KR102262514B1 - 원료 기화 장치 및 방법 - Google Patents

원료 기화 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102262514B1
KR102262514B1 KR1020190068190A KR20190068190A KR102262514B1 KR 102262514 B1 KR102262514 B1 KR 102262514B1 KR 1020190068190 A KR1020190068190 A KR 1020190068190A KR 20190068190 A KR20190068190 A KR 20190068190A KR 102262514 B1 KR102262514 B1 KR 102262514B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vaporization
raw material
pipe
chamber
mixture
Prior art date
Application number
KR1020190068190A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200141310A (ko
Inventor
서판길
Original Assignee
(주)티티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티티에스 filed Critical (주)티티에스
Priority to KR1020190068190A priority Critical patent/KR102262514B1/ko
Publication of KR20200141310A publication Critical patent/KR20200141310A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102262514B1 publication Critical patent/KR102262514B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 액체 원료 공급원 및 캐리어 가스 공급원과 연결되는 공급부, 기화된 원료를 배출시킬 수 있는 배관을 상기 공급부와 연결시키고, 액체 원료 및 캐리어 가스를 통과시킬 수 있도록 중공형으로 형성되는 기화부를 포함하고, 상기 배관 및 상기 기화부의 적어도 일부는 내경의 크기가 동일한 원료 기화 장치와, 이에 적용되는 원료 기화 방법으로서, 처리 설비에 기화된 원료를 안정적으로 공급할 수 있는 원료 기화 장치 및 방법이 제시된다.

Description

원료 기화 장치 및 방법{VAPORIZING APPARATUS AND METHOD FOR RAW MATERIAL}
본 발명은 원료 기화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 처리 설비에 기화된 원료를 안정적으로 공급할 수 있는 원료 기화 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 처리 장치는 반도체 장치 제조용 웨이퍼 및 표시 장치 제조용 글라스 등의 각종 기판 상에 반도체층, 절연층 및 도전층 등의 각종 막을 소정의 패턴으로 증착함으로써, 기판 상에 반도체 소자, 반도체 소자에 접속되는 배선 및 전극 등의 구조물을 제조하는 것에 사용되는 장치이다.
반도체 칩의 집적도가 높아지고, 디자인 룰이 작아짐에 따라, 반도체 소자의 원활한 동작을 위한 막의 유전율 및 절연율을 확보하고자, 고유전율의 금속 재료를 유기물과 혼합하여 막 증착 공정용의 액체 원료를 제조하고, 이를 기화시켜 반도체 처리 장치의 공정 챔버 공급하여 막 증착에 사용한다.
이를 위해, 공정 챔버에는 기화 장치가 제공되고, 공정 챔버 및 기화 장치는 배관으로 연결된다. 한편, 공정 챔버는 막 증착 공정의 안정적인 진행을 위해 진공 또는 고진공으로 제어된다. 이때, 공정 챔버의 내부 압력은 배관 내부의 압력을 형성하는 지배적인 요인이고, 기화 장치는 배관의 내부 압력에 큰 영향을 받는다.
종래의 기화 장치는 캐리어 가스 및 액체 원료가 기화 장치의 내부에 따로따로 분사되거나, 혹은, 액체 원료가 기화 장치의 내부로 분사되기 직전에 캐리어 가스와 합류하는 구조이다. 이때, 공정 챔버와 액체 원료 분사관 사이의 차압에 의해 공정 챔버보다 압력 대역이 높은 액체 원료 분사관에서 기화 장치의 내부로 일시적으로 많은 양의 액체 원료가 토출되는 현상이 주기적으로 발생한다. 이에, 기화 장치의 내부에서 압력 변동('헌팅'이라고도 한다)이 발생하고, 이러한 압력 변동은 배관을 통하여 공정 챔버에까지 전달됨으로써, 공정 챔버 내의 파티클 발생의 원인이 된다.
또한, 종래의 기화 장치는, 그 내부 공간을 둘러싸는 고온의 내부면에 액체 원료를 접촉시켜 액체 원료를 기화시키는 방식이기 때문에, 내부면과 액체 원료의 접촉 면적을 증가시키기 위하여 그 내경이 배관의 내경보다 크다. 이러한 경우, 기화 장치의 내부 압력이 배관의 내부 압력보다 크다. 이는 아래와 같이 베르누이 법칙으로 설명할 수 있다.
베르누이 법칙은 정상 유동하는 비압축성 비점성 유체의 운동에 관한 에너지 보존 법칙으로서, 간단히 말하면 배관 내에서 동일한 높이로 흐르는 유체의 압력과 유속은 반비례 관계임을 나타낸다. 베르누이 법칙에 따르면, 유체의 유동 단면적이 커지는 지점은 유체의 속도가 작아짐에 따라 유체의 압력이 증가하고, 유체의 유동 단면적이 작아지는 지점은 유체의 속도가 커짐에 따라 유체의 압력이 감소한다. 이를 기화 장치와 배관에 적용하면, 기화 장치의 내경이 배관의 내경보다 크기 때문에, 기화 장치의 내부 압력이 배관의 내부 압력보다 크다.
이때, 기화 장치의 내부 압력이 크면, 액체 원료의 융점이 높아져서 기화 효율이 낮아진다. 이에, 액체 원료가 기화 장치에서 모두 기화되지 못하고, 기화되지 못한 액체 원료가 배관을 통해 공정 챔버로 유입되고, 공정 챔버의 내부에서 열 분해되어 공정 챔버 내의 파티클 발생의 원인이 된다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 하기의 특허문헌에 게재되어 있다.
KR 10-2011-0129133 A KR 10-2016-0099765 A
본 발명은 처리 설비에 기화된 원료를 안정적으로 공급할 수 있는 원료 기화 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 원료 기화 장치는 원료를 기화시켜 배관으로 배출시킬 수 있는 원료 기화 장치로서, 액체 원료 공급원 및 캐리어 가스 공급원과 연결되는 공급부; 상기 공급부와 상기 배관을 연결시키도록 설치되고, 액체 원료 및 캐리어 가스를 통과시킬 수 있도록 중공형으로 형성되는 기화부;를 포함하고, 상기 배관 및 상기 기화부의 적어도 일부는 내경의 크기가 동일하다.
상기 공급부는, 상기 액체 원료 공급원과 연결되는 제1 공급관; 상기 캐리어 가스 공급원과 연결되고, 상기 제1 공급관에 합류되는 제2 공급관; 상기 제1 공급관 및 제2 공급관이 합류되는 부분과 상기 기화부를 연결시키는 혼합관;을 포함할 수 있다.
상기 기화부의 적어도 일부는 상기 제1 공급관, 제2 공급관 및 혼합관보다 내경이 크고, 상기 혼합관 및 기화부는 일 방향으로 연장되고 상호 정렬될 수 있다.
상기 기화부는, 상기 공급부의 출구 및 상기 배관의 입구와 연결되고, 내부에 예열실 및 기화실이 형성되는 기화 블록; 상기 예열실 및 기화실을 감싸도록 상기 기화 블록에 내장되는 발열체;를 포함할 수 있다.
상기 기화 블록은 내부에 상기 예열실이 형성되는 제1 몸체 및 내부에 상기 기화실이 형성되는 제2 몸체를 포함하고, 상기 제1 몸체 및 제2 몸체는 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 공급부의 출구, 예열실, 기화실, 및 배관의 입구는 일 방향으로 연장되며 상호 정렬되고, 상기 공급부의 출구, 예열실, 기화실, 및 배관의 입구 순서로 나열될 수 있다.
상기 기화실의 내경은 상기 배관의 입구와 크기가 동일하고, 상기 예열실의 내경은 상기 공급부의 출구와 크기가 동일할 수 있다.
상기 예열실과 기화실의 경계에는 오리피스 부재가 구비되고, 상기 오리피스 부재는 상기 공급부의 출구로부터 일 방향으로 이격될 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 원료 기화 방법은, 액체 원료 및 캐리어 가스를 혼합하는 과정; 기화실에 상기 액체 원료 및 캐리어 가스의 혼합물을 통과시키며 기화시키는 과정; 기화된 혼합물을 배관으로 배출시키는 과정; 및 상기 기화실의 내부 압력이 상기 배관의 내부 압력보다 높아지지 않도록 상기 기화실의 내부 압력을 조절하는 과정;을 포함한다.
상기 혼합물의 흐름을 기준으로 상기 기화실보다 상류에 마련된 예열실에 상기 혼합물을 먼저 통과시키며 상기 혼합물을 예열하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 예열하는 과정은, 상기 기화실보다 내경이 작은 상기 예열실에 상기 혼합물을 통과시키며 상기 혼합물을 제1온도로 가열하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 기화시키는 과정은, 상기 배관과 내경이 동일한 상기 기화실에 예열된 혼합물을 분사하고, 상기 혼합물을 상기 기화실의 내부면에 접촉시켜 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 과정;을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 기화실 내경과 배관 내경을 동일하게 함으로써, 기화실 내부의 압력 및 배관 내부의 압력의 차압이 커지는 것을 방지할 수 있고, 차압을 최소화시킬 수 있다. 구체적으로 배관 내부의 압력에 맞춰 기화실 내부의 압력을 낮출 수 있고, 배관 내부의 압력과 기화실 내부의 압력을 동일하게 맞춰줄 수 있다. 이에, 기화실 내에서 액체 원료의 융점이 높아지는 것을 방지할 수 있고, 액체 원료의 기화 효율을 높일 수 있다.
또한, 기화실 내부로 액체 원료를 분사하기 이전에, 캐리어 가스와 액체 원료를 충분히 혼합하고, 그 혼합물을 기화실 내부에 분사함으로써, 혼합물을 기화실에 분사하는 분사관의 내부와 기화실 내부의 압력 차이를 줄일 수 있고, 기화실 내부에서 헌팅이 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.
이로부터 배관을 통하여 기화실과 연결된 공정 챔버에 기화된 원료를 안정적으로 공급할 수 있다. 구체적으로 공정 챔버의 내부로 기화되지 않은 액체 원료가 유입되는 것을 방지할 수 있고, 공정 챔버의 내부 압력이 변동하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 이에, 공정 챔버의 내부에서 액체 원료 및 압력 변동에 의한 파티클이 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있고, 따라서, 공정 챔버의 내부에서 수행되는 기판 처리 공정의 공정 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 처리 설비의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 비교 예 및 실시 예에 따른 배관 내부의 압력 변화를 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실험 예들에 따른 기화실 내부의 압력 추이를 보여주는 표이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 장치 및 방법은 반도체 소자의 제조 공정을 수행하는 공정 챔버에 기화된 원료를 공급하는 일종의 원료 공급 장치로 사용될 수 있다. 물론, 원료 기화 장치 및 방법은 각종 처리 설비에 기화된 원료를 공급하는 장치 및 방법으로 다양하게 활용될 수 있다.
이하에서는, 공정 챔버에 기화된 원료를 공급하는 원료 기화 장치 및 방법을 기준으로 본 발명의 실시 예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 처리 설비의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 처리 설비는, 반도체 소자의 제조 공정을 수행할 수 있도록 내부에 처리 공간이 구비된 공정 챔버(42), 액체 원료가 수용된 액체 원료 공급원(11, 12, 13, 14, 15), 캐리어 가스가 수용된 캐리어 가스 공급원(21, 22), 액체 원료 공급원(11, 12, 13, 14, 15) 및 캐리어 가스 공급원(21, 22)과 연결되고, 액체 원료를 기화시킬 수 있는 원료 기화 장치(300), 원료 기화 장치(300)와 공정 챔버(42)를 연결시키는 배관(42), 공정 챔버(42)와 연결되는 배기관(51), 및 배기관(51) 연결된 진공 펌프(52)를 포함할 수 있다.
반도체 소자의 제조 공정은 반도체 장치 제조용 웨이퍼 및 표시 장치 제조용 글라스 등의 각종 기판 상에 반도체층, 절연층 및 도전층 등의 각종 막을 소정의 패턴으로 증착하는 각종 제조 공정일 수 있다.
액체 원료는 기판 상에 형성하고자 하는 다양한 박막에 대응하는 각종 원료일 수 있다. 액체 원료는 고유전율의 금속 재료를 유기물과 혼합하여 액체 상태로 마련할 수 있다. 물론, 액체 원료의 종류는 다양할 수 있다.
액체 원료 공급원(11, 12, 13, 14, 15)은, 내부에 액체 원료가 수용될 수 있는 액체 원료 저장기(11), 액체 원료 저장기(11)에 액체 원료를 주입할 수 있는 액체 원료 공급관(12), 액체 원료 저장기(11)와 원료 기화 장치(300)를 연결시키도록 설치되는 액체 원료 배출관(13), 액체 원료 저장기(11)의 내부에 푸시 가스를 주입할 수 있는 푸시 가스 주입관(14), 및 액체 원료 저장기(11)의 내부 압력을 조절할 수 있는 푸시 가스 배출관(15)를 포함할 수 있다.
캐리어 가스는 액체 원료 및 기화된 원료가 공정 챔버로 원활하게 이송될 수 있도록 액체 원료 및 기화된 원료에 혼입되는 각종 가스일 수 있다. 예컨대 캐리어 가스는 질소 가스일 수 있다. 물론 캐리어 가스의 종류는 다양할 수 있다.
캐리어 가스 공급원(21, 22)은, 내부에 캐리어 가스가 저장될 수 있는 캐리어 가스 저장기(21) 및 캐리어 가스 저장기(21)와 원료 기화 장치(300)를 연결시키는 캐리어 가스 배출관(22)을 포함할 수 있다.
원료 기화 장치(300)는 액체 원료 배출관(13)을 통해 액체 원료를 공급받고, 캐리어 가스 배출관(22)을 통해 캐리어 가스를 공급받을 수 있다. 또한, 원료 기화 장치(300)는 내부에서 액체 원료를 기화시킬 수 있고, 기화된 원료 및 캐리어 가스를 배관(41)에 배출시킬 수 있다.
공정 챔버(42)는 한 번에 복수개의 기판을 처리할 수 있는 배치(batch) 타입의 공정 챔버일 수 있다. 물론, 공정 챔버(42)는 한 번에 하나의 기판을 처리할 수 있는 싱글(single) 타입의 공정 챔버일 수도 있다.
공정 챔버(42)는 일측에 배관(41)이 연결되고, 타측에 배기관(51)이 연결될 수 있다. 공정 챔버(42)는 배관(41)을 통하여 기화된 원료를 공급받고, 내부에 반입된 기판에 막을 증착시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에서는 액체 원료 공급원(11, 12, 13, 14, 15), 캐리어 가스 공급원(21, 22), 배관(41), 공정 챔버(42), 배기관(51), 및 진공 펌프(52)의 구성과 방식을 특별히 한정하지 않는다. 즉, 이들의 구성과 방식은 다양할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 장치의 개략도이다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 장치(300)를 상세하게 설명한다. 이때, 이하에서 실시 예를 설명함에 있어 동일하다는 것은 오차 범위 내에서 동일한 것을 의미한다.
본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 장치(300)는, 액체 원료를 기화시켜 배관으로 배출시킬 수 있는 원료 기화 장치(300)로서, 액체 원료 공급원(11, 12, 13, 14, 15) 및 캐리어 가스 공급원(21, 22)과 연결되는 공급부(310), 및 공급부(310)와 배관(41)을 연결시키도록 설치되고, 액체 원료 및 캐리어 가스를 통과시킬 수 있도록 중공형으로 형성되는 기화부(330)를 포함한다. 원료 기화 장치(300)는, 공급부(310)의 일측에 설치되어 액체 원료의 유량을 조절할 수 있는 밸브부(320)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 배관(41) 및 기화부(330)의 적어도 일부는 내경의 크기가 동일하다.
여기서, 내경의 크기가 동일하다는 것은 내경의 크기가 일치하는 것을 의미한다. 또한, 내경의 크기가 동일하다는 것은 내경의 크기가 오차 범위 내에서 일치하는 것도 의미한다. 즉, 배관(41)의 내경 크기와 기화부(330)의 적어도 일부의 내경 크기는 서로 완전히 일치할 수 있고, 또한, 소정의 오차 범위 내에서 서로 일치할 수도 있다.
이때, 오차 범위는 장치의 제조 및 조립 과정에서 불가피하게 발생되는 가공 오차, 내경의 측정 시 불가피하게 발생되는 계기 오차를 의미할 수 있다.
또한, 오차 범위는 내경의 차이가 기화부(330) 내의 혼합물 압력 혹은 끓는점 변화에 영향을 주지 않거나, 혹은, 영향을 주더라도 그 정도가 미약하다고 판단될 때의 배관(41)의 내경 크기와 기화부(330)의 적어도 일부의 내경 크기의 차이를 의미할 수 있다. 이 때의 오차 범위는 예컨대 혼합물의 물성, 유량 및 유동 면적에 따라 달라질 수 있고, 또한, 반복적인 실험 혹은 공정에 의해 획득 가능하므로, 이의 수치적인 예시는 생략한다.
공급부(310)는, 액체 원료 배출관(13)과 연결되는 제1 공급관(311), 캐리어 가스 배출관(22)과 연결되고, 제1 공급관(311)에 합류되는 제2 공급관(312), 및 제1 공급관(311)과 제2 공급관(312)이 합류되는 부분과 기화부(330)를 연결시키는 혼합관(313)을 포함할 수 있다. 제1 공급관(311) 및 제2 공급관(312)은 공급부(310)의 입구 역할을 하고, 혼합관(313)은 공급부(310)의 출구 역할을 한다.
제1 공급관(311)은 일단이 액체 원료 배출관(13)과 연결될 수 있고, 타단이 예컨대 티 자형 관 이음(미도시)을 통해 제2 공급관(312) 및 혼합관(313)과 연결될 수 있다. 물론, 제1 공급관(311)의 타단과 제2 공급관(312) 및 혼합관(313)의 연결 방식 및 그 형상은 다양할 수 있다. 제1 공급관(311)은 혼합관(313)에 액체 원료를 공급할 수 있다.
제2 공급관(312)은 일단이 캐리어 가스 배출관(22)과 연결되고, 타단이 제1 공급관(311) 및 혼합관(313)과 연결될 수 있다. 제2 공급관(312)은 혼합관(313)에 캐리어 가스를 공급할 수 있다.
혼합관(313)은 내부에 공급되는 액체 원료 및 캐리어 가스를 혼합하여 혼합물의 형태로 기화부(330)에 공급할 수 있다. 혼합관(313)을 분사관이라 지칭할 수도 있다. 혼합관(313)은 일 방향으로 연장될 수 있다. 혼합관(313)은 액체 원료 및 캐리어 가스가 충분히 혼합될 수 있는 길이로 연장될 수 있다. 이때, 혼합관(313) 및 기화부(330)는 일 방향으로 연장되고 상호 정렬될 수 있다.
혼합관(313)은 제1 공급관(311) 및 기화부(330) 사이에서 이들의 압력 차에 의한 충격을 줄여주는 버퍼실의 역할을 한다. 구체적으로 액체 원료를 기화부(330)의 내부에 공급하기 전에, 혼합관(313)을 통과시키며 캐리어 가스와 충분히 혼합시켜 혼합물을 형성함으로써 그 압력을 낮춰줄 수 있다. 즉, 액체 원료 및 캐리어 가스는 기화부(330)에 공급되기 전에 혼합관(313)을 통과하면서 충분히 혼합됨에 따라, 기화부(330)로 공급되기 전에 압력을 낮출 수 있다.
이에, 공급부(310)와 기화부(330)의 경계에서 차압을 줄여줄 수 있고, 그에 따른 충격을 줄여줄 수 있고, 공급부(310)와 기화부(330)의 압력 차이에 의해 기화부(330) 내부에 헌팅이 발생하는 것을 억제하거나, 방지할 수 있다.
밸브부(320)는 제1 공급관(311)의 내부를 흐르는 액체 원료의 유량을 정밀하게 조절할 수 있도록 제1 공급관(311)의 일측에 장착될 수 있다. 밸브부(320)는 제1 공급관(311)의 일측을 감싸도록 장착되고, 그 내부가 제1 공급관(311)의 일측과 연통하는 밸브 하우징(321), 일면이 제1 공급관(311)의 개방된 일측과 서로 마주보도록 밸브 하우징(321)의 내부에 장착되는 신축부재 예컨대 다이어프램(322), 다이어프램(322)의 타면에 접촉되도록 밸브 하우징(321)의 내부에 장착되고, 전압이 가변됨에 따라 인장되거나 압축되며 다이어프램(322)의 가압 정도를 제어하는 가압부재 예컨대 압전 소자(323)를 포함할 수 있다.
다이어프램(322)은 예컨대 제1 공급관(311)의 개방된 일측 근방에서 밸브 하우징(321)의 둘레를 따라 연장된 막의 형상일 수 있고, 압전 소자(323)의 누름 정도에 따라 제1 공급관(311)의 내부로 진입 및 후퇴하면서 그 움직임이 정밀하게 제어될 수 있다. 이러한 다이어프램(322)의 움직임에 의해 제1 공급관(311)을 통과하는 액체 원료의 유량이 정밀하게 조절될 수 있다.
물론, 밸브부(320)의 구성과 방식은 다양할 수 있다.
기화부(330)는, 공급부(310)의 출구 및 배관(41)의 입구와 연결되고, 내부에 예열실(S1) 및 기화실(S2)이 형성되는 기화 블록(331), 예열실(S1) 및 기화실(S2)을 감싸도록 기화 블록(331)에 내장되는 발열체(332), 공급부(310)의 출구로부터 일 방향으로 이격되고, 예열실(S1)과 기화실(S2)의 경계에 배치되며, 이들 간의 차압 발생을 감소시킬 수 있는 오리피스 부재(333)를 포함할 수 있다.
기화 블록(331)은 일 방향으로 연장될 수 있고, 원통 형상으로 형성될 수 있다. 물론, 그 형상은 다양할 수 있다. 기화 블록(331)은 중공형으로 형성되어 내부에 예열실(S1) 및 기화실(S2)이 형성될 수 있다.
기화 블록(331)은 내부에 예열실(S1)이 형성된 제1 몸체(E1) 및 내부에 기화실(S2)이 형성된 제2 몸체(E2)를 포함할 수 있다. 제1 몸체(E1) 및 제2 몸체(E2)는 일체형으로 형성될 수 있고, 서로 간의 열 전달이 원활할 수 있고, 발열체(332)에 의해 열을 균일하게 공급받일 수 있다.
발열체(332)는 예열실(S1) 및 기화실(S2)을 감싸도록 기화 블록(331)에 내장될 수 있다. 발열체(332)는 일 방향으로 연장된 파이프 형상일 수 있고, 그 내부에 절연체로 피복된 전열선 예컨대 니크롬선이 구비될 수 있다. 발열체(332)는 전기를 공급받아서 발열할 수 있고, 이를 기화 블록(331)에 전달할 수 있다. 발열체(332)는 일종의 전기 히터일 수 있다. 물론, 발열체(332)의 구성 및 발열 방식은 다양할 수 있다.
공급부(310)의 출구, 예열실(S1), 기화실(S2), 및 배관(41)의 입구는 일 방향으로 연장되며 상호 정렬될 수 있다. 이때, 공급부(310)의 출구, 예열실(S1), 기화실(S2), 및 배관(41)의 입구 순서로 나열될 수 있다. 또한, 공급부(310)의 출구, 예열실(S1), 기화실(S2), 및 배관(41)의 입구는 각각의 중심을 일 방향으로 지나가는 중심축들(미도시)이 서로 동일한 높이에 위치할 수 있다.
예열실(S1) 및 기화실(S2)은 일 방향으로 연장되며 상호 연결될 수 있고, 혼합관(313) 및 배관(41)과 연결될 수 있다. 예열실(S1)에서 혼합물이 예열될 수 있고, 기화실(S2)에서 혼합물 중 액체 원료가 기화될 수 있다.
예열실(S1)의 내경은 공급부(310)의 출구와 크기가 동일할 수 있다. 구체적으로, 예열실(S1)의 내경(D1)은 제1 공급관(311), 제2 공급관(312) 및 혼합관(313)의 내경과 동일할 수 있다. 이에, 혼합물은 그 흐름을 유지하며 예열실(S1)로 공급되어 안정적으로 예열될 수 있고, 예열실(S1)을 정의하는 제1 몸체(E1)의 내부면과 접촉하여 열을 공급받을 수 있다.
예열실(S1)의 내경(D1)은 기화실(S2)의 내경(D2)보다 작을 수 있다. 즉, 기화실(S2)의 내경(D2)은 예열실(S1)의 내경(D1)보다 클 수 있다. 혼합물은 오리피스 부재(333)를 통과하여 기화실(S2)에 분사될 수 있다. 분사된 혼합물은 기화실(S2)을 정의하는 제2 몸체(E2)의 내부면과 접촉하여 열을 공급받을 수 있고, 혼합물 중 액체 원료는 공급받은 열에 의해 기화될 수 있다.
기화실(S2)의 내경(D2)은 배관(41)의 입구와 크기가 동일할 수 있다. 구체적으로 기화실(S2)의 내경(D2)의 크기와 배관(41)의 입구 내경(D3)의 크기가 서로 동일할 수 있다. 이에, 기화실(S2)의 압력이 불필요하게 높아지는 것을 억제 혹은 방지할 수 있고, 또한, 기화실(S2)의 압력을 소정의 오차 범위 내에서 배관(41)의 압력에 일치시킬 수 있다. 구체적으로 기화실(S2)의 입구 압력(P11) 및 출구 압력(P12) 중 적어도 출구 압력(P12)을 오차 범위 내에서 배관(41)의 입구 압력(P21)에 일치시킬 수 있다.
이때, 오차 범위는 압력의 측정 시 불가피하게 발생되는 계기 오차를 의미할 수 있다. 또한, 오차 범위는 압력의 차이가 기화실(S2)에 분사되는 혼합물 중 액체 원료의 끓는점 변화에 영향을 주지 않거나, 혹은, 영향을 주더라도 그 정도가 미약하다고 판단될 때의 배관(41)의 압력 크기와 기화실(S2)의 압력 크기의 차이를 의미할 수 있다.
한편, 기화실(S2)의 내경(D2)이 배관(41)의 입구보다 클 경우, 기화실(S2)과 배관(41)의 차압이 증가하게 된다. 즉, 기화실(S2)의 압력이 증가하게 된다. 이에, 혼합물 중 액체 원료의 끓는점이 높아지게 된다. 따라서, 액체 원료가 원활하게 기화되지 못하고, 액체 원료 중 일부가 액체 상태로 배관(41)으로 배출될 수 있다.
또한, 기화실(S2)의 내경(D2)이 배관(41)의 입구보다 작은 경우, 혼합물이 기화실(S2)에 체류하는 시간이 줄어들게 되어, 충분한 기화가 어려울 수 있다.
한편, 상술한 것처럼 기화실(S2)의 내경(D2)을 배관(41)의 입구 내경(D3)의 크기와 동일하게 하는 경우, 기화실(S2)을 감싸는 제2 몸체(E2)의 내부면의 면적이 줄어든다. 이에 따라, 혼합물로 전달되는 열량이 부족해질 수 있다. 이를 보상하기 위해, 제1 몸체(E1)의 내부에 예열실(S1)을 마련하고, 혼합물이 기화실(S2)에 분사되어 액적의 형태로 퍼지기 전에, 예열실(S1)에서 혼합물에 충분한 열을 공급해줄 수 있다. 이에, 기화부(330)의 전체 길이를 늘리지 않고도, 혼합물을 원활하게 기화시킬 수 있다.
기화실(S2)에서 기화된 원료 및 캐리어 가스는 배관(41)으로 배출되고, 공정 챔버(42)로 공급되어 각종 제조 공정에 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 예에 따른 원료 기화 방법은, 액체 원료 및 캐리어 가스를 혼합하는 과정, 기화실(S2)에 액체 원료 및 캐리어 가스의 혼합물을 통과시키며 기화시키는 과정, 기화된 혼합물을 배관(41)으로 배출시키는 과정, 및 기화실(S2)의 내부 압력이 배관(41)의 내부 압력보다 높아지지 않도록 기화실(S2)의 내부 압력을 조절하는 과정을 포함한다.
여기서, 기화실(S2)의 내부 압력을 조절하는 것은 기화실(S)의 내부 압력이 배관(41)의 내부 압력을 추종하도록, 기화실(S2)의 내부 압력을 낮춰주는 것을 의미할 수 있다. 그리고 이하에서 압력의 크기가 동일하다는 것은 압력의 크기가 일치하는 것을 의미한다. 또한, 압력의 크기가 동일하다는 것은 압력의 크기가 오차 범위 내에서 일치하는 것도 의미한다. 즉, 배관(41)의 내부 압력과 기화실(S2)의 내부 압력의 크기는 서로 완전히 일치할 수 있고, 또한, 소정의 오차 범위 내에서 서로 일치할 수도 있다.
이때, 오차 범위는 압력의 측정 시 불가피하게 발생되는 계기 오차를 의미할 수 있다.
또한, 오차 범위는 압력의 차이가 혼합물 끓는점 변화에 영향을 주지 않거나, 혹은, 영향을 주더라도 그 정도가 미약하다고 판단될 때의 배관(41)의 압력 크기와 기화실(S2)의 압력 크기의 차이를 의미할 수 있다. 이 때의 오차 범위는 예컨대 혼합물의 물성, 유량 및 유동 면적에 따라 달라질 수 있고, 또한, 반복적인 실험 혹은 공정에 의해 획득 가능하므로, 이의 수치적인 예시는 생략한다.
우선, 액체 원료 및 캐리어 가스를 혼합한다. 구체적으로, 제1 공급관(311)의 내부에 액체 원료의 흐름을 형성하고, 제2 공급관(312)의 내부에 캐리어 가스의 흐름을 형성하고, 혼합관(313)에서 액체 원료의 흐름과 상기 캐리어 가스의 흐름을 합류시키고, 혼합물의 흐름을 형성할 수 있다.
이후, 기화실(S2)에 액체 원료 및 캐리어 가스의 혼합물을 통과시키며 기화시킨다. 이때, 혼합물의 흐름을 기준으로 하여 기화실(S2)보다 상류에 마련된 예열실(S1)에 혼합물을 먼저 통과시키며 혼합물을 예열한다.
구체적으로, 기화실(S2)보다 내경이 작은 예열실(S1)에 혼합물을 통과시키며 혼합물을 제1온도로 가열하고, 이어서, 배관(41)과 내경이 동일한 기화실(S2)에 예열된 혼합물을 분사하고, 분사된 혼합물을 기화실(S2)의 내부면에 접촉시켜 제1온도보다 높은 제2온도로 가열할 수 있다. 여기서, 제2온도는 기화실(S2)의 내부 압력 하에서 혼합물 중의 액체 원료를 기화시킬 수 있는 소정의 온도를 의미하고, 제1온도는 상술한 제2 온도보다 낮은 소정의 온도를 의미한다.
이후, 기화된 혼합물을 배관(41)으로 배출시키고, 배관(41)을 통해 공정 챔버(42)에 공급할 수 있다.
이때, 기화실(S2)의 내부 압력이 배관(41)의 내부 압력보다 커지지 않도록 기화실(S2)의 내부 압력을 조절할 수 있다. 구체적으로 기화실(S2)의 내경(D2)의 크기와 배관(41)의 입구 내경(D3)의 크기를 오차 범위 내에서 동일하게 함으로써, 혼합물을 기화실(S2)에 분사하여 혼합물 중의 액체 원료를 기화시키는 중에, 기화실(S2)의 내부 압력을 배관(41)의 입구 압력과 동일하게 형성할 수 있다. 이에, 기화실(S2)의 내부에서 혼합물 중의 액체 원료의 끓는점이 높아지는 것을 방지하여, 액체 원료를 원활하게 기화시킬 수 있다.
도 3의 (a) 및 (b)는 본 발명의 비교 예 및 실시 예에 따른 배관 내부의 압력 변화를 비교하여 보여주는 그래프이다. 그래프의 가로 축은 공정을 수행한 시간을 나타내는 축이고, 세로 축은 공정 챔버의 압력을 나타내는 축이다.
비교 예에 따른 액체 기화 장치는 실시 예의 액체 기화 장치(300)에서 혼합관(313)을 제거하고 제1 공급관(311) 및 제2 공급관(312)을 기화부(330)에 직접 연결한 구조이다.
비교 예 및 실시 예의 액체 기화 장치를 이용하여 공정 챔버에 기화된 원료를 공급하고, 공정 중에 공정 챔버의 압력을 측정하여 그래프로 나타내었다. 이때, 액체 기화 장치에는 액체 원료를 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3 및 3.5 g/min의 유량으로 시간마다 다르게 공급하고, 캐리어 가스를 10L/min 의 유량으로 일정하게 공급하였다.
비교 예의 경우, 도 3의 (a)에 도시된 것처럼 공정 챔버의 압력이 불안정한 것을 확인할 수 있다. 반면, 도 3의 (b)를 보면, 실시 예에서는 공정 챔버의 압력이 안정적인 것을 확인할 수 있다. 즉, 실시 예의 장치를 이용한 공정 중에는 헌팅이 발생하지 않은 것을 확인할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실험 예들에 따른 기화실 내부의 압력 추이를 보여주는 표이다. 예컨대 실험 예들에 따른 원료 기화 장치로서, 기화실(S2)의 내경(D2) 크기가 서로 다른 원료 기화 장치들을 마련하고, 입구 내경(D2)의 크기가 서로 같은 배관(41)들에 상술한 원료 기화 장치들을 각각 연결한 후, 원료 기화 장치들에 각각 캐리어 가스를 예컨대 10L/min 공급하면서, 기화실(S2)의 압력을 측정하여 도 4에 표로 나타내었다. 이때, 내경의 단위는 mm 이다.
도 4를 보면, 기화실(S2)의 내경(D2)이 커질수록 기화실(S2)의 압력이 증가함을 확인할 수 있다. 즉, 기화실(S2)의 내경(D2)을 줄이면 기화실(S2)의 압력을 줄일 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이고, 본 발명의 제한을 위한 것이 아니다. 본 발명의 상기 실시 예에 개시된 구성과 방식은 서로 결합하거나 교차하여 다양한 형태로 조합 및 변형될 것이고, 이에 의한 변형 예들도 본 발명의 범주로 볼 수 있음을 주지해야 한다. 즉, 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
300: 원료 기화 장치
310: 공급부
330: 기화부
331: 기화 블록
332: 발열체
S1: 예열실
S2: 기화실

Claims (12)

  1. 원료를 기화시켜 배관으로 배출시킬 수 있는 원료 기화 장치로서,
    액체 원료 공급원 및 캐리어 가스 공급원과 연결되는 공급부;
    상기 공급부와 상기 배관을 연결시키도록 설치되고, 액체 원료 및 캐리어 가스를 통과시킬 수 있도록 중공형으로 형성되는 기화부;를 포함하고,
    상기 기화부는,
    상기 공급부의 출구 및 상기 배관의 입구와 연결되고, 내부에 예열실 및 기화실이 형성되는 기화 블록;
    상기 기화 블록에 내장되는 발열체;를 포함하고,
    상기 기화 블록은,
    내부에 상기 예열실이 형성되는 제1 몸체; 및
    내부에 상기 기화실이 형성되는 제2 몸체;를 포함하고,
    상기 발열체는, 상기 예열실 및 상기 기화실 각각에 직접 열을 전달하도록, 상기 제1 몸체의 내부와 상기 제2 몸체의 내부에 위치하며, 상기 예열실 및 상기 기화실을 감싸고,
    상기 공급부의 출구는, 액체 원료와 캐리어 가스의 혼합물을 상기 예열실의 내부면과 직접 접촉시키도록, 상기 예열실의 내경과 크기가 동일하면서 상기 예열실의 내부면과 접촉하여 연결되는 원료 기화 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 공급부는,
    상기 액체 원료 공급원과 연결되는 제1 공급관;
    상기 캐리어 가스 공급원과 연결되고, 상기 제1 공급관에 합류되는 제2 공급관;
    상기 제1 공급관 및 제2 공급관이 합류되는 부분과 상기 기화부를 연결시키는 혼합관;을 포함하는 원료 기화 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기화부의 적어도 일부는 상기 제1 공급관, 제2 공급관 및 혼합관보다 내경이 크고,
    상기 혼합관 및 기화부는 일 방향으로 연장되고 상호 정렬되는 원료 기화 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 공급부의 출구, 예열실, 기화실, 및 배관의 입구는 일 방향으로 연장되며 상호 정렬되고,
    상기 공급부의 출구, 예열실, 기화실, 및 배관의 입구 순서로 나열되는 원료 기화 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 기화실의 내경은 상기 배관의 입구와 크기가 동일한 원료 기화 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 예열실과 기화실의 경계에는 오리피스 부재가 구비되고,
    상기 오리피스 부재는 상기 공급부의 출구로부터 일 방향으로 이격되는 원료 기화 장치.
  9. 공급부에서 액체 원료 및 캐리어 가스를 혼합하는 과정;
    예열실에 상기 액체 원료 및 캐리어 가스의 혼합물을 통과시키며 예열하는 과정;
    기화실에 예열된 혼합물을 통과시키며 기화시키는 과정;
    기화된 혼합물을 배관으로 배출시키는 과정; 및
    상기 기화실의 내부 압력이 상기 배관의 내부 압력보다 높아지지 않도록 상기 기화실의 내부 압력을 조절하는 과정;을 포함하고,
    상기 혼합물을 통과시키며 예열하는 과정은,
    상기 예열실을 정의하는 제1몸체의 내부에 위치하며 상기 예열실을 감싸는 발열체로부터 상기 예열실로 열을 직접 전달하는 과정; 및
    상기 예열실의 내경과 크기가 동일하면서 상기 예열실의 내부면과 접촉하여 연결된 상기 공급부의 출구로부터 혼합물을 분사하여 상기 예열실의 내부면에 직접 접촉시키고 상기 예열실의 내부면의 열을 분사된 혼합물에 직접 전달하는 과정;을 포함하는 원료 기화 방법.
  10. 삭제
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 예열하는 과정은,
    상기 기화실보다 내경이 작은 상기 예열실에 상기 혼합물을 통과시키며 상기 혼합물을 제1온도로 가열하는 과정;을 포함하는 원료 기화 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 기화시키는 과정은,
    상기 배관과 내경이 동일한 상기 기화실에 예열된 혼합물을 분사하고, 상기 혼합물을 상기 기화실의 내부면에 접촉시켜 상기 제1온도보다 높은 제2온도로 가열하는 과정;을 포함하는 원료 기화 방법.
KR1020190068190A 2019-06-10 2019-06-10 원료 기화 장치 및 방법 KR102262514B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190068190A KR102262514B1 (ko) 2019-06-10 2019-06-10 원료 기화 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190068190A KR102262514B1 (ko) 2019-06-10 2019-06-10 원료 기화 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200141310A KR20200141310A (ko) 2020-12-18
KR102262514B1 true KR102262514B1 (ko) 2021-06-09

Family

ID=74041814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190068190A KR102262514B1 (ko) 2019-06-10 2019-06-10 원료 기화 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102262514B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003163168A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Stec Inc 液体材料気化装置
JP2006193801A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Tokyo Electron Ltd 気化装置及び処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5200551B2 (ja) * 2008-01-18 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
KR101003809B1 (ko) * 2008-12-12 2010-12-23 (주)티티에스 기화기
KR101103297B1 (ko) 2010-05-25 2012-01-11 (주)티티에스 원료 공급 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20130095421A (ko) * 2012-02-20 2013-08-28 삼성전자주식회사 전구물질 기화 장치 및 이를 이용한 막 형성 방법
KR101678100B1 (ko) 2015-02-12 2016-11-22 (주)티티에스 원료 공급기 및 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003163168A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Stec Inc 液体材料気化装置
JP2006193801A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Tokyo Electron Ltd 気化装置及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200141310A (ko) 2020-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080106544A (ko) 직접 액체 분사 장치
US10147597B1 (en) Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer
JP5104151B2 (ja) 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US20050147749A1 (en) High-performance vaporizer for liquid-precursor and multi-liquid-precursor vaporization in semiconductor thin film deposition
WO2007029726A1 (ja) 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器
WO2001036707A1 (en) Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a cvd chamber
JP5118644B2 (ja) 液体材料気化装置
KR20230074437A (ko) 기화기
EP1644972A2 (en) Method and apparatus for silicone oxide deposition on large area substrates
KR102262514B1 (ko) 원료 기화 장치 및 방법
CN114270480A (zh) 气化器
JP2002217181A (ja) 半導体原料供給用気化器
JPH09115836A (ja) 薄膜蒸着装置
KR100805354B1 (ko) 액체 원료 기화 장치
JPH038330A (ja) 液状半導体形成材料気化供給装置
CN210458362U (zh) 用于化学气相沉积反应的供气系统
KR102072924B1 (ko) 고효율 반도체 증착용 기화기
CN101511460A (zh) 直接液体喷射装置
KR20100124383A (ko) 전구체 공급장치 및 이를 포함하는 박막증착시스템
KR20100071604A (ko) 분사각도의 조절이 가능한 분사노즐을 가지는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치
KR100455224B1 (ko) 기화기
JPH03126872A (ja) 液状半導体形成材料気化供給装置
KR102612872B1 (ko) 밸브 및 기판 처리 설비
JPH08131812A (ja) 液体の気化供給装置
KR20070089817A (ko) 기판 표면 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant