JPH06181177A - 液体蒸発装置 - Google Patents

液体蒸発装置

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JPH06181177A JP4082307A JP8230792A JPH06181177A JP H06181177 A JPH06181177 A JP H06181177A JP 4082307 A JP4082307 A JP 4082307A JP 8230792 A JP8230792 A JP 8230792A JP H06181177 A JPH06181177 A JP H06181177A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 流量調節器（３）およびこれに後置接続され
た蒸発器（５）を利用して真空内で基板上に化学的蒸気
分離法（ＣＶＤ法、ＲＥＣＶＤ）によってシリコン又は
酸素を含む薄い層を形成するために液体特にモノマーを
蒸発するための装置において、液体を簡単かつ迅速に蒸
発できるようにする。 【構成】 蒸発器（５）のハウジング（２２）が、その
表面が粗くて多孔質であるか少なくとも部分的に通気性
を有して形成されている蒸発体（１２）を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、流量調節器およびこれ
に後置接続された蒸発器を利用して真空内で基板上に化
学的蒸発分離法（ＣＶＤ法）によってシリコン又は酸素
を含む薄い層を形成するために液体、特にモノマー（単
量体）を蒸発するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ電子技術、ディスプレイ技術お
よびセンサ技術の分野において特にＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ
4 ，ａ−Ｃ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｃから成る薄い層が利用さ
れている。この薄い層は公知のように低圧ＣＶＤ法ある
いはプラズマ改良形ＣＶＤ法で形成される。この層の母
材として種々のガス、例えばＳｉＨ4 （シラン）が利用
される。若干の用途に対して化合物も適用されている。
その化合物は室温において液体状態で存在し低い蒸気圧
を有しているので、はじめに気相に変換しなければなら
ない。その化合物の例としてＴＥＯＳ（テトラエトキシ
シラン）あるいはＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラン）が
挙げられる。気相に変換されたこの液体により前記の層
を再生可能に形成できるようにするために、絶対的に一
定した再生可能で調節可能なガス流量が必要である。こ
のために例えば公知のようにアルゴン、ヘリウムあるい
は窒素のような不活性キャリヤガスが液体化合物を通し
て導かれる。キャリヤガスは拡散によって化合物で飽和
されており、これにより化合物は反応炉に導かれる。そ
のために必要な調整は温度制御およびキャリヤガス制御
によって行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この方式の欠点はキャ
リヤガスが常に多量に存在することであり、従ってキャ
リヤガスも自然に反応炉に導入されてしまい、プロセス
を害するかプロセスウィンドを小さくしてしまう。更に
キャリヤガス負荷は温度に直接左右されるので、非常に
正確で高度な温度制御が必要となる。
【０００４】更に液体化合物を加熱形貯蔵タンクに入れ
ることも知られている。液体の上の蒸気は同様に加熱形
液体制御器によって反応炉に導かれる。液体制御器の加
熱は同様に非常に経費がかかる。
【０００５】室温において液状モノマーを蒸発するため
に使用する冒頭に述べた形式の方法および装置は既に公
知である（ヨーロッパ特許第３６１１７１号公開明細書
参照）。シリコンおよび酸素を含む薄い層を製造するた
めに、ここでは化学的蒸気分離法が採用されている。そ
のために流量調節装置として質量流量調節器を採用する
ことが知られており、ここから搬送されるモノマーは液
体状態で蒸発器に導入される。この公知の方法の場合、
２５ｇ／ｈ以上の大きな流量の場合に安定した流れを発
生できないので、その流量は著しく制限される。この理
由により公知の方法では確実にプロセスを実行すること
ができない。
【０００６】本発明の目的は、液体を簡単且つ迅速に申
し分なく蒸発できるような装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、冒頭に述べた形式の装置において、蒸発器のハウ
ジングが、その表面が粗くて多孔質であるか少なくとも
部分的に通気性を有して形成されている蒸発体を有して
いることによって達成される。
【０００８】これによって蒸発器の全表面積が簡単に増
大され、従って液体の蒸発時間が著しく短縮される。更
に、蒸発すべき液体の表面積が噴霧によって増大され、
これにより一定した蒸気圧において所定の温度で質量流
量が増加すること、蒸発体が超音波式スプレイとハウジ
ングの出口との間に設けられていること、および発振器
によって中間周波数で又は液体に対して適した周波数で
振動させられるダイヤフラムを超音波式スプレイが備え
ていることが有利である。
【０００９】これによって貯蔵タンク内に存在する液体
は流量調節器あるいは配量器を介して超音波式スプレイ
に配量して導かれる。超音波式スプレイのノズルを通し
て入る液体流はダイヤフラムの振動によって５０〜１０
０μｍの非常に小さな水滴の形で噴霧される。この水滴
は蒸発器のハウジング内に設けられた蒸発体に衝突する
ので、液体の蒸発は最も短い時間で行われる。
【００１０】更に蒸発体が蒸発器のハウジングを入口室
と出口室とに、液体が蒸発体を通してしか入口室から出
口室に到達しないように分割していることが有利であ
る。
【００１１】本発明の別の有利な実施態様において、蒸
発体は蒸発器のハウジングの全横断面積を占めている。
【００１２】本発明の他の実施態様において、蒸発体が
焼結材料で作られていることが有利である。これによっ
て簡単に蒸発体の容積を増大することなしに、非常に大
きな表面積が得られる。
【００１３】本発明の別の実施態様において、蒸発体が
裁頭角錐形に形成されている。
【００１４】本発明において、特に、蒸発体のハウジン
グ又は内部室又は超音波式スプレイが、温度調節器に作
用的に接続されている加熱器によって加熱できることが
有利である。
【００１５】沢山の小さな水滴の発生は、これによって
液体の表面積が簡単に増大できるので特に有利である。
焼結金属で作られた蒸発体は液体の流れないし蒸気の流
れを均一にする。
【００１６】本発明の他の特徴は特許請求の範囲の各請
求項、発明の詳細な説明および図面に記載されている。
なお本発明の特許請求の範囲の各特徴事項およびそれら
の組み合わせが本発明の要旨である。
【００１７】
【実施例】以下図に示した実施例を参照して本発明を詳
細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではない。
【００１８】図１において１は貯蔵タンクであり、これ
は供給配管２０を介して液体制御器３に接続されてい
る。貯蔵タンク１と液体制御器３との間に遮断弁２が存
在しており、貯蔵タンク１は必要な場合に投入される。
【００１９】液体制御器３は別の供給配管２１を介して
蒸発器５に接続されている。液体制御器３は貯蔵タンク
１からの液体の供給を調整する調整装置（図示せず）に
接続されている。
【００２０】蒸発器５はハウジング２２を有し、このハ
ウジング２２はある範囲に入口２３を有し、他の範囲に
出口２４を有している。
【００２１】蒸発器５は加熱器６によって取り囲まれて
いる。加熱器６は加熱コイルとして形成され、蒸発器５
を必要な運転温度に保持する。
【００２２】更に蒸発器５および加熱器６は絶縁体７に
よって完全に包囲されている。好適には加熱器６は配線
１１を介して温度調節器１０に接続されており、加熱器
６は例えば５０℃〜２００℃の温度範囲で調節される。
【００２３】入口２３には超音波式スプレイ４が存在し
ている。このスプレイ４は配線１９を介して発振器９に
接続されている。この発振器９は超音波式スプレイ４の
ダイヤフラム（図示せず）を振動させる。
【００２４】ハウジング２２の下側範囲に出口２４があ
り、この出口２４に出口接続短管２６が設けられてい
る。この出口接続短管２６は配管８および可制御弁１４
を介して、概略的に図示した被覆処理すべき部品の反応
炉１８に接続されている。
【００２５】蒸発器５のハウジング２２の内部に蒸発体
１２が存在しており、これは多孔質材料から成っている
ので、非常に大きな表面積を有している。好ましくは、
この蒸発体１２は、小孔が１〜２００μｍの直径をして
いる焼結材料、特に焼結青銅から成っている。なお、そ
の表面状態に基づいて大きな表面積を生ずる他の材料も
利用できる。
【００２６】次に本発明に基づくＳｉ化合物および又は
Ｓｉ含有化合物の分離方法とそのために使用される装置
を説明する。
【００２７】まず液体が貯蔵タンク１に注入され、その
後で貯蔵タンク１に例えばアルゴン、ヘリウム、窒素の
ような不活性ガスが入れられ、このガスは液体を約１バ
ールの圧力で荷重する。図から分るように、液体は供給
配管２０および液体制御器（流量調節器）３を介して超
音波式スプレイ４に導入される。超音波式スプレイ４は
ノズル１３を装備している。このノズル１３は液体を噴
霧するダイヤフラム（図示せず）を有している。このた
めにダイヤフラムは発振器９によって中間周波数で振動
させられる。このようにしてノズル１３を通して導かれ
る液体流は振動させられ、５０〜１００μｍの大きさの
多数の小さな水滴の形になって噴霧される。これらの水
滴は、非常に大きな表面積を有する焼結材料あるいは他
の材料から成る加熱された蒸発体１２に衝突する。この
蒸発体１２は好ましくは１〜２００μｍの小孔直径を有
している。このようにして液体の水滴を発生すること
は、同じ容積の場合に非常に沢山の水滴が非常に大きな
表面積を形成し、即ち、水滴が沢山形成されればされる
ほど液体の表面積が大きくなるので、非常に有利であ
る。液体の表面は熱伝達率および液体の蒸発に対して非
常に決定的な影響を与える。これは次式で表される。
【００２８】Ｑ＝ｋ Ａ（ＴV −ＴT ） この式においてＱは熱流（ＫＪ／ｓ）、ｋは境膜熱伝達
係数（Ｗ／ Ｋ）、ＴV は蒸発器の温度、ＴT は水滴の
温度である。
【００２９】小さな水滴は大きな水滴よりも速く蒸発す
るので、これにより液体の蒸発時間は著しく短縮され
る。噴霧によって一定した液体流を簡単に得ることもで
きる。これは次式で表される。
【００３０】ｔ＝ｄ3 ｈｖ（６Ｑ） ここでｔは時間、ｄは水滴の直径および密度、ｈｖは蒸
発の潜熱である。
【００３１】異なって形成され、かつ寸法づけられた超
音波式スプレイおよび蒸発器を採用することによって、
所望の流量に調整できる。
【００３２】超音波式スプレイ４で噴霧された液体は、
既に述べたように蒸発体１２に到達し、この蒸発体１２
はまだ蒸発していない液体を蒸発させる。ハウジング２
２内の温度は蒸発過程によって著しく低下されるので、
蒸発器５が加熱器６によって全体を加熱されることが有
利である。
【００３３】この作業方法の場合、温度調節は温度調節
器１０によって行われる。この温度調節器１０は電線１
１を介して加熱器６に接続されている。これによって、
ハウジング壁を介して蒸発体１２に熱が確実に導入され
る。更に蒸発器４のハウジング２２の内部に加熱器を設
けることもできる。
【００３４】本発明に基づく方法およびその装置によっ
て、沸騰発生作用によって圧力変動あるいは圧力衝撃を
生ずることなしに、真空において非常に均質で速やかな
蒸発を達成することができる。
【００３５】蒸発体１２を収納するハウジング２２は出
口接続短管２６に接続された配管８および可制御弁１４
を介して反応炉１８に接続され、他の配管１５および別
の弁１６を介して真空ポンプ１７に接続されている。
【００３６】これによって、貯蔵タンク１の液体が反応
炉１８に蒸発体１２を介してしか到達しないことが保証
される。ハウジング２２は蒸発体１２により二つの区域
に分割され、詳しくは入口室２８と出口室２９に分割さ
れ、これらの室は蒸発体１２によって完全に分離されて
いる。
【００３７】既に述べたように蒸発体１２は、液体が入
口室２８から出口室２９に到達するように通気性を有す
る焼結材料で作られている。これによって簡単な構造的
手段によって蒸発体１２に非常に大きな表面積が与えら
れる。更に蒸発体１２は裁頭角錐形（凹面あるいは凸
面）、円錐形あるいは屋根形に形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく液体蒸発装置の断面図。
【符号の説明】
１ 貯蔵タンク ２ 遮断弁 ３ 液体制御器 ４ 超音波式スプレイ ５ 蒸発器 ６ 加熱器 ７ 絶縁体 ８ 配管 ９ 発振器 １０ 温度調節器 １１ 配線 １２ 蒸発体 １３ ノズル １４ 弁 １５ 配管 １６ 弁 １７ 真空ポンプ １８ 反応炉 １９ 配線 ２０ 供給配管 ２１ 供給配管 ２２ ハウジング ２３ 入口 ２４ 出口 ２５ 調整弁 ２６ 出口接続短管 ２７ 遮断弁 ２８ 入口室 ２９ 出口室 ３０ 蒸発器の表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ソニア、ノル 茨城県つくば市並木４丁目６番１号 ゴー ルデン、ヒルズ、ナミキ、807号 (72)発明者 ヨヘン、リッター ドイツ連邦共和国ラウバッハ、１、グリュ ネス、メール、16 (72)発明者 ヘルムート、シュトール ドイツ連邦共和国ズルツバッハ、エシュボ ルナー、シュトラーセ、22

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】流量調節器（３）およびこれに後置接続さ
    れた蒸発器（５）を利用して真空内で基板上に化学的蒸
    発分離法によってシリコン又は酸素を含む薄い層を製造
    するために液体特にモノマーを蒸発するための装置にお
    いて、 蒸発器（５）のハウジング（２２）が、その表面が粗く
    て多孔質であるか少なくとも部分的に通気性を有して形
    成されている蒸発体（１２）を有していることを特徴と
    する液体蒸発装置。
  2. 【請求項２】蒸発すべき液体の表面積が噴霧によって増
    大され、これにより一定した蒸気圧力において所定の温
    度で質量流量が増加することを特徴とする請求項１記載
    の装置。
  3. 【請求項３】蒸発体（１２）が超音波式スプレイ（４）
    とハウジング（２２）の出口との間に設けられているこ
    とを特徴とする請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】蒸発体（１２）が蒸発器（５）のハウジン
    グ（２２）を入口室（２８）と出口室（２９）とに、液
    体が蒸発体（１２）を通してしか入口室（２８）から出
    口室（２９）に到達しないように分割していることを特
    徴とする請求項１又は２記載の装置。
  5. 【請求項５】蒸発体（１２）が蒸発器（５）のハウジン
    グ（２２）の全横断面積を占めていることを特徴とする
    請求項１ないし４のいずれか１項に記載の装置。
  6. 【請求項６】蒸発体（１２）が多孔質の焼結材料で作ら
    れていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
    １項に記載の装置。
  7. 【請求項７】蒸発体（１２）が超音波式スプレイ（４）
    の方向に向いてハウジング（２２）の長手軸心に関して
    隆起して又は斜めに延びている表面（３０）を有してい
    ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に
    記載の装置。
  8. 【請求項８】蒸発体（１２）が裁頭角錐形に形成されて
    いることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項
    に記載の装置。
  9. 【請求項９】蒸発体（１２）のハウジング（２２）又は
    超音波式スプレイ（４）が、温度調節器（１０）に作用
    的に接続されている加熱器（６）によって加熱できるこ
    とを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載
    の装置。
  10. 【請求項１０】蒸発体（１２）を収納するハウジング
    （２２）が真空ポンプ（１７）に接続されていることを
    特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の装
    置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223931A (en) * 1990-03-26 1993-06-29 Thomson Consumer Electronics, Inc. Synchronized scanning at horizontal frequency
JP2002115067A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Anelva Corp 薄膜成膜液体原料用気化器
JP2003514992A (ja) * 1999-11-18 2003-04-22 東京エレクトロン株式会社 低蒸気圧液体供給源からｃｖｄ室まで前駆体蒸気を運搬する装置及び方法
JP2007100207A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Lintec Co Ltd 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器
WO2009098815A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Tokyo Electron Limited 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
JP2020040017A (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 株式会社アルバック アクリル気化器

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4319387C1 (de) * 1993-06-11 1994-07-28 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Verdampfen von Flüssigkeiten
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US6391147B2 (en) 1994-04-28 2002-05-21 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
DE19603127C1 (de) * 1996-01-29 1997-04-10 Fraunhofer Ges Forschung Verdampfervorrichtung
TW322602B (ja) * 1996-04-05 1997-12-11 Ehara Seisakusho Kk
US5862605A (en) * 1996-05-24 1999-01-26 Ebara Corporation Vaporizer apparatus
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5835678A (en) * 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US5835677A (en) * 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US6280793B1 (en) * 1996-11-20 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Electrostatic method and apparatus for vaporizing precursors and system for using same
US5887117A (en) * 1997-01-02 1999-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Flash evaporator
DE19755643C2 (de) * 1997-12-15 2001-05-03 Martin Schmaeh Vorrichtung zum Verdampfen von Flüssigkeit und zum Herstellen von Gas/Dampf-Gemischen
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
US6210485B1 (en) 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
FR2783178B1 (fr) * 1998-09-16 2000-12-22 Omicron Technologies Dispositif de vaporisation de liquide a regulation de debit de vapeur
AU1218401A (en) * 1999-10-20 2001-04-30 Cvd Systems, Inc. Fluid processing system
US6635114B2 (en) * 1999-12-17 2003-10-21 Applied Material, Inc. High temperature filter for CVD apparatus
US6299076B1 (en) 2000-03-10 2001-10-09 Jeffrey E. Sloan Steam cleaning system
US6569249B1 (en) 2000-04-18 2003-05-27 Clemson University Process for forming layers on substrates
DE10114927A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-10 Eichenauer Johannes Niedertemperatur-Matrix-Destillation zur Reinigung, Desinfektion, Sterilisation und Herstellung von pyrogenfreien Destillaten
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
JP2004003905A (ja) * 2002-06-03 2004-01-08 Advanced Energy Japan Kk 細管を利用した液面検知システム
JP3826072B2 (ja) * 2002-06-03 2006-09-27 アドバンスド エナジー ジャパン株式会社 液体材料気化供給装置
EP1420080A3 (en) 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US20070119370A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-31 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US8555809B2 (en) * 2010-01-14 2013-10-15 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Method for constant concentration evaporation and a device using the same
DE102012203212A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichtungsanlage und verfahren zur durchführung eines aufwachsprozesses
KR101389011B1 (ko) * 2012-03-28 2014-04-24 주식회사 유니텍스 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로
US8977115B2 (en) 2013-03-08 2015-03-10 Steris Inc. Vaporizer with secondary flow path
US9957612B2 (en) 2014-01-17 2018-05-01 Ceres Technologies, Inc. Delivery device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
KR101585054B1 (ko) * 2014-05-09 2016-01-14 한국생산기술연구원 액상 전구체 공급장치
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11393703B2 (en) * 2018-06-18 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber
AT521833B1 (de) * 2018-10-25 2023-07-15 Nextsense Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von spiegelnden Oberflächen
AT522835B1 (de) * 2019-07-23 2021-10-15 Nextsense Gmbh Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Dampfes
DE102022200481A1 (de) 2022-01-18 2023-07-20 Delfi Innovations GmbH Vorrichtung zur Verdampfung einer Flüssigkeit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4212663A (en) * 1978-01-26 1980-07-15 Corning Glass Works Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US809839A (en) * 1903-07-20 1906-01-09 Gorham Lyle Olds Steam-generator.
US2219522A (en) * 1936-11-04 1940-10-29 O W Reinsdorff Apparatus for gasifying liquid fuel
US2426939A (en) * 1945-12-19 1947-09-02 Libman Charles Electric heater and vaporizer
GB770753A (en) * 1952-12-31 1957-03-27 Edwards & Co London Ltd W Improvements in or relating to apparatus for the vaporisation of metals and metalloids
US2920179A (en) * 1957-12-23 1960-01-05 Harold N Shaw Stored heat steam generators
US3350219A (en) * 1966-07-07 1967-10-31 Stackpole Carbon Co Evaporating metal employing porous member
SE347154B (ja) * 1970-11-03 1972-07-31 Bahoc Ventilation Ab
US4349723A (en) * 1980-04-04 1982-09-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electrically heated non-toxic smoke generator
EP0270656B1 (en) * 1986-06-23 1993-06-02 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Vapour deposition of monomer fluids
DE3801147A1 (de) * 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
DE3833232A1 (de) * 1988-09-30 1990-04-05 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von bei raumtemperatur fluessigen monomeren

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4212663A (en) * 1978-01-26 1980-07-15 Corning Glass Works Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223931A (en) * 1990-03-26 1993-06-29 Thomson Consumer Electronics, Inc. Synchronized scanning at horizontal frequency
JP2003514992A (ja) * 1999-11-18 2003-04-22 東京エレクトロン株式会社 低蒸気圧液体供給源からｃｖｄ室まで前駆体蒸気を運搬する装置及び方法
JP2002115067A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Anelva Corp 薄膜成膜液体原料用気化器
JP2007100207A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Lintec Co Ltd 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
WO2009098815A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Tokyo Electron Limited 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
JP2009188266A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
JP2020040017A (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 株式会社アルバック アクリル気化器

Also Published As

Publication number Publication date
DE4124018C1 (ja) 1992-11-19
JPH0828332B2 (ja) 1996-03-21
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EP0523314A1 (de) 1993-01-20
US5224202A (en) 1993-06-29
DE59207534D1 (de) 1997-01-02

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