JPH02226721A

JPH02226721A - 処理方法

Info

Publication number: JPH02226721A
Application number: JP8946889A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kumagai; 熊谷　佳夫; Susumu Tanaka; 進田中
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Sagami Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority date: 1988-10-31
Filing date: 1989-02-28
Publication date: 1990-09-10
Anticipated expiration: 2013-04-15
Also published as: JP2740789B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、処理装置および処理方法に関する。

（従来の技術）従来より、ＬＣＤ基板や半導体基板等を処理する装置と
して、例えばＡｉ配線後の半導体ウェハ上にパッシベー
ション膜例えばＳ　ｉ　３　Ｎ４膜を形成する装置では
、低温例えば４００℃以下の温度雰囲気で成膜する装置
が知られている。

第６図はこのようなパッシベーション膜を形成するため
の従来のプラズマＣＶＤ装置を示す図で、石英からなる
円筒状の反応容器１内には、高周波電源２に接続された
櫛歯状の高周波電極３が一対互い違いにその歯部である
電極板４を交差して配置されており、各電極板４の表裏
に被処理物例えば半導体ウェハ５が密着されている。

反応容器１端部には反応ガス６からの反応ガス例えばＳ
ｉＨ４＋ＮＨ３ガスを導入するためのガス導入ロアが設
けられており、一方反応容器１外周にはヒータ機構８が
周設されている。

このようなプラズマＣＶＤ装置によるバッジベージジン
膜の形成は、反応容器１内をヒータ機構８により所定の
処理温度とした後、ガス導入管７から所定の反応ガスを
導入し、該反応ガスを高周波電極板４間でプラズマ化し
なからＳｉ３Ｎ、成膜処理を行う。このとき反応容器１
に設けられた排気口９から真空機構１０により反応容器
１内が所定の真空度となるように真空引きする。

しかしながら、上述したプラズマＣＶＤ装置では、被処
理物がプラズマ発生場所に近接しているため、この生成
されたプラズマにより被処理物が損傷を受けるという問
題があり、また、電極板４に付着した反応生成物の膜が
プラズマにより剥離されて塵埃となりこの塵埃が被処理
物に付着するという問題があった。さらに高周波電極３
自体が熱容量を有していることから、反応容器１内を早
く所定の処理温度まで昇温させることかできず、また温
度制御のレスポンスが悪く高精度の温度制御ができない
という問題があった。

そこで、これら問題を解決するために反応容器外でプラ
ズマを生成し、該プラズマを反応容器内に輸送して処理
するいわゆる活性化ガス輸送方式が開示されている（Ｊ
ａｐａｎｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｒＡｐｐｌｉｅｄＰｈ
ｙｓｌｃｓ、Ｖｏｌ１７（１９７ｇ）　　　５ｕｐｐｌ
ｅｓｅｎｔ１７−１．ｐｐ、２１５−２２１）。第７図
はこの活性化ガス輸送方式によるプラズマＣＶＤ装置を
示す図で、石英等からなるほぼ球状の反応容器１１内に
は被処理物例えば半導体ウェハ１２を載置してこれを加
熱するための加熱台１３が配設されており、反応容器１
１両側部に処理ガス１４例えばＮ２や０２ガスを導入す
るための一対の処理ガス導入口１５、上部には反応ガス
１６例えばＳｉＨ４を導入するための反応ガス導入口１
７、そして下部には反応容器１１内を所定の真空度に保
持するための轟空機構１８に接続された排気口１７が設
けられている。

また、反応容器１１外部には、上記処理ガス１４を導入
するプラズマ発生容器２０、マイクロ波導波管２１．マ
イクロ波出力部２２から構成されるプラズマ発生機構２
３が配設されている。

このような構成のプラズマ処理装置では、プラズマ発生
機構２３でプラズマ化したＮ２や０２等の処理ガスを輸
送管２４を介して処理ガス導入口１５から反応容器１１
内に導き、一方反応ガス導入口１７からはＳｉＨ４等の
反応ガスを導き、これら混合ガス雰囲気中で所定の温度
例えば４００℃でＳ　ｌ　３　Ｎ４の成膜を行う。この
ようにプラズマ生成部を反応容器外部に設けることで、
′プラズマによる被処理物の損傷や塵埃発生の問題を解
決することができる。

（発明が解決しようとする課題）ところが、上述した従来の活性化ガス輸送方式のプラズ
マ処理装置では、被処理物を加熱台により直接加熱する
ため、被処理物を均一に加熱することができず、処理む
らが生じるという問題があった。さらに、反応容器内に
導入した反応ガスと処理ガスとが均一に混合せず、反応
容器内の部位により処理ガス・反応ガス濃度分布にばら
つきが生じ易くこれも均一な処理を行う上での障害とな
っていた。そして、これら問題は、反応容器を大型化す
るほど顕著になるため、反応容器を大型化して被処理物
を一度に大量処理することができず、大量生産には不利
なカバであるという問題があった。

本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、プラズマによる被処理物の損傷がなく、シ
かも均一処理および大量処理が可能な処理装置および処
理方法を提供することを目的とするものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明装置は、反応容器内に被処理物を多数収容し、こ
の反応容器内に収容された前記被処理物群に処理ガスお
よび反応ガスを用いて所定の処理を施す処理装置におい
て、前記反応容器外部に配設され前記処理ガスをプラズ
マ化する処理ガスプラズマ化機構と、この処理ガスプラ
ズマ化機構で生成された処理ガスプラズマを前記−反応
容器内へ導くプラズマ輸送管を備えたことを特徴とする
ものである。

また、本発明方法の処理方法は、上記処理ガスプラズマ
機構によりプラズマ化した処理ガスと反応ガスにより前
記被処理物を成膜することを特徴とするものである。

さらに、本発明方法の処理方法は、上記処理ガスプラズ
マ化機構によりエツチングガスをプラズマ化した後、こ
のプラズマ化したエツチングガスにより前記被処理物群
をエツチングすることを特徴とするものである。

さらにまた、本発明方法の処理方法は、上記処理ガスプ
ラズマ化機構によりエツチングガスをプラズマ化し、こ
のプラズマ化したエツチングガスにより前記反応容器内
をエツチング洗浄することを特徴とするものである。

また、本発明方法の処理方法は、上記処理ガスプラズマ
化機構によりプラズマ化されたエツチングガスにより前
記被処理物の表面をクリーニングした後、前記クリーニ
ング処理と略等しい温度条件下で前記反応容器内に反応
ガスを導入して前記クリーニング処理された被処理物群
に成膜することを特徴とするものである。

（作　用）本発明は、処理ガスを反応容器の外部でプラズマ化した
後、反応容器内に導入して処理するため、プラズマ発生
源と被処理物とが隔離され、プラズマ粒子による半導体
ウェハのＪｊｌ　ｉを防止することができる。また、反
応容器内に多数の半導体ウェハを収容し、これを反応容
器外部のヒータ機構により加゛熱するので、多数の半導
体ウェハを一度に均熱することができるので均一なプラ
ズマ処理が可能となる。

さらに上記構成の処理装置を用いることで、ウェハクリ
ーニング工程からＣＶＤ処理工程への連続的な処理も可
能となり、作業時間の短縮化による生産性の向上が図れ
る。

（実施例）以下、本発明を縦型熱処理装置に適用した一実施例につ
いて図を参照して説明する。

はぼ垂直に設けられた反応容器３１は、例えば石英等か
らなる外筒３２と、この外′ＷＪ３２内に同心的に間隔
を設けて収容された例えば石英からなる円柱状の内筒３
３とから構成された二重管構造となっている。そしてこ
の反応容器３１を囲繞する如くヒータ機構３４、図示を
省略した断熱性部材が配設されている。

内ｎ３３内には、被処理物例えば半導体ウェハ３５を多
数棚積み配列したウェハボート３６が収容されており、
該ウェハボート３６はウェハ回転機構３７により回転可
能に配設されたボート支持台３８上に搭載されている。

反応容器３１下端側壁には、反応容器３１内に処理ガス
例えばＳ　ｉ　３　Ｎ　４膜形成を行うのであればＮ２
ガス、５ｉ０２膜形成を行うのであれば０２ガスそして
エツチングを行うのであればエツチングガス例えばＣＦ
４　＋０２やＮＦ３等を導入するための処理ガス導入口
３９と、反応ガス例えばＳｉｎ、ガスを導入するための
反応ガス導入口４０とが設けられている。

上記処理ガス導入口３９および反応ガス導入口４０には
、夫々Ｌ字状のガス吐出管４１．４２がそのガス吐出部
を内ｔ９ｊ３３と半導体ウェハ列３５との間隙に挿入し
て配設されている。このガス吐出管のガス吐出部には、
所定のピッチでガス吐出孔４１ａ、４２ａが穿設されて
おり、一般に縦型炉では、炉の下部よりも上部の方が反
応ガス濃度が薄くなる傾向があるため、本実施例では、
ガス吐出管４１．４２に設けるガス吐出孔の穿設ピッチ
４１ａ、４２ａを上部方向に徐々に狭くなるように形成
して、反応容器３１内で均一なガス濃度が得られるよう
に構成した。

一方、反応容器３１外部には、処理ガスをブラズマ化す
るためのプラズマ発生機構４３が設けられている。

このプラズマ発生機構４３は、プラズマ発生容器４４と
、このプラズマ発生容器４４内にプラズマ生成用のマイ
クロ波を導入するためのマイクロ波導波管４５、そして
マイクロ波導波管４５にマイクロ波例えば２．４５ＧＨ
ｚ、パルス間隔２０−８のパルス状マイクロ波を供給す
るためのマイクロ波出力部４６等からその主要部分が構
成されている。

また、処理ガス［４７としては、成膜用として０２また
はＮ２ガス源４８とエツチング用としてエツチングガス
１Ｗｆ４９例えばＣＦ、＋０２ガス源やＮＦ３ガス源と
が設けられており、これら各ガス源４８．４９は、夫々
切換バルブ５０．５１を介してプラズマ発生容器４４に
接続されている。

このプラズマ発生機構４３でプラズマ化された処理ガス
は、プラズマガス輸送管５２内を通って上記処理ガス吐
出管４１へと導かれ、ガス吐出管のガス吐出孔４１ａか
ら吐出される。

このような構成の半導体処理装置を用いることにより、
種々の処理が行え、以下に各種処理方法について図を参
照して説明する。

まず、処理方法の第１の例として、半導体ウェハ上にＳ
　ｉ　３　Ｎ４バツジベージジン膜を形成する場合につ
いて第２図の動作フローチャートを参照しながら説明す
る。

図示を省略した昇降機構によりボート支持台３８を下降
させ、この支持台３８上にウェハボート３６を搭載した
後、再び、ボート支持台３８を上昇して反応容器内にウ
ェハボート３６を収容する（ウェハボ−ト）（１０１）
。

次に、反応容器３１下部側壁に設けられた排気口４０か
ら真空機構５３により真空引きし、反応容器３１内を所
定の真空度０．００１Ｔｏｒｒとし、またヒータ機構３
４により半導体ウェハ３５を所定の処理温度例えば３０
０℃まで昇温する（１０２）。

そしてエツチング用処理ガス源４９の切替え弁５１を閉
じ、成膜用処理ガス源４８の切替え弁５０を開けてプラ
ズマ発生機構４３のプラズマ発生容器内４４に処理ガス
（本実施例ではＮ２ガスとする）を導入する。この後プ
ラズマ発生容器４４にマイクロ波例えば電力８００Ｗ、
　　２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給し、このＮ２ガ
スをプラズマ化する（１０４）。

次にこのプラズマ化したＮ２ガスをプラズマ輸送管５２
を通して処理ガス吐出管４１へと導きガス吐出孔４１ａ
から反応容器３１内へ所定量例えばＮ２分圧１．０Ｔｏ
ｒｒ相当吐出する。こ、の処理ガス吐出動作と同時に、
反応ガス源５４の弁を開けて反応ガス吐出管４２から反
応ガス（本実施例では１２％のＳｉＨ４を混合したＮ２
ベースの生ガスとする）を所定量例えば分圧０．２ＴＯ
ｒｒ相当吐出する（１０５）。

モしてウェハ回転機構３７によりウェハボート３６を所
定の回転速度例えば６ｒｐｍで回転させながらＳ　ｉ　
３　Ｎ４の成膜処理を行う（ｉｏｅ）。こうして各半導
体ウェハ３５上にＳ　ｉ　３　Ｎ４膜が形成される。こ
の後、反応容器３１内をパージガス例えばＮ２でパージ
しながら（１０８）　、ウェハボート３６を反応容器３
１外へと搬出する（ウェハ・アンロード’）　（１０７
）。上記ウェハ・ロード（１０１）−真空引き、昇温（
１０２）−成膜用処理ガスのプラズマ化（１０３）　、
成膜用処理ガスおよび反応ガス導入（１ｏ４）→成膜処
理（１０５）→バージ（１０Ｂ）→ウェハ・アンロード
（ｌロア）の各ステップにより成膜工程（１１０）が構
成される。

このような成膜方法によれば、処理ガスを反応容器３１
の外部でプラズマ化した後、反応容器内に導入して処理
。するため、プラズマ発生源と被処理物とが隔離され、
プラズマ粒子による半導体ウェハの損傷を防止すること
ができる。また、反応容器３１内に多数の半導体ウェハ
３５を収容し、これを反応容器３１外部のヒータ機構３
４により加熱するので、多数の半導体ウェハを一度に均
熱することができるので均一なプラズマ処理が可能とな
る。

さらに、本実施例では処理ガス吐出管４１および反応ガ
ス吐出管４２のガス吐出孔４１ａ、４２ａの穿設ピッチ
を反応容器３１上部方向に対して徐々に狭くなるように
形成し、また処理中はウェハボート３６を回転させるよ
うに構成しているので、各半導体ウェハ３５に接する処
理ガスまたは反応ガスの濃度が均一化し、より一層の均
一処理が可能となる。

このように上述実施例の半導体処理装置による成膜方法
によれば、プラズマによる半導体ウニ／１の損傷がなく
、シかも均一処理および大量処理が可能となる。

次に、本発明の半導体製造装置を用いた処理方法の第２
の例として、半導体ウェハ表面をクリーニング処理した
後、Ｐｏ　ｌ　ｙ−８Ｉ膜を形成する場合について第３
図のフローチャートを参照しながら説明する。

図示を省略した昇降機構によりボート支持台３８を下降
させ、この支持台３８上にウェハボート３６を搭載した
後、再び、ボート支持台３８を上昇して反応容器内にウ
ェハボート３６を収容する（ウェハ・ロード）　（２０
１）。

次に、反応容器３１下部側壁に設けられた排気口４０か
ら真空機構５３により真空引きし、反応容器３１内を所
定の真空度０．００１Ｔｏｒｒとし、またヒータ機構３
４により半導体ウエノ＼３５を所定の処理温度例えば８
３０℃まで昇温する（２０２）。そして成膜用処理ガス
源４８の切替え弁５０を閉じ、エツチング用処理ガス源
４９（本実施例ではＣＦ４＋０２またはＮＦ３とする）
の切替え弁５１を開けてプラズマ発生機構４３のプラズ
マ発生容器４４内にＣＦ４　＋０２またはＮＦ３ガスを
導入する。この後プラズマ発生容器４４にマイクロｉ２
［えば電力ＢＯＯＭ、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供
給し、該ＣＦ、　＋０２またはＮＦ、ガスをプラズマ化
する（２０３）。

そしてこのプラズマ化したＣ　Ｆ　４　＋　０２または
ＮＦ３ガスをプラズマ輸送管５２を通して処理ガス吐出
管４１へと導きガス吐出孔４１ａから反応容器３１内へ
吐出する（２０４）。こうして、半導体ウェハ群３５表
面に形成された不純物膜例えば自然酸化膜等を除去する
クリーニング処理を行う（２０５）。

上記ウェハ・ロード（２０１）→真空引き、昇温（２０
２）→エツチングガスプラズマ化（２Ｈ）→エツチング
ガス導入（２０４）→表面クリーニング処理（２０５）
の各ステップによりウェハクリーニング工程（２１０）
が構成される。

こうしてウェハクリーニング終了後、エツチング用処理
ガス源４９の切替え弁５１を閉じ、反応ガス源５４の弁
５５を開けて反応ガス吐出管４２から反応ガス（本実施
例ではＳｉＨ４の生ガスとする）を反応容器３１内に導
入する（３０１）。そして反応容器３１内を上記ウェハ
クリーニング工程（２１０）と同様の温度雰囲気例えば
６３０℃に保持した状態で、Ｐｏ１ｙ−８１膜の成膜を
行う（３０２）。

この後、反応容器３１内をパージガス例えばＮ２でパー
ジしながら（３０３）　、ウェハボート３６を反応容器
３１外へと搬出する（ウェハ・アンロード）　（３０４
）。上記反応ガス導入（８０１）→Ｐｏ１ｙ−８１成膜
処理（３０２）→バージ（ａＯａ）→ウェハ・アンロー
ド（３０４）の各ステップによりＰｏ１ｙ−８１成膜工
程（３１０）が構成される。

このような半導体処理方法によれば、ウェハクリーニン
グ工程（２１Ｇ）→Ｐｏ１ｙ−８１成膜工程（３１０）
間で、大気開放せずに連続処理が可能となり、生産性の
向上が図れる。また、ウェハクリーニング工程（２１Ｇ
＞およびＰｏ１ｙ−８１成膜工程（３１０）共に同一の
処理温度例えば６３０℃で処理が可能であるため、ヒー
タ機構３４を常時作動しておくことで昇温・降温工程が
不要となり、作業時間の短縮化が図れる。

また、ウェハクリーニング工程後の成膜工程としては、
上述したようなＰｏ　Ｉ　ｙ−８［成膜工程以外のもの
例えばタングステン成膜工程でもよく、その場合は、反
応容器成膜雰囲気を成膜内容に応じた処理雰囲気とする
。

次に、本発明の半導体製造装置を用いた処理方法の第３
の例として、反応容器内に付着した反応生成物膜例えば
Ｐｏ１ｙ−８１膜の除去を行う場合について第４図のフ
ローチャートを参照しながら説明する。

成膜処理例えばＰｏ１ｙ−３１成膜が終了してウェハ・
アンロード後（３０４）　、反応容器３１下部側壁に設
けられた排気口４０から真空機構５３により真空引きし
、反応容器３１内を所定の真空度ｏ、ｏｏｔＴｏｒｒと
し、またヒータ機構３４により反応容器３１を所定の処
理温度例えば６３０℃まで昇温する（４０１）。

モして成膜用処理ガス源４８の切替え弁５０を閉じ、エ
ツチング用処理ガス源４９（本実施例ではＣＦ４　＋０
２またはＮＦ３とする）の切替え弁５１を開けてプラズ
マ発生機構４３のプラズマ発生容器４４内にＣＦ、＋０
２またはＮＦ３ガスを導入する。この後プラズマ発生容
器４４にマイクロ波例えば電力６００ｗ、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を供給し、該ＣＦ４＋０２またはＮＦ３
ガスをプラズマ化する（４０２）。

そしてこのプラズマ化したｃｔ’、＋０２またはＮＦ３
ガスをプラズマ輸送管５２を通して処理ガス吐出管４１
へと導きガス吐出孔４１ａから反応容器３１内へ吐出す
る（４０８）。こうして、反応容器３１内部露呈面やウ
ェハボート支持台３８に付着した塵埃発生の原因となる
不純物膜例えばＰｏ　ｌ　ｙ−８Ｉ膜等を除去する洗浄
処理を行う（４０４）。

この後、反応容器３１をパージガス例えばＮ２をパージ
しく４０５）　、次処理の半導体ウェハをロード（２０
１）する。

上記ウェハ・アンロード（（０４）→真空引き、昇温（
４０１）→エツチングガスプラズマ化（４０２）→エツ
チングガス導入（４０３）→反応容器内洗浄（４０４）
→バージ（４０５）の各ステップにより洗浄工程（４１
Ｏ）が構成される。

このような半導体処理方法によれば、Ｐｏ１ｙ−８ｔ成
膜工程（８１０）−洗浄工程（４１０）を連続的に行え
、また、Ｐｏ１ｙ−８ｉ成膜工程（８１０）　、洗浄工
程（４１０）共に同一の処理温度例えば８３０℃で処理
が可能であるため、ヒータ機構３４を常時作動しておく
ことができるので昇温・降温工程が不要となり、作業時
間の短縮化が図れる。

尚、洗浄工程（４１０）は必ずしも成膜処理毎に行う必
要はなく、反応容器内が反応生成物により汚染された場
合にのみ洗浄工程（４１０）を行ってもよい。

このように上述実施例の半導体処理装置および処理方法
によれば、処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ発
生機構４３を反応容器３１外部に設け、また反応容器３
１内に多数の半導体ウェハ３５を収容してこれを反応容
器３１外部のヒータ機構３４により加熱する構成とした
ので、プラズマ粒子による半導体ウェハの損傷を防止で
き、また多数の半導体ウェハを一度に均熱する仁とがで
きるので均一なプラズマ処理が可能となる。

尚、上述実施例では被処理物として半導体ウェハを用い
た例について説明したがこれ以外のもの例えばＬＣＤ基
板等の他の半導体デバイスの処理にも好適可能である。

ところで、本発明は上述した実施例のように反応容器が
縦型のプラズマ処理装置に限定されるものではなく、反
応容器が横型のプラズマ処理装置にも適用可能である。

第５図はこのような横型の反応容器を有するプラズマ処
理装置に本発明を適用した実施例を示す図である。尚、
第１図と同一部分には同一符号を付して重複する部分の
説明を省略する。

断熱性部材例えば石英からなる円筒状の反応容ｒＡ６１
がほぼ水平に配設されており、この反応容器６１内には
多数の被処理物例えば半導体ウェハ６２を配列したウェ
ハボート６３が収容されている。反応容器６１の一方端
には反応ガス導入口６４および処理ガス導入口６５が設
けられ、他方端には真空機構５３に接続された排気口６
６が設けられている。また反応容器６１外周にはヒータ
機構６７および図示を省略した断熱部材が周設されてい
る。

このような構成の横型炉によるプラズマ処理例えばＳ　
ｉ　３　Ｎ　４成膜処理も前述第１の実施例と同様に、
プラズマ発生機構４３によりプラズマ化した成膜用処理
ガス例えばＮ２ガス４８と、反応ガス例えば５ｉｎ４ガ
ス５４を反応容器６１内に導入してＳ　ｉ　、　Ｎ、成
膜処理を行う。

また、Ｐｏ１ｙ−８１膜を形成する場合には、エツチン
グ用処理ガス例えばＣＦ４＋０２またはＮＦ３ガス４９
をプラズマ発生機構４３によりプラズマ化して該エツチ
ングガスにより半導体ウェハ群６２の表面クリーニング
処理を行い、その後反応ガス例えばＳｉＨ４ガス５４を
導入してＰｏ　Ｉ　ｙ−８ｌ膜を形成する。

さらに、半導体ウェハを搬出した後、プラズマ化したエ
ツチング用処理ガス例えばＣＦ４　＋０２またはＮＦ、
ガス４９により反応容器６１内の洗浄を行うこともでき
る。

このように本発明はＣＶＤ、プラズマＣＶＤ。

プラズマエツチング、反応容器内の洗浄等の処理を同様
な構成の処理装置で連続的に行え、しかもプラズマ粒子
による半導体ウェハの損傷を防止し、また多数の半導体
ウェハを一度に均熱することにより均一な処理が可能と
なる。即ち、本発明装置および本発明方法によれば、製
造歩留りの向上、作業時間の短縮、均一処理が可能とな
り、生産性の向上に大きく貢献することができる。

［発明の効果コ以上説明したように本発明の処理装置および処理方法に
よれば、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、プラズマエツチング
、反応容器内の洗浄等の処理を同様な構成の処理装置で
連続的に行え、しかもプラズマ粒子による半導体ウェハ
の損傷を防止することができる。また多数の半導体ウェ
ハを一度に均熱することにより均一な処理ができ、製造
歩留りの向上、作業時間の短縮、均一処理が可能となり
、生産性の向上に大きく貢献することができる。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は本発明を８１３　Ｎ４成膜装置に適用した実施
例の構成を示す図、第２図は第１図によるＳ　ｉ　３　
Ｎ４成膜方法を説明するための図、第３図は第１図によ
るウェハクリーニング処理工程およびＰｏ　ｌ　ｙ−８
Ｉ成膜工程を連続的に行う方法を説明するための図、第
４図１よ第１図による反応容器内の洗浄方法を説明する
ための図、ｍ５図は本発明の他の実施例の構成を示す図
、第６図は従来のプラズマ処理装置の構成を示す図、第
７図は従来の活性化ガス輸送方式のプラズマ処理装置の
構成を示す図である。３１・・・・・・反応容器、３４・・・・・・ヒータ機
構、３５・・・・・・半導体ウェハ、４１・・・・・・
処理ガス吐出管、４２・・・・・・反応ガス吐出管、４
３・・・・・・プラズマ発生機構、４４・・・・・・プ
ラズマ発生容器、４５・・・・・・マイクロ波導波管、
４６・・・・・・マイクロ波出力部、４７・・・・・・
処理ガス源、４８・・・・・・成膜用処理ガス源、４９
・・・・・・エツチングガス用処理ガス源、５０．５１
・・・・・・切替え弁、５２・・・・・・プラズマ輸送
管、５４・・・・・・反応ガス源、５５・・・・・・反
応ガス供給弁。出願人　　　　　東京エレクトロン株式会社同　　　　
　　チル相模株式会社代理人　弁理士　須　山　佐　− （ほか１名）篤２図第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）反応容器内に被処理物を多数収容し、この反応容
器内に収容された前記被処理物群に処理ガスおよび反応
ガスを用いて所定の処理を施す処理装置において、前記反応容器外部に配設され前記処理ガスをプラズマ化
する処理ガスプラズマ化機構と、この処理ガスプラズマ化機構で生成された処理ガスプラ
ズマを前記反応容器内へ導くプラズマ輸送管を備えたこ
とを特徴とする処理装置。
（２）上記処理ガスプラズマ化機構によりプラズマ化し
た処理ガスと反応ガスとにより前記被処理物を成膜する
ことを特徴とする処理方法。
（３）上記処理ガスプラズマ化機構によりエッチングガ
スをプラズマ化した後、このプラズマ化したエッチング
ガスにより前記被処理物群をエッチングすることを特徴
とする処理方法。
（４）上記処理ガスプラズマ化機構によりエッチングガ
スをプラズマ化し、このプラズマ化したエッチングガス
により前記反応容器内をエッチング洗浄することを特徴
とする処理方法。
（５）上記処理ガスプラズマ化機構によりプラズマ化さ
れたエッチングガスにより前記被処理物の表面をクリー
ニングした後、前記反応容器内に反応ガスを導入して前
記クリーニング処理された被処理物群に成膜することを
特徴とする処理方法。