する、[9]によるところの泡立てシステム。
[21]
上記開口と上記熱電対の間に配置された熱拡散ジェルをさらに有する、[20]によるところの泡立てシステム。
[22]
上記プレートは、約4cmから約8cmの直径、および約0.1mmから約2cmの厚さを有する、[1]によるところの泡立てシステム。
[23]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管のそれぞれは、約0.5cmから約1.5cmの直径、および約1cmから約8cmの長さを有する、[1]によるところの泡立てシステム。
[24]
[1]から[23]のいずれか1つによるところの、液体容器をさらに有する、泡立てシステムを供給する工程と、
液体先駆物質を上記液体容器へ供給し、上記プレートの高さより大きい初めの容積を形成する工程と、
上記ガス導管を通してキャリアガスを供給し、上記ノズル構造の上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管から出す工程と、を有し、
上記キャリアガスを出す工程は、上記液体先駆物質内で第1のサイズを有する第1の泡を形成し、
上記第1の泡は、上記プレートに接触して、上記第1のサイズより小さな第2のサイズを有する第2の泡を形成し、
上記第2の泡は、上記液体先駆物質の表面へ流れ、上記液体先駆物質の表面で気化された先駆物質を製造する、
液体先駆物質を気化するための方法。
[25]
上記第1の泡は、上記ノズル構造の1つ或いはそれ以上の孔の直径より大きくないサイズを有する、[24]によるところの方法。
[26]
上記ノズル構造の上記1つ或いはそれ以上の孔の直径は、0.1mmから3mmの直径を含む、[24]によるところの方法。
[27]
上記液体の上記表面へ上記第2の泡が流れる工程は、上記第1の泡の上昇速度より小さい上昇速度で第2の泡を流す工程を含む、[24]によるところの方法。
[28]
上記第2の泡は、上記液体先駆物質中で、上記第1の泡より均一に配置される、[27]によるところの方法。
[29]
上記第2の泡は、上記液体先駆物質中で、上記第1の泡より大きな拡散を有する、[27]によるところの方法。
[30]
上記気化された先駆物質は、約1.5グラム/分から約11.8グラム/分の供与量を有する、[24]によるところの方法。
[31]
上記気化された先駆物質は、約20℃から約200℃の温度で供給される、[30]によるところの方法。
[32]
上記プレートの高さより少ないプロセスボリュームを発生させる液体先駆物質をさらに有し、液体先駆物質の霧が上記プレートに接触する、[24]によるところの方法。
[33]
上記キャリアガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、およびそれらの混合物のグループから選択され、約1slmより大きく約10slmまでの流量で上記ガス導管へ供給される、[24]によるところの方法。
[34]
上記容器は、約150トルから約760トルの圧力を有する、[24]によるところの方法。
[35]
上記液体先駆物質は、炭化水素混合物或いは金属含有先駆物質を含む、[24]によるところの方法。
[36]
上記液体先駆物質は、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、トリメチルアルミニウム、およびそれらの混合物のグループから選択された金属有機先駆物質を含む、[35]によるところの方法。
[37]
上記液体先駆物質は、約20℃から約200℃の温度で供給される、[24]によるところの方法。
[38]
上記プレートは、上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管の長さと等しい或いはそれより大きい直径を有する環状ディスクを有する、[24]によるところの方法。
[39]
上記環状ディスクは、約1:12から約1:1の上記ノズル構造からの距離と環状ディスクの直径の割合によって、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から離れて配置されている、[24]によるところの方法。
[40]
上記液体の初めの容積は、約0.4Lから約8Lであり、上記プレートは、上記流体容器の上記底から約4cmの高さで配置されている、[24]によるところの方法。
[41]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管のそれぞれは、2つのアームを有し、各アームは、1つ或いはそれ以上の孔を有する、[24]によるところの方法。
[42]
各孔は、約0.1mmから約3mmの直径である、[24]によるところの方法。
[43]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに30°から90°の角度で配置されている、[24]によるところの方法。
[44]
上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに約90°の角度で配置された2つの導管を有する、[24]によるところの方法。
[45]
上記流体容器は、約0.5リッターから約10リッターの容積を有する、[44]によるところの方法。
Claims (44)
- 第1の端部および第2の端部を有するガス流導管と、
このガス流導管の上記第2の端部に接続され、上記ガス流導管の上記第2の端部へ流体を流通可能に接続された1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管を有するノズル構造と、
上記ガス流導管の周りで且つ上記ノズル構造から離間した関係で配置され、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から0.5cmから6cm離れて配置されたプレートと、を有し、
上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管および上記プレートは、両方とも、上記ガス流導管の軸から放射状に延びている、
液体先駆物質の蒸気を供給するための泡立てシステム。 - 上記プレートは、上記ガス流導管の周りで且つ上記ノズル構造から平行に離間した関係で配置されている、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 上記プレートは、上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管の長さと等しく或いはそれより大きい直径を有する環状ディスクを有する、請求項1或いは請求項2によるところの泡立てシステム。
- 上記環状ディスクは、該環状ディスクの直径と上記孔の開いた導管の長さの比が1:1から2:1より大きくなる割合を有する、請求項3によるところの泡立てシステム。
- 上記環状ディスクは、1:12から1:1の上記ノズル構造からの距離と環状ディスクの直径の割合によって、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から離れて配置されている、請求項3によるところの泡立てシステム。
- 上記プレートは、4cmから8cmのディスク直径を有する環状ディスクを有し、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から3cmから4cm離れて配置されている、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、上記ガス流導管へ直交する方法で指向されている、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 流体容器内に配置されたガス流導管をさらに有する、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 上記流体容器は、0.1リッターから10リッターの容積を有する、請求項8によるところの泡立てシステム。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管それぞれは、2つのアームを有し、各アームは、1つ或いはそれ以上の孔を有する、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 各孔は、0.1mmから3mmの直径である、請求項10によるところの泡立てシステム。
- 各孔は、直線に沿って互いに離間された関係で各アームに沿って配置されている、請求項10によるところの泡立てシステム。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに30°から90°の角度で配置されている、請求項10によるところの泡立てシステム。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに90°の角度で配置された2つの導管を有する、請求項10によるところの泡立てシステム。
- バブラーは、上記容器の側壁および底に配置されたジャケットヒーター、およびこのジャケットヒーターに接続されたコントローラーをさらに有する、請求項8によるところの泡立てシステム。
- 上記流体容器と上記ジャケットヒーターとの間に配置された熱拡散シートをさらに有する、請求項15によるところの泡立てシステム。
- 上記容器内に配置されたポート、およびこのポート内に配置された熱電対をさらに有する、請求項8によるところの泡立てシステム。
- 上記ポートと上記熱電対との間に配置された熱拡散ジェルをさらに有する、請求項17によるところの泡立てシステム。
- 上記ジャケットヒーターは、開口およびこの開口内に配置された熱電対をさらに有する、請求項16によるところの泡立てシステム。
- 上記開口と上記熱電対の間に配置された熱拡散ジェルをさらに有する、請求項19によるところの泡立てシステム。
- 上記プレートは、4cmから8cmの直径、および0.1mmから2cmの厚さを有する、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管のそれぞれは、0.5cmから1.5cmの直径、および1cmから8cmの長さを有する、請求項1によるところの泡立てシステム。
- 請求項1から22のいずれか1つによるところの、液体容器をさらに有する、泡立てシステムを供給する工程と、
液体先駆物質を上記液体容器へ供給し、上記プレートの高さより大きい初めの容積を形成する工程と、
ガス導管を通してキャリアガスを供給し、上記ノズル構造の上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管から出す工程と、を有し、
上記キャリアガスを出す工程は、上記液体先駆物質内で第1のサイズを有する第1の泡を形成し、
上記第1の泡は、上記プレートに接触して、上記第1のサイズより小さな第2のサイズを有する第2の泡を形成し、
上記第2の泡は、上記液体先駆物質の表面へ流れ、上記液体先駆物質の表面で気化された先駆物質を製造する、
液体先駆物質を気化するための方法。 - 上記第1の泡は、上記ノズル構造の1つ或いはそれ以上の孔の直径より大きくないサイズを有する、請求項23によるところの方法。
- 上記ノズル構造の上記1つ或いはそれ以上の孔の直径は、0.1mmから3mmの直径を含む、請求項23によるところの方法。
- 上記液体の上記表面へ上記第2の泡が流れる工程は、上記第1の泡の上昇速度より小さい上昇速度で第2の泡を流す工程を含む、請求項23によるところの方法。
- 上記第2の泡は、上記液体先駆物質中で、上記第1の泡より均一に配置される、請求項26によるところの方法。
- 上記第2の泡は、上記液体先駆物質中で、上記第1の泡より大きな拡散を有する、請求項26によるところの方法。
- 上記気化された先駆物質は、1.5グラム/分から11.8グラム/分の供与量を有する、請求項23によるところの方法。
- 上記気化された先駆物質は、20℃から200℃の温度で供給される、請求項29によるところの方法。
- 上記プレートの高さより少ないプロセスボリュームを発生させる液体先駆物質をさらに有し、液体先駆物質の霧が上記プレートに接触する、請求項23によるところの方法。
- 上記キャリアガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、およびそれらの混合物のグループから選択され、1slmより大きく10slmまでの流量で上記ガス導管へ供給される、請求項23によるところの方法。
- 上記容器は、150トルから760トルの圧力を有する、請求項23によるところの方法。
- 上記液体先駆物質は、炭化水素混合物或いは金属含有先駆物質を含む、請求項23によるところの方法。
- 上記液体先駆物質は、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、トリメチルアルミニウム、およびそれらの混合物のグループから選択された金属有機先駆物質を含む、請求項34によるところの方法。
- 上記液体先駆物質は、20℃から200℃の温度で供給される、請求項23によるところの方法。
- 上記プレートは、上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管の長さと等しい或いはそれより大きい直径を有する環状ディスクを有する、請求項23によるところの方法。
- 上記環状ディスクは、1:12から1:1の上記ノズル構造からの距離と環状ディスクの直径の割合によって、上記ガス流導管に沿って上記ノズル構造から離れて配置されている、請求項37によるところの方法。
- 上記液体の初めの容積は、0.4Lから8Lであり、上記プレートは、上記液体容器の底から4cmの高さで配置されている、請求項23によるところの方法。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管のそれぞれは、2つのアームを有し、各アームは、1つ或いはそれ以上の孔を有する、請求項23によるところの方法。
- 各孔は、0.1mmから3mmの直径である、請求項23によるところの方法。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに30°から90°の角度で配置されている、請求項23によるところの方法。
- 上記1つ或いはそれ以上の孔の開いた導管は、互いに90°の角度で配置された2つの導管を有する、請求項23によるところの方法。
- 上記液体容器は、0.5リッターから10リッターの容積を有する、請求項43によるところの方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15933409P | 2009-03-11 | 2009-03-11 | |
US61/159,334 | 2009-03-11 | ||
PCT/IB2010/051066 WO2010103487A1 (en) | 2009-03-11 | 2010-03-11 | Bubbling supply system for stable precursor supply |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014148227A Division JP5889971B2 (ja) | 2009-03-11 | 2014-07-18 | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012520393A JP2012520393A (ja) | 2012-09-06 |
JP5680565B2 true JP5680565B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=42236414
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011553592A Expired - Fee Related JP5680565B2 (ja) | 2009-03-11 | 2010-03-11 | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法 |
JP2014148227A Expired - Fee Related JP5889971B2 (ja) | 2009-03-11 | 2014-07-18 | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014148227A Expired - Fee Related JP5889971B2 (ja) | 2009-03-11 | 2014-07-18 | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8348248B2 (ja) |
EP (1) | EP2406410A1 (ja) |
JP (2) | JP5680565B2 (ja) |
CN (1) | CN102348832B (ja) |
TW (1) | TW201040306A (ja) |
WO (1) | WO2010103487A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180116705A (ko) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 한밭대학교 산학협력단 | 열 응답성을 향상시킨 캐니스터 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8348248B2 (en) * | 2009-03-11 | 2013-01-08 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Bubbling supply system for stable precursor supply |
TWI470672B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-01-21 | Soitec Silicon On Insulator | 用於鹵化物氣相磊晶系統之直接液體注入及方法 |
FR2979636B1 (fr) * | 2011-09-07 | 2014-08-29 | Soitec Silicon On Insulator | Injection directe de liquide pour des systemes et des procedes d'epitaxie en phase vapeur a base d'halogenures |
US9644285B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-05-09 | Soitec | Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods |
WO2013126323A1 (en) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for precursor delivery |
DE102013103603A1 (de) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Versorgen eines Prozesses mit einem angereicherten Trägergas |
CN103710683B (zh) * | 2014-01-09 | 2016-08-17 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种应用于原子层沉积设备的源瓶 |
JP6094513B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス発生装置、処理ガス発生方法、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2015195312A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US10443128B2 (en) | 2015-04-18 | 2019-10-15 | Versum Materials Us, Llc | Vessel and method for delivery of precursor materials |
CN110325981B (zh) | 2016-08-24 | 2023-02-17 | 谷歌有限责任公司 | 基于变化检测的地图界面更新系统 |
CN108404699A (zh) * | 2017-02-09 | 2018-08-17 | 埃尔微尘科技(北京)有限公司 | 一种气液混合装置 |
KR101951644B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2019-02-25 | 고등기술연구원연구조합 | 미생물에 의한 수소생산장치 및 이를 이용한 수소생산방법 |
JP6920923B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
CN109023301B (zh) * | 2018-10-24 | 2023-10-13 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 氧化铝膜制备装置 |
CN113166936A (zh) * | 2018-12-11 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 安瓿飞溅缓解 |
JP7033622B2 (ja) | 2020-03-19 | 2022-03-10 | 株式会社Kokusai Electric | 気化装置、基板処理装置、クリーニング方法および半導体装置の製造方法 |
KR102308275B1 (ko) * | 2020-06-17 | 2021-10-06 | 한국수력원자력 주식회사 | 버블 직경 산출방법 |
CN114367231A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-19 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 | 一种用于半导体加工的智能液体前驱体源存储装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US229374A (en) * | 1880-06-29 | Friedbtch ad | ||
US664457A (en) * | 1900-05-24 | 1900-12-25 | James Frederick Bennett | Carbureter. |
US673798A (en) * | 1900-07-18 | 1901-05-07 | Eleazer Kempshall | Carbureter. |
US797615A (en) * | 1905-03-15 | 1905-08-22 | Frederick Schmitt | Carbureter. |
US826936A (en) * | 1905-11-28 | 1906-07-24 | Ozro H Hinds | Carbureter. |
BE493382A (ja) * | 1949-05-06 | |||
US3429676A (en) * | 1965-08-26 | 1969-02-25 | Casper J Gatza | Gas saturator and detector |
JPS5219462A (en) * | 1975-08-06 | 1977-02-14 | Aiko Kojima | Waste water treating apparatus (26) |
JPS60131973A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属の気化方法 |
US4863644A (en) * | 1988-11-04 | 1989-09-05 | Enviroquip, Inc. | Gas diffuser |
ATE139580T1 (de) * | 1989-09-26 | 1996-07-15 | Canon Kk | Gasversorgungsvorrichtung und ihre verwendung für eine filmabscheidungsanlage |
JPH04261020A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
JPH05335243A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 液体バブリング装置 |
JPH06240456A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-08-30 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置のアルミニウム配線の形成方法及び装置 |
JPH079433U (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-10 | 日新電機株式会社 | バブラ |
JP2996101B2 (ja) * | 1994-08-05 | 1999-12-27 | 信越半導体株式会社 | 液体原料ガスの供給方法および装置 |
US5595691A (en) * | 1995-11-07 | 1997-01-21 | Hsu; Shui-Yuan | Air supply apparatus for pond fisheries |
US6161398A (en) * | 1998-04-09 | 2000-12-19 | Lucent Technologies, Inc. | Methods of and systems for vapor delivery control in optical preform manufacture |
US6142458A (en) * | 1998-10-29 | 2000-11-07 | General Signal Corporation | Mixing system for dispersion of gas into liquid media |
US6444038B1 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-03 | Morton International, Inc. | Dual fritted bubbler |
EP1079001B1 (en) | 1999-08-20 | 2005-06-15 | Morton International, Inc. | Dual fritted bubbler |
KR100360494B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2002-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 기화장치 |
GB9929279D0 (en) * | 1999-12-11 | 2000-02-02 | Epichem Ltd | An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites |
EP1160355B1 (en) | 2000-05-31 | 2004-10-27 | Shipley Company LLC | Bubbler |
EP1329540A3 (en) | 2000-07-03 | 2003-11-05 | Epichem Limited | An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites |
FR2817170B1 (fr) * | 2000-11-30 | 2003-01-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede, module et dispositif de mise en contact d'un gaz et d'un liquide |
US6540211B2 (en) * | 2001-05-08 | 2003-04-01 | Jui-Tsun Tseng | Container for liquid oil of energy |
TW200300701A (en) | 2001-11-30 | 2003-06-16 | Asml Us Inc | High flow rate bubbler system and method |
US7077388B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-07-18 | Asm America, Inc. | Bubbler for substrate processing |
US6893484B2 (en) * | 2003-10-06 | 2005-05-17 | Desert Energy Ltd | Low operating pressure gas scrubber |
GB2432371B (en) * | 2005-11-17 | 2011-06-15 | Epichem Ltd | Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas |
JP2007239008A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Soken Kogyo Kk | 材料供給装置 |
CN101092690A (zh) * | 2006-06-19 | 2007-12-26 | 住友电气工业株式会社 | 金属有机汽化和供给设备 |
US8708320B2 (en) * | 2006-12-15 | 2014-04-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel |
US7708259B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-05-04 | Jesse Alan James | Self-standing weighted diffuser assembly |
US8348248B2 (en) * | 2009-03-11 | 2013-01-08 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Bubbling supply system for stable precursor supply |
-
2010
- 2010-03-10 US US12/721,441 patent/US8348248B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-10 TW TW99106870A patent/TW201040306A/zh unknown
- 2010-03-11 WO PCT/IB2010/051066 patent/WO2010103487A1/en active Application Filing
- 2010-03-11 JP JP2011553592A patent/JP5680565B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-11 EP EP10711933A patent/EP2406410A1/en not_active Withdrawn
- 2010-03-11 CN CN201080011398.9A patent/CN102348832B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-05 US US13/705,431 patent/US20130092241A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-07-18 JP JP2014148227A patent/JP5889971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180116705A (ko) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 한밭대학교 산학협력단 | 열 응답성을 향상시킨 캐니스터 |
KR101965805B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2019-04-04 | 한밭대학교 산학협력단 | 열 응답성을 향상시킨 캐니스터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8348248B2 (en) | 2013-01-08 |
US20100230834A1 (en) | 2010-09-16 |
CN102348832B (zh) | 2014-06-25 |
US20130092241A1 (en) | 2013-04-18 |
JP5889971B2 (ja) | 2016-03-22 |
CN102348832A (zh) | 2012-02-08 |
JP2012520393A (ja) | 2012-09-06 |
WO2010103487A1 (en) | 2010-09-16 |
JP2015007286A (ja) | 2015-01-15 |
EP2406410A1 (en) | 2012-01-18 |
TW201040306A (en) | 2010-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5889971B2 (ja) | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム | |
JP5726831B2 (ja) | 化学気相堆積のための装置及び方法 | |
TWI643974B (zh) | 氣相沉積膜中用以減輕瑕疵狀態之方法及設備 | |
JP5732025B2 (ja) | 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 | |
KR101178030B1 (ko) | 증기 이송 시스템, 기화기, 기화기 유닛 및 기화된 공급원 물질 이송 방법 | |
GB2345298A (en) | Liquid delivery system for chemical vapour deposition method | |
US20060065254A1 (en) | Vaporizer | |
KR20010109202A (ko) | 거품기 | |
WO1994006529A1 (fr) | Appareil de gazeification de liquide | |
KR20010050136A (ko) | 이중 프릿을 가진 버블러 | |
CN112176317A (zh) | 液体汽化器 | |
US20050249873A1 (en) | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices | |
JPH038330A (ja) | 液状半導体形成材料気化供給装置 | |
JP3720083B2 (ja) | 半導体素子用薄膜の製造方法および装置、並びに半導体ウェハ | |
JP3047241B2 (ja) | 液状半導体形成材料気化供給装置 | |
JP5568743B2 (ja) | 霧化装置の恒温水循環システム、霧化装置、及び、配線形成装置 | |
US20020160606A1 (en) | Method for material removal from an in-process microelectronic substrate | |
JP2001295046A (ja) | 銅薄膜の気相成長装置 | |
JP2005175249A (ja) | 液体材料の気化器及び気化方法 | |
JP2004087952A (ja) | 表面処理用ガス供給装置 | |
JPH05291144A (ja) | 化学気相成長装置及びその気化器 | |
KR20010110909A (ko) | 전구체 공급 장치 | |
JPH0536268Y2 (ja) | ||
JP2005039034A (ja) | 気化供給装置及び気化供給方法 | |
JPH05283340A (ja) | 液体原料気化供給装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140718 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5680565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |