JP6292155B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
本発明は、基板を処理するための複数積層された処理モジュールを備える基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程においては、塗布、現像装置と、露光装置とが接続されて構成されるレジストパターン形成システムによって、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジストパターンの形成が行われる。塗布、現像装置は、ウエハにレジスト膜を形成するためにレジストを塗布するレジスト塗布モジュール、露光装置により露光されたレジスト膜に現像液を供給してレジストパターンを形成する現像モジュール、ウエハに薬液を供給して露光装置による露光時にレジスト膜を保護するための保護膜を形成する保護膜形成モジュールなどの各種の薬液を供給する液処理モジュールを備える。また、塗布、現像装置には各液処理の前後でウエハを加熱処理する加熱モジュールも設けられる。特許文献１には、このような塗布、現像装置の例が記載されている。
近年、露光装置のスループットが上昇しており、上記のレジストパターン形成システムの生産性を向上させるために、塗布、現像装置についてもスループットを向上させることが求められている。具体的には、例えば１時間あたり２７５枚程度のウエハを処理可能であるように塗布、現像装置を構成することが求められている。そのようにスループットを向上させるためには、塗布、現像装置において、ウエハに同じ種類の処理を行うモジュールの数を増やし、これらのモジュールで並行して処理を行うことが考えられる。
例えば、上記の特許文献１では、上下に複数段に区画される単位ブロックを夫々備える前方側処理ブロック、後方側処理ブロックを露光装置に向かって横方向に配列した塗布、現像装置が示され、各単位ブロックには処理モジュール、加熱モジュール及びモジュール間でウエハを搬送する搬送機構を夫々備える。このような構成により、各種のモジュールの増設が図られている。上記の後方側処理ブロックでは、下段側の単位ブロックに保護膜形成モジュールが設けられ、上段側の単位ブロックに露光前にウエハの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュールが設けられており、保護膜形成モジュール、裏面洗浄モジュール共にウエハを処理するためのカップが、前方側処理ブロック、後方側処理ブロックの配列方向に沿って２つ配置された構成とされている。
この特許文献１の塗布、現像装置では、露光装置にて処理された露光済みのウエハが後方側処理ブロックを通過して、前方側処理ブロックに搬送されて処理を受ける。上記のように後方側処理ブロックに保護膜形成モジュール及び裏面洗浄モジュールが設けられていると、後方側処理ブロックの各単位ブロックの搬送機構は、これらの各モジュールに対して露光前のウエハを搬送する合間に露光済みのウエハを搬送することになり、当該搬送機構の負荷が大きくなるので、スループットを十分に上昇させることができなくなる懸念がある。
ところで、上記の裏面洗浄モジュールについては、後方側処理ブロックと露光装置とを互いに接続するインターフェイスブロックに設けてもよいとされ、そのように裏面洗浄モジュールをインターフェイスブロックに配置すると、後方側処理ブロックに設けられるカップの数に対して後段処理ブロックの専有床面積（フットプリント）が比較的大きい構成となる。塗布、現像装置においてはフットプリントを抑えつつ、モジュールの増設を図ることが求められる。つまり、この特許文献１に記載の塗布、現像装置よりさらにフットプリントを抑え、且つ高いスループットが得られる装置が求められている。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は基板処理装置において、占有床面積を抑え、且つ高いスループットが得られる技術を提供することである。
本発明の基板処理装置は、キャリアに格納された基板を払い出すためのキャリアブロックと、当該キャリアブロックから払い出された基板を当該キャリアブロックに戻し、前記キャリアブロックに対して横方向に設けられるエンドブロックと、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間に介在する中間ブロックと、を備える基板処理装置において、
前記中間ブロックは、
前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理するために、互いに積層されて設けられた複数の第１の処理モジュールと、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各第１の処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡すために昇降する第１の基板搬送機構と、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうち他方から一方に前記第１の処理モジュールを素通りするように基板を搬送する、前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構と、
を備え、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記各単位ブロックには、前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を処理するための第２の処理モジュールが設けられ、
前記中間ブロックは、前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡すために上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成される受け渡し部を備え、
前記第１の基板搬送機構は、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する載置モジュール間搬送機構を備え、
前記中間ブロックは、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する側方気体供給部と、前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた、前記気体を排気する側方排気部と、により構成される前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する側方気流形成部を備える。
前記中間ブロックは、
前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理するために、互いに積層されて設けられた複数の第１の処理モジュールと、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各第１の処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡すために昇降する第１の基板搬送機構と、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうち他方から一方に前記第１の処理モジュールを素通りするように基板を搬送する、前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構と、
を備え、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記各単位ブロックには、前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を処理するための第２の処理モジュールが設けられ、
前記中間ブロックは、前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡すために上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成される受け渡し部を備え、
前記第１の基板搬送機構は、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する載置モジュール間搬送機構を備え、
前記中間ブロックは、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する側方気体供給部と、前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた、前記気体を排気する側方排気部と、により構成される前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する側方気流形成部を備える。
本発明の基板処理方法は、 キャリアに格納された基板を払い出すためのキャリアブロックと、当該キャリアブロックから払い出された基板を当該キャリアブロックに戻し、前記キャリアブロックに対して横方向に設けられるエンドブロックと、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間に介在する中間ブロックと、を備える基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記中間ブロックに設けられ、互いに積層されて設けられた複数の処理モジュールにて、前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理する工程と、
前記中間ブロックに設けられ、昇降可能な第１の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡す工程と、
前記中間ブロックに設けられる前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうち他方から一方に前記処理モジュールを素通りするように基板を搬送する工程と、
を含み、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を、前記各単位ブロックに設けられる第２の処理モジュールにより処理する工程と、
上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成されるように前記中間ブロックに設けられる受け渡し部を介して前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡す工程と、
前記第１の基板搬送機構が備える載置モジュール間搬送機構により、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する工程と、
前記中間ブロックに設けられる側方気体供給部により、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する工程と、
前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた側方排気部により前記気体を排気し、前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記中間ブロックに設けられ、互いに積層されて設けられた複数の処理モジュールにて、前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理する工程と、
前記中間ブロックに設けられ、昇降可能な第１の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡す工程と、
前記中間ブロックに設けられる前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうち他方から一方に前記処理モジュールを素通りするように基板を搬送する工程と、
を含み、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を、前記各単位ブロックに設けられる第２の処理モジュールにより処理する工程と、
上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成されるように前記中間ブロックに設けられる受け渡し部を介して前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡す工程と、
前記第１の基板搬送機構が備える載置モジュール間搬送機構により、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する工程と、
前記中間ブロックに設けられる側方気体供給部により、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する工程と、
前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた側方排気部により前記気体を排気し、前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、本発明の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、本発明の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明の基板処理装置は、キャリアブロック、中間ブロック、エンドブロックが順に配列されて構成されている。そして、中間ブロックにおいて互いに積層されて設けられた処理モジュールと、処理モジュールに基板を受け渡すと共に前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの一方から他方に当該基板を搬送する第１の基板搬送機構と、キャリアブロック及びエンドブロックのうち他方から一方に上記の処理モジュールを素通りするように基板を搬送する第２の基板搬送機構と、が設けられている。このような構成によって、装置のフットプリントの増加を抑えつつ処理モジュールの搭載数の増加を図ることができる。さらに第２の基板搬送機構により、これら処理モジュールに基板を搬送する第１の基板搬送機構の負担を抑え、速やかにキャリアブロック及びエンドブロックのうちの一方に基板を搬送できるので、スループットの向上を図ることができる。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置である塗布、現像装置１について図１〜図３を参照しながら説明する。図１、図２、図３は、夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。塗布、現像装置１には、例えば液浸露光を行う露光装置Ａ６が接続されている。塗布、現像装置１及び露光装置Ａ６により、基板であるウエハＷの表面におけるレジスト膜の形成、レジスト膜の露光、レジスト膜の現像を順次行い、レジスト膜にレジストパターンを形成するレジストパターン形成システムが構成されている。
本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置である塗布、現像装置１について図１〜図３を参照しながら説明する。図１、図２、図３は、夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。塗布、現像装置１には、例えば液浸露光を行う露光装置Ａ６が接続されている。塗布、現像装置１及び露光装置Ａ６により、基板であるウエハＷの表面におけるレジスト膜の形成、レジスト膜の露光、レジスト膜の現像を順次行い、レジスト膜にレジストパターンを形成するレジストパターン形成システムが構成されている。
塗布、現像装置１は、キャリアブロックＡ１と、受け渡しブロックＡ２と、処理ブロックＡ３と、中間ブロックＡ４と、インターフェイスブロックＡ５とが、この順に水平方向に直線状に配置されて構成され、エンドブロックであるインターフェイスブロックＡ５には、中間ブロックＡ４とは反対側に露光装置Ａ６が接続されている。ブロックＡ１〜Ａ５について、隣り合うように配置されたブロックは、互いに接すると共に互いに区画されている。便宜上、以降の説明では、ブロックＡ１〜Ａ５の配列方向を前後方向とし、キャリアブロックＡ１側を前方側、インターフェイスブロックＡ５側を後方側とする。
図中１１は、ウエハＷを複数枚格納した状態で塗布、現像装置１の外部から搬送されるキャリアである。キャリアブロックＡ１は、キャリア１１の載置台１２と、キャリア１１内とキャリアブロックＡ１内との間でウエハＷを搬送するための搬送機構１３と、を備えている。搬送機構１３は、キャリア１１と後述のタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されている。なお、各実施形態の塗布、現像装置においてウエハＷが載置される場所をモジュールと記載する。
続いて、受け渡しブロックＡ２について説明すると、当該受け渡しブロックＡ２の左右方向の中央部に、モジュールのタワーＴ１が設けられている。タワーＴ１は、当該受け渡しブロックＡ２と、キャリアブロックＡ１または処理ブロックＡ３との間でウエハＷを受け渡すための多数の受け渡しモジュールＴＲＳと、ウエハＷの温度調整を行う多数の温度調整モジュールＳＣＰＬと、が積層されて構成されている。このタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、搬送機構１３によりウエハＷの受け渡しが行われるモジュールについて、図３中、ＴＲＳ０及びＴＲＳ７として示している。タワーＴ１におけるその他の受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬの配置については後述する。
受け渡しブロックＡ２には、タワーＴ１を左右から挟むように搬送機構１４、１５が設けられている。前方から後方に向かって見て、タワーＴ１の右側の搬送機構を１４、左側の搬送機構を１５とする。これら搬送機構１４、１５は、タワーＴ１を構成する各モジュール間でウエハＷを搬送することができるように、昇降自在に構成されている。前方から後方に向かって見て、搬送機構１４の右側にはウエハＷの表面にガスを供給して疎水化処理する疎水化処理モジュール１６が設けられており、搬送機構１４はタワーＴ１の各モジュールと疎水化処理モジュール１６との間においても、ウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。
次に、処理ブロックＡ３について説明する。処理ブロックＡ３は、互いに区画された扁平な単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６が、下から上に向かってこの順で積層されて構成されている。単位ブロックＢ１〜Ｂ３は、露光装置Ａ６による露光前のウエハＷに反射防止膜及びレジスト膜を形成する単位ブロックである。単位ブロックＢ４〜Ｂ６は、露光装置Ａ６による露光後のウエハＷに現像処理を行う単位ブロックである。
単位ブロックＢ６について、図１を参照しながら説明する。図中２１はウエハＷの搬送領域であり、単位ブロックＢ６の左右の中央部において前後に伸びるように形成されている。前方から後方に向かって見て、搬送領域２１の右側には多数の加熱モジュール２２が設けられている。加熱モジュール２２は複数上下に積層されて積層体を形成し、この積層体が前後方向に６つ配列されている。加熱モジュール２２はウエハＷが載置される熱板を備え、載置されたウエハＷを所定の温度に加熱する。
また、前方から後方に向かって見て、搬送領域２１の左側には、２つの現像モジュールＤＥＶ６が２つ前後に配置されている。現像モジュールＤＥＶ６は、前後に配列された２つのカップ２３を備えており、各カップ２３にウエハＷが収納された状態で当該ウエハＷに現像液が供給されて、現像処理が行われる。搬送領域２１にはウエハＷの搬送機構Ｃ６が設けられており、現像モジュールＤＥＶ６の各カップ２３と、加熱モジュール２２と、タワーＴ１及び後述のタワーＴ２に設けられるモジュールのうち単位ブロックＢ６に対応する高さに位置するモジュールと、に夫々ウエハＷの受け渡しを行う。
単位ブロックＢ４、Ｂ５は、単位ブロックＢ６と同様に構成されている。図３では、単位ブロックＢ４、Ｂ５に設けられる現像モジュールをＤＥＶ４、ＤＥＶ５として夫々示しており、単位ブロックＢ４、Ｂ５に設けられる搬送機構をＣ４、Ｃ５として夫々示している。単位ブロックＢ１〜Ｂ３については、２つの現像モジュールＤＥＶの代わりに１つのレジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び１つの反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び反射防止膜形成モジュールＢＣＴは現像モジュールＤＥＶと略同様に構成されているが、カップ２３に収納されたウエハＷに現像液の代わりに、レジスト、反射防止膜形成用の薬液を供給して塗布を行う。このように現像モジュールＤＥＶの代わりにレジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられていることを除いて、単位ブロックＢ１〜Ｂ３は、単位ブロックＢ４〜Ｂ６と同様に構成されている。
図３においては単位ブロックＢ１〜Ｂ３に設けられるレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ１〜ＣＯＴ３として示しており、単位ブロックＢ１〜Ｂ３に設けられる反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ１〜ＢＣＴ３として示している。また、単位ブロックＢ１〜Ｂ３に設けられる搬送機構についてはＣ１〜Ｃ３として示している。搬送機構Ｃ１〜Ｃ６は、第３の基板搬送機構を構成する。この第１の実施形態では、現像モジュールＤＥＶ４〜ＤＥＶ６において、レジスト膜における露光された領域を除去する現像（以下、ポジ型現像と記載する）を行うための現像液がウエハＷに供給される。
ここで、上記の受け渡しブロックＡ２のタワーＴ１におけるモジュールの配置について補足して説明しておくと、搬送機構Ｃ１〜Ｃ６によりウエハＷの受け渡しが行える各高さに、受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬが設けられている。図３中、搬送機構Ｃ１〜C６によりウエハＷを受け渡し可能な受け渡しモジュールＴＲＳをＴＲＳ１〜ＴＲＳ６、搬送機構Ｃ１〜Ｃ６によりウエハＷを受け渡し可能な温度調整モジュールＳＣＰＬをＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ６として示している。
次に中間ブロックＡ４について、斜視図である図４及び後方から前方に向かって見た概略縦断背面図である図５も参照しながら説明する。中間ブロックＡ４の左右の中央部の前方側には、受け渡し部を構成するモジュールのタワーＴ２が設けられており、当該タワーＴ２は、多数の受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬが上下に積層されることにより構成されている。
このタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳについて、上記の単位ブロックＢ１〜Ｂ６に対応する各高さに設けられ、上記の搬送機構Ｃ１〜Ｃ６によってウエハＷの受け渡しが夫々行われるモジュール（第１の載置モジュール）をＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１６として示している。また、タワーＴ２の下部側、上部側には、後述の下側搬送機構４１、上側搬送機構４２によりウエハＷの受け渡しが行えるように受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８が夫々設けられている。さらに、タワーＴ２の高さ中央部には、後述のシャトル５７に対してウエハＷの受け渡しを行う第２の載置モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳ１０が設けられている。また、温度調整モジュールＳＣＰＬについては、タワーＴ２の下部側、上部側に、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２によって夫々ウエハＷの受け渡しが行えるＳＣＰＬ１１、ＳＣＰＬ１２が設けられている。
上記の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１８の構成について説明しておく。これら受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１８は、夫々水平板と、当該水平板から上方へ突出したウエハＷの裏面中心部を支持するための３本のピンと、を備え、処理ブロックＡ３の搬送機構Ｃ１〜Ｃ６、後述の下側搬送機構４１、上側搬送機構４２、上下間搬送機構３１の昇降動作によって、このピンの先端にウエハＷを受け渡すことができる。なお、上記のタワーＴ１における各受け渡しモジュールＴＲＳ及び後述のタワーＴ３におけるＴＲＳ２０を除く各受け渡しモジュールＴＲＳも、各搬送機構との間でウエハＷを受け渡せるように、例えば受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１８と同様に構成される。受け渡しモジュールＴＲＳ１０については、昇降機構により昇降自在なウエハＷの裏面中心部を支持するための３本の昇降ピンを備えており、後述のシャトル５７と当該昇降ピンとの間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。
温度調整モジュールＳＣＰＬ１１、ＳＣＰＬ１２は、概ね円形のプレートを備えており、当該プレート上にウエハＷが載置される。プレートの周縁部には切り欠きが形成され、当該切り欠きを後述の下側搬送機構４１、上側搬送機構４２の支持体４６の爪部が通過することで、支持体４６とプレートの間でウエハＷの受け渡しが行われる。当該プレートの裏面には冷却水の流路が設けられており、プレートに載置されたウエハＷの温度が調整される。なお、上記のタワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬも、この温度調整モジュールＳＣＰＬ１１、ＳＣＰＬ１２と同様に構成されている。
タワーＴ２を左右から挟むように、上下間搬送機構３１と清浄気体供給部３６とが設けられている。載置モジュール間搬送機構である上下間搬送機構３１は、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２と共に第１の基板搬送機構を構成する。図６も参照しながら、上下間搬送機構３１について説明する。図６の上段、下段は夫々上下間搬送機構３１の側面、上面を示している。上下間搬送機構３１は、起立した縦長のフレーム状のガイド３２と、ガイド３２の長さ方向に沿って垂直に昇降する昇降台３３と、昇降台３３上にて進退自在に構成され、ウエハＷの裏面を支持する支持体３４と、を備えている。支持体３４は、タワーＴ２の各受け渡しモジュールＴＲＳに対してウエハＷの受け渡しができるように、平面視概ねＵ字状に形成され、ウエハＷの裏面中心部に重ならずにウエハＷを支持する。上記のガイド３２には、その長さ方向に沿ってスリット状の排気口３５が、当該ガイド３２の内側に向かって開口している。
清浄気体供給部３６はフィルタを備えており、当該フィルタにより清浄化された気体をタワーＴ２に向けて、当該タワーＴ２の上端部から下端部に亘って供給できるように縦長に構成されている。塗布、現像装置１によるウエハＷの搬送中に、清浄気体供給部３６の清浄気体の供給と排気口３５からの排気とが、互いに並行して行われる。それによってタワーＴ２の各モジュール間を通過し、さらに図６の上段に点線の矢印で示す上下間搬送機構３１の昇降台３３の昇降領域を通過するように、横方向に流れる気流が形成される。図６の上段及び下段で、当該気流を実線の矢印で示している。上下間搬送機構３１からパーティクルが発生したり、タワーＴ２の周囲からパーティクルが発生しても、これらのパーティクルは上記の気流に乗って除去され、ウエハＷに付着することが抑えられる。
図４、図５に戻って、中間ブロックＡ４の左右の中央部の後方側には、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２が、互いに上下に重なるように設けられている。下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２は互いに同様に構成されており、代表して下側搬送機構４１について説明すると、下側搬送機構４１は起立した縦長のフレーム状のガイド４３と、ガイド４３の長さ方向に沿って垂直に昇降する昇降台４４と、昇降台４４上にて鉛直軸周りに回転自在な回転台４５と、回転台４５上に設けられるウエハＷの支持体４６、４６と、を備えている。
２つの支持体４６、４６は、そのうちの一方がモジュールからウエハＷを受け取り、他方が当該モジュールにウエハＷを搬送できるように、互いに独立して進退自在に構成されている。また、支持体４６は、タワーＴ２の各温度調整モジュールＳＣＰＬに対してウエハＷの受け渡しを行えるように、当該温度調整モジュールＳＣＰＬのプレートの形状に対応した構成とされている。具体的には、基端部から先端部が２又に分かれて水平に伸びると共にウエハＷの側周を囲むように形成されたフレームと、温度調整モジュールＳＣＰＬのプレートの切り欠きに対応するようにフレームの内側に向けて突出してウエハＷの裏面周縁部を支持する爪部と、により構成されている。
前方から後方に向かって見て、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２の右側には、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂと加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈと排気ユニット５３Ａ、５３Ｂとが互いに積層されて設けられており、下方から上方に向けて、５３Ａ、５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄ、５１Ａ、５３Ｂ、５２Ｅ、５２Ｆ、５２Ｇ、５２Ｈ、５１Ｂの順で設けられている。周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂは、夫々ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜を除去するために、当該周縁部を露光する。この周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂは、露光前のウエハＷの表面状態を検査するために、カメラによる撮像についても行えるように構成してもよい。加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈは、処理ブロックＡ３の加熱モジュール２２と同様に、載置されたウエハＷを加熱する熱板を備えている。
前方から後方に向かって見て、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２の左側には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６が積層されて設けられている。この保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６による積層体は、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂ、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈ及び排気ユニット５３Ａ、５３Ｂからなる積層体と共に、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２を左右から挟むように設けられている。保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６は、夫々１つのカップ２３を備えている。そして、当該カップ２３に収納されたウエハＷに保護膜形成用の薬液が供給され、露光装置Ａ６による液浸露光時にレジスト膜を保護するための保護膜が形成される。６つの保護膜形成モジュールのうち、下側に設けられる３つをＩＴＣ１〜ＩＴＣ３、上側に設けられる３つをＩＴＣ４〜ＩＴＣ６として示している。
上記の保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ３、周縁露光モジュール５１Ａ、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｄ及び温度調整モジュールＳＣＰＬ１１は、下側搬送機構４１によってウエハＷの受け渡しが行える高さに設けられている。そして、保護膜形成モジュールＩＴＣ４〜ＩＴＣ６、周縁露光モジュール５１Ｂ、加熱モジュール５２Ｅ〜５２Ｈ及び温度調整モジュールＳＣＰＬ１２は、上側搬送機構４２によってウエハＷの受け渡しが行える高さに設けられている。また、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２は、インターフェイスブロックＡ５に設けられる後述のタワーＴ３に設けられる受け渡しモジュールＴＲＳにもウエハＷの受け渡しを行う。
下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２と各モジュールとのウエハＷの受け渡しについて補足して説明しておくと、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６のカップ２３及び周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂには、図示しない昇降ピンが設けられており、当該昇降ピンを介してこれらのモジュールと下側搬送機構４１または上側搬送機構４２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。また、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈには、上記の温度調整モジュールＳＣＰＬのプレートと同様に形成されたウエハＷの温度調整用のプレートと、当該プレートを熱板の外側と熱板の上方との間で移動させる移動機構と、熱板と当該熱板上に移動したプレートとの間でウエハＷを受け渡すための昇降ピンと、が設けられている。この加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈのプレートに対しては、当該プレートが熱板の外側に位置する状態で下側搬送機構４１または上側搬送機構４２の支持体４６が昇降することでウエハＷの受け渡しが行われる。
ところで各図中、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ３と、周縁露光モジュール５１Ａ及び加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｄとの間における下側搬送機構４１によるウエハＷの搬送領域を４１Ａとして示しており、保護膜形成モジュールＩＴＣ４〜ＩＴＣ６と、周縁露光モジュール５１Ｂ及び加熱モジュール５２Ｅ〜５２Ｈとの間における上側搬送機構４２によるウエハＷの搬送領域を４２Ａとして示している。上記の排気ユニット５３Ａ、５３Ｂは、各々排気口５４を備えており、排気ユニット５３Ａの排気口５４、排気ユニット５３Ｂの排気口５４は、夫々搬送領域４１Ａ、４２Ａに開口している。
上記の搬送領域４１Ａ、４２Ａの間には、これら搬送領域４１Ａ、４２Ａを互いに区画するように清浄気体供給部４１Ｂが設けられており、搬送領域４２Ａの上方には清浄気体供給部４２Ｂが設けられている。清浄気体供給部４１Ｂ、４２Ｂは、内部に清浄気体の流路を備えた水平な厚板状に構成され、当該流路に供給される清浄気体が、清浄気体供給部４１Ｂ、４２Ｂの下面に分散して設けられる多数の孔から下方に向けて供給される。塗布、現像装置１によるウエハＷの搬送中に、この清浄気体供給部４１Ｂ、４２Ｂからの清浄気体の供給と、上記の排気ユニット５３Ａ、５３Ｂの排気口５４からの排気とが行われる。それによって図５に矢印で示すように、搬送領域４１Ａ、４２Ａには、夫々上方から下方に向かい、当該搬送領域４１Ａ、４２Ａの下端部から横方向に流れて排気されるように下降気流が形成される。この下降気流によって、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６にて発生した薬液のミストがパーティクルとなって搬送領域４１Ａ、４２Ａに流れたり、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２からパーティクルが搬送領域４１Ａ、４２Ａに飛散しても、搬送領域４１Ａ、４２Ａから排除され、ウエハＷに付着することが抑えられる。
清浄気体供給部４１Ｂの上方且つ搬送領域４２Aの下方には、第２の基板搬送機構であるシャトル５７が設けられている。シャトル５７は、前後方向に伸びるガイド５７Ａと、ガイド５７Ａに沿って前後に水平移動自在且つ前後に長尺に形成されたスライダー５７Ｂと、ウエハＷが載置されると共に、スライダー５７Ｂの長さ方向に沿って当該スライダー５７Ｂの一端上と他端上との間を移動自在に構成されたシャトル本体５７Ｃと、を備えている。シャトル本体５７Ｃは、上記のタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０上と、インターフェイスブロックＡ５に設けられるタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０上との間で搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ２０は、上記の受け渡しモジュールＴＲＳ１０と同様に構成されており、昇降ピンを備えている。受け渡しモジュールＴＲＳ１０、ＴＲＳ２０の各昇降ピンは、当該受け渡しモジュールＴＲＳ１０、ＴＲＳ２０上に移動するシャトル本体５７Ｃに干渉せずに昇降し、当該シャトル本体５７Ｃとの間でウエハＷの受け渡しを行えるように配置されている。
シャトル５７によるウエハＷの搬送領域５８は、下側搬送機構４１によるウエハＷの搬送領域４１Ａと、上側搬送機構４２によるウエハＷの搬送領域４２Ａとに重なると共に、これら搬送領域４１Ａ、４２Ａに上下から挟まれるように形成されている。図５に示すように、清浄気体供給部４１Ｂの上方には仕切り板５８Ａが設けられており、この仕切り板５８Ａと清浄気体供給部４１Ｂとにより、搬送領域５８は、搬送領域４１Ａ及び搬送領域４２Ａから区画されている。なお、図５以外の図では仕切り板５８Ａの図示は省略している。
続いて、図１、図３を参照しながらインターフェイスブロックＡ５について説明する。インターフェイスブロックＡ５は、左右の中央部にタワーＴ３を備えている。このタワーＴ３は、多数の積層された受け渡しモジュールＴＲＳを含んでおり、このＴＲＳとしては、上記のシャトル５７によりウエハＷの受け渡しが行われるＴＲＳ２０と、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２により夫々ウエハＷの受け渡しが行われるＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２と、ＴＲＳ２３、ＴＲＳ２４とが含まれている。
インターフェイスブロックＡ５には、搬送機構６１〜６３と、露光前にウエハの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュール６４、露光後にウエハＷの表面を洗浄する表面洗浄モジュール６５と、が設けられている。裏面洗浄モジュール６４は、ウエハＷの裏面に洗浄液を供給すると共に、ブラシによりウエハＷを擦って洗浄する。表面洗浄モジュール６５は、ウエハＷの表面に洗浄液を供給して洗浄する。搬送機構６１はタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２と露光装置Ａ６との間でウエハＷを搬送できるように構成されている。搬送機構６２、６３は、タワーＴ３を構成する各受け渡しモジュールＴＲＳ間でウエハＷを搬送できるように昇降自在に構成されており、搬送機構６２は裏面洗浄モジュール６４に、搬送機構６３は表面洗浄モジュール６５に、夫々ウエハＷを受け渡すことができる。
図１に示すように塗布、現像装置１には制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述のウエハＷの搬送及び各モジュールでのウエハＷの処理が行われるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。そのように格納された当該プログラムによって、各搬送機構によるウエハＷの搬送、各処理モジュールにおけるウエハＷの処理が行われるように制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号が出力される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
上記の塗布、現像装置１における各搬送機構によるウエハＷの搬送は互いに並行して行われ、各モジュールにおけるウエハＷの処理についても互いに並行して行われる。続いて、上記の塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路と処理工程とについて、図３及び図７を参照しながら説明する。図７は、ウエハＷが搬送されるモジュールを順番に示すと共に、各モジュールにウエハＷを受け渡す搬送機構を当該モジュールに対応付けて示している。図３では実線の矢印により、一部の受け渡しモジュールＴＲＳに対するウエハＷの搬送方向を示している。
キャリア１１からキャリアブロックA１の搬送機構１３により搬出されたウエハＷは、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送され、受け渡しブロックA２の搬送機構１４により疎水化処理モジュール１６に搬送されて疎水化処理された後、搬送機構１４により受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＴＲＳ３のうちのいずれかに搬送される。つまり、ウエハＷは、単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３のうちのいずれかに搬入されるように振り分けられる。
受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送されたウエハＷは、搬送機構C１により、タワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１→加熱モジュール２２→温度調整モジュールＳＣＰＬ１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１→加熱モジュール２２の順で搬送される。それによって、ウエハＷの表面に反射防止膜が形成された後、反射防止膜を被覆するようにレジスト膜が形成される。然る後、搬送機構C１により中間ブロックＡ４におけるタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に受け渡される。
受け渡しモジュールＴＲＳ２、ＴＲＳ３に搬送されたウエハＷは、搬送機構C２、C３により夫々搬送されること、及び単位ブロックＢ２、Ｂ３の高さに対応するモジュールに搬送されることを除いて、受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送されたウエハＷと同様に搬送されて処理される。具体的に搬送経路を説明すると、受け渡しモジュールＴＲＳ２に搬送されたウエハＷは、温度調整モジュールＳＣＰＬ２→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２→加熱モジュール２２→温度調整モジュールＳＣＰＬ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２→加熱モジュール２２→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１２の順で搬送されて、受け渡しモジュールＴＲＳ３に搬送されたウエハＷは、温度調整モジュールＳＣＰＬ３→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ３→加熱モジュール２２→温度調整モジュールＳＣＰＬ３→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３→加熱モジュール２２→受け渡しモジュールＴＲＳ１３の順で搬送される。
タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に搬送されたウエハＷは、中間ブロックＡ４の上下間搬送機構３１により、受け渡しモジュールＴＲＳ１７またはＴＲＳ１８に振り分けられるように搬送される。そして、受け渡しモジュールＴＲＳ１７に搬送されたウエハＷは、下側搬送機構４１により、温度調整モジュールＳＣＰＬ１１→保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ３のうちのいずれか→加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｄのうちのいずれか→周縁露光モジュール５１Ａの順で搬送される。それによって、レジスト膜の上層に保護膜が形成され、さらに保護膜を介してレジスト膜の周縁部が露光される。然る後、ウエハＷは下側搬送機構４１により、インターフェイスブロックＡ５のタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１８に搬送されたウエハＷは、上側搬送機構４２により搬送されること、及びこの上側搬送機構４２の高さに対応するモジュールに搬送されることを除いて、受け渡しモジュールＴＲＳ１７に搬送されたウエハＷと同様に搬送されて処理される。具体的に搬送経路を説明すると、受け渡しモジュールＴＲＳ１８→温度調整モジュールＳＣＰＬ１２→保護膜形成モジュールＩＴＣ４〜ＩＴＣ６のうちのいずれか→加熱モジュール５２Ｅ〜５２Ｈのうちのいずれか→周縁露光モジュール５１Ｂ→タワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２２の順で搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２に搬送されたウエハＷは、搬送機構６２により裏面洗浄モジュール６４に搬送されて裏面洗浄された後、受け渡しモジュールＴＲＳ２３に搬送され、搬送機構６１により露光装置Ａ６に搬送されて露光され、然る後、搬送機構６１により受け渡しモジュールＴＲＳ２４に搬送される。その後、搬送機構６３により表面洗浄モジュール６５に搬送されて、表面洗浄された後、タワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送され、シャトル５７によりタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に直通で搬送される。つまり、中間ブロックＡ４の処理モジュールである保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６、加熱モジュール５２Ａ〜Ｈ、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂを素通りするように搬送される。
その後、上下間搬送機構３１によりウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１０から受け渡しモジュールＴＲＳ１４、ＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６のうちのいずれかに搬送される。つまり、ウエハＷは、単位ブロックＢ４、Ｂ５、Ｂ６のうちのいずれかに搬入されるように振り分けられる。受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｃ４により、加熱モジュール２２→タワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ４→現像モジュールＤＥＶ４の順で搬送される。それによって、ウエハＷは、露光後加熱処理、現像処理を順に受けてレジスト膜にレジストパターンが形成される。然る後、搬送機構Ｃ４によりウエハＷは加熱モジュール２２に搬送されて現像後加熱処理を受けた後、受け渡しブロックＡ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｃ５、Ｃ６により夫々搬送されること、及び単位ブロックＢ５、Ｂ６の高さに対応するモジュールに搬送されることを除いて、受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷと同様に搬送されて処理される。具体的に搬送経路を説明すると、受け渡しモジュールＴＲＳ１５に搬送されたウエハＷは、加熱モジュール２２→温度調整モジュールＳＣＰＬ５→現像モジュールＤＥＶ５→加熱モジュール２２→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５の順で搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ１６に搬送されたウエハＷは、加熱モジュール２２→温度調整モジュールＳＣＰＬ６→現像モジュールＤＥＶ６→加熱モジュール２２→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ６の順で搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６に搬送されたウエハＷは、受け渡しブロックＡ２の搬送機構１５によりタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ７に搬送され、キャリアブロックＡ１の搬送機構１３によりキャリア１１に戻される。
この塗布、現像装置１によれば、処理ブロックＡ３においてレジスト膜が形成された露光前のウエハＷに対して各種の処理を行う中間ブロックＡ４が設けられ、この中間ブロックＡ４には、多数の保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６からなる処理モジュールの積層体と、多数の加熱モジュール５２Ａ〜Ｈ及び複数の周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂからなる処理モジュールの積層体と、処理ブロックＡ３から中間ブロックＡ４にウエハＷを受け渡すため受け渡しモジュールＴＲＳが積層されるタワーＴ２と、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳから上記の各積層体をなすモジュールにウエハＷを搬送し、当該モジュールにて処理済みのウエハＷをインターフェイスブロックＡ５に搬送する上下間搬送機構３１、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２と、露光済みのウエハＷを現像するためにインターフェイスブロックＡ５の受け渡しモジュールＴＲＳ２０からタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０へ直通でウエハＷを搬送するシャトル５７と、が設けられている。上記のように処理モジュールの積層体を形成することで、中間ブロックＡ４に設けられる保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６、加熱モジュール５２Ａ〜Ｈ、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂ夫々の個数の増加を図りつつ、中間ブロックＡ４ひいては塗布、現像装置１のフットプリントの上昇を抑えることができる。そして、シャトル５７が設けられていることで、速やかに露光済みのウエハＷを処理ブロックＡ３に戻すことができ、上記の各処理モジュールの積層体に対してウエハＷを受け渡す下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２が露光済みのウエハＷを処理ブロックＡ３に戻すために動作する必要が無く、これら下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２の負担が抑えられる。結果として、装置のスループットの向上を図ることができる。
また、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６の積層体、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈ、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂの積層体、及びタワーＴ２の温度調整モジュールＳＣＰＬ１１、１２について、下側に配置されたモジュールについては下側搬送機構４１がウエハＷを受け渡し、上側に配置されたモジュールについては上側搬送機構４２がウエハＷを受け渡す。このように互いに積層された同種の複数のモジュールについて、互いに異なる搬送機構４１、４２がウエハＷの受け渡しを行うように割り当てられていることで、各搬送機構４１、４２の負担が確実に抑えられ、より確実にスループットの向上を図ることができる。上記の同種のモジュールとは、キャリア１１からのウエハＷが搬送される順番が同じであり、互いにウエハＷに同じ処理を行うモジュールである。
さらに、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２は上下に重なるように配置されているため、これら下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２を設けることによる中間ブロックＡ４のフットプリントの上昇が抑えられる。さらに上記のシャトル５７によるウエハＷの搬送領域５８は、下側搬送機構４１によるウエハＷの搬送領域４１Ａ及び上側搬送機構４２によるウエハＷの搬送領域４２Ａに重なるように設けられている。従って、より確実に中間ブロックＡ４のフットプリントを抑えることができる。
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態に係る塗布、現像装置７について、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。図８、図９は夫々塗布、現像装置７の平面図、概略縦断側面図である。また、図１０は、塗布、現像装置７の中間ブロックＡ４における概略縦断背面図である。この塗布、現像装置７の中間ブロックＡ４には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６の代わりに現像モジュールＮＴＤ１〜ＮＴＤ６が設けられている。
続いて、第２の実施形態に係る塗布、現像装置７について、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。図８、図９は夫々塗布、現像装置７の平面図、概略縦断側面図である。また、図１０は、塗布、現像装置７の中間ブロックＡ４における概略縦断背面図である。この塗布、現像装置７の中間ブロックＡ４には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６の代わりに現像モジュールＮＴＤ１〜ＮＴＤ６が設けられている。
保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６との差異点として、現像モジュールＮＴＤ１〜ＮＴＤ６は、保護膜形成用の薬液の代わりにレジスト膜における露光されていない領域を除去する現像（以下、ネガ型現像と記載する）を行うための現像液をウエハＷに供給する。塗布、現像装置７では、レジスト膜が形成された後、ポジ型現像を行う場合、当該ウエハＷは現像モジュールＤＥＶ４〜ＤＥＶ６に搬送されて現像処理され、ネガ型現像を行う場合、当該ウエハＷは現像モジュールＮＴＤ１〜ＮＴＤ６に搬送されて現像処理される。
塗布、現像装置１と同様に塗布、現像装置７では、中間ブロックＡ４において、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈが積層されて設けられている。ただし、塗布、現像装置７における加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈは、その役割について塗布、現像装置１の加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈと異なり、露光後のウエハＷの加熱を行う。また、この第２の実施形態における中間ブロックＡ４には、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂが設けられていない。例えば周縁露光モジュールは、単位ブロックＢ１〜Ｂ３の加熱モジュール２２に積層して設けておき、ウエハＷはレジスト塗布後に各単位ブロックＢ１〜Ｂ３にて周縁露光処理されるようにしてもよい。
塗布、現像装置７において、ウエハＷにレジストを供給してネガ型現像する場合のウエハＷの搬送経路を、図１１を参照しながら、第１の実施形態の塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路との差異点を中心に説明する。キャリア１１から搬送されたウエハＷは、第１の実施形態と同様に単位ブロックＢ１〜Ｂ３に振り分けられて、反射防止膜の形成及びレジスト膜が形成された後、中間ブロックＡ４におけるタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に搬送される。その後、ウエハＷは、上下間搬送機構３１→受け渡しモジュールＴＲＳ１０→シャトル５７→インターフェイスブロックＡ５の受け渡しモジュールＴＲＳ２０の順で搬送され、受け渡しモジュールＴＲＳ２０から搬送機構６２に受け渡される。その後、ウエハＷは第１の実施形態と同様にインターフェイスブロックＡ５内及びインターフェイスブロックＡ５と露光装置Ａ６との間を受け渡され、裏面洗浄処理、露光処理、表面洗浄処理を順に受ける。
表面洗浄モジュール６５から搬出されたウエハＷは、搬送機構６３により受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２に振り分けられて搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送されたウエハＷは、下側搬送機構４１により、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｄのうちのいずれか→タワーＴ２の温度調整モジュールＳＣＰＬ１１→現像モジュールＮＴＤ１〜ＮＴＤ３のうちのいずれかの順で受け渡され、露光後加熱処理、現像処理を順に受けた後、受け渡しモジュールＴＲＳ１７に受け渡される。
受け渡しモジュールＴＲＳ２２に搬送されたウエハＷは、上側搬送機構４２により搬送されること、及び上側搬送機構４２の高さに対応するモジュールに搬送されることを除いて、受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送されたウエハＷと同様に搬送されて処理される。具体的に搬送経路を説明すると、当該ウエハＷは、加熱モジュール５２Ｅ〜５２Hのうちのいずれか→温度調整モジュールＳＣＰＬ１２→現像モジュールＮＴＤ４〜ＮＴＤ６のうちのいずれか→受け渡しモジュールＴＲＳ１８の順で搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８に搬送されたウエハＷは、上下間搬送機構３１により、受け渡しモジュールＴＲＳ１４、ＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６のうちのいずれかに受け渡されるように搬送される。つまりウエハＷは、単位ブロックＢ４、Ｂ５、Ｂ６のうちのいずれかに振り分けられるように搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｃ４により、加熱モジュール２２に搬送されて現像後加熱処理を受けた後、温度調整モジュールＳＣＰＬ４→受け渡しモジュールＴＲＳ４の順で搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｃ４により、加熱モジュール２２に搬送されて現像後加熱処理を受けた後、温度調整モジュールＳＣＰＬ４→受け渡しモジュールＴＲＳ４の順で搬送される。
受け渡しモジュールＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｃ５、Ｃ６により夫々搬送されること、及び単位ブロックＢ５、Ｂ６の高さに対応するモジュールに搬送されることを除いて、受け渡しモジュールＴＲＳ１４に搬送されたウエハＷと同様に搬送されて加熱処理、温度調整処理を順に受け、受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々受け渡される。然る後、受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６に搬送されたウエハＷは、搬送機構１５により受け渡しモジュールＴＲＳ７に搬送され、搬送機構１３によりキャリア１１に戻される。
この塗布、現像装置７において、ウエハＷにレジストを供給してポジ型現像する場合のウエハＷの搬送経路と処理工程とを説明する。ネガ型現像をする場合と同様に、ウエハＷは、キャリアブロックＡ１→受け渡しブロックＡ２→処理ブロックＡ３の単位ブロックＢ１〜Ｂ３→中間ブロックＡ４のシャトル５７→インターフェイスブロックＡ５→露光装置Ａ６→インターフェイスブロックＡ５の順で搬送されて順次処理を受ける。
その後、ウエハＷは中間ブロックＡ４に搬送されて、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈで露光後の加熱処理を受けた後、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２及び上下間搬送機構３１により受け渡しモジュールＴＲＳ１４〜ＴＲＳ１６のうちのいずれかに搬送されて、単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けられる。その後、ウエハＷは第１の実施形態と同様に各単位ブロックＢ４〜Ｂ６内を搬送され、現像モジュールＤＥＶ４〜ＤＥＶ６にて現像処理を受けた後に、キャリア１１に戻される。この塗布、現像装置７についても、塗布、現像装置１と同様の効果が得られる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態の塗布、現像装置７１について、第１の実施形態の塗布、現像装置１との差異点を中心に、図１２の平面図を参照しながら説明する。この塗布、現像装置７１においては、処理ブロックＡ３とインターフェイスブロックＡ５との間に、前方から後方に向かって中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３が設けられている。中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３、インターフェイスブロックＡ５は、互いに隣接して設けられると共に、互いに区画されている。中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３は、塗布、現像装置１における中間ブロックＡ４と同様に形成されている。
第３の実施形態の塗布、現像装置７１について、第１の実施形態の塗布、現像装置１との差異点を中心に、図１２の平面図を参照しながら説明する。この塗布、現像装置７１においては、処理ブロックＡ３とインターフェイスブロックＡ５との間に、前方から後方に向かって中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３が設けられている。中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３、インターフェイスブロックＡ５は、互いに隣接して設けられると共に、互いに区画されている。中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３は、塗布、現像装置１における中間ブロックＡ４と同様に形成されている。
図１３は、中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３の概略縦断側面図である。中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３において、タワーＴ２に相当する各タワーはＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３として示している。また、タワーＴ２２、Ｔ２３の下部側に設けられ、後述するように前方側のブロックからウエハＷを搬入するための受け渡しモジュールをＴＲＳ１９として示している。この塗布、現像装置７１において、ウエハＷは中間ブロックＡ４１、Ａ４２、Ａ４３のうちのいずれかにて、温度調整モジュールＳＣＰＬ、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈ及び周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂによる処理を順に受ける。
塗布、現像装置７１における具体的な搬送の一例を示すと、単位ブロックＢ１〜Ｂ３を搬送されてレジスト膜が形成されたウエハＷは、中間ブロックＡ４１のタワーＴ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に受け渡される。中間ブロックＡ４１で上記の各処理を受ける場合、当該ウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３→中間ブロックＡ４１の上下間搬送機構３１→タワーＴ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８の順で搬送されて中間ブロックＡ４１の下側搬送機構４１または上側搬送機構４２に受け渡され、当該中間ブロックＡ４１において第１の実施形態と同様に各モジュール間を搬送されて処理される。その後、中間ブロックＡ４１を下側搬送機構４１により搬送されたウエハＷは、例えば中間ブロックＡ４２、Ａ４３の下側搬送機構４１及びタワーＴ２２、Ｔ２３の受け渡しモジュールＴＲＳ１７を介してインターフェイスブロックＡ５のタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１へ搬送され、中間ブロックＡ４１を上側搬送機構４２により搬送されたウエハＷは、中間ブロックＡ４２、Ａ４３の上側搬送機構４２及びタワーＴ２２、Ｔ２３の受け渡しモジュールＴＲＳ１８を介してタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２２へ搬送される。
タワーＴ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に受け渡されたウエハＷが、中間ブロックＡ４２で処理を受ける場合、例えば当該ウエハＷは、中間ブロックＡ４１の下側搬送機構４１→タワーＴ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ１９→中間ブロックＡ４２の上下間搬送機構３１→タワーＴ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８に受け渡され、中間ブロックＡ４２の下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２により、当該中間ブロックＡ４２内を搬送されて処理される。その後、中間ブロックＡ４１で処理されたウエハＷと同様に、タワーＴ２３の各受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８及び中間ブロックＡ４３の下側搬送機構４１、上側搬送機構４２を介してタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２へ搬送される。タワーＴ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に受け渡されたウエハＷが、中間ブロックＡ４３で処理を受ける場合、例えば当該ウエハＷは、中間ブロックＡ４１の下側搬送機構４１→タワーＴ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ１９→中間ブロックＡ４２の下側搬送機構４１→タワーＴ２３の受け渡しモジュールＴＲＳ１９→中間ブロックＡ４３の上下間搬送機構３１→タワーＴ２３の受け渡しモジュールＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８に受け渡され、中間ブロックＡ４３の下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２により、当該中間ブロックＡ４３にて搬送されて処理された後、タワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＴＲＳ２２へ受け渡される。
然る後、タワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送された露光済みのウエハＷは、中間ブロックＡ４３のシャトル５７→タワーＴ２３の受け渡しモジュールＴＲＳ１０→中間ブロックＡ４２のシャトル５７→タワーＴ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０→中間ブロックＡ４１のシャトル５７→タワーＴ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０の順で搬送され、以降、第１の実施形態と同様に単位ブロックＢ４〜Ｂ６に搬送されて現像処理される。
この塗布、現像装置７１のように中間ブロックＡ４は複数設けることができ、それによって、装置のフットプリントの増大を抑えつつ、モジュール数のさらなる増加を図ることができる。第２の実施形態の塗布、現像装置７についても、この塗布、現像装置７１のように中間ブロックを複数設けてもよい。
（第４の実施形態）
第４の実施形態の塗布、現像装置７２について、塗布、現像装置１との差異点を中心に、図１４の平面図を参照しながら説明する。この塗布、現像装置７２に関しては、中間ブロックＡ４の配置が塗布、現像装置１とは異なっており、受け渡しブロックＡ２と処理ブロックＡ３との間に中間ブロックＡ４が設けられている。また、中間ブロックＡ４において、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６の代わりに裏面洗浄モジュール６４と同様に構成された裏面洗浄モジュール７３が複数積層されて設けられ、現像処理が行われたウエハＷはキャリア１１に戻される前に、当該裏面洗浄モジュール７３に搬送されて洗浄される。
第４の実施形態の塗布、現像装置７２について、塗布、現像装置１との差異点を中心に、図１４の平面図を参照しながら説明する。この塗布、現像装置７２に関しては、中間ブロックＡ４の配置が塗布、現像装置１とは異なっており、受け渡しブロックＡ２と処理ブロックＡ３との間に中間ブロックＡ４が設けられている。また、中間ブロックＡ４において、保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜６の代わりに裏面洗浄モジュール６４と同様に構成された裏面洗浄モジュール７３が複数積層されて設けられ、現像処理が行われたウエハＷはキャリア１１に戻される前に、当該裏面洗浄モジュール７３に搬送されて洗浄される。
塗布、現像装置７２の中間ブロックＡ４には、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｈ及び周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂが設けられていない。また、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２が、受け渡しブロックＡ２のタワーＴ１を構成するモジュールにウエハＷを受け渡せるように、中間ブロックＡ４内の前方側に配置されている。そして、タワーＴ２及び上下間搬送機構３１が中間ブロックＡ４内の後方側に配置されており、タワーＴ２を構成する各モジュールには、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送機構Ｃ１〜Ｃ６によりウエハＷが受け渡される。
図１５には、タワーＴ１及びタワーＴ２におけるモジュールの配置の一例を示している。塗布、現像装置１のタワーＴ１において各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に対応して設けられる受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ６及び温度調整モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ６は、塗布、現像装置７２ではタワーＴ２に設けられている。また、タワーＴ２には、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２により夫々ウエハＷの受け渡しが行われる受け渡しモジュールＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２が設けられている。
塗布、現像装置７２のタワーＴ１には、塗布、現像装置１と同様にキャリアブロックＡ１の搬送機構１３によりウエハＷの受け渡しが行われる受け渡しモジュールＴＲＳ０、ＴＲＳ７が設けられる他に、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２により夫々ウエハＷの受け渡しが行われる受け渡しモジュールＴＲＳ４１、ＴＲＳ４２が夫々設けられている。インターフェイスブロックＡ５のタワーＴ３については図示を省略しているが、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に対応する高さに受け渡しモジュールＴＲＳが設けられており、インターフェイスブロックＡ５の搬送機構６２、６３と、単位ブロックＢ１〜Ｂ６の各搬送機構C１〜C６との間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。
塗布、現像装置７２のウエハＷの搬送経路について、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。キャリア１１のウエハＷは、搬送機構１３→受け渡しモジュールＴＲＳ０→受け渡しブロックＡ２の搬送機構１４→疎水化処理モジュール１６→搬送機構１４→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトル５７→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０→上下間搬送機構３１→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３のいずれかの順で搬送され、単位ブロックＢ１〜Ｂ３に搬入される。
露光処理を受け、インターフェイスブロックＡ５のタワーＴ３の受け渡しモジュールＴＲＳを介して単位ブロックＢ４〜Ｂ６のいずれかに搬送されて現像処理されたウエハＷは、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６のいずれか→上下間搬送機構３１→受け渡しモジュールＴＲＳ３１またはＴＲＳ３２→下側搬送機構４１または上側搬送機構４２→下側搬送機構４１または上側搬送機構４２が搬送可能な高さの裏面洗浄モジュール７３→下側搬送機構４１または上側搬送機構４２→受け渡しモジュールＴＲＳ４１またはＴＲＳ４２→受け渡しブロックＡ２の搬送機構１５→受け渡しモジュールＴＲＳ７→搬送機構１３→キャリア１１の順で搬送される。この塗布、現像装置７２についても塗布、現像装置１と同様の効果が得られる。
ところで、図５で説明した塗布、現像装置１の中間ブロックＡ４においては、同種のモジュールについて、下側搬送機構４１によりウエハＷが受け渡されるモジュールと、上側搬送機構４２によりウエハＷが受け渡されるモジュールとが同数となるように、下側搬送機構４１、上側搬送機構４２及びシャトル５７による各搬送領域４１Ａ、４２Ａ、５８が形成されているが、このように各搬送領域を形成することには限られない。図１６に示す中間ブロックＡ４の例では、下側から上側に向けて排気ユニット５３Ａ、周縁露光モジュール５１Ａ、加熱モジュール５２Ａ〜５２Ｃ、排気ユニット５３Ｂ、周縁露光モジュール５１Ｂ、５１Ｃ、加熱モジュール５２Ｄ〜５２Ｉが積層されて設けられている。そして、下側搬送機構４１が、保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２、周縁露光モジュール５１Ａ及び加熱モジュール５２Ａ〜５２ＣにウエハＷを搬送し、上側搬送機構４２が保護膜形成モジュールＩＴＣ３〜ＩＴＣ６、周縁露光モジュール５１Ｂ、５１Ｃ、加熱モジュール５２Ｄ〜５２ＩにウエハＷを搬送するように、各搬送領域４１Ａ、４２Ａ、５８が形成されている。
ただし、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２との間で搬送の負担が偏ることを抑えてスループットを向上させるためには、図５に示したように積層された同種のモジュールについて、下側搬送機構４１によりウエハＷが受け渡されるモジュールと、上側搬送機構４２によりウエハＷが受け渡されるモジュールとが同数となるように各搬送領域を形成することが有効である。
また、図５に示した中間ブロックＡ４において、下側搬送機構４１及び上側搬送機構４２のうちのいずれか一方の搬送機構のみを設け、この一方の搬送機構が、積層された保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ６、周縁露光モジュール５１Ａ、５１Ｂ、加熱モジュール５２Ａ〜５２ＨにウエハＷを搬送するようにしてもよい。その場合、例えばシャトル５７によるウエハＷの搬送領域５８は、一方の搬送機構によるウエハＷの搬送領域の上側または下側に形成される。
また、シャトル５７によるウエハＷの搬送領域５８は、下側搬送機構４１の搬送領域４１Ａ及び上側搬送機構４２の搬送領域４２Ａに対して上下に重なるように設けられることには限られない。図１７は、図１で説明した中間ブロックＡ４の変形例であり、受け渡しモジュールＴＲＳ１０、ＴＲＳ２０がタワーＴ２、タワーＴ３から左右方向にずれた位置に配置されている。そして、積層された加熱モジュール間がシャトル５７の搬送領域５８として構成され、当該シャトル５７により、ＴＲＳ１０、ＴＲＳ２０間でウエハＷが受け渡される。上下間搬送機構３１の支持体３４は鉛直軸周りに回転することで、受け渡しモジュールＴＲＳ１０とタワーＴ２の各モジュールとの間でウエハＷを受け渡すことができる。受け渡しモジュールＴＲＳ２０は、搬送機構６２によりウエハＷの受け渡しが可能な位置に配置される。
ところで、第４の実施形態の塗布、現像装置７２において、キャリアブロックＡ１から搬出されたウエハＷは、各ブロックＡ３〜Ａ５及び露光装置Ａ６で、レジスト塗布処理、現像処理などの各処理を受けずに中間ブロックＡ４に受け渡され、裏面洗浄モジュール７３による処理を受けてキャリア１１に戻されるようにしてもよい。つまり、本発明はウエハＷの洗浄装置として構成することが可能である。同様に、第１の実施形態の塗布、現像装置１において、キャリア１１から搬出されたウエハＷについて、レジスト塗布処理及び現像処理を行わず、中間ブロックＡ４にて保護膜形成処理のみを行い、キャリア１１に戻すようにしてもよい。つまり、本発明は保護膜形成装置として構成することが可能である。このように、本発明は、塗布、現像装置に適用されることには限られない。また、各実施形態で説明した例は互いに組み合わせることができる。例えば、第４の実施形態で説明した裏面洗浄モジュール７３を備えた中間ブロックＡ４を第１及び第２の実施形態の各塗布、現像装置１、７における受け渡しブロックＡ２と処理ブロックＡ３との間に設けてもよい。
Ａ１ キャリアブロック
Ａ２ 受け渡しブロック
Ａ３ 処理ブロック
Ａ４ 中間ブロック
Ｂ１〜Ｂ６ 単位ブロック
ＩＴＣ 保護膜形成モジュール
ＮＴＤ 現像モジュール
ＳＣＰＬ 温度調整モジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｗ ウエハ
１、７、７１、７２ 塗布、現像装置
３１ 上下共用搬送機構
５１ 下側搬送機構
５２ 上側搬送機構
５７ シャトル
７３ 裏面洗浄モジュール
Ａ２ 受け渡しブロック
Ａ３ 処理ブロック
Ａ４ 中間ブロック
Ｂ１〜Ｂ６ 単位ブロック
ＩＴＣ 保護膜形成モジュール
ＮＴＤ 現像モジュール
ＳＣＰＬ 温度調整モジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｗ ウエハ
１、７、７１、７２ 塗布、現像装置
３１ 上下共用搬送機構
５１ 下側搬送機構
５２ 上側搬送機構
５７ シャトル
７３ 裏面洗浄モジュール
Claims (11)
- キャリアに格納された基板を払い出すためのキャリアブロックと、当該キャリアブロックから払い出された基板を当該キャリアブロックに戻し、前記キャリアブロックに対して横方向に設けられるエンドブロックと、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間に介在する中間ブロックと、を備える基板処理装置において、
前記中間ブロックは、
前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理するために、互いに積層されて設けられた複数の第１の処理モジュールと、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各第１の処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡すために昇降する第１の基板搬送機構と、
前記キャリアブロック及び前記エンドブロックのうち他方から一方に前記第１の処理モジュールを素通りするように基板を搬送する、前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構と、
を備え、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記各単位ブロックには、前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を処理するための第２の処理モジュールが設けられ、
前記中間ブロックは、前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡すために上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成される受け渡し部を備え、
前記第１の基板搬送機構は、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する載置モジュール間搬送機構を備え、
前記中間ブロックは、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する側方気体供給部と、前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた、前記気体を排気する側方排気部と、により構成される前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する側方気流形成部を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記複数の載置モジュールは、前記各単位ブロックに対応する高さに設けられ、前記第３の基板搬送機構に対して基板の受け渡しを行うために当該基板が載置される複数の第１の載置モジュールと、前記第２の基板搬送機構に対して基板の受け渡しを行うために当該基板が載置される第２の載置モジュールと、を含み、
前記載置モジュール間搬送機構は、第１の載置モジュールと、第２の載置モジュールとの間で基板を搬送することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 前記側方排気部は、前記基板を支持する支持体を昇降させるためのガイドにより構成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
- 前記第２の基板搬送機構の基板搬送領域と、前記第１の基板搬送機構の基板搬送領域とは、上下方向に重なることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
- 前記第１の基板搬送機構は、積層された前記複数の第１の処理モジュールのうち上側の第１の処理モジュールに対して基板を受け渡すための上側搬送領域にて基板を搬送する上側搬送機構と、下側の第１の処理モジュールに対して基板を受け渡すために前記上側搬送領域に重なるように設けられる下側搬送領域にて基板を搬送する下側搬送機構と、を含み、
前記第２の基板搬送機構の基板搬送領域は、前記上側搬送領域と下側搬送領域との間に設けられることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。 - 前記上側搬送領域、前記下側搬送領域に、夫々上方から気体を供給する気体供給部と、前記上側搬送領域の下部側方、下側搬送領域の下部側方から夫々前記気体を排気する排気口と、により構成され、上側搬送領域、下側搬送領域に夫々下降気流を形成する下降気流形成部を備えたことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
- 前記第２の処理モジュールとしては、基板にレジスト膜を形成するためのレジスト膜形成モジュールが含まれ、
前記中間ブロックまたは前記処理ブロックは、露光装置により露光されたレジスト膜を現像する現像モジュールを備え、
前記エンドブロックは前記露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイスブロックであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 前記処理ブロックがキャリアブロック側に、前記中間ブロックがエンドブロック側に夫々設けられ、
複数の単位ブロックのうち、第１の単位ブロックには第２の処理モジュールとして前記レジスト膜形成モジュールが設けられ、第１の単位ブロックと異なる第２の単位ブロックには第２の処理モジュールとして前記現像モジュールが設けられ、
前記第１の処理モジュールは、前記レジスト膜形成後の露光前の基板を液処理するモジュールであり、
前記第１の基板搬送機構は、前記第１の単位ブロックから前記受け渡し部に搬送された前記基板を前記第１の処理モジュールに搬送した後、当該基板を前記エンドブロックに受け渡し、
前記第２の基板搬送機構は、前記第２の単位ブロックを介してキャリアブロックに前記基板を受け渡すために前記エンドブロックから前記受け渡し部に基板を搬送することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。 - 前記処理ブロックがキャリアブロック側に、前記中間ブロックがエンドブロック側に夫々設けられ、
複数の単位ブロックのうち、第１の単位ブロックには第２の処理モジュールとして前記レジスト膜形成モジュールが設けられ、
前記第１の処理モジュールは、前記現像モジュールであり、
前記第２の基板搬送機構は、前記エンドブロックに基板を搬送し、
前記第１の基板搬送機構は、前記エンドブロックから前記中間ブロックに搬送された前記基板を前記第１の処理モジュールに搬送した後、前記受け渡し部に搬送し、
前記第１の単位ブロックと異なる第２の単位ブロックの第１の基板搬送機構が前記受け渡し部から前記キャリアブロックに基板を搬送することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。 - キャリアに格納された基板を払い出すためのキャリアブロックと、当該キャリアブロックから払い出された基板を当該キャリアブロックに戻し、前記キャリアブロックに対して横方向に設けられるエンドブロックと、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間に介在する中間ブロックと、を備える基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記中間ブロックに設けられ、互いに積層されて設けられた複数の処理モジュールにて、前記キャリアブロックから払い出されて前記エンドブロックに向かう前記基板、及び前記エンドブロックから前記キャリアブロックに戻される前記基板のうちの一方のみを各々処理する工程と、
前記中間ブロックに設けられ、昇降可能な第１の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの一方から当該中間ブロックに搬送された前記基板を前記各処理モジュールに搬送し、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうちの他方に受け渡す工程と、
前記中間ブロックに設けられる前記第１の基板搬送機構とは別体の第２の基板搬送機構により、前記キャリアブロック及びエンドブロックのうち他方から一方に前記処理モジュールを素通りするように基板を搬送する工程と、
を含み、
前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間には処理ブロックが介在すると共に前記中間ブロック及び前記処理ブロックのうちの一方が前記キャリアブロック側に、他方が前記エンドブロック側に夫々設けられ、
前記処理ブロックは、上下に互いに区画されると共に、前記キャリアブロックと前記エンドブロックとの間で基板を搬送するための第３の基板搬送機構を夫々備えた複数の単位ブロックにより構成され、
前記第３の基板搬送機構により搬送される前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の基板を、前記各単位ブロックに設けられる第２の処理モジュールにより処理する工程と、
上下方向に配置される複数の載置モジュールにより構成されるように前記中間ブロックに設けられる受け渡し部を介して前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構と第３の基板搬送機構との間で基板を受け渡す工程と、
前記第１の基板搬送機構が備える載置モジュール間搬送機構により、前記複数の載置モジュール間で前記基板を搬送する工程と、
前記中間ブロックに設けられる側方気体供給部により、前記受け渡し部に対して側方から気体を供給する工程と、
前記側方気体供給部と共に前記受け渡し部を側方から挟むように前記載置モジュール間搬送機構に設けられた側方排気部により前記気体を排気し、前記各載置モジュール間を横方向に流れる気流を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１０に記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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