JPH11335846A - 成膜装置及びその運転方法 - Google Patents
成膜装置及びその運転方法Info
- Publication number
- JPH11335846A JPH11335846A JP15538298A JP15538298A JPH11335846A JP H11335846 A JPH11335846 A JP H11335846A JP 15538298 A JP15538298 A JP 15538298A JP 15538298 A JP15538298 A JP 15538298A JP H11335846 A JPH11335846 A JP H11335846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- shower head
- forming chamber
- pipe
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば、保守作業後の成膜装置の立ち上げの
際に、装置部品や配管の残留ガスを完全に除去して、こ
れによる汚染を排除することができる成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 基板Ｗを内部に保持する成膜室１８と、
成膜室において原料ガスを基板に噴射するシャワヘッド
３２と、原料ガスを原料供給配管２０を介してシャワヘ
ッドに供給する気化器１０と、成膜室を排気する主排気
手段２４を備え、シャワヘッドを原料供給配管側から直
接に排気するバイパス配管４４が設けられている。
際に、装置部品や配管の残留ガスを完全に除去して、こ
れによる汚染を排除することができる成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 基板Ｗを内部に保持する成膜室１８と、
成膜室において原料ガスを基板に噴射するシャワヘッド
３２と、原料ガスを原料供給配管２０を介してシャワヘ
ッドに供給する気化器１０と、成膜室を排気する主排気
手段２４を備え、シャワヘッドを原料供給配管側から直
接に排気するバイパス配管４４が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関し、
特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体
又は強誘電体薄膜を形成するのに好適な成膜装置に関す
る。
特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体
又は強誘電体薄膜を形成するのに好適な成膜装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、例えば、チタン酸バリウム／ス
トロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を形成する
ための成膜装置を示す図であり、例えば液状の原料を気
化する気化器１０の下流側に原料配管２０を介して成膜
室１８が設けられ、さらにその下流側の排気経路に真空
ポンプ２２が配置されて主排気配管２４が構成されてい
る。成膜室１８には、酸素等の反応ガスを供給する反応
ガス配管２８が接続されている。成膜室１８には、基板
Ｗを加熱・保持する保持台３０と、これに対向してノズ
ル孔３４より原料ガスや反応ガスを噴射するシャワヘッ
ド３２が設けられている。主排気配管２４の成膜室１８
の下流には、開閉弁Ｖ6が設けてあり、これは成膜室１
８内の圧力を調整するものである。
トロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を形成する
ための成膜装置を示す図であり、例えば液状の原料を気
化する気化器１０の下流側に原料配管２０を介して成膜
室１８が設けられ、さらにその下流側の排気経路に真空
ポンプ２２が配置されて主排気配管２４が構成されてい
る。成膜室１８には、酸素等の反応ガスを供給する反応
ガス配管２８が接続されている。成膜室１８には、基板
Ｗを加熱・保持する保持台３０と、これに対向してノズ
ル孔３４より原料ガスや反応ガスを噴射するシャワヘッ
ド３２が設けられている。主排気配管２４の成膜室１８
の下流には、開閉弁Ｖ6が設けてあり、これは成膜室１
８内の圧力を調整するものである。
【０００３】このような成膜装置では、気化器において
安定な条件で気化を行なうために気化器１０への原料供
給を短い時間のピッチで遮断しないようにしており、一
方、成膜室１８では、成膜時間の管理、処理基板の交換
のために原料ガスの流れを正確に制御する必要がある。
そこで、原料配管２０とは別に、成膜室１８をバイパス
する気化器のベント配管１６が設けられており、開閉弁
Ｖ1，Ｖ2によって気化器１０をいずれかに選択的に接続
するようにしている。
安定な条件で気化を行なうために気化器１０への原料供
給を短い時間のピッチで遮断しないようにしており、一
方、成膜室１８では、成膜時間の管理、処理基板の交換
のために原料ガスの流れを正確に制御する必要がある。
そこで、原料配管２０とは別に、成膜室１８をバイパス
する気化器のベント配管１６が設けられており、開閉弁
Ｖ1，Ｖ2によって気化器１０をいずれかに選択的に接続
するようにしている。
【０００４】従って、成膜処理を行っていない場合には
原料ガスはベント配管１６に流れ、高い濃度で含まれる
原料ガスはトラップ２６において凝結して捕集される。
成膜処理を開始する場合には、開閉弁Ｖ1，Ｖ2の切換に
よって原料配管２０より成膜室１８を経由して原料を供
給していた。なお、トラップ２６の直後には開閉弁Ｖ3
が設けてあり、トラップ２６を保守するときに開閉弁Ｖ
2，Ｖ3を閉じたのち、トラップ２６を大気に曝すことに
よりベント配管１６を大気に開放しないようにする。
原料ガスはベント配管１６に流れ、高い濃度で含まれる
原料ガスはトラップ２６において凝結して捕集される。
成膜処理を開始する場合には、開閉弁Ｖ1，Ｖ2の切換に
よって原料配管２０より成膜室１８を経由して原料を供
給していた。なお、トラップ２６の直後には開閉弁Ｖ3
が設けてあり、トラップ２６を保守するときに開閉弁Ｖ
2，Ｖ3を閉じたのち、トラップ２６を大気に曝すことに
よりベント配管１６を大気に開放しないようにする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、気化器１
０、成膜室１８等の保守を行なうと、これらの装置やこ
れらを連絡する配管が大気に開放され、大気中のＨ
2０，ＣＯ，ＣＯ2等の雰囲気ガスがこれらの装置の部品
や配管の表面に吸着される。また、これらの装置の部品
や配管を交換すれば、それらの部材は同様に種々のガス
成分で汚染されている可能性がある。
０、成膜室１８等の保守を行なうと、これらの装置やこ
れらを連絡する配管が大気に開放され、大気中のＨ
2０，ＣＯ，ＣＯ2等の雰囲気ガスがこれらの装置の部品
や配管の表面に吸着される。また、これらの装置の部品
や配管を交換すれば、それらの部材は同様に種々のガス
成分で汚染されている可能性がある。
【０００６】しかしながら、上記のような従来の装置で
は、立ち上げの際の真空排気を、シャワヘッド３２のノ
ズル孔３４のようなコンダクタンスの小さい要素を含む
成膜室１８を経由して行っており、各部分の真空到達度
が充分でないので、シャワヘッド３２、気化器１０等に
含まれる汚染性ガス物質を充分に排除できない。このよ
うな残留ガスは、成膜処理開始後に原料ガスと接触して
これを分解し、成膜速度の低下やパーティクルの発生に
よる成膜の品質低下を引き起こす。また、残留ガス成分
の除去のために所定の低圧にするまでに時間が掛かるの
で、稼動効率を低下させる。
は、立ち上げの際の真空排気を、シャワヘッド３２のノ
ズル孔３４のようなコンダクタンスの小さい要素を含む
成膜室１８を経由して行っており、各部分の真空到達度
が充分でないので、シャワヘッド３２、気化器１０等に
含まれる汚染性ガス物質を充分に排除できない。このよ
うな残留ガスは、成膜処理開始後に原料ガスと接触して
これを分解し、成膜速度の低下やパーティクルの発生に
よる成膜の品質低下を引き起こす。また、残留ガス成分
の除去のために所定の低圧にするまでに時間が掛かるの
で、稼動効率を低下させる。
【０００７】本発明は、上記のような課題に鑑み、例え
ば、保守作業後の成膜装置の立ち上げの際に、装置部品
や配管の残留ガスを完全に除去して、これによる汚染を
排除することができる成膜装置を提供することを目的と
する。
ば、保守作業後の成膜装置の立ち上げの際に、装置部品
や配管の残留ガスを完全に除去して、これによる汚染を
排除することができる成膜装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を内部に保持する成膜室と、成膜室において原
料ガスを前記基板に噴射するシャワヘッドと、原料ガス
を原料供給配管を介して前記シャワヘッドに供給する気
化器と、成膜室を排気する主排気手段を備え、前記シャ
ワヘッドを前記原料供給配管側から直接に排気する直接
排気ラインが設けられていることを特徴とする成膜装置
である。
は、基板を内部に保持する成膜室と、成膜室において原
料ガスを前記基板に噴射するシャワヘッドと、原料ガス
を原料供給配管を介して前記シャワヘッドに供給する気
化器と、成膜室を排気する主排気手段を備え、前記シャ
ワヘッドを前記原料供給配管側から直接に排気する直接
排気ラインが設けられていることを特徴とする成膜装置
である。
【０００９】これにより、例えば、成膜室の保守・点検
等を行なうためにシャワヘッドを含む内部を大気雰囲気
に曝した場合、その後の装置の立ち上げ作業においてシ
ャワヘッドを直接排気ラインを介して原料供給配管側か
ら直接に排気し、この部分の真空度を高く維持して、該
当部に付着し又は吸収されているガス成分を迅速に除去
してそのレベルを低下させる。
等を行なうためにシャワヘッドを含む内部を大気雰囲気
に曝した場合、その後の装置の立ち上げ作業においてシ
ャワヘッドを直接排気ラインを介して原料供給配管側か
ら直接に排気し、この部分の真空度を高く維持して、該
当部に付着し又は吸収されているガス成分を迅速に除去
してそのレベルを低下させる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、基板を内部に保
持する成膜室と、成膜室において原料ガスを前記基板に
噴射するシャワヘッドと、原料ガスを原料供給配管を介
して前記シャワヘッドに供給する気化器と、成膜室を排
気する排気手段を備えた成膜装置の運転方法において、
前記成膜装置の立ち上げ時において、シャワヘッドを前
記原料供給配管側から直接に排気することを特徴とする
成膜装置の運転方法である。
持する成膜室と、成膜室において原料ガスを前記基板に
噴射するシャワヘッドと、原料ガスを原料供給配管を介
して前記シャワヘッドに供給する気化器と、成膜室を排
気する排気手段を備えた成膜装置の運転方法において、
前記成膜装置の立ち上げ時において、シャワヘッドを前
記原料供給配管側から直接に排気することを特徴とする
成膜装置の運転方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に示すのは、この発明の１つ
の実施の形態の成膜装置を示すもので、基本的な構成は
先に説明した従来の装置と同じである。すなわち、気化
器１０の出口配管１２は下流で原料配管２０とベント配
管１６とに分岐し、原料配管２０は成膜室１８と主排気
配管（主排気手段）２４を経由して真空ポンプ２２に連
絡している。主開閉弁Ｖ1は原料配管２０の出口配管１
２付近の設けてある。ベント配管１６は、開閉弁Ｖ2を
介してトラップ２６に連絡され、さらに開閉弁Ｖ3を介
して真空ポンプ２２の上流で主排気配管２４に合流して
いる。成膜室１８の上流側には反応ガスを供給する反応
ガス配管２８が開閉弁Ｖ4を介して原料配管２０に接続
されている。
の実施の形態の成膜装置を示すもので、基本的な構成は
先に説明した従来の装置と同じである。すなわち、気化
器１０の出口配管１２は下流で原料配管２０とベント配
管１６とに分岐し、原料配管２０は成膜室１８と主排気
配管（主排気手段）２４を経由して真空ポンプ２２に連
絡している。主開閉弁Ｖ1は原料配管２０の出口配管１
２付近の設けてある。ベント配管１６は、開閉弁Ｖ2を
介してトラップ２６に連絡され、さらに開閉弁Ｖ3を介
して真空ポンプ２２の上流で主排気配管２４に合流して
いる。成膜室１８の上流側には反応ガスを供給する反応
ガス配管２８が開閉弁Ｖ4を介して原料配管２０に接続
されている。
【００１２】成膜室１８の内部には被処理基板Ｗを保持
し加熱する保持台３０が設けられ、成膜室１８の上部に
は基板Ｗに対向するようにシャワヘッド３２が設けられ
ている。シャワヘッド３２は、多数のノズル孔３４が形
成されたノズル盤３６を有しており、これの上流側にガ
ス振り分け板３８を有するガス空間４０が形成され、こ
れに原料配管２０が接続されている。成膜室１８の下部
の所定箇所に排気口４２が設けられ、主排気配管２４に
接続されている。
し加熱する保持台３０が設けられ、成膜室１８の上部に
は基板Ｗに対向するようにシャワヘッド３２が設けられ
ている。シャワヘッド３２は、多数のノズル孔３４が形
成されたノズル盤３６を有しており、これの上流側にガ
ス振り分け板３８を有するガス空間４０が形成され、こ
れに原料配管２０が接続されている。成膜室１８の下部
の所定箇所に排気口４２が設けられ、主排気配管２４に
接続されている。
【００１３】この実施の形態では、原料配管２０の成膜
室１８のすぐ上流側の点と、成膜室１８の下流側の主排
気配管２４とベント配管１６との合流点を結ぶバイパス
配管（直接排気ライン）４４が設けられ、これには開閉
弁Ｖ7がシャワヘッド３２の近傍に設けられている。ま
た、低圧排気による残留ガス排出が必要な箇所、この例
ではシャワヘッド３２のガス空間４０に真空度を確認す
るための圧力センサ４６が設けられている。
室１８のすぐ上流側の点と、成膜室１８の下流側の主排
気配管２４とベント配管１６との合流点を結ぶバイパス
配管（直接排気ライン）４４が設けられ、これには開閉
弁Ｖ7がシャワヘッド３２の近傍に設けられている。ま
た、低圧排気による残留ガス排出が必要な箇所、この例
ではシャワヘッド３２のガス空間４０に真空度を確認す
るための圧力センサ４６が設けられている。
【００１４】以上のように構成された成膜装置の作用を
説明する。定常的な運転では、バイパス配管４４は用い
ず、開閉弁Ｖ7を閉じ原料配管２０とベント配管１６と
を交互に切り換える。つまり、気化器１０には、所定の
流量で液体原料やキャリアガスを供給して、これを常に
稼動しておき、成膜処理中は気化原料を原料配管２０に
流して成膜を行い、成膜処理の終了と同時にこれをベン
ト配管１６に切り換えて原料をトラップしつつ排出し、
成膜処理の開始とともにこれを原料配管２０に切り換え
る。
説明する。定常的な運転では、バイパス配管４４は用い
ず、開閉弁Ｖ7を閉じ原料配管２０とベント配管１６と
を交互に切り換える。つまり、気化器１０には、所定の
流量で液体原料やキャリアガスを供給して、これを常に
稼動しておき、成膜処理中は気化原料を原料配管２０に
流して成膜を行い、成膜処理の終了と同時にこれをベン
ト配管１６に切り換えて原料をトラップしつつ排出し、
成膜処理の開始とともにこれを原料配管２０に切り換え
る。
【００１５】例えば、成膜室１８の保守・点検等を行な
うときは、トラップ２６に吸着している付着物が剥離し
てパーティクルが発生することを防止したり、気化器１
０に大気が吸着して液体原料が分解して気化不可能にな
ることを防止するため、開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3を閉じた
のちシャワヘッド３２を含む内部を大気雰囲気に曝す。
その後の装置の立ち上げの作業は以下のように行う。開
閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ4を閉じ、開閉弁Ｖ5，Ｖ6，Ｖ7を開い
て真空ポンプ２２を動作させて排気を行なう。この場
合、密閉した領域を排気しているので圧力は低下する
が、真空ポンプ２２の能力や領域の容積との関係である
程度の真空度に到達すると飽和する。
うときは、トラップ２６に吸着している付着物が剥離し
てパーティクルが発生することを防止したり、気化器１
０に大気が吸着して液体原料が分解して気化不可能にな
ることを防止するため、開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3を閉じた
のちシャワヘッド３２を含む内部を大気雰囲気に曝す。
その後の装置の立ち上げの作業は以下のように行う。開
閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ4を閉じ、開閉弁Ｖ5，Ｖ6，Ｖ7を開い
て真空ポンプ２２を動作させて排気を行なう。この場
合、密閉した領域を排気しているので圧力は低下する
が、真空ポンプ２２の能力や領域の容積との関係である
程度の真空度に到達すると飽和する。
【００１６】ここにおいて成膜室１８は、排気口４２、
主排気配管２４を経由して下側から排気するラインと、
原料供給配管２０、バイパス配管４４を経由してシャワ
ヘッド３２を上側から排気するラインの双方から排気さ
れる。従って、従来のように成膜室１８の下流側のみか
ら排気する場合と異なり、シャワヘッド３２をコンダク
タンスが低いノズル盤３６のみならず、バイパス配管４
４も経由して排気するので、ガス空間４０等の圧力が迅
速にかつ充分な真空度に到達する。この到達真空度は、
圧力センサ４６によって確認することができる。所定の
真空度に到達してから所定の時間の排気処理を行なうこ
とにより、シャワヘッド３２の内壁面等構成要素に吸着
され又は吸収されているガス成分は低いレベルにまで除
去される。
主排気配管２４を経由して下側から排気するラインと、
原料供給配管２０、バイパス配管４４を経由してシャワ
ヘッド３２を上側から排気するラインの双方から排気さ
れる。従って、従来のように成膜室１８の下流側のみか
ら排気する場合と異なり、シャワヘッド３２をコンダク
タンスが低いノズル盤３６のみならず、バイパス配管４
４も経由して排気するので、ガス空間４０等の圧力が迅
速にかつ充分な真空度に到達する。この到達真空度は、
圧力センサ４６によって確認することができる。所定の
真空度に到達してから所定の時間の排気処理を行なうこ
とにより、シャワヘッド３２の内壁面等構成要素に吸着
され又は吸収されているガス成分は低いレベルにまで除
去される。
【００１７】このようにして成膜室１８に吸着されたガ
ス成分除去を行った後に、開閉弁Ｖ2を開いてベント配
管１６から排気を行いながら気化器１０を立ち上げて、
これが定常状態になったところで、開閉弁Ｖ1，Ｖ4を開
き、開閉弁Ｖ2，Ｖ7を閉じ、成膜処理を開始する。上記
実施の形態ではシャワヘッド３２を排気するとき開閉弁
Ｖ1，Ｖ2，Ｖ4を閉じたが、それに加えて開閉弁Ｖ3も閉
じると、ポンプ２２はトラップ２６内を排気しなくてす
み、効果的にシャワヘッド３２を排気でき、運転コスト
を抑えられる。
ス成分除去を行った後に、開閉弁Ｖ2を開いてベント配
管１６から排気を行いながら気化器１０を立ち上げて、
これが定常状態になったところで、開閉弁Ｖ1，Ｖ4を開
き、開閉弁Ｖ2，Ｖ7を閉じ、成膜処理を開始する。上記
実施の形態ではシャワヘッド３２を排気するとき開閉弁
Ｖ1，Ｖ2，Ｖ4を閉じたが、それに加えて開閉弁Ｖ3も閉
じると、ポンプ２２はトラップ２６内を排気しなくてす
み、効果的にシャワヘッド３２を排気でき、運転コスト
を抑えられる。
【００１８】なお、上記においては、一台の真空ポンプ
で直接排気を行なうようにしたが、これを増設して必要
に応じて単複を使い分けてもよい。また、直接排気ライ
ンを主排気配管と全く別系統として設けてもよい。ま
た、上記実施形態では直接排気ラインは原料供給配管と
接続しているが、原料供給配管と接続するのをやめ、直
接排気ラインが分岐して原料供給配管と別個にシャワヘ
ッド上流側に連結するようにしてもよい。
で直接排気を行なうようにしたが、これを増設して必要
に応じて単複を使い分けてもよい。また、直接排気ライ
ンを主排気配管と全く別系統として設けてもよい。ま
た、上記実施形態では直接排気ラインは原料供給配管と
接続しているが、原料供給配管と接続するのをやめ、直
接排気ラインが分岐して原料供給配管と別個にシャワヘ
ッド上流側に連結するようにしてもよい。
【００１９】上記実施形態（図１）では、シャワヘッド
３２を主排気配管２４とバイパス配管４４との双方から
排気し、コンダクタンスの高いバイパス配管４４側から
の排気により、効果的にシャワヘッド３２を排気した
が、本発明はこれに限らず図２の原料配管２０からベン
ト配管１６に至る経路を図１のバイパス配管４４の代わ
りとして使用することもできる。すなわち、上述の原料
配管２０からベント配管１６に至るコンダクタンスの高
い経路と、主排気配管２４との双方からシャワヘッド３
２を排気する。
３２を主排気配管２４とバイパス配管４４との双方から
排気し、コンダクタンスの高いバイパス配管４４側から
の排気により、効果的にシャワヘッド３２を排気した
が、本発明はこれに限らず図２の原料配管２０からベン
ト配管１６に至る経路を図１のバイパス配管４４の代わ
りとして使用することもできる。すなわち、上述の原料
配管２０からベント配管１６に至るコンダクタンスの高
い経路と、主排気配管２４との双方からシャワヘッド３
２を排気する。
【００２０】この場合、最初のうちは、開閉弁Ｖ1を閉
じ、シャワヘッド３２を主排気配管２４側からのみ排気
し、シャワヘッド３２に吸着された汚染ガス成分をある
程度除去したのち、開閉弁Ｖ1も開いて原料配管２０側
からも排気する。このように、最初のうちに原料配管２
０を排気に使わない理由は、仮に最初から原料配管２０
側からもシャワヘッド３２を排気すると、シャワヘッド
３２に吸着された汚染ガス成分が多量に原料配管２０内
を通るため、気化器１０内の原料に対し上記汚染ガス成
分が悪影響を与えたり、原料配管２０全長にわたり上記
汚染ガスが汚染し、のちの成膜時に原料ガスが原料配管
２０内を通るときにパーティクルの発生が起こるためで
ある。
じ、シャワヘッド３２を主排気配管２４側からのみ排気
し、シャワヘッド３２に吸着された汚染ガス成分をある
程度除去したのち、開閉弁Ｖ1も開いて原料配管２０側
からも排気する。このように、最初のうちに原料配管２
０を排気に使わない理由は、仮に最初から原料配管２０
側からもシャワヘッド３２を排気すると、シャワヘッド
３２に吸着された汚染ガス成分が多量に原料配管２０内
を通るため、気化器１０内の原料に対し上記汚染ガス成
分が悪影響を与えたり、原料配管２０全長にわたり上記
汚染ガスが汚染し、のちの成膜時に原料ガスが原料配管
２０内を通るときにパーティクルの発生が起こるためで
ある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シャワヘッドの内部のようなコンダクタンスの低い部分
を直接排気ラインを介して原料供給配管側から直接に排
気し、この部分の真空度を高く維持して、該当部に付着
し又は吸収されているガス成分を迅速に除去する。従っ
て、成膜室の保守・点検等の後の装置の立ち上げ後の稼
動が円滑に行われ、また、残留ガス成分によって成膜の
品質を落とすことが無いような成膜装置を提供すること
ができる。
シャワヘッドの内部のようなコンダクタンスの低い部分
を直接排気ラインを介して原料供給配管側から直接に排
気し、この部分の真空度を高く維持して、該当部に付着
し又は吸収されているガス成分を迅速に除去する。従っ
て、成膜室の保守・点検等の後の装置の立ち上げ後の稼
動が円滑に行われ、また、残留ガス成分によって成膜の
品質を落とすことが無いような成膜装置を提供すること
ができる。
【図１】この発明の１つの実施の形態の成膜装置の全体
の構成を模式的に示す図である。
の構成を模式的に示す図である。
【図２】従来の成膜装置の全体の構成を模式的に示す図
である。
である。
１０ 気化器 １２ 出口配管 １６ ベント配管 １８ 成膜室 ２２ 真空ポンプ ２４ 主排気配管 ２６ トラップ ３２ シャワヘッド ３４ ノズル孔 ３６ ノズル盤 ４４ バイパス配管 Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4，Ｖ5，Ｖ6，Ｖ7 開閉弁
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を内部に保持する成膜室と、成膜室
において原料ガスを前記基板に噴射するシャワヘッド
と、原料ガスを原料供給配管を介して前記シャワヘッド
に供給する気化器と、成膜室を排気する主排気手段を備
え、 前記シャワヘッドを前記原料供給配管側から直接に排気
する直接排気ラインが設けられていることを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項２】 基板を内部に保持する成膜室と、成膜室
において原料ガスを前記基板に噴射するシャワヘッド
と、原料ガスを原料供給配管を介して前記シャワヘッド
に供給する気化器と、成膜室を排気する排気手段を備え
た成膜装置の運転方法において、 前記成膜装置の立ち上げ時において、シャワヘッドを前
記原料供給配管側から直接に排気することを特徴とする
成膜装置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538298A JPH11335846A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜装置及びその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538298A JPH11335846A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜装置及びその運転方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335846A true JPH11335846A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15604733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15538298A Pending JPH11335846A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜装置及びその運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11335846A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101103119B1 (ko) | 2008-01-18 | 2012-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기화기를 포함하는 반도체 처리 시스템 및 그 사용 방법 |
| JP2014220398A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | ソニー株式会社 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP15538298A patent/JPH11335846A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101103119B1 (ko) | 2008-01-18 | 2012-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기화기를 포함하는 반도체 처리 시스템 및 그 사용 방법 |
| JP2014220398A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | ソニー株式会社 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003101635A1 (en) | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas | |
| JP2002184741A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP4036751B2 (ja) | 洗浄並びにエッチング方法とその装置 | |
| JPH11312649A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP6623077B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR100365842B1 (ko) | 성막장치및성막방법 | |
| JPH07169729A (ja) | 半導体製造における材料又は（及び）器具表面の洗浄を三弗化窒素を用いて行なう装置と方法 | |
| KR19990077997A (ko) | 처리액공급장치,처리장치및처리방법 | |
| WO2007086393A1 (ja) | 基板処理システム | |
| JPH11335846A (ja) | 成膜装置及びその運転方法 | |
| JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
| JP3954464B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002121673A (ja) | グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱ｃｖｄ装置 | |
| JP3336541B2 (ja) | ガス・デポジション法でのガス循環法およびガス・デポジション装置用のガス循環装置 | |
| JP3646903B2 (ja) | 膜脱気装置 | |
| JP2002246374A (ja) | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 | |
| JPH0635650B2 (ja) | 超高純度ガス供給装置 | |
| JPH111773A (ja) | 排気装置および排気方法 | |
| JPH05311403A (ja) | 成膜装置のガス再生装置 | |
| JP4149595B2 (ja) | 原料ガス供給装置 | |
| JP2002367952A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH08274029A (ja) | ガス供給装置 | |
| JP3571487B2 (ja) | 基板処理方法及び同装置 | |
| JPH03245526A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2016223636A (ja) | 容器内面の乾燥方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050510 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |