CN213149472U - 涂敷、显影装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种涂敷、显影装置。针对涂敷、显影装置简化装置结构。本实用新型的涂敷、显影装置具备层叠起来的6个以上的处理模块。6个以上的处理模块包括在层叠方向上相邻的两个第1处理模块、两个第3处理模块以及两个第2处理模块。两个第1处理模块具备向基板涂敷抗蚀剂的多个涂敷处理部和在两个第1处理模块处输送基板的第1输送部。两个第2处理模块具备：多个显影处理部和多个涂敷处理部这两者中的任一者，该显影处理部对由涂敷处理部涂敷抗蚀剂并由曝光装置实施了曝光处理的基板实施显影处理；和第2输送部，其在两个第2处理模块处输送基板。两个第3处理模块具备多个显影处理部和在两个第3处理模块处输送基板的第3输送部。

Description

涂敷、显影装置

技术领域

本实用新型涉及涂敷、显影装置。

背景技术

以往，公知有如下涂敷、显影装置：对半导体晶圆等基板进行抗蚀剂的涂敷处理，并向由曝光装置曝光了之后的基板供给显影液来进行显影处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-231624号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本实用新型提供能够针对涂敷、显影装置简化装置结构的技术。

用于解决问题的方案

本实用新型的一技术方案的涂敷、显影装置的特征在于，具备层叠起来的6个以上的处理模块。6个以上的处理模块包括：在层叠方向上相邻的两个第1处理模块；在层叠方向上相邻的两个第2处理模块；以及在层叠方向上相邻的两个第3处理模块。两个第1处理模块具备进行向基板涂敷抗蚀剂的涂敷处理的多个涂敷处理部以及在两个第1处理模块处输送基板的第1输送部。两个第2处理模块具备：多个显影处理部和多个涂敷处理部这两者中的任一者，该多个显影处理部对由涂敷处理部涂敷抗蚀剂并由曝光装置实施了曝光处理的基板实施显影处理；以及第2输送部，其在两个第2处理模块处输送基板。两个第3处理模块具备多个显影处理部和在两个第3处理模块处输送基板的第3输送部。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

所述两个第2处理模块具备所述多个显影处理部，

所述两个第1处理模块配置于比所述两个第2处理模块和所述两个第3处理模块靠下方的位置。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

所述两个第1处理模块还具备加热所述涂敷处理后的所述基板的预加热部，

所述两个第3处理模块还具备加热所述曝光处理后的所述基板的后加热部。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述第1处理模块，

在所述涂敷处理部对所述基板实施了所述涂敷处理之后，所述第1输送部向所述预加热部输送所述涂敷处理后的所述基板，

在所述第3处理模块，

在所述显影处理部对所述曝光处理后的所述基板实施了所述显影处理之后，所述第3输送部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

该涂敷、显影装置还具备：

送入送出站，其具备从盒取出所述基板并输送所述基板的第4输送部；

第1交接站，其配置于所述送入送出站与所述6个以上的处理模块之间，具备进行所述基板的交接的第1交接部；

转接站，其具备进行所述曝光处理前的所述基板的送出和所述曝光处理后的所述基板的送入的第5输送部；以及

第2交接站，其配置于所述转接站与所述6个以上的处理模块之间，具备进行所述基板的交接的第2交接部，

所述第1交接站还具备：

第1冷却部，其配置于所述第1交接部的上方或下方，用于冷却所述基板；以及

第6输送部，其在所述第1交接站内进行所述基板的输送，

所述第2交接站还具备：

第2冷却部，其配置于所述第2交接部的上方或下方，用于冷却所述基板；以及

第7输送部，其在所述第2交接站内进行所述基板的输送。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述盒取出所述基板并将所述基板载置于所述第1交接部，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1交接部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1处理模块，

所述第1输送部从所述第1冷却部向所述涂敷处理部输送所述基板，所述涂敷处理部对所述基板实施所述涂敷处理，所述第1输送部向所述预加热部输送所述涂敷处理后的所述基板，所述第1输送部从所述预加热部向所述第2冷却部输送所述基板，

在所述转接站，

所述第5输送部从所述第2冷却部取出所述基板并将所述基板送出。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述转接站，

所述第5输送部送入所述曝光处理后的所述基板而将所述基板载置于所述第2交接部，

在所述第3处理模块，

所述第3输送部从所述第2交接部向所述显影处理部输送所述基板，所述显影处理部对所述基板实施所述显影处理，所述第3输送部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1冷却部向所述第1交接部输送所述基板，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述第1交接部取出所述基板并将所述基板收容于所述盒。

根据该一技术方案的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述转接站，

送入所述曝光处理后的所述基板并将所述基板载置于所述第2交接部，

在所述第3处理模块，

所述第3输送部从所述第2交接部向所述后加热部输送所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，所述第3输送部从所述第1冷却部向所述显影处理部输送所述基板，所述显影处理部对所述基板实施所述显影处理，所述第3输送部从所述显影处理部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1冷却部向所述第1交接部输送所述显影处理后的所述基板，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述第1交接部取出所述基板并将所述基板收容于所述盒。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够针对涂敷、显影装置简化装置结构。

附图说明

图1是实施方式的涂敷、显影装置的概略俯视图。

图2是实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。

图3是实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。

图4是实施方式的处理站的概略侧视图。

图5是实施方式的第1交接站、处理站以及第2交接站的概略侧视图。

图6是表示晶圆从盒取出而向曝光装置送入为止的流程的一个例子的图。

图7是表示晶圆从盒取出而向曝光装置送入为止的流程的一个例子的图。

图8是表示晶圆从盒取出而向曝光装置送入为止的流程的一个例子的图。

图9是表示晶圆从曝光装置取出而收容于盒为止的流程的一个例子的图。

图10是表示晶圆从曝光装置取出而收容于盒为止的流程的一个例子的图。

图11是表示晶圆从曝光装置取出而收容于盒为止的流程的一个例子的图。

图12是表示晶圆从曝光装置取出而收容于盒为止的流程的一个例子的图。

图13是表示前侧处理模块的具体的结构的一个例子的图。

图14是表示涂敷、显影装置的顶部的结构例的图。

图15是变形例的涂敷、显影装置的概略侧视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边详细地说明用于实施本公开的涂敷、显影装置的形态(以下，记载为“实施方式”)。此外，本公开的涂敷、显影装置并不被该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对同样的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

另外，在以下所示的实施方式中，存在使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表述的情况，但这些表述无需严密地是“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表述设为容许制造精度、设置精度等的偏差。

图1是实施方式的涂敷、显影装置的概略俯视图。图2和图3是实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。图4是实施方式的处理站的概略侧视图。图5是实施方式的第1交接站、处理站以及第2交接站的概略侧视图。

如图1所示，实施方式的涂敷、显影装置1具备：送入送出站S1、第1交接站S2、处理站S3、第2交接站S4以及转接站S5。这些沿着水平方向(在此是Y轴方向)以送入送出站S1、第1交接站S2、处理站S3、第2交接站S4、转接站S5的顺序连结起来。另外，涂敷、显影装置1具备控制装置6。

＜送入送出站S1＞

在送入送出站S1设置有：多个载置台11，其能够载置盒C；多个开闭部12，其从载置台11观察设置于前方的壁面；以及输送部13，其用于经由开闭部12从盒C取出晶圆W。

盒C是能够收容多个半导体晶圆(以下，记载为晶圆W)的容器。输送部13在配置于随后论述的第1架单元21的多个第1交接部TRS1-1、TRS1-2与盒C之间进行晶圆W的输送(参照图5)。输送部13具备保持晶圆W的保持部。另外，输送部13能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转。

＜第1交接站S2＞

在第1交接站S2设置有第1架单元21、多个输送部22以及第2架单元23。第1架单元21配置于第1交接站S2的中央，多个(在此是两个)输送部22分别配置于隔着第1架单元21相对的位置。另外，第2架单元23从输送部22来看配置于与第1架单元21相反的一侧。第1架单元21配置于输送部13和两个输送部22能够访问的位置，相对于此，第2架单元23配置于仅1个输送部22能够访问的位置。

在第1架单元21，在高度方向上排列配置有多个处理部。例如，如图2所示，在第1架单元21，在与随后论述的第1处理层L1相对应的高度位置配置有第1交接部TRS1-1和多个(在此是两个)第1冷却部CL1-1、CL1-2。例如，在构成第1处理层L1的处理模块B1、B2中的处理模块B1的高度位置配置有第1冷却部CL1-1。另外，在处理模块B2的高度位置，第1冷却部CL1-2和第1交接部TRS1-1从下起以第1冷却部CL1-2、第1交接部TRS1-1的顺序配置。

另外，在第1架单元21，在与随后论述的第2处理层L2相对应的高度位置配置第1交接部TRS1-2和多个(在此是两个)第1冷却部CL1-3、CL1-4。例如，在构成第2处理层L2的处理模块B3、B4中的处理模块B3的高度位置，第1交接部TRS1-2和第1冷却部CL1-3从下起以第1交接部TRS1-2、第1冷却部CL1-3的顺序配置。另外，在处理模块B4的高度位置配置第1冷却部CL1-4。

另外，在第1架单元21，在与第3处理层L3相对应的高度位置配置多个(在此是两个)第1冷却部CL1-5、CL1-6。例如，在构成第3处理层L3的处理模块B5、B6中的处理模块B5的高度位置，第1冷却部CL1-5、CL1-6从下起以第1冷却部CL1-5、CL1-6的顺序配置。

第1交接部TRS1-1、TRS1-2具备例如方形的箱体，能够将晶圆W收容在该箱体的内部。另外，第1交接部TRS1-1、TRS1-2能够利用多个输送部(在此是输送部13、22、31～33)访问。此外，交接部TRS1-1、TRS1-2也可以具备将晶圆W的温度调节为预定的温度的调温机构。

输送部22具备保持晶圆W的保持部。输送部22能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，将使用保持部保持的晶圆W在配置于第1架单元21的多个处理部之间输送。

在第2架单元23，在高度方向上排列配置多个处理部。例如，如图3所示，在第2架单元23，在与第3处理层L3相对应的高度位置配置多个(在此是4个)粘附处理部AD。粘附处理部AD进行粘附处理，以使晶圆W与抗蚀剂膜之间的密合性提高，该粘附处理在例如六甲基二硅氧烷(HMDS)等的蒸气气氛中对晶圆W进行热处理。

此外，在此例示了在与第3处理层L3相对应的高度位置配置有多个粘附处理部AD的情况，多个粘附处理部AD也可以配置于与第1处理层L1或第2处理层L2相对应的高度位置。

＜处理站S3：处理模块B1～B6＞

如图1～图4所示，处理站S3具备层叠起来的6个处理模块B1～B6和输送模块BM。输送模块BM沿着送入送出站S1～处理站S3的排列方向(在此是Y轴方向)延伸。在输送模块BM，与随后论述的第1处理层L1相对应的输送部31、与随后论述的第2处理层L2相对应的输送部32以及与随后论述的第3处理层L3相对应的输送部33在作为处理模块B1～B6的层叠方向的高度方向上排列配置(参照图4)。

各处理模块B1～B6具备前侧处理模块B1F～B6F和后侧处理模块B1B～B6B。前侧处理模块B1F～B6F、后侧处理模块B1B～B6B以及输送模块BM沿着与送入送出站S1～转接站S5的排列方向正交的方向(在此是X轴方向)排列配置。另外，前侧处理模块B1F～B6F和后侧处理模块B1B～B6B配置于隔着输送模块BM相对的位置。具体而言，前侧处理模块B1F～B6F配置于输送模块BM的X轴正方向侧，后侧处理模块B1B～B6B配置于输送模块BM的X轴负方向侧。

如图2所示，前侧处理模块B1F～B6F从下起以B1F～B6F的顺序依次层叠。在前侧处理模块B1F～B6F中的、属于随后论述的第1处理层L1的前侧处理模块B1F、B2F，沿着Y轴方向排列配置有多个涂敷处理部35。多个涂敷处理部35在前侧处理模块B1F、B2F分别各设有3个。

涂敷处理部35向晶圆W涂敷抗蚀剂。具体而言，涂敷处理部35例如具备保持晶圆W并使该晶圆W旋转的保持部和包围保持部的杯等，通过从未图示的化学溶液喷嘴向晶圆W的表面供给抗蚀剂，从而在晶圆W的表面形成抗蚀剂膜。

另外，在前侧处理模块B1F～B6F中的、属于随后论述的第2处理层L2的前侧处理模块B3F、B4F，沿着Y轴方向排列配置有多个显影处理部37。多个显影处理部37在前侧处理模块B3F、B4F分别设置有各3个。

显影处理部37是对曝光处理后的晶圆W实施显影处理的处理部。具体而言，显影处理部37具备保持晶圆W并使该晶圆W旋转的保持部和包围保持部的杯等，从未图示的化学溶液喷嘴向晶圆W的表面供给显影液。之后，显影处理部37利用来自未图示的清洗液供给机构的清洗液对残存于晶圆W的表面的显影液进行冲洗，接下来通过使用保持部并使晶圆W以高速旋转来使晶圆W干燥。

另外，在前侧处理模块B1F～B6F中的、属于随后论述的第3处理层L3的前侧处理模块B5F、B6F，沿着Y轴方向排列配置有多个显影处理部37。多个显影处理部37在前侧处理模块B5F、B6F分别设置有各3个。

如图3所示，后侧处理模块B1B～B6B从下起以B1B～B6B的顺序依次层叠。后侧处理模块B1B～B6B分别配置于与前侧处理模块B1F～B6F的高度位置相同的高度位置。

在后侧处理模块B1B～B6B中的、属于第1处理层L1的后侧处理模块B1B、B2B均配置有加热晶圆W的多个第1加热部BK1和作为晶圆W的暂时的载置场所的缓冲部BF。

第1加热部BK1和缓冲部BF例如能够针对1个处理模块B1～B6在高度方向上层叠配置多个(在此是两层)。另外，第1加热部BK1和缓冲部BF例如能够针对1个处理模块B1～B6在Y轴方向上排列配置多个(在此是4个)。

例如，在后侧处理模块B1B的下层，在Y轴方向上排列配置1个缓冲部BF和3个第1加热部BK1。同样地，在后侧处理模块B1B的上层，也在Y轴方向上排列配置1个缓冲部BF和3个第1加热部BK1。另外，对于后侧处理模块B2B也同样。

在后侧处理模块B1B～B6B中的、属于第2处理层L2的后侧处理模块B3B、B4B均配置有加热晶圆W的多个第2加热部BK2。例如，在后侧处理模块B3B的下层，在Y轴方向上排列配置3个第2加热部BK2。同样地，在后侧处理模块B3B的上层，也在Y轴方向上排列配置3个第2加热部BK2。另外，对于后侧处理模块B4B也同样。

在后侧处理模块B1B～B6B中的、属于第3处理层L3的后侧处理模块B5B、B6B均配置有加热晶圆W的多个第3加热部BK3。例如，在后侧处理模块B5B的下层，沿着Y轴方向排列配置3个第3加热部BK3。同样地，在后侧处理模块B5B的上层，也在Y轴方向上排列配置3个第3加热部BK3。另外，对于后侧处理模块B6B也同样。

此外，对于实施方式的涂敷、显影装置1，配置于同一处理模块B1～B6的多个加热部BK1～BK3与相同的断路器连接。即，配置于处理模块B1的6个第1加热部BK1同与它们相对应的1个断路器(第1断路器)连接，配置于处理模块B2的6个第1加热部BK1同与它们相对应的1个断路器(第2断路器)连接。同样地，配置于处理模块B3的6个第2加热部BK2同与它们相对应的1个断路器(第3断路器)连接，配置于处理模块B4的6个第2加热部BK2同与它们相对应的1个断路器(第4断路器)连接。同样地，配置于处理模块B5的6个第3加热部BK3同与它们相对应的1个断路器(第5断路器)连接，配置于处理模块B6的6个第3加热部BK3同与它们相对应的1个断路器(第6断路器)连接。通过如此构成，能够抑制零部件个数。另外，能够在各处理模块B1～B6安全地进行加热部BK1～BK3的维护等。

＜处理站S3：输送模块BM＞

输送模块BM配置于上述的前侧处理模块B1F～B6F与后侧处理模块B1B～B6B之间。如图4所示，在输送模块BM，在高度方向上排列配置有多个(在此是3个)输送部31～33。具体而言，输送部31～33从下起以输送部31～33的顺序依次配置。输送部31～33具备保持晶圆W的保持部。另外，输送部31～33能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转。

输送部31配置于处理模块B1和处理模块B2的高度位置，负责处理模块B1和处理模块B2处的晶圆W的输送。具体而言，输送部31能够进行处理模块B1内的晶圆W的输送、处理模块B2内的晶圆W的输送、以及处理模块B1与处理模块B2之间的晶圆W的输送。

输送部32配置于处理模块B3和处理模块B4的高度位置，负责处理模块B3和处理模块B4处的晶圆W的输送。具体而言，输送部32能够进行处理模块B3内的晶圆W的输送、处理模块B4内的晶圆W的输送、以及处理模块B3与处理模块B4之间的晶圆W的输送。

输送部33配置于处理模块B5和处理模块B6的高度位置，负责处理模块B5和处理模块B6处的晶圆W的输送。具体而言，输送部33能够进行处理模块B5内的晶圆W的输送、处理模块B6内的晶圆W的输送、以及处理模块B5与处理模块B6之间的晶圆W的输送。

如此，实施方式的涂敷、显影装置1以在层叠方向(高度方向)上相邻的两个处理模块为单位，即，按照处理模块B1、B2、处理模块B3、B4、以及处理模块B5、B6设置输送部31～33。换言之，涂敷、显影装置1具有如下结构：具备多个(在此是3个)处理层，该处理层在两个处理模块共用1个输送部31～33。因而，根据实施方式的涂敷、显影装置1，与例如在1个处理模块B1～B6设置有1个输送部的结构相比较，能够简化装置结构。

＜第2交接站S4＞

在第2交接站S4设置有第3架单元41和输送部42。第3架单元41配置于第2交接站S4的中央，能够利用输送部31～33、输送部42以及设置于上述的转接站S5的输送部51访问。

在第3架单元41，在高度方向上排列配置有多个处理部。例如，如图5所示，在第3架单元41，在与第1处理层L1相对应的高度位置配置第2交接部TRS2-1和多个(在此是两个)第2冷却部CL2-1、CL2-2。例如，在构成第1处理层L1的处理模块B1、B2中的处理模块B1的高度位置配置第2冷却部CL2-1。另外，在处理模块B2的高度位置，第2冷却部CL2-2和第2交接部TRS2-1从下起以第2冷却部CL2-2、第2交接部TRS2-1的顺序配置。

另外，在第3架单元41，在与第2处理层L2相对应的高度位置配置第2交接部TRS2-2和多个(在此是两个)周边曝光处理部WEE。周边曝光处理部WEE进行仅使例如晶圆W的边缘部选择性地曝光的周边曝光处理。

例如，在构成第2处理层L2的处理模块B3、B4中的处理模块B3的高度位置配置1个周边曝光处理部WEE。另外，在处理模块B4的高度位置，第2交接部TRS2-2和周边曝光处理部WEE从下起以第2交接部TRS2-2、周边曝光处理部WEE的顺序配置。

另外，在第3架单元41，在与第3处理层L3相对应的高度位置配置第2交接部TRS2-3。第2交接部TRS2-3例如配置于构成第3处理层L3的处理模块B5、B6中的处理模块B5的高度位置。

第2交接部TRS2-1、TRS2-2、TRS2-3例如具备方形的箱体，在该箱体的内部能够收容晶圆W。另外，第2交接部TRS2-1、TRS2-2、TRS2-3能够利用多个输送部(在此是输送部31～33、42、51)访问。此外，交接部TRS2-1、TRS2-2、TRS2-3也可以具备将晶圆W的温度调节为预定的温度的调温机构。

输送部42具备保持晶圆W的保持部。输送部42能够进行水平方向和铅垂方向上的移动，而将使用保持部保持着的晶圆W在配置于第3架单元41的多个处理部之间输送。

＜转接站S5＞

在转接站S5设置有输送部51和第4架单元52。输送部51在配置于第3架单元41的多个处理部、第4架单元52以及曝光装置EXP之间进行晶圆W的输送(参照图5)。输送部51具备保持晶圆W的保持部。另外，输送部51能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转。

在第4架单元52，在高度方向上排列配置多个处理部。例如，在第4架单元52配置多个缓冲部BF(参照图8)。

＜控制装置6＞

如图1所示，控制装置6具备控制部61和存储部62。控制部61是例如计算机，具有能够由计算机读取的存储介质。在存储介质储存有控制要在涂敷、显影装置1执行的各种处理的程序。

控制部61通过读出并执行被存储到存储介质的程序来控制涂敷、显影装置1的动作。其中，程序是存储到能够由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从其他存储介质加载到控制部61的存储介质的程序。

作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

＜涂敷、显影装置1的具体的动作的一个例子＞

接着，参照图6～图12对涂敷、显影装置1的具体的动作的一个例子进行说明。图6～图8是表示晶圆W从盒C取出而向曝光装置EXP送入为止的流程的一个例子的图。另外，图9～图12是表示晶圆W从曝光装置EXP取出而收容于盒C为止的流程的一个例子的图。

如图6所示，在实施方式的涂敷、显影装置1，输送部13从载置于载置台11的盒C取出晶圆W并将该晶圆W载置于第1架单元21的第1交接部TRS1-1。接下来，输送部22从第1交接部TRS1-1取出晶圆W而将其向第2架单元23的粘附处理部AD输送，粘附处理部AD对晶圆W进行粘附处理。

接下来，如图7所示，输送部22从粘附处理部AD取出晶圆W而将其向第1冷却部CL1-1输送，第1冷却部CL1-1将晶圆W的温度调整(冷却)到预先设定的温度。接下来，与第1处理层L1相对应的输送部31从第1冷却部CL1取出晶圆W而将其向涂敷处理部35输送，涂敷处理部35对晶圆W进行涂敷处理。

接下来，输送部31从涂敷处理部35取出涂敷处理后的晶圆W而将其向第1加热部BK1输送，第1加热部BK1将晶圆W加热到预先设定的温度。之后，输送部31从第1加热部BK1取出晶圆W而将其向缓冲部BF输送。然后，输送部31从缓冲部BF取出晶圆W而将其向第3架单元41的第2冷却部CL2-2输送，第2冷却部CL2-2将晶圆W的温度调整(冷却)到预先设定的温度。

接下来，如图8所示，输送部42从第2冷却部CL2-2取出晶圆W而将其向周边曝光处理部WEE输送，周边曝光处理部WEE对晶圆W进行周边曝光处理。接下来，输送部51从周边曝光处理部WEE取出晶圆W而将其向第4架单元52的缓冲部BF输送。之后，输送部51从缓冲部BF取出晶圆W而将其向第2冷却部CL2-1输送，第2冷却部CL2-1将晶圆W调整(冷却)到预先设定的温度。然后，输送部51从第2冷却部CL2-1取出晶圆W而将其向曝光装置EXP输送，曝光装置EXP对晶圆W进行曝光处理。

接下来，如图9所示，输送部51从曝光装置EXP取出曝光处理后的晶圆W而将该晶圆W载置于第3架单元41的第2交接部TRS2-1。之后，输送部51从第2交接部TRS2-1取出晶圆W而将该晶圆W载置于第4架单元52的缓冲部BF。然后，输送部51从缓冲部BF取出晶圆W而将其向与第2处理层L2相对应的第2交接部TRS2-2或与第3处理层L3相对应的第2交接部TRS2-3(在此是第2交接部TRS2-3)载置。

接下来，如图10所示，与第3处理层L3相对应的输送部33从第2交接部TRS2-3取出晶圆W而将其向第3加热部BK3输送，第3加热部BK3将晶圆W加热到预先设定的温度。接下来，输送部33从第3加热部BK3取出晶圆W而将其向第1架单元21的第1冷却部CL1-5输送，第1冷却部CL1-5将晶圆W调整(冷却)到预先设定的温度。之后，输送部33从第1冷却部CL1-5取出晶圆W而将其向显影处理部37输送，显影处理部37对晶圆W进行显影处理。

接下来，如图11所示，输送部33从显影处理部37取出晶圆W而将其向第3加热部BK3输送，第3加热部BK3将晶圆W加热到预先设定的温度。接下来，输送部33从第3加热部BK3取出晶圆W而将其向第1架单元21的第1冷却部CL1-6输送，第1冷却部CL1-6将晶圆W调整(冷却)到预先设定的温度。

接下来，如图12所示，输送部22从第1冷却部CL1-6向第1交接部TRS1-1转移晶圆W。并且，输送部13从第1交接部TRS1取出晶圆W而将该晶圆W收容于盒C。由此，由涂敷、显影装置1进行的一系列的基板处理(涂敷、涂敷处理)结束。

＜前侧处理模块B1F～B6F的具体的结构＞

接着，参照图13对前侧处理模块B1F～B6F的具体的结构的一个例子进行说明。图13是表示前侧处理模块B1F～B6F的具体的结构的一个例子的图。此外，作为一个例子，在图13中示出了前侧处理模块B6F的结构例，对于其他前侧处理模块B1F～B5F也同样。

如图13所示，前侧处理模块B6F具备箱体300。换言之，利用箱体300包围着周围而成的区域是前侧处理模块B6F，多个显影处理部37收容于该箱体300的内部。

箱体300具备：4个柱部301，其位于箱体300的四角；两个侧面面板302，其配置于沿着X轴方向排列的两个柱部301之间；以及多个梁部303，其水平架设于沿着Y轴方向排列的两个柱部301之间。梁部303例如在沿着Y轴方向排列的两个柱部301之间上下各设置有一个。即，在从X轴方向观察箱体300的情况下，矩形形状的框体由左右两个柱部301和上下两个梁部303形成。

上述框体在配置有输送部33的X轴负方向侧和作为其相反侧的X轴正方向侧，即维护侧分别各形成有一个。在其中的配置有输送部33的X轴负方向侧的框体设置有在铅垂方向上延伸的多个(在此是两个)中间柱部304。中间柱部304架设于上下两个梁部303之间。另外，中间柱部304配置于多个显影处理部37之间。另一方面，在X轴正方向侧，即维护侧的框体不设置中间柱部304。即，在左右两个柱部301之间补设置除了这些柱部301以外的柱构件。

如此，仅在配置有输送部33的X轴负方向侧设置中间柱部304，而在作为其相反侧的X轴正方向侧，即维护侧不设置中间柱部304。通过省略维护侧的中间柱部304，从而易于跨梁部303地使构件、作业人员的身体等在X轴方向上通过。因而，能够使箱体300的左右宽度(Y轴方向上的宽度)紧凑化，并且抑制使用于进行例如杯的更换、过滤器的更换等各种维护的空间较窄的情况。

另外，如图13所示，在箱体300的Y轴方向上的侧面配置有集中了多个配管的管道部350，该多个配管供向涂敷处理部35、显影处理部37供给的各种处理液(抗蚀剂、显影液等)流通。通过在该位置设置管道部350，例如，能够使涂敷、显影装置1的装配容易性、维护容易性提高。

＜涂敷、显影装置1的顶部的结构例＞

接着，参照图14对涂敷、显影装置1的顶部的结构例进行说明。图14是表示涂敷、显影装置1的顶部的结构例的图。

如图14所示，在涂敷、显影装置1的顶部设置有载置台400。载置台400具备基座部401和将基座部401支承于预定的高度的多个支柱部402。

在基座部401的上部载置各种电气部件410。如此，通过使电气部件410相对于涂敷、显影装置1的顶部分离开，能够降低从例如加热部BK1～BK3放出的热的影响。

另外，在形成于涂敷、显影装置1的顶部与基座部401之间的空间载置有各种管道420。如此，在基座部401的上方配置电气部件410，在基座部401的下方配置管道420，从而能够抑制电气部件410与管道420之间的干涉，而能够使它们的设置作业容易化。另外，通过将电气部件410和管道420在高度方向上重叠地配置，能够抑制占用空间的增加。

(其他实施方式)

在上述的实施方式中，对涂敷、显影装置具备层叠起来的6个处理模块的情况的例子进行了说明，但涂敷、显影装置也可以具备7个以上的处理模块。另外，涂敷、显影装置所具备的处理层的数量也可以是4个以上。

另外，在上述的实施方式中，对在涂敷、显影装置所具备的3个处理层中的1个处理层配置多个涂敷处理部、在剩余的两个处理层配置多个显影处理部的情况的例子进行了说明。但并不限于此，也可以是，在3个处理层中的1个处理层配置多个显影处理部，在剩余的两个处理层配置多个涂敷处理部。

另外，在上述的实施方式中，对在涂敷、显影装置所具备的3个处理层中的最下层的处理层配置多个涂敷处理部的情况的例子进行了说明，但并不限于此，例如，也可以是，在显影装置所具备的3个处理层中的最上层的处理层配置多个涂敷处理部。

另外，在上述的实施方式中，对构成第2处理层L2的两个处理模块B3、B4具备多个显影处理部37的情况的例子进行了说明，但处理模块B3、B4也可以具备多个涂敷处理部35来替代多个显影处理部37。图15是涂敷、显影装置的概略侧视图。如图15所示，变形例的涂敷、显影装置1A在属于第2处理层L2的前侧处理模块B3F、B4F具备多个涂敷处理部35。多个涂敷处理部35在前侧处理模块B3F、B4F均沿着Y轴方向排列配置有3个。

如上述这样，实施方式的涂敷、显影装置(作为一个例子，涂敷、显影装置1)具备层叠起来的6个以上的处理模块(作为一个例子，处理模块B1～B6)。6个以上的处理模块包括在层叠方向上相邻的两个第1处理模块(作为一个例子，处理模块B1、B2)、在层叠方向上相邻的两个第2处理模块(作为一个例子，处理模块B3、B4)、以及在层叠方向上相邻的两个第3处理模块(作为一个例子，处理模块B5、B6)。两个第1处理模块具备向基板(作为一个例子，晶圆W)涂敷抗蚀剂的多个涂敷处理部(作为一个例子，3个涂敷处理部35)和在两个第1处理模块处输送基板的第1输送部(作为一个例子，输送部31)。两个第2处理模块具备：多个显影处理部(作为一个例子，3个显影处理部37)和多个涂敷处理部这两者中的任一者(作为一个例子，3个显影处理部37)，该多个显影处理部对由涂敷处理部涂敷抗蚀剂并由曝光装置(作为一个例子，曝光装置EXP)实施了曝光处理的基板实施显影处理；和第2输送部(作为一个例子，输送部32)，其在两个第2处理模块处输送基板。两个第3处理模块具备多个显影处理部和在两个第3处理模块处输送基板的第3输送部(作为一个例子，输送部33)。

如此，根据实施方式的涂敷、显影装置，在两个处理模块共用1个输送部，因此，能够简化装置结构。

也可以是，两个第2处理模块具备多个显影处理部。在该情况下，也可以是，两个第1处理模块配置于比两个第2处理模块和两个第3处理模块靠下方的位置。由此，作为基板的输送的流程，能够形成6个以上的处理模块的从下朝上的流程。

也可以是，两个第1处理模块还具备加热涂敷处理后的基板的预加热部(作为一个例子，第1加热部BK1)。另外，也可以是，两个第3处理模块还具备加热曝光处理后的基板的后加热部(作为一个例子，第3加热部BK3)。

在第1处理模块，在涂敷处理部对基板实施了涂敷处理之后，第1输送部向所述预加热部输送涂敷处理后的基板。另外，在第3处理模块，在显影处理部对曝光处理后的基板实施了显影处理之后，第3输送部向后加热部输送显影处理后的基板。由此，例如，能够于在涂敷处理部与预加热部之间进行基板的输送之际无需在多个输送部之间进行基板的交接。另外，能够于在显影处理部与后加热部之间进行基板的输送之际无需在多个输送部之间进行基板的交接。因而，能够提高一系列的涂敷、显影处理的生产率。

另外，也可以是，实施方式的涂敷、显影装置还具备送入送出站(作为一个例子，送入送出站S1)、第1交接站(作为一个例子，第1交接站S2)、转接站(作为一个例子，转接站S5)、以及第2交接站(作为一个例子，第2交接站S4)。送入送出站具备从盒(作为一个例子，盒C)取出基板而输送该基板的第4输送部(作为一个例子，输送部13)。第1交接站配置于送入送出站与6个以上的处理模块之间，具备进行基板的交接的第1交接部(作为一个例子，两个第1交接部TRS1-1、TRS1-2)。转接站具备进行曝光处理前的基板的送出和曝光处理后的基板的送入的第5输送部(作为一个例子，输送部51)。第2交接站配置于转接站与6个以上的处理模块之间，具备进行基板的交接的第2交接部(作为一个例子，3个第2交接部TRS2-1～TRS2-3)。另外，也可以是，第1交接站还具备第1冷却部(作为一个例子，6个第1冷却部CL1-1～CL1-6)和第6输送部(作为一个例子，两个输送部22)。第1冷却部配置于第1交接部的上方或下方，用于冷却基板。第6输送部在第1交接站内进行基板的输送。另外，也可以是，第2交接站还具备第2冷却部(作为一个例子，第2冷却部CL2-1～CL2-3)和第7输送部(作为一个例子，输送部42)。第2冷却部配置于第2交接部的上方或下方，用于冷却基板。第7输送部在第2交接站内进行基板的输送。

在送入送出站，第4输送部从盒取出基板并将该基板载置于第1交接部。在第1交接站，第6输送部从第1交接部向第1冷却部输送基板。在第1处理模块，第1输送部从第1冷却部向涂敷处理部输送基板，涂敷处理部对基板实施涂敷处理，第1输送部向预加热部输送涂敷处理后的基板，第1输送部从预加热部向第2冷却部输送基板。另外，在转接站，第5输送部从第2冷却部取出基板而将该基板送出。

在转接站，第5输送部送入曝光处理后的基板并将该基板载置于第2交接部。另外，在第3处理模块，第3输送部从第2交接部向显影处理部输送基板，显影处理部对基板实施显影处理，第3输送部向后加热部输送显影处理后的基板，第3输送部从后加热部向第1冷却部输送基板。另外，在第1交接站，第6输送部从第1冷却部向第1交接部输送基板。另外，在送入送出站，第4输送部从第1交接部取出基板而将基板收容于盒。

由此，能够简化涂敷、显影装置的装置结构，并且抑制生产率的降低。

在转接站，送入曝光处理后的基板并将该基板载置于第2交接部。在第3处理模块，第3输送部从第2交接部向后加热部输送基板，第3输送部从后加热部向第1冷却部输送基板，第3输送部从第1冷却部向显影处理部输送基板，显影处理部对基板实施显影处理，第3输送部从显影处理部向后加热部输送显影处理后的基板，第3输送部从后加热部向第1冷却部输送基板。另外，在第1交接站，第6输送部从第1冷却部向第1交接部输送显影处理后的基板。另外，在送入送出站，第4输送部从第1交接部取出基板而将该基板收容于盒。通过向后加热部输送曝光处理后且显影处理前的基板并加热该基板，从而例如能够减少在曝光处理之际在抗蚀剂膜内产生了的驻波效果。

应该认为此次所公开的实施方式在全部方面均是例示，而并非限制性的。实际上，上述的实施方式能以多样的形态具体化。另外，上述的实施方式不脱离权利要求书及其主旨，就可以以各种形态进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种涂敷、显影装置，其特征在于，

该涂敷、显影装置具备层叠起来的6个以上的处理模块，

所述6个以上的处理模块包括：

在层叠方向上相邻的两个第1处理模块；

在层叠方向上相邻的两个第2处理模块；以及

在层叠方向上相邻的两个第3处理模块，

所述两个第1处理模块具备：

多个涂敷处理部，其进行向基板涂敷抗蚀剂的涂敷处理；以及

第1输送部，其在所述两个第1处理模块处输送所述基板，

所述两个第2处理模块具备：

多个显影处理部和所述多个涂敷处理部这两者中的任一者，该多个显影处理部对由所述涂敷处理部涂敷所述抗蚀剂并由曝光装置实施了曝光处理的所述基板实施显影处理；以及

第2输送部，其在所述两个第2处理模块处输送所述基板，

所述两个第3处理模块具备：

所述多个显影处理部；以及

第3输送部，其在所述两个第3处理模块处输送所述基板。

2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

所述两个第2处理模块具备所述多个显影处理部，

所述两个第1处理模块配置于比所述两个第2处理模块和所述两个第3处理模块靠下方的位置。

3.根据权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

所述两个第1处理模块还具备加热所述涂敷处理后的所述基板的预加热部，

所述两个第3处理模块还具备加热所述曝光处理后的所述基板的后加热部。

4.根据权利要求3所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述第1处理模块，

在所述涂敷处理部对所述基板实施了所述涂敷处理之后，所述第1输送部向所述预加热部输送所述涂敷处理后的所述基板，

在所述第3处理模块，

在所述显影处理部对所述曝光处理后的所述基板实施了所述显影处理之后，所述第3输送部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板。

5.根据权利要求3所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

该涂敷、显影装置还具备：

送入送出站，其具备从盒取出所述基板并输送所述基板的第4输送部；

第1交接站，其配置于所述送入送出站与所述6个以上的处理模块之间，具备进行所述基板的交接的第1交接部；

转接站，其具备进行所述曝光处理前的所述基板的送出和所述曝光处理后的所述基板的送入的第5输送部；以及

第2交接站，其配置于所述转接站与所述6个以上的处理模块之间，具备进行所述基板的交接的第2交接部，

所述第1交接站还具备：

第1冷却部，其配置于所述第1交接部的上方或下方，用于冷却所述基板；以及

第6输送部，其在所述第1交接站内进行所述基板的输送，

所述第2交接站还具备：

第2冷却部，其配置于所述第2交接部的上方或下方，用于冷却所述基板；以及

第7输送部，其在所述第2交接站内进行所述基板的输送。

6.根据权利要求5所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述盒取出所述基板并将所述基板载置于所述第1交接部，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1交接部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1处理模块，

所述第1输送部从所述第1冷却部向所述涂敷处理部输送所述基板，所述涂敷处理部对所述基板实施所述涂敷处理，所述第1输送部向所述预加热部输送所述涂敷处理后的所述基板，所述第1输送部从所述预加热部向所述第2冷却部输送所述基板，

在所述转接站，

所述第5输送部从所述第2冷却部取出所述基板并将所述基板送出。

7.根据权利要求6所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述转接站，

所述第5输送部送入所述曝光处理后的所述基板而将所述基板载置于所述第2交接部，

在所述第3处理模块，

所述第3输送部从所述第2交接部向所述显影处理部输送所述基板，所述显影处理部对所述基板实施所述显影处理，所述第3输送部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1冷却部向所述第1交接部输送所述基板，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述第1交接部取出所述基板并将所述基板收容于所述盒。

8.根据权利要求6所述的涂敷、显影装置，其特征在于，

在所述转接站，

送入所述曝光处理后的所述基板并将所述基板载置于所述第2交接部，

在所述第3处理模块，

所述第3输送部从所述第2交接部向所述后加热部输送所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，所述第3输送部从所述第1冷却部向所述显影处理部输送所述基板，所述显影处理部对所述基板实施所述显影处理，所述第3输送部从所述显影处理部向所述后加热部输送所述显影处理后的所述基板，所述第3输送部从所述后加热部向所述第1冷却部输送所述基板，

在所述第1交接站，

所述第6输送部从所述第1冷却部向所述第1交接部输送所述显影处理后的所述基板，

在所述送入送出站，

所述第4输送部从所述第1交接部取出所述基板并将所述基板收容于所述盒。

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