JP4440178B2 - 基板の搬送装置 - Google Patents

基板の搬送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4440178B2
JP4440178B2 JP2005214609A JP2005214609A JP4440178B2 JP 4440178 B2 JP4440178 B2 JP 4440178B2 JP 2005214609 A JP2005214609 A JP 2005214609A JP 2005214609 A JP2005214609 A JP 2005214609A JP 4440178 B2 JP4440178 B2 JP 4440178B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
substrate
wafer
unit
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005214609A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007035792A (ja
Inventor
健司 清田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2005214609A priority Critical patent/JP4440178B2/ja
Priority to US11/484,566 priority patent/US20070017560A1/en
Priority to TW095126024A priority patent/TWI336915B/zh
Priority to CNB2006101015940A priority patent/CN100419985C/zh
Priority to KR1020060068817A priority patent/KR101115934B1/ko
Publication of JP2007035792A publication Critical patent/JP2007035792A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4440178B2 publication Critical patent/JP4440178B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)

Description

本発明は，基板の搬送装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハなどの基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理や，露光後に基板を現像する現像処理，基板を加熱し冷却する熱処理等の複数の処理が連続的に行われている。
上述の複数の処理は，通常塗布現像処理システムにおいて行われている。塗布現像処理システムは，例えば複数枚の基板を収容可能なカセットが載置されるカセットステーションと，基板のレジスト塗布処理，現像処理，熱処理等を行う各種処理ユニットが配置された処理ステーションと，隣接された露光装置に基板を搬入出するためのインターフェイス部を備えている。この塗布現像処理システム内の基板の搬送は，複数の基板の搬送装置により行われている。
従来の基板の搬送装置には，例えば垂直軸回りに回転可能な筒状支持体内に，基板を支持して搬送する複数の搬送アームを備えたものが用いられている（例えば，特許文献１参照。）。この基板の搬送装置の各搬送アームは，同じ基台に取り付けられており，基台上を前後方向に移動できる。また，基台に昇降機構が取り付けられており，各搬送アームは，基台によって上下方向に移動できる。そして，筒状支持体により搬送アームの搬送方向を定め，基台によって搬送アームの高さを定め，その上で，搬送アームが前後方向に移動することによって基板を搬送している。
特開平８−４６０１０号公報
しかしながら，上述の従来の基板の搬送装置は，複数のアームが上下方向に積層され，なおかつ上下方向の搬送アームの移動が一体的に行われるため，各搬送アームの動作が他の搬送アームの動作によって制限される。例えば一つの搬送アームが稼動し基板を搬送している間は，他の搬送アームの向きや高さが決まってしまい，他の搬送アームの動作範囲が制限される。このように各搬送アームの動作の自由度が低いため，例えば塗布現像処理システム内の複数の基板を効率的に搬送するための，搬送アームの動作順などを定める制御が複雑になっていた。また，基板の搬送効率を上げるにも限界があった。
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，複数の搬送アームを備えた基板の搬送装置において，各搬送アームの動作の自由度を上げることをその目的とする。
上記目的を達成するための本発明は，基板を搬送する搬送装置であって，基板を支持し水平方向に搬送する複数の搬送アームを備え，前記複数の搬送アームは，平面から見て基板の搬送経路が重なるように上下方向に配置され，前記複数の搬送アームは，各々が独立して上下方向に移動可能で，かつ相互に追い越し可能に構成され，前記搬送アームは，基板を支持する基板支持部を備え，当該基板支持部を前記基板の搬送経路の前後方向に移動させて基板を搬送するものであり，一の搬送アームの基板支持部が前方に移動したときに，当該一の搬送アームの基板支持部の後方側に，他の搬送アームが上下方向に通過できる空間が形成されることを特徴とする。
この発明によれば，各搬送アームが独立して上下動可能であり，なおかつ複数の搬送アームが互いに追い越し可能であるので，各搬送アームの動作の自由度が高くなる。したがって，例えば動作順などを定める複数の搬送アーム相互間の制御を単純化できる。また，基板の搬送効率も向上できる。
上下に隣接する基板支持部は，平面から見て互いに重なる位置に移動し，なおかつ上下動することにより互いにすれ違うことができるように構成されていてもよい。
前記基板支持部は，前後方向に延びる基部と，前記基部の側面から一方向に突出する複数の突出部を備え，前記複数の突出部は，前記基部の側面に間隔を空けて形成され，前記上下に隣接する基板支持部は，平面から見て前記突出部側が互いに向き合うように配置され，前記上下に隣接する基板支持部のすれ違いの際に，一方の基板支持部の突出部が他方の基板支持部の突出部間の隙間を通過するようにしてもよい。
前記各搬送アームは，搬送アームを上下動させる別個の昇降軸に取り付けられていてもよい。
前記各搬送アームは，前記基板支持部と前記昇降軸を連接するアーム部を有し，前記アーム部は，平面から見て前記基板支持部が移動する前後方向に直角方向の外側に湾曲していてもよい。
前記搬送アームの各昇降軸は，上下方向の軸回りに回転自在な同じ回転台に取り付けられていてもよい。
前記回転台は，水平方向に移動可能であってもよい。
本発明によれば，各搬送アームの動作の自由度が増し，基板の搬送効率が向上するので，スリープットの向上が図られる。また，各搬送アームの動作の制御を単純化することができる。
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の搬送装置が搭載された基板の処理システム１の構成の概略を示す平面図である。
基板の処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板の処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，当該カセットステーション２に隣接して設けられ，フォトリソグラフィー工程中の各種処理が行われる複数のユニットを備えた処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられ，露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェイス部４は，Ｙ方向（図１の左右方向）に向けて直列的に接続されている。
カセットステーション２には，複数のカセットＣをＸ方向（図１の上下方向）に向けて載置できるカセット載置台１０が設けられている。カセットＣは，複数のウェハＷを上下方向に配列して収容できる。カセットステーション２の処理ステーション３側には，カセットＣと処理ステーション３との間でウェハＷを搬送する，本発明にかかる搬送装置１１が設けられている。この搬送装置１１の構成の詳細は後述する。
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，例えば複数のユニットを備えた３つのブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３を備えている。例えば処理ステーション３には，カセットステーション２側からインターフェイス部４側に向けて順に，第１のブロックＢ１，第２のブロックＢ２及び第３のブロックＢ３が並設されている。
第１のブロックＢ１には，例えばＸ方向に沿って並設された２つのユニット群Ｇ１，Ｇ２が配置されている。
図２に示すように第１のユニット群Ｇ１には，例えば複数の熱処理ユニットが積層されている。例えば第１のユニット群Ｇ１には，例えばウェハＷの加熱処理と冷却処理を行う加熱・冷却ユニット２０，２１，２２，２３，２４と，ウェハＷのアドヒージョン処理と冷却処理を行うアドヒージョン・冷却ユニット２５が下から順に６段に重ねられている。これらの熱処理ユニット２０〜２５は，図１に示すように互いにウェハＷを授受できる加熱板２６と冷却板２７を備え，ウェハＷの加熱と冷却の両方を連続して行うことができる。熱処理ユニット２０〜２５は，ウェハ搬送体２８を備え，例えば冷却板２７と後述する第２のブロックＢ２のユニットとの間でウェハＷを搬送できる。なお，アドヒージョン・冷却ユニット２５は，さらにレジスト液の密着性を向上するための密着強化剤の蒸気を処理室内に供給する供給口と，処理室の雰囲気を排気する排気口を備えている。
また，例えば図２に示すように上下方向に隣り合う２つのユニット，つまり加熱・冷却ユニット２０及び２１と，加熱・冷却ユニット２２及び２３と，加熱・冷却ユニット２４及びアドヒージョン・冷却ユニット２５がそれぞれ組になって一体化されている。上下の２つのユニットは，それぞれ組みになって上下方向に移動できる。
第２のユニット群Ｇ２には，例えば第１のユニット群Ｇ１と同様に，図３に示すように加熱・冷却ユニット３０，３１，３２，３３，３４と，アドヒージョン・冷却ユニット３５が下から順に６段に重ねられている。これらの熱処理ユニットは，例えば第１のユニット群Ｇ１のユニットと同様の構成を有する。
処理ステーション３の第２のブロックＢ２には，図２に示すように上下方向に積層された例えば３つのユニット層Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が配置されている。各ユニット層Ｈ１〜Ｈ３には，ウェハＷの液処理の行う複数の液処理ユニットが設けられている。
例えば最下段の第１のユニット層Ｈ１には，図４に示すようにウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット５０，５１，５２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。中段の第２のユニット層Ｈ２には，例えばレジスト膜の上層に反射防止膜を形成するトップコーティングユニット６０，６１，６２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。最上段の第３のユニット層Ｈ３には，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット７０と，レジスト膜の下層に反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット７１と，レジスト塗布ユニット７２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。第２のブロックＢ２の各液処理ユニットには，ウェハＷを収容し，液体の飛散を防止するカップＰが設けられている。
第１のユニット層Ｈ１の現像処理ユニット５０〜５２は，例えば図４に示すように一つの筐体８０内に収容されている。筐体８０は，例えば基台８１上にＸ方向に向けて形成されたレール８２上に載置されている。筐体８０は，例えば駆動機構８３によってレール８２上を移動自在である。これにより，第１のユニット層Ｈ１の各現像処理ユニット５０〜５２は，図１に示すように隣接する第１のブロックＢ１や第３のブロックＢ３の熱処理ユニットに対して，Ｘ方向の水平方向に移動できる。なお，筐体８０のＹ方向の両側には，ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
図４に示すように第２のユニット層Ｈ２と第３のユニット層Ｈ３も，第１のユニット層Ｈ１と同じ構成を有しており，第２のユニット層Ｈ２と第３のユニット層Ｈ３のそれぞれの複数の液処理ユニットは，筐体８０に収容され，駆動機構８３によってレール８２上をＸ方向に向けて水平移動できる。
処理ステーション３の第３のブロックＢ３には，Ｘ方向に並設された２つのユニット群Ｉ１，Ｉ２が設けられている。各ユニット群Ｉ１，Ｉ２には，例えば第３のユニットとしての複数の熱処理ユニットが積層されている。
例えば第１のユニット群Ｉ１には，図２に示すように加熱・冷却ユニット１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５が下から順に６段に重ねられている。例えば第２のユニット群Ｉ２には，図３に示すように加熱・冷却ユニット１１０，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５が下から順に６段に重ねられている。
第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の各加熱・冷却ユニット１００〜１０５，１１０〜１１５は，上述の第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニット２０と同様の構成を有し，加熱板２６，冷却板２７及びウェハ搬送体２８を備えている。このウェハ搬送体２８によって，ユニット群Ｉ１，Ｉ２の各加熱・冷却ユニットと，第２のブロックＢ２の液処理ユニットとの間でウェハＷを搬送できる。
ユニット群Ｉ１，Ｉ２の加熱・冷却ユニットは，例えば図２及び図３に示すように上下に隣接する２つのユニット同士がそれぞれ組みになって一体化され，２つのユニット毎に上下動できる。
以上のように処理ステーション３内においては，図５に示すように第１のブロックＢ１の熱処理ユニットと，第３のブロックＢ３の熱処理ユニットが上下動できる。また，第２のブロックＢ２の液処理ユニットが各層Ｈ１〜Ｈ３の筐体８０単位でＸ方向に水平移動できる。第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニット内には，第２のブロックＢ２の液処理ユニットとの間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体２８が設けられている。これにより，隣り合うブロックのユニット同士が相対的に移動し，その可動範囲内において，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間の任意のユニット間でウェハＷの搬送を行うことができる。
インターフェイス部４の処理ステーション３側には，例えば図１に示すようにウェハ搬送体１５０が設けられている。インターフェイス部４のＹ方向正方向側には，ウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット１５１，１５２と，露光装置（図示せず）とウェハＷの受け渡しを行うための受け渡しカセット１５３がＸ方向に並べて設けられている。受け渡しカセット１５３は，周辺露光ユニット１５１，１５２の間に設けられている。
ウェハ搬送体１５０は，例えばＸ方向に向けて延伸する搬送路１５４上を移動自在である。ウェハ搬送体１５０は，ウェハＷを支持する支持部１５０ａを有し，支持部１５０ａは，上下方向に移動自在で，かつ水平方向に進退自在である。ウェハ搬送体１５０は，処理ステーション３の第３のブロックＢ３の熱処理ユニットと，周辺露光ユニット１５１，１５２及び受け渡しカセット１５３に対してアクセスし，ウェハＷを搬送できる。
ここで，カセットステーション２の搬送装置１１の構成について詳しく説明する。図６は，搬送装置１１の構成の概略を示す斜視図である。
搬送装置１１は，例えば２つの多関節の搬送アーム１７０，１７１と，各搬送アーム１７０，１７１がそれぞれ取り付けられた昇降軸１７２，１７３と，昇降軸１７２，１７３が固定された回転台１７４と，回転台１７４が取り付けられた基台１７５と，基台１７５が移動するレール１７６を備えている。
レール１７６は，例えばカセットステーション２の床上にＸ方向に沿って形成されている。基台１７５は，例えば内部に設けられたモータなどの駆動源によりレール１７６上をＸ方向に移動できる。
回転台１７４は，例えば円筒状に形成されている。回転台１７４は，例えば内部に設けられたモータなどの駆動源により鉛直方向の中心軸回り（θ方向）に回転できる。
昇降軸１７２，１７３は，回転台１７４上に立設されている。昇降軸１７２，１７３は，図７に示すように平面から見て回転台１７４の回転軸Ａからずれた位置であって，回転軸Ａから等距離の位置に配置されている。また，昇降軸１７２，１７３は，ウェハＷの搬送方向Ｅで回転軸Ａを通る搬送軸Ｄに対して線対称の位置に配置されている。昇降軸１７２，１７３は，それぞれ例えば回転台１７４内に設けられたシリンダなどの駆動源により上下方向に伸縮できる。昇降軸１７２，１７３は，互いに独立して昇降できる。
搬送アーム１７０は，例えばウェハＷを支持するウェハ支持部１９０と，当該ウェハ支持部１９０と昇降軸１７２とを連接するアーム部１９１を備えている。
ウェハ支持部１９０は，例えば搬送方向Ｅに沿って細長い平板状の基部１９０ａと，当該基部１９０ａから搬送軸Ｄ側の一方向に向けて形成された複数の突出部１９０ｂを備え，略櫛型状に形成されている。突出部１９０ｂは，細長い板形状に形成され，基部１９０ａの側面に所定の間隔を置いて形成されている。ウェハ支持部１９０は，並列された突出部１９０ｂ上にウェハＷを支持できる。例えば図８に示すように前方と後方の突出部１９０ｂには，ウェハＷを前後から押さえる押さえ部材１９０ｃが設けられている。
アーム部１９１は，例えば図７に示すように互いに回転自在に連結された２つの連接アーム１９１ａ，１９１ｂを備えている。第１の連接アーム１９１ａは，昇降軸１７２に回転自在に連結され，第２の連接アーム１９１ｂは，ウェハ支持部１９０の基部１９０ａの端部に回転自在に連結されている。アーム部１９１は，例えば各連結部の軸を連動させて回転させることにより，ウェハ支持部１９０を前後方向（搬送方向）Ｅに直線状に移動させ，ウェハ支持部１９０上のウェハＷを搬送軸Ｄに沿って搬送できる。アーム部１９１は，平面から見て搬送方向Ｅに対して直角方向の外側に湾曲している。これにより，ウェハ支持部１９０の後方側に大きな空間を空けることができる。
搬送アーム１７１は，搬送アーム１７０と同じ構成を有し，平面から見て搬送軸Ｄに対して左右対称に配置されている。搬送アーム１７１は，昇降軸１７３に取り付けられている。搬送アーム１７１は，ウェハＷを支持したウェハ支持部１９０を前後方向Ｅに進退させて，ウェハＷを搬送軸Ｂに沿って搬送できる。搬送アーム１７１は，平面から見て搬送アーム１７０とウェハＷの搬送経路が重なっている。
搬送アーム１７０と搬送アーム１７１のウェハ支持部１９０は，平面から見て突出部１９０ｂが互いに向き合うように配置されている。各ウェハ支持部１９０の突出部１９０ｂは，互いに干渉しないように，互い違いにはめ合わせることができる。つまり一方のウェハ支持部１９０の突出部１９０ｂは，他方のウェハ支持部１９０の突出部１９０ｂ間の隙間を通過できる。これにより，搬送アーム１７０，１７１のウェハ支持部１９０は，互いに突出部１９０ｂの位置をずらして干渉しないようにすれ違うことができる。
図９に示すように一方の搬送アーム１７０のウェハ支持部１９０が前方に移動した際に，そのウェハ支持部１９０の後方側に空間が形成され，他方の搬送アーム１７１のウェハ支持部１９０がその空間内を上下に通過できる。つまり搬送アーム１７０，１７１は，互いに追い越し可能になっている。
次に，以上のように構成された搬送装置１１の動作を，基板の処理システム１で行われるウェハＷの処理プロセスと共に説明する。
先ず，カセットＣの未処理のウェハＷは，図１に示すように搬送装置１１によって処理ステーション３の第１のブロックＢ１内に搬入される。ウェハＷは，例えば図２に示すように第１のユニット群Ｇ１のアドヒージョン・冷却ユニット２５に搬送される。
例えばアドヒージョン・冷却ユニット２５に搬入されたウェハＷは，先ず冷却板２７において所定の温度に調整され，冷却板２７から加熱板２６に搬送される。ウェハＷは，加熱板２６上において所定の温度に加熱され，ウェハＷにＨＭＤＳの蒸気が塗布される。その後，ウェハＷは，冷却板２７に戻され，ウェハ搬送体２８によって，第２のブロックＢ２の上段にある第３のユニット層Ｈ３の例えばレジスト塗布ユニット７０又は７２に搬送される。
搬送の際に，搬送先の例えばレジスト塗布ユニット７０とアドヒージョン・冷却ユニット２５との位置がずれている場合には，図２に示すようにアドヒージョン・冷却ユニット２５が上下方向に移動したり，図１に示すようにレジスト塗布ユニット７０が水平方向に移動して，ウェハ搬送体２８によるウェハＷの搬送可能範囲内に入るように，アドヒージョン・冷却ユニット２５とレジスト塗布ユニット７０が相対的に移動する。
例えばレジスト塗布ユニット７０に搬送されたウェハＷには，レジスト液が塗布される。その後ウェハＷは，図２に示すようにレジスト塗布ユニット７０から第１のブロックＢ１の第１のユニット群Ｇ１の上段側にある例えば加熱・冷却ユニット２４に搬送される。このウェハＷの搬送は，レジスト塗布ユニット７０と加熱・冷却ユニット２４が相対的に移動して，加熱・冷却ユニット２４のウェハ搬送体２８によって行われる。
例えば加熱・冷却ユニット２４に搬送されたウェハＷは，冷却板２７から加熱板２６に搬送され，プリベーキングされる。プリベーキングが終了すると，例えば加熱・冷却ユニット２４と第２のブロックＢ２の第２のユニット層Ｈ２の例えばトップコーティングユニット６０が相対的に移動し，ウェハＷがウェハ搬送体２８によってトップコーティングユニット６０に搬送される。
例えばトップコーティングユニット６０に搬送されたウェハＷには，反射防止液が塗布され，反射防止膜が形成される。その後，トップコーティングユニット６０と第３のブロックＢ３の第１のユニット群Ｉ１の例えば中段にある加熱・冷却ユニット１０２が相対的に移動し，ウェハＷが，トップコーティングユニット６０から加熱・冷却ユニット１０２に搬送される。
例えば加熱・冷却ユニット１０２に搬送されたウェハＷは，加熱される。加熱の終了したウェハＷは，その後インターフェイス部４のウェハ搬送体１５０により例えば図１に示す周辺露光ユニット１５１に搬送される。周辺露光ユニット１５１では，ウェハＷの外周部が露光される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１５０によって受け渡しカセット１５３に搬送され，インターフェイス部４に近接した露光装置（図示せず）に搬送され，露光される。
露光処理の終了したウェハＷは，受け渡しカセット１５３に戻され，図２に示すようにウェハ搬送体１５０によって第３のブロックの第１のユニット群Ｉ１の下段側にある例えば加熱・冷却ユニット１００に搬送される。加熱・冷却ユニット１００に搬送されたウェハＷは，冷却板２７から加熱板２６に搬送され，ポストエクスポージャーベーキングが施される。
ポストエクスポージャーベーキングが終了すると，例えば加熱・冷却ユニット１００と第２のブロックＢ２の第１のユニット層Ｈ１の例えば現像処理ユニット５０が相対的に移動し，ウェハＷがウェハ搬送体２８によって現像処理ユニット５０に搬送される。
例えば現像処理ユニット５０に搬送されたウェハＷは，現像される。現像処理が終了すると，現像処理ユニット５０と第１のブロックＢ１の第１のユニット群Ｇ１の例えば加熱・冷却ユニット２０が相対的に移動し，ウェハＷは，ウェハ搬送体２８によって加熱・冷却ユニット２０に搬送される。
例えば加熱・冷却ユニット２０に搬送されたウェハＷは，加熱され，ポストベーキングが施される。ポストベーキングが終了したウェハＷは，カセットステーション２の搬送装置１１によってカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
続いて，搬送装置１１の動作について説明する。例えば図２に示すようにカセットステーション２のカセットＣから処理ステーション３のユニットに未処理のウェハＷを搬送する場合，搬送装置１１は，レール１７６に沿ってＸ方向に移動し，例えば搬送元のカセットＣの正面に移動する。続いて，各搬送アーム１７０，１７１が昇降軸１７２，１７３によりそれぞれ所定の高さに調整される。その後各搬送アーム１７０，１７１がカセットＣ側に伸びて，ウェハ支持部１９０を前方に移動させ，カセットＣ内のウェハＷをそれぞれ保持する。その後各搬送アーム１７０，１７１は縮んで，ウェハ支持部１９０を後方に移動させ元の位置に戻す。次に回転台１７４が回転して搬送アーム１７０，１７１が処理ステーション３側に向けられる。続いて搬送アーム１７０，１７１の高さ調整が行われる。例えば搬送アーム１７０は，処理ステーション３側に伸びて，ウェハ支持部１９０を前進させ，例えば搬送先の第１のブロックＢ１のユニットにウェハＷを搬送する。続いて搬送アーム１７１も同様に，搬送先の第１のブロックＢ１のユニットにウェハＷを搬送する。
また，処理ステーション３のユニットからカセットステーション２のカセットＣに処理済のウェハＷを搬送する場合も同様に，先ず搬送装置１１の各搬送アーム１７０，１７１が，第１のブロックＢ１の搬送元のユニットの正面に移動する。その後，各搬送アーム１７０，１７１は，ウェハ支持部１９０を前方に移動させ，それぞれのユニットのウェハＷを保持する。その後，各搬送アーム１７０は，ウェハ支持部１９０を後退させて元の位置に戻す。回転台１７４の回転により，搬送アーム１７０，１７１は，カセットステーション２側に向けられる。搬送アーム１７０，１７１は，搬送先のカセットＣ側に伸びて，ウェハ支持部１９０を前進させて，ウェハＷをカセットＣに搬送する。
上述のカセットステーション２と処理ステーション３との間のウェハＷの搬送において，例えば図１０に示すように下側に位置している搬送アーム１７０が，上側に位置している搬送アーム１７１よりも，高い位置にウェハＷを搬送する場合，例えば搬送アーム１７１が伸びて，ウェハ支持部１９０を前進させている間に，搬送アーム１７０を上昇させ，図９及び図１０に示すように搬送アーム１７１のウェハ支持部１９０の後方側の空間を，搬送アーム１７０のウェハ支持部１９０に通過させる。こうして，搬送アーム１７０は，搬送アーム１７１を追い越し，搬送アーム１７１よりも上方の搬送先にウェハＷを搬送できる。
また，両方の搬送アーム１７０，１７０がウェハＷを保持していない状態であれば，図１１に示すように各ウェハ支持部１９０を平面から見て前後方向Ｅの同程度の位置に合わせ，搬送アーム１７０を上昇させる。そして，図７に示すように一方のウェハ支持部１９０の突出部１９０ｂを他方の突出部１９０ｂの隙間を通過させ，ウェハ支持部１９０同士をすれ違わせて，搬送アーム１７０を搬送アーム１７１よりも上方に移動させる。こうすることによっても，搬送アーム１７０は，搬送アーム１７１を追い越し，搬送アーム１７１よりも上方の搬送先にウェハＷを搬送できる。なお，搬送アーム１７１の搬送アーム１７０に対する追い越しも同様に行うことができる。
以上の実施の形態によれば，搬送装置１１の搬送アーム１７０，１７１が互いに追い越し可能であるため，搬送アーム１７０，１７１の上下方向の動作が互いに妨げられることがなく，各搬送アーム１７０，１７１の動作の自由度を上げることができる。これにより，搬送アーム１７０，１７１の動作の制限が減少するので，例えば搬送アーム１７０，１７１の動作の制御を単純化できる。また，基板の処理システム１において搬送アーム１７０，１７１によって搬送されるウェハＷの搬送効率も上げることができる。
一方の搬送アームのウェハ支持部１９０を前方に移動した際に，そのウェハ支持部１９０の後方側に，他の搬送アームのウェハ支持部１９０が通過可能な空間が形成されるので，例えば搬送アーム１７０，１７１がウェハＷを支持しているときであっても，搬送アーム１７０，１７１の互いの追い越しを適正に行うことができる。
また，各搬送アーム１７０，１７１のアーム部１９１が外側に湾曲しているので，上記追い越しの際に，ウェハ支持部１９０とアーム部１９１が干渉することを確実に防止できる。
搬送アーム１７０，１７１の各ウェハ支持部１９０が，基部１９０ａと複数の突出部１９０ｂからなる略櫛状に形成され，互いに干渉せずにすれ違うことができるので，例えば一方の搬送アームのウェハ支持部１９０を前方に移動させなくても，搬送アーム１７０，１７１の相互間の追い越しを行うことができる。この結果，搬送アーム１７０，１７１の動作の自由度をさらに上げることができる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば上記実施の形態では，搬送アーム１７０，１７１のウェハ支持部１９０の形状が櫛型状になっていたが，互いにすれ違い可能であれば，他の形状であってもよい。例えばウェハ支持部１９０の突出部１９０ｂの数は，３本に限られず，任意に選択できる。また，ウェハ支持部１９０の基部１９０ａや突出部１９０ｂは，ウェハＷが支持できれば足りるので，板形状に限られず，例えば棒状であってもよい。
上記実施の形態では，搬送アームの数が２つであったが，３つ以上あってもよい。この場合，複数の搬送アームの総てが追い越し可能である必要がなく，例えば複数の搬送アームのうちの特定の搬送アーム同士が追い越し可能であってもよい。また，上記実施の形態では，搬送アーム１７０，１７１が多関節型で伸縮して，ウェハ支持部１９０を前後方向に移動させていたが，搬送アームに関節がなく，搬送アーム全体が一体となって前後に移動するものであってもよい。
さらに，上記実施の形態では，搬送アーム１７０，１７１が共通の回転台１７４によってθ方向に回転していたが，各搬送アーム毎に独立して回転できるようにしてもよい。かかる場合，例えば昇降軸１７２，１７３をθ方向に回転可能にしてもよい。
例えば，以上の実施の形態では，本発明を，基板の処理システム１のカセットステーション２の搬送装置１１に適用していたが，インタフェイス部４のウェハ搬送体１５０にも適用してもよい。また，上記実施の形態の処理ステーション３では，ユニット同士が相対的に移動してウェハＷを搬送していたが，処理ステーション３に本発明の搬送装置１１を搭載し，その搬送装置１１によってユニット間の搬送を行うようにしてもよい。かかる場合，例えば図１２に示すように処理ステーション３の中央に搬送装置１１を配置し，その周囲に，ユニットが多段配置された複数のユニット群Ｇ１〜Ｇ５を配置してもよい。かかる場合，搬送装置１１の搬送アーム１７０，１７１が追い越し可能であるので，処理ステーション３内のユニット間における複数のウェハＷの搬送を効率的に行うことができる。また，本発明は，ウェハＷ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を搬送する搬送装置にも適用できる。
本発明は，基板を搬送する搬送装置において，複数の搬送アームの動作の自由度を上げる際に有用である。
基板の処理システムの構成の概略を示す平面図である。 図１の基板の処理システムの構成の概略を示す側面図である。 図１の基板の処理システムの構成の概略を示す背面図である。 第２のブロックの液処理ユニットの移動機構を示す説明図である。 第１〜第３のブロックのユニットの移動方向を示す説明図である。 搬送装置の構成の概略を示す斜視図である。 搬送装置の構成の概略を示す平面図である。 搬送アームのウェハ支持部の縦断面の説明図である。 追い越しの際の搬送アームの状態を示す搬送装置の平面図である。 搬送アーム間の追い越しの様子を説明する説明図である。 搬送アーム間の追い越しの様子を説明する説明図である。 搬送装置が搭載された他の基板の処理システムの構成の概略を示す平面図である。
符号の説明
１ 基板の処理システム
２ カセットステーション
１１ 搬送装置
１７０，１７１ 搬送アーム
１７２，１７３ 昇降軸
１７４ 回転台
１９０ ウェハ支持部
１９１ アーム部
Ｗ ウェハ

Claims (7)

  1. 基板を搬送する搬送装置であって，
    基板を支持し水平方向に搬送する複数の搬送アームを備え，
    前記複数の搬送アームは，平面から見て基板の搬送経路が重なるように上下方向に配置され，
    前記複数の搬送アームは，各々が独立して上下方向に移動可能で，かつ相互に追い越し可能に構成され，
    前記搬送アームは，基板を支持する基板支持部を備え，当該基板支持部を前記基板の搬送経路の前後方向に移動させて基板を搬送するものであり，
    一の搬送アームの基板支持部が前方に移動したときに，当該一の搬送アームの基板支持部の後方側に，他の搬送アームが上下方向に通過できる空間が形成されることを特徴とする，基板の搬送装置。
  2. 上下に隣接する基板支持部は，平面から見て互いに重なる位置に移動し，なおかつ上下動することにより互いにすれ違うことができるように構成されていることを特徴とする，請求項１に記載の基板の搬送装置。
  3. 前記基板支持部は，前後方向に延びる基部と，前記基部の側面から一方向に突出する複数の突出部を備え，
    前記複数の突出部は，前記基部の側面に間隔を空けて形成され，
    前記上下に隣接する基板支持部は，平面から見て前記突出部側が互いに向き合うように配置され，
    前記上下に隣接する基板支持部のすれ違いの際に，一方の基板支持部の突出部が他方の基板支持部の突出部間の隙間を通過することを特徴とする，請求項２に記載の基板の搬送装置。
  4. 前記各搬送アームは，搬送アームを上下動させる別個の昇降軸に取り付けられていることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の基板の搬送装置。
  5. 前記各搬送アームは，前記基板支持部と前記昇降軸を連接するアーム部を有し，
    前記アーム部は，平面から見て前記基板支持部が移動する前後方向に直角方向の外側に湾曲していることを特徴とする，請求項４に記載の基板の搬送装置。
  6. 前記搬送アームの各昇降軸は，上下方向の軸回りに回転自在な同じ回転台に取り付けられていることを特徴とする，請求項４又は５のいずれかに記載の基板の搬送装置。
  7. 前記回転台は，水平方向に移動可能であることを特徴とする，請求項６に記載の基板の搬送装置。
JP2005214609A 2005-07-25 2005-07-25 基板の搬送装置 Active JP4440178B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005214609A JP4440178B2 (ja) 2005-07-25 2005-07-25 基板の搬送装置
US11/484,566 US20070017560A1 (en) 2005-07-25 2006-07-12 Substrate carrier
TW095126024A TWI336915B (en) 2005-07-25 2006-07-17 Substrate transportation device
CNB2006101015940A CN100419985C (zh) 2005-07-25 2006-07-20 基板搬送装置
KR1020060068817A KR101115934B1 (ko) 2005-07-25 2006-07-24 기판의 반송 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005214609A JP4440178B2 (ja) 2005-07-25 2005-07-25 基板の搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007035792A JP2007035792A (ja) 2007-02-08
JP4440178B2 true JP4440178B2 (ja) 2010-03-24

Family

ID=37674366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005214609A Active JP4440178B2 (ja) 2005-07-25 2005-07-25 基板の搬送装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070017560A1 (ja)
JP (1) JP4440178B2 (ja)
KR (1) KR101115934B1 (ja)
CN (1) CN100419985C (ja)
TW (1) TWI336915B (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
KR100850436B1 (ko) 2007-06-20 2008-08-05 주식회사 싸이맥스 반도체 제조설비
KR100873328B1 (ko) * 2007-06-29 2008-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100836069B1 (ko) * 2007-06-29 2008-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2009049232A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100839570B1 (ko) 2007-12-31 2008-06-20 주식회사 인아텍 기판 이송방법 및 장치
KR101486243B1 (ko) * 2008-06-10 2015-01-27 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 반송 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 시스템
KR100885877B1 (ko) * 2008-07-11 2009-02-26 주식회사 인아텍 기판 이송장치
KR100978857B1 (ko) * 2008-07-16 2010-08-31 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 방법
US9254566B2 (en) 2009-03-13 2016-02-09 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot having end effector and method of operating the same
JP2012146748A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
US20140056679A1 (en) * 2011-04-15 2014-02-27 Tazmo Co., Ltd. Wafer exchange apparatus and wafer supporting hand
JP5488549B2 (ja) * 2011-08-16 2014-05-14 株式会社安川電機 ロボット制御システムおよびロボット制御方法
CN103802099A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种机械手机构
US9764465B2 (en) 2013-06-28 2017-09-19 Daihen Corporation Transfer apparatus
US9214369B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic pitch substrate lift
CN104647398B (zh) * 2015-01-12 2017-05-10 上海交通大学 用于果实采摘的协作式双机械臂
JP6468848B2 (ja) * 2015-01-13 2019-02-13 株式会社ディスコ 搬送装置
DE112018007820A5 (de) * 2018-07-10 2021-04-15 HELLA GmbH & Co. KGaA Arbeitsvorrichtung mit Unter-Tisch-Roboter
CN109277326B (zh) * 2018-08-29 2020-10-09 华农(潮州)食品研究院有限公司 一种真空检测装置
TWI734625B (zh) * 2020-10-06 2021-07-21 佳陞科技有限公司 多段式晶片標記方法及其裝置
WO2023074962A1 (ko) * 2021-10-29 2023-05-04 주식회사 라온테크 인-챔버 웨이퍼 이송 로봇

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0825151B2 (ja) * 1988-09-16 1996-03-13 東京応化工業株式会社 ハンドリングユニット
JP3173918B2 (ja) * 1993-05-18 2001-06-04 キヤノン株式会社 基板搬送ハンドおよびこれを備えた基板搬送装置
JP2901469B2 (ja) * 1993-09-06 1999-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置
JP3213748B2 (ja) * 1994-08-04 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JPH0870033A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のウェーハ移載機
US6366830B2 (en) * 1995-07-10 2002-04-02 Newport Corporation Self-teaching robot arm position method to compensate for support structure component alignment offset
US6062798A (en) * 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
US6155768A (en) * 1998-01-30 2000-12-05 Kensington Laboratories, Inc. Multiple link robot arm system implemented with offset end effectors to provide extended reach and enhanced throughput
JPH11227943A (ja) 1998-02-09 1999-08-24 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 基板移載装置
US6450755B1 (en) * 1998-07-10 2002-09-17 Equipe Technologies Dual arm substrate handling robot with a batch loader
JP2000195921A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
US6533531B1 (en) * 1998-12-29 2003-03-18 Asml Us, Inc. Device for handling wafers in microelectronic manufacturing
JP3437812B2 (ja) * 2000-02-07 2003-08-18 タツモ株式会社 基板搬送装置
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
JP4025069B2 (ja) * 2001-12-28 2007-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
US7891935B2 (en) * 2002-05-09 2011-02-22 Brooks Automation, Inc. Dual arm robot
JP4000036B2 (ja) * 2002-09-30 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
WO2004037436A1 (en) * 2002-10-23 2004-05-06 Fanuc Robotics America, Inc. Robotic apparatus for painting
JP2004152882A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Yaskawa Electric Corp 搬送装置およびそれを備えた処理装置
US6748293B1 (en) * 2003-03-24 2004-06-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for high speed object handling
JP4291709B2 (ja) * 2003-04-16 2009-07-08 株式会社ダイヘン 直線移動機構およびこれを用いた搬送ロボット

Also Published As

Publication number Publication date
TWI336915B (en) 2011-02-01
TW200715453A (en) 2007-04-16
US20070017560A1 (en) 2007-01-25
CN100419985C (zh) 2008-09-17
KR101115934B1 (ko) 2012-02-13
CN1905151A (zh) 2007-01-31
JP2007035792A (ja) 2007-02-08
KR20070013215A (ko) 2007-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4440178B2 (ja) 基板の搬送装置
JP3779393B2 (ja) 処理システム
JP4464993B2 (ja) 基板の処理システム
TWI523134B (zh) 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體
JP4887329B2 (ja) 基板処理システム
JP5274148B2 (ja) 処理システム
JPH1092733A (ja) 処理システム
JP2008258208A (ja) 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP3774283B2 (ja) 処理システム
TWI525739B (zh) 基板處理裝置
JP2013069874A (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4515331B2 (ja) 基板の処理システム
JP4665037B2 (ja) 基板処理システム
US7503710B2 (en) Substrate processing system
JP4880004B2 (ja) 基板処理システム
KR100856532B1 (ko) 처리장치
JP2001168009A (ja) 基板処理装置
JP4402011B2 (ja) 基板の処理システム及び基板の処理方法
JP4410152B2 (ja) 基板の処理システム
JP3878441B2 (ja) 基板処理装置
KR20100094361A (ko) 기판 처리 시스템
JP4401865B2 (ja) 基板搬送装置
KR20200026563A (ko) 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비
JP2013069873A (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TW202314797A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070601

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100106

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4440178

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250