KR100365842B1 - 성막장치및성막방법 - Google Patents

성막장치및성막방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100365842B1
KR100365842B1 KR10-1998-0018335A KR19980018335A KR100365842B1 KR 100365842 B1 KR100365842 B1 KR 100365842B1 KR 19980018335 A KR19980018335 A KR 19980018335A KR 100365842 B1 KR100365842 B1 KR 100365842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum exhaust
gas
trap
chamber
line
Prior art date
Application number
KR10-1998-0018335A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980087255A (ko
Inventor
데루오 이와타
가즈이치 하야시
유이치로 후지카와
다카시 호리우치
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP14704997A external-priority patent/JP3626833B2/ja
Priority claimed from JP16487997A external-priority patent/JP3563565B2/ja
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR19980087255A publication Critical patent/KR19980087255A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100365842B1 publication Critical patent/KR100365842B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

성막 장치는 챔버 내부에 프로세스 가스를 공급함으로써 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 챔버를 포함하되, 그 챔버의 내부는 세정 가스(cleaning gas)에 의해 세정되며, 챔버내의 가스는 배기계(vacuum system)에 의해 배출된다. 배기계는 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과, 주 진공배기 라인의 상류(upstream)측에 배치된 고 진공배기 펌프와, 주 진공배기 라인의 하류(downstream)측에 배치된 코어스 제어 진공배기 펌프(coarse control vacuum pump)와, 주 진공배기 라인에 접속되어 고 진공배기 펌프를 바이패스시키며, 진공배기 포트와 고 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및 고진공배기 펌프와 코어스 제어 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 갖는 바이패스 라인과, 바이패스 라인상에 배치된 트랩(trap)과, 상기 제 1 접속부와 트랩 사이에 배치되어 제 1 접속부로부터 트랩으로 흐르는 가스를 가열하기 위한 히터와, 챔버내의 가스를 라인들중 한 라인으로 흐르게 하도록 주 진공배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 포함한다.

Description

성막 장치 및 성막 방법{FILM FORMING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 챔버내에서 박막 Ti막과 같은 박막을 형성하기 위한 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 성막 이후 챔버내에 세정 가스를 공급하여 챔버 내부를 세정하기 위한 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스에 있어서, 금속 기반의 박막은, 가령, 금속 배선층과, 하부 디바이스층과 상부 배선층간의 접속부로서 기능하는 콘택트 홀(contact hole) 또는 상부 배선층과 하부 배선층간의 접속부로서 기능하는 비어 홀(via hole)내에 매립되어 상기 층들을 전기적으로 연결하는 매립층과, 상기 매립층의 형성 이전에 불순물의 확산을 방지하기 위해 형성되어 Ti(티탄)막과 TiN(티탄 질화막)막으로 이루어진 이중의 배리어층용으로 사용된다.
이러한 금속 기반의 박막은 통상적으로 물리 기상 증착(PVD)을 이용하여 형성된다. 최근의 수년 동안, 디바이스의 미세 패턴화와 고집적화가 특히 요구되고 있으며, 설계 규정은 특히 보다 엄격해지고 있다. 이와 더불어, 선폭 및 홀의 개구 직경은 보다 작아진다. 또한, 종횡비가 증가함에 따라, 배리어층을 구성하는 Ti막 및 TiN막을 홀의 기저부에서 PVD막에 의해 신뢰성있게 형성하기가 보다 어려워지고 있다.
따라서, 배리어층을 구성하는 Ti막과 TiN막은 보다 고품질의 막을 형성할 것으로 예상되는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 형성된다. 통상적으로, CVD에 의해Ti막을 형성하기 위해서는, TiCl4(티탄 테트라콜로라이드) 가스 및 H2(수소) 가스가 반응 가스로서 사용된다. TiN막을 형성하기 위해서는, TiCl4가스, NH3(암모니아) 가스 또는 MMH(모노메틸하이드라진) 가스가 반응 가스로서 사용된다.
전술한 바와 같은 박막이 CVD에 의해 형성되는 경우, 성막되는 기판으로서 기능하는 반도체 웨이퍼상에 막이 증착되며, 또한 증착물이 챔버의 내벽에도 부착된다. 이 때문에, 챔버의 내벽은 다음 성막에 앞서 세정되어야만 한다. 최근, 이러한 세정 공정에서, 챔버 벽과 서셉터(susceptor)는 ClF3가스가 챔버내로 유입되는 동안 가열되어 증착물을 분해시키며, 분해된 생성물은 진공배기 펌프를 갖는 배기계에 의해 배출된다.
ClF3가스가 사용되면, TiF4가 챔버내에서 부산물로서 생성되며 이 부산물은 배기계에 부착된다. 따라서, 일본 공개 특허 공보 제 8-176829 호에 개시된 종래 방법에 따르면, 배기 파이프의 트랩으로 연장되는 배기계의 일부는 소정의 온도로 가열되어 배기계의 내벽에 TiF4가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
드래그 펌프와 같은 고 진공배기 펌프는 배기 파이프의 트랩의 전단부에 배치된다. 배기 파이프를 가열할 때 고 진공배기 펌프도 또한 가열된다. TiF4의 부착을 방지할 정도의 고온으로 펌프가 가열되면, 고 진공배기 펌프의 회전자(rotor)는 휘어 파괴될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 트랩은 고 진공배기 펌프의 전단부에 배치되어 고 진공배기 펌프의 가열을 방지할 수 있다. 그러나, 이러한 방법에 의해서는 고 진공배기 펌프가 대용량이어야 하며, 트랩으로부터 발생되는 증기는 챔버에 영향을 끼칠 수 있다.
본 발명의 목적은 세정 공정에 따른 배기 동안 부산물을 세정하는 처리에 수반하는 문제가 발생하지 않는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 성막 장치의 단면도,
도 2는 도 1에 도시한 성막 장치의 배기계를 도시한 도면,
도 3은 배기계의 다른 실시예를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 챔버 2 : 서셉터
3 :지지 부재 4 : 가이드 링
5 : 히터 6 : 전원
7 : 제어기 8 : 진공배기 포트
9 : 배기계 10 : 샤워 헤드
13 : 가스 주입 포트 15 : 가스 공급 파이프
22 : 정합 회로 31 : 주 진공배기 라인
33 : 고 진공배기 펌프 34 : 코어스 제어 진공배기 펌프
35 : 트랩 36 : 가열 장치
본 발명의 특징에 의하면,
진공배기 포트를 가지며 처리 기판을 수용하기 위한 챔버와,
성막 가스를 상기 챔버에 공급하여 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하기 위한 성막 수단과,
상기 챔버내에 세정 가스를 공급하여 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 수단과,
상기 챔버로부터 가스를 배출하기 위한 진공배기 수단을 포함하는 성막 장치가 제공되며,
상기 진공배기 수단은 상기 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과, 상기 주 진공배기 라인의 상류측에 배치된 고 진공배기 펌프와, 상기 주 진공배기 라인의 하류측에 배치된 코어스 제어 진공배기 펌프(coarse control vacuumpump)와, 상기 진공배기 포트와 고 진공배기 펌프간에 접속된 제 1 접속부 및 상기 고 진공배기 펌프와 상기 코어스 제어 진공배기 펌프간에 접속된 제 2 접속부를 가지며 상기 주 진공배기 라인에 접속되어 상기 고 진공배기 펌프를 바이패스시키기 위한 바이패스 라인과, 상기 바이패스 라인에 배치된 트랩과, 상기 제 1 접속부와 트랩간에 배치되어 상기 제 1 접속부로부터 상기 트랩으로 흐르는 가스를 가열시키기 위한 가열 수단과, 상기 챔버내의 가스가 상기 라인들중의 한 라인으로 흐르도록 상기 주 진공배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐시키기 위한 전환 수단(switching means)을 갖는다.
이러한 구성의 성막 장치에 있어서, 성막 처리시, 챔버의 내부는 고 진공배기 펌프에 의해 주 진공배기 라인을 통해 배기될 수 있다. 세정 처리시, 챔버의 내부는 고 진공배기 펌프를 바이패스시키는 바이패스 라인이 소정의 온도로 가열되는 동안 코어스 제어 진공배기 펌프에 의해 바이패스 라인을 통해 배기될 수 있다. 따라서, 부산물의 세정은 주 진공배기 라인에 영향을 끼치지 않고도 처리될 수 있으며, 부산물 세정 처리시에 발생되는 문제는 회피될 수 있다.
티탄 함유 가스가 성막 가스로서 사용되는 경우, 챔버 내부는 세정 가스로서 플루오르 함유 가스(fluorine-contained gas)를 사용함으로써 만족스럽게 세정될 수 있다. 이 때, 티탄 플루오라이드(titanium fluoride)는 챔버내의 부산물로서 생성된다. 그러나, 챔버의 내부는 전술한 바와 같이, 성막 처리시에는 주 진공배기 라인을 통해 배기될 수 있으며, 세정 처리시에는 바이패스 라인이 소정의 온도로 가열되는 동안 바이패스 라인을 통해 배기될 수 있다. 따라서, 티탄 플루오라이드는 주 진공배기 라인에 영향을 끼치지 않고도 가열 및 처리될 수 있으며, 부산물 세정 처리시에 발생하는 문제는 회피될 수 있다.
고 진공배기 펌프는 바람직하게는 챔버를 둘러싸는 외벽 내부, 즉 장치의 주 본체 내부에 배치된다. 코어스 제어 진공배기 펌프 및 트랩은 바람직하게는 외벽의 외부, 즉 장치의 주 본체 외부에 배치된다. 이러한 구성에 의하면, 트랩 대체와 같은 유지 보수시에 장치의 주 본체 외부의 부분들만이 제거되어 유지 보수를 효과적으로 행할 수 있다. 이 때 장치의 주 본체의 배출구측상의 배기계의 일부분만을 제거하기 위해, 주 진공배기 라인 부분과 바이패스 라인 부분을 효과적으로 공유할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 의하면,
진공배기 포트를 가지며 처리 기판을 수용하기 위한 챔버와,
성막 가스를 챔버에 공급하여 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하기 위한 성막 수단과,
상기 챔버내에 세정 가스를 공급하여 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 수단과,
상기 챔버로부터 가스를 배출하기 위한 진공배기 수단을 포함하는 성막 장치가 제공되며,
상기 진공배기 수단은 상기 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과, 상기 주 진공배기 라인에 배치된 진공배기 펌프 수단과, 상기 주 진공배기 라인 부분을 바이패스시키기 위한 바이패스 라인과, 상기 챔버내의 가스가 상기 라인들중의 한 라인으로 흐르도록 상기 주 진공배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐시키기 위한 전환 수단(switching means)과, 상기 세정 가스에 의해 생성된 부산물을 획득하여 상기 바이패스 라인으로 흐르게 하는 트랩과, 상기 트랩을 상기 바이패스 라인에 분리가능하게 접속하기 위한 접속 수단과, 상기 진공배기 펌프 수단으로 하여금 상기 트랩의 내부를 배출하게 하는 수단과, 배출된 트랩내에 질소 가스 또는 불활성 가스를 충진하기 위한 충진 수단과, 트랩이 바이패스 라인으로부터 제거되는 경우, 트랩내에 충진된 질소 가스 또는 불활성 가스가 트랩으로부터 방출되는 것을 방지하기 위한 봉인 수단을 갖는다.
이러한 구성을 갖는 장치에 의하면, 트랩을 세정하기 위한 바이패스 라인으로부터 트랩이 제거될 지라도, 주 진공배기 라인이 작동될 수 있다. 장치가 대형으로 제조되지 않을 지라도, 트랩 세정 및 성막이 동시에 수행되어 양품율을 향상시킬 수 있다. 또한, 트랩을 제거할 때 내부 반응 부산물에는 화학적 반응이 발생하지 않는다.
본 발명의 또다른 목적 및 효과는 후술하는 상세한 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다. 본 발명의 목적들 및 효과들은 전술한 수단들과 그 조합들에 의해 구현 및 달성될 수 있다.
본 명세서의 일부분을 구성하는 첨부되는 도면은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하며, 전술한 일반적 설명 및 후술하는 실시예의 상세한 설명은 본 발명의 원리를 설명하고 있다.
본 발명의 실시예는 첨부되는 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CVD에 의한 Ti막 성막 장치를 도시한 단면도이다. 이 성막 장치는 거의 원통형의 밀폐된 챔버(1)를 포함하고 있다. 챔버(1)에서, 처리 대상인 반도체 웨이퍼 W를 수평으로 지지하는 서셉터(2)는 개구부를 갖는 원통형 지지 부재(3)에 의해 지지된다. 반도체 웨이퍼 W를 가이드하기 위한 가이드 링(4)은 서셉터(2)의 외측 주변 에지부에 배치된다. 히터(5)는 서셉터(2)내에 구현되며, 전원(6)으로부터 전원을 공급받아 처리 대상인 반도체 웨이퍼 W를 소정의 온도로 가열한다. 전원(6)은 온도 센서(도시되지 않음)로부터의 신호에 따라 히터(5)로부터의 출력을 제어하는 제어기(7)에 접속된다.
챔버(1)의 상부벽(1a)은 전도성 재료, 가령 알루미늄으로 이루어져 있다. 샤워 헤드(10)는 상부벽(1a)상에 배치되어 서셉터(2)에 의해 지지되는 반도체 웨이퍼 W와 소정의 간격으로 대향되어 있다. 다수의 가스 스프레이 홀(10a)은 반도체 웨이퍼 W에 대향하는 샤워 헤드(10)의 하부벽내에 형성된다. 공간(11)은 샤워 헤드(10)내에 규정되며, 내부에 형성되는 다수의 홀을 갖는 확산 플레이트(12)는 공간(11)에서 수평으로 배치된다. 가스를 샤워 헤드(10)내의 공간(11) 내부로 유입시키기 위한 가스 주입 포트(13)는 챔버(1)의 상부벽(1a)의 중앙에 형성된다. 가스 공급 파이프(15)는 가스 주입 포트(13)에 접속된다.
H2가스원(16), Ar 가스원(17), TiCl4가스원(18), ClF3가스원(19)은 각각 분기 파이프(15a)를 통해 가스 공급 파이프(15)에 접속된다. 원하는 가스들은 이들 가스원들로부터 가스 공급 파이프(15) 및 샤워 헤드(10)를 통해 챔버(1)로 공급된다. 성막시, H2가스, Ar 가스, TiCl4가스는 각각 H2가스원(16), Ar 가스원(17), TiCl4가스원(18)으로부터 공급되어 반도체 웨이퍼 W상에 Ti막을 형성한다. 챔버(1)의 내부를 세정할 경우, ClF3가스는 ClF3가스원(19)으로부터 챔버(1)내로 공급된다. 밸브(20) 및 유량 제어기(mass-flow controller)(21)는 대응하는 가스원으로부터 연장되는 각각의 분기 파이프(branch pipe)(15a)에 배치된다.
RF 전원(23)은 정합 회로(22)를 통해 챔버(1)의 상부벽(1a)에 접속되며, RF 전력은 RF 전원(23)으로부터 상부벽(1a)으로 인가될 수 있다. 이러한 RF 전력에 의해, 성막 가스 플라즈마는 챔버(1)내에 형성된다. 챔버(1)의 상부벽(1a)과 챔버(1)의 측벽은 절연 부재(14)에 의해 전기적으로 절연된다. 챔버(1)는 접지된다.
진공배기 포트(8)는 챔버(1)의 하부벽(1b)내에 형성된다. 챔버(1)의 내부를 배출하기 위한 배기계(9)는 진공배기 포트(8)에 접속되어 챔버(1) 외부에 위치될 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 배기계(9)는 주 진공배기 라인(31)을 포함한다. 주 진공배기 라인(31)의 상류측은 챔버(1)의 진공배기 포트(8)에 접속된다. 드래그 펌프(drag pump) 혹은 터보 분자 펌프(turbo molecular pump)와 같은 고 진공배기 펌프(33)는 주 진공배기 라인(31)의 전단부에 배치되는 반면, 드라이 펌프(dry pump) 혹은 로터리 펌프(rotary pump)와 같은 코어스 제어 진공배기 펌프(coarse control vacuum pump)(34)는 후단부에 배치된다. 챔버(1)의 내부는 드라이 펌프(34)에 의해 개략적으로 배출되고 드래그 펌프(33)에 의해 고진공 상태로 보다완전히 배출된다.
바이패스 라인(32)은 주 진공배기 라인(31)의 드래그 펌프(33)의 상류측(제 1 접속부(A) 또는 분기점)으로부터 분기된다. 바이패스 라인(32)은 드래그 펌프(33)를 바이패스시키며, 주 진공배기 라인(31)의 드라이 펌프(34)의 전단부, 즉 이들 펌프(33, 34)간의 부분(제 3 접속부)에 접속된다. 바이패스 라인(32)은 챔버(1)를 수용하는 장치의 주 본체 내부에 위치한 전단부(32a)와 장치의 주 본체 외부에 위치한 후단부(32b)를 갖는다. 가스내의 반응 부산물을 포착하기 위한 트랩(35)은 후단부(32b)에 배치된다. 가열 장치(도 2에서, 웨이브 라인(wavy line)으로 도시되며 그 상세한 구성은 간략화를 위해 생략됨)(36)는 트랩(35)까지의 바이패스 라인(32) 부분과 주 진공배기 라인(31)의 분기점 A에 대한 상류 부분 사이에 배치된다. 가열 장치는 바이패스 라인(32)을 둘러싸는 전기 히터이거나, 바이패스 라인에 대해 외부의 동일축상에 배치되며 가열 매체가 흐르는 도관(duct)이거나, 또는 바이패스 라인을 통해 트랩(35)에 흐르는 유체를 가열하기 위한 또다른 적절한 수단일 수 있다. 본 실시예에서, 가열 장치(36)는 트랩(35)에까지 배치된다. 그러나, 바이패스 라인이 후술되는 바와 같이 트랩(35)을 제거하기 위해 제거 부분 C의 경계에서 분할되므로, 가열 장치(36)는 제거 부분 C에서 분할되거나 제거 부분 C 까지만 배치될 수 있다.
장치의 주 본체의 외벽(41)내의 배출구 근처에서, 바이패스 라인(32)의 전단부(32a)는 바이패스 라인(32)이 제 3 접속부에 의해 주 진공배기 라인(31)과 병합되어 하나의 공통 파이프를 형성하도록 병합되는 병합부(32c)를 갖는다.후단부(32b) 는 장치의 주 본체의 외벽의 외부 부분(분기점 또는 제 4 접속부 B)에서 주 진공배기 라인(31)으로부터 분기하며, 트랩(35)을 통해 연장되며, 그리고 다시 드라이 펌프(34)의 주입부 근처, 즉 제 2 접속부에서 주 진공배기 라인(31)에 접속된다. 배기계(9)중, 드라이 펌프(33)를 갖는 전단 배기계(9a)는 장치의 주 본체 내부에 배치되며, 드라이 펌프(34) 및 트랩(35)을 갖는 후단 배기계(9b)는 장치의 주 본체 외부에 배치된다. 장치의 주 본체 내부의 주 진공배기 라인(31)의 부분과 장치의 주 본체 외부 부분은 장치의 주 본체의 외벽(41)상에 분리가능하게 접속된다. 이러한 접속을 위해, 파이프들을 접속하기 위한 조인트 커플러(joint coupler)와 같은 널리 주지된 수단이 이용될 수 있다. 그 결과, 가령, 트랩(35)이 유지 보수를 위해 배기계(9)로부터 제거되고 그 위에 다시 탑재될 경우, 트랩(35)은 외벽(41)상의 주 진공배기 라인(31)의 부분에서 분리될 수 있다.
개폐 밸브(37, 38)는 각각 분기점 A 근처의 주 진공배기 라인(31)의 하류측과 바이패스 라인(32)의 하류측에 배치된다. 개폐 밸브(39, 40)는 각각 분기점 B 근처의 하류측에 배치된다. 이러한 밸브들을 선택적으로 개폐시킴으로써, 배기로(vacuum path)는 주 진공배기 라인(31) 측과 바이패스 라인(32) 측 사이에서 전환될 수 있다. 챔버(1)내에서 반도체 웨이퍼 W에 대한 성막 처리를 수행할 경우, 밸브(37, 39)가 개방되고 밸브(38, 40)는 폐쇄됨으로써, 드라이 펌프(34) 및 드래그 펌프(33)에 의해 챔버(1)의 내부가 주 진공배기 라인(31)을 통해 소정의 진공도로 배기된다. 세정 처리를 수행하는 경우, 바이패스 라인(32)을 가열 장치(36)로 가열하는 동안, 밸브(37, 39)가 폐쇄되고 밸브(38, 40)가 개방됨으로써, 단지 드라이 펌프(34)에 의해서만 챔버(1)의 내부가 바이패스 라인(32)을 통해 배기된다. 이러한 밸브는 제어기(도시도지 않음)에 의해 수동 혹은 자동으로 전환된다.
개폐 밸브(42, 43)는 트랩(35) 근처의 상류측 및 하류측에 각각 배치된다. 드라인 펌프에 의해 트랩(35)의 내부가 배기된 후 밸브들(42, 43)이 폐쇄되면, 트랩(35)은 진공 상태를 유지할 수 있다.
제거 부분 C 및 제거 부분 D는 각각 밸브(42, 43) 근처의 상류측 및 하류측에 형성된다. 트랩(35)은 이러한 제거 부분들에 의해 배기계(9)로부터 분리될 수 있다. 제거 부분 C 및 D는 트랩(35) 및 밸브(42, 43)를 갖는 파이프의 두 단부를 상류측 및 하류측상의 대응 파이프 단부에 분리가능하게 밀봉 접속할 수 있는 한, 특별히 제한받지 않는다. 가령, 조인트 커플러는 제거 부분 C 및 D용으로 사용될 수 있다. 개폐 밸브(44)는 드라이 펌프(34)와 제거 부분 D 사이에 위치하도록 바이패스 라인의 후단부(32b)에 배치된다.
배기계(9)는 가스 공급 라인(45)을 포함하되, 상기 가스 공급 라인(45)의 한 단부는 밸브(40)와 제거 부분 C 사이에 접속되며, 다른 단부는 밸브(44)와 제거 부분 D 사이에 접속된다. 가스 공급 라인(45)은 개폐 밸브(48)를 가지되, 개폐 밸브(46)를 통해 강철의 N2가스 실린더 혹은 N2가스원(47)에 접속된다. 강철 가스 실린더(47)는 N2가스를 라인(45) 선택적으로 공급할 수 있다. 강철의 N2가스 실린더(47) 대신에, Ar 가스원과 같은 불활성 가스원이 이용될 수 있다. 도시되지 않았지만, 압력 모니터링 센서가 각각의 밸브들 사이의 파이프 부분에 설치된다. 압력이 비정상적인 경우, 센서는 그것을 검출할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼 W는 먼저 챔버(1)로 로딩된다. 히터(5)가 상기 웨이퍼 W를, 가령 450 내지 600℃의 온도로 가열하는 동안, 배기계(9)의 밸브(37, 39)는 개방되고 밸브(38, 40, 46)는 폐쇄됨으로써 배기로는 주 진공배기 라인(31)측으로 전환된다. 이러한 상태에서, 챔버(1)의 내부는 드라이 펌프(34) 및 드래그 펌프(33)에 의해 배기되어 고진공 상태로 유지된다. 챔버(1)의 내부는, 가령 0.1 내지 1 Torr로 설정되고, Ar 가스, H2가스, TiCl4가스는 각각 대략 5 내지 20초 동안 소정의 유량으로 사전에 유입된다. 이러한 가스들은 동일 조건하에서 사전결정된 시간내에 유입되어 반도체 웨이퍼상에 Ti막을 형성한다. 성막 종료시, 반도체 웨이퍼 W는 챔버(1)로부터 반출된다.
이러한 성막시, Ti는 또한 챔버(1)의 내부면과 서셉터(2)의 외부면에 증착된다. 이러한 이유로 인해, 성막 종료후, 챔버(1)의 내부가 세정된다. 이러한 세정시, 성막을 위한 TiCl4가스와 H2가스의 공급이 중단되며 ClF3가스는 챔버(1)로 공급된다. 이 때, 서셉터(2) 및 챔버 벽은 각각 서셉터(2)의 히터(5)와 챔버의 벽 부분에 배치된 히터(도시되지 않음)에 의해 대략 300℃로 가열된다. ClF3는 고반응성이므로, Ti와 반응하며 소정의 온도 이상에서 기화하는 티탄 테트라플루오라이드(TiF4)를 이러한 가열 처리에 의해서만 생성한다. 이러한 부산물은 배기계(9)에 의해 챔버 외부로 배출될 수 있다. 즉, 세정 가스로서 ClF3가스를 사용하게 되면 플라즈마없는(plasma-less) 세정이 가능하며, 세정은 매우 용이하게 수행될 수 있다.
이러한 경우, 주 진공배기 라인(31)의 밸브(37, 39)와 가스 공급 라인(45)의 밸브(48)가 폐쇄되며 바이패스 라인(32)의 밸브(38, 40, 42, 43, 44)가 개방됨으로써 배기로는 바이패스 라인(32)측으로 전환된다. 이러한 상태에서, 트랩(35)까지의 바이패스 라인(32) 부분과 주 진공배기 라인(31)의 분기점 A에 대한 상류부 사이의 부분은 가열 장치(36)에 의해 TiF4기화 온도 이상으로 가열되어 TiF4의 부착이 방지될 수 있다. 한편, 챔버(1)의 내부는 바이패스 라인(32)을 통해 단지 드래그 펌프(34)에 의해서만 배출된다. 그 결과, 바이패스 라인(32)에 의해 가이드되는 배기 가스내의 TiF4가 투랩(35)에 의해 포착된다.
트랩(35)의 유지 보수를 위해, 밸브(37, 38, 40, 42)가 폐쇄되고, 밸브(43, 44)가 개방되는 동안, 드라이 펌프(34)가 작동되어 트랩(35)의 내부를 배기하고 트랩(35)의 내부를 저압 상태로 설정한다. 다음에, 밸브(43, 44)는 트랩(35)을 진공 봉인하도록 폐쇄된다. 그 후, 가스 공급 라인(45)의 밸브(46, 48)는, N2가스원(47)으로부터 밸브들(40, 42)간의 파이프 부분과 밸브들(43, 44)간의 파이프 부분에 N2가스를 공급하고 이러한 부분들을 대기압으로 변화시키도록 개방된다. 대기압에서, 트랩(35)은 폐쇄된 밸브들(42, 43)과 더불어 제거 부분 C 및 D에서 배기계(9)로부터 제거된다. 이러한 방식으로 제거된 트랩(35)이 진공 봉인되므로, 내부 반응 부산물에서 화학적 반응은 발생하지 않는다. 이러한 상태에서의 트랩(35)은 유지 보수 위치로 안전하게 이동되어, N2로 세정되며, 그리고 다시 배기계(9)상에 탑재된다.
다시 성막을 수행하기 위해, 밸브(43, 44)가 폐쇄되어 트랩(35)을 진공 봉인하는 경우, 주 진공배기 라인(31)의 밸브(37, 39)는 주 진공배기 라인(31)에 의한 배기 동작을 수행하도록 개방될 수 있다. 따라서, 성막 처리는 트랩(35)의 유지 보수와 동시에 수행될 수 있다. 이러한 것은 성막 처리시에 매우 효과적이다.
전술한 바와 같이, 세정시의 배출이 바이패스 라인(32)에 의해 수행되므로, 부산물 가스를 세정하는 TiF4는 주 진공배기 라인(31)에 영향을 끼치지 않고도 처리될 수 있다. 드래그 펌프를 가열함에 따라 회전자가 휘어 파괴되는 것과, 드래그 펌프의 용량 증가와, 챔버상의 트랩으로부터 생성되는 증기의 영향은 회피될 수 있다.
배기계(9)의 드래그 펌프(33)는 장치의 주 본체 내부에 배치되며, 드라이 펌프(34) 및 트랩(35)은 장치의 주 본체 외부에 배치된다. 트랩(35)의 대체와 같은 유지 보수시에, 장치의 주 본체 외부의 부분만이 제거되어, 유지 보수가 효과적으로 달성된다.
장치의 주 본체의 외벽(41)의 배출구에서, 바이패스 라인(32)은 하나의 공통 파이프 부분을 형성하도록 바이패스 라인(32)이 주 진공배기 라인(31)과 병합하는병합부(32c)를 갖는다. 바이패스 라인(32)은 주 진공배기 라인(31)으로부터 장치의 주 본체 외부 부분(분기점 B)에서 다시 분기한다. 장치의 주 본체 외부의 배기계(9) 부분은 병합부(32c)에서 제거될 수 있다. 트랩(35) 대체와 같은 유지 보수시, 트랩(35)은 장치 주 본체의 배출구의 오직 한 부분에서 제거되어, 보다 나은 유지 보수를 달성될 수 있다.
본 발명이 전술한 실시예에만 국한되지 않으며 다양하게 변화될 수 있음에 주목해야 한다. 가령, 전술한 실시예는 Ti 막이 CVD에 의해 형성되고 Cl3가스를 사용하여 세정이 행해지는 경우를 예시하고 있다. 그러나, 성막의 타입과 세정 가스의 타입은 전술한 것에 국한되지 않는다. 배기계의 부착이 성막시에 문제로 되지는 않지만, 본 발명은 세정시에 배기계에 부착되는 세정 부산물이 생성되는 경우에 특히 효과적이다.
전술한 실시예에서, 바이패스 라인(32)과 주 진공배기 라인(31)은 서로 병합되어 장치의 주 본체의 배출구에서 하나의 파이프를 형성한다. 본 발명은 이러한 것에 국한되지 않는다. 도 3에 도시한 바와 같이, 바이패스 라인(32)은 하나의 파이프로 구현될 수 있으며, 배기로는 밸브들(37, 38)만을 사용하여 전환될 수 있다. 본 실시예에서, 나머지 구성은 도 2에 도시한 구성과 거의 동일하며, 그 상세한 설명은 생략된다. 처리 기판은 반도체 웨이퍼에 국한되지 않으며, LCD 기판 등일 수 있다. 또한, 또다른 층이 기판상에 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 챔버의 내부가 성막 처리시 고 진공배기 펌프에 의해 주 진공배기 라인을 통해 배기될 수 있고, 또한 세정 처리시, 챔버의 내부는 고 진공배기 펌프를 바이패스시키는 바이패스 라인이 소정의 온도로 가열되는 동안 코어스 제어 진공배기 펌프에 의해 바이패스 라인을 통해 배기될 수 있어서, 부산물의 세정은 주 진공배기 라인에 영향을 끼치지 않고도 처리될 수 있으며, 부산물 세정 처리시에 발생되는 문제를 회피할 수 있는 효과가 있다.
또한, 고 진공배기 펌프는 바람직하게도 챔버를 둘러싸는 외벽 내부, 즉 장치의 주 본체 내부에 배치되며, 코어스 제어 진공배기 펌프 및 트랩은 바람직하게도 외벽의 외부, 즉 장치의 주 본체 외부에 배치되어, 트랩 대체와 같은 유지 보수시에 장치의 주 본체 외부의 부분들만이 제거되므로 유지 보수를 효과적으로 행할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 트랩이 트랩을 세정하기 위한 바이패스 라인으로부터 제거될 지라도, 주 진공배기 라인이 작동될 수 있으며, 장치가 대형으로 제조되지 않을 지라도 트랩 세정 및 성막이 동시에 수행되어 양품율을 향상시킬 수 있고, 트랩을 제거할 때 내부 반응 부산물에는 화학적 반응이 발생하지 않는 효과가 있다.
본 기술분야의 숙련가라면 전술한 실시예에 추가적인 효과 및 변형을 가할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 넓은 의미에서는 본 명세서에 나타난 특정의실시예 및 그 상세한 설명에 국한되지 않는다. 따라서, 본 명세서에 첨부되는 특허청구범위에 의해 규정되는 본 발명의 일반적 사상의 영역을 벗어나지 않고도 다양한 변형을 가할 수 있다.

Claims (17)

  1. 성막 장치에 있어서,
    진공배기 포트를 가지며 처리 기판을 수용하는 챔버와,
    상기 챔버내로 성막 가스를 공급하여 상기 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하는 성막 수단과,
    상기 챔버내로 세정 가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정하는 세정 수단과,
    상기 챔버로부터 가스를 배출하는 진공배기 수단과,
    바이패스 라인상에 마련된 제거부━상기 제거부에서 상기 바이패스 라인으로부터 제거 가능하도록 상기 바이패스 라인에 트랩이 마련됨━와,
    상기 제거부내에 질소 가스 또는 불활성 가스를 공급하는 수단과,
    상기 바이패스 라인상에 마련되어, 상기 제거부를 통해 상기 질소 가스 또는 불활성 가스가 상기 트랩으로 들어가지 않도록 방지하는 수단
    을 포함하며,
    상기 진공배기 수단은,
    상기 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과,
    상기 주 진공배기 라인의 상류측상에 배치된 고 진공배기 펌프와,
    상기 주 진공배기 라인의 하류측상에 배치된 대략 제어 진공배기 펌프와,
    상기 진공배기 포트와 상기 고 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및상기 고 진공배기 펌프와 상기 대략 제어 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 가지며, 상기 고 진공배기 펌프를 바이패스하도록 상기 주 진공배기 라인에 접속된 가스 바이패스 라인과,
    상기 바이패스 라인상에 배치되어 가스를 포획하는 트랩과,
    상기 제 1 접속부와 상기 트랩 사이에 배치되어 상기 제 1 접속부로부터 상기 트랩으로 흐르는 가스를 가열하는 히터와,
    상기 챔버내의 가스가 상기 라인들중의 한 라인을 통해 흐르도록 상기 주 진공배기 라인과 상기 바이패스 라인을 선택적으로 개폐시키는 전환 수단을 포함하는
    성막 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제거부는 제 1 및 제 2 제거부를 포함하며, 그 사이에 상기 트랩이 마련되는 성막 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 성막 수단은 상기 챔버내로 티탄 함유 가스를 공급하는 성막 가스 공급계를 포함하며, 상기 세정 수단은 상기 챔버내로 플루오르 함유 가스를 공급하는 세정 가스 공급계를 포함하는 성막 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고 진공배기 펌프는 드래그 펌프와 터보 분자 펌프중의 하나를 포함하며, 상기 대략 제어 진공배기 펌프는 드라이 펌프와 로터리 펌프중의 하나를 포함하는 성막 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버를 둘러싸는 외벽을 더 포함하며,
    상기 고 진공배기 펌프는 상기 외벽 내측에 배치되고, 상기 대략 제어 진공배기 펌프와 상기 트랩은 상기 외벽 외측에 배치되는 성막 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이패스 라인은 상기 고 진공배기 펌프와 상기 주 진공배기 라인의 제 2 접속부 사이에 접속된 제 3 접속부와 상기 주 진공배기 라인의 제 3 접속부와 제 2 접속부 사이에 접속된 제 4 접속부를 포함하며, 상기 제 3 및 제 4 접속부는 상기 제 3 접속부와 제 4 접속부 사이에 위치한 상기 주 진공배기 라인 부분에 의해 접속되는 성막 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 접속부와 제 4 접속부 사이에 위치한 상기 주 진공배기 라인 부분은 상기 외벽 내측에 위치한 제 1 부분과, 상기 제 1 부분으로부터 분리 가능하게 상기 외벽 외부에 위치한 제 2 부분을 갖는 성막 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 수단은 상기 제 1 접속부와 상기 트랩 사이의 상기 바이패스 라인을 통해 실질적으로 연장되는 성막 장치.
  9. 성막 장치에 있어서,
    진공배기 포트를 가지며 처리 기판을 수용하는 챔버와,
    상기 챔버내로 성막 가스를 공급하여 상기 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하는 성막 수단과,
    상기 챔버내로 세정 가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정하는 세정 수단과,
    상기 챔버로부터 가스를 배출하는 진공배기 수단과,
    바이패스 라인상에 마련된 제 1 및 제 2 제거부━상기 제거부에서 상기 바이패스 라인으로부터 제거 가능하도록 상기 제 1 및 제 2 제거부 사이에 트랩이 마련됨━와,
    상기 제거부에 질소 가스 또는 불활성 가스를 공급하는 충진 수단과,
    상기 바이패스 라인상에 마련되어, 상기 제거부를 통해 상기 질소 가스 또는 불활성 가스가 상기 트랩으로 들어가지 않도록 방지하는 수단
    을 포함하며,
    상기 진공배기 수단은,
    상기 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과,
    상기 주 진공배기 라인상에 배치된 진공배기 펌프와,
    상기 주 진공배기 라인 부분을 바이패스시키는 바이패스 라인과, 상기 챔버내의 가스가 상기 라인들중의 한 라인을 통해 흐르도록 상기 주 진공배기 라인과 상기 바이패스 라인을 선택적으로 개폐시키는 전환 수단과,
    상기 세정 가스에 의해 생성된 부산물을 포획하여 상기 바이패스 라인을 통해 흐르게 하는 트랩과,
    상기 트랩을 상기 바이패스 라인에 분리 가능하게 접속하는 접속 수단을 포함하는
    성막 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 충진 수단은 질소 또는 불활성 가스원과, 상기 질소 또는 불활성 가스원을 상기 바이패스 라인에 접속시키는 가스 공급 라인과, 상기 가스 공급 라인상에 배치된 가스 공급 개폐 밸브를 포함하는 성막 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인은 상기 트랩의 상류측상의 상기 바이패스 라인에 접속된 제 1 접속부와 상기 트랩의 하류측상의 상기 바이패스 라인에 접속된 제 2 접속부를 포함하고,
    상기 봉인 수단은 상기 제 1 접속부와 상기 트랩 사이의 상기 바이패스 라인상에 배치된 제 1 개폐 밸브와 상기 제 2 접속부와 상기 트랩 사이의 상기 바이패스 라인상에 배치된 제 2 개폐 밸브를 포함하며,
    상기 질소 가스는 상기 가스 공급 밸브가 개방될 때 상기 제 1 개폐 밸브를 개방하고 상기 제 2 개폐 밸브를 폐쇄함으로써 상기 질소 가스원으로부터 공급되고, 상기 제 1 개폐 밸브 및 제 2 개폐 밸브는 상기 트랩이 상기 바이패스 라인으로부터 제거될 때 폐쇄되는
    성막 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 접속 수단은 상기 제 1 접속부와 상기 제 1 개폐 밸브 사이의 상기 바이패스 라인상에 배치된 제 1 커플러와 상기 제 2 접속부와 상기 제 2 개폐 밸브 사이의 상기 바이패스 라인상에 배치된 제 2 커플러를 포함하는 성막 장치.
  13. 성막 장치에 있어서,
    진공배기 포트를 가지며 처리 기판을 수용하는 챔버와,
    상기 챔버내로 성막 가스를 공급하여 상기 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하는 성막 수단과,
    상기 챔버내로 세정 가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정하는 세정 수단과,
    상기 챔버로부터 가스를 배출하는 진공배기 수단과,
    바이패스 라인상에 마련된 제 1 및 제 2 제거부━상기 제거부에서 상기 바이패스 라인으로부터 제거 가능하도록 상기 제 1 및 제 2 제거부 사이에 트랩이 마련됨━와,
    상기 제거부내에 질소 또는 불활성 가스를 공급하는 수단과,
    상기 바이패스 라인상에 마련되어, 상기 제거부를 통해 상기 질소 또는 불활성부 가스가 상기 트랩내로 들어가지 않도록 방지하는 수단
    을 포함하며,
    상기 진공배기 수단은,
    상기 챔버의 진공배기 포트에 접속된 주 진공배기 라인과, 상기 주 진공배기 라인의 상류측상에 배치된 고 진공배기 펌프와,
    상기 주 진공배기 라인의 하류측상에 배치된 대략 제어 진공배기 펌프와,
    상기 진공배기 포트와 상기 고 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및 상기 고 진공배기 펌프와 상기 대략 제어 진공배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 가지며 상기 주 진공배기 라인에 접속되어 상기 고 진공배기 펌프를 바이패스시키는 가스 바이패스 라인과,
    상기 바이패스 라인에 배치되어 가스를 포획하는 트랩과, 상기 제 1 접속부와 상기 트랩 사이에 배치되어 상기 제 1 접속부로부터 상기 트랩으로 흐르는 가스를 가열하는 히터와,
    상기 챔버내의 가스가 상기 라인들중의 한 라인을 통해 흐르도록 상기 주 진공배기 라인과 상기 바이패스 라인을 선택적으로 개폐시키는 전환 수단을 포함하는
    성막 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 방지 수단은 상기 트랩과 상기 제 1 제거부 사이에 위치된 제 1 밸브와, 상기 트랩과 상기 제 2 제거부 사이에 위치된 제 2 밸브를 포함하는 성막 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 밸브는 상기 트랩이 상기 바이패스 라인으로부터 제거 가능할 때 상기 트랩을 진공 상태로 봉인하는 성막 방법.
  16. 성막 방법에 있어서,
    챔버내로 성막 가스를 공급함으로써 처리 기판에 대한 성막 처리를 수행하는 단계와,
    상기 성막 처리 후, 상기 챔버내로 세정 가스를 공급하여 세정 처리를 수행하는 단계와,
    상기 성막 단계 동안 진공배기 펌프에 의해 주 진공배기 라인을 통해 상기 챔버의 내부를 진공배기시키는 단계와,
    상기 세정 단계 동안, 상기 진공배기 펌프를 바이패스시키고 제거부와 트랩을 갖는 바이패스 라인을 통해 상기 챔버의 내부를 진공배기시키는 단계와,
    상기 세정 단계 동안 상기 바이패스 라인을 통해 흐르는 가스를 가열하는 단계와,
    상기 세정 단계 후 상기 제거부를 질소 가스 또는 불활성 가스로 충진하는 단계와,
    상기 바이패스 라인으로부터 상기 트랩을 제거하는 단계와,
    상기 트랩을 세정하는 단계
    를 포함하는 성막 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 가스는 질소 가스를 포함하는 성막 방법.
KR10-1998-0018335A 1997-05-22 1998-05-21 성막장치및성막방법 KR100365842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14704997A JP3626833B2 (ja) 1997-05-22 1997-05-22 成膜装置および成膜方法
JP97-147049 1997-05-22
JP16487997A JP3563565B2 (ja) 1997-06-09 1997-06-09 排気装置および排気方法
JP97-164879 1997-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980087255A KR19980087255A (ko) 1998-12-05
KR100365842B1 true KR100365842B1 (ko) 2003-02-19

Family

ID=26477715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0018335A KR100365842B1 (ko) 1997-05-22 1998-05-21 성막장치및성막방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6149729A (ko)
KR (1) KR100365842B1 (ko)
TW (1) TW387019B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6806194B2 (en) * 1999-01-22 2004-10-19 Semitool. Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6548411B2 (en) * 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
JP4092821B2 (ja) * 1999-07-27 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置の排気システム
US6773687B1 (en) * 1999-11-24 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
WO2002061179A1 (en) * 2001-01-19 2002-08-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
GB0212757D0 (en) * 2002-05-31 2002-07-10 Boc Group Plc A vacuum pumping system and method of controlling the same
US7500445B2 (en) * 2003-01-27 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a CVD chamber
JP5133013B2 (ja) * 2007-09-10 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
JP5281146B2 (ja) * 2009-03-13 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法
JP5501807B2 (ja) 2009-03-31 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP6007715B2 (ja) * 2012-03-29 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 トラップ機構、排気系及び成膜装置
US9982340B2 (en) 2012-04-04 2018-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Shower head apparatus and method for controlling plasma or gas distribution
JP6749287B2 (ja) * 2017-06-26 2020-09-02 株式会社東芝 処理システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0314299B1 (en) * 1987-09-25 1993-06-09 Ebara Corporation Method of and apparatus for treating waste gas from semiconductor manufacturing process
JPH08176829A (ja) * 1994-12-26 1996-07-09 Nec Kansai Ltd 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW387019B (en) 2000-04-11
KR19980087255A (ko) 1998-12-05
US6149729A (en) 2000-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100365842B1 (ko) 성막장치및성막방법
JP3122311B2 (ja) 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
KR101011097B1 (ko) 기판 처리 챔버용 다중 포트 펌핑 시스템
TW202203344A (zh) 專用於零件清潔的系統
US6450117B1 (en) Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
JP3246708B2 (ja) トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
KR100329515B1 (ko) 씨브이디성막방법
KR20010071118A (ko) 액체 선구 물질을 사용하는 금속층의 화학 증착용 처리시스템 및 방법
JP2001214272A (ja) 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
US20030141016A1 (en) Exhaust system for processing apparatus
JP3539446B2 (ja) 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法
US20080121249A1 (en) Method for Cleaning Film-Forming Apparatuses
JP3626833B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3563565B2 (ja) 排気装置および排気方法
JP2003524301A (ja) 真空内でプラズマを使用して基板に表面処理を施すための装置および方法
JP3350590B2 (ja) 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
US20230258191A1 (en) Dry vacuum pump regeneration mechanism and dry vacuum pump regeneration method
JPH01189114A (ja) 気相成長装置
JPH08298234A (ja) 真空処理装置及びその運転方法
KR100266681B1 (ko) 반도체 웨이퍼 제조용 식각장비의 세정장치
JP2845866B1 (ja) 生成物排出処理装置
JP2001168033A (ja) 半導体製造装置
JP2001284338A (ja) 半導体製造装置
JP3959174B2 (ja) 半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法、水冷トラップ装置
JP2001007030A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee