KR20090079819A - 기화기를 포함하는 반도체 처리 시스템 및 그 사용 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템이며,상기 반도체 처리 장치는,피처리 기판을 수납하는 처리실과,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리실 내를 배기하는 배기계를 구비하고,상기 가스 공급 장치는,액체 원료를 기화하기 위한 기화실을 형성하는 용기와,상기 액체 원료를 캐리어 가스에 의해 안개화하여 상기 기화실 내에 공급하는 노즐과,상기 액체 원료를 상기 노즐에 공급하는 액체 원료 공급로와,상기 캐리어 가스를 상기 노즐에 공급하는 캐리어 가스 공급로와,상기 안개화된 액체 원료를 기화하여 상기 처리 가스를 생성하기 위해 상기 기화실 내를 가열하는 히터와,상기 처리 가스를 상기 기화실 내로부터 상기 처리실에 공급하기 위한 기체 공급로와,상기 기화실 내의 압력을 검출하기 위한 압력 검출부와,상기 기화실 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 기구와,상기 압력 조정 기구의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는 상기 압력 검출부의 압력 검출값을 기초로 하여 상기 기화실 내의 압력이 소정의 압력 범위 내에 들어가도록 상기 압력 조정 기구의 동작을 제어하도록 미리 설정되고, 상기 소정의 압력 범위는 상기 압력의 상승에 의해 상기 액체 원료의 기화가 저해되는 제1 한계값보다 낮게 설정된 상한값과, 상기 압력의 하강에 의해 상기 액체 원료의 기화가 불안정해져 상기 기화실 내의 압력이 맥동을 개시하는 제2 한계값보다 높게 설정된 하한값에 의해 규정되는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 하한값은 상기 압력의 하강에 의해 상기 노즐의 선단부 내에서 상기 액체 원료의 용제가 비등하기 시작하는 압력의 한계값보다 높은 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 하한값은 상기 상한값의 40 % 내지 60 %로 설정되는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 압력 조정기는 상기 기체 공급로에 배치된 상기 처리 가스의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 장치는 상기 액체 원료 공급로에 접속된 상기 액체 원료에 용제를 첨가하는 용제 공급로를 더 구비하고, 상기 압력 조정 기구는 상기 용제 공급로에 배치된 상기 용제의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 압력 조정 기구는 상기 캐리어 가스 공급로에 배치된 상기 캐리어 가스의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 장치는 상기 액체 원료로서 고체 재료를 용제에 용해한 재료를 사용하도록 구성되는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 처리 장치는 상기 피처리 기판 상에 박막을 형성하도록 구성되고, 상기 가스 공급 장치는 상기 처리 가스로서 상기 박막의 성분을 제공하는 가스를 공급하도록 구성되는 반도체 처리 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 노즐은 내관 및 외관으로 이루어지는 이중관 구조를 갖고, 상기 내관으로부터 상기 액체 원료가 공급되고, 상기 외관으로부터 상기 캐리어 가스가 공급되는 반도체 처리 시스템.
- 제9항에 있어서, 상기 노즐은 상기 액체 원료를 냉각하기 위한 냉각 블록에 설치되고, 상기 액체 원료 공급로는 상기 냉각 블록을 통해 상기 노즐에 접속되는 반도체 처리 시스템.
- 반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템의 사용 방법이며,상기 반도체 처리 장치는,피처리 기판을 수납하는 처리실과,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리실 내를 배기하는 배기계를 구비하고,상기 가스 공급 장치는,액체 원료를 기화하기 위한 기화실을 형성하는 용기와,상기 액체 원료를 캐리어 가스에 의해 안개화하여 상기 기화실 내에 공급하는 노즐과,상기 액체 원료를 상기 노즐에 공급하는 액체 원료 공급로와,상기 캐리어 가스를 상기 노즐에 공급하는 캐리어 가스 공급로와,상기 안개화된 액체 원료를 기화하여 상기 처리 가스를 생성하기 위해 상기 기화실 내를 가열하는 히터와,상기 처리 가스를 상기 기화실 내로부터 상기 처리실에 공급하기 위한 기체 공급로와,상기 기화실 내의 압력을 검출하기 위한 압력 검출부와,상기 기화실 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 기구를 구비하고,상기 방법은,상기 기화실 내의 압력의 상승에 의해 상기 액체 원료의 기화가 저해되는 제1 한계값을 구하는 공정과,상기 압력의 하강에 의해 상기 액체 원료의 기화가 불안정해져 상기 기화실 내의 압력이 맥동을 개시하는 제2 한계값을 구하는 공정과,상기 제1 한계값보다 낮게 설정된 상한값과 상기 제2 한계값보다 높게 설정된 하한값에 의해 규정되는 소정의 압력 범위를 결정하는 공정과,상기 압력 검출부의 압력 검출값을 기초로 하여 상기 기화실 내의 압력이 상기 소정의 압력 범위 내에 들어가도록 상기 압력 조정 기구의 동작을 제어하는 공정을 구비하는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 하한값은 상기 압력의 하강에 의해 상기 노즐의 선단부 내에서 상기 액체 원료의 용제가 비등하기 시작하는 압력의 한계값보다 높은 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 하한값은 상기 상한값의 40 % 내지 60 %로 설정되는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 압력 조정 기구는 상기 기체 공급로에 배치된 상기 처리 가스의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 방법은 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 가스 공급 장치는 상기 액체 원료 공급로에 접속된 상기 액체 원료에 용제를 첨가하는 용제 공급로를 더 구비하고, 상기 압력 조정 기구는 상기 용제 공급로에 배치되고, 상기 용제의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 방법은 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 압력 조정 기구는 상기 캐리어 가스 공급로에 배치된 상기 캐리어 가스의 유량을 조정하기 위한 유량 조정부를 구비하고, 상기 방법은 상기 압력 검출값을 기초로 하여 상기 유량 조정부의 동작을 제어하는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 가스 공급 장치는 상기 액체 원료로서 고체 재료를 용제에 용해한 재료를 사용하도록 구성되는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 반도체 처리 장치는 상기 피처리 기판 상에 박막을 형성하도록 구성되고, 상기 가스 공급 장치는 상기 처리 가스로서 상기 박막의 성분을 제공하는 가스를 공급하도록 구성되는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 노즐은 내관 및 외관으로 이루어지는 이중관 구조를 갖고, 상기 내관으로부터 상기 액체 원료가 공급되고, 상기 외관으로부터 상기 캐리어 가스가 공급되는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 노즐은 상기 액체 원료를 냉각하기 위한 냉각 블록에 설치되고, 상기 액체 원료 공급로는 상기 냉각 블록을 통해 상기 노즐에 접속되는 반도체 처리 시스템의 사용 방법.
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