TW202314797A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明旨在提供一種基板處理裝置，可提高處理量並實現省空間化。 本發明之基板處理裝置包含：搬入搬出區塊、在與搬入搬出區塊之間搬運基板，並設於搬入搬出區塊左右其中一側的處理站、設於處理站左右其中一側，並在與處理站之間搬運基板的中繼區塊、在左右方向上排列設置複數個以構成處理站，並各自包含：對基板進行處理的處理模組、以及對該處理模組傳遞該基板的主搬運機構的處理區塊、及有別於主搬運機構，為了在左右區塊間搬運基板而設於在左右方向上排列的各處理區塊的旁通搬運機構。藉由旁通搬運機構進行搬運的基板之搬運路徑亦即旁通搬運路徑，它們彼此的高度不同，且在俯視觀察下它們的一部分會互相重疊。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。

在半導體元件的製程中，半導體晶圓（以下，記載為晶圓）係藉由在各種處理模組間搬運而進行液體處理或加熱處理等各種處理。在專利文獻1中記載了一種包含處理區塊S2、S4的塗布顯影裝置，該處理區塊S2、S4各自具備：複數單位區塊，分別設有複數處理模組並互相疊層；及主臂部，為了在處理模組間搬運晶圓，而設於各單位區塊。處理區塊S2、S4係被載具區塊與曝光裝置所包夾，並且在處理區塊S2、S4間夾設有將晶圓進行升降搬運的區塊S3。又，在各處理區塊S2、S4下側的單位區塊中，設有不經由處理模組而搬運晶圓的穿梭臂，作為有別於主臂部的其他搬運機構。

利用處理區塊S2之穿梭臂而搬運至區塊S3的晶圓，在分配至處理區塊S2、S4上側的單位區塊後，回到區塊S3再利用處理區塊S4的穿梭臂搬運至曝光裝置。其後，當處理區塊S2、S4其中一者在進行處理時，以利用穿梭臂繞過未進行處理之區塊的處理模組的方式，搬運至載具區塊側。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2008-258208號公報

［發明所欲解決之問題］

本發明係提供一種技術，可針對基板處理裝置提高處理量，同時實現省空間化。 ［解決問題之技術手段］

本發明之基板處理裝置包含： 搬入搬出區塊，進行基板的搬入及搬出； 處理站，在與該搬入搬出區塊之間搬運該基板，並設於該搬入搬出區塊左右其中一側； 中繼區塊，設於該處理站左右其中一側，並在與該處理站之間搬運該基板； 處理區塊，在左右方向上排列設置複數個並構成該處理站，該等處理區塊各自具備：對該基板進行處理的處理模組、及對該處理模組傳遞該基板的主搬運機構；及 旁通搬運機構，有別於該主搬運機構，為了在左右方向上的區塊間搬運基板，而設於在該左右方向上並列的各處理區塊； 藉由該旁通搬運機構進行搬運的基板之搬運路徑亦即旁通搬運路徑，它們彼此的高度不同，且在俯視觀察下它們的一部分會互相重疊。 ［發明效果］

本發明可針對基板處理裝置提高處理量，同時實現省空間化。

〔第一實施態樣〕 分別參照圖1的橫剖面俯視圖、圖2及圖3的縱剖面前視圖，說明依本發明之第一實施態樣的基板處理裝置1。在圖2及圖3中係顯示裝置之不同位置的剖面。基板處理裝置1係將載具區塊D1、第一疊層處理區塊D2、第二疊層處理區塊D3及介面區塊D4，依此順序在橫向上直線狀地排列配置。又，對於該等區塊（載具區塊、第一及第二疊層處理區塊、介面區塊）D1～D4而言，相鄰者彼此互相連接。又，該等區塊D1～D4各自具備殼體而互相分隔，在各殼體的內部，形成有圓形之基板亦即晶圓W的搬運區域。

將區塊D1～D4的配置方向設為左右方向，並為了方便說明，將載具區塊D1側設為左側，介面區塊D4設為右側。又，關於裝置的前後方向，將載具區塊D1在左側時的前面設為前方，後面設為後方。在中繼區塊亦即介面區塊D4中，從右側連接有曝光機20。

在分別針對區塊D1～D4進行詳細說明前，先敘述基板處理裝置1的概略構成。在上述載具區塊D1中，係在收納有例如被稱為FOUP（Front Opening Unify Pod，前開式晶圓盒）之載具C的狀態下，搬運晶圓W，在該晶圓W的表面係形成有光阻膜。基板處理裝置1包含進行「液體處理亦即清洗處理及顯影處理、曝光後且顯影處理前的晶圓W之加熱處理（PEB：Post Exposure Bake，曝光後烘烤)等各種處理」的處理模組，又，在進行PEB前為了將光阻膜曝光而將晶圓W傳遞至曝光機20。

藉由第一疊層處理區塊D2及第二疊層處理區塊D3，構成進行包含液體處理之各種處理的處理站G。又，第一疊層處理區塊D2及第二疊層處理區塊D3，各自在縱方向上以分割為二的方式進行分隔，而分隔出的各者係成為處理區塊，並具備處理模組、及可對該處理模組進行傳遞之主搬運機構。將如上述般分隔為二的第一疊層處理區塊D2之下側、上側，分別設為處理區塊2A、處理區塊2B，將分隔為二的第二疊層處理區塊D3之下側、上側，分別設為處理區塊2C、處理區塊2D。

處理區塊2A、2C係互相鄰接，有時係將該等處理區塊2A、2C整合記載為下側處理區塊。又，處理區塊2B、2D係互相鄰接，有時係將該等處理區塊2B、2D整合記載為上側處理區塊，在圖1中係顯示該上側處理區塊。在此上側處理區塊亦即處理區塊2B、2D中，分別設置有別於主搬運機構的其他搬運機構（旁通搬運機構）。關於該其他搬運機構，在以下記載為搬運梭。該搬運梭係以未經由處理模組的方式，將晶圓W往搬運路徑下游側的區塊搬運。

下側處理區塊係形成「將晶圓W從載具區塊D1往介面區塊D4搬運」的去程。又上側處理區係形成「將在曝光機20完成曝光之晶圓W從介面區塊D4往載具區塊D1搬運」的回程。在該回程中，晶圓W係由處理區塊2B及2D中之其中一個處理區塊中的搬運機構搬運至處理模組並接受處理，並藉由搬運梭在其他處理區塊中進行搬運。亦即，作為回程具有兩個搬運路徑，晶圓W係在該兩個中的任一個路徑上受到搬運。又，所謂模組係指在搬運機構（包含搬運梭）以外的載置晶圓W之位置。將對晶圓W進行處理的模組如上述般記載為處理模組，但作為此處理亦包含為了檢查而取得影像之處理。

以下，針對各區塊進行說明。載具區塊D1係對收納晶圓W之載具C進行晶圓W之搬入及搬出的搬入搬出區塊。在構成載具區塊D1之殼體左側的側面，係在縱方向上排列設置有三個支持載具C的支持台，從下側起為支持台11、12、13。該支持台11～13係分別具備有四個在前後方向上排列的載具C之平台。支持台11、12各自前方側的兩個平台，係為了對裝置進行晶圓W之搬入搬出而載置載具C的平台14。其他平台，係基板處理裝置1的載具C搬入搬出用之平台，或是在無法移載至移載目的地時，使載具C暫時退避的平台，並顯示為平台15。設有在平台14、15間移載載具C的移載機構16。

在載具區塊D1殼體內的搬運區域17之前方側、後方側分別設有搬運機構18、19，再者，在俯視觀察下，模組疊層體T1係設置成被搬運機構18、19夾著。模組疊層體T1係由暫時放置晶圓W的傳遞模組TRS、及調整載置之晶圓W之溫度的溫度調整模組SCPL等在縱方向上疊層而構成。又，後述其他的模組疊層體亦為同樣構成。又，在本說明書中，當模組彼此在俯視觀察下為重疊時，即使互相分離亦為疊層體。

又，溫度調整模組SCPL可進行載置之晶圓W的溫度調整，並藉由搬運機構的升降動作而傳遞晶圓W。傳遞模組TRS具備例如在橫向上排列的複數銷部，並藉由搬運機構的升降動作而對該銷部傳遞晶圓W。TRS、SCPL在載具區塊D1以外的區塊中亦設為模組疊層體，在構成各模組疊層體的模組中，包含具有在區塊間傳遞晶圓W之作用者。又，在與搬運梭之間傳遞晶圓W的搬運梭用TRS與上述構成不同，可進行升降，關於細節會在之後與搬運梭一起敘述。又，以下為了互相區別各處的SCPL、TRS，係在SCPL、TRS之後附加數字來顯示。關於構成模組疊層體T1的模組，係從下側往上側顯示為TRS1、TRS2、SCPL1、TRS3、SCPL2。

SCPL1為了形成去程係位於下側處理區塊的高度，TRS3、SCPL2為了形成回程係位於上側處理區塊的高度。TRS1、TRS2係用於在搬運機構18、19間的晶圓W之傳遞。為了能夠在之後圖14所示之搬運路徑搬運晶圓W，搬運機構18可對TRS1、TRS2進行存取，搬運機構19可對TRS1～TRS3、SCPL1及搬運梭用TRS12B進行存取。又，在構成模組疊層體T1的模組間設有處理前檢查模組29，該處理前檢查模組29之一部分的部位，係突出至區塊之殼體的外部。處理前檢查模組29係為了檢查藉由基板處理裝置1進行處理前之晶圓W，而進行上述影像之取得。搬運機構18亦可對於該檢查模組29進行存取。

接著，參照縱剖面側視圖亦即圖4，說明第一疊層處理區塊D2（處理區塊2A、2B）。第一疊層處理區塊D2的前方側係藉由在縱方向上進行分隔而形成八個階層，關於各階層係從下側往上側設為E1～E8。下側的E1～E4階層係包含在處理區塊2A，而上側的E5～E8階層係包含在處理區塊2B。各階層為可設置液體處理模組的區域。

首先，針對處理區塊2B進行說明，在階層E5～E8分別設有對晶圓W供給顯影液的顯影模組21作為液體處理模組。又，在階層E5～E8的後方設有晶圓W的搬運區域22。此搬運區域22係從處理區塊2B的左端涵蓋到右端，並從階層E5的高度涵蓋到階層E8的高度，且在俯視觀察下形成為直線狀。在搬運區域22的後方，設有處理模組疊層體23，其藉由將處理模組例如在縱方向上疊層成七段而成，此處理模組疊層體23係在左右方向上隔著間隔而設有兩個。在該兩個處理模組疊層體23中，包含進行PEB的加熱模組24及處理後檢查模組25。處理後檢查模組25除了影像的取得對象為藉由裝置處理後之晶圓W以外，與處理前檢查模組29相同。

在處理區塊2B設有主搬運機構3B。主搬運機構3B包含：支柱31、本體部32、及固持晶圓W的固持部33。支持本體部32的支柱31，係在處理區塊2B之左右方向上的中央部，從該處理區塊2B的下端部往上端部在鉛直方向上延伸，並且位於被兩個處理模組疊層體23從左右夾住的位置。更詳而言之，係位於該兩個處理模組疊層體23之間之區域的前端側。又，多關節臂部亦即本體部32的基端側，係被支柱31前方側之側面所支持而設於搬運區域22，並沿著支柱31的延伸方向升降。如此使本體部32升降的機構係設於例如支柱31。本體部32前端側的腕部，係作為使兩個固持部33獨立進退的基座。

藉由主搬運機構3B，對位於處理區塊2B內的各處理模組、及設於與處理區塊2B鄰接之區塊的模組疊層體（T1及後述的T2）中與該處理區塊2B相同高度之模組，傳遞晶圓W。又，主搬運機構3B係設於該處理區塊2B，亦可對後述搬運梭用TRS傳遞晶圓W。

處理模組疊層體23的下方側，構成為分隔出的扁平之空間5B，空間5B係從處理區塊2B的左端涵蓋到右端而設置。上述支柱31係以嵌入的方式位於此空間5B之左右方向上的中心部之前端部。從而，空間5B之左右方向上的中心部之前端部，會往後方凹陷。搬運梭4B及該搬運梭用TRS12B、TRS12D係設於該空間5B。該等搬運梭及搬運梭用TRS會在之後詳述。

此外，以下所述之處理區塊2B以外的各處理區塊，除了後續說明的差異點以外，與該處理區塊2B為大致相同的構成。各處理區塊各自具備相當於主搬運機構3B的主搬運機構，作為此主搬運機構之符號，係賦予和該處理區塊所屬者相同之英文字而顯示，以代替「B」。具體而言，若為處理區塊「2A」，則其主搬運機構顯示為「3A」。又，相當於主搬運機構3B的其他主搬運機構，亦可對設有該主搬運機構之處理區塊內的處理模組及搬運梭用TRS、及該處理區塊內或是與該處理區塊在左右方向上鄰接之區塊的模組疊層體，傳遞晶圓W。

又，關於相當於上述空間5B的可設置搬運梭之空間的符號，係賦予和處理區塊所屬之英文字相同之英文字而顯示，以代替「B」。再者，在搬運梭設於處理區塊的情況下，作為該搬運梭的符號，亦賦予和該處理區塊所屬之英文字相同之英文字而顯示。又，關於搬運梭用TRS，係賦予和設置搬運梭之處理區塊相同之英文字，並且對成為搬運起點的TRS在英文字前附加11而顯示，對成為搬運目的地的TRS在英文字前附加12而顯示。又，關於藉由搬運梭所進行搬運的晶圓W之搬運路徑，係在數字40後附加和搬運梭所屬之英文字相同之英文字而顯示。若要對以上的符號規則舉出具體例，則係將設於後述處理區塊2D的搬運梭顯示為4D。又，將此搬運梭4D的搬運起點、搬運目的地的TRS分別顯示為TRS11D、TRS12D，並將藉由搬運梭4D進行搬運之晶圓W的搬運路徑顯示為40D，將設置搬運梭4D的空間顯示為5D。

回到處理區塊之構成的說明，參照圖4說明處理區塊2B下側的處理區塊2A。作為與處理區塊2B的差異點，可舉例：在各階層E1～E4設置對晶圓W之背面供給清洗液而進行清洗的背面清洗模組26作為液體處理模組、及搬運區域22係涵蓋階層E1～E4的高度而設置。又，作為構成處理模組疊層體23的處理模組，包含用於使晶圓W周緣部之不必要的光阻膜在顯影時受到去除的周緣曝光模組27。又，在處理區塊2A中係在處理模組疊層體23的上方側設置空間5A，以代替在下方側設置，但在本例中並未在該空間5A設置搬運梭。如此，空間與處理模組疊層體23之上下方向上的位置關係會與處理區塊2B不同，但在處理區塊2A中，亦在被兩個處理模組疊層體23夾住的位置，設有主搬運機構3A的支柱31。又，俯視觀察下的處理模組疊層體23、主搬運機構3A、搬運區域22、液體處理模組的配置，係與處理區塊2B的配置相同。

接著，參照圖1～圖3說明裝置右側之形成各處理區塊的第二疊層處理區塊D3（處理區塊2C、2D）。該第二疊層處理區塊D3與第一疊層處理區塊D2為大致相同的構成，故以和第一疊層處理區塊D2之差異點為中心進行說明。首先，說明上側的處理區塊2D，關於搬運區域22、處理模組疊層體23、主搬運機構及疊層於處理模組之搬運梭設置用的空間之位置關係，係與處理區塊2B相同。又，搭載於處理區塊2D的處理模組，係與處理區塊2B的處理模組相同。又，處理區塊2D中的搬運梭用之空間5D，係位於和空間5B相同的高度並且和空間5B連通。在該空間5D中，設有搬運梭4D、搬運梭用TRS11B、11D。

又，關於下側的處理區塊2C，係和同為下側的處理區塊2A大致相同的構成，若要舉出差異點，可舉例：在階層E1～E4中設有曝光後清洗模組28，其在藉由曝光機20進行曝光後，對晶圓W之表面供給清洗液而進行清洗。又，在處理區塊2C中並未進行該清洗以外的處理，故未設置有處理模組疊層體23。又，空間5C係位於和空間5A相同的高度而和空間5A連通，但在本例中並未在此空間5C設置搬運梭。

此外，在第二疊層處理區塊D3之搬運區域22的左端部，設有模組疊層體T2，模組疊層體T2係位於在俯視觀察下其一部分會跨設於第一疊層處理區塊D2之搬運區域22之右端部的位置。在模組疊層體T2中，包含位於下側處理區塊之高度的TRS4、及位於上側處理區塊之高度的SCPL3。

說明介面區塊D4。介面區塊D4在前後方向的中央部具備模組疊層體T3。在此模組疊層體T3中，包含互相疊層的TRS5～TRS8、溫度調整模組ICPL。ICPL係在即將藉由曝光機20所進行之曝光前，與SCPL同樣地調整晶圓W的溫度。TRS5～TRS7係設於下側處理區塊的高度，TRS8係設於上側處理區塊的高度。在模組疊層體T3的前方及後方，分別設有搬運機構34、35。搬運機構34係在曝光機20、TRS5及位於模組疊層體T3中較下方的ICPL之間，傳遞晶圓W。搬運機構35係對構成模組疊層體T3的各模組、及處理區塊2D的搬運梭用TRS11D，進行晶圓W之傳遞。

接著，說明搬運梭4B、4D及搬運梭用TRS11B、12B、11D、12D。如上所述，藉由使用搬運梭4B、4D，而在晶圓W的回程中包含兩個搬運路徑。在其中一個搬運路徑中，晶圓W係從介面區塊D4被搬運至處理區塊2D並於該處理區塊2D進行處理後，藉由搬運梭4B從TRS11B搬運至處理區塊2B的TRS12B，再回到載具區塊D1。在另一個搬運路徑中，從介面區塊D4被搬運至處理區塊2D之TRS11D的晶圓W，係藉由搬運梭4D搬運至處理區塊2B的TRS12D，並於該處理區塊2B進行處理，再回到載具區塊D1。

如圖1所示，搬運梭4B用的TRS11B、12B中，關於搬運目的地的TRS12B，係設於空間5B的左端部，亦即相對於主搬運機構3B的支柱31設於左方，而可在與載具區塊D1的搬運機構19之間，進行晶圓W的傳遞。又，關於搬運起點的TRS11B，係相對於主搬運機構3D的支柱31位於左方且位於比模組疊層體T2更右方，而可進行與主搬運機構3D之間的晶圓W之傳遞，並可防止因搬運梭4B而造成的搬運區域大型化。搬運梭4D用的TRS11D、12D中，關於搬運起點的TRS11D，係設於空間5D的右端部，亦即相對於主搬運機構3D的支柱31設於右方，而可在與介面區塊D4的搬運機構35之間進行晶圓W之傳遞。關於搬運目的地的TRS12D，係相對於該主搬運機構3B的支柱31位於右方且位於比模組疊層體T2更左方，而可進行與主搬運機構3B之間的晶圓W之傳遞，並可防止因搬運梭4D而造成的搬運區域大型化。

又，關於該等搬運梭用的TRS11B、12B、11D、12D，為了能夠進行藉由搬運梭以外之各搬運機構所進行之晶圓W的傳遞，均設於空間5B或是5D中的靠近前方的位置。從而，在俯視觀察下，主搬運機構3B的支柱31係位於將TRS11B與TRS12B連結的直線上，在俯視觀察下，主搬運機構3D的支柱31係位於將TRS11D與TRS12D連結的直線上。

因此，搬運梭4B係以繞過主搬運機構3B之支柱31的方式，將晶圓W從TRS11B搬運至TRS12B，搬運梭4D係以繞過主搬運機構3D之支柱31的方式，將晶圓W從TRS11D搬運至TRS12D。從而，藉由搬運梭4B進行搬運的晶圓W之搬運路徑40B、及藉由搬運梭4D進行搬運的晶圓W之搬運路徑40D，係形成除了左右方向的移動路徑之外亦包含前後方向之移動路徑的迂迴路徑。又，該等搬運路徑40B、40D分別為水平的搬運路徑，在圖1中分別以點線的箭頭、及兩點鏈線的箭頭來表示。

上述搬運路徑40B、40D，係藉由旁通搬運機構亦即搬運梭4B、4D而進行搬運的旁通搬運路徑。又，搬運梭用的基板載置部亦即TRS11B、12B係負責在與搬運梭4B之間傳遞晶圓W，並分別位於搬運路徑40B之長度方向的一端部及另一端部。同樣地，搬運梭用的基板載置部亦即TRS11D、12D係負責在與搬運梭4D之間傳遞晶圓W，並分別位於搬運路徑40D之長度方向的一端部及另一端部。

以下，說明搬運梭4B的構成概要。搬運梭4B包含：基體41、中間移動體61及晶圓搬運部71，該等三個構件係在左右方向上相對移動。基體41係在空間5B靠近後方的位置於左右方向上延伸的長條狀構件，並被固定於該位置而設置。從而，在處理區塊2B，基體41係相對於處理模組疊層體23及液體處理模組而固定位置。中間移動體61係設於基體41的前方側，並在左右方向上延伸的長條狀構件。晶圓搬運部71係設於中間移動體61的前方側，並支持晶圓W而進行搬運。

中間移動體61係可相對於基體41在左右方向上水平移動的移動體。晶圓搬運部71可相對於中間移動體61在左右方向且在前後方向上水平移動。中間移動體61的往左方移動與晶圓搬運部71的往左方移動係同時進行，中間移動體61的往右方移動與晶圓搬運部71的往右方移動係同時進行。又，晶圓搬運部71之前後方向的位置會根據晶圓搬運部71相對於左右方向上的位置而變化，藉此進行上述在TRS11B、TRS12B間的晶圓W之搬運。中間移動體61的移動及晶圓搬運部71的移動，均以設於基體41之馬達42作為動力源而進行。

以下，參照圖5的俯視圖及圖6的概略立體圖，詳細說明搬運梭4B各部之構成。在圖5及圖6中，係將基體41及中間移動體61之頂部側切開，而顯示內部。基體41具備四角型且在左右方向上為長條狀的殼體43，並以從該殼體43之左端部往後方突出的方式設有馬達42。在殼體43內之後端側的左端部及右端部分別設有滑輪44、45。滑輪44、45可繞著在前後方向延伸之水平軸轉動，在該等滑輪44、45掛設有無端的皮帶46。滑輪44係與馬達42連接，並藉由該馬達42經由滑輪44、45而使皮帶46轉動。

在殼體43內，在比設置皮帶46的位置更前方側，設有在左右方向上以直線狀延伸的導軌47、48。導軌47、48係設置成在前後方向上隔著間隔而互相並行，導軌47係設於殼體43之前後方向的中央部，導軌48係設於殼體43靠近前方的位置。又，在殼體43內設有滑件51，該滑件51包含：成為四角型之平台的本體部51A、及從本體部51A往後方突出的連接部51B。本體部51A係與導軌47、48連接，該連接部51B係與皮帶46連接。又，藉由上述皮帶46的轉動，該滑件51會沿著導軌47、48而在左右方向上水平移動。又，如此將兩個與滑件51連接的導軌設於上述之位置的原因在於，對於在前方側支持中間移動體61及晶圓搬運部71的基體41確保其高剛性並抑制形變，以將晶圓W更確實地搬運至所期望的位置。

在殼體43前方側的側面，形成有在左右方向上延伸並在殼體43內形成開口的狹縫49，滑件51之本體部51A的前方側，係經由該狹縫49而突出至殼體43的外部。又，在殼體43內，於左端側的前後及右端側的前後共計四個位置，設有可繞著鉛直軸轉動的滾子52。在各滾子52掛設有密封皮帶53，並且密封皮帶53的一端及另一端係分別與本體部51A的左端及右端連接。藉此，狹縫49中的本體部51A所位在之位置以外的位置，係藉由該密封皮帶53而從殼體43的內側封住。又，在俯視觀察下，密封皮帶53在殼體43內之後方側於左右方向上延伸的部位，會與滑件51的連接部51B重疊，故為了不互相干擾，連接部51B係位於比密封皮帶53更下方。

又，在殼體43內的左端部及右端部，設有可繞著鉛直軸轉動的滾子54。在此兩個滾子54從前方掛設有皮帶55，該皮帶55係在兩個滾子54間與導軌47、48並行，並位於滑件51的本體部51A上方。又，皮帶55的一端及另一端，係與設於各滾子54後方的固定構件56連接，藉此固定於殼體43內。

在本體部51A的後部上，可各自繞著鉛直軸轉動的滑輪57、58，係依此順序往上方疊層設置，該滑輪57、58會連動。亦即，滑輪57、58中，若其中一者轉動則另一者亦會轉動。在滑輪58上連接有上述皮帶55，如上所述，由於滑件51會在左右方向上移動，故滑輪58會在皮帶55上滾動，藉此使滑輪57轉動。又，在本體部51A的前部上，兩個可各自繞著鉛直軸轉動的滑輪59，係在左右方向上分開設置，而相對於滑輪57、58分別位於左側、右側。滑輪57、58係設於殼體43的內側，滑輪59係設於殼體43的外側。

接著，說明中間移動體61。中間移動體61具備四角型的殼體62，上述滑件51中的本體部51A前方側會經由殼體62後方側的開口部而進入殼體62內，並固定於該殼體62。又，殼體62前方側形成有開口。此開口係為了以下作用而形成：在晶圓搬運部71進行前後移動時，可使該晶圓搬運部71及晶圓W進入殼體62內，而使殼體62不會對該前後移動造成干擾。

在殼體62內的前端部設有在左右方向上直線狀地延伸的導軌69，滑件63係與該導軌69連接。在殼體62內的四個角附近，設有可繞著鉛直軸轉動的滑輪60。又，在該滑輪60及上述滑件51上的滑輪57、59掛設有無端的皮帶64，滑件63的後部側係與該皮帶64連接。藉由以上述方式構成，當如上述般滑件51上的滑輪57轉動，皮帶64會轉動，而使滑件63沿著導軌69在左右方向上水平移動。在此可於左右方向上移動的移動體亦即滑件63的頂部，形成有往前後方向延伸的溝65。溝65係與後述導軌74成為配對的引導部。

在殼體62內的導軌69後方，於俯視觀察下被皮帶64包圍之位置上，設有彎曲軌條66。彎曲軌條66係以在殼體62內的左端部與右端部之間於左右方向上延伸的方式形成的軌條，但因為彎曲其一部分會在前後方向上延伸。更詳而言之，若要描述彎曲軌條66的形狀，則在左右方向上延伸的直線狀之導軌的左端部及右端部，會以往前方同時分別往左側及右側的方式彎曲。又，如此彎曲的左端部中的前端側、及右端部的前端側，會以進一步分別往左側及右側的方式彎曲。如此，在共計四個位置彎曲的彎曲軌條66，係呈左右對稱的形狀。又，在彎曲軌條66的頂面，係沿著該彎曲軌條66之伸長方向而形成有引導用溝67。

接著，參照圖7的頂面側立體圖、圖8的底面側立體圖，說明晶圓搬運部71。晶圓搬運部71包含：水平的四角板狀之晶圓支持體（基板支持體）72、及從晶圓支持體72的背面側往後方延伸的臂部73。晶圓支持體72的前後寬度係小於晶圓W的直徑，晶圓W係以該晶圓W之周緣部在晶圓支持體72之前後方向上突出的方式，載置於該晶圓支持體72上（參照圖5）。

在臂部73的背面設有導軌74及滾子75。導軌74係形成為從臂部73之前端部（前端部）往基端側在前後方向上直線狀地延伸。滾子75係位於從導軌74往後方分離的位置，並可繞著鉛直軸轉動。導軌74係位於滑件63的溝65內，並可相對於該溝65在前後方向上滑動。又，滾子75係位於彎曲軌條66的引導用溝67內，而可在該引導用溝67的側壁滾動。如此，臂部73係作為經由滾子75而與彎曲軌條66連接的連接部。

藉由以上構成，隨著滑件63的左右移動，臂部73係以其基端部位於彎曲軌條66上的方式在左右方向上移動。亦即，支持晶圓W的晶圓支持體72，可透過臂部73而沿著彎曲軌條66的形狀移動，並在圖1所示的搬運路徑40B上搬運晶圓W。

接著，說明圖5、圖6所示之藉由搬運梭4B進行搬運的晶圓W之搬運目的地亦即TRS12B。TRS12B包含本體部77及升降機構78（僅圖2顯示），藉由升降機構78而使本體部77在上方位置與下方位置之間，於鉛直方向上升降。本體部77包含：銷部支持體77A，在俯視觀察下形成為朝右側開口之凹部；及三根銷部77B，設於該銷部支持體77A上。銷部支持體77A位於搬運路徑40B的下方側，各銷部77B係在鉛直方向上延伸並互相隔著間隔而配置。藉由升降機構78，可使本體部77相對於搬運路徑40B而升降，藉此銷部77B會支持如上述般在俯視觀察下於搬運梭4B之晶圓支持體72的前後方向上突出之晶圓W的周緣部，並在該晶圓支持體72與TRS12B之間傳遞晶圓W。

另外，升降機構78包含例如汽缸及馬達等例如設於該本體部77的下方側，以不干擾搬運梭4B之中間移動體61及晶圓搬運部71、及TRS12B之本體部77。又，關於TRS11B，在本例中，除了俯視觀察下的本體部77所形成之凹部的開口之方向係朝向左方之外，與TRS12B為相同之構成。由於如上述般藉由搬運梭4B所進行搬運之搬運路徑40B為水平，故TRS11B、TRS12B係設於相同高度。

參照圖9、圖10及已述之圖5，更詳細地敘述藉由搬運梭4B所進行之晶圓W的搬運。圖9係支持晶圓W的TRS11B之本體部77剛從上方位置移動至下方位置，而使晶圓搬運部71承接到晶圓W，亦即正要往TRS12B進行搬運前的狀態。圖10係往TRS12B搬運晶圓W中的狀態。又，圖5係TRS12B之本體部77正要移動至上方位置而承接晶圓W前的狀態，亦即朝TRS12B的晶圓W之搬運結束時的狀態。

從圖9所示之與TRS11B重疊的位置（對於TRS11B的傳遞位置，搬運開始位置）往左方移動之晶圓W，在其移動途中，會成為往左方移動同時往後方移動的狀態。然後，往後方的移動會停止，成為僅往左方的移動，而通過支柱31的後方（圖10）。又，當進一步往左方移動時，會成為往左方移動同時往前方移動的狀態，然後，往前方的移動會停止，成為僅往左方的移動，而移動至與TRS12B重疊的位置（對於TRS12B的傳遞位置，搬運結束位置）（圖5）。在藉由TRS12B的升降動作而使晶圓W被TRS12B承接之後，晶圓搬運部71係以和朝TRS12B移動時相反的路徑回到TRS11B，並從TRS11B承接新的晶圓W。

如圖9所示，在對TRS11B進行晶圓W的傳遞時，中間移動體61的右端係位於比基體41的右端更右側，並且晶圓搬運部71的右端係於位於比中間移動體61的右端更右側。如圖5所示，在對TRS12B進行晶圓W的傳遞時，中間移動體61的左端係位於比基體41的左端更左側，並且晶圓搬運部71的左端係位於比中間移動體61的左端更左側。如此，藉由使中間移動體61、晶圓搬運部71各自移動，可使能搬運晶圓W之區域的左右長度增加，並且實現搬運梭4B的小型化進而實現基板處理裝置1的小型化。

又，如到目前為止所述般，藉由搬運梭4B所進行的晶圓W之搬運，係在設於前後方向的複數構件（基體41、中間移動體61、晶圓搬運部71）改變彼此相對的左右方向之位置的情況下進行。藉由如此改變構件彼此的左右之相對位置，TRS11B、TRS12B及搬運梭4B難以互相干擾。該等TRS11B、TRS12B的配置，有助於提高設計的自由度，亦可提高各銷部77B之配置的自由度。又，銷部77B亦可設置三個以上。

接著，參照圖11、圖12，說明如上述般晶圓搬運部71從搬運開始位置移動至搬運結束位置時的速度控制，亦即使晶圓搬運部71移動之馬達42的動作控制之例子。圖11係顯示上述移動中的晶圓搬運部71在左右方向上的移動速度之變化的圖表。圖12係顯示上述移動中的在彎曲軌條66之各位置中的晶圓搬運部71。然而，在圖12中，為了使晶圓搬運部71對應於圖11之圖表中的橫軸所附加之時刻t1～t8，係賦予和該時刻t1～t8相同的符號而顯示。又，圖12中，係省略時刻t4、t5中的晶圓搬運部71之圖示，又，亦省略顯示被晶圓搬運部71所支持的晶圓W。為了方便說明，將從搬運開始位置到搬運結束位置為止的彎曲軌條66中的四個彎曲部，依序設為66A、66B、66C、66D。

從靜止在搬運開始位置之狀態往左方開始移動（時刻t1），往左方的移動速度會持續上升。當晶圓搬運部71的臂部73到達彎曲部66A時，該移動速度上升會停止（時刻t2），並以一定的速度往左方移動。當臂部73到達彎曲部66B時，晶圓搬運部71往左方的移動速度會再度開始上升（時刻t3），然後，該移動速度的上升會止而成為一定的速度（時刻t4）。其後，在臂部73快要到達彎曲部66C之前，晶圓搬運部71往左方的移動速度會下降（時刻t5），當臂部73到達彎曲部66C時，晶圓搬運部71往左方的移動速度之下降會停止，而成為一定的速度（時刻t6）。然後，當臂部73到達彎曲部66D時，晶圓搬運部71往左方的移動速度會下降，當晶圓搬運部71到達搬運結束位置便停止移動（時刻t7）。

如此根據彎曲部66A～66D的位置，而控制晶圓搬運部71之左右方向的移動速度。更詳而言之，將晶圓W的搬運路徑40B中，藉由臂部73之基端部從彎曲部66A移動至彎曲部66B而形成的區域、及藉由臂部73之基端部從彎曲部66C移動至彎曲部66D而形成的區域（亦即，晶圓W除了左右方向之外亦在前後方向上移動的區域）設為第一區域。又，將搬運路徑40B中藉由臂部73之基端部從彎曲部66B移動至彎曲部66C而形成，並被兩個上述第一區域所包夾的區域（亦即，晶圓W僅在左右方向上移動的區域）設為第二區域。

如上所詳述，晶圓W之左右方向的移動速度，係控制成各第一區域小於第二區域。此原因在於，進行前後移動及左右移動的第一區域中，因各方向之移動而產生的向量之合計向量會作用於晶圓W。亦即，假設使晶圓W在第一區域及第二區域等速移動，則在第一區域中，晶圓W會被施加較大的力。從而，為了更確實防止在該第一區域中，產生晶圓W相對於晶圓搬運部71的偏移或脫離，係將左右方向的移動速度設為第二區域＞第一區域。從另一個角度來看，藉由使不包含前後移動之第二區域中的晶圓W之左右方向的速度增加，可實現處理量的提高。

又，當晶圓搬運部71要回到TRS11B側的搬運開始位置時，由於沒有支持的晶圓W的，故可和前往TRS12B側之搬運結束位置時同樣地進行使左右方向上之移動速度階段性變化的控制，亦可不進行如此之控制。亦即，從對TRS12B傳遞晶圓W的搬運結束位置，將速度提高之後，停止速度上升而以速度一定的狀態移動，並在接近對TRS11B傳遞晶圓W的搬運開始位置進行減速。亦即，若如圖11所示般以速度變化的圖表來表示，則以使圖表描繪梯形的方式控制速度變化。亦即，亦可使速度變化的段數少於將晶圓W搬運至TRS12B時，而實現處理量的提高。

接著，說明處理區塊2D的搬運梭4D，該搬運梭4D除了配合TRS11D、12D的配置而導致中間移動體61相對於基體41的左右方向之連接位置不同之外，與搬運梭4B為相同的構成，並與搬運梭4B進行相同的速度控制。TRS11D、TRS12D亦分別與TRS11B、12B為相同的構成，具備銷部77B的本體部77，係藉由升降機構78而相對於搬運路徑40D升降。

參照俯視圖亦即圖13，說明搬運梭4B的搬運路徑40B、搬運梭4D的搬運路徑40D之位置關係。如至目前為止所述之各搬運梭用TRS的配置所示，搬運路徑40B、40D均從處理區塊2B的空間5B涵蓋至處理區塊2D的空間5D而設置。為了使搬運路徑40B、40D間不會互相干擾，搬運梭4B、TRS11B及TRS12B此組、與搬運梭4D、TRS11D及TRS12D此組，係在縱方向（垂直方向）上設於互相錯開的位置（參照圖2、圖4）。亦即，搬運路徑40B、40D彼此的高度不同。又，如圖13所示，搬運路徑40B的右端部與搬運路徑40D的左端部，係在俯視觀察下重疊。另外，本例中，搬運路徑40B係設在上側，搬運路徑40D係設在下側，但亦可係相反的配置。

此外，基板處理裝置1包含控制部10（參照圖1）。此控制部10係由電腦構成，並包含程式、記憶體及CPU。程式中，內建有步驟群，而可實施基板處理裝置1中的一連串動作。又，控制部10係藉由該程式而對基板處理裝置1之各部輸出控制訊號，以控制該各部的動作。具體而言，係控制主搬運機構3A～3D、搬運梭4B、4D及各處理模組的動作。藉此，進行後述晶圓W的搬運及晶圓W的處理。又，搬運梭4B、4D的動作控制亦包含以圖11進行說明的速度控制。又，在控制部10所進行的模組動作之控制中，亦包含基於從各檢查模組傳輸之影像資料而實施異常判斷。上述程式係儲存於例如光碟、硬碟、DVD等記憶媒體，而安裝至控制部10。

接著，參照顯示搬運路徑之概略的圖14，說明基板處理裝置1中的晶圓W之處理及搬運。在圖14中，係在表示模組間之晶圓W搬運的一部分的箭頭上或是箭頭附近，顯示用於該搬運的搬運機構。又，本例中，係從支持台11上的載具C搬出晶圓W，並使處理完畢的晶圓W回到支持台12上的載具C。

首先，藉由搬運機構18從支持台11的載具C搬出晶圓W，並以處理前檢查模組29→搬運機構18→TRS1→搬運機構19→SCPL1的順序，在載具區塊D1內進行搬運。然後，晶圓W係以主搬運機構3A→背面清洗模組26→主搬運機構3A→周緣曝光模組27→主搬運機構3A→TRS4→主搬運機構3C的順序，在下側處理區塊內進行搬運，再搬運至介面區塊D4的TRS。又，晶圓W係以搬運機構35→ICPL→搬運機構34→曝光機20→搬運機構34→TRS6→主搬運機構3C→曝光後清洗模組28→主搬運機構3C→TRS7→搬運機構35的順序進行搬運，並在介面區塊D4、曝光機20及處理區塊2C之間進行傳遞。

其後的晶圓W之搬運路徑，係如上述般分為：在處理區塊2D進行處理的路徑（其中一個搬運路徑）、及在處理區塊2B進行處理的路徑（另一個搬運路徑）。接著，說明其中一個搬運路徑，介面區塊D4的搬運機構35係將晶圓W搬運至TRS8，並藉由主搬運機構3D使晶圓W進入處理區塊2D。又，晶圓W係以加熱模組24→SCPL3→顯影模組21→處理後檢查模組25→主搬運機構3D的順序進行搬運，以進行沿著曝光機20中的曝光圖案之圖案遮罩的形成及檢查。其後，晶圓W係如以圖5、圖9及圖10所說明過般，以TRS11B→搬運梭4B→TRS12B的順序進行搬運，載具區塊D1的搬運機構19會承接該晶圓W，並搬運至模組疊層體T1的TRS2。

接著，說明另一個搬運路徑，晶圓W係以搬運機構35→TRS11D→搬運梭4D→TRS12D→主搬運機構3B的順序進行搬運，而使晶圓W進入處理區塊2B。又，該晶圓W係藉由主搬運機構3B，以加熱模組24→SCPL2→顯影模組21→處理後檢查模組25的順序進行搬運，在與搬運至處理區塊2D之晶圓W同樣地進行處理後，搬運至載具區塊D1的TRS3。接著，晶圓W係藉由搬運機構19搬運至TRS2。該等兩個搬運路徑中，搬運至TRS2的晶圓W，係藉由搬運機構18搬運回支持台12上的載具C。

藉由如以上所述般構成基板處理裝置1並進行搬運，處理區塊2B的主搬運機構3B及處理區塊2D的主搬運機構3D，並不需要將「未在分別設有主搬運機構3B、3D之區塊中接受處理的晶圓W」往載具區塊D1側進行搬運。亦即，可降低主搬運機構3B、3D各自的負載，更具體而言可降低區塊內必要搬運步驟的數量。在處理區塊2B及處理區塊2D中分別如上述般設有多數模組，但藉由如此降低負載，主搬運機構3B、3D可對各模組迅速地進行存取而承接晶圓W，並將該晶圓W搬運至下游側的模組。亦即，對於基板處理裝置1而言，可藉由多數的處理模組處理晶圓W，且在模組間迅速地搬運晶圓W。從而，依該基板處理裝置1，可提高處理量。

又，為了使主搬運機構3B、3D各自不需橫跨在左右方向上排列的區塊而移動，係在處理區塊2B、2D分別設置有別於主搬運機構3B、3D的搬運梭4B、4D。該搬運梭4B的搬運路徑40B係往處理區塊2D突出，該搬運梭4D的搬運路徑40D係往處理區塊2B突出。又，如此涵蓋在左右方向上鄰接之各區塊而設置的搬運路徑40B、40D，高度係彼此錯開，由於彼此不會交叉，故搬運梭4B的搬運及搬運梭4D的搬運可彼此獨立進行。更詳而言之，在藉由4A、4B中的其中一個搬運梭所進行的搬運中，無需為了避免與該其中一個搬運梭互相干擾，而使藉由另一個搬運梭所進行的搬運停止。從而，可更確實地提高基板處理裝置1的處理量。又，由於如此高度錯開的搬運路徑40B、40D在俯視觀察下為重疊，故可防止基板處理裝置1的前後寬度增加，並可降低基板處理裝置1的佔地面積，而實現省空間化。

此外，為了不對無塵室的頂棚造成干擾，必須設定基板處理裝置1的高度。另一方面，顯影模組21等液體處理模組由於具備收納晶圓W的杯體（不圖示）故高度較高。然而，在基板處理裝置1中，如上所述，搬運梭4B、4D係和進行與液體處理不同種類之處理的處理模組疊層體23重疊層置。因此，可在受限的裝置之高度中，使設置液體處理模組的階層之數量增加，且可充分確保搬運區域22的高度，而可對於各階層傳遞晶圓W。從而，依基板處理裝置1，可更確實地提高晶圓W的處理量。

再者，搬運梭4B、4D相對於上側處理區塊中的處理模組疊層體23係位於下方，亦即，位於下側處理區塊側的高度。也就是，相對於處理模組疊層體23，在上側處理區塊及下側處理區塊中，從下方與設有搬運梭用之旁通搬運路徑之區塊連接的區塊側，設置搬運梭4B、4D。假使，搬運梭4B、4D係設於上側處理區塊中的較高之位置，搬運梭4B、4D用的各TRS亦會設於較高之位置。該情況下，吾人認為對於分別對TRS12B、TRS11D傳遞晶圓W的搬運機構19、35而言，必須移動至比構成模組疊層體T1、T3之各模組的位置更上方的位置。亦即，如上述般將搬運梭4B、4D相對於處理模組疊層體23而設於下側處理區塊側的高度，可抑制搬運機構19、35的升降量。從而，該搬運梭4B、4D的配置可有助於更確實地提高處理量。

又，搬運梭4B的搬運路徑40B及搬運梭4D的搬運路徑40D，如上所述，分別繞過主搬運機構3B、3D的支柱31。一般認為該等搬運路徑40B、40D，不應為如此迂迴的路徑而係以通過支柱31後方側的方式設成直線狀，同時使搬運梭以外的搬運機構之往橫向的移動量增加，而在與搬運梭4B、4D之間傳遞晶圓W。然而，在如此之構成中，會導致基板處理裝置1的佔地面積變大。從而，藉此使搬運路徑40B、40D成為如上述般繞過支柱31的路徑，可防止基板處理裝置1的大型化。又，從另一個角度來看，藉由形成使搬運梭4B、4D如此繞過支柱31的路徑，便無須使支柱31與處理模組疊層體23在前後方向上的位置錯開。因此，可抑制基板處理裝置1之前後寬度的增加，而可防止基板處理裝置1的大型化。

又，搬運梭4B、4D係如上述般可使基體41、中間移動體61及晶圓搬運部71的左右之相對位置變化的構成。藉由如此使相對位置變化，可使搬運梭4B、4D分別處於該等構件（基體41、中間移動體61、晶圓搬運部71）收納於處理區塊2B、2D的狀態。從而，當在裝置的製造工廠中組裝完處理區塊2B、處理區塊2D後，輸送至設置基板處理裝置1之無塵室時，可使處理區塊2B、處理區塊2D各自的左右寬度變小。因此，可簡化此輸送時的手續及輸送用的設備。又，如此將搬運梭4B、4D分別收納於處理區塊2B、2D而進行輸送，有助於在輸送目的地迅速地將裝置組裝而可進行運轉。

又，中間移動體61及晶圓搬運部71的移動係以設於基體41的馬達42作為共通的驅動源。由於如此使驅動源共通，故可實現製造成本的降低及裝置構成的簡化。此外，搬運梭4B、4D係如上述般使晶圓搬運部71之臂部73沿著彎曲軌條66而移動的構成。藉由該構成，可將上述驅動源亦即馬達42的驅動力傳送至臂部73來進行左右移動及前後移動，而不用分別設置該臂部73之左右移動用、前後移動用的驅動源。從此點來看，亦可避免裝置構成的複雜化，並可防止製造成本的上升，因此非常有利。

又，由於為「在用於控制臂部73之移動軌跡的彎曲軌條66前方側（晶圓支持體72所位在之側）設有滑件63，臂部73係被支持在此滑件63上，同時沿著臂部73的導軌74而移動」之構成，故臂部73係在晶圓支持體72附近受到支持。因此，除了可抑制因臂部73本身的重量及晶圓W的重量所造成之臂部73的負載增大，及抑制構成搬運梭4B、4D之各零件的劣化之外，亦可抑制臂部73動作的震動。從而，藉由該構成可將晶圓W高精度地搬運至搬運目的地之所期望的位置。

此外，搬運梭用TRS11D亦可配置於介面區塊D4，並使搬運梭4D從介面區塊D4通過處理區塊2D，而往處理區塊2B的TRS11D進行搬運。又，搬運梭用TRS12B亦可配置於載具區塊D1，並使搬運梭4B從處理區塊2D的TRS11B通過處理區塊2B，而往TRS11B進行搬運。亦即，搬運梭用的各TRS不限於設在處理區塊中。又，搬運梭係用於在左右方向上排列的區塊之其中一側與另一側之間，朝晶圓W之搬運路徑的下游側之區塊搬運晶圓W，並不限於如基板處理裝置1所示，在左右方向上鄰接之區塊間傳遞晶圓W的構成。

〔第一實施態樣的變形例〕 雖顯示了在回程設有搬運梭及搬運梭用TRS的例子，但亦可為在去程設有搬運梭及搬運梭用TRS的裝置構成。在圖15中，係顯示在去程及回程設有搬運梭及搬運梭用TRS的基板處理裝置1A之概略前視圖。以下，以與基板處理裝置1的差異點為中心進行說明，基板處理裝置1A下側的處理區塊2A、2C，係互相具備相同的處理模組，例如包含光阻膜形成模組作為液體處理模組，並在模組疊層體23中包含光阻膜形成後的加熱模組。

在處理區塊2A之空間5A中的靠近前方的位置，設有搬運梭4A、TRS11A、TRS11C，在處理區塊2C之空間5C中的靠近前方的位置，設有搬運梭4C、TRS12A、TRS12C。在空間5A中，TRS11A、TRS11C係以夾著主搬運機構3A之支柱31的方式往右側依序設置，在空間5C中，TRS12A、TRS12C係以夾著主搬運機構3C之支柱31的方式往右側依序設置。又，搬運梭4A、TRS11A、TRS12A之組與搬運梭4C、TRS11C、TRS12C之組，高度係互相錯開。

由於如以上的各構件之配置，故搬運梭4A的搬運路徑40A、搬運梭4C的搬運路徑40C，係和圖13所說明過的搬運路徑40B、40D的位置關係相同。亦即，搬運路徑40A、40C彼此的高度不同，且它們的端部彼此在俯視觀察下為重疊。另外，在下側的處理區塊2A、2C中將搬運梭及搬運梭用TRS設於處理模組疊層體23上側的原因，與在上側的處理區塊2B、2D中將搬運梭及搬運梭用TRS設於處理模組疊層體23下側的理由相同，係為了為止搬運機構19、35的移動範圍增加。

說明此基板處理裝置1A中之去程的兩個搬運路徑。在其中一個搬運路徑中，從載具C搬出並搬運至載具區塊D1之模組疊層體T1的晶圓W，在被主搬運機構3A承接，並於處理區塊2A內進行處理後，以TRS11C→搬運梭4C→TRS12C→介面區塊D4的順序進行搬運。又，在另一個搬運路徑中，從載具C搬出之晶圓W係以載具區塊D1的搬運機構19→TRS11A→搬運梭4A→TRS12A→主搬運機構3C的順序進行搬運，並在處理區塊2C內進行處理後，搬運至介面區塊D4。與在回程的搬運梭4B、4D之晶圓W相同，藉由該等在去程的搬運梭4A、4C所進行之晶圓W的搬運，係分別繞過主搬運機構3A的支柱31及主搬運機構3C的支柱31。

〔第二實施態樣〕 在橫向上鄰接並且具備搬運梭的處理區塊之數量亦可在三個以上，作為第二實施態樣，係將具備三個該處理區塊的基板處理裝置1B之概略前視圖顯示於圖16。此基板處理裝置1B係進行例如與第一實施態樣之基板處理裝置1相同之處理的裝置，以下，以與基板處理裝置1的差異點為中心進行說明。

在基板處理裝置1B中，第三疊層處理區塊D5係在第二疊層處理區塊D3與介面區塊D4之間，與該等區塊D3、D4鄰接設置，並藉由該等第一～第三疊層處理區塊D2、D3、D5構成處理站G。第三疊層處理區塊D5與第一疊層處理區塊D3為相同的構成，係由下側的處理區塊2E及上側的處理區塊2F構成。在回程中，係在處理區塊2B、2D、2F中之任一者處理晶圓W。處理區塊2B、2D、2F分別為第一處理區塊、第二處理區塊、第三處理區塊，搬運梭4B、4D、4F分別為第一旁通搬運機構、第二旁通搬運機構、第三旁通搬運機構，搬運路徑40B、40D、40F分別為第一旁通搬運路徑、第二旁通搬運路徑、第三旁通搬運路徑。

在處理區塊2F中的搬運梭4F設置用的空間5F中，係相對於主搬運機構3F的支柱31而分別在右側、左側設有TRS11F、11D，介面區塊D4的搬運機構35可對TRS11F進行存取。再者，在空間5D中，係相對於主搬運機構3D的支柱31而在右側設有TRS12F。

關於搬運梭4B、TRS11B及TRS12B之組（設為第一組）、搬運梭4D、TRS11D、TRS12D之組（設為第二組）、搬運梭4F、TRS11F及TRS12F之組（設為第三組），第二組與第一及第三組的高度不同。本例中，第二組係位於比第一及第三組更上方，第一組與第三組彼此設於相同高度。從而，搬運路徑40B、40F彼此位於相同高度，搬運路徑40D係位於比搬運路徑40B、40F更高的位置。又，如圖17所示，在俯視觀察下，搬運路徑40B的右端部與搬運路徑40D的左端部係互相重疊，搬運路徑40D的右端部與搬運路徑40F的左端部係互相重疊。

說明在回程的搬運路徑之一例。在處理區塊2F處理晶圓W時，晶圓W係以介面區塊D4之模組疊層體T3→主搬運機構3F的順序進行搬運，並在處理區塊2F的各處理模組進行處理後，搬運至TRS11D。又，以搬運梭4D→TRS12D→主搬運機構3B→載具區塊D1之模組疊層體T1的順序搬運晶圓W。

在處理區塊2D處理晶圓W時，晶圓W係以介面區塊D4之搬運機構35→TRS11F→搬運梭4F→TRS12F→主搬運機構3D的順序進行搬運，並在處理區塊2D的各處理模組進行處理後，以TRS11B→搬運梭4B→TRS12B的順序進行搬運，再搬運至載具區塊D1。在處理區塊2B處理晶圓W時，晶圓W係以模組疊層體T3→主搬運機構3F→TRS11D→搬運梭4D→TRS12D→主搬運機構3B的順序進行搬運，並在處理區塊2B的各處理模組進行處理後，搬運至模組疊層體T1。

另外，在基板處理裝置1B中，係以橫跨第二疊層處理區塊D3與第三疊層處理區塊D5的方式，設置相當於模組疊層體T2的模組疊層體。藉由利用各模組疊層體而使晶圓W在下側的各處理區塊2A、2C、2E搬運自如，並藉由該處理區塊2A、2C、2E形成去程。

在上述基板處理裝置1B中，為了在上側的處理區塊間傳遞晶圓W，係如上述般使搬運路徑40D的端部在俯視觀察下分別與搬運路徑40B、40F重疊。該搬運路徑40D係如上述般配置於比搬運路徑40B、40F各者更高的位置，藉此和使該搬運路徑40B、40D、40F在縱方向上依序設置相比，可更抑制該等搬運路徑40B、40D、40F之設置所需的高度，因此可防止基板處理裝置1B大型化之情形。又，亦可在比搬運路徑40B、40F更下方設置搬運路徑40D。又，無論將搬運路徑40D設於搬運路徑40B、40F之上側或下側，從抑制裝置之高度的觀點來看，較佳係均將搬運路徑40B、40F設為相同或大致相同的高度。

又，在此基板處理裝置1B中，亦可在下側的處理區塊2A、2C、2E設置搬運梭進行搬運，而與在上側的處理區塊2B、2D、2F間的搬運相同，在2A、2C、2E中的所期望之處理區塊處理晶圓W。在該情況下，下側處理區塊的搬運梭之各搬運路徑40A、40C、40E，較佳係設為與上側處理區塊的搬運梭之各搬運路徑40B、40D、40F相同的位置關係。亦即在左右方向之中央的搬運路徑亦即40C，較佳係相對於搬運路徑40A、40E而設於上側或是下側，並且更佳係將40A、40E設為相同高度。

此外，上述各裝置的構成例中係設有搬運梭用的TRS，但亦可為未設有此搬運梭用TRS的裝置構成，並在各搬運機構與搬運梭之間直接進行晶圓W的傳遞。然而，若如上述般未設有搬運梭用TRS，則各搬運機構及搬運梭會在支持著晶圓W的狀態下待命。因此，為了提高處理量較佳係設置搬運梭用TRS。

又，上述各裝置中，液體處理模組係位於前方，處理模組疊層體23係位於後方，但此配置亦可前後相反。裝置的左右配置亦可與上述例子為相反。又，介面區塊D4亦可不對曝光機20搬運晶圓W，而僅進行在下側處理區塊之高度與上側處理區塊之高度間的晶圓W之升降搬運。又，上側處理區塊及下側處理區塊亦可不直接連接於對裝置進行搬入搬出晶圓W的載具區塊D1，而係例如在載具區塊D1與該等上側及下側處理區塊之間，夾設將晶圓W升降搬運之區塊的構成。再者，處理區塊並不限於上下的疊層構造。例如，亦可去程及回程中之一者藉由以主搬運機構進行搬運而形成，另一者係藉由使用搬運梭搬運而形成。

又，各搬運梭中，例如彎曲軌條66、導軌69及滑件63可設於基體41，以代替設於中間移動體61。又，相當於臂部73的臂部係與該彎曲軌條66及滑件63連接，並且該臂部係與藉由馬達42驅動的皮帶46連接。再者，中間移動體61係與該臂部的前端部連接，該中間移動體61與連接於其前方側的晶圓支持體72，一起沿著彎曲軌條66移動。在該情況下，只要為以下構成即可：藉由在滑件63、臂部及中間移動體61，設置由滑輪、皮帶、齒輪盒等所構成的動力傳遞機構，而使晶圓支持體72相對於中間移動體61的左右位置能根據滑件63的左右位置之變化而變化。如以上所述，並不限於圖5等所示的彎曲軌條66設於中間移動體61之搬運梭的構成。

又，圖5等所示的搬運梭，亦可將導軌74設於中間移動體61的滑件63，將溝65設於臂部73，以代替將溝65設於滑件63，將導軌74設於臂部73。又，關於陷入於彎曲軌條66之引導用溝67的臂部73之滾子75，亦可設置藉由「對於該彎曲軌條66摩擦係數非常低的材質」所形成之圓形突起部，以代替該滾子75。再者，亦可使用厚板且其頂面形成有引導用溝67者，以代替彎曲軌條66，作為引導晶圓搬運部71的引導構件，並不限於軌條。又，在上述構成例中，晶圓支持體72係經由臂部73而與彎曲軌條66連接，且晶圓支持體72係隨著臂部73而移動，但亦可不設置相當於臂部73的構件。亦即，晶圓支持體72亦可直接與彎曲軌條66連接，即成為該晶圓支持體72兼具連接部的構成。該情況下，設於臂部73的導軌74只要設於該晶圓支持體72即可。如此，可適當變更上述的搬運梭之構成。

此外，圖5中顯示了搬運梭4B將晶圓W傳遞至TRS12B時，TRS11B的三個銷部77B中的兩個在俯視觀察下係夾著臂部73，但該等兩個銷部77B亦可均設於臂部73的左側。藉由該銷部77B的配置、及本體部77朝右側開放之凹部形狀，在TRS11B之本體部77移動至上方位置而使銷部77B支持晶圓W後，且回到下方位置前，搬運梭4B之晶圓搬運部71便可開始往TRS11B移動。亦即，以「在TRS11B承接晶圓W時，從晶圓搬運部71往進行方向（此時為右方）看，並不會看見該TRS11B之構成構件」的方式，構成該TRS11B，以防止產生互相干擾。藉此，可使晶圓搬運部71開始移動的時間點提早，而實現裝置之處理量的提高。同樣地，圖9係顯示了當將晶圓W傳遞至TRS11B時，TRS11B的三個銷部77B中的兩個在俯視觀察下係夾著臂部73，但該等銷部77B亦可均設於臂部73的右側。

在基板處理裝置進行的液體處理並不限於上述例子，例如亦可包含藉由化學藥液之塗布而進行的絕緣膜之形成、及用於使晶圓W互相貼合的黏接劑之塗布處理等。吾人應瞭解到本次揭露的實施態樣其所有內容僅為例示而非限制。上述實施態樣在不脫離附加之申請專利範圍及其主旨的情況下，能以各式各樣的形態進行省略、替換、變更及/或組合。

1,1A,1B:基板處理裝置 2A~2F:處理區塊 3A~3D,3F:主搬運機構 4A~4D,4F:搬運梭 5A~5D,5F:空間 10:控制部 11~13:支持台 14,15:平台 16:移載機構 17:搬運區域 18,19:搬運機構 20:曝光機 21:顯影模組 22:搬運區域 23:模組疊層體 24:加熱模組 25:處理後檢查模組 26:背面清洗模組 27:周緣曝光模組 28:曝光後清洗模組 29:檢查模組 31:支柱 32:本體部 33:固持部 34,35:搬運機構 40,40A~40F:搬運路徑 41:基體 42:馬達 43:殼體 44,45:滑輪 46:皮帶 47,48:導軌 49:狹縫 51:滑件 51A:本體部 51B:連接部 52:滾子 53:密封皮帶 54:滾子 55:皮帶 56:固定構件 57~59:滑輪 60:滑輪 61:中間移動體 62:殼體 63:滑件 64:皮帶 65:溝 66:彎曲軌條 66A~66D:彎曲部 67:引導用溝 69:導軌 71:晶圓搬運部 72:晶圓支持體 73:臂部 74:導軌 75:滾子 77:本體部 77A:銷部支持體 77B:銷部 78:升降機構 C:載具 D1:載具區塊 D2:第一疊層處理區塊 D3:第二疊層處理區塊 D4:介面區塊 D5:第三疊層處理區塊 E1~E8:階層 G:處理站 ICPL,SCPL,SCPL1~3:溫度調整模組 T1~T3:模組疊層體 TRS11B,TRS12B,TRS11D,TRS12D,TRS11F,TRS12F:搬運梭用傳遞模組 TRS,TRS1~8:傳遞模組 t1~t8:時刻 W:晶圓

圖1係依本發明之第一實施態樣之基板處理裝置的橫剖面俯視圖。 圖2係該基板處理裝置的縱剖面前視圖。 圖3係該基板處理裝置的縱剖面前視圖。 圖4係該基板處理裝置的縱剖面側視圖。 圖5係設於該基板處理裝置之搬運梭的橫剖面俯視圖。 圖6係該搬運梭的立體圖。 圖7係設於該搬運梭之晶圓搬運部的頂面側立體圖。 圖8係該晶圓搬運部的底面側立體圖。 圖9係該搬運梭的俯視圖。 圖10係該搬運梭的俯視圖。 圖11係顯示該搬運梭之左右方向之移動速度的圖表。 圖12係顯示該晶圓搬運部之位置的說明圖。 圖13係藉由該搬運梭進行搬運的晶圓之搬運路徑的俯視圖。 圖14係顯示該基板處理裝置中的晶圓之搬運路徑的說明圖。 圖15係顯示該基板處理裝置之變形例的概略前視圖。 圖16係顯示依本發明之第二實施態樣之基板處理裝置的概略前視圖。 圖17係顯示該基板處理裝置中的晶圓之搬運路徑的說明圖。

1:基板處理裝置

2B,2D:處理區塊

3B,3D:主搬運機構

4B,4D:搬運梭

5B,5D:空間

10:控制部

14,15:平台

16:移載機構

18,19,34,35:搬運機構

20:曝光機

22:搬運區域

23:處理模組疊層體

29:檢查模組

31:支柱

32:本體部

33:固持部

41:基體

42:馬達

61:中間移動體

71:晶圓搬運部

C:載具

D1:載具區塊

D2:第一疊層處理區塊

D3:第二疊層處理區塊

D4:介面區塊

G:處理站

T1~T3:模組疊層體

TRS11B,TRS12B,TRS11D,TRS12D:搬運梭用傳遞模組

W:晶圓

Claims (11)

1. 一種基板處理裝置，包含： 搬入搬出區塊，進行基板之搬入及搬出； 處理站，在與該搬入搬出區塊之間搬運該基板，並設於該搬入搬出區塊左右其中一側； 中繼區塊，設於該處理站左右其中一側，並在與該處理站之間搬運該基板； 處理區塊，在左右方向上排列設置複數個以構成該處理站，且該處理區塊各自包含：處理模組，對該基板進行處理；以及主搬運機構，對該處理模組傳遞該基板；及 旁通搬運機構，有別於該主搬運機構，為了在左右區塊間搬運基板，而設於在該左右方向上排列的各處理區塊； 藉由該旁通搬運機構進行搬運的基板之搬運路徑亦即旁通搬運路徑，彼此的高度不同，且在俯視觀察下它們的一部分會互相重疊。
2. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中， 該處理區塊至少設有三個，從左右其中一側往另一側依第一處理區塊、第二處理區塊、第三處理區塊的順序設置，若將各自的藉由該旁通搬運機構進行搬運的該旁通搬運路徑設為第一旁通搬運路徑、第二旁通搬運路徑、第三旁通搬運路徑， 則在俯視觀察下，該第二旁通搬運路徑的左端部會與該第一旁通搬運路徑及該第三旁通搬運路徑中的其中一者重疊，而該第二旁通搬運路徑的右端部會與該第一旁通搬運路徑及該第三旁通搬運路徑中的另一者重疊； 該第一旁通搬運路徑及該第三旁通搬運路徑，係相對於該第二旁通搬運路徑位於上方或是下方。
3. 如請求項1所述之基板處理裝置，更包含： 基板載置部，載置該基板，並相對於該旁通搬運路徑之端部升降，而對該旁通搬運機構傳遞該基板。
4. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中， 該旁通搬運機構包含： 基體，設於該處理區塊； 移動體，相對於該基體而往左右移動；及 基板支持體，支持該基板，並相對於該移動體而往左右移動。
5. 如請求項4所述之基板處理裝置，其中， 該處理模組係在左右方向上排列且設置複數個； 該主搬運機構包含在俯視觀察下設於複數該處理模組之間的柱； 該旁通搬運路徑包含前後方向的搬運路徑，且為使該基板繞過該柱的迂迴路徑。
6. 如請求項5所述之基板處理裝置，其中， 在該基體及該移動體中的其中一者，設置用於引導該支持體的前後方向之移動及左右方向之移動的引導構件。
7. 如請求項6所述之基板處理裝置，其中， 該引導構件為彎曲的軌條； 該基板支持體係沿著該彎曲的軌條移動，而形成該迂迴路徑。
8. 如請求項7所述之基板處理裝置，其中， 在該基體及該移動體中的設有該引導構件之一側，設有： 連接部，與該引導構件連接而可和該基板支持體一起在左右方向且在前後方向上移動；及 移動體，與該連接部連接並可在左右方向上移動； 在該連接部及該移動體中的其中一者，設有為了使該其中一者相對於另一者前後滑動而在前後方向上延伸的軌條。
9. 如請求項8所述之基板處理裝置，其中， 該在前後方向上延伸的軌條，係設於該連接部。
10. 如請求項5至9中任一項所述之基板處理裝置，其中， 該旁通搬運路徑包含： 兩個第一區域，在左右方向且在前後方向上搬運該基板；及 第二區域，被該第一區域所包夾，且僅在左右方向上搬運該基板； 在該第一區域中的左右方向上之該基板的移動速度，係小於在該第二區域中的左右方向上之該基板的移動速度。
11. 一種基板處理方法，包含以下步驟： 在搬入搬出區塊中，進行基板之搬入及搬出的步驟； 在設於該搬入搬出區塊左右其中一側的處理站、與該搬入搬出區塊之間，搬運該基板的步驟； 在設於該處理站左右其中一側的中繼區塊、與該處理站之間，搬運該基板的步驟； 在左右方向上排列設置複數個以構成該處理站，並各自包含處理模組、主搬運機構、及有別於該主搬運機構而搬運該基板的旁通搬運機構之處理區塊中，藉由該主搬運機構對該處理模組傳遞該基板，並在該處理模組處理該基板的步驟；及 使用作為藉由各該旁通搬運機構進行搬運的該基板之搬運路徑，且彼此的高度不同並在俯視觀察下彼此的一部分會互相重疊的各旁通搬運路徑，在左右區塊間搬運該基板的步驟。

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