JP3047241B2 - 液状半導体形成材料気化供給装置 - Google Patents
液状半導体形成材料気化供給装置Info
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- JP3047241B2 JP3047241B2 JP1262975A JP26297589A JP3047241B2 JP 3047241 B2 JP3047241 B2 JP 3047241B2 JP 1262975 A JP1262975 A JP 1262975A JP 26297589 A JP26297589 A JP 26297589A JP 3047241 B2 JP3047241 B2 JP 3047241B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液状半導体形成材料の気化供給装置に関す
る。更に詳細には、本発明は液状半導体形成材料を霧吹
きの原理により霧状にし、この霧を気化することからな
る液状半導体形成材料気化供給装置に関する。
る。更に詳細には、本発明は液状半導体形成材料を霧吹
きの原理により霧状にし、この霧を気化することからな
る液状半導体形成材料気化供給装置に関する。
［従来の技術］ 薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに化学的気相成長法（CVD:Ch
emical Vapour Deposition）がある。CVDとは、ガス
状物質を化学反応で固体物質にし、基板上に堆積するこ
とをいう。
用いられているものの一つに化学的気相成長法（CVD:Ch
emical Vapour Deposition）がある。CVDとは、ガス
状物質を化学反応で固体物質にし、基板上に堆積するこ
とをいう。
CVDの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高く、SiやSi上の熱酸化膜上に成
長した場合も電気的特性が安定であることで、広く半導
体表面のパッシベーション膜として利用されている。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高く、SiやSi上の熱酸化膜上に成
長した場合も電気的特性が安定であることで、広く半導
体表面のパッシベーション膜として利用されている。
CVDによる薄膜形成は、例えば約400℃ー500℃程度に
加熱したウエハに反応ガス（例えば、SiH4＋O2,またはS
iH4＋PH3＋O2）を供給して行われる。上記の反応ガスは
反応炉（ベルジャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエ
ハの表面にSiO2あるいはフォスフォシリケートガラス
（PSG）の薄膜を形成する。また、SiO2とPSGとの２相成
膜が行われることもある。
加熱したウエハに反応ガス（例えば、SiH4＋O2,またはS
iH4＋PH3＋O2）を供給して行われる。上記の反応ガスは
反応炉（ベルジャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエ
ハの表面にSiO2あるいはフォスフォシリケートガラス
（PSG）の薄膜を形成する。また、SiO2とPSGとの２相成
膜が行われることもある。
［発明が解決しようとする課題］ 従来から使用されてきた反応ガスのモノシラン（Si
H4）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若干劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加工のためにステップカ
バレージが一層重視されるようになってきた。
H4）は段差被覆性（ステップカバレージ）の点で若干劣
ることが知られている。特に、最近のように集積度が著
しく増大すると、回路の極微細加工のためにステップカ
バレージが一層重視されるようになってきた。
このため、モノシランに代わって、段差被覆性に優れ
たテトラエトキシシラン（TEOS）が使用されるようにな
ってきた。しかし、テトラエトキシシランは常温では液
状なので、CVDで使用する場合には、気化またはガス化
してから供給しなければならない。
たテトラエトキシシラン（TEOS）が使用されるようにな
ってきた。しかし、テトラエトキシシランは常温では液
状なので、CVDで使用する場合には、気化またはガス化
してから供給しなければならない。
液状テトラエトキシシランのガス化のために、従来は
第２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図
において、恒温槽100の中に配置されたバブラー110には
液状のテトラエトキシシラン112が貯溜されている。バ
ブラー110の上部にはキャリアガス導入パイプ114が配設
されており、パイプの先端はテトラエトキシシランの液
面よりも下に埋沈されている。また、バブラー110の上
部には気化したテトラエトキシシランガスを反応チャン
バ（図示されていない）に送るための、送出パイプ116
も配設されている。この送出パイプの先端は当然、テト
ラエトキシシランの液面よりも上にある。更に、送出さ
れるガスの流量を制御するため、送出パイプの途中には
マスフローコントローラ118が配設されている。
第２図に示されるような装置が使用されてきた。第２図
において、恒温槽100の中に配置されたバブラー110には
液状のテトラエトキシシラン112が貯溜されている。バ
ブラー110の上部にはキャリアガス導入パイプ114が配設
されており、パイプの先端はテトラエトキシシランの液
面よりも下に埋沈されている。また、バブラー110の上
部には気化したテトラエトキシシランガスを反応チャン
バ（図示されていない）に送るための、送出パイプ116
も配設されている。この送出パイプの先端は当然、テト
ラエトキシシランの液面よりも上にある。更に、送出さ
れるガスの流量を制御するため、送出パイプの途中には
マスフローコントローラ118が配設されている。
第２図に示されるような装置では、恒温槽により液状
テトラエトキシシランを一定温度に加熱することにより
気化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体
が気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低下さ
せる。そのため、気体の蒸気圧が低下し、キャリアガス
中に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。
また、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追
従できないため、テトラエトキシシランの濃度低下は次
第に大きくなっていく。
テトラエトキシシランを一定温度に加熱することにより
気化させる方法が採られてきたが、この方法だと、液体
が気化する際に気化熱を奪い、液体の表面温度を低下さ
せる。そのため、気体の蒸気圧が低下し、キャリアガス
中に含まれるテトラエトキシシランの濃度が低下する。
また、液体の表面濃度の低下は、恒温槽の熱伝導では追
従できないため、テトラエトキシシランの濃度低下は次
第に大きくなっていく。
従って、本発明の目的は液状半導体材料を気化させる
際に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持し
ながら該材料を安定に気化供給する装置を提供すること
である。
際に、キャリアガス中の気化材料の濃度を一定に維持し
ながら該材料を安定に気化供給する装置を提供すること
である。
［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するための手段として、本発明では、
液状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給す
るための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該
装置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材料を加
熱気化する機構とからなり、前記液状半導体形成材料噴
霧機構の噴霧口は前記加熱気化機構の端部に配設されて
いることを特徴とする液状半導体形成材料気化供給装置
を提供する。
液状の半導体形成材料を気化して気相反応装置へ供給す
るための液状半導体形成材料気化供給装置であって、該
装置は液状半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材料を加
熱気化する機構とからなり、前記液状半導体形成材料噴
霧機構の噴霧口は前記加熱気化機構の端部に配設されて
いることを特徴とする液状半導体形成材料気化供給装置
を提供する。
［作用］ 前記のように、本発明によれば、液状半導体形成材料
を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化させ
る。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の
濃度を一定に維持することができる。
を先ず噴霧機で霧状にし、これを加熱機で直接気化させ
る。このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の
濃度を一定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従
来のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液
体表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれ
る液状材料の濃度低下が防止できる。
来のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液
体表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれ
る液状材料の濃度低下が防止できる。
更に、本発明によれば、不活性な雰囲気中で反応ガス
を供給できるため、配管途中で反応が進行しない。従っ
て、半導体デバイスで有害となる異物の発生を防止する
ことができる。また、霧吹きのような機械的噴霧機構を
使用するため、着火源が液状半導体形成材料気化供給装
置自体の内部に存在せず、火災又は爆発の危険性を有す
るTEOSガスなどの反応ガスに対し、安全に供給できる。
更に、本発明の霧吹き噴霧機構は構造が極めてシンプル
であるため、非常に廉価な液状半導体形成材料気化供給
装置を提供することができる。
を供給できるため、配管途中で反応が進行しない。従っ
て、半導体デバイスで有害となる異物の発生を防止する
ことができる。また、霧吹きのような機械的噴霧機構を
使用するため、着火源が液状半導体形成材料気化供給装
置自体の内部に存在せず、火災又は爆発の危険性を有す
るTEOSガスなどの反応ガスに対し、安全に供給できる。
更に、本発明の霧吹き噴霧機構は構造が極めてシンプル
であるため、非常に廉価な液状半導体形成材料気化供給
装置を提供することができる。
特開昭63−67728号公報には、注射器に充填された液
状先駆物質を、ステッパー電動機により針を介して断続
的に液滴状で押し出し、針の先端部分に静電誘導電極を
設置し、接地された針と静電誘導電極間に−10kV以上の
高電圧を印加することで、液滴をイオン化することによ
って噴霧化し、噴霧化されたイオン化先駆物質本体を圧
縮するために再び＋10kV以上の電圧を印加し、その後、
これをヒータによって加熱し、気化することからなる半
導体の製造方法が開示されている。前記公報に記載され
た発明で液状先駆物質をイオン化することの目的は、
イオン化させることにより、基板上へイオン化した蒸気
を電気的に制御可能にする、イオン化した蒸気を基板
へ電気的に引きつけることにより成膜効率を改善する、
及びイオン化した蒸気の流れを流れ制御電極によって
止めておき、多ステップの成膜を行う場合に、前のステ
ップのガス置換時間を不要にするためである。しかし、
この発明において、液状先駆物質をイオン化することに
より次のような問題が生じる。例えば、TEOS−O2系の
反応温度は不活性な状態で650℃程度であるが、TEOSが
イオン化などで活性化されると常温下でも反応が開始さ
れる。この発明の方法は配管内部に成膜される供給方式
であり、デバイスで有害となる異物が多発しやすく、実
用に供し難い。TEOSは引火点が51.7℃と低く、電気抵
抗率が大きいため静電気を帯びやすい。そのため、容器
や供給配管の接地に配慮し、微小火花による火災や爆発
に注意しなければならない。従って、このような材料に
静電噴霧を使用することは極めて危険である。反応炉内
のガスの逆流や、静電誘電電極部でアークが発生した場
合、供給器内部で爆発し、大災害を起こしかねない。更
に、イオン化した材料ガスを導入すると、反応炉内の
浮遊粒子を吸着しながら粗大化し、自重で落下して異物
となる可能性がある。従って、イオン化噴霧方式は液状
半導体形成材料の気化供給方式としては好ましくない。
状先駆物質を、ステッパー電動機により針を介して断続
的に液滴状で押し出し、針の先端部分に静電誘導電極を
設置し、接地された針と静電誘導電極間に−10kV以上の
高電圧を印加することで、液滴をイオン化することによ
って噴霧化し、噴霧化されたイオン化先駆物質本体を圧
縮するために再び＋10kV以上の電圧を印加し、その後、
これをヒータによって加熱し、気化することからなる半
導体の製造方法が開示されている。前記公報に記載され
た発明で液状先駆物質をイオン化することの目的は、
イオン化させることにより、基板上へイオン化した蒸気
を電気的に制御可能にする、イオン化した蒸気を基板
へ電気的に引きつけることにより成膜効率を改善する、
及びイオン化した蒸気の流れを流れ制御電極によって
止めておき、多ステップの成膜を行う場合に、前のステ
ップのガス置換時間を不要にするためである。しかし、
この発明において、液状先駆物質をイオン化することに
より次のような問題が生じる。例えば、TEOS−O2系の
反応温度は不活性な状態で650℃程度であるが、TEOSが
イオン化などで活性化されると常温下でも反応が開始さ
れる。この発明の方法は配管内部に成膜される供給方式
であり、デバイスで有害となる異物が多発しやすく、実
用に供し難い。TEOSは引火点が51.7℃と低く、電気抵
抗率が大きいため静電気を帯びやすい。そのため、容器
や供給配管の接地に配慮し、微小火花による火災や爆発
に注意しなければならない。従って、このような材料に
静電噴霧を使用することは極めて危険である。反応炉内
のガスの逆流や、静電誘電電極部でアークが発生した場
合、供給器内部で爆発し、大災害を起こしかねない。更
に、イオン化した材料ガスを導入すると、反応炉内の
浮遊粒子を吸着しながら粗大化し、自重で落下して異物
となる可能性がある。従って、イオン化噴霧方式は液状
半導体形成材料の気化供給方式としては好ましくない。
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の
一例の概要図である。
一例の概要図である。
第１図において、本発明の液状半導体形成材料気化供
給装置は符号１でその全体が表されている。本発明の装
置１には、キャリアガス送入パイプ３が配設されてい
る。このパイプは例えば、ステンレスなどから構成され
ている。このパイプは図示されていないキャリアガス供
給源に接続されている。キャリアガスとしては例えば、
N2,ArまたはHeなどを使用することができる。キャリア
ガス送入パイプ３の途中にはキャリアガス用のマスフロ
ーコントローラ７が配設されている。
給装置は符号１でその全体が表されている。本発明の装
置１には、キャリアガス送入パイプ３が配設されてい
る。このパイプは例えば、ステンレスなどから構成され
ている。このパイプは図示されていないキャリアガス供
給源に接続されている。キャリアガスとしては例えば、
N2,ArまたはHeなどを使用することができる。キャリア
ガス送入パイプ３の途中にはキャリアガス用のマスフロ
ーコントローラ７が配設されている。
本発明の装置１は、テトラエトキシシランなどのよう
な液状半導体形成材料の貯溜槽10を有する。この貯溜槽
10は加圧器としても機能する。従って、貯溜槽10の上部
には、槽内圧力を高めるための、加圧ガス送入管12が設
けられている。加圧ガス送入管12の途中にはバルブ14が
設けられていて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例え
ば、N2,ArまたはHe）の流量をコントロールする。ま
た、槽内圧力を検出するための圧力計16も配設されてい
る。材料給送管20は管５の内部に挿入され、管５の先細
口の先端より若干内部に引っ込んだ箇所に位置決めさ
れ、ネブライザー50を構成する。給送管50は例えば、ス
テンレスからなる。この給送管の一端は貯溜槽10の底部
付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。途中に
は、液状材料用のマスフローコントローラ22のバルブ24
が配設されている。
な液状半導体形成材料の貯溜槽10を有する。この貯溜槽
10は加圧器としても機能する。従って、貯溜槽10の上部
には、槽内圧力を高めるための、加圧ガス送入管12が設
けられている。加圧ガス送入管12の途中にはバルブ14が
設けられていて、槽内に送り込まれる不活性ガス（例え
ば、N2,ArまたはHe）の流量をコントロールする。ま
た、槽内圧力を検出するための圧力計16も配設されてい
る。材料給送管20は管５の内部に挿入され、管５の先細
口の先端より若干内部に引っ込んだ箇所に位置決めさ
れ、ネブライザー50を構成する。給送管50は例えば、ス
テンレスからなる。この給送管の一端は貯溜槽10の底部
付近に位置し、液状材料中に埋沈されている。途中に
は、液状材料用のマスフローコントローラ22のバルブ24
が配設されている。
貯溜槽10内の液状半導体形成材料18は加圧ガス送入管
12からの不活性ガス等によって加圧され、給送管20に送
り出される。その流量は液状材料用マスフローコントロ
ーラ22により制御され、バルブ24により供給および供給
停止が行われる。給送管20内の液状半導体材料は管５か
ら送られてくる高圧キャリアガスによりネブライザー50
により霧化されて気化室30内に噴霧される。
12からの不活性ガス等によって加圧され、給送管20に送
り出される。その流量は液状材料用マスフローコントロ
ーラ22により制御され、バルブ24により供給および供給
停止が行われる。給送管20内の液状半導体材料は管５か
ら送られてくる高圧キャリアガスによりネブライザー50
により霧化されて気化室30内に噴霧される。
気化室の内径は比較的大きく、噴霧された霧化材料は
気化室内に拡散して効率的に気化される。気化室30の外
周にはヒータ32が捲回されている。熱効率あるいは気化
効率を高めるために、気化室およびヒータは全体が断熱
材34により被包されている。断熱材の内部には温度セン
サ36が配設されており、温度センサ36とヒータ32は温調
器38に接続されている。ヒータは電熱式のものでもよ
く、あるいは他の形式（例えば、熱媒循環式）のもので
もよい。気化室の温度は液状半導体形成材料の分解ある
いは燃焼あるいは爆発などを起こすことなく、霧化半導
体形成材料を気化させるのに必要十分な温度であればよ
い。気化室30の出口には適当な径のパイプ40が接続され
ており、キャリアガスと液状半導体形成材料の気化ガス
の混合物は、このパイプ40により気相反応装置（例え
ば、プラズマCVD装置など）の反応室（図示されていな
い）に供給される。
気化室内に拡散して効率的に気化される。気化室30の外
周にはヒータ32が捲回されている。熱効率あるいは気化
効率を高めるために、気化室およびヒータは全体が断熱
材34により被包されている。断熱材の内部には温度セン
サ36が配設されており、温度センサ36とヒータ32は温調
器38に接続されている。ヒータは電熱式のものでもよ
く、あるいは他の形式（例えば、熱媒循環式）のもので
もよい。気化室の温度は液状半導体形成材料の分解ある
いは燃焼あるいは爆発などを起こすことなく、霧化半導
体形成材料を気化させるのに必要十分な温度であればよ
い。気化室30の出口には適当な径のパイプ40が接続され
ており、キャリアガスと液状半導体形成材料の気化ガス
の混合物は、このパイプ40により気相反応装置（例え
ば、プラズマCVD装置など）の反応室（図示されていな
い）に供給される。
本発明の液状半導体形成材料気化供給装置１を自動運
転するために、信号処理回路42が設けられている。信号
処理回路42の内部には例えば、CPUと動作プログラムを
記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリアガ
ス用マスフローコントローラ７、液状材料用マスフロー
コントローラ22とバルブ24、貯溜槽の加圧バルブ14およ
び圧力計16および温調器38がこの信号処理回路42に接続
されている。本発明の装置はキャリアガス用マスフロー
コントローラ７と液状材料用マスフローコントローラ22
の信号で、演算処理を行い、キャリアガス中の液状材料
のガス濃度を自動制御できるようになっている。また、
ガス濃度にしたがって気化室30のヒータ32の温度も自動
的に制御される。
転するために、信号処理回路42が設けられている。信号
処理回路42の内部には例えば、CPUと動作プログラムを
記憶させたメモリが内蔵されている。前記のキャリアガ
ス用マスフローコントローラ７、液状材料用マスフロー
コントローラ22とバルブ24、貯溜槽の加圧バルブ14およ
び圧力計16および温調器38がこの信号処理回路42に接続
されている。本発明の装置はキャリアガス用マスフロー
コントローラ７と液状材料用マスフローコントローラ22
の信号で、演算処理を行い、キャリアガス中の液状材料
のガス濃度を自動制御できるようになっている。また、
ガス濃度にしたがって気化室30のヒータ32の温度も自動
的に制御される。
貯溜槽10には下部液面センサ46が設けられていて、液
状材料の残量が少なくなると、適当な補給源（図示され
ていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設定
液面にまで液状材料が補給されると、上部液面センサ48
からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号に基
づき、補給が中止される。
状材料の残量が少なくなると、適当な補給源（図示され
ていない）から液状材料が貯溜槽内に補給される。設定
液面にまで液状材料が補給されると、上部液面センサ48
からの検出信号が信号処理回路に送られ、この信号に基
づき、補給が中止される。
以上、本発明をCVD用の液状半導体形成材料気化供給
装置として詳細に説明してきたが、本発明の装置はCVD
に限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置など）
についても使用できる。
装置として詳細に説明してきたが、本発明の装置はCVD
に限らず、他の気相反応装置（例えば、拡散装置など）
についても使用できる。
また、本発明にもとることなく、本発明に対して様々
な変更あるいは改変を加えることができる。例えば、貯
溜槽10に加圧機構を設けず、ネブライザーの負圧吸引作
用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化することもでき
る。
な変更あるいは改変を加えることができる。例えば、貯
溜槽10に加圧機構を設けず、ネブライザーの負圧吸引作
用だけで液状半導体形成材料を噴霧霧化することもでき
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、液状半導体形
成材料を先ずネブライザーで霧状にし、これを加熱機で
直接気化させる。しかも、ネブライザーが加熱機と一体
になっているので熱効率の点でも極めて効果的である。
このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の濃度
を一定に維持することができる。
成材料を先ずネブライザーで霧状にし、これを加熱機で
直接気化させる。しかも、ネブライザーが加熱機と一体
になっているので熱効率の点でも極めて効果的である。
このため、キャリアガス中の気化半導体形成材料の濃度
を一定に維持することができる。
本発明は、液状半導体形成材料を気化させるために従
来のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液
体表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれ
る液状材料の濃度低下が防止できる。
来のようなバブラーを使用しないので、気化熱による液
体表面温度の低下はなくなり、キャリアガス中に含まれ
る液状材料の濃度低下が防止できる。
また、液状半導体形成材料の濃度が一定に保たれるの
で、生成される膜中の不純物濃度も安定し、均一な品質
を有する膜を安定的に生成することができる。その結
果、膜生成のスループットも大幅に向上される。
で、生成される膜中の不純物濃度も安定し、均一な品質
を有する膜を安定的に生成することができる。その結
果、膜生成のスループットも大幅に向上される。
第１図は本発明の液状半導体形成材料気化供給装置の一
例の概要図であり、第２図は従来の気化供給装置の概要
図である。 １……本発明の液状半導体形成材料気化供給装置,3……
キャリアガス送入パイプ,5……管,7……キャリアガス用
マスフローコントローラ,10……液状半導体形成材料貯
溜槽,12……加圧ガス送入管,14……バルブ,16……圧力
計,20……液状半導体形成材料給送管,22……液状半導体
形成材料用マスフローコントローラ,24……バルブ,30…
…気化室,32……ヒータ,34……断熱材,36……温度セン
サ,38……温調器,40……気化ガス送出パイプ,42……信
号処理回路,46……下部液面センサ,48……上部液面セン
サ,50……ネブライザー
例の概要図であり、第２図は従来の気化供給装置の概要
図である。 １……本発明の液状半導体形成材料気化供給装置,3……
キャリアガス送入パイプ,5……管,7……キャリアガス用
マスフローコントローラ,10……液状半導体形成材料貯
溜槽,12……加圧ガス送入管,14……バルブ,16……圧力
計,20……液状半導体形成材料給送管,22……液状半導体
形成材料用マスフローコントローラ,24……バルブ,30…
…気化室,32……ヒータ,34……断熱材,36……温度セン
サ,38……温調器,40……気化ガス送出パイプ,42……信
号処理回路,46……下部液面センサ,48……上部液面セン
サ,50……ネブライザー
Claims (1)
- 【請求項１】テトラエトキシシランなどの液状の半導体
形成材料を気化して気相反応装置へ供給するための液状
半導体形成材料気化供給装置であって、該装置は、液状
半導体形成材料噴霧機構と、該噴霧材料を加熱気化する
機構とからなり、前記液状半導体形成材料噴霧機構は不
活性ガスからなるキャリアガスを吹き込む霧吹き式であ
り、当該液状半導体形成材料噴霧機構の噴霧口は前記加
熱気化機構の端部に配設されており、前記加熱気化機構
の室内は噴霧材料を拡散するのに十分な容積を有するこ
とを特徴とする液状半導体形成材料気化供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262975A JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262975A JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126872A JPH03126872A (ja) | 1991-05-30 |
| JP3047241B2 true JP3047241B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=17383152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1262975A Expired - Lifetime JP3047241B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 液状半導体形成材料気化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047241B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2872891B2 (ja) * | 1993-08-06 | 1999-03-24 | 株式会社東芝 | 気化装置 |
| JP4299286B2 (ja) | 2005-10-06 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
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-
1989
- 1989-10-11 JP JP1262975A patent/JP3047241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03126872A (ja) | 1991-05-30 |
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