JP2002252261A - 半導体検査装置及び半導体露光装置 - Google Patents
半導体検査装置及び半導体露光装置Info
- Publication number
- JP2002252261A JP2002252261A JP2001048038A JP2001048038A JP2002252261A JP 2002252261 A JP2002252261 A JP 2002252261A JP 2001048038 A JP2001048038 A JP 2001048038A JP 2001048038 A JP2001048038 A JP 2001048038A JP 2002252261 A JP2002252261 A JP 2002252261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- substrate
- semiconductor
- inert gas
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板表面に分子状あるいはクラスター状化学物
質を一切付着させないこと。 【解決手段】真空装置内で基板を保持したまま移動と停
止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査領域を順
次検査するための機械的駆動部と、制御された真空度の
下で前記基板を検査処理する検査処理部と、を備える半
導体検査装置において、不活性ガスを前記真空装置内へ
導く少なくとも１個以上の放出口と、前記放出口から前
記真空装置内へ流出する不活性ガスを一定流量に制御す
る流量制御部と、を備えることを特徴とする。
質を一切付着させないこと。 【解決手段】真空装置内で基板を保持したまま移動と停
止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査領域を順
次検査するための機械的駆動部と、制御された真空度の
下で前記基板を検査処理する検査処理部と、を備える半
導体検査装置において、不活性ガスを前記真空装置内へ
導く少なくとも１個以上の放出口と、前記放出口から前
記真空装置内へ流出する不活性ガスを一定流量に制御す
る流量制御部と、を備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は、真空装置内で半導
体基板若しくはガラス基板などの基板を保持したまま移
動又は回転・傾斜させるための機械的駆動部を備える半
導体検査装置及び半導体露光装置に関し、特に、装置の
信頼性の向上を図ることができる半導体検査装置及び半
導体露光装置に関する。
体基板若しくはガラス基板などの基板を保持したまま移
動又は回転・傾斜させるための機械的駆動部を備える半
導体検査装置及び半導体露光装置に関し、特に、装置の
信頼性の向上を図ることができる半導体検査装置及び半
導体露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の最小寸法が０．１３μｍか
ら０．１０μｍあるいはそれ以下へと急激に微細化が進
むに伴い、リソグラフィ工程では電子線露光装置やＸ線
露光装置が使用されるようになり、半導体基板は真空雰
囲気中にて露光工程を実行するようになってきた。ま
た、半導体検査装置においても、その空間分解能を高め
るため、電子線やＸ線を用いる装置が利用されるように
なってきている。
ら０．１０μｍあるいはそれ以下へと急激に微細化が進
むに伴い、リソグラフィ工程では電子線露光装置やＸ線
露光装置が使用されるようになり、半導体基板は真空雰
囲気中にて露光工程を実行するようになってきた。ま
た、半導体検査装置においても、その空間分解能を高め
るため、電子線やＸ線を用いる装置が利用されるように
なってきている。
【０００３】この半導体製造装置と半導体検査装置に共
通する項目の一つとして、両者とも基板を保持するステ
ージ部分が真空雰囲気中を移動あるいは場合によっては
回転又は傾斜することが挙げられる。これらの製造プロ
セスあるいは検査プロセスにおける最大の課題は、製造
プロセスあるいは検査プロセスにおいて分子状あるいは
クラスター状化学物質が基板へ付着することに起因した
製品不良発生による歩留まりの低下である。
通する項目の一つとして、両者とも基板を保持するステ
ージ部分が真空雰囲気中を移動あるいは場合によっては
回転又は傾斜することが挙げられる。これらの製造プロ
セスあるいは検査プロセスにおける最大の課題は、製造
プロセスあるいは検査プロセスにおいて分子状あるいは
クラスター状化学物質が基板へ付着することに起因した
製品不良発生による歩留まりの低下である。
【０００４】この課題を解決する手段としては、これら
製造プロセスあるいは検査プロセスにおいて、基板に分
子状あるいはクラスター状化学物質を一切付着させない
ことである。
製造プロセスあるいは検査プロセスにおいて、基板に分
子状あるいはクラスター状化学物質を一切付着させない
ことである。
【０００５】ところで、油拡散ポンプを装置の真空排気
系に使用すると、油蒸気の発散・シリンダー内壁での凝
縮油の再蒸発・油の熱分解による軽い成分の蒸発によ
り、ポンプから反応室内へ油成分が逆拡散し、基板表面
に付着する。また、揮発性の高いグリースを使用する
と、真空雰囲気中において、グリース中に存在する蒸気
圧の高い成分が揮発し、これが基板表面に付着する。こ
のようなことから、従来、真空装置内で半導体基板ある
いはガラス基板を移動又は回転・傾斜させるための機械
的駆動部分を有する半導体製造装置あるいは半導体検査
装置において、基板に該化学物質を付着させないため
に、油使用量の少ないポンプの使用や蒸気圧の低いグリ
ースの使用などの工夫がなされ、十分に効果があるとさ
れてきた。
系に使用すると、油蒸気の発散・シリンダー内壁での凝
縮油の再蒸発・油の熱分解による軽い成分の蒸発によ
り、ポンプから反応室内へ油成分が逆拡散し、基板表面
に付着する。また、揮発性の高いグリースを使用する
と、真空雰囲気中において、グリース中に存在する蒸気
圧の高い成分が揮発し、これが基板表面に付着する。こ
のようなことから、従来、真空装置内で半導体基板ある
いはガラス基板を移動又は回転・傾斜させるための機械
的駆動部分を有する半導体製造装置あるいは半導体検査
装置において、基板に該化学物質を付着させないため
に、油使用量の少ないポンプの使用や蒸気圧の低いグリ
ースの使用などの工夫がなされ、十分に効果があるとさ
れてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の微細化進
展は、半導体製造工程を大きく変化させ、結果として、
従来行われてきた方法、すなわち油使用量の少ないポン
プの使用や蒸気圧の低いグリースの使用などでは、不十
分となってきた。なぜなら、半導体製造工程において、
基板表面に付着する不純物量が約１×１０１０［ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ２］以下に制限される技術常識において、現
在使用されている代表的なグリース（例えば、２００℃
におけるグリースの蒸気圧が０．０６Ｔｏｒｒ）を用い
た真空装置内では基板表面にグリースの主成分である炭
化水素系物質が該許容量以上に付着してしまうからであ
る。
展は、半導体製造工程を大きく変化させ、結果として、
従来行われてきた方法、すなわち油使用量の少ないポン
プの使用や蒸気圧の低いグリースの使用などでは、不十
分となってきた。なぜなら、半導体製造工程において、
基板表面に付着する不純物量が約１×１０１０［ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ２］以下に制限される技術常識において、現
在使用されている代表的なグリース（例えば、２００℃
におけるグリースの蒸気圧が０．０６Ｔｏｒｒ）を用い
た真空装置内では基板表面にグリースの主成分である炭
化水素系物質が該許容量以上に付着してしまうからであ
る。
【０００７】このような油成分やグリース成分の基板表
面への付着は、製品歩留まりの低下という深刻な問題を
引き起こす。例えば、フォトレジストをスピンコートす
る際にウェハ面内で均一に塗布されないことからパター
ン不良が発生したり、エッチング工程の際にウェハ面内
で均一にエッチングされないことから残渣と呼ばれるパ
ターン不良を引き起こす。また、基板表面上に付着して
いる分子状あるいはクラスター状化学物質の中のアミン
成分が、フォトレジストの光化学反応に影響を及ぼし、
パターン不良を引き起こすこともある。
面への付着は、製品歩留まりの低下という深刻な問題を
引き起こす。例えば、フォトレジストをスピンコートす
る際にウェハ面内で均一に塗布されないことからパター
ン不良が発生したり、エッチング工程の際にウェハ面内
で均一にエッチングされないことから残渣と呼ばれるパ
ターン不良を引き起こす。また、基板表面上に付着して
いる分子状あるいはクラスター状化学物質の中のアミン
成分が、フォトレジストの光化学反応に影響を及ぼし、
パターン不良を引き起こすこともある。
【０００８】いずれにしても、電子線やＸ線を用いる半
導体製造装置を使用する半導体製造工程数が飛躍的に増
大すること、電子線やＸ線を用いる半導体検査装置を使
用し検査後の基板を製造工程へ戻すいわゆるインライン
検査工程数が飛躍的に増大することにより、該製造工程
あるいは該検査工程における分子状あるいはクラスター
状化学物質の基板上への付着が、製品歩留まりの低下に
対して大きな影響を与えるようになってきた。
導体製造装置を使用する半導体製造工程数が飛躍的に増
大すること、電子線やＸ線を用いる半導体検査装置を使
用し検査後の基板を製造工程へ戻すいわゆるインライン
検査工程数が飛躍的に増大することにより、該製造工程
あるいは該検査工程における分子状あるいはクラスター
状化学物質の基板上への付着が、製品歩留まりの低下に
対して大きな影響を与えるようになってきた。
【０００９】しかし、真空装置内で半導体基板あるいは
ガラス基板を移動又は回転・傾斜させるための機械的駆
動部分を有する半導体製造装置あるいは半導体検査装置
において、分子状あるいはクラスター状化学物質の基板
表面上への供給源の一つであるグリースを装置内から一
切絶つことは不可能である。半導体基板あるいはガラス
基板を保持した機械的駆動部分に、停止位置精度の高い
移動機能を提供するためには、潤滑材あるいは冷却材と
しての役割を果たすグリースの使用が不可欠だからであ
る。
ガラス基板を移動又は回転・傾斜させるための機械的駆
動部分を有する半導体製造装置あるいは半導体検査装置
において、分子状あるいはクラスター状化学物質の基板
表面上への供給源の一つであるグリースを装置内から一
切絶つことは不可能である。半導体基板あるいはガラス
基板を保持した機械的駆動部分に、停止位置精度の高い
移動機能を提供するためには、潤滑材あるいは冷却材と
しての役割を果たすグリースの使用が不可欠だからであ
る。
【００１０】この問題を解決する試みとして、真空装置
内での半導体基板処理に先立ち、あるいは半導体基板処
理後に、半導体基板を加熱する方法が提案されている
（斎藤豪、「半導体製造装置および半導体装置の製造方
法」、特開平５−５５３３０号公報）。この方法は、半
導体基板を加熱することにより、半導体基板に一度付着
した分子状あるいはクラスター状化学物質を再び蒸発さ
せることにより、すなわち一度汚染した半導体基板表面
を再び清浄な表面に戻すことを基本としている。
内での半導体基板処理に先立ち、あるいは半導体基板処
理後に、半導体基板を加熱する方法が提案されている
（斎藤豪、「半導体製造装置および半導体装置の製造方
法」、特開平５−５５３３０号公報）。この方法は、半
導体基板を加熱することにより、半導体基板に一度付着
した分子状あるいはクラスター状化学物質を再び蒸発さ
せることにより、すなわち一度汚染した半導体基板表面
を再び清浄な表面に戻すことを基本としている。
【００１１】しかし、電子線やＸ線を用いる半導体製造
装置あるいは半導体検査装置の使用による製品の歩留ま
り低下を皆無にするためには、基板表面に分子状あるい
はクラスター状化学物質を、該半導体製造装置内あるい
は該半導体検査装置内において、処理工程の最初から最
後まで、一切付着させないことが有効である。
装置あるいは半導体検査装置の使用による製品の歩留ま
り低下を皆無にするためには、基板表面に分子状あるい
はクラスター状化学物質を、該半導体製造装置内あるい
は該半導体検査装置内において、処理工程の最初から最
後まで、一切付着させないことが有効である。
【００１２】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、電子線やＸ線を用いる半導体製造装置あるいは半導
体検査装置に代表されるような、真空装置内で半導体基
板あるいはガラス基板を移動又は回転・傾斜させるため
の機械的駆動部分を有する半導体検査装置あるいは半導
体露光装置において、基板表面に分子状あるいはクラス
ター状化学物質を一切付着させないことを目的とする。
で、電子線やＸ線を用いる半導体製造装置あるいは半導
体検査装置に代表されるような、真空装置内で半導体基
板あるいはガラス基板を移動又は回転・傾斜させるため
の機械的駆動部分を有する半導体検査装置あるいは半導
体露光装置において、基板表面に分子状あるいはクラス
ター状化学物質を一切付着させないことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の視点においては、真空装置内で基板
を保持したまま移動と停止を繰り返す動作によって基板
上の複数の検査領域を順次検査するための機械的駆動部
と、制御された真空度の下で前記基板を検査処理する検
査処理部と、を備える半導体検査装置において、不活性
ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上の放出
口と、前記放出口から前記真空装置内へ流出する不活性
ガスを一定流量に制御する流量制御部と、を備えること
を特徴とする。
め、本発明の第１の視点においては、真空装置内で基板
を保持したまま移動と停止を繰り返す動作によって基板
上の複数の検査領域を順次検査するための機械的駆動部
と、制御された真空度の下で前記基板を検査処理する検
査処理部と、を備える半導体検査装置において、不活性
ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上の放出
口と、前記放出口から前記真空装置内へ流出する不活性
ガスを一定流量に制御する流量制御部と、を備えること
を特徴とする。
【００１４】本発明の第２の視点においては、真空装置
内で基板を保持したまま移動、回転又は傾斜させるため
の機械的駆動部と、制御された真空度の下で前記基板を
検査処理する検査処理部と、を備える半導体検査装置に
おいて、不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも
１個以上の放出口と、前記放出口から前記真空装置内へ
流出する不活性ガスを一定流量に制御する流量制御部
と、を備えることを特徴とする。
内で基板を保持したまま移動、回転又は傾斜させるため
の機械的駆動部と、制御された真空度の下で前記基板を
検査処理する検査処理部と、を備える半導体検査装置に
おいて、不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも
１個以上の放出口と、前記放出口から前記真空装置内へ
流出する不活性ガスを一定流量に制御する流量制御部
と、を備えることを特徴とする。
【００１５】本発明の第３の視点においては、真空装置
内で基板を保持したまま移動と停止を繰り返す動作によ
って基板上の複数の露光領域を順次露光するための機械
的駆動部と、制御された真空度の下で前記基板を露光処
理する露光処理部と、を備える半導体露光装置におい
て、不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも1個
以上の放出口と、前記放出口から前記真空装置内へ流出
する不活性ガスを一定流量に制御する流量制御部と、を
備えることを特徴とする。
内で基板を保持したまま移動と停止を繰り返す動作によ
って基板上の複数の露光領域を順次露光するための機械
的駆動部と、制御された真空度の下で前記基板を露光処
理する露光処理部と、を備える半導体露光装置におい
て、不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも1個
以上の放出口と、前記放出口から前記真空装置内へ流出
する不活性ガスを一定流量に制御する流量制御部と、を
備えることを特徴とする。
【００１６】また、前記半導体検査装置又は前記半導体
露光装置において、前記放出口は、前記機械的駆動部に
保持された基板の近傍であってこれと接触しない位置に
配設されることが好ましい。
露光装置において、前記放出口は、前記機械的駆動部に
保持された基板の近傍であってこれと接触しない位置に
配設されることが好ましい。
【００１７】また、前記半導体検査装置又は前記半導体
露光装置において、前記機械的駆動部は、前記放出口と
前記真空装置内の真空排気口との間に位置することが好
ましい。
露光装置において、前記機械的駆動部は、前記放出口と
前記真空装置内の真空排気口との間に位置することが好
ましい。
【００１８】また、前記半導体検査装置又は前記半導体
露光装置において、前記真空装置に接続された真空ポン
プ群の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以
上５０００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以下であり、前記真
空装置内の真空度は、１３３×１０−７ｋＰａ（１０
−７Ｔｏｒｒ）以上１３３×１０−４ｋＰａ（１０−４
Ｔｏｒｒ）以下であり、前記不活性ガスの流量は、０．
５ｃｍ３／ｍｉｎ（０．５ｓｃｃｍ）以上２０ｃｍ３／
ｍｉｎ（２０ｓｃｃｍ）以下であることが好ましい。
露光装置において、前記真空装置に接続された真空ポン
プ群の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以
上５０００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以下であり、前記真
空装置内の真空度は、１３３×１０−７ｋＰａ（１０
−７Ｔｏｒｒ）以上１３３×１０−４ｋＰａ（１０−４
Ｔｏｒｒ）以下であり、前記不活性ガスの流量は、０．
５ｃｍ３／ｍｉｎ（０．５ｓｃｃｍ）以上２０ｃｍ３／
ｍｉｎ（２０ｓｃｃｍ）以下であることが好ましい。
【００１９】また、前記半導体検査装置又は前記半導体
露光装置において、前記真空装置に接続された真空ポン
プ群の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以
上５０００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以下であり、前記真
空装置内の真空度は、１３３×１０−４ｋＰａ（１０
−４Ｔｏｒｒ）以上１３３×１０−１ｋＰａ（１０−１
Ｔｏｒｒ）以下であり、前記不活性ガスの流量は、５ｃ
ｍ３／ｍｉｎ（５ｓｃｃｍ）以上２００ｃｍ３／ｍｉｎ
（２００ｓｃｃｍ）以下であることが好ましい。
露光装置において、前記真空装置に接続された真空ポン
プ群の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以
上５０００Ｌ／ｓ（リットル／秒）以下であり、前記真
空装置内の真空度は、１３３×１０−４ｋＰａ（１０
−４Ｔｏｒｒ）以上１３３×１０−１ｋＰａ（１０−１
Ｔｏｒｒ）以下であり、前記不活性ガスの流量は、５ｃ
ｍ３／ｍｉｎ（５ｓｃｃｍ）以上２００ｃｍ３／ｍｉｎ
（２００ｓｃｃｍ）以下であることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】真空装置内で基板を保持したまま
移動と停止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査
領域を順次検査するための機械的駆動部（図１の１４
３）と、制御された真空度の下で前記基板を検査処理す
る検査処理部と、を備える半導体検査装置において、不
活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上の
放出口（図１の１４１）と、前記放出口から前記真空装
置内へ流出する不活性ガスを一定流量に制御する流量制
御部（図１の１３１）と、を備えることにより、真空装
置内に導入される超高清浄な不活性ガス（例えば、Ｎ２
やＡｒ、Ｈｅ）によるガス流の拡散や流れによって、真
空装置内の機械的駆動部に多く存在するグリースなどを
源とする分子状あるいはクラスター状化学物質が効果的
に真空排気口へ移動し、該機械的駆動部に保持されてい
る半導体基板あるいはガラス基板などの基板の表面に前
記分子状あるいはクラスター状化学物質が付着すること
を防止することができる。また同時に、該機械的駆動部
でのグリース使用が可能であるため、半導体検査装置
（半導体露光装置場合も含む）に停止位置精度の高い基
板保持ステージを持たせることも可能である。したがっ
て、分子状あるいはクラスター状化学物質の基板表面付
着に起因する製品不良発生による歩留まり低下を防止し
つつ、電子線やＸ線を用いた極微細対応の半導体検査工
程あるいは半導体露光工程を実行することが可能であ
る。
移動と停止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査
領域を順次検査するための機械的駆動部（図１の１４
３）と、制御された真空度の下で前記基板を検査処理す
る検査処理部と、を備える半導体検査装置において、不
活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上の
放出口（図１の１４１）と、前記放出口から前記真空装
置内へ流出する不活性ガスを一定流量に制御する流量制
御部（図１の１３１）と、を備えることにより、真空装
置内に導入される超高清浄な不活性ガス（例えば、Ｎ２
やＡｒ、Ｈｅ）によるガス流の拡散や流れによって、真
空装置内の機械的駆動部に多く存在するグリースなどを
源とする分子状あるいはクラスター状化学物質が効果的
に真空排気口へ移動し、該機械的駆動部に保持されてい
る半導体基板あるいはガラス基板などの基板の表面に前
記分子状あるいはクラスター状化学物質が付着すること
を防止することができる。また同時に、該機械的駆動部
でのグリース使用が可能であるため、半導体検査装置
（半導体露光装置場合も含む）に停止位置精度の高い基
板保持ステージを持たせることも可能である。したがっ
て、分子状あるいはクラスター状化学物質の基板表面付
着に起因する製品不良発生による歩留まり低下を防止し
つつ、電子線やＸ線を用いた極微細対応の半導体検査工
程あるいは半導体露光工程を実行することが可能であ
る。
【００２１】ここで、機械的駆動部が存在する試料室の
清浄度について説明する。図４は、真空雰囲気における
機械的駆動部が存在する試料室の清浄度に関して、試料
室内の真空度と試料室内に流出させる超高清浄不活性ガ
ス流量の関係を示したグラフである。ここでは、試料室
内を真空排気する際の一例として、排気量１０００Ｌ／
ｓのポンプを用いた。試料室の清浄度を試料室内へのリ
ークガス・脱ガス量Ｑ［ｓｃｃｍ］と試料室へ流し込む
超高清浄不活性ガス流量ｆ[ｓｃｃｍ]を用いて、次のよ
うに定義することができる。 （試料室の清浄度）＝Ｑ÷（Ｑ＋ｆ）
清浄度について説明する。図４は、真空雰囲気における
機械的駆動部が存在する試料室の清浄度に関して、試料
室内の真空度と試料室内に流出させる超高清浄不活性ガ
ス流量の関係を示したグラフである。ここでは、試料室
内を真空排気する際の一例として、排気量１０００Ｌ／
ｓのポンプを用いた。試料室の清浄度を試料室内へのリ
ークガス・脱ガス量Ｑ［ｓｃｃｍ］と試料室へ流し込む
超高清浄不活性ガス流量ｆ[ｓｃｃｍ]を用いて、次のよ
うに定義することができる。 （試料室の清浄度）＝Ｑ÷（Ｑ＋ｆ）
【００２２】また、試料室内へのリークガス・脱ガス量
Ｑ［ｓｃｃｍ］とポンプ排気量Ｓ［Ｌ／ｓ］、試料室圧
力ＰＢ［Ｔｏｒｒ］の間には、次の関係が成り立つ。 Ｑ＝７８．９×ＰＢ×Ｓ
Ｑ［ｓｃｃｍ］とポンプ排気量Ｓ［Ｌ／ｓ］、試料室圧
力ＰＢ［Ｔｏｒｒ］の間には、次の関係が成り立つ。 Ｑ＝７８．９×ＰＢ×Ｓ
【００２３】明らかに、試料室内の清浄度を向上させる
ためには、試料室内表面処理の改良や試料室内では分子
状あるいはクラスター状化学物質の放出量が極めて少な
いとされる材料・部品を使用することによって試料室内
へのリークガスや脱ガス量を低減させ試料室の高真空化
を図るとともに、超高清浄不活性ガスをより大量に試料
室内へ流すことが必要である。すなわち、両者を満たす
ために、高真空雰囲気下でより大きな排気量を有するポ
ンプを使用すればよい。
ためには、試料室内表面処理の改良や試料室内では分子
状あるいはクラスター状化学物質の放出量が極めて少な
いとされる材料・部品を使用することによって試料室内
へのリークガスや脱ガス量を低減させ試料室の高真空化
を図るとともに、超高清浄不活性ガスをより大量に試料
室内へ流すことが必要である。すなわち、両者を満たす
ために、高真空雰囲気下でより大きな排気量を有するポ
ンプを使用すればよい。
【００２４】
【実施例】本発明の実施例１を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施例１に係るで用いられる半導体検
査装置の排気系を模式的に示した系統図である。
図１は、本発明の実施例１に係るで用いられる半導体検
査装置の排気系を模式的に示した系統図である。
【００２５】本装置は、測定を行うための試料室１０１
が制御された真空雰囲気下にあり、この中で機械的駆動
部１４３が半導体基板、ガラス基板などの基板１４２を
保持したまま移動と停止を繰り返す動作によって基板上
の複数の検査領域を順次検査し、基板上の全ての検査領
域にわたって微細パターンを検査する。
が制御された真空雰囲気下にあり、この中で機械的駆動
部１４３が半導体基板、ガラス基板などの基板１４２を
保持したまま移動と停止を繰り返す動作によって基板上
の複数の検査領域を順次検査し、基板上の全ての検査領
域にわたって微細パターンを検査する。
【００２６】本装置は、試料室１０１と、試料交換室１
０３と、ローダ室１０２と、を有する。
０３と、ローダ室１０２と、を有する。
【００２７】試料室１０１は、制御された真空雰囲気下
で測定を行うための室であり、真空排気口１０７と、不
活性ガス流出口１４１と、機械的駆動部１４３と、を有
する。真空排気口１０７は、試料室１０１の壁面下部に
形成され、真空装置（ターボ分子ポンプ１１１、スクリ
ューポンプ１１３）によって試料室１０１内のガスを排
気する口である。不活性ガス流出口１４１は、基板１４
２の近傍であってこれと接触しない位置に配設され、試
料室１０１の中へ制御された流量で不活性ガスを放出す
る口である。機械的駆動部１４３は、試料室１０１内の
不活性ガス流出口１４１と真空排気口１０７との間に位
置し、基板１４２を上面に保持したまま移動と停止の繰
り返し動作を行なう。ここで、試料室１０１に接続され
たターボ分子ポンプ１１１の総排気量は１０００［Ｌ／
ｓ］である。
で測定を行うための室であり、真空排気口１０７と、不
活性ガス流出口１４１と、機械的駆動部１４３と、を有
する。真空排気口１０７は、試料室１０１の壁面下部に
形成され、真空装置（ターボ分子ポンプ１１１、スクリ
ューポンプ１１３）によって試料室１０１内のガスを排
気する口である。不活性ガス流出口１４１は、基板１４
２の近傍であってこれと接触しない位置に配設され、試
料室１０１の中へ制御された流量で不活性ガスを放出す
る口である。機械的駆動部１４３は、試料室１０１内の
不活性ガス流出口１４１と真空排気口１０７との間に位
置し、基板１４２を上面に保持したまま移動と停止の繰
り返し動作を行なう。ここで、試料室１０１に接続され
たターボ分子ポンプ１１１の総排気量は１０００［Ｌ／
ｓ］である。
【００２８】試料交換室１０３は、外部から基板を出し
入れするための室であり、この中にセットされた基板は
スクリューポンプ１１４によって予備排気を行ってから
ロックバルブ１０５を開放して真空度に調整されたロー
ダ室１０２に搬送され、搬送後、ロックバルブ１０５を
閉じる。
入れするための室であり、この中にセットされた基板は
スクリューポンプ１１４によって予備排気を行ってから
ロックバルブ１０５を開放して真空度に調整されたロー
ダ室１０２に搬送され、搬送後、ロックバルブ１０５を
閉じる。
【００２９】ローダ室１０２は、試料室１０１内と同程
度の真空度にあわせるための室であり、試料交換室１０
３から搬入された基板は真空ポンプ（ターボ分子ポンプ
１１２、スクリューポンプ１１４）によって達するまで
試料室１０１内と同程度の真空度に排気してからロック
バルブ１０４を開放して試料室１０１へ搬送され、試料
室内の機械的駆動部１４３に載置される。
度の真空度にあわせるための室であり、試料交換室１０
３から搬入された基板は真空ポンプ（ターボ分子ポンプ
１１２、スクリューポンプ１１４）によって達するまで
試料室１０１内と同程度の真空度に排気してからロック
バルブ１０４を開放して試料室１０１へ搬送され、試料
室内の機械的駆動部１４３に載置される。
【００３０】次に、実施例１に係る半導体検査装置と通
常の電子線顕微鏡装置（従来例）を用いた実験について
説明する。
常の電子線顕微鏡装置（従来例）を用いた実験について
説明する。
【００３１】実験は、以下のように実行した。まず、２
枚の８インチシリコンウェハを半導体製造工程で通常行
われる硫酸過酸化水素水、アンモニウム過酸化水素水、
純水を用いた一連の洗浄工程を行った。これにより、シ
リコンウェハ表面の有機物・アルカリ金属が除去された
状態にした。
枚の８インチシリコンウェハを半導体製造工程で通常行
われる硫酸過酸化水素水、アンモニウム過酸化水素水、
純水を用いた一連の洗浄工程を行った。これにより、シ
リコンウェハ表面の有機物・アルカリ金属が除去された
状態にした。
【００３２】次に、一枚のシリコンウェハは、本実施例
に係る半導体検査装置の試料室１０１内に約１時間放置
した。このときの試料室１０１内の真空度は約１０−５
Ｔｏｒｒであり、不活性ガス流出口１４１を通して試料
室１０１内に流れ込む超高清浄不活性ガスの流量は５ｓ
ｃｃｍであった。ここで得られたシリコンウェハを実施
品とする。
に係る半導体検査装置の試料室１０１内に約１時間放置
した。このときの試料室１０１内の真空度は約１０−５
Ｔｏｒｒであり、不活性ガス流出口１４１を通して試料
室１０１内に流れ込む超高清浄不活性ガスの流量は５ｓ
ｃｃｍであった。ここで得られたシリコンウェハを実施
品とする。
【００３３】一方、もう一枚のシリコンウェハは、通常
の電子線顕微鏡装置（図１における不活性ガス流出口１
４１がないもの、その他は同じ）の試料室内に同じく約
１時間放置した。すなわち、試料室内に流れ込む超高清
浄不活性ガスの流量は事実上０ｓｃｃｍという条件に相
当する。このときの試料室内の真空度も同じく約１０
−５Ｔｏｒｒであった。ここで得られたシリコンウェハ
を従来品とする。
の電子線顕微鏡装置（図１における不活性ガス流出口１
４１がないもの、その他は同じ）の試料室内に同じく約
１時間放置した。すなわち、試料室内に流れ込む超高清
浄不活性ガスの流量は事実上０ｓｃｃｍという条件に相
当する。このときの試料室内の真空度も同じく約１０
−５Ｔｏｒｒであった。ここで得られたシリコンウェハ
を従来品とする。
【００３４】次に、実施品及び従来品に係るシリコンウ
ェハそれぞれを飛行時間型二次イオン質量分析法で表面
吸着物質の測定した。この時の分析条件は、イオン種：
Ｇａ＋、加速エネルギ：２５ｋｅＶ、イオン電流：１．
２ｐＡ、入射角度：４５ｄｅｇ、モード：バンチング、
繰り返し測定：１０ｋＨｚ、帯電補正：なし、分析エリ
ア：１００μｍ２であった。
ェハそれぞれを飛行時間型二次イオン質量分析法で表面
吸着物質の測定した。この時の分析条件は、イオン種：
Ｇａ＋、加速エネルギ：２５ｋｅＶ、イオン電流：１．
２ｐＡ、入射角度：４５ｄｅｇ、モード：バンチング、
繰り返し測定：１０ｋＨｚ、帯電補正：なし、分析エリ
ア：１００μｍ２であった。
【００３５】測定結果を図２に示す。図２は、本発明の
実施例１に係る半導体検査装置及び従来例に係る半導体
検査装置を用いた場合のシリコン基板の表面吸着物質量
を解析した比較図である。実施品に係るシリコンウェハ
は、従来品に係るシリコンウェハと比べて基板表面に吸
着するすべての種類の炭化水素化合物についてその量が
激減した。このように、本実施例によれば、板表面への
化学物質吸着を抑制することができる。
実施例１に係る半導体検査装置及び従来例に係る半導体
検査装置を用いた場合のシリコン基板の表面吸着物質量
を解析した比較図である。実施品に係るシリコンウェハ
は、従来品に係るシリコンウェハと比べて基板表面に吸
着するすべての種類の炭化水素化合物についてその量が
激減した。このように、本実施例によれば、板表面への
化学物質吸着を抑制することができる。
【００３６】なお、実施例１に係る半導体検査装置（図
１参照）では、真空雰囲気中である試料室１０１内の機
械的駆動部１４３は基板１４２上の複数の検査領域を順
次検査するために基板１４２を保持したまま移動と停止
を繰り返す機能を有していたが、機械的駆動部１４３が
基板１４２を保持したままさらに回転又は傾斜させる機
能を有していてもよい。機械的駆動部１４３の動作機構
が異なっても、図１に示すような装置の排気系の系統図
は本質的に同一だからである。この場合も、製造処理中
に分子状あるいはクラスター状化学物質が基板表面に一
切付着することがないため、電子線を用いた半導体製造
工程の高精度化を図ることが可能である。
１参照）では、真空雰囲気中である試料室１０１内の機
械的駆動部１４３は基板１４２上の複数の検査領域を順
次検査するために基板１４２を保持したまま移動と停止
を繰り返す機能を有していたが、機械的駆動部１４３が
基板１４２を保持したままさらに回転又は傾斜させる機
能を有していてもよい。機械的駆動部１４３の動作機構
が異なっても、図１に示すような装置の排気系の系統図
は本質的に同一だからである。この場合も、製造処理中
に分子状あるいはクラスター状化学物質が基板表面に一
切付着することがないため、電子線を用いた半導体製造
工程の高精度化を図ることが可能である。
【００３７】次に、本発明の実施例２を図面を用いて説
明する。実施例２は、半導体露光装置に係るものであ
る。半導体露光装置は、電子銃やレンズの仕様あるいは
機械的駆動部の動作制御方法などが半導体検査装置と若
干異なるが、半導体露光装置の排気系の系統図は、基本
的に実施例１に係る半導体検査装置の排気系の系統図と
同一であり（図１参照）、装置動作中に基板を保持した
機械的駆動部が真空雰囲気中で移動と停止を繰り返す機
能は、本質的に実施例１と同一である。
明する。実施例２は、半導体露光装置に係るものであ
る。半導体露光装置は、電子銃やレンズの仕様あるいは
機械的駆動部の動作制御方法などが半導体検査装置と若
干異なるが、半導体露光装置の排気系の系統図は、基本
的に実施例１に係る半導体検査装置の排気系の系統図と
同一であり（図１参照）、装置動作中に基板を保持した
機械的駆動部が真空雰囲気中で移動と停止を繰り返す機
能は、本質的に実施例１と同一である。
【００３８】図１を参照すると、半導体露光装置も、測
定を行うための試料室１０１内において、半導体基板あ
るいはガラス基板などの基板１４２を保持したまま移動
と停止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査領域
を順次検査するための機械的駆動部１４３があり、不活
性ガス流出口１４１が基板１４２の近傍に位置し、機械
的駆動部１４３が不活性ガス流出口１４１と真空排気口
１０７との間に位置し、不活性ガスを不活性ガス流出口
１４１から試料室１０１の中へ制御された流量で放出
し、制御された真空度の下で測定をする。この半導体露
光装置は、基板を試料交換室１０３において予備排気を
行ってからローダ室１０２に搬送し、ターボ分子ポンプ
１１２とスクリューポンプ１１４によって試料室１０１
内と同程度の真空度に達するまで排気した後、試料室１
０１へ搬送し、機械的駆動部１４３に載置する。ここ
で、試料室１０１に接続されたターボ分子ポンプの総排
気量は１０００［Ｌ／ｓ］である。
定を行うための試料室１０１内において、半導体基板あ
るいはガラス基板などの基板１４２を保持したまま移動
と停止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査領域
を順次検査するための機械的駆動部１４３があり、不活
性ガス流出口１４１が基板１４２の近傍に位置し、機械
的駆動部１４３が不活性ガス流出口１４１と真空排気口
１０７との間に位置し、不活性ガスを不活性ガス流出口
１４１から試料室１０１の中へ制御された流量で放出
し、制御された真空度の下で測定をする。この半導体露
光装置は、基板を試料交換室１０３において予備排気を
行ってからローダ室１０２に搬送し、ターボ分子ポンプ
１１２とスクリューポンプ１１４によって試料室１０１
内と同程度の真空度に達するまで排気した後、試料室１
０１へ搬送し、機械的駆動部１４３に載置する。ここ
で、試料室１０１に接続されたターボ分子ポンプの総排
気量は１０００［Ｌ／ｓ］である。
【００３９】次に、実施例２に係る半導体露光装置と通
常の電子線顕微鏡装置（従来例）を用いた実験について
説明する。
常の電子線顕微鏡装置（従来例）を用いた実験について
説明する。
【００４０】実験は、以下のように実行した。まず、２
枚の８インチシリコンウェハを半導体製造工程で通常行
われる硫酸過酸化水素水、アンモニウム過酸化水素水、
純水を用いた一連の洗浄工程を行った。これにより、シ
リコンウェハ表面の有機物・アルカリ金属が除去された
状態にした。
枚の８インチシリコンウェハを半導体製造工程で通常行
われる硫酸過酸化水素水、アンモニウム過酸化水素水、
純水を用いた一連の洗浄工程を行った。これにより、シ
リコンウェハ表面の有機物・アルカリ金属が除去された
状態にした。
【００４１】次に、一枚のシリコンウェハは、本実施例
に係る半導体露光装置の試料室１０１内に約１時間放置
した。このときの試料室１０１内の真空度は約１０−２
Ｔｏｒｒであり、不活性ガス流出口１４１を通して試料
室１０１内に流れ込む超高清浄不活性ガスの流量は１０
０ｓｃｃｍであった。ここで得られたシリコンウェハを
実施品とする。
に係る半導体露光装置の試料室１０１内に約１時間放置
した。このときの試料室１０１内の真空度は約１０−２
Ｔｏｒｒであり、不活性ガス流出口１４１を通して試料
室１０１内に流れ込む超高清浄不活性ガスの流量は１０
０ｓｃｃｍであった。ここで得られたシリコンウェハを
実施品とする。
【００４２】一方、もう一枚のシリコンウェハは、通常
の電子線顕微鏡装置（図１における不活性ガス流出口１
４１がないもの、その他は同じ）の試料室内に同じく約
１時間放置した。すなわち、試料室内に流れ込む超高清
浄不活性ガスの流量は事実上０ｓｃｃｍという条件に相
当する。このときの試料室内の真空度も同じく約１０
−２Ｔｏｒｒであった。ここで得られたシリコンウェハ
を従来品とする。
の電子線顕微鏡装置（図１における不活性ガス流出口１
４１がないもの、その他は同じ）の試料室内に同じく約
１時間放置した。すなわち、試料室内に流れ込む超高清
浄不活性ガスの流量は事実上０ｓｃｃｍという条件に相
当する。このときの試料室内の真空度も同じく約１０
−２Ｔｏｒｒであった。ここで得られたシリコンウェハ
を従来品とする。
【００４３】次に、実施品及び従来品に係るシリコンウ
ェハそれぞれを飛行時間型二次イオン質量分析法で表面
吸着物質の測定した。この時の分析条件は、イオン種：
Ｇａ＋、加速エネルギ：２５ｋｅＶ、イオン電流：１．
２ｐＡ、入射角度：４５ｄｅｇ、モード：バンチング、
繰り返し測定：１０ｋＨｚ、帯電補正：なし、分析エリ
ア：１００μｍ２であった。
ェハそれぞれを飛行時間型二次イオン質量分析法で表面
吸着物質の測定した。この時の分析条件は、イオン種：
Ｇａ＋、加速エネルギ：２５ｋｅＶ、イオン電流：１．
２ｐＡ、入射角度：４５ｄｅｇ、モード：バンチング、
繰り返し測定：１０ｋＨｚ、帯電補正：なし、分析エリ
ア：１００μｍ２であった。
【００４４】測定結果を図３に示す。図３は、本発明の
実施例２に係る半導体露光装置及び従来例に係る半導体
露光装置を用いた場合のシリコン基板の表面吸着物質量
を解析した比較図である。実施品に係るシリコンウェハ
は、従来品に係るシリコンウェハと比べて基板表面に吸
着するすべての種類の炭化水素化合物についてその量が
激減した。このように、本実施例によれば、板表面への
化学物質吸着を抑制することができる。
実施例２に係る半導体露光装置及び従来例に係る半導体
露光装置を用いた場合のシリコン基板の表面吸着物質量
を解析した比較図である。実施品に係るシリコンウェハ
は、従来品に係るシリコンウェハと比べて基板表面に吸
着するすべての種類の炭化水素化合物についてその量が
激減した。このように、本実施例によれば、板表面への
化学物質吸着を抑制することができる。
【００４５】なお、実施例２では、真空雰囲気中である
試料室１０１内の機械的駆動部１４３は基板１４２上の
複数の検査領域を順次検査するために基板１４２を保持
したまま移動と停止を繰り返す機能を有していたが、機
械的駆動部１４３が基板１４２を保持したまま移動又は
回転又は傾斜させる機能を有していてもよい。機械的駆
動部１４３の動作機構が異なっても、図１に示すような
装置の排気系系統図は本質的に同一だからである。この
場合、製造処理中に分子状あるいはクラスター状化学物
質が基板表面に一切付着することがないため、電子線を
用いた半導体製造工程の高精度化を図ることが可能であ
る。
試料室１０１内の機械的駆動部１４３は基板１４２上の
複数の検査領域を順次検査するために基板１４２を保持
したまま移動と停止を繰り返す機能を有していたが、機
械的駆動部１４３が基板１４２を保持したまま移動又は
回転又は傾斜させる機能を有していてもよい。機械的駆
動部１４３の動作機構が異なっても、図１に示すような
装置の排気系系統図は本質的に同一だからである。この
場合、製造処理中に分子状あるいはクラスター状化学物
質が基板表面に一切付着することがないため、電子線を
用いた半導体製造工程の高精度化を図ることが可能であ
る。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面に分子状ある
いはクラスター状化学物質を一切付着させることなく、
製造工程あるいは検査工程を実行することが可能とな
り、結果として半導体製品の生産性を向上させることが
できる。
いはクラスター状化学物質を一切付着させることなく、
製造工程あるいは検査工程を実行することが可能とな
り、結果として半導体製品の生産性を向上させることが
できる。
【００４７】また、機械的駆動部でのグリース使用が可
能であるため、停止位置精度の高い基板保持ステージを
用いることも可能となる。
能であるため、停止位置精度の高い基板保持ステージを
用いることも可能となる。
【図１】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の排気
系を模式的に示した系統図である。
系を模式的に示した系統図である。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体検査装置及び従
来例に係る半導体検査装置を用いた場合のシリコン基板
の表面吸着物質量を解析した比較図である。
来例に係る半導体検査装置を用いた場合のシリコン基板
の表面吸着物質量を解析した比較図である。
【図３】本発明の実施例２に係る半導体露光装置及び従
来例に係る半導体検査装置を用いた場合のシリコン基板
の表面吸着物質量を解析した比較図である。
来例に係る半導体検査装置を用いた場合のシリコン基板
の表面吸着物質量を解析した比較図である。
【図４】真空雰囲気における機械的駆動部が存在する試
料室の清浄度に関して、試料室内の真空度と試料室内に
流出させる超高清浄不活性ガス流量の関係を示したグラ
フである。
料室の清浄度に関して、試料室内の真空度と試料室内に
流出させる超高清浄不活性ガス流量の関係を示したグラ
フである。
１０１ 試料室 １０２ ローダ室 １０３ 試料交換室 １０４ エアーロックバルブ（試料室―ローダ室） １０５ エアーロックバルブ（ローダ室―試料交換室） １０６ エアーロックバルブ（電子銃―試料室） １０７ 真空排気口 １１１、１１２ ターボ分子ポンプ １１３、１１４ スクリューポンプ １１５〜１１７ イオンポンプ １２１〜１２７ 真空バルブ １３１〜１３２ ガス流量コントローラ １３６〜１３７ ストップバルブ １４１ 不活性ガス流出口 １４２ 基板 １４３ 機械的駆動部 １５１〜１５３ 真空計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板垣 洋輔 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G132 AA00 AF06 AF13 AL11 4M106 AA01 BA02 CA39 DB05 DB18 DB30 5F056 EA16
Claims (11)
- 【請求項１】真空装置内で基板を保持したまま移動と停
止を繰り返す動作によって基板上の複数の検査領域を順
次検査するための機械的駆動部と、制御された真空度の
下で前記基板を検査処理する検査処理部と、を備える半
導体検査装置において、 不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上
の放出口と、 前記放出口から前記真空装置内へ流出する不活性ガスを
一定流量に制御する流量制御部と、を備えることを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項２】真空装置内で基板を保持したまま移動、回
転又は傾斜させるための機械的駆動部と、制御された真
空度の下で前記基板を検査処理する検査処理部と、を備
える半導体検査装置において、 不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも１個以上
の放出口と、 前記放出口から前記真空装置内へ流出する不活性ガスを
一定流量に制御する流量制御部と、を備えることを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項３】前記放出口は、前記機械的駆動部に保持さ
れた基板の近傍であってこれと接触しない位置に配設さ
れることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体検査
装置。 - 【請求項４】前記機械的駆動部は、前記放出口と前記真
空装置内の真空排気口との間に位置することを特徴とす
る請求項１又は２記載の半導体検査装置。 - 【請求項５】前記真空装置に接続された真空ポンプ群の
総排気速度は、３００Ｌ／ｓ以上５０００Ｌ／ｓ以下で
あり、 前記真空装置内の真空度は、１３３×１０−７ｋＰａ以
上１３３×１０−４ｋＰａ以下であり、 前記不活性ガスの流量は、０．５ｃｍ３／ｍｉｎ以上２
０ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれか一に記載の半導体検査装置。 - 【請求項６】前記真空装置に接続された真空ポンプ群の
総排気速度は、３００Ｌ／ｓ以上５０００Ｌ／ｓ以下で
あり、 前記真空装置内の真空度は、１３３×１０−４ｋＰａ以
上１３３×１０−１ｋＰａ以下であり、 前記不活性ガスの流量は、５ｃｍ３／ｍｉｎ以上２００
ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか一に記載の半導体検査装置。 - 【請求項７】真空装置内で基板を保持したまま移動と停
止を繰り返す動作によって基板上の複数の露光領域を順
次露光するための機械的駆動部と、制御された真空度の
下で前記基板を露光処理する露光処理部と、を備える半
導体露光装置において、 不活性ガスを前記真空装置内へ導く少なくとも1個以上
の放出口と、 前記放出口から前記真空装置内へ流出する不活性ガスを
一定流量に制御する流量制御部と、を備えることを特徴
とする半導体露光装置。 - 【請求項８】前記放出口は、前記機械的駆動部に保持さ
れた基板の近傍であってこれと接触しない位置に配設さ
れることを特徴とする請求項７記載の半導体露光装置。 - 【請求項９】前記機械的駆動部は、前記放出口と前記真
空装置内の真空排気口との間に位置することを特徴とす
る請求項７記載の半導体露光装置。 - 【請求項１０】前記真空装置に接続された真空ポンプ群
の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ以上５０００Ｌ／ｓ以下
であり、 前記真空装置内の真空度は、１３３×１０−７ｋＰａ以
上１３３×１０−４ｋＰａ以下であり、 前記不活性ガスの流量は、０．５ｃｍ３／ｍｉｎ以上２
０ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項７
乃至９のいずれか一に記載の半導体露光装置。 - 【請求項１１】前記真空装置に接続された真空ポンプ群
の総排気速度は、３００Ｌ／ｓ以上５０００Ｌ／ｓ以下
であり、 前記真空装置内の真空度は、１３３×１０−４ｋＰａ以
上１３３×１０−１ｋＰａ以下であり、 前記不活性ガスの流量は、５ｃｍ３／ｍｉｎ以上２００
ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項７乃
至９のいずれか一に記載の半導体露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048038A JP2002252261A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体検査装置及び半導体露光装置 |
| US10/078,357 US6837936B2 (en) | 2001-02-23 | 2002-02-21 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048038A JP2002252261A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体検査装置及び半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252261A true JP2002252261A (ja) | 2002-09-06 |
Family
ID=18909367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001048038A Pending JP2002252261A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体検査装置及び半導体露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6837936B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002252261A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1411388B1 (en) * | 2002-09-12 | 2006-12-20 | ASML Netherlands B.V. | A method of cleaning by removing particles from surfaces, a cleaning apparatus and a lithographic projection apparatus |
| KR100563102B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2006-03-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치 |
| JP2008166062A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空容器を持つ装置 |
| US11410830B1 (en) | 2019-03-23 | 2022-08-09 | Kla Corporation | Defect inspection and review using transmissive current image of charged particle beam system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541424A (ja) * | 1991-08-03 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
| JPH0547870A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Tadahiro Omi | 荷電粒子流照射装置 |
| JPH1012684A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査方法及びその装置 |
| JPH10335399A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Advantest Corp | 試料処理装置および方法 |
| JP2002246296A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | レチクルクリーニング方法、電子線露光装置、電子線露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555330A (ja) | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP3386651B2 (ja) * | 1996-04-03 | 2003-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JP3270730B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP3425592B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2003-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JPH11312640A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Canon Inc | 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法 |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048038A patent/JP2002252261A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-21 US US10/078,357 patent/US6837936B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541424A (ja) * | 1991-08-03 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
| JPH0547870A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Tadahiro Omi | 荷電粒子流照射装置 |
| JPH1012684A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査方法及びその装置 |
| JPH10335399A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Advantest Corp | 試料処理装置および方法 |
| JP2002246296A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | レチクルクリーニング方法、電子線露光装置、電子線露光方法及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020118348A1 (en) | 2002-08-29 |
| US6837936B2 (en) | 2005-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6003526A (en) | In-sit chamber cleaning method | |
| US5601686A (en) | Wafer transport method | |
| JP4916140B2 (ja) | 真空処理システム | |
| KR930011905B1 (ko) | 연속처리에칭방법 및 그 장치 | |
| JP3644036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JPH1050679A (ja) | 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法 | |
| US8257501B2 (en) | Plasma doping device with gate shutter | |
| US20140051255A1 (en) | Copper discoloration prevention following bevel etch process | |
| JP2002525437A (ja) | スパッタ蒸着装置 | |
| WO2000018979A9 (en) | Sputter deposition apparatus | |
| JP2020065079A (ja) | プラズマ処理装置および大気開放方法 | |
| KR100283425B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성공정및그시스템 | |
| KR101432388B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| EP0841689A2 (en) | Method of processing semiconductor substrate | |
| JP2002252261A (ja) | 半導体検査装置及び半導体露光装置 | |
| JPH0860374A (ja) | 処理装置 | |
| JP2741156B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法 | |
| JPH05114582A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2003017478A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| US6500264B2 (en) | Continuous thermal evaporation system | |
| JP2626782B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| KR100489638B1 (ko) | 반도체장치제조설비의건식식각설비 | |
| JP4433570B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US20140377958A1 (en) | Plasma processing method and vacuum processing apparatus | |
| JPH01152629A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070621 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070621 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100621 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |