JPH10135197A - 液体原料の気化方法及び装置 - Google Patents
液体原料の気化方法及び装置Info
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- JPH10135197A JPH10135197A JP26092897A JP26092897A JPH10135197A JP H10135197 A JPH10135197 A JP H10135197A JP 26092897 A JP26092897 A JP 26092897A JP 26092897 A JP26092897 A JP 26092897A JP H10135197 A JPH10135197 A JP H10135197A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 霧化した液体原料の粒子を加熱体の表面に効
率良く導いて、高い気化効率を得るとともに、気化工程
における原料の析出を防いで安定に稼働する気化方法及
び装置を提供する。 【解決手段】 化学気相成長等に用いる液体原料の気化
方法において、帯電した液体原料の霧化粒子Ｍを生成
し、帯電した霧化粒子Ｍを電界から受ける力により原料
加熱体１４に導き、これに静電気的吸着力によって吸着
させて加熱気化させる。
率良く導いて、高い気化効率を得るとともに、気化工程
における原料の析出を防いで安定に稼働する気化方法及
び装置を提供する。 【解決手段】 化学気相成長等に用いる液体原料の気化
方法において、帯電した液体原料の霧化粒子Ｍを生成
し、帯電した霧化粒子Ｍを電界から受ける力により原料
加熱体１４に導き、これに静電気的吸着力によって吸着
させて加熱気化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液体を原料
とする薄膜気相成長装置に用いる気化装置に係り、特
に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体あ
るいは強誘電体薄膜材料を気化させるのに好適な液体原
料気化装置に関する。
とする薄膜気相成長装置に用いる気化装置に係り、特
に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体あ
るいは強誘電体薄膜材料を気化させるのに好適な液体原
料気化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のために必要
な大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘電率
が１０以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、誘
電率が２０程度である五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5 ）薄膜
に替わって、誘電率が３００程度であるチタン酸バリウ
ム（ＢaＴiＯ3 ）、あるいはチタン酸ストロンチウム
（ＳrＴiＯ3 ）又はこれらの混合物であるチタン酸バリ
ウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視さ
れている。また、更に誘電率が高いＰＺＴ、ＰＬＺＴ、
Ｙ１等の強誘電体の薄膜材料も有望視されている。
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のために必要
な大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘電率
が１０以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、誘
電率が２０程度である五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5 ）薄膜
に替わって、誘電率が３００程度であるチタン酸バリウ
ム（ＢaＴiＯ3 ）、あるいはチタン酸ストロンチウム
（ＳrＴiＯ3 ）又はこれらの混合物であるチタン酸バリ
ウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視さ
れている。また、更に誘電率が高いＰＺＴ、ＰＬＺＴ、
Ｙ１等の強誘電体の薄膜材料も有望視されている。
【０００３】このような素材の成膜を行なう方法とし
て、化学気相成長（ＣＶＤ）が有望とされており、この
場合、反応槽内で原料ガスを被成膜基板に安定的に供給
する必要がある。原料ガスは、常温で固体のＢａ（ＤＰ
Ｍ）2 ，Ｓｒ（ＤＰＭ）2 などを液状化し、さらに気化
特性を安定化するために有機溶剤（例えばＴＨＦなど）
を混合させたものを加熱して気化するようにしている。
て、化学気相成長（ＣＶＤ）が有望とされており、この
場合、反応槽内で原料ガスを被成膜基板に安定的に供給
する必要がある。原料ガスは、常温で固体のＢａ（ＤＰ
Ｍ）2 ，Ｓｒ（ＤＰＭ）2 などを液状化し、さらに気化
特性を安定化するために有機溶剤（例えばＴＨＦなど）
を混合させたものを加熱して気化するようにしている。
【０００４】このような気化を行なう装置として、液体
原料をスプレーノズルや超音波振動子によって一旦霧化
し、これを高温度領域に送ってガス化する技術が知られ
ており、これには、真空中で霧化した液体原料を、原料
加熱板に囲まれた気化室を通過させるもの、霧化原料と
加熱部との接触面積を増加させて気化効率を向上させる
ために、霧化原料を加熱した多孔質体中を通過させて気
化するもの等がある。
原料をスプレーノズルや超音波振動子によって一旦霧化
し、これを高温度領域に送ってガス化する技術が知られ
ており、これには、真空中で霧化した液体原料を、原料
加熱板に囲まれた気化室を通過させるもの、霧化原料と
加熱部との接触面積を増加させて気化効率を向上させる
ために、霧化原料を加熱した多孔質体中を通過させて気
化するもの等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な高誘電体あるいは強誘電体の原料ガスを安定的に気化
させるのは非常に困難である。これは、これらの原料
の気化温度と分解温度が接近している、原料の気化温
度と有機溶剤の気化温度に差がある、蒸気圧が非常に
低い、などの理由による。
な高誘電体あるいは強誘電体の原料ガスを安定的に気化
させるのは非常に困難である。これは、これらの原料
の気化温度と分解温度が接近している、原料の気化温
度と有機溶剤の気化温度に差がある、蒸気圧が非常に
低い、などの理由による。
【０００６】しかしながら、上記のような従来の技術に
おいては、霧化した原料は、気化した原料ガス自身やキ
ャリヤガス（霧化粒子を同伴するためのガス）の流れに
乗ってしまうので、流路を狭くしても加熱体の表面に到
達しにくく、伝熱効率、ひいては気化効率が悪い。ま
た、この結果として、液体原料が原料と溶剤の気化温度
の中間の温度に長時間滞在して溶剤だけが気化してしま
い、原料が析出したり濃度が不均一になるなどという不
具合も発生する。
おいては、霧化した原料は、気化した原料ガス自身やキ
ャリヤガス（霧化粒子を同伴するためのガス）の流れに
乗ってしまうので、流路を狭くしても加熱体の表面に到
達しにくく、伝熱効率、ひいては気化効率が悪い。ま
た、この結果として、液体原料が原料と溶剤の気化温度
の中間の温度に長時間滞在して溶剤だけが気化してしま
い、原料が析出したり濃度が不均一になるなどという不
具合も発生する。
【０００７】本発明は、このような課題に鑑み、霧化し
た液体原料の粒子を加熱体の表面に効率良く導いて、高
い気化効率を得るとともに、気化工程における原料の析
出を防いで安定に稼働する気化方法及び装置を提供する
ことを目的とするものである。
た液体原料の粒子を加熱体の表面に効率良く導いて、高
い気化効率を得るとともに、気化工程における原料の析
出を防いで安定に稼働する気化方法及び装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、化学気相成長等に用いる液体原料の気化方法におい
て、帯電した液体原料の霧化粒子を生成し、該帯電した
霧化粒子を電界から受ける力により原料加熱体に導き、
これに静電気的吸着力により吸着させて加熱気化させる
ことを特徴とする液体原料の気化方法である。
は、化学気相成長等に用いる液体原料の気化方法におい
て、帯電した液体原料の霧化粒子を生成し、該帯電した
霧化粒子を電界から受ける力により原料加熱体に導き、
これに静電気的吸着力により吸着させて加熱気化させる
ことを特徴とする液体原料の気化方法である。
【０００９】これにより、液体原料の霧化粒子は、電界
から受ける力によってキャリアガスや原料ガスの流れと
は別に選択的に原料加熱体に向けて移動させられ、これ
に静電気的吸着力により吸着される。従って、ガスの流
れに乗って下流に搬出されてしまう比率が減少し、効率
的にかつ迅速に気化される。また、帯電した霧化粒子は
互いに反発しあうので、原料加熱体の広い範囲の表面に
分散して加熱され、原料加熱体の加熱面を有効に利用し
た加熱がなされる。
から受ける力によってキャリアガスや原料ガスの流れと
は別に選択的に原料加熱体に向けて移動させられ、これ
に静電気的吸着力により吸着される。従って、ガスの流
れに乗って下流に搬出されてしまう比率が減少し、効率
的にかつ迅速に気化される。また、帯電した霧化粒子は
互いに反発しあうので、原料加熱体の広い範囲の表面に
分散して加熱され、原料加熱体の加熱面を有効に利用し
た加熱がなされる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、霧化器によって
霧化粒子を生成し、これに放電により発生する荷電粒子
を衝突させることによって帯電霧化粒子を生成すること
を特徴とする請求項１に記載の液体原料の気化方法であ
る。請求項３に記載の発明は、液体原料をノズル先端に
導入し、ノズルと原料加熱体との間に高電圧をかけるこ
とによって起こる静電霧化現象を用いて帯電霧化粒子を
生成することを特徴とする請求項１に記載の液体原料の
気化方法である。
霧化粒子を生成し、これに放電により発生する荷電粒子
を衝突させることによって帯電霧化粒子を生成すること
を特徴とする請求項１に記載の液体原料の気化方法であ
る。請求項３に記載の発明は、液体原料をノズル先端に
導入し、ノズルと原料加熱体との間に高電圧をかけるこ
とによって起こる静電霧化現象を用いて帯電霧化粒子を
生成することを特徴とする請求項１に記載の液体原料の
気化方法である。
【００１１】請求項４に記載の発明は、化学気相成長等
に用いる液体原料の気化装置において、帯電した液体原
料の霧化粒子を生成する手段と、該原料の気化温度以上
に加熱された原料加熱体と、該帯電した霧化粒子を電界
から受ける力により原料加熱体に導く手段とを有するこ
とを特徴とする液体原料の気化装置である。
に用いる液体原料の気化装置において、帯電した液体原
料の霧化粒子を生成する手段と、該原料の気化温度以上
に加熱された原料加熱体と、該帯電した霧化粒子を電界
から受ける力により原料加熱体に導く手段とを有するこ
とを特徴とする液体原料の気化装置である。
【００１２】請求項５に記載の発明は、前記の帯電霧化
粒子生成手段は、霧化器と、該霧化器によって霧化され
た粒子の流れの中に配置された先端の尖った電極と、該
先端のとがった電極と原料加熱体との間に高電圧をかけ
て放電を起こさせる手段とを有することを特徴とする請
求項４に記載の液体原料の気化装置である。
粒子生成手段は、霧化器と、該霧化器によって霧化され
た粒子の流れの中に配置された先端の尖った電極と、該
先端のとがった電極と原料加熱体との間に高電圧をかけ
て放電を起こさせる手段とを有することを特徴とする請
求項４に記載の液体原料の気化装置である。
【００１３】請求項６に記載の発明は、前記帯電霧化粒
子生成手段は、液体原料ノズルと、該液体原料ノズルと
原料加熱体との間に高電圧をかけてノズル内の液体原料
を帯電させ、静電霧化現象を起こさせる手段を有するこ
とを特徴とする請求項４に記載の液体原料の気化装置で
ある。
子生成手段は、液体原料ノズルと、該液体原料ノズルと
原料加熱体との間に高電圧をかけてノズル内の液体原料
を帯電させ、静電霧化現象を起こさせる手段を有するこ
とを特徴とする請求項４に記載の液体原料の気化装置で
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の液体原料気化装
置の第１の実施の形態を示す。これは、導電性材質から
なる容器１０により、気密の気化室１２が形成されてい
るもので、原料加熱体である容器１０の壁１４はオイル
等の熱媒体を流通させるジャケット１６により液体原料
の気化温度以上の所定温度に維持されている。容器１０
の側面の底部近傍には排気孔１８が開口しており、これ
は、通常、成膜装置等を介して真空源であるポンプに繋
げられている。
置の第１の実施の形態を示す。これは、導電性材質から
なる容器１０により、気密の気化室１２が形成されてい
るもので、原料加熱体である容器１０の壁１４はオイル
等の熱媒体を流通させるジャケット１６により液体原料
の気化温度以上の所定温度に維持されている。容器１０
の側面の底部近傍には排気孔１８が開口しており、これ
は、通常、成膜装置等を介して真空源であるポンプに繋
げられている。
【００１５】容器１０の天板２０には、液体原料を霧化
して気化室１２内に噴霧するための霧化部２２が設けら
れている。この霧化部２２は、下側が気化室１２に開口
する絶縁性の筒状体２４の上部に、霧化器２６及びキャ
リアガス導入口２８が設けられて構成されている。霧化
器２６は、超音波振動子と液体ノズルが一体になった周
知のものであり、流量制御手段を介して液体原料供給源
に繋げられ、また、キャリアガス導入口２８はＡｒ，Ｎ
2 ガス等の不活性ガス源に繋げられている。
して気化室１２内に噴霧するための霧化部２２が設けら
れている。この霧化部２２は、下側が気化室１２に開口
する絶縁性の筒状体２４の上部に、霧化器２６及びキャ
リアガス導入口２８が設けられて構成されている。霧化
器２６は、超音波振動子と液体ノズルが一体になった周
知のものであり、流量制御手段を介して液体原料供給源
に繋げられ、また、キャリアガス導入口２８はＡｒ，Ｎ
2 ガス等の不活性ガス源に繋げられている。
【００１６】気化室１２を構成する容器１０は電気的に
接地されている。筒状体２４の出口付近には、高電圧が
印加される先の尖った電極３０が、先端部を気体流れに
平行にして挿入されている。この電極３０は、気密維持
ができる真空装置用導入端子３２を用いて、外部大気中
の高電圧電源３４と接続され、これは数十から百ｋＶを
印加することができる。
接地されている。筒状体２４の出口付近には、高電圧が
印加される先の尖った電極３０が、先端部を気体流れに
平行にして挿入されている。この電極３０は、気密維持
ができる真空装置用導入端子３２を用いて、外部大気中
の高電圧電源３４と接続され、これは数十から百ｋＶを
印加することができる。
【００１７】次に、上記のように構成された気化装置の
作用を説明する。筒状体２４の内部には、霧化器２６に
よって霧化された液体原料が霧化粒子Ｍとなって供給さ
れ、また、導入口２８からＡｒガス、Ｎ2 ガス等のキャ
リアガスが供給される。先端電極３０と接地された原料
加熱体１４との間には、数十から百ｋＶの高電圧が印加
されており、従って、キャリアガスを媒体として、コロ
ナ放電が起こる。この放電により生じたキャリアガス分
子のイオン（例えばＡｒイオン）は、霧化粒子Ｍに衝突
し、従って霧化粒子も帯電状態となる。帯電した霧化粒
子は、電界から力を受け、接地された原料加熱体１４に
向かって加速される。従って、ほとんどの霧化粒子Ｍ
は、Ｎ2 ガス，Ａｒガスに同伴されずに、原料加熱体１
４に到達する。
作用を説明する。筒状体２４の内部には、霧化器２６に
よって霧化された液体原料が霧化粒子Ｍとなって供給さ
れ、また、導入口２８からＡｒガス、Ｎ2 ガス等のキャ
リアガスが供給される。先端電極３０と接地された原料
加熱体１４との間には、数十から百ｋＶの高電圧が印加
されており、従って、キャリアガスを媒体として、コロ
ナ放電が起こる。この放電により生じたキャリアガス分
子のイオン（例えばＡｒイオン）は、霧化粒子Ｍに衝突
し、従って霧化粒子も帯電状態となる。帯電した霧化粒
子は、電界から力を受け、接地された原料加熱体１４に
向かって加速される。従って、ほとんどの霧化粒子Ｍ
は、Ｎ2 ガス，Ａｒガスに同伴されずに、原料加熱体１
４に到達する。
【００１８】荷電した霧化粒子は原料加熱体１４に到達
しても、電荷を全く失うのではなく、一部残した状態に
あるため、荷電した粒子と加熱体１４との間に働く静電
気的吸着力（影像力）によって吸着され、加熱体１４の
表面に押し付けられる。この押し付け力により、霧化粒
子と原料加熱体１４との接触面積が増えるので、この間
の伝熱効率が良くなって瞬時に気化が行われる。
しても、電荷を全く失うのではなく、一部残した状態に
あるため、荷電した粒子と加熱体１４との間に働く静電
気的吸着力（影像力）によって吸着され、加熱体１４の
表面に押し付けられる。この押し付け力により、霧化粒
子と原料加熱体１４との接触面積が増えるので、この間
の伝熱効率が良くなって瞬時に気化が行われる。
【００１９】なお、熱媒体は（図示していないが）、少
なくともヒータ等の加熱手段とポンプ等の抽送手段を有
する熱媒体循環ユニットによって気化装置のジャケット
１６内を循環している。熱媒体の温度制御のための温度
センサは外部の配管に設けてもよいし、本気化装置のジ
ャケット１６内に直接設けてもよい。
なくともヒータ等の加熱手段とポンプ等の抽送手段を有
する熱媒体循環ユニットによって気化装置のジャケット
１６内を循環している。熱媒体の温度制御のための温度
センサは外部の配管に設けてもよいし、本気化装置のジ
ャケット１６内に直接設けてもよい。
【００２０】図２は、この発明の第２の実施の形態を示
すもので、容器１０は絶縁性素材から構成され、原料加
熱体として、間に微小な隙間４２を持つ多層平板４０を
用いた例である。多層平板４０は中心部にオイル流路４
４が確保されている導電性の平板４６が０．３mm以下の
間隔で積層された構造となっており、平板４６表面の温
度はオイルの温度とほぼ同じ温度になっている。この隙
間４２が気体流路を構成しており、各平板４６は上端面
４８が断面半円形になっているので、気体流路４２の上
側開口部は上に向かって広がって形成されている。ま
た、流路４２の下側開口部は下側空間５０を介して排気
孔１８に繋げられている。
すもので、容器１０は絶縁性素材から構成され、原料加
熱体として、間に微小な隙間４２を持つ多層平板４０を
用いた例である。多層平板４０は中心部にオイル流路４
４が確保されている導電性の平板４６が０．３mm以下の
間隔で積層された構造となっており、平板４６表面の温
度はオイルの温度とほぼ同じ温度になっている。この隙
間４２が気体流路を構成しており、各平板４６は上端面
４８が断面半円形になっているので、気体流路４２の上
側開口部は上に向かって広がって形成されている。ま
た、流路４２の下側開口部は下側空間５０を介して排気
孔１８に繋げられている。
【００２１】この実施の形態では、帯電した霧化粒子Ｍ
は、電界から受ける力により原料加熱体である平板４６
に向かって加速され、平板の上端面４８に到達して付着
する。付着した霧化粒子は、平板４６からの伝熱により
瞬時に加熱気化され、気化ガスとして下流側の成膜室へ
運ばれる。この場合、平板４６の上端面４８が半円形の
断面であるので、加熱面積が広くなっているとともに、
気化ガスの流路４２への流入を円滑にしている。なお、
流路４２の幅は一定でなく、下流に向かって狭めるよう
にしてもよい。
は、電界から受ける力により原料加熱体である平板４６
に向かって加速され、平板の上端面４８に到達して付着
する。付着した霧化粒子は、平板４６からの伝熱により
瞬時に加熱気化され、気化ガスとして下流側の成膜室へ
運ばれる。この場合、平板４６の上端面４８が半円形の
断面であるので、加熱面積が広くなっているとともに、
気化ガスの流路４２への流入を円滑にしている。なお、
流路４２の幅は一定でなく、下流に向かって狭めるよう
にしてもよい。
【００２２】図３は、図１の実施の形態における霧化部
２２の構造を、超音波振動ではなく、静電霧化を用いる
ように変えたものである。ここでは、静電霧化を行うた
めに、液体原料を通すための絶縁物のパイプ６０の先に
導電体のノズル６２を該絶縁物で支持する構造としてい
る。容器１０の側壁の排気孔１８に対向する位置には、
キャリアガス導入口１９が設けられている。
２２の構造を、超音波振動ではなく、静電霧化を用いる
ように変えたものである。ここでは、静電霧化を行うた
めに、液体原料を通すための絶縁物のパイプ６０の先に
導電体のノズル６２を該絶縁物で支持する構造としてい
る。容器１０の側壁の排気孔１８に対向する位置には、
キャリアガス導入口１９が設けられている。
【００２３】このような構成においては、絶縁物のパイ
プ６０に液体原料を導入すると、ノズル先端出口に液面
が現れる。続いてノズル６２と接地面である底板（原料
加熱体）６４との間に数ｋＶ〜数１０ｋＶの直流または
交流の高電圧をかけると、液体自身が帯電する。ノズル
６２の出口には強い電界が形成されているため、出口の
液体は電界から力を受け、この電気力が液体の表面張力
を超えると、液体は不安定になって分裂して霧化粒子Ｍ
を生成する。
プ６０に液体原料を導入すると、ノズル先端出口に液面
が現れる。続いてノズル６２と接地面である底板（原料
加熱体）６４との間に数ｋＶ〜数１０ｋＶの直流または
交流の高電圧をかけると、液体自身が帯電する。ノズル
６２の出口には強い電界が形成されているため、出口の
液体は電界から力を受け、この電気力が液体の表面張力
を超えると、液体は不安定になって分裂して霧化粒子Ｍ
を生成する。
【００２４】ちなみに電界の強さを変えることによって
数１００μｍ〜数μｍの帯電した霧化粒子を生成するこ
とができる。この霧化粒子Ｍは、図１と同様の過程で効
率良く加熱気化される。なお、図４は、図２の上部構造
を静電霧化を用いる型に変えた実施の形態を示すもので
あるが、作用は上記と同じであるので、説明を省く。
数１００μｍ〜数μｍの帯電した霧化粒子を生成するこ
とができる。この霧化粒子Ｍは、図１と同様の過程で効
率良く加熱気化される。なお、図４は、図２の上部構造
を静電霧化を用いる型に変えた実施の形態を示すもので
あるが、作用は上記と同じであるので、説明を省く。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、帯電した液体原料の霧化粒子
を生成し、電気的に原料加熱体に引き込み、吸着させて
加熱気化させる構成としたことによって、原料加熱体に
到達しない霧化粒子の気化室外への流出を防止して、霧
化粒子と原料加熱体との伝熱効率を向上させ、その結
果、安定した効率の良い気化を行なうことができるとい
う優れた効果を奏するものである。
を生成し、電気的に原料加熱体に引き込み、吸着させて
加熱気化させる構成としたことによって、原料加熱体に
到達しない霧化粒子の気化室外への流出を防止して、霧
化粒子と原料加熱体との伝熱効率を向上させ、その結
果、安定した効率の良い気化を行なうことができるとい
う優れた効果を奏するものである。
【図１】この発明の第１の実施の形態の気化装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態の気化装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】この発明の第３の実施の形態の気化装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】この発明の第４の実施の形態の気化装置を示す
断面図である。
断面図である。
１０ 容器 １２ 気化室 １４ 壁（原料加熱体） １６ ジャケット ２６ 霧化器 ３０ 電極 ３４ 高電圧電源 ４２ 隙間（気体流路） ４０ 多層平板（原料加熱体） ６２ ノズル ６４ 底板（原料加熱体） Ｍ 霧化粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 武司 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 化学気相成長等に用いる液体原料の気化
方法において、 帯電した液体原料の霧化粒子を生成し、該帯電した霧化
粒子を電界から受ける力により原料加熱体に導き、これ
に静電気的吸着力により吸着させて加熱気化させること
を特徴とする液体原料の気化方法。 - 【請求項２】 霧化器によって霧化粒子を生成し、これ
に放電により発生する荷電粒子を衝突させることによっ
て帯電霧化粒子を生成することを特徴とする請求項１に
記載の液体原料の気化方法。 - 【請求項３】 液体原料をノズル先端に導入し、ノズル
と原料加熱体との間に高電圧をかけることによって起こ
る静電霧化現象を用いて帯電霧化粒子を生成することを
特徴とする請求項１に記載の液体原料の気化方法。 - 【請求項４】 化学気相成長等に用いる液体原料の気化
装置において、 帯電した液体原料の霧化粒子を生成する手段と、該原料
の気化温度以上に加熱された原料加熱体と、該帯電した
霧化粒子を電界から受ける力により原料加熱体に導く手
段とを有することを特徴とする液体原料の気化装置。 - 【請求項５】 前記の帯電霧化粒子生成手段は、霧化器
と、該霧化器によって霧化された粒子の流れの中に配置
された先端の尖った電極と、該先端のとがった電極と原
料加熱体との間に高電圧をかけて放電を起こさせる手段
とを有することを特徴とする請求項４に記載の液体原料
の気化装置。 - 【請求項６】 前記帯電霧化粒子生成手段は、液体原料
ノズルと、該液体原料ノズルと原料加熱体との間に高電
圧をかけてノズル内の液体原料を帯電させ、静電霧化現
象を起こさせる手段を有することを特徴とする請求項４
に記載の液体原料の気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26092897A JPH10135197A (ja) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | 液体原料の気化方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26026296 | 1996-09-09 | ||
| JP8-260262 | 1996-09-09 | ||
| JP26092897A JPH10135197A (ja) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | 液体原料の気化方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135197A true JPH10135197A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=26544529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26092897A Pending JPH10135197A (ja) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | 液体原料の気化方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135197A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299296A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子の銅金属配線形成方法 |
| KR100322411B1 (ko) * | 2000-01-29 | 2002-03-18 | 손명호 | 액체원료 기화장치 |
| JP2003514992A (ja) * | 1999-11-18 | 2003-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 低蒸気圧液体供給源からｃｖｄ室まで前駆体蒸気を運搬する装置及び方法 |
| JPWO2020213104A1 (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP26092897A patent/JPH10135197A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299296A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子の銅金属配線形成方法 |
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| JPWO2020213104A1 (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | ||
| WO2020213104A1 (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 株式会社Ｗｅｌｃｏｎ | 気化器およびその製造方法 |
| US11885017B2 (en) | 2019-04-17 | 2024-01-30 | Welcon Inc. | Vaporizer and method for manufacture thereof |
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