JP4607474B2

JP4607474B2 - 成膜装置

Info

Publication number: JP4607474B2
Application number: JP2004035527A
Authority: JP
Inventors: 輝夫岩田; 学網倉; 宗久二村; 高橋　　毅
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-02-12
Filing date: 2004-02-12
Publication date: 2011-01-05
Anticipated expiration: 2024-02-12
Also published as: EP1724817A1; CN1788334A; WO2005078781A1; KR20060032658A; KR100749378B1; CN100426463C; JP2005228889A; US20050223987A1; EP1724817A4

Description

本発明は成膜装置に係り、特に、液状原料を気化する気化器を備えた成膜装置の構成に関する。

一般に、誘電体、金属、半導体などで構成された各種薄膜を成膜する方法として、有機金属化合物などの有機原料のガスを成膜室に供給し、酸素やアンモニアなどの他のガスと反応させて成膜するＣＶＤ（化学気相成長）法が知られている。このようなＣＶＤ法などで用いられる有機原料には、常温で液体或いは固体であるものが多いため、有機原料を気化するための気化器が必要になる。例えば、上記有機原料は、通常、溶剤などを用いて希釈したり、溶解させたりすることによって液状原料とされ、この液状原料は、気化器に設けられた噴霧ノズルから加熱された気化室内に噴霧されることによって気化し、原料ガスとなる。この原料ガスは成膜室に供給され、ここで他のガスと反応することによって基板上に成膜される（例えば、以下の特許文献１及び２参照）。

ところで、上記の気化器において、噴霧ノズルにより噴霧されるミストが気化する際には、液状原料中の溶媒のみが揮発することにより残された有機原料の固形物、或いは、有機原料が分解することにより生じた固形物などによって構成される微細なパーティクルが生成される。このパーティクルは、噴霧ノズル、気化室の内面、フィルタ、ガス輸送管の内部などに堆積し、各所の詰まりを招くとともに、原料ガスとともに成膜室まで到達することにより異常成膜や膜質不良の原因となる。このような問題点を低減する対策は、従来の成膜装置においても種々講じられている。
特開平６−３１０４４４号公報特開平７−９４４２６号公報

しかしながら、上記従来の成膜装置においては上記のパーティクルの対策が充分とはいえず、成膜品位が低下する、メンテナンスの頻度が多くなるなどの問題があった。例えば、パーティクルを低減して成膜品位を高める方策としては、噴霧ノズルにおける液状原料とキャリアガスとの混合度合を高めたり、気化器の導出口やガス輸送管の途中などにフィルタを設置してトラップしたりすることが考えられるが、この場合には、ノズルやフィルタの目詰まりなどによって原料ガスの濃度やガス圧力などが変動しやすくなるとともに、フィルタの清掃などのメンテナンスを頻繁に行わなければならないので、成膜装置の整備や成膜条件の管理に対する負担が大きくなり、製造効率も低下する。

より具体的に述べると、図９に示すように、従来の気化器１０においては、開閉バルブ１１ｖにより開閉可能に構成された導入経路を有する導入部１１を有し、この導入部の原料導入口１１ａから導入される原料ガスと、キャリアガス供給口１１ｂから導入されるキャリアガスとが導入部１１の内部にて混合され、加熱手段１４，１５を有する外部ブロック１２及び内部ブロック１３で構成される気化室１２ｂにノズル部１２ａから噴出して気化され、気化された原料ガスが導出部１２ｃから導出されるように構成されている。ところが、この気化室１２ｂはノズル部１２ａの噴霧方向に見て狭い形状に構成されているため、噴霧されたミストが外部ブロック１２及び内部ブロック１３の表面に到達する前に気化することができず、また、ミストが直接外部ブロック１２及び内部ブロック１３の表面に接触するため、各ブロックの表面温度が低下してしまう。外部ブロック１２及び内部ブロック１３の表面温度が低下した状態で低温のミストが気化室の内面に到達すると、ミスト中の原料が充分に加熱されないので、溶媒のみが揮発し、これによってノズル部１２ａや気化室の内面（内部ブロック１３の表面）に固形物（原料）が付着し、これがパーティクルの発生原因になっているものと考えられる。

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、液状原料の気化状態若しくは供給状態を安定化させることによりパーティクルの発生を抑制することのできる気化器を備える成膜装置の構成を提供することにある。

本発明の成膜装置は、液状原料を供給する原料供給系と、前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器と、該気化器から供給される前記原料ガスを導入して成膜を行う成膜室とを有する成膜装置であって、前記気化器は、前記液状原料を噴霧する噴霧ノズルを備えた噴霧手段と、該噴霧手段によって霧化された前記液状原料を気化して前記原料ガスを生成するための気化室と、該気化室を加熱する加熱手段と、前記気化室から前記原料ガスを導出する導出口とを有し、前記気化室は前記噴霧手段による噴霧方向に延長された形状を有し、前記気化室の前記噴霧方向の長さと前記噴霧方向と直交する断面の円換算直径との比が３〜５の範囲内であり、その基端側部分は前記噴霧方向に進むに従って漸次内径が増大するようにテーパ状に構成された内面部分を備え、前記噴霧ノズルは、前記液状原料を噴出する原料噴出口と、該原料噴出口の周囲に隣接して設けられたキャリアガスを噴出する環状のガス噴出口とを有し、前記原料噴出口における前記液状原料の噴出方向と、前記ガス噴出口における前記キャリアガスの噴出方向とが実質的に同一であり、前記導出口は前記気化室の延長方向の中間位置よりも前記噴霧ノズルに近い側面位置において前記テーパ状に構成された内面部分に開口し、前記気化器と前記成膜室との間の原料ガス供給管にキャリアガスの追加導入部を有し、成膜時において前記追加導入部よりキャリアガスが導入されることを特徴とする。

この発明によれば、気化室は噴霧ノズルの噴霧方向に延長された形状を有するので、噴霧ノズルから噴霧されたミストを気化室内において長い距離飛行させることができるとともに、ミストが気化室内を飛行している過程で気化室の内面からの放射熱によりミストを充分に加熱することができるため、気化室の内面にミストが到達する前にミストを充分に気化させることができることから、気化効率を高めることができ、パーティクルの発生を抑制できる。ここで、気化室の噴霧方向の長さは、噴霧ノズルから噴霧されるミストが、噴霧方向に対向する気化室の内面部分に到達しないように設定されていることが望ましい。これによってより確実にパーティクルの発生を防止できる。また、気化室の噴霧方向の長さと、噴霧方向と直交する断面の円換算直径（その断面積を円形状にしたときの直径）との比が２．５以上であることが好ましく、特に、３．５以上であることがより望ましい。さらに、気化室の噴霧方向と直交する断面は円形であることが好ましい。

本発明において、前記導出口は前記気化室の延長方向の中間位置よりも前記噴霧ノズルに近い側面位置に開口していることにより、延長先端側の噴霧ノズルから噴霧されるミストが直接に導出口に達することが抑制されるとともに、気化室の延長形状を利用して導出口よりも噴霧ノズルから噴霧方向に離れた場所で主としてミストが気化されるように構成することが可能になることにより、気化器内で発生したミストが導出口に到達する前に気化されるため、パーティクルの発生及びその下流側への排出を抑制することができる。特に、前記気化室の基端側部分は前記噴霧方向に進むに従って漸次内径が増大するようにテーパ状に構成された内面部分を備え、該内面部分に前記導出口が開口することにより、ミストが導出口に向かうことをより確実に防止できる。

本発明において、前記噴霧ノズルは、前記液状原料を噴出する原料噴出口と、該原料噴出口の周囲に隣接して設けられたキャリアガスを噴出する環状のガス噴出口とを有し、前記原料噴出口における前記液状原料の噴出方向と、前記ガス噴出口における前記キャリアガスの噴出方向とが実質的に同一であることにより、噴霧ノズルの近傍では原料噴出口から噴出する液状原料が霧化されるが、このキャリアガスにより気化室の内側面にミストが到達しにくい態様で噴霧を行うことができる。また、原料噴出口から噴出された液状原料と、ガス噴出口から噴出されたキャリアガスとは、気化室の延長方向に向けて噴霧ノズルから或る程度離れた位置にミストを到達させ、ミストが気化される領域を噴霧ノズルから噴霧方向に離反した領域に限定することができる。このため、十分に原料を効率よくミスト（霧）化して気化させることで、パーティクルの発生量を低減できるとともに、発生したパーティクルが導出口から導出されにくくすることもできる。

本発明においては、前記気化器と前記成膜室との間の原料ガス供給管にキャリアガスの追加導入部を有し、成膜時において前記追加導入部よりキャリアガスが導入される。本願発明者らが種々実験を繰り返した結果、気化室に導入される液状原料とキャリアガスの比が小さくなると、すなわち、相対的にキャリアガス量が増大すると、成膜室へのパーティクルの流下量が増大することが確認された。これは、噴霧ノズルにおいてキャリアガスによる液状原料の飛散度合が増大し、導出口の近傍に直接ミストが飛散したり、或いは、キャリアガスとの混合により液状原料中の溶媒の揮発量が増大したりするためと思われる。しかし、キャリアガスを少なくすると、噴霧速度が小さくなり、ミストが気化室の高温側（噴霧ノズルとは反対側）の領域まで達することなく低温側（噴霧ノズル側）の領域で主として気化するようになるため、ミストが成膜室に到達しやすくなることから、成膜状態の面内均一性を確保することが難しくなる。そこで、気化室と成膜室との間にキャリアガスの追加導入部を設けることにより、気化器へのキャリアガスの導入量を抑制するとともに、成膜室へのキャリアガスの導入量を増大させることができ、これによって気化室内におけるパーティクルの発生を抑制することができるとともに、気化した原料ガスの供給量を安定させることができるので、成膜状態の面内均一性を確保することが可能となった。

本発明において、前記加熱手段は、前記気化室の前記噴霧ノズル側よりも、前記噴霧ノズルとは反対側の温度が高くなるように加熱することが好ましい。具体的には、前記加熱手段は、上記気化室の噴霧ノズル側を加熱する基端側加熱部（発熱体）と、上記気化室の噴霧ノズルとは反対側を加熱する先端側加熱部（発熱体）とを有し、前記基端側加熱部の設定温度よりも前記先端側加熱部の設定温度の方が高く設定されていることが望ましい。これによれば、噴霧ノズル側の温度を低くすることにより、噴霧ノズルへの伝熱量を低減することができることから、噴霧前の液状原料の突沸を防止することができるため、液状原料の流量変動を低減することができ、液状原料を安定して気化室内に供給できるとともに液状原料のノズル内での析出を防止できる。また、噴霧ノズルとは反対側の温度を高くすることにより、噴霧ノズルから噴霧されたミストの気化が噴霧ノズルから離れた当該部分にて主体的に生ずるように構成できるので、気化効率をさらに高めることができ、パーティクルをさらに低減できる。

本発明において、前記気化室の前記噴霧ノズル側の部分と前記噴霧ノズルとは反対側の部分との間の伝熱を制限する伝熱制限構造を有することが好ましい。これによれば、伝熱制限構造により気化室の噴霧ノズル側の部分とその反対側の部分との間の伝熱が制限されていることにより、両部分の温度差を充分に確保することができるため、上記効果をより高めることができる。ここで、伝熱制限構造とは、噴霧ノズル側とその反対側との間に温度差を形成する構造であれば如何なるものであってもよい。例えば、この伝熱制限構造としては、気化室の噴霧ノズル側の部分を構成する部材の断面積とその反対側の部分を構成する部材の断面積との間に差を設けた構造、また、気化室の噴霧ノズル側の部分とその反対側の部分のうち、少なくともいずれか一方よりも小さな断面積を有する境界部分を設けた構造、或いは、気化室の噴霧ノズル側の部分とその反対側の部分との間に気化室の内面を構成する素材よりも断熱性の高い素材が介在した構造などが挙げられる。

ここで、前記原料噴出口は前記液状原料のみを噴出するように構成されていることが好ましい。これによれば、原料噴出口が液状原料のみを噴出するように構成されていることにより、従来のように気液混合状態にある液状原料を噴霧ノズルから噴霧する場合において、固形物が析出し噴霧ノズルが詰まるといった事態を防止することができることから、液状原料の供給状態を安定させることができる。

本発明において、前記気化室は、前記噴霧ノズルに対して前記噴霧方向に対向する内面部分が凹曲面状に構成されていることが好ましい。これによれば、噴霧ノズルに対して噴霧方向に対向する内面部分が凹曲面状に構成されていることにより、噴霧ノズルから噴霧されたミストが直接上記内面部分に到達しにくくなるように構成することができ、また、上記内面部分の中心部にミストが集中して当たることも防止できるため、気化状態をより安定させることができる。

本発明によれば、装置のメンテナンス性を犠牲にすることなく、或いは、装置の管理作業を煩雑化させることなく、気化器内におけるパーティクルの発生の抑制、及び、気化器からのパーティクルの導出量の低減を図ることができると言う優れた効果を奏し得る。

以下、本発明の実施の形態を図示例と共に説明する。図１は、本実施形態の成膜装置１００の全体構成を示す概略構成図である。この成膜装置１００は、液状原料などを供給する原料供給部１１０と、液状原料を気化するための気化器１２０と、気化器１２０から供給される原料ガスを用いて成膜を行う成膜部１３０とを有する。

原料供給部１１０は、液状原料ＬＭを収容する原料容器１１１を備えている。この原料容器１１１には、原料容器１１１内に収容された液状原料ＬＭを押し出すための加圧ガス（Ｈｅ，Ｎ_２、Ａｒ等の不活性ガスなど）を供給する加圧ガス供給管１１２と、原料容器１１１から気化器１２０へ液状原料ＬＭを供給するための原料供給管１１３とが接続されている。また、Ｎ_２，Ｈｅ，Ａｒなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給管１１４と、Ｎ_２，Ｈｅ，Ａｒなどの不活性ガスなどで構成されるキャリアガスを供給するキャリアガス供給管１１５とを有している。

原料供給管１１３には、液体マスフローメータなどの流量制御器１１６が接続されている。また、原料供給管１１３における流量制御器１１６の下流位置にはドレイン管１１７が接続されている。また、不活性ガス供給管１１４は原料供給管１１３の途中に適宜の態様で接続されている。さらに、キャリアガス供給管１１５にはマスフローメータなどの流量制御器１１８が接続されている。

液状原料ＬＭは、テトラターシャリブトキシ・ハフニウム［Hf(Ot-Bu)₄］、テトラジエチルアミノ・ハフニウム［Hf(NEt₂)₄］、テトラキスメトキシメチルプロポキシ・ハフニウム［Hf(MMP)₄］、テトラジメチルアミノ・ハフニウム［Hf(NMe₂)₄］、テトラメチルエチルアミノ・ハフニウム［Hf(NMeEt)₄］、ペンタエトキシ・タンタル［Ta(OEt)₅］、テトラターシャリブトキシ・ジルコニウム［Zr(Ot-Bu)₄］、テトラエトキシ・シリコン［Si(OEt)₄］、テトラジメチルアミノ・シリコン［Si(NMe₂)₄］、テトラキストリエチルシロキ・ハフニウム［Hf(OSiEt₃)₄］、テトラキスメトキシメチルプロポキシ・ジルコニウム［Zr(MMP)₄］、デイスエチルサイクロペンタジエニル・ルテニウム［Ru(EtCp)₂］、ターシャルアミルイミドトリジメチルアミド・タンタル［Ta(Nt-Am)(NMe₂)₃］、トリスジメチルアミノシラン［HSi(NMe₂)₃］などの常温で液体若しくは固体の原料をオクタンなどの有機溶媒により希釈・溶解したものが挙げられる。また、これらは希釈しないで用いることもできる。

気化器１２０は、上記の液状原料ＬＭを噴霧する噴霧ノズル１２１と、噴霧ノズル１２１によって液状原料ＬＭが噴霧される気化室１２２と、気化室１２２に開口した導出口１２３とを有する。噴霧ノズル１２１には、上記の原料供給管１１３及びキャリアガス供給管１１５が接続されている。導出口１２３は、成膜部１３０に接続される原料ガス供給管１２４に接続されている。原料ガス供給管１２４には、追加キャリアガス供給管１２５が途中で合流している。

成膜部１３０には、シャワーヘッド構造などを有するガス導入部１３１と、このガス導入部１３１を介して上記の原料ガス及び反応ガスが供給される成膜室１３２とを有する。ガス導入部１３１には反応ガスを供給する反応ガス供給管１３３が接続されている。この反応ガス供給管の途中には不活性ガス供給管１３４が接続されている。成膜室１３２は密閉容器（チャンバー）によって画成され、その内部に発熱体が埋設されたサセプタ１３５が配置されている。サセプタ１３５上にはシリコン基板などの基板Ｗが載置される。この基板Ｗは上記発熱体によって加熱される。成膜室１３２は排気管１３６が接続され、この排気管１３６は真空ポンプ１３７などの排気システムに接続されている。また、上記原料ガス供給管１２４の途中にはバイパス管１３８が接続され、このバイパス管１３８は排気管１３６の真空ポンプ１３７の上流位置に接続されている。さらに、成膜室１３２には、密閉容器の壁面などに成膜材料が堆積することを防止するパージガスを供給するパージ供給管１３９が接続されている。

図２は、上記気化器１２０の構造をより具体的に示す概略断面図である。気化器１２０の噴霧ノズル１２１は、上記原料供給管１１３に接続され、上記液状原料ＬＭを噴出する原料噴出口１２１ａと、上記キャリアガス供給管１１５に接続され、キャリアガスを噴出するガス噴出口１２１ｂとを有する。ガス噴出口１２１ｂは、上記の原料噴出口１２１ａの周囲に隣接して環状に設けられている。原料噴出口１２１ａの口径は０．０５〜０．３ｍｍ、好ましくは０．１〜０．１５ｍｍ程度である。ガス噴出口１２１ｂの開口断面積は、原料噴出口１２１ａと同程度〜２０倍程度、好ましくは同程度〜１２倍である。

原料噴出口１２１ａは原料噴出管１２１Ａの先端開口によって構成されている。この原料噴出管１２１Ａはポリイミド樹脂などの有機溶媒に対する耐性を有する合成樹脂で形成されている。ただし、原料噴出管１２１Ａはステンレス鋼やＴｉなどの金属材で構成されていてもよい。原料噴出管１２１Ａを合成樹脂で構成することによって噴霧前の液状原料ＬＭが周囲から伝導してくる熱によって加熱されにくく構成できる。また、ポリイミド樹脂を用いることで、液状原料の残渣（析出物）が付着しにくく、目詰まりが生じにくくなっている。

ノズルブロック１２１Ｂにはキャリアガス導入路１２１ｃが設けられ、このキャリアガス導入路１２１ｃの開口部には上記原料噴出管１２１Ａの先端部分が導入され、ガス噴出口１２１ｂは、上記原料噴出管１２１Ａの先端の周囲に構成されている。そして、原料噴出口１２１ａから噴出される液状原料ＬＭの噴出方向と、キャリアガス導入路１２１ｃを介してガス噴出口１２１ｂから噴出されるキャリアガスの噴出方向とは、共に実質的に同一方向（図示下方向）になるように構成されている。

この実施形態では、原料噴出口１２１ａからは液状原料ＬＭのみが噴出される。また、ガス噴出口１２１ｂからはキャリアガスのみが噴出されるようになっている。例えば、図９に示す従来構造のようにノズル部１２ａから気液混合状態で液状原料を噴出させる場合には、液状原料とキャリアガス中の不純物とが反応してノズル内部に析出したり、或いは、内部ブロック１３の頂点部分に析出した固形物がノズルを目詰まりさせたりするといったことがあった。本実施形態では、このようなことを回避するために、原料噴出口１２１ａから液状原料のみを噴出させることにより、ノズル内部やノズル近傍の固形物の析出を防止している。

また、液状原料ＬＭとキャリアガスは共に実質的に同じ方向（図示下方向）に向けて気化室１２２内に噴出するように構成されている。したがって、噴霧ノズル１２１から噴霧されたミストは比較的小さな角度範囲内にて気化室１２２内を進んでいく。これによって、気化室１２２の噴霧ノズル側の部分、すなわち基端側部分１２０Ｘの内部ではミストの飛散が抑制されるので、後述する導出口１２３からミストが直接排出されることがなくなるとともに、ミストが気化室１２２の内面に直接接触して固化するといったこともなくなるため、パーティクルの発生及びその導出口１２３からの排出を抑制することができる。

気化室１２２は、噴霧ノズル１２１からその噴霧方向に延長された形状を有する。すなわち、気化室１２２の形状は、噴霧方向と直交する方向の幅より噴霧方向の長さが大きくなっている。これによって、噴霧ノズル１２１から液状原料ＬＭとキャリアガスが噴霧されると、液状原料ＬＭのミストが生成されて気化室１２２の噴霧ノズルとは反対側の先端側部分１２０Ｙに向けて進むが、噴霧ノズル１２１に対向配置された、気化室１２２の内面部分１２２ａにはミストが直接到達しにくくなるように構成されている。すなわち、このような気化室１２２の延長形状によって、気化室１２２の延長方向に進む液状原料ＬＭのミストは、気化室１２２の内面からの放射熱を受けながら飛行し、気化室１２２の内面に到達する時点でほとんど気化が完了するように設定することができる。

ここで、気化室の噴霧方向の長さは、噴霧ノズルから噴霧されるミストが、噴霧方向に対向する気化室の内面部分に到達しないように設定されていることが望ましい。この条件は、気化室における噴霧方向の長さ及び噴霧方向と直交する断面積、気化室の温度分布、噴霧ノズルから噴霧されるミストの量及びミスト径、キャリアガス量などによって設定される。これによってより確実にパーティクルの発生を防止できる。また、気化室の噴霧方向の長さと、噴霧方向と直交する断面の円換算直径（その断面積を円形状にしたときの直径）との比が２．５以上であることが好ましく、特に、３．５以上であることがより望ましい。本実施形態では、上記の比は３〜５の範囲内に設定されている。この比が上記２よりも小さいと、従来構造の気化器と同様に本発明の効果が得られなくなる。上記比が６を越えると、気化室の側面部分にミストが飛散しやすくなり、また、導出口にも直接ミストが到達しやすくなるので、パーティクルが却って増大する恐れがある。さらに、気化室の噴霧方向と直交する断面は円形であることが好ましい。これによって噴霧ノズルから噴霧されたミストに対して気化室の側面位置が等方的に構成されるため、より安定した気化状態を得ることができる。

気化室１２２の内面は、抵抗加熱式のヒータ、例えば、カートリッジヒータ（埋込型）やテープヒータ（巻付型）などで構成される発熱体１２６，１２７によって加熱されている。この加熱温度は、一般に、液状原料の気化温度より高いが、液状原料の分解温度より低い温度に設定されることが好ましい。これは、分解温度以上では原料が分解して固化してしまうからである。発熱体１２６は、気化室１２２の延長方向の中間位置よりも噴霧ノズル１２１の側にある基端側部分１２０Ｘに配置されている。また、発熱体１２７は、気化室１２２の延長方向の中間位置よりも噴霧ノズル１２１とは反対側にある先端側部分１２０Ｙに配置されている。特に、発熱体１２７は上記内面部分１２２ａの近傍に配置されている。

また、基端側部分１２０Ｘと先端側部分１２０Ｙとの間にある中間部分１２０Ｚは、基端側部分１２０Ｘの断面よりも大幅に小さい断面積を有している。図示例では、中間部分１２０Ｚの断面積は、基端側部分１２０Ｘの断面積の１／１０程度となっている。これにより、基端側部分１２０Ｘと先端側部分１２０Ｙとの間の熱伝導を抑制することができるため、両部分のそれぞれの温度をより精度よく設定することができる。

この気化室１２２においては、基端側部分１２０Ｘにおける内面温度よりも先端側部分１２０Ｙにおける内面温度の方が高くなるように構成されている。すなわち、基端側部分１２０Ｘの内面温度を低くすることによって噴霧ノズル１２１に伝達される熱量が低減されるので、噴霧ノズル１２１内において液状原料ＬＭが加熱されることにより突沸して液状原料ＬＭの噴霧量が変動するといったことを防止できる。また、先端側部分１２０Ｙの内面温度を高くすることにより、噴霧ノズル１２１で噴霧されたミストのほとんど全てが先端側部分１２０Ｙの内面に接触する前に気化するように、対流中のミストを充分に加熱することができる。

基端側部分１２０Ｘと先端側部分１２０Ｙとの間の温度差は、２０〜７０度の範囲内であることが好ましく、３０〜６０度の範囲内であることが望ましい。上記範囲よりも温度差を小さくすると上述の充分な効果が得られず、上記範囲より温度差を大きくすると基端側部分１２０Ｘや中間部分１２０Ｚに堆積物が生じやすくなる。例えば、液状原料ＬＭとして、テトラターシャリブトキシ・ハフニウム［Hf(Ot-Bu)₄］（以下、単に「ＨＴＢ」という。）をオクタンに溶解したものを用い、この液状原料ＬＭを気化させることにより生成された原料ガスに対して反応ガスとしての酸素を反応させることにより酸化ハフニウム［ＨｆＯ_２］の薄膜を成膜する場合には、上記の基端側部分１２０Ｘの内面温度を９０〜１１０度、好ましくは９５〜１０５度とし、先端側部分１２０Ｙの内面温度を１５０〜１７０度、好ましくは１５５〜１６５度とする。なお、これらの温度条件は原料の種類に依存し、上記以外の他の原料を用いる場合には異なった温度範囲となる。

この実施形態では、気化室１２２が噴霧ノズル１２１の噴霧方向に延長された形状を有することにより、噴霧されたミストが気化室１２２内を飛行する距離を長くし、この飛行中にミストを充分に加熱して気化させることができる。これによって、ミストのほとんどが気化室１２２の内面に到達する前に気化し終わるように構成できるので、気化効率の向上やパーティクルの低減を図ることができる。

図２の気化室１２２内に描かれた点線は、噴霧ノズル１２１により噴霧されたミストの分布を示すものである。噴霧された液状原料はキャリアガスによって噴霧ノズル１２１から離れた位置で細かなミストになり、図示点線のように分布する。ミストが気化室１２２の延長方向に進むに従って気化室１２２の内面からの輻射熱によって徐々に気化して原料ガスとなり、やがて内面部分１２２ａに到達する時点ではほとんど全てのミストが気化された状態になる。そして、生成された原料ガスは、図示矢印のように気化室１２２の内側面に沿って噴霧ノズル１２１側に戻るように移動し、最終的に導出口１２３を通して導出される。

図３には、気化器１２０において噴霧ノズル１２１から噴出される液状原料やキャリアガスの流量を増加させたときの様子を点線で示してある。この場合には、噴霧ノズル１２１によって噴霧されたミストの一部が上記内面部分１２２ａの中央部分に集中的に当たり、その結果、析出固形物として内面部分１２２ａに堆積したり、ミストの一部が急激に加熱されて分解されたりする可能性がある。この場合には、気化室１２２の内部におけるパーティクルの発生量が増大するので、導出口１２３を通して導出されるパーティクル量も増大するものと考えられる。また、噴霧ノズル１２１による噴霧量が増大することで、先端側部分１２０Ｙの内部にて生成された原料ガスが噴霧ガスによって導出口１２３側に戻りにくくなり、気化室１２２の内部に乱流が発生しやすくなるため、気化室１２２内にて発生したパーティクルが導出口１２３から導出されやすくなるといったことも考えられる。

本実施形態の気化器において、噴霧ノズルから気化室内に供給されるＮ_２を１５００［ＳＣＣＭ］とし、導出口に接続された配管の圧力を１．９３［ｋＰａ］とした状態で、気化室１２２内の流速及び温度分布を実施例として測定した。また、気化室の噴霧方向の長さが略２２ｍｍとされた従来の気化器を比較例として、上記と同じ条件で気化室内の流速及び温度分布を測定した。これらの結果を図１０乃至図１３に示す。
図１０は実施例（ａ）と比較例（ｂ）の気化室内の気体の流速及び流れ方向の分布の実験データを示し、図１１は気化室中心部の流速とノズルからの距離との関係を示す。実施例では、噴霧ノズル側の基端側部分では流速変化が大きいが、反対側の先端側部分では流速変化が緩やかとなり、噴霧方向に対向する先端側部分の内面上でも滑らかな流速及び流れ方向の分布が見られる。また、当該内面上において流速は充分に低下しているので、噴霧ノズルで噴霧されたミストが当該内面に到達するまでに或る程度の時間余裕が生ずるとともに、気流が当該内面に沿って滑らかに流れることによりミストが内面に到達しにくくなることが予想される。一方、比較例では、噴霧ノズルから噴霧された流れが高速で噴霧方向と対向する内面にぶつかり、当該内面上において流速及び流れ方向が乱れた状態となっている。

図１２は実施例（ａ）と比較例（ｂ）の気化室内の気体の温度分布の実験データを示し、図１３は気化室中心部の温度とノズルからの距離との関係を示す。実施例では、噴霧ノズルから出た流れが噴霧方向に進むに従って加熱され、充分に高温（１００℃以上）に加熱され、しかも、周囲とほぼ同じ温度になって温度変化が緩やかな状態で先端側部分の内面に到達している。これに対して、比較例では噴霧ノズルから出た流れが噴霧方向に進む途中で不十分な温度（８０度前後）にしかならず、しかも、温度の上昇途中で先端側部分の内面に達している。

上記の実験結果によれば、比較例では、噴霧ノズルで噴霧されたミストが噴霧ノズルに対向する内面に直接に吹き付けられるとともに、これによって気化室内面の温度が低下する場合があるのに対して、実施例では、噴霧ノズルで噴霧されたミストは噴霧方向に進みながら充分に加熱されるため、気化室内面に到達する前に多くが気化するとともに、残存したミストも気化室内面の温度が充分気化温度に達している状態の噴霧ノズルに対向する内面に吹き付けられることがわかる。したがって、比較例では気化する前のミストがそのまま気化室の内面に到達して溶媒のみが気化することにより原料が固化し、パーティクルの発生源になる可能性があるのに対して、実施例では、内面に到達する前にミストがほとんど気化してしまうとともに、残存したミストが気化室内面に到達したとしてもその内面上で充分に熱を受けて気化されるため、気化室の内面上で固化することがほとんどなく、パーティクルの発生も抑制される。

また、本実施形態では、中間部分１２０Ｚの断面積が小さいことによって、高温の先端側部分１２０Ｙから低温の基端側部分１２０Ｘへの伝熱量が低減されるため、基端側部分１２０Ｘ及び先端側部分１２０Ｙの温度制御性が向上し、両部分に大きな温度差を容易に設けることが可能になる。そして、これによって、噴霧ノズル１２１の温度上昇をさらに低減することができる。

導出口１２３は、上記基端側部分１２０Ｘにおける気化室１２２の側面部分に開口している。これによって、導出口１２３にミストが直接向かうことが低減されるとともに、気化室１２２で発生したミストが導出口１２３から導出されることを抑制することができる。より具体的には、図示例では、基端側部分１２０Ｘにおける気化室１２２の内面は、噴霧方向に進むに従って漸次内径が増大するようにテーパ状に構成されていて、上記導出口１２３はそのテーパ状に構成された内面部分に開口している。これによって、噴霧ノズル１２１で噴霧された液状原料のミストが導出口１２３に直接向かうことをより確実に防止することができる。

気化室１２２の内面のうち、噴霧ノズル１２１に対してその噴霧方向に対向する内面部分１２２ａ（すなわち、気化室１２２の延長した先にある内面部分）は凹曲面状に構成されている。この凹曲面は、噴霧ノズルの軸線を中心として凹曲線を回転させてなる回転体形状であることが好ましい。図示例では内面部分１２２ａは半球面状に構成されているが、放物面や楕円面、２葉双曲面などであっても構わない。これにより、噴霧ノズル１２１により噴霧されたミストの広がりの先端部の分布と上記内面部分１２２ａの形状とが対応した形状になるので、上記内面部分が平坦である場合に較べてミストをより均一に加熱することができるとともに、上記内面部分１２２ａの一部にミストが集中的に当たり、内面上に析出物が堆積することを防止できる。

図４は、成膜部１３０の成膜装置本体の構成例を示す詳細断面図である。成膜装置本体の上部には板状のガス導入部１３１が配置されている。ガス導入部１３１は上プレート１３１Ｘ、中プレート１３１Ｙ及び下プレート１３１Ｚが積層された構造を有する。このガス導入部１３１には、上記原料ガス供給管１２４に接続された原料ガス流路１３１Ａが設けられ、この原料ガス流路１３１Ａは拡散室１３１Ｄを介して多数に分岐して、それらの先端は、ガス導入部１３１の内面上に分散配置された多数の原料ガス供給口１３１ａとなっている。また、上記反応ガス供給管１３３に接続された反応ガス流路１３１Ｂが設けられ、この反応ガス流路１３１Ｂは拡散室１３１Ｅを介して多数に分岐して、それらの先端は、ガス導入部１３１の内面上に分散配置された多数の反応ガス供給口１３１ｂとなっている。すなわち、このガス導入部１３１は、原料ガスと反応ガスとを別々に導入するポストミックス型のシャワーヘッド構造を有している。また、ガス導入部１３１には温度センサ１３１Ｃが設置されている。

成膜室１３２は、上記ガス導入部１３１と、成膜容器１３２Ｘとによって画成された密閉可能な空間となっている。成膜容器１３２Ｘには、ゲート１４４によって開閉可能に構成された搬入口１３２ａが設けられ、このゲート１４４を開くことによって基板を搬入出することができるようになっている。また、成膜室１３２の内壁は、石英などで構成された堆積シールド１３２ｃで覆われている。この堆積シールド１３２ｃと成膜容器１３２Ｘの内面との間には、上記パージ供給管１３９によって供給されるパージガス（Ｎ_２などの不活性ガス）が流され、成膜容器１３２Ｘの内面に堆積物が付着しないように構成されている。

成膜室１３２の内部には、ＳｉＣなどで構成された基板載置面（図示上面）を有するサセプタ１３５が配置されている。このサセプタ１３５の内部には抵抗発熱体などのヒータ１３５ａが内蔵されている。ヒータ１３５ａはヒータ電源１４５に配線１４６を介して接続されている。また、サセプタ１３５は支持部１３５ｂを有し、この支持部１３５ｂは成膜容器１３２Ｘに固定されている。サセプタ１３５の基板載置面を含む全表面は石英などで構成された堆積シールド１３５ｃで覆われている。サセプタ１３５には、基板載置面から出没自在に構成された複数のリフターピン１４３（図中には一つのリフターピンのみを図示し、他は省略している。）が装着され、このリフターピン１４３はピン支持部１４２に支持され、駆動部１４１により支持部１４２が駆動されることで、上下に動作するようになっている。なお、成膜容器１３２Ｘの下部に設けられた開口部は排気管１３６に接続され、真空ポンプにより成膜室１３２が均一に排気される。

上記の成膜室１３２では、上述の各液状原料を用いることによって、以下のような薄膜を基板上に成膜することができる。例えば、誘電体薄膜としては、以下のものが挙げられる。
ＨｆＯ_２：
原料ガス＝Ｈｆ（Ｏｔ−Ｂｕ）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（ＮＥｔ_２）_４；反応ガス＝Ｏ_２若しくはＯ_３
原料ガス＝Ｈｆ（ＭＭＰ）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（ＮＭｅ_２）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（ＮＭｅＥｔ）_４；反応ガス＝Ｏ_２
Ｔａ_２Ｏ_５：
原料ガス＝Ｔａ（ＯＥｔ）_５；反応ガス＝Ｏ_２
ＨｆＳｉＯｘ：（ｘは自然数）
原料ガス＝Ｈｆ（ＯＳｉＥｔ_３）_４；反応ガス＝Ｏ_２
ＺｒＯ_２：
原料ガス＝Ｚｒ（Ｏｔ−Ｂｕ）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｚｒ（ＭＭＰ）_４；反応ガス＝Ｏ_２
ＳｉＯ_２：
原料ガス＝Ｓｉ（ＯＥｔ）_４；反応ガス＝Ｏ_３
原料ガス＝Ｓｉ（ＮＭｅ_２）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝ＨＳｉ（ＮＭｅ_２）_３；反応ガス＝Ｏ_２
（ＨｆＯ_２）ｘ（ＳｉＯ２）ｙ：（ｘ，ｙは自然数）
原料ガス＝Ｈｆ（ＮＥｔ_２）_４＋Ｓｉ（ＮＭｅ_２）_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（Ｏｔ−Ｂｕ）_４＋ＳｉＨ_４；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（Ｏｔ−Ｂｕ）_４＋Ｓｉ_２Ｈ_６；反応ガス＝Ｏ_２
原料ガス＝Ｈｆ（Ｏｔ−Ｂｕ）_４＋Ｓｉ（ＯＥｔ）_４；反応ガス＝Ｏ_２

また、金属薄膜としては以下のものが挙げられる。
Ｒｕ／ＲｕＯ_２：
原料ガス＝Ｒｕ（ＥｔＣｐ）_２；反応ガス＝Ｏ_２
ＴａＮ：
原料ガス＝Ｔａ（Ｎｔ−Ａｍ）（ＮＭｅ_２）_３；反応ガス＝ＮＨ_３
なお、上記化学式において、Ｍｅはメチル基（ＣＨ_３）、Ｅｔはエチル基（Ｃ_２Ｈ_５）、Ｂｕはブチル基（Ｃ₄Ｈ₉）、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、Ａｍはアミル基（Ｃ_５Ｈ_１１）、ＭＭＰはメトキシプロポキシ基を示す。また、各原料ガスの元の液状原料としては、オクタンなどの有機溶媒により希釈して、例えば０．２モル／リットルの濃度としたものを用いることができる。

図５は、キャリアガスの流量を変えたときの成膜室１３２内に設置された基板中央部の３００ｍｍウエハ上に現れたパーティクル数を計測した結果を示すものである。ここで、成膜温度は５５０℃、成膜室１３２の圧力は約４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、成膜時間は１２０秒、液状原料として用いたＨＴＢ（０．２モル／リットルの濃度）の供給量は４５ｍｇ／分、気化器１２０においてキャリアガスとして用いたＮ_２の流量は１５００ｓｃｃｍ及び５００ｓｃｃｍ、反応ガスとして用いたＯ_２の流量は１００ｓｃｃｍとした。ここで、図中丸印は０．１μｍ以上の粒径を有するパーティクル数を示し、図中三角印は０．１６μｍ以上の粒径を有するパーティクル数を示し、図中四角印は０．２μｍ以上の粒径を有するパーティクル数を示す。

図５に示すように、キャリア流量が１５００ｓｃｃｍである場合に較べて、キャリア流量が５００ｓｃｃｍの場合には、０．１μｍ以上の粒径を有するパーティクル数が１／１０近くに激減する。この傾向は、０．１６μｍ以上の粒径を有するパーティクル数及び０．２μｍ以上の粒径を有するパーティクル数についても同様であり、図６に示すように、キャリア流量が増大するに従ってパーティクル数が増大している。このように、気化器１２０においてキャリアガスの流量が増大すると、成膜室１３２内に導入されるパーティクル数が増大し、特に０．１〜０．１５μｍの微小なパーティクルの数が大幅に増大することがわかる。これは、図３に示すように、キャリアガスの流量が増大すると、噴霧ノズル１２１で噴霧されるミストの飛翔範囲が拡大し、気化室１２２の内面にて固形物が析出したり、微細なミストが多数発生し、この微細なミストから溶媒のみが揮発することによって固形物が析出したりするためと考えられる。なお、上記条件の場合には、気化器１２０に導入されるキャリアガスの流量は、パーティクル数を抑制するためには３０〜６００ｓｃｃｍの範囲内であることが好ましく、特に、５０〜５００ｓｃｃｍの範囲内であることが望ましい。

上記のような結果から、気化器１２０にて液状原料とともに噴出されるキャリアガスの流量を低下させれば、成膜室１３２に導入されるパーティクル数を低減することができることがわかるが、一方、キャリアガスの流量を低下させると、成膜室１３２内の原料ガスの分布が不均一になり、基板上の薄膜の膜厚の面内均一性が低下したり、膜質がばらついたりするという問題点がある。これは、噴霧原料が十分温度の高い気化領域（先端側部分）に到達せず、低温側（基端側部分）に留まるミストが多くなり、これらがミストのままで供給されてしまうからである。そこで、本実施形態では、図１に示すように、気化器１２０と成膜室１３２との間にキャリアガスの追加導入部を設けている。具体的には、原料ガス供給管１２４の途中に追加キャリアガス供給管１２５を接続している。この追加キャリアガス供給管１２５を設けることで、気化器１２０から導出される原料ガス供給管１２４内にキャリアガスを追加導入することができるので、気化器１２０の噴霧ノズル１２１から噴出するキャリアガス量を少なくしても、成膜室１３２へ供給されるキャリアガス分圧を高めることができ、その結果、成膜室１３２に導入されるパーティクル数を減少させつつ、基板Ｗ上に成膜された薄膜の均一性を高めることができる。

上記の装置を用いて、追加キャリアガス供給の有無によるウエハ上に成膜される薄膜の品位への影響について実験を行った。その結果を以下の表１に示す。ここで、原料ガスはオクタンで希釈された濃度０．２モル／リットルのＨＴＢを気化したもの、反応ガスはＯ_２、気化器に導入されるキャリアガスと追加キャリガガスはいずれもＮ_２とした。また、ウエハは３００ｍｍ径のシリコン基板であり、成膜された薄膜の厚さはエリプソメータにより測定した。膜厚測定点は、中心点を含み、ウエハ周縁３ｍｍを除いた４９点で測定した。パーティクルの測定方法は上記と同様であり、ウエハ上の０．２μｍ以上の粒径のパーティクルを計数した。

上記表１に示すように、気化器にて導入されるキャリアガス量が多く、追加キャリアガスを供給しない実施例Ａでは、成膜室へ導入されるパーティクルは多いが、薄膜の均一性は高い。これに対して、気化器へ導入されるキャリアガスの流量を低減した比較例では、成膜室へ導入されるパーティクルは激減したものの、薄膜の均一性が大幅に悪化している。そして、気化器にて導入されるキャリアガスを低減し、追加キャリアガスを導入して全体としてキャリアガスの流量を多くした実施例Ｂでは、パーティクルはきわめて少なく、しかも、薄膜の均一性もきわめて高い。

図７は、上記とは異なる気化器の構成例を示す概略断面図である。この気化器２２０では、上記実施形態と同様の噴霧ノズル２２１、気化室２２２、導出口２２３を備えている。また、上記実施形態と同様の発熱体が設けられているが図示を省略してある。この気化器２２０が上記実施形態と異なる点は、噴霧ノズル２２１とその周囲の気化器壁との間に断熱材２２８が配置されていることである。これによって噴霧ノズル２２１の温度上昇が抑制されるため、噴霧ノズル２２１内において液状原料が突沸して液状原料の噴霧量が変動したり、噴霧ノズル２２１内にて固形物が析出して目詰まりを起こしたりすることを防止することができる。

また、この構成例の気化器２２０では、気化室２２２が噴霧ノズル２２１から噴霧方向に向けてほぼ同一の断面を有する形状（例えば円筒状）に構成されている。ただし、噴霧ノズル２２１に対して噴霧方向に対向する内面部分２２２ａは上記実施形態と同様に凹曲面状に構成されている。このような気化室形状であっても、上記実施形態と同様に噴霧方向に延長された気化室形状を有し、導出口が基端側部分の内側面に開口しているので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

さらに、この気化器２２０では、基端側部分２２０Ｘと、先端側部分２２０Ｙとの間に断面積の低減された中間部分２２０Ｚが設けられているが、この中間部分２２０Ｚの断面積は、基端側部分２２０Ｘと先端側部分２２０Ｙのいずれの断面積よりも小さく形成されている。

図８は、上記とはさらに異なる気化器の構成例を示す概略断面図である。この気化器３２０では、上記実施形態と同様の噴霧ノズル３２１、気化室３２２、導出口３２３を備え、発熱体は図７と同様に図示を省略してある。また、図７に示す気化器２２０と同様の断熱材３２８を有している。この構成例の気化室３２２は、噴霧ノズル３２１からその噴霧方向に進むに従って、基端側部分３２０Ｘにおいて断面積が徐々に増大し、その先の先端側部分３２０Ｙにおいて最大の断面積を有した後に徐々に断面積が減少するといった形状を備えている。このような気化室形状であっても、上記実施形態と同様に噴霧方向に延長された気化室形状を有し、導出口が基端側部分の内側面に開口しているので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、この気化器３２０は、基端側部分３２０Ｘと先端側部分３２０Ｙとの間に断面積の低減された中間部分３２０Ｚが設けられている点では気化器２２０と同様であるが、この中間部分３２０Ｚの外側において基端側部分３２０Ｘと先端側部分３２０Ｙとの間に断熱材３２９が配置されている点で異なる。ここで、中間部分３２０Ｚを設けることなく、基端側部分３２０Ｘと先端側部分３２０Ｙとの間に断熱材３２９のみを介在させてもよい。

尚、本発明の成膜装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、原料ガス種が一種類のみであるとして説明しているが、複数の原料ガス種を用いて成膜を行ってもよい。この場合には、上記原料供給系を複数設け、これらから供給される複数の液状原料を混合して気化器に供給してもよく、或いは、複数の気化器を設けて、これらの気化器を液状原料毎に専用の気化器として用いてもよい。また、上記実施形態ではＭＯＣＶＤ装置として構成した例を示したが、プラズマＣＶＤ装置やＡＬＤ（原子層成膜）装置やＬＰ−ＣＶＤ（バッチ式、縦型、横型、ミニバッチ式）などの種々の成膜装置にも適用可能である。

本発明に係る実施形態の成膜装置１００の全体構成を示す概略構成図。気化器１２０の概略構成断面図。液状原料及びキャリアガスの流量を増加させたときの気化器の概略断面図。成膜装置本体の概略構成断面図。キャリアガス流量を変えたときのパーティクル数を示すグラフ。パーティクル数のキャリアガス流量依存性を示すグラフ。気化器の異なる構成例を示す概略構成断面図。気化器のさらに異なる構成例を示す概略構成断面図。従来の気化器の構造例を示す概略断面図。実施例の気化器と比較例の気化器についてそれぞれ気化室内部の流速及び流れ方向の分布を示す分布図。実施例の気化器と比較例の気化器についてそれぞれ気化室中心部の流速とノズルからの距離との関係を示すグラフ。実施例の気化器と比較例の気化器についてそれぞれ気化室内部の温度分布を示す分布図。実施例の気化器と比較例の気化器についてそれぞれ気化室中心部の温度とノズルからの距離との関係を示すグラフ。

１００…成膜装置、１１０…原料供給系、１１１…原料容器、１１３…原料供給管、１１６…流量制御器、１１５…ガス供給管、１２０…気化器、１２１…噴霧ノズル、１２１ａ…原料噴出口、１２１ｂ…ガス噴出口、１２２…気化室、１２２ａ…内面部分、１２３…導出口、１２４…原料ガス供給管、１２５…追加キャリアガス供給管、１３０…成膜部、１３１…ガス導入部、１３２…成膜室、１３３…反応ガス供給管、１３５…サセプタ

Claims

液状原料を供給する原料供給系と、前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器と、該気化器から供給される前記原料ガスを導入して成膜を行う成膜室とを有する成膜装置であって、
前記気化器は、前記液状原料を噴霧する噴霧ノズルを備えた噴霧手段と、該噴霧手段によって霧化された前記液状原料を気化して前記原料ガスを生成するための気化室と、該気化室を加熱する加熱手段と、前記気化室から前記原料ガスを導出する導出口とを有し、
前記気化室は前記噴霧手段による噴霧方向に延長された形状を有し、前記気化室の前記噴霧方向の長さと前記噴霧方向と直交する断面の円換算直径との比が３〜５の範囲内であり、その基端側部分は前記噴霧方向に進むに従って漸次内径が増大するようにテーパ状に構成された内面部分を備え、
前記噴霧ノズルは、前記液状原料を噴出する原料噴出口と、該原料噴出口の周囲に隣接して設けられたキャリアガスを噴出する環状のガス噴出口とを有し、前記原料噴出口における前記液状原料の噴出方向と、前記ガス噴出口における前記キャリアガスの噴出方向とが実質的に同一であり、
前記導出口は前記気化室の延長方向の中間位置よりも前記噴霧ノズルに近い側面位置において前記テーパ状に構成された内面部分に開口し、
前記気化器と前記成膜室との間の原料ガス供給管にキャリアガスの追加導入部を有し、
成膜時において前記追加導入部よりキャリアガスが導入されることを特徴とする成膜装置。
前記気化室の前記噴霧方向と直交する断面は円形であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
前記加熱手段は、前記気化室の前記噴霧ノズル側よりも、前記噴霧ノズルとは反対側の温度が高くなるように加熱することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。