KR20210138493A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210138493A
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쇼타 우에야마
미츠아키 마루야마
아키라 오오조노
세이지 나카시마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송 블록을 처리 블록의 왼쪽에 마련한다. 기판 반송 블록은, 복수의 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 용기에 대하여 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하는 것이다. 또한, 처리 블록에, 좌우로 연장되는 기판의 반송로와, 이 반송로를 이동하여, 액 처리 모듈로 기판을 반송하는 제 2 반송 기구를 마련한다. 또한, 처리 블록에 상기 반송로에 대하여 전방으로 돌출되도록 제 2 처리 모듈을 마련하고, 또한 이 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 3 반송 기구를 마련한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정 중 일공정으로서, 포토리소그래피가 행해지고 있다. 그 포토리소그래피에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 기재함)에 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 것, 및 현상액을 공급하여 노광이 끝난 레지스트막을 현상하는 것이 행해진다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 그러한 레지스트막의 형성 및 현상을 행하는 기판 처리 장치에 대하여 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2019-004072호
본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시는, 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
복수의 상기 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 상기 용기에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록과,
상기 처리 블록에서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로와,
상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 상기 액 처리 모듈이 종방향으로 열을 이루도록 상기 처리 블록을 구성하고 또한 상기 액 처리 모듈을 각각 포함하는 복수의 계층과,
상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 종방향으로 복수 마련되고, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 모듈과,
상기 반송로를 이동하여, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
상기 기판 반송 블록에 있어서의 상기 제 1 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역의 상방에서 전후의 길이가 좌우의 길이보다 길어지도록 마련되거나, 혹은 상기 반송로로부터 전후의 일방 또는 타방으로 돌출되어 마련되고, 상기 기판에 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 제 2 처리 모듈과,
상기 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 3 반송 기구와,
상기 반송로의 좌우의 일방측에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와 상기 제 3 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 기판이 배치되는 전달부를 구비한다.
본 개시에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 기판 처리 장치에 마련되는 검사 모듈의 일례를 나타내는 종단 측면도이다.
도 6은 상기 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로의 개략도이다.
도 7은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 8은 본 개시의 다른 실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 9는 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 10은 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 11은 본 개시의 또 다른 실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 12는 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 13은 상기 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로의 개략도이다.
도 14는 본 개시의 또 다른 실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
<제 1 실시 형태>
본 개시의 기판 처리 장치의 제 1 실시 형태에 대하여, 도 1의 횡단 평면도, 도 2의 종단 정면도, 도 3 및 도 4의 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 반도체 제조 공장의 클린룸에 마련되어, 웨이퍼(W)에 액 처리로서, 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 것이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 블록(D1) 및 처리 블록(D2)이, 횡방향(좌우 방향)으로 일렬로 배열되고 또한, 서로 접속되어 구성되며, 이들 캐리어 블록(D1) 및 처리 블록(D2)에 대하여 저부의 높이는 서로 일치되어 있다. 캐리어 블록(D1)은, 기판 반송 블록을 이루는 것이다.
이후의 설명에 있어, 캐리어 블록(D1)을 왼쪽, 처리 블록(D2)을 오른쪽으로 봤을 때, 이들 블록(D1, D2)의 배열 방향을 좌우 방향이라 한다. 또한, 장치의 전후 방향에 대하여, 캐리어 블록(D1)을 왼쪽으로 봤을 때의 앞을 전방, 안쪽을 후방이라 한다. 각 도면 중에서는, 서로 직교하는 X 방향, Y 방향, Z 방향에 있어서, X 방향은 전후 방향, Y 방향은 좌우 방향, Z 방향은 높이 방향을 각각 나타내고 있다. 또한 도 3 및 도 4는, 기판 처리 장치(1)의 종단 측면도를 나타내지만, 장치의 일부에 대하여 좌우에 상이한 위치의 종단면을 나타내고 있다.
캐리어 블록(D1)은, 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련되는 외부 반송 기구(도시 생략)에 의해, 복수의 웨이퍼(W)가 수용되는 용기가 반송되고 또한, 용기와 기판 처리 장치(1) 내와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 역할을 하는 것이다. 용기로서는, 예를 들면 FOUP(Front Opening Unify Pod)이라 불리는 캐리어(C)가 이용된다. 캐리어 블록(D1)을 구성하는 하우징(11)의 우측은, 좌측에 비해 높게 되도록 상방으로 돌출되어 있으며, 그에 따라 정면에서 봤을 때, 단이 형성되어 있다. 그와 같이 구성된 하우징(11)의 좌측, 우측을 각각 하부(12), 상부(13)라 한다.
하부(12)는, 캐리어(C)가 배치되는 용기 배치부를 이루는 것이며, 그 상면에는 4 개의 캐리어 스테이지(14)가, 전후 방향으로 간격을 두고 마련되어 있다. 캐리어(C)는, 기판 처리 장치(1)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위하여 당해 캐리어 스테이지(14)에 배치된다. 하우징(11)에 있어서 상부(13)를 형성하고 또한 왼쪽을 향하는 측벽에는, 캐리어 스테이지(14)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(15)가 개구되어 있고, 당해 반송구(15)는 개폐 기구(16)에 의해 개폐된다.
하우징(11) 내에 있어서, 상부(13)에는, 캐리어 스테이지(14) 상의 캐리어(C)와 처리 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제 1 반송 기구(17)가 마련되어 있다. 이 제 1 반송 기구(17)는, 전후 방향(X 방향)으로 이동 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 승강 가능하게 구성된 이동체(171)와, 당해 이동체(171)를 진퇴 가능하고 또한 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체(172)를 구비하고 있다.
상부(13) 내에 있어서의, 제 1 반송 기구(17)의 반송 영역(10)의 상방에는, 팬 필터 유닛(FFU)(18)이 배치되어 있다. 팬 필터 유닛(18)은, 도시하지 않는 흡인로를 개재하여 기판 처리 장치(1)의 주위의 공기를 흡인하고, 필터를 개재하여 당해 공기를 청정화하여 하방으로 공급하여, 하강 기류(다운 플로우)를 형성하도록 구성된다. 팬 필터 유닛(18)을 구성하는 상기의 필터는, 평면에서 봤을 때, 캐리어 블록(D1) 내의 제 1 반송 기구(17)의 이동 영역 전체에 걸쳐 마련되고, 당해 이동 영역 전체에 하강 기류가 형성된다. 예를 들면 하우징(11)의 저부의 도시하지 않는 배기구로부터, 당해 하강 기류를 형성한 공기는 제거된다. 또한, 처리 블록(D2)의 반송로 등의 각 곳에서도 다운 플로우가 형성되는데, 그 다운 플로우를 형성하는 기구의 도시는 생략한다.
이어서, 처리 블록(D2)에 대하여 설명한다. 처리 블록(D2)은 사각형의 하우징(21)에 의해 구성되고, 평면에서 봤을 때 전후 방향의 중앙에는, 좌우로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(20)가 마련되어 있다. 이 반송로(20)는, 후술하는 제 2 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 영역이며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)의 하우징(21)에 있어서, 좌우 방향의 좌단으로부터 우단에 이르기까지 연장되도록 형성되어 있다.
처리 블록(D2)에는, 웨이퍼(W)에 처리액으로서 레지스트액을 공급하여(즉, 레지스트를 도포하여), 레지스트막을 형성하는 액 처리 모듈인 레지스트 도포 모듈(3)이 마련된다. 이 예에서는, 레지스트 도포 모듈(3)은, 반송로(20)의 전방에 있어서, 당해 반송로(20)에 면하도록 설치된다. 이 처리 블록(D2)은, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 모듈(3)을 각각 포함하는 복수의 계층을 적층하여 구성되어 있다.
이 예에 있어서, 처리 블록(D2)은 6 개의 계층(E1 ~ E6)을 구비하고, 각 계층(E1 ~ E6)에는, 각각 1 개의 레지스트 도포 모듈(3)이 마련된다. 이렇게 하여, 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)을 전방에서 보면, 레지스트 도포 모듈(3)은 종방향으로 열을 이루도록 배치되어 있고, 각 레지스트 도포 모듈(3)의 좌우의 위치는 일치되어 있다. 도 1은 처리 블록(D2)의 계층(E6)을 나타내는 횡단 평면도인데, 캐리어 블록(D1)에 대해서는, 팬 필터 유닛(18)의 하방 위치의 횡단 평면도를 나타내고 있다.
레지스트 도포 모듈(3)은, 당해 모듈을, 반송로(20) 및 액 처리 모듈에 인접하는 영역에 대하여 구획하는 구획벽(31)을 구비하고, 이 구획벽(31)에는, 반송로(20)에 면하여, 웨이퍼(W)의 반송구(도시 생략)가 형성되어 있다. 레지스트 도포 모듈(3)은, 도 1 및 도 2에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 둘러싸서 처리하기 위한 컵(32)을 1 개만 구비하고 있고, 컵(32) 내에는 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지하여 회전시키는 스핀 척(33)이 마련된다. 또한, 레지스트 도포 모듈(3)은, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 토출하는 노즐(34)을 구비하고, 이 노즐(34)은 이동 기구(35)에 의해, 컵(32) 내의 웨이퍼(W) 상과, 도 1에 나타내는 컵(32)의 밖의 대기 위치와의 사이를 이동 가능하게 구성된다.
또한 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)에 있어서의 반송로(20)의 후방에는, 당해 반송로(20)에 면하도록, 제 1 처리 모듈인 열 처리 모듈(4)이 좌우로 복수 예를 들면 3 개 배열되도록 마련되어 있다. 이 예에 있어서의 열 처리 모듈(4)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 계층(E1 ~ E6)에 배치되어 있다. 따라서, 처리 블록(D2)을 후방에서 보면, 열 처리 모듈(4)이 종방향으로 복수, 예를 들면 6 단 마련되어 있다. 이와 같이, 예를 들면 처리 블록(D2)에 있어서 열 처리 모듈(4)은 좌우로 3 열로 마련되고, 그 3 열 중, 동일한 열을 구성하는 열 처리 모듈(4)의 좌우의 위치는 일치되어 있다.
이 예의 열 처리 모듈(4)은, 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)의 가열 처리(PAB : Pre applied bake)를 행하는 모듈이다. 이 열 처리 모듈(4)에서는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 가열하여 레지스트막 중의 용제를 제거하는 처리가 실시된다. 예를 들면 열 처리 모듈(4)은, 도 1에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 열판(42)과, 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 냉각 플레이트(43)를 구비하고 있다. 열판(42)과 냉각 플레이트(43)는, 냉각 플레이트(43)가 반송로(20)에 면하도록, 전후로 배열되어 배치되고, 냉각 플레이트(43)는, 후술하는 제 2 반송 기구와 열판(42)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다.
처리 블록(D2)에는, 반송로(20)를 이동하여, 레지스트 도포 모듈(3)과 열 처리 모듈(4)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 2 반송 기구(5)가 마련되어 있다. 이 예의 제 2 반송 기구(5)는 하측 반송 기구(51)와 상측 반송 기구(52)를 구비하고, 하측 반송 기구(51)는, 하측의 계층의 레지스트 도포 모듈(3) 및 열 처리 모듈(4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다. 또한, 상측 반송 기구(52)는, 상측의 계층의 레지스트 도포 모듈(3) 및 열 처리 모듈(4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다. 하측의 계층 및 상측의 계층은, 각각 복수의 계층에 의해 구성되고, 이 예에서는, 하측의 계층은 3 개의 계층(E1 ~ E3), 상측의 계층은 3 개의 계층(E4 ~ E6)에 의해 각각 구성된다.
제 2 반송 기구(5)(하측 반송 기구(51) 및 상측 반송 기구(52))는, 도 1 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 2 개의 유지체(53)와, 각 유지체(53)를 독립하여 진퇴시키는 이동체(54)를 구비하고 있다. 그리고, 이동체(54)는 회동부(55)에 의해 연직축 둘레로 회동되고 또한, 회동부(55)는 승강부(56)에 의해 승강되고 또한, 승강부(56)는 이동 기구(57)에 의해 좌우 방향(Y 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면 유지체(53), 이동체(54), 회동부(55) 및 승강부(56)는, 반송로(20)에 마련되고, 이동 기구(57)는, 열 처리 모듈(4)의 하방에 배치된다. 또한, 기술한 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)에 대해서는 이동 기구(57)에 의한 이동 방향이 상이한 것을 제외하고, 제 2 반송 기구(5)와 동일하게 구성되어 있다.
또한 처리 블록(D2)에는, 제 2 처리 모듈과, 당해 제 2 처리 모듈에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 제 3 반송 기구가 마련되어 있다. 제 2 처리 모듈은, 웨이퍼(W)에 제 1 처리 모듈(열 처리 모듈(4))에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 모듈이다. 이 예에서는, 제 2 처리 모듈이, 레지스트 도포 모듈(3)에 의한 처리 전, 및 열 처리 모듈(4)에 의한 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하기 위한 검사 모듈(6)인 경우에 대하여 설명한다. 레지스트 도포 모듈(3)에 의한 처리 전의 웨이퍼(W)를 검사하기 위한 검사 모듈을 처리 전 검사 모듈(61)(WIS1), 열 처리 모듈(4)에 의한 처리 후의 검사를 행하는 검사 모듈을 처리 후 검사 모듈(62)(WIS2)이라 한다.
이들 처리 전 검사 모듈(61) 및 처리 후 검사 모듈(62)은, 예를 들면 처리 블록(D2)에서, 반송로(20)로부터 전방으로 돌출되어 마련되어 있다. 이 예에서는, 이들 검사 모듈(6)(61, 62)은, 반송로(20)에 있어서의 캐리어 블록(D1)에 인접하는 영역에 있어서, 계층(E6)의 높이 위치에 상하로 적층되어 배치되어 있다. 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)은, 후술하는 바와 같이 평면에서 봤을 때 장방형(長方形) 형상의 세로로 긴 하우징(63)을 구비하고, 이 하우징(63)의 긴 변 방향이 처리 블록(D2)의 전후 방향(X 방향)을 따라 마련된다. 또한, 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)은, 하우징(63)의 전면이 반송로(20)의 전방으로부터 돌출하여 돌출되는 부위(돌출부)(60)를 구성하고 또한, 하우징(63)의 배면이 반송로의 후방의 영역에 면하도록 배치된다. 이 돌출부(60)에 대해서는, 컵(32)과 나란히 위치하고 있고, 예를 들면 돌출부(60)의 전단은, 컵(32)의 중심보다 약간 전방에 위치하고 있다.
제 3 반송 기구(7)는, 처리 블록(D2)에 있어서, 검사 모듈(6)(61, 62)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 예를 들면 반송로(20)에 대하여, 검사 모듈(6)(61, 62)이 돌출되는 측과는 반대측에 설치된다. 이 예에서는, 검사 모듈(6)(61, 62)은, 반송로(20)로부터 전방으로 돌출되도록 마련되기 때문에, 제 3 반송 기구(7)는, 반송로(20)의 후방에 있어서, 캐리어 블록(D1)에 인접하는 영역에 배치된다. 이와 같이, 반송로(20)의 후방에는, 캐리어 블록(D1)측으로부터 차례로, 제 3 반송 기구(7)와 열 처리 모듈(4)이 배열되어 마련된다.
이 제 3 반송 기구(7)는, 도 1 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 이동 기구(57)가 마련되어 있지 않은 것을 제외하고, 제 2 반송 기구(5)와 동일하게 구성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 2 개의 유지체(71)가 이동체(72)에 의해 진퇴 가능, 이동체(72)가 회동부(73)에 의해 회동 가능, 회동부(73)이 승강부(74)에 의해 승강 가능하게 구성된다.
검사 모듈(6)(처리 전 및 처리 후 검사 모듈(61, 62))에 대하여, 도 5를 참조하여 설명한다. 검사 모듈(6)은, 평면에서 봤을 때 장방형 형상의 편평한 하우징(63)을 구비하고, 하우징(63)의 긴 변 방향을 전후 방향이라 하면, 하우징(63)의 후방의 측벽에는, 제 3 반송 기구(7)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(631)가 형성되어 있다. 하우징(63) 내에는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 배치부(64)가 마련되고, 이 배치부(64)는, 하우징(63) 내에서 도 5 중 실선으로 나타내는 대기 위치와, 일점 쇄선으로 나타내는 이동 완료 위치와의 사이에서, 이동 기구(641)에 의해 이동 가능하게 구성된다. 대기 위치는, 제 3 반송 기구(7)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다. 당해 배치부(64)의 이동 방향은, 상기의 하우징(63)의 긴 변 방향(즉, 전후 방향)이다.
하우징(63) 내에 있어서, 배치부(64)에 의한 웨이퍼(W)의 이동로의 상방에는, 하우징(63)의 짧은 변 방향으로 연장되는 가로로 긴 하프 미러(65)와, 이 하프 미러(65)를 개재하여 하방에 광을 조사하는 조명(66)이 마련된다. 도 5 중 부호(67)는, 카메라를 나타내며, 조명(66)으로부터 하프 미러(65)의 하방의 조사 영역에 광을 조사하고, 이 조사 영역에 있어서의 물체의 반사광을 하프 미러(65)로 반사하여, 카메라(67)로 받는다. 이렇게 하여, 카메라(67)에 의해, 하프 미러(65)의 하방의 촬상 영역에 위치하는 물체를 촬상하도록 구성된다.
검사 모듈(6)에서는, 대기 위치에서 웨이퍼(W)가 전달된 배치부(64)가 이동 완료 위치를 향해 이동하는 사이에, 카메라(67)가 간헐적으로 촬상을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 촬상되어, 화상 데이터가 취득된다. 이 화상 데이터는 카메라(67)로부터 후술하는 제어부(100)로 송신되고, 제어부(100)에 의해 이 화상 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 또한, 이동 완료 위치로 이동한 배치부(64)는, 제 3 반송 기구(7)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 대기 위치로 이동한다. 상기의 이동 완료 위치에 있어서의 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 기구(5)에 의해 반송로(20)를 이동하는 웨이퍼(W)보다 전방에 위치한다. 즉, 반송로(20)로부터 처리 모듈이, 반송로(20)의 전후의 일방 또는 타방으로 돌출된다는 것은, 당해 처리 모듈에 있어서의 웨이퍼(W)의 이동 영역이, 반송로(20)에 대하여 전방 또는 후방으로 돌출되는 것을 포함하고 있다.
검사 모듈(6)과 제 3 반송 기구(7)는, 검사 모듈(6)에 있어서, 대기 위치에 있는 배치부(64)로 제 3 반송 기구(7)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 위치 관계에 배치되면 된다. 따라서, 처리 블록(D2)에 있어서, 벽부 등의 제약이 없는 경우에는, 검사 모듈(6)의 하우징(63)의 배면(후방의 측벽)이 반송로(20)의 후방측에 위치해도 되고, 당해 하우징(63)의 배면이 반송로(20)의 후단보다 전방에 위치해도 된다.
처리 블록(D2)에 있어서의 반송로(20)의 왼쪽에는, 평면에서 봤을 때, 캐리어 블록(D1)과 인접하는 영역이 전달부(8)의 설치 영역(80)으로서 마련되어 있다. 전달부(8)는, 제 1 반송 기구(17)와, 제 2 반송 기구(5)(하측 반송 기구(51) 및 상측 반송 기구(52))와, 제 3 반송 기구(7)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여, 웨이퍼(W)를 배치하는 것이다. 이 예의 전달부(8)는, 종방향으로 열을 이루고 또한 웨이퍼(W)가 각각 배치되는 복수의 기판 배치부를 구비하고, 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 검사 모듈(6)(61, 62)의 하방에 마련된다.
예를 들면 전달부(8)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 계층(E2) ~ 계층(E5)의 높이 위치에 배치되어 있다. 단, 전달부(8)는, 적어도 하측 반송 기구(51)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중, 가장 상측의 계층인 계층(E3)의 높이 위치와, 상측 반송 기구(52)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중, 가장 하측의 계층인 계층(E4)의 높이 위치에 마련되면 된다.
이 예의 기판 배치부는, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치 모듈(TRS)(81)과, 온도 조정 모듈(SCPL)(82)로 이루어지고, 이들 다수의 배치 모듈(81)과 다수의 온도 조정 모듈(82)이 다단으로 적층되어 있다. 예를 들면 하나의 배치 모듈(81)은, 복수의 웨이퍼(W)를 종방향으로 배치할 수 있도록 구성된다. 또한, 온도 조정 모듈(82)은, 레지스트 도포 모듈(3) 및 열 처리 모듈(4)에 의한 처리 전에, 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 온도 조정 기능을 가지는 것이다.
구체적으로, 이들 배치 모듈(TRS)(81), 및 온도 조정 모듈(SCPL)(82)은, 예를 들면 웨이퍼(W)가 배치되는 플레이트를 상하로 다단으로 마련하여 구성된다. 예를 들면 플레이트의 외형을 반송 기구의 형상에 대응하는 형상으로 하거나, 플레이트의 표면에 반송 기구의 형상에 대응하는 홈을 형성하거나 함으로써, 각 반송 기구가 당해 플레이트의 표면에 대하여 승강 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 이 반송 기구의 승강 동작에 의해, 반송 기구와 플레이트와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.
또한, 온도 조정 모듈(82)은, 상기 플레이트에 냉매 유로가 마련되고, 당해 플레이트가 원하는 온도로 냉각되도록 구성된다. 또한, 배치 모듈(81)은, 횡방향으로 배열된 복수의 핀을 상하에 다단으로 마련하고, 각 단의 핀에 대하여 반송 기구가 승강하여, 당해 각 단의 핀에 대하여 웨이퍼(W)가 각각 배치되는 구성으로 해도 된다. 여기서는, 전달부(8)에 마련되는 배치 모듈(81) 및 온도 조정 모듈(82)을 구별하기 위하여, TRS, SCPL의 뒤에 각각 숫자를 붙여 나타낸다. 또한, 이후, 배치 모듈을 'TRS', 온도 조정 모듈을 'SCPL'이라 기재하는 경우도 있다.
전달부(8)의 계층(E2, E3)의 높이 위치에 있는 각 모듈에 대해서는, 제 1 반송 기구(17), 하측 반송 기구(51) 및 제 3 반송 기구(7)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 전달부(8)의 계층(E4, E5)의 높이 위치에 있는 각 모듈에 대해서는, 제 1 반송 기구(17), 상측 반송 기구(52) 및 제 3 반송 기구(7)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 따라서, 제 1 반송 기구(17), 하측 반송 기구(51) 및 상측 반송 기구(52), 제 3 반송 기구(7)는, 전달부(8)의 대응하는 모듈에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 각각 이동 영역이 설정되어 있다.
한편, 제 1 반송 기구(17) 및 제 2 반송 기구(5)는, 상기 기판 배치부에 대하여 좌우 방향으로부터, 제 3 반송 기구(7)는 전달부(8)의 기판 배치부에 대하여 전후 방향으로부터 각각 웨이퍼(W)를 전달하고 있다. 이 때문에, 전달부(8)는, 제 1 반송 기구(17), 제 2 반송 기구(5) 및 제 3 반송 기구(7)가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 형상으로 구성된다.
도 4에, 전달부(8)의 구성예를 나타낸다. 이 예에서는, TRS1, TRS3가 캐리어 블록(D1)으로부터 처리 블록(D2)으로의 웨이퍼(W)의 반입용, TRS2, TRS4가 처리 블록(D2)으로부터 캐리어 블록(D1)으로의 웨이퍼(W)의 반출용의 배치 모듈(81)이다. 예를 들면 TRS1, TRS2, SCPL1, SCPL2는, 하측 반송 기구(51)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 높이 위치에 마련된다. 또한, TRS3, TRS4, SCPL3, SCPL4는, 상측 반송 기구(52)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 높이 위치에 마련된다. 또한 실제로는, 전달부(8)에는, 상기 구성예보다 많은 배치 모듈(TRS)(81) 및 온도 조정 모듈(82)(SCPL)이 탑재되어 있다.
이 예에 있어서, 처리 블록(D2)에 있어서의 반송로(20)의 전방의 레지스트 도포 모듈(3)의 왼쪽의 영역에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 저류 영역(22)이 마련된다. 저류 영역(22)에는, 각 레지스트 도포 모듈(3)에서 웨이퍼(W)로 공급되는 레지스트액을 저류하는 보틀이 배치되고, 당해 보틀 내의 레지스트액이 도시하지 않는 공급계를 거쳐, 각 레지스트 도포 모듈(3)의 노즐(34)로 공급된다. 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 검사 모듈(6)에 있어서, 반송로(20)보다 전방으로 돌출된 돌출부(60)와, 저류 영역(22)은, 평면에서 봤을 때 중첩되도록 구성되어 있다.
또한, 반송로(20)의 전방의 레지스트 도포 모듈(3)의 오른쪽의 영역은, 이 레지스트 도포 모듈(3)의 부대 설비가 설치되는 부대 설비 설치 영역(36)으로서 구성되어 있다. 이 부대 설비에는, 당해 모듈에 전력을 공급하는 케이블, 모듈을 구성하는 컵(32) 내를 배기하기 위한 배기용 덕트, 모듈로부터 배액하기 위한 배액관, 모듈로 처리액을 공급하기 위한 공급관 등이 포함된다. 컵(32)은 배기용 덕트를 개재하여, 공장의 배기로 등의 배기원에 접속되며, 당해 컵(32)의 내부가 배기되고, 또한 컵(32)에는 부대 설비인 배액관이 접속된다.
또한 처리 블록(D2)에 있어서의 제 3 반송 기구(7)의 우측방으로부터 후방에 걸치는 영역은, 예를 들면 열 처리 모듈(4)의 부대 설비 설치 영역(44)으로서 구성되어 있다. 이 부대 설비에는, 당해 모듈에 전력을 공급하는 케이블, 모듈 내를 배기하는 배기용 덕트 등이 포함된다. 또한 캐리어 블록(D1)의 팬 필터 유닛(18)의 상방은, 예를 들면 각종의 전장 설비(전기 기기)가 마련되는 기기 설치 영역(23)으로서 구성된다.
처리 블록(D2)의 계층(E2 ~ E5)은, 검사 모듈(6) 대신에 전달부(8)가 마련되는 것 이외에는, 계층(E6)과 동일하게 구성되어 있다. 또한, 계층(E1)은 검사 모듈(6) 및 전달부(8)가 마련되어 있지 않은 것 이외는, 계층(E6)과 동일하게 구성되어 있다. 계층(E1 ~ E3)에 마련된 각 모듈에 대해서는, 기술한 바와 같이, 하측 반송 기구(51)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 계층(E4 ~ E6)에 마련된 각 모듈에 대해서는, 기술한 바와 같이, 상측 반송 기구(52)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 모듈은 웨이퍼(W)가 배치되는 장소로서 구성되는 것이며, 전달부(8)의 각 TRS, SCPL, 레지스트 도포 모듈(3), 열 처리 모듈(4)을 포함하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(100)를 구비하고 있다(도 1 참조). 이 제어부(100)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 프로그램에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 일련의 동작을 실시할 수 있도록 단계군이 짜여진다. 그리고, 당해 프로그램에 의해 제어부(100)는 기판 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 당해 각 부의 동작이 제어되어, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송 및 웨이퍼(W)의 처리가 실시된다. 상기의 프로그램은, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, DVD 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(100)에 인스톨된다.
이어서, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 일례에 대하여, 처리 전 검사 모듈(61) 및 처리 후 검사 모듈(62)에서, 웨이퍼(W)의 검사를 행하는 경우를 예로서 설명한다. 먼저, 도시하지 않는 외부 반송 기구에 의해, 캐리어 블록(D1)의 용기 배치부(하부)(12)에 복수의 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C)가 배치된다. 이어서, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 기구(17)에 의해 처리 블록(D2)의 전달부(8)의 TRS1 또는 TRS3로 전달된다.
TRS1로 반송된 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W1)'라 칭함)는, 하측의 계층(E1 ~ E3)에서 처리되는 웨이퍼이다. 한편, TRS3로 반송된 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W2)'라 칭함)는, 상측의 계층(E4 ~ E6)에서 처리되는 웨이퍼이다. 이하, 반송 경로의 개략을 나타내는 도 6도 적절히 참조한다. 도 6에서는, 일점 쇄선의 화살표, 이점 쇄선의 화살표로, 웨이퍼(W1, W2)의 반송 경로를 각각 나타내고 있다. 또한, 각 화살표의 근방의 원 내에, 그 화살표로 나타내는 모듈 간의 반송에 이용하는 반송 기구를 나타내고 있다.
TRS1의 웨이퍼(W1)는, 제 3 반송 기구(7)에 의해, 처리 전 검사 모듈(61)로 반송되어, 기술한 바와 같이, 웨이퍼(W1)의 표면의 검사가 행해진다. 처리 전 검사 모듈(61)에 있어서의 표면의 검사란, 예를 들면 웨이퍼(W1)의 흠집의 유무의 검사이다. 이어서, 검사 후의 웨이퍼(W1)는, 제 3 반송 기구(7) → 전달부(8)의 SCPL1로 반송되어, 원하는 온도로 조정된다. 이어서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(51)에서, 계층(E1, E2, E3) 중 어느 하나의 레지스트 도포 모듈(3)로 반송되어, 레지스트액의 액 처리가 실시된다. 이 레지스트액의 액 처리는, 웨이퍼(W1)가 배치된 스핀 척(33)을 회전시키면서, 스핀 척(33) 상의 웨이퍼(W1)의 회전 중심에 대하여 노즐(34)로부터 처리액인 레지스트액을 공급함으로써 행해진다. 웨이퍼(W1)의 대략 중심에 공급된 레지스트액은, 회전의 원심력에 의해 외방을 향해 확산되어, 웨이퍼(W1) 전면에 도포된다.
이 후, 웨이퍼(W1)는 하측 반송 기구(51)에 의해, 예를 들면 레지스트액의 액 처리를 실시한 레지스트 도포 모듈(3)과 동일한 계층의 열 처리 모듈(4)로 반송된다. 여기서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(51)에 의해, 냉각 플레이트(43)를 개재하여 열판(42)으로 전달되고, 열판(42)에 의해 레지스트액 중의 용제가 휘발하는 온도 이상의 온도로 가열된다. 이 열 처리에 의해, 웨이퍼(W1)에 형성된 레지스트막에 포함되는 용제를 휘발 제거한 후, 웨이퍼(W1)는 열판(42)으로부터 냉각 플레이트(43)로 수취되어, 냉각 플레이트(43)에 의해 온도 조정된다.
이어서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(51)에 의해, 전달부(8)의 SCPL2로 반송되어, 원하는 온도로 조정된다. 이 후, 웨이퍼(W1)는, 제 3 반송 기구(7)에 의해, 처리 후 검사 모듈(62)로 반송되어, 기술한 바와 같이, 웨이퍼(W1)의 표면의 검사가 행해진다. 처리 후 검사 모듈(62)에 있어서의 표면의 검사란, 예를 들면 웨이퍼에 형성된 레지스트막의 결함의 검사이다. 그리고, 검사 후의 웨이퍼(W1)는, 제 3 반송 기구(7) → 전달부(8)의 TRS2→캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)의 경로로 반송되어, 예를 들면 원래의 캐리어로 되돌려진다.
한편, TRS3의 웨이퍼(W2)는, 제 3 반송 기구(7) → 처리 전 검사 모듈(61)의 경로로 반송되어, 기술한 바와 같이 검사가 행해진다. 이어서, 검사 후의 웨이퍼(W2)는, 제 3 반송 기구(7) → SCPL3 → 상측 반송 기구(52) → 계층(E4, E5, E6) 중 어느 하나의 레지스트 도포 모듈(3)의 경로로 반송되어, 레지스트액의 액 처리가 실시된다. 이어서, 웨이퍼(W2)는, 상측 반송 기구(52) → 상기 레지스트 도포 모듈(3)과 동일한 계층의 열 처리 모듈(4) → 상측 반송 기구(52) → SCPL4 → 제 3 반송 기구(7) → 처리 후 검사 모듈(62)의 경로로 반송되어, 기술한 검사가 행해진다. 검사 후의 웨이퍼(W2)는, 제 3 반송 기구(7) → TRS4 → 제 1 반송 기구(17) → 캐리어(C)의 경로로 반송된다.
또한, 처리 후 검사 모듈(62)에 의한 검사만을 실시하는 경우에는, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 기구(17) → 전달부(8)의 TRS1, TRS3 → 제 2 반송 기구(51, 52) → SCPL1, SCPL3의 순으로 반송되고, 이후에는 예를 들면 도 6에서 설명한 경로로 반송된다. 처리 전 검사 모듈(61)에 의한 검사만을 실시하는 경우에는, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 열 처리 모듈(4)에 이르기까지는 도 6에서 설명한 경로로 반송된다. 그리고, 열 처리 모듈(4) 이후는, 제 2 반송 기구(51, 52) → TRS2, TRS4 → 제 1 반송 기구(17) → 캐리어(C)의 경로로 반송된다. 또한, 여기서 설명한 반송 경로는 일례이며, 반송 경로는 적절히 설정 가능하다.
예를 들면, 처리 후 검사 모듈(62)로 웨이퍼(W)를 반입함에 있어, 그 반입 직전에는 웨이퍼(W)는 SCPL2, SCPL4로 반송되는 것으로서 나타냈지만, 처리 전 검사 모듈(61)로 반입하는 경우와 마찬가지로, 웨이퍼(W)는 직전에 TRS로 반송되도록 해도 된다. 즉, 그와 같이 처리 후 검사 모듈(62)로 반입 직전의 웨이퍼(W)가 배치되는 TRS를 전달부(8)에 마련해도 된다. 또한, 캐리어(C)로부터 반출된 웨이퍼(W)가, 반송처의 계층마다 서로 상이한 TRS(TRS1, TRS3)로 반송되는 것으로서 나타냈지만, 동일한 TRS로 반송되어도 된다.
상술한 실시 형태에 의하면, 기판 처리 장치(1)는, 제 1 반송 기구(17)를 구비하는 캐리어 블록(D1)과, 제 2 반송 기구(5) 및 각종의 처리 모듈을 구비하는 처리 블록(D2)에 의해 구성되어 있다. 그리고, 처리 블록(D2)에는 처리 모듈 중 하나인 검사 모듈(6)과, 이 검사 모듈(6)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하는 제 3 반송 기구(7)가 마련되어 있고, 검사 모듈(6)에 대해서는 평면에서 봤을 때 장방형 형상이다. 그러한 형상의 검사 모듈(6)을, 반송로(20)에 있어서 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달부(8)와 중첩되고 또한, 처리 블록(D2)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송로(20)로부터 당해 반송로(20)에 대하여 전방으로 돌출되도록 마련하고 있다. 즉, 검사 모듈(6)의 긴 변 방향이 처리 블록(D2)의 전후 방향과 일치되도록 마련하고 있다. 따라서 상기한 형상의 검사 모듈(6)을 설치함에 있어, 전달부(8)에 대하여 좌우 방향으로의 돌출이 억제됨으로써, 기판 처리 장치(1)의 좌우 방향의 길이의 증가를 억제하여, 점유 바닥 면적의 증대를 억제할 수 있다.
본 개시의 기판 처리 장치(1)와 같이 점유 바닥 면적을 축소할 수 있는 구성은, 클린룸에 의해 많은 반도체 제조 장치(기판 처리 장치(1) 및 그 이외의 장치)가 설치 가능하게 되기 때문에, 반도체 공장에 있어서 생산성 향상에 기여할 수 있다. 또한, 클린룸 내에서 캐리어(C)를 반송하는 외부 반송 기구는 정해진 이동 경로를 이동한다. 본 실시 형태와 같이 점유 바닥 면적이 작은 당해 기판 처리 장치(1)는, 그 이동 경로 상에서 장치의 설치 스페이스가 작은 경우라도, 설치가 가능하다고 하는 이점이 있다.
그런데, 검사 모듈(6)은 카메라(67) 등의 광학적 부재를 구비하지만, 당해 광학적 부재가 열 처리 모듈(4)의 열의 영향을 받는 것을 방지하기 위하여, 열 처리 모듈(4)로부터 이격하여 마련하는 것이 바람직하다. 검사 모듈(6)을 반송로(20)로부터 전후 방향으로 돌출시킨 배치로 함으로써, 검사 모듈(6)을 열 처리 모듈(4)의 열에 마련하는 것을 피할 수 있어, 정밀도가 높은 검사를 안정적으로 실시할 수 있다고 하는 이점도 있다. 그리고, 상기의 예에서는 검사 모듈(6)은, 열 처리 모듈(4)이 배치되는 영역과는 반대측으로 돌출되어 있기 때문에, 상기의 열 영향에 대하여 보다 확실하게 억제되기 때문에 바람직하다.
또한 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 블록(D2)에 있어서, 검사 모듈(6) 이외의 처리 모듈에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 제 2 반송 기구(5)와, 검사 모듈(6)로 웨이퍼(W)를 전달하는 제 3 반송 기구(7)를 구비하고 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)에서는 제 2 반송 기구(5)의 반송 부하의 증대를 억제하여, 반송 스루풋의 저하가 억제된다. 또한 검사 모듈(6)과 전달부(8)를 적층하여 마련하고, 제 3 반송 기구(7)는, 전달부(8)에 대하여 전후 방향으로부터 웨이퍼(W)를 반송하고 있다. 한편, 제 1 반송 기구(17) 및 제 2 반송 기구(5)는, 전달부(8)에 대하여 좌우 방향으로부터 웨이퍼(W)를 전달하고 있기 때문에, 제 3 반송 기구(7)가, 제 1 반송 기구(17) 및 제 2 반송 기구(5)에 의한 웨이퍼(W)의 반송을 저해하지 않는다.
그리고, 이 제 3 반송 기구(7)에 대해서는, 반송로(20)에 대하여 검사 모듈(6)이 돌출되는 측과는 반대측에 마련되어 있다. 따라서, 제 3 반송 기구(7)는 전달부(8)를 면하는 높이와 검사 모듈(6)을 면하는 높이와의 사이를 승강함으로써, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 즉, 당해 웨이퍼(W)의 전달을 행함에 있어, 제 3 반송 기구(7)에 대해서는 제 1 반송 기구(17)와 같이 전후로 이동하기 위한 이동 기구를 구비하는 구성으로 할 필요가 없어, 장치 구성이 간소하게 되기 때문에 바람직하다.
또한, 보틀의 저류 영역(22)에 대해서는, 보틀과 모듈의 노즐(34)을 접속하는 배관을 짧게 하기 위하여 레지스트 도포 모듈(3)에 가까운 장치의 전방측에 마련하는 것이 바람직하다. 기판 처리 장치(1)에서는, 그와 같이 전방측에 마련되는 저류 영역(22)의 상방의 공간을 이용하여, 이 저류 영역(22)과, 검사 모듈(6)의 돌출부(60)가 중첩되도록 마련하고 있다. 그에 따라, 검사 모듈(6) 및 저류 영역(22)이 점유하는 바닥 면적의 증가가 억제되어, 장치의 전유 바닥 면적의 축소화가 보다 확실하게 이루어지도록 하고 있다. 또한, 저류 영역(22)으로서는, 그 일부가 캐리어 블록(D1)의 저부에 이르고 있어도 된다.
그런데, 레지스트 도포 모듈(3)로 웨이퍼(W)를 반송한 후, 이 레지스트 도포 모듈(3)이 마련되는 계층과 동일한 계층의 열 처리 모듈(4)로 당해 웨이퍼(W)를 반송한다고 기술했지만, 그와 같이 동일한 계층의 열 처리 모듈(4)을 반송처로 하는 것에는 한정되지 않는다. 계층(E1 ~ E3)의 레지스트 도포 모듈(3)로 반송된 웨이퍼(W)에 대해서는, 하측 반송 기구(51)가 액세스 가능한 계층(E1 ~ E3) 중 어느 하나의 열 처리 모듈(4)로 반송하면 된다. 계층(E4 ~ E6)의 레지스트 도포 모듈(3)로 반송된 웨이퍼(W)에 대해서는, 상측 반송 기구(52)가 액세스 가능한 계층(E4 ~ E6) 중 어느 하나의 열 처리 모듈(4)로 반송하면 된다.
또한, 상기의 예에서는 검사 모듈(6)은, 전달부(8)에 대하여 상방에 마련되어 있지만 하방에 마련해도 되고, 후술하는 제 2 실시 형태에서 나타내는 바와 같이 전달부(8)가 상하로 분할되고, 또한 분할된 전달부(8) 사이에 검사 모듈(6)이 마련되도록 해도 된다.
이상에 있어서, 처리 블록(D2)에 마련되는 제 2 반송 기구는, 상술한 예에 한정되지 않고, 도 7에 나타내는 바와 같이 구성해도 된다. 이 예는, 2 층의 계층마다 제 2 반송 기구를 구비하는 구성이다. 제 2 반송 기구는, 기술하는 제 2 반송 기구(5)(51, 52)와 동일하게 구성되고, 반송로(20)에 있어서 상하로 3 단으로 마련된다. 이 예에서는, 하방의 반송 기구(501)로 계층(E1, E2)의 각 모듈, 중앙의 반송 기구(502)로 계층(E3, E4)의 각 모듈, 상방의 반송 기구(503)로 계층(E5, E6)의 각 모듈로 각각 웨이퍼(W)를 반송하도록 각각의 이동 영역이 설정된다. 또한, 전달부(8)는, 반송 기구(501, 502, 503)가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 마련된다.
<제 2 실시 형태>
이어서, 본 개시의 제 2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)에 대하여, 도 8의 횡단 평면도, 도 9 및 도 10의 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 도 8은 처리 블록(D2)의 계층(E4)의 횡단 평면도를 나타내고 있다. 이 기판 처리 장치(1A)가 제 1 실시 형태와 상이한 점은, 전달부를 구성하는 하나의 기판 배치부와 다른 기판 배치부와의 사이에 검사 모듈(6)을 마련한 것과, 열 처리 모듈(4)의 종방향 및 좌우 방향의 개수가 상이한 것이다. 이 예에 있어서도, 검사 모듈(6)(처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62))은, 반송로(20)로부터 전방으로 돌출되도록 마련되고, 제 3 반송 기구(7)는 반송로(20)의 후방에 배치되어 있다. 또한, 이 기판 처리 장치(1A)에서는 부대 설비 설치 영역(44)은, 반송 기구(7)의 후방 및 우측방 중 우측방에만 마련되어 있다.
처리 전 검사 모듈(61) 및 처리 후 검사 모듈(62)은, 도 10에 나타내는 바와 같이, 전달부(83)(제 1 실시 형태의 전달부(8)에 상당함)의 설치 영역(80)에 있어서, 높이 위치가 상이한 상하 2 개소의 위치에 서로 떨어져 마련된다. 이 예에서는, 계층(E3)의 높이 위치에 처리 전 검사 모듈(WIS1)(61), 계층(E4)의 높이 위치에 처리 후 검사 모듈(WIS2)(62)이 각각 배치된다. 그리고, 예를 들면 상기 설치 영역(80)에는, 검사 모듈(6)(61, 62)과 평면에서 봤을 때 중첩되도록, 다수의 기판 배치부가 종방향으로 마련되어 있다. 이 예에서는, 검사 모듈(6)(61, 62)의 사이의 높이 위치와, 처리 전 검사 모듈(61)의 하방측의 높이 위치와, 처리 후 검사 모듈(62)의 상방의 높이 위치에 각각 기판 배치부가 마련되어, 전달부(83)를 구성하고 있다.
도 10은 전달부(83)의 구성예를 나타내고 있고, 검사 모듈(61, 62)의 사이에는, 계층(E3)의 높이 위치에, 하측 반송 기구(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 기판 배치부(TRS2, SCPL1, SCPL2)가 마련된다. 또한, 처리 전 검사 모듈(61)의 하방에는, 하측 반송 기구(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 기판 배치부(TRS1)가 마련된다. 또한, 처리 후 검사 모듈(62)의 상방에는, 상측 반송 기구(52)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 기판 배치부(TRS3, TRS4, SCPL3, SCPL4)가 마련된다. 또한, 도 8 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 검사 모듈(6)(61, 62)에 있어서 반송로(20)로부터 돌출되는 돌출부(60)의 하방에는 저류 영역(22)이 마련되고, 이들은 평면에서 봤을 때 중첩되도록 배치되어 있다.
이 예에 있어서도, 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 모듈(3)은, 처리 블록(D2)의 6 개의 계층(E1 ~ E6)의 각각에 있어서, 반송로(20)의 전방에 반송로(20)에 면하도록, 1 개씩 배치된다. 따라서, 처리 블록(D2)을 전방에서 보면, 레지스트 도포 모듈(3)은 종방향으로 열을 이루도록 배치되어 있고, 각 레지스트 도포 모듈(3)의 좌우의 위치는 일치되어 있다.
한편, 열 처리 모듈(4)은, 반송로(20)의 후방에, 당해 반송로(20)에 면하도록, 좌우에 복수 예를 들면 2 개 배열되도록 마련된다. 또한, 열 처리 모듈(4)은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)에 있어서, 종방향으로 8 단 배치되어 있다. 이렇게 하여, 처리 블록(D2)에 있어서 열 처리 모듈(4)은 좌우에 2 열로, 8 단 마련되고, 좌우의 2 열 중, 동일한 열을 구성하는 열 처리 모듈(4)의 좌우의 위치는 일치되어 있다.
더 상세하게 말하면, 그와 같이 8 단으로 마련되는 열 처리 모듈(4) 중, 계층(E1 ~ E3)에 하방 4 단의 열 처리 모듈(4)이 마련되고, 계층(E4 ~ E6)에 상방 4 단의 열 처리 모듈(4)이 마련된다. 또한 상기한 바와 같이 계층은 레지스트 도포 모듈(3)을 포함하는 층이며, 기술한 기판 처리 장치(1)에서는 1 개의 계층에 1 개의 단을 이루는 열 처리 모듈(4)이 포함되는 구성이다. 이 예의 기판 처리 장치(1A)에서는, 8 단으로 열 처리 모듈(4)을 적층하고 있음으로써, 계층의 높이와 열 처리 모듈(4)이 이루는 단의 높이와의 사이에 차이가 있다. 구체적으로 기술하면, 열 처리 모듈(4) 중에는 인접하는 2 개의 계층에 걸쳐 마련되는 모듈이 있다.
기판 처리 장치(1A)에 있어서, 이상에 기술한 모듈 등의 배치 이외는, 기판 처리 장치(1)와 동일하다. 그리고, 기판 처리 장치(1A)의 웨이퍼(W)(W1, W2)의 반송 경로로서는, 예를 들면 기판 처리 장치(1)의 반송 경로와 동일하다. 따라서, 기판 처리 장치(1A)에 있어서 처리 전 검사 및 처리 후 검사를 행하는 경우에는, 도 6에서 설명한 순서로 모듈 간을 웨이퍼(W)가 반송된다. 기판 처리 장치(1A)에 있어서, 처리 전 검사, 처리 후 검사 중 어느 일방만을 행하는 경우에 대해서도, 그와 같이 어느 일방의 검사만을 행하는 경우의 경로로서 기판 처리 장치(1)의 설명에서 기술한 경로로, 웨이퍼(W)가 반송된다.
이 기판 처리 장치(1A)에 대해서도 기판 처리 장치(1)와 동일한 효과를 나타낸다. 또한, 상기한 바와 같이 기판 처리 장치(1A)에서는 좌우로 배열되는 열 처리 모듈(4)의 수가, 기판 처리 장치(1)에서 좌우로 배열되는 열 처리 모듈(4)의 수보다 적다. 이 때문에 기판 처리 장치(1A)에 대해서는, 좌우의 길이에 대하여 보다 짧고, 점유 바닥 면적에 대하여 보다 작아지도록 장치를 구성할 수 있다. 기판 처리 장치(1A)에서는 그와 같이 열 처리 모듈(4)의 좌우 방향의 배열 수를 줄이는 한편, 열 처리 모듈(4)의 종방향에 마련하는 단 수를 증가시키고 있다. 이 때문에, 레지스트 도포 모듈(3)로부터 열 처리 모듈(4)로의 반송이 정체되는 것을 막아, 스루풋을 확보할 수 있다. 또한, 이 실시 형태에서는 복수의 기판 배치부 사이에 검사 모듈(6)을 배치하고 있지만, 제 1 실시 형태와 같이 각 기판 배치부보다 상방에 검사 모듈(6)을 배치해도 되고, 각 기판 배치부보다 하방에 검사 모듈을 배치해도 된다.
<제 3 실시 형태>
이어서, 본 개시의 기판 처리 장치의 제 3 실시 형태에 대하여, 도 11의 횡단 평면도 및 도 12의 종단 정면도를 참조하여 설명한다. 도 11은 처리 블록(D2)의 계층(E3)의 횡단 평면도를 나타내고 있다. 이 기판 처리 장치(1B)는, 제 3 반송 기구가, 후방측 반송 기구(돌출측 반송 기구)(91)와, 전방측 반송 기구(비돌출측 반송 기구)(92)를 구비하는 구성예이다. 후방측 반송 기구(91)는, 전달부(84)(제 1 실시 형태의 전달부(8)에 상당함)의 기판 배치부 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구이며, 반송로(20)에 대하여 제 2 처리 모듈(검사 모듈(6))이 돌출되는 후방측에 마련된다. 또한, 전방측 반송 기구(92)는, 검사 모듈(6)과 기판 배치부와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구이며, 반송로(20)에 대하여, 검사 모듈(6)이 돌출되는 측과는 반대측, 즉 전방측에 마련된다.
이 예에서는, 상기와 같이 검사 모듈(6)(61, 62)은, 반송로(20)로부터 후방으로 돌출되도록 배치된다. 또한, 처리 전 검사 모듈(61)이 하측의 제 2 처리 모듈, 처리 후 검사 모듈(62)이 상측의 제 2 처리 모듈에 각각 상당하고, 이들은 종방향으로 배열되도록 배치된다. 전달부(84)는, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 반송로(20)의 왼쪽의 설치 영역(80)에 마련된다. 따라서, 후방측 반송 기구(91)는, 반송로(20)에 있어서의 전달부(84)의 후방에, 전방측 반송 기구(92)는, 반송로(20)에 있어서의 전달부(8)의 전방에 각각 배치된다.
또한 이 예에서는, 전방측 반송 기구(92)는, 처리 전 검사 모듈(61)로 웨이퍼(W)를 전달하는 하측 전방 반송 기구(921)와, 처리 후 검사 모듈(62)로 웨이퍼(W)를 전달하는 상측 전방 반송 기구(922)를 구비하고 있다. 이들, 후방측 반송 기구(91), 하측 전방 반송 기구(921), 상측 전방 반송 기구(922)는, 각각 기술한 제 3 반송 기구(7)와 마찬가지로 구성되어 있다. 상측 전방 반송 기구(922)는 상측 비돌출측 반송 기구에 상당하고, 하측 전방 반송 기구(921)는 하측 비돌출측 반송 기구에 상당하는 것이다.
이 예에 있어서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 처리 전 검사 모듈(61)은, 계층(E2)의 높이 위치, 처리 후 검사 모듈(62)은 계층(E5)의 높이 위치에 각각 마련된다. 이들 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)의 사이에는, 계층(E2 ~ E5)의 높이 위치에 기판 배치부가 다단으로 배치되고, 전달부(84)가 구성된다. 또한, 후방측 반송 기구(91)는 검사 모듈(6)(61, 62)의 사이에, 이들 검사 모듈(6)(61, 62)과 중첩되어마련되어 있다. 중첩되어 마련된다는 것은, 검사 모듈(6)(61, 62)의 돌출부(60)와 후방측 반송 기구(91)의 일부가 평면에서 봤을 때 중첩되는 것을 의미한다.
또한 전달부(84)에는, 제 1 실시 형태와 마찬가지로 기판 배치부(TRS, SCPL)가 마련되지만, TRS에 붙인 번호는 설명의 편의상, 제 1 실시 형태와는 상이하다. 도 12는 전달부(84)의 구성예의 일례를 나타내는 것이다. 이 예에서는, 하측 전방 반송 기구(921)는, 처리 전 검사 모듈(61) 및 하측의 계층(E2 ~ E3)의 기판 배치부(SCPL1, SCPL2, TRS11, TRS12)로 웨이퍼(W)를 반송한다. 또한, 상측 전방 반송 기구(922)는, 처리 후 검사 모듈(62) 및 상측의 계층(E4 ~ E5)의 기판 배치부(SCPL3, SCPL4, TRS13, TRS14)로 웨이퍼(W)를 반송한다.
그리고, 전달부(84)의 기판 배치부끼리의 사이에서는, 기술한 바와 같이, 후방측 반송 기구(91)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 즉, 후방측 반송 기구(91)는, 계층(E2 ~ E5)의 각 기판 배치부로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 이 예에 있어서도, 제 2 실시 형태와 마찬가지로, 열 처리 모듈(4)은 좌우 방향으로 2 열, 종방향으로 8 단으로 마련되어 있고, 그 외의 구성에 대해서는, 제 1 실시 형태와 동일하다.
이어서, 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 일례에 대하여, 처리 전 검사 모듈(61) 및 처리 후 검사 모듈(62)에서, 웨이퍼(W)의 검사를 행하는 경우를 예로 하여 설명한다. 이 실시 형태의 반송 경로의 설명에서는, 계층(E1 ~ E3)으로 반송되는 웨이퍼(W)를 W1, 계층(E4 ~ E6)으로 반송되는 웨이퍼(W)를 W2로서 표기한다. 또한, 도 13은 이 반송 경로에 있어서, 후방측 반송 기구(91), 하측 전방 반송 기구(921), 상측 전방 반송 기구(922)의 각각이, 전달부(84) 및 검사 모듈(6)에 대하여 행하는 반송을 개략적으로 나타낸 것이다. 도 6과 마찬가지로 화살표의 근방의 원 내에 사용하는 반송 기구를 표시하고 있고, 도시의 번잡화를 막기 위하여, 이 도 13에서는 웨이퍼(W1)의 반송 경로만 나타내고 있다.
캐리어 블록(D1)의 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 기구(17) → TRS11 → 하측 전방 반송 기구(921) → 처리 전 검사 모듈(61) → 하측 전방 반송 기구(921) → TRS12 → 후방측 반송 기구(91) → SCPL1 → 처리 블록(D2)의 하측 반송 기구(51) → 계층(E1, E2, E3)의 어느 하나의 레지스트 도포 모듈(3)의 경로로 반송되어, 레지스트액의 액 처리가 실시된다.
이 후, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(51) → 상기 레지스트 도포 모듈(3)과 동일한 계층의 열 처리 모듈(4) → 하측 반송 기구(51) → SCPL2 → 후방측 반송 기구(91) → TRS13 → 상측 전방 반송 기구(922) → 처리 후 검사 모듈(62)의 경로로 반송되고, 기술한 바와 같이 검사가 행해진다. 검사 후의 웨이퍼(W)는, 상측 전방 반송 기구(922) → TRS14 → 제 1 반송 기구(17) → 캐리어(C)의 경로로 반송된다.
한편, 캐리어 블록(D1)의 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W2)는, 처리 전 검사 모듈(61)을 거쳐 TRS12에 이르기까지 웨이퍼(W1)와 동일하게 반송된다. 이어서, TRS12로부터 후방측 반송 기구(91)에 의해, 계층(E4 ~ E6)의 상측 반송 기구(52)가 액세스 가능한 SCPL3로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W2)는 당해 상측 반송 기구(52)에 의해, 기술한 각 예와 마찬가지로 계층(E4 ~ E6)의 레지스트 도포 모듈(3), 열 처리 모듈(4)을 순으로 반송된 후, SCPL4로 반송된다. 이어서, 후방측 반송 기구(91)에 의해 TRS13로 반송되고, 이 후에는, 웨이퍼(W1)와 동일한 경로로, 처리 후 검사 모듈(62)을 경유하여 반송되어, 캐리어(C)로 되돌려진다.
또한, 처리 전 검사 모듈(61)에 의한 검사만을 실시하는 경우는, 처리를 끝내고 SCPL2, SCPL4로 반송된 웨이퍼(W1, W2)를 예를 들면 후방측 반송 기구(91)에 의해 TRS14로 반송하여 캐리어(C)로 되돌리면 된다. 처리 후 검사 모듈(62)에 의한 검사만을 실시하는 경우에는, 캐리어(C)로부터 TRS11로 반송된 웨이퍼(W1, W2)를 예를 들면 후방측 반송 기구(91)에 의해 SCPL1, SCPL3로 각각 반송하고, 이후는 상기한 경로로 반송하면 된다.
이 실시 형태에 있어서도, 기판 처리 장치(1B)에, 제 2 처리 모듈인 검사 모듈(6)을, 반송로(20)에 대하여 후방으로 돌출되도록 마련하고 있으므로, 기술한 바와 같이, 점유 바닥 면적의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 검사 모듈(6)에 대해서는 전방측 반송 기구(92)로 웨이퍼(W)를 반송하고 또한, 전달부(84)의 기판 배치부에 대해서는 후방측 반송 기구(91)로 웨이퍼(W)를 반송하고 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 전달을 후방측 반송 기구(91) 및 전방측 반송 기구(92)에서 분담하여 행하고 있으므로, 반송 부하가 분산되어, 반송의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한 이 예에서는, 처리 전 검사 모듈(61)과 처리 후 검사 모듈(62)을, 종방향으로 이격하여 마련하고, 각각의 검사 모듈(6)(61, 62)로의 반송을 하측 전방 반송 기구(921)와 상측 전방 반송 기구(922)에서 분담하고 있다. 이 때문에, 보다 반송 부하가 분산되어, 반송의 스루풋 향상에 기여할 수 있다. 또한, 후방측 반송 기구(91), 하측 및 상측 전방 반송 기구(921, 922)는, 반송로(20)의 후방측 및 전방측에 각각 마련되어 있으므로, 이들 반송 기구를 마련해도, 기판 처리 장치(1C)의 좌우 방향의 길이의 증대는 억제된다.
또한, 상기와 같이 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)을 상하로 격리하고, 그들 검사 모듈(6)(61, 62) 사이에 전달부(84)를 구성하는 각 기판 배치부가 마련되어 있다. 그리고, 검사 모듈(6)(61, 62)의 전달부(84)에 대하여 돌출되는 돌출부(60)끼리의 사이를 후방측 반송 기구(91)가 이동하는 스페이스로서 이용하여, 계층(E1 ~ E3)의 높이의 기판 배치부와, 계층(E4 ~ E6)의 기판 배치부와의 사이에서 당해 후방측 반송 기구(91)가 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있는 구성으로 하고 있다. 그와 같이 검사 모듈(6)(61, 62)의 돌출부(60)끼리 사이의 스페이스를 이용하여, 계층 간의 반송이 행해지도록 하고 있기 때문에, 장치의 전후의 폭에 대해서도 증대되는 것이 억제되어, 보다 확실하게 장치의 점유 바닥 면적을 축소화할 수 있다.
이 예에 있어서도, 검사 모듈(6)끼리의 사이에, 전달부(84)가 마련되고, 검사 모듈(6) 및 전달부(84)가 평면에서 봤을 때 중첩되어 있으므로, 점유 바닥 면적의 축소에 공헌할 수 있다. 또한, 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)의 돌출부(60)와 후방측 반송 기구(91)의 일부가 평면에서 봤을 때 중첩되도록 마련되어 있으므로, 처리 블록(D2)의 전후 방향에 빈 공간을 형성할 수 있다. 예를 들면 이 스페이스를 열 처리 모듈(4)의 부대 설비 설치 영역(44)으로서 유효 이용하도록 해도 된다.
전방측 반송 기구(92)로서는, 상기와 같이 하측 전방 반송 기구(921), 상측 전방 반송 기구(922)로서 상하로 분할된 구성이지만, 분할되어 있지 않은 구성이어도 된다. 즉, 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62) 및 전달부(84) 중 일부의 기판 배치부에 대한 반송을 공통의 반송 기구에 의해 행해도 된다. 단, 상기한 바와 같이 반송 부하를 분산시키는 관점으로부터, 전방측 반송 기구(92)로서는 상하로 분할하는 것이 바람직하다.
더 상기한 각 실시 형태에 있어서 검사 모듈(6)은 평면에서 봤을 때 장방형 형상인 것으로서 해 왔지만, 비교적 대형이고 평면에서 봤을 때 정방형(正方形) 형상으로 구성된 검사 모듈(6)을 반송로(20)로부터 그 일부가 전방 또는 후방으로 돌출되도록 마련해도 된다.
<제 4 실시 형태>
이어서, 제 4 실시 형태에 대하여, 도 14를 이용하여 설명한다. 이 실시 형태는, 캐리어 블록(D1)에 검사 모듈(6)을 마련하는 구성예이다. 이 예의 검사 모듈(6)은, 캐리어 블록(D1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 영역(10)의 상방에서, 검사 모듈(6)의 전후의 길이가 좌우의 길이보다 길어지도록 마련된다. 즉, 검사 모듈(6)의 하우징(63)의 긴 변 방향이, 상기 반송 영역(10)의 제 1 반송 기구(17)의 이동 방향(X 방향)과 일치되도록 배치되어 있고, 그 전체가 캐리어 블록(D1)의 하우징(11) 내에 들어가 있다.
도 14에 나타내는 구성예에서는, 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)은, 캐리어 블록(D1)의 후방에서, 평면에서 봤을 때, 상기 반송 영역(10)과 중첩되고, 또한 처리 블록(D2)의 반송로(20)의 후방측의 영역과 인접하는 위치에 마련되어 있다(도 14에서는 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62) 중 62만 표시하고 있음). 더 상세하게 기술하면, 팬 필터 유닛(18)의 상방 또한 기기 설치 영역(23)(도 2 참조)의 사이에, 도시한 높이보다 큰 높이의 스페이스가 형성되어 있고, 이들 검사 모듈(6)(61, 62)은 그 스페이스에, 상하로 적층되어 배치된다. 도 14는 처리 블록(D2)의 계층(E3)을 나타내는 횡단 평면도이지만, 캐리어 블록(D1)에 대해서는, 기기 설치 영역(23)의 하방 위치의 횡단 평면도를 나타내고 있다.
또한, 제 3 반송 기구(7)는, 검사 모듈(6)(61, 62)에 평면에서 봤을 때, 인접하도록, 반송로(20)의 후방측에 배치된다. 예를 들면 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)의 하우징(63)에 있어서의 처리 블록(D2)에 면하는 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반송구가 형성되어 있고, 제 3 반송 기구(7)로부터 대기 위치에 있는 배치부(64)로 웨이퍼(W)가 전달되도록 구성된다. 그리고, 전달부(85)의 기판 배치부(TRS, SCPL)에 배치된 웨이퍼(W)가, 제 3 반송 기구(7)에 의해 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 검사가 실시되도록 되어 있다. 이 제 4 실시 형태의 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로로서는, 예를 들면 제 1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 동일하다.
도 14의 구성에 의하면, 검사 모듈(6)을, 당해 검사 모듈(6)의 길이가 좌우보다 길어지도록, 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)의 반송 영역(10)의 상방에 마련하고 있다. 이 때문에, 평면에서 봤을 때 장방형 형상의 검사 모듈(6)을 설치함에 있어, 기판 처리 장치(1C)의 좌우 방향의 증대를 억제하여, 점유 바닥 면적의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 이상에 있어서, 각 장치의 구성예로 열 처리 모듈을 후방, 액 처리 모듈을 전방으로 배치하고 있지만, 그것과는 반대로 열 처리 모듈을 전방, 액 처리 모듈을 후방에 배치해도 된다. 그와 같이 모듈의 위치 관계를 역전시킨 경우에 대해서는, 검사 모듈(6)의 방향 등에 대해서는 열 처리 모듈 및 액 처리 모듈의 배치에 맞추면 된다.
또한, 반드시 처리 전 검사 모듈(61) 및 처리 후 검사 모듈(62)을 양방 구비할 필요는 없고, 어느 일방의 검사 모듈을 구비하는 구성이면 된다. 또한, 예를 들면 제 4 실시 형태의 레이아웃에 대하여, 다른 실시 형태의 레이아웃과 조합해도 된다. 즉 하나의 검사 모듈(6)을 제 4 실시 형태에서 나타낸 바와 같이 캐리어 블록(D1)에 마련하고, 다른 검사 모듈(6)을 제 1 ~ 제 3 실시 형태에서 나타낸 바와 같이 전달부와 중첩되고 또한 반송로(20)로부터 전방 또는 후방으로 돌출되도록 마련해도 된다.
또한 제 2 반송 기구에 대해서는, 처리 블록(D2)에 마련되는 각 계층에 있어서 공통화되어 있어도 되고, 공통화되어 있지 않아도 된다. 각 계층에 있어서 제 2 반송 기구가 공통화되지 않는 경우(즉, 제 2 반송 기구를 복수 마련하는 경우)에는, 1 개의 제 2 반송 기구가 반송을 담당하는 계층의 수에 제한은 없고, 당해 계층의 수는 1 개여도 되고, 복수여도 된다. 그리고, 각 제 2 반송 기구가 반송을 담당하는 계층의 수가 동일해도 되고, 상이해도 된다.
제 2 반송 기구의 수가 적으면, 장치의 제조 코스트를 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 단, 기판 처리 장치(1)의 구성과 같이 제 2 반송 기구(51, 52)를 복수 마련함으로써, 제 2 반송 기구(5)의 반송의 부하가 억제되기 때문에, 높은 스루풋을 얻는 관점으로부터 바람직하다. 또한, 기판 처리 장치(1)와 같이, 각 제 2 반송 기구(51, 52)가 동일한 수의 계층의 반송을 담당하도록 함으로써, 제 2 반송 기구(51, 52) 간에서 반송의 부하가 치우치는 것이 방지되어, 높은 스루풋을 얻을 수 있으므로 바람직하다.
또한 이상에 있어서, 처리 블록을 구성하는 계층은, 적어도 액 처리 모듈을 포함하는 것이면 된다. 또한, 각 계층에 마련되는 액 처리 모듈은, 상술한 예에 한정하지 않고, 복수 개의 컵(32)이 좌우 방향으로 배열되는 구성이어도 된다. 단, 컵(32)을 1 개만 마련하는 구성이면, 처리 블록(D2)의 좌우 방향의 길이의 저감에 기여할 수 있다.
또한, 제 1 처리 모듈의 설치 개수는 상술한 예에 한정하지 않고, 1 개의 계층에 있어서, 제 1 처리 모듈을 적층하여 마련하도록 해도 된다. 또한, 제 1 처리 모듈은, 제 2 및 제 3 실시 형태에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 기구가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으면, 2 개의 계층에 걸치는 높이 위치에 마련하도록 해도 된다. 또한, 제 2 반송 기구가 복수 계층의 반송을 담당하는 경우, 제 1 처리 모듈이 마련되지 않는 계층이 있어도 된다.
또한, 제 1 처리 모듈의 설치 개수는, 복수의 계층에서 서로 동일할 필요가 없고, 계층마다 제 1 처리 모듈의 개수가 상이해도 된다. 이 경우, 제 1 처리 모듈의 좌우 방향의 설치 위치에 대해서도 모든 계층에 있어서 동일할 필요는 없고, 제 1 처리 모듈의 설치 개수에 따라, 이들 좌우 방향의 설치 개소가 계층마다 어긋나 있어도 된다. 또한, 처리 블록(D2)을 구성하는 계층의 적층 수는, 4 층 또는 5 층, 7 층 또는 8 층이어도 되며, 예시한 적층 수에 한정되지 않는다.
또한, 액 처리 모듈은, 반사 방지막 형성용의 액 처리, 또는 보호막 형성용의 액 처리를 행하는 모듈이어도 되고, 현상액을 처리액으로서 웨이퍼(W)에 현상 처리를 실시하는 현상 모듈이어도 된다. 그 외에, 절연막을 형성하기 위한 처리액(약액)을 도포하는 모듈이거나, 웨이퍼(W)를 붙이기 위한 접착재를 공급하는 모듈이거나, 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하여 세정하는 세정 모듈이어도 된다. 또한, 상기의 보호막이란, 액침 노광 시에 레지스트막을 보호하기 위하여 형성되는 막이다.
또한 상기의 현상 모듈을 마련하는 경우, 제 1 처리 모듈로서, 현상 처리 전에 웨이퍼(W)의 가열 처리(PEB : Post exposure bake)를 행하는 열 처리 모듈이 예시된다. 즉, 처리 블록(D2)에 있어서 열 처리 모듈 → 현상 모듈의 순으로 웨이퍼(W)가 반송되어도 된다. 따라서, 제 1 처리 모듈로서는, 액 처리 모듈 뒤에 웨이퍼(W)를 처리하는 모듈인 것에 한정되지 않고, 또한, 액 처리 모듈로서는, 도포막을 형성하는 모듈인 것에 한정되지 않는다.
또한 제 1 처리 모듈은, 웨이퍼(W)에 가스를 공급하여, 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 모듈로서 구성해도 된다. 예를 들면 제 1 처리 모듈로서 소수화 처리 모듈, 액 처리 모듈로서 반사 방지막 형성 모듈을 마련하여, 소수화 처리 모듈 → 반사 방지막 형성 모듈의 순으로 반송해도 된다. 따라서, 제 1 처리 모듈은, 단순히 웨이퍼(W)를 가열하는 모듈인 것에 한정되지 않는다.
또한, 제 2 처리 모듈은 검사 모듈인 것에는 한정되지 않고, 예를 들면 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성한 후에, 자외선을 조사하여 큐어 처리를 실시하는 처리 모듈이어도 된다. 이 처리 모듈은, 예를 들면 도 5에 나타내는 검사 모듈(6)에 있어서, 카메라를 구비하지 않고, 하프 미러(65) 및 조명(66)의 위치에, 이들 대신에 자외선 조사부를 마련하여 구성된다. 그리고, 자외선 조사부로부터 하방을 향해 자외선을 조사하면서, 웨이퍼(W)가 배치된 배치부(64)를 대기 영역으로부터 이동 완료 위치까지 이동시켜, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 자외선을 조사함으로써 큐어 처리가 실시된다.
또한, 기판 처리 장치(1) 등에서는, 하측 반송 기구(51)와 상측 반송 기구(52)가 독립하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉, 계층(E1 ~ E3)과 계층(E4 ~ E6)에서 서로 독립하여 웨이퍼(W)가 반송되기 때문에, 계층(E1 ~ E3)에서 행해지는 처리와, 계층(E4 ~ E6)에서 행해지는 처리가 상이하도록 해도 된다. 예를 들면 계층(E1 ~ E3)에서는 레지스트 도포, PAB를 행하고, 계층(E4 ~ E6)에서는 PEB, 현상을 행하도록, 하측의 계층과, 상측의 계층에서 배치되는 모듈이 상이해도 된다.
또한, 전달부(8) 등의 구성은 상술한 예에 한정되지 않고, 배치 모듈(TRS)(81), 온도 조정 모듈(SCPL)(82)의 설치 수 및 레이아웃은 적절히 선택 가능하다. 따라서, 기술한 반송 경로 중, TRS로 반송한다고 한 단계에 대하여 SCPL로 반송해도 되고, 반대로 SCPL로 반송한다고 한 단계에 대하여 TRS로 반송해도 되고, 당해 반송 경로 중에 TRS, SCPL로의 반송이 개재 삽입되어도 된다. 또한, 저류 영역(22)은, 처리 전 검사 모듈(61), 처리 후 검사 모듈(62)과 간섭하지 않도록 마련하면 되며, 저류 영역(22)과 종방향으로 중첩하여, 액 처리 모듈의 부대 설비 설치 영역, 또는 전장 기기의 설치 영역을 배치하도록 해도 된다.
금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.

Claims (17)

  1. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수의 상기 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 상기 용기에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록과,
    상기 처리 블록에서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로와,
    상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 상기 액 처리 모듈이 종방향으로 열을 이루도록 상기 처리 블록을 구성하고 또한 상기 액 처리 모듈을 각각 포함하는 복수의 계층과,
    상기 반송로에 대한 전후의 타방에서 종방향으로 복수 마련되고, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 모듈과,
    상기 반송로를 이동하여, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
    상기 기판 반송 블록에 있어서의 상기 제 1 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역의 상방에서 전후의 길이가 좌우의 길이보다 길어지도록 마련되거나, 혹은 상기 반송로로부터 전후의 일방 또는 타방으로 돌출되어 마련되고, 상기 기판에 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 제 2 처리 모듈과,
    상기 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 3 반송 기구와,
    상기 반송로의 좌우의 일방측에 마련되고, 상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와 상기 제 3 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 기판이 배치되는 전달부를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 상기 반송로로부터 상기 반송로에 대하여 전후의 일방 또는 타방으로 돌출되어 마련되고, 상기 전달부와 중첩되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 반송 기구는, 상기 반송로에 대하여 상기 제 2 처리 모듈이 돌출되는 측과는 반대측에 마련되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반송로에 대하여 상기 제 2 처리 모듈이 돌출되는 측은 전후의 일방측이며,
    상기 제 3 반송 기구는, 상기 반송로에 대하여 전후의 타방측에 마련되는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전달부는, 종방향으로 열을 이루고 또한 상기 기판이 각각 배치되는 복수의 기판 배치부로 이루어지고,
    하나의 상기 기판 배치부와 다른 상기 기판 배치부와의 사이에, 상기 제 2 처리 모듈이 마련되는 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈에 있어서 상기 반송로로부터 돌출되는 부위는,
    상기 각 액 처리 모듈에서 상기 기판으로 공급되는 처리액이 저류되는 저류 영역에, 평면에서 봤을 때 중첩되는 기판 처리 장치.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 전달부는, 종방향으로 열을 이루고 또한 상기 기판이 각각 배치되는 복수의 기판 배치부로 이루어지고,
    상기 제 3 반송 기구는,
    상기 반송로에 대하여 상기 제 2 처리 모듈이 돌출되는 측에서, 상기 제 2 처리 모듈과 중첩되어 마련되는 돌출측 반송 기구와,
    상기 반송로에 대하여 상기 돌출되는 측과는 반대측에 마련되는 비돌출측 반송 기구를 구비하고,
    상기 비돌출측 반송 기구가, 상기 제 2 처리 모듈과 상기 기판 배치부와의 사이에서 상기 기판을 반송하고,
    상기 돌출측 반송 기구가 각 기판 배치부 사이에서 상기 기판을 반송하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 종방향으로 배열되는 상측의 제 2 처리 모듈과, 하측의 제 2 처리 모듈을 포함하고,
    상기 돌출측 반송 기구는 상측의 제 2 처리 모듈과, 하측의 제 2 처리 모듈과의 사이에 마련되고,
    상기 비돌출측 반송 기구는, 상기 상측의 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 상측 비돌출측 반송 기구와, 상기 하측의 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 하측 비돌출측 반송 기구를 구비하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반송 기구는,
    상기 복수의 계층 중 하측의 계층의 상기 액 처리 모듈과, 상기 하측의 계층에 있어서의 높이의 상기 제 1 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 하측 반송 기구와,
    상기 복수의 계층 중 상측의 계층의 상기 액 처리 모듈과, 상기 상측의 계층에 있어서의 높이의 상기 제 1 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 상측 반송 기구
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하측의 계층 및 상기 상측의 계층은, 각각 복수의 계층에 의해 구성되고,
    상기 전달부는, 상기 하측 반송 기구에 의해 상기 기판이 반송되는 계층 중 가장 상측의 계층의 높이와, 상측 반송 기구에 의해 상기 기판이 반송되는 계층 중 가장 하측의 계층의 높이에 각각 마련되는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하측의 계층 및 상기 상측의 계층은, 각각 3 개의 계층에 의해 구성되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 상기 액 처리 모듈 및 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리 전 혹은 처리 후의 상기 기판을 검사하기 위한 검사 모듈인 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 계층의 액 처리 모듈은, 상기 기판을 둘러싸서 처리하기 위한 컵을 각각 1 개만 구비하는 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달부는, 상기 액 처리 모듈 및 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리 전에 기판의 온도를 조정하는 온도 조정 기능을 가지는 기판 처리 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈은, 상기 기판을 가열하는 열 처리 모듈인 기판 처리 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 처리 모듈에는, 인접하는 2 개의 계층에 걸쳐 마련되는 제 1 처리 모듈이 포함되는 기판 처리 장치.
  17. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록에 마련되는 용기 배치부에 복수의 상기 기판이 수용되는 용기를 배치하는 공정과,
    상기 용기에 대하여 상기 기판 반송 블록에 마련되는 제 1 반송 기구에 의해 상기 기판을 전달하는 공정과,
    상기 처리 블록을 구성하는 계층에 각각 포함되고, 상기 처리 블록에 있어서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로에 대한 전후의 일방에서 종방향으로 열을 이루도록 마련되는 상기 복수의 액 처리 모듈에서 각각 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 반송로에 대한 전후의 타방에서 종방향으로 복수 마련되는 제 1 처리 모듈에 있어서, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 공정과,
    상기 반송로를 이동하는 제 2 반송 기구에 의해, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 기판 반송 블록에 있어서의 상기 제 1 기판 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역의 상방에서 전후의 길이가 좌우의 길이보다 길어지도록 마련되거나, 혹은 상기 반송로로부터 전후의 일방 또는 타방으로 돌출되어 마련되는 제 2 처리 모듈에 의해, 상기 기판에 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 공정과,
    제 3 반송 기구에 의해, 상기 제 2 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 공정과,
    상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와 상기 제 3 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여, 상기 반송로의 좌우의 일방측에 마련되는 전달부에 상기 기판을 배치하는 공정
    을 구비하는 기판 처리 방법.
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