JP2005101081A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置内の複数の空間にケミカル制御されたエアーを供給する際に、エアー供給手段のサイズを増大させることなく、各空間でのケミカル汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】現像処理ブロック４の外側の上部８１ａ付近であって主搬送領域４８の直上にケミカルフィルタユニット１７０を、また、現像処理ブロック４の外側の上部８１ｂ付近であってローカル搬送領域４９の直上に１８０を、それぞれ配設する。ローカルフィルタユニット１８０はケミカルフィルタユニット１７０においてケミカル制御されたエアーの供給を受けるとともに、ローカルフィルタユニット１８０において、このケミカル制御されたエアーからパーティクルの除去を行う。これにより、ローカル搬送領域４９の直上に配設するファンユニットのサイズを小型化することができる。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に熱処理等の所定の処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、ローカル搬送領域へのケミカル制御されたエアーの供給に関する。

近年の半導体ウェハの製造において、高密度化、高集積化の要求にともない、半導体ウェハ上に形成される回路パターンを微細化する技術が要求されている。その要求により、半導体ウェハの製造工程では、レジストとして化学増幅型レジスを使用し、この化学増幅型レジストが塗布された基板に対して露光処理、熱処理および現像処理を施すことによって基板上にレジスト膜のパターンを形成することができる技術が提案されている。

ここで、化学増幅型レジストを使用してレジスト膜にパターンを形成する処理では、まず、露光処理において、化学増幅型レジストによって形成されたレジスト膜に対して光を照射する。これにより、この光が照射された照射部分に酸触媒が生成されてレジスト膜中に３次元分布を有するパターンが潜像した状態が形成される。次に、露光処理が施された基板に対して加熱処理を施すと、当該照射部分に生成した酸触媒の触媒作用によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が活性化される。続いて、基板を冷却処理を施すことにより、この化学反応がほぼ停止する。そして、基板に対して現像処理を施すことにより、基板上にレジスト膜のパターンが浮かび上がることとなる。

このように、化学増幅型レジストは露光によりレジスト膜から酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触媒として作用し、レジストの主成分であるベース樹脂を分解したり分子構造を変えて現像液に対して可溶化或いは不可溶化するものであり、雰囲気中にこの酸を中和するアルカリが混入することを嫌う。そのため、基板処理装置内の雰囲気をアルカリ除去されたエアーによって満たす必要があり、装置内に清浄空気のダウンフローを形成するファンユニットの中にはアルカリを除去するためのケミカルフィルタが設けられている（例えば、特許文献１、特許文献２）。

特開２００２−１８４６７８号公報 特開２００３−０５３１２４号公報

ところで、基板処理装置内が複数の空間に分けられている場合、複数の空間のそれぞれにアルカリ成分が除去されたエアーを供給するためには、それぞれの空間に対応したファンユニットを設けるか、または、すべての空間に一括してエアーを供給することができるファンユニットを設ける必要がある。

しかし、特許文献１および特許文献２の基板処理装置のように、１つのファンフィルタユニットを使用し、一括して複数の領域に向けてアルカリ成分を除去してアルカリ制御されたエアーを供給する場合、ファンフィルタユニットのサイズが大型化して、製造コストが増大する。

また、複数の領域のそれぞれに対応してケミカル制御されたエアーを供給するファンフィルタユニットを別個に設けた場合、同様なファンフィルタが複数必要となるため、製造コストが増加するとともに、ファンフィルタユニットの維持コストも増大する。

そこで、基板処理装置内の複数の空間にケミカル制御されたエアーを供給する際に、エアー供給手段のサイズを増大させることなく、各空間でのケミカル汚染を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、装置内の第１の空間にケミカル制御されたエアーを供給する第１のエアー供給手段と、装置内の第２の空間にケミカル制御されたエアーを供給する第２のエアー供給手段と、を備え、前記第２のエアー供給手段は、配管を介して前記第１のエアー供給手段から導入されたケミカル制御されたエアーを前記第２の空間に供給することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第２のエアー供給手段は、前記第１のエアー供給手段においてケミカル成分が除去されたエアーの導入を受けるとともに、前記第２のエアー供給手段において前記ケミカル成分が除去されたエアーからパーティクルを除去して前記第２の空間にケミカル制御されたエアーを供給することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第２のエアー供給手段は、前記第１のエアー供給手段においてケミカル成分が除去されるとともにパーティクルが除去されたエアーの導入を受けることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１の空間は、基板処理部との間で前記基板の受渡しを行う主搬送部の搬送領域である主搬送領域であり、前記第２の空間は、前記基板処理部によって前記主搬送領域と隔てられており、前記基板処理部において前記基板の搬送を行うローカル搬送部の搬送領域であるローカル搬送領域であることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記基板処理部は、前記基板上に形成されたレジスト膜に対して露光処理が施された後に、前記基板に対して熱処理を施す処理部であることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１の空間は、基板処理部との間で前記基板の受渡しを行う主搬送部の搬送領域である主搬送領域であり、前記第２の空間は、前記基板処理部の内部空間であることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、基板に所定の処理を施す処理部と、前記処理部に対して基板の受渡しを行う単一の主搬送部とを含んで単一の処理ブロックを構成し、前記処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、前記各処理ブロックには、当該処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、当該処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられ、前記各処理ブロックの主搬送部は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受渡しを行うとともに、前記処理ブロックのうち少なくとも１つの処理ブロックは、前記主搬送部の搬送領域である主搬送領域にケミカル制御されたエアーを供給する第１のエアー供給手段と、前記処理部によって前記主搬送領域と隔てられており、前記処理部において前記基板の搬送を行うローカル搬送部の搬送領域であるローカル搬送領域にケミカル制御されたエアーを供給する第２のエアー供給手段と、を備え、前記第２のエアー供給手段は、配管を介して前記第１のエアー供給手段から導入されたケミカル制御されたエアーをローカル搬送領域に供給することを特徴とする。

請求項１から請求項６に記載の発明によれば、第２のエアー供給手段は、配管を介して第１のエアー供給手段によってケミカル制御されたエアーの導入を受ける。これにより、第２のエアー供給手段にケミカル制御を施すための設備を設けることなく、第２の空間にケミカル制御されたエアーを供給することができる。そのため、第１の空間および第２の空間において基板がケミカル汚染されることを防止するとともに、第２のエアー供給手段を小型化するとともに、装置の製造コストを低減することができる。

また、請求項１から請求項６に記載の発明によれば、第２のエアー供給手段にケミカル制御のための設備を設ける必要がないため、第２のエアー手段の製造コストおよび維持コストを低減することができる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、第２のエアー供給手段にケミカル成分を除去するための設備を設ける必要がない。そのため、第２のエアー供給手段のサイズを小型化するとともに、装置の製造コストを低減することができる。

特に、請求項３に記載の発明によれば、第２のエアー供給手段にケミカル成分を除去するための設備とパーティクルを除去するための設備とを設ける必要がない。そのため、第２のエアー供給手段のサイズをさらに小型化することができる。

特に、請求項４に記載の発明によれば、主搬送領域は第１のエアー供給手段から、また、ローカル搬送領域は、第２のエアー供給手段から、それぞれケミカル制御されたエアーを供給することができる。そのため、主搬送領域およびローカル搬送領域において基板がケミカル汚染されることを防止することができ、良好な基板処理を施すことができる。

特に、請求項５に記載の発明によれば、レジスト膜が形成された基板について、露光処理が完了した後にローカル搬送領域に搬送された場合であっても、当該レジスト膜や基板自体がケミカル成分によって汚染されることを防止できる。そのため、基板処理部において良好に基板処理を施すことができる。

特に、請求項６に記載の発明によれば、主搬送領域は第１のエアー供給手段から、また、基板処理部は第２のエアー供給手段から、それぞれケミカル制御されたエアーを供給することができる。そのため、主搬送領域および基板処理部において基板がケミカル汚染されることを防止することができ、良好な基板処理を施すことができる。

請求項７に記載の発明によれば、各処理ブロックの主搬送部を同時並行的に作動させることができる。そのため、各処理部に対する基板の受渡しの速度を等価的に向上させることができ、基板処理装置のスループットを向上させることができる。

また、請求項７に記載の発明によれば、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられている。これにより、その処理ブロックに受け入れる基板と、その処理ブロックから払い出す基板とが、基板載置部と干渉することがないため、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。

さらに、請求項７に記載の発明によれば、処理ブロックのうち少なくとも１つの処理ブロックは、第１のエアー供給手段と第２のエアー供給手段とを有し、第２のエアー供給手段は、配管を介して第１のエアー供給手段によってケミカル制御されたエアーの導入を受ける。これにより、第２のエアー供給手段にケミカル制御を施すための設備を設けることなく、ローカル搬送領域にケミカル制御されたエアーを供給することができる。そのため、主搬送領域およびローカル搬送領域において基板がケミカル汚染されることを防止するとともに、第２のエアー供給手段を小型化するとともに、装置の製造コストを低減することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本実施形態の基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１から図４にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）が接続配置されている。

インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。すなわち、基板移載機構１２は、載置台１１、インデクサブロック１の外壁１６、および隔壁１３とによって囲まれる空間である主搬送領域１８にて移動可能に設けられている。

なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

図５は、搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。すなわち、搬送ロボットＴＲ１は、熱処理タワー２１、隔壁１３、２５、および下地塗布処理部ＢＲＣによって囲まれる空間である主搬送領域２８にて移動可能に設けられている。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル３３およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。

各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。

ローカル搬送機構３４は、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のそれぞれに設けられた搬送機構であり、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。また、ローカル搬送機構３４は、レジスト塗布ブロック３の外壁３６、隔壁２５、隔壁３５、および熱処理タワー３１とに囲まれる空間であるローカル搬送領域３９にて昇降する。

ここで、ローカル搬送領域３９は、図１に示すように、熱処理タワー３１によって主搬送領域３８と隔てられた空間であり、後述するように熱雰囲気の漏出防止を目的として加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のそれぞれにローカル搬送機構３４を追加したために必要となった空間である。

そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。

このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対する基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。すなわち、搬送ロボットＴＲ２は、熱処理タワー３１、隔壁２５、３５、およびレジスト塗布処理部ＳＣによって囲まれる空間である主搬送領域３８にて移動可能に設けられている。

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。

現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有し、隔壁３５、熱処理タワー４１、４２、隔壁４５、および現像処理部ＳＤによって囲まれる空間である主搬送領域４８にて移動可能に設けられている。

現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２が積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構４７を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部はインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の側には開口しているが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の側には閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、ローカル搬送機構４７は、基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ３とは反対側、すなわち装置背面側に設置されており、現像処理ブロック４の外壁４６、隔壁３５、４５、および熱処理タワー４１、４２とに囲まれるローカル搬送領域４９にて昇降する。ここで、ローカル搬送領域４９は、熱処理タワー４１、４２によって主搬送領域４８と隔てられた空間であり、加熱処理の性能を向上させることを目的として各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２にローカル搬送機構４７を追加したために必要となった空間である。

さらに、熱処理タワー４２には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。

このインターフェイスブロック５と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁４５が設けられている。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。

エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を有しており、隔壁４５、インターフェイスブロック５の外壁５３、およびエッジ露光部ＥＥＷによって囲まれる空間である主搬送領域５９にて移動可能に設けられている。

また、図２に示すように、２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。

搬送機構５５は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５５ａを備え、この可動台５５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５５ｂを搭載している。保持アーム５５ｂは、可動台５５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。すなわち、搬送機構５５は、インターフェイスブロック５の外壁５３、隔壁４５、およびエッジ露光部ＥＥＷによって囲まれる空間である主搬送領域５８にて移動可能に設けられている。

センドバッファＳＢＦは、露光装置が基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の外側上部には後述するファンユニットによって常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。

＜１．２．ファンユニットの構成＞
図７は、現像処理ブロック４をＶ−Ｖ線からみた断面の他の例を示す図である。また、図８は、本実施の形態のファンユニットの構成の一例を示す図である。ここでは、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４の上部に配設されるケミカルフィルタユニット１７０、１８０について説明する。なお、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４の上部には同様なユニットが配設されるため、ここでは、現像処理ブロック４の上部のユニットについて説明する。

図７に示すように、現像処理ブロック４の外側の上部８１ａ付近であって主搬送領域４８の直上にはケミカルフィルタユニット１７０が、また、上部８１ｂ付近であってローカル搬送領域４９の直上には１８０がそれぞれ配設されている。

まず、ケミカルフィルタユニット１７０について説明する。ケミカルフィルタユニット１７０は、基板処理装置が設置されているクリーンルーム内の空気を取り込むとともに、この空気に含まれているアミンやアンモニアなどのケミカル成分を除去した清浄な空気を現像処理ブロック４内の主搬送領域４８およびローカルフィルタユニット１８０に供給する部材である。図８に示すように、ケミカルフィルタユニット１７０は、主として、ケミカルフィルタ部７１、チャンバ１７２、ファン部７３、およびフィルタ部７４を備える。

ケミカルフィルタ部７１の内部には、不織布等のフィルタ基材に対して化学物質を吸着する吸着剤が付与されたケミカルフィルタが配設されている。また、ケミカルフィルタ部７１の上部には、クリーンルーム内の空気を取り込む取込口（図示省略）が設けられている。そのため、ファン部７３のファン７８を回転させると、クリーンルーム内の空気に含まれるケミカル成分は、ケミカルフィルタ部７１のケミカルフィルタユニット７０ａを通過する際に、このケミカルフィルタ７１ａに付着して除去される。そして、チャンバ１７２にはケミカル制御されたエアー（空気）が供給される。

ここで、ケミカル制御されたエアーとは、アミンやアンモニアなどのケミカル成分が除去されたエアーをいう。このケミカル制御されたエアーの雰囲気を現像処理ブロック４内部に形成することにより、化学増幅型レジストによって形成されたレジスト膜中に存在する酸触媒が中和されることを防止できる。そのため、基板Ｗ上に形成される配線パターンがくびれてＴ型形状になることや、配線パターンが倒れるパターン倒れを防止することができる。

チャンバ１７２は、その横断面（ＸＹ平面と平行な平面）につき、ケミカルフィルタ部７１側の横断面と比較してファン部７３側の横断面が大きくなるように形成されている。ケミカルフィルタ部７１を通過したケミカル制御されたエアーは、チャンバ１７２を介してファン部７３に均一に供給される。そして、チャンバ１７２を通過したエアーは、ファン部７３を介してフィルタ部７４に供給される。ここで、フィルタ部７４内には、ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタやＨＥＰＡ（High Efficiency Particulate Air)フィルタが配設されている。そのため、フィルタ部７４を通過するエアーからは、塵や埃等の微粒子が除去される。そして、フィルタ部７４を通過したケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーは、主搬送領域４８の上部に供給される。

また、主搬送領域４８の下部付近には排気ファン９１が配設されるとともに、主搬送領域４８の下部は配管７６ａを介して排気ドレイン７５ａと連通接続する。そのため、排気ファン９１を駆動させると、主搬送領域４８の雰囲気は配管７６ａを介して排気ドレイン７５ａに排気される。

さらに、主搬送領域４８の下部付近には排気ファン９２が配設されている。これにより、排気ファン９２を駆動させると、主搬送領域４８の雰囲気は排気口９５を介して現像処理ブロック４の外部に排気される。すなわち、排気ファン９１に加えて排気ファン９２を駆動させることにより、さらに効率的に主搬送領域４８の雰囲気を基板処理装置の外部に排気することができる。

このように、ケミカルフィルタユニット１７０では、クリーンルーム内の空気に含まれるケミカル成分および微粒子を除去して、現像処理ブロック４内の主搬送領域４８に清浄空気のダウンフローを形成することができる。

次に、ローカルフィルタユニット１８０について説明する。ローカルフィルタユニット１８０は、ケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーを現像処理ブロック４内のローカル搬送領域４９に供給する部材であり、主として、配管１８５、ファン部１８３、チャンバ１８２、およびフィルタ部１８４を備える。図８に示すように、チャンバ１７２の上部には、チャンバ１７２の外部から内部まで貫通する流出口１８１が設けられており、配管１８５の一端と連通している。さらに、配管１８５の他端は、ファン部１８３と連通している。このように、ケミカルフィルタユニット１７０のチャンバ１７２内の雰囲気とローカルフィルタユニット１８０ファン部１８３内の雰囲気とは、配管１８５を介して連通接続されている。したがって、ファン部１８３のファン１８８を回転させることにより、チャンバ１７２内の雰囲気の一部はファン部１８３に導入され、ファン部１８３内部はケミカル制御されたエアーで満たされる。そして、ファン部１８３に供給されたエアーは、チャンバ１８２を通過してフィルタ部１８４に供給される。ここで、フィルタ部１８４内には、フィルタ部７４と同様に、ＵＬＰＡフィルタやＨＥＰＡフィルタが配設されている。そのため、フィルタ部１８４を通過するエアーからは、塵や埃等の微粒子が除去される。そして、フィルタ部１８４を通過したケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーは、ローカル搬送領域４９の上部に供給される。

また、ローカル搬送領域４９の下部付近には排気ファン９３が配設されるとともに、ローカル搬送領域４９の下部は配管７６ｂを介して排気ドレイン７５ｂと連通接続する。そのため、排気ファン９３を駆動させると、ローカル搬送領域４９の雰囲気は配管７６ｂを介して排気ドレイン７５ｂに排気される。

このように、ローカルフィルタユニット１８０は、ケミカルフィルタユニット１７０からケミカル制御されたエアーの導入を受けるとともに、フィルタ部１８４にて微粒子を除去することができる。すなわち、ローカルフィルタユニット１８０では、ケミカル成分を除去するケミカルフィルタ部を設ける必要がない。したがって、ローカル搬送領域３９、４９にケミカル制御されたエアーを供給するハードウェア（ローカルフィルタユニット１８０）のサイズを従来のファンユニットと比較して小型化することができる。また、ローカルフィルタユニット１８０では高価なケミカルフィルタ部を設ける必要がないため、基板処理装置の製造コストを低減することができる。

＜１．３．基板処理装置の制御＞
ここでは、本実施形態の制御系について説明する。ところで、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板に所定の処理を行う複数の処理部とそれら複数の処理部に対して基板搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、本明細書では熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットの他に単に基板Ｗを載置するだけの基板載置部等も搬送対象部という意味において「処理部」に含め、また、基板移載機構１２や搬送機構５５も搬送ロボットに含める。

本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック２と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と同じ構成になっている。

一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。

また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルは、外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図６は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネル（図示省略）の管理およびセルコントローラの管理を主に担当する。第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順（フローレシピ）に従って搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、基板Ｗの回転数や処理液の吐出タイミング等を制御する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、プレート温度等を制御する。

このように本実施形態では、３階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラＣＣは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラＣＣの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができるのである。

なお、各搬送ロボットコントローラＴＣに対しては各ブロックの外壁面に設けられたコネクタを介して接続された入力パネルＩＰから種々のコマンドやデータを入力することができる。例えば、入力パネルＩＰから搬送ロボットにオートティーチングの開始を指示することができる。

＜１．４．基板処理装置の動作＞
次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置における基板Ｗの搬送の手順について簡単に説明する。まず、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにフォトレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光部ＥＥＷに搬入される。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、装置外の露光装置に搬入され、パターン露光処理に供される。

パターン露光処理が終了した基板Ｗは再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構５５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が完了すると、基板Ｗはローカル搬送機構４７によって基板仮置部に搬送されるとともに、搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板ＷはクールプレートＣＰ１３に搬送されて冷却される。

クールプレートＣＰ１３にて所定時間の冷却処理が完了すると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。このようにして一連の処理が完了する。

以上のように、本実施形態の基板処理装置においては、各搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ４が熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットおよび基板載置部等に基板Ｗを受け渡しすることによって一連の処理が進行する。例えば、バークセルの搬送ロボットＴＲ１は、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６および密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３の各基板受渡対象部に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

＜１．５．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態において、ローカルフィルタユニット１８０は、ケミカルフィルタ部を設けることなくローカル搬送領域３９、４９にケミカル制御されたエアーを供給することができる。そのため、ローカルフィルタユニット１８０のサイズを小型化するとともに、基板処理装置の製造コストを低減することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置は、第１の実施の形態の基板処理装置と比較して、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４の上部に配設されるケミカルフィルタユニットのハードウェア構成が相違する点を除いて、第１の実施の形態の基板処理装置と同様である。そこで、以下では、この相違点を中心に説明する。

なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理システムにおける構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。

＜２．１．ファンユニットの構成＞
図９は、本実施の形態のファンユニットの構成の他の例を示す図である。ここでは、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４の上部に配設されるケミカルフィルタユニット２７０、２８０について説明する。なお、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４の上部には同様なユニットが配設されるため、ここでは、現像処理ブロック４の上部のユニットについて説明する。

図９に示すように、現像処理ブロック４の外側の上部８１ａ付近であって主搬送領域４８の直上にはケミカルフィルタユニット２７０が、また、上部８１ｂ付近であってローカル搬送領域４９の直上には２８０がそれぞれ配設されている。

まず、ケミカルフィルタユニット２７０について説明する。ケミカルフィルタユニット２７０は、第１の実施の形態のケミカルフィルタユニット１７０と同様に、基板処理装置が設置されているクリーンルーム内の空気を取り込むとともに、この空気に含まれているアミンやアンモニアなどのケミカル成分を除去した清浄な空気を現像処理ブロック４内の主搬送領域４８およびローカルフィルタユニット２８０に供給する部材である。図９に示すように、ケミカルフィルタユニット２７０は、主として、ケミカルフィルタ部７１、チャンバ７２、ファン部７３、フィルタ部７４、およびチャンバ２７５を備える。

ケミカルフィルタ部７１は、その内部に、不織布等のフィルタ基材に対して化学物質を吸着する吸着剤が付与されたケミカルフィルタが配設されている。したがって、ファン部７３のファン７８を回転させると、ケミカル制御されたエアー（空気）は、チャンバ７２に到達する。そして、ファン部７３およびフィルタ部７４を介して、ケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーが、フィルタ部７４の下方に配置されたチャンバ２７５に到達する。

ここで、チャンバ２７５は、現像処理ブロック４の内側上部に設けられおり、配管２８５の一端はチャンバ２７５内の雰囲気と連通している。さらに、配管２８５の他端はローカルフィルタユニット２８０のチャンバ２８２と連通している。また、チャンバ２７５の下部は、現像処理ブロック４の主搬送領域４８と連通している。したがって、ファン７８を回転させることにより、チャンバ２７５に供給されたエアーの一部は現像処理ブロック４の主搬送領域４８に、その他はローカルフィルタユニット２８０のチャンバ２８２に導入される。

また、第１の実施の形態と同様に、主搬送領域４８の下部付近には排気ファン９１が配設されており、主搬送領域４８の下部は配管７６ａを介して排気ドレイン７５ａと連通接続されている。そのため、排気ファン９１を駆動することによって主搬送領域４８の雰囲気は、排気ドレイン７５ａに排気される。さらに、主搬送領域４８の下部付近には排気ファン９２が配設されている。これにより、排気ファン９２を駆動させると、主搬送領域４８の雰囲気は排気口９５を介して基板処理装置の外部に排気される。

このように、ケミカルフィルタユニット２７０では、クリーンルーム内の空気に含まれるケミカル成分および微粒子を除去して、現像処理ブロック４内の主搬送領域４８に清浄空気のダウンフローを形成することができる。

次に、ローカルフィルタユニット２８０について説明する。ローカルフィルタユニット２８０は、第１の実施の形態のローカルフィルタユニット１８０と同様に、ケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーを現像処理ブロック４内のローカル搬送領域４９に供給する部材であり、主として、配管２８５およびチャンバ２８２を備える。

図９に示すように、チャンバ２８２内の雰囲気は、上述のように配管２８５を介してチャンバ２７５内の雰囲気と連通している。したがって、ケミカルフィルタユニット２７０のファン７８を回転させることにより、チャンバ２７５内に満たされたケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーは、チャンバ２８２に導入される。そして、チャンバ２８２に導入されたエアーは、ローカル搬送領域４９の上部に供給される。なお、ローカルフィルタユニット２８０において、ケミカルフィルタユニット２７０のチャンバ２７５から導入されるエアーを一旦チャンバ２８２で受けた後にローカル搬送領域４９の上部に供給するのは、ローカル搬送領域４９に対してケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーを供給するためのである。

また、第１の実施の形態と同様に、ローカル搬送領域４９の下部付近には排気ファン９３が配設されており、ローカル搬送領域４９の下部は配管７６ｂを介して排気ドレイン７５ｂと連通接続されている。そのため、排気ファン９３を駆動することによってローカル搬送領域４９の雰囲気は、排気ドレイン７５ｂに排気される。

このように、ローカルフィルタユニット２８０は、ケミカルフィルタユニット１７０からケミカル制御されるとともにパーティクルが除去されたエアーの導入を受けつつ、ローカル搬送領域４９において、この清浄エアーのダウンフローを形成することができる。すなわち、ローカルフィルタユニット２８０では、ケミカル成分を除去するケミカルフィルタ部およびパーティクルを除去するフィルタ部７４を設ける必要がない。そのため、第１の実施の形態のケミカルフィルタユニット７０およびローカルフィルタユニット１８０と比較してローカル搬送領域３９、４９にケミカル制御されたエアーを供給するハードウェア（ローカルフィルタユニット２８０）のサイズをさらに小型化することができる。また、本実施の形態のローカルフィルタユニット２８０では、ケミカルフィルタユニット７０に加えてフィルタ部７４を設ける必要がないため、さらに基板処理装置の製造コストを低減することができる。

＜２．２．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態において、ローカルフィルタユニット１８０は、ケミカルフィルタ部およびフィルタ部を設けることなくローカル搬送領域３９、４９にケミカル制御されるとともにパーティクルが除去されたエアーを供給することができる。そのため、第１の実施の形態のケミカルフィルタユニット７０と比較してファンユニットのサイズをさらに小型化するとともに、基板処理装置の製造コストをさらに低減することができる。

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
（１）本実施の形態において、各ブロック１〜５の上部に配設されたファンユニットは、すべてケミカル成分およびパーティクルが除去されたエアーを供給するファンユニットとして説明したが、これに限定されるものでなく、ファンユニットの一部については、パーティクルのみを除去するものであってもよい。
（２）第１の実施の形態において、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３、塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３、現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５、およびエッジ露光部ＥＥＷの処理部では、ケミカル制御されたエアーにつき、温度および湿度が所定範囲内となるように管理されたエアーが、図示を省略するエアー供給源から供給されているが、これに限定されるものでなく、これら処理部の一部については、ローカルフィルタユニット１８０から供給されるケミカル制御されたエアーを供給してもよい。

本発明の実施形態における基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。 図１の基板処理装置の搬送ロボットを説明するための図である。 図１の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。 図１の基板処理装置をＶ−Ｖ線から見た断面の他の例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態におけるケミカルファンユニットの構成の一例を示す図である。 本発明の第２の実施の形態におけるケミカルファンユニットの構成の他の例を示す図である。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ バークブロック
３ レジスト塗布ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェイスブロック
１２ 基板移載機構
２１，３１，４１，４２ 熱処理タワー
５５ 搬送機構
１７０、２７０ ケミカルフィルタユニット
７５ａ、７５ｂ 排気ドレイン
７６ａ、７６ｂ、１８５、２８５ 配管
１８、２８、３８、４８、５８、５９ 主搬送領域
３９、４９ ローカル搬送領域
ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３ 密着強化処理部
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３ 塗布処理ユニット
Ｃ キャリア
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１３ クールプレート
ＨＰ１〜ＨＰ１１ ホットプレート
ＩＰ 入力パネル
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＴＣ 搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
   (a) 装置内の第１の空間にケミカル制御されたエアーを供給する第１のエアー供給手段と、
   (b) 装置内の第２の空間にケミカル制御されたエアーを供給する第２のエアー供給手段と、
   を備え、
   前記第２のエアー供給手段は、配管を介して前記第１のエアー供給手段から導入されたケミカル制御されたエアーを前記第２の空間に供給することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第２のエアー供給手段は、前記第１のエアー供給手段においてケミカル成分が除去されたエアーの導入を受けるとともに、前記第２のエアー供給手段において前記ケミカル成分が除去されたエアーからパーティクルを除去して前記第２の空間にケミカル制御されたエアーを供給することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第２のエアー供給手段は、前記第１のエアー供給手段においてケミカル成分が除去されるとともにパーティクルが除去されたエアーの導入を受けることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１の空間は、基板処理部との間で前記基板の受渡しを行う主搬送部の搬送領域である主搬送領域であり、
   前記第２の空間は、前記基板処理部によって前記主搬送領域と隔てられており、前記基板処理部において前記基板の搬送を行うローカル搬送部の搬送領域であるローカル搬送領域であることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記基板処理部は、前記基板上に形成されたレジスト膜に対して露光処理が施された後に、前記基板に対して熱処理を施す処理部であることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１の空間は、基板処理部との間で前記基板の受渡しを行う主搬送部の搬送領域である主搬送領域であり、
   前記第２の空間は、前記基板処理部の内部空間であることを特徴とする基板処理装置。
7. 基板に所定の処理を施す処理部と、前記処理部に対して基板の受渡しを行う単一の主搬送部とを含んで単一の処理ブロックを構成し、前記処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、
   前記各処理ブロックには、当該処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、当該処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられ、
   前記各処理ブロックの主搬送部は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受渡しを行うとともに、
   前記処理ブロックのうち少なくとも１つの処理ブロックは、
   前記主搬送部の搬送領域である主搬送領域にケミカル制御されたエアーを供給する第１のエアー供給手段と、
   前記処理部によって前記主搬送領域と隔てられており、前記処理部において前記基板の搬送を行うローカル搬送部の搬送領域であるローカル搬送領域にケミカル制御されたエアーを供給する第２のエアー供給手段と、
   を備え、
   前記第２のエアー供給手段は、配管を介して前記第１のエアー供給手段から導入されたケミカル制御されたエアーをローカル搬送領域に供給することを特徴とする基板処理装置。

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