JPH04143278A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH04143278A JPH04143278A JP26800190A JP26800190A JPH04143278A JP H04143278 A JPH04143278 A JP H04143278A JP 26800190 A JP26800190 A JP 26800190A JP 26800190 A JP26800190 A JP 26800190A JP H04143278 A JPH04143278 A JP H04143278A
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Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は常圧ＣＶＤ装置に関する。更に詳細には、本発
明は０３−ＴＥＯＳを成膜原料とする常圧ＣＶＤｖｅｇ
ｔ、ニ関す！。
明は０３−ＴＥＯＳを成膜原料とする常圧ＣＶＤｖｅｇ
ｔ、ニ関す！。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として、半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに、化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ ： Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス杖物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
用いられているものの一つに、化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ ： Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス杖物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜ＳＳｔやＳｉ上の熱酸化膜］
二に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜ＳＳｔやＳｉ上の熱酸化膜］
二に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広
く半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。
ＣＶＤで使用されるシリコン源としては、従来から様々
なシランガス（例えば、Ｓ ｉＨ４）およびその他のシ
リコン含有ガスなどが使用されてきた。しかし％ Ｓ
ｒ ８４などは有毒であるばかりか、爆発性を有するの
で取り扱いが難しいという欠点があった。最近になって
、シリコン源として有機化合物のテトラエトキシシラ７
（ＴＥ０１） ヲｔｌｌ素またはオゾンと共に使用す
る方法が提案された。
なシランガス（例えば、Ｓ ｉＨ４）およびその他のシ
リコン含有ガスなどが使用されてきた。しかし％ Ｓ
ｒ ８４などは有毒であるばかりか、爆発性を有するの
で取り扱いが難しいという欠点があった。最近になって
、シリコン源として有機化合物のテトラエトキシシラ７
（ＴＥ０１） ヲｔｌｌ素またはオゾンと共に使用す
る方法が提案された。
ＴＥ０１を用いて成膜されたシリコン膜は段差被覆性、
形状相似性などの点で非常に優れているので、超ＬＳＩ
などのような極微小加工を必要とする素子類に特に適し
ている。
形状相似性などの点で非常に優れているので、超ＬＳＩ
などのような極微小加工を必要とする素子類に特に適し
ている。
［発明が解決しようとする課題］
ＴＥ０１は常温では液体なので、従来のＣＶＤ装置では
、液状のＴＥ０１を−・ｌ気化させてからチャンバに送
入し、成膜処理を行っていた。
、液状のＴＥ０１を−・ｌ気化させてからチャンバに送
入し、成膜処理を行っていた。
従来から行われてきた液状ＴＥＯ５の気化方法としては
、例えば、第２図に示されるようなバブリング方式があ
る。この方式では、液４ＪＴＥＯＳが蓄えられたボンベ
１の周囲にボンベヒータ３を配設し、パイプ５からバブ
リング用のＮ２ガスを液内に吹き込む。すると、加熱さ
れたＴＥ０１は霧化し、パイプ７によりボンベ外へ運び
出される。
、例えば、第２図に示されるようなバブリング方式があ
る。この方式では、液４ＪＴＥＯＳが蓄えられたボンベ
１の周囲にボンベヒータ３を配設し、パイプ５からバブ
リング用のＮ２ガスを液内に吹き込む。すると、加熱さ
れたＴＥ０１は霧化し、パイプ７によりボンベ外へ運び
出される。
このパイプ７の周囲には霧化ＴＥＯ３の再凝縮を防ぐた
めに、ボンベ１からチャンバ９までの間に、ヒータ１１
が捲回されている。また、このパイプ７の途中には、キ
ャリア用Ｎ２ガスの供給パイプ１３が接続されており、
霧化ＴＥＯＳを効率的にチャンバに搬送する。パイプ７
の一端はチャンバ内に配設されたガスへラド１５に接続
され、このガスヘッドには、オゾナイザ１７からのオゾ
ン供給パイプ１９が更に接続されている。この方式では
、配管ヒータによる温度の均一化と、バブリングによる
ＴＥ０１の定量化が困難である。
めに、ボンベ１からチャンバ９までの間に、ヒータ１１
が捲回されている。また、このパイプ７の途中には、キ
ャリア用Ｎ２ガスの供給パイプ１３が接続されており、
霧化ＴＥＯＳを効率的にチャンバに搬送する。パイプ７
の一端はチャンバ内に配設されたガスへラド１５に接続
され、このガスヘッドには、オゾナイザ１７からのオゾ
ン供給パイプ１９が更に接続されている。この方式では
、配管ヒータによる温度の均一化と、バブリングによる
ＴＥ０１の定量化が困難である。
従来技術の別のＴＥＯＳ供給方式として、第３図に示さ
れるような直接気化方式がある。この方式では、液状Ｔ
ＥＯＳが蓄えられたボンベ１に圧送用Ｎ２を吹き込み、
ボンベ内の液状ＴＥＯＳをパイプ２１からベーパライザ
２３に圧送する。流量はリキッドコントローラ２５によ
り制御する。
れるような直接気化方式がある。この方式では、液状Ｔ
ＥＯＳが蓄えられたボンベ１に圧送用Ｎ２を吹き込み、
ボンベ内の液状ＴＥＯＳをパイプ２１からベーパライザ
２３に圧送する。流量はリキッドコントローラ２５によ
り制御する。
ベーパライザ２３で霧化されたＴＥ０１はパイプ２７を
経てガスへラド１５に給送される。この方式では、ベー
パライザとガスヘッド間の温度勾配が付けにく（、霧化
ＴＥＯ３が凝縮し、再液化する可能性がある。
経てガスへラド１５に給送される。この方式では、ベー
パライザとガスヘッド間の温度勾配が付けにく（、霧化
ＴＥＯ３が凝縮し、再液化する可能性がある。
従って、本発明の目的はＴＥ０１が再液化せす、均一・
な濃度で定喰的にＴＥ０１をチャンバに供給することの
できる常圧ＣＶＤ＃Ａｒａ、を提供することである。
な濃度で定喰的にＴＥ０１をチャンバに供給することの
できる常圧ＣＶＤ＃Ａｒａ、を提供することである。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明では、シリコン源と
してテトラエトキシシラン（ＴＥ０１）を使用し、霧化
されたＴＥ０１をガスヘッドからチャンバ内に送入する
ことからなる常圧ＣＶＤ装置において、ガスヘッドの下
部に、該ガスヘッドに対して一体的にヒータ付液状ＴＥ
ＯＳ貯溜容器を設け、該容器内に貯溜された液状ＴＥＯ
Ｓをヒータで加熱して霧化しガスヘッドからチャンバ内
に送入することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置を提供する
。
してテトラエトキシシラン（ＴＥ０１）を使用し、霧化
されたＴＥ０１をガスヘッドからチャンバ内に送入する
ことからなる常圧ＣＶＤ装置において、ガスヘッドの下
部に、該ガスヘッドに対して一体的にヒータ付液状ＴＥ
ＯＳ貯溜容器を設け、該容器内に貯溜された液状ＴＥＯ
Ｓをヒータで加熱して霧化しガスヘッドからチャンバ内
に送入することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置を提供する
。
［作用コ
前記のように、本発明のＣＶＤ装置では、液状ＴＥＯＳ
を霧化する手段がガスへ、ドに直接取付られている。こ
のため、霧化されたＴＥ０１は直ちにガスヘッド間に進
入するので、従来の方式のように、再液化の恐れは全く
ない。また、貯溜容器内に溜められる液状ＴＥＯＳの酸
を一定にすることにより、チャンバ内に送入される霧化
ＴＥＯＳの量も定量化することができる。
を霧化する手段がガスへ、ドに直接取付られている。こ
のため、霧化されたＴＥ０１は直ちにガスヘッド間に進
入するので、従来の方式のように、再液化の恐れは全く
ない。また、貯溜容器内に溜められる液状ＴＥＯＳの酸
を一定にすることにより、チャンバ内に送入される霧化
ＴＥＯＳの量も定量化することができる。
本発明の装置では、液状ＴＥＯＳを霧化するための熱源
は貯溜容器だけにしか配設する必要がない。このため、
従来の装置に比べて装置の構成を簡略化することができ
る。
は貯溜容器だけにしか配設する必要がない。このため、
従来の装置に比べて装置の構成を簡略化することができ
る。
［実施例コ
以ド、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
第１図は本発明のＴＥＯＳ供給方式の一例を示す概念図
である。
である。
第１図において、第２図および第３図に示された部材と
同一の部材については、同一の符号を使用する。
同一の部材については、同一の符号を使用する。
図示されているように、液状ＴＥＯＳが蓄えられたボン
ベ１に圧送用Ｎ２を吹き込み、ボンベ内の液状ＴＥＯＳ
をパイプ２１によりガスへラド１５に圧送する。ガスヘ
ッド１５のド部には、このガスヘッドと〜体化された、
ヒータ付の液状ＴＥＯＳ貯溜容器３０が配設されている
。パイプ２１の一端はこの容器３０の底部に接続されて
おり、リキッドコントローラ２５により規制された実流
峡の液状ＴＥＯ３を容ｖＮ３０内、に供給する。容器３
０内に供給された液状ＴＥＯＳは容器に配設されたヒー
タ（図示されていない）により加熱、気化される。気化
されたＴＥＯＳはキャリアＮ２によりガスヘッド１５の
ＴＥＯＳ用スリットからチャンバθ内に送入される。オ
ゾナイザ−１７で発生されたオゾンはパイプ１９により
、ガスヘッド１５のオゾン用スリットからチャンバ９内
に送入される。気化ＴＥＯＳの濃度を史に均一化するた
めに、ガスヘッド自体にもヒータを設け、ガスへノドの
温度が丘流からド流に向かって温度勾配が付くようにす
ることが一層好ましい。
ベ１に圧送用Ｎ２を吹き込み、ボンベ内の液状ＴＥＯＳ
をパイプ２１によりガスへラド１５に圧送する。ガスヘ
ッド１５のド部には、このガスヘッドと〜体化された、
ヒータ付の液状ＴＥＯＳ貯溜容器３０が配設されている
。パイプ２１の一端はこの容器３０の底部に接続されて
おり、リキッドコントローラ２５により規制された実流
峡の液状ＴＥＯ３を容ｖＮ３０内、に供給する。容器３
０内に供給された液状ＴＥＯＳは容器に配設されたヒー
タ（図示されていない）により加熱、気化される。気化
されたＴＥＯＳはキャリアＮ２によりガスヘッド１５の
ＴＥＯＳ用スリットからチャンバθ内に送入される。オ
ゾナイザ−１７で発生されたオゾンはパイプ１９により
、ガスヘッド１５のオゾン用スリットからチャンバ９内
に送入される。気化ＴＥＯＳの濃度を史に均一化するた
めに、ガスヘッド自体にもヒータを設け、ガスへノドの
温度が丘流からド流に向かって温度勾配が付くようにす
ることが一層好ましい。
ガスへラド１５と液状ＴＥＯＳ貯溜容器３０の接続境界
部は液状ＴＥＯＳの編洩が起こらないように、気密シー
ルされていることが好ましい。この気密シールが保たれ
るならば、ガスヘッド１５と貯溜容器３０とは着脱可能
に構成することもできる。
部は液状ＴＥＯＳの編洩が起こらないように、気密シー
ルされていることが好ましい。この気密シールが保たれ
るならば、ガスヘッド１５と貯溜容器３０とは着脱可能
に構成することもできる。
本発明の装置で使用されるヒータの種類は特に限定され
ない。常用のヒータならば−・股的に全て使用可能であ
る。言うまでもなく、ヒータにはプログラム可能な自動
温度フントロール機能を接続し、液状ＴＥＯＳを定量か
つ均一・に気化させるようにすることができる。
ない。常用のヒータならば−・股的に全て使用可能であ
る。言うまでもなく、ヒータにはプログラム可能な自動
温度フントロール機能を接続し、液状ＴＥＯＳを定量か
つ均一・に気化させるようにすることができる。
以上、シリコン源としてＴＥＯＳを使用する実施例につ
いて説明してきたが、本発明はこれに限定されることな
く、様々な変更が可能である。例えば、ホスホシリケー
トガラス（ＰＳＧ）膜を形成したり、ボロシリケートガ
ラス（ＢＳＧ）膜を形成する場合、ＴＥＯＳと共に所定
薇のＴＭＰ （トリメチルホスファイト）、ＴＭＯＰ（
）リメチルオキシホスファイト）またはＴＭＢ（トリメ
チルボレイト）などの液状ドーピング剤を使用すること
ができる。これらの液状ドーピング剤はＴＥＯＳと相溶
性なので、ボンベ１内でｆｆ１ｌに均一・に混合するこ
とができる。また、揮発温度もＴＥＯＳが最も高いので
、ＴＥＯＳの加熱温度で全て蒸発させることができる。
いて説明してきたが、本発明はこれに限定されることな
く、様々な変更が可能である。例えば、ホスホシリケー
トガラス（ＰＳＧ）膜を形成したり、ボロシリケートガ
ラス（ＢＳＧ）膜を形成する場合、ＴＥＯＳと共に所定
薇のＴＭＰ （トリメチルホスファイト）、ＴＭＯＰ（
）リメチルオキシホスファイト）またはＴＭＢ（トリメ
チルボレイト）などの液状ドーピング剤を使用すること
ができる。これらの液状ドーピング剤はＴＥＯＳと相溶
性なので、ボンベ１内でｆｆ１ｌに均一・に混合するこ
とができる。また、揮発温度もＴＥＯＳが最も高いので
、ＴＥＯＳの加熱温度で全て蒸発させることができる。
また、ＴＥＯＳと共に、あるいは、これに代えて、ドイ
ツのシュウマツカー社から市販されている“トムキャッ
ト” （登録商標）などの液体材料も使用できる。
ツのシュウマツカー社から市販されている“トムキャッ
ト” （登録商標）などの液体材料も使用できる。
［発明の効果］
以−Ｌ説明したように、本発明の装置によれば、液状Ｔ
ＥＯ３を霧化する手段がガスヘッドに直接取付られてい
る。このため、霧化されたＴＥＯＳは直ちにガスヘッド
内に進入するので、従来の方式のように、再液化の恐れ
は全くない。また、貯溜容器内に溜められる液状ＴＥＯ
３の凝を一定にすることにより、チャンバ内に送入され
る霧化ＴＥＯＳの轍も定置化することができる。
ＥＯ３を霧化する手段がガスヘッドに直接取付られてい
る。このため、霧化されたＴＥＯＳは直ちにガスヘッド
内に進入するので、従来の方式のように、再液化の恐れ
は全くない。また、貯溜容器内に溜められる液状ＴＥＯ
３の凝を一定にすることにより、チャンバ内に送入され
る霧化ＴＥＯＳの轍も定置化することができる。
本発明の装置では、液状ＴＥＯＳを霧化するための熱源
は貯溜容器だけにしか配設する必要がない。このため、
従来の装置に比べて装置の構成を簡略化することができ
る。
は貯溜容器だけにしか配設する必要がない。このため、
従来の装置に比べて装置の構成を簡略化することができ
る。
第１図は本発明のＴＥＯＳ供給方式を説明するための概
念図であり、第２図は従来のバブリング方式によるＴＥ
ＯＳ供給方式を説明するための概念図であり、第３図は
従来の直接気化方式によるＴＥＯＳ供給方式を説明する
ための概念図である。 ｌ・・・液状Ｔ Ｅ ＯＳボンベ、９・・・チャンバ。 １５・・・ガスヘッド、１７・・・オゾナイザ。 ２１・・・パイプ、２５・・・リキッドコントローラ。 ３０・・・液状ＴＥＯＳ貯溜容器
念図であり、第２図は従来のバブリング方式によるＴＥ
ＯＳ供給方式を説明するための概念図であり、第３図は
従来の直接気化方式によるＴＥＯＳ供給方式を説明する
ための概念図である。 ｌ・・・液状Ｔ Ｅ ＯＳボンベ、９・・・チャンバ。 １５・・・ガスヘッド、１７・・・オゾナイザ。 ２１・・・パイプ、２５・・・リキッドコントローラ。 ３０・・・液状ＴＥＯＳ貯溜容器
Claims (3)
- （１）シリコン源としてテトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）を使用し、霧化されたＴＥＯＳをガスヘッドからチ
ャンバ内に送入することからなる常圧ＣＶＤ装置におい
て、ガスヘッドの下部に、該ガスヘッドに対して一体的
にヒータ付液状ＴＥＯＳ貯溜容器を設け、該容器内に貯
溜された液状ＴＥＯＳをヒータで加熱して霧化しガスヘ
ッドからチャンバ内に送入することを特徴とする常圧Ｃ
ＶＤ装置。 - （２）ガスヘッドにもヒータが配設され、ガスヘッドの
温度が上流から下流に向かって温度勾配が付くようにさ
れていることを特徴とする請求項１記載の常圧ＣＶＤ装
置。 - （３）液状ＴＥＯＳ源からリキッドコントローラにより
一定量の液状ＴＥＯＳをヒータ付液状ＴＥＯＳ貯溜容器
に供給することを特徴とする請求項１記載の常圧ＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26800190A JPH04143278A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26800190A JPH04143278A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143278A true JPH04143278A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17452535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26800190A Pending JPH04143278A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04143278A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158880A (ja) * | 2000-04-11 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26800190A patent/JPH04143278A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158880A (ja) * | 2000-04-11 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造装置 |
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