JPH1050620A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空排気系の排気能力を向上させ、かつ被処
理物における処理結果を安定化させる。 【解決手段】 外気と遮断された雰囲気で半導体ウェハ
１の成膜処理が行われる真空処理容器３と、真空処理容
器３の外周に設置されかつ真空処理容器３内をその外部
から加熱する抵抗加熱ヒータ９と、真空処理容器３と連
結されかつ真空処理容器３内を真空排気する真空排気系
４と、真空処理容器３と真空排気系４とのそれぞれに連
通する導入管５に設けられかつ大気８を導入する大気導
入弁６とからなり、真空排気系４の真空ポンプ４ｂによ
って真空処理容器３内の真空排気を行うことにより、真
空処理容器３内に生成された水素７を大気８によって真
空処理容器３から取り出すとともに大気８と一緒に排気
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おいて、真空処理容器内に生成される水素などの副生成
物を取り除く半導体製造方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】真空処理容器（反応炉ともいう）を備えた
半導体製造装置の一例として、被処理物である半導体ウ
ェハに成膜処理を行うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion)装置が知られている。

【０００４】ここで、ＣＶＤ装置には、成膜処理時の真
空処理容器の状態を大別して、大気圧状態で成膜処理を
行う常圧ＣＶＤ装置と、低圧（１０〜１０³ Ｐａ）状態
で成膜処理を行う低圧ＣＶＤ装置とがある。

【０００５】さらに、前記ＣＶＤ装置においては、反応
ガスに水素が含まれている場合（例えば、モノシランガ
ス（ＳｉＨ₄)など）、真空処理容器内にその副生成物と
して水素が生成される。

【０００６】なお、種々のＣＶＤ技術については、例え
ば、株式会社オーム社、１９８９年６月２０日発行、
「超微細加工入門」古川静二郎、その他一名（著）、１
１０〜１１７頁に記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術におけるＣＶＤ装置、特に、低圧ＣＶＤ装置では、真
空排気量が比較的少ないため、副生成物として水素など
の軽元素が生成される場合、真空処理容器内に水素が残
留し易い。

【０００８】これにより、真空ポンプなどからなる真空
排気系の排気能力を最大限に発揮できないことが問題と
される。

【０００９】さらに、真空排気系の排気能力を最大限に
発揮できないと、真空処理容器内の真空度を所定の範囲
内に維持するのが困難になり、その結果、半導体ウェハ
に形成する膜の膜質の安定化を図れないことも問題とさ
れる。

【００１０】本発明の目的は、真空排気系の排気能力を
向上させ、かつ被処理物における処理結果を安定化させ
る半導体製造方法および装置を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１３】すなわち、本発明の半導体製造方法は、被
処理物の処理が行われる真空処理容器とこれに連結され
た真空排気系とのそれぞれに連通する導入管から大気な
どの高粘性気体を導入し、前記真空処理容器内を真空排
気することにより、前記真空処理容器内に生成された水
素などの副生成物を前記高粘性気体によって前記真空処
理容器から取り出すとともに前記高粘性気体と一緒に排
気するものである。

【００１４】これにより、真空処理容器の排気口付近に
滞留した水素などの副生成物が高粘性気体によって巻き
込まれるため、副生成物を高粘性気体と一緒に排気する
ことができる。

【００１５】その結果、真空処理容器内から副生成物を
取り除くことができ、これにより、真空ポンプなどから
なる真空排気系の排気能力を向上させるとともに、排気
速度を安定化させることができる。

【００１６】したがって、安定した装置状況下で被処理
物に処理を行うことができるため、被処理物に対して安
定した処理を長期間に渡って行うことができ、その結
果、被処理物における処理結果を長期間に渡って安定化
させることができる。

【００１７】さらに、本発明の半導体製造方法は、真空
処理容器内に被処理物である半導体ウェハを搬入する工
程、前記真空処理容器とこれに連結された真空排気系と
のそれぞれに連通する導入管から大気などの高粘性気体
を導入する工程、前記真空処理容器内を真空排気するこ
とにより、前記真空処理容器内に生成された水素などの
副生成物を前記高粘性気体によって前記真空処理容器か
ら取り出すとともに前記高粘性気体と一緒に排気する工
程、前記真空処理容器内にアンモニアなどの反応ガスを
供給して前記半導体ウェハに成膜処理を行う工程を含む
ものである。

【００１８】また、本発明の半導体製造装置は、外気と
遮断された雰囲気で被処理物の処理が行われる真空処理
容器と、前記真空処理容器と連結されかつ前記真空処理
容器内を真空排気する真空排気系と、前記真空処理容器
と前記真空排気系とのそれぞれに連通する導入管に設け
られかつ大気などの高粘性気体を導入する粘性気体導入
手段とを有し、前記真空排気系によって前記真空処理容
器内の真空排気を行うことにより、前記真空処理容器内
に生成された水素などの副生成物が前記高粘性気体によ
って前記真空処理容器から取り出されるとともに前記高
粘性気体と一緒に排気されるものである。

【００１９】なお、本発明の半導体製造装置は、前記真
空処理容器内にアンモニアなどの反応ガスを供給する反
応ガス供給手段を有し、前記被処理物である半導体ウェ
ハに成膜処理を行うＣＶＤ装置である。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２１】図１は本発明の半導体製造装置である低圧
ＣＶＤ装置の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図
である。

【００２２】なお、本実施の形態で説明する半導体製造
装置は、真空処理容器３（反応炉ともいう）内に反応ガ
ス２を供給することにより、真空処理容器３内において
被処理物である半導体ウェハ１に薄膜形成処理（成膜処
理ともいう）を行うものであり、かつ、真空処理容器３
内において成膜処理時に化学反応によって生成された副
生成物である水素７を除去するものである。

【００２３】ここで、本実施の形態においては、その一
例として、縦形のホットウォール形の低圧ＣＶＤ装置を
取り上げ、２種類の反応ガス２であるジクロルシラン
（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂)とアンモニア（ＮＨ₃)とを用いてシリ
コンの半導体ウェハ１上に窒化シリコン膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄)
を形成する場合について説明する。

【００２４】前記低圧ＣＶＤ装置の構成は、外気と遮断
された雰囲気で半導体ウェハ１の成膜処理が行われる真
空処理容器３と、真空処理容器３の外周に設置されかつ
真空処理容器３内の半導体ウェハ１をその外部から加熱
する抵抗加熱ヒータ９と、真空処理容器３と連結されか
つ真空処理容器３内を真空排気する真空排気系４と、真
空処理容器３と真空排気系４とのそれぞれに連通する導
入管５に設けられかつ大気８（高粘性気体）を導入する
粘性気体導入手段である大気導入弁６とからなり、真空
排気系４の真空ポンプ４ｂによって真空処理容器３内の
真空排気を行うことにより、真空処理容器３内に生成さ
れた水素（副生成物）７が大気８によって真空処理容器
３から取り出されるとともに大気８と一緒に排気される
ものである。

【００２５】なお、図１に示す本実施の形態による低圧
ＣＶＤ装置は、半導体ウェハ１を１枚ずつ成膜処理する
枚葉式のものである。

【００２６】また、前記低圧ＣＶＤ装置は、石英などに
よって形成された真空処理容器３内にアンモニアやジク
ロルシランなどの反応ガス２を供給する反応ガス供給手
段２ａを有しており、これにより、反応ガス２を供給
し、さらに、抵抗加熱ヒータ９によって半導体ウェハ１
を加熱し、化学反応によって半導体ウェハ１に成膜処理
を行うものである。

【００２７】さらに、真空処理容器３には、半導体ウェ
ハ１を搬出する際に、Ｎ₂ ガス１０ａを供給するＮ₂ ガ
ス供給手段１０が取り付けられている。

【００２８】ここで、本実施の形態における高粘性気体
は、真空処理容器３内で生成された水素７などの軽元素
（低粘性気体）を巻き込んで真空処理容器３外に排気さ
れるものであるため、高粘性（高粘度）を有した気体
（ガス）であり、例えば、大気８、酸素または不活性ガ
スなどである。

【００２９】なお、本実施の形態においては、前記高粘
性気体が大気８の場合を説明する。

【００３０】さらに、本実施の形態における低圧ＣＶＤ
装置では、その真空排気系４が、真空処理容器３の排気
口３ｃと連結された排気管４ａと、排気管４ａと連結さ
れた真空ポンプ４ｂとから構成されている。

【００３１】また、前記低圧ＣＶＤ装置においては、大
気導入弁６（大気流入弁ともいう）が真空ポンプ４ｂに
連通する導入管５に取り付けられている。

【００３２】つまり、大気導入弁６が設置された導入管
５は、真空ポンプ４ｂに取り付けられてこれに連通する
とともに、真空ポンプ４ｂと連結された排気管４ａおよ
び排気口３ｃを介して真空処理容器３に連通している。

【００３３】したがって、真空処理容器３の真空排気時
に、導入管５において大気導入弁６を開いて真空ポンプ
４ｂ内に大気８を導入することにより、真空処理容器３
内に生成された水素７を大気８が巻き込み、真空処理容
器３外に大気８とともに排気することができる。

【００３４】この時、導入管５から導入された大気８
は、真空ポンプ４ｂ、排気管４ａおよび排気口３ｃを通
り、一度真空処理容器３内の排気口３ｃ近傍に入り込
み、さらに、真空処理容器３内の排気口３ｃ付近に滞留
した水素７を巻き込んで、再び、真空処理容器３の外部
に排気されるものと思われる。

【００３５】ここで、大気導入弁６は、例えば、大気８
の導入の制御を行う開閉弁などである。

【００３６】また、真空処理容器３内には、処理中の半
導体ウェハ１を支持しかつ石英などによって形成された
試料台３ａが配置され、さらに、半導体ウェハ１の搬入
出時に開くゲートバルブ３ｂが設けられている。

【００３７】なお、前記低圧ＣＶＤ装置においては、半
導体ウェハ１に窒化シリコン膜の成膜処理を行う際に、
例えば、真空処理容器３内を、２０〜３０Ｐａ程度に減
圧する。

【００３８】本実施の形態による半導体製造方法につい
て説明する。

【００３９】なお、前記半導体製造方法は、真空処理容
器３内にジクロルシランとアンモニアの２種類の反応ガ
ス２を供給することにより、半導体ウェハ１に窒化シリ
コン膜を形成しながら、かつ、真空処理容器３内に生成
された副生成物である水素７を真空排気によって除去
（排気）するものである。

【００４０】まず、真空処理容器３に設けられたゲート
バルブ３ｂを開け、真空処理容器３内に半導体ウェハ１
を搬入し、試料台３ａの所定箇所に半導体ウェハ１を載
置する。

【００４１】続いて、ゲートバルブ３ｂを閉じて真空処
理容器３を密閉し、真空排気系４の真空ポンプ４ｂによ
って真空処理容器３内を真空排気する。

【００４２】この時、大気導入弁６を開け、真空処理容
器３と真空排気系４とのそれぞれに連通する導入管５か
ら大気８（高粘性気体）を導入する。

【００４３】これにより、導入管５から導入された大気
８は、真空ポンプ４ｂに入り、その後、真空ポンプ４ｂ
を経て排気管４ａおよび排気口３ｃを通り、一度真空処
理容器３内の排気口３ｃ近傍に入り込む。

【００４４】さらに、大気８は、真空処理容器３内の排
気口３ｃ付近に滞留した水素７を巻き込んで、再び、真
空処理容器３の外部に排気される。

【００４５】したがって、導入管５から大気８を導入し
ながら、真空処理容器３内を真空排気することにより、
真空処理容器３内に生成された水素７を大気８によって
真空処理容器３から取り出すとともに大気８と一緒に排
気する。

【００４６】その後、真空処理容器３内が所定の真空度
（本実施の形態においては、２０〜３０Ｐａ程度）に到
達したら、真空処理容器３内に反応ガス２であるジクロ
ルシランとアンモニアとを反応ガス供給手段２ａによっ
て供給するとともに、抵抗加熱ヒータ９によって半導体
ウェハ１を所定の温度に加熱する。

【００４７】これにより、真空ポンプ４ｂによる真空排
気と、反応ガス供給手段２ａによる反応ガス２の供給
と、大気導入弁６による大気８の導入とを行いながら、
かつ前記所定の真空度を維持した状態で半導体ウェハ１
に窒化シリコン膜の成膜処理（ＣＶＤ処理）を行う。

【００４８】すなわち、本実施の形態においては、大気
導入弁６を開けて導入管５から大気８を導入しながら、
真空処理容器３内に生成された副生成物である水素７を
大気８と一緒に真空排気するとともに真空処理容器３内
に反応ガス２を供給して半導体ウェハ１に成膜処理を行
う。

【００４９】なお、半導体ウェハ１への成膜処理が終了
したら、真空ポンプ４ｂによる真空排気と、反応ガス供
給手段２ａによる反応ガス２の供給と、大気導入弁６に
よる大気８の導入とを停止させる。

【００５０】さらに、真空処理容器３内を密閉し、Ｎ₂
ガス供給手段１０によって真空処理容器３内にＮ₂ ガス
１０ａを供給し、真空処理容器３内を大気圧状態にす
る。

【００５１】その後、真空処理容器３のゲートバルブ３
ｂを開け、成膜処理済みの半導体ウェハ１を真空処理容
器３から搬出し、所定箇所に搬送する。

【００５２】本実施の形態の半導体製造方法および装置
（低圧ＣＶＤ装置）によれば、以下のような作用効果が
得られる。

【００５３】すなわち、真空処理容器３とこれに連結さ
れた真空排気系４とのそれぞれに連通する導入管５から
大気８（高粘性気体）を導入して真空処理容器３内を真
空排気することにより、真空処理容器３内に生成されか
つ真空処理容器３の排気口３ｃ付近に滞留した水素７
（副生成物）が、大気８によって巻き込まれるため、水
素７を大気８と一緒に排気することができる。

【００５４】これにより、真空処理容器３内から副生成
物である水素７を取り除くことができるため、真空ポン
プ４ｂなどからなる真空排気系４の排気能力を向上させ
ることができる。

【００５５】つまり、真空排気系４の排気能力を最大限
に発揮させることが可能になるとともに、排気速度を安
定化させることができる。

【００５６】したがって、安定した低圧ＣＶＤ装置の状
況下で半導体ウェハ１に成膜処理を行うことができるた
め、半導体ウェハ１に対して安定した成膜処理を長期間
に渡って行うことができる。

【００５７】その結果、低圧ＣＶＤ装置において膜質の
安定化を図ることが可能になり、長期間に渡って安定し
た膜質の成膜を行うことができる。

【００５８】さらに、粘性気体導入手段が大気８を導入
する大気導入弁６であり、かつ大気導入弁６が真空排気
系４の真空ポンプ４ｂに取り付けられていることによ
り、比較的簡単な構造の半導体製造装置、すなわち、低
圧ＣＶＤ装置によって、真空排気時に、真空処理容器３
内から水素７を取り除く（排気する）ことができる。

【００５９】これにより、真空排気系４の排気能力を向
上させる低圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置）を低コスト
で実現することが可能になる。

【００６０】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００６１】例えば、前記実施の形態における低圧ＣＶ
Ｄ装置（半導体製造装置）においては、粘性気体導入手
段である大気導入弁６を備えた導入管５が真空ポンプ４
ｂに取り付けられた場合について説明したが、図２に示
す他の実施の形態の低圧ＣＶＤ装置のように、導入管５
が排気管４ａに取り付けられていてもよい。

【００６２】この場合、導入管５は、排気管４ａを介し
て真空処理容器３と真空ポンプ４ｂとにそれぞれ連通
し、大気８を排気管４ａから導入する。

【００６３】また、導入管５は、真空処理容器３の排気
口３ｃの近傍で真空処理容器３に直接取り付けられてい
てもよい。

【００６４】この場合、導入管５は、真空処理容器３と
直接連通し、さらに、排気口３ｃおよび排気管４ａを介
して真空ポンプ４ｂと連通しており、これにより、大気
８を導入管５から直接真空処理容器３に導入する。

【００６５】ここで、導入管５が、排気管４ａまたは真
空処理容器３に取り付けられた場合においても、前記実
施の形態による低圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置）と同
様の作用効果が得られる。

【００６６】なお、導入管５は、真空排気系４を成す排
気管４ａと真空ポンプ４ｂとの両者に設けられていても
よく、この場合、その両者から大気８を導入することも
可能である。

【００６７】また、前記実施の形態では、低圧ＣＶＤ装
置において、半導体ウェハ１に対する成膜処理を行いな
がら、真空排気による真空処理容器３内の水素７の除去
（排気）を行う場合を説明したが、水素７の除去につい
ては、成膜処理とは別に単独で行ってもよい。

【００６８】例えば、図１または図２に示す低圧ＣＶＤ
装置において、半導体ウェハ１に対する成膜処理が終了
した後、半導体ウェハ１を搬出し、真空処理容器３内を
密閉する。

【００６９】続いて、真空処理容器３とこれに連結され
た真空排気系４とのそれぞれに連通する導入管５から大
気８（高粘性気体）を導入し、真空処理容器３内を真空
排気することにより、真空処理容器３内に生成された水
素７（副生成物）を大気８によって真空処理容器３から
取り出すとともに大気８と一緒に排気する。

【００７０】その後、真空処理容器３内が所定の真空度
に到達するまで真空排気を行い、その際に、真空処理容
器３内の水素７を除去し続ける。

【００７１】これによっても、前記実施の形態による半
導体製造方法および装置と同様の作用効果が得られる。

【００７２】また、前記実施の形態においては、成膜処
理の際に、ジクロルシランとアンモニアの２種類の反応
ガス２を用いる場合について説明したが、反応ガス２
は、これに限定されるものではなく、例えば、シランガ
スなどを用いてもよく、その場合、半導体ウェハ１に形
成される膜は、ＳｉＯ₂ 膜である。

【００７３】さらに、図１および図２に示した半導体製
造装置は低圧ＣＶＤ装置であったが、前記半導体製造装
置は低圧ＣＶＤ装置に限らず、真空処理容器３とこれに
連結された真空排気系４（真空ポンプ４ｂを含む）とを
有していれば、ＣＶＤ装置に限らず他の半導体製造装置
であってもよい。

【００７４】なお、図１および図２に示す低圧ＣＶＤ装
置は、縦形で枚葉式のものであるが、これに限らず、図
３に示す他の実施の形態の低圧ＣＶＤ装置のように、横
形でかつ同時に複数枚の半導体ウェハ１を成膜処理する
バッチ式のものであってもよい（縦型のバッチ式であっ
てもよい）。

【００７５】また、水素７などの副生成物を巻き込んで
真空処理容器３から取り出す高粘性気体は、高い粘性
（高粘度）を有していれば、大気８に限らず、アルゴン
ガスや窒素ガスなどの不活性ガスであってもよい。

【００７６】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００７７】（１）．真空処理容器と真空排気系とのそ
れぞれに連通する導入管から高粘性気体を導入して真空
処理容器内を真空排気することにより、真空処理容器内
に生成された水素などの副生成物を高粘性気体と一緒に
排気することができる。これにより、真空処理容器内か
ら副生成物を取り除くことができるため、真空ポンプな
どからなる真空排気系の排気能力を向上させることがで
きる。

【００７８】（２）．（１）により、真空排気系の排気
能力を最大限に発揮させることが可能になるとともに、
排気速度を安定化させることができる。したがって、安
定した装置状況下で被処理物に処理を行うことができる
ため、被処理物に対して安定した処理を長期間に渡って
行うことができ、その結果、被処理物における処理結果
を長期間に渡って安定化させることができる。

【００７９】（３）．真空処理容器内の水素（副生成
物）を高粘性気体と一緒に真空排気するとともに真空処
理容器内に反応ガスを供給して半導体ウェハに成膜処理
を行うことにより、ＣＶＤ装置において膜質の安定化を
図ることが可能になり、長期間に渡って安定した膜質の
成膜処理を行うことができる。

【００８０】（４）．粘性気体導入手段が大気を導入す
る大気導入弁であり、かつ大気導入弁が真空排気系の真
空ポンプに取り付けられていることにより、比較的簡単
な構造の半導体製造装置によって、真空排気時に、真空
処理容器内から副生成物を取り除くことができる。これ
により、真空排気系の排気能力を向上させる半導体製造
装置を低コストで実現することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置である低圧ＣＶＤ装置
の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図である。

【図２】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
（低圧ＣＶＤ装置）の構造を示す構成概念図である。

【図３】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置
（低圧ＣＶＤ装置）の構造を示す構成概念図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ（被処理物） ２ 反応ガス ２ａ 反応ガス供給手段 ３ 真空処理容器 ３ａ 試料台 ３ｂ ゲートバルブ ３ｃ 排気口 ４ 真空排気系 ４ａ 排気管 ４ｂ 真空ポンプ ５ 導入管 ６ 大気導入弁（粘性気体導入手段） ７ 水素（副生成物） ８ 大気（高粘性気体） ９ 抵抗加熱ヒータ １０ Ｎ₂ ガス供給手段 １０ａ Ｎ₂ ガス

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物の処理が行われる真空処理容器
   とこれに連結された真空排気系とのそれぞれに連通する
   導入管から大気などの高粘性気体を導入し、前記真空処
   理容器内を真空排気することにより、前記真空処理容器
   内に生成された水素などの副生成物を前記高粘性気体に
   よって前記真空処理容器から取り出すとともに前記高粘
   性気体と一緒に排気することを特徴とする半導体製造方
   法。
2. 【請求項２】 真空処理容器内に被処理物である半導体
   ウェハを搬入する工程、 前記真空処理容器とこれに連結された真空排気系とのそ
   れぞれに連通する導入管から大気などの高粘性気体を導
   入する工程、 前記真空処理容器内を真空排気することにより、前記真
   空処理容器内に生成された水素などの副生成物を前記高
   粘性気体によって前記真空処理容器から取り出すととも
   に前記高粘性気体と一緒に排気する工程、 前記真空処理容器内にアンモニアなどの反応ガスを供給
   して前記半導体ウェハに成膜処理を行う工程、を含むこ
   とを特徴とする半導体製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体製造方法であっ
   て、前記導入管から前記高粘性気体を導入しながら、前
   記真空処理容器内の前記副生成物を前記高粘性気体と一
   緒に真空排気するとともに前記真空処理容器内に反応ガ
   スを供給して前記半導体ウェハに成膜処理を行うことを
   特徴とする半導体製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体製造
   方法であって、前記導入管から前記高粘性気体を導入す
   る際に、前記真空排気系が有する真空ポンプまたは排気
   管もしくはその両者から前記高粘性気体である大気を導
   入することを特徴とする半導体製造方法。
5. 【請求項５】 外気と遮断された雰囲気で被処理物の処
   理が行われる真空処理容器と、 前記真空処理容器と連結され、かつ前記真空処理容器内
   を真空排気する真空排気系と、 前記真空処理容器と前記真空排気系とのそれぞれに連通
   する導入管に設けられ、かつ大気などの高粘性気体を導
   入する粘性気体導入手段とを有し、 前記真空排気系によって前記真空処理容器内の真空排気
   を行うことにより、前記真空処理容器内に生成された水
   素などの副生成物が前記高粘性気体によって前記真空処
   理容器から取り出されるとともに前記高粘性気体と一緒
   に排気されることを特徴とする半導体製造装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体製造装置であっ
   て、前記真空処理容器内にアンモニアなどの反応ガスを
   供給する反応ガス供給手段を有し、前記被処理物である
   半導体ウェハに成膜処理を行うＣＶＤ装置であることを
   特徴とする半導体製造装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体製造装置であっ
   て、前記導入管において前記粘性気体導入手段によって
   前記高粘性気体を導入しながら、前記真空処理容器内の
   前記副生成物を前記高粘性気体と一緒に真空排気すると
   ともに前記真空処理容器内に前記反応ガスを供給して前
   記半導体ウェハに成膜処理を行うことを特徴とする半導
   体製造装置。
8. 【請求項８】 請求項５，６または７記載の半導体製造
   装置であって、前記真空排気系が、前記真空処理容器と
   連結された排気管と、前記排気管と連結された真空ポン
   プとを有することを特徴とする半導体製造装置。
9. 【請求項９】 請求項５，６，７または８記載の半導体
   製造装置であって、前記粘性気体導入手段が大気を取り
   込む大気導入弁であり、前記大気導入弁が、前記真空排
   気系が有する真空ポンプに連通する導入管に取り付けら
   れていることを特徴とする半導体製造装置。