JP7221594B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、レジスト液塗布装置に対する気体の供給量、および、現像処理装置に対する気体の供給量が、相互に影響を及ぼす。
本発明の第1の目的は、各液処理室に対する気体の供給量が相互に影響を及ぼすことを好適に抑制できる基板処理装置を提供することである。本発明の第2の目的は、各搬送室に対する気体の供給量が相互に影響を及ぼすことを好適に抑制できる基板処理装置を提供することである。本発明の第3の目的は、各液処理室からの気体の排出量が相互に影響を及ぼすことを好適に抑制できる基板処理装置を提供することである。本発明の第4の目的は、各搬送室からの気体の排出量が相互に影響を及ぼすことを好適に抑制できる基板処理装置を提供することである。本発明の第5の目的は、各熱処理室からの気体の排出量が相互に影響を及ぼすことを好適に抑制できる基板処理装置を提供することである。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、基板に液処理を行う第1液処理室と、前記第1液処理室の下方に配置され、基板に液処理を行う第2液処理室と、前記第1液処理室に気体を供給する第1供給路と、前記第2液処理室に気体を供給する第2供給路と、を備え、前記第1供給路は、略鉛直方向に延びる第1鉛直部を有し、前記第2供給路は、略鉛直方向に延びる第2鉛直部を有し、前記第1鉛直部および前記第2鉛直部はともに、前記第1液処理室よりも高い位置、および、前記第2液処理室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延びる基板処理装置である。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概念図である。図1は、鉛直方向Zを示す。鉛直方向Zの一方向を「上方」と呼ぶ。上方とは反対の方向を「下方」と呼ぶ。図1等は、上方と下方をそれぞれ、「上」と「下」によって示す。
基板処理装置1の構造について、さらに詳しく説明する。
図2-5を参照する。図4は、図2における矢視IV-IVの側面図である。図5は、図2における矢視V-Vの側面図である。図4、5は、露光機EXPの図示を省略する。インデクサ部31は、キャリア載置部32と搬送室33とインデクサ用搬送機構TIDを備える。
図2、3、6-9を参照する。図6、7は、処理部の側面図である。具体的には、図6は、図2における矢視VI-VIの側面図である。図7は、図2における矢視VII-VIIの側面図である。図8、9は、処理部の正面図である。具体的には、図8は、図2における矢視VIII-VIIIの正面図である。図9は、図2における矢視IX-IXの正面図である。
図6を参照する。処理部37は、複数の液処理ユニットSAと、複数の液処理ユニットSBを備える。液処理ユニットSA、SBはそれぞれ、基板Wに液処理を行う。液処理は、基板Wに処理液を供給する処理である。
第1ガイドレール55は、鉛直方向Zに延びる。
図6を参照する。基板処理装置1は、吹出ユニット65a-65hを備える。吹出ユニット65aは、液処理室42aに気体を吹き出す。吹出ユニット65aは、液処理室42aに設けられる。吹出ユニット65aは、液処理室42aの2つの液処理ユニットSAの上方に配置される。吹出ユニット65aは、液処理室42aの2つの回転保持部51Aおよび2つのカップ52Aの上方に配置される。同様に、吹出ユニット65b-65hは、液処理室42b-42hに気体を吹き出す。吹出ユニット65b-65hは、液処理室42b-42hに設けられる。
図4、5を参照する。基板処理装置1は、吹出ユニット81a-81dを備える。吹出ユニット81aは、搬送室44aに気体を吹き出す。吹出ユニット81aは、搬送室44aに設けられる。吹出ユニット81aは、主搬送機構T1の上方に配置される。吹出ユニット81aは、平面視において搬送室44aと略同じ広さを有する。同様に、吹出ユニット81b-81dは、搬送室44b-44dに気体を吹き出す。吹出ユニット81b-81dは、搬送室44b-44dに設けられる。
図6、13を参照する。基板処理装置1は、排出路85a-85hを備える。排出路85aは、液処理室42aの気体を排出する。より詳しくは、排出路85aは、液処理室42b-42hの気体を排出することなく、液処理室42aの気体を排出する。排出路85aは、液処理室42aに連通する。同様に、排出路85b-85hは、液処理室42b-42hの気体を排出する。排出路85b-85hは、液処理室42b-42hに連通する。
図4、5を参照する。基板処理装置1は、吸込ユニット91a-91dを備える。吸込ユニット91aは、搬送室44aの気体を吸い込む。吸込ユニット91aは、搬送室44aに設けられる。吸込ユニット91aは、主搬送機構T1の下方に配置される。吸込ユニット91aは、平面視において搬送室44aと略同じ広さを有する。同様に、吸込ユニット91b-91dは、搬送室44b-44dの気体を吸い込む。吸込ユニット91b-91dは、搬送室44b-44dに設けられる。
図7を参照する。基板処理装置1は、排出路101a-101lを備える。排出路101aは、熱処理室45a-45eの気体を排出する。排出路101aは、熱処理室45f-45v、46a-46tの気体を排出することなく、熱処理室45a-45eの気体を排出する。排出路101aは、熱処理室45a-45eに連通する。同様に、排出路101bは、熱処理室45f-45jの気体を排出する。排出路101cは、熱処理室45k-45mの気体を排出する。排出路101dは、熱処理室45n-45pの気体を排出する。排出路101eは、熱処理室45q-45sの気体を排出する。排出路101fは、熱処理室45t-45vの気体を排出する。排出路101gは、熱処理室46a-46eの気体を排出する。排出路101hは、熱処理室46f-46jの気体を排出する。排出路101iは、熱処理室46kの気体を排出する。排出路101jは、熱処理室46lの気体を排出する。排出路101kは、熱処理室46m-46pの気体を排出する。排出路101lは、熱処理室46q-46tの気体を排出する。
図2、3を参照する。インターフェイス部39はインターフェイス用搬送機構TIFを備える。本実施例では、インターフェイス用搬送機構TIFは、2基の搬送機構TIFa、TIFbを含む。搬送機構TIFa、TIFbはそれぞれ、基板Wを搬送する。
図15を参照する。図15は、基板処理装置1の制御ブロック図である。基板処理装置1は、さらに、制御部111を備えている。
基板Wは、インデクサ部31と露光機EXPとの間を往復する。インデクサ部31から露光機EXPまでの区間を「往路」と呼ぶ。露光機EXPからインデクサ部31までの区間を「復路」と呼ぶ。
疎水化処理ユニットAHL→冷却ユニットCP→反射防止膜用塗布ユニットBARC→加熱冷却ユニットPHP→冷却ユニットCP→レジスト膜用塗布ユニットRESIST→加熱冷却ユニットPHP→冷却ユニットCP
冷却ユニットCP→現像処理ユニットDEV→加熱冷却ユニットPHP→冷却ユニットCP
気体制御装置5は、気体の温度および湿度を調整し、温度および湿度が調整された気体を分配管76a、76bに送る。具体的には、分配管76aにおいて、気体は、主管77cから分岐部77dに流れる。一部の気体は、分岐部77dから枝管77eを介して接続部77aに流れ、他の気体は、分岐部77dから枝管77fを介して接続部77bに流れる。分配管76bにおいても、気体は同様に流れる。
本実施例によれば、以下の効果を奏する。
2a … 第1液処理室
2b … 第2液処理室
3a … 第1供給路
3b … 第2供給路
4a … 第1鉛直部
4b … 第2鉛直部
5 … 気体制御装置
6a … 第1排出路
6b … 第2排出路
7a … 第1鉛直部
7b … 第2鉛直部
12a … 第1搬送室
12b … 第2搬送室
13a … 第1供給路
13b … 第2供給路
14a … 第1鉛直部
14b … 第2鉛直部
16a … 第1排出路
16b … 第2排出路
17a … 第1鉛直部
17b … 第2鉛直部
22a … 第1熱処理室
22b … 第2熱処理室
26a … 第1排出路
26b … 第2排出路
27a … 第1鉛直部
27b … 第2鉛直部
42a-42h … 液処理室(第1液処理室、第2液処理室)
44a-44d … 搬送室(第1搬送室、第2搬送室)
45a-45v、46a-46t … 熱処理室(第1熱処理室、第2熱処理室)
65、65a-65h … 吹出ユニット(第1吹出ユニット、第2吹出ユニット)
66、66a-66h … 供給路(第1供給路、第2供給路)
66i-66l … 供給路(第3供給路、第4供給路)
66m、66n … 供給路(第1供給路、第2供給路)
68、68a-68h … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
68i-68l … 鉛直部(第3鉛直部、第4鉛直部)
68m、68n … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
71a、71b … 複数管ユニット
72 … 箱体
72a … 前壁
72c … 右壁(側壁)
72d … 左壁(側壁)
73 … 仕切部材
75a-75h … ダンパ(第1調整部、第2調整部)
75i-75l … ダンパ(第3調整部、第4調整部)
76a、76b … 分配管
77a、77b … 接続部
81、81a-81d … 吹出ユニット(第1吹出ユニット、第2吹出ユニット)
82、82a-82d … 供給路(第1供給路、第2供給路)
83a-83d … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
84a-84d … ダンパ(第1調整部、第2調整部)
85、85a-85h … 排出路(第1排出路、第2排出路)
87a-87h … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
89a-89h … ダンパ(第1調整部、第2調整部)
91、91a-91d … 吸込ユニット(第1吸込ユニット、第2吸込ユニット)
92、92a-92h … 排出路(第1排出路、第2排出路、第3排出路、第4排出路)
94a-94h … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部、第3鉛直部、第4鉛直部)
97、97a-97h … ファン(第1調整部、第2調整部、第3調整部、第4調整部)
101、101a-101l … 排出路(第1排出路、第2排出路)
103a、103b … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
105a-105j … ダンパ(第1調整部、第2調整部)
121 … 分配管
122 … 第1接合部(接合部)
123 … 第2接合部(接合部)
131 … 複数管ユニット
133 … 仕切部材
141 … 送風部
142a、142b … 供給路(第1供給路、第2供給路)
143a、143b … 鉛直部(第1鉛直部、第2鉛直部)
La … 前壁72aの幅
Lb … 右壁72cおよび左壁72dの幅(側壁の幅)
W … 基板
Z … 鉛直方向
Claims (10)
- 基板処理装置であって、
基板に液処理を行う第1液処理室と、
前記第1液処理室の下方に配置され、基板に液処理を行う第2液処理室と、
前記第1液処理室に気体を供給する第1供給路と、
前記第2液処理室に気体を供給する第2供給路と、
を備え、
前記第1供給路は、略鉛直方向に延びる第1鉛直部を有し、
前記第2供給路は、略鉛直方向に延びる第2鉛直部を有し、
前記第1鉛直部の上流端部および前記第2鉛直部の上流端部はともに、前記第1液処理室よりも高い位置、および、前記第2液処理室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延び、
前記第1鉛直部の下流端部は、前記第1液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第2鉛直部の下流端部は、前記第2液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第1供給路は、前記第1鉛直部を通じて、前記第1液処理室に気体を供給し、
前記第2供給路は、前記第2鉛直部を通じて、前記第2液処理室に気体を供給し、
基板処理装置は、
略鉛直方向に延びる箱体と、
前記箱体内に配置される仕切部材と、
を備え、
前記第1鉛直部および前記第2鉛直部はともに、前記箱体内に形成され、
前記仕切部材は、前記第1鉛直部と前記第2鉛直部を隔てる基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記箱体は、
前記第1液処理室および前記第2液処理室と向かい合い、略鉛直方向に延びる前壁と、
前記前壁に接続され、前記前壁に対して略垂直な側壁と、
を備え、
前記前壁の幅は、前記側壁の幅に比べて長い基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記箱体は、
前記前壁に形成され、前記第1液処理室と同じ高さ位置に位置する第1出口と、
前記前壁に形成され、前記第2液処理室と同じ高さ位置に位置する第2出口と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
基板に液処理を行う第1液処理室と、
前記第1液処理室の下方に配置され、基板に液処理を行う第2液処理室と、
前記第1液処理室に気体を供給する第1供給路と、
前記第2液処理室に気体を供給する第2供給路と、
を備え、
前記第1供給路は、略鉛直方向に延びる第1鉛直部を有し、
前記第2供給路は、略鉛直方向に延びる第2鉛直部を有し、
前記第1鉛直部の上流端部および前記第2鉛直部の上流端部はともに、前記第1液処理室よりも高い位置、および、前記第2液処理室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延び、
前記第1鉛直部の下流端部は、前記第1液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第2鉛直部の下流端部は、前記第2液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第1供給路は、前記第1鉛直部を通じて、前記第1液処理室に気体を供給し、
前記第2供給路は、前記第2鉛直部を通じて、前記第2液処理室に気体を供給し、
基板処理装置は、
前記第1液処理室に気体を供給する第3供給路と、
前記第2液処理室に気体を供給する第4供給路と、
を備え、
前記第3供給路は、略鉛直方向に延びる第3鉛直部を有し、
前記第4供給路は、略鉛直方向に延びる第4鉛直部を有し、
前記第3鉛直部の上流端部および前記第4鉛直部の上流端部はともに、前記第1液処理室よりも高い位置、および、前記第2液処理室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延び、
前記第3鉛直部の下流端部は、前記第1液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第4鉛直部の下流端部は、前記第2液処理室と同じ高さ位置に位置し、
前記第3供給路は、前記第3鉛直部を通じて、前記第1液処理室に気体を供給し、
前記第4供給路は、前記第4鉛直部を通じて、前記第2液処理室に気体を供給する基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記第1液処理室に設けられ、前記第1液処理室に気体を吹き出す第1吹出ユニットと、
前記第2液処理室に設けられ、前記第2液処理室に気体を吹き出す第2吹出ユニットと、
を備え、
前記第1供給路および前記第3供給路はともに、前記第1吹出ユニットと接続し、前記第1吹出ユニットを通じて前記第1液処理室に気体を供給し、
前記第2供給路および前記第4供給路はともに、前記第2吹出ユニットと接続し、前記第2吹出ユニットを通じて前記第2液処理室に気体を供給する基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
気体の温度および湿度を調整し、温度および湿度が調整された気体を前記第1供給路および前記第2供給路に送る気体制御装置を備える基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
基板を搬送する第1搬送室と、
前記第1搬送室の下方に配置され、基板を搬送する第2搬送室と、
前記第1搬送室の気体を排出する第1排出路と、
前記第2搬送室の気体を排出する第2排出路と、
を備え、
前記第1排出路は、略鉛直方向に延びる第1鉛直部を有し、
前記第2排出路は、略鉛直方向に延びる第2鉛直部を有し、
前記第1鉛直部の下流端部および前記第2鉛直部の下流端部はともに、前記第1搬送室よりも高い位置、および、前記第2搬送室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延び、
前記第1鉛直部の上流端部は、前記第1搬送室と同じ高さ位置に位置し、
前記第2鉛直部の上流端部は、前記第2搬送室と同じ高さ位置に位置し、
前記第1排出路は、前記第1鉛直部を通じて、前記第1搬送室の気体を排出し、
前記第2排出路は、前記第2鉛直部を通じて、前記第2搬送室の気体を排出し、
前記基板処理装置は、
前記第1搬送室の気体を排出する第3排出路と、
前記第2搬送室の気体を排出する第4排出路と、
を備え、
前記第3排出路は、略鉛直方向に延びる第3鉛直部を有し、
前記第4排出路は、略鉛直方向に延びる第4鉛直部を有し、
前記第3鉛直部および前記第4鉛直部はともに、前記第1搬送室よりも高い位置、および、前記第2搬送室よりも低い位置の少なくともいずれかまで延びる基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置において、
前記第1鉛直部および前記第2鉛直部の一方は、前記第1鉛直部および前記第2鉛直部の他方よりも長く、かつ、前記第1鉛直部および前記第2鉛直部の一方は、前記第1鉛直部および前記第2鉛直部の他方よりも大きな流路断面積を有する基板処理装置。 - 請求項7または8に記載の基板処理装置において、
前記第1搬送室に設けられ、前記第1搬送室の気体を吸い込む第1吸込ユニットと、
前記第2搬送室に設けられ、前記第2搬送室の気体を吸い込む第2吸込ユニットと、
を備え、
前記第1排出路および前記第3排出路はともに、前記第1吸込ユニットと接続し、前記第1吸込ユニットを通じて前記第1搬送室の気体を排出し、
前記第2排出路および前記第4排出路はともに、前記第2吸込ユニットと接続し、前記第2吸込ユニットを通じて前記第2搬送室の気体を排出する基板処理装置。 - 請求項7から9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1排出路に設けられ、前記第1排出路を流れる気体の流量を調整する第1ファンと、
前記第2排出路に設けられ、前記第2排出路を流れる気体の流量を調整する第2ファンと、
を備える基板処理装置。
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