JP5898549B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5898549B2 JP5898549B2 JP2012077130A JP2012077130A JP5898549B2 JP 5898549 B2 JP5898549 B2 JP 5898549B2 JP 2012077130 A JP2012077130 A JP 2012077130A JP 2012077130 A JP2012077130 A JP 2012077130A JP 5898549 B2 JP5898549 B2 JP 5898549B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- etching
- gate
- silylating agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 412
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 90
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 124
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 100
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims description 79
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 27
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 40
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 38
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 32
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 10
- 239000003570 air Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XCOBLONWWXQEBS-KPKJPENVSA-N N,O-bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide Chemical compound C[Si](C)(C)O\C(C(F)(F)F)=N\[Si](C)(C)C XCOBLONWWXQEBS-KPKJPENVSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSPCIZMDDUQPGJ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-N-(trimethylsilyl)trifluoroacetamide Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)C(=O)C(F)(F)F MSPCIZMDDUQPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N trimethylsilyl (1z)-n-trimethylsilylethanimidate Chemical compound C[Si](C)(C)OC(/C)=N\[Si](C)(C)C SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl iodide Substances C[Si](C)(C)I CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0225—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/06—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying two different liquids or other fluent materials, or the same liquid or other fluent material twice, to the same side of the work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
- B05C9/12—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation the auxiliary operation being performed after the application
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
- B05C9/14—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation the auxiliary operation involving heating or cooling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
- B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
- B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
- B44C1/227—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Description
そこで、この発明の目的は、選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明によれば、エッチング剤の供給によって基板がエッチングされる前に、シリル化剤の供給によって基板がシリル化される。したがって、シリル化された基板がエッチングされる。後述するように、酸化膜と窒化膜とが形成された基板をシリル化することにより、酸化膜がエッチングされることを抑制することができる。したがって、シリル化された基板をエッチングすることにより、選択比(窒化膜の除去量/酸化膜の除去量)を向上することができる。
この発明では、水分除去工程の後にシリル化工程が行われるので、シリル化剤が基板表面に吸着されている水分と反応することを抑制でき、その結果、基板表面の酸化膜とシリル化剤との反応が効率的に生じ、酸化膜を覆う保護膜が形成される。その状態でエッチングを行うことによって、基板上の窒化膜を高い選択性で選択エッチングできる。
請求項3記載の発明は、前記エッチング剤は、エッチング成分を有するベーパである、請求項1または2に記載の基板処理方法である。エッチング成分は、請求項4に記載されているように、フッ酸(HF:フッ化水素)であってもよい。
前記基板処理方法は、前記エッチング工程が行われた後に、リンス液を前記基板に供給するリンス工程と、前記リンス工程が行われた後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程とをさらに含んでいてもよい。
また、前記基板処理方法は、前記シリル化工程と並行して行われる工程であって、前記基板を加熱する加熱工程をさらに含んでいてもよい。この場合、基板の温度が上昇するから、基板に供給されたシリル化剤の温度の低下を抑制できる。したがって、シリル化剤の活性が温度の変化に伴って変化する場合でも、シリル化剤の活性を安定させることができる。さらに、基板の温度が、当該基板に供給されたシリル化剤の温度よりも高い場合には、基板に供給されたシリル化剤の温度を上昇させることができる。したがって、シリル化剤の活性が温度の上昇に伴って高まる場合には、シリル化剤の活性を高めることができる。
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハ等の円形の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、インデクサブロック2と、インデクサブロック2に結合された処理ブロック3と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置4とを備えている。
基板処理装置1の稼働中、制御装置4は、ヒータ10への通電制御を実行し、ホットプレート9を予め定める高温(室温よりも高い温度)に制御している。さらに、制御装置4は、不活性ガスバルブ24を開いてチャンバ8内の処理空間に不活性ガスを導入するとともに、排気バルブ21を開いてチャンバ8内の雰囲気を排気する。
基板保持台34に関連して、基板保持台34に対して基板Wを昇降させる複数本(たとえば、3本)のリフトピン39が設けられている。複数本のリフトピン39は、チャンバ28の底壁32に挿通され、チャンバ28外において、共通の支持部材40に支持されている。支持部材40には、シリンダを含むリフトピン昇降機構41が結合されている。リフトピン昇降機構41は、複数本のリフトピン39の先端が基板保持台34の上方に突出する位置と、複数本のリフトピン39の先端が基板保持台34の下方に退避する位置との間で、複数本のリフトピン39を一体的に昇降させる。
センターロボットCRは、シリル化ユニット7b内に基板Wを搬入する。シリル化ユニット7b内への基板Wの搬入に先立ち、ゲート開閉機構44が制御装置4によって駆動される。これにより、ゲートシャッタ43が開放位置に配置され、ゲート42が開放される。ゲート42が開放されている間、側方ガスバルブ46が制御装置4によって開かれて、側方導入管45からチャンバ28内に窒素ガスが導入される。さらに、ゲート側排気バルブ57が制御装置4によって開かれて、チャンバ28内の雰囲気がゲート側排気口55から排気される。これにより、基板保持台34のゲート42と反対側、つまり側壁30側からゲート42へ向かう窒素ガスの気流がチャンバ28内に形成され、この気流によって、チャンバ28の外部の雰囲気がチャンバ28内に流入することが防止される。ゲート42が開放されている間、シリル化剤バルブ49、上方ガスバルブ50および周囲排気バルブ54は閉じられている。
次に、エッチングユニット7cによって行われる基板Wの処理例について説明する。具体的には、窒化膜の一例であるLP−SiN(Low Pressure -Silicon Nitride)の薄膜が形成されたシリコン基板の表面にフッ化水素を含む蒸気を供給して、LP−SiNの薄膜をエッチングする処理について説明する。
スピンチャック98は、基板Wを水平に保持して当該基板Wの中心を通る鉛直軸線まわりに回転可能な円盤状のスピンベース102と、このスピンベース102を鉛直軸線まわりに回転させるスピンモータ103とを含む。スピンチャック98は、基板Wを水平方向に挟んで当該基板Wを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)を吸着することにより当該基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図5の例では、スピンチャック98は、挟持式のチャックである。スピンチャック98は、基板Wを水平に保持する。
センターロボットCRは、洗浄ユニット7d内に基板Wを搬入する。洗浄ユニット7d内への基板Wの搬入に先立ち、ゲート開閉機構111が制御装置4によって駆動される。これにより、ゲートシャッタ110が開放位置に配置され、チャンバ101の開口108が開放される。その後、センターロボットCRが、チャンバ101内に基板Wを搬入し、この基板Wをスピンチャック98上に載置する。制御装置4は、センターロボットCRによってスピンチャック98上に基板Wを載置させた後、チャンバ101内からセンターロボットCRを退避させる。その後、ゲート開閉機構111が制御装置4によって駆動され、ゲートシャッタ110が閉鎖位置に配置される。これにより、チャンバ101の開口108がゲートシャッタ110により密閉される。チャンバ101の開口108が密閉された後、制御装置4は、スピンモータ103を制御することにより、スピンチャック98に保持された基板Wを回転させる。
図13は、この発明の第5実施形態に係る基板処理装置501のレイアウトを示す図解的な平面図である。図13において、図1の対応部分には同一参照符号を付す。この第5実施形態と前述の第1実施形態との主要な相違点は、処理ユニットの構成が異なることである。すなわち、この第5の実施形態では、複数の処理ユニットが、基板Wに吸着した水分を除去した後に基板Wの表面をシリル化し、その後に、基板Wに対してエッチング処理を行い、さらにその後に基板Wの表面の薬液成分を洗い流す洗浄処理を実行する水分除去・シリル化・エッチング・洗浄ユニット7hを含む。水分除去・シリル化、エッチング・洗浄ユニット7hは、基板Wを加熱して吸着水分を蒸発させるベーク処理の後、基板Wの表面をシリル化し、その後にエッチング処理を行い、さらにその後に基板Wの洗浄処理を行うベーク・シリル化・エッチング・洗浄ユニットであってもよい。
図14は、この発明の第6実施形態に係る基板処理装置601のレイアウトを示す図解的な平面図である。図14において、図1の対応部分には同一参照符号を付す。この第6実施形態と前述の第1実施形態との主要な相違点は、処理ユニットの配置が異なることである。具体的には、第6実施形態に係る基板処理装置601は、一つの水分除去ユニット7aと、一つのシリル化ユニット7bと、1つのエッチングユニット7cと、1つの洗浄ユニット7dとを含み、これらが、平面視において、センターロボットCRを取り囲むように配置されている。第1の実施形態では、水分除去ユニット7aが、センターロボットCRに対してインデクサブロック2とは反対側の流体バルブボックス27,27の間に配置されている。これに対して、第6の実施形態に係る基板処理装置601は、水分除去ユニット7aが、インデクサブロック2側の一つの流体バルブボックス26に隣接して配置されている。この構成によっても、前述の第1の実施形態の場合と同様の処理が可能である。ただし、この実施形態ではエッチングユニット7cが一つだけであるのに対して、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、2つのエッチングユニット7cを備えているので、第1の実施形態の構成の方が生産性に優れている。
また、前述の実施形態では、水分除去工程、シリル化工程およびエッチング工程はそれぞれ1回ずつ行われているが、水分除去工程、シリル化工程およびエッチング工程が行われた基板Wに対して、再び水分除去工程、シリル化工程およびエッチング工程が行われてもよい。シリル化剤の供給によって酸化膜のエッチングは抑制されるが、エッチング工程が長時間行われると、酸化膜のエッチングを抑制する効果が時間の経過とともに低下し、選択比が低下するおそれがある。そのため、長時間のエッチング工程が行われる場合は、エッチング工程の間に再度水分除去工程およびシリル化工程を行うことにより、エッチング工程において高い選択比を維持することができる。
C キャリア
CR センターロボット
1 基板処理装置(第1の実施形態)
2 インデクサブロック
3 処理ブロック
4 制御装置
5 キャリア保持部
6 IR移動機構
7 処理ユニット
7a 水分除去ユニット
7b シリル化ユニット
7c エッチングユニット
7d 洗浄ユニット
7e 水分除去・シリル化ユニット
7f シリル化・エッチングユニット
7g 水分除去・シリル化・エッチングユニット
7h 水分除去・シリル化・エッチング・洗浄ユニット
9 ホットプレート
9A 基板保持台
10 ヒータ
19 排気口
20 排気管
21 排気バルブ
34 基板保持台
37 ヒータ
38 均熱リング
48 シリル化剤導入管
49 シリル化剤バルブ
64 HFベーパ発生容器
68 ホットプレート
91 真空装置
93 加熱用ランプ
98 スピンチャック
100 リンス液ノズル
103 スピンモータ
201 基板処理装置(第2の実施形態)
301 基板処理装置(第3の実施形態)
401 基板処理装置(第4の実施形態)
501 基板処理装置(第5の実施形態)
601 基板処理装置(第6の実施形態)
Claims (7)
- 基板から水分を除去する水分除去工程と、
前記水分除去工程の後に、シリル化剤を基板に供給するシリル化工程と、
前記シリル化工程の後に、エッチング剤を前記基板に供給するエッチング工程とを含み、
前記シリル化工程が、基板を保持する基板保持台と、基板を搬入するためのゲートが形成された第1の側壁と、前記基板保持台に対して前記ゲートと反対側に配置された第2の側壁と、前記基板保持台の周囲に周囲排気口が形成され、前記周囲排気口の外側において前記第1の側壁に沿ってゲート側排気口が形成された底壁と、前記底壁に対向する上壁とを含むチャンバ内で実行され、
基板を前記チャンバに搬入するときには前記第2の側壁側から前記チャンバ内に不活性ガスを導入しながら前記ゲート側排気口から排気することによって前記第2の側壁側から前記ゲートに向かう気流を形成させ、
前記シリル化工程においては、前記チャンバの上壁から前記チャンバ内にシリル化剤を導入しながら前記周囲排気口から排気することによって前記基板保持台に保持された基板の上面にシリル化剤を供給する、基板処理方法。 - 前記基板は、窒化膜および酸化膜が露出した表面を有しており、
前記エッチング工程は、前記エッチング剤によって前記窒化膜を選択的にエッチングする選択エッチング工程である、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記エッチング剤は、エッチング成分を有するベーパである、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング成分が、フッ酸である、請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記水分除去工程は、基板を加熱する加熱工程、基板周辺の気圧を低下させる減圧工程、および基板に光を照射する照射工程のうちの少なくとも一つを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板から水分を除去する水分除去手段と、
基板にシリル化剤を供給するシリル化剤供給手段と、
基板にエッチング剤を供給するエッチング剤供給手段と、
基板を保持する基板保持台と、基板を搬入するためのゲートが形成された第1の側壁と、前記基板保持台に対して前記ゲートと反対側に配置された第2の側壁と、前記基板保持台の周囲に周囲排気口が形成され、前記周囲排気口の外側において前記第1の側壁に沿ってゲート側排気口が形成された底壁と、前記底壁に対向する上壁とを含むチャンバと、
前記第2の側壁側から前記チャンバ内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、
前記水分除去手段を制御することにより、基板から水分を除去する水分除去工程を実行し、前記シリル化剤供給手段を制御することにより、前記水分除去工程の後に、前記基板にシリル化剤を供給するシリル化工程を前記チャンバ内で実行し、前記エッチング剤供給手段を制御することにより、前記シリル化工程の後に、前記基板にエッチング剤を供給するエッチング工程を実行する制御手段とを含み、
前記シリル化剤供給手段が、前記上壁から前記チャンバ内にシリル化剤を導入するシリル化剤導入手段を含み、
前記制御手段が、基板を前記チャンバに搬入するときには前記不活性ガス導入手段から前記チャンバ内に不活性ガスを導入しながら前記ゲート側排気口から排気することによって前記第2の側壁側から前記ゲートに向かう気流を形成させ、前記シリル化工程に際しては、前記シリル化剤導入手段によって前記上壁から前記チャンバ内にシリル化剤を導入しながら前記周囲排気口から排気することによって前記基板保持台に保持された基板の上面にシリル化剤を供給させる、基板処理装置。 - 前記水分除去手段は、基板を加熱する加熱手段、基板に光を照射する照射手段、および基板周辺の気圧を低下させる減圧手段のうちの少なくとも一つを含む、請求項6に記載の基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077130A JP5898549B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN201210360017.9A CN103367111B (zh) | 2012-03-29 | 2012-09-24 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
KR1020120121246A KR101405700B1 (ko) | 2012-03-29 | 2012-10-30 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US13/687,454 US8883026B2 (en) | 2012-03-29 | 2012-11-28 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
TW101146836A TWI484547B (zh) | 2012-03-29 | 2012-12-12 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
US14/501,414 US20150020967A1 (en) | 2012-03-29 | 2014-09-30 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012077130A JP5898549B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016041797A Division JP6236105B2 (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013207220A JP2013207220A (ja) | 2013-10-07 |
JP5898549B2 true JP5898549B2 (ja) | 2016-04-06 |
Family
ID=49233475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012077130A Active JP5898549B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8883026B2 (ja) |
JP (1) | JP5898549B2 (ja) |
KR (1) | KR101405700B1 (ja) |
CN (1) | CN103367111B (ja) |
TW (1) | TWI484547B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7896967B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
EP2698246A1 (en) * | 2011-04-11 | 2014-02-19 | Asahi Glass Company, Limited | Functional article, article for transport equipment, article for construction, and composition for coating |
JP5821784B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体 |
JP6317547B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2018-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6320762B2 (ja) | 2014-01-15 | 2018-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9814097B2 (en) * | 2014-04-14 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Baking apparatus for priming substrate |
JP6440111B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2018-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
CN105826219B (zh) | 2015-01-23 | 2019-01-04 | 株式会社思可林集团 | 基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴 |
JP6546520B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2019-07-17 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6706935B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2020-06-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR101874822B1 (ko) * | 2016-04-01 | 2018-07-06 | 주식회사 테스 | 실리콘산화막의 선택적 식각 방법 |
US10612135B2 (en) * | 2016-07-19 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Method and system for high temperature clean |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6870944B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2021-05-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7034645B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-03-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102030068B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2019-10-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102099433B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2020-04-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN111162026B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-04-15 | 绍兴华立电子有限公司 | 一种蚀刻后的表面防氧化处理装置 |
WO2023234368A1 (ja) * | 2022-06-02 | 2023-12-07 | セントラル硝子株式会社 | 基材の処理方法、および基材の製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5279705A (en) * | 1990-11-28 | 1994-01-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film |
US5695661A (en) | 1995-06-07 | 1997-12-09 | Micron Display Technology, Inc. | Silicon dioxide etch process which protects metal |
US5954911A (en) | 1995-10-12 | 1999-09-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing using vapor mixtures |
US6065481A (en) | 1997-03-26 | 2000-05-23 | Fsi International, Inc. | Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance |
JP2002353205A (ja) | 2000-08-28 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるウェハ処理装置並びに半導体装置 |
WO2002058126A1 (fr) | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement |
JP3526284B2 (ja) | 2001-07-13 | 2004-05-10 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板表面の処理方法 |
JP4099092B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ |
TW559999B (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-01 | Nec Corp | Semiconductor device having silicon-including metal wiring layer and its manufacturing method |
US7645704B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures |
US7892357B2 (en) | 2004-01-12 | 2011-02-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas distribution plate assembly for plasma reactors |
JP4513329B2 (ja) | 2004-01-16 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR100550342B1 (ko) | 2004-02-24 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 샤워 헤드를 구비하는반도체 기판 가공 장치 |
JP5057647B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
KR20060070659A (ko) * | 2004-12-21 | 2006-06-26 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Barc 실리레이션를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US7723236B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Gas setting method, gas setting apparatus, etching apparatus and substrate processing system |
US7297639B2 (en) | 2005-09-01 | 2007-11-20 | Micron Technology, Inc. | Methods for etching doped oxides in the manufacture of microfeature devices |
JP2007134690A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液 |
US7776754B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method and chemical fluid used for manufacturing semiconductor device |
JP5019741B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および基板処理システム |
US7896967B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
US7368394B2 (en) | 2006-02-27 | 2008-05-06 | Applied Materials, Inc. | Etch methods to form anisotropic features for high aspect ratio applications |
JP2007258405A (ja) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7566664B2 (en) | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
DE112007000177T5 (de) * | 2006-09-07 | 2008-10-23 | Tokyo Electron Limited | Substratbearbeitungsverfahren und Speichermedium |
KR100781876B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2007-12-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
JP2007184639A (ja) * | 2007-03-26 | 2007-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7838425B2 (en) | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP4708465B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
WO2010052684A2 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | Nxp B.V. | Mems devices |
JP2010287655A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4975838B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2012-07-11 | 株式会社東芝 | マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル |
JP5693941B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-04-01 | 株式会社東芝 | テンプレートの表面処理方法及び装置並びにパターン形成方法 |
JP5782279B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077130A patent/JP5898549B2/ja active Active
- 2012-09-24 CN CN201210360017.9A patent/CN103367111B/zh active Active
- 2012-10-30 KR KR1020120121246A patent/KR101405700B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-28 US US13/687,454 patent/US8883026B2/en active Active
- 2012-12-12 TW TW101146836A patent/TWI484547B/zh active
-
2014
- 2014-09-30 US US14/501,414 patent/US20150020967A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013207220A (ja) | 2013-10-07 |
US20150020967A1 (en) | 2015-01-22 |
TW201344777A (zh) | 2013-11-01 |
KR20130111175A (ko) | 2013-10-10 |
CN103367111B (zh) | 2017-10-03 |
US8883026B2 (en) | 2014-11-11 |
KR101405700B1 (ko) | 2014-06-10 |
US20130256267A1 (en) | 2013-10-03 |
TWI484547B (zh) | 2015-05-11 |
CN103367111A (zh) | 2013-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5898549B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5782279B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100810163B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 시스템 및 기록 매체 | |
KR20190096314A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5917861B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US10964558B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP2012222329A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
JP6722551B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2019046893A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009188411A (ja) | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム | |
JP6236105B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI734876B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板 | |
JP2007096103A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2019159761A1 (ja) | 基板処理システム、基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2005353978A (ja) | シリル化処理装置およびシリル化処理方法 | |
KR102553420B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6216404B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP3884610B2 (ja) | 基板表面処理方法および基板表面処理装置 | |
TW202414571A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TW202301424A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2005175053A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005183694A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006156665A (ja) | 基板洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160304 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5898549 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |