JP2003514992A - 低蒸気圧液体供給源からｃｖｄ室まで前駆体蒸気を運搬する装置及び方法 - Google Patents

低蒸気圧液体供給源からｃｖｄ室まで前駆体蒸気を運搬する装置及び方法

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JP2003514992A
JP2003514992A JP2001538581A JP2001538581A JP2003514992A JP 2003514992 A JP2003514992 A JP 2003514992A JP 2001538581 A JP2001538581 A JP 2001538581A JP 2001538581 A JP2001538581 A JP 2001538581A JP 2003514992 A JP2003514992 A JP 2003514992A
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ヴェザン、ヴァンサン
英亮 山▼さき▲
康彦 小島
有美子 河野
秀樹 吉川
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles

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Abstract

(57)【要約】 ＣＶＤ反応器１０は、反応室１２に一体的に連結された前駆体運搬装置２０を備えている。例えば、銅又は他の金属の有機前駆体の液体前駆体は、（好ましくは、不活性スイープガスの助けによって）高流体コンダクタンスの蒸発器２６の入口で噴霧される。液体前駆体３０は、不安定な液体状態である時、室温又は室温より低い温度に維持される。蒸発器２６に、噴霧済み前駆体を均一に加熱するために熱が導入される。蒸発済み前駆体は拡散器２１の中を通過する。この拡散器２１は、蒸気を直接に又はシャワーヘッド２４を通して反応室１２の中へ拡散させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）に関し、とりわけ、供給源（sources）からの
銅の前駆体蒸気をＣＶＤ反応室まで運搬することに関する。
【０００２】 （発明の背景） 諸半導体素子を製造するのに使用される化学蒸着（ＣＶＤ）法等のＣＶＤ法で
は、前駆体蒸気をＣＶＤ反応器まで運搬する必要がある。このＣＶＤ反応器では
化学反応が起こり、半導体の基体（substrate; 基板）の上に膜が堆積される結
果となる。低抵抗率のコンタクト及び相互接続に対する要求が増大したため、銅
等の低損失金属を堆積させる商業的方法に対する要求（とりわけ、諸集積回路及
び諸半導体素子の上にコンタクト及び相互接続を形成するための方法に対する要
求）が増大する結果となっている。ＣＶＤによって、そのような集積回路の諸接
続を形成するための金属としての銅を堆積させるための種々の方法が与えられて
いる。
【０００３】 そのような諸ＣＶＤ法において、銅の前駆体は通常、有機金属液体であり、大
抵の有機金属液体は非常に低い蒸気圧を有する。これら低蒸気圧液体は、ＣＶＤ
法で使用するためには、蒸発しなければならない。しかし、そのような諸液体は
、高温では不安定になる傾向があり、室温又は室温以下の蒸発点以下に保持する
必要がある。それら前駆体の低蒸気圧のためには、蒸発室体積を低圧（とりわけ
、前駆体の、蒸発温度での蒸気圧よりも低い圧力）に保持する必要がある。その
ような低圧及び低温の条件では、前駆体の蒸気を、蒸発容器からＣＶＤ反応が行
われる反応室まで、高速度で且つ分解することなく運搬することが困難である。
【０００４】 銅及び他の類似液体の前駆体は、液体状態になっている高温では不安定になる
ので、そのような前駆体を蒸気状態から凝縮させれば、また不安定な凝縮物が生
成する。従来の更に多くの前駆体の諸凝縮物は容易に再蒸発する場合があり、銅
の有機金属前駆体等の前駆体の諸凝縮物は急速に分解して、それら凝縮物が凝縮
している表面上に固体残渣を形成する。また、温度が低くなければ、そのような
前駆体は、蒸発室の壁で不均一反応を受ける。
【０００５】 多くの蒸発器は、水性蒸留物、石油蒸留物等の、比較的安定で高蒸気圧前駆体
のために供されてきた。しかし、半導体及び集積回路を製造する場合の銅ＣＶＤ
に最適な、低蒸気圧で安定性の低い有機金属前駆体を運搬するための必要条件を
満たすものは全く存在しなかった。
【０００６】 従って、反応前駆体蒸気（とりわけ、銅の有機金属前駆体の諸特性を有する前
駆体の蒸気）を、ＣＶＤ反応室まで運搬するための一層優れた装置及び方法の要
求がある。
【０００７】 （発明の概要） 本発明の目的は、低蒸気圧で安定性の低い液体前駆体の蒸気をＣＶＤ室まで確
実に運搬するのに有効な前駆体運搬装置を提供することである。本発明の特定の
目的は、有機金属（とりわけ、有機銅）の液体前駆体供給源から、有機銅又は他
の有機金属化合物の蒸気を運搬することである。
【０００８】 本発明の更なる目的は、安定性の低い、低蒸気圧の諸前駆体化合物を分解する
ことなく、前駆体蒸気を運搬することである。更なる目的は、蒸発が開始された
後、装置内に前駆体蒸気を凝縮させないで、前駆体蒸気を運搬することである。
【０００９】 本発明の幾つかの原理によると、ＣＶＤ室の上に直接に一体化された、高流体
コンダクタンス（high flow-conductance）の等温蒸発器を有する前駆体運搬装
置が提供される。この運搬装置は好ましくは、高コンダクタンスの蒸発器に液体
前駆体の流量調節器を備えている。蒸発器は好ましくは、均一な熱入力を与えて
、効率的で繰り返しが可能な蒸発を促進するように構成されている。低蒸気圧の
前駆体液体を一様に蒸発させる高流体コンダクタンスが与えられる。前駆体液体
は、蒸発前は室温のままであり、前駆体液体の安定性が維持される。
【００１０】 「等温（isothermal）」は、前駆体が膨張しながら熱が前駆体に加えられ、反
応器の中に拡散されるため、前駆体は、反応器に入る時、凝縮も体積も反応もし
ないことを意味する。そうでなければ、反応器に入る前駆体の温度を精確に一定
に維持する必要はない。有機銅前駆体では、６０℃〜９０℃の温度が維持される
。更に、「高流体コンダクタンス（high flow-conductance）」は、反応器の中
に入る前駆体の流れに低抵抗が与えられ、それによって、その流れを妨げず、ま
た、反応に入る圧力降下が最小限となり、前駆体の供給源で必要な圧力が減少す
る。
【００１１】 本発明の好ましい態様によると、ＣＶＤ処理装置は、前駆体運搬装置であって
、その中で液体前駆体が計量されて噴霧オリフィス（atomizing orifice; 噴霧
用開口）の中に供給される該前駆体運搬装置を備えている。計量は、従来の計量
装置、又は前駆体を維持するのに適合した他の装置を用いて実施することができ
、その間、前駆体は液体状態であり、室温若しくは室温より低いか、又は前駆体
が不安定になるような他の温度より低く、さもなければ、前駆体は恐らく劣化す
る。
【００１２】 また、不活性ガスは、「スイープガス（sweep gas）」として使用され、前駆
体が蒸発される間際に噴霧器に導入され、蒸発室の中か、又はＣＶＤ反応室の一
方の端部の体積部の中に噴霧済み液体を吹き飛ばす。蒸発体積部は、等温環境で
あって、その中で噴霧済み液体粒子が蒸発する該等温環境を与えるように構成さ
れる。蒸発体積部の温度は、液体が壁の上、及び蒸発体積部と連通している他の
構造物の上に凝縮するのを防ぐのに十分高い温度に維持される。
【００１３】 スイープガスは、そのガスを反応器の中に単に運ぶのに使用される場合もあり
、又はスイープガスは、液体前駆体の液滴を噴霧させるのを助けるのに使用され
る場合もある。液滴を噴霧させるためには、スイープガスの加熱を実施してもよ
い。スイープガスをそのように加熱すれば、膨張するガスに熱を加えるための一
手段としても役に立つことができ、それによって、運搬装置の等温特性が促進さ
れる。
【００１４】 本発明の幾つかの態様では、低圧環境が蒸発体積部に与えられ、蒸発体積部を
通ってＣＶＤ処理室の中に高真空コンダクタンス経路が維持される。
【００１５】 噴霧器の中に入る液体前駆体の圧力は、約５００μリットル／分±１００μリ
ットル／分〜約１０ｍリットル／分の範囲の流量を生じるのに必要な圧力である
。
【００１６】 本発明の好ましい態様によると、液体の有機銅前駆体は室温又は室温より低い
温度で液体状態に維持されながら、その前駆体は直接にＣＶＤ処理室の一方の端
部に導入される。液体前駆体は（好ましくはアルゴン等の不活性スイープガスを
用いて）噴霧されて、漸進的に拡大する体積を与えるように設計されている蒸発
器を通って流され、噴霧済み前駆体は、それが蒸発器を通って流れる時、均一に
加熱される。蒸発器は、切断面が漸進的に増大し、蒸気が膨張する時、蒸気に熱
を伝達するための伝導性壁を有する通路から成る一連の同心円筒又は同心環であ
る場合がある。もう１つの方法として、膨張する蒸気前駆体の温度を維持するた
めに、放射熱を使用することができる。前駆体蒸気は好ましくは、拡散器の中を
通過し、その拡散器中で前駆体蒸気は膨張し、ＣＶＤ反応室で低密度のガスにな
る。その蒸気は随意的に、更にシャワーヘッドを通過する場合がある。このシャ
ワーヘッドによって、この運搬装置を種々のプロセスパラメータに適合させるた
めの追加的圧力降下が与えられる。そのように適合させる必要がない場合、シャ
ワーヘッドは省略して、前駆体を運搬する間の圧力降下を最小限にすることが好
ましい。
【００１７】 本発明の他の諸目的及び諸利点は、下記の本発明の詳細な記述から容易に明白
となろう。
【００１８】 （好ましい態様の詳細な記述） 図１は、本発明の１つの好ましい態様による化学蒸着（ＣＶＤ）反応器１０を
、単純化した形で、概略的に説明する。反応器１０は、銅ＣＶＤに適したタイプ
であり、ＣＶＤ処理室１２を囲んでいる室壁１１を備えている。この処理室１２
は、室壁１１内の真空排気用開口部１４に接続されたポンプ１３によって真空状
態に維持されている。諸半導体を個々にウェーハ処理装置の移動モジュール（tr
ansfer module）１６から処理室１２の中に供給し、また、諸半導体を個々に処
理室１２の中から移動モジュール１６まで引き降ろすために、室壁１１内にスリ
ット弁１５が備えてある。半導体ウェーハ１７は、処理室１２内でウェーハ保持
体又はサセプタ（susceptor）１８の上に保持されている。このウェーハ保持体
又はサセプタ１８は、処理室１２の底部の台座１９上に上向きに保持されている
ように説明されている。
【００１９】 前駆体蒸気運搬装置２０は、ＣＶＤ処理室１２の頂部の中に、統一体を構成す
るように直接組み合わされている。前駆体運搬装置２０は、拡散器２１（好まし
くは、円錐形のもの）を備えており、また、それの底部には一層大きい開放端２
２を有する。その開放端２２はＣＶＤ処理室１２の頂部の開口２３と連通してい
る。随意的にシャワーヘッド（showerhead; シャワー装置のノズル）が、拡散器
２１とＣＶＤ処理室１２の間の、拡散器２１の一層大きい開放端２２に備えてあ
る。拡散器２１は一層小さい上部端２５を有し、この上部端２５には高コンダク
タンス（high conductance）の蒸発器２６が接続されている。蒸発器２６中の前
駆体を液体から蒸気状態に恒温転化するための、恒温熱源及び温度調節機器２７
を有する前駆体温度制御装置が備えられている。この前駆体温度制御装置は、例
えば、電気抵抗加熱器を有する場合がある。また、蒸発器２６の頂部には噴霧器
２８が接続されている。この噴霧器２８によって、前駆体液体の溶滴又は粒子が
蒸発器２６に運搬される。
【００２０】 液体前駆体の供給源３０は、噴霧器２８の頂部の、流量制御弁３２等の流量制
御装置まで、液体運搬管路３１によって接続されている。前記の温度制御装置に
は、加熱用素子及び機器、又は冷却用素子及び機器が備えられていて、室温若し
くは室温以下で、又は液体前駆体が蒸発させられるまで確実に安定状態のままに
するのに十分低い他の温度若しくはその温度以下で、液体前駆体を噴霧器２８ま
で確実に供給することができる。アルゴン等の不活性スイープガス（sweep gas
）の供給源３３は、噴霧器２８の吸気口３４に接続されている。他のスイープガ
スを使用してもよい。例えば、ヘリウム又は水素は有機銅前駆体のために許容し
得ることが分かった。スイープガスは好ましくは、６０℃〜９０℃の温度、及び
５０〜５００標準ｃｍ3／分（ｓｃｃｍ）（好ましくは、約１００ｓｃｃｍ）の
流量で導入される。
【００２１】 また、噴霧器２８には排気口３５が備えられている。この排気口３５は随意的
に真空ポンプ３６に接続されていて、吸気口３４からのスイープガスの流れが一
時的操作の間反応室１２を迂回（バイパス）するのを可能にする。吸気口３４か
らのスイープガスは、弁３２からの噴霧された前駆体液体と混合し、その混合物
の流れは、噴霧器２８から蒸発器２６へ流れる。噴霧器２８は、米国特許第５，
３６１，８００号明細書；米国特許第５，２０４，３１４号明細書；及び「質量
流れ制御装置に基づく液体注入装置（A liquid Injection System Based on a M
ass Flow Controller）」なる主題の１９９６年２月付けのポーター・インスツ
ルメント・カンパニー社（Porter Instrument Company, Inc.）の刊行物；に記
述されている、液体注入及び計量方式の形態とすることができる。それら刊行物
は全て、言及することによってそのまま全てを本明細書に組み込む。
【００２２】 １つの好ましい態様において、蒸発器２６は、図２に例示される蒸発器の実例
２６ａとして構成される。蒸発器の実例２６ａは、直径が漸進的に増大する一連
の同心円筒（４１、４２、４３）の形態であり、そのために、反応室１２の中へ
の通路の断面積は、その流路に沿って増大する。そのような円筒（４１、４２、
４３）の数は奇数であり、３個として示されているが、そのような円筒は別の個
数で使用することができる。円筒（４１、４２、４３）は互いに連結されていて
、噴霧された前駆体とスイープガスの混合物が最小の円筒４１の中の円筒状中央
体積部４４を通り、第１の円筒４１と次に大きい中間の円筒４２の間の環状部４
５へ流れ、次いで、中間円筒４２と最大の外部円筒４３の間の環状部４６へ流れ
、それぞれ矢印４７及び４８で示される。このようにして、噴霧される液体が一
層多く蒸発される時、蒸発器２６ａのコンダクタンスは漸進的に増大する。反応
室１２へ向かう前駆体の流路に沿って断面積を漸進的に増大させるためには、円
錐形の管状物を使用することもできる。
【００２３】 図２Ａ及び図２Ｂに、蒸発器２６のもう１つの実例２６ｂの断面を示す。上述
の蒸発器の実例２６ａは一連の同心円筒（４１〜４３）で形成されているが、蒸
発器２６ｂは、アルミニウム等の金属でできた単一円筒ブロック５０で形成され
ている。このブロック５０は、内部をえぐり抜いた中央の円筒状穴５１を有する
。この円筒状穴５１は、上述の実例２６ａにおける円筒４１中の中央体積部４４
に相当する。穴５１を囲む、複数の円筒状穴５２の少なくとも１つの中間環が、
えぐり抜かれている。これら円筒状穴５２は、上述の実例２６ａにおける中間円
筒４２と内側円筒４１の間の環状体積部４５に相当する。穴５２の環を囲む、複
数の円筒状穴５３の外側環が、えぐり抜かれている。これら円筒状穴５３は、上
述の実例２６ａにおける中間円筒４２と外側円筒４３の間の環状体積部４６に相
当する。半径方向の通路（５４、５５）にはそれぞれ、アルミニウムの端板（５
６、５７）が与えられていて、蒸気の流れが、内側穴５１から穴５２の中間環ま
で流れ、次いで、穴５３の外側環まで流れるのを可能にする。蒸気は外側環から
拡散器２１の中に流れる。蒸発のための所望の表面積が得られるまで、図解され
るような中央穴５１と複数の穴（５２、５３）の２つの環とによって定義される
３つの同心流路より多くのものを使用することができる。この蒸発器の実例２６
ｂは、熱伝導性金属の単一体から機械加工されるが、均一に加熱することが一層
容易であるという利点を与える。
【００２４】 再び図２を参照すると、蒸発済み液体前駆体は、一番外側の環４６から拡散器
２１の内部の中に流れる。拡散器２１の内部領域は、蒸気が蒸発器２６から開口
２３まで移動する時、均一な流れ場が創り出されるように形成されている。倒立
円錐部４９が随意的に、環４６の中央部に与えられて、均一な流れが環４６から
拡散器２１の中まで維持されるのを助ける。シャワーヘッド２４が延びており、
前駆体を拡散させ、そうすることにより、開口２３に圧力降下を創り出すことに
よって、反応室１２までの流頭（flow front）が一様になる。それによって、プ
ロセスの許容範囲（process latitude）が与えられ、拡散器２１は１つ以上の流
れ条件に適合する。即ち、シャワーヘッド２４がなければ、一様な均一流れを与
えるために、蒸発器（２６、２６ａ）と連結された拡散器２１を、特殊な複数の
流れパラメータに対応するように設計しなければならないということである。し
かし、単一セットのプロセス諸条件を特定することができるなら、拡散器２１は
それら条件に適合させることができ、また、シャワーヘッド２４は通常、取り外
すことができる。シャワーヘッド２４を取り外せば、蒸発器１２中の圧力が低下
し、それによって、蒸発効率が向上する。
【００２５】 図３に、蒸発器２６のもう１つの実例２６ｃを備えたもう１つの運搬装置を例
示する。蒸発器の実例２６ｃでは、蒸発済み前駆体を加熱するために蒸発器の壁
との接触に依存するのではなく、石英等の透明材料で形成された円筒状ブロック
６０を使用する。加熱工程は、赤外線源を含む、熱エネルギー源及び温度制御装
置２７ａを使用することによって達成される。この赤外線源は、石英ブロック６
０を通してエネルギーを放射する。石英ブロック６０は好ましくは、その内部が
円錐形漏斗管のように形成されており、蒸発器２６ｃを通って拡散器２１へ通過
する蒸発済み前駆体の温度を制御する。放射熱によって、噴霧済み液体前駆体は
均一に蒸発し、熱表面とは接触しない。その放射熱によって、前駆体は好ましく
は６０℃〜９０℃の範囲に加熱される。
【００２６】 本発明及び好ましい諸態様に関する上記記述から、当業者は、本発明の原理か
ら逸脱することなく、記述された諸方法及び装置に対して諸変形及び付加を行う
ことができることを認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理を採用した、ＣＶＤ反応器の１つの好ましい態様の概略図である
。
【図２】 図１のＣＶＤ反応器の前駆体運搬装置の１つの好ましい態様の概略図である。
【図２Ａ】 図２の前駆体運搬装置の蒸発器の、選択し得る１つの態様の断面図である。
【図２Ｂ】 図２の前駆体運搬装置の蒸発器の、選択し得る１つの態様の断面図である。
【図３】 図２に類似する概略図であって、図１の前駆体運搬装置の選択し得る１つの好
ましい態様の概略図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１１月２１日（２００１．１１．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】 本発明の更なる目的は、安定性の低い、低蒸気圧の諸前駆体化合物を分解する
ことなく、前駆体蒸気を運搬することである。更なる目的は、蒸発が開始された
後、装置内に前駆体蒸気を凝縮させないで、前駆体蒸気を運搬することである。 本発明は、特許請求の範囲によって規定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】 １つの好ましい態様において、蒸発器２６は、図２に例示される蒸発器の実例
２６ａとして構成される。蒸発器の実例２６ａは、直径が漸進的に増大する一連
の同心円筒（４１、４２、４３）の形態であり、そのために、反応室１２の中へ
の通路の断面積は、その流路に沿って増大する。そのような円筒（４１、４２、
４３）の数は奇数であり、３個として示されているが、そのような円筒は別の個
数で使用することができる。円筒（４１、４２、４３）は互いに連結されていて
、噴霧された前駆体とスイープガスの混合物が最小の円筒４１の中の円筒状中央
体積部４４を通り、第１の円筒４１と次に大きい中間の円筒４２の間の環状部４
５へ流れ、次いで、中間円筒４２と最大の外部円筒４３の間の環状部４６へ流れ
、それぞれ矢印４７及び４８で示される。このようにして、蒸発器２６ａのコン
ダクタンスは、噴霧済み液体が蒸発器２６ａを通過する時、漸進的に増大する。
反応室１２へ向かう前駆体の流路に沿って断面積を漸進的に増大させるためには
、円錐形の管状物を使用することもできる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤサール、タグラル アメリカ合衆国 アリゾナ、スコッツデイ ル、イー、コヨーテ ロード 13947 (72)発明者 久保 謙一 山梨県甲府市屋形３−１−23 (72)発明者 ヴェザン、ヴァンサン 山梨県中巨摩郡竜王町富竹新田1035−３ メゾンピリカＢ−７ (72)発明者 山▼さき▲ 英亮 山梨県韮崎市藤井町北下條1180−28 ドミ トリー韮崎218 (72)発明者 小島 康彦 山梨県北巨摩郡双葉町竜地3175−204 (72)発明者 河野 有美子 山梨県甲府市岩窪町60−１ コーポＹＲ 103 (72)発明者 吉川 秀樹 山梨県韮崎市藤井町坂井585−７ Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 EA01 EA04 JA05 JA10 KA41 LA15

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低蒸気圧の液体前駆体蒸気をＣＶＤ処理室まで運搬するため
    の方法において、 ＣＶＤ処理室であってその内部で基体保持体上に基体を有する該ＣＶＤ処理室
    に、液体前駆体の供給源を与える工程； 前記処理室と一体的に連通している蒸発器を与え、また、該処理室までの噴霧
    済み前駆体のための高い流体コンダクタンスを、該蒸発器に与える工程； 前記液体前駆体を前記液体前駆体供給源から噴霧装置に流し、また、液体状態
    である時の該前駆体の温度を、該液体前駆体が不安定である温度より低い温度に
    制御する工程； 前記供給源からの液体前駆体を制御流量で噴霧して、その噴霧済み前駆体を、
    蒸発器の高流体コンダクタンス経路の入力に供給する工程； 前記噴霧済み前駆体を、前記蒸発器の高流体コンダクタンス経路から前記ＣＶ
    Ｄ処理室に供給する工程；及び 前記噴霧済み前駆体の温度を制御し、また、前記蒸発器の高流体コンダクタン
    ス経路の温度を制御する工程； を含む上記運搬方法。
  2. 【請求項２】 蒸発器の出力とＣＶＤ処理室の間に拡散器を与えて、蒸発済
    み前駆体が該処理室の中に入る前に、該蒸発済み前駆体を拡散させる工程を更に
    含む、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 液体状態である時の前駆体の温度を制御する工程が、 液体状態である時の該前駆体の温度を、室温より低い温度に維持することを含
    む、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前駆体の中に不活性ガスを注入し、それによって、蒸発器中
    の噴霧済み液体前駆体を吹き飛ばす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の方法に従って、銅の前駆体蒸気をＣＶＤ処
    理室まで運搬する方法において、 液体前駆体の供給源を与える工程は、液体の有機銅前駆体の供給源を与える工
    程を含み； 前記液体前駆体を前記液体前駆体供給源から流す工程は、前記液体有機銅前駆
    体をほぼ室温に維持しながら実施し； 前記液体前駆体を噴霧する工程は、前記有機銅前駆体を、約５００μｌ／分〜
    約１０ｍｌ／分の制御された流量で噴霧する工程を含み；また、 前記噴霧済み前駆体の温度を制御し、また、蒸発器の高流体コンダクタンス経
    路の温度を制御する工程は、該蒸発器の高流体コンダクタンス経路の有機銅前駆
    体の温度を、約６０℃〜約９０℃の範囲に維持する工程を含む； 上記運搬方法。
  6. 【請求項６】 スイープガスを吸気口の中に、約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓ
    ｃｃｍの流量で流して、有機銅前駆体を蒸発器まで運ぶ工程を更に含む、請求項
    ５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 ＣＶＤ処理装置において、 内部に基体保持体を有するＣＶＤ処理室であって、基体上に被覆材料の膜を堆
    積するために該基体保持体上に該基体が保持されている該ＣＶＤ処理室と； 前記被覆材料の液体前駆体供給源と； 前記ＣＶＤ処理室に一体的に連結された前駆体運搬装置であって、 膨張性前駆体蒸気を該ＣＶＤ処理室の中に拡散させるように該ＣＶＤ処理室
    と連通している蒸気拡散器、 前駆体を蒸発させるための高流体コンダクタンス経路を拡散器まで与えるよ
    うに構成されている蒸発器、 前記蒸発器に供給された前駆体液体を、該蒸発器の中に噴霧するように操作
    することのできる噴霧器、 前記液体前駆体供給源から前記噴霧器に液体前駆体を供給するように操作す
    ることのできる液体前駆体流れ制御装置、及び 液体前駆体が不安定である温度より低い温度に該液体前駆体を維持するよう
    に、且つ、前記蒸発器中の噴霧済み前駆体に熱エネルギーを与えるように操作す
    ることのできる温度制御装置、 を有する前記前駆体運搬装置と； を備えている上記ＣＶＤ処理装置。
  8. 【請求項８】 温度制御装置が、噴霧済み前駆体に均一な熱入力を与えるよ
    うに構成されている、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 温度制御装置が、液体前駆体を標準室温より高くない温度に
    維持するように構成されている、請求項７に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前駆体運搬装置が、 噴霧済み液体前駆体を蒸発器の中に吹き飛ばすように噴霧器に連結されている
    不活性ガス注入器 を更に有する、請求項７に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前駆体運搬装置が、 拡散器と処理室の間の蒸発済み液体通路に連結されているシャワーヘッド を更に有する、請求項７に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 ＣＶＤ処理室に一体的に連結することのできるＣＶＤ前駆
    体運搬装置において、 膨張性前駆体蒸気を前記ＣＶＤ処理室の中に拡散させるための蒸気拡散器であ
    って、入口を有し且つ前記ＣＶＤ処理室に連結することのできる出口を有する該
    蒸気拡散器と； 前記拡散器の入口に連結された出口であって、前駆体の入力を蒸発させるため
    の高流体コンダクタンス経路を拡散器まで与えるように構成された該出口を有す
    る蒸気器と； 前記蒸発器の入口に連結された噴霧器であって、噴霧済み前駆体液体が該蒸発
    器に供給されるように操作され得る該噴霧器と； 液体前駆体供給源から前記噴霧器に液体前駆体を供給するように操作すること
    のできる液体前駆体流れ制御装置と； 液体前駆体が不安定である温度より低い温度に該液体前駆体を維持するように
    操作することのできる温度制御装置であって、前記蒸発器中の蒸発している噴霧
    済み前駆体に熱エネルギーを与えるように操作することのできる該温度制御装置
    と； を備えている上記ＣＶＤ前駆体運搬装置。
  13. 【請求項１３】 温度制御装置が、噴霧済み前駆体に均一な熱入力を与える
    ように構成されている、請求項１２に記載の運搬装置。
  14. 【請求項１４】 温度制御装置が、標準室温より高くない温度に液体前駆体
    を維持するように構成されている、請求項１２に記載の運搬装置。
  15. 【請求項１５】 噴霧済み液体前駆体を蒸発器の中に吹き飛ばすように噴霧
    器に連結されている不活性ガス注入器 を更に有する、請求項１２に記載の運搬装置。
  16. 【請求項１６】 ＣＶＤ処理室に連結し得る蒸気拡散器を有する前駆体運搬
    装置において使用するためのＣＶＤ前駆体運搬副装置であって、膨張性前駆体蒸
    気を該ＣＶＤ処理室の中に拡散させるための該副装置において、 前駆体を蒸発させるための高流体コンダクタンス経路を前記拡散器まで与える
    ように構成されている蒸発器と、 前記拡散器に連結された噴霧器であって、前駆体液体を噴霧するように操作す
    ることができ且つ噴霧済み前駆体液体を前記蒸発器の中に供給するように操作す
    ることのできる該噴霧器と、 前駆体液体供給源から前記噴霧器に前記前駆体液体を供給するように操作する
    ことのできる液体前駆体流れ制御装置と、 を備えており；しかも、前記噴霧器及び蒸発器は、液体前駆体が不安定である温
    度よりも低い温度に該液体前駆体を維持するように温度制御されており、且つ、
    該蒸発器中の蒸発している噴霧済み前駆体を均一に加熱するように温度制御され
    ている；上記副装置。
  17. 【請求項１７】 標準室温より高くない温度に液体前駆体を維持するように
    構成されている、請求項１６に記載の運搬副装置。
  18. 【請求項１８】 噴霧済み液体前駆体を蒸発器の中に吹き飛ばすように噴霧
    器に連結されている不活性ガス注入器 を更に備えている、請求項１６に記載の運搬副装置。
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