JP2005101048A - 検査装置、基板処理装置および基板検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】検査対象となる基板を処理に応じて指定する。
【解決手段】基板処理装置にメインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、およびユニットコントローラとを設ける。メインコントローラＭＣは、各基板についての処理履歴データと、どのような条件の基板を検査するかを指定するための指定ルールとを検査セルのセルコントローラＣＣに送信する。検査セルのセルコントローラＣＣは、処理履歴データと指定ルールとに応じて、検査セルに搬送された基板ごとに検査するか否かの判定を行い、判定結果に応じて基板の搬送先を決定する。測定ユニットコントローラは、搬送ロボットにより搬送された基板について所定の測定を行うよう測定ユニットを制御する。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）を検査する技術に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く用いられている。

このようなコータ＆デベロッパにおいて、基板に対して実行された一連の諸処理が正常であったか否かを検査する測定ユニット（検査装置）をさらに組み込んで、装置内で行われた処理を当該装置内で評価する技術が提案されている。このような装置構成とすることにより、基板処理装置で処理された基板を、別ルームに設置されている検査装置に搬送したりする手間を省くことができるため、基板の製造効率が向上する。

このような基板処理装置では、測定ユニットがすべての基板を検査するのではなく、予め各基板に対する検査の要否を指定しておき、指定された基板だけを抜き取り検査することも行われている。

ところが、従来の検査装置では、予め処理前の段階で検査対象とする基板を指定しておくことはできるものの、例えば、基板に対する処理が進行する過程において発生する要因に基づいて、検査対象とする基板を指定、あるいは変更することができないという問題があった。したがって、例えば、予め検査対象として指定されていた基板が、基板処理装置内における処理途中にロストした場合には、検査そのものが一切行われないという問題があった。

また、各基板が複数の処理ユニットで並列的に処理される場合、検査する基板を指定する段階においては、それぞれの基板がどの処理ユニットで処理されるかが未定であるため、特定の処理ユニットにおける処理状態を検査することができないという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、検査対象となる基板を処理に応じて指定することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して所定の検査を行う検査装置であって、前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定手段と、基板を搬送する搬送手段と、前記搬送手段が搬送する前記基板の履歴情報を取得する情報取得手段と、前記情報取得手段によって取得された前記履歴情報と、前記設定手段により設定された前記指定ルールとに応じて、前記搬送手段が搬送する基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定手段と、前記搬送手段により搬送された前記基板について所定の測定を行う測定手段とを備え、前記測定手段による測定結果に応じて、前記所定の検査を行う。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る検査装置であって、前記搬送手段は、前記判定手段により検査不要と判定された基板については、前記測定手段に搬送することなく、前記検査装置外に搬送する。

また、請求項３の発明は、請求項１または２の発明に係る検査装置であって、前記検査装置に搬送された基板に処理番号を割り付けて、前記履歴情報に関連づけるカウンター手段をさらに備え、前記指定ルールは、前記検査装置に搬送された基板について、前記基板の処理番号に応じて、所定枚数毎に前記所定の検査を行うものである。

また、請求項４の発明は、請求項１または２の発明に係る検査装置であって、前記指定ルールは、前記複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ前記所定の検査を行うものである。

また、請求項５の発明は、基板に対する所定の処理を実行する基板処理装置であって、基板を処理する複数の処理ユニットと、基板に対して所定の検査を行う検査装置と、前記複数の処理ユニットおよび前記検査装置に対して基板を搬送する第１搬送手段と、前記複数の処理ユニットにおける処理結果に応じて、各基板についての履歴情報を生成する情報生成手段とを備え、前記検査装置が、前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定手段と、前記検査装置に搬送された基板を搬送する第２搬送手段と、前記情報生成手段によって生成された前記履歴情報と、前記設定手段により設定された前記指定ルールとに応じて、前記第２搬送手段が搬送する基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定手段と、前記第２搬送手段により搬送された前記基板について所定の測定を行う測定手段とを備え、前記測定手段による測定結果に応じて、前記検査装置が前記所定の検査を行う。

また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置であって、前記第２搬送手段は、前記判定手段により検査不要と判定された基板については、前記測定手段に搬送することなく、前記検査装置外に搬送する。

また、請求項７の発明は、請求項５または６の発明に係る基板処理装置であって、前記検査装置が、前記検査装置に搬送された基板に処理番号を割り付けて、前記履歴情報に関連づけるカウンター手段をさらに備え、前記指定ルールは、前記検査装置に搬送された基板について、前記基板の処理番号に応じて、所定枚数毎に前記所定の検査を行うものである。

また、請求項８の発明は、請求項５または６の発明に係る基板処理装置であって、前記指定ルールは、前記複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ前記所定の検査を行うものである。

また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る基板処理装置であって、前記検査装置による検査結果に応じて、前記特定の処理ユニットの異常を検出する検出手段をさらに備え、前記第１搬送手段による基板の搬送先は、前記検出手段の検出結果に応じて、決定される。

また、請求項１０の発明は、基板に対する所定の処理を実行する基板処理方法であって、複数の処理ユニットによって基板を処理する処理工程と、検査装置によって基板に対する所定の検査を行う検査工程と、前記複数の処理ユニットおよび前記検査装置に対して基板を搬送する第１搬送工程と、前記複数の処理ユニットにおける処理結果に応じて、各基板についての履歴情報を生成する情報生成工程とを有し、前記検査工程が、前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定工程と、前記情報生成工程において生成された前記履歴情報と、前記設定工程において設定された前記指定ルールとに応じて、前記検査装置に搬送された基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定工程と、前記検査装置に搬送された基板を搬送する第２搬送工程と、前記第２搬送工程において搬送された前記基板について、測定装置によって所定の測定を行う測定工程とを有するとともに、前記測定工程における測定結果に応じて、前記所定の検査を行う。

また、請求項１１の発明は、請求項１０の発明に係る基板処理方法であって、前記第２搬送工程では、前記判定工程において検査不要と判定された基板を、前記測定装置に搬送することなく、前記検査装置外に搬送する。

請求項１ないし１１に記載の発明では、基板の履歴情報と、所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールとに応じて、所定の検査の要否を判定することにより、個々の基板に対する処理履歴に応じて基板を検査することができる。

請求項２、６および１１に記載の発明では、検査不要と判定された基板については、測定手段に搬送することなく、検査装置外に搬送することにより、検査不要な基板を素通りさせるため、処理速度を向上させることができる。

請求項３および７に記載の発明では、検査装置に搬送された基板について、基板の処理番号に応じて、所定枚数毎に所定の検査を行うことにより、処理途中で基板がロストした場合であっても所定の割合で基板を検査することができる。

請求項４および８に記載の発明では、複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ所定の検査を行うことにより、特定の処理ユニットの処理状態を確認することができる。

＜１． 第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態の基板処理装置Ａの平面図である。また、図２は基板処理装置Ａの液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１から図４にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

本実施の形態の基板処理装置Ａは、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置Ａの処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であってもよい。また、本発明に係る基板処理装置Ａの処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であってもよい。

本実施の形態の基板処理装置Ａは、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５および検査ブロックＩＢ（本発明における検査装置に相当する）の６つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置Ａとは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）が接続配置されている。

インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施の形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１２の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置Ａの占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

図５は、搬送ロボットＴＲ１が周囲に配置された処理ユニットに基板Ｗを搬送する様子を示す図である。図６は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図５に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と検査ブロックＩＢとの間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。

各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。

ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。

このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対する基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側のみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、検査ブロックＩＢについて説明する。基板処理装置Ａには、レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにして検査ブロックＩＢが設けられている。レジスト塗布ブロック３と検査ブロックＩＢとの間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と検査ブロックＩＢとの間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から検査ブロックＩＢへ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを検査ブロックＩＢの搬送ロボットＴＲ５が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、検査ブロックＩＢからレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、検査ブロックＩＢの搬送ロボットＴＲ５が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ５が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。

検査ブロックＩＢは、一連のフォトリソグラフィー処理が完了した基板Ｗまたはその処理途中の基板Ｗの検査を行うための処理ブロックである。検査ブロックＩＢは、基板Ｗに対して所定の測定を行う測定装置として、膜厚測定ユニット８０と、線幅測定ユニット８５、およびマクロ欠陥検査ユニット９０を備え、さらに検査用バッファ９５およびそれらに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ５を備える。なお、搬送ロボットＴＲ５は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。また、本実施の形態においては、マクロ欠陥検査ユニット９０のように、基板Ｗに対して所定の測定を行うだけでなく、当該装置による測定結果に基づいて、何らかの検査・検出を行う装置も測定ユニットに含める。

図２に示すように、膜厚測定ユニット８０は検査ブロックＩＢの装置正面側下段に配置されている。膜厚測定ユニット８０は、膜厚測定器８１を備えており、基板Ｗ上に塗布されたレジストの膜厚を光学的に測定する。線幅測定ユニット８５は、検査ブロックＩＢの装置正面側上段に配置されている。線幅測定ユニット８５は、線幅測定器８６を備えており、現像処理後の基板Ｗ上に形成されたパターンの線幅を光学的に測定する。

一方、図３に示すように、マクロ欠陥検査ユニット９０は検査ブロックＩＢの装置背面側下段に配置されている。マクロ欠陥検査ユニット９０は、マクロ欠陥検査器９１を備えており、基板Ｗ上に現出した欠陥についてその大きさを測定し、比較的大きな欠陥、例えばパーティクルの付着やレジストの塗布ムラを光学的に検出する。また、マクロ欠陥検査ユニット９０の上方、すなわち検査ブロックＩＢの装置背面側上段には検査用バッファ９５が２列に配置されている。検査用バッファ９５は、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。検査用バッファ９５は、膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、マクロ欠陥検査ユニット９０のいずれかにて基板Ｗの検査が行われているときに、そのユニットにて検査を行うべき後続の基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。

なお、膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、マクロ欠陥検査ユニット９０の配置位置は上記の例に限定されるものではなく、それらを相互に入れ替えた配置であってもよい。

搬送ロボットＴＲ５の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ５は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、マクロ欠陥検査ユニット９０、検査用バッファ９５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。すなわち、搬送ロボットＴＲ５は、検査ブロックＩＢにおいて、基板Ｗを搬送する機能を備えている。

次に、現像処理ブロック４について説明する。検査ブロックＩＢとインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。検査ブロックＩＢと現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁４５が設けられている。この隔壁４５に検査ブロックＩＢと現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、検査ブロックＩＢから現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、検査ブロックＩＢの搬送ロボットＴＲ５が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４から検査ブロックＩＢへ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを検査ブロックＩＢの搬送ロボットＴＲ５が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、隔壁４５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットＴＲ５，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁４５を貫通して上下に設けられている。

現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１と全く同じ構成を有する。

現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１３とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部はインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の側には開口しているが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の側には閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、熱処理タワー４２には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ９に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、本基板処理装置Ａとは別体の外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行うブロックである。本実施の形態のインターフェイスブロック５には、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。

エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えている。

また、図２に示すように、２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。

搬送機構５５は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５５ａを備え、この可動台５５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５５ｂを搭載している。保持アーム５５ｂは、可動台５５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光装置との間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光装置が基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５および検査ブロックＩＢには常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５および検査ブロックＩＢは、本実施の形態の基板処理装置Ａを機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置Ａが構成されている。

一方、本実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板に所定の処理を行う複数の処理部とそれら複数の処理部に対して基板の搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、本明細書では熱処理ユニット、塗布・現像処理ユニット、エッジ露光部の他に単に基板Ｗを載置するだけの基板載置部等も搬送対象部という意味において「処理部」に含め、また、基板移載機構１２や搬送機構５５も基板搬送を行うため搬送ロボットに含める。

本実施の形態の基板処理装置Ａには、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、検査セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの７つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック２と同じ構成になっている。また、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と同じ構成になっている。さらに、検査セルは、膜厚測定ユニット８０と、線幅測定ユニット８５とマクロ欠陥検査ユニット９０と検査用バッファ９５と搬送ロボットＴＲ５とを含む。この検査セルも、結果として機械的に分割した単位である検査ブロックＩＢと同じ構成になっている。

一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。

また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルは、外部装置である露光装置に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、本実施の形態の基板処理装置Ａの制御機構について説明する。図７は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施の形態の基板処理装置Ａは、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置Ａ全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢからオペレータが種々のコマンドを基板処理装置Ａに対して入力することができる。例えば、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、オペレータがキーボードＫＢを操作することにより、メインコントローラＭＣに対して検査指定情報（後述）が入力される。このようにして入力された検査指定情報は、メインコントローラＭＣから検査セルのセルコントローラＣＣに伝達される。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。また、メインコントローラＭＣには磁気ディスク９９が備えられており、この磁気ディスク９９に後述する処理履歴データ（履歴情報）が格納される。

また、メインコントローラＭＣは、処理履歴データに含まれる検査ブロックＩＢによる検査結果に応じて、各ブロックの処理ユニットの異常を検出する。例えば、所定の割合以上に処理不良が検出された処理ユニットを異常と判定する。さらに、異常を検出した処理ユニットを管轄するセルコントローラＣＣに対して検出結果を通知する。

第２階層のセルコントローラＣＣは、７つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、検査セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。

具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われ、各セルにおける処理に利用される。例えば、検査セルのセルコントローラＣＣは、隣接するセルのセルコントローラＣＣから、「基板Ｗを置いた」という情報を受け取った回数をカウントすることによって、検査ブロックＩＢに搬送された基板Ｗの枚数をカウントし、検査ブロックＩＢに搬送された順番で当該基板Ｗに処理番号を割り当てる。

また、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、基板Ｗの処理履歴データについても、各セルのセルコントローラＣＣがメインコントローラＭＣを介してやり取りする。処理履歴データとは、ある基板Ｗについての処理の履歴を処理部や搬送ロボットごとに集積したデータである。具体的には、例えばバークセルの搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットＴＲ１の搬送時間（ある処理部から基板Ｗを受け取って次の処理部に搬入するまでの時間）を計測して取得する。また、例えばレジスト塗布セルのスピンコントローラがレジスト塗布処理部ＳＣの処理時間を計測して取得する。レジスト塗布処理部ＳＣの処理時間としては、基板Ｗが処理部に搬入されてから搬出されるまでのプロセス処理時間と、レジスト塗布処理部ＳＣにおける各処理ステップごとに要したステップ処理時間との双方が計測されて取得される。処理ステップとは各処理部内で行われる処理における一つの処理工程であり、例えばレジスト塗布処理部ＳＣの場合、フォトレジストを吐出する工程、基板Ｗを回転させて吐出されたフォトレジストを拡布する工程、回転数を下げてレジスト膜厚を安定させる工程等がそれぞれ処理ステップとなる。

また、例えばレジスト塗布セルのスピンコントローラは、レジスト塗布処理部ＳＣにおけるスピンモータの回転数、環境温度、環境湿度、フォトレジストの流量、排気圧、風量等の各項目を処理ステップごとに処理履歴データとして取得する。また、例えば露光後ベークセルのユニットコントローラは、エッジ露光部ＥＥＷにおける露光量、照度、円周移動速度等の各項目を処理ステップごとに処理履歴データとして取得する。さらに、例えばレジスト塗布セルのベークコントローラは、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６におけるプレート温度、冷却時間、圧力等の各項目を処理ステップごとに処理履歴データとして取得する。また、各セルにおいて、当該基板Ｗを処理した処理ユニットを識別する識別番号なども処理履歴データとして取得される。

このようにして取得された搬送時間、処理時間、プレート温度、スピンモータの回転数、液の流量等の項目からなる処理履歴データは、搬送ロボットコントローラＴＣおよびユニットコントローラからセルコントローラＣＣを介してメインコントローラＭＣに送信される。処理履歴データを受け取ったメインコントローラＭＣは、処理に供された各基板Ｗについて各処理部および搬送ロボットごとに区分けして磁気ディスク９９に格納する。また、処理履歴データは、必要に応じて各セルのセルコントローラＣＣに送信される。なお、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、検査ブロックＩＢにおける検査結果も処理履歴データとしてメインコントローラＭＣに送信される。

各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報および当該基板Ｗの搬送先を示す情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順（フローレシピ）に従って循環搬送させる。ここで本実施の形態における基板処理装置Ａの各セルコントローラＣＣは、メインコントローラＭＣから検出結果（異常が検出された処理ユニットに関する検出結果）を受け取った場合は、当該検出結果に応じて基板Ｗの搬送先を決定する。すなわち、異常が検出された処理ユニットを基板Ｗの搬送先から除外する。したがって、搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御する場合において、異常が検出された処理ユニットに、以後基板Ｗが搬送されることはない。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

本実施の形態おける基板処理装置Ａでは、検査セル（検査ブロックＩＢ）のセルコントローラＣＣが、基板Ｗの処理履歴データと検査指定情報とに基づいて、検査ブロックＩＢに搬送された各基板Ｗについて、測定ユニットによる測定が必要か否かを判定する。そして、その判定結果を搬送ロボットコントローラＴＣに伝達する。また、各測定ユニットによる測定結果に応じて、当該基板Ｗが不良基板であるか否かの検査を行う。

第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラ、ベークコントローラ、および測定ユニットコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。

また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、ベークコントローラは、例えばホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度等を調整する。

また、測定ユニットコントローラは、測定ユニット（膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、マクロ欠陥検査ユニット９０）を直接制御するものである。具体的には、搬送ロボットＴＲ５によって測定ユニットに搬送された基板に対して、それぞれの検査を実行させる。また、セルコントローラＣＣからの問い合わせに対して、処理中の測定ユニットに関する情報を提供する。さらに、各測定ユニットによる基板Ｗの検査結果をセルコントローラＣＣに伝達する。

このように本実施の形態では、３階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラＣＣは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラＣＣの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置Ａのスループットを向上させることができるのである。

次に、本実施の形態の基板処理装置Ａの動作について説明する。図８は、基板処理装置Ａの動作の概略を示す流れ図である。電源が投入されると基板処理装置Ａは、まず所定の初期設定を行う（ステップＳ１１）。この初期設定には、オペレータが基板処理装置Ａに対して各種指示を入力する操作も含まれる。

ここで、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、処理されるすべての基板Ｗについて検査を実行するのではなく、以下に用意された３つの指定ルールに従って抜き取り検査が行われる。

１）識別番号指定
検査したい基板Ｗの識別コード（ウェハＩＤ）を指定する。この指定ルールでは、検査対象となる基板Ｗが基板処理装置Ａにおける処理の開始以前に確定される。従来の装置において採用されている指定ルールであって、検査予定の基板Ｗが検査前にロストするとその分だけ検査する基板Ｗの枚数が減少する。なお、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、キャリアＣの段数を指定することによって検査したい基板Ｗの識別コードを指定するが、もちろん直接識別番号を入力してもよい。

２）間欠枚数指定
処理基板Ｗを検査する間隔を枚数で指定する。検査ブロックＩＢに入ってくる基板Ｗについて、何枚おきに検査するかを指定する指定ルールである。この指定ルールでは、基板処理装置Ａにおいて処理が開始される以前には、どの基板Ｗが検査されるか確定していない。検査ブロックＩＢの上流工程においてロストした基板Ｗは、検査ブロックＩＢのセルコントローラＣＣにはカウントされない。したがって、処理ユニットにおける所定の処理が終了して検査ブロックＩＢに無事搬送された基板Ｗの数に対して、検査する基板Ｗの割合は減少しない。なお、指定する間隔枚数を１とすれば、すべての基板Ｗを検査することとなる。

３）処理ユニット指定
処理ユニットを指定する。具体的には、特定の処理ユニットを識別する識別番号を指定する。指定された処理ユニットによって処理された基板Ｗが検査対象となる指定ルールであって、基板処理装置Ａにおいて、処理が開始される以前には、どの基板Ｗが検査されるか確定していない。

初期設定においてオペレータは、キーボードＫＢを操作して、前述の３つの指定ルールのうちから１つを指定する。この操作に基づいて、メインコントローラＭＣが、オペレータによって指定された指定ルールを選択して、選択された指定ルールにおける指定項目とともに、検査指定情報を生成する。生成された検査指定情報は、検査セルのセルコントローラＣＣに送信され、当該セルコントローラＣＣによって指定ルールが設定される。

なお、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、上記３つの指定ルールをオペレータが選択することにより、メインコントローラＭＣが指定ルールを設定するが、指定ルールはこれに限られるものではない。また、基板処理装置Ａでは、基板Ｗに対して後述するように３種類の検査が行われるが、それらについて個別に指定ルールを設定できるようにしてもよい。

初期設定が終了し、各セルのセルコントローラＣＣから準備完了の信号を受信すると、メインコントローラＭＣは基板処理装置Ａにおける基板処理を開始する（ステップＳ１２）。なお、図８においては、図示の都合上、一枚の基板Ｗについて処理が終了した時点で次の基板Ｗが存在するか否かを判定し、基板Ｗが一枚ずつ順次処理されるように示しているが、実際には、複数の基板Ｗが同時に並列的に処理される。

まず、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送し、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板Ｗは再びクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしてもよい。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

なお、反射防止膜を形成せずに基板Ｗの表面に直接レジスト膜を形成する処理フローの場合、搬送ロボットＴＲ１は、基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取った基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３に搬送するのではなく、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。そして、密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却され、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、反射防止膜を形成する前に脱水処理を行う処理フローの場合、搬送ロボットＴＲ１は、基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取った基板Ｗを、まず密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。この場合、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３は、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気を供給することなく基板Ｗを加熱する（すなわち、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３をデハイドベークとして利用する）。搬送ロボットＴＲ１は、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３によって加熱された処理された基板Ｗを、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。これにより、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにフォトレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしてもよい。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、検査セルにおける検査処理が開始される。図９は、検査ブロックＩＢの検査処理の動作を示す流れ図である。

前述のように、基板載置部ＰＡＳＳ５に基板Ｗが載置されると、まず、検査セルのセルコントローラＣＣはメインコントローラＭＣを介して基板Ｗの処理履歴データを取得する（ステップＳ２１）。また、このときセルコントローラＣＣは、当該基板Ｗに処理番号（検査ブロックＩＢに搬送された順番を示す番号）を割り当てる。この割り当てられた処理番号は、検査セルのセルコントローラＣＣによって当該基板Ｗの処理履歴データに関連づけされる。

次に、検査セルのセルコントローラＣＣは、処理履歴データに応じて、初期設定において設定された指定ルールに従って、当該基板Ｗについて膜厚測定ユニット８０による検査の要否を判定する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２では、まずセルコントローラＣＣは、ステップＳ１１の初期設定で設定した指定ルール（検査指定情報）を参照する。

設定した指定ルールが「識別番号指定」である場合には、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されている基板Ｗの識別コードを処理履歴データから取得して、検査指定情報に予め指定されている識別コードと比較しつつ、一致する識別コードが存在するか否かを判定する。一致する識別コードが存在する場合には、当該基板Ｗについて膜厚測定ユニット８０による検査が必要であると判定する（ステップＳ２２においてＹｅｓと判定する）。一方、一致する識別コードが存在しない場合には、当該基板Ｗに対して検査を行う必要がないと判定する（ステップＳ２２においてＮｏと判定する）。

このように、指定ルールとして「識別番号指定」が用意されていることにより、これを選択することによって、本実施の形態における基板処理装置Ａは、検査する基板Ｗを従来の装置と同様の手法によって指定することができる。

設定した指定ルールが「間欠枚数指定」である場合には、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されている基板Ｗの処理番号を処理履歴データから取得して、所定枚数ごとの検査を行う処理番号に該当しているか否かを判定する。例えば、所定枚数として３枚ごとに検査を行うと指定されている場合、基板Ｗの処理番号が１，４，７，・・・，３ｎ＋１（ｎは０以上の整数）であるか否かが判定される。そして、基板Ｗの処理番号が検査を行う処理番号に該当している場合には、当該基板Ｗについて膜厚測定ユニット８０による検査を行う必要があると判定する（ステップＳ２２においてＹｅｓと判定する）。一方、検査を行う処理番号に該当しない場合には、当該基板Ｗに対して検査を行う必要がないと判定する（ステップＳ２２においてＮｏと判定する）。

このように、指定ルールとして「間欠枚数指定」が用意されており、これを選択することによって、基板処理装置Ａは、基板Ｗが検査ブロックＩＢに搬送されるまで検査する基板Ｗを特定することなく処理を行うことができる。したがって、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、処理の途中で基板Ｗがロストした場合であっても、検査対象となる基板Ｗが失われることはなく、処理された基板Ｗに対して所定の割合で検査することができる。

設定した指定ルールが「処理ユニット指定」である場合には、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されている基板Ｗを処理した処理ユニットの識別番号を処理履歴データから取得して、予め指定されている処理ユニットの識別番号と比較し、それらが一致するか否かを判定する。一致する識別番号が存在する場合には、当該基板Ｗについて膜厚測定ユニット８０による検査が必要であると判定する（ステップＳ２２においてＹｅｓと判定する）。一方、一致する識別番号が存在しない場合には検査を行う必要がないと判定する（ステップＳ２２においてＮｏと判定する）。

このように、指定ルールとして「処理ユニット指定」が用意されており、これを選択することによって、基板処理装置Ａは、特定の処理ユニットについて処理状態を確認することができる。

検査セルのセルコントローラＣＣが、基板Ｗに対して検査を行う必要がないと判定した場合（ステップＳ２２においてＮｏ）、その判定結果に基づいて、搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットＴＲ５を制御する。すなわち、搬送ロボットＴＲ５は、ステップＳ２５の処理をスキップすることにより、基板Ｗを膜厚測定ユニット８０に搬送することなく、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置し、基板Ｗを検査ブロックＩＢから搬出する（ステップＳ２８）。

このように、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、検査を行う必要がない基板Ｗについては、測定ユニット（膜厚測定ユニット８０）に搬送することなく、検査ブロックＩＢから搬出する。したがって、従来の装置のように検査の要否に関わらず測定ユニットに基板を搬送する場合に比べて、搬送工程を単純化することができるとともに、基板Ｗに対する処理時間を短縮することができる。すなわち、スループットを向上させることができる。

ステップＳ２２において、検査セルのセルコントローラＣＣが、基板Ｗに対して検査を行う必要があると判定した場合、まず、セルコントローラＣＣが測定ユニットコントローラに問い合わせることにより、膜厚測定ユニット８０が他の基板Ｗの処理中であるか否かを判定する（ステップＳ２３）。その判定結果に基づいて、搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットＴＲ５を制御する。すなわち、膜厚測定ユニット８０が他の基板を処理している場合には、基板Ｗを検査用バッファ９５に搬送するとともに（ステップＳ２４）、膜厚測定ユニット８０における処理が終了するまで待機させる。

一方、膜厚測定ユニット８０が処理中でない場合（基板Ｗを検査用バッファ９５で待機させている間に処理が終了した場合を含む）は、当該基板Ｗを測定ユニット（膜厚測定ユニット８０）に搬送する（ステップＳ２５）。膜厚測定ユニット８０は、基板Ｗ上に塗布されたレジストの膜厚を測定する（ステップＳ２６）。

測定が終了すると、セルコントローラＣＣは測定ユニットコントローラから膜厚測定の測定結果を受け取り、当該測定結果に応じて所定の膜厚が得られているか否かの検査を行う。さらに、セルコントローラＣＣは、検査結果をメインコントローラＭＣに送信する（ステップＳ２７）。膜厚検査が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ５によって膜厚測定ユニット８０から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って搬出し（ステップＳ２８）、そのまま基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光部ＥＥＷに搬入される。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、装置外の露光装置に搬入され、パターン露光処理に供される。

パターン露光処理が終了した基板Ｗは再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構５５によって基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって取り出され、クールプレートＣＰ１３に搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送されて加熱され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１２のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

現像処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されると、検査セルのセルコントローラＣＣが前述した処理フロー（図９）に従って搬送ロボットコントローラＴＣおよび測定ユニットコントローラを制御する。すなわち、処理履歴データを取得し（ステップＳ２１）、基板Ｗに処理番号を割り当てて、基板Ｗに対して後述の検査を行うか否かを指定ルールに応じて判定する（ステップＳ２２）。そして、検査を行わない基板ＷについてはステップＳ２３ないしＳ２７の処理がスキップされ、検査セルの搬送ロボットＴＲ５によって基板載置部ＰＡＳＳ６に搬送される（ステップＳ２８）。

一方、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗが検査（線幅検査およびマクロ欠陥検査）の対象となる基板Ｗであった場合（ステップＳ２２においてＹｅｓ）、さらに線幅測定ユニット８５が他の基板Ｗに対する処理中か否かを判定する（ステップＳ２３）。線幅測定ユニット８５が処理中の場合は、検査セルの搬送ロボットＴＲ５がその基板Ｗを受け取って検査用バッファ９５に搬送する（ステップＳ２４）。一方、線幅測定ユニット８５が処理中でない場合は、線幅測定ユニット８５に搬送する（ステップＳ２５）。

線幅測定ユニット８５は、現像処理後の基板Ｗ上に形成されたパターンの線幅を測定することによって所定範囲の線幅のパターン形成がなされているか否かを測定する（ステップＳ２６）。線幅検査が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ５によって線幅測定ユニット８５から取り出され、マクロ欠陥検査ユニット９０に搬送される。マクロ欠陥検査ユニット９０は、基板Ｗ上に現出した比較的大きな欠陥（マクロ欠陥）の有無を検査する。マクロ欠陥検査が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ５によってマクロ欠陥検査ユニット９０から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。さらに、線幅測定ユニット８５およびマクロ欠陥検査ユニット９０による検査結果が測定ユニットコントローラから競るコントローラＣＣを介してメインコントローラＭＣに送信される（ステップＳ２７）。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によって搬出され（ステップＳ２８）、そのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。このようにして検査ブロックＩＢにおける検査処理が終了する。

このように、本実施の形態における基板処理装置Ａは、処理に供される基板Ｗを膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、マクロ欠陥検査ユニット９０に搬送することによって、三種類の検査を行う。三種類の検査のうち膜厚検査はレジスト膜形成後の基板Ｗに対して行うものであり、線幅検査およびマクロ欠陥検査は現像処理後の基板Ｗに対して行うものである。基板処理装置Ａでは、これら各種検査を行う検査ブロックＩＢをレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間に配置している。したがって、インデクサブロック１からインターフェイスブロック５へと向かう露光処理前の基板Ｗについて、搬送方向に逆行することなく膜厚検査を実行することができる。またインターフェイスブロック５からインデクサブロック１へと向かう露光処理後の基板Ｗについても、搬送方向に逆行することなく線幅検査およびマクロ欠陥検査を行うことができる。

そして、本実施の形態では、膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５、およびマクロ欠陥検査ユニット９０による検査結果を、測定ユニットコントローラがセルコントローラＣＣを介してメインコントローラＭＣにその基板Ｗの識別コードとともに報告する（図９：ステップＳ２７）。

さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。このようにしてステップＳ１２に示す基板処理（一連のフォトリソグラフィー処理）が完了する。

図８に戻って、ステップＳ１２が終了すると、メインコントローラＭＣは、検査処理において検査セルのセルコントローラＣＣが送信した検査結果を取得し（ステップＳ１３）、取得した検査結果をメインパネルＭＰに表示する。これにより、オペレータは基板Ｗに対する処理が正常に行われているか否かを判断することができる。

また、ステップＳ１１の初期設定において設定された指定ルールが、「処理ユニット指定」の場合には、検査結果が異常であると判定された基板Ｗが所定数以上存在するか否かを判定することにより、特定された処理ユニットが正常に動作しているか否かを判定する（ステップＳ１４）。このようにして、基板処理装置Ａでは、特定の処理ユニットが処理した基板Ｗを検査することにより、メインコントローラＭＣが処理ユニットについての異常を検出する。そして、特定された処理ユニットが正常に動作していない場合には、その処理ユニットを管轄するセルコントローラＣＣに対して、検出結果を送信する。そして、検出結果を受け取ったセルコントローラＣＣは、当該処理ユニットを搬送ロボットの搬送先から除外することにより、当該処理ユニットを使用禁止にする（ステップＳ１５）。これにより、メインコントローラＭＣにより動作が異常であると判定された処理ユニットには、以後基板Ｗが搬送されることがないため、さらに不良基板が発生することを抑制することができる。

次に、基板処理装置ＡのメインコントローラＭＣは、キャリアＣに処理すべき基板Ｗが存在する場合はこれらの処理を繰り返し（ステップＳ１６）、キャリアＣに処理すべき他の基板Ｗが存在しなくなると（すべての基板Ｗについて処理を終了すると）処理を終了する。

以上のように、本実施の形態における基板処理装置Ａでは、検査セルのセルコントローラＣＣが、処理履歴データと指定ルールとに応じて、搬送ロボットＴＲ５が搬送する基板Ｗについて、検査の要否を判定することにより、個々の基板Ｗに対する処理履歴に応じて基板Ｗを検査することができる。

搬送ロボットＴＲは、検査セルのセルコントローラＣＣにより測定不要と判定された基板Ｗについては、測定装置（膜厚測定ユニット８０、線幅測定ユニット８５およびマクロ欠陥検査ユニット９０）に搬送することなく、検査ブロックＩＢ外に搬送することにより、検査不要な基板Ｗについては測定装置を素通りさせるため、処理速度を向上させることができる。

また、検査セルのセルコントローラＣＣは、指定ルールとして「間欠枚数指定」が設定されている場合には、検査ブロックＩＢに搬送された基板Ｗに処理番号を割り付け、当該基板Ｗの処理番号に応じて、所定枚数毎に検査を行うことにより、検査ブロックＩＢに至る処理途中で基板Ｗがロストした場合であっても所定の割合で検査を行うことができる。

また、検査セルのセルコントローラＣＣは、指定ルールとして、「処理ユニット指定」が設定されている場合には、複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ検査を行うことにより、特定の処理ユニットの処理状態を確認することができる。

また、メインコントローラＭＣが特定の処理ユニットの処理状態に応じて、当該処理ユニットの異常を検出し、その結果に応じて、当該処理ユニットを管轄するセルコントローラＣＣが、搬送ロボットの搬送先から当該処理ユニットを除外することにより、さらに不良基板が発生することを抑制することができる。

＜２．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においてはメインコントローラＭＣが、検査ブロックＩＢの検査結果に応じて、動作不良の処理ユニットを検出するとしていたが、このような検出処理を各ユニットコントローラやセルコントローラＣＣが行うようにしてもよい。

また、膜厚測定ユニット８０および線幅測定ユニット８５は、基板Ｗに対する所定の測定のみを行い、測定結果に応じて検査する機能はセルコントローラＣＣが行うと説明したが、測定ユニットが測定結果と基準となるデータとを比較することによって、膜厚および線幅について検査する機能を有していてもよい。

また、上記実施形態においては現像処理が終了した基板Ｗに対して行う検査を線幅測定ユニット８５による線幅検査およびマクロ欠陥検査ユニット９０によるマクロ欠陥検査としていたが、これらに限定されるものではなく、現像処理後の基板上に形成されたパターンのずれを測定する重ね合わせ測定としてもよい。この場合、例えば膜厚測定ユニット８０に代えてパターンのずれを測定する重ね合わせ測定ユニットを検査ブロックＩＢに搭載するようにすればよい。

また、上記実施形態においては、検査ユニットコントローラによって検査ユニットを直接制御するようにしていたが、検査ユニットコントローラは検査ユニットを直接制御するのではなく専らセルコントローラＣＣと検査ユニットとの間のインターフェイスの役割（例えば、検査ユニットに基板Ｗを受け渡すときのインターロック、検査ユニットにおける検査レシピの指示、検査ユニットからの検査データの受信等）を担うものであってもよい。この場合、各検査ユニットに個別にコントローラを設けるとともに、そのコントローラとセルコントローラＣＣとの間に検査ユニットコントローラが設けられることとなる。なお、この場合、検査ユニットコントローラをセルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現するものとしてもよい。

本発明に係る基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の液処理部の正面図である。 基板処理装置の熱処理部の正面図である。 基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。 搬送ロボットの平面図である。 搬送ロボットの正面図である。 基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。 基板処理装置の動作の概略を示す流れ図である。 検査ブロックの検査処理の動作を示す流れ図である。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ バークブロック
２１，３１，４１，４２ 熱処理タワー
３ レジスト塗布ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェイスブロック
８０ 膜厚測定ユニット
８５ 線幅測定ユニット
９０ マクロ欠陥検査ユニット
Ａ 基板処理装置
ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３ 密着強化処理部
ＢＲＣ 下地塗布処理部
ＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３ 塗布処理ユニット
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１３ クールプレート
ＨＰ１〜ＨＰ１１ ホットプレート
ＩＢ 検査ブロック
ＭＣ メインコントローラ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１２ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
ＳＣ レジスト塗布処理部
ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３ 塗布処理ユニット
ＳＤ 現像処理部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＴＣ 搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ５ 搬送ロボット
Ｗ 基板
ＷＣＰ クールプレート

Claims (11)

1. 基板に対して所定の検査を行う検査装置であって、
   前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定手段と、
   基板を搬送する搬送手段と、
   前記搬送手段が搬送する前記基板の履歴情報を取得する情報取得手段と、
   前記情報取得手段によって取得された前記履歴情報と、前記設定手段により設定された前記指定ルールとに応じて、前記搬送手段が搬送する基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定手段と、
   前記搬送手段により搬送された前記基板について所定の測定を行う測定手段と、
   を備え、
   前記測定手段による測定結果に応じて、前記所定の検査を行うことを特徴とする検査装置。
2. 請求項１に記載の検査装置であって、
   前記搬送手段は、前記判定手段により検査不要と判定された基板については、前記測定手段に搬送することなく、前記検査装置外に搬送することを特徴とする検査装置。
3. 請求項１または２に記載の検査装置であって、
   前記検査装置に搬送された基板に処理番号を割り付けて、前記履歴情報に関連づけるカウンター手段をさらに備え、
   前記指定ルールは、前記検査装置に搬送された基板について、前記基板の処理番号に応じて、所定枚数毎に前記所定の検査を行うものであることを特徴とする検査装置。
4. 請求項１または２に記載の検査装置であって、
   前記指定ルールは、前記複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ前記所定の検査を行うものであることを特徴とする検査装置。
5. 基板に対する所定の処理を実行する基板処理装置であって、
   基板を処理する複数の処理ユニットと、
   基板に対して所定の検査を行う検査装置と、
   前記複数の処理ユニットおよび前記検査装置に対して基板を搬送する第１搬送手段と、
   前記複数の処理ユニットにおける処理結果に応じて、各基板についての履歴情報を生成する情報生成手段と、
   を備え、
   前記検査装置が、
   前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定手段と、
   前記検査装置に搬送された基板を搬送する第２搬送手段と、
   前記情報生成手段によって生成された前記履歴情報と、前記設定手段により設定された前記指定ルールとに応じて、前記第２搬送手段が搬送する基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定手段と、
   前記第２搬送手段により搬送された前記基板について所定の測定を行う測定手段と、
   を備え、
   前記測定手段による測定結果に応じて、前記検査装置が前記所定の検査を行うことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記第２搬送手段は、前記判定手段により検査不要と判定された基板については、前記測定手段に搬送することなく、前記検査装置外に搬送することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５または６に記載の基板処理装置であって、
   前記検査装置が、
   前記検査装置に搬送された基板に処理番号を割り付けて、前記履歴情報に関連づけるカウンター手段をさらに備え、
   前記指定ルールは、前記検査装置に搬送された基板について、前記基板の処理番号に応じて、所定枚数毎に前記所定の検査を行うものであることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項５または６に記載の基板処理装置であって、
   前記指定ルールは、前記複数の処理ユニットのうちの特定の処理ユニットによって処理された基板についてのみ前記所定の検査を行うものであることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記検査装置による検査結果に応じて、前記特定の処理ユニットの異常を検出する検出手段をさらに備え、
   前記第１搬送手段による基板の搬送先は、前記検出手段の検出結果に応じて、決定されることを特徴とする基板処理装置。
10. 基板に対する所定の処理を実行する基板処理方法であって、
    複数の処理ユニットによって基板を処理する処理工程と、
    検査装置によって基板に対する所定の検査を行う検査工程と、
    前記複数の処理ユニットおよび前記検査装置に対して基板を搬送する第１搬送工程と、
    前記複数の処理ユニットにおける処理結果に応じて、各基板についての履歴情報を生成する情報生成工程と、
    を有し、
    前記検査工程が、
    前記所定の検査の対象となる基板を指定するための指定ルールを設定する設定工程と、
    前記情報生成工程において生成された前記履歴情報と、前記設定工程において設定された前記指定ルールとに応じて、前記検査装置に搬送された基板について、前記所定の検査の要否を判定する判定工程と、
    前記検査装置に搬送された基板を搬送する第２搬送工程と、
    前記第２搬送工程において搬送された前記基板について、測定装置によって所定の測定を行う測定工程と、
    を有するとともに、前記測定工程における測定結果に応じて、前記所定の検査を行うことを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記第２搬送工程では、前記判定工程において検査不要と判定された基板を、前記測定装置に搬送することなく、前記検査装置外に搬送することを特徴とする基板処理方法。

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