JP5200551B2 - 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 - Google Patents

気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5200551B2
JP5200551B2 JP2008009710A JP2008009710A JP5200551B2 JP 5200551 B2 JP5200551 B2 JP 5200551B2 JP 2008009710 A JP2008009710 A JP 2008009710A JP 2008009710 A JP2008009710 A JP 2008009710A JP 5200551 B2 JP5200551 B2 JP 5200551B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
pressure
liquid raw
vaporized
vaporization chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008009710A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009170800A (ja
Inventor
庸之 岡部
寿 加藤
潤哉 平賀
宏之 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008009710A priority Critical patent/JP5200551B2/ja
Priority to US12/318,971 priority patent/US20090186479A1/en
Priority to KR1020090003550A priority patent/KR101103119B1/ko
Priority to TW098101520A priority patent/TWI434364B/zh
Priority to CN2009100012830A priority patent/CN101488449B/zh
Publication of JP2009170800A publication Critical patent/JP2009170800A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5200551B2 publication Critical patent/JP5200551B2/ja
Priority to US14/088,028 priority patent/US9159548B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、例えばＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＬＤ（Ｍｏｌｅｃｕｌｅ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、或いは減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を行う成膜処理部等の消費装置に、例えば液体原料を気化して得た気化原料（処理ガス）を供給するための気化原料供給装置、及び気化原料供給方法に関し、またこの気化装置を適用した成膜装置に関する。
半導体製造プロセスの一つである減圧ＣＶＤ装置において、液体原料を気化器により気化して用いる場合がある。この液体原料の気化方式としては、例えば液体原料供給路を同心円状に囲むようにキャリアガス供給路を設け、これらの供給路の下端部に設けられたノズルから液体原料及びキャリアガスを吐出させて、いわば霧吹きの作用によりミスト化した液体原料を加熱して気化する方式が知られている。
このようなスプレーノズル方式では、気化室内部の圧力を、液体原料が気化する圧力の上限値より低くする必要があり、従来から気化室内部の圧力は低い程良いとされていた。一方、半導体デバイスは、高誘電体薄膜が使用されるようになり、Ｓｒ(ＴＨＤ)２〔ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト〕、Ｔｉ(ＭＰＤ)(ＴＨＤ)２〔チタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト〕等の固体材料やＳｒ(ＭＥＴＨＤ)２〔ストロンチウムビスメトキシエトキシテトラメチルヘプタンジオナト〕等の高粘度液体ソースを溶剤に溶解させて得た液体原料を気化させることが検討されている。このような液体原料を気化する場合、液体原料の供給量が少ないと、気化室内部の圧力が低くなり過ぎることに起因して、ノズル先端部で溶媒である溶剤だけが先行して沸騰してしまい、液体原料の溶質がノズル先端部で析出し、ノズルの閉塞やスプレー異常が発生して気化効率の悪化により残渣が増加し、ウェハパーティクル汚染の要因になるという問題が発生してしまう。
このような問題に対し、気化室内部の圧力を圧力センサによって監視し、気化室内部の圧力が低下したことを検出した場合、導入管の内部が乾燥して目詰まりすることを未然に防止して、スプレーノズルの閉塞やスプレー異常の発生を防止することが知られている（引用文献１）。この引用文献１に記載の発明は、気化室内部の圧力を圧力センサによって監視しており、気化室内部の圧力が低下したことを検出すると、溶液原料の供給を停止して成膜工程を中断し、溶液原料の溶媒よりも気化温度の高い溶媒を導入管に流入させることによって、導入管の内部の乾燥を抑制すると共に気化室内部の圧力低下によって析出した溶液原料の有機金属を溶解して導入管の内部を清浄化するものである。これにより、引用文献１に記載の発明では、導入管の先端部における目詰まりを未然に防止することが可能となり、導入管を交換する際に必要とされた約２日間という作業時間を不要として、生産性を向上させることができる。
しかしながら、引用文献１に記載の発明では、気化室内部の圧力低下が成膜プロセス中に発生すると、それまで成膜工程を行っていた基板は、成膜工程が完了しておらず、また気化室内部の圧力低下によって析出した有機金属等によりパーティクル汚染の懸念があることから、この基板は廃棄されている。従って、引用文献１に記載の発明では、気化室内部の圧力が低下した際に導入管に目詰まりが発生しないように安全に装置を停止させることは可能であるが、その後、成膜工程中の基板の廃棄、及び新たに基板をセットするという工程を行う必要があった。
特開２００２−３２４７９４号公報（５頁段落２、図１）
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜工程を停止させることなく、気化室内部の圧力を安定化してノズル閉塞を防止し、安定した成膜プロセスを行うことができる気化原料供給装置、成膜装置、及び気化原料供給方法を提供することにある。
本発明の気化原料供給装置は、
液体原料供給路に分岐して接続され、液体原料に溶剤を供給する溶剤供給路と、
前記液体原料を気化するための気化室を形成する気化器本体と、
前記液体原料をキャリアガスにより霧化して、前記気化室内に供給するノズルと、 前記霧化された液体原料を気化するために前記気化室内を加熱する加熱手段と、
前記気化室内で気化された液体原料を消費装置に供給するための気体供給路と、
前記気化室内の圧力を検出可能な圧力検出部と、
前記溶剤供給路に設けられ、前記溶剤の流量を調整するための流量調整部と、
前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように前記流量調整部を制御する制御部と、を備えたことを特徴としている。
更に他の発明の気化原料供給装置は、
液体原料を気化するための気化室を形成する気化器本体と、
液体原料をキャリアガス流路から供給されたキャリアガスにより霧化して、前記気化室内に供給するノズルと、
前記霧化された液体原料を気化するために前記気化室内を加熱する加熱手段と、
前記気化室内で、気化された液体原料を消費装置に供給するための気体供給路と、
前記気化室内の圧力を検出可能な圧力検出部と、
前記キャリアガス流路に設けられ、前記キャリアガスの流量を調整するための流量調整部と、
前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように前記流量調整部を制御する制御部と、を備えたことを特徴としている。
前記設定圧力は、例えば前記液体原料の気化が不安定であるため圧力検出値がハンチングを起こす圧力よりも高い圧力とされる。前記液体原料は、例えば固体材料を溶剤に溶解したものが用いられている。
本発明の成膜装置は、
本発明の気化原料供給装置と、
この気化原料供給装置の下流に設けられ、前記気化原料供給装置から送られた気化原料を用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴としている。
本発明の気化原料供給方法は、
液体原料供給路の下流端に接続されたノズルと、前記液体原料供給路から分岐され、当該液体原料供給路に流れる液体原料に溶剤を供給するための溶剤供給路と、を用い、
前記ノズルから、液体原料をキャリアガスにより霧化して気化室内に供給する工程と、
前記気化室内を加熱手段により加熱し、霧化された液体原料を気化する工程と、
気化された液体原料を気体供給路から消費装置に供給する工程と、
圧力検出部によって前記気化室内部の圧力を監視し、前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように、前記溶剤供給路に設けられた流量調整部により溶剤の流量を制御する工程と、を含むことを特徴としている。
本発明の気化原料供給方法は、
ノズルから、液体原料をキャリアガスにより霧化して気化室内に供給する工程と、
前記気化室内を加熱手段により加熱し、霧化された液体原料を気化する工程と、
気化された液体原料を気体供給路から消費装置に供給する工程と、
圧力検出部によって前記気化室内部の圧力を監視し、前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように、キャリアガス供給路に設けられた流量調整部によりキャリアガスの流量を制御する工程と、を含むことを特徴としている。
本発明によれば、圧力検出部を介して気化室内部の圧力を監視し、設定圧力よりも低くなったときに液体原料と混合される溶剤の流量、あるいは気化用のキャリアガスの流量を調整することによって、気化室内部の圧力を高くして液体原料の気化が不安定になることを回避するように調整している。これにより本発明では、液体原料の流量が少量であってもノズル閉塞を防止してスプレー異常による気化効率の悪化を抑止し、これによって、残渣物の増加を抑えてパーティクル汚染を低減することができる。従って液体原料の気化を安定して行うことができ、成膜工程を中断させることなく安定した成膜プロセスを行うことができる。
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態の成膜装置１の概略を示す構成図であり、図２は、本実施形態の成膜装置１におけるガス供給系（気化原料供給装置）２０の気化装置２００とその周辺を示す図である。図１に示すように、本実施形態の成膜装置１は、例えば半導体ウェハ（以下、ウェハという）等の基板に対して所定の成膜処理を行うための成膜処理部１０と、この成膜処理部１０に所定の処理ガスを供給するためのガス供給系２０とを備えている。
成膜処理部１０は、反応容器である縦型の反応管１１内に図示しないウェハを多数搭載したウェハボートを搬入して、反応管１１内を排気管１２から真空排気手段である図示しない真空ポンプにより所定の真空度に維持すると共に、反応管１１の外側に設けられた図示しない加熱手段によりウェハを加熱し、後述する処理ガス供給管３０から反応管１１内に所定の処理ガスを導入して、ウェハに対して所定の成膜処理を行うように構成されている。ガス供給系２０は液体原料や、液体原料にも使用されている溶剤を貯留する貯留部２１と、この貯留部２１から供給される液体原料を気化するための気化装置２００及びこれらを結ぶ配管系により構成されている。
貯留部２１は、互いに異なる液体原料を貯留するための第１貯留槽２１ａ、及び第２貯留槽２１ｂと、液体原料にも使用されている溶剤のみを貯留する第３貯留槽２１ｃとで構成されている。この第１貯留槽２１ａ内の液体原料は、例えば固体材料であるＳｒ(ＴＨＤ)２をＴＨＦ（テトラヒドラフラン）溶剤により溶解して得た液体原料であり、第２貯留槽２１ｂ内の液体原料は、例えばＴｉ(ＭＰＤ)(ＴＨＤ)２を溶剤により溶解したものである。これらの液体原料は、本実施形態では同じ成膜プロセスにおいて両液体原料を交互に気化供給して用いられるが、同じ成膜プロセスにおいて両液体原料を混合して使用される場合もあり、また別々のプロセスで使用される場合もある。
第１貯留槽２１ａは第１原料供給管２２ａ、第２貯留槽２１ｂは、第２原料供給管２２ｂ、第３貯留槽２１ｃは、溶剤供給管２２ｃによって集合配管２３へと接続され、この集合配管２３とバルブＶ１２とを介して気化装置２００へと液体原料を供給し、また気化装置２００の洗浄時に溶剤を供給する態様となっている。これらの供給管２２ａ、２２ｂ、２２ｃには、バルブや流量調整部が設けられ、Ｖ１〜Ｖ６はバルブ、Ｍ１〜Ｍ３は流量調整部である。
また２４は、溶剤供給管２２ｃと、第１、第２原料供給管２２ａ、２２ｂとを接続する接続配管であり、Ｖ７、Ｖ８はバルブである。尚、各供給管２２ａ、２２ｂ、２２ｃの周囲に温度調節機構等を設けて液体原料と溶剤とが一定の温度、例えば４０℃程度となるように設定してもよい。また、第１貯留槽２１ａ、第２貯留槽２１ｂ、及び第３貯留槽２１ｃには、加圧気体供給管２５の一端側がバルブＶ９〜Ｖ１１を介して分岐して接続されており、この加圧気体供給管２５の他端側は、加圧気体例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスを供給するための図示しない加圧気体供給源に接続されている。
集合配管２３は、成膜プロセス時には、液体原料を供給するためのものであるから、この集合配管２３を液体原料供給管２３と呼ぶことにすると、この液体原料供給管２３は、冷却ブロック４０を通って気化装置２００に接続されている。以下、冷却ブロック４０及び気化装置２００について説明する。冷却ブロック４０は、一端側がキャリアガス供給部６０に接続されている、流量調整部Ｍ４とバルブＶ１３を備えたキャリアガス供給管２６（キャリアガス流路）の他端部が接続されている。そして、気化装置２００は、本体２０１とノズル５０とを備えており、ノズル５０は本体２０１の上面の開口部に気密に装着されている。
冷却ブロック４０は、液体原料を例えば１０℃に冷却するように構成されており、液体原料のみを冷却してノズル５０に供給することが可能となっている。また、キャリアガス供給管２６から供給されたキャリアガスをノズル５０の図示しないキャリアガス吐出口に供給するためのキャリアガス供給路が形成されている。そして、ノズル５０は、二重管構造のスプレー式ノズルとして構成されており、先端の吐出口（例えば孔径０．２５ｍｍ）から液体材原料が霧化されて（ミスト化されて）本体２０１内へと供給される。
本体２０１の側面下方、及び底面には、液体原料を気化して得た処理ガスを取り出すための取出口２０２、及び未気化の液体原料を排出するためのドレインポート２０３が設けられると共に、本体２０１の壁部には、気化室内部を加熱する例えば抵抗発熱体等からなる加熱手段２０４が埋設される。また本体２０１の下部にはヒーターを備えた円柱状の下部熱交換部２０５が設けられている。
前記取出口２０２には、処理ガス供給管（気体供給路）３０が気密状態で接続されている。前記ドレインポート２０３には、バルブＶ１４が介設されたミスト排出管２７を介して排出ポンプ８０が接続されている。そして、気化装置２００における気化室（気化室）内部の温度、及び圧力を夫々検出する、温度検出部２０６、及び圧力検出部７０が設けられており、加熱手段２０４、及び下部熱交換部２０５に対する電源部２０７からの供給電力を、温度検出部２０６の検出信号によって後述の制御部９０を介してコントロールするようになっている。
処理ガス供給管３０には、バルブＶ１５と、本実施形態の特徴的な部分である調整バルブ（圧力調整部）ＶＴ１とが配設されている。調整バルブＶＴ１は、処理ガス供給管３０によって供給される処理ガスの流量を調整するためのバルブであり、ガス供給系２０に設けられた例えばコンピュータからなる制御部９０により制御されるように構成されている。また、処理ガス供給管３０には、バルブＶ１６が介設された排出管２８を介して排出ポンプ８０が接続されている。
制御部９０は、ＣＰＵ、主記憶部、補助記憶部（例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、ハードディスク等）からなるデータ処理部等を備えている。そして、補助記憶部には、処理パラメータの入力操作や、表示に関する制御情報等を有し、ガス供給系２０の各部に制御信号を送り、後述の各ステップを進行させてウェハの処理や搬送等を行うような命令が組み込まれたプログラムと、特定の作業内容毎に、処理圧力、処理温度、処理時間、ガス流量または電力値等のパラメータの値を定めた工程表（レシピ）が格納されている。そして制御部９０は、補助記憶部からプログラムと処理パラメータとを主記憶部に読み出し、そのパラメータ値に応じた制御信号を設定してガス供給系２０の各部に制御信号を送り、ウェハの処理や搬送等を行う。
次に本実施形態の特徴的な部分である調整バルブ（圧力調整部）ＶＴ１による本体２０１内部の圧力調整の態様について説明する。ここで図３は、調整バルブＶＴ１の作用・効果について説明するための図であり、詳しくはキャリアガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを、０．５ｓｌｍ、若しくは０．３ｓｌｍ供給した状態で、記述のＳｒ(ＴＨＤ)２をＴＨＦ溶剤にて溶解させた液体原料の供給量を変化させながら供給した際に、気化装置における気化室内部の圧力がどのように変化したかを示す図である。尚、図３において、線ａは気化室内部の圧力を、破線ｂは液体原料の設定供給量をそれぞれ示している。
本実施形態と同様の気化装置では、気化室内部の圧力は、液体原料が気化する圧力の上限値があるため、その圧力よりも低い値となるようにされている。そして図３に示すように、アルゴンガスを０．５ｓｌｍ供給している状態で、破線ｂに示すように液体原料の供給量が３．０ｓｃｃｍ以上の場合、気化室内部の圧力は、線ａが略横ばいになっていることから安定していることが判る。しかし、液体原料の供給量が１．０ｓｃｃｍ前後の場合、気化室内部の圧力は線ａが激しく脈動していることから判るように不安定な状態になる。そして、図３の一点鎖線Ａで示す計測を始めて凡そ５０秒の地点で、アルゴンガスの供給量を０．３ｓｌｍに下げ、液体原料を約１．０ｓｃｃｍ供給している場合、気化室内部の圧力は、線ａがアルゴンガスを０．５ｓｌｍ供給している状態で液体原料を約０．５ｓｃｃｍ供給している場合と比較して激しく脈動していることから判るように、さらに不安定になる。
つまり本実施形態と同様の気化装置では、気化室内部に供給される液体原料やキャリアガスの供給量が低下して気化室内部の圧力が低い状態になると、気化室内部の圧力が激しく乱高下する不安定な状態になる。そして、気化室内部の圧力が不安定になるとノズル先端で液体原料の溶剤が沸騰して既述のようにノズル先端の閉塞やスプレー異常が起きる。そこで本実施形態の成膜装置１では、圧力検出部７０により気化室内部の圧力を監視して圧力の低下を検出すると、調整バルブＶＴ１を介して気化室内部の圧力を調整して圧力が乱高下する不安定な状態になることを防止する構成になっている。尚、設定圧力は、例えばプロセスレシピに書き込み、制御部９０がプロセスレシピを選択した時に読み出される。
ここで、気化室内部の圧力が、設定圧力よりも低くなったときに、調整バルブＶＴ１を介して圧力を上昇させる場合、その圧力が、液体原料が気化できる上限圧力よりも低い値を維持していることが必要である。図３を一例とすると、気化室内部の圧力の許容範囲は、液体原料が気化する圧力の上限約４ｋＰａ（３０Ｔｏｒｒ）から、前記内部圧力が乱高下し始める圧力値約２ｋＰａ（１５Ｔｏｒｒ）までの範囲となる。
そして制御部９０は、例えば選択されたレシピから設定圧力を読み出し、成膜工程中は圧力調整部７０の圧力検出値と設定圧力とを比較して、気化室内部の圧力が許容範囲を下回った場合には、調整バルブＶＴ１の開度を小さくすることによって処理ガス供給管３０を介して供給される処理ガスの流量を減少させる。これにより、気化室に供給される液体原料とキャリアガスの量が変わらず、気化室から流出する処理ガスの量のみが減少するので、気化室内部に処理ガスが停滞する時間が長くなり、気化室内部に処理ガスが溜まって気化室内部の圧力が上昇する。そして、このように処理ガスの流量を減らすように調整した後、気化室内部の圧力が許容範囲を上回った場合には、予め設定した量だけ調整バルブＶＴ１の開度を大きくして気化室内部における処理ガスが留まる程度を小さくし気化室内部の圧力を低下させ、液体原料が気化しなくなる高圧力領域に入り込まないようにする。
次に本実施形態の成膜装置１における成膜方法について説明する。まず、成膜処理部１０において、所定の枚数のウェハをウェハボードに搭載して反応管１１内に搬入し、当該反応管１１内を所定の温度、及び所定の圧力に安定された状態を維持する。次に処理ガスを成膜処理部１０に供給する。まず、図示しない加圧気体供給源から加圧気体であるヘリウム（Ｈｅ）を第１貯留槽２１ａに供給し、流量調整部Ｍ１によって流量を調整しながら液体原料を第１原料供給管２２ａと液体原料供給管２３とを介して冷却ブロック４０に供給する。冷却ブロック４０に供給された液体原料は、冷却された状態でノズル５０へと供給される。また、ノズル５０には、キャリアガス供給部６０から冷却ブロック４０を介して例えばアルゴン（Ａｒ）ガス等のキャリアガスが供給されている。これにより気化室内部には、ノズル５０から液体原料がスプレーされるように例えば５ｓｃｃｍの流量の液体原料がミスト状となり導入される。
気化室内部は、加熱手段２０４と下部熱交換部２０５により例えば１５０℃となるように加熱されているため、ノズル５０からミスト状に導入された液体原料は、均等に微細化された状態で下部熱交換部２０５と本体２０１の内壁とによって形成される気化空間へと到達し、本体２０１内部で熱交換が行われ気化して処理ガスとなり、取出口２０２を介して処理ガス供給管３０へと流入していく。
またノズル５０から導入されたミスト状の液体原料の内、気化せずに粒状物質（ミスト）となったものは、重力によって落下し本体２０１の底面へと衝突する。この衝突した粒状物質を取り除くために気化装置形成部材２０１の底面には、ドレインポート２０３が形成されており、このドレインポート２０３は、衝突した粒状物質が溜まって互いに凝集して液相になると、この液相が流れ込むように形成されている。
こうして、気化装置２００から処理ガス供給管３０を介して処理ガスが成膜処理部１０に供給されるが、反応管１１には図示しないオゾンのガス供給系が接続されていて、気化装置２００からのＳｒの蒸気を供給してウェハ上にＳｒのガス分子を吸着させ不活性ガスのパージ工程を挟んで停止して、第１貯留層２１ａと第２貯留層２１ｂとを切り替えて気化装置２００からＴｉの蒸気を供給しウェハ上にＴｉのガス分子を吸着させ不活性ガスのパージ工程を挟んで停止する。その後オゾンのガス供給系からＯ３（オゾン）を供給してウェハＷ上のＳｒとＴｉの両ガス分子を酸化させてＳＴＯ〔チタン酸ストロンチウム〕の分子層が形成される。そして、この工程を繰り返すことにより、本実施形態では、交互に処理ガスの供給を行いチタン酸ストロンチウムの分子層を一層ずつ積層していくＡＬＤ処理を行っている。
そして圧力検出部７０によって気化室内部の圧力が監視され、圧力検出値が、許容圧力範囲の下限値（設定圧力）よりも低くなると、制御部９０を介して調整バルブＶＴ１の開度が予め設定された量より小さくされ、これにより気化室内部の圧力を上昇させる。また逆に圧力検出値が許容圧力範囲の上限値を超えると、調整バルブＶＴ１の開度を予め設定した量だけ例えば開度を大きくするときの設定量よりも小さい設定量だけ小さくする。これにより成膜工程中に気化室内部の圧力が低下したとしても気化室内部の圧力を液体原料の気化が安定する圧力とすることができ、成膜工程を安定して継続することが可能となる。
また成膜処理の後、気化装置２００内や、処理ガス供給管３０に例えば窒素ガス等のガスをパージすることによって気化装置２００内に残留する液体原料を完全に除去することが可能となっている。そして定期的に、気化装置２００の洗浄が行われる。具体的には第３貯留槽２１ｃに貯留されている溶剤を溶剤供給管２２ｃから接続配管２４を介して第１原料供給管２２ａ、第２原料供給管２２ｂに供給し、液体原料供給管２３、ノズル５０を介して気化装置２００へと供給する。そして、各配管内、及び本体２０１の内壁に付着した液体原料や液体原料の固化物を溶剤によって溶解して洗い流し、ドレインポート２０３を介してミスト排出管２７から装置外部へと洗浄のために使用した溶剤を排出する。
以上本実施形態によれば、圧力検出部７０を介して気化装置２００における気化室内部の圧力を監視し、設定圧力よりも低くなったときに処理ガス供給管３０に設けられた調整バルブＶＴ１を調整することによって、本体２０１内部の圧力を高くして液体原料の気化が不安定になることを回避するように調整している。これにより成膜装置１では、液体原料の流量が少量であってもノズル５０の先端の閉塞を防止してスプレー異常による気化効率の悪化を抑止し、残渣物の増加を抑えてパーティクル汚染を低減することができる。従って液体原料の気化を安定して行うことができ、成膜工程を中断させることなく安定した成膜プロセスを行うことができる。また、調整バルブＶＴ１による気化室内部の圧力調整法としては、プロセスレシピに応じて気化室内部の圧力が不安定になる圧力と気化可能な上限圧力との間に設定圧力を設定し、圧力検出値がこの設定圧力となるようにフィードバック制御を行うようにしてもよい。
［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態における成膜装置１０１の概略を示す構成図である。第２の実施形態の成膜装置１０１は、第１の実施形態の処理ガス供給管３０に配設されていた調整バルブＶＴ１を用いて圧力制御する代わりに、溶剤供給管２２ｃを介して液体原料供給管２３に溶剤を供給することとし、且つ当該溶剤供給管２２ｃに配設された流量調整部（圧力調整部）Ｍ３を用いて溶剤の流量調整を行うことにより、第１の実施形態の成膜装置１と同等の作用・効果を奏するものである。そして、成膜装置１０１は、通常の処理を行う際には、第１の実施形態の成膜装置１と同様の動きをする。そのため、第２の実施形態の説明では、第１の実施形態と重複する部材については同一番号を付し、第１の実施形態と重複する点については説明を省略する。
成膜工程の開始時は、流量調整部Ｍ３の開度をゼロにして溶剤供給管２２ｃから液体原料供給管２３に溶剤を供給しない状態にしておく。一方、制御部１９０は、例えば選択されたレシピから設定圧力を読み出し、成膜工程中は圧力調整部７０の圧力検出値と設定圧力とを比較して、気化室内部の圧力が、許容範囲を下回った場合には、制御部１９０は、流量調整部Ｍ３によって溶剤の供給量を増加するように調整しながら気化室内部へ溶剤の供給を開始する。これにより、気化室内部から流出する処理ガスの量が変わらず、気化室内部に供給される溶剤の供給量が増加するので、気化室内部に気化した溶剤が停滞する時間が長くなり、気化室内部に気化した溶剤が溜まって気化室内部の圧力が上昇する。そして、溶剤の流量を増やすように調整した後、気化室内部の圧力が許容範囲を上回った場合には、流量調整部Ｍ３を開いた分だけ、若しくは流量調整部Ｍ３を開いた量よりも少ない量だけその開度を元に戻して、つまり流量調整部Ｍ３を用いて溶剤の供給の増加を止める。これにより、気化室内部に気化した溶剤の停滞量が少なくなるため、液体原料が気化しなくなる高圧力領域に入り込む虞がなくなる。
このような形態によっても、気化室内部の圧力が設定圧力よりも低くなったときに溶剤供給管２２ｃに設けられた流量調整部Ｍ３を調整することによって、気化室内部の圧力を高くして液体原料の気化が不安定になることを回避するように調整しているため、第１の実施形態と同様の作用・効果が得られる。
［第３の実施形態］
図５は、本発明の第３の実施形態における成膜装置１００１の概略を示す構成図である。第３の実施形態の成膜装置１００１は、第１の実施形態の処理ガス供給管３０に配設されていた調整バルブＶＴ１を用いて圧力制御する代わりに、キャリアガス供給管２６を介して供給されるキャリアガスの供給量を気化室内部の圧力が許容範囲の間にある間は抑制し、且つ当該キャリアガス供給管２６に配設された流量調整部（圧力調整部）Ｍ４を用いてキャリアガスの流量調整を行うことにより、第１の実施形態の成膜装置１と同等の作用・効果を奏するものである。そして、成膜装置１００１は、通常の処理を行う際には、第１の実施形態の成膜装置１と同様の動きをする。そのため、第２の実施形態の説明では、第１の実施形態と重複する部材については同一番号を付し、第１の実施形態と重複する点については説明を省略する。
成膜工程の開始時は、流量調整部Ｍ４の開度を５割にしてキャリアガス供給管２６からキャリアガスを供給しない状態にしておく。一方、制御部１０９０は、例えば選択されたレシピから設定圧力を読み出し、成膜工程中は圧力調整部７０の圧力検出値と設定圧力とを比較して、気化室内部の圧力が、許容範囲を下回った場合には、制御部１０９０は、流量調整部Ｍ４によってキャリアガスの供給量が増加するように調整する。これにより、気化室内部から流出する処理ガスの量が変わらず、気化室内部に供給されるキャリアガスの供給量が増加するので、気化室内部にキャリアガスが停滞する時間が長くなり、気化室内部にキャリアガスが溜まって気化室内部の圧力が上昇する。そして、キャリアガスの流量を増やすように調整した後、気化室内部の圧力が許容範囲を上回った場合には、流量調整部Ｍ４を開いた分だけ、若しくは流量調整部Ｍ４を閉じた量よりも少ない量だけその開度を元に戻して、つまり流量調整部Ｍ４を用いてキャリアガスの供給の増加を止める。これにより、気化室内部にキャリアガスが溜まらなくなるため、液体原料が気化しなくなる圧力領域に入り込む虞がなくなる。
このような形態によっても、気化室内部の圧力が設定圧力よりも低くなったときにキャリアガス供給管２６に設けられた流量調整部Ｍ４を調整することによって、気化室内部の圧力を高くして液体原料の気化が不安定になることを回避するように調整しているため、第１の実施形態と同様の作用・効果が得られる。
以上本発明の実施形態における成膜装置１、１０１、１００１では、本体２０１の内部の圧力を調整するための調整バルブＶＴ１、若しくは流量調整部Ｍ３、Ｍ４が設けられており、制御部９０、１９０、１０９０によって、本体２０１の内部の圧力が、液体原料が安定的に気化する圧力の許容範囲から外れた場合、この調整バルブＶＴ１、若しくは流量調整部Ｍ３、Ｍ４によって流量制御を行うことにより、本体２０１の内部の圧力を上述した許容範囲の中に入るように調整することができる。これにより本実施形態の成膜装置１、１０１、１００１では、成膜工程を停止させることなく、本体２０１の内部の圧力が低下した状態を解消することができ、ノズル５０の先端の閉塞を防止し、スプレー異常、気化効率の悪化、残渣物の増加等を抑止してパーティクル汚染を低減して液体原料の気化を安定して行うことができ、成膜工程を中断させることなく安定した成膜プロセスを行うことができる。
尚、本実施形態の成膜装置１０１、１００１では、圧力検出部７０から送信させる圧力の情報を基に、本体２０１の内部の圧力異常が解消されたことを判定しているが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば制御部の読み込む工程表に、パラメータの値のひとつとして、本体の内部の圧力に異常が発生した際に本体の内部の圧力を補正するために必要となる溶剤、若しくはキャリアガスの供給量の情報を入力しておき、本体の内部の圧力に異常が発生した際に、流量制御部によって必要となる溶剤、若しくはキャリアガスの供給量を調整してその供給量が必要とされている供給量と一致したことを判定してもよい。
また、成膜装置１、１０１、１００１では、ＡＬＤ処理によって成膜を行っているが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。例えばプロセス毎に単一の液体原料を用いて成膜を行ってもよく、また複数の液体原料を混合して処理ガスとし、その処理ガスを用いて成膜処理を行ってもよい。
また本実施形態の成膜装置１０１、１００１では、調整バルブＶＴ１、流量調整部Ｍ３、及び流量調整部Ｍ４の開閉制御は、制御部９０によって１段階で行われているが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、調整バルブや流量調整部を段階的に開閉して処理ガス、溶剤、若しくはキャリアガスの供給量を段階的に増減させる態様とし、１段階毎の開閉量を予め定めておく。そして、この定められた開閉量に従って供給量を調整していき、一定時間を置いてから圧力検出値と設定圧力とを比較して、気化室内部の圧力が許容範囲より外れている場合には、さらに１段階、調整バルブや流量調整部を開閉して処理ガス、溶剤、若しくはキャリアガス供給量を調整するように構成してもよい。
また本実施形態の成膜装置１では、調整バルブＶＴ１は、本体２０１の内部の圧力が許容範囲内に戻った後も、調整バルブＶＴ１によって処理ガスの流量を減らした状態を維持していたが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば本体の内部の圧力が許容範囲内に戻った後は調整バルブを開放して処理ガスの流量を通常状態に戻してもよい。
また本実施形態の成膜装置１０１、１００１では、流量調整部Ｍ３、Ｍ４は、本体２０１の内部の圧力が許容範囲内に戻った後も流量調整部Ｍ３、Ｍ４によって溶剤、若しくはキャリアガスの供給量を調整した状態を維持していたが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば本体の内部の圧力が許容範囲内に戻った後は、流量調整部Ｍ３、Ｍ４の状態を戻して溶剤、若しくはキャリアガスの供給量を通常状態に戻してもよい。
また本実施形態では、圧力検出部７０は、気化装置２００に接続されていたが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、本発明の圧力検出部は、本体２０１の内部の圧力が検出可能であれば処理ガス供給管３０のバルブＶ１５の上流側に設けてもよい。
また本実施形態の成膜装置１では、加圧気体としてヘリウム（Ｈｅ）ガスを供給しているが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、ヘリウムガスの他に窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを用いても良い。
また本実施形態の成膜装置１、１０１、１００１では、加熱手段２０４が取出口２０２側に寄った位置に２本、取出口２０２と反対側によった位置に２本設けられており、これらの加熱手段２０４は夫々電源部２０７に接続されていたが、本発明の実施の形態は、これに限定されるものでない。例えば加熱手段の本数は、本体の内壁を均等に加熱可能であれば、３本以下でも５本以上でも構わない。また加熱手段の制御形態としては、例えば、１つの温度コントローラで加熱手段を加熱制御しても良いが、取出口側の２本を１組、それ以外の２本を１組として各組毎に夫々独立して加熱制御してもよいし、あるいは４本を互いに独立して加熱制御してもよい。
第１の実施形態の成膜装置１における概略を示す構成図である。 ガス供給系２０の気化装置２００とその周辺を示す図である。 本体２０１における内部の圧力の変化を計測した図である。 第２の実施形態の成膜装置１０１における概略を示す構成図である。 第３の実施形態の成膜装置１００１における概略を示す構成図である。
符号の説明
１、１０１、１００１ 成膜装置
１０ 成膜処理部
１１ 反応管
１２ 排気管
２０ ガス供給系（気化原料供給装置）
２１ 貯留部
２１ａ 第１貯留槽
２１ｂ 第２貯留槽
２１ｃ 第３貯留槽
２２ａ 第１原料供給管
２２ｂ 第２原料供給間
２２ｃ 溶剤供給管
２３ 集合配管（液体原料供給管）
２４ 接続配管
２５ 加圧気体供給管
２６ キャリアガス供給管（キャリアガス流路）
２７ ミスト排出管
２８ 排出管
３０ 処理ガス供給管（気体供給路）
４０ 冷却ブロック
５０ ノズル
６０ キャリアガス供給部
７０ 圧力検出部
８０ 排出ポンプ
９０、１９０、１０９０ 制御部
２００ 気化装置、
２０１ 本体（気化器本体）
２０２ 取出口
２０３ ドレインポート
２０４ 加熱手段
２０５ 下部熱交換部
２０６ 温度検出部
２０７ 電源部
Ｖ１〜Ｖ１６ バルブ
ＶＴ１ 調整バルブ
Ｍ１〜Ｍ４ 流量調整部

Claims (9)

  1. 液体原料供給路に分岐して接続され、液体原料に溶剤を供給する溶剤供給路と、
    前記液体原料を気化するための気化室を形成する気化器本体と、
    前記液体原料をキャリアガスにより霧化して、前記気化室内に供給するノズルと、 前記霧化された液体原料を気化するために前記気化室内を加熱する加熱手段と、
    前記気化室内で気化された液体原料を消費装置に供給するための気体供給路と、
    前記気化室内の圧力を検出可能な圧力検出部と、
    前記溶剤供給路に設けられ、前記溶剤の流量を調整するための流量調整部と、
    前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように前記流量調整部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする気化原料供給装置。
  2. 液体原料を気化するための気化室を形成する気化器本体と、
    液体原料をキャリアガス流路から供給されたキャリアガスにより霧化して、前記気化室内に供給するノズルと、
    前記霧化された液体原料を気化するために前記気化室内を加熱する加熱手段と、
    前記気化室内で、気化された液体原料を消費装置に供給するための気体供給路と、
    前記気化室内の圧力を検出可能な圧力検出部と、
    前記キャリアガス流路に設けられ、前記キャリアガスの流量を調整するための流量調整部と、
    前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように前記流量調整部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする気化原料供給装置。
  3. 前記設定圧力は、前記液体原料の気化が不安定であるため圧力検出値がハンチングを起こす圧力よりも高い圧力であることを特徴とする請求項１または２記載の気化原料供給装置。
  4. 前記液体原料は、固体材料を溶剤に溶解したものであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の気化原料供給装置。
  5. 前記液体原料を気化して処理ガスを得る請求項１〜４の何れか一項に記載の気化原料供給装置と、
    この気化原料供給装置の下流に設けられ、前記気化原料供給装置から送られた気化原料を用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
  6. 液体原料供給路の下流端に接続されたノズルと、前記液体原料供給路から分岐され、当該液体原料供給路に流れる液体原料に溶剤を供給するための溶剤供給路と、を用い、
    前記ノズルから、液体原料をキャリアガスにより霧化して気化室内に供給する工程と、
    前記気化室内を加熱手段により加熱し、霧化された液体原料を気化する工程と、
    気化された液体原料を気体供給路から消費装置に供給する工程と、
    圧力検出部によって前記気化室内部の圧力を監視し、前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように、前記溶剤供給路に設けられた流量調整部により溶剤の流量を制御する工程と、を含むことを特徴とする気化原料供給方法。
  7. ノズルから、液体原料をキャリアガスにより霧化して気化室内に供給する工程と、
    前記気化室内を加熱手段により加熱し、霧化された液体原料を気化する工程と、
    気化された液体原料を気体供給路から消費装置に供給する工程と、
    圧力検出部によって前記気化室内部の圧力を監視し、前記圧力検出部の圧力検出値が予め設定された設定圧力よりも低くなったときに、液体原料が気化できる圧力範囲内において、前記気化室内の圧力を高くするように、キャリアガス供給路に設けられた流量調整部によりキャリアガスの流量を制御する工程と、を含むことを特徴とする気化原料供給方法。
  8. 前記設定圧力は、前記液体原料の気化が不安定であるため圧力検出値がハンチングを起こす圧力よりも高い圧力であることを特徴とする請求項６または７に記載の気化原料供給方法。
  9. 前記液体原料は、固体材料を溶剤に溶解したものであることを特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載の気化原料供給方法。
JP2008009710A 2008-01-18 2008-01-18 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 Expired - Fee Related JP5200551B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008009710A JP5200551B2 (ja) 2008-01-18 2008-01-18 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
US12/318,971 US20090186479A1 (en) 2008-01-18 2009-01-13 Semiconductor processing system including vaporizer and method for using same
KR1020090003550A KR101103119B1 (ko) 2008-01-18 2009-01-16 기화기를 포함하는 반도체 처리 시스템 및 그 사용 방법
TW098101520A TWI434364B (zh) 2008-01-18 2009-01-16 包含氣化器之半導體處理系統與使用此系統之方法
CN2009100012830A CN101488449B (zh) 2008-01-18 2009-01-16 包括汽化器的半导体处理系统及其使用方法
US14/088,028 US9159548B2 (en) 2008-01-18 2013-11-22 Semiconductor processing system including vaporizer and method for using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008009710A JP5200551B2 (ja) 2008-01-18 2008-01-18 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009170800A JP2009170800A (ja) 2009-07-30
JP5200551B2 true JP5200551B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=40876814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008009710A Expired - Fee Related JP5200551B2 (ja) 2008-01-18 2008-01-18 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20090186479A1 (ja)
JP (1) JP5200551B2 (ja)
KR (1) KR101103119B1 (ja)
CN (1) CN101488449B (ja)
TW (1) TWI434364B (ja)

Families Citing this family (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4299286B2 (ja) * 2005-10-06 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
JP4324619B2 (ja) * 2007-03-29 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
JP2011054938A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法
CN102576665A (zh) * 2009-08-26 2012-07-11 泰拉半导体株式会社 蒸镀气体供给装置
JP5655429B2 (ja) * 2009-08-28 2015-01-21 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
US20110143035A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Byoung Ha Cho Thin Film Deposition System and Method for Depositing Thin Film
DE102010000479A1 (de) * 2010-02-19 2011-08-25 Aixtron Ag, 52134 Vorrichtung zur Homogenisierung eines verdampften Aerosols sowie Vorrichtung zum Abscheiden einer organischen Schicht auf einem Substrat mit einer derartigen Homogenisierungseinrichtung
US20110232588A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Msp Corporation Integrated system for vapor generation and thin film deposition
KR20180005266A (ko) * 2010-12-21 2018-01-15 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 기화기
JP5573666B2 (ja) * 2010-12-28 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置及び成膜装置
JP5820731B2 (ja) * 2011-03-22 2015-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および固体原料補充方法
DE102011051261A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
US20130023129A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN103000514B (zh) * 2011-09-09 2015-06-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法
JP5938932B2 (ja) * 2012-02-14 2016-06-22 セイコーエプソン株式会社 ハンドラー、及び部品検査装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6078335B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10724137B2 (en) * 2013-02-05 2020-07-28 Kokusai Eletric Corporation Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium, and cleaning completion determining method
KR101562659B1 (ko) 2013-09-13 2015-10-22 주식회사 지에스티에스 안정실 압력 제어 장치
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR102244073B1 (ko) * 2014-09-16 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10490429B2 (en) 2014-11-26 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier using a proportional thermal fluid delivery system
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
KR102483924B1 (ko) 2016-02-18 2023-01-02 삼성전자주식회사 기화기 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102234630B1 (ko) * 2017-02-21 2021-04-01 가부시키가이샤 아루박 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP6811146B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
JP6811147B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP6774972B2 (ja) * 2018-02-08 2020-10-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
CN110565076B (zh) * 2018-06-06 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 补液方法
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI821363B (zh) 2018-08-31 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 前驅物遞送系統
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102262514B1 (ko) * 2019-06-10 2021-06-09 (주)티티에스 원료 기화 장치 및 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102125171B1 (ko) * 2019-07-19 2020-06-19 연세대학교 산학협력단 다공성 막의 제조 방법 및 이의 제조 장치
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7282188B2 (ja) * 2019-09-24 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置及び原料供給方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
WO2021124723A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24 株式会社フジキン 気化供給方法及び気化供給装置
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
JP7033622B2 (ja) * 2020-03-19 2022-03-10 株式会社Kokusai Electric 気化装置、基板処理装置、クリーニング方法および半導体装置の製造方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
KR102438237B1 (ko) * 2021-01-26 2022-08-30 엠케이피 주식회사 액체 소스 공급 시스템 및 이를 이용한 액체 소스 공급 방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2023039234A (ja) 2021-09-08 2023-03-20 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143691A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Tokyo Electron Ltd 成膜・熱処理装置
JP3258885B2 (ja) * 1995-12-27 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置
JPH10273780A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Nippon Sanso Kk Ｃｖｄ装置
JPH11193463A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Nissan Motor Co Ltd 化学的気相成長装置
JPH11335846A (ja) 1998-05-20 1999-12-07 Ebara Corp 成膜装置及びその運転方法
KR20010047128A (ko) 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
JP2002324794A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Fujitsu Ltd 気相成長方法及び気相成長装置
JP2003160869A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Japan Science & Technology Corp 液体気化器、液体気化供給システム及び液体気化制御方法
US7608300B2 (en) * 2003-08-27 2009-10-27 Applied Materials, Inc. Methods and devices to reduce defects in dielectric stack structures
JP2005307233A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法
JP4699092B2 (ja) * 2005-06-01 2011-06-08 日本パイオニクス株式会社 酸化亜鉛膜の成膜方法
JP4299286B2 (ja) * 2005-10-06 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
JP4324619B2 (ja) 2007-03-29 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9159548B2 (en) 2015-10-13
US20090186479A1 (en) 2009-07-23
JP2009170800A (ja) 2009-07-30
TW200943456A (en) 2009-10-16
TWI434364B (zh) 2014-04-11
KR101103119B1 (ko) 2012-01-04
CN101488449B (zh) 2012-05-23
US20140080320A1 (en) 2014-03-20
CN101488449A (zh) 2009-07-22
KR20090079819A (ko) 2009-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5200551B2 (ja) 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
US8415237B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
US9777377B2 (en) Film forming method and film forming device
KR100654400B1 (ko) 용액 기화식 ｃｖｄ 장치
US8382903B2 (en) Vaporizer and semiconductor processing system
WO2004079806A1 (ja) 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法
JP2009259894A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3883918B2 (ja) 枚葉式ｃｖｄ装置及び枚葉式ｃｖｄ装置を用いた薄膜形成方法
JP4759916B2 (ja) 処理装置
JP2004087707A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP4421119B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4110576B2 (ja) Ｃｖｄ用気化器、溶液気化式ｃｖｄ装置及びｃｖｄ用気化方法
KR20090044285A (ko) Ａｌｄ 설비 및 그 ａｌｄ 설비의 세정방법
JP4543848B2 (ja) 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法
KR101773038B1 (ko) 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법
JP2007109865A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007227471A (ja) 基板処理装置
JP4403159B2 (ja) 処理方法及び処理装置
KR100937991B1 (ko) 반도체 소자의 박막 증착 장비 및 이를 이용하는 박막 증착방법
JP2000026974A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP3892845B2 (ja) 処理方法
JP2011089163A (ja) 気化器、気化方法及びｃｖｄ装置
JPH10273780A (ja) Ｃｖｄ装置
JP2011066357A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100901

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5200551

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees