JP6078335B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム - Google Patents
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Description
基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、前記気化器内に形成された気化室に接続され前記気化室内に前記液体原料を供給する液体原料供給ユニットと、前記液体原料供給ユニットとは独立して前記気化室に接続され前記気化室に前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給ユニットと、を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化ガス供給系を制御して、前記液体原料供給ユニットおよび前記キャリアガス供給ユニットからそれぞれ前記液体原料および前記キャリアガスを前記気化室に供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整するように構成される制御部と
を有する基板処理装置が提供される。
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器が提供される。
気化器を加熱する手順と、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、前記気化器内に形成された気化室に接続され前記気化室内に前記液体原料を供給する液体原料供給ユニットと、前記液体原料供給ユニットとは独立して前記気化室に接続され前記気化室に前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給ユニットと、を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化ガス供給系を制御して、前記液体原料供給ユニットおよび前記キャリアガス供給ユニットからそれぞれ前記液体原料および前記キャリアガスを前記気化室に供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
気化器を加熱する手順と、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
処理炉202は、中心線が垂直になるように縦向きに配されて筐体(図示せず)によって固定的に支持された反応管としての縦形のプロセスチューブ205を備えている。プロセスチューブ205は、インナチューブ204とアウタチューブ203とを備えている。インナチューブ204およびアウタチューブ203は、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状にそれぞれ一体成形されている。
マニホールド209の側壁の一部には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。マニホールド209と排気管231との接続部には、処理室201内の雰囲気を排気する排気口が形成されている。排気管231内は、排気口を介して、インナチューブ204とアウタチューブ203との間に形成された隙間からなる排気路内に連通している。なお、排気路の横断面形状は、一定幅の円形リング形状になっている。排気管231には、上流から順に、圧力センサ245、圧力調整バルブとしてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ231a、真空排気装置としての真空ポンプ231cが設けられている。真空ポンプ231cは、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。APCバルブ231aおよび圧力センサ245には、コントローラ280が電気的に接続されている。コントローラ280は、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ245により検出された圧力に基づいてAPCバルブ231aの開度を制御するように構成されている。主に、排気管231、圧力センサ245、APCバルブ231aにより、本実施形態に係る排気ユニット(排気系)が構成される。また、真空ポンプ231cを排気ユニットに含めてもよい。
マニホールド209には、マニホールド209の下端開口を閉塞するシールキャップ219が垂直方向下側から当接される。シールキャップ219は、アウタチューブ203の外径と同等以上の外径を有する円盤形状に形成されており、プロセスチューブ205の外部に垂直に設備されたボートエレベータ115によって水平姿勢で垂直方向に昇降される。
アウタチューブ203の外部には、プロセスチューブ205内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット207が、アウタチューブ203を包囲するように設けられている。ヒータユニット207は、基板処理装置の筐体(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっており、例えばカーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータとして構成されている。プロセスチューブ205内には、温度検出器としての温度センサ269が設置されている。主に、ヒータユニット207、温度センサ269により、本実施形態に係る加熱ユニット(加熱系)が構成される。
インナチューブ204の側壁(後述する排気孔204aとは180度反対側の位置)には、チャンネル形状の予備室201aが、インナチューブ204の側壁からインナチューブ204の径方向外向きに突出して垂直方向に長く延在するように形成されている。予備室201aの側壁はインナチューブ204の側壁の一部を構成している。また、予備室201aの内壁は処理室201の内壁の一部を形成している。予備室201aの内部には、予備室201aの内壁(すなわち処理室201の内壁)に沿うように、予備室201aの内壁の下部より上部に沿ってウエハ200の積層方向に延在されて処理室201内にガスを供給するノズル249i、249b、249a、249hが設けられている。すなわち、ノズル249i、249b、249a、249hは、ウエハ200が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。ノズル249i、249b、249a、249hはL字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド209を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。便宜上、図1には1本のノズルを記載しているが、実際には図2に示すように4本のノズル249i、249b、249a、249hが設けられている。ノズル249i、249b、249a、249hの側面には、ガス(原料ガス)を供給する多数のガス供給孔250i、250b、250a、250hがそれぞれ設けられている。ガス供給孔250i、250b、250a、250hは、下部から上部にわたってそれぞれ同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。
図7を参照すれば、制御部(制御手段)であるコントローラ280は、CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、記憶装置280c、I/Oポート280dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM280b、記憶装置280c、I/Oポート280dは、内部バス280eを介して、CPU280aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ280には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置282が接続されている。
<ステップS105>
ステップS105(図8、図9参照、第1の工程)では、まずTEMAZガスを流す。ガス供給管232aのバルブ233aを開き、ベントライン232eのバルブ233eを閉じることで、気化器270、ミストフィルタ300およびガスフィルタ301を介してガス供給管232a内にTEMAZガスを流す。ガス供給管232a内を流れるTEMAZガスは、液体マスフローコントローラ295cにより流量調整される。流量調整されたTEMAZガスはノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。このとき、同時にバルブ233cを開き、不活性ガス供給管232c内にN2ガス等の不活性ガスを流す。不活性ガス供給管232g内を流れるN2ガスは、マスフローコントローラ235cにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはTEMAZガスと一緒に処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。また、バルブ233hを開いて、ガス供給管232h、ノズル249h、ガス供給孔250hからN2ガス等の不活性ガスを流し、バルブ233iを開いて、ガス供給管232i、ノズル249i、ガス供給孔250iからN2ガス等の不活性ガスを流す。
ステップS106(図8、図9参照、第2の工程)では、バルブ233aを閉じ、バルブ233eを開けて処理室201内へのTEMAZガスの供給を停止し、TEMAZガスをベントライン232eへ流す。このとき、ガス排気管231のAPCバルブ231aは開いたままとして、真空ポンプ231cにより処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはジルコニウム含有層形成に寄与した後のTEMAZガスを処理室201内から排除する。
ステップS107(図8、図9参照、第3の工程)では、処理室201内の残留ガスを除去した後、ガス供給管232bのバルブ233j及びバルブ233bを開き、ベントライン232gのバルブ233gを閉めることで、オゾナイザ220によって生成されたO3ガスは、マスフローコントローラ235bにより流量調整され、ノズル249bのガス供給孔250bから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。この時同時にバルブ233fを開き、不活性ガス供給管232f内にN2ガスを流す。N2ガスはO3ガスと一緒に処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。また、バルブ233hを開いて、ガス供給管232h、ノズル249h、ガス供給孔250hからN2ガス等の不活性ガスを流し、バルブ233iを開いて、ガス供給管232i、ノズル249i、ガス供給孔250iからN2ガス等の不活性ガスを流す。
ステップS108(図8、図9参照、第3の工程)では、ガス供給管232bのバルブ233jを閉じ、バルブ233gを開けて処理室201内へのO3ガスの供給を停止し、O3ガスをベントライン232gへ流す。このとき、ガス排気管231のAPCバルブ31aは開いたままとして、真空ポンプ231gにより処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のO3ガスを処理室201内から排除する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の好ましい一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化器に形成される気化室に液体原料およびキャリアガスを供給し、前記気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記制御部は、前記気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が0.006%以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、さらに、前記気化器を加熱する加熱系を有し、前記制御部は、前記液体原料を気化する際は、前記気化器を略150℃で加熱するよう前記加熱系および前記気化ガス供給系を制御するように構成される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記処理室に、前記気化ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系をさらに有し、
前記制御部は、前記気化ガスと反応ガスを互いに混合しないよう交互に前記処理室に供給することにより、前記処理室内に収容された基板に膜を形成するよう前記気化ガス供給系、前記反応ガス供給系を制御するように構成される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、さらに、前記気化器と前記処理室との間に設けられたガスフィルタと、前記気化器とガスフィルタの間に設けられたミストフィルタを有する。
付記5の基板処理装置であって、好ましくは、前記ミストフィルタは、異なる位置に穴を有する少なくとも2種のプレートを複数枚組み合わせて構成される。
本発明の好ましい他の態様によれば、
気化器の気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が20%以下となるよう、液体原料とキャリアガスを気化室内に供給し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記7の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料は前記処理室に供給される前に一定量が再液化してしまうような蒸気圧が低い液体原料である。
付記7の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料は、ジルコニウム含有原料、ハフニウム含有原料、アルミニウム含有原料、チタン含有原料、シリコン含有原料、タンタル含有原料、コバルト含有原料、ニッケル含有原料、ルテニウム含有原料のいずれかから選択される。
付記7の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程では、気化室内の圧力を200Torr以上とし、1g/min以上の液体原料、5slm以上のキャリアガスを供給する。
付記10の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程では、前記気化室内に、5g/min以上の液体原料を供給する。
付記11の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程では、前記気化室内に、6g/min以上の液体原料を供給する。
付記10の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程では、前記気化室内に、キャリアガスを25sm以上供給する。
付記13の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程では、前記気化器の上部から10slmのキャリアガスを前記気化室内に供給し、前記気化器の下部から15slmのキャリアガスを前記気化室内に供給し、合わせて少なくとも25slmのキャリアガスを前記気化室内に供給する。
本発明の好ましい他の態様によれば、
気化器の気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が1.8%以下となるよう、液体原料とキャリアガスを気化室内に供給し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、基板を処理する工程と、
を有する基板処理方法が提供される。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
気化器の気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が1.8%以下となるよう、液体原料とキャリアガスを気化器の気化室内に供給し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システムが提供される。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
気化器を加熱する手順と、
前記気化器の気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が1.8%以下となるよう、液体原料とキャリアガスを気化室内に供給する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、
気化器を加熱する手順と、
前記気化器の気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が1.8%以下となるよう、液体原料とキャリアガスを気化室内に供給する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
201 処理室
202 処理炉
205 プロセスチューブ
220 オゾナイザ
232a、232b ガス供給管
235b、235c、295a、295b マスフローコントローラ
295c 液体マスフローコントローラ
249a、249b ノズル
269 温度センサ
270 気化器
274 気化室
280 コントローラ
291 液体原料
300 ミストフィルタ
301 ガスフィルタ
302 圧力計
Claims (18)
- 基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、前記気化器内に形成された気化室に接続され前記気化室内に前記液体原料を供給する液体原料供給ユニットと、前記液体原料供給ユニットとは独立して前記気化室に接続され前記気化室に前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給ユニットと、を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化ガス供給系を制御して、前記液体原料供給ユニットおよび前記キャリアガス供給ユニットからそれぞれ前記液体原料および前記キャリアガスを前記気化室に供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.5%以下となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記キャリアガスの流量が25slm以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が0.006%以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理室に、前記気化ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系をさらに有し、
前記制御部は、前記気化ガスと前記反応ガスを互いに混合しないよう交互に前記処理室に供給することにより、前記処理室内に収容された基板に膜を形成するよう前記気化ガス供給系、前記反応ガス供給系を制御するように構成される請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記気化器と前記処理室との間に設けられたガスフィルタと、前記気化器とガスフィルタの間に設けられたミストフィルタを有する請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ミストフィルタは、異なる位置に穴を有する少なくとも2種のプレートを複数枚組み合わせて構成される請求項6に記載の基板処理装置。
- 気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システム。
- 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器。
- 気化器を加熱する手順と、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が1.8%以下となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、前記気化器内に形成された気化室に接続され前記気化室内に前記液体原料を供給する液体原料供給ユニットと、前記液体原料供給ユニットとは独立して前記気化室に接続され前記気化室に前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給ユニットと、を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化ガス供給系を制御して、前記液体原料供給ユニットおよび前記キャリアガス供給ユニットからそれぞれ前記液体原料および前記キャリアガスを前記気化室に供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が14以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記キャリアガスの流量が25slm以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項12または請求項13に記載の基板処理装置。
- 気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システム。
- 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器。
- 気化器を加熱する手順と、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記キャリアガスの流量が5slm以上、前記気化室内における前記液体原料の分圧に対する前記液体原料の飽和蒸気圧の割合が12以上となるよう前記液体原料の流量および前記キャリアガスの流量を調整する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
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TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
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JP6448502B2 (ja) | 2015-09-09 | 2019-01-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
CN107924840B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-04-01 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
CN108369911B (zh) * | 2015-12-18 | 2022-06-17 | 株式会社国际电气 | 贮留装置、气化器、基板处理装置以及半导体装置的制造方法 |
CN108780752A (zh) * | 2016-03-24 | 2018-11-09 | 株式会社国际电气 | 气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
KR20180027780A (ko) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 기화기 |
JP6891018B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-06-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、気化システム及びミストフィルタ並びに半導体装置の製造方法 |
JP6602332B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6742265B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置 |
JP6923396B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
US11661654B2 (en) | 2018-04-18 | 2023-05-30 | Lam Research Corporation | Substrate processing systems including gas delivery system with reduced dead legs |
JP7055075B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
KR20220043028A (ko) * | 2020-09-28 | 2022-04-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기화 시스템, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2022256478A1 (en) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | Inficon, Inc. | A system and method for mass flow measurement and control of process gases in a carrier stream using one or more quartz crystal microbalance sensors |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3585901D1 (de) * | 1984-02-13 | 1992-05-27 | Iii Jerome J Schmitt | Verfahren und vorrichtung fuer gasstrahlniederschlag von leitfaehigen und dielektrischen duennen festfilmen und so hergestellte erzeugnisse. |
US5100868A (en) * | 1990-04-17 | 1992-03-31 | Alfred University Inc. | Process for preparing superconducting films by radio-frequency-generated aerosol plasma deposition |
JP3391829B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2003-03-31 | キヤノン株式会社 | 液体状の原料を用いる化学気相堆積法及び装置 |
DE69218152T2 (de) * | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
US5520969A (en) * | 1994-02-04 | 1996-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification |
JP3601153B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2004-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 |
JP3392299B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-03-31 | 株式会社フジクラ | Cvd用原料溶液気化装置 |
US6409839B1 (en) * | 1997-06-02 | 2002-06-25 | Msp Corporation | Method and apparatus for vapor generation and film deposition |
DE19882473T1 (de) * | 1997-06-02 | 2002-01-31 | Msp Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Dampferzeugung und Schichtaufbringung |
JPH11111644A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置 |
US20030101938A1 (en) * | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
KR100368319B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액체운송장치 |
WO2002020864A2 (en) * | 2000-06-16 | 2002-03-14 | Applied Materials, Inc. | System and method for depositing high dielectric constant materials and compatible conductive materials |
US7163197B2 (en) * | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
JP4421119B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2010-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
US6790475B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-09-14 | Wafermasters Inc. | Source gas delivery |
JP3809391B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2006-08-16 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
US6772072B2 (en) * | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
US6921062B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
JP4288049B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2009-07-01 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給方法 |
US6779378B2 (en) | 2002-10-30 | 2004-08-24 | Asm International N.V. | Method of monitoring evaporation rate of source material in a container |
JP2005039034A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置及び気化供給方法 |
JP4607474B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20060060139A1 (en) * | 2004-04-12 | 2006-03-23 | Mks Instruments, Inc. | Precursor gas delivery with carrier gas mixing |
US8435351B2 (en) * | 2004-11-29 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system |
US20070042119A1 (en) * | 2005-02-10 | 2007-02-22 | Larry Matthysse | Vaporizer for atomic layer deposition system |
JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
JP4973071B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20080145533A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US20080141937A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling a vapor delivery system |
JP5213341B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器,気化モジュール,成膜装置 |
EP2187708B1 (en) * | 2007-09-10 | 2013-01-23 | Ulvac, Inc. | Film deposition apparatus with organic-material vapor generator |
JP5104151B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
CN101802255A (zh) * | 2007-09-21 | 2010-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
JP5200551B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
JP5385002B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US8151814B2 (en) * | 2009-01-13 | 2012-04-10 | Asm Japan K.K. | Method for controlling flow and concentration of liquid precursor |
JP2010219292A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2011003599A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2011054938A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法 |
JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5573666B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び成膜装置 |
JP2012162754A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 液体原料の気化方法及び気化器 |
US9243325B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-01-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof |
-
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