JP4433570B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、真空中で基板の表面に各種処理を施す基板処理装置及び基板処理方法、特に、洗浄液による洗浄を行う洗浄チャンバーを備えた基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面に各種処理を施す基板処理装置は、ＬＳＩ等の電子デバイスや液晶ディスプレイ等の表示デバイスの製造に盛んに使用されている。このような装置は、エッチング装置やスパッタリング装置、化学蒸着（ＣＶＤ装置）等のように、真空中で基板を処理する処理チャンバーを備えるものが多い。さらに、このような装置のうち、ある種の装置では、洗浄液による洗浄を行う洗浄チャンバーを備えているものがある。
例えば、微細な回路を形成するためのエッチングを行うエッチング装置では、エッチングの際にマスクとなるレジストをアッシング（灰化）して除去した後、残渣の除去のため、基板の洗浄を行う。洗浄は、例えば洗浄液を基板の表面に被着させ、基板を回転させて洗浄液とともに残渣を洗い流すことにより行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の基板処理装置では、洗浄チャンバーで使用される洗浄液が原因で各種の問題が生じている。例えば、洗浄チャンバーで気化したり霧状となった洗浄液が、搬送チャンバーに拡散し、搬送チャンバー内の搬送ロボットに付着すると、搬送ロボットを腐食させ、動作障害の原因となったりすることがある。また、気化したり霧状になったりした洗浄液が、他の処理チャンバーに達すると、その処理チャンバーでの処理の品質を汚損する問題がある。さらに、気化した洗浄液が搬送チャンバーや他の真空チャンバーに拡散すると、搬送チャンバーや他の真空チャンバーの排気特性を阻害する問題もある。
【０００４】
本願の発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、洗浄液による洗浄を行う洗浄チャンバーを備えた基板処理装置において、搬送ロボットの腐食、真空チャンバーにおける排気特性の障害、処理チャンバーにおける処理の品質を汚損等を防止するという技術的意義を有する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処置装置は、処理チャンバーと、前記処理チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系と搬送ロボットが設けられた搬送チャンバーと、前記搬送チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系を備え、かつ基板を乾燥させる乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバーの下側に開口を介して設けられ、基板の洗浄処理が行われる洗浄チャンバーと、を備え、 前記搬送ロボットは、前記処理チャンバー、前記乾燥チャンバー、および前記搬送チャンバーの間で、基板を搬送するものであり、前記乾燥チャンバーは、前記開口を塞ぐ乾燥側弁体と、前記乾燥側弁体を駆動させ、前記開口を開閉させる弁駆動機構を有し、前記洗浄チャンバーは、前記開口を塞ぐ弁体を兼用した基板ホルダーと、前記基板ホルダーを回転運動及び上下運動させるホルダー駆動機構を有することを特徴とする。
また、上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理方法は、処理チャンバーと、前記処理チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系と搬送ロボットが設けられた搬送チャンバーと、前記搬送チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系を備え、かつ基板を乾燥させる乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバーの下側に開口を介して設けられ、基板の洗浄処理が行われる洗浄チャンバーと、
を備え、
前記搬送ロボットは、前記処理チャンバー、前記乾燥チャンバー、および前記搬送チャンバーの間で、基板を搬送するものであり、
前記乾燥チャンバーは、前記開口を塞ぐ乾燥側弁体と、前記乾燥側弁体を移動させ、前記開口を開閉させる弁駆動機構を有し、
前記洗浄チャンバーは、前記開口を塞ぐ弁体を兼用した基板ホルダーと、前記基板ホルダーを回転運動及び上下運動させるホルダー駆動機構を有することを特徴とする基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記ホルダー駆動機構を駆動して前記基板ホルダーを、前記開口を塞ぐ上限位置に移動する移動工程と、排気系により前記乾燥チャンバーを排気する排気工程と、排気された前記乾燥チャンバーの、該上限位置にある前記基板ホルダーの上に、前記搬送ロボットにより、基板を配置する基板配置工程と、前記ホルダー駆動機構により、前記基板ホルダーを下限位置まで下降させる下降工程と、前記弁駆動機構により、前記乾燥側弁体を駆動させ、前記開口を塞ぐ封止工程と、前記洗浄チャンバーで基板を洗浄する洗浄工程と、前記ホルダー駆動機構を動作して基板ホルダーを回転させる回転工程と、前記ホルダー駆動機構を動作して、基板ホルダーを該上限位置まで上昇させる上昇工程と、前記乾燥チャンバーで基板を乾燥させる乾燥工程と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図１は及び図２は本願発明の実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図であり、図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ’における断面図である。本実施形態の装置は、クラスターツール型のチャンバーレイアウトを採用した装置となっている。即ち、図１に示すように、内部に搬送ロボット１１が設けられた搬送チャンバー１が中央にあり、その周囲にロードロックチャンバー２及び複数の処理チャンバー３１，３２がゲートバルブ１０を介して気密に接続されている。
【０００７】
本実施形態の装置の大きな特徴点は、図２に示すように、洗浄液による基板９の洗浄を行う洗浄チャンバー４が設けられているとともに、基板９を乾燥させる乾燥チャンバー５が、洗浄チャンバー４と搬送チャンバー１との間に設けられている点である。具体的には、洗浄チャンバー４の上側に乾燥チャンバー５が接続されており、乾燥チャンバー５が搬送チャンバー１の側方にゲートバルブ１０を介して接続されている。
【０００８】
洗浄チャンバー４は、内部の所定位置に基板９を保持する基板ホルダー４１と、基板ホルダー４１に保持された基板９の表面に洗浄液を供給するノズル４２等を備えている。ノズル４２は、洗浄液を溜めた不図示のタンクと配管によって接続されており、不図示のポンプによって洗浄液を基板９に向けて放出するようになっている。尚、洗浄液としては、純水等の水の他、所定の成分の薬液が使用されることがある。
【０００９】
基板ホルダー４１には、基板ホルダー４１に回転運動と上下運動を行わせるホルダー駆動機構４３が設けられている。基板ホルダー４１の下面には、中心軸上にホルダー駆動棒４１１が設けられている。ホルダー駆動機構４３は、ホルダー駆動棒４１１を介して基板ホルダー４１の回転と上下運動を行うようになっている。ホルダー駆動機構４３は、例えば、モータ等の回転駆動源をホルダー駆動棒４１１に連結し、回転駆動源やホルダー駆動棒４１１を一体に上下動させるよう直線駆動源を設けることで構成できる。尚、回転運動等の際に基板９がずれたり落下したりしないよう、基板９を基板ホルダー４１上に固定する不図示の固定具が設けられている。
また、洗浄チャンバー４は防水構造であって不図示の排水口を備えている。洗浄チャンバー４の底板部には、ホルダー駆動棒４１１の回転及び上下運動を許容しつつ防水する防水シール４４が設けられている。
【００１０】
洗浄チャンバー４の上壁部と乾燥チャンバー５の下壁部とを成すようにして、隔壁６が設けられている。隔壁６には、基板９を通過させる基板通過用開口６０が設けられている。本実施形態の別の大きな特徴点は、この基板通過用開口６０を気密に塞ぐ弁体が設けられており、この弁体として基板ホルダー４１が兼用されている点である。図３は、弁体としての基板ホルダー４１の作用について説明する断面図である。
【００１１】
基板ホルダー４１は、下端部分にフランジ４５を有する。フランジ４５の上面には、Ｏリング等の封止部材を備えた封止部４６を有する。基板通過用開口６０は円形であり、封止部４６は、基板通過用開口６０より少し径の大きい円周状である。基板ホルダー４１がホルダー駆動機構４３により駆動されて上昇し、基板ホルダー４１が基板通過用開口６０内に挿通された状態で停止すると、封止部４６が基板通過用開口６０を取り囲むようにして隔壁６に接触する。ホルダー駆動機構４３が基板ホルダー４１を適当な圧力で押し上げると、封止部４６が隔壁６に圧接され、気密封止が達成される。
【００１２】
また、乾燥チャンバー５は、基板９をヒータ５１により加熱して乾燥させるようになっている。ヒータ５１には、本実施形態では、ランプヒータ５１が使用されている。ランプヒータ５１は、基板通過用開口６０を斜め上方の位置で取り囲むよう設けられている。例えば基板通過用開口６０より径の大きな円環状のヒータランプを使用したり、複数の棒状のヒータランプを円周上又は方形に配置したりする構成が採用できる。
【００１３】
本実施形態の別の大きな特徴点は、乾燥チャンバー５が真空チャンバーになっている点である。即ち、乾燥チャンバー５は、内部を排気する排気系５２を有している。また、乾燥チャンバー５は、内部の圧力を上げたり大気圧に戻したりするためのベントガスを導入するベントガス導入系５３とを備えている。
ベントガス導入系５３は、ベントガスとして乾燥窒素ガスを導入できるようになっている。乾燥窒素ガスは、各種プロセスに用いられる純度が殆ど１００％の窒素ガスではないものの、水分を充分に除去した窒素ガスのことである。
【００１４】
また、乾燥チャンバー５内には、基板通過用開口６０を気密に塞ぐ別の弁体（以下、乾燥側弁体）５４が設けられている。乾燥側弁体５４は、逆さにした浅い円形の皿状の形状である。乾燥側弁体５４の下端の直径は、基板通過用開口６０よりも少し大きく、その下端にＯリング等の封止部材が設けられている。
乾燥側弁体５４の上面には、弁体駆動棒５５が中心軸上に設けられている。駆動棒５５は垂直に延びる部材であり、乾燥チャンバー５の上壁部を貫通している。駆動棒５５の上端には、弁駆動機構５６が設けられている。弁駆動機構５６は、駆動棒５５を介して弁体を上下動させる機構である。弁駆動機構５６には、ボールネジとモータとの組み合わせによる直線運動機構やエアシリンダ等の流体圧シリンダを使用した直線運動機構が使用される。
【００１５】
弁駆動機構５６によって乾燥側弁体５４を下降させ、乾燥側弁体５４の下端を隔壁６に接触される。弁駆動機構５６によって適当な力で乾燥側弁体５４を押し下げると、乾燥側弁体５４の下端の封止部が適当な圧力で隔壁６に接触する。これにより、気密封止が達成される。尚、弁駆動棒５５が乾燥チャンバー５の上壁部を貫通する部分には、弁駆動棒５５の上下動を許容しつつ気密に封止するメカニカルシール等の封止部材５７が設けられている。
【００１６】
次に、本実施形態の装置の他の部分の構成について説明する。
図１に示す搬送チャンバー１も、乾燥チャンバー５と同様の真空チャンバーであり、排気系１２を備えている。搬送チャンバー１内の搬送ロボット１１しては、本実施形態では、多関節ロボットが使用されている。搬送ロボット１１は、多関節アームの先端に基板９を載せて保持し、多関節アームの伸縮、垂直な軸周りの回転、上下運動を行って基板９を搬送するようになっている。
ロードロックチャンバー２は、大気側と搬送チャンバー１との間で搬送される際に基板９が内部に一時的に滞留するチャンバーである。ロードロックチャンバー２内には、基板９を一時的に収容するカセット２１が設けられている。ロードロックチャンバー２も真空チャンバーであり、不図示の排気系を有している。
【００１７】
本実施形態の装置は、レジストで形成された回路パターンをマスクとしてエッチングを行う装置となっている。即ち、処理チャンバーの一つは、エッチングチャンバー３１となっている。
エッチングチャンバー３１は、フッ素系ガスのプラズマにより基板９の表面をエッチングするようになっている。エッチングチャンバー３１は、内部を排気する不図示の排気系と、四フッ化炭素（ＣＦ_４）のようなフッ素系ガスを導入する不図示のガス導入系と、導入されたガスに高周波放電を生じさせてプラズマを形成する不図示の高周波電極と、高周波電極に高周波電力を供給する不図示の高周波電源と、エッチングチャンバー３１内の所定位置に基板９を保持する不図示の基板ホルダー等を備えている。
高周波放電により形成されたフッ素系ガスのプラズマ中では、フッ素活性種やフッ素イオンが盛んに形成され、このフッ素活性種やフッ素イオンが基板９の表面に到達することにより、基板９の表面の酸化シリコンなどの材料がエッチングされる。尚、電界を設定して基板９の表面にイオンを加速して入射させながらエッチングする反応性イオンエッチングが行われることもある。
【００１８】
また、他の処理チャンバーは、エッチング後にレジストをアッシングして除去するアッシングチャンバー３２となっている。アッシングチャンバー３２は、酸素ガスのプラズマによりレジストをアッシングするものとなっている。
アッシングチャンバー３２は、内部を排気する不図示の排気系と、酸素ガスを導入する不図示のガス導入系と、導入された酸素ガスに高周波放電を生じさせてプラズマを形成する不図示の高周波電極と、高周波電極に高周波電力を供給する不図示の高周波電源と、アッシングチャンバー３２内の所定位置に基板９を保持する不図示の基板ホルダー等を備えている。
高周波放電により形成された酸素ガスのプラズマ中では、同様に酸素活性種や酸素イオンが盛んに形成され、これら活性種やイオンがレジストを酸化させることによりレジストがアッシングされる。即ち、レジストが分解酸化されて揮発物となり、基板９の表面から除去される。
【００１９】
次に、上記構成である本実施形態の基板処理装置の全体の動作について説明する。
未処理の基板９は、大気側に置かれた不図示の外部カセットに収容されている。この外部カセットとロードロックチャンバー２との間で基板９を搬送する不図示のオートローダが設けられており、未処理の基板９はオートローダにより外部カセットからロードロックチャンバー２に搬送され、カセット２１に一時的に収容される。
【００２０】
搬送チャンバー１内の搬送ロボット１１は、カセット２１から基板９を一枚ずつ取り出し、エッチングチャンバー３１に送る。エッチングチャンバー３１では、フッ素系ガスのプラズマにより基板９のエッチングが行われる。搬送ロボット１１は、エッチングされた基板９をアッシングチャンバー３２に送る。アッシングチャンバー３２では、酸素ガスのプラズマによりレジストのアッシングが行われる。
【００２１】
搬送ロボット１１は、アッシング処理が終了した基板９を洗浄チャンバー４に送る。より詳しく説明すると、基板ホルダー４１は、ホルダー駆動機構４３により、図２に示す下限位置から図３に示す上限位置に予め移動している。そして、フランジ４５に設けられた封止部４６は、基板通過用開口６０を気密に封止している。また、乾燥チャンバー５内は、排気系５２により約１０Ｐａ程度まで排気されている。この状態で、搬送チャンバー１と乾燥チャンバー５との間のゲートバルブ（以下、乾燥側ゲートバルブ）１０が開き、搬送ロボット１１が基板９を基板ホルダー４１に渡して基板ホルダー４１の上面に載置する。基板ホルダー４１には、昇降ピンのような基板受け渡し機構が必要に応じて設けられる。
【００２２】
そして、乾燥側ゲートバルブ１０が閉じられた後、ベントガス導入系５３が動作して、乾燥チャンバー５内にベントガスを大気圧程度まで導入する。次に、ホルダー駆動機構４３が動作して、基板ホルダー４１を図２に示す下限位置まで再び下降させる。そして、弁駆動機構５６が動作して乾燥側弁体５４が下降し、図２に示すように基板通過用開口６０を気密に塞ぐ状態となる。その後、洗浄液がノズル４２から放出されて基板９に供給され、レジストの残渣の洗浄除去が行われる。そして、ホルダー駆動機構４３が動作して基板ホルダー４１を回転させる。これにより、基板９も回転し、基板９の表面の洗浄液が飛ばされて除去される。回転数は、１２００ｒｐｍ程度で良い。
【００２３】
次に、ホルダー駆動機構４３が再び動作して図３に示す上限位置まで基板ホルダー４１を上昇させる。この際、フランジ４５の封止部４６が同様に基板通過用開口６０を気密に塞ぐ。また、並行して、ヒータ５１が動作を開始し、輻射線の到達などにより基板９が例えば１００℃程度まで加熱される。尚、この加熱の際の乾燥チャンバー５内の圧力は大気圧程度であり、従って、輻射加熱の他、対流等による加熱も期待できる。
【００２４】
所定時間加熱を行った後、排気系５２を動作させて、乾燥チャンバー５内を再び約１０Ｐａ程度に排気する。そして、ヒータ５１を停止させた後、乾燥側ゲートバルブ１０を開け、搬送ロボット１１により基板９を基板ホルダー４１から取り去り、乾燥チャンバー５から搬出させる。基板９は、搬送チャンバー１を経てロードロックチャンバー２に搬送され、カセット２１に一時的に収容される。その後、基板９は、不図示のオートローダにより大気側の不図示の外部カセットに搬出される。このようにして、基板９を一枚ずつ、エッチングチャンバー３１、アッシングチャンバー３２、洗浄チャンバー４、乾燥チャンバー５に搬送して順次処理を行う。
【００２５】
上記説明から解る通り、本実施形態の装置では、洗浄液による洗浄後、基板９が熱により乾燥処理されるので、基板９を介して洗浄液の飛沫等が搬送チャンバー１や他の真空チャンバーに運ばれることが無い。このため、搬送ロボット１１の洗浄液による腐食、洗浄液による処理の品質の汚損、気化した洗浄液による排気特性の悪化等の問題が生じない。
【００２６】
また、気化した洗浄液は、基板通過用開口６０を経由して乾燥チャンバー５内に達することは避けられないが、基板通過用開口６０を基板ホルダー４１により気密に塞ぐとともに乾燥側ゲートバルブ１０を閉めた状態で乾燥チャンバー５内を充分に排気した後、乾燥側ゲートバルブ１０が開けて基板９を搬出するので、気化した洗浄液が乾燥チャンバー５から搬送チャンバー１に拡散するのが抑制される。尚、基板通過用開口６０を塞ぐ弁体に基板ホルダー４１を兼用する構成は、弁体を別途設ける場合に比べて構造的に簡略になる長所がある。
【００２７】
また、基板９の加熱の際には、大気圧にしているので、終始真空中で加熱する場合に比べて加熱の効率が良く、乾燥を短時間に完了できる。尚、大気圧まで圧力を上昇させる必要が無い場合もある。つまり、乾燥側ゲートバルブ１０を開ける際の圧力である約１０Ｐａよりは高いが、大気圧よりは低い真空圧力で加熱する場合もある。これでも、加熱効率の向上は充分に期待できる場合もある。
【００２８】
さらに、洗浄液を基板９に供給して洗浄を行う際、基板通過用開口６０は乾燥側弁体５４によって気密に塞がれるので、基板通過用開口６０を通して洗浄液の飛沫やミスト、気化した洗浄液等が乾燥チャンバー５内に移動するのが防止される。このため、乾燥チャンバー５内に多量の洗浄液が持ち込まれることによる乾燥チャンバー５内の排気特性の低下が防止される。
【００２９】
また、洗浄チャンバー４の上側に乾燥チャンバー５が設けられる構成は、乾燥チャンバー５が洗浄チャンバー４の横に設けられる構成に比べ、占有面積が小さくできるメリットがある。また、構造も簡単になることから、部品点数の低減等により装置のコストを下げるメリットもある。
【００３０】
上述した実施形態では、搬送チャンバー１と洗浄チャンバー４との間の基板９の搬送が、搬送ロボット１１の動作と基板ホルダー４１の上下動により行われるものであったが、乾燥チャンバー５と洗浄チャンバー４との間の基板の搬送に専用の搬送機構を設けるようにしても良い。例えば、特開平１１−２０００３４号公報の図４に開示されているような機構を採用することができる。
【００３１】
また、搬送チャンバー１、ロードロックチャンバー２、処理チャンバー３１，３２、乾燥チャンバー５に設けられた排気系は、専用のものとすることも可能であるし、二以上のチャンバーを排気するよう兼用のものとすることも可能である。従って、例えば乾燥チャンバー５が専用の排気系を備えていることは、必須の条件ではない。
【００３２】
上述した実施形態では、排気系５２が乾燥チャンバー５を排気する際に基板通過用開口６０を気密に塞ぐ弁体として基板ホルダー４１が兼用されたが、別途専用の弁体を設けても良い。また、乾燥チャンバー５の排気時に基板通過用開口６０を気密に塞ぐ弁体と、洗浄時に基板通過用開口を塞ぐ弁体（本実施形態では乾燥側弁体５４）と、一つの弁体によって兼用しても良い。即ち、基板通過用開口６０の部分に、通常用いられるゲートバルブを設けても良い。
【００３３】
上述した説明では、基板処理の例としてエッチング処理が採り上げられたが、洗浄液による洗浄を行う工程があるものであれば、他の処理にも適用が可能である。例えば、フォトリソグラフィ後にレジストを現像液によって現像する現像処理が挙げられる。
また、基板９の例としても、ＬＳＩ製造用の半導体ウェーハの他、フォトマスク製造用のガラス基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイを製造する際のガラス基板、プリント配線盤用の基板等を処理対象にすることができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１記載の発明によれば、洗浄チャンバーで洗浄された後に基板が乾燥されて搬送チャンバーに搬送されるので、基板を介して洗浄液の飛沫等が搬送チャンバーや他の真空チャンバーに運ばれることが無い。また、乾燥チャンバー内が搬送チャンバー内の空間と連通する際には乾燥チャンバー内は真空雰囲気に維持されるので、気化した洗浄液が乾燥チャンバーから搬送チャンバーに拡散するのが抑制される。このため、搬送ロボットの洗浄液による腐食、洗浄液による処理の品質の汚損、気化した洗浄液による排気特性の悪化等の問題が生じない。
また、請求項２記載の発明によれば、上記効果に加え、乾燥チャンバーが洗浄チャンバーの上側に配置されているので、占有面積が小さく、コストの安い装置となるという効果が得られる。
また、請求項３記載の発明によれば、上記効果に加え、排気系が乾燥チャンバー内を排気する際に基板通過用開口を気密に塞ぐ弁体を備えているので、排気系による排気を充分行うことができる。このため、気化した洗浄液の搬送チャンバー等への拡散がさらに抑制できる。
また、請求項４記載の発明によれば、上記効果に加え、基板通過用開口を塞ぐ弁体に基板ホルダーが兼用されているので、弁体を別途設ける場合に比べて構造的に簡略になる長所がある。
また、請求項５記載の発明によれば、上記効果に加え、洗浄液を基板に供給して洗浄を行う際、基板通過用開口が弁体によって気密に塞がれるので、基板通過用開口を通して洗浄液の飛沫やミスト、気化した洗浄液等が乾燥チャンバー内に移動するのが防止される。このため、乾燥チャンバー内に多量の洗浄液が持ち込まれることによる乾燥チャンバー内の排気特性の低下が防止される。
また、請求項６記載の発明によれば、上記効果に加え、基板の加熱の際に乾燥チャンバー内を圧力を上昇させることができる。このため、加熱効率を向上させて乾燥を短時間に完了させることがきる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態の基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’における断面図である。
【図３】弁体としての基板ホルダー４１の作用について説明する断面図である。
【符号の説明】
１ 搬送チャンバー
１１ 搬送ロボット
１２ 排気系
２ ロードロックチャンバー
３１ エッチングチャンバー
３２ アッシングチャンバー
４ 洗浄チャンバー
４１ 基板ホルダー
４２ ノズル
４３ ホルダー駆動機構
４６ 封止部
５ 乾燥チャンバー
５１ ヒータ
５２ 排気系
５３ ベントガス導入系
６ 隔壁
６０ 基板通過用開口

Claims (8)

1. 処理チャンバーと、
   前記処理チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系と搬送ロボットが設けられた搬送チャンバーと、
   前記搬送チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系を備え、かつ基板を乾燥させる乾燥チャンバーと、
   前記乾燥チャンバーの下側に開口を介して設けられ、基板の洗浄処理が行われる洗浄チャンバーと、
   を備え、
   前記搬送ロボットは、前記処理チャンバー、前記乾燥チャンバー、および前記搬送チャンバーの間で、基板を搬送するものであり、
   前記乾燥チャンバーは、前記開口を塞ぐ乾燥側弁体と、前記乾燥側弁体を移動させ、前記開口を開閉させる弁駆動機構を有し、
   前記洗浄チャンバーは、前記開口を塞ぐ弁体を兼用した基板ホルダーと、前記基板ホルダーを回転運動及び上下運動させるホルダー駆動機構を有することを特徴とする基板処理装置。
2. 
   前記乾燥チャンバーは、前記開口の斜め上方の位置で取り囲むように配置されたランプヒータを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記洗浄チャンバーは、洗浄液を供給するノズルを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記乾燥チャンバーは、ベントガスを導入するベントガス導入系を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記弁駆動機構は、前記乾燥チャンバー外部に設けられ、前記乾燥チャンバーの上壁を貫通した駆動棒を介して前記乾燥側弁体を上下動させる機構であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記基板ホルダーは、下端部分にフランジを有し、該フランジの上面には、封止部材を備えた封止部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
7. 処理チャンバーと、前記処理チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系と搬送ロボットが設けられた搬送チャンバーと、前記搬送チャンバーとゲートバルブを介して接続され、排気系を備え、かつ基板を乾燥させる乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバーの下側に開口を介して設けられ、基板の洗浄処理が行われる洗浄チャンバーと、
   を備え、
   前記搬送ロボットは、前記処理チャンバー、前記乾燥チャンバー、および前記搬送チャンバーの間で、基板を搬送するものであり、
   前記乾燥チャンバーは、前記開口を塞ぐ乾燥側弁体と、前記乾燥側弁体を移動させ、前記開口を開閉させる弁駆動機構を有し、
   前記洗浄チャンバーは、前記開口を塞ぐ弁体を兼用した基板ホルダーと、前記基板ホルダーを回転運動及び上下運動させるホルダー駆動機構を有することを特徴とする基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
   前記ホルダー駆動機構を駆動して前記基板ホルダーを、前記開口を塞ぐ上限位置に移動する移動工程と、
   排気系により前記乾燥チャンバーを排気する排気工程と、
   排気された前記乾燥チャンバーの、該上限位置にある前記基板ホルダーの上に、前記搬送ロボットにより、基板を配置する基板配置工程と、
   前記ホルダー駆動機構により、前記基板ホルダーを下限位置まで下降させる下降工程と、
   前記弁駆動機構により、前記乾燥側弁体を駆動させ、前記開口を塞ぐ封止工程と、
   前記洗浄チャンバーで基板を洗浄する洗浄工程と、
   前記ホルダー駆動機構を動作して基板ホルダーを回転させる回転工程と、
   前記ホルダー駆動機構を動作して、基板ホルダーを該上限位置まで上昇させる上昇工程と、
   前記乾燥チャンバーで基板を乾燥させる乾燥工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
8. 前記乾燥工程後、前記乾燥チャンバーを再び排気する再排気工程と、
   前記搬送ロボットにより、基板を前記乾燥チャンバーから搬出する搬出工程と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。

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