JPH01189114A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01189114A JPH01189114A JP1416988A JP1416988A JPH01189114A JP H01189114 A JPH01189114 A JP H01189114A JP 1416988 A JP1416988 A JP 1416988A JP 1416988 A JP1416988 A JP 1416988A JP H01189114 A JPH01189114 A JP H01189114A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置に関し、特に真空ポンプを使用し
て減圧下での気相成長によって、半導体ウェハー上に所
望の薄膜を形成する装置に関するものである。
て減圧下での気相成長によって、半導体ウェハー上に所
望の薄膜を形成する装置に関するものである。
従来、この種の気相成長装置は第３図に示すように、拡
散炉を使用した反応管４と、原料ガス供給システム８と
、真空バルブ５及び真空ポンプ６゜７を使った排気部を
有しており、半導体ウェハー１を載置したボート２を反
応管４内の定位置へ移動する際、フロントハツチ３を開
くことにより反応管４内に侵入する大気と薄膜形成時の
ＳｉＨ，等の原料ガスを同一ポンプを使用して真空引き
する構造となっていた。９は抵抗ヒータ、１０はオイル
フィルタレ−ジョンである。
散炉を使用した反応管４と、原料ガス供給システム８と
、真空バルブ５及び真空ポンプ６゜７を使った排気部を
有しており、半導体ウェハー１を載置したボート２を反
応管４内の定位置へ移動する際、フロントハツチ３を開
くことにより反応管４内に侵入する大気と薄膜形成時の
ＳｉＨ，等の原料ガスを同一ポンプを使用して真空引き
する構造となっていた。９は抵抗ヒータ、１０はオイル
フィルタレ−ジョンである。
上述した従来の気相成長装置は半導体ウェハー１をボー
ト２に載置してフロントハツチ３を開いて反応管４内の
定位置へ移動する際、大気も反応管４内に入るので、フ
ロントハツチ３を閉じて反応管内の大気をＮ２等の不活
性ガスで置換・真空引きした後、ＳｉＨ４等の原料ガス
を導入して、加熱した半導体ウェハー１上に所望の薄膜
を形成する方式である。したがって、真空ポンプ６．７
で大気を引いた後、ポンプ６．７内に微量の０２等が残
ってしまい、次に薄膜を形成するため原料ガス例えば、
ＳｉＨ４ガスを同一ポンプで引く構造となっているので
、ポンプ内で未反応のＳｉＨ４と０２が反応して生成物
が生じ、オイル劣化・ポンプの排気能力の低下・排気管
のつまりの原因となり安全上問題がある。
ト２に載置してフロントハツチ３を開いて反応管４内の
定位置へ移動する際、大気も反応管４内に入るので、フ
ロントハツチ３を閉じて反応管内の大気をＮ２等の不活
性ガスで置換・真空引きした後、ＳｉＨ４等の原料ガス
を導入して、加熱した半導体ウェハー１上に所望の薄膜
を形成する方式である。したがって、真空ポンプ６．７
で大気を引いた後、ポンプ６．７内に微量の０２等が残
ってしまい、次に薄膜を形成するため原料ガス例えば、
ＳｉＨ４ガスを同一ポンプで引く構造となっているので
、ポンプ内で未反応のＳｉＨ４と０２が反応して生成物
が生じ、オイル劣化・ポンプの排気能力の低下・排気管
のつまりの原因となり安全上問題がある。
また頻発なオイル交換・ポンプのオーバーホール等が必
要で経済的負担が犬である。
要で経済的負担が犬である。
また、プラズマＣＶＤ装置では、薄膜形成時、使用する
原料ガス例えばＳｉＨ，とＮＨ，又は０２そしてカーボ
ンサセプタやボートをエツチングする際、使用するエツ
チングガスＣＦ４・０２等を同一ポンプで引くため、真
空ポンプ特にロータリーポンプ内オイルの劣化が他の装
置と比較して非常に早いという欠点がある。
原料ガス例えばＳｉＨ，とＮＨ，又は０２そしてカーボ
ンサセプタやボートをエツチングする際、使用するエツ
チングガスＣＦ４・０２等を同一ポンプで引くため、真
空ポンプ特にロータリーポンプ内オイルの劣化が他の装
置と比較して非常に早いという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解消した気相成長装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来の気相成長装置に対し、本発明は反応管内
に入る大気、特に酸素と半導体基板上に所望の薄膜を形
成するＳｉＨ４等の原料ガスをそれぞれ分けて真空引き
して、ポンプ内での燃焼反応物の生成を防止するため、
もう１系統別個に排気管真空バルブ・真空ポンプ等を含
む排気システムを有するという相違点がある。
に入る大気、特に酸素と半導体基板上に所望の薄膜を形
成するＳｉＨ４等の原料ガスをそれぞれ分けて真空引き
して、ポンプ内での燃焼反応物の生成を防止するため、
もう１系統別個に排気管真空バルブ・真空ポンプ等を含
む排気システムを有するという相違点がある。
前記目的を達成するため、本発明の気相成長装置におい
ては、真空容器と、真空容器内の半導体ウェハー上に所
望の薄膜を形成する原料ガスを供給するガス供給システ
ムと、真空容器内のガスを排気する２系統の排気システ
ムを有するものである。
ては、真空容器と、真空容器内の半導体ウェハー上に所
望の薄膜を形成する原料ガスを供給するガス供給システ
ムと、真空容器内のガスを排気する２系統の排気システ
ムを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
第１図において、本発明は、ボート２に立て掛けた半導
体ウェハー１，１・・・を収容する反応管４と、該反応
管４内のウェハーを加熱する抵抗ヒータ９と、反応管４
内にウェハー１の薄膜成長用原料ガスを供給する原料ガ
ス供給システム８と１反応管４内を排気する２系統の排
気システムとからなる。
体ウェハー１，１・・・を収容する反応管４と、該反応
管４内のウェハーを加熱する抵抗ヒータ９と、反応管４
内にウェハー１の薄膜成長用原料ガスを供給する原料ガ
ス供給システム８と１反応管４内を排気する２系統の排
気システムとからなる。
各排気システムは真空バルブ５，５′、ロータリ真空ポ
ンプ６．６′と、メカニカルブースタ真空ポンプ７゜７
′とからなり、一方の真空ポンプ６にはオイルフィルタ
レ−ジョン１０を装備しである。
ンプ６．６′と、メカニカルブースタ真空ポンプ７゜７
′とからなり、一方の真空ポンプ６にはオイルフィルタ
レ−ジョン１０を装備しである。
実施例において、半導体ウェハー１をボート２に載置し
て反応管４内の定位置へ挿入した後、フロントハツチ３
を閉じ、真空バルブ５′を開いて真空ポンプ（ロータリ
ポンプ）６′で反応管４内の大気等を真空引きする。次
に、半導体ウェハー１上に所望の薄膜を形成するため、
原料ガス供給システム８からＳＬ）＋４等の原料ガスを
抵抗ヒータ９により加熱された半導体ウェハー１上へ供
給し１反応後のガスは別系統の排気システムを利用して
真空ポンプ（ロータリポンプ６、メカニカルブースタポ
ンプ７）により排気する。したがって、大気と原料ガス
は別系統のポンプで真空引きすることになり。
て反応管４内の定位置へ挿入した後、フロントハツチ３
を閉じ、真空バルブ５′を開いて真空ポンプ（ロータリ
ポンプ）６′で反応管４内の大気等を真空引きする。次
に、半導体ウェハー１上に所望の薄膜を形成するため、
原料ガス供給システム８からＳＬ）＋４等の原料ガスを
抵抗ヒータ９により加熱された半導体ウェハー１上へ供
給し１反応後のガスは別系統の排気システムを利用して
真空ポンプ（ロータリポンプ６、メカニカルブースタポ
ンプ７）により排気する。したがって、大気と原料ガス
は別系統のポンプで真空引きすることになり。
ポンプ内において、大気中の酸素は未反応の５ｉ８４等
と反応することなく、ポンプ内のオイル劣化防止となる
。
と反応することなく、ポンプ内のオイル劣化防止となる
。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
回転可能なサセプタ１１上に載置して抵抗ヒータ９より
加熱された半導体ウェハー１上へ原料ガス供給システム
８より供給した原料ガスをＲＦ電極１２で、プラズマ化
し、所望の薄膜を形成後１反応後のガスを真空バルブ５
を開いて真空ポンプ（ロータリポンプ）６、（メカニカ
ルブースタポンプ）７で排気する。また通常プラズマＣ
ＶＤ装置のサセプタ１１はカーボンで製作されており、
サセプタｌｌ上に堆積した薄膜をエツチングする際には
ＣＦ４と０２等で行うが、以上のガスは別系統の排気シ
ステムを利用して、真空バルブ５′を開いて真空ポンプ
（ロータリポンプ６′、メカニカルブースタポンプ７′
）で引く。１３はモータである。
加熱された半導体ウェハー１上へ原料ガス供給システム
８より供給した原料ガスをＲＦ電極１２で、プラズマ化
し、所望の薄膜を形成後１反応後のガスを真空バルブ５
を開いて真空ポンプ（ロータリポンプ）６、（メカニカ
ルブースタポンプ）７で排気する。また通常プラズマＣ
ＶＤ装置のサセプタ１１はカーボンで製作されており、
サセプタｌｌ上に堆積した薄膜をエツチングする際には
ＣＦ４と０２等で行うが、以上のガスは別系統の排気シ
ステムを利用して、真空バルブ５′を開いて真空ポンプ
（ロータリポンプ６′、メカニカルブースタポンプ７′
）で引く。１３はモータである。
この実施例では、成長とエツチングガスの種類により排
気システムを区別することによりポンプ内のオイルの急
速な劣化を防止する利点がある。
気システムを区別することによりポンプ内のオイルの急
速な劣化を防止する利点がある。
以上説明したように本発明は気相成長装置に、真空ポン
プ、真空バルブ等を含む２系統の排気システムを設ける
ことにより、半導体ウェハーをボートに載置して反応管
内定位置へ移動する際、反応管内に入る大気をまず排気
して、次に半導体つエバー上へ所望の薄膜を形成すると
きには、別系統の真空ポンプで原料ガスを引くことによ
り、未反応のＳｉＨ，等のガスと大気中の酸素が同一ポ
ンプ内に存在することがなく、反応生成物が生じないの
で、急速なオイルの劣化防止、ポンプ排気能力維持、排
気管の清浄化と装置の安定稼動につながるばかりでなく
、オイル交換、ポンプのオーバーホール頻度も減り経済
的効果も大となる。
プ、真空バルブ等を含む２系統の排気システムを設ける
ことにより、半導体ウェハーをボートに載置して反応管
内定位置へ移動する際、反応管内に入る大気をまず排気
して、次に半導体つエバー上へ所望の薄膜を形成すると
きには、別系統の真空ポンプで原料ガスを引くことによ
り、未反応のＳｉＨ，等のガスと大気中の酸素が同一ポ
ンプ内に存在することがなく、反応生成物が生じないの
で、急速なオイルの劣化防止、ポンプ排気能力維持、排
気管の清浄化と装置の安定稼動につながるばかりでなく
、オイル交換、ポンプのオーバーホール頻度も減り経済
的効果も大となる。
また、プラズマＣＶＤ装置に適用した場合は、薄膜形成
時とエツチング時、原料ガスの種類により、切り換えて
真空ポンプを別個にすることにより、反応しやすい原料
ガスを同一ポンプ内に存在させる確率を低下させ、オイ
ルの急速な劣化防止が可能で、使用ガスによりオイルフ
ィルタレ−ジョンの使い分けが可能となる効果がある。
時とエツチング時、原料ガスの種類により、切り換えて
真空ポンプを別個にすることにより、反応しやすい原料
ガスを同一ポンプ内に存在させる確率を低下させ、オイ
ルの急速な劣化防止が可能で、使用ガスによりオイルフ
ィルタレ−ジョンの使い分けが可能となる効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第２図は実
施例２の断面図、第３図は従来の気相成長装置を示す断
面図である。 １・・・半導体ウェハー ２・・・ボート３・・・
フロントハツチ ４・・・反応管５．５′・・・真空
バルブ ６．６′・・・真空ポンプ（ロータリポンプ）７．７′
・・・真空ポンプ（メカニカルブースタポンプ）８・・
・原料ガス供給システム ９・・・抵抗ヒータ１０
・・・オイルフィルタレ−ジョン １１・・・サセプタ
１２・・・ＲＦ電極 特許呂願入 日本電気株式会社 第１図 第２図
施例２の断面図、第３図は従来の気相成長装置を示す断
面図である。 １・・・半導体ウェハー ２・・・ボート３・・・
フロントハツチ ４・・・反応管５．５′・・・真空
バルブ ６．６′・・・真空ポンプ（ロータリポンプ）７．７′
・・・真空ポンプ（メカニカルブースタポンプ）８・・
・原料ガス供給システム ９・・・抵抗ヒータ１０
・・・オイルフィルタレ−ジョン １１・・・サセプタ
１２・・・ＲＦ電極 特許呂願入 日本電気株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- １、真空容器と、真空容器内の半導体ウェハー上に所望
の薄膜を形成する原料ガスを供給するガス供給システム
と、真空容器内のガスを排気する２系統の排気システム
を有することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1416988A JPH01189114A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1416988A JPH01189114A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189114A true JPH01189114A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11853640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1416988A Pending JPH01189114A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189114A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003033762A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and process |
| US6716284B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance |
| JP2004124193A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2004183096A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置 |
| US6893506B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
| JP2007507099A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-03-22 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | チャンバに対してガスを出し入れする装置 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1416988A patent/JPH01189114A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003033762A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and process |
| US6716284B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance |
| US6758911B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-07-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance |
| CN1306062C (zh) * | 2001-10-15 | 2007-03-21 | 微米技术公司 | 原子层沉积装置和方法 |
| JP2008255493A (ja) * | 2001-10-15 | 2008-10-23 | Micron Technology Inc | 原子層堆積装置及び方法 |
| US6893506B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
| US7030037B2 (en) | 2002-03-11 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
| US7431773B2 (en) | 2002-03-11 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
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