KR101389011B1 - 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너는, 소스 재료가 수용되는 제 1 공간 및 상기 제 1 공간과 접하고 내부로 인입된 운반 가스와 상기 소스 재료로부터 발생한 증기가 혼합되는 제 2 공간을 한정하는 내벽을 포함하는 용기; 상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 유입 포트를 포함하는 운반 가스 유입 유로; 상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 배출 포트를 포함하는 혼합 가스 배출 유로; 및 상기 제 2 공간 내에서 확장되어, 상기 유입 포트와 상기 배출 포트 사이에 제 1 흐름 장벽 표면을 제공하는 흐름 제한 부재를 포함한다.

Description

소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로{Source container and reactor for vapor phase deposition}
본 발명은 기상 증착 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 기상 전구체를 생성하기 위한 소스 컨테이너 및 이를 포함하는 기상 증착용 반응로에 관한 것이다.
반도체 제조 장치 또는 디스플레이 제조 장치에서, 화학기상증착(CVD), 원자층 증착(ALD) 또는 유기 기상증착(OVPD 또는 응축 코팅)과 같은 기상 증착 방법으로 박막을 형성하기 위한 반응로에는 별도로 마련된 소스 컨테이너가 종종 사용된다. 상기 소스 컨테이너 내에는 고상 또는 액상 소스가 장입될 수 있으며, 상기 소스를 가열하여 소스 컨테이너 내에서 기상 전구체를 발생시키고, 상기 가상 전구체는 적합한 운반 가스에 의해 상기 반응로로 전달될 수 있다.
일반적으로 고상 소스는 안정성을 이유로 널리 선호되지만, 낮은 증기압을 가지면서도 열에 민감하기 때문에 이를 이용한 기상 증착은 전달되는 기상 전구체 양의 불균일 또는 침전과 같은 기술적인 다양한 문제점을 갖는다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 기상 전구체 양의 불균일 또는 침전과 같은 문제점을 확보하면서 재현성 있는 성막을 위해 온도 균일성, 흐름 제어 및 파티클의 제거가 가능한 소스 컨테이너를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 이점을 갖는 소스 컨테이너를 포함하는 기상 증착용 반응로를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너는, 소스 재료가 수용되는 제 1 공간 및 상기 제 1 공간과 접하고 내부로 인입된 운반 가스와 상기 소스 재료로부터 발생한 증기가 혼합되는 제 2 공간을 한정하는 내벽을 포함하는 용기; 상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 유입 포트를 포함하는 운반 가스 유입 유로; 상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 배출 포트를 포함하는 혼합 가스 배출 유로; 및 상기 제 2 공간 내에서 확장되어, 상기 유입 포트와 상기 배출 포트 사이에 제 1 흐름 장벽 표면을 제공하는 흐름 제한 부재를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 제 1 흐름 장벽 표면은 상기 유입 포트의 중심으로부터 상기 배출 포트의 중심을 연결하는 직선으로 정의되는 가상 직선 경로를 가로지르면서 상기 제 2 공간 내에서 확장된 표면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 흐름 장벽 표면은 평면, 곡면 또는 다면체 표면 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제 1 흐름 장벽 표면은 상기 제 2 공간을 정의하는 내벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 상기 제 1 흐름 장벽 표면의 확장 단부로부터 상기 혼합 가스 배출 유로의 중심 축 쪽으로 연장되는 제 2 흐름 장벽 표면을 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 소스 컨테이너는, 상기 혼합 가스 배출 유로의 유로 중앙 단부와 연통되고, 제 2 흐름 장벽 표면에 형성되는 관통 홀들을 더 포함하며, 상기 관통 홀들에 의해 상기 배출 포트가 정의될 수 있다. 또한, 상기 제 1 흐름 장벽 표면과 상기 제 2 흐름 장벽 표면의 교차 각도는 20° 내지 70° 범위 내일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 제 2 흐름 장벽 표면은 경사 확장될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 운반 가스 유입 유로의 중심 축과 상기 혼합 가스 배출 유로의 중심 축은 동일 선상에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 운반 가스 유입 유로는 상기 용기의 외부로부터 상기 제 1 공간을 경과하여 상기 제 2 공간으로 연장될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 혼합 가스 배출 유로는 상기 용기의 외부로부터 제 1 공간을 경과하여 상기 제 2 공간으로 연장될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 소스 컨테이너는 상기 운반 가스 유입 유로에 결합되는 상기 유입 유로와 연통되는 관통 홀들을 포함하는 노즐을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 관통 홀들은 상기 소스 재료의 표면 쪽으로 상기 운반 가스를 분사하도록 배열될 수 있다. 또한, 상기 노즐은 상기 제 1 흐름 장벽 표면에 대향하는 폐색된 표면을 포함할 수 있다.
상기 소스 재료는 액상 또는 고상이며, 상기 소스 재료는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 가질 수 있다. 이러한 소스 재료로는, 이는 유기 분자, 공역 중합체, 유기 금속 착물 또는 무기물 소스 재료일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착 반응로는 전술한 소스 컨테이너의 상기 혼합 가스 배출 유로에 결합될 수 있다. 상기 기상 증착 반응로는 유기 발광 소자(OLED)의 제조를 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 유입 포트와 배출 포트 사이에 배치되는 흐름 장벽 표면에 의해, 제 2 공간 내에서 유입 포트로부터 배출 포트까지의 가스 유동 거리가 가상 직선 경로에 비해 더 증가되어 운반 가스와 소스 재료로부터 발생한 증기의 혼합이 용이해질 뿐만 아니라 상기 제 1 흐름 장벽 표면을 따라 고온의 운반 가스가 층류 패턴을 가짐으로써 용기 내의 온도 균일성이 향상되어 용기 내 냉점이 제거되거나 감소될 수 있으며, 이로써, 상기 냉점에서 응축되거나 불완전하게 분해되어 발생하는 파티클이 억제되고 상기 반응로로 전달되는 기상 전구체의 양이 증착 과정 동안 균일하도록 유지될 수 있다.
또한, 제 1 흐름 장벽 표면과 선택적으로는 제 2 흐름 장벽 표면으로 인하여 상기 냉점에 의해 제 2 공간 내에 파티클이 발생하더라도 상기 파티클은 상기 표면들 상에서 흡착되거나 반사되어, 배기 포트로 상기 파티클이 유입되는 것이 차단될 수 있으며, 이로 인한 소자의 불량을 방지할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너를 동일 중심 축을 기준으로 서로 다른 각도에서 절취하여 도시한 단면도들이다.
도 2a는 도 1b에 도시된 소스 컨테이너의 혼합 가스 배출 유로와 이에 결합된 흐름 제한 부재의 확대 단면도이며, 도 2b는 흐름 제한 부재의 배출 포트를 γ방향에서 바라본 형상을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제 2 공간 내의 유로들과 흐름 제한 부재들의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시하는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는" 는 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
본 발명자들은 가열되는 소스 컨테이너 내에서 소스 재료가 수용되는 공간(본 명세서에서는 제 1 공간이라 함)과 상기 제 1 공간과 접하면서 소스 재료로부터 발생한 증기와 운반 가스의 혼합이 일어나는 공간(본 명세서에서는 제 2 공간 이라 함)은 열적으로 균일한 것이 바람직하지만, 상기 제 1 공간과 제 2 공간 내에는 냉점(cold spot)이 존재할 수 있으며, 상기 냉점에서 상기 소스 재료의 증기는 응축되거나 불완전하게 분해되어 파티클을 생성하는 원인이 됨을 착안하여, 고온으로 가열되어 소스 컨테이너 내부로 인입되는 운반 가스의 흐름을 제어하는 것이 상기 냉점을 억제하고, 파티클이 억제된 혼합 가스를 얻는데 효과적임을 확인하였다. 특히, 이러한 흐름 제어는 열에 민감하고, 기상 증착 메커니즘에 적합한 고상 또는 액상 유기물 소스 재료에 효과적이다. 본 발명의 소스 컨테이너에 사용하기에 적합한 소스 재료는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 갖는 액상 또는 고상 재료로서, 기상 증착에 적합한 유기 분자, 공역 중합체, 유기 금속 착물 또는 무기물 소스 재료일 수 있으며, 예를 들면, C27H18AlN3O3(ALQ3) 및 N, N'-Bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine(NPB)와 같은 공지의 물질이 참조될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너(100)를 동일 중심 축(20AX, 30AX)을 기준으로 서로 다른 회전 각도에서 절취하여 도시한 단면도들이다. 방향은 직교 좌표계를 통해서 나타냈으며, y 방향은 지면에 수직한 방향을 나타낸다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 소스 컨테이너(100)는 용기(10) 및 용기(10)의 내부와 외부를 연통시키기 위한 유로들(20, 30)을 포함할 수 있다. 용기(10)는 z 방향의 중심 축을 갖는 원통형일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 횡방향(x 또는 y 방향) 또는 종방향(z 방향)의 축을 갖는 타원체이거나 구일 수 있다.
용기(10)는 복수의 파트들로 구성되며, 소스 재료(SM)의 장입과 주기적인 세정을 위해 이들 복수의 파트들은 서로 탈부착될 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 용기(10)는 바닥부(10_1), 몸체부(10_2) 및 뚜껑부(10_3)와 같이 3 개의 독립된 파트들로 구성되거나, 용기(10)의 바닥부(10_1)와 몸체부(10_2)가 일체화될 수도 있다. 그러나, 용기(10)를 구성하는 파트들의 개수는 예시적이며, 본 발명이 이에 의해 한정된 것은 아니다. 예를 들면, 용기(10)는 4 개 이상의 독립된 파트들로 구성될 수도 있을 것이다. 이들 파트들은 볼트/너트, 조인트, 및/또는 클램프와 같은 체결 부재들(10C) 또는 이들 사이의 나사산 결합이나 플랜지 구조에 의해 서로 결합되어 기계적인 결합 강도를 유지하거나, 기밀을 유지하기 위한 실링 부재(10D)를 필요로 할 수도 있다.
용기(10)의 일부 또는 전체의 재료는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 티타늄, 구리와 같은 금속 재료, 내부의 관측이 가능한 석영, 유리와 같은 재료 또는 단열 효과를 갖는 세라믹과 같은 재료 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있으며, 본 발명이 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
일부 실시예에서, 용기(10)의 각 파트들(10_1, 10_2, 10_3)의 내벽(10W1, 10W2, 10W3)은, 도 1a에 도시된 바와 같이, 소스 재료(SM)를 수용하는 제 1 공간(V1)과 제 1 공간(V1)과 접하면서 용기(10)의 내부로 인입된 운반 가스와 소스 재료(SM)로부터 발생한 증기와 상기 운반 가스의 혼합이 일어나는 제 2 공간(V2)을 정의할 수 있다. 도시된 제 1 공간(V1)은 소스 재료(SM)가 축적될 수 있는 영역이며, 제 2 공간(V2)은 소스 재료(SM)가 기화 및/또는 승화하여, 소스 재료(SM)로부터 발생한 기상 전구체인 증기가 채워지는 영역이다.
이하에서는, 제 1 공간(V1)을 정의하는 용기(10)의 내벽 부분들을 집합적으로 제 1 내벽이라 지칭하고, 제 2 공간(V2)을 정의하는 용기(10)의 내벽 부분들을 집합적으로 제 2 내벽이라 지칭한다. 예를 들어, 도시된 소스 컨테이너(100)에서, 제 1 내벽(10S_1)은 용기(10)의 바닥부(10_1)의 내벽(10W1) 전체, 및 몸체부(10_2)의 내벽(10W2) 중 소스 재료(SM)가 접하는 내벽 일부를 포함하며, 제 2 내벽(10S_2)은 몸체부(10_2)의 내벽 중 소스 재료(SM)와 접하지 않는 부분과 뚜껑부(10_3)의 내벽(10W3) 전체를 포함할 수 있다.
소스 컨테이너(100)는 용기(10)의 내부에 열공급을 위하여, 온도 제어기에 의해 제어되는 가열 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 가열 부재는 소스 재료(SM)가 채워지는 제 1 공간(V1)을 가열하거나, 선택적으로는, 기체가 채워지는 제 2 공간(V2)을 함께 가열할 수도 있다. 예를 들면, 상기 가열 부재는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 저항 히터(40)일 수 있다.
저항 히터(40)는, 예를 들면, 바닥부(10_1)와 몸체부(10_2)를 관통하여 용기(10) 내부에 매립될 수 있다. 와이어(10L)를 통해 제어되는 전원(미도시)에 연결될 수 있다. 저항 히터(40)는 제 1 공간(V1)과 제 2 공간(V2)을 모두 가열할 수 있다. 다른 실시예에서, 저항 히터(40)는 제 1 공간(V1)과 제 2 공간(V2)을 각각 가열하도록 독립적으로 제공될 수도 있다. 도 1b에 도시된 저항 히터의 개수는 예시적이며, 일정한 간격으로 용기(10) 내부에 매립된 2 이상의 복수개일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 저항 히터(40)는 용기(10)의 외부에 제공되거나, 용기(10)의 내부에 제공될 수도 있다. 이에 관하여는 도 7을 참조하여 후술하도록 한다.
상기 가열 부재로서 저항 히터(40)는 예시적일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것이며, 상기 가열 부재는, 예를 들면, 복사 히터, 순환유체 히터 및 유도 히터와 같은 다른 가열 부재일 수도 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 용기(10) 내부의 공간들(V1, V2) 또는 용기(10) 자체의 온도를 측정하기 위한 열전쌍, 써미스터 또는 적외선 열감지 센서와 같은 다른 적합한 온도 센서가 부설될 수 있으며, 특히 적외선 열감지 센서를 위해 용기(10)에는 광학적으로 투명한 윈도우가 제공될 수도 있다..
소스 컨테이너(100)의 운반 가스 유입 유로(20)와 혼합 가스 배출 유로(30)는 제 2 공간(V2)과 용기(10)의 외부를 연통시킨다. 운반 가스 유입 유로(20)를 통하여 외부로부터 제 2 공간(V2)으로 운반 가스가 인입될 수 있다(운반 가스 IN). 상기 운반 가스는 소스 컨테이너(100)로부터 증착 프로세스가 일어나는 반응로로 소스 재료(SM)의 기상 전구체를 전달하기 위한 기상 유체이다. 상기 운반 가스는, 예를 들면, 사용되는 소스 재료의 응축을 방지하기 위하여 가열되어 공급되는 헬륨, 질소 및 아르곤과 같은 비활성 가스, 또는 산소, 오존 및 이산화탄소와 같은 반응성 가스일 수 있다.
제 2 공간(V2) 내부로 인입된 상기 운반 가스는 제 2 공간(V2)으로 확산된 소스 재료(SM)의 증기와 혼합되어 혼합 가스 배출 유로(30)를 통하여 반응로로 전달된다(혼합 가스 OUT). 상기 반응로는, 예를 들면, 액체 또는 고체 소스 재료로부터 발생한 증기 또는 이의 반응 생성물의 증착에 의해 소자층이 형성되는 메모리 또는 로직 회로와 같은 반도체 소자 제조를 위한 기상 증착 장치, 또는 유기 EL(또는 유기 발광 다이오드(OLED)라고도 함)와 같은 디스플레이 소자의 제조를 위한 기상 증착 장치에 적용될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 소스 재료(SM)에 따라 광전 기전을 갖는 다른 소자들, 예를 들면, 전기화학전지, 광전도성 전지, 광저항기, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브에도 적용될 수 있을 것이다. 이들 용어들에 관하여는 1966년판 Markus, John저의 Electronics and Nucleonics Dictionary, 470 및 476쪽 (McGraw-Hill, Inc. 1966)]의 기재 사항을 참조할 수 있다.
일부 실시예에서, 운반 가스 유입 유로(20)는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 용기(10)의 외부로부터 제 1 공간(V1)을 경과하여 제 2 공간(V2)으로 연장될 수 있다. 이 경우, 운반 가스 유입 유로(20)의 유입 포트(20P)는 소스 재료(SM)의 표면 위로 돌출되어 제 2 공간(V2)에 노출될 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 운반 가스 유입 유로(20)는 용기(10)의 외부로부터 제 2 공간(V2)으로 직접 연장될 수도 있을 것이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 소스 컨테이너(100)는, 유체의 흐름 방향에 따라 정의하자면, 운반 가스 유입 유로(20)가 소스 재료(SM)의 표면을 기준으로 혼합 가스 배출 유로(30)에 비하여 상대적으로 아래에 있으므로, 상향식 흐름 방식이다. 상기 상향식 흐름 방식 구현을 위하여 운반 가스 유입 유로(20)의 유입 포트(20P)는 도시된 바와 같이 제 1 공간(V2)을 경과하여 제 2 공간(V2)으로 연장되는 것에 제한되지 않으며, 운반 가스 유입 유로(20)의 유입 포트(20P)가 제 2 공간(V2) 내에서 소스 재료(SM)의 표면을 기준으로 배출 포트(30P)에 비하여 낮게 배치되는 것도 가능하다.
소스 컨테이너(100)는 제 2 공간(V2) 내에 흐름 제한 부재(50)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 제한 부재(50)는, 도시된 바와 같이, 혼합 가스 배출 유로(30)에 결합될 수 있다. 이를 위하여, 흐름 제한 부재(50))는 혼합 가스 배출 유로(30)의 일부, 예를 들면, 단부에 용접, 나사산 체결 또는 볼트/너트와 같은 같은 체결 부재를 이용하여 체결되거나, 유로(30)의 일부와 일체화될 수도 있다.
이와 같이, 흐름 제한 부재(50)가 혼합 가스 배출 유로(30)에 결합된 예로서, 도시된 흐름 제한 부재(50)는 혼합 가스 배출 유로(30)의 연장 방향의 중심 축(도 2a의 30AX 참조)상에 존재하는 유로 중앙 단부(30H)를 둘러싸면서, 그 단부(50T)가 제 2 내벽(10S_2)로부터 거리 d만큼 이격된 입체 형상을 갖는 구조체 형태로 제공될 수 있다. 상기 구조체는 유로 중앙 단부(30H)에 나사산 결합 또는 용접 결합될 수 있다. 다른 실시예에서, 도시하지는 않았지만, 흐름 제한 부재(50)의 구성과 체결 방식은 다양하게 변형 실시될 수 있으며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 흐름 제한 부재(50)는 복수의 파트들로 구성되거나, 혼합 가스 배출 유로(30)와 함께 일체로 가공될 수도 있다.
이와 같이, 흐름 제한 부재(50)가 혼합 가스 배출 유로(30)의 유로 중앙 단부(30H)를 둘러싸는 경우, 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)는 유로 중앙 단부(30H)와 연통된 흐름 제한 부재(50) 내의 관통 홀(30T)에 의해 제공될 수 있다. 관통 홀(30T)은 1 개 또는 복수 개일 수 있으며, 이에 관하여는 후술한다.
흐름 제한 부재(50)는 유입 포트(20P)와 배출 포트(30P) 사이에 배치되는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)을 포함하며, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)는 상기 구조체의 일 표면일 수 있다. 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 운반 가스 유입 유로(20)의 중심 축(20AX)과 교차하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 유입 포트(20P)의 중심으로부터 배출 포트(30P)의 중심을 연결하는 직선으로 정의되는 가상 직선 경로(VL1, VL2)를 가로지르면서 제 2 공간(V2) 내에서 확장된 표면이다. 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, x 및 y 방향으로 확장된 2차원적 평면일 수 있다.
일부 실시예에서, 흐름 제한 부재(50)는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX) 쪽으로 연장되는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)을 더 포함할 수 있다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)은 경사 확장된 면일 수 있으며, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)은 이들 표면들을 각각 밑면과 측면으로 하는 원뿔 형상의 구조체를 제공할 수 있다. 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)에 형성된 관통 홀들(30T)은 유로 중앙 단부(30H)와 연통되고, 전술한 바와 같이 관통 홀들(30T)에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)가 정의될 수 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)에 의해 제 2 공간(V2) 내에서 유입 포트(20P)로부터 배출 포트(30P)까지의 가스 유동 거리는 가상 직선 경로에 비해 더 증가될 수 있으며, 화살표 A로 나타낸 바와 같이, 유입 포트(20P)로부터 인입된 고온의 운반 가스는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)을 따라 용기(100)의 제 2 내벽(10W2)으로 이동하고, 이후, 제 2 내벽(10W2)과 제 1 흐름 장벽 표면(50S1) 사이의 간격 d를 갖는 갭을 통해 내벽(10W2)을 따라 배출 포트(30P)에 도달하는 가스 흐름 패턴을 제공할 수 있다. 바람직하게는, 상기 가스 흐름 패턴은 고온의 운반 가스에 의한 고온 층류 패턴(high temperature laminar flow pattern)일 수 있다. 그러나, 고온 층류 패턴에 관한 언급이 제 2 공간(V2) 내에서 발생할 수 있는 난류(turbulent flow) 또는 전이류(transition flow)를 배제하는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에 따르면, 증가된 가스 유동 거리로 인하여 유입 포트(20P)로부터 인입된 고온의 운반 가스가 배출 포트(30P)에 도달하기 전에 제 2 공간(V2) 내로 확산된 소스 재료의 증기와 혼합되는 것이 더 쉬워지며, 상기 고온의 흐름 패턴으로 인하여 제 2 공간(V2)의 전역에 걸쳐 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 이와 같이, 온도 균일성이 향상되면, 제 2 공간(V2) 내에서 냉점(cold spot)이 제거되거나 감소될 수 있으며, 이로써, 상기 냉점에서 응축되거나 불완전하게 분해되어 발생하는 파티클이 억제될 수 있으며, 상기 반응로로 전달되는 기상 전구체의 양이 증착 과정 동안 균일하도록 유지될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너(100)에 의한 다른 중요한 이점으로서, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과, 선택적으로는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)으로 인하여, 상기 냉점에 의해 제 2 공간(V2) 내에 파티클이 발생하더라도 상기 파티클은 제 1 흐름 장벽 표면(50S1) 및 제 2 흐름 장벽 표면(50S2) 상에서 흡착되거나 반사되어, 배기 포트(30P)로 상기 파티클이 유입되는 것이 차단될 수 있으며, 이로 인한 소자의 불량을 방지할 수 있다.
도 2a는 도 1b에 도시된 소스 컨테이너(100)의 혼합 가스 배출 유로(30)와 이에 결합된 흐름 제한 부재(50)의 확대 단면도이며, 도 2b는 흐름 제한 부재(50)의 배출 포트(30P)를 γ방향에서 바라본 형상을 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 제 2 공간(도 1b의 V2 참조) 내의 흐름 제한 부재(50)의 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 x 및 y 방향으로 확장된 평평한 표면일 수 있다. 또한, 도 1b를 참조하여 전술한 바와 같이, 흐름 제한 부재(50)는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX)쪽으로 연장된 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)을 더 포함할 수 있다. 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)는 도시된 바와 같이 경사 확장될 수 있지만, 이는 예시적이며, 제 1 흐름 장벽 표면(50S2)과 유사하게 볼록하거나 오목한 곡면 표면을 갖거나 다면체 표면을 가질 수도 있다.
제 2 흐름 장벽 표면(50S2)으로부터 유로 중앙 단부(30H)를 연통시키는 관통 홀들(30T)에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)가 정의될 수 있다. 관통 홀들(30T)에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)는 실질적으로 연장되는 효과를 갖는다. 관통 홀들(30T)은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX)을 회전축으로 하여 180 ° 간격으로 형성될 수 있다. 이 경우, 관통 홀들(30T)은 2 개일 수 있지만, 이는 예시적이며, 관통 홀들(30T)은 중심 축(30AX)을 회전축으로 하여 3 개 이상이거나, 1개일 수도 있으며, 그에 따라, 배출 포트(30P)의 개수도 변한다.
도 2a와 함께 도 2b를 참조하면, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)의 교차 각도 θ(표면들의 연장선이 서로 교차할 때 내각을 의미함)는 예각이며, 이러한 교차 각도 θ는 배출 포트(30P)의 노출 단면(30PA)은 관통 홀(30T) 단면(30PT)의 형상이 원인 경우, 제 2 흐름 장벽 표면(30S2)에 수직한 γ 방향에서 바라본 관통 홀(30T)의 모습(이하, 노출 단면; 30PA)의 형상은 타원과 유사할 수 있다. 이 경우, 노출 단면(30PA)의 면적은 배출 포트(30P)의 단면(30PT)의 면적/sin θ의 크기에 근사한다. 예를 들면, 교차 각도 θ가 감소할수록 배출 포트(30P)의 노출 단면(30PA)의 면적이 증가된다. 또한, 교차 각도 θ가 감소할수록 배출 포트(30P)와 유로 중앙 단부(30H) 사이의 거리가 감소될 수 있다. 그 결과, 배출 포트(30P)를 통하여 혼합 가스 배출 유로(30)로 전달되는 배출 가스의 유량이 증가될 수 있다. 이러한 교차 각도 θ는, 예를 들면, 20° 내지 70° 일 수 있다. 그러나, 이는 예시적일 뿐 교차 각도 θ는 90° 또는 그 이상일 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제 2 공간 내의 유로들(20, 30)과 흐름 제한 부재들(50)의 확대 단면도이다. 도 2a 및 도 2b에 개시된 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 3a를 참조하면, 흐름 제한 부재(50)의 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 가상 직선 경로(VL1, VL2)를 가로지르면서 제 2 공간(V2) 내에서 운반 가스 유입 유로(20) 측으로 볼록하게 확장된 곡면일 수 있다. 또한, 흐름 제한 부재(50)는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX) 쪽으로 연장되는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)을 더 포함할 수 있다. 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)으로부터 유로 중앙 단부(30H)를 연통시키는 관통 홀들(30T)이 제공될 수 있으며, 이에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)가 정의될 수 있다. 전술한 바와 같이, 관통 홀들(30T)은 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX)을 회전축으로 하여 180° 간격으로 형성되지만, 이는 예시적이며, 관통 홀들(30T)은 중심 축(30AX)을 회전축으로 하여 3 개 이상이거나, 1개일 수도 있다.
도 3b를 참조하면, 다른 실시예에 따른 흐름 제한 부재(50)의 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 제 2 공간(V2) 내에서 운반 가스 유입 유로(20) 측으로 볼록하게 확장된 다면체 표면일 수 있다. 또한, 흐름 제한 부재(50)는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX) 쪽으로 연장되는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)을 더 포함할 수 있다. 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)으로부터 유로 중앙 단부(30H)를 연통시키는 관통 홀들(30T)에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)가 정의될 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예에서는, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)이 곡면 또는 다면체 표면을 개시하고 있지만, 제 2 공간(V2) 내에서 가스의 흐름을 제어할 수 있도록 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 표면적을 제어할 수 있는 다양한 방식으로 변형실시될 수 있다. 또한, 이들 도면들의 실시예는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)이 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 중심 축(30AX) 쪽으로 연속적으로 경사 확장된 것에 관한 것이지만, 이는 예시적이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)은, 전술한 바와 같이, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과 90° 이상의 교차 각도를 갖도록 연장되거나, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)는 분리 제공될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 흐름 제한 부재들(50)은, 도 1a 내지 1b에 도시된 바와 같이 혼합 가스 배출 유로(30)에 결합된다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 혼합 가스 배출 유로(30)가 흐름 제한 부재(50) 자체에 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 혼합 가스 배출 유로(30)는 용기의 일부, 예를 들면, 뚜껑부(10_2)를 관통하여 제 2 공간(V2)으로 노출되도록 별도로 마련될 수 있고, 흐름 제한 부재(50)가 노출된 가스 배출 유로(30)의 일단에 삽입 고정, 나사산으로 체결 또는 볼트/너트 체결과 같은 방식 또는 다른 공지의 체결 방식에 의해 결합될 수도 있다.
도 1a 내지 도 3b를 참조하여 전술한 실시예에서는 운반 가스 유입 유로의 중심 축과 혼합 가스 배출 유로의 중심 축이 서로 동일선 상에 있는 것을 개시하고 있지만, 이는 예시적일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 이들 중심 축들은 서로 오프셋되거나 서로 평행하지 않을 수도 있다. 그러나, 설계의 단순화를 위하여 이들 중심 축은 서로 일치되고, 부재들은 이들 축들에 대하여 대칭적인 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(200)를 도시하는 단면도이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 소스 컨테이너(200)는 운반 가스 유입 유로(20)가 소스 재료(SM)의 표면을 기준으로 혼합 가스 배출 유로(30)에 비하여 상대적으로 위에 있는 하향식 흐름 방식이며, 이 점에서, 상향식 흐름 방식인 전술한 소스 컨테이너(도 1a의 100 참조)와 구별된다.
용기(10)는 복수의 파트들로 구성될 수 있으며, 각 파트들의 내벽에 의해 제 1 공간(V1)과 제 2 공간(V2)이 정의될 수 있다. 소스 컨테이너(200)의 내부와 외부는 운반 가스 유입 유로(20) 및 혼합 가스 배출 유로(30)에 의해 연통된다. 일부 실시예에서, 혼합 가스 배출 유로(30)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 용기(10)의 외부로부터 제 1 공간(V1)을 경과하여 제 2 공간(V2)으로 연장될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 혼합 가스 배출 유로(30)는 제 1 공간(V1)을 경과하지 않고서 제 2 공간(V2)으로 연장될 수도 있다.
소스 컨테이너(100)는 제 2 공간(V2) 내에 흐름 제한 부재(50)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 흐름 제한 부재(50)는, 도시된 바와 같이, 혼합 가스 배출 유로(30)의 연장 방향의 중심 축(30AX) 상에 존재하는 유로 중앙 단부(30H)를 둘러싸면서 제 2 내벽(10S_2)로부터 거리 d만큼 이격된 입체 형상을 갖는 구조체일 수 있다. 상기 구조체는 유로 중앙 단부(30H)에 나사산 결합 또는 용접 결합될 수 있다. 그러나, 흐름 제한 부재(50)의 구성과 체결 방식은 다양하게 변형 실시될 수 있으며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 흐름 제한 부재(50)는 복수의 파트들로 구성되거나, 도 4에 도시된 바와 같이 혼합 가스 배출 유로(30)와 결합되어 일체로 가공될 수도 있다.
흐름 제한 부재(50)의 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 유입 포트(20P)와 배출 포트(30P) 사이에 배치되어, 운반 가스 유입 유로(20)의 중심 축(20AX)와 교차된다. 일부 실시예에서, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 가상 직선 경로(VL)를 가로지르면서 제 2 공간(V2) 내에서 확장될 수 있다. 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 도 4에 도시된 바와 같이, x 및 y 방향으로 확장된 2차원적 평면일 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)은 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 운반 가스 유입 유로(20)에 대한 3차원적 곡면 또는 다면체 표면일 수도 있다..
일부 실시예에서, 흐름 제한 부재(50)는 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)의 확장 단부(50T)로부터 혼합 가스 배출 유로(30)의 중심 축(30AX)을 향하여 확장되는 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)을 더 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)은 경사 확장된 표면일 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)은 생략되거나, 90 ° 이상의 교차 각도를 가질 수 있음은 전술한 바와 같다. 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)에 유로 중앙 단부(30H)와 연통되는 관통 홀들(30T)이 제공될 수 있으며, 관통 홀들(30T)에 의해 혼합 가스 배출 유로(30)의 배출 포트(30P)가 정의될 수 있다.
제 1 흐름 장벽 표면(50S1)에 의해 제 2 공간(V2) 내에서 유입 포트(20P)로부터 배출 포트(30P)까지의 가스 유동 거리는 가상 직선 경로(VL)에 비해 더 증가될 수 있으며, 도 1b를 참조하여 개시된 바와 유사하게 유입 포트(20P)로부터 인입된 고온의 운반 가스는 용기의 해당 내벽들을 따라 배출 포트(30P)에 도달하는 흐름 패턴을 제공할 수 있다. 바람직하게는, 상기 흐름 패턴은 고온의 운반 가스에 의한 고온 층류 패턴일 수 있다. 이와 같이 가스 유동 거리로 인하여 유입 포트(20P)로부터 인입된 고온의 운반 가스가 배출 포트(30P)에 도달하기 전에 제 2 공간(V2) 내에 채워진 소스 재료의 증기와 혼합되는 것이 더 쉬워지며, 상기 고온의 흐름 패턴으로 인하여 제 2 공간(V2)의 전역에 걸쳐 온도 균일성이 향상될 수 있다. 이와 같이, 온도 균일성이 향상되면, 제 2 공간(V2) 내에서 냉점(cold spot)이 제거되거나 감소될 수 있으며, 이로써, 상기 냉점에서 응축되거나 불완전하게 분해되어 발생하는 파티클이 억제되고, 상기 반응로로 전달되는 기상 전구체의 양이 균일하도록 할 수 있다.
또한, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)과 제 2 흐름 장벽 표면(50S2)으로 인하여, 상기 냉점에 의해 제 2 공간(V2) 내에 파티클이 발생하더라도 상기 파티클은 제 1 흐름 장벽 표면(50S1) 및 제 2 흐름 장벽 표면(50S2) 상에서 흡착되거나 반사되어, 배기 포트(30P)로 상기 파티클이 직접 유입되는 것이 차단될 수 있으며, 이로 인한 소자의 불량을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(300)를 도시하는 단면도이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 소스 컨테이너(300)는 운반 가스 유입 유로(20)에 결합된 노즐(60)을 포함하는 점에서 전술한 소스 컨테이너들(100, 200)과 구별된다. 노즐(60)에 형성된 관통 홀들(60H)을 포함할 수 있다. 노즐(60)로부터 분사되는 운반 가스는, 그 일부는 화살표 A1으로 나타낸 바와 같이 흐름 제한 부재(50)의 흐름 장벽 표면(50S1)을 따라 배출 포트(30P)로 흐르고, 나머지는 화살표 A2로 타나낸 바와 같이, 노즐(60)의 관통 홀들(60H)을 통해 소스 재료(SM)의 표면 쪽으로 분사된 후 배출 포트(30P)로 흐르게 된다.
노즐(60)의 관통 홀들(60H)은 소스 재료(SM)의 표면에 수직하거나, 화살표 A2로 나타낸 바와 같이 운반 가스가 비스듬히 분사되도록 소스 표면(SM)에 대하여 경사 배열될 수 있다. 이를 위하여, 노즐(60)은 운반 가스 유입 유로(20)의 중심 축(20AX)으로부터 운반 가스의 진행 방향으로 경사 확장된, 도 5에 도시된 바와 같은 깔때기(funnel) 형태를 가질 수 있다.
이와 같이, 노즐(60)은 흐름 제한 부재(50)와 함께 유입 포트(20P)로부터 제 2 공간(V2)으로 인입된 고온의 운반 가스에 대한 흐름 패턴을 제공하여 제 2 공간(V2) 내 온도 균일성을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 생성된 파티클들이 노즐(60)의 표면(60S)에 흡착되거나 반사되어 배출 포트(30P)로 파티클들이 인입되는 것이 방지될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(400)를 도시하는 단면도이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 소스 컨테이너(400)는 운반 가스 유입 유로(20)에 결합된 노즐(60)이 소스 재료(SM)의 표면에 수직하거나, 화살표 A로 나타낸 바와 같이 운반 가스가 비스듬히 분사되도록 소스 표면(SM)에 대하여 경사 배열된 관통 홀들(60H)을 포함하는 점에서 도 5에 도시된 소스 컨테이너(500)와 유사하다. 그러나, 소스 컨테이너(400)의 노즐(60)의 전면부(즉, 제 1 흐름 장벽 표면(50S1)에 대향하는 면)는 폐색된 표면(60S2)을 가지며, 이에 의해, 관통 홀들(60H)을 통해서만 운반 가스가 분사된다. 다른 실시예에서, 노즐(60)의 전면부에 폐색된 표면 대신에 관통 홀이 제공될 수도 있다.
노즐(60)로부터 분사되는 운반 가스는 화살표 A로 나타내는 바와 같이, 운반 가스가 노즐(60)의 관통 홀들(60H)을 통해 소스 재료(SM)의 표면 쪽으로 분사된 후 배출 포트(30P)로 흐르게 된다. 고온의 운반 가스는 제 2 공간(V2)을 경과하면서 소스 재료로부터 발생한 증기와 혼합되어 배출 포트(30P)를 통해 배출된다.
노즐(60)은 흐름 제한 부재(50)와 함께 유입 포트(20P)로부터 제 2 공간(V2)으로 인입된 고온의 운반 가스에 대한 흐름 패턴을 제공하여 제 2 공간(V2) 내 온도 균일성을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 노즐(60)의 표면(60S)에 생성된 파티클들이 흡착되거나 반사되어 배출 포트(30P)로 파티클들이 인입되는 것이 방지될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하여 개시된 노즐(60)은 상향식 방식의 소스 컨테이너에 관한 것이지만, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 4를 참조하여 개시된 하향식 방식의 소스 컨테이너에도 운반 가스 유입 유로(20)에 전술한 노즐이 결합될 수 있을 것이다. 또한, 이들 소스 컨테이너의 흐름 제한 부재(50)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이 곡면형, 다면체형 또는 이들이 조합된 흐름 장벽 표면을 가질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(500)를 도시하는 단면도이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 소스 컨테이너(500)는 전술한 실시예들에 따른 소스 컨테이너들과 달리 용기(10)의 내부, 예를 들면, 제 1 공간(V2)에 균일한 열공급을 위하여, 온도 제어기에 의해 제어되는 가열 부재(45)를 더 포함할 수 있다.
가열 부재(45)는 z 방향으로 연장된 봉 형태일 수 있으며, x 및 y 방향의 2차원적인 어레이 형태로 배열될 수 있다. 가열 부재(45)는 예를 들면, 저항 히터일 수 있으며, 제 1 공간(V1) 내에서 소스 재료(SM)의 직접적인 접촉을 방지하기 위해 차폐 구조(45C)가 제공될 수 있다.
상기 차폐 구조(45C)는 바닥부(10_1)와 일체화되거나 바닥부(10_1)을 관통하여 제 1 공간(V1)으로 인입되는 방식으로 조립될 수 있다. 가열 부재(45)는 저항 히터 이외에, 복사 히터, 순환유체 히터 및 유도 히터와 같은 다른 가열 부재일 수도 있다. 또한, 다른 실시예에서, 가열 부재(45)는 봉 형태 이외에 제 1 공간(V1) 내에서 운반 가스 유입 유로(20)의 중심 축을 중심으로 동심원 배열이나 Z 방향으로 적층된 다른 선형, 원형 또는 2차원적인 면 가열체일 수 있으며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
전술한 실시예들에 관한 특징과 이점들은 서로 대체되거나 조합되어 실시될 수 있으며, 이러한 변형 실시예들도 본 발명의 범위에 포함된다. 예를 들면, 도 4에 도시된 상향식 흐름 방식의 소스 컨테이너에도 도 7에 도시된 가열 부재(45)가 적용될 수 있다. 또한, 가열 부재(45)는 도 1b에 도시된 다른 가열 부재(40)를 대체하거나 이와 함께 소스 컨테이너에 적용될 수도 있을 것이다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (19)

  1. 소스 재료가 수용되는 제 1 공간 및 상기 제 1 공간과 접하고 내부로 인입된 운반 가스와 상기 소스 재료로부터 발생한 증기가 혼합되는 제 2 공간을 한정하는 내벽을 포함하는 용기;
    상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 유입 포트를 포함하는 운반 가스 유입 유로;
    상기 용기의 외부와 상기 제 2 공간을 연통시키고, 제 2 공간 내에 노출되는 배출 포트를 포함하는 혼합 가스 배출 유로; 및
    상기 제 2 공간 내에서 확장되어, 상기 유입 포트와 상기 배출 포트 사이에 제 1 흐름 장벽 표면을 제공하는 흐름 제한 부재를 포함하는 소스 컨테이너.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 흐름 장벽 표면은 상기 유입 포트의 중심으로부터 상기 배출 포트의 중심을 연결하는 직선으로 정의되는 가상 직선 경로를 가로지르면서 상기 제 2 공간 내에서 확장된 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 콘테이너.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 흐름 장벽 표면은 평면, 곡면 또는 다면체 표면 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 콘테이너.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 흐름 장벽 표면은 상기 제 2 공간을 정의하는 내벽으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 소스 콘테이너.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 흐름 장벽 표면의 확장 단부로부터 상기 혼합 가스 배출 유로의 중심 축 쪽으로 연장되는 제 2 흐름 장벽 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 혼합 가스 배출 유로의 유로 중앙 단부와 연통되고, 제 2 흐름 장벽 표면에 형성되는 관통 홀들을 더 포함하며,
    상기 관통 홀들에 의해 상기 배출 포트가 정의되는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 흐름 장벽 표면과 상기 제 2 흐름 장벽 표면의 교차 각도는 20° 내지 70° 범위 내인 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 흐름 장벽 표면은 경사 확장되는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 운반 가스 유입 유로의 중심 축과 상기 혼합 가스 배출 유로의 중심 축은 동일 선상에 배치되는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 운반 가스 유입 유로는 상기 용기의 외부로부터 상기 제 1 공간을 경과하여 상기 제 2 공간으로 연장된 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 혼합 가스 배출 유로는 상기 용기의 외부로부터 제 1 공간을 경과하여 상기 제 2 공간으로 연장된 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 운반 가스 유입 유로에 결합되는 상기 유입 유로와 연통되는 관통 홀들을 포함하는 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 관통 홀들은 상기 소스 재료의 표면 쪽으로 상기 운반 가스를 분사하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 제 1 흐름 장벽 표면에 대향하는 폐색된 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 공간에 삽입되며, 온도 제어기에 의해 제어되는 가열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 재료는 액상 또는 고상인 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 소스 재료는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 갖는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  18. 제 1 항 기재의 상기 소스 컨테이너의 상기 혼합 가스 배출 유로에 결합되는 기상 증착 반응로.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 기상 증착 반응로는 유기 발광 소자(OLED)의 제조를 위한 것을 특징으로 하는 기상 증착 반응로.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018190519A1 (ko) * 2017-04-12 2018-10-18 오충석 화학 기상 증착용 반응기 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6675865B2 (ja) * 2015-12-11 2020-04-08 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置
TWI719284B (zh) 2017-03-03 2021-02-21 美商應用材料股份有限公司 用於半導體製造前驅物的安瓿及用於半導體前驅物液體的安瓿
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US20190136366A1 (en) * 2017-11-08 2019-05-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Crucible and vapor deposition method
US20220145456A1 (en) * 2020-11-09 2022-05-12 Applied Materials, Inc. Refillable large volume solid precursor sublimation vessel
US20220403512A1 (en) * 2021-06-22 2022-12-22 Applied Materials, Inc. Bottom Fed Sublimation Bed for High Saturation Efficiency in Semiconductor Applications

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004007793A2 (en) 2002-07-17 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing gas to a processing chamber
JP2009059871A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機金属化合物供給容器
JP2011054789A (ja) 2009-09-02 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20110171383A1 (en) 2010-01-14 2011-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method for constant concentration evaporation and a device using the same

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US529684A (en) * 1894-11-20 Treating air for medical purposes
US2437963A (en) * 1943-03-24 1948-03-16 Gen Electric Method and apparatus for producing aerosols
US3459668A (en) * 1965-05-21 1969-08-05 Honeywell Inc Semiconductor method and apparatus
US3767172A (en) * 1971-03-15 1973-10-23 H Mills Apparatus for producing a mist of a fluid
US4212663A (en) * 1978-01-26 1980-07-15 Corning Glass Works Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing
DE3801147A1 (de) * 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
EP0489726B1 (fr) * 1989-09-01 1994-03-30 Total Raffinage Distribution S.A. Procede et dispositif de vapocraquage d'hydrocarbures en phase fluidisee
JP3174351B2 (ja) * 1991-03-19 2001-06-11 三菱電線工業株式会社 超電導ｍｏｃｖｄ用ガス化容器
DE4124018C1 (ko) * 1991-07-19 1992-11-19 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
US5554220A (en) * 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US6202991B1 (en) * 1999-02-03 2001-03-20 Nicholas Edward Coniglio Bubble humidifier with valve inlet for supplying liquid therein
JP3909792B2 (ja) * 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
DE60020781T2 (de) * 1999-08-20 2006-05-11 Rohm And Haas Chemicals Llc Sprudelvorrichtung mit zwei Fritten
US6635114B2 (en) * 1999-12-17 2003-10-21 Applied Material, Inc. High temperature filter for CVD apparatus
DE10048759A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
DE10164735C2 (de) * 2001-01-31 2003-05-15 Vogel Willi Ag Verfahren zur Aerosolerzeugung
US7090727B2 (en) * 2001-08-17 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Heated gas line body feedthrough for vapor and gas delivery systems and methods for employing same
US6715743B2 (en) * 2001-11-27 2004-04-06 Chaojiong Zhang Gas humidifier
US6863268B2 (en) * 2001-11-27 2005-03-08 Chaojiong Zhang Dew point humidifier (DPH) and related gas temperature control
TW200300701A (en) * 2001-11-30 2003-06-16 Asml Us Inc High flow rate bubbler system and method
KR100358727B1 (ko) * 2002-04-01 2002-10-31 에이엔 에스 주식회사 기상유기물 증착방법과 이를 이용한 기상유기물 증착장치
US6789789B2 (en) * 2002-05-29 2004-09-14 Veeco Instruments Inc. High throughput vaporizer
EP1551538B1 (en) * 2002-07-03 2011-02-23 Stone & Webster Process Technology, Inc. Condensation reduction in fluid maxing
KR100473806B1 (ko) * 2002-09-28 2005-03-10 한국전자통신연구원 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법
KR20050004379A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 원자층 증착용 가스 공급 장치
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US7651570B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
JP2009246168A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
US8146896B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
EP2566998A4 (en) * 2010-05-03 2016-01-13 Univ Delaware HEAT EVAPORATION SOURCES WITH SEPARATE LUBRICANTS FOR HOLDING THE EVAPORATIVE MATERIAL
WO2012086728A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 株式会社渡辺商行 気化器
US8554064B1 (en) * 2010-12-27 2013-10-08 Msp Corporation Method and apparatus for generating vapor at high rates
KR101363354B1 (ko) * 2012-05-01 2014-02-17 주식회사 유니텍스 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004007793A2 (en) 2002-07-17 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing gas to a processing chamber
JP2009059871A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機金属化合物供給容器
JP2011054789A (ja) 2009-09-02 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20110171383A1 (en) 2010-01-14 2011-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method for constant concentration evaporation and a device using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018190519A1 (ko) * 2017-04-12 2018-10-18 오충석 화학 기상 증착용 반응기 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치

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