KR960039122A - 사이클론 증착기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 사이클론 증착기에 관한 것으로서, 상기 사이클론 증착기는 증착챔버를 내부에 형성시킨 증착기본체로 구성되며, 상기 증착챔버는 실린더형의 상부와 아래쪽으로 경사진 하부 및 열전도성이 있는 측면벽으로 구성되고, 상기 증착기 본체는 증착챔버내로의 증기배출구와 배출관을 갖는 커버를 구비하며, 상기 배출관은 증기배출구를 둘러싸고 증착챔버의 하방향으로 연장되며, 액상전조관 및 캐리어 가스관이 증착기 본체를 통해서 증착챔버내로 개구되고, 본 발명의 한 실시예에서 상기 캐리어 가스관은 캐리어 가스가 액상전조의 흐름과 평행하게 흘러 증착챔버내의 액상전조관의 출구에서 액상전조와 교차하게 되고 다른 실시예에서는 캐리어 가스관은 액상전조관의 출구를 가로질러 흐르도록 배치되어 있으므로 양 실시예에서 캐리어 가스는 액상전조의 분무를 촉진시키고 증착챔버내에서 분무된 액상 전조 입자를 분배하도록 회전하며 흘러서 상기 액상전조는 열전도성의 증착 챔버 측면벽에 적층되어 증발하여 기상전조를 형성하고, 상기 형성된 기상 전조는 캐리어 가스와 함께 배출관 및 배출구를 통하여 사이클론 증착기로부터 배출되는 구성으로서, CVD 공정과 같은 반도체제조공정에 사용되는 저증기압의 액체를 증착할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

사이클론 증착기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 사이클론 증착기의 측면도.

Claims (19)

  1. 액상 전조 공급원 ; 캐리어 가스 공급원 ; 가스 전조 흡입구를 가지는 화학 기상 증착 반응기 어셈블리 ; 증착기 본체 ; 상기 증착기 본체내에 위치하는 증착 챔버 ; 캐리어 가스 흡입구와 액상 전조 흡입구를 가지고, 상기 증착 챔버속에 구멍을 더 가지는 분무기 ; 상기 증착기 본체를 통하여 상기 증착 챔버로부터 연장되는 증기 배출구 ; 상기 액상 전조 공급원과 상기 액상 전조 흡입구 사이에 결합된 액상 전조 분배 시스템 ; 상기 캐리어 가스 공급원과 상기 캐리어 가스 흡입구 사이에 결합된 캐리어 가스 분배 시스템 ; 및 상기 증기 배출구와 상기 가스 전조 흡입구 사이에 결합된 가스 전조 분배 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액상 전조 공급원이 압력이 가해진 저 증기압 액체를 포함하는 용기이고, 상기 저증기압 액체가 구리Ⅰ(핵사플로로아세틸래세토네이트) 트리메틸비니실레인, 트릴소부틸알루미늄, 데트라에틸로소실 리케이트 및 테트라디에틸래미노티타늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 캐리어 가스 공급원이 질소를 포함하는 용기인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 시스템.
  4. 본체 ; 상기 본체에 위치하는 증착 챔버 ; 캐리어 가스 흡입구와 액상 전조 흡입구를 가지고, 상기 증착 챔버속에 구멍을 더 가지는 애토마이저 어셈블리 ; 및 상기 본체를 통하여 상기 증착 챔버로부터 연장되는 증기 배출구를 포함하는 캐리어 가스 및 전조를 이용하는 것을 특징으로 하는 CVD 시스템에서의 증착기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 애토마이저 어셈블리가 상기 본체를 통하여 연장되고, 상기 증착 챔버속에 배출구 부분 구멍을 가지는 액상 전조 통로 ; 및 상기 본체를 통하여 연장되고, 상기 증착 챔버속에 배출구 부분 구멍을 가지며, 액상 전조를 분무하고 상기 증착 챔버의 제1면상에 분무된 액상 전조를 배분하기 위해 위치하는 캐리어 가스 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 애토마이저 어셈블 리가 액상 전조/캐리어 가스관을 더 포함하고, 상기 캐리어 가스 통로가 액상 전조/캐리어 가스관내에 위치하고, 상기 액상 전조 통로가 상기 캐리어 가스 통로내에 위치하며, 상기 애토마저 어셈블 리가 상기 액상 전조/캐리어 가스관에 결합된 제1 단부와 상기 증착 챔버에 개방되는 제2 단부를 가지는 동축 애토마이저 노즐을 더 포함하는 특징으로 하는 증착기.
  7. 제4항에 있어서, 상기 벽에 열적으로 결합된 가열부재를 더 포함하고, 상기 증착 챔버가 벽에 의해 부분적으로 한정되는 것을 특징으로 하는 증착기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 증착기가 열적으로 도전성을 가지고 ; 상기 가열부재가 상기 증착기 본체에 고정된 가열 칼라(collar)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기.
  9. 제4항에 있어서, 상기 증착 챔버가 수직벽에 의해 부분적으로 한정되고 ; 상기 애토마이저 어셈블 리가 상기 본체에 위치한 액상 전조 채널을 포함하고, 상기 액상 전조 채널이 상기 벽을 통하여 상기 증착 챔버로 확장되는 액상 전조관을 가지며, 캐리어 가스 채널이 상기 액상 전조 채널을 거의 수직으로 대치시키는 것을 특징으로 하는 증착기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 액상 전조관이 벤투리 효과를 용이하게 하기 위해 상기 캐리어 가스 채널에 가까이 위치하는 45°경사진 분배 단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 액상 전조 흡입구와 캐리어 가스 흡입구가 상기 증착 챔버의 상단 영역에 위치하고, 상기 증기 배출구가 상기 증착기 본체의 상단 영역에 위치한 배출구 ; 및 상기 배출구로부터 상기 증착 챔버의 상단 영역을 통하여 상기 증착 챔버의 하단 영역속으로 확장되는 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는
  12. 제22항에 있어서, 상기 액상 전조가 데트라에틸로소실리케이트이고, 상기 캐리어 가스가 질소인 것을 특징으로 하는 증착기에서의 액상 증착 과정.
  13. 증착기에 액상 전조 비밀을 도입하는 단계 ; 상기 증착기에 캐리어 가스의 흐름을 도입하는 단계 ; 상기 캐리어 가스에 액상 전조 비말의 일부분을 혼입하는 단계 ; 상기 증착기와 각을 이루는 방향으로 상기 캐리어 가TM 흐름을 가속하는 단계 ; 상기 증착기의 곡면상에 상기 혼입된 액상 전조의 박막을 적층하는 단계 ; 및 상기 적층된 액상 전조 박막을 증착하기 위해 상기 증착기 곡면을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기에서의 액상증착 과정.
  14. 제29항에 있어서, 상기 제1영역으로부터 상기 제2영역으로 음의 압력변화를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 증착기가 제1영역과 제2영역을 더 포함하고, 상기 액상 전조와 캐리어 가스가 상기 제1영역으로 도입되며, 상기 캐리어 가스 흐름이 상기 제2영역으로 향하는 것을 특징으로 하는 증착기에서의 액상 증착 과정.
  15. 제30항에 있어서, 상기 제1영역과 상기 제2영역에서 상기 캐리어 가스의 일정한 각가속도를 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기에서의 액상 증착 과정.
  16. 제30항에 있어서, 상기 캐리어 가스 흐름이 사이클론식으로 상기 제2부분으로 향하는 것을 특징으로 하는 증착기에서의 액상 증착 과정.
  17. 액상 전조 공급원, 캐리어 가스 공급원, 증기 배출구, 곡면, 제1영역 및 제2영역을 가지는 증착기 및 화학기상 증착 반응기 어셈블리를 가지는 화학 기상 증착 시스템에서, 상기 증착기에 상기 액상 건조 공급원을 도입하는 단계 ; 상기 캐리어 가스 공급원으로부터 상기 증착기에 캐리어 가스의 흐름을 도입하는 단계 ; 상기 캐리어 가스 흐름에 상기 액상 전조를 혼입하는 단계 ; 상기 증착기와 각을 이루는 방향으로 상기 캐리어 가스를 가속하는 단계 ; 상기 증착기 제1영역, 상기 증착기 제2영역 및 상기 화학 기상 증착 반응기 어셈블리 사이에 음의 압력변화를 형성하는 단계 ; 상기 증착기 곡면상에 혼입된 액상 전조를 박막으로 확산하는 단계; 상기 액상 전조 박막을 증착하는 단계; 및 상기 증착기 증기 배출구를 통하여 상기 증착기로부터 상기 화학 기상 증착 반응기 어셈블리로 액상 전조의 상기 증착된 박막을 끌어당기는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상 증착 과정.
  18. 증착기에 액상 전조를 도입하는 수단 ; 상기 액상 전조를 혼입하기 위해 상기 증착기에 캐리어 가스를 도입하는 수단 ; 상기 증착기의 표면에 상기 혼입된 액상 전조를 적층하기 위해 상기 캐리어 가스를 각가속을 용이하게 하는 수단 ; 및 상기 적층된 액상 전조를 증착하기 위해 상기 증착기 표면을 가열하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기.
  19. 제34항에 있어서, 상기 증착기의 하단부내에 저압 영역을 형성하는 수단 ; 및 증기 배출구를 통하여 상기 증착기로부터 상기 증착기의 상단부로 상기 증착된 액상 전조를 끌어당기는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110531A (en) * 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
DE19502944C2 (de) * 1995-01-31 2000-10-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Überführung eines Flüssigkeitsstromes in einen Gasstrom
US5997642A (en) * 1996-05-21 1999-12-07 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films
US6116184A (en) * 1996-05-21 2000-09-12 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted liquid source deposition of thin film with reduced mist particle size
MY119154A (en) * 1996-05-21 2005-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film, method and apparatus for forming the same, and electronic component incorporating the same
EP0878560B1 (en) * 1997-05-16 2004-09-29 Tokyo Electron Limited Vapor generating method and apparatus using same
JPH11111644A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Japan Pionics Co Ltd 気化供給装置
US6012647A (en) * 1997-12-01 2000-01-11 3M Innovative Properties Company Apparatus and method of atomizing and vaporizing
US6045864A (en) * 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
US6296711B1 (en) 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
WO1999053117A2 (en) 1998-04-14 1999-10-21 Cvd Systems, Inc. Film deposition system
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
US6210485B1 (en) 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
AUPP624298A0 (en) * 1998-09-30 1998-10-22 Alcos Technologies Pty Ltd Cyclonic evaporator
FR2800754B1 (fr) 1999-11-08 2003-05-09 Joint Industrial Processors For Electronics Dispositif evaporateur d'une installation de depot chimique en phase vapeur
US6761109B2 (en) * 2001-03-28 2004-07-13 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for mixing a gas and a liquid
US6797108B2 (en) * 2001-10-05 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer
US6717246B2 (en) * 2002-04-16 2004-04-06 Intel Corporation Semiconductor package with integrated conical vapor chamber
US7008658B2 (en) * 2002-05-29 2006-03-07 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for providing treatment to a continuous supply of food product by impingement
US20030228401A1 (en) * 2002-06-06 2003-12-11 Newman Michael D. System and method of using non-volatile microbiocidal application agents
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
JP2004335564A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Japan Pionics Co Ltd 気化器
JP4607474B2 (ja) * 2004-02-12 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US7282158B2 (en) * 2004-03-26 2007-10-16 Aviza Technology Limited Method of processing a workpiece
JP2005340405A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
JPWO2006093168A1 (ja) * 2005-03-04 2008-08-07 株式会社ユーテック Cvd装置と、それを用いた多層膜形成方法と、それにより形成された多層膜
DE102005030862B4 (de) * 2005-07-01 2009-12-24 Sintec Keramik Gmbh Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper
US7473637B2 (en) 2005-07-20 2009-01-06 Micron Technology, Inc. ALD formed titanium nitride films
JP4299286B2 (ja) * 2005-10-06 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
GB2432371B (en) * 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
KR100980729B1 (ko) * 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
US8695813B2 (en) * 2006-12-08 2014-04-15 Spectra Analysis Instruments, Incorporated Method and apparatus for desolvating flowing liquid
US8465791B2 (en) * 2009-10-16 2013-06-18 Msp Corporation Method for counting particles in a gas
CN102597310B (zh) 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
JP6559423B2 (ja) 2011-08-05 2019-08-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 蒸気を処理するためのシステム及び方法
KR102007697B1 (ko) * 2013-02-28 2019-08-06 삼성에스디아이 주식회사 이차전지용 전극 제조 장치
JP2015039001A (ja) * 2014-09-18 2015-02-26 株式会社渡辺商行 気化器
DK201500077U4 (en) * 2015-06-04 2016-06-10 Gea Process Eng As Spraytørrer med forbedret pakning
WO2017003791A1 (en) 2015-06-30 2017-01-05 3M Innovative Properties Company Discontinuous coatings and methods of forming the same
WO2017009997A1 (ja) * 2015-07-16 2017-01-19 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム
SG11201808424UA (en) 2016-04-01 2018-10-30 3M Innovative Properties Co Roll-to-roll atomic layer deposition apparatus and method
US20180066363A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-08 Tokyo Electron Limited Vortical atomizing nozzle assembly, vaporizer, and related methods for substrate processing systems
WO2019082674A1 (ja) * 2017-10-23 2019-05-02 株式会社堀場エステック 気化装置及び気化装置用分離器
JP7402801B2 (ja) * 2018-08-24 2023-12-21 株式会社堀場エステック 気化器、液体材料気化装置、及び気化方法
KR102625384B1 (ko) * 2020-09-28 2024-01-16 (주) 플라즈닉스 플라즈마 토치 및 이를 이용하여 대상기체를 처리하는 방법
CN114712870B (zh) * 2022-03-17 2024-02-20 山东神驰石化有限公司 一种mtbe脱硫提纯装置
WO2023183221A1 (en) * 2022-03-21 2023-09-28 Entegris, Inc. Systems and methods for controlling precursor delivery

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1183098A (en) * 1910-04-04 1916-05-16 Merrell Soule Co Desiccating apparatus.
US3969499A (en) * 1971-05-24 1976-07-13 Lee Pharmaceuticals Dental adhesive materials containing fluoride compounds
GB1422781A (en) * 1972-03-29 1976-01-28 Ici Ltd Vapourinsing process
GB2092908A (en) * 1981-02-18 1982-08-25 Nat Res Dev Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process
US4734109A (en) * 1982-01-04 1988-03-29 Cox James P Effluent treatment apparatus and method of operating same
EP0213329B1 (de) * 1985-07-30 1991-10-02 Hartmut Wolf Zerstäubungsvorrichtung
JPH01257189A (ja) * 1988-04-08 1989-10-13 Hitachi Ltd 蒸発源用るつぼ
JPH02290963A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用るつぼ
DE8906889U1 (de) * 1989-06-05 1989-08-31 Czernawski, Norbert, 6140 Benzheim Wirbelkammerzerstäuber
US5090985A (en) * 1989-10-17 1992-02-25 Libbey-Owens-Ford Co. Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
EP0504420B1 (en) * 1990-10-05 1997-07-23 Fujitsu Limited Steam supplier
US5252134A (en) * 1991-05-31 1993-10-12 Stauffer Craig M Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing
US5203925A (en) * 1991-06-20 1993-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide
IT1253325B (it) * 1991-07-04 1995-07-24 Procedimento industriale per l'applicazione di una pellicola di p.t.f. e. su superfici di alluminio
JPH05132779A (ja) * 1991-11-11 1993-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液体材料気化装置
EP0548990B1 (en) * 1991-12-26 1997-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method for forming a deposited film with the use of a liquid raw material and apparatus suitable for practising said method
JPH06291040A (ja) * 1992-03-03 1994-10-18 Rintetsuku:Kk 液体気化供給方法と液体気化供給器
NL9200415A (nl) * 1992-03-06 1993-10-01 Bronkhorst High Tech Bv Werkwijze voor het omzetten van een vloeistofstroom in een gasstroom, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US5246881A (en) * 1993-04-14 1993-09-21 Micron Semiconductor, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity

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