JP6503281B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、基板に液処理を行う複数の液処理ユニットと、各液処理ユニットに対応して個別に設けられ、1つの前記液処理ユニットのみに供給量を可変に気体を供給する複数の個別給気部と、を備えている基板処理装置である。
前記制御部は、前記液処理ユニットが液処理を行っているときに前記液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させることが好ましい。
液処理ユニットにおける処理品質を一層好適に向上させることができる。
図1は、実施例に係る基板処理装置の平面図である。
図1、図2を参照する。図2は、図1における矢視a−aの側面図である。
インデクサ部11は、キャリア載置部12と搬送スペースAIDとインデクサ用搬送機構TIDを備えている。
図1を参照する。処理ブロックBAは、基板Wを搬送するための搬送スペースAAを備えている。搬送スペースAAは、平面視で、処理ブロックBAの幅方向Y中央に配置されている。搬送スペースAAは平面視で、前後方向Xに延びている。
処理ブロックBBの構成について説明する。処理ブロックBBは、処理ブロックBAと類似する構造を有するので、処理ブロックBBの説明を適宜に省略する。
主搬送機構TA1、TA2、TB1、TB2の構造を説明する。主搬送機構TA1、TA2、TB1、TB2は同じ構造を有する。以下では、主搬送機構TA2を例にとって説明する。
液処理ユニットSUa−SUpの構造を説明する。図1、図7を参照する。図7は、処理部17の液処理ユニットSU側の詳細な側面図である。
基板処理装置1は、液処理ユニットSUa、SUb、…、SUpに対応して個別に設けられる複数の個別排気部61a、61b、…、61pを備えている。以下では、個別排気部61a、61b、…、61pを特に区別しない場合には、単に「個別排気部61」と記載する。
図1を参照する。インターフェイス部19はインターフェイス用搬送機構TIFを備えている。本実施例では、インターフェイス用搬送機構TIFは、2基の搬送機構TIFa、TIFbを含む。搬送機構TIFa、TIFbはそれぞれ、基板Wを搬送する。
図9を参照する。図9は、基板処理装置1の制御ブロック図である。基板処理装置1は、さらに、制御部75を備えている。
次に、実施例に係る基板処理装置の動作例を説明する。図10は、基板の搬送経路を例示する図である。
インデクサ部11では、インデクサ用搬送機構TIDは、キャリアCから載置部PAaSおよび載置部PAbSに基板Wを交互に搬送する。例えば、インデクサ用搬送機構TIDは、キャリアCから載置部PAaSへ1枚の基板Wを搬送する動作と、キャリアCから載置部PAaSへ1枚の基板Wを搬送する動作を交互に繰り返す。
所定の順番の例:疎水化処理ユニットAHLa→冷却ユニットCPa→反射防止膜用塗布ユニットSUa/SUb→加熱冷却ユニットPHPa→冷却ユニットCPa→レジスト膜用塗布ユニットSUc/SUd→加熱冷却ユニットPHPa→冷却ユニットCPa
搬送機構TIFbは、露光機EXPから載置部PAgRに基板Wを搬送する。搬送機構TIFaは載置部PAgRから露光後加熱処理ユニットPEBに搬送する。露光後加熱処理ユニットPEBは露光後加熱処理を基板Wに行う。搬送機構TIFaは露光後加熱処理が行われた基板Wを、露光後加熱処理ユニットPEBから載置部PAeRに搬送する。
所定の順番の例:冷却ユニットCPc→現像処理ユニットSUi/SUj/SUk/SUl→加熱冷却ユニットPHPc→冷却ユニットCPc
上述した基板Wの搬送および基板Wに対する処理に関する動作を行っているとき、搬送スペース用給気部31A、31Bはそれぞれ、搬送スペースAA、ABに気体を供給し、搬送スペース用排気部36A、36Bはそれぞれ、搬送スペースAA、ABから気体を排出する。
さらに、上述した基板Wの搬送および基板Wに対する処理に関する動作を行っているとき、個別給気部51a−51pはそれぞれ、液処理ユニットSUa−SUpに気体を供給し、個別排気部61a−61pはそれぞれ、液処理ユニットSUa−SUpから気体を排出する。
このように、本実施例によれば、個別給気部51を備えているので、液処理ユニットSUごとに、液処理ユニットSUに対する気体の供給量を変えることができる。例えば、液処理ユニットSUa、SUbに対する気体の供給量を異ならせることもできるし、液処理ユニットSUa、SUbに対する気体の供給量を等しくすることもできる。これにより、各液処理ユニットSUに、適切なタイミングで、適切な量の気体を供給できる。よって、各液処理ユニットSUにおける処理品質を好適に向上させることができる。
(3)実施例では、個別排気部61は排気ダンパを備えていなかったが、これに限られない。すなわち、個別排気部61は排気ダンパを備えてもよい。
11 … インデクサ部
17 … 処理部
19 … インターフェイス部
51 … 個別給気部
52 … 給気ダンパ(給気調整部)
53 … 給気管
55 … 吹出ユニット
56 … 分配管
57 … 分配管用給気ポート
58 … 空気制御装置(外部機器(給気用外部機器))
61 … 個別排気部
62 … 排気管
63 … 排気ポート
66a−66p … 排気ダンパ(外部機器(排気用外部機器))
67 … 気体吸引装置(外部機器(排気用外部機器))
75 … 制御部
81 … 給気ポート
83 … 給気ダンパ(外部機器(給気用外部機器))
91 … 排気ダンパ(排気調整部)
93 … 集合管
SU … 液処理ユニット
W … 基板
Claims (23)
- 基板に液処理を行う第1液処理ユニットと、
基板に液処理を行う第2液処理ユニットと、
前記第1液処理ユニットと前記第2液処理ユニットを収容する第1チャンバーと、
前記第1液処理ユニットに対応して設けられ、前記第1液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第1個別給気部と、
前記第2液処理ユニットに対応して設けられ、前記第2液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第2個別給気部と、
を備え、
前記第1個別給気部は、前記第1液処理ユニットに対する気体の供給量を調整する第1給気調整部を備え、
前記第2個別給気部は、前記第2液処理ユニットに対する気体の供給量を調整する第2給気調整部を備える基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第1液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第3液処理ユニットと、
前記第2液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第4液処理ユニットと、
前記第3液処理ユニットと前記第4液処理ユニットを収容する第2チャンバーと、
前記第3液処理ユニットに対応して設けられ、前記第3液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第3個別給気部と、
前記第4液処理ユニットに対応して設けられ、前記第4液処理ユニットに供給量を可変に気体を供給する第4個別給気部と、
前記第1個別給気部および前記第3個別給気部に気体を分配する第1分配管と、
前記第2個別給気部および前記第4個別給気部に気体を分配する第2分配管と、
を備える基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記第1個別給気部と前記第2個別給気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されている基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別給気部は、前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる第1給気管を備え、
前記第2個別給気部は、前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる第2給気管を備える基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記第1給気管が前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる方向は、前記第2給気管が前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる方向と異なる基板処理装置。 - 請求項4または5に記載の基板処理装置において、
前記第1個別給気部は、
前記第1給気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第1給気ポートと、
を備え、
前記第2個別給気部は、
前記第2給気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第2給気ポートと、
を備える基板処理装置。 - 請求項4または6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1チャンバーに収容され、前記第1給気管に接続され、前記第1液処理ユニットに気体を吹き出す第1吹出ユニットと、
前記第1チャンバーに収容され、前記第2給気管に接続され、前記第2液処理ユニットに気体を吹き出す第2吹出ユニットと、
を備え、
前記第1吹出ユニットと前記第2吹出ユニットは略水平方向に隣り合い、
前記第1給気管が前記第1吹出ユニットから延びる方向は、前記第2給気管が前記第2吹出ユニットから延びる方向と異なる基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1チャンバーに収容され、前記第1個別給気部に接続され、前記第1液処理ユニットに気体を吹き出す第1吹出ユニットと、
前記第1チャンバーに収容され、前記第2個別給気部に接続され、前記第2液処理ユニットに気体を吹き出す第2吹出ユニットと、
を備える基板処理装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別給気部が液処理ユニットに供給する気体の供給量と前記第2個別給気部が前記第2液処理ユニットに供給する気体の供給量を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記第1液処理ユニットに対する気体の供給量と前記第2液処理ユニットに対する気体の供給量を個別に変化させる基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第1液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第1液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させ、前記第2液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第2液処理ユニットに対する気体の供給量を変化させる基板処理装置。 - 請求項1から10のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1チャンバーに収容されている前記第1液処理ユニットおよび前記第2液処理ユニットは、基板に同種の液処理を行う基板処理装置。 - 請求項1から11のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1液処理ユニットに対応して設けられ、前記第1液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第1個別排気部と、
前記第2液処理ユニットに対応して設けられ、前記第2液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第2個別排気部と、
を備える基板処理装置。 - 基板に液処理を行う第1液処理ユニットと、
基板に液処理を行う第2液処理ユニットと、
前記第1液処理ユニットと前記第2液処理ユニットを収容する第1チャンバーと、
前記第1液処理ユニットに対応して設けられ、前記第1液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第1個別排気部と、
前記第2液処理ユニットに対応して設けられ、前記第2液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第2個別排気部と、
を備え、
前記第1個別排気部は、前記第1液処理ユニットからの気体の排出量を調整する第1排気調整部を備え、
前記第2個別排気部は、前記第2液処理ユニットからの気体の排出量を調整する第2排気調整部を備える基板処理装置。 - 請求項13に記載の基板処理装置において、
前記第1液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第1カップを備え、
前記第2液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第2カップを備え、
前記第1個別排気部は、前記第1カップ内の気体を排出し、
前記第2個別排気部は、前記第2カップ内の気体を排出する基板処理装置。 - 請求項13または14に記載の基板処理装置において、
前記第1チャンバーに収容されている前記第1液処理ユニットおよび前記第2液処理ユニットは、基板に同種の液処理を行う基板処理装置。 - 請求項13から15のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別排気部は、前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる第1排気管を備え、
前記第2個別排気部は、前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる第2排気管を備える基板処理装置。 - 請求項16に記載の基板処理装置において、
前記第1排気管が前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる方向は、前記第2排気管が前記第1チャンバーの内部から前記第1チャンバーの外部に延びる方向と異なる基板処理装置。 - 基板に液処理を行う第1液処理ユニットと、
基板に液処理を行う第2液処理ユニットと、
前記第1液処理ユニットに対応して設けられ、前記第1液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第1個別排気部と、
前記第2液処理ユニットに対応して設けられ、前記第2液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第2個別排気部と、
を備え、
前記第1液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第1カップを備え、
前記第2液処理ユニットは、基板に処理を行うときに基板の側方を囲む第2カップを備え、
前記第1個別排気部は、前記第1カップ内の気体を排出し、
前記第2個別排気部は、前記第2カップ内の気体を排出し、
前記第1個別排気部は、前記第1カップと接続する第1排気管を備え、
前記第2個別排気部は、前記第2カップと接続する第2排気管を備え、
前記第1カップと前記第2カップは略水平方向に隣り合い、
前記第1排気管が前記第1カップから延びる方向は、前記第2排気管が前記第2カップから延びる方向と異なる基板処理装置。 - 請求項16から18のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別排気部は、
前記第1排気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第1排気ポートと、
を備え、
前記第2個別排気部は、
前記第2排気管に連結され、基板処理装置の外部に設置される外部機器と接続するための第2排気ポートと、
を備えている基板処理装置。 - 請求項12から19のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第3液処理ユニットと、
前記第2液処理ユニットと略上下方向に並ぶように配置され、基板に液処理を行う第4液処理ユニットと、
前記第3液処理ユニットと前記第4液処理ユニットを収容する第2チャンバーと、
前記第3液処理ユニットに対応して設けられ、前記第3液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第3個別排気部と、
前記第4液処理ユニットに対応して設けられ、前記第4液処理ユニットから排出量を可変に気体を排出する第4個別排気部と、
前記第1個別排気部および前記第3個別排気部から気体を回収する第1集合管と、
前記第2個別排気部および前記第4排気部から気体を回収する第2集合管と、
を備える基板処理装置。 - 請求項12から20のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別排気部と前記第2個別排気部は、少なくとも基板処理装置内においては、互いに分離されている基板処理装置。 - 請求項12から21のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1個別排気部が前記第1液処理ユニットから排出する気体の排出量と前記第2個別排気部が前記第2液処理ユニットから排出する気体の排出量を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記第1液処理ユニットからの気体の排出量と前記第2液処理ユニットからの気体の排出量を個別に変化させる基板処理装置。 - 請求項22に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第1液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第1液処理ユニットからの気体の排出量を変化させ、前記第2液処理ユニットが液処理を行っているときに前記第2液処理ユニットからの気体の排出量を変化させる基板処理装置。
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