JP6870944B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理するための基板処理装置が用いられる。
このような基板処理装置として、基板を加熱処理するベークユニットと、加熱処理後の基板に薬液（エッチング液や洗浄液）を供給して液処理する液処理ユニットとを、装置本体内に含むものがある（特許文献１参照）。

特開２０１３‐２０７２２０号公報

このような基板処理装置では、ベークユニットからの熱が、液処理ユニット、または当該液処理ユニットに薬液を供給するための処理液供給装置に伝わって、薬液の液温が変化するなど、液処理に熱が影響するおそれがある。薬液の温度の変化は、液処理の処理レートの変化をもたらし、液処理における処理ムラの一因にもなる。そのため、液処理チャンバにおいて、ベークチャンバ（ベークユニット）からの熱影響を排除した状態で液処理を行うことが望ましい。

そこで、この発明の一つの目的は、ベークチャンバからの熱影響を排除した状態で液処理を行うことができる基板処理装置を提供することである。

この発明は、内部で基板を加熱処理するベークチャンバであって、所定方向に複数個積層されたベークチャンバと、前記ベークチャンバとは別の液処理チャンバを有し、基板に処理液を用いた液処理を施す処理ユニットと、前記複数のベークチャンバの側方を包囲して、前記ベークチャンバをその周囲から熱隔離および雰囲気遮断する包囲隔離空間とを含む、基板処理装置を提供する。

この構成によれば、積層された複数のベークチャンバの側方を包囲する包囲隔離空間によって、ベークチャンバからベークチャンバの周囲の部材が熱隔離される。したがって、ベークチャンバからの熱が、液処理ユニットにおける液処理に影響を与えることを抑制または防止できる。これにより、ベークチャンバからの熱影響を排除した状態で液処理を行うことができ、ゆえに、液処理における処理ムラの発生を防止することができる。

この発明の一実施形態では、前記複数のベークチャンバは、前記基板を加熱しながら処理ガスを前記基板に供給するチャンバを含む。
この構成によれば、積層された複数のベークチャンバの側方を包囲する包囲隔離空間によって、ベークチャンバ内の雰囲気からベークチャンバの周囲の部材が雰囲気遮断される。すなわち、万が一、ベークチャンバから処理ガスが流出した場合であっても、流出した処理ガスを包囲隔離空間により堰き止めることができ、これにより、流出した処理ガスが、ベークチャンバの周囲の部材に進入することを抑制または防止できる。

この発明の一実施形態では、基板を収容するための収容器を保持する収容器保持ユニットをさらに含む。そして、前記液処理チャンバは、前記ベークチャンバに対し前記収容器保持ユニットと反対側に配置されている。
この構成によれば、液処理ユニットは、ベークチャンバに対し収容器保持ユニットと反対側に配置されている。そのため、液処理ユニットに処理液を供給するための処理液供給装置を、ベークチャンバから遠く離して配置することが可能である。これにより、処理液供給装置への熱伝達をより効果的に抑制することが可能であり、ゆえに、ベークチャンバからの熱影響を、より一効果的に排除した状態で液処理を行うことができる。

前記収容器保持ユニットに保持されている基板を、前記ベークチャンバおよび前記液処理チャンバに搬送するための搬送室をさらに含んでもよい。前記搬送室は、一方方向に延びる搬送方向に沿って基板を搬送するように構成されていてもよい。前記ベークチャンバおよび前記液処理チャンバは前記搬送室に沿って配置されてもよい。
前記包囲隔離空間は、前記ベークチャンバと前記搬送室との間に設けられた第１の隔離空間を含んでいてもよい。
前記包囲隔離空間は、前記ベークチャンバと前記基板処理装置の外壁との間に設けられた第２の隔離空間を含んでいてもよい。

前記包囲隔離空間は、前記ベークチャンバと前記液処理チャンバとの間に設けられた第３の隔離空間を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記複数のベークチャンバは、前記基板を加熱しながら処理ガスを前記基板に供給するチャンバを含む。そして、前記包囲隔離空間は、前記ベークチャンバからの排気が流通する排気配管および／または前記ベークチャンバに処理ガスを供給する処理ガス供給配管を収容する配管収容空間と、前記ベークチャンバに関する電気機器を収容する電気機器収容空間とを含む。そして、前記電気機器収容空間は、前記ベークチャンバに対して、前記配管収容空間と反対側に配置されている。

この構成によれば、配管収容空間と電気機器収容空間とがベークチャンバを介して隔てられている。したがって、排液配管および／または処理ガス供給配管から処理ガスが流出した場合であっても、電気機器収容空間に処理ガスが進入することはほぼ考えられない。メンテナンスのため作業者が電気機器収容空間に出入りすることも考えられるが、電気機器収容空間に処理ガスが進入しないため、作業者が処理ガスに曝されることを防止できる。

この発明の一実施形態では、前記ベークチャンバの内部に、内部で基板を加熱しながら処理ガスを基板に供給する内部チャンバが収容されている。
この構成によれば、ベークチャンバの内部に内部チャンバを配置するという二重チャンバ構造を採用するので、ベークチャンバ外へ処理ガスが流出することをより一層効果的に抑制することができる。
前記ベークチャンバは、基板を加熱する加熱ユニットと、前記加熱ユニットの周囲を包囲する箱状の隔壁と、前記隔壁の一部に形成され、前記基板を搬入および搬出するための搬入搬出口と、を備えていてもよい。そして、前記ベークチャンバは、前記加熱ユニットと前記隔壁との間に所定の領域を有していてもよい。
複数のベークチャンバが、ドライ処理ユニットに含まれていてもよい。
前記包囲隔離空間が、複数の中空のボックスの内部空間によって構成されている空間を含んでいてもよい。
前記包囲隔離空間は、前記複数のベークチャンバの前記隔壁であって、平面視において前記搬入搬出口の形成位置を除いた全周の部分の前記隔壁の側方を包囲するように、中空の内部空間を形成する複数のボックスを配置することにより形成されていてもよい。
前記複数のボックスは、密閉性が高い前記内部空間を形成してもよい。
前記第１の隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記搬送室との間に配置された第１のボックスにより形成されていてもよい。
前記第２の隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記基板処理装置の外壁との間に配置された第２のボックスにより形成されていてもよい。
前記第３の隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記処理ユニットとの間に配置され、前記複数のベークチャンバに関する電気機器を収容する第３のボックスにより形成されていてもよい。
前記配管収容空間が、前記ドライ処理ユニットと前記収容器保持ユニットとの間に配置された気体ボックスにより形成されていてもよい。前記配管収容空間が、前記複数のベークチャンバと前記収容器保持ユニットとの間に設けられていてもよい。
前記内部チャンバは、前記隔壁の内部に密閉空間を形成してもよい。前記内部チャンバは、当該密閉空間内で前記基板を加熱しながら前記処理ガスを前記基板に供給してもよい。
前記加熱ユニットは、ヒータを含んでもよい。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式的な平面図である。 図１Ｂは、前記基板処理装置の内部を水平方向に見た模式図である。 図２は、前記基板処理装置によって実行される基板の処理の一例を示す工程図である。 図３は、図２に示す基板の処理の一例が実行される前と後の基板の断面を示す模式図である。 図４は、図１Ａに示すドライ処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。 図５は、前記ドライ処理ユニットに設けられた冷却プレートおよびホットプレートをその上から見た模式図である。 図６は、基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図７Ａは、前記ドライ処理ユニットおよび気体ボックスのレイアウトを説明するための模式的な図である。 図７Ｂは、図７Ａを、切断面線VIIB-VIIBから見た図である。 図７Ｃは、図７Ａを、切断面線VIIC-VIICから見た図である。 図７Ｄは、図７Ａを、切断面線VIID-VIIDから見た図である。 図７Ｅは、図７Ａを、切断面線VIIE-VIIEから見た図である。 図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。 図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。 図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。 前記ドライ処理が実行されているときのベークチャンバの内部の状態を示す模式図である。 図９Ｃの次の工程を示す模式図である。 図９Ｆの次の工程を示す模式図である。 図９Ｉの次の工程を示す模式図である。 図９Ｌの次の工程を示す模式図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａは、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式的な平面図である。図１Ｂは、基板処理装置１の内部を水平方向に見た模式図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、装置本体３１と、装置本体３１に結合されたインデクサユニット３２と、基板処理装置１を制御する制御装置３を含む。

インデクサユニット３２は、基板Ｗを収容する複数のキャリアＣをそれぞれ保持する複数のロードポートＬＰと、各キャリアＣに対して基板Ｗを搬送するためのインデクサロボットＩＲとを含む。
装置本体３１は、搬送室３３と、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット２とを含む。複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの塔を形成している。各塔は、上下方向に積層された複数の処理ユニット２を含む。４つの塔は、搬送室３３の両側に２つずつで配置されている。複数の処理ユニット２は、基板Ｗを乾燥させたまま当該基板Ｗを処理する複数のドライ処理ユニット２Ｄと、処理液で基板Ｗを処理する複数のウェット処理ユニット（液処理ユニット）２Ｗとを含む。ロードポートＬＰ側の２つの塔は、複数のドライ処理ユニット２Ｄで形成されている。この実施形態では、ロードポートＬＰ側の各塔は、図１Ｂに示すように、上下方向に積層された複数（たとえば７つ）のドライ処理ユニット２Ｄを含む。残り２つの塔は、複数（たとえば３つ）のウェット処理ユニット２Ｗで形成されている。この実施形態では、ロードポートＬＰ側の各塔は、図１Ｂに示すように、上下方向に積層された３つのウェット処理ユニット２Ｗを含む。後述するように、ドライ処理ユニット２Ｄにおける一枚の基板Ｗの処理に要する期間が、ウェット処理ユニット２Ｗにおける一枚の基板Ｗの処理に要する期間に比べて長い。そのような状況で、基板Ｗのプループットの低下を防止すべく、基板処理装置に搭載されるドライ処理ユニット２Ｄの個数を、ウェット処理ユニット２Ｗの個数よりも多くしている。

基板処理装置１は、搬送ユニットとして、インデクサロボットＩＲの他に、シャトルＳＨとセンターロボットＣＲとを含む。シャトルＳＨおよびセンターロボットＣＲは、搬送室３３内に配置されている。インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰとシャトルＳＨとの間で基板Ｗを搬送する。シャトルＳＨは、インデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、シャトルＳＨと複数の処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット２の間で基板Ｗを搬送する。図１Ａに示す太線の矢印は、インデクサロボットＩＲおよびシャトルＳＨの移動方向を示している。

基板処理装置１は、配管やバルブ等を収容するための流体ボックス３４を備えている。処理ユニット２および流体ボックス３４は、装置本体３１の外壁３５の中に配置されており、すなわち外壁３５に取り囲まれている。流体ボックス３４は、ドライ処理ユニット２Ｄに対応する気体ボックス３４Ａと、ウェット処理ユニット２Ｗに対応する液体ボックス３４Ｂとを含む。

気体ボックス３４Ａは、ドライ処理ユニット２Ｄに対する給排気のための配管やバルブ等、および／またはドライ処理ユニット２Ｄに関連する電気機器を収容するためのボックスである。気体ボックス３４Ａは、インデクサロボットＩＲが配置されるインデクサユニット３２と、ドライ処理ユニット２Ｄとの間に配置されている。
液体ボックス３４Ｂは、ウェット処理ユニット２Ｗに対する給排液のための配管やバルブ等、および／またはウェット処理ユニット２Ｗに関連する電気機器を収容するためのボックスである。液体ボックス３４Ｂは、インデクサロボットＩＲが配置されるインデクサユニット３２と、ウェット処理ユニット２Ｗとの間に配置されている。

基板処理装置１は、ウェット処理ユニット２Ｗに対して処理液（薬液（エッチング液や洗浄液））を供給する処理液供給装置１００をさらに含む。処理液供給装置１００は、外壁３５の外側に配置されている。この実施形態では、処理液供給装置１００は、平面視で、２つの液体ボックス３４Ｂに対し、ウェット処理ユニット２Ｗと反対側に配置されている。処理液供給装置１００は、ウェット処理ユニット２Ｗに、対応する液体ボックス３４Ｂを介して処理液を供給する。

ドライ処理ユニット２Ｄは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたベークチャンバ４と、ベークチャンバ４の搬入搬出口を開閉するシャッタ５と、ベークチャンバ４内で基板Ｗを加熱しながら処理ガスを基板Ｗに供給する加熱ユニット８と、加熱ユニット８によって加熱された基板Ｗをベークチャンバ４内で冷却する冷却ユニット７と、ベークチャンバ４内で基板Ｗを搬送する室内搬送機構６とを含む。加熱ユニット８、冷却ユニット７および室内搬送機構６は、搬送室３３の延びる方向に直交する水平方向に沿って移動可能に設けられていてもよい。

ウェット処理ユニット２Ｗは、基板Ｗが通過する搬入搬出口が設けられたウェットチャンバ９と、ウェットチャンバ９の搬入搬出口を開閉するシャッタ１０と、ウェットチャンバ９内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中心部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック１１と、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数のノズルとを含む。

複数のノズルは、薬液を吐出する薬液ノズル１２と、リンス液を吐出するリンス液ノズル１３とを含む。制御装置３は、スピンチャック１１の複数のチャックピンに基板Ｗを保持させながら、スピンチャック１１のスピンモータに基板Ｗを回転させる。この状態で、制御装置３は、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２またはリンス液ノズル１３に液体を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面全域が液膜で覆われる。その後、制御装置３は、スピンチャック１１に基板Ｗを高速回転させて、基板Ｗを乾燥させる。

図２は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を示す工程図である。図３は、図２に示す基板Ｗの処理の一例が実行される前と後の基板Ｗの断面を示す模式図である。制御装置３は、以下の動作を基板処理装置１に実行させるようにプログラムされている。
図３の左側に示すように、基板処理装置１で処理される基板Ｗは、レジストのパターンＰＲで覆われた薄膜をエッチングして、薄膜のパターンＰＦを形成するエッチング処理工程が行われた基板である。つまり、このような基板Ｗが収容されたキャリアＣがロードポートＬＰ上に置かれる。以下で説明するように、基板処理装置１では、薄膜のパターンＰＦ上に位置するレジストのパターンＰＲを除去するレジスト除去工程が行われる。図３の右側は、レジスト除去工程が行われた基板Ｗの断面を示している。

基板処理装置１で基板Ｗを処理するときは、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、およびセンターロボットＣＲが、ロードポートＬＰに置かれたキャリアＣ内の基板Ｗをドライ処理ユニット２Ｄに搬送する（図２のステップＳ１）。ドライ処理ユニット２Ｄでは、基板Ｗを加熱しながら、処理ガスの一例としてのオゾンガスを基板Ｗに供給するドライ処理工程が行われる（図２のステップＳ２）。その後、センターロボットＣＲが、ドライ処理ユニット２Ｄ内の基板Ｗをウェット処理ユニット２Ｗに搬入する（図２のステップＳ３）。

ウェット処理ユニット２Ｗでは、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に処理液を供給するウェット処理（液処理）が行われる（図２のステップＳ４）。具体的には、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２に第１の薬液（たとえばフッ酸（ＨＦ））を吐出させる第１の薬液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１３にリンス液を吐出させるリンス液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１２に第２の薬液（たとえばＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液））を吐出させる第１の薬液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１３にリンス液を吐出させるリンス液供給工程が行われる。その後、基板Ｗを高速回転させることにより基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる。ウェット処理が、２つの薬液供給工程でなく、１つの薬液供給工程のみを含む処理であってもよい。この場合、用いられる薬液は、たとえばＳＣ１であってもよい。また、乾燥工程に先立って、表面改質剤（シリル化剤）および／または低表面張力液体（イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤）が基板Ｗの上面に供給されるようになっていてもよい。続いて、インデクサロボットＩＲ、シャトルＳＨ、およびセンターロボットＣＲが、ウェット処理ユニット２Ｗ内の基板ＷをロードポートＬＰに置かれたキャリアＣに搬送する（図２のステップＳ５）。

次に、ドライ処理ユニット２Ｄについて詳細に説明する。
図４は、ドライ処理ユニット２Ｄの内部を水平に見た模式図である。図５は、ドライ処理ユニット２Ｄに設けられた冷却プレート７０およびホットプレート２１をその上から見た模式図である。
ドライ処理ユニット２Ｄは、ベークチャンバ４と、ベークチャンバ４の内部にダウンフローを形成するための第１の給気ユニットおよび第１の排気ユニットを含む。ベークチャンバ４は、箱状の隔壁１４を有している。

第１の給気ユニットは、隔壁１４の上部（たとえば天井面）に形成された給気口１５と、ベークチャンバ４の上方に設けられ、装置本体３１内に取り込まれた外気が流通する給気経路１６とを含む。給気口１５は、フィルタ１７を介して給気経路１６と連通している。給気口１５は、具体的には、たとえば隔壁１４の天井面におけるシャッタ５の上方付近に配置されている。

第１の排気ユニットは、個々のベークチャンバ４の隔壁１４の下部からベークチャンバ４内の気体を排気する個別排気ダクト（排気配管）１８と、複数の個別排気ダクト１８からの排気を案内する集合排気ダクト（排気配管）１９とを含む。集合排気ダクト１９は、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてベークチャンバ４内の気体を導出する。基板処理装置１の稼働中は、集合排気ダクト１９による排気は常時行われており、そのため、排気ダクト１８，１９による排気も常時行われている。これにより、ベークチャンバ４内には、下方に流れるダウンフロー（下降流）が形成されている。基板Ｗの処理は、ベークチャンバ４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。しかも、オゾンガスの比重が空気よりも重いため、ダウンフローの形成がより一層促される。

図４に示すように、冷却ユニット７は、後述するホットプレート２１よりも低温に維持される冷却プレート７０と、冷却プレート７０の上方で基板Ｗを水平に支持する複数の第１のリフトピン７１と、複数の第１のリフトピン７１を昇降させる第１のリフト昇降アクチュエータ７２とを含む。
冷却プレート７０は、ホットプレート２１に対してベークチャンバ４の搬入搬出口側に配置されている。ホットプレート２１および冷却プレート７０は、水平な配列方向Ｄ２に配列されている。冷却プレート７０は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する円形で水平な上面を含む。複数の第１のリフトピン７１は、冷却プレート７０を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。

複数の第１のリフトピン７１の上端部は、同じ高さに配置されている。第１のリフトピン７１は、基板Ｗの下面に接触する半球状の上端部を含む。第１のリフト昇降アクチュエータ７２は、複数の第１のリフトピン７１の上端部が冷却プレート７０よりも上方に位置する上位置（図４に示す位置）と、複数の第１のリフトピン７１の上端部が冷却プレート７０の内部に退避した下位置（図９Ｂに示す位置）との間で、複数の第１のリフトピン７１を鉛直に移動させる。第１のリフト昇降アクチュエータ７２は、電動モータであってもよいし、エアーシリンダであってもよい。また、これら以外のアクチュエータであってもよい。他のアクチュエータについても同様である。

加熱ユニット８は、基板Ｗを水平に支持しながら加熱するホットプレート２１と、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗの上方に配置されるフード３０と、フード３０を支持可能なベースリング２７とを含む。加熱ユニット８は、さらに、ホットプレート２１およびベースリング２７に対してフード３０を昇降させるフード昇降アクチュエータ２９と、ホットプレート２１とフード３０との間で基板Ｗを水平に支持する複数の第２のリフトピン２４と、複数の第２のリフトピン２４を昇降させる第２のリフト昇降アクチュエータ２６とを含む。

ホットプレート２１は、ジュール熱を発生するヒータ２２と、基板Ｗを水平に支持すると共に、ヒータ２２の熱を基板Ｗに伝達する支持部材２３とを含む。ヒータ２２および支持部材２３は、基板Ｗの下方に配置される。ヒータ２２は、ヒータ２２に電力を供給する配線（図示せず）に接続されている。ヒータ２２は、支持部材２３の下方に配置されていてもよいし、支持部材２３の内部に配置されていてもよい。

ホットプレート２１の支持部材２３は、基板Ｗの下方に配置される円板状のベース部２３ｂと、ベース部２３ｂの上面から上方に突出する複数の半球状の突出部２３ａと、ベース部２３ｂの外周面から外方に突出する円環状のフランジ部２３ｃとを含む。ベース部２３ｂの上面は、基板Ｗの下面と平行で、基板Ｗの外径以上の外径を有している。複数の突出部２３ａは、ベース部２３ｂの上面から上方に離れた位置で基板Ｗの下面に接触する。複数の突出部２３ａは、基板Ｗが水平に支持されるように、ベース部２３ｂの上面内の複数の位置に配置されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面がベース部２３ｂの上面から上方に離れた状態で水平に支持される。

複数の第２のリフトピン２４は、ホットプレート２１を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。加熱ユニット８の外から貫通穴への流体の進入は、第２のリフトピン２４を取り囲むベローズ２５によって防止される。加熱ユニット８は、ベローズ２５に代えてもしくはベローズ２５に加えて、第２のリフトピン２４の外周面と貫通穴の内周面との間の隙間を密閉するＯリングを備えていてもよい。第２のリフトピン２４は、基板Ｗの下面に接触する半球状の上端部を含む。複数の第２のリフトピン２４の上端部は、同じ高さに配置されている。第２のリフト昇降アクチュエータ２６は、複数の第２のリフトピン２４の上端部がホットプレート２１よりも上方に位置する上位置（図４に示す位置）と、複数の第２のリフトピン２４の上端部がホットプレート２１の内部に退避した下位置（図９Ａに示す位置）との間で、複数の第２のリフトピン２４を鉛直方向に移動させる。

ベースリング２７は、ホットプレート２１のフランジ部２３ｃの上面上に配置されている。ベースリング２７は、ホットプレート２１の径方向に間隔を空けてベース部２３ｂを取り囲んでいる。ベースリング２７の上面は、ベース部２３ｂの上面よりも下方に配置されている。Ｏリング２８は、ベースリング２７の上面から下方に凹んだ環状溝に嵌められている。フード３０がベースリング２７上に載せられると、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗを収容する密閉空間ＳＰ（図９Ａ参照）が、ホットプレート２１、フード３０、およびベースリング２７によって形成される。

フード昇降アクチュエータ２９は、上位置（図４に示す位置）と下位置（図９Ａに示す位置）との間でフード３０を鉛直に移動させる。上位置は、基板Ｗがフード３０とベースリング２７との間を通過できるようにフード３０がベースリング２７から上方に離れた位置である。下位置は、フード３０とベースリング２７との間の隙間が密閉され、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗを収容する密閉空間ＳＰが形成される位置である。

基板処理装置１は、加熱ユニット８の内部に気体を供給する第２の給気ユニットと、加熱ユニット８内の気体を排出する第２の排気ユニットとを含む。第２の給気ユニットは、気体を吐出する複数の給気口４６と、各給気口４６に気体を案内する供給路４７とを含む。排気ユニットは、複数の給気口４６から吐出された気体が流入する排気口４４と、排気口４４内に流入した気体を加熱ユニット８の外に案内する排気路４５とを含む。

フード３０の内面は、基板Ｗの上方に配置される平面視円形の天井面４１と、基板Ｗの外径よりも大きい直径を有する筒状面４３と、天井面４１の外縁から筒状面４３の上縁に延びる環状のコーナー部４２とを含む。天井面４１は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有している。天井面４１は、ホットプレート２１に支持されている基板Ｗの上面と平行な水平面である。排気口４４は、天井面４１で開口している。複数の給気口４６は、筒状面４３で開口している。複数の給気口４６は、たとえば同じ高さに配置されている。複数の給気口４６は、ホットプレート２１の周方向に等間隔で配列されている。密閉空間ＳＰを形成する面であれば、給気口４６は、フード３０の筒状面４３以外の面で開口していてもよい。排気口４４についても同様である。

第１の給気ユニットは、個々のベークチャンバ４の供給路４７に接続された個別給気配管（オゾンガス供給配管）５３と、オゾンガス生成ユニット５１で生成されたオゾンガスを個別給気配管５３に案内する集合オゾンガス配管（オゾンガス供給配管）５２と、集合オゾンガス配管５２に介装されたオゾンガス供給バルブ５４とをさらに含む。オゾンガス生成ユニット５１は、装置本体３１と離れた場所（たとえば階下）に配置されている。第１の給気ユニットは、さらに、窒素ガス供給源から供給された窒素ガスを個別給気配管５３に案内する窒素ガス配管５８と、窒素ガス配管５８に介装された窒素ガス供給バルブ５９とを含む。

図示はしないが、オゾンガス供給バルブ５４は、流路を形成するバルブボディと、流路内に配置された弁体と、弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、オゾンガス供給バルブ５４を開閉させる。

第１の排気ユニットは、個々のベークチャンバ４の排気路４５に接続された個別排気配管（排気配管）６１と、複数の個別排気配管６１からの排気を案内する集合排気配管（排気配管）６２と、集合排気配管６２を流れる気体に含まれるオゾンを除去するオゾンフィルタ６０とをさらに含む。集合排気配管６２は、塔毎に１つずつ設けられている。個別排気配管６１は、排気路４５と集合排気配管６２とを接続する第１の個別排気配管６４と、第１の個別排気配管６４と並列に排気路４５と集合排気配管６２とを接続する第２の個別排気配管６５とを含む。第１の個別排気配管６４には、第１の排気バルブ６６が介装されている。第２の個別排気配管６５には、第２の排気バルブ６７と、コンバム（商標）やアスピレータ等のエジェクタ式の吸引ユニット６８が介装されている。第１の排気バルブ６６は、常時開状態に維持されており、加熱ユニット８内の雰囲気を、オゾンガスから窒素ガスに置換する場合等には、第１の排気バルブ６６が閉じられて、第２の排気バルブ６７が開かれるようになる。

加熱ユニット８内のオゾンガスは、加熱ユニット８が閉じられている状態、つまり、フード３０が下位置に位置している状態で、複数の給気口４６から吐出される。複数の給気口４６から吐出されたオゾンガスは、排気口４４、排気路４５および個別排気配管６１を介して集合排気配管６２に排出される。排気配管６１，６２内のオゾンガスは、オゾンフィルタ６０を通過する。これにより、排気配管６１，６２を流れる気体に含まれるオゾンの濃度が低下する。オゾンフィルタ６０を通過した気体は、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気設備に向けて案内される。

室内搬送機構６は、ベークチャンバ４内で基板Ｗを水平に支持する室内ハンド７３と、室内ハンド７３を移動させるハンド移動機構７４とを含む。図５に示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を鉛直に移動させる鉛直駆動機構７５と、鉛直駆動機構７５と共に室内ハンド７３を配列方向Ｄ２に移動させる水平駆動機構７６とを含む。鉛直駆動機構７５および水平駆動機構７６は、いずれも、電動モータなどのアクチュエータを含む。

室内ハンド７３の上面および下面は、いずれも水平面である。室内ハンド７３の上面は、基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する円形で水平な支持部７３ａを含む。冷却ユニット７の複数の第１のリフトピン７１は、室内ハンド７３を上下方向に貫通する複数の切欠き７３ｂに挿入される。同様に、加熱ユニット８の複数の第２のリフトピン２４は、複数の切欠き７３ｂに挿入される。切欠き７３ｂは、配列方向Ｄ２に水平に延びており、室内ハンド７３の縁で開口している。室内ハンド７３は、第１のリフトピン７１または第２のリフトピン２４が切欠き７３ｂに挿入されている状態でも、配列方向Ｄ２に水平に移動可能である。

水平駆動機構７６は、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、ホットプレート２１とフード３０との間に室内ハンド７３を進入させる。水平駆動機構７６は、室内ハンド７３に支持されている基板Ｗ全体が平面視でホットプレート２１に重なるように室内ハンド７３をホットプレート２１の上方に位置させる。同様に、水平駆動機構７６は、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、室内ハンド７３に支持されている基板Ｗ全体が平面視で冷却プレート７０に重なるように室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に位置させる。

鉛直駆動機構７５は、ホットプレート２１とフード３０との間で室内ハンド７３を鉛直に移動させる。このとき、鉛直駆動機構７５は、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第２のリフトピン２４の上端部よりも上方に位置する上側非接触位置（図９Ｃに示す位置）と、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第２のリフトピン２４の上端部よりも下方に位置し、室内ハンド７３の下面がホットプレート２１の上面から上方に離れた下側非接触位置（図９Ｄに示す位置）との間で、室内ハンド７３を鉛直に移動させる。

鉛直駆動機構７５は、室内ハンド７３が冷却プレート７０の上方に位置している状態で、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第１のリフトピン７１の上端部よりも上方に位置する上側非接触位置（図９Ｂに示す位置）と、室内ハンド７３の上面が上位置に位置している第１のリフトピン７１の上端部よりも下方に位置し、室内ハンド７３の下面がホットプレート２１の上面から上方に離れた下側非接触位置（図９Ａに示す位置）との間で、室内ハンド７３を鉛直に移動させる。鉛直駆動機構７５は、さらに、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する接触位置（図９Ｆに示す位置）に室内ハンド７３を移動させる。

ベークチャンバ４の隔壁１４の天井面には、給気口１５の直下に向けて不活性ガスを吹き付ける気体ノズル７７が配置されている。気体ノズル７７には、不活性ガスバルブ７８を介して不活性ガスが供給されるようになっている。気体ノズル７７の吐出口からの不活性ガスの吐出により、ベークチャンバ４に不活性ガスを供給するだけでなく、ベークチャンバ４の雰囲気（たとえばオゾンガスノズルを含む雰囲気）が、給気口１５を介して給気経路１６に進入することを防止している。気体ノズル７７に供給される不活性ガスとして、図４の例では窒素ガスを挙げることができるが、不活性ガスとして空気（クリーンドライエア）を採用してもよい。

ベークチャンバ４内における加熱ユニット８の外側の領域には、ベークチャンバ４内のオゾンガス濃度を検出するためのオゾンガス濃度センサＯＳが配置されている。
また、搬送室３３内には、ベークチャンバ４から搬送室３３へのオゾンガスの漏れを検出するための第１のリークセンサＲＳ１が配置されている。
また、気体ボックス３４Ａ内には、ベークチャンバ４から流体ボックスへのオゾンガスの漏れを検出するための第２のリークセンサＲＳ２が配置されている。

図２に示すドライ処理において、制御装置３は、第１のリークセンサＲＳ１および第２のリークセンサＲＳ２からの検出出力を参照して搬送室３３内のオゾンガス濃度や気体ボックス３４Ａ内のオゾンガス濃度をチェックし、搬送室３３内や気体ボックス３４Ａ内にオゾンガスが流出していないか否かを監視している。
また、図２に示すドライ処理において、制御装置３は、オゾンガス濃度センサＯＳからの検出出力を参照してベークチャンバ４内のオゾンガス濃度をチェックしている。そして、ベークチャンバ４内のオゾンガス濃度が所定濃度を超えた場合には、気体ノズル７７の吐出口から不活性ガスを吐出している。これにより、ベークチャンバ４内の雰囲気が給気口１５を介して給気経路１６に進入することを防止しながら、ベークチャンバ４内のオゾンガス濃度の低減を図ることができる。

図６は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、プログラム等の情報を記憶するメモリとメモリに記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御するプロセッサとを含むコンピュータである。
制御装置３は、ドライ処理ユニット２Ｄを制御するユニットコントローラ９０を備えている。ユニットコントローラ９０は、たとえば制御ＶＭＥ（VERSAmodule Eurocard）ボードにより構成されており、演算処理を実行するプロセッサ部９０ｐと、固体メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶装置を含むメモリ９０ｍとを含む。メモリには、基板処理装置１による処理内容のデータ等が記憶されている。

ユニットコントローラ９０には、電装ボックス９１内の電装品が接続されている。具体的には、電装ボックス９１は、Ｉ／Ｏ９２、制御基板９３、オゾンガス濃度計９４、温調器９５、モータドライバ９６等を含む。オゾンガス濃度計９４、温調器９５およびモータドライバ９６は、制御基板９３に接続されている。Ｉ／Ｏ９２および制御基板９３には、オゾンガス生成ユニット５１が接続されている。

ユニットコントローラ９０には、ドライ処理ユニット２Ｄやオゾンガス生成ユニット５１を駆動するための電圧が外部電源から供給されるようになっている。また、電装ボックス９１には、電装ボックス９１を駆動するためのＤＣ電源９９が内蔵されている。
また、ユニットコントローラ９０には、電装ボックス９１内の電装品を介して、ドライ処理ユニット２Ｄの駆動部品やセンサ等が接続されている。具体的には、ユニットコントローラ９０には、第２のリフト昇降アクチュエータ２６および／またはフード昇降アクチュエータ２９の駆動のための電磁弁９７と、第２のリフト昇降アクチュエータ２６および／またはフード昇降アクチュエータ２９の駆動のためのセンサ（第２のリフトピン２４の高さ位置を検出するセンサおよび／またはフード３０の高さ位置を検出するセンサ）９８が接続されている。また、オゾンガス濃度計９４にはオゾンガス濃度センサＯＳが接続されている。温調器９５には、ヒータ２２が駆動対象として接続されている。モータドライバ９６には、鉛直駆動機構７５および水平駆動機構７６が接続されている。

図７Ａは、ドライ処理ユニット２Ｄおよび気体ボックス３４Ａのレイアウトを説明するための模式的な図である。図７Ｂは、図７Ａを、切断面線VIIB-VIIBから見た図である。図７Ｃは、図７Ａを、切断面線VIIC-VIICから見た図である。図７Ｄは、図７Ａを、切断面線VIID-VIIDから見た図である。図７Ｅは、図７Ａを、切断面線VIIE-VIIEから見た図である。

ドライ処理ユニット２Ｄにおいて、複数のベークチャンバ４と搬送室３３との間には、内部に空間を有する第１のボックス１０１が配置されている。この実施形態では、第１のボックス１０１の内部空間には、何も収容されていない。第１のボックス１０１には、装置本体３１内に取り込まれた外気が流通している。第１のボックス１０１の内部空間は、給気経路１６（図４参照）と連通しており、そのため、装置本体３１内に取り込まれた外気が給気経路１６に供給可能に設けられている。第１のボックス１０１は、ベークチャンバ４の搬送室３３側の配列方向Ｄ２側の略全域（搬出入口を除く全域）を覆うように配置されている。第１のボックス１０１の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第１のボックス１０１の内部空間は、複数のベークチャンバ４を搬送室３３から隔離する第１の隔離空間１１１として機能する。

具体的には、第１の隔離空間１１１によって、ベークチャンバ４と搬送室３３とが、熱隔離および雰囲気遮断されている。すなわち、ベークチャンバ４の隔壁１４からオゾンガスが流出した場合であっても、流出したオゾンガスを第１の隔離空間１１１により堰き止めることができ、これにより、流出したオゾンガスが、搬送室３３内に進入することを抑制または防止できる。搬送室３３内には、メンテナンスのため作業者が出入りすることも考えられるが、搬送室３３内にオゾンガスが進入しないため、作業者がオゾンガスに曝されることを防止できる。

ドライ処理ユニット２Ｄにおいて、複数のベークチャンバ４に対し搬送室３３と反対側に隣接して、内部に空間を有する第２のボックス１０２が配置されている。この実施形態では、第２のボックス１０２の内部空間には、何も収容されていない。第２のボックス１０２の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第２のボックス１０２の内部空間は、複数のベークチャンバ４を、装置本体３１の外壁３５から隔離する第２の隔離空間１１２として機能する。

第２のボックス１０２は、基板処理装置１外から取り外し可能に設けられていてもよい。この場合、さらに加熱ユニット８、冷却ユニット７および室内搬送機構６は、搬送室３３の延びる方向に直交する水平方向に沿って移動可能に設けられていることが好ましい。この場合、第２のボックス１０２を取り外した状態で、当該方向に沿ってユニット８，７，６を移動させることにより、第２のボックス１０２を取り外した後のスペースを利用して、ユニット８，７，６をベークチャンバ４の内部から取り出したりユニット８，７，６をベークチャンバ４の内部へと挿し入れたりすることができる。

ドライ処理ユニット２Ｄにおいて、複数のベークチャンバ４に対し、ウェット処理ユニット２Ｗ側（図７Ａの右側）に隣接して、内部に空間を有する第３のボックス１０３が配置されている。第３のボックス１０３の内部空間には、ユニットコントローラ９０（図６参照）、電装ボックス９１（図６参照）、ゲージ等の電気機器が収容されている。第３のボックス１０３の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第３のボックス１０３の内部空間は、複数のベークチャンバ４をウェット処理ユニット２Ｗ（図１Ａ参照）から隔離する第３の隔離空間（電気機器収容空間）１１３として機能する。

具体的には、第３の隔離空間１１３によって、ベークチャンバ４とウェット処理ユニット２Ｗとが、熱隔離および雰囲気遮断されている。ベークチャンバ４とウェット処理ユニット２Ｗとが熱隔離される。したがって、ベークチャンバ４からの熱が、ウェット処理ユニット２Ｗにおけるウェット処理に影響を与えることを抑制または防止できる。
また、ベークチャンバ４の隔壁１４からオゾンガスが流出した場合であっても、流出したオゾンガスを第３の隔離空間１１３により堰き止めることができ、これにより、流出したオゾンガスが、ウェット処理ユニット２Ｗのウェットチャンバ９の内部に進入することを抑制または防止できる。ウェットチャンバ９の内部には基板Ｗが出し入れされるため、ウェットチャンバ９の内部にオゾンガスが流出すると、ウェットチャンバ９の内部を介してオゾンガスが搬送室３３に流出するおそれがある。搬送室３３内には、メンテナンスのため作業者が出入りすることも考えられるが、搬送室３３内にオゾンガスが進入しないため、作業者がオゾンガスに曝されることを防止できる。

また、第３の隔離空間１１３は、オゾンガスが流通する配管を収容する、次に述べる第４および第５の隔離空間１１６，１１７と、平面視で、複数のベークチャンバ４に対して反対側に配置されている。そのため、第４および第５の隔離空間１１６，１１７の内部空間において配管からオゾンガスが流出した場合であっても、流出したオゾンガスが第３の隔離空間１１３内に進入することはほぼ考えられない。ユニットコントローラ９０（図６参照）や電装ボックス９１（図６参照）が収容される第３の隔離空間１１３には、メンテナンスのため作業者が出入りすることも考えられるが、第３の隔離空間１１３にオゾンガスが進入しないため、作業者がオゾンガスに曝されることを防止できる。

各気体ボックス３４Ａは、横方向に並置された、第１の気体ボックス１０６、第２の気体ボックス１０７および第３の気体ボックス１０８をそれぞれ設けている。第１の気体ボックス１０６、第２の気体ボックス１０７および第３の気体ボックス１０８は、それぞれ、内部に空間を有し、互いに横方向に並置されている。第３の気体ボックス１０８は、複数のベークチャンバ４に対し、ロードポートＬＰ側（図７Ａの左側）に隣接して配置されている。

第１の気体ボックス１０６は、複数のベークチャンバ４および第３の気体ボックス１０８に対し、ロードポートＬＰ側（図７Ａの左側）に隣接して配置されている。第１の気体ボックス１０６の内部空間では、集合排気ダクト１９、集合オゾンガス配管５２、集合排気配管６２、窒素ガス配管５８（図４参照）等が上下に延びている。集合排気ダクト１９および集合排気配管６２は、それぞれ、各個別排気ダクト１８および各個別排気配管６１を介して各ベークチャンバ４に接続されている。集合オゾンガス配管５２は、各個別給気配管５３を介して各ベークチャンバ４に接続されている。第１の気体ボックス１０６の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第１の気体ボックス１０６の内部空間は、複数のベークチャンバ４をロードポートＬＰ（図１Ａ参照）から隔離する第４の隔離空間（配管収容空間）１１６として機能する。

集合排気ダクト１９、集合オゾンガス配管５２、集合排気配管６２等を収容する第４の隔離空間１１６が略密閉空間であるので、これらの配管１９，５２，６２からオゾンガスが流出した場合であっても、第１の気体ボックス１０６の隔壁によってオゾンガスを堰き止めることができ、これにより、インデクサユニット３２内へのオゾンガスの流出を効果的に抑制することができる。インデクサユニット３２には、メンテナンスのため作業者が出入りすることも考えられるが、インデクサユニット３２内にオゾンガスが進入しないため、作業者がオゾンガスに曝されることを防止できる。

第２の気体ボックス１０７は、複数のベークチャンバ４および第２のボックス１０２に対し、ロードポートＬＰ側（図７Ａの左側）に隣接して配置されている。第２のボックス１０２の内部空間には、オゾンガス供給バルブ５４（図４参照）、窒素ガス供給バルブ５９（図４参照）、第１の排気バルブ６６（図４参照）、第２の排気バルブ６７（図４参照）、不活性ガスバルブ７８等やセンサ類が収容されている。第２の気体ボックス１０７の内部空間では、各個別給気配管５３が水平方向に延びている。第２の気体ボックス１０７の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第２の気体ボックス１０７の内部空間は、複数のベークチャンバ４をロードポートＬＰ（図１Ａ参照）から隔離する第５の隔離空間（配管収容空間）１１７として機能する。

個別排気ダクト１８、個別給気配管５３、個別排気配管６１等を収容する第５の隔離空間１１７が略密閉空間であるので、これらの配管１８，５３，６１からオゾンガスが流出した場合であっても、第２の気体ボックス１０７の隔壁によってオゾンガスを堰き止めることができ、これにより、インデクサユニット３２内へのオゾンガスの流出を効果的に抑制することができる。

第３の気体ボックス１０８の内部空間は、密閉性が高い略密閉空間である。第３の気体ボックス１０８の内部空間には、オゾンガスの供給に関する電気配線が収容されている。第３の気体ボックス１０８の内部空間は、複数のベークチャンバ４をロードポートＬＰ（図１Ａ参照）から隔離する第６の隔離空間１１８として機能する。
図７Ａに示すように、第１〜第６の隔離空間１１１〜１１３，１１６〜１１８によって、複数のベークチャンバ４の周囲を包囲する包囲隔離空間１１０が形成されている。包囲隔離空間１１０によって、複数のベークチャンバ４が、ベークチャンバ４の周囲の部材から熱隔離される。また、包囲隔離空間１１０によって、複数のベークチャンバ４が、ベークチャンバ４の周囲の部材から雰囲気遮断される。複数のベークチャンバ４の側方を包囲隔離空間１１０が包囲しているので、ベークチャンバ４からの熱や雰囲気が、ベークチャンバ４の周囲の部材に対し、間接的に伝わることもない。

また、前述のように、ホットプレート２１は、フード３０とベースリング２７とによって区画される空間に収容されている。また、オゾンガスの供給も、フード３０とベースリング２７とによって区画される空間のみに限られており、フード３０が閉じられた状態でのみ、オゾンガスの供給が許容されている。すなわち、下位置に位置するフード３０およびベースリング２７は、ベークチャンバ４の内部に収容された内側チャンバ１２０（図９Ｆ参照）として機能する。この状態で、内側チャンバ１２０の内外が、熱隔離および雰囲気遮断されている。

図８Ａ〜８Ｃは、図２に示すドライ処理の一例を示す工程図である。図９Ａ〜９Ｏは、図２に示すドライ処理が実行されているときのベークチャンバ４の内部の状態を示す模式図である。
ドライ処理ユニット２Ｄに基板Ｗを搬入するときは、シャッタ開閉アクチュエータ６３（図９Ａ参照）がシャッタ５を開位置に位置させ、ベークチャンバ４の搬入搬出口を開く（図８ＡのステップＳ１１）。その後、センターロボットＣＲは、デバイス形成面である表面が上に向けられた基板ＷをハンドＨで支持しながら、ハンドＨをベークチャンバ４内に進入させる（図８ＡのステップＳ１２）。

続いて、図９Ａに示すように、センターロボットＣＲは、ハンドＨ上の基板Ｗを複数の第１のリフトピン７１上に置き（図８ＡのステップＳ１３）、ハンドＨをベークチャンバ４の外に移動させる（図８ＡのステップＳ１４）。シャッタ開閉アクチュエータ６３は、ハンドＨが退避した後、シャッタ５を閉位置に移動させ、ベークチャンバ４の搬入搬出口を閉じる（図８ＡのステップＳ１５）。

次に、図９Ｂに示すように、基板Ｗが複数の第１のリフトピン７１に支持されている状態で、第１のリフト昇降アクチュエータ７２が複数の第１のリフトピン７１を上位置から下位置に移動させ（図８ＡのステップＳ１６）、ハンド移動機構７４が室内ハンド７３を下側非接触位置から上側非接触位置に移動させる（図８ＡのステップＳ１６）。これにより、基板Ｗは、複数の第１のリフトピン７１から離れ、室内ハンド７３の上面に接触する。

フード昇降アクチュエータ２９は、シャッタ５が閉位置に配置された後、フード３０を下位置から上位置に移動させる。第２のリフト昇降アクチュエータ２６は、フード３０が上位置に配置された後、複数の第２のリフトピン２４を下位置から上位置に移動させる。図９Ｃに示すように、ハンド移動機構７４は、複数の第２のリフトピン２４が上位置に位置している状態で、上側非接触位置に位置する室内ハンド７３をホットプレート２１とフード３０との間に進入させる（図８ＡのステップＳ１７）。その後、図９Ｄに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を上側非接触位置から下側非接触位置に移動させる（図８ＡのステップＳ１８）。これにより、基板Ｗは、室内ハンド７３の上面から離れ、複数の第２のリフトピン２４に接触する。

図９Ｅに示すように、ハンド移動機構７４は、複数の第２のリフトピン２４に基板Ｗを渡した後、室内ハンド７３を水平に移動させることにより、室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に移動させる（図８ＡのステップＳ１９）。その後、図９Ｆに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を下側非接触位置から接触位置に下降させる（図８ＡのステップＳ２０）。これにより、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する。

次に、図９Ｆに示すように、第２のリフト昇降アクチュエータ２６が、複数の第２のリフトピン２４を上位置から下位置に移動させる（図８ＢのステップＳ２１）。これにより、基板Ｗは、複数の第２のリフトピン２４から離れ、ホットプレート２１の上面、つまり、複数の突出部２３ａ（図４参照）に接触する。フード昇降アクチュエータ２９は、複数の第２のリフトピン２４が下位置に移動した後、フード３０を上位置から下位置に移動させる（図８ＢのステップＳ２２）。これにより、フード３０とベースリング２７との間の隙間が密閉され、基板Ｗの収容する密閉空間ＳＰが形成される。ホットプレート２１は、基板Ｗがホットプレート２１に支持される前から室温よりも高い加熱温度（たとえば、１００℃以上の所定温度。たとえば３５０℃）に維持されている。基板Ｗがホットプレート２１に支持されると、基板Ｗの加熱が開始される。

次に、図９Ｇに示すように、オゾンガス供給バルブ５４が開かれ、複数の給気口４６がオゾンガスの吐出を開始する（図８ＢのステップＳ２３）。オゾンガスは、複数の給気口４６から基板Ｗの中心に向かって基板Ｗの上面に沿って流れる。これにより、基板Ｗの上面の外周から基板Ｗの上面の中心に向かって流れる複数の気流が形成される。密閉空間ＳＰ内の空気は、オゾンガスによって排気口４４の方に導かれ、排気口４４を介して密閉空間ＳＰの外に排出される。これにより、密閉空間ＳＰがオゾンガスで満たされる。

オゾンガス供給バルブ５４が開かれてから所定時間が経過すると、オゾンガス供給バルブ５４が閉じられ、オゾンガスの吐出が停止される。その後、図９Ｈに示すように、窒素ガス供給バルブ５９が開かれ、複数の給気口４６が窒素ガスの吐出を開始する（図８ＢのステップＳ２４）。密閉空間ＳＰ内のオゾンガスは、窒素ガスによって排気口４４の方に導かれ、排気口４４を介して密閉空間ＳＰの外に排出される。これにより、密閉空間ＳＰ内のオゾンガスが、窒素ガスで置換される。窒素ガス供給バルブ５９が開かれてから所定時間が経過すると、窒素ガス供給バルブ５９が閉じられ、窒素ガスの吐出が停止される。

次に、図９Ｉに示すように、フード昇降アクチュエータ２９が、フード３０を下位置から上位置に移動させる（図８ＢのステップＳ２５）。その後、第２のリフト昇降アクチュエータ２６が、複数の第２のリフトピン２４を下位置から上位置に移動させる（図８ＢのステップＳ２６）。これにより、基板Ｗは、ホットプレート２１の上面から離れ、複数の第２のリフトピン２４に接触する。

図９Ｉに示すように、ハンド移動機構７４は、接触位置に位置する室内ハンド７３を下側非接触位置まで上昇させる（図８ＢのステップＳ２７）。その後、図９Ｊに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３をホットプレート２１とフード３０との間に進入させる（図８ＢのステップＳ２８）。続いて、図９Ｋに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を下側非接触位置から上側非接触位置に移動させる（図８ＢのステップＳ２９）。これにより、基板Ｗは、複数の第２のリフトピン２４から離れ、室内ハンド７３の上面に接触する。

図９Ｌに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３で基板Ｗを支持した後、室内ハンド７３を上側非接触位置に位置させながら、室内ハンド７３を冷却プレート７０の上方に移動させる（図８ＢのステップＳ３０）。図９Ｍに示すように、第２のリフト昇降アクチュエータ２６は、室内ハンド７３がホットプレート２１とフード３０との間から退避した後、複数の第２のリフトピン２４を上位置から下位置に移動させる。その後、フード昇降アクチュエータ２９は、フード３０を上位置から下位置に移動させる。

次に、図９Ｍに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３を上側非接触位置から接触位置に下降させる（図８ＣのステップＳ３１）。これにより、室内ハンド７３の下面が冷却プレート７０の上面に接触する。冷却プレート７０は、ホットプレート２１の温度（加熱温度）よりも低い冷却温度に維持されている。室内ハンド７３上の基板Ｗの熱は、基板Ｗおよび冷却プレート７０に直接接触する室内ハンド７３を介して冷却プレート７０に伝達される。これにより、基板Ｗが冷却される。

図９Ｎに示すように、ハンド移動機構７４は、室内ハンド７３が接触位置に配置されてから所定時間が経過した後、室内ハンド７３を下側非接触位置に移動させる（図８ＣのステップＳ３２）。その後、図９Ｏに示すように、第１のリフト昇降アクチュエータ７２は、複数の第１のリフトピン７１を下位置から上位置に移動させる（図８ＣのステップＳ３３）。これにより、基板Ｗは、室内ハンド７３の上面から離れ、複数の第１のリフトピン７１に接触する。

次に、図９Ｏに示すように、シャッタ開閉アクチュエータ６３は、シャッタ５を閉位置から開位置に移動させ、ベークチャンバ４の搬入搬出口を開く（図８ＣのステップＳ３４）。その後、センターロボットＣＲは、ハンドＨをベークチャンバ４内に進入させ（図８ＣのステップＳ３５）、複数の第１のリフトピン７１上の基板ＷをハンドＨで取る（図８ＣのステップＳ３６）。続いて、センターロボットＣＲは、基板ＷをハンドＨで支持しながら、ハンドＨをベークチャンバ４の外に移動させる（図８ＣのステップＳ３７）。シャッタ開閉アクチュエータ６３は、ハンドＨが退避した後、シャッタ５を閉位置に移動させる（図８ＣのステップＳ３８）。

以上のようにこの実施形態によれば、ベークチャンバ４の周囲の部材が包囲隔離空間１１０によってベークチャンバ４から熱隔離される。そのため、複数のベークチャンバ４からの熱がウェット処理ユニット２Ｗや処理液供給装置１００に伝わることを抑制または防止でき、したがって、ベークチャンバ４からの熱が、ウェット処理ユニット２Ｗにおけるウェット処理に影響を与えることを抑制または防止できる。これにより、ベークチャンバ４からの熱影響を排除した状態でウェット処理を行うことができ、ゆえに、ウェット処理における処理ムラの発生を防止することができる。

また、ベークチャンバ４の周囲の部材が包囲隔離空間１１０によってベークチャンバ４内の雰囲気から雰囲気遮断される。すなわち、万が一、ベークチャンバ４からオゾンガスが流出した場合であっても、流出したオゾンガスを包囲隔離空間１１０により堰き止めることができ、これにより、流出したオゾンガスがベークチャンバ４の周囲の部材に進入することを抑制または防止できる。

また、複数のベークチャンバ４の側方を包囲隔離空間１１０が包囲しているので、ベークチャンバ４からの熱や雰囲気が、ベークチャンバ４の周囲の部材に間接的に伝わることもない。ゆえに、ベークチャンバ４からの熱が、ウェット処理ユニット２Ｗにおけるウェット処理に影響を与えることを効果的に抑制でき、また、ベークチャンバ４の周囲の部材への、オゾンガスの進入を効果的に抑制できる。

また、ベークチャンバ４の内部に内側チャンバ１２０（内部チャンバ。図９Ｆ参照）が配置されている。このような二重チャンバ構造を採用するので、隔壁１４を介してベークチャンバ４外へオゾンガスが流出することをより一層効果的に抑制することができ、これにより、基板処理装置１外へのオゾンガスの流出を、より確実に防止することができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することも可能である。

たとえば、前述の実施形態では、加熱ユニット８が、ホットプレート２１が内側チャンバ１２０（下位置に位置するフード３０およびベースリング２７）によって包囲されているとして説明したが、ホットプレート２１がこのような内側チャンバによって包囲されずに、ベークチャンバ４内に露出した状態で配置されていてもよい。
また、ベークチャンバ４内に加熱ユニット８および冷却ユニット７が収容された構成を例に挙げて説明したが、ベークチャンバ４内に加熱ユニット８のみが収容された構成であってもよい。

また、処理液供給装置１００が、装置本体３１に隣接して配置されている必要はなく、同一のフロアにおける装置本体３１と離れた位置に配置されていてもよいし、別フロア（たとえば階下）に配置されていてもよい。
また、第２のボックス１０２の内部空間が給気経路１６（図４参照）と連通しており、装置本体３１内に取り込まれた外気が、第１のボックス１０１だけでなく、第２のボックス１０２にも流通するようになっていてもよい。

また、基板処理装置１に搭載されるドライ処理ユニット２Ｄの塔の数が、ウェット処理ユニット２Ｗの塔の数と同数設けられている場合を例に挙げて説明したが、ドライ処理ユニット２Ｄの塔が、ウェット処理ユニット２Ｗの塔の数よりも少ない数だけ設けられていてもよい。また、各塔に含まれるドライ処理ユニット２Ｄの個数も適宜変更してもよい。
また、ウェット処理ユニット２Ｗが、平面視で、ドライ処理ユニット２Ｄに対しロードポートＬＰと反対側に配置されているとしたが、このようなレイアウトが採用されず、その結果、ウェット処理ユニット２Ｗとドライ処理ユニット２Ｄとが接近して配置されていてもよい、このようなレイアウトであっても、積層された複数のベークチャンバ４の側方を包囲する包囲隔離空間１１０によって、ベークチャンバ４からベークチャンバ４の周囲の部材を良好に熱隔離することができる。

また、ドライ処理ユニット２Ｄで用いられる処理ガスとしてのオゾンガスを例示したが、他の処理ガスであってもよい。この他の処理ガスは、ＣＦ_４ 等のフッ素ガス、ＮＨ _３ 等の人体に影響のある気体であってもよい。
基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
２Ｄ ：ドライ処理ユニット
２Ｗ ：ウェット処理ユニット（液処理ユニット）
３ ：制御装置
４ ：ベークチャンバ
１８ ：個別排気ダクト（排気配管）
１９ ：集合排気ダクト（排気配管）
２０ ：搬送室
５２ ：集合オゾンガス配管（オゾンガス供給配管）
５３ ：個別給気配管（オゾンガス供給配管）
６１ ：個別排気配管（排気配管）
６２ ：集合排気配管（排気配管）
９０ ：ユニットコントローラ（電気機器）
９１ ：電装ボックス（電気機器）
１１０ ：包囲隔離空間
１１１ ：第１の隔離空間
１１２ ：第２の隔離空間
１１３ ：第３の隔離空間（電気機器収容空間）
１１６ ：第４の隔離空間（配管収容空間）
１１７ ：第５の隔離空間（配管収容空間）
１１８ ：第６の隔離空間
１２０ ：内部チャンバ
ＬＰ ：ロードポート（収容器保持ユニット）
Ｗ ：基板

Claims (9)

1. 基板を加熱する加熱ユニットと、前記加熱ユニットの周囲を包囲する箱状の隔壁と、前記隔壁の一部に形成され、前記基板を搬入および搬出するための搬入搬出口と、を備え、前記加熱ユニットと前記隔壁との間に所定の領域を有するベークチャンバが所定方向に複数個積層された複数のベークチャンバであって、ドライ処理ユニットに含まれる複数のベークチャンバと、
   前記ベークチャンバとは別の液処理チャンバを有し、前記基板に処理液を用いた液処理を施す処理ユニットと、
   前記基板を収容するための収容器を保持する収容器保持ユニットと、
   前記収容器保持ユニットに保持されている前記基板を、一方方向に延びる搬送方向に沿って、前記ドライ処理ユニットおよび前記処理ユニットに搬送するための搬送室と、
   前記複数のベークチャンバの側方を包囲して、前記ベークチャンバの前記隔壁をその周囲から熱隔離および雰囲気遮断する包囲隔離空間と、を含み、
   前記ドライ処理ユニットおよび前記処理ユニットは前記搬送室に沿って配置され、かつ前記処理ユニットは、前記ドライ処理ユニットに対し前記収容器保持ユニットと反対側に配置され、
   前記包囲隔離空間は、前記複数のベークチャンバの前記隔壁であって、平面視において前記搬入搬出口の形成位置を除いた全周の部分の前記隔壁の側方を包囲するように、中空の内部空間を形成する複数のボックスを配置することにより形成される、基板処理装置。
2. 前記複数のベークチャンバは、前記基板を加熱しながら処理ガスを前記基板に供給するチャンバを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記複数のボックスは、密閉性が高い前記内部空間を形成する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記包囲隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記搬送室との間に配置された第１のボックスにより形成され、前記複数のベークチャンバと前記搬送室との間に設けられた第１の隔離空間を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記包囲隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記基板処理装置の外壁との間に配置された第２のボックスにより形成され、前記複数のベークチャンバと前記外壁との間に設けられた第２の隔離空間を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記包囲隔離空間は、前記ドライ処理ユニットの内部であって、前記複数のベークチャンバと前記処理ユニットとの間に配置され、前記複数のベークチャンバに関する電気機器を収容する第３のボックスにより形成され、前記複数のベークチャンバと前記液処理チャンバとの間に設けられた第３の隔離空間を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記複数のベークチャンバは、前記基板を加熱しながら処理ガスを前記基板に供給するチャンバを含み、
   前記包囲隔離空間は、前記ドライ処理ユニットと前記収容器保持ユニットとの間に配置され、前記複数のベークチャンバからの排気が流通する排気配管および／または前記複数のベークチャンバに前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管を収容する気体ボックスにより形成され、前記複数のベークチャンバと前記収容器保持ユニットとの間に設けられた配管収容空間と、
   前記ベークチャンバに関する電気機器を収容する電気機器収容空間とを含み、
   前記電気機器収容空間は、前記ベークチャンバに対して、前記配管収容空間と反対側に配置されている、請求項１および３〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記隔壁の内部に、密閉空間を形成し、当該密閉空間内で前記基板を加熱しながら前記処理ガスを前記基板に供給する内部チャンバが収容されている、請求項２または７に記載の基板処理装置。
9. 前記加熱ユニットはヒータを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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