JPH1050679A - 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法 - Google Patents

乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法

Info

Publication number
JPH1050679A
JPH1050679A JP9080938A JP8093897A JPH1050679A JP H1050679 A JPH1050679 A JP H1050679A JP 9080938 A JP9080938 A JP 9080938A JP 8093897 A JP8093897 A JP 8093897A JP H1050679 A JPH1050679 A JP H1050679A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
gas
etching
dry etching
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9080938A
Other languages
English (en)
Inventor
Tae-Wook Kim
兌 ▲ウーク▼ 金
Su-Kwang Noh
壽 光 盧
Jin-Ho Park
晋 ▲ホー▼ 朴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH1050679A publication Critical patent/JPH1050679A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/184—Vacuum locks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾式エッチング後のウェーハ表面に反応ガス
が残留し大気中で凝縮および液化することを防止すると
ともに、別工程で後処理することなく残留ガスを除去で
きる乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方
法を提供する。 【解決手段】 真空予備室およびエッチング室とを備え
この室内にウェーハをアンローディングさせ表面上に薄
膜をエッチングするとともに室内の反応ガスを外部にポ
ンビングおよびパージ可能な乾式エッチング器におい
て、乾式エッチング後に外部にアンローディングしたウ
ェーハ２０の表面に反応ガスが残留し大気中で凝縮およ
び液化しないようにエッチング室５０内を加熱しガス分
子を活性化する加熱手段８０または真空予備室６０内で
ウェーハ２０を洗浄しうる洗浄手段９０とを設けること
で、残留ガスを除去する別途の工程設備を不要とし製造
工程での歩留りが良くなる乾式エッチング器の残留ガス
除去装置を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、乾式エッチング器
の残留ガス除去装置および除去方法に係り、より詳細に
は半導体の製造工程においてエッチング処理に使用され
る反応ガスが工程を経ることによりウェーハの表面に残
留し大気中で凝縮することを防止するため別途の後処理
を行わず除去できる乾式エッチング器の残留ガス除去装
置および除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造工程に使用され
るエッチング器では、感光膜の現像工程が終了した後、
感光膜の下に成長または蒸着させた簿膜、たとえばＳｉ
膜、ポリシリコン膜、ＳｉＯ2 膜などを工程の目的によ
り選択的に除去している。このようなエッチングの手法
には、ガスによる化学反応を利用した乾式エチングと、
化学薬品に浸漬させ所望の部分を溶かす湿式エッチング
とに大別されていることがよく知られている。図３は、
従来の乾式エッチング器の主要部を示す構成図である。
【０００３】図３に示すように、従来の乾式エッチング
器は、複数枚のウェーハ２を収納するカセット１を具備
し、このカセット１を設置する移送手段４を設け、この
移送手段４の略中央に乾式エッチング処理を行うエッチ
ング室５と真空予備室６とを設け構成されている。移送
手段４は、ウェーハ２を複数枚収納したカセット１を設
置できるよう設けてあり、この設置したカセット１内か
らウェーハ２を１枚毎にローディングおよびアンローデ
ィングしながら搬送する移送台３を備えている。
【０００４】エッチング室５は、反応ガスが供給され高
真空の状態に維持されるとともに乾式エッチング工程を
実行することができるように設けてある。このエッチン
グ室５内の略中央部には、搬送されたウェーハ２を設置
し乾式エッチングを行う設置台５ｃが設けてある。また
エッチング室５の両側面には、出入口５ａ、５ｂが設け
てあり、この出入口５ａ、５ｂの外側には、エッチング
室５の前後で高真空状態のエッチング環境を予備的に維
持した真空予備室６が設けられている。真空予備室６お
よびエッチング室５のには、高真空状態に維持するとと
もに反応ガスをポンビングおよびパージ（Ｐｕｍｐｉｎ
ｇ、Ｐｕｒｇｅ）するガス排気系７が装着されている。
従来、乾式エッチング処理において、例えばポリシリコ
ン膜質を乾式エッチングする場合、主にＣｌ2 、ＨＢｒ
などの反応ガスが使われている。これらは乾式エッチン
グの工程後、大気に露出すると凝縮してしまう性質を有
している。このためエッチング室および真空予備室に
は、ウェーハを反応ガスと反応させた後に残存する余分
な反応ガスをポンビングおよびパージするガス排気系７
が設けられている。
【０００５】このような構成からなる従来の乾式エッチ
ング器を用いて乾式エッチングを行う場合には、複数枚
のウェーハ２を収納したカセット１を移送手段４の上部
に設置させる。移送手段４にカセット１を設置すると、
カセット１からはウェーハ２が一枚毎に取り出され移送
台３により搬送される。移送台３により搬送されたウェ
ーハ２は、エッチング環境を予備的に維持した真空予備
室６−１に搬入され真空状態を維持する。また真空状態
を維持したウェーハ２は、出入口５ａまで搬送されエッ
チング室５内に搬入する。エッチング室５に搬入したウ
ェーハ２は、略中央部に設けた設置台５ｃに設置され反
応ガスを利用した化学反応により乾式エッチング工程が
実行される。
【０００６】乾式エッチング工程が実行されたウェーハ
２は、再びエッチング環境を予備的に維持した真空予備
室６−２に搬入される。ウェーハ２が真空予備室６−２
に搬入されると、エッチング室５および真空予備室６に
残存する一部余分な反応ガスをガス排気系７によりポン
ビングおよびパージする工程を実行している。乾式エッ
チング処理を終えたウェーハ２は、真空予備室６−２か
ら外部に搬送され移送台３の端部に設置したカセット１
−２に収納される。
【０００７】このように従来の乾式エッチング器は、ウ
ェーハを乾式エッチングする際、エッチング室および真
空予備室内でウェーハが反応ガスと反応した後に残存す
る余分なガスをガス排気系によりポンビングおよびパー
ジすることで歩留りが良く生産効率の高い乾式エッチン
グ工程を実現していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の乾
式エッチング器では、工程の流れによりエッチング室お
よび真空予備室内でのガス排気系による排気が不充分な
ため、ウェーハの表面に反応ガスの一部が残留し大気中
に露出した際に凝縮、液化されてしまう不具合があっ
た。また、このようなウェーハの表面に残留しているガ
スは、生産工程での不良原因として歩留りを悪くすると
ともに、残留したガスを除去するため別工程で後処理を
行う設備が必要になってしまう。また別の工程で後処理
を行う設備を設けると費用がかかり、その製品に対する
コストが上昇してしまう要因になるばかりではなく、製
造工程に必要な所要時間が延長されてしまう等の不具合
があった。本発明は上述の課題を解決するために、乾式
エッチング後のウェーハ表面に反応ガスが残留し大気中
で凝縮および液化することを防止するとともに、別工程
で後処理することなく残留ガスを除去できる乾式エッチ
ング器の残留ガス除去装置および除去方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、真空予備室およびエッチング室とを備え
この室内でウェーハをエッチングするとともに室内に残
留するエッチング後の反応ガスを外部にポンビングおよ
びパージ可能な乾式エッチング器を設け、乾式エッチン
グ後のウェーハが外部にアンローディングされ表面に残
留した反応ガスが大気中で凝縮および液化しないように
エッチング室内に室内を加熱しガス分子を活性化させる
加熱手段を設け、この加熱手段は光エネルギーによって
加熱できる紫外線またはハロゲンランプにより設ける。
また、乾式エッチング後のウェーハが外部にアンローデ
ィングされ表面に残留した反応ガスが大気中で凝縮およ
び液化しないように真空予備室内にウェーハを洗浄する
ための洗浄手段を設け、この洗浄手段の溶液は純水を使
用する。ここで真空予備室を介し高真空の状態を維持し
エッチング室内にローディングおよびアンローディング
されるウェーハ上に所定の薄膜をエッチングするため反
応ガスを供給するガス供給工程と、反応ガスの作用によ
りエッチングを実行した後ウェーハが外部にアンローデ
ィングされ表面に残留した反応ガスが大気中で凝縮しな
いよう加熱または洗浄を行う処理工程と、この処理工程
に随伴しエッチング室および真空予備室内に残留した反
応ガスを外部ヘポンビングおよびパージさせる排出段階
とからなる乾式エッチング器の残留ガス除去装置を設け
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による乾式エッチング器の残留ガス除去装置の実施形態
を詳細に説明する。図１は、本発明による乾式エッチン
グ器の残留ガス除去装置の第１実施形態を示す構成図で
ある。図１に示すように、本発明による乾式エッチング
器の残留ガス除去装置の第１実施形態は、複数枚のウェ
ーハ２０を収納したカセット（図示せず）を備えるとと
もに、このカセット（図示せず）を設置しウェーハ２０
を１枚毎、搬送する移送手段（図示せず）が設けてあ
る。この移送手段（図示せず）の略中央部には、高真空
の状態に維持するとともに乾式エッチング工程を実行す
るエッチング室５０が設けてある。
【００１１】エッチング室５０の略中央部には、搬送さ
れたウェーハ２０を設置し乾式エッチング処理を行う設
置台５０ｃが設けてある。またエッチング室５０の両側
面には、出入口５０ａ、５０ｂが設けてあり、出入口５
０ｂの外側には、予備的に高真空状態のエッチング環境
を維持した真空予備室６０が設けられている。またエッ
チング室５０には、ウェーハ２０を設置し乾式エッチン
グ処理を実行するため反応ガス（例えばＣｌ2 、ＨＢｒ
等）を上部から供給するガス供給系５２が設けられてい
る。真空予備室６０およびエッチング室５０の内部は、
高真空状態に維持されるとともに反応ガスをポンビング
およびパージ（Ｐｕｍｐｉｎｇ、Ｐｕｒｇｅ）するガス
排気系７０が配設されている。
【００１２】特に、エッチング室５０の内部には、ウェ
ーハの表面に反応ガスの一部が残留しないよう光エネル
ギーを利用し残留ガスを活性化させるこでガス排気系７
０によりポンビングおよびパージできる加熱手段８０
（例えば紫外線ランプやハロゲンランプ等）を装着して
ある。これにより、乾式エッチング後にウェーハの表面
上で反応ガスの一部が残留し大気中に露出した際に凝縮
または液化することを防止できる。
【００１３】このような構成からなる本発明の残留ガス
除去装置の第１実施形態を用いて乾式エッチングを行う
場合には、複数枚のウェーハ２０をカセット（図示せ
ず）に収納し移送手段（図示せず）に設置させる。移送
手段にカセットを設置すると、カセット内からウェーハ
２０が一枚毎取り出され出入口５０ａを介しエッチング
室５０に搬送される。移送手段（図示せず）によりエッ
チング室５０内に搬送されたウェーハ２０は、略中央部
に設けた設置台５０ｃに設置される。ウェーハ２０が設
置されるとエッチング室５０内をガス供給系５２により
高真空状態に維持するとともに、反応ガス（Ｃｌ2 、Ｈ
Ｂｒ等）を供給するガス供給工程が実行される。エッチ
ング室５０内に反応ガスを充分に供給した後、エッチン
グ室５０内の反応ガス（Ｃｌ2 、ＨＢｒ等）によりウェ
ーハ２０が化学反応する乾式エッチング処理を行う。
【００１４】反応ガスの作用により乾式エッチング工程
を実行した後、ウェーハ２０の表に反応ガスが残留し大
気中に露出した際に凝縮および液化しないように加熱手
段８０によりエッチング室５０内を加熱させガスの分子
運動を活性化させる処理工程を実行する。またガスの分
子運動を活性化させる処理工程と随伴し、エッチング室
および真空予備室内に残存する余分な残留ガスを外部ヘ
ポンビングおよびパージさせる残留ガスの排出工程を実
行する。処理工程およびガスの排出工程が完了すると、
乾式エッチング環境を予備的に維持した真空予備室６０
にウェーハ２０を搬入させる。真空予備室６０内に搬入
したウェーハ２０は、さらに外部に搬送され外部に設置
したカセット（図示せず）に収納される。このようにカ
セット内の全てのウェーハ２０が乾式エチング処理を終
えるまで実行される。このような本発明による残留ガス
除去装置によると、ウェーハ２０が乾式エチング処理を
終え、真空予備室６０を経て大気中に露出してもウェー
ハ２０の表面が残留ガスにより凝縮および液化すること
がなくなる。
【００１５】次に図２を参照し、本発明による乾式エッ
チング器の残留ガス除去装置の第２実施形態を詳細に説
明する。図２は、本発明による乾式エッチング器の残留
ガス除去装置の第２実施形態を示す構成図である。図２
は図１において、加熱手段以外は全て同じ構成要素であ
り同一の構成要素には同一符号を記すとともに、重複す
る説明は省略する。
【００１６】図２に示すように、本発明による乾式エッ
チング器の残留ガス除去装置の第２実施形態は、図１に
示すエッチング室５０内に設けた加熱手段８０の替わり
に真空予備室６０内に純水（Ｄｅ ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗ
ａｔｅｒ）を用いて洗浄できる洗浄手段９０を装着した
ものである。乾式エッチング工程を実行するエッチング
室５０の両側面には、出入口５０ａ、５０ｂが設けてあ
り、この出入口５０ｂの外側には、高真空状態のエッチ
ング環境を予備的に維持した真空予備室６０が設けられ
ている。エッチング室５０には、略中央部にウェーハ２
０を設置する設置台５０ｃが設けてある。また設置台５
０ｃの上部にウェーハ２０を設置し乾式エッチング処理
を実行するため反応ガス（例えばＣｌ2 、ＨＢｒ等）を
上部から供給するガス供給系５２が設けられている。
【００１７】また真空予備室６０およびエッチング室５
０には、内部を高真空状態に維持するとともに反応ガス
をポンビングおよびパージ（Ｐｕｍｐｉｎｇ、Ｐｕｒｇ
ｅ）するガス排気系７０が配設されている。真空予備室
６０には、エッチング室５０で乾式エッチング処理を終
えたウェーハ２０表面に残存する一部の反応ガスを純水
（Ｄｅ ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を用いて洗浄す
る洗浄手段９０を装着してある。
【００１８】このような構成からなる本発明の残留ガス
除去装置の第２実施形態を用いて乾式エッチングを行う
場合には、ウェーハ２０をエッチング室５０内に搬送し
設置台５０ｃの上部に設置する。またエッチング室５０
内にガス供給系５２により反応ガスを供給し、この反応
ガスにより乾式エッチング処理を実行する。その後、乾
式エッチングを完了したウェーハ２０は真空予備室６０
に搬送される。真空予備室６０に搬送されたウェーハ２
０は、表面に残存する一部の反応ガスにより大気中で凝
縮、液化しないよう洗浄手段９０により純水を用いて洗
浄を行う。また洗浄とともに、エッチング室および真空
予備室内の残留ガスをガス排気系７０により外部ヘポン
ビングおよびパージさせる。ウェーハ２０が洗浄手段９
０により洗浄を完了すると、真空予備室６０の外部に搬
送され外部に設置したカセット（図示せず）内に収納さ
れる。このように、ウェーハの表面に残留する反応ガス
を加熱手段によって加熱させて活性化しなくても、洗浄
手段９０によって洗浄することで残留する反応ガスを除
去でき結果的に本発明の効果と同様になる。
【００１９】以上、本発明によってなされた乾式エッチ
ング器の残留ガス除去装置の実施形態を詳細に説明した
が、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。たと
えば、本発明による残留ガスの除去装置において、反応
ガスを供給するガス供給系は、上部からの供給に限定さ
れるものではなく室内に均等に供給できるよう配設すれ
ばよい。
【００２０】
【発明の効果】このように本発明による乾式エッチング
器の残留ガス除去装置によれば、エッチング室または真
空予備室内に反応ガスを加熱または洗浄しうる装置を設
けているため、ウェーハの表面に反応ガスの一部が残留
し大気中に露出した際に凝縮、液化してしまうことがな
くなる。またウェーハ表面に反応ガスが残留しないた
め、乾式エッチング処理の後に残留ガスを除去する別工
程の設備が不要となり、製造コストが削減するとともに
製品の高いコストパフォマンスが期待できる。また残留
ガスを除去する別工程の設備が不要となるため、生産に
必要な所要時間を短縮でき、半導体の製造工程での歩留
を良くするとともに安定した生産を実現することができ
る。さらに近代では、半導体ウェーハの大口径化、高集
積化に伴い、設備のマルチチャンバ化またはチャンバ機
能の多様化がなされ、あらゆる工程を一つの装置で対応
しうるシステムが求められている現状であり、このこと
から半導体製造における残留ガス除去装置の一体化は設
備の改善に相当な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による乾式エッチング器の残留ガス除去
装置の第１実施形態を示す構成図。
【図２】本発明による乾式エッチング器の残留ガス除去
装置の第２実施形態を示す構成図。
【図３】従来の乾式エッチング器の主要部を示す構成
図。
【符号の説明】
２０ ウェーハ ５０ エッチング室 ５０ａ、５０ｂ 出入口 ５０ｃ 設置台 ５２ ガス供給系 ６０ 真空予備室 ７０ ガス排気系 ８０ 加熱手段 ９０ 洗浄手段

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空予備室およびエッチング室とを備え
    この室内にウェーハをアンローディングさせ反応ガスを
    供給し表面上に薄膜をエッチングするとともに前記室内
    に残留するエッチング後の反応ガスを外部にポンビング
    およびパージ可能な乾式エッチング器において、 乾式エッチング後のウェーハが外部にアンローディング
    され表面に残留した反応ガスが大気中で凝縮および液化
    しないように前記エッチング室内に室内を加熱しガス分
    子を活性化させる加熱手段を設けたことを特徴とする乾
    式エッチング器の残留ガス除去装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の乾式エッチング器の残
    留ガス除去装置において、 前記加熱手段は、光エネルギーによって加熱できる紫外
    線またはハロゲンランプであることを特徴とする乾式エ
    ッチング器の残留ガス除去装置。
  3. 【請求項３】 真空予備室およびエッチング室とを備え
    この室内にウェーハをアンローディングさせ反応ガスを
    供給し表面上に薄膜をエッチングするとともに前記室内
    に残留するエッチング後の反応ガスを外部にポンビング
    およびパージ可能な乾式エッチング器において、 乾式エッチング後のウェーハが外部にアンローディング
    され表面に残留した反応ガスが大気中で凝縮および液化
    しないように前記真空予備室内にウェーハを洗浄するた
    めの洗浄手段を設けたことを特徴とする乾式エッチング
    器の残留ガス除去装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の乾式エッチング器の残
    留ガス除去装置において、 前記洗浄手段に使用する溶液は純水であるこを特徴とす
    る乾式エッチング器の残留ガス除去装置。
  5. 【請求項５】 真空予備室を介し高真空の状態を維持し
    エッチング室内にローディングおよびアンローディング
    されるウェーハ上に所定の薄膜をエッチングするため反
    応ガスを供給するガス供給工程と、 前記反応ガスの作用によりエッチングを実行した後ウェ
    ーハが外部にアンローディングされ表面に残留した反応
    ガスが大気中で凝縮しないよう加熱または洗浄を行う処
    理工程と、 前記処理工程に随伴しエッチング室および真空予備室内
    に残留した反応ガスを外部ヘポンビングおよびパージさ
    せる排出段階とからなることを特徴とする乾式エッチン
    グ器の残留ガス除去方法。
JP9080938A 1996-05-30 1997-03-31 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法 Pending JPH1050679A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1996P-18825 1996-05-30
KR1019960018825A KR100218269B1 (ko) 1996-05-30 1996-05-30 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1050679A true JPH1050679A (ja) 1998-02-20

Family

ID=19460235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9080938A Pending JPH1050679A (ja) 1996-05-30 1997-03-31 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5972161A (ja)
JP (1) JPH1050679A (ja)
KR (1) KR100218269B1 (ja)
CN (1) CN1148466C (ja)
DE (1) DE19713972A1 (ja)
GB (1) GB2313574B (ja)
TW (1) TW432131B (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635577B1 (en) 1999-03-30 2003-10-21 Applied Materials, Inc Method for reducing topography dependent charging effects in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system
SG93862A1 (en) * 1999-03-30 2003-01-21 Applied Materials Inc Method for reducing topography dependent charging effects in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system
KR100613674B1 (ko) * 1999-05-14 2006-08-21 동경 엘렉트론 주식회사 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법
KR100363081B1 (ko) 1999-09-16 2002-11-30 삼성전자 주식회사 박막 형성장치
US6780250B2 (en) * 2000-01-28 2004-08-24 Texas Instruments Incorporated System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer
US6323463B1 (en) 2000-03-29 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination in a wafer loadlock of a semiconductor wafer processing system
KR20020083767A (ko) * 2001-04-30 2002-11-04 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장 공정에서의 기판 세정 방법
US6805752B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for reducing acidic contamination on a process wafer following an etching process
KR20040054091A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조방법
US20040129385A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 International Business Machines Corporation Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof
US20060078481A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Infineon Technologies Richmond Lp System and method for corrosive vapor reduction by ultraviolet light
WO2006040132A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-20 Infineon Technologies Richmond, Lp System and method for corrosive vapor reduction by ultraviolet light
US20060127293A1 (en) * 2004-10-12 2006-06-15 Infineon Technologies Richmond Lp System and method for processing semiconductor material using radiant energy source
US20070163600A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-19 Leslie Hoffman User interface and head gear for a continuous positive airway pressure device
KR100770792B1 (ko) * 2006-07-31 2007-10-26 세메스 주식회사 에칭부와 세정부를 겸비한 건식 에쳐
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
WO2008144670A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
WO2010005576A2 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Radarfind Corporation Rotatable tags for automated location and monitoring of moveable objects and related systems
US20100226629A1 (en) * 2008-07-21 2010-09-09 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing
CN102044476B (zh) * 2009-10-13 2013-06-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属图案的形成方法
KR101182171B1 (ko) * 2010-06-30 2012-09-12 에이피시스템 주식회사 레이저 열전사용 필름 제거 장치
KR101525234B1 (ko) * 2011-03-03 2015-06-01 파나소닉 주식회사 반도체 기판의 표면 에칭 장치, 및 그것을 이용하여 표면에 요철 형상이 형성된 반도체 기판을 제조하는 방법
CN102653865A (zh) * 2011-08-26 2012-09-05 冯中宇 大型超宽幅面金属花纹蚀刻机
CN106898566B (zh) * 2015-12-18 2021-03-02 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体加工设备
CN107437521A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 北京北方华创微电子装备有限公司 一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置
CN109473378A (zh) * 2018-09-30 2019-03-15 德淮半导体有限公司 一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JP2947818B2 (ja) * 1988-07-27 1999-09-13 株式会社日立製作所 微細孔への金属穴埋め方法
JPH03237714A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2971130B2 (ja) * 1990-11-28 1999-11-02 株式会社東芝 ドライエッチング方法
US5344525A (en) * 1991-01-29 1994-09-06 Micron Technology, Inc. Process for etching semiconductor devices
TW204411B (ja) * 1991-06-05 1993-04-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5462892A (en) * 1992-06-22 1995-10-31 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor processing method for preventing corrosion of metal film connections
US5554563A (en) * 1995-04-04 1996-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In situ hot bake treatment that prevents precipitate formation after a contact layer etch back step
US5672239A (en) * 1995-05-10 1997-09-30 Tegal Corporation Integrated semiconductor wafer processing system
JP3165348B2 (ja) * 1995-05-18 2001-05-14 ワイエイシイ株式会社 プラズマ処理装置およびその運転方法
US5830279A (en) * 1995-09-29 1998-11-03 Harris Corporation Device and method for improving corrosion resistance and etch tool integrity in dry metal etching
US5730834A (en) * 1996-03-29 1998-03-24 Vlsi Technology, Inc. Fluorine residue removal after tungsten etchback

Also Published As

Publication number Publication date
GB9706347D0 (en) 1997-05-14
KR970077317A (ko) 1997-12-12
DE19713972A1 (de) 1997-12-11
KR100218269B1 (ko) 1999-09-01
CN1170777A (zh) 1998-01-21
US6073636A (en) 2000-06-13
TW432131B (en) 2001-05-01
US5972161A (en) 1999-10-26
CN1148466C (zh) 2004-05-05
GB2313574B (en) 2000-12-06
GB2313574A (en) 1997-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1050679A (ja) 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法
JP5048352B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR100809126B1 (ko) 피처리체 처리 장치
US5885361A (en) Cleaning of hydrogen plasma down-stream apparatus
US20050257890A1 (en) Method of cleaning an interior of a remote plasma generating tube and appartus and method for processing a substrate using the same
JP6454201B2 (ja) 基板搬送方法及び基板処理装置
WO1994028578A1 (fr) Procede de traitement au plasma
TWI823889B (zh) 電漿處理裝置之零件之清潔方法
JPH11204508A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2004281824A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
EP0841689A2 (en) Method of processing semiconductor substrate
KR100743275B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
JP3066691B2 (ja) マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法
JPH10233389A (ja) 半導体処理装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体装置の製造方法
JPH04254349A (ja) マルチチャンバプロセス装置
JPH11354514A (ja) クラスターツール装置及び成膜方法
JP2889191B2 (ja) ドライエッチング方法
KR100708973B1 (ko) 유브이 램프 모듈을 구비하는 로드락 챔버를 이용한반도체 제조 장치 및 방법
US20050284572A1 (en) Heating system for load-lock chamber
JPH08195382A (ja) 半導体製造装置
JPH09153484A (ja) 薄膜製造方法および装置
JP2626782B2 (ja) 真空処理装置
JP2002252261A (ja) 半導体検査装置及び半導体露光装置
CN1218986A (zh) 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
JP2544129B2 (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040511

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20040811

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20040818

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050201