JPS63193526A - 複合プロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造などに使用するプロセス装置
に係り、特に被処理基板のクリーニングやドライエツチ
ング並びに膜形成の為のプロセス装置に関する。

〔発明の背景〕

半導体装置の高密度化が進展するに従いプロセス数の増
加、製造装置のコストアップ等が重要な問題となってい
る。いっぽう素子の微細化と共に現在の半導体製造プロ
セスに於て重要な地位を占めているプラズマエツチング
やプラズマ気相成長法などのプラズマプロセスについて
は、荷電粒子に起因する損傷の問題がクローズアップさ
れている。このようなプラズマプロセスを改良して低損
傷のプロセス技術を開発する試みが多くなされている０
例えばドライエツチングの分野では放電室分離型ケミカ
ルドライエツチングの方法があり、特許公告公報昭５１
−１３７３７５号（第１の公知例）などで明らかにされ
ている。

一方このような放電室分離型プロセス装置を膜形成反応
に利用する方法も公知となっている。例えば特許公告公
報昭５８−２７６５６号（第２の公知例）では窒素のア
フターグロー中にモノシランガスを導入して荷電粒子の
存在しない状況下で５ｉｓＮ４膜を形成する装置が示さ
れている。同公報ではモノシランガスと反応する活性種
が何であるかは明示されではいないが、ライト及びウィ
ンクラ−（Ａ。

Ｎ、　Ｗｒｉｇｈｔ、　Ｃ，Ａ、　Ｗｉｎｋｌｅｒ）共
著による“アクティブ・ナイトロジエン″アカデミツク
プレス。

１９６８年度版（“Ａｃｔｉｖｅ　Ｎｉｔｒｏｇｅｎ”
　ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ、　１９６８　）によれ
ば約６．２ｅＶの励起エネルギーを持ち長時間励起状態
（寿命は２．１秒）に留まっている準安定励起窒素分子
Ｎ２喧Ａ８Σ１）＋）であると予測される。

一方このような準安定励起種とハロゲン元素を含有する
反応ガスとが反応すれば該反応ガスは活性化し、その結
果基板がエツチングされることも公知となっている（第
３の公知例：特開昭６１−２２６２３号）。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら公知化されたプロセス装置は膜形成用及び
ドライエツチング用とそれぞれ独立したものであり、半
導体集積回路を作成するプロセスに於ては両装置を揃え
る必要があった。その結果、設備投資費が加算すると共
にクリーンルーム内で占有する床面積も広範囲に亘るも
のとなっていた。

又近年半導体の微細化が進展するに従い、以前には問題
とならなかったことが、素子特性を決定する重要因子と
なってきている。−例は上にのべたプラズマプロセスを
利用する際生じる荷電粒子による損傷の問題である。ま
た別の例としては、シリコン集積回路を例にとれば、集
積回路の製造段階に於てシリコン基板上に存在する自然
酸化膜が、ＡＱ−８ｉの接融抵抗の増大をもたらし、又
不純物（ボロン）拡散時の濃度及び深さの制御性に影響
するなど新たな問題が提起されている。このような問題
を解決する為には、荷電粒子の存在しない状態でエツチ
ングや膜形成を行うと共にある特定のプロセス（例えば
エツチング工程）が終了して、次のプロセス（例えば窒
化膜形成子程）に移向する場合、大気に晒すことなく、
したがってクリーンなシリコン表面に自然酸化膜を形成
することなく連続的に搬送処理することが必要とされて
いる。

本発明の目的は上記の問題点を解決し、低損傷のドライ
エツチングまたはクリーニングのプロセスと低損傷の膜
形成プロセスとを一台の装置で実施できる複合化した装
置を提供することにある。

つまり、両機能を複合化することにより装置コストを低
減すると共に、装置をコンパクト化してクリーンルーム
内で占有する床面積の削減を図ることを目的としている
。

本発明の別の目的は、ドライエツチングもしくはクリー
ニングプロセス後に被処理基板を大気に晒すことなく、
したがって基板表面に自然酸化膜を形成させることなく
膜形成が行える複合プロセス装置を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、準安定励起種の脱励起反応を利用したド
ライエツチングもしくはクリーニング装置と同反応を利
用した膜形成装置とを一体化することにより達成される
。また別の手段として上記の目的は、公知の技術である
放電室分離型のケミカルドライエツチング装置と同放電
手段を共有させた準安定励起種の脱励起反応を利用する
膜形成装置とを一体化することにより達成される。

〔作用〕

マイクロ波放電などで生成した準安定励起種（例えば窒
素の準安定励起分子；　Ｎｚ拳［ＡδΣＵ＋］）は長寿
命を有することから、放電部から離れた反応室に移動し
た時点に於ても励起状態に留っている。

その結果、第３の公知例のように別の導入口から反応室
に導かれたハロゲン元素を含有する反応ガス（例えばＣ
ｚＣＱ　ａＦｚ）と反応すれば該反応ガスは活性化し反
応室内に設置された基板をエツチングもしくはクリーニ
ングする。所定の時間エツチングもしくはクリーニング
を行なった後該反応ガスの供給を停出し、続いて所望の
膜形成の為の反応ガス（例えばモノシランガス）を導入
すれば、第２の公知例のように準安定励起種は膜形成の
為の反応ガスと反応し基板上に膜が形成される。このよ
うにすれば単一のマイクロ波放電装置でエツチングと膜
形成が行なわれる。

また前記第１の公知例のようにマイクロ波放電は放電分
離型のケミカルドライエツチングのラジカル発生手段と
して利用できる。この方法で彼処環基板面をエツチング
もしくはクリーニングした後同放電装置を利用して第２
の公知例のように被処理基板面に膜形成を行えば、単一
のマイクロ波放電装置でエツチングと膜形成が行なわれ
る。その結果（１）マイクロ波放電装置を共有できるこ
とから装置のコンパクト化と低価格化を実現できる。ま
た（２）被処理基板はエツチングの過程及び膜形成の過
程共に放電部から離れた位置に設置されていることから
、荷電粒子の影響を受けることがない。さらに（３）エ
ツチングプロセスと膜形成プロセスとの間に被処理基板
を大気に晒すことが無い為、エツチング後の被処理基板
面に自然酸化膜を形成することなく膜形成のプロセスを
実施できる。

〔実施例〕

以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。図に
於て１は反応室、２は被処理基板、３は準安定励起種発
生の為のガス貯蔵部であり、目的に応じて窒素、酸素、
希ガスなどのガスを貯蔵する。ガス貯蔵部３から出たガ
ス、例えば窒素は弁４を経てマイクロ波放電部（準安定
励起種発生部）５に於て準安定励起窒素分子Ｎ２傘［Ａ
’ΣＬＩ＋］に変換される。本実施例に於て６はマイク
ロ波電源を示す。マイクロ波放電により生成した邸安定
励起窒素分子Ｎｚ中［Ａ３ΣＬＩ＋］は長寿命を有する
鶏骨７を経て反応室１に導入された時点に於ても励起状
態に留まっている。一方８はエツチングを行なう為の第
１の反応ガスを貯蔵するガス貯蔵部であり。

Ｓ　ＦＢＩ　ＣＦ’４１　ＣＣ２１ＣＦ２ＣＱ２．　Ｃ
２Ｃ０，＋Ｆｚなどハロゲン元素を含有したガスを充填
している。ガス貯蔵部８からリークした第１の反応ガス
は弁９更には管１０を経て反応室１に流入し、上記のよ
うに管７から反応室１に流入した僧安定励起窒素分子と
反応する。その結果第１の反応ガスは活性化し、被処理
基板２の表面をクリーニングもしくはエツチングする。

所定の時間が経過してクリーニングもしくはエツチング
の工程が終了した段階で弁９を閉じ、第１の反応ガスの
送気を停止する。

次に成膜の工程に移る場合は、弁１２を開はガス貯蔵部
１１から第２の反応ガスを反応室１に送気する。例えば
被処理基板２上にシリコン窒化膜を形成する場合は、準
安定励起種として前述の準安定励起窒素分子Ｆｉｌｅ　
（ＡδΣＢ＋）が適しており、従ってガス貯蔵部３から
は引き続き窒素ガスを流出させるとよい、またガス貯蔵
部１１からは第２の反応ガスとして、シラン、ジシラン
、トリシランなどのシラン系ガスを送気するとよい。ま
たシリコン酸化膜及びアモルファスシリコン膜を形成す
る場合は、第２の反応ガスとしてシラン系ガスを送気す
ると共に準安定励起種発生の為のガスとして酸素及びア
ルゴンやキセノンなどの希ガスをそれぞれ利用すればよ
い。

第２の反応ガスとしては、その他目的に応じてジメチル
アルミニウム、トリメチルアルミニウム。

ジメチルカドミウム、トリメチルカドミウムなどの有機
金属化合物、更には金属カルボニル化合物を用いること
ができる。上記のエツチング及び膜形成のプロセスを実
施中反応室１は常に排気されている。１３はその為の排
気管、１４は排気装置である。

第２図は本発明の第２の実施例を示す装置の概略構成図
であり、準安定励起種を生成する為のガスの貯蔵部を２
箇所（３及び３′）設けたことを特徴としている。以下
の説明ではガス貯蔵部３には窒素を、同３′には酸素を
貯蔵して実施したプロセスについてのべる。

本実施例に於ては被処理装置２にはシリコンを設置し、
第１の反応ガス貯蔵部８にはＣ２ＣＱ　４Ｆ２を、第２
の反応ガス貯蔵部１１にはモノシランガスを貯蔵した。

まずシリコン基板の自然酸化膜除去乃至はシリコン基板
のエツチングを行なう場合、ガス貯蔵部３からは窒素を
リークさせ、マイクロ波放電部（準安定励起種発生部）
５を経由して反応室１に導くと共に第１の反応ガス貯蔵
部８からＣｚＣＱ　ａＦ２をリークさせ同様に反応室１
に導く。所定の時間エツチングしたのち、弁４及び弁９
を閉じて両ガスの送気を停止する。続いて弁４′を開い
て酸素をマイクロ波放電部５を経由して反応室に導くと
共に弁１２を開いてモノシランガスを反心室に導入する
。その結果被処理基板２には５ｉ（ｈ膜が形成される。

このように準安定励起種発生の為のガスを二種類準備し
両者をエツチング用と膜形成用に使い分けることができ
る。もしエツチング後の被処理基板上にシリコン窒化膜
を形成する場合は、エツチング後も継続して窒素の準安
定励起種を反応室１に導けば良く、準安定励起種発生の
為のガス貯蔵部は３のみで十分である。またエツチング
後の被処理基板上にアモルファスシリコン膜を形成する
場合は、酸素に代わってアルゴンやキセノンなどの希ガ
スを準安定励起種発生用に使えば良い。

尚本実施例ではエツチングの工程で使用する準安定励起
種発生の為のガスに窒素を用いているが、希ガスを利用
してもよい。使用するガスはエツチング速度、エツチン
グ後の被処理基板の界面特性等を考慮して選択すれば良
い。

第３図は本発明の第３実施例であり、前記の第１の公知
例と第２の公知例とを一体化した複合プロセス装置であ
る。各装置構成を示す番号は第１図及び第２図の実施例
と対応している。８はハロゲン元素を含有する第１の反
応ガスの貯蔵部であり、　ＣＦ４＋Ｏｚ、　Ｎ　Ｆａ＋
　ＣＱｘ、　ＣＦｚＣＱ、ｚ、ＣｚＣＱ４Ｆｚなどを目
的に応じて充填する。貯蔵部８から流出した第１の反応
ガスは弁９を経た後マイクロ波放電部５で活性化される
。活性化した第１の反応ガスは管７から反応室１に流入
し、被処理基板２をエツチングする＠６はマイクロ波電
源である。被処理基板２のエツチングが終了後弁９を閉
じ第１の反応ガスの供給を停止すると共に弁４を開き準
安定励起種発生の為のガス（窒素、酸素、希ガスなど）
の貯蔵部３から該ガスをリークさせる。例えば貯蔵部３
に窒素を充填すると、同ガスは弁４を経たのちマイクロ
波放電部５で準安定励起窒素分子Ｎ２＊［：ＡδΣｕ＋
］に変換され反応室１に送り込まれる。一方ガス貯蔵部
１１から例えばモノシランガスを送気すると基板２上に
はシリコン窒化膜が形成される。第３図の実施例では、
マイクロ波放電部５は、第１の反応ガスの活性化並びに
準安定励起種の発生の為の放電部として併用されている
が、別の形態として電源６を共有し、マイクロ波放電部
は独立させても良い。その場合、放電部が２箇所となる
為に、ガス通路となる管内壁が異種のガスプラズマに晒
されることがなく汚染の低減に有効である。

第４図は本発明の第４の実施例であり、被処理基板のク
リーニング又はエツチングを行う第１の反応室と該被処
理基板上に膜形成を行う第２の反応室とを分離したこと
を特徴としている。本実施例は第３図の実施例と同様、
前記第１の公知例と第２の公知例とを一体化した複合プ
ロセス装置である。図に於て１は第１の反応室、１′は
第２の反応室であり両室は隔壁１５で仕切られている。

まず第１の反応室１内の被処理基板２に対してエツチン
グもしくはクリーニングを行う場合、第１の反応ガスの
貯蔵部８から流出したガスは弁９を経てマイクロ波放電
部５で活性化され、管７から第１の反応室１に流入して
被処理基板２をエツチングもしくはクリーニングする。

所定のエツチングもしくはクリーニングの工程が終了す
ると弁９を閉じ第１の反応ガスの供給を停止する。つぎ
に隔壁１５が開き、被処理基板２は第１の反応室１から
第２の反応室１′に搬送されて２′となる。

続いて隔壁１５は閉じられ、被処理基板２′上に膜形成
が行われる。膜形成は第１の実施例と同様のプロセスで
行われる。つまりガス貯蔵部３からリークし弁４を経て
マイクロ波放電部５′で準安定励起種に変換されたガス
（窒素、酸素、希ガスなど）を管７′から第２の反応室
１′に導くと共にガス貯蔵部１１から膜形成の為の第２
の反応ガス（シラン系ガス、有機金属化合物、金属カル
ボニル化合物など）をリークさせ、弁１２．管１０を経
て第２の反応室１′に導くことにより行われる。第４図
に於て６はマイクロ波電源であり、この電源６はマイク
ロ波放電部５及び５′に接続され、第１の反応ガスの活
性化並びに準安定励起種の発生の目的に併用されている
。図の１３及び１３′は排気管、１４及び１４′は排気
装置である。

第５図は本発明の第５実施例であり、第４図の実施例と
同様クリーニング又はエツチングを行う第１の反応室と
膜形成を行う第２の反応室とを分離している。第４図の
実施例と異る点は、エツチングに関与するラジカルを発
生する手段として準安定励起種の脱励起反応を利用した
ことにある。

したがって本実施例は前記の公知例２及び３を一体化し
た複合プロセス装置の改良型といえる。各装置構成を示
す番号は第４図までの実施例に対応している。まず第１
の反応室１内の被処理基板２に対してエツチング（もし
くはクリーニング）を行なう場合、準安定励起種発生の
為のガス貯蔵部３からリークしたガス（例えば窒素）は
弁４を経たのち準安定励起種発生部（マイクロ波放電部
）５を通過する際準安定励起種に変換され、続いて弁１
６、ＩＦ７を起て第１の反応室１に入る。一方ハロゲン
元素を含有する第１の反応ガス（例えばＣ２Ｃｌ２ａＦ
ｚ）は該ガス貯蔵部８からリークし、弁９更には管１０
を経て第１の反応室１に入る。第１の反応室１に流入し
た両ガスは反応し、その結果被処理基板２をエツチング
（もしくはクリーニング）する。第１の反応室１でエツ
チング（もしくはクリーニング）が行なわれている間は
、第２の反応室１′に通ずる隔８１１５’は閉じられ、
準安定励起種が第２の反応室１′に流入することは無い
。所定の時間エツチングが行なわれると弁９及び弁７は
閉じ、第１の反応ガス及び準安定励起種が第１の反応室
１に流入しなくなる。それと同時に隔壁１５が開き、基
板２は第１の反応室１から第２の反応室１′に搬送され
て基板２′となる。

搬送操作が完了すると隔壁１５が閉じられ、今度はマイ
クロ波放電部（準安定励起種発生部）５で生成した準安
定励起種は弁１６′、更には管７′を経由して、又膜形
成の為の第２の反応ガスはガス貯蔵部１１よりリークし
弁１２、更には管１０′を経皮して第２の反応室１′に
流入する。その結果、第２の反応室１′内に設置された
被処理基板２′上に膜形成が行われる。第４図及び第５
図の実施例ではエツチングを行なう第１の反応室１と膜
形成を行なう第２の反応室１′とが隔壁１５を介して分
離されている為、ハロゲン元素を含有する第１の反応ガ
スが第２の反応室１′に、又膜形成の為の第２の反応ガ
スが第１の反応室１にそれぞれ流入することが無く、両
室の汚染を低減するのに有効である。尚第５図の実施例
では、準安定励起種発生の為のガス貯蔵部は１箇所３の
み示されているが、第２図の実施例で示したように、複
数のガス貯蔵部を設けて、エツチングに使用するガス種
と膜形成に使用するガス種とを使い分ける構成であって
もよい。

第６図は本発明の第６実施例を示す装置の概略構成図で
あり、第５図に示した第１の反応室１と第２の反応室１
′との間に真空排気の機能を備えた予備室１７を設置し
たことを特徴としている。

又、図ではマイクロ波放電部（準安定励起種発生部）を
２箇所（５及び５．マイクロ波電源６は共有）設けてい
る。また準安定励起種を発生させる為のガス貯蔵部は第
２図の実施例と同様２箇所（３，３’　）設置されてい
る。前記の実施例と同様第１の反応室１では被処理基板
２に対してエツチング（もしくはクリーニング）が行な
われた後隔壁１８が開かれ、基板２は予備室１７に搬送
されて基板２０となる。続いて隔壁１８は基板の搬送後
閉じられる。基板２が予備室１７に搬送されると、第１
の反応室１には新しい基板が搬送されて来る。そして該
基板に対してエツチング（もしくはクリーニング）のプ
ロセスが実施される。この操作の過程で第１の反応室１
がら予備室１７に流入したガス（準安定励起種発生の為
のガス及びハロゲン元素を含有する第１の反応ガス）は
、隔Ｍ、１９が閉じていることから第２の反応室１′に
流入することは無い。また予備室１７は排気装置２２で
連続的に排気されていることから、流入した前記ガスは
短時間の後に管２１を経て排気除去される。予備室１７
が所定の真空度に達した後隔壁１９は開かれて基板２０
は第２の反応室１′に搬送され基板２′となる。第２の
反応室１′では。

第５図までの実施例でのべたように基板２′に膜を形成
する為のプロセスが実施される。隔壁１９が開かれた際
第２の反応室１′から予備室１７に流入するガスは、前
記のように排気装置２２の働らきによって管２１を経て
排気除去され、予備室１７は短時間のうちに所定の真空
度に到達する。

第６図に示した実施例によれば、第１の反応室１でエツ
チング（もしくはクリーニング）の処理を行ないながら
第２の反応室で膜形成のプロセスを実施でき、プロセス
の効率を高めることができる。

第６図の実施例では準安定励起種発生の為のガスの貯蔵
部が２箇所（３及び３′）示されているが両者には目的
に応じて同一のガス種（例えば窒素）を貯蔵してもよい
し、又異種のガス（例えば３には窒素、３′にはアルゴ
ン）を貯蔵しても良い。

また、第６図の実施例では、マイクロ波放電部（準安定
励起種発生部）を２箇所（５及び５′）示しているが、
第５図の実施例で示したように、マイクロ波放電部（準
安定励起種発生部）を１箇所のみとし、該発生部で生成
した準安定励起種の流路を２分割して、一方を第１の反
応室１に、他方を第２の反応室１′に流入してもよい。

第７図は本発明の第７実施例を示す装置の概略構成図で
あり、第６図の実施例と同様クリーニング又はエツチン
グを行う第１の反応室１と膜形成を行う第２の反応室１
′との間に真空排気可能な予備室１７を設けている。第
６図の実施例と異る点は、エツチングに関与するラジカ
ルを放電部５で直接生成したのち反応室１に導入するこ
とにある。したがって本実施例は前記の公知例１及び２
を一体化した複合プロセス装置の改良型といえる。

本実施例で８から流出した第１の反応ガスをマイクロ波
放電部５で活性化したのち反応室１の導いて被処理基板
２をクリーニングもしくはエツチングする事以外は第６
図の実施例と同じであり、被処理基板２の搬送等のプロ
セスについては説明を省略する。

尚すべでの実施例に於ける準安定励起種の発生手段とし
て、又第３図、第４図及び第７図の実施例に於ける第１
の反応ガスの活性化手段としてマイクロ波放電を用いた
例を引用したが、高周波放電であっても良い。

尚本発明を用いてｎ　−Ｉ　ｎ　Ｐ基板表面の自然酸化
膜をエツチング（ＣＦ２ＯＱ　２を第１の反応ガスとし
て使用）後Ｓｉ３Ｎ＋絶縁膜を作成（準安定励起種発生
用ガスとして窒素を、第２の反応ガスとしてモノシラン
ガスを使用）シ、最後にアルミニウム電極を蒸着してＭ
ＩＳダイオードを作製したところ、従来法（エツチング
の工程と窒化膜形成を別々の装置で行った場合）と比較
して容量−電圧特性におけるヒステリシス幅に改善が見
られると共に界面準位密度が３Ｘ１０”ロー２のデバイ
スが得られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば単一の装置で被処理基板のエツチング（
もしくはクリーニング）と該基板上への膜（窒化膜、酸
化膜、金属膜など）形成プロセスを実施できる。その結
実装置コストが低下すると共に装置全体をコンパクトに
できることから半導体製造の為のクリーンルーム内にお
ける装置占有面積を削減できるという長所がある。

またエツチング（もしくはクリーニング）と膜形成のプ
ロセスが共に放電部から離れた所で進行する為荷電粒子
による被処理基板の損傷の問題はほとんど生じないとい
う長所も備わっている。

さらに、エツチング（もしくはクリーニング）工程が終
了後被処理基板を大気に晒すことがなく連続して膜形成
の為のプロセスを実施できることから、従来法では問題
となっていた自然酸化膜の形成を抑えて半導体デバイス
の作成が可能になるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示す装置の概略構成図、
第２図は本発明の第２実施例を示す装置の概略構成図、
第３図は本発明の第３実施例を示す装置の概略構成図、
第４図は本発明の第４実施例を示す装置の概略構成図、
第５図は本発明の第５実施例を示す装置の概略構成図、
第６図は本発明の第６実施例を示す装置の概略構成図、
第７図は本発明の第７実施例を示す装置の概略構成図で
ある。 １．１′・・・反応室、２．２’　、２０・・・被処理
基板、３．３′・・・準安定励起種発生の為のガスの貯
蔵部、５．５′・・・マイクロ波放電部、６・・・マイ
クロ波電源、７．７’　、１０．１０’　、１３．１３
’　。 ２１・・・管、８・・・第１の反応ガスの貯蔵部、１１
・・・第２の反応ガスの貯蔵部、１４．１４’　、２２
・・・排気装置、１５，１８．１９・・・隔壁、１７・
・・予備室。 〆τ゛＼、 代理人　弁理士　小川勝男乙　“ ゝ・。 第　ｌ　口 第　４　［］ 鴇　６　凹

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記（Ａ）又は（Ｂ）のドライエッチング装置と（
   Ｃ）の膜形成装置とを備えた複合プロセス装置。 （Ａ）準安定励起種を発生させる放電手段と該準安定励
   起種を被処理基板の設置した反応室に導入する手段と前
   記準安定励起種の脱励起反応により前記被処理基板のエ
   ッチング又はクリーニング反応を誘起する為のハロゲン
   元素を含有する第１の反応ガスを前記反応室に導入する
   手段とを備えたドライエッチング装置。 （Ｂ）ハロゲン元素を含有する第１の反応ガスを活性化
   する放電手段と活性化した第１の反応ガスを被処理基板
   の設置した反応室に導入する手段とを備えたドライエッ
   チング装置。 （Ｃ）準安定励起種を発生させる放電手段と該準安定励
   起種を被処理基板を設置した反応室に導入する手段と該
   準安定励起種の脱励起反応により該被処理基板上に膜形
   成反応を誘起する為の第２の反応ガスを導入する手段と
   を備えた膜形成装置。 ２、前記エッチング反応を誘起する為の第１の反応ガス
   を導入する反応室を第１の反応室とし、前記膜形成反応
   を誘起するための第２の反応ガスを導入する反応室を第
   ２の反応室とし、両者を分離したことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の複合プロセス装置。 ３、前記放電手段としてマイクロ波放電もしくは高周波
   放電を利用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   あるいは第２項記載の複合プロセス装置。 ４、前記準安定励起種発生の為のガスとして窒素、酸素
   、希ガスを利用することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項から第３項までのいずれか１項に記載の複合プロセ
   ス装置。 ５、前記第２の反応ガスとしてモノシラン、ジシラン、
   トリシランなどのシラン系ガスを使用することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１
   つの項に記載の複合プロセス装置。 ６、前記第２の反応ガスとしてジメチルアルミニウム、
   トリメチルアルミニウム、ジメチルカドミウム、トリメ
   チルカドミウムなどの有機金属化合物を使用することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項までのいず
   れか１つの項に記載の複合プロセス装置。 ７、前記第２の反応ガスとして金属カルボニル化合物を
   使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
   ４項までのいずれか１つの項に記載の複合プロセス装置
   。 ８、前記（Ａ）又は（Ｂ）の装置により前記被処理基板
   のクリーニング又はエッチングを実施したのち前記（Ｃ
   ）の装置により膜形成を行なう工程を設けたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれか
   １つの項に記載の複合プロセス装置。 ９、前記（Ａ）のエッチング（もしくはクリーニング）
   の工程と前記（Ｃ）の膜形成の工程とに使用する準安定
   励起種発生の為のガスが同一であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項から第９項までのいずれか１つの項
   に記載の複合プロセス装置。 １０、前記準安定励起種発生の為のガスを複数種準備し
   、前記（Ａ）のエッチング（もしくはクリーニング）の
   工程と前記（Ｃ）の膜形成の工程とにそれぞれ異つたガ
   スを使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項か
   ら第９項までのいずれか１つの項に記載の複合プロセス
   装置。 １１、前記（Ａ）又は（Ｂ）で使用する放電手段と前記
   （Ｃ）で使用する放電手段とに於て、少くとも装置の一
   部を併用していることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項から第１０項までのいずれか１つの項に記載の複合プ
   ロセス装置。 １２、前記（Ａ）又は（Ｂ）の放電部と（Ｃ）の放電部
   とが同一であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   から第１１項までのいずれか１つの項に記載の複合プロ
   セス装置。 １３、前記（Ａ）又は（Ｂ）の放電部とは別に（Ｃ）の
   放電部を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   から第１１項までのいずれか１つの項に記載の複合プロ
   セス装置。 １４、前記第１の反応室と第２の反応室の間に真空排気
   可能な予備室を設け、前記第１の反応室と前記予備室、
   さらに前記予備室と前記第２の反応室間に開閉可能な隔
   壁を設置し、該隔壁の開閉により被処理基板を前記第１
   の反応室から前記予備室へ、また前記予備室から前記第
   ２の反応室への搬送を可能にしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項から第１３項までのいずれか１つの項
   に記載の複合プロセス装置。