KR101266735B1 - 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체 - Google Patents

도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101266735B1
KR101266735B1 KR1020097007376A KR20097007376A KR101266735B1 KR 101266735 B1 KR101266735 B1 KR 101266735B1 KR 1020097007376 A KR1020097007376 A KR 1020097007376A KR 20097007376 A KR20097007376 A KR 20097007376A KR 101266735 B1 KR101266735 B1 KR 101266735B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
inspection
station
coating
transfer
Prior art date
Application number
KR1020097007376A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090075687A (ko
Inventor
야스시 하야시다
요시따까 하라
도모히로 가네꼬
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090075687A publication Critical patent/KR20090075687A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101266735B1 publication Critical patent/KR101266735B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 검사 모듈로 기판이 불필요하게 체류하는 시간을 삭감하고, 이에 의해 도포, 현상 장치의 처리량을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 처리 스테이션에서 처리를 받은 기판을, 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션에 있어서, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 일시적으로 체류시키는 버퍼 유닛과, 제어부에 의해 그 동작이 제어되는 기판 반송 수단이 마련되고, 검사 모듈이 기판의 처리를 행하는 동안, 후속의, 그 검사 모듈에 의한 검사 대상으로 되어 있는 기판은 상기 기판 반송 수단에 의해 버퍼 유닛으로 반송되어 체류됨으로써, 검사 모듈에 있어서의 기판의 체류를 억제하여 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
도포, 현상 장치, 기억 매체, 검사 모듈, 캐리어 스테이션, 버퍼 유닛

Description

도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체 {COATING/DEVELOPING APPARATUS, COATING/DEVELOPING APPARATUS CONTROL METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판에 대해 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판 등의 기판에 대해 레지스트액을 도포하고, 포토마스크를 사용하여 그 레지스트막을 노광하고, 그것을 현상함으로써 원하는 레지스트 패턴을 기판 상에 제작하는 일련의 처리는, 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 사용하여 행해진다.
도포, 현상 장치는 웨이퍼 캐리어가 적재되어, 이 웨이퍼 캐리어와의 사이에서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 전달을 행하는 전달 아암을 구비한 캐리어 스테이션과, 웨이퍼에 대해 레지스트의 도포나 현상 처리를 행하는 처리 스테이션과, 노광 장치에 접속되는 인터페이스 스테이션을 일렬로 배열하여 구성되어 있다.
그리고 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해서는, 소정의 검사, 예를 들어 레지스트 패턴의 선 폭, 레지스트 패턴과 하지 패턴의 중첩 상태 및 현상 결함 등의 검사가 행해져, 합격이라고 판정된 기판만이 다음 공정으로 보내진다. 이와 같은 검사는 도포, 현상 장치와는 별개로 설치된 스탠드 얼론의 검사 장치에 의해 행해지는 경우가 많지만, 도포, 현상 장치 내에 검사 장치를 설치하는 인라인 시스템을 채용한 쪽이 편리하다.
그래서, 특허 문헌 1에는 캐리어 스테이션과 처리 스테이션 사이에, 복수의 검사 장치와 반송 아암을 구비한 검사 스테이션을 개재시킨 구성이 기재되어 있다. 여기에 기재되어 있는 시스템은 캐리어 스테이션으로부터 검사 스테이션을 통해 처리 스테이션으로 기판을 반송하고, 처리를 종료한 기판을 일단 캐리어 스테이션의 캐리어 내로 복귀시킨 후, 이곳으로부터 기판을 검사 스테이션으로 반송하여 검사를 행하는 것이다.
도 19는 이와 같은 시스템을 실제로 구축한 경우의 구성예를 도시하고 있다. 도 19는 도포, 현상 장치를 평면적으로 본 개략도이고, 부호 11은 캐리어 스테이션, 부호 12는 검사 스테이션, 부호 13은 처리 스테이션, 부호 14는 노광 장치에 접속되는 인터페이스 스테이션이다. 또한 부호 20은 캐리어, 부호 15는 캐리어 스테이션(11) 내의 전달 아암, 부호 16은 검사 스테이션 내의 반송 아암이다. TRSa, TRSb, TRSc 및 TRSd는 전달 모듈, E1, E2 및 E3은 검사 모듈이고, 이들은 편의상 평면에 전개되어 있으나, 예를 들어 전달 모듈은 4단계 구성이 되고, 검사 모듈은 3단계 구성이 된다.
도면의 도포, 현상 장치에 있어서는, 캐리어(20) 내의 웨이퍼는 전달 아 암(15) → TRSa → 반송 아암(16) → 처리 스테이션(13)의 경로로 반송된다. 그리고 웨이퍼는 처리 스테이션(13)에 의해 레지스트 도포에 필요한 다양한 처리가 각 모듈에서 행해지고, 인터페이스 스테이션(14)으로부터 노광 장치로 불출되어, 다시 처리 스테이션(13)으로 복귀되고, 현상 처리에 필요한 다양한 처리가 모듈에서 행해진다. 그 후, 웨이퍼는 반송 아암(16) → TRSb → 전달 아암(15) → 캐리어(20)로 복귀된다.
이 경우, 캐리어(20) 내의 웨이퍼에는 처리되는 순서가 정해져 있고, 예를 들어 25매 수납용 웨이퍼이면, 1번부터 25번까지 할당되어 있다. 그리고 1번부터 차례로 처리 스테이션(13)으로 반송되어, 미리 정해진 모듈을 차례로 이동해 간다. 처리 스테이션(13) 내의 반송 아암(메인 아암)은 미리 설정된 일련의 모듈 사이를 차례로 사이클릭으로 이동하는 사이클 반송을 행하고, 이에 의해 웨이퍼가 차례로 이동해 가게 된다. 또한, 메인 아암은 2매의 아암에 의해 모듈 내의 웨이퍼를 교환한다고 하는 동작을 행한다. 메인 아암의 반송로를 순환로라고 칭하는 것으로 하면, 반송 아암이 순환로를 1주하는 사이클 타임이 미리 정해져 있고, 또한 되돌아가는 동작 및 번호가 큰 웨이퍼[후에 캐리어(20)로부터 취출된 웨이퍼]가 번호가 작은 웨이퍼[먼저 캐리어(20)로부터 취출된 웨이퍼]를 뛰어넘어 반송되는 동작은 행해지지 않는다. 이와 같은 동작을 금지하고 있는 것은, 반송 프로그램이 매우 번잡해져, 현실적이지 않기 때문이다. 또한 지금, 도포, 현상 장치에 있어서 1시간당 150매의 처리가 요구되고 있고, 그로 인해 상술한 사이클 반송에 있어서의 사이클 타임은, 예를 들어 3600초/150매 = 24초로 설정된다.
한편 캐리어(20)로 복귀된 웨이퍼는, 전체 수 혹은 선택된 웨이퍼가 전달 아암(15)에 의해 전달 모듈(TRSc)로 불출되고, 반송 아암(16)에 의해 검사 모듈로 반송된다. 그리고 웨이퍼 중에는, 예를 들어 검사 모듈(E1)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E2)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E3)만의 검사를 행하는 것, 검사 모듈(E2)에 이어서 검사 모듈(E3)을 행하는 것 등이 있다. 검사 스테이션(12) 내의 웨이퍼의 반송에 있어서도, 처리 스테이션(13) 내의 사이클 반송과 동일한 수법이 채용되어 있고, 상기 사이클 반송에 동기하여 행해져 있었다.
그런데, 상기와 같은 반송을 행하면, 전달 아암(15)의 반송 공정수가 많아져 버린다. 즉, 전달 아암(15)이 검사 스테이션(12)으로 웨이퍼를 반송하고 있는 동안은, 캐리어(20)로의 반송을 행할 수 없고, 또한 캐리어(20)로의 반송을 행하는 경우에는 검사 스테이션(12)으로의 반송을 행할 수 없으므로, 웨이퍼가 각 스테이션에 있어서의 모듈에서 1사이클 이상, 대기해야만 하는 상태가 발생하고, 따라서 처리량의 향상을 방해하는 요인이 된다.
또한, 검사 모듈(E1 내지 E3)은, 상술한 바와 같이 각각 다른 검사를 행하기 위한 것으로, 검사에 필요로 하는 시간은, 통상 각각 상이하다. 따라서, 예를 들어 소정의 웨이퍼에 대해, 검사 모듈(E1)에 이어서 검사 모듈(E2)에서 검사를 행하도록 설정하였다고 하면, 그 웨이퍼가 검사 모듈(E1)에서 검사를 종료했을 때에, 검사 모듈(E2)이 다른 웨이퍼를 검사 중이므로 당해 검사 모듈(E2)로의 반송을 행할 수 없어, 검사 모듈(E2)의 검사가 종료될 때까지 검사 모듈(E1)에서 대기해야만 하고, 따라서 이 웨이퍼가 검사 모듈(E1)에 대기하고 있는 사이클에 있어서는 후속 의 웨이퍼를 당해 검사 모듈(E1)로 반입할 수 없게 되는 결과로서, 처리량이 저하될 우려가 있었다.
또한, 특허 문헌 2에는 캐리어 스테이션과 처리 스테이션 사이에 검사 스테이션을 설치하고, 처리 스테이션 → 검사 스테이션 → 캐리어 스테이션의 순서로 기판을 반송하는 도포, 현상 장치가 기재되어 있으나, 상기한 문제를 해결할 수 있는 것은 아니고, 검사 모듈 사이의 검사 시간의 차이에 의해 검사 모듈 내에서 대기 시간이 발생해 버릴 우려가 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제2005-175052호 공보(단락 0042, 도 4)
특허 문헌 2 : 일본 특허 출원 공개 제2002-26107호 공보(단락 0045)
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 검사 모듈에서 기판이 불필요하게 체류되는 시간을 삭감하고, 이에 의해 도포, 현상 장치의 처리량을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치는 복수매의 기판을 수납한 캐리어가 적재되어, 캐리어 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 기판 반송 수단을 구비한 캐리어 스테이션과,
상기 제1 기판 반송 수단으로부터 전달된 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해 순차적으로 기판을 반송하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과,
이 처리 스테이션에서 현상을 종료한 기판이 놓이는 제1 전달부와,
상기 캐리어 스테이션의 제1 기판 반송 수단에 의해 기판이 수취되는 제2 전달부와,
현상을 종료한 기판에 대해 검사를 행하여, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 일시적으로 체류시키는 버퍼 유닛과, 버퍼 유닛과, 상기 제1 전달부, 제2 전달부 및 검사 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제3 기판 반송 수단을 구비한, 처리 스테이션에서 처리된 기판을 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션과,
상기 제3 기판 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제1 전달부의 기판을 반송할 때에는,
(a1) 그 기판이 검사 대상의 기판인지 여부를 판단하여,
(a2) 검사 대상의 기판이 아니면, 그 기판을 제2 전달부로 반송하고,
(a3) 검사 대상의 기판이면, 검사에 관한 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛으로 반송하는 스텝을 실행하고,
검사 스테이션 내의 모듈의 기판을 반송할 때에는,
(b1) 그 기판에 할당되어 있는 검사가 모두 종료되어 있는지 여부를 판단하여,
(b2) 검사가 종료되어 있으면 그 기판을 상기 제2 전달부로 반송하고,
(b3) 검사가 종료되어 있지 않으면, 종료되어 있지 않은 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛에 위치시키는 스텝을 실행하는 기능을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 도포, 현상 장치에 있어서 상기 제어부는,
상기 (a3)에 있어서 검사 모듈이 비어 있지 않다고 판단되면, 버퍼 유닛으로 반송하는 스텝 대신에,
버퍼 유닛이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 상기 기판을 버퍼 유닛으로 반송하고, 비어 있지 않으면 제2 전달부로 미검사 기판으로서 반송하는 스텝을 실행해도 좋고, 그 경우, 예를 들어 상기 (a3)에 있어서 버퍼 유닛이 비어 있지 않으면 알람을 발생시키는 알람 발생 수단이 마련되어 있고, 또한 상기 제2 전달부로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판은 캐리어 스테이션으로 반송되어도 좋고, 이 경우에는, 예를 들어 검사 대상 기판은 캐리어로 반송된다.
예를 들어, 상기 제어부는 캐리어 스테이션으로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을, 검사 스테이션으로 반송하는 스텝을 실행하고, 이 경우에는, 예를 들어 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을 검사 스테이션으로 반송하는 상기 스텝을 실행할 것인지 여부를 선택하기 위한 선택 수단이 마련되어 있다. 또한, 제1 기판 반송 수단에 의해 캐리어로부터 취출된 기판이 전달되는 제3 전달부와, 이 전달부로부터 기판을 상기 검사 스테이션을 가로질러 처리 스테이션으로 반송하기 위한 셔틀 반송 수단을 구비한 구성이라도 좋고, 이 경우에는 버퍼 유닛과 제2 전달부와 제3 전달부는 서로 상하로 적층되어 있어도 좋다. 또한, 예를 들어 버퍼 유닛과 제2 전달부와 제3 전달부와 하나 이상의 검사 모듈은 서로 상하로 적층되어 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치의 제어 방법은 복수매의 기판을 수납한 캐리어가 적재되어, 캐리어와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 기판 반송 수단을 구비한 캐리어 스테이션과,
상기 제1 기판 반송 수단으로부터 전달된 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해, 순차적으로 기판을 반송하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과,
이 처리 스테이션에서 현상을 종료한 기판이 놓이는 제1 전달부와,
상기 캐리어 스테이션의 제1 기판 반송 수단에 의해 기판이 수취되는 제2 전달부와,
현상을 종료한 기판에 대해 검사를 행하여, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 일시적으로 체류시키는 버퍼 유닛과, 버퍼 유닛과, 상기 제1 전달부, 제2 전달부 및 검사 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제3 기판 반송 수단을 구비한, 처리 스테이션에서 처리된 기판을 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션을 구비한 도포, 현상 장치를 제어하는 방법이며,
상기 제1 전달부의 기판을 반송할 때에는,
(a1) 그 기판이 검사 대상의 기판인지 여부를 판단하는 공정과,
(a2) 검사 대상의 기판이 아니면, 그 기판을 제2 전달부로 반송하는 공정과,
(a3) 검사 대상의 기판이면, 검사에 관한 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛으로 반송하는 공정을 구비하고,
검사 스테이션 내의 모듈의 기판을 반송할 때에는,
(b1) 그 기판에 할당되어 있는 검사가 모두 종료되어 있는지 여부를 판단하는 공정과,
(b2) 검사가 종료되어 있으면 그 기판을 상기 제2 전달부로 반송하는 공정과,
(b3) 검사가 종료되어 있지 않으면, 종료되어 있지 않은 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛에 위치시키는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 도포, 현상 장치의 제어 방법에 있어서는, 예를 들어 상기 (a3)에 있어서 검사 모듈이 비어 있지 않다고 판단되면, 버퍼 유닛으로 반송하는 공정 대신에, 버퍼 유닛이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 상기 기판을 버퍼 유닛으로 반송하고, 비어 있지 않으면 제2 전달부로 미검사 기판으로서 반송하는 공정을 행해도 좋고, 이 경우, 예를 들어 상기 (a3)에 있어서 버퍼 유닛이 비어 있지 않으면 알람을 발생시키는 공정을 포함하고 있다.
또한, 상기 제2 전달부로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판은 캐리어 스테이션으로 반송되고, 이 기판은, 예를 들어 캐리어 스테이션으로 반송된 검사 대상 기판은 캐리어로 반송된다.
또한, 예를 들어 캐리어 스테이션으로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을, 검사 스테이션으로 반송하는 공정을 포함하고 있어도 좋고, 이 경우에는, 예를 들어 검사 대상 기판을 검사 스테이션으로 반송하는 상기 공정을 실행할 것인지 여부를 선택하는 공정을 포함한다. 또한, 이 제어 방법은 제1 기판 반송 수단에 의해 캐리어로부터 취출된 기판을 제3 전달부로 전달하는 공정과,
이 전달부로부터 기판을 상기 검사 스테이션을 가로질러 처리 스테이션으로 반송하는 공정을 더 구비하고 있어도 좋다.
본 발명의 기억 매체는 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은 전술한 도포, 현상 장치의 제어 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 처리 스테이션에서 처리를 받은 기판을, 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션에 있어서, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 일시적으로 체류시키는 버퍼 유닛과, 제어부에 의해 그 동작이 제어되는 기판 반송 수단이 마련되고, 검사 모듈이 기판의 처리를 행하는 동안, 후속의 그 검사 모듈에 의한 검사 대상으로 되어 있는 기판은, 상기 기판 반송 수단에 의해 버퍼 유닛으로 반송되고, 당해 버퍼 유닛에 체류됨으로써, 검사 모듈에 있어서의 기판의 체류를 억제할 수 있으므로, 검사 모듈에서 효율적으로 웨이퍼(W)의 검사를 행할 수 있다. 또한, 본 발명은 현상을 종료한 기판이 처리 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 반입되어 검사를 받은 후, 캐리어 스테이션으로 반입되므로, 캐리어 스테이션의 반송 수단이 현상을 종료한 기판을 다시 검사 스테이션으로 반입하는 구성에 비해 그 반송 수단의 부하가 억제된다. 따라서, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 일 실시 형태를 도시하는 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 외관 사시도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 처리 스테이션에 있어서의 처리 블록 및 반송 블록의 구성을 도시한 사시도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치의 검사 스테이션의 사시도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치의 제어부에 의해 할당된 검사 모듈로의 반입표이다.
도 7은 상기 도포, 현상 장치의 개략 반송 경로도이다.
도 8은 상기 제어부가 검사 스테이션의 반송 수단을 제어하는 흐름도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치의 반송 스케줄표이다.
도 10은 비교예의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략도이다.
도 11은 비교예의 도포, 현상 장치의 반송 스케줄표이다.
도 12는 다른 실시 형태인 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 13은 상기 도포, 현상 장치에 설치된 검사 스테이션의 횡단 평면도이다.
도 14는 상기 검사 스테이션의 종단 배면도이다.
도 15는 또 다른 실시 형태인 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 16은 상기 도포, 현상 장치에 설치된 검사층의 횡단 평면도이다.
도 17은 검사 스테이션에 있어서의 기판의 다른 반송 경로를 도시한 흐름도이다.
도 18은 도포, 현상 장치의 캐리어 스테이션으로부터 검사 스테이션으로의 기판의 반송 경로를 도시한 흐름도이다.
도 19는 종래의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략도이다.
이하, 본 발명에 관한 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 시스템의 일 실시 형태에 있어서의 평면도를 도시하고, 도 2는 도 1의 개략 사시도, 도 3은 도 1의 상기 개략 측면도이다. 이 도포, 현상 장치는 기판, 예를 들어 웨이퍼인 웨이퍼(W)가 25매 밀폐 수납된 캐리어(20)를 반출입하기 위한 캐리어 스테이션(S1)과, 복수개, 예를 들어 5개의 블록(B1 내지 B5) 및 반송 블록(M1)을 세로로 배열하여 구성된 처리 스테이션(S2)과, 인터페이스 스테이션(S3)과, 노광 장치(S4)와, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 검사하는 검사 스테이션(S5)을 구비하고 있다.
상기 캐리어 스테이션(S1)에는 상기 캐리어(20)를 복수개 적재 가능한 적재 대(21)와, 이 적재대(21)에서 볼 때 전방의 벽면에 형성되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한, 제1 기판 반송 수단인 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은 후술하는 검사 스테이션의 전달 스테이지(TRS1A, TRS8, TRS9) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(20)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 스테이션(S1)의 안측에는 검사 스테이션(S5)을 통해 하우징(24)으로 주위가 둘러싸이는 처리 스테이션(S2)이 접속되어 있다. 처리 스테이션(S2)은, 본 예에서는 하방측으로부터, 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 제2 블록(1)(DEV층)(B2), 반송 블록(M1), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제3 블록(BCT층)(B3), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제4 블록(COT층)(B4), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제5 블록(TCT층)(B5)으로서 할당되어 있다.
이들 블록(B1 내지 B5) 및 반송 블록(M1)은 캐리어 스테이션(S1)으로부터 인터페이스 스테이션(S3)을 향해 연신되어 있다. 여기서, 상기 DEV층(B1, B2)이 현상용 블록, BCT층(B3), COT층(B4), TCT층(B5), 이 감광 재료, 예를 들어 레지스트로 이루어지는 도포막을 형성하기 위한 도포막 형성용 블록에 상당한다. 또한, 각 블록 사이는 구획판(베이스체)(25)에 의해 구획되어 있다.
계속해서, 제1 내지 제5 블록(B)(B1 내지 B5)의 구성에 대해 설명하지만, 본 실시 형태에 있어서 이들 블록(B1 내지 B5)에는 공통 부분이 많이 포함되어 있고, 각 블록(B)은 거의 동일한 레이아웃으로 구성되어 있다. 그래서 DEV층(B2)을 예로 들어 도 4를 참조하면서 설명한다. 이 DEV층(B2)의 중앙부에는 횡방향, 상세하게는 DEV층(B2)의 길이 방향(도면 중, Y방향)으로, 캐리어 스테이션(S1)과 인터페이스 스테이션(S3)을 접속하기 위한 웨이퍼(W)의 반송용 통로(R1)가 형성되어 있다.
이 반송용 통로(R1)의 캐리어 스테이션(S1)측에서 볼 때, 전방측[캐리어 스테이션(S1)측]으로부터 안측을 향해 우측에는, 액처리 유닛으로서 현상액의 도포 처리를 행하기 위한 복수개의 도포부(31)를 구비한 현상 유닛(DEV3)이 반송용 통로(R1)를 따라서 설치되어 있다. 또한, DEV층(B2)의 전방측으로부터 안측을 향해 좌측에는, 차례로 가열ㆍ냉각계의 열계 처리 유닛을 다단화한 4개의 선반 유닛(U1, U2, U3, U4)이 반송용 통로(R1)를 따라서 설치되어 있다. 즉, 현상 유닛(DEV3)과 선반 유닛(U1 내지 U4)이 반송용 통로(R1)를 통해 대향하여 배열되어 있다. 선반 유닛(U1 내지 U4)은 현상 유닛(DEV3)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 열계 처리 유닛이 2단으로 적층되어 있고, 또한 그 선반 유닛(U1 내지 U4)의 하부에는 DEV층(B2) 내의 배기를 행하는 배기 유닛(32)이 적층되어 있다.
상술한 열계 처리 유닛의 중에는, 예를 들어 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 PEB로 불리는 가열 유닛, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 건조시키기 위해 가열 처리하는 가열 유닛, 이들 가열 유닛에 있어서의 처리 전후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유닛(CPL) 등이 포함되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 예를 들어 DEV층(B2)에 있어서의 선반 유닛(U1)에는 PEB가, U2, U3에는 그 밖의 가열 유닛(33)이 2단으로 적층되어 설치되고, 선반 유닛(U4)에는 냉각 유닛(CPL)이 2단으로 적층되어 있다.
상기 반송용 통로(R1)에는 각 블록용 반송 수단인 메인 아암(A2)이 설치되어 있고, 이 메인 아암(A2)은 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛, 현상 유닛(DEV3), 후술하는 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2) 및 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS7) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 구성되어 있다. 전달 스테이지(TRS2) 및 후술하는 TRS1은 특허 청구 범위에서 말하는 제1 전달부를 구성한다.
반송용 통로(R1)의 검사 스테이션(S5)과 인접하는 영역은 제1 웨이퍼 전달 영역(R2)으로 되어 있고, 이 영역(R2)에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 메인 아암(A2) 및 반송 수단(51)을 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U5)이 설치되는 동시에, 이 선반 유닛(U5)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 반송 수단인 전달 아암(D1)을 구비하고 있다.
이 선반 유닛(U5)에 있어서, DEV층(B2)에는 전달 스테이지(TRS2)가 설치되어 있다. 전달 스테이지(TRS2)는 웨이퍼(W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 기구를 구비한 스테이지를 구비하고 있고, 또한 각 아암과 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해, 상기 스테이지 상을 돌출 함몰 가능한 핀이 설치되어 있다.
또한, 본 예에서는 도 3에 도시한 바와 같이, DEV층(B1)에는 전달 스테이지(TRS1)가, 각 층(B3 내지 B5)에는 전달 스테이지(TRS3 내지 TRS5)가 설치되어 있고, 전달 스테이지(TRS3 내지 TRS5)는 각 층에 설치된 메인 아암(A3 내지 A5) 및 전달 아암(D1)과 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 구성되어 있다. 또한, TRS1 내지 TRS5는, 도 3에서는 1기만 도시되어 있으나 실제로는 복수단 설치되어 있다. 또한, 상세하게는 후술하는 바와 같이, 반송 블록(M1)에는 전달 스테이지(TRS1B)가 설치되어 있다. 각 층의 메인 아암(A)은 특허청구의 범위에서 말하는 제2 기판 반송 수단에 상당한다.
상기 전달 아암(D1)은 DEV층(B1)으로부터 TCT층(B5)의 각 층을 이동하여, 각 층에 설치된 전달 스테이지(TRS1 내지 TRS5) 및 전달 스테이지(TRS1B)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록, 진퇴 가능 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
또한, DEV층(B2)의 반송용 통로(R1)의 인터페이스 스테이션(S3)과 인접하는 영역은 제2 웨이퍼 전달 영역(R3)으로 되어 있고, 이 영역(R3)에는 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 DEV층(B1), DEV층(B2)에 각각 대응하는 전달 스테이지(TRS6, TRS7)가 설치되어 있고, 이들 TRS6, TRS7은 각 층의 메인 아암(A1 내지 A2) 및 인터페이스 아암(G)을 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 반송 블록(M1)에 대응하는 위치에 전달 스테이지(TRS1C)가 설치되어 있다. 또한, TRS2 내지 TRS7, TRS1B, TRS1C 및 후술하는 TRS1A는, 예를 들어 전술한 TRS1과 마찬가지로 구성되어 있다.
계속해서 반송 블록(M1)에 대해 설명한다. DEV층(B2)과 BCT층(B3) 사이에는 웨이퍼(W)를 캐리어 스테이션(S1)으로부터 인터페이스 스테이션(S3)으로 직행하여 반송하기 위한 반송 블록(M1)이 설치되어 있다. 이 반송 블록(M1)은 DEV층(B2) 및 BCT층(B3)의 반송용 통로(R1)와는 구획판에 의해 구획된 반송 영역(M2)과 직행 반 송 수단인 셔틀 아암(41)을 구비하고 있다. 셔틀 아암(41)은 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS1B)로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 스테이지(TRS1C)로 웨이퍼(W)를 직행하여 반송한다. 또한, 상기 구획판은 도 4에서는 생략하고 있다.
또한, 처리 스테이션(S2)에 있어서의 선반 유닛(U6)의 안측에는 인터페이스 스테이션(S3)을 통해 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 스테이션(S3)에는 처리 스테이션(S2)의 선반 유닛(U6)과 노광 장치(S4)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(G)이 구비되어 있고, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 전술한 전달 아암(D1)도, 연직축 주위로 회전하지 않는 것 외에는, 인터페이스 아암(G)과 마찬가지로 구성되어 있다.
이 인터페이스 아암(G)은 처리 스테이션(S2)과 노광 장치(S4) 사이에 개재하는 웨이퍼(W)의 반송 수단을 이루는 것으로, 본 실시 형태에서는 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS1C)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 노광 장치(S4)로 반입하는 한편, 노광 장치(S4)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, DEV층(B1, B2)의 전달 스테이지(TRS6, TRS7)으로 전달하도록 구성되어 있다.
계속해서, 다른 블록에 대해 간단하게 설명한다. DEV층(B1)은 DEV층(B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 또한, BCT층(B3), COT층(B4), TCT층(B5)은 DEV층(B1)과 대략 마찬가지로 구성되어 있고, 차이로서는 액처리 유닛으로서 현상 유닛(DEV3) 대신에, 반사 방지막용 약액을 도포하여 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 유닛이나, 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(COT)이 설치되는 점, 약액의 도포의 수법이 상이한 점을 들 수 있고, 또한 선반 유닛(U1 내지 U4)을 구성하는 가열계, 냉각계의 유닛에 있어서의 처리 조건이 상이한 점 등을 들 수 있다. COT층(B4)에는 PEB 대신에, 레지스트 도포 후의 가열 처리를 행하는 PAB라고 불리는 가열 유닛이 설치되어 있다.
계속해서, 검사 스테이션(S5)에 대해 도 5도 참조하면서 설명한다. 이 검사 블록(S5)은, 예를 들어 처리 블록(S2)측을 안측으로 하면, 전방측 중앙부에는 검사 모듈(E1) 및 선반 유닛(U7)이 설치되어 있고, 선반 유닛(U7)에는, 예를 들어 상부로부터 소정의 매수의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는, 예를 들어 복수단의 버퍼 유닛(BU) 및 2단으로 적층된 전달 스테이지(TRS8, TRS9)가 이 순서로 설치되어 있다. 전달 스테이지(TRS8, TRS9)는 특허청구의 범위에서 말하는 제2 전달부에 상당한다.
이 검사 스테이션(S5)에 있어서 전방측으로부터 안측을 볼 때 좌우로 검사 모듈(E3, E2)이 각각 설치되어 있다. 또한, 검사 스테이션(S5)의 중앙부에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 유지하는 1매의 아암을 갖는 반송 수단(51)이 마련되어 있고, 이 반송 수단(51)은 DEV층(B1)의 전달 스테이지(TRS1), DEV층(B2)의 전달 스테이지(TRS2), 선반 유닛(U7)의 전달 스테이지(TRS8, TRS9) 및 검사 모듈(E1 내지 E3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
본 예에서는, 검사 모듈(E1)은 웨이퍼(W) 상의 매크로 결함을 검출하는 매크로 검사 모듈이고, 검사 모듈(E2)은 웨이퍼(W) 상에 형성된 막의 두께나 패턴의 선 폭을 측정하는 막 두께ㆍ선 폭 검사 모듈이고, 검사 모듈(E3)은 노광의 중첩의 어긋남, 즉 금회 형성된 패턴과 하지의 패턴의 위치 어긋남을 검출하는 중첩 검사 모 듈이다. 이 경우, 검사 모듈(E1, E2, E3)의 검사에 걸리는 시간은, 예를 들어 각각 36초, 90초 및 118초이다. 이와 같이 검사 모듈(E1, E2, E3)에 있어서의 검사 시간이 상이하므로, 뒤에서부터 반입한 순서가 큰(느린) 웨이퍼(W)의 검사가, 먼저 반입한 순서가 작은(빠른) 웨이퍼(W)보다도 빠르게 종료되는 경우가 발생하는 것이다.
또한, 전달 스테이지(TRS8, TRS9)에는 캐리어 스테이션(S1)의 트랜스퍼 아암(C)을 액세스할 수 있도록 되어 있고, 반송 수단(51)으로부터 처리 스테이션(S2)의 전달 스테이지(TRS1 또는 TRS2)로부터 직접 반송된 웨이퍼(W) 또는 검사 모듈(E1 내지 E3)에 의해 검사를 받은 웨이퍼(W)는 이들 전달 스테이지(TRS8, TRS9)로 전달된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어(20)로 복귀된다. 이 검사 블록(E1 내지 E3)으로 웨이퍼(W)를 전달할 때의 룰에 대해서는 후술한다.
예를 들어, 검사 모듈(E1 내지 E3)의 상방에는, 예를 들어 구획판 등에 의해 구획된 반송 영역(M3)이 형성되어 있고, 이 반송 영역(M3)에는 트랜스퍼 아암(C)을 액세스할 수 있는 위치에 제3 전달부인 전달 스테이지(TRS1A)가 설치되어 있다. 또한, 상기 구획판의 도시는 도 5에서는 편의상 생략하고 있다. 또한, 반송 영역(M3)에는 셔틀 반송 수단인 반송 수단(52)이 마련되어 있고, 반송 수단(52)은 전달 스테이지(TRS1A)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 처리 스테이션(S2)의 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1B)로 직행하여, 웨이퍼(W)를 전달한다.
본 장치는 컴퓨터를 포함하는 제어부(100)를 구비하고 있고, 각 블록(B1 내지 B5)의 메인 아암(A), 검사 스테이션의 반송 수단(51, 52)의 반송 동작도 포함하 고 일련의 공정은, 이 제어부(100)의 기억부에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 제어된다. 그리고, 각 전달 스테이지(TRS), 가열 유닛 등의 처리 유닛 및 검사 모듈(E1 내지 E3) 등의 웨이퍼가 전달되는 모듈을 전달 모듈이라고 칭한다면, 이 전달 모듈에 대해서는, 웨이퍼(W)가 전달되었을 때, 혹은 밀려났을 때에 그 모듈에 대한 아웃 레디 신호, 인 레디 신호가 각각 출력된다. 즉, 임의의 모듈에 대해 인 레디 신호가 출력되었을 때에는, 전단의 모듈로부터 웨이퍼(W)의 수납이 가능한 것을 나타내고, 아웃 레디 신호가 출력되었을 때에는 그 모듈에서의 처리가 종료되어, 웨이퍼(W)를 반출 가능한 것을 나타낸다. 이들 레디 신호에 기초하여 지금 어느 모듈로부터 어느 모듈로의 반송이 가능한지를 판단할 수 있게 되어, 그 판단과 후술하는 룰에 기초하여 반송 동작이 정해진다.
이 제어부(100)는 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)가 도포, 현상 장치로 반입될 때까지, 캐리어(20)에 수용되는 웨이퍼(W)가 25매이면, 그 25매에 대해 캐리어 스테이션(S1)으로 반입되는 순서로 기판 번호를 할당하는 동시에, 도 6에 도시한 바와 같이 선두의 웨이퍼 「1」로부터 최후의 웨이퍼 「25」에 대해 각각 어느 검사 모듈(E)에 의해 검사를 행할지, 혹은 전혀 검사 모듈에 의한 검사를 행하지 않을지를 설정한다.
여기서 도 7을 참조하면서, 캐리어 스테이션(S1) 및 처리 스테이션(S2)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명한다. 캐리어(20)로부터 캐리어 스테이션(S1)의 트랜스퍼 아암(C)에 의해 TRS1A로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 수단(52) → 처리 스테이션(S2)의 전달 스테이지(TRS1B) → 전달 아암(D1) → BCT층(B3)의 전달 스테이지(TRS3) → BCT층(B3)의 메인 아암(A3)으로 전달된다. 그리고 BCT층(B3)에서는 메인 아암(A3)에 의해 → 냉각 유닛 → 액처리 유닛인 반사 방지막 형성 유닛 → 가열 유닛 → 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS3)의 순서로 반송되어, 하부 반사 방지막이 형성된다.
계속해서, 전달 스테이지(TRS3)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 COT층(B4)의 전달 스테이지(TRS4)로 반송되고, 계속해서 당해 COT층(B4)의 메인 아암(A4)으로 전달된다. 그리고 COT층(B4)에서는 메인 아암(A4)에 의해 웨이퍼(W)는 냉각 유닛 → 레지스트 도포 유닛(COT) → 가열 유닛(PAB)의 순서로 반송되고 하부 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된 후, 냉각 유닛, 주연 노광 유닛으로 반송되어 주연부가 노광되고, 또한 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS4)로 반송된다.
계속해서, 전달 스테이지(TRS4)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 TCT층(B5)의 전달 스테이지(TRS5)로 반송되어, 당해 COT층(B5)의 메인 아암(A5)으로 전달된다. 그리고 TCT층(B5)에서는 메인 아암(A5)에 의해 냉각 유닛 → 액처리 유닛인 제2 반사 방지막 형성 유닛 → 가열 유닛의 순서로 반송되어 레지스트막의 상층에 상부 반사 방지막이 형성된 후에, 메인 아암(A5) → 전달 스테이지(TRS5) → 전달 아암(D1) → 전달 스테이지(TRS1B) → 셔틀 아암(41) → 전달 스테이지(TRS1C)의 순서로 반송된 후, 인터페이스 아암(G)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
또한, 상기 반송은 일례이고, 예를 들어 블록(B3) 내지 블록(B5) 중 어느 하 나에 웨이퍼(W)에 대해 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 유닛(ADH)을 설치하여, 레지스트 도포 전에 반사 방지막을 형성하는 대신에, TRS1B → ADH → CPL → 레지스트 도포 유닛(COT)의 순서로 반송을 행해도 좋다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(G)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS6 또는 TRS7)로 반송되고, 이 스테이지[TRS6(TRS7)]의 웨이퍼(W)는 DEV층[B1(B2)]의 메인 아암[A1(A2)]에 수취되고, 당해 DEV층[B1(B2)]에서 선반 유닛(U1 내지 U4)에 포함되는 가열 유닛(PEB) → 냉각 유닛(CPL) → 현상 유닛(DEV3) → 가열 유닛(33) → 냉각 유닛(CPL)의 순서로 반송되어, 소정의 현상 처리가 행해져, 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된다. 배경 기술의 항목에 있어서도 서술하였으나, 캐리어(20)로부터 캐리어 스테이션(S1)으로 웨이퍼(W)가 반입된 후 이 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반입될 때까지의 공정을 1사이클로 하면, 배경 기술의 항목에 있어서도 서술하였으나, 본 장치에 의해 1시간당 150매의 웨이퍼(W)를 처리하고자 하면, 이 1사이클의 시간은 24초로 설정된다.
계속해서, 도 8을 참조하면서 검사 스테이션(S5)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송을 설명한다. 도 8의 (a)는 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된 각 웨이퍼(W)에 대해, 사이클마다 제어부(100)가 그 반송처를 판정하는 패턴을 도시한 흐름도이고, 이 흐름도에 도시한 바와 같이 제어부(100)는 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된 웨이퍼(W)에 대해, 미리 설정된 도 6의 표에 기초하여 검사를 행하는 웨이퍼인지, 검사를 행하지 않는 웨이퍼인지를 판정하여, 검사를 행하지 않는 웨이퍼라고 판정한 경우, 제어부(100)는 반송 수단(51)에 의해 그 웨이퍼(W)를 전달 스테이지(TRS8 또는 TRS9)로 반송한다.
제어부(100)가, 검사를 행하는 웨이퍼라고 판정되면 검사 대상의 모듈이 비어 있는지 판정한다. 복수의 검사 모듈에서 검사를 행하도록 설정되어 있는 경우에는, 작은 번호의 검사 모듈에 대해 판정을 행한다. 판정한 결과, 검사 모듈이 비어 있으면 반송 수단(51)에 의해 웨이퍼(W)는 그 검사 모듈로 반송되고, 검사 모듈이 비어 있지 않으면 버퍼 유닛(BU)으로 반송된다.
도 8의 (b)는 검사 모듈(E1 내지 E3) 및 버퍼 유닛(BU)으로 반입된 웨이퍼에 대해, 사이클마다 제어부(100)가 그 반송처를 판정하는 패턴을 도시한 흐름도이다. 제어부(100)가, 상기 웨이퍼에 대해 설정된 모든 검사가 종료되었다고 판정한 경우에는, 반송 수단(51)을 통해 그 웨이퍼(W)를 전달 스테이지(TRS8 또는 TRS9)로 반송한다. 검사가 종료되어 있지 않다고 판정한 경우에는, 그 검사를 행하는 검사 모듈이 비어 있는지 판정하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하고, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛(BU)으로 반송한다. 또한, 제어부(100)는 버퍼 유닛(BU)으로 반입되어 있는 웨이퍼에 대해서도, 다음에 검사를 행하는 검사 모듈이 비어 있는지 판정하여, 비어 있으면 그 웨이퍼를 검사 모듈로 반송하고, 비지 않으면 버퍼 유닛(BU)에 잔류시킨다.
계속해서, 제어부(100)가 도 6과 같이, 웨이퍼 「1」 내지 웨이퍼 「25」에 대해 각 검사 모듈(E)로의 반송을 설정한 경우에, 사이클마다 구체적으로 웨이퍼(W)가 검사 스테이션(S5)에 있어서의 각 전달 모듈로 전달되는 모습을 구체적으 로 설명한다.
사이클 1에서는 전술한 경로를 통해 레지스트 패턴이 형성된 선두의 웨이퍼(W)인 웨이퍼 「1」이 전달 스테이지(TRS1 혹은 TRS2)로 반입된다. 이후에는 설명의 편의상, 전달 스테이지(TRS1, TRS2)에 웨이퍼(W)가 교대로 반입되는 것으로 한다. 이 시점에서는 검사 모듈(E1 내지 E3), 전달 스테이지(TRS8, TRS9)의 어디에도 웨이퍼(W)는 들어 있지 않다.
다음의 사이클 2에서는 처리 스테이션(S2)의 전달 스테이지(TRS2)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「1」이 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「1」은 검사 모듈(E1)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E1)은 비어 있고, 검사 모듈(E1)로부터는 인 레디 신호가 출력되어 있으므로, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 웨이퍼 「1」을 검사 모듈(E1)로 반송한다.
사이클 3에서는 전달 스테이지(TRS1)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「2」가 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「2」는 검사 모듈(E2)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E2)은 비어 있고, 검사 모듈(E2)로부터는 인 레디 신호가 출력되어 있으므로, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 웨이퍼 「2」를 검사 모듈(E2)로 반송한다. 검사 모듈(E1)에서는 웨이퍼 「1」의 검사가 종료되어 있지 않으므로 그대로의 상태이다.
사이클 4에서는 전달 스테이지(TRS2)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「3」 이 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「3」은 검사 모듈(E3)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E3)은 비어 있고, 검사 모듈(E3)로부터는 인 레디 신호가 출력되어 있으므로, 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 웨이퍼 「3」을 검사 모듈(E3)로 반송한다. 또한, 이 사이클 4에서는, 검사 모듈(E1)에 있어서 웨이퍼 「1」의 검사가 종료되고, 아웃 레디 신호가 출력된다. 도 6으로부터 웨이퍼 「1」은 검사 모듈(E1)만에 있어서 검사를 행하는 것이 결정되어 있고, 이 시점에서는 전달 스테이지(TRS8)는 비어 있고, 즉 인 레디 신호를 출력하고 있으므로, 반송 수단(51)은 도 8의 흐름에 따라서 검사를 종료한 웨이퍼 「1」을 전달 스테이지(TRS8)로 반송한다. 검사 모듈(E2, E3)에서는 웨이퍼 「2」, 「3」의 검사가 종료되어 있지 않으므로 그대로의 상태이다.
사이클 5에서는 전달 스테이지(TRS1)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「4」가 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「4」는 검사 모듈(E1)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E1)은 비어 있고, 검사 모듈(E1)로부터는 인 레디 신호가 출력되어 있으므로, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 웨이퍼 「4」를 검사 모듈(E1)로 반송한다. 또한, 전달 스테이지(TRS8)의 웨이퍼는 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어(20)로 복귀된다.
사이클 6에서는 전달 스테이지(TRS2)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「5」가 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「5」는 검사 모듈(E1)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 검사 모듈(E1)은 계속해서 웨이퍼 「4」를 처 리하고 있다. 이 경우, 도 8의 흐름도에 따라서 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 웨이퍼 「5」를 버퍼 유닛(BU)으로 반송한다.
사이클 7에서는 검사 모듈(E1)에 의한 웨이퍼 「4」의 검사 및 검사 모듈(E2)에 의한 웨이퍼 「2」의 검사가 각각 종료되고, 이들 모듈이 아웃 레디 신호를 출력한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「2」는 다른 검사를 행하지 않으므로, 도 8의 흐름도에 따라서 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 그 웨이퍼 「2」를 전달 스테이지(TRS8)로 반송하고, 검사 모듈(E1, E2)은 인 레디 신호를 출력한다. 또한, 웨이퍼 「4」는 검사 모듈(E3)에 의해 검사를 행하도록 설정되어 있으나, 이 사이클 7에서는, 검사 모듈(E3)은 계속해서 웨이퍼 「3」의 검사를 행하고 있으므로, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 웨이퍼 「4」를 버퍼 유닛(BU)으로 반입한다. 계속해서, 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 비어 있게 된 검사 모듈(E1)에서 전회의 사이클 6에서 버퍼 유닛(BU)으로 반입된 웨이퍼 「5」를 반입한다.
또한, 사이클 7에서는 전달 스테이지(TRS1)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「6」이 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「6」은 검사 모듈(E2)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E2)은 비어 있고, 검사 모듈(E2)로부터는 인 레디 신호가 출력되어 있으므로, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 도 8의 흐름도에 따라서 웨이퍼 「6」을 검사 모듈(E2)로 반송한다.
사이클 8에서는 검사 모듈(E3)은 계속해서, 웨이퍼 「3」의 검사를 행하고 있으므로, 전회 사이클에서 버퍼 유닛(BU)에 저장된 웨이퍼 「4」는 계속해서 버퍼 유닛(BU)에 남겨진다. 또한, 전달 스테이지(TRS2)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「7」이 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「7」은 검사 모듈(E1)로 검사하는 것이 결정되어 있으나, 검사 모듈(E1)은 웨이퍼 「5」를 검사 중이므로, 도 8의 흐름도에 따라서 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 이 웨이퍼 「7」을 버퍼 유닛(BU)으로 반송한다.
사이클 9에서는 검사 모듈(E1, E3)에 있어서 웨이퍼 「5」, 웨이퍼 「3」에 있어서의 처리가 각각 종료되고, 이들 검사 모듈로부터 아웃 레디 신호가 출력된다. 예를 들어, 반송 수단(51)은 번호가 작은 웨이퍼 「3」을 전달 스테이지(TRS8)로 반입하고, 또한 웨이퍼 「5」를 전달 스테이지(TRS9)로 반송한다. 또한, 전달 스테이지(TRS1)로부터 반송 수단(51)으로 웨이퍼 「8」이 전달된다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 「8」은 검사 모듈(E1)에 의해 처리를 행하는 것이 결정되어 있으나, 이 시점에서 검사 모듈(E1)은 웨이퍼 「7」을 검사 중이므로, 도 8의 흐름도에 따라서 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)은 이 웨이퍼 「8」을 버퍼 유닛(BU)으로 반송한다.
이것 이후의 사이클의 설명은 생략하지만, 계속해서 제어부(100)는 도 8의 흐름에 따라서 반송 수단(51)의 반송을 제어한다. 도 9는 전술한 바와 같이 반송된 웨이퍼 「1」 내지 웨이퍼 「25」의 반송 결과를 도시하는 것으로, 사이클마다 전달 스테이지(TRS8, TRS9) 및 검사 모듈(E1, E2, E3)의 각각에 놓이는 웨이퍼(W)를 도시하고 있고, 이 표에 나타내 바와 같이 30사이클을 소비함으로써 25매의 웨이퍼(W)의 처리가 완료되어 캐리어(20)에 수용된다.
상술한 도포, 현상 장치는 처리 스테이션(S2)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)를, 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션(S5)에 있어서 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈(E1 내지 E3)과, 웨이퍼(W)를 일시적으로 체류시키는 버퍼 유닛(BU)이 설치되고, 검사 모듈이 기판을 처리하고 있는 동안, 그 검사 모듈에 의해 검사하도록 결정된 후속의 웨이퍼(W)가, 검사 스테이션(S5)으로 반입되어도, 그 후속의 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(BU)으로 일단 반송하여 체류시킴으로써, 검사 모듈(E1 내지 E3)에 있어서의 웨이퍼(W)의 체류를 억제할 수 있다. 또한, 이 반송 방식은 웨이퍼(W)가 캐리어(20)로 복귀된 후, 트랜스퍼 아암(C)이 그 웨이퍼(W)를, 다시 검사를 행하기 위해 검사 스테이션(S5)으로 반송하는 것이 아니므로, 캐리어 스테이션(S1)의 트랜스퍼 아암(C)의 부하를 억제할 수 있다. 따라서, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 검사 스테이션(S5)에는 검사 스테이션(S5)으로부터 캐리어 스테이션(S1)으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 복수의 전달 스테이지인 TRS8, TRS9가 설치되어 있고, 하나의 사이클에 있어서 전달 스테이지(TRS8)로 이미 웨이퍼(W)가 반송되어 있는 경우에는, 전달 스테이지(TRS9)로 웨이퍼(W)를 반송하고, 이 스테이지(TRS8, TRS9)의 상류측의 각 검사 모듈(E1 내지 E3)에 웨이퍼(W)가 체류하는 것이 억제되므로, 처리량의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
또한, 반송 수단(51)을 마련하여, 이 반송 수단(51)에 의해 웨이퍼(W)를 캐리어 스테이션(S1)으로부터 처리 스테이션(S2)으로의 반송을 행하고 있고, 반송 수단(52)을 이용하여, 이와 같은 스테이션(S1, S2) 사이의 반송을 행하는 경우에 비 해, 반송 수단(52)의 부하를 억제할 수 있으므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 효과를 나타내기 위해 비교예로서 다른 도포, 현상 장치에 대해 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 10은 이 도포, 현상 장치의 종단 평면 개략도이고, 캐리어 스테이션(S1), 처리 스테이션(S2), 인터페이스 스테이션(S3)은 전술한 도포, 현상 장치와 대략 마찬가지로 구성되어, 동일한 경로로 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다.
이 도포, 현상 장치의 검사 스테이션(S7)은 4개의 전달 모듈(TRSa 내지 TRSd)과, 검사 모듈(E1 내지 E3)과, 이들 모듈(TRSa 내지 TRSd, E1 내지 E3) 및 후술하는 선반 모듈의 전달 스테이지(TRS) 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 반송 수단(61)을 구비하고 있다.
이 비교예인 도포, 현상 장치에서는, 도 10에 도시한 바와 같이 본 발명의 실시 형태의 도포, 현상 장치와 마찬가지로 반사 방지막 형성 유닛 → COT → PAB → CPL → 인터페이스 스테이션(S3) → 노광 장치(S4) → 인터페이스 스테이션(S3) → PEB → CPL → DEV3의 순서로 반송되어 레지스트 패턴이 형성된 후, 처리 스테이션(S2)의 전달 스테이지(TRS)로 반송된다.
상기 전달 스테이지(TRS)에 적재된 웨이퍼(W)를 반송 수단(61)은 다음과 같은 룰로 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
상기 반송 수단(61)은,
a) 상기 캐리어 스테이션(S1)과 처리 스테이션(S2) 사이의 웨이퍼(W)의 전달 을 우선으로 하도록 제어된다.
b) 웨이퍼(W)에 할당된 처리의 순서가 작은 웨이퍼(W)로부터 검사 모듈[E1(E2, E3)]에 대해 반입을 행하고,
c) 웨이퍼(W)에 할당된 처리의 순서에 상관없이, 검사가 종료되어 있는 웨이퍼(W)를 검사 모듈[E1(E2, E3)]로부터 반출하도록 제어된다.
또한, 캐리어 스테이션(S1)의 트랜스퍼 아암(C)은,
a) 캐리어(20)로부터 처리 전의 웨이퍼(W)를 수취하여 전달 모듈(TRSa)로 전달하고,
b) 전달 모듈(TRSb)로부터 처리 완료의 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(20)로 복귀시키고,
c) 처리 완료의 웨이퍼(W)를 캐리어(20)로부터 전달 모듈(TRSc)로 전달하고,
d) 검사된 웨이퍼(W)를 전달 모듈(TRSd)로부터 캐리어(20)로 복귀시킨다고 하는 반송을 행한다.
도 11은 상기 비교예의 도포, 현상 장치에 있어서, 도 6에서 도시한 바와 같이 검사를 행하는 웨이퍼(W)를 결정하여 웨이퍼(W)의 반송을 행하여 얻어진 반송 결과이다. TRSc의 란을 보면, 사이클 6, 11, 13 등의 각 처에 웨이퍼(W)가 반입되어 있지 않은 사이클이 확인된다. 이는 트랜스퍼 아암(C)이 다른 반송 동작을 행하고 있었으므로, 이 사이클 중에 TRSc로 웨이퍼(W)의 반입 작업이 행해지지 않았기 때문에 발생하고 있다. 그리고 표 중, 삼각으로 둘러싸인 개소는, 다음에 반송해야 할 반송 모듈에 웨이퍼(W)가 존재하므로, 웨이퍼(W)를 그 모듈 내에 머무르게 해야만 하는 것을 나타내고 있다. 이와 같은 상황에 의해 검사 모듈(E1 내지 E3)로 웨이퍼(W)가 반입되지 않는 사이클이 존재하고, 그로 인해 전체 25매의 웨이퍼(W)의 처리를 종료하기 위해 상기 실시 형태의 도포, 현상 장치의 사이클보다도 많은 46사이클이 소비되고 있다. 따라서, 본 발명의 효과가 나타났다.
도 12는 도포, 현상 장치의 다른 구성의 일례를 도시하고 있고, 전술한 실시 형태와 동일한 구성을 갖는 각 부에는 동일 부호를 부여하여 나타내고 있다. 이 도포, 현상 장치에는 검사 스테이션(S5)과 대략 마찬가지로 구성된 검사 스테이션(S6)이 설치되어 있고, 검사 스테이션(S6)의 구성을 검사 스테이션(S5)과의 차이점을 중심으로 이하에 설명한다. 반송 수단(51)이 반송을 행하는 영역을 반송 영역(M4)으로 하면, 이 도포, 현상 장치의 검사 스테이션(S6)에는 검사 모듈(E1)이 설치되어 있지 않고, 전달 스테이지(TRS8, TRS9) 상에는 복수기의 버퍼 유닛(BU)이 적층되어 설치되어 있다.
이 반송 수단(52)은 반송 영역(M3)을 통과하여 BCT층(B3)의 전달 스테이지(TRS3)로 웨이퍼(W)를 전달하도록 되어 있고, 전달 스테이지(TRS3)로 전달된 웨이퍼(W)는 이후 기술하는 실시 형태와 동일한 경로로 반송되어 각 층에서 처리를 받아, 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 전달된다. 상기 반송 영역(M3)의 상방에는 후술하는 반송 수단(53)이 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구획된 영역인 반송 영역(M5)이 형성되어 있다.
이후, 도 13 및 도 14도 참조하면서 각 반송 영역(M4, M5)에 대해 설명한다. 도 13의 (a), 도 13의 (b)는 각각 반송 영역(M4), 반송 영역(M5)의 구성을 도시하 고 있고, 도 14는 검사 스테이션(S6)을 처리 스테이션(S2)측으로부터 캐리어 스테이션(S1)측을 향해 본 도면이다. 반송 영역(M5)에는 그 중앙에 반송 수단(53)이 마련되고, 반송 수단(53)의 전방측[캐리어 스테이션(S1)측]에 전달 스테이지(TRS10, TRS11)가 적층되어 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(S2)을 향해 우측에는 검사 모듈(E1)이 설치되어 있다. 반송 수단(53)은 이들 전달 스테이지(TRS10, TRS11), 검사 모듈(E1)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 연직축 주위로 회전 가능, 승강 가능, 진퇴 가능하게 구성되어 있다.
또한, 도 14에 도시한 바와 같이 이 검사 스테이션(S6) 내에는 반송 영역(M1, M2) 사이를 승강 가능한 전달 아암(D2)이 설치되어 있고, 이 전달 아암(D2)은 전달 스테이지(TRS8 내지 TRS11) 및 버퍼 유닛(BU) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 검사 스테이션(S6)에서의 웨이퍼(W)의 전달은, 전술한 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달과 동일한 룰에 따라서 행해지지만, 반송 경로는 약간 상이하고, 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로부터 검사 모듈(E1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에는, 반송 수단(51) → 버퍼 유닛(BU) → 전달 아암(D2) → 전달 스테이지(TRS10 또는 TRS11) → 반송 수단(53) → 검사 모듈(E1)의 순서로 반송이 행해진다.
또한, 검사 모듈(E1)로부터 버퍼 유닛(BU)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에는, 상기한 경로를 역으로 거슬러서 버퍼 유닛(BU)으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 검사 모듈(E1)로부터 검사 모듈[E2(E3)]로 반송을 행하는 경우에는, 버퍼 유닛(BU)으로 반송하는 경우와 동일한 경로로 버퍼 유닛(BU)까지 웨이퍼(W)가 반송되고, 그 후 버퍼 유닛(BU) → 반송 수단(51) → 검사 모듈[E2(E3)]의 순서로 반송이 행해진다. 검사 스테이션을 이와 같이 구성해도 전술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 다른 도포, 현상 장치의 구성의 일례를 도 15에 도시한다. 이 도포, 현상 장치에는 검사 스테이션이 설치되어 있지 않고, 트랜스퍼 아암(C)이 캐리어(20)의 웨이퍼(W)를 BCT층(B3)의 전달 스테이지(TRS3)로 전달한다. 또한, TCT층(B5)이 설치되어 있지 않고, 스테이지(TRS3)로 전달된 웨이퍼(W)는 전술한 실시 형태의 경로를 따라서 레지스트막이 형성되고, 전달 스테이지(TRS4)로 반입된 후 전달 스테이지(TRS1B)로 반송되고, 그 후에는 전술한 경로를 따라서 DEV층[B1(B2)]의 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된다.
이 도포, 현상 장치에는 TCT층(B5)의 대신에, 검사층(F)이 설치되어 있다. 도 16은 검사층(F)의 구성의 일례이고, 다른 층과의 차이점을 서술하면, 선반 유닛(U1 내지 U4) 대신에, 검사 모듈(E2, E3)이 설치되어 있고, 또한 액처리 유닛이 설치되어 있지 않고, 대신에 검사 모듈(E1) 및 복수단에 적층된 버퍼 유닛(BU)이, 반송 통로(R1)를 따라서 설치되어 있다. 메인 아암(A5)은 버퍼 유닛(BU) 및 검사 모듈(E1 내지 E3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
이 도포, 현상 장치에 있어서는 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된 웨이퍼(W)에서 검사를 행할 예정인 것은, 전달 아암(D1) → 전달 스테이지(TRS5) → 메인 아암(A5)의 순서로 반송되고, 메인 아암(A5)에 의해 전술한 룰에 따라서 검사 모듈(E1 내지 E3)의 어느 한쪽, 혹은 버퍼 유닛(BU)으로 반송된다. 전달 스테이 지[TRS1(TRS2)]로 반송된 웨이퍼(W)에서 검사를 행할 예정으로 되어 있지 않은 것은 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어(20)로 복귀된다.
계속해서 또 다른 실시 형태의 도포, 현상 장치에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는 이후에 서술하는 바와 같은 차이를 제외하고, 예를 들어 최초에 설명한 도포, 현상 장치와 마찬가지로 구성되어 있는 것으로 한다. 최초의 실시 형태의 버퍼 유닛(BU)은 검사를 행하도록 결정되어, 검사 스테이션(S5)으로 반입되었을 때에 검사 모듈(E)로 들어갈 수 없는 모든 웨이퍼(W)를 수용할 수 있도록 구성되어 있으나, 본 실시 형태에 있어서의 버퍼 유닛(BU)은 검사 모듈(E)로 들어갈 수 없는 일부의 웨이퍼(W)만을 수용할 수 있는 것으로 한다.
도 17은 본 실시 형태에 있어서의 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된 각 웨이퍼(W)에 대해, 사이클마다 제어부(100)가 그 반송처를 판정하는 패턴을 도시한 흐름도이다. 제어부(100)는 전달 스테이지[TRS1(TRS2)]로 반송된 웨이퍼(W)에 대해, 검사를 행하도록 설정된 웨이퍼인지 검사를 행하지 않도록 설정된 웨이퍼인지를 판정하여, 검사를 행하는 웨이퍼라고 판정되었으면 검사 대상의 검사 모듈이 비어 있는지 판정하고, 검사 모듈이 비어 있지 않다고 판정되었으면 계속해서 버퍼 유닛(BU)이 비어 있는지 여부를 판정한다.
버퍼 유닛(BU)이 비어 있다고 판정된 경우에 있어서는, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)이, 그 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(BU)으로 반송하고, 버퍼 유닛(BU)이 비어 있지 않다고 판정된 경우에 있어서는, 제어부(100)에 의해 반송 수단(51)이, 그 웨이퍼(W)를 전달 스테이지[TRS8(TRS9)]로 반송한다. 전달 스테이 지[TRS8(TRS9)]로 반송된 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어(20)로 복귀된다. 즉, 검사 대상으로 되어 있는 웨이퍼(W)에 대해, 검사 모듈(E)이 비어 있지 않고 또한 버퍼 유닛(BU)이 비어 있지 않은 경우에 있어서는, 검사가 행해지지 않고 캐리어(20)로 복귀된다. 또한, 최초의 실시 형태와 마찬가지로 검사 대상으로 되어 있지 않은 웨이퍼(W)는, 전달 스테이지[TRS1(TRS2)] → 전달 스테이지[TRS8(TRS9)]로 전달되고, 또한 검사 대상으로 되어 있는 웨이퍼(W)에서 검사 모듈(E)이 비어 있는 경우에는 그 검사 모듈(E)로 전달된다.
본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 알람 발생 장치 및 도포, 현상 장치의 상태 등을 나타내는 모니터가 설치되어 있고, 상기와 같이 검사 모듈(E) 및 버퍼 유닛(BU)이 비어 있지 않으므로 검사를 행해야 할 웨이퍼(W)가 검사를 받지 않고 캐리어(20)로 복귀되면, 제어부(100)는 그 웨이퍼(W)에 할당된 기판 번호를 기억하는 동시에 알람 발생 장치로 제어 신호를 송신하고, 제어 신호를 수신한 알람 발생 장치는 알람을 발생시킨다. 또한, 제어부(100)는 기억한 기판 번호를 상기 모니터에 표시시킨다.
본 실시 형태의 도포, 현상 장치는, 상기와 같이 제어부(100)에 기억된 웨이퍼(W)에 대해 다시 검사 스테이션(S5)으로 반송하여 검사를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 도 18은 그와 같은 반송 및 검사가 행해지는 공정을 도시한 흐름도이고, 도면 중점선으로 둘러싼 부분을 스텝 T1로 하면, 이 스텝 T1은, 예를 들어 상기 알람 발생 후에 도포, 현상 장치의 오퍼레이터가 메뉴얼로 조작함으로써 실행된다. 스텝 T1보다 후단의 스텝은 제어부(100)에 구비된 반송 프로그램에 의해 자동적으 로 실시된다.
예를 들어, 이 도포, 현상 장치에는 상기와 같이 모니터에 기판 번호가 표시된, 검사를 받고 있지 않은 웨이퍼(이후 미검사 웨이퍼라고 칭함)에 대해, 다시 검사를 행할 것인지 여부를 선택할 수 있는 선택 수단인 스위치가 설치되어 있고, 오퍼레이터가 스위치를 작동시키지 않은 경우, 캐리어(20)에 수납된 웨이퍼(W)는 그대로의 상태이다. 오퍼레이터가 스위치를 온으로 하면, 상기 프로그램이 실행되어, 사이클마다 제어부(100)가 도 18의 스텝 T1보다 후단의 각 스텝 T의 판정을 행한다. 우선, 제어부(100)는 1개의 캐리어(20)에 수납된 웨이퍼의 로트 중에 있어서 할당된 기판 번호가 최후인 웨이퍼 「25」가 캐리어(20), 버퍼 유닛(BU), 검사 모듈(E) 중 어느 쪽에 존재하는지를 판정하여(스텝 T2), 어느 쪽에도 존재하지 않는다고 판정한 경우, 미검사 웨이퍼는 캐리어(20)에 수납된 상태에 놓인다.
캐리어(20), 버퍼 유닛(BU), 검사 모듈(E) 중 어느 하나에 웨이퍼 「25」가 존재한다고 판정된 경우, 계속해서 제어부(100)는 전달 스테이지(TRS8 또는 TRS9)가 비어 있는지 여부의 판정을 행하여(스텝 T3), 전달 스테이지(TRS8 및 TRS9)가 비어 있지 않다고 판정한 경우, 미검사 웨이퍼는 캐리어(20)에 수납된 상태로 놓인다.
스테이지(TRS8 또는 TRS9)가 비어 있다고 판정된 경우, 제어부(100)는 계속해서 미검사 웨이퍼에 대해 검사 대상으로 설정된 검사 모듈(E)이 비어 있는지 여부를 더 판정한다(스텝 T4). 또한, 캐리어(20)에 미검사 웨이퍼가 복수개 있는 경우, 작은 번호의 미검사 웨이퍼에 대한 판정이 행해진다. 비어 있다고 판정된 경 우에는, 그 판정을 행한 사이클에 있어서의 검사 스테이션(S5) 내의 웨이퍼의 반송이 종료된 후, 그 미검사 웨이퍼는 가장 먼저 트랜스퍼 아암(C) → 전달 스테이지[TRS8(TRS9)] → 반송 수단(51)의 순서로 전달되고, 당해 미검사 웨이퍼는 반송 수단(51)에 의해 검사 모듈(E)로 반송된다.
미검사 웨이퍼의 검사 대상으로 되어 있는 검사 모듈(E)이 비어 있지 않다고 판정된 경우, 제어부(100)는 계속해서 버퍼 유닛(BU)이 비어 있는지 여부의 판정을 행하여(스텝 T5), 비어 있지 않다고 판정된 경우에는, 미검사 웨이퍼는 그대로 캐리어(20)에 머무르고, 비어 있다고 판정된 경우에는, 미검사 웨이퍼는 제어부(100)에 의해 그 판정을 행한 사이클에 있어서의 검사 스테이션(S5) 내의 웨이퍼의 반송이 종료된 후, 그 미검사 웨이퍼를 가장 먼저 트랜스퍼 아암(C) → 전달 스테이지[TRS8(TRS9)] → 반송 수단(51)의 순서로 전달하고, 미검사 웨이퍼는 반송 수단(51)에 의해 버퍼 유닛(BU)으로 반송된다.
버퍼 유닛(BU) 및 검사 모듈(E)로 반송된 미검사 웨이퍼는 전술한 실시 형태에서 설명한 도 8의 (b)의 흐름도에 따라서 반송된다. 전술한 바와 같이, 검사 스테이션(S5)에 있어서는 작은 번호의 웨이퍼의 반송이 우선으로 행해지지만, 예를 들어 미검사 웨이퍼보다도, 미검사 웨이퍼 이외의 웨이퍼의 반송이 우선으로 행해진다. 또한, 미검사 웨이퍼가 복수개 있는 경우, 그 미검사 웨이퍼 중에서는 번호가 작은 웨이퍼의 반송이 우선으로 행해진다. 즉, 미검사 웨이퍼가 웨이퍼 「13」, 웨이퍼 「14」이고, 웨이퍼 「25」가 미검사 웨이퍼가 아니라고 하면, 우선도가 높은 쪽부터 웨이퍼 「25」, 웨이퍼 「13」, 웨이퍼 「14」의 순서로 도 8의 (b)의 흐름도에 따라서 검사 스테이션(S5)의 각 모듈로의 반송이 행해진다.
이와 같이 도포, 현상 장치를 구성해도, 검사하도록 설정된 웨이퍼(W)의 일부만이 캐리어 스테이션(S1)으로부터 검사 스테이션(S5)으로 복귀되므로, 처리량의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 미검사 웨이퍼가 복수개 존재하는 경우, 예를 들어 오퍼레이터가 미검사 웨이퍼마다 검사를 행할 것인지 여부를 설정할 수 있도록 해도 좋다.
또한, 알람 발생 후, 오퍼레이터가 미검사 웨이퍼에 대해 검사를 행할 것인지 여부를 메뉴얼로 선택하는 대신에, 미검사 웨이퍼에 대한 검사를 행할 것인지 여부를 미리, 예를 들어 캐리어(20)가 도포, 현상 장치로 반입되기 전에 설정할 수 있는 구성이라도 좋다. 또한, 상기 실시 형태에서는 상기 로트 내의 최후의 웨이퍼(W)가 미검사 웨이퍼로 되어 검사를 받지 않은 상태로 캐리어(20)에 수납될 가능성이 있으므로, 웨이퍼(W)가 캐리어(20), 버퍼 유닛(BU), 검사 모듈(E)에 존재하는지를 확인하여, 캐리어(20) 내의 모든 웨이퍼에 대해 미검사 웨이퍼가 되는지, 미검사 웨이퍼로 되지 않고 검사가 행해지는지 결정된 후에 미검사 웨이퍼의 검사 스테이션(S5)으로의 반송이 행해진다. 즉, 검사 스테이션(S5)의 상태가 대략 결정된 후에, 미검사 웨이퍼를 검사 스테이션(S5)으로 반송하고 있으나, 미검사 웨이퍼를 반송하는 타이밍으로서는, 이와 같은 타이밍으로 한정되지 않고, 이것보다도 전에, 예를 들어 캐리어(20)에 저장되는 로트의 중반의 웨이퍼(W)가 검사 스테이션 중 어느 하나의 모듈로 반입된 시점에서, 스텝 T3 내지 T5를 실행하여, 미검사 웨이퍼를 검사 스테이션(S5)으로 반송해도 좋다.

Claims (19)

  1. 복수매의 기판을 수납한 캐리어가 적재되어, 캐리어와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 기판 반송 수단을 구비한 캐리어 스테이션과,
    상기 제1 기판 반송 수단으로부터 전달된 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해 순차적으로 기판을 반송하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과,
    이 처리 스테이션에서 현상을 종료한 기판이 놓이는 제1 전달부와,
    상기 캐리어 스테이션의 제1 기판 반송 수단에 의해 기판이 수취되는 제2 전달부와,
    현상을 종료한 기판에 대해 검사를 행하여, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 체류시키는 버퍼 유닛과, 버퍼 유닛과, 상기 제1 전달부, 제2 전달부 및 검사 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제3 기판 반송 수단을 구비한, 처리 스테이션에서 처리된 기판을 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션과,
    상기 제3 기판 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 전달부의 기판을 반송할 때에는,
    (a1) 그 기판이 검사 대상의 기판인지 여부를 판단하고,
    (a2) 검사 대상의 기판이 아니면, 그 기판을 제2 전달부로 반송하고,
    (a3) 검사 대상의 기판이면, 검사에 관한 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛으로 반송하는 스텝을 실행하고,
    검사 스테이션 내의 모듈의 기판을 반송할 때에는,
    (b1) 그 기판에 할당되어 있는 검사가 모두 종료되어 있는지 여부를 판단하여,
    (b2) 검사가 종료되어 있으면, 그 기판을 상기 제2 전달부로 반송하고,
    (b3) 검사가 종료되어 있지 않으면, 종료되어 있지 않은 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛에 위치시키는 스텝을 실행하는 기능을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 (a3)에 있어서 검사 모듈이 비어 있지 않다고 판단되면, 버퍼 유닛으로 반송하는 스텝 대신에,
    버퍼 유닛이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 상기 기판을 버퍼 유닛으로 반송하고, 비어 있지 않으면 제2 전달부로 미검사 기판으로서 반송하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 (a3)에 있어서 버퍼 유닛이 비어 있지 않으면 알람을 발생시키는 알람 발생 수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 전달부로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판은 캐리어 스테이션으로 반송되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  5. 제4항에 있어서, 캐리어 스테이션으로 반송된 검사 대상 기판은 캐리어로 반송되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제어부는 캐리어 스테이션으로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을, 검사 스테이션으로 반송하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  7. 제6항에 있어서, 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을 검사 스테이션으로 반송하는 상기 스텝을 실행할 것인지 여부를 선택하기 위한 선택 수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판 반송 수단에 의해 캐리어로부터 취출된 기판이 전달되는 제3 전달부와, 이 전달부로부터 기판을, 상기 검사 스테이션을 가로질러 처리 스테이션으로 반송하기 위한 셔틀 반송 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  9. 제8항에 있어서, 버퍼 유닛과 제2 전달부와 제3 전달부는 서로 상하로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  10. 제8항에 있어서, 버퍼 유닛과 제2 전달부와 제3 전달부와 하나 이상의 검사 모듈은 서로 상하로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  11. 복수매의 기판을 수납한 캐리어가 적재되어, 캐리어와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 기판 반송 수단을 구비한 캐리어 스테이션과,
    상기 제1 기판 반송 수단으로부터 전달된 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상 또는 그 전후의 처리를 행하는 복수의 처리 모듈과, 이들 처리 모듈에 대해 순차적으로 기판을 반송하는 제2 기판 반송 수단을 구비한 처리 스테이션과,
    이 처리 스테이션에서 현상을 종료한 기판이 놓이는 제1 전달부와,
    상기 캐리어 스테이션의 제1 기판 반송 수단에 의해 기판이 수취되는 제2 전달부와,
    현상을 종료한 기판에 대해 검사를 행하여, 검사에 필요로 하는 시간이 서로 상이한 복수의 검사 모듈과, 기판을 체류시키는 버퍼 유닛과, 버퍼 유닛과, 상기 제1 전달부, 제2 전달부 및 검사 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제3 기판 반송 수단을 구비한, 처리 스테이션에서 처리된 기판을 캐리어 스테이션으로 전달하는 검사 스테이션을 구비한 도포, 현상 장치를 제어하는 방법이며,
    상기 제1 전달부의 기판을 반송할 때에는,
    (a1) 그 기판이 검사 대상의 기판인지 여부를 판단하는 공정과,
    (a2) 검사 대상의 기판이 아니면, 그 기판을 제2 전달부로 반송하는 공정과,
    (a3) 검사 대상의 기판이면, 검사에 관한 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛으로 반송하는 공정을 구비하고,
    검사 스테이션 내의 모듈의 기판을 반송할 때에는,
    (b1) 그 기판에 할당되어 있는 검사가 모두 종료되어 있는지 여부를 판단하는 공정과,
    (b2) 검사가 종료되어 있으면 그 기판을 상기 제2 전달부로 반송하는 공정과,
    (b3) 검사가 종료되어 있지 않으면, 종료되어 있지 않은 검사 모듈이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 그 검사 모듈로 반송하는 한편, 비어 있지 않으면 버퍼 유닛에 위치시키는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 (a3)에 있어서 검사 모듈이 비어 있지 않다고 판단되면, 버퍼 유닛으로 반송하는 공정 대신에, 버퍼 유닛이 비어 있는지 여부를 판단하여, 비어 있으면 상기 기판을 버퍼 유닛으로 반송하고, 비어 있지 않으면 제2 전달부로 미검사 기판으로서 반송하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 (a3)에 있어서 버퍼 유닛이 비어 있지 않으면 알람을 발생시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제2 전달부로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판은 캐리어 스테이션으로 반송되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  15. 제14항에 있어서, 캐리어 스테이션으로 반송된 검사 대상 기판은 캐리어로 반송되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  16. 제14항에 있어서, 캐리어 스테이션으로 반송된 미검사 기판으로서 취급되는 검사 대상 기판을, 검사 스테이션으로 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  17. 제16항에 있어서, 검사 대상 기판을 검사 스테이션으로 반송하는 상기 공정을 실행할 것인지 여부를 선택하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  18. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판 반송 수단에 의해 캐리어로부터 취출된 기판을 제3 전달부로 전달하는 공정과,
    이 전달부로부터 기판을 상기 검사 스테이션을 가로질러 처리 스테이션으로 반송하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치의 제어 방법.
  19. 기판에 대한 레지스트의 도포, 레지스트가 도포되고 또한 노광된 후의 기판에 대한 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 도포, 현상 장치의 제어 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
KR1020097007376A 2006-09-12 2007-09-11 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체 KR101266735B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-247084 2006-09-12
JP2006247084A JP4560022B2 (ja) 2006-09-12 2006-09-12 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090075687A KR20090075687A (ko) 2009-07-08
KR101266735B1 true KR101266735B1 (ko) 2013-05-28

Family

ID=39183771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097007376A KR101266735B1 (ko) 2006-09-12 2007-09-11 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8377501B2 (ko)
JP (1) JP4560022B2 (ko)
KR (1) KR101266735B1 (ko)
CN (1) CN101517703B (ko)
DE (1) DE112007002124T5 (ko)
TW (1) TWI416593B (ko)
WO (1) WO2008032714A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4983724B2 (ja) 2008-05-27 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP2010093125A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Toray Eng Co Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP5187274B2 (ja) * 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5168300B2 (ja) * 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20120059510A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-08 Atsushi Kitani Mainframe premove for a cluster tool
JP5821689B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN104516207B (zh) * 2013-09-27 2017-03-08 北大方正集团有限公司 一种侦测感应系统及控制曝光机工作的方法
JP5758509B2 (ja) * 2014-01-17 2015-08-05 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP5852219B2 (ja) * 2014-12-24 2016-02-03 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
CN106898563B (zh) * 2015-12-18 2019-12-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 产品验收系统及产品验收方法
JP7050735B2 (ja) * 2019-10-02 2022-04-08 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP7297650B2 (ja) * 2019-11-27 2023-06-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7482702B2 (ja) * 2020-06-30 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093920A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101048A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置、基板処理装置および基板検査方法
JP2005175052A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG94851A1 (en) 2000-07-12 2003-03-18 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3679690B2 (ja) 2000-07-12 2005-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6790286B2 (en) * 2001-01-18 2004-09-14 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
JP3911624B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3916468B2 (ja) * 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2006019622A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093920A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101048A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置、基板処理装置および基板検査方法
JP2005175052A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101517703A (zh) 2009-08-26
US8377501B2 (en) 2013-02-19
WO2008032714A1 (fr) 2008-03-20
TW200826155A (en) 2008-06-16
US20100021621A1 (en) 2010-01-28
JP4560022B2 (ja) 2010-10-13
KR20090075687A (ko) 2009-07-08
DE112007002124T5 (de) 2009-07-09
TWI416593B (zh) 2013-11-21
CN101517703B (zh) 2012-06-06
JP2008071824A (ja) 2008-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101266735B1 (ko) 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체
JP5266965B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US8747949B2 (en) Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium
KR101348007B1 (ko) 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 운전 방법 및 기억매체
KR20100129211A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101436177B1 (ko) 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법과, 기억 매체
KR101161467B1 (ko) 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억매체
JP4342921B2 (ja) 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
TWI545674B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing system
JP4105617B2 (ja) 基板処理装置
KR101399223B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3612265B2 (ja) 塗布、現像装置
JP3725069B2 (ja) 基板処理システム
JP7347658B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011211218A (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
JP5005720B2 (ja) 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
KR20230104679A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210138493A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160418

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170421

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 7