JP3263132B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造技術に
係わり、特にハロゲン元素を含むガスを用いた工程を経
ることにより、半導体や金属表面に残留したハロゲンを
除去する表面処理技術に関する。
係わり、特にハロゲン元素を含むガスを用いた工程を経
ることにより、半導体や金属表面に残留したハロゲンを
除去する表面処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造において、ＳｉやＡｌな
どの半導体，金属表面の自然酸化膜が問題になってい
る。例えば、自然酸化膜が形成された半導体，金属上に
膜を堆積すると、得られる膜は自然酸化膜を除去して形
成した膜に比べて膜質が劣り、また膜と下地との接触抵
抗が大きくなるなどの問題を生じる。半導体，金属と絶
縁物の間で選択的に薄膜を堆積させる選択ＣＶＤなどの
選択プロセスにおいても、絶縁物である自然酸化膜が半
導体，金属表面に形成されていると選択性が低下する。
そこで、自然酸化膜を除去する方法が種々検討されてい
るが、自然酸化膜を除去しても大気に晒されると再形成
されるため、真空中、あるいは不活性ガス雰囲気中で、
ドライエッチングにより除去する試みが成されている。
その多くは、ハロゲン元素を含む活性種を用いるもので
ある。例えば、Ｓｉの自然酸化膜であれば、ＣＦ4 や
ＳＦ6などのフッ素元素を含むガスのプラズマエッチン
グやダウンフローエッチング，ＨＦガスやＨＦを含む固
体や液体（ＮＨ4Ｆ，ＨＳＯ3Ｆなど；ガスの凝縮により
生成）を用いたエッチングなどが提案されている。しか
し、このようなハロゲン元素を含む活性種を用いて自然
酸化膜を除去すると、自然酸化膜除去後の表面が活性で
あるため、表面にハロゲンが残留してしまう。すなわ
ち、半導体，金属表面に半導体，金属のハロゲン化物層
が形成され、このハロゲン化物層もまた自然酸化膜同
様、堆積膜の膜質の劣化や電気抵抗の増大，選択プロセ
スの選択性の低下等を引き起こす。
どの半導体，金属表面の自然酸化膜が問題になってい
る。例えば、自然酸化膜が形成された半導体，金属上に
膜を堆積すると、得られる膜は自然酸化膜を除去して形
成した膜に比べて膜質が劣り、また膜と下地との接触抵
抗が大きくなるなどの問題を生じる。半導体，金属と絶
縁物の間で選択的に薄膜を堆積させる選択ＣＶＤなどの
選択プロセスにおいても、絶縁物である自然酸化膜が半
導体，金属表面に形成されていると選択性が低下する。
そこで、自然酸化膜を除去する方法が種々検討されてい
るが、自然酸化膜を除去しても大気に晒されると再形成
されるため、真空中、あるいは不活性ガス雰囲気中で、
ドライエッチングにより除去する試みが成されている。
その多くは、ハロゲン元素を含む活性種を用いるもので
ある。例えば、Ｓｉの自然酸化膜であれば、ＣＦ4 や
ＳＦ6などのフッ素元素を含むガスのプラズマエッチン
グやダウンフローエッチング，ＨＦガスやＨＦを含む固
体や液体（ＮＨ4Ｆ，ＨＳＯ3Ｆなど；ガスの凝縮により
生成）を用いたエッチングなどが提案されている。しか
し、このようなハロゲン元素を含む活性種を用いて自然
酸化膜を除去すると、自然酸化膜除去後の表面が活性で
あるため、表面にハロゲンが残留してしまう。すなわ
ち、半導体，金属表面に半導体，金属のハロゲン化物層
が形成され、このハロゲン化物層もまた自然酸化膜同
様、堆積膜の膜質の劣化や電気抵抗の増大，選択プロセ
スの選択性の低下等を引き起こす。
【０００３】さらにハロゲンは、ハロゲンガスを用いた
処理を内部で行う反応容器の器壁や、ハロゲンガスを扱
うバルブなどの真空部品、配管などの金属表面にも残留
するが、このハロゲンは、水分と反応して酸を生成し、
金属表面を溶かしてリークの原因となる。
処理を内部で行う反応容器の器壁や、ハロゲンガスを扱
うバルブなどの真空部品、配管などの金属表面にも残留
するが、このハロゲンは、水分と反応して酸を生成し、
金属表面を溶かしてリークの原因となる。
【０００４】このような残留ハロゲンは、加熱したり、
光や荷電粒子を照射したり、加熱されたガスを接触させ
ることで、ある程度は除去することができる。しかしこ
のような処理を行うと試料温度が上がってしまう。Ａｌ
合金などの、融点の低い金属を配線に用いている試料で
は、金属の温度が上がり過ぎ、２５０℃以上になると、
ヒロックが発生し、配線の信頼性が低下するため、あま
り温度を高くすることはできない。
光や荷電粒子を照射したり、加熱されたガスを接触させ
ることで、ある程度は除去することができる。しかしこ
のような処理を行うと試料温度が上がってしまう。Ａｌ
合金などの、融点の低い金属を配線に用いている試料で
は、金属の温度が上がり過ぎ、２５０℃以上になると、
ヒロックが発生し、配線の信頼性が低下するため、あま
り温度を高くすることはできない。
【０００５】さらに、試料温度が上がると、試料表面の
残留ハロゲンが活性化され、試料内部への拡散が促進さ
れるため、ハロゲン除去が難かしくなるという問題も生
じる。
残留ハロゲンが活性化され、試料内部への拡散が促進さ
れるため、ハロゲン除去が難かしくなるという問題も生
じる。
【０００６】また、上記処理以外にも、処理中に試料温
度があまり上昇しない方法として、還元性ガスを接触さ
せたり、電子状態が準安定状態にある分子を含む電気的
に中性なガスを接触させるなどの処理方法があり、これ
らの方法を用いることにより、ある程度残留ハロゲンを
除去することができる。
度があまり上昇しない方法として、還元性ガスを接触さ
せたり、電子状態が準安定状態にある分子を含む電気的
に中性なガスを接触させるなどの処理方法があり、これ
らの方法を用いることにより、ある程度残留ハロゲンを
除去することができる。
【０００７】しかし、このような方法のみで残留ハロゲ
ンを完全に除去することは難かしく、僅かでもハロゲン
が残留してしまい、選択ＣＶＤなどの成膜を行う場合に
は、この僅かな残留ハロゲンのため選択性の低下，膜質
の劣化，膜はがれ等の問題が生じる。
ンを完全に除去することは難かしく、僅かでもハロゲン
が残留してしまい、選択ＣＶＤなどの成膜を行う場合に
は、この僅かな残留ハロゲンのため選択性の低下，膜質
の劣化，膜はがれ等の問題が生じる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、ハロゲン
ガスを用いて処理すると、半導体や金属表面にハロゲン
が残留するが、このハロゲンは水分と反応してＨＦ，Ｈ
Ｃｌ水溶液等の酸を生成し、金属配線を断線させたり、
反応容器や真空部品，配管などを腐食して、リークを生
じさせたり、その上に形成する膜の膜質を劣化させた
り、接触抵抗を増大させるなどの問題を生じる。試料を
加熱するなどの処理により、ある程度はハロゲンを除去
することができるが、試料の温度が上昇しすぎると、ヒ
ロック等が生じ、またハロゲンの活性化による試料内部
への拡散等の問題が生じる。また、従来用いられてき
た、試料の温度上昇があまり問題とならない還元性ガス
接触等の方法では、完全にハロゲンを除去することが難
かしかった。
ガスを用いて処理すると、半導体や金属表面にハロゲン
が残留するが、このハロゲンは水分と反応してＨＦ，Ｈ
Ｃｌ水溶液等の酸を生成し、金属配線を断線させたり、
反応容器や真空部品，配管などを腐食して、リークを生
じさせたり、その上に形成する膜の膜質を劣化させた
り、接触抵抗を増大させるなどの問題を生じる。試料を
加熱するなどの処理により、ある程度はハロゲンを除去
することができるが、試料の温度が上昇しすぎると、ヒ
ロック等が生じ、またハロゲンの活性化による試料内部
への拡散等の問題が生じる。また、従来用いられてき
た、試料の温度上昇があまり問題とならない還元性ガス
接触等の方法では、完全にハロゲンを除去することが難
かしかった。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、試料の温度を一定温度
以下に保持しながら半導体や金属表面に残留したハロゲ
ンを完全に除去する表面処理方法を提供することにあ
る。
あり、その目的とするところは、試料の温度を一定温度
以下に保持しながら半導体や金属表面に残留したハロゲ
ンを完全に除去する表面処理方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、 被処理基板にハロゲン元素を含むガスを
用いる処理を行う工程と、前記被処理体の表面を大気に
晒すことなく、且つ前記被処理体の内部を冷却しなが
ら、前記被処理基板表面にエネルギービームを照射する
か、或いは活性化されたガスを接触させる工程と、前記
被処理基板の表面を大気に晒すことなく、前記被処理基
板表面の構成原子と結合して揮発性の化合物を形成する
原子又は分子を含む電気的に中性な非ハロゲンガスを前
記被処理基板表面に接触させる工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
に本発明は、 被処理基板にハロゲン元素を含むガスを
用いる処理を行う工程と、前記被処理体の表面を大気に
晒すことなく、且つ前記被処理体の内部を冷却しなが
ら、前記被処理基板表面にエネルギービームを照射する
か、或いは活性化されたガスを接触させる工程と、前記
被処理基板の表面を大気に晒すことなく、前記被処理基
板表面の構成原子と結合して揮発性の化合物を形成する
原子又は分子を含む電気的に中性な非ハロゲンガスを前
記被処理基板表面に接触させる工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
【００１１】
【００１２】
【作用】本発明によれば、被処理体へのエネルギービー
ムの照射，活性化されたガスの接触を、例えば間欠的
に、あるいは被処理体を裏面側から冷却しながら行うこ
とで、被処理体内部の温度をあまり上げることなく表面
のみ温度を上げたり活性化することができ、表面に残留
したハロゲンを効率よく除去できる。ここでエネルギー
ビームとは、光等の電磁波や荷電粒子のビーム等を意味
するものである。また、活性化されたガスは、加熱した
希ガスまたは還元性ガス等である。また、本発明によれ
ば、まず、上述した処理により残留ハロゲンの大部分を
除去し、さらに被処理体表面の構成原子と結合して揮発
性の化合物を形成する、原子あるいは分子を含む電気的
に中性な非ハロゲンガスを接触させることで、僅かに残
ったハロゲン共々、表面の構成原子をエッチングし、残
留ハロゲンを完全に除去することができる。このように
して残留ハロゲンを除去することにより、金属配線の腐
食を抑制したり、熱酸化膜や結晶の膜質を向上させた
り、高選択ＣＶＤ，高選択エッチングの選択性を上げた
り、接触抵抗の低い膜形成などが可能となる。また、ハ
ロゲンガスを用いる真空部品や配管などの腐食を抑制す
ることができる。
ムの照射，活性化されたガスの接触を、例えば間欠的
に、あるいは被処理体を裏面側から冷却しながら行うこ
とで、被処理体内部の温度をあまり上げることなく表面
のみ温度を上げたり活性化することができ、表面に残留
したハロゲンを効率よく除去できる。ここでエネルギー
ビームとは、光等の電磁波や荷電粒子のビーム等を意味
するものである。また、活性化されたガスは、加熱した
希ガスまたは還元性ガス等である。また、本発明によれ
ば、まず、上述した処理により残留ハロゲンの大部分を
除去し、さらに被処理体表面の構成原子と結合して揮発
性の化合物を形成する、原子あるいは分子を含む電気的
に中性な非ハロゲンガスを接触させることで、僅かに残
ったハロゲン共々、表面の構成原子をエッチングし、残
留ハロゲンを完全に除去することができる。このように
して残留ハロゲンを除去することにより、金属配線の腐
食を抑制したり、熱酸化膜や結晶の膜質を向上させた
り、高選択ＣＶＤ，高選択エッチングの選択性を上げた
り、接触抵抗の低い膜形成などが可能となる。また、ハ
ロゲンガスを用いる真空部品や配管などの腐食を抑制す
ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 （第１の参考例）
に説明する。 （第１の参考例）
【００１４】図１は、第１の参考例で用いる装置の概略
図である。反応容器１１内には、試料１２が載置される
試料台１３と、電極１４が収納されている。図示してい
ないが、試料台１３の表面には、静電気を用いて、試料
を試料台１３に密着させる機構を備えており、試料台１
３の内部に冷媒１５を循環させることにより、試料を室
温以下に保つことができる。また、ガス導入口１６から
ガスを導入しながら、電極１４に周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加することで、反応容器内にプラズ
マを発生させることができる。また、ガス導入口１６´
の先端には、パルス的に開閉するノズル１８、他端には
ヒータ（図示せず）が巻かれた螺旋状のガス加熱管１９
が接続されており、ガス加熱管１９を通る間に加熱され
たガスを、ノズル１８から間欠的に試料１２に照射する
ことができる。また、１７はガス排気口であり、反応容
器１１内は１０-8Ｔｏｒｒ台まで真空排気される。次
に、図１に示した装置を用いた、Ａｌ合金のエッチング
工程を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
図である。反応容器１１内には、試料１２が載置される
試料台１３と、電極１４が収納されている。図示してい
ないが、試料台１３の表面には、静電気を用いて、試料
を試料台１３に密着させる機構を備えており、試料台１
３の内部に冷媒１５を循環させることにより、試料を室
温以下に保つことができる。また、ガス導入口１６から
ガスを導入しながら、電極１４に周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加することで、反応容器内にプラズ
マを発生させることができる。また、ガス導入口１６´
の先端には、パルス的に開閉するノズル１８、他端には
ヒータ（図示せず）が巻かれた螺旋状のガス加熱管１９
が接続されており、ガス加熱管１９を通る間に加熱され
たガスを、ノズル１８から間欠的に試料１２に照射する
ことができる。また、１７はガス排気口であり、反応容
器１１内は１０-8Ｔｏｒｒ台まで真空排気される。次
に、図１に示した装置を用いた、Ａｌ合金のエッチング
工程を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００１５】まず図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板２
１上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜２２、
厚さ８０００オングストロームのＡｌ合金薄膜２３を順
次形成した後、レジスト２４を１μｍの厚さに塗布し、
露光，現像を行い、パターニングした。
１上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜２２、
厚さ８０００オングストロームのＡｌ合金薄膜２３を順
次形成した後、レジスト２４を１μｍの厚さに塗布し、
露光，現像を行い、パターニングした。
【００１６】この試料を図１に示した反応容器１１の試
料台１３上に載置し、静電気を用いて密着させた後、内
部を真空排気した。次にガス導入口１６からＢＣｌ3
ガス５０ｓｃｃｍ，Ｃｌ2 ガス１００ｓｃｃｍを導入
し、反応容器１１内を０．１Ｔｏｒｒに保つと共に電極
１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 混合ガスのプラズマを発生させた。
図２（ｂ）に示すように、約５分間のプラズマエッチン
グ処理によりＡｌ合金薄膜２３は完全にエッチングされ
た。しかしこのエッチングにより、レジスト２４やＡｌ
合金薄膜２３の側壁表面には、高活性のＣｌ原子が残留
し、ＣｌやＡｌＣｌx を含む層２５が形成された。
料台１３上に載置し、静電気を用いて密着させた後、内
部を真空排気した。次にガス導入口１６からＢＣｌ3
ガス５０ｓｃｃｍ，Ｃｌ2 ガス１００ｓｃｃｍを導入
し、反応容器１１内を０．１Ｔｏｒｒに保つと共に電極
１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 混合ガスのプラズマを発生させた。
図２（ｂ）に示すように、約５分間のプラズマエッチン
グ処理によりＡｌ合金薄膜２３は完全にエッチングされ
た。しかしこのエッチングにより、レジスト２４やＡｌ
合金薄膜２３の側壁表面には、高活性のＣｌ原子が残留
し、ＣｌやＡｌＣｌx を含む層２５が形成された。
【００１７】次に、反応容器１１内部を真空排気した
後、ヒータを用いて管壁を４００℃に加熱したガス加熱
管１９を通すことで約３００℃に加熱されたＡｒガス
を、ガス導入口１６´より１０秒間に一度、一秒間試料
に照射した。このとき、試料台１３の内部に冷媒を循環
させ、また、静電気を用いて試料１２を試料台１３に密
着させたため、ガスと接触する、Ａｌ合金薄膜２３の最
表面の温度は２５０℃程度に上昇したが、内部の温度は
２００℃程度に保たれ、レジストの変形や変質は生じな
かった。この処理を２分間行うことで、図２（ｃ）に示
すように、ＣｌやＡｌＣｌx を含む層２５は十分除去
された。Ａｌ配線のヒロックは約２２０℃で生じるが、
上記冷却処理を行なったため、試料１２内部の温度は２
００℃程度に保たれ、ヒロックは生じなかった。
後、ヒータを用いて管壁を４００℃に加熱したガス加熱
管１９を通すことで約３００℃に加熱されたＡｒガス
を、ガス導入口１６´より１０秒間に一度、一秒間試料
に照射した。このとき、試料台１３の内部に冷媒を循環
させ、また、静電気を用いて試料１２を試料台１３に密
着させたため、ガスと接触する、Ａｌ合金薄膜２３の最
表面の温度は２５０℃程度に上昇したが、内部の温度は
２００℃程度に保たれ、レジストの変形や変質は生じな
かった。この処理を２分間行うことで、図２（ｃ）に示
すように、ＣｌやＡｌＣｌx を含む層２５は十分除去
された。Ａｌ配線のヒロックは約２２０℃で生じるが、
上記冷却処理を行なったため、試料１２内部の温度は２
００℃程度に保たれ、ヒロックは生じなかった。
【００１８】上述した処理を施した試料は、大気に晒し
ても、全く腐食が生じなかった。これに対して処理を施
さなかった試料は、９０％の配線が腐食により断線し
た。このように、半導体素子製造の歩留まりを向上させ
ることができた。なお、上記参考例ではヒータによりガ
スを加熱したが、光照射や放電などにより加熱しても良
い。（第２の参考例）
ても、全く腐食が生じなかった。これに対して処理を施
さなかった試料は、９０％の配線が腐食により断線し
た。このように、半導体素子製造の歩留まりを向上させ
ることができた。なお、上記参考例ではヒータによりガ
スを加熱したが、光照射や放電などにより加熱しても良
い。（第２の参考例）
【００１９】図３は、第２の参考例で用いる装置の概略
図である。本装置は、プラズマを用いて酸化膜をエッチ
ングするエッチング室３１０と、そのエッチングによ
り、試料表面に残留したハロゲンを除去する後処理室３
２０から構成されており、試料３１１は、ゲートバルブ
３３０を介して、表面が大気にさらされることなく、エ
ッチング室３１０と後処理室３２０の間を搬送できる。
処理室３１０内で、試料３１１は試料台３１３上に載置
され、ガス導入口３１５からガスを導入しながら電極３
１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する
ことでプラズマを発生させることができる。エッチング
室３１０内部のガスは、ガス排気口３１２から排気され
る。他方、後処理室３２０は、試料台３２１，ガス排気
口３２２を備えている。図示していないが、試料台３２
１の表面には、試料３１１を機械的に密着させる手段が
備えられており、試料台内部に冷媒３２３を循環させる
ことで、試料３１１内部を室温以下に保つことができ
る。また、３２４は窓であり、この部分から試料台３２
１上に載置された試料３１１表面に光を照射することが
できる。次に、図３に示した装置を用いたヴィアホール
の開孔工程について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説
明する。
図である。本装置は、プラズマを用いて酸化膜をエッチ
ングするエッチング室３１０と、そのエッチングによ
り、試料表面に残留したハロゲンを除去する後処理室３
２０から構成されており、試料３１１は、ゲートバルブ
３３０を介して、表面が大気にさらされることなく、エ
ッチング室３１０と後処理室３２０の間を搬送できる。
処理室３１０内で、試料３１１は試料台３１３上に載置
され、ガス導入口３１５からガスを導入しながら電極３
１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する
ことでプラズマを発生させることができる。エッチング
室３１０内部のガスは、ガス排気口３１２から排気され
る。他方、後処理室３２０は、試料台３２１，ガス排気
口３２２を備えている。図示していないが、試料台３２
１の表面には、試料３１１を機械的に密着させる手段が
備えられており、試料台内部に冷媒３２３を循環させる
ことで、試料３１１内部を室温以下に保つことができ
る。また、３２４は窓であり、この部分から試料台３２
１上に載置された試料３１１表面に光を照射することが
できる。次に、図３に示した装置を用いたヴィアホール
の開孔工程について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説
明する。
【００２０】まず、図４（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
４１上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜４
２、厚さ４０００オングストロームのＡｌ合金薄膜４３
を順次形成した後、Ａｌ合金薄膜４３を実施例１と同様
の方法でパターニングし、さらにその上に厚さ８０００
オングストロームのＢＰＳＧ酸化膜４４をＣＶＤ法によ
り堆積した後、レジスト４５を１μｍの厚さに塗布し、
露光，現像を行い、パターニングした。
４１上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜４
２、厚さ４０００オングストロームのＡｌ合金薄膜４３
を順次形成した後、Ａｌ合金薄膜４３を実施例１と同様
の方法でパターニングし、さらにその上に厚さ８０００
オングストロームのＢＰＳＧ酸化膜４４をＣＶＤ法によ
り堆積した後、レジスト４５を１μｍの厚さに塗布し、
露光，現像を行い、パターニングした。
【００２１】次にこの試料３１１をエッチング室３１０
の試料台３１３上に載置した後、内部を真空排気し、つ
いでガス導入口３１５からＣＦ4とＨ2の混合ガス（ＣＦ
4＝５０ｓｃｃｍ，Ｈ2＝１００ｓｃｃｍ）を導入してエ
ッチング室内部を１０-2Ｔｏｒｒに保った。この状態
で、電極３１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
（電力２００Ｗ）を印加し、５分間保持したところ、図
４（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ酸化膜４４は完全にエ
ッチングされ、ヴィアホール４６が形成された。しかし
この時、ヴィアホール４６底のＡｌ合金薄膜４３の表面
やレジスト４５，ＢＰＳＧ酸化膜４４の側壁には、Ｆや
ＡｌＦxを含む層４７が形成されていた。
の試料台３１３上に載置した後、内部を真空排気し、つ
いでガス導入口３１５からＣＦ4とＨ2の混合ガス（ＣＦ
4＝５０ｓｃｃｍ，Ｈ2＝１００ｓｃｃｍ）を導入してエ
ッチング室内部を１０-2Ｔｏｒｒに保った。この状態
で、電極３１４に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
（電力２００Ｗ）を印加し、５分間保持したところ、図
４（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ酸化膜４４は完全にエ
ッチングされ、ヴィアホール４６が形成された。しかし
この時、ヴィアホール４６底のＡｌ合金薄膜４３の表面
やレジスト４５，ＢＰＳＧ酸化膜４４の側壁には、Ｆや
ＡｌＦxを含む層４７が形成されていた。
【００２２】次にこの試料３１１を、表面を大気に晒す
こと無く、ゲートバルブ３３０を介してエッチング室３
１０から、あらかじめ内部を真空排気した、後処理室３
２０に搬送し、試料台３２１上に載置した。さらに試料
台３２１の内部に冷媒３２３を流しながら試料３１１を
機械的に試料台３２１に密着させることにより試料裏面
を２５℃以下に保ちながら、窓３２４から、パルス状の
赤外線ランプの光（パワー１ＫＷ／ｃｍ2，パルス幅１
０ｍｓｅｃ）を照射したところ、図４（ｃ）に示すよう
に、ＦやＡｌＦxを含む層４７は、ヴィアホール４６底
のＡｌ合金薄膜４３の表面では完全に除去された。レジ
スト４５，ＢＰＳＧ酸化膜４４の側壁にも下地からの反
射光が当たるため、ＦやＡｌＦx を含む層４７の多く
は除去された。このとき、裏面から試料を冷却してお
り、また光照射が短時間であったため、Ａｌ合金内部の
温度はあまり上がらず、ヒロックは発生しなかった。
こと無く、ゲートバルブ３３０を介してエッチング室３
１０から、あらかじめ内部を真空排気した、後処理室３
２０に搬送し、試料台３２１上に載置した。さらに試料
台３２１の内部に冷媒３２３を流しながら試料３１１を
機械的に試料台３２１に密着させることにより試料裏面
を２５℃以下に保ちながら、窓３２４から、パルス状の
赤外線ランプの光（パワー１ＫＷ／ｃｍ2，パルス幅１
０ｍｓｅｃ）を照射したところ、図４（ｃ）に示すよう
に、ＦやＡｌＦxを含む層４７は、ヴィアホール４６底
のＡｌ合金薄膜４３の表面では完全に除去された。レジ
スト４５，ＢＰＳＧ酸化膜４４の側壁にも下地からの反
射光が当たるため、ＦやＡｌＦx を含む層４７の多く
は除去された。このとき、裏面から試料を冷却してお
り、また光照射が短時間であったため、Ａｌ合金内部の
温度はあまり上がらず、ヒロックは発生しなかった。
【００２３】上述した処理を施した試料では、大気に晒
しても全くＡｌ配線に腐食を生じず、また、ヴィアホー
ルに配線金属を埋め込んだ後、ヴィア抵抗を測定したと
ころ、９５％が約２０ｍΩと非常に低い値を示した。こ
れに対して、処理しなかったものは、大気に晒している
間に約３割が腐食を用じ、また、腐食しなかったもの
も、配線金属を埋め込んでヴィア抵抗を測定したとこ
ろ、ヴィア抵抗が非常にばらつき、約２割が１ＭΩ以上
の高い値を示した。この様に、本発明を用いて残留Ｆや
ＡｌＦxを除去することで、半導体素子製造の歩留まり
が上がると共に、素子の特性も向上した。（第３の参考例）
しても全くＡｌ配線に腐食を生じず、また、ヴィアホー
ルに配線金属を埋め込んだ後、ヴィア抵抗を測定したと
ころ、９５％が約２０ｍΩと非常に低い値を示した。こ
れに対して、処理しなかったものは、大気に晒している
間に約３割が腐食を用じ、また、腐食しなかったもの
も、配線金属を埋め込んでヴィア抵抗を測定したとこ
ろ、ヴィア抵抗が非常にばらつき、約２割が１ＭΩ以上
の高い値を示した。この様に、本発明を用いて残留Ｆや
ＡｌＦxを除去することで、半導体素子製造の歩留まり
が上がると共に、素子の特性も向上した。（第３の参考例）
【００２４】図５は、第３参考例、第４参考例、第1実
施例、第２実施例で用いる装置の概略図である。本装置
は、ハロゲンガスを用いて、半導体や金属の異方性エッ
チング加工や、表面の自然酸化膜の除去処理を行う前処
理室５１０と、その自然酸化膜除去処理により、表面に
残留するハロゲンを除去する後処理室５２０と、薄膜堆
積，酸化，不純物拡散，単結晶成長等のプロセスを行う
プロセス室５３０から構成されており、試料５１１は、
ゲートバルブ５４０，５５０を介して、表面が大気にさ
らされることなく、前処理室５１０と後処理室５２０，
プロセス室５３０の間を搬送できる。前処理室５１０内
では、ガス導入口５１５からガスを導入しながら電極５
１７に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する
ことでプラズマが生成し、試料台５１３上に載置された
試料５１１にエッチング処理を施すことができる。前処
理室５１０内に導入されたガスは、ガス排気口５１６か
ら排気される。他方、後処理室５２０は、ガス導入口５
２１（ａ），５２１（ｂ），ガス排気口５２２，窓５２
３，内部に冷媒５２８を循環させることで、静電気によ
り密着された試料を室温以下に保持できる試料台５２４
を備えている。また、ガス導入口５２１（ａ）の他端
は、ＢＮ製の放電管５２５が接続され、ガス導入口５２
１（ａ）´からガスを導入しながら、導波管５２６を介
してマイクロ波電源５２７から周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を放電管５２５に印加することで、放電管５
２５内にプラズマを発生させることができる。このプラ
ズマにより生じた活性種は後処理室５２０に輸送され、
試料５１１と反応する。もう一つのガス導入口５１２
（ｂ）の先端は、加熱可能なパルスノズルになってお
り、後処理室内部を真空排気しながらガスをパルスノズ
ルから噴出することで、断熱膨脹により超音速分子線を
形成し、この超音速分子線を試料に照射したり、あるい
は、ヒータを巻いた螺旋状のガス加熱管（図示せず）を
接続することで、ガス加熱管を通る間に加熱されたガス
を、パルスノズルから間欠的に試料に照射することがで
きる。他方、プロセス室５３０は、ガス導入口５３１，
ガス排気口５３２と、試料を１０００℃まで加熱するこ
とができる試料台５３３を備えており、酸素や不純物ガ
ス，堆積ガスなどをガス導入口５３１から導入すること
により、酸化，不純物拡散，薄膜堆積，単結晶成長等の
プロセスを行うことができる。次に、図５に示した装置
を用いたコンタクトホールの埋め込み工程について、図
６（ａ）〜（ｆ）の工程図を参照しながら説明する。
施例、第２実施例で用いる装置の概略図である。本装置
は、ハロゲンガスを用いて、半導体や金属の異方性エッ
チング加工や、表面の自然酸化膜の除去処理を行う前処
理室５１０と、その自然酸化膜除去処理により、表面に
残留するハロゲンを除去する後処理室５２０と、薄膜堆
積，酸化，不純物拡散，単結晶成長等のプロセスを行う
プロセス室５３０から構成されており、試料５１１は、
ゲートバルブ５４０，５５０を介して、表面が大気にさ
らされることなく、前処理室５１０と後処理室５２０，
プロセス室５３０の間を搬送できる。前処理室５１０内
では、ガス導入口５１５からガスを導入しながら電極５
１７に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する
ことでプラズマが生成し、試料台５１３上に載置された
試料５１１にエッチング処理を施すことができる。前処
理室５１０内に導入されたガスは、ガス排気口５１６か
ら排気される。他方、後処理室５２０は、ガス導入口５
２１（ａ），５２１（ｂ），ガス排気口５２２，窓５２
３，内部に冷媒５２８を循環させることで、静電気によ
り密着された試料を室温以下に保持できる試料台５２４
を備えている。また、ガス導入口５２１（ａ）の他端
は、ＢＮ製の放電管５２５が接続され、ガス導入口５２
１（ａ）´からガスを導入しながら、導波管５２６を介
してマイクロ波電源５２７から周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を放電管５２５に印加することで、放電管５
２５内にプラズマを発生させることができる。このプラ
ズマにより生じた活性種は後処理室５２０に輸送され、
試料５１１と反応する。もう一つのガス導入口５１２
（ｂ）の先端は、加熱可能なパルスノズルになってお
り、後処理室内部を真空排気しながらガスをパルスノズ
ルから噴出することで、断熱膨脹により超音速分子線を
形成し、この超音速分子線を試料に照射したり、あるい
は、ヒータを巻いた螺旋状のガス加熱管（図示せず）を
接続することで、ガス加熱管を通る間に加熱されたガス
を、パルスノズルから間欠的に試料に照射することがで
きる。他方、プロセス室５３０は、ガス導入口５３１，
ガス排気口５３２と、試料を１０００℃まで加熱するこ
とができる試料台５３３を備えており、酸素や不純物ガ
ス，堆積ガスなどをガス導入口５３１から導入すること
により、酸化，不純物拡散，薄膜堆積，単結晶成長等の
プロセスを行うことができる。次に、図５に示した装置
を用いたコンタクトホールの埋め込み工程について、図
６（ａ）〜（ｆ）の工程図を参照しながら説明する。
【００２５】まず、ｐ型Ｓｉ基板６１上に厚さ６０００
オングストロームのＣＶＤ酸化膜６２を堆積した後、こ
のＣＶＤ酸化膜６２上にレジスト層を形成し、露光，現
像を行なってパターニングし、これをマスクにしてＣＨ
Ｆ3／Ｈ2ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＣ
ＶＤ酸化膜をエッチングしてコンタクトホール６３を形
成し、さらにＯ2 ガスを用いたプラズマアッシングに
よりレジスト層を除去する（図６（ａ））。次に図６
（ｂ）に示すように、ＰＯＣｌ3ガスを用いた不純物拡
散工程により、コンタクトホール６３の底に不純物拡散
層６４を形成する。
オングストロームのＣＶＤ酸化膜６２を堆積した後、こ
のＣＶＤ酸化膜６２上にレジスト層を形成し、露光，現
像を行なってパターニングし、これをマスクにしてＣＨ
Ｆ3／Ｈ2ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＣ
ＶＤ酸化膜をエッチングしてコンタクトホール６３を形
成し、さらにＯ2 ガスを用いたプラズマアッシングに
よりレジスト層を除去する（図６（ａ））。次に図６
（ｂ）に示すように、ＰＯＣｌ3ガスを用いた不純物拡
散工程により、コンタクトホール６３の底に不純物拡散
層６４を形成する。
【００２６】この試料を、図５に示した装置の試料台５
１３上に載置した後、前処理室５１０の内部を真空排気
した。この時、図６（ｂ）に示すように、コンタクトホ
ール底面のＳｉ基板表面には自然酸化膜６５が形成され
ていた。次にガス導入口５１５からＨＦガスを導入し、
前処理室５１０内を５０Ｔｏｒｒに保った。この処理に
より、自然酸化膜（ＳｉＯ2）６５は、ＳｉＦ4やＨ2Ｏ
として除去された。処理後のＳｉ表面は、図６（ｃ）に
示すようにＨやＦで覆われていた（層６６）。次に、前
処理室５１０内を真空排気した後、試料５１１をゲート
バルブ５４０を介して、あらかじめ内部を真空排気して
いた後処理室５２０の試料台５２４上に載置した。次に
冷媒５２８を試料台５２４の中に流しながら５１１を試
料台５２４に密着させることにより試料裏面を１００℃
以下に保ちながら、かつガス導入口５２１（ａ）からＨ
2ガスを流しながら、窓５２３から試料５１１にパルス
幅１００ｎｓｅｃ，パワー３０Ｗ／ｃｍ2，発振周波数
１０ＨｚのＣＯ2レーザ光を約１０分間照射した。この
処理によりコンタクトホール底のＳｉ表面は励起され、
図６（ｄ）に示すようにＦで汚染された層６６は除去さ
れ、Ｈのみで覆われた表面が得られた。このとき試料裏
面は冷却されていたため、Ｓｉ基板の温度は冷却処理を
行なわないと８００℃近くまで上昇するところ、試料表
面付近でも５００℃程度に保たれていた。不純物の再拡
散は８５０℃乃至９００℃で起こるので、上記の工程に
より不純物拡散層が再拡散することは無かった。
１３上に載置した後、前処理室５１０の内部を真空排気
した。この時、図６（ｂ）に示すように、コンタクトホ
ール底面のＳｉ基板表面には自然酸化膜６５が形成され
ていた。次にガス導入口５１５からＨＦガスを導入し、
前処理室５１０内を５０Ｔｏｒｒに保った。この処理に
より、自然酸化膜（ＳｉＯ2）６５は、ＳｉＦ4やＨ2Ｏ
として除去された。処理後のＳｉ表面は、図６（ｃ）に
示すようにＨやＦで覆われていた（層６６）。次に、前
処理室５１０内を真空排気した後、試料５１１をゲート
バルブ５４０を介して、あらかじめ内部を真空排気して
いた後処理室５２０の試料台５２４上に載置した。次に
冷媒５２８を試料台５２４の中に流しながら５１１を試
料台５２４に密着させることにより試料裏面を１００℃
以下に保ちながら、かつガス導入口５２１（ａ）からＨ
2ガスを流しながら、窓５２３から試料５１１にパルス
幅１００ｎｓｅｃ，パワー３０Ｗ／ｃｍ2，発振周波数
１０ＨｚのＣＯ2レーザ光を約１０分間照射した。この
処理によりコンタクトホール底のＳｉ表面は励起され、
図６（ｄ）に示すようにＦで汚染された層６６は除去さ
れ、Ｈのみで覆われた表面が得られた。このとき試料裏
面は冷却されていたため、Ｓｉ基板の温度は冷却処理を
行なわないと８００℃近くまで上昇するところ、試料表
面付近でも５００℃程度に保たれていた。不純物の再拡
散は８５０℃乃至９００℃で起こるので、上記の工程に
より不純物拡散層が再拡散することは無かった。
【００２７】次にこの試料５１１を、ゲートバルブ５５
０を介して、あらかじめ内部を真空排気していたプロセ
ス室５３０へ搬送し、試料台５３３上に載置した。つい
で試料５１１を６００℃に加熱しながら、ガス導入口５
３１からＳｉＨ2Ｃｌ2 とＨ2の混合ガスを導入し、厚
さ２０００オングストロームの多結晶Ｓｉ層６７を形成
し、さらに試料５１１を５００℃に保持したまま、ガス
導入口５３１からＰＯＣｌ3 ガスを導入し、多結晶Ｓ
ｉ層６７にＰを拡散した（図６（ｅ））。次に試料５１
１を一度装置から出し、Ｐの拡散工程により多結晶Ｓｉ
層６７の表面に形成された酸化膜をフッ酸を用いて除去
した後、再度図５に図示した装置に入れ、上述した方法
を再び適用して、多結晶Ｓｉ層６７表面に形成された自
然酸化膜をＨＦガスにより前処理室で、この処理により
多結晶Ｓｉ６７表面に残留したＦをＨ2ガス中の光照射
により後処理室で除去した。次にこの試料５１１をプロ
セス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置した後、
３５０℃に加熱し、ガス導入口５３１からＷＦ6ガス１
０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4ガス３０ｓｃｃｍを導入し、１０
分間保持して、厚さ４０００オングストロームのＷＳｉ
2膜６８を形成した（図６（ｆ））。このようにしてコ
ンタクトホールをＷポリサイドで埋め込んだ後、コンタ
クト抵抗を測定したところ、９０％が３５Ω以下と非常
に低い値を示した。これに対し、上述した、自然酸化膜
除去を行わなかったものは、２０％が１ＫΩ以上、自然
酸化膜をＨＦで除去してもＦを除去しなかったものは、
平均５０Ωと、高いコンタクト抵抗を示した。この様に
本発明を用いることで、接触抵抗の低い、コンタクトホ
ール埋め込みを行うことができた。（第１実施例） 次に、本発明の第１の実施例として、ヴィアホールの埋
め込み工程について、図７（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら説明する。
０を介して、あらかじめ内部を真空排気していたプロセ
ス室５３０へ搬送し、試料台５３３上に載置した。つい
で試料５１１を６００℃に加熱しながら、ガス導入口５
３１からＳｉＨ2Ｃｌ2 とＨ2の混合ガスを導入し、厚
さ２０００オングストロームの多結晶Ｓｉ層６７を形成
し、さらに試料５１１を５００℃に保持したまま、ガス
導入口５３１からＰＯＣｌ3 ガスを導入し、多結晶Ｓ
ｉ層６７にＰを拡散した（図６（ｅ））。次に試料５１
１を一度装置から出し、Ｐの拡散工程により多結晶Ｓｉ
層６７の表面に形成された酸化膜をフッ酸を用いて除去
した後、再度図５に図示した装置に入れ、上述した方法
を再び適用して、多結晶Ｓｉ層６７表面に形成された自
然酸化膜をＨＦガスにより前処理室で、この処理により
多結晶Ｓｉ６７表面に残留したＦをＨ2ガス中の光照射
により後処理室で除去した。次にこの試料５１１をプロ
セス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置した後、
３５０℃に加熱し、ガス導入口５３１からＷＦ6ガス１
０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4ガス３０ｓｃｃｍを導入し、１０
分間保持して、厚さ４０００オングストロームのＷＳｉ
2膜６８を形成した（図６（ｆ））。このようにしてコ
ンタクトホールをＷポリサイドで埋め込んだ後、コンタ
クト抵抗を測定したところ、９０％が３５Ω以下と非常
に低い値を示した。これに対し、上述した、自然酸化膜
除去を行わなかったものは、２０％が１ＫΩ以上、自然
酸化膜をＨＦで除去してもＦを除去しなかったものは、
平均５０Ωと、高いコンタクト抵抗を示した。この様に
本発明を用いることで、接触抵抗の低い、コンタクトホ
ール埋め込みを行うことができた。（第１実施例） 次に、本発明の第１の実施例として、ヴィアホールの埋
め込み工程について、図７（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら説明する。
【００２８】まず図７（ａ）に示すように、Ｓｉ基板７
１の上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜７２
を形成し、その上にスパッタ法により厚さ５０００オン
グストロームのＡｌ合金薄膜７３を堆積し，実施例１と
同様にパターニングした後、この上に厚さ９０００オン
グストロームのＢＰＳＧ酸化膜７４を堆積し、さらにＣ
ＨＦ3／Ｈ2ガスを用いてプラズマエッチングを行い、ヴ
ィアホール７５を開孔し、Ｏ2プラズマアッシングによ
りレジストを除去する。
１の上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜７２
を形成し、その上にスパッタ法により厚さ５０００オン
グストロームのＡｌ合金薄膜７３を堆積し，実施例１と
同様にパターニングした後、この上に厚さ９０００オン
グストロームのＢＰＳＧ酸化膜７４を堆積し、さらにＣ
ＨＦ3／Ｈ2ガスを用いてプラズマエッチングを行い、ヴ
ィアホール７５を開孔し、Ｏ2プラズマアッシングによ
りレジストを除去する。
【００２９】次にこの試料を、図５に示した前処理室５
１０内の試料台５１３上に載置し、前処理室５１０内部
を真空排気した。このとき、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜７３の表面には、自然酸化膜７６が形成されてい
た。次に、ガス導入口５１５からＢＣｌ3ガス３０ｓｃ
ｃｍを導入し、前処理室５１０の内部を０．０３Ｔｏｒ
ｒに保ったまま、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加し、ＢＣｌ3ガスのプラズマを発生
させてＡｌ合金薄膜７３表面の自然酸化膜７６を除去し
た。しかしこの処理により、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜７３の表面には、Ｃｌを含む層７７が形成された
（図７（ｂ））。
１０内の試料台５１３上に載置し、前処理室５１０内部
を真空排気した。このとき、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜７３の表面には、自然酸化膜７６が形成されてい
た。次に、ガス導入口５１５からＢＣｌ3ガス３０ｓｃ
ｃｍを導入し、前処理室５１０の内部を０．０３Ｔｏｒ
ｒに保ったまま、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を印加し、ＢＣｌ3ガスのプラズマを発生
させてＡｌ合金薄膜７３表面の自然酸化膜７６を除去し
た。しかしこの処理により、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜７３の表面には、Ｃｌを含む層７７が形成された
（図７（ｂ））。
【００３０】次に前処理室５１０内部を真空排気した
後、あらかじめ真空排気しておいた後処理室５２０にゲ
ートバルブ５４０を介して試料を搬送し、試料台５２４
上に載置した。ついで試料５１１を、内部に冷媒５２８
を循環させた試料台５２４上に静電気を用いて密着させ
た後、ガス導入口５２１（ｂ）から４００℃に加熱され
たＡｒガスを間欠的（１０秒間に一回，１秒間）に試料
５１１に照射した。この処理によりＡｌ合金薄膜７３の
表面は瞬間的に加熱され、Ｃｌを含む層７７はほとんど
除去された（図７（ｃ））。この処理の間、試料５１１
の裏面は内部に冷媒５２８を循環させた試料台５２４に
密着していたため、Ａｌ合金薄膜７３の内部の温度は冷
却処理を行なわないと３５０℃以上となるところ、３０
０℃程度に保たれ、ヴィアホールの底のＡｌが隆起する
ことはなかった。しかし、０．１モノレーヤ程度のＣｌ
はまだ残留していた。
後、あらかじめ真空排気しておいた後処理室５２０にゲ
ートバルブ５４０を介して試料を搬送し、試料台５２４
上に載置した。ついで試料５１１を、内部に冷媒５２８
を循環させた試料台５２４上に静電気を用いて密着させ
た後、ガス導入口５２１（ｂ）から４００℃に加熱され
たＡｒガスを間欠的（１０秒間に一回，１秒間）に試料
５１１に照射した。この処理によりＡｌ合金薄膜７３の
表面は瞬間的に加熱され、Ｃｌを含む層７７はほとんど
除去された（図７（ｃ））。この処理の間、試料５１１
の裏面は内部に冷媒５２８を循環させた試料台５２４に
密着していたため、Ａｌ合金薄膜７３の内部の温度は冷
却処理を行なわないと３５０℃以上となるところ、３０
０℃程度に保たれ、ヴィアホールの底のＡｌが隆起する
ことはなかった。しかし、０．１モノレーヤ程度のＣｌ
はまだ残留していた。
【００３１】次に、ガス導入口５２１（ａ）から、Ｈ2
／ＣＨ4 混合ガス（Ｈ2 ／ＣＨ4＝１０／１００ｓｃ
ｃｍ）を導入し、放電管５２５に電力２００Ｗの高周波
電力を印加した。この放電により生成したＨ，ＣＨxラ
ジカルは、試料まで到達し、ＣｌをＨＣｌやＣＨ3 Ｃ
ｌなどとして引き抜くだけでなく、表面付近のＡｌを、
ＡｌＨ3，Ａｌ2 Ｈ6 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3などとして
エッチングし、このとき、残留したＣｌと結合したＡ
ｌ、すなわちＡｌＣｌxもＡｌＨxＣｌy（ｘ＋ｙ＝
３），ＡｌＣｌx（ＣＨ3 ）y（ｘ＋ｙ＝３）などとし
てエッチングした。この処理により、残留塩素は完全に
除去された。
／ＣＨ4 混合ガス（Ｈ2 ／ＣＨ4＝１０／１００ｓｃ
ｃｍ）を導入し、放電管５２５に電力２００Ｗの高周波
電力を印加した。この放電により生成したＨ，ＣＨxラ
ジカルは、試料まで到達し、ＣｌをＨＣｌやＣＨ3 Ｃ
ｌなどとして引き抜くだけでなく、表面付近のＡｌを、
ＡｌＨ3，Ａｌ2 Ｈ6 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3などとして
エッチングし、このとき、残留したＣｌと結合したＡ
ｌ、すなわちＡｌＣｌxもＡｌＨxＣｌy（ｘ＋ｙ＝
３），ＡｌＣｌx（ＣＨ3 ）y（ｘ＋ｙ＝３）などとし
てエッチングした。この処理により、残留塩素は完全に
除去された。
【００３２】この試料を、ゲートバルブ５５０を介し
て、あらかじめ内部を真空排気したプロセス室５３０に
搬送し、試料台５３３に載置した後、試料５１１を２０
０℃に加熱し、この温度を保持したまま、ガス導入口５
３１からＷＦ6 ／ＳｉＨ4 （ＷＦ6 ＝１０ｓｃｃ
ｍ，ＳｉＨ4 ＝１０ｓｃｃｍ）を５分間導入したとこ
ろ、図７（ｄ）に示すように、Ｗ薄膜７８がヴィアホー
ル底部のＡｌ合金薄膜７３の表面のみに堆積し、ヴィア
ホールは完全に埋め込まれた。
て、あらかじめ内部を真空排気したプロセス室５３０に
搬送し、試料台５３３に載置した後、試料５１１を２０
０℃に加熱し、この温度を保持したまま、ガス導入口５
３１からＷＦ6 ／ＳｉＨ4 （ＷＦ6 ＝１０ｓｃｃ
ｍ，ＳｉＨ4 ＝１０ｓｃｃｍ）を５分間導入したとこ
ろ、図７（ｄ）に示すように、Ｗ薄膜７８がヴィアホー
ル底部のＡｌ合金薄膜７３の表面のみに堆積し、ヴィア
ホールは完全に埋め込まれた。
【００３３】このようにして埋め込んだヴィアホールの
抵抗は２０ｍΩ以下と非常に低かった。これに対してＣ
ｌ除去を行わなかったものは、ほとんどのヴィアホール
でＷが異常成長し、ホール内を完全に埋め込むことはで
きず、また埋め込まれたものも、ヴィア抵抗が１ＫΩ以
上と高かったり、腐食を生じるなどの問題が生じた。こ
のように本発明を用いることで、信頼性が高く、ヴィア
抵抗の低いヴィアホール埋め込みを行うことができた。
なお、上述した実施例では、僅かに残留したＣｌの除去
にＨやＣＨxを用いたが、ＢＨｘラジカルやアルコール
ガス（ＣxＨyＯＨ）などを用いても、ＡｌやＡｌＣｌx
と結合して揮発性の化合物をつくる（例えば、Ａｌ＋３
ＢＨ4→Ａｌ（ＢＨ4 ）3 ，ＡｌＣｌx＋yＢＨ4 →Ａ
ｌＣｌx（ＢＨ4 ）y（ｘ＋ｙ＝３），Ａｌ＋３ＣＨ3
ＯＨ→Ａｌ（ＣＨ3 Ｏ）3 ＋３／２Ｈ2 ，ＡｌＣｌ3
＋３ＣＨ3 ＯＨ→Ａｌ（ＣＨ3 Ｏ）3 ＋３ＨＣ
ｌ，ＡｌＣｌx＋ｙＣＨ3 ＯＨ→ＡｌＣｌx（ＣＨ3
Ｏ）y＋ｙ／２Ｈ2 （ｘ＋ｙ＝３））ため、上記実施例
と同様にＣｌを完全に除去することができる。また上記
実施例では、高温のＡｒガスを用いた処理を先に、Ｈ，
ＣＨxラジカルを用いた処理を後に行ってＡｌ表面の残
留Ｃｌを除去しているが、この順序を逆にするとＣｌは
完全には除去されない。これは、Ｈ，ＣＨxラジカルな
どの非ハロゲンガスを用いたエッチングは、ＢＣｌ3ガ
スを用いたＲＩＥ直後のように表面が多量のハロゲンで
覆われている場合には起きにくいためであり、高温のＡ
ｒガスを用いた処理などの、ハロゲンをある程度除去す
る処理を予め行うことにより、エッチングの効率が向上
し、完全に残留ハロゲンを除去することができる。ま
た、上述した非ハロゲンガスを用いたエッチングは、Ｈ
ラジカルなどの電気的に中性なガスを用いた方が良い。
ハロゲンガスのエッチングと異なり、エッチング生成物
の結合エネルギーが低いため、プラズマなどを用いると
エッチング生成物が容易に分解して下地のエッチングが
生じにくくなるためである。（第４の参考例） 次に、本発明の第４の参考例として、プランケットＷを
用いたヴィアホールの埋め込み工程について、図８
（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
抵抗は２０ｍΩ以下と非常に低かった。これに対してＣ
ｌ除去を行わなかったものは、ほとんどのヴィアホール
でＷが異常成長し、ホール内を完全に埋め込むことはで
きず、また埋め込まれたものも、ヴィア抵抗が１ＫΩ以
上と高かったり、腐食を生じるなどの問題が生じた。こ
のように本発明を用いることで、信頼性が高く、ヴィア
抵抗の低いヴィアホール埋め込みを行うことができた。
なお、上述した実施例では、僅かに残留したＣｌの除去
にＨやＣＨxを用いたが、ＢＨｘラジカルやアルコール
ガス（ＣxＨyＯＨ）などを用いても、ＡｌやＡｌＣｌx
と結合して揮発性の化合物をつくる（例えば、Ａｌ＋３
ＢＨ4→Ａｌ（ＢＨ4 ）3 ，ＡｌＣｌx＋yＢＨ4 →Ａ
ｌＣｌx（ＢＨ4 ）y（ｘ＋ｙ＝３），Ａｌ＋３ＣＨ3
ＯＨ→Ａｌ（ＣＨ3 Ｏ）3 ＋３／２Ｈ2 ，ＡｌＣｌ3
＋３ＣＨ3 ＯＨ→Ａｌ（ＣＨ3 Ｏ）3 ＋３ＨＣ
ｌ，ＡｌＣｌx＋ｙＣＨ3 ＯＨ→ＡｌＣｌx（ＣＨ3
Ｏ）y＋ｙ／２Ｈ2 （ｘ＋ｙ＝３））ため、上記実施例
と同様にＣｌを完全に除去することができる。また上記
実施例では、高温のＡｒガスを用いた処理を先に、Ｈ，
ＣＨxラジカルを用いた処理を後に行ってＡｌ表面の残
留Ｃｌを除去しているが、この順序を逆にするとＣｌは
完全には除去されない。これは、Ｈ，ＣＨxラジカルな
どの非ハロゲンガスを用いたエッチングは、ＢＣｌ3ガ
スを用いたＲＩＥ直後のように表面が多量のハロゲンで
覆われている場合には起きにくいためであり、高温のＡ
ｒガスを用いた処理などの、ハロゲンをある程度除去す
る処理を予め行うことにより、エッチングの効率が向上
し、完全に残留ハロゲンを除去することができる。ま
た、上述した非ハロゲンガスを用いたエッチングは、Ｈ
ラジカルなどの電気的に中性なガスを用いた方が良い。
ハロゲンガスのエッチングと異なり、エッチング生成物
の結合エネルギーが低いため、プラズマなどを用いると
エッチング生成物が容易に分解して下地のエッチングが
生じにくくなるためである。（第４の参考例） 次に、本発明の第４の参考例として、プランケットＷを
用いたヴィアホールの埋め込み工程について、図８
（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００３４】まず、図８（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
８１の上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜８
２を形成し、その上にスパッタ法により厚さ５０００オ
ングストロームのＡｌ合金薄膜８３を堆積し、第２参考
例と同様にパターニングした後、この上に厚さ８０００
オングストロームのＢＰＳＧ酸化膜８４をＣＶＤ法によ
り堆積し、さらにＣＨＦ3／Ｈ2 ガスを用いたプラズマ
エッチングを行いヴィアホール８５を開孔する。
８１の上に厚さ１０００オングストロームの熱酸化膜８
２を形成し、その上にスパッタ法により厚さ５０００オ
ングストロームのＡｌ合金薄膜８３を堆積し、第２参考
例と同様にパターニングした後、この上に厚さ８０００
オングストロームのＢＰＳＧ酸化膜８４をＣＶＤ法によ
り堆積し、さらにＣＨＦ3／Ｈ2 ガスを用いたプラズマ
エッチングを行いヴィアホール８５を開孔する。
【００３５】次にこの試料を、図５に示した前処理室５
１０内の試料台５１３上に載置し、前処理室５１０内部
を真空排気した。このとき、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜８３の表面には、自然酸化膜８６が形成されてい
た。次に、ガス導入口５１５からＢＣｌ3 ガス３０ｓ
ｃｃｍを導入し、前処理室５１０の内部を０．０３Ｔｏ
ｒｒに保ったまま、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加し、ＢＣｌ3 ガスのプラズマを
発生させてＡｌ合金薄膜８３表面の自然酸化膜８６を除
去した。しかしこの処理により、ヴィアホール底部のＡ
ｌ合金薄膜８３の表面には、Ｃｌを含む層８７が形成さ
れた（図８（ｂ））。
１０内の試料台５１３上に載置し、前処理室５１０内部
を真空排気した。このとき、ヴィアホール底部のＡｌ合
金薄膜８３の表面には、自然酸化膜８６が形成されてい
た。次に、ガス導入口５１５からＢＣｌ3 ガス３０ｓ
ｃｃｍを導入し、前処理室５１０の内部を０．０３Ｔｏ
ｒｒに保ったまま、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加し、ＢＣｌ3 ガスのプラズマを
発生させてＡｌ合金薄膜８３表面の自然酸化膜８６を除
去した。しかしこの処理により、ヴィアホール底部のＡ
ｌ合金薄膜８３の表面には、Ｃｌを含む層８７が形成さ
れた（図８（ｂ））。
【００３６】次に前処理室５１０内部を真空排気した
後、あらかじめ真空排気しておいた後処理室５２０にゲ
ートバルブ５４０を介して試料を搬送し、試料台５２４
上に載置した。ついで試料５１１を、内部に冷媒５２８
を循環させた試料台５２４に静電気を用いて密着させた
後、ガス導入口５２１（ｂ）から、２００℃に加熱され
たパルスノズルを介してＡｒガスをパルス的（１秒間に
１０回，パルス幅１０ｍｓｅｃ）に試料５１１に照射し
た。この時Ａｒ分子は、断熱膨脹により噴出方向の並進
速度が上昇し、数ｅＶの運動エネルギーをもって試料と
衝突する。このような、いわば試料と垂直方向のみが加
熱されたガスと接触することにより、Ａｌ合金薄膜８３
の表面は瞬間的に励起され、Ｃｌを含む層８７は除去さ
れた（図８（ｃ））。しかしこの処理の間、試料５１１
の裏面は内部に冷媒５２８を循環させた試料台５２４に
密着していたため、Ａｌ合金薄膜８３の内部の温度はほ
とんど上がらず、ヒロックなども生じなかった。
後、あらかじめ真空排気しておいた後処理室５２０にゲ
ートバルブ５４０を介して試料を搬送し、試料台５２４
上に載置した。ついで試料５１１を、内部に冷媒５２８
を循環させた試料台５２４に静電気を用いて密着させた
後、ガス導入口５２１（ｂ）から、２００℃に加熱され
たパルスノズルを介してＡｒガスをパルス的（１秒間に
１０回，パルス幅１０ｍｓｅｃ）に試料５１１に照射し
た。この時Ａｒ分子は、断熱膨脹により噴出方向の並進
速度が上昇し、数ｅＶの運動エネルギーをもって試料と
衝突する。このような、いわば試料と垂直方向のみが加
熱されたガスと接触することにより、Ａｌ合金薄膜８３
の表面は瞬間的に励起され、Ｃｌを含む層８７は除去さ
れた（図８（ｃ））。しかしこの処理の間、試料５１１
の裏面は内部に冷媒５２８を循環させた試料台５２４に
密着していたため、Ａｌ合金薄膜８３の内部の温度はほ
とんど上がらず、ヒロックなども生じなかった。
【００３７】この試料を、ゲートバルブ５５０を介し
て、あらかじめ内部を真空排気したプロセス室５３０に
搬送し、試料台５３３に載置した後、試料５１１を３０
０℃に加熱，保持したまま、ガス導入口５３１からＷＦ
6 ／ＳｉＨ4 ガス（ＷＦ6＝１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4＝
２０ｓｃｃｍ）を１分間導入したところ、図８（ｄ）に
示すように、Ｗ薄膜８８が試料全面に堆積され、ヴィア
ホール８５が埋め込まれた。
て、あらかじめ内部を真空排気したプロセス室５３０に
搬送し、試料台５３３に載置した後、試料５１１を３０
０℃に加熱，保持したまま、ガス導入口５３１からＷＦ
6 ／ＳｉＨ4 ガス（ＷＦ6＝１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4＝
２０ｓｃｃｍ）を１分間導入したところ、図８（ｄ）に
示すように、Ｗ薄膜８８が試料全面に堆積され、ヴィア
ホール８５が埋め込まれた。
【００３８】このようにして埋め込んだヴィアホール８
５の抵抗は２０ｍΩ以下と非常に低かったが、Ｃｌ除去
を行わなかったものは、ヴィア抵抗が１ＫΩ以上と高い
だけでなく、ヴィアホール底部でＷが異常成長したり、
腐食を生じるなどの問題が生じた。このように本発明を
用いることで、信頼性が高く、ヴィア抵抗の低いヴィア
ホール埋め込みを行うことができた。（第２の実施例）
５の抵抗は２０ｍΩ以下と非常に低かったが、Ｃｌ除去
を行わなかったものは、ヴィア抵抗が１ＫΩ以上と高い
だけでなく、ヴィアホール底部でＷが異常成長したり、
腐食を生じるなどの問題が生じた。このように本発明を
用いることで、信頼性が高く、ヴィア抵抗の低いヴィア
ホール埋め込みを行うことができた。（第２の実施例）
【００３９】次に本発明の第２の実施例として、図５に
示した装置を用いたコンタクトホールの埋め込み、およ
び配線形成工程いついて、図９（ａ）〜（ｆ）及び、図
１０（ａ）〜（ｄ）の工程図を参照しながら説明する。
示した装置を用いたコンタクトホールの埋め込み、およ
び配線形成工程いついて、図９（ａ）〜（ｆ）及び、図
１０（ａ）〜（ｄ）の工程図を参照しながら説明する。
【００４０】まず、ｐ型Ｓｉ基板９１上に厚さ６０００
オングストロームのＣＶＤ酸化膜９２を堆積した後、こ
のＣＶＤ酸化膜９２上に塗布したレジストを露光，現像
よりパターニングし、これをマスクにしてＣＨＦ3／Ｈ2
ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＣＶＤ酸
化膜９２をエッチングしてコンタクトホール９３を形成
し、さらにＯ2ガスを用いたプラズマアッシングにより
レジストを除去した後、ＰＯＣｌ3 ガスを用いた不純
物拡散工程により、コンタクトホール９３の底に不純物
拡散層９４を形成する（図９（ａ））。
オングストロームのＣＶＤ酸化膜９２を堆積した後、こ
のＣＶＤ酸化膜９２上に塗布したレジストを露光，現像
よりパターニングし、これをマスクにしてＣＨＦ3／Ｈ2
ガスを用いた反応性イオンエッチングによりＣＶＤ酸
化膜９２をエッチングしてコンタクトホール９３を形成
し、さらにＯ2ガスを用いたプラズマアッシングにより
レジストを除去した後、ＰＯＣｌ3 ガスを用いた不純
物拡散工程により、コンタクトホール９３の底に不純物
拡散層９４を形成する（図９（ａ））。
【００４１】この試料を、図５に示した装置の試料台５
１３上に載置した後、前処理室５１０の内部を真空排気
した。この時、図９（ａ）に示すように、コンタクトホ
ール底面のＳｉ基板表面には自然酸化膜９５が形成して
いた。次に固体のＮＨ4 Ｆを約１２０℃に加熱して生
じたガスをガス導入口５１５から導入し、前処理室５１
０内を０．０１Ｔｏｒｒに保って５分間保持した。この
処理により、自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）９５は、Ｓｉ表
面に堆積したＮＨ4 Ｆと反応し、（ＮＨ4 ）2ＳｉＦ6
層９６となった（ＳｉＯ2 ＋６ＮＨ4 Ｆ→（ＮＨ4
）2 ＳｉＦ6 ＋４ＮＨ3＋２Ｈ2 Ｏ）（図９
（ｂ））。次に、前処理室５１０内を真空排気した後、
試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらかじめ
内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５２４
上に載置した。次に、ガス導入口５２１（ａ）からＨ2
を導入し、後処理５２０の内部を０．１Ｔｏｒｒに保
ったまま試料を約３５０℃に加熱し、１０分間保持し
た。この処理により、まず試料温度が約１００℃になっ
た際に（ＮＨ4 ）2ＳｉＦ6 層９６がガス化して除去
され、コンタクトホール底のＳｉ表面は、Ｈと１０％程
度のＦで覆われた表面になり、さらに３５０℃に昇温す
ることで残留ＦがＳｉＦｘなどとして除去され、Ｓｉ表
面は、Ｈと数％程度のＦで覆われた表面になった。さら
にガス導入口５２１（ａ）からＨ2 を導入しながら、
放電管５２５に１００Ｗのマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ）を印加し、５分間保持した。このマイクロ波放電に
より生じ、試料まで輸送されたＨラジカルは、ＳｉをＳ
ｉＨ4 などとしてエッチングし、このとき僅かに残留
していたＦや有機物汚染も、ＳｉＦｘＨｙ（ｘ＋ｙ＝
４），ＣｘＨｙ，ＣｘＨｙＯｚなどとして除去され、コ
ンタクトホール底のＳｉ表面はＨのみで覆われた（図９
（ｃ））。
１３上に載置した後、前処理室５１０の内部を真空排気
した。この時、図９（ａ）に示すように、コンタクトホ
ール底面のＳｉ基板表面には自然酸化膜９５が形成して
いた。次に固体のＮＨ4 Ｆを約１２０℃に加熱して生
じたガスをガス導入口５１５から導入し、前処理室５１
０内を０．０１Ｔｏｒｒに保って５分間保持した。この
処理により、自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）９５は、Ｓｉ表
面に堆積したＮＨ4 Ｆと反応し、（ＮＨ4 ）2ＳｉＦ6
層９６となった（ＳｉＯ2 ＋６ＮＨ4 Ｆ→（ＮＨ4
）2 ＳｉＦ6 ＋４ＮＨ3＋２Ｈ2 Ｏ）（図９
（ｂ））。次に、前処理室５１０内を真空排気した後、
試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらかじめ
内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５２４
上に載置した。次に、ガス導入口５２１（ａ）からＨ2
を導入し、後処理５２０の内部を０．１Ｔｏｒｒに保
ったまま試料を約３５０℃に加熱し、１０分間保持し
た。この処理により、まず試料温度が約１００℃になっ
た際に（ＮＨ4 ）2ＳｉＦ6 層９６がガス化して除去
され、コンタクトホール底のＳｉ表面は、Ｈと１０％程
度のＦで覆われた表面になり、さらに３５０℃に昇温す
ることで残留ＦがＳｉＦｘなどとして除去され、Ｓｉ表
面は、Ｈと数％程度のＦで覆われた表面になった。さら
にガス導入口５２１（ａ）からＨ2 を導入しながら、
放電管５２５に１００Ｗのマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ）を印加し、５分間保持した。このマイクロ波放電に
より生じ、試料まで輸送されたＨラジカルは、ＳｉをＳ
ｉＨ4 などとしてエッチングし、このとき僅かに残留
していたＦや有機物汚染も、ＳｉＦｘＨｙ（ｘ＋ｙ＝
４），ＣｘＨｙ，ＣｘＨｙＯｚなどとして除去され、コ
ンタクトホール底のＳｉ表面はＨのみで覆われた（図９
（ｃ））。
【００４２】次にこの試料をゲートバルブ５５０を介し
てプロセス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置し
た。さらに、試料を６００℃に加熱，保持したまま、ガ
ス導入口５３１から、ＴｉＣｌ4 ／ＳｉＨ4 混合ガス
（ＴｉＣｌ4＝１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4 ＝３０ｓｃｃ
ｍ）を３０秒間導入したところ、図９（ｄ）に示すよう
にコンタクトホール９３の底のＳｉ上のみに厚さ５００
オングストロームのＴｉＳｉ2 層９７が堆積した。な
お、６００℃に昇温する過程でＳｉ表面のＨはＨ2やＳ
ｉＨｘとして除去され、まったく清浄なＳｉ表面にＴｉ
Ｓｉ2層 ９７が形成された。
てプロセス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置し
た。さらに、試料を６００℃に加熱，保持したまま、ガ
ス導入口５３１から、ＴｉＣｌ4 ／ＳｉＨ4 混合ガス
（ＴｉＣｌ4＝１０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4 ＝３０ｓｃｃ
ｍ）を３０秒間導入したところ、図９（ｄ）に示すよう
にコンタクトホール９３の底のＳｉ上のみに厚さ５００
オングストロームのＴｉＳｉ2 層９７が堆積した。な
お、６００℃に昇温する過程でＳｉ表面のＨはＨ2やＳ
ｉＨｘとして除去され、まったく清浄なＳｉ表面にＴｉ
Ｓｉ2層 ９７が形成された。
【００４３】この試料を検査のため、一度装置から出
し、再び前処理室５１０に収納し、真空排気した後、ガ
ス導入口５１５からＢＣｌ3 ガスを導入し、前処理室
５１０内を０．０１Ｔｏｒｒに保ち、電極５１７に１
３．５６ＭＨｚの高周波を印加して３分間保持した（パ
ワー２００Ｗ）。この処理により、装置外に出すことに
よりＴｉＳｉ2 層９７表面に形成された自然酸化膜は
除去されたが、その表面にはＣｌやＢが残留した（層９
８）（図９（ｅ））。
し、再び前処理室５１０に収納し、真空排気した後、ガ
ス導入口５１５からＢＣｌ3 ガスを導入し、前処理室
５１０内を０．０１Ｔｏｒｒに保ち、電極５１７に１
３．５６ＭＨｚの高周波を印加して３分間保持した（パ
ワー２００Ｗ）。この処理により、装置外に出すことに
よりＴｉＳｉ2 層９７表面に形成された自然酸化膜は
除去されたが、その表面にはＣｌやＢが残留した（層９
８）（図９（ｅ））。
【００４４】次に、前処理室５１０内を真空排気した
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＳ
ｉＨ4 ガスを導入し、後処理室５２０の圧力を０．０
１Ｔｏｒｒに保持したまま試料を加熱し、約２００℃で
２分保持した。この処理によりＳｉＨ4 ガスの一部は
分解し、生じたＳｉやＨはＴｉＳｉ2 表面に残留して
いたＣｌと反応（ＨＣｌ，ＳｉＣｌｘ）し、ある程度の
Ｃｌは除去されたが、完全には除去されなかった。
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＳ
ｉＨ4 ガスを導入し、後処理室５２０の圧力を０．０
１Ｔｏｒｒに保持したまま試料を加熱し、約２００℃で
２分保持した。この処理によりＳｉＨ4 ガスの一部は
分解し、生じたＳｉやＨはＴｉＳｉ2 表面に残留して
いたＣｌと反応（ＨＣｌ，ＳｉＣｌｘ）し、ある程度の
Ｃｌは除去されたが、完全には除去されなかった。
【００４５】次に、試料温度を室温に戻した後、ガス導
入口５２１（ａ）からＣ6Ｈ5 とＨ2の混合ガス（Ｈ2
／Ｃ6 Ｈ5 ＝１０）を導入し、後処理室５２０の圧力
を０．１Ｔｏｒｒに保持しながら、放電管５２５に１０
０Ｗのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を印加し、５分間
保持した。このマイクロ波放電により生じ、試料まで輸
送されたＨラジカルやＣ5Ｈ5 ラジカルは、ＳｉをＳｉ
Ｈ4 などとして、ＴｉをＴｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）4 などと
してエッチングし、このとき表面に残留していたＣｌや
Ｂ、さらには有機物汚染も、ＳｉＣｌxＨy（ｘ＋ｙ＝
４），ＴｉＣｌx（Ｃ5 Ｈ5 ）y（ｘ＋ｙ＝４），Ｃx
ＨyＢz，ＣxＨy，ＣxＨyＯzなどとして除去され、コン
タクトホール底のＴｉＳｉ2 表面はＨとＣxＨyのみで
覆われた。
入口５２１（ａ）からＣ6Ｈ5 とＨ2の混合ガス（Ｈ2
／Ｃ6 Ｈ5 ＝１０）を導入し、後処理室５２０の圧力
を０．１Ｔｏｒｒに保持しながら、放電管５２５に１０
０Ｗのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を印加し、５分間
保持した。このマイクロ波放電により生じ、試料まで輸
送されたＨラジカルやＣ5Ｈ5 ラジカルは、ＳｉをＳｉ
Ｈ4 などとして、ＴｉをＴｉ（Ｃ5 Ｈ5 ）4 などと
してエッチングし、このとき表面に残留していたＣｌや
Ｂ、さらには有機物汚染も、ＳｉＣｌxＨy（ｘ＋ｙ＝
４），ＴｉＣｌx（Ｃ5 Ｈ5 ）y（ｘ＋ｙ＝４），Ｃx
ＨyＢz，ＣxＨy，ＣxＨyＯzなどとして除去され、コン
タクトホール底のＴｉＳｉ2 表面はＨとＣxＨyのみで
覆われた。
【００４６】次にこの試料をゲートバルブ５５０を介し
てプロセス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置し
た。さらに試料温度を２００℃に上げ、ガス導入口５３
１から、ＷＦ6 ／ＳｉＨ4混合ガス（ＷＦ6 ＝１０ｓ
ｃｃｍ，ＳｉＨ4 ＝１０ｓｃｃｍ）を５分間導入した
ところ、図９（ｆ）に示す様にコンタクトホール９３の
底のＴｉＳｉ2 層９７のみにＷ９９が堆積し、コンタ
クトホール９３はＷ９９で完全に埋め込まれた（図９
（ｆ））。なおこの時、ＴｉＳｉ2 表面のＨやＣｘＨ
ｙはＷＦ6 ガスと反応してＨＦやＣxＨyＦzとして除去
された。
てプロセス室５３０に搬送し、試料台５３３上に載置し
た。さらに試料温度を２００℃に上げ、ガス導入口５３
１から、ＷＦ6 ／ＳｉＨ4混合ガス（ＷＦ6 ＝１０ｓ
ｃｃｍ，ＳｉＨ4 ＝１０ｓｃｃｍ）を５分間導入した
ところ、図９（ｆ）に示す様にコンタクトホール９３の
底のＴｉＳｉ2 層９７のみにＷ９９が堆積し、コンタ
クトホール９３はＷ９９で完全に埋め込まれた（図９
（ｆ））。なおこの時、ＴｉＳｉ2 表面のＨやＣｘＨ
ｙはＷＦ6 ガスと反応してＨＦやＣxＨyＦzとして除去
された。
【００４７】この試料を検査のため、一度装置から出
し、再び前処理室５１０に収納し、真空排気した後、ガ
ス導入口５１５からＦ2 ガスを導入し、前処理室５１
０内を０．１Ｔｏｒｒに保ち、電極５１７に１３．５６
ＭＨｚの高周波を印加して３分間保持した（パワー１０
０Ｗ）。この処理により、装置外に出すことによりＷ９
９表面に形成された自然酸化膜は、ＷＦxやＷＯＦxなど
として除去されたが、その表面にはＦが残留した（層１
００）（図１０（ａ））。
し、再び前処理室５１０に収納し、真空排気した後、ガ
ス導入口５１５からＦ2 ガスを導入し、前処理室５１
０内を０．１Ｔｏｒｒに保ち、電極５１７に１３．５６
ＭＨｚの高周波を印加して３分間保持した（パワー１０
０Ｗ）。この処理により、装置外に出すことによりＷ９
９表面に形成された自然酸化膜は、ＷＦxやＷＯＦxなど
として除去されたが、その表面にはＦが残留した（層１
００）（図１０（ａ））。
【００４８】次に、前処理室５１０内を真空排気した
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＨ
2 ガスを導入し、後処理室５２０の圧力を０．０１Ｔ
ｏｒｒに保持したまま試料表面に水銀ランプの光を照射
し、１分保持した。この処理により、Ｗ表面に残留して
いたＦは、Ｆ2 やＷＦｘなどとして、ある程度は除去
されたが完全に除去することはできなかった。
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＨ
2 ガスを導入し、後処理室５２０の圧力を０．０１Ｔ
ｏｒｒに保持したまま試料表面に水銀ランプの光を照射
し、１分保持した。この処理により、Ｗ表面に残留して
いたＦは、Ｆ2 やＷＦｘなどとして、ある程度は除去
されたが完全に除去することはできなかった。
【００４９】次に、ガス導入口５２１（ａ）からＣＯガ
スを導入し、後処理室５２０の圧力を２００Ｔｏｒｒに
保持しながら、１００℃に加熱し、５分間保持した。こ
の処理により、ＷはＣＯと反応してＷ（ＣＯ）6などと
してエッチングされ、同時に僅かに残留していたＦも、
ＷＦx（ＣＯ）y（ｘ＋ｙ＝６）などとして除去された。
次にこの試料をゲートバルブ５５０を介してプロセス室
５３０に搬送し、試料台５３３上に載置した後、スパッ
タ法により厚さ４００オングストロームのＣｕ膜１０１
を堆積した（図１０（ｂ））。
スを導入し、後処理室５２０の圧力を２００Ｔｏｒｒに
保持しながら、１００℃に加熱し、５分間保持した。こ
の処理により、ＷはＣＯと反応してＷ（ＣＯ）6などと
してエッチングされ、同時に僅かに残留していたＦも、
ＷＦx（ＣＯ）y（ｘ＋ｙ＝６）などとして除去された。
次にこの試料をゲートバルブ５５０を介してプロセス室
５３０に搬送し、試料台５３３上に載置した後、スパッ
タ法により厚さ４００オングストロームのＣｕ膜１０１
を堆積した（図１０（ｂ））。
【００５０】この試料を装置から出し、Ｃｕ膜１０１上
にレジスト層１０２を形成し、露光，現像を行い、パタ
ーニングした後、再び図５に示した装置の前処理室５１
０内に収納し、真空排気した。次に試料を１５０℃に加
熱，保持したまま、ガス導入口５１５からＣｌ2 とＢ
Ｃｌ3 の混合ガス（Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ＝１）を導入
し、前処理室５１０内を０．０１Ｔｏｒｒに保ち、電極
５１７に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して５分間保
持した（パワー２００Ｗ）。この処理によりＣｕ膜１０
１はエッチングされたが、Ｃｕ膜の側壁には、Ｃｌを含
む層１０３が形成された（図１０（ｃ））。次に、ガス
導入口５１５からＨ2 ガス０．０１Ｔｏｒｒを導入
し、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
を印加して５分間保持した（パワー５０Ｗ）。このプラ
ズマ処理により、ＨイオンやＨラジカルがＣｕ膜側壁の
Ｃｌを含む層１０３と反応し、層１０３最表面のＣｌは
除去することができたが、ある程度Ｃｕの中にまで入っ
たＣｌを除去することはできなかった。
にレジスト層１０２を形成し、露光，現像を行い、パタ
ーニングした後、再び図５に示した装置の前処理室５１
０内に収納し、真空排気した。次に試料を１５０℃に加
熱，保持したまま、ガス導入口５１５からＣｌ2 とＢ
Ｃｌ3 の混合ガス（Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ＝１）を導入
し、前処理室５１０内を０．０１Ｔｏｒｒに保ち、電極
５１７に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して５分間保
持した（パワー２００Ｗ）。この処理によりＣｕ膜１０
１はエッチングされたが、Ｃｕ膜の側壁には、Ｃｌを含
む層１０３が形成された（図１０（ｃ））。次に、ガス
導入口５１５からＨ2 ガス０．０１Ｔｏｒｒを導入
し、電極５１７に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
を印加して５分間保持した（パワー５０Ｗ）。このプラ
ズマ処理により、ＨイオンやＨラジカルがＣｕ膜側壁の
Ｃｌを含む層１０３と反応し、層１０３最表面のＣｌは
除去することができたが、ある程度Ｃｕの中にまで入っ
たＣｌを除去することはできなかった。
【００５１】次に、前処理室５１０内を真空排気した
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＣ
2 Ｈ5 ＯＨガスを導入し、後処理室５２０の圧力を１
Ｔｏｒｒに保持したまま試料を１００℃に加熱、１分保
持した。この処理により、Ｃ2 Ｈ5ＯＨガスはＣｕと反
応し、ＣｕをＣｕ（ＯＣ2Ｈ5 ）2としてエッチングす
る（Ｃｕ＋２Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ→Ｃｕ（ＯＣ2Ｈ5 ）2＋
Ｈ2）だけでなく、Ｃｌを、ＣｕＣｌ2 ＋２Ｃ2 Ｈ5
ＯＨ→Ｃｕ（ＯＣ2Ｈ5）2＋２ＨＣｌ，ＣｕＣｌ＋Ｃ2
Ｈ5 ＯＨ→ＣｕＣｌＯＣ2 Ｈ5 ＋１／２Ｈ2などとし
て除去した。この処理により、Ｃｌは完全に除去された
（図１０（ｄ））。
後、試料５１１をゲートバルブ５４０を介して、あらか
じめ内部を真空排気していた後処理室５２０の試料台５
２４上に載置した。次にガス導入口５２１（ａ）からＣ
2 Ｈ5 ＯＨガスを導入し、後処理室５２０の圧力を１
Ｔｏｒｒに保持したまま試料を１００℃に加熱、１分保
持した。この処理により、Ｃ2 Ｈ5ＯＨガスはＣｕと反
応し、ＣｕをＣｕ（ＯＣ2Ｈ5 ）2としてエッチングす
る（Ｃｕ＋２Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ→Ｃｕ（ＯＣ2Ｈ5 ）2＋
Ｈ2）だけでなく、Ｃｌを、ＣｕＣｌ2 ＋２Ｃ2 Ｈ5
ＯＨ→Ｃｕ（ＯＣ2Ｈ5）2＋２ＨＣｌ，ＣｕＣｌ＋Ｃ2
Ｈ5 ＯＨ→ＣｕＣｌＯＣ2 Ｈ5 ＋１／２Ｈ2などとし
て除去した。この処理により、Ｃｌは完全に除去された
（図１０（ｄ））。
【００５２】この様にして埋め込んだコンタクトホール
の接触抵抗は９０％が１０Ωと非常に低い値を示した。
これは、ＳｉとＴｉＳｉ2，ＴｉＳｉ2 とＷ，ＷとＣｕ
の界面に、自然酸化膜やハロゲンなどの絶縁物が介在し
ていないためである。また、Ｃｌガスを用いたＲＩＥに
よりＣｕをパターニングした後、Ｃｏを完全に除去した
ため、試料を大気に晒しても全く腐食は生じなかった。
の接触抵抗は９０％が１０Ωと非常に低い値を示した。
これは、ＳｉとＴｉＳｉ2，ＴｉＳｉ2 とＷ，ＷとＣｕ
の界面に、自然酸化膜やハロゲンなどの絶縁物が介在し
ていないためである。また、Ｃｌガスを用いたＲＩＥに
よりＣｕをパターニングした後、Ｃｏを完全に除去した
ため、試料を大気に晒しても全く腐食は生じなかった。
【００５３】なお上記実施例では、試料構成原子と揮発
性の化合物を形成し、僅かに残ったハロゲン共々試料表
面をエッチングするガスとして、Ｓｉに対してはＨ、Ｔ
ｉＳｉ2に対してはＣxＨy（Ｃ5 Ｈ5）やＨ、Ｗに対し
てはＣＯ、Ｃｕに対してはＣ2Ｈ5 ＯＨを用いている
が、これらのガス以外にも、例えばＳｉに対してはＣｘ
ＨｙＯＨ（ＳｉＦx＋Ｃ3 Ｈ5 ＯＨ→ＳｉＦy（ＯＣ3
Ｈ5）z（ｙ＋ｚ＝４），Ｓｉ（ＯＣ3 Ｈ5ＯＨ→Ｓｉ
Ｆy（ＯＣ3 Ｈ5 ）z（ｙ＋ｚ＝４），Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ5）４＋ｘＨＦ）やＣxＨy、Ｔｉに対してはＣxＨy、
ＣxＨyＯＨやＣＯ、Ｃｕに対してはＣxＨy、Ｗに対して
はＣxＨyＯＨを用いるなどしても良い。また、上記実施
例では述べていないが、Ｍｏに対してはＣｏ，ＣxＨyＯ
Ｈ、Ｎｉに対してはＣＯ，Ｃに対してはＨ，ＣxＨy等の
ガスを用いると効果的である。さらに、それぞれの試料
に対して用いる非ハロゲンガスは、それぞれの試料に対
応するガス一種を用いても良いし、二種以上組み合わせ
て用いても良い。また、大部分のハロゲンを除去する処
理としては、ＳｉＨ4ガス以外にも、Ｂ2Ｈ6などの還元
性ガスを接触させても良い。加熱処理あるいはプラズ
マ，光，イオン照射処理等により、活性化されたガスを
接触させると効果的にハロゲン除去が行なえる。また、
Ｈ2 プラズマ処理以外にもイオンや電子線などの荷電
粒子の照射を行っても良い。つまり接触の際、ハロゲン
原子を飛ばすのに充分な運動エネルギーと方向性を持つ
エネルギービームであれば効果がある。
性の化合物を形成し、僅かに残ったハロゲン共々試料表
面をエッチングするガスとして、Ｓｉに対してはＨ、Ｔ
ｉＳｉ2に対してはＣxＨy（Ｃ5 Ｈ5）やＨ、Ｗに対し
てはＣＯ、Ｃｕに対してはＣ2Ｈ5 ＯＨを用いている
が、これらのガス以外にも、例えばＳｉに対してはＣｘ
ＨｙＯＨ（ＳｉＦx＋Ｃ3 Ｈ5 ＯＨ→ＳｉＦy（ＯＣ3
Ｈ5）z（ｙ＋ｚ＝４），Ｓｉ（ＯＣ3 Ｈ5ＯＨ→Ｓｉ
Ｆy（ＯＣ3 Ｈ5 ）z（ｙ＋ｚ＝４），Ｓｉ（ＯＣ
3Ｈ5）４＋ｘＨＦ）やＣxＨy、Ｔｉに対してはＣxＨy、
ＣxＨyＯＨやＣＯ、Ｃｕに対してはＣxＨy、Ｗに対して
はＣxＨyＯＨを用いるなどしても良い。また、上記実施
例では述べていないが、Ｍｏに対してはＣｏ，ＣxＨyＯ
Ｈ、Ｎｉに対してはＣＯ，Ｃに対してはＨ，ＣxＨy等の
ガスを用いると効果的である。さらに、それぞれの試料
に対して用いる非ハロゲンガスは、それぞれの試料に対
応するガス一種を用いても良いし、二種以上組み合わせ
て用いても良い。また、大部分のハロゲンを除去する処
理としては、ＳｉＨ4ガス以外にも、Ｂ2Ｈ6などの還元
性ガスを接触させても良い。加熱処理あるいはプラズ
マ，光，イオン照射処理等により、活性化されたガスを
接触させると効果的にハロゲン除去が行なえる。また、
Ｈ2 プラズマ処理以外にもイオンや電子線などの荷電
粒子の照射を行っても良い。つまり接触の際、ハロゲン
原子を飛ばすのに充分な運動エネルギーと方向性を持つ
エネルギービームであれば効果がある。
【００５４】本発明は上述の実施例に限定されるもので
はない。例えば、ハロゲンを除去した後、薄膜堆積以外
の、酸化，拡散，エッチング，結晶成長などのプロセス
を施してもよい。またハロゲンを除去する被処理体とし
ては、半導体素子を形成する金属や半導体に限定される
ものではなく、ハロゲンガスを用いた処理を内部で行う
反応容器の器壁など、ハロゲンガスに晒される反応容
器，真空部品，ガス配管の表面のように、腐食が問題と
なる金属表面に用いても良い。その他、本発明の主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して適用できる。
はない。例えば、ハロゲンを除去した後、薄膜堆積以外
の、酸化，拡散，エッチング，結晶成長などのプロセス
を施してもよい。またハロゲンを除去する被処理体とし
ては、半導体素子を形成する金属や半導体に限定される
ものではなく、ハロゲンガスを用いた処理を内部で行う
反応容器の器壁など、ハロゲンガスに晒される反応容
器，真空部品，ガス配管の表面のように、腐食が問題と
なる金属表面に用いても良い。その他、本発明の主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して適用できる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体や金属内部といった被処理体内部の温度を所定温
度以下に保持しながらエネルギービームの照射または活
性化されたガスの接触によるハロゲン除去処理を行なう
ため、半導体や金属表面でのヒロック発生、またハロゲ
ンの半導体、金属内部への拡散を防ぐことができる。よ
って、接触抵抗の低いコンタクトホールやヴィアホール
の埋め込みを行うことができ、半導体素子の電気的特性
が向上する。またＡｌ合金などの配線の腐食が抑制さ
れ、半導体素子製造の歩留まりが向上する。
半導体や金属内部といった被処理体内部の温度を所定温
度以下に保持しながらエネルギービームの照射または活
性化されたガスの接触によるハロゲン除去処理を行なう
ため、半導体や金属表面でのヒロック発生、またハロゲ
ンの半導体、金属内部への拡散を防ぐことができる。よ
って、接触抵抗の低いコンタクトホールやヴィアホール
の埋め込みを行うことができ、半導体素子の電気的特性
が向上する。またＡｌ合金などの配線の腐食が抑制さ
れ、半導体素子製造の歩留まりが向上する。
【図１】 表面処理装置の概略図。
【図２】 Ａｌ薄膜のエッチング工程を示す図。
【図３】 表面処理装置の概略図。
【図４】 ヴィアホール開孔工程を示す断面図。
【図５】 表面処理装置の概略図。
【図６】 コンタクトホールの埋め込み工程を示す断
面図。
面図。
【図７】 ヴィアホールの埋め込み工程を示す断面
図。
図。
【図８】 ヴィアホールの埋め込み工程を示す断面
図。
図。
【図９】 コンタクトホールの埋め込み工程を示す断
面図。
面図。
【図１０】 コンタクトホールの埋め込み工程を示す
断面図。
断面図。
１１…反応容器，１２，３１１，５１１…試料，１３，
３１３，３２１，５１３，５２４，５３３…試料台，１
４，３１４，５１７…電極，１６，１６´，３１５，５
１５，５２１（ａ），５２１（ｂ），５３１…ガス導入
口，１７，３１２，３２２，５１６，５２２，５３２…
ガス排気口，１５，３２３，５２８…冷媒，１９…ガス
加熱管，３１０…エッチング室，３２０，５２０…後処
理室，３１０，５１０…前処理室，５３０…プロセス
室，３３０，５４０，５５０…ゲートバルブ，５２５…
放電管，５２６…導波管，５２７…マイクロ波電源，２
１，４１，６１，７１，８１，９１…Ｓｉ基板，２２，
４２，７２，８２…熱酸化膜，２３，４３，７３，８３
…Ａｌ合金薄膜，２４，４５，１０２…レジスト，２
５，４７，６６，７７，８７，９６，９８，１０３…ハ
ロゲンを含む層，４４，７４，８４，９２…ＣＶＤ酸化
膜，４６，７５，８５…ヴィアホール，６５，７６，８
６，９５，１００…自然酸化膜，６４，９４…不純物拡
散層，６７…多結晶Ｓｉ薄膜，６８…ＷＳｉ2 薄膜，
７８，８８，９９…Ｗ薄膜，６３，９３…コンタクトホ
ール，９７…ＴｉＳｉ2薄膜，１０１…Ｃｕ膜。
３１３，３２１，５１３，５２４，５３３…試料台，１
４，３１４，５１７…電極，１６，１６´，３１５，５
１５，５２１（ａ），５２１（ｂ），５３１…ガス導入
口，１７，３１２，３２２，５１６，５２２，５３２…
ガス排気口，１５，３２３，５２８…冷媒，１９…ガス
加熱管，３１０…エッチング室，３２０，５２０…後処
理室，３１０，５１０…前処理室，５３０…プロセス
室，３３０，５４０，５５０…ゲートバルブ，５２５…
放電管，５２６…導波管，５２７…マイクロ波電源，２
１，４１，６１，７１，８１，９１…Ｓｉ基板，２２，
４２，７２，８２…熱酸化膜，２３，４３，７３，８３
…Ａｌ合金薄膜，２４，４５，１０２…レジスト，２
５，４７，６６，７７，８７，９６，９８，１０３…ハ
ロゲンを含む層，４４，７４，８４，９２…ＣＶＤ酸化
膜，４６，７５，８５…ヴィアホール，６５，７６，８
６，９５，１００…自然酸化膜，６４，９４…不純物拡
散層，６７…多結晶Ｓｉ薄膜，６８…ＷＳｉ2 薄膜，
７８，８８，９９…Ｗ薄膜，６３，９３…コンタクトホ
ール，９７…ＴｉＳｉ2薄膜，１０１…Ｃｕ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−96226（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86731（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−185030（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230731（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/205 H01L 21/22 H01L 21/316
Claims (7)
- 【請求項１】被処理基板にハロゲン元素を含むガスを用
いる処理を行う工程と、前記被処理体の表面を大気に晒
すことなく、且つ前記被処理体の内部を冷却しながら、
前記被処理基板表面にエネルギービームを照射するか、
或いは活性化されたガスを接触させる工程と、前記被処
理基板の表面を大気に晒すことなく、前記被処理基板表
面の構成原子と結合して揮発性の化合物を形成する原子
又は分子を含む電気的に中性な非ハロゲンガスを前記被
処理基板表面に接触させる工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記構成原子と前記非ハロゲンガスの組み
合わせが、Ｓｉに対してＨ、ＣｘＨｙ，ＣｘＨｙＯＨの
少なくとも１つを含むガス、Ａｌに対してＨ、ＣｘＨ
ｙ，ＣｘＨｙＯＨ、ＢＨｘの少なくとも１つを含むガ
ス、Ｔｉに対してＣｘＨｙ，ＣｘＨｙＯＨ、ＣＯの少な
くとも１つを含むガス、Ｃｕに対してＣｘＨｙ，ＣｘＨ
ｙＯＨの少なくとも１つを含むガス、Ｎｉに対してＣＯ
を含むガス、Ｃに対してＨ、ＣｘＨｙの少なくとも１つ
を含むガス、Ｗ或いはＭｏに対してＣｘＨｙＯＨ、ＣＯ
の少なくとも１つを含むガスである請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記活性化されたガスが加熱した不活性ガ
スまたは還元性ガスであることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記加熱された還元性ガスが水素化合物ガ
ス、ＣＯ或いはＮＯを含むガスであることを特徴とする
請求項３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】酸化、拡散、堆積、結晶成長、エッチング
のいずれかの処理を前記被処理基板に施す工程をさらに
具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】前記被処理基板を冷却する方法として、前
記被処理基板表面に間欠的にエネルギービームを照射す
る工程か、或いは間欠的に活性化されたガスを接触させ
る工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】前記被処理基板を冷却する方法として、前
記被処理基板を試料台に載置し、該試料台の内部に冷媒
を循環させることにより、前記被処理基板の裏面側から
冷却する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18143592A JP3263132B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18143592A JP3263132B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629264A JPH0629264A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3263132B2 true JP3263132B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=16100729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18143592A Expired - Fee Related JP3263132B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3263132B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655571B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated method and apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates |
| US7846845B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates in a processing system |
| JP5594862B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP5492574B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置 |
| WO2014184910A1 (ja) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR101730147B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2017-05-12 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7463238B2 (ja) * | 2020-09-08 | 2024-04-08 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18143592A patent/JP3263132B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0629264A (ja) | 1994-02-04 |
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