JP2008258208A - 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】搬送プログラムの作成を容易にしながら、スループットの向上を図ることができる技術を提供すること。
【解決手段】第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとの間に受け渡しブロックを設け、キャリアブロックから第１の直通搬送手段により基板を受け渡しブロックに搬送し、ここから基板を第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックと第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックとに振り分けて受け渡す。次いで第１及び第２の処理ブロックにて夫々塗布膜が形成された基板を一旦受け渡しブロックに集め、ここから第２の直通搬送手段により基板をインターフェイスブロックに搬送する。処理ブロックが増加するので、スループットの向上を図ることができ、またキャリアブロックから第１の処理ブロックへの搬送経路と、第２の処理ブロックへの搬送経路とが同じになるので、搬送プログラムの作成が容易となる。
【選択図】図７

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われるが、塗布、現像装置の処理速度をさらに増大させるため、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを向上させる構成が特許文献１に提案されている。

この技術は、例えば図１７に示すように、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３とをこの順序で接続して設けると共に、前記処理ブロックＳ２は、現像処理を行なう現像ブロックＢ１，Ｂ２と、レジスト液の塗布処理を行う塗布ブロックＢ４と、レジスト液の塗布の前後に夫々反射防止膜の形成を行なう反射防止膜形成ブロックＢ２，Ｂ５とを互いに積層して構成されている。前記処理ブロックＳ２の各ブロックＢ１〜Ｂ５には、現像処理やレジスト液の塗布処理、反射防止膜形成用の薬液の塗布処理等の液処理を行なうための液処理部と、前記液処理の前後の処理を行う処理ユニットを多段に配列した棚ユニットと、液処理部と棚ユニットの各部との間でウエハＷの搬送を行なう搬送手段Ａ１〜Ａ５とが設けられると共に、各ブロックＢ同士の間でのウエハＷの受け渡しを行なう専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられている。

そしてキャリアブロックＳ１に設けられたトランスファーアームＣにより処理ブロックＳ２にウエハＷを搬送し、搬送手段Ａ１〜Ａ５と受け渡しアームＤ１，Ｄ２とを用いてウエハＷを所定の処理ユニットに搬送することにより、これらトランスファーアームＣ、搬送手段Ａ１〜Ａ５、受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負担を軽減し、装置全体のスループットの向上を図っている。

前記装置では、前記液処理部として例えば３個の液処理ユニットが用意されると共に、この液処理ユニット対応した個数の前記処理ユニットを備えており、例えば１８０枚／ｈｒ程度のスループットを確保することができるものの、市場では２００枚／ｈｒ〜２５０枚／ｈｒ程度のさらなる高スループット化を図る装置が要請されている。

しかしながら現像ブロックＢ１や塗布ブロックＢ３に設ける液処理部や、液処理部の前後の処理を行う処理ユニットを多くすることによりスループットの向上を目指そうとすると、搬送手段の負担が増大してしまい、結果として装置全体のスループットを向上させることは難しい。また現像ブロックＢ１等の積層数を増加して、前記液処理部や処理ユニットの数を多くすることも考えられるが、この場合には各ブロックＢ１〜Ｂ５間でのウエハＷの受け渡しを行う受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負担が増大してしまうので、やはり装置全体のスループットを向上させることは困難である。

さらに前記処理ブロックＳ２を複数個横に配列することにより、スループットの向上を図ることも考えられるが、このように処理ブロックＳ２自体を増加して塗布ブロックＢ４等の個数を増やすと、キャリアブロックＳ１に近い処理ブロックＳ２の塗布ブロックＢ３へウエハＷを搬送する際と、キャリアブロックＳ１から遠い処理ブロックＳ２の塗布ブロックＢ４へウエハＷを搬送する際の搬送経路が夫々異なるので、搬送経路が複雑となり、搬送プログラムの作成が非常に煩雑になってしまうという問題もある。

特開２００６−２０３０７５号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布、現像装置において、搬送プログラムの作成を容易にしながら、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。

本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、前記塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理用の単位ブロックはいずれも、薬液を基板に塗布するための液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュールの間で基板を搬送する単位ブロック用の基板搬送手段と、を備える塗布、現像装置において、
前記キャリアブロックに接続されるように設けられると共に、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成され、キャリアブロックに設けられた受け渡し手段によりキャリアブロックとの間で基板の受け渡しが行なわれる第１の処理ブロックと、
前記インターフェイスブロックに接続されるように設けられると共に、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成され、インターフェイスブロックに設けられたインターフェイスアームによりインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しが行われる第２の処理ブロックと、
第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとの間に設けられ、第１の処理ブロックの単位ブロックの基板搬送手段及び第２の処理ブロックの単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われる共用受け渡し部が多段に設けられると共に、これら共用受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう受け渡しアームを備なえた受け渡しブロックと、
第１の処理ブロックと第２の処理ブロックの少なくとも一方に設けられ、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックと、
前記第１の処理ブロックに設けられ、キャリアブロックと受け渡しブロックの共用受け渡し部との間で基板の受け渡しを行なうための第１の直通搬送手段と、
前記第２の処理ブロックに設けられ、受け渡しブロックの共用受け渡し部とインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための第２の直通搬送手段と、
キャリアブロックから第１の直通搬送手段により基板を受け渡しブロックに搬送して、この受け渡しブロックから基板を第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックと第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックとに振り分けて受け渡し、次いで第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックから受け渡しブロックに受け渡し、この後受け渡しブロックから第２の直通搬送手段により基板をインターフェイスブロックに搬送するように、前記受け渡し手段と直通搬送手段と受け渡しアームと基板搬送手段とインターフェイスアームとを制御する手段と、を備えることを特徴とする。

また本発明の塗布、現像装置では、レジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を受け渡しブロックから第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する代わりに、レジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を第２の処理ブロックから基板搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送するようにしてもよい。

また前記第１の処理ブロックには、キャリアブロックと隣接する領域に、当該第１の処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行なうと共に、第１の処理ブロックとキャリアブロックとの間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡し部が多段に設けられ、これら第１の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第１の受け渡しアームが設けられるように構成してもよい。

さらに前記第２の処理ブロックには、インターフェイスブロックと隣接する領域に、当該第２の処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行なうと共に、第２の処理ブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡し部が多段に設けられ、これら第２の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第２の受け渡しアームが設けられるように構成してもよい。

前記第１の直通搬送手段及び第２の直通搬送手段は、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向けて基板を搬送するための往路用の直通搬送手段と、インターフェイスブロックからキャリアブロックに向けて基板を搬送するための復路用の直通搬送手段と、を備えるものであってもよい。

第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとには、同じ種類の塗布膜の形成を行なう単位ブロックが受け渡しブロックを介して隣接するように設けられており、前記同じ種類の塗布膜の形成を行なう単位ブロックの基板搬送手段が受け渡しブロックの共通の共用受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うようにしてもよい。

前記塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト膜を形成する単位ブロックと、基板にレジスト膜を形成する前又は後に、この基板に反射防止膜を形成する単位ブロックと、を含むものとすることができ、第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとには、基板にレジスト膜を形成する単位ブロックと、基板にレジスト膜を形成する前又は後に、この基板に反射防止膜を形成する単位ブロックと、が受け渡しブロックを介して隣接するように設けられており、前記単位ブロックの基板搬送手段が受け渡しブロックの共通の共用受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うようにしてもよい。

前記受け渡しブロックは、第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための多段に設けられた第１の処理ブロック用の受け渡し部と、これら第１の処理ブロック用の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第１の処理ブロック用の受け渡しアームと、第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための多段に設けられた第２の処理ブロック用の受け渡し部と、これら第２の処理ブロック用の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第２の処理ブロックＢの受け渡しアームと、を備えるように構成してもよい。

本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
前記キャリアブロックから、このキャリアブロックの受け渡し手段により、このキャリアブロックに接続され、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成された第１の処理ブロックの第１の直通搬送手段に基板を受け渡す工程と、
次いで基板を前記第１の直通搬送手段により、前記第１の処理ブロックと、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成された第２の処理ブロックとに接続された受け渡しブロックに搬送する工程と、
次いで基板を受け渡しブロックに設けられた受け渡しアームにより、受け渡しブロックに多段に設けられ、第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための共用受け渡し部に搬送する工程と、
次いで共用受け渡し部の基板を、第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた基板搬送手段又は第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた基板搬送手段により、各々の単位ブロックに受け取る工程と、
次いで基板が受け取られた塗布膜形成用の単位ブロック内において、所定の塗布膜の形成処理を行なう工程と、
次いで基板搬送手段により、塗布膜が形成された基板を受け渡しブロックの共用受け渡し部に搬送する工程と、
次いで受け渡しブロックの共用受け渡し部の基板を、第２の処理ブロックに設けられた第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する工程と、を含むことを特徴とする。

また本発明では、受け渡しブロックの共用受け渡し部の基板を、第２の処理ブロックに設けられた第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する代わりに、第２の処理ブロックの基板搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する工程を含むものであってもよい。
本発明の記憶媒体は、キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとの間に、これら第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板を振り分けて受け渡すための受け渡しブロックを設け、キャリアブロックから一旦受け渡しブロックに基板を搬送し、この受け渡しブロックを基点として第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックと第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックとに夫々基板を振り分けるように基板の受け渡しを行っている。このため処理ブロックが２台となるのでスループットの向上を図ることができ、また第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに搬送するときの搬送経路と、第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに搬送するときの搬送経路とが同じとなるので、搬送プログラムの作成が容易となる。

先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、第１の処理ブロックＳ２と、受け渡しブロックＳ３と、第２の処理ブロックＳ４と、インターフェイスブロックＳ５と、露光装置Ｓ６と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１と入力ポートＰ１と出力ポートＰ２に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる第１の処理ブロックＳ２が接続されており、この処理ブロックＳ２は、複数個例えば３個の単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３を縦に配列して構成され、この例では、下方側から現像処理用の単位ブロックである第１の現像処理層（ＤＥＶ１層）Ｂ１１と、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための単位ブロックである第１の反射防止膜形成処理層（ＢＣＴ１層）Ｂ１２と、レジスト膜の形成処理を行うための単位ブロックである第１の塗布処理層（ＣＯＴ１層）Ｂ１３として割り当てられており、これらＤＥＶ１層Ｂ１１、ＢＣＴ１層Ｂ１２、ＣＯＴ１層Ｂ１３は夫々区画されている。ここで前記ＢＣＴ１層Ｂ１２、ＣＯＴ１層Ｂ１３は、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。

前記単位ブロックＢ１１，Ｂ１２，Ｂ１３は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１１〜Ａ１３と、を備えている。

さらに各単位ブロックＢ１１，Ｂ１２，Ｂ１３のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１１〜Ａ１３とがアクセスできる位置に受け渡し用の棚ユニットＵ１が設けられている。この棚ユニットＵ１には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間又は、キャリアブロックＳ１と第１の処理ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された第１の受け渡しアームＤ１により、棚ユニットＵ１に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。

続いて前記単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３の構成について、先ずＣＯＴ層Ｂ１３を例にして図４及び図５に基づいて説明する。このＣＯＴ層Ｂ１３のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ１３の長さ方向（図４，図５中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、液処理モジュールをなすレジスト液の塗布を行うための塗布モジュールを備えた塗布処理部３１が設けられている。

この塗布処理部３１は、複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１３が共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１３は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってレジスト液をウエハＷの全面に行き渡らせ、こうしてウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１３に対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図５参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１３とメインアームＡ１３との間で搬送されるようになっている。

またこの塗布処理部３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ４が設けられており、この図では塗布モジュール３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールとしては、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰや、ウエハＷを所定の温度に温調する温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等が設けられている。

前記加熱冷却モジュールＬＨＰとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ１３と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱モジュールと冷却モジュールとを１つのユニットに備えた構成の装置が用いられるが、加熱モジュールと冷却モジュールとは別個の構成であってもよい。また温調モジュールＣＰＬとしては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ等の各処理モジュールは、図５に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。

ＣＯＴ層Ｂ１３の棚ユニットＵ１には、前記第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１３が設けられており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１３に対しては、ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ１３と第１の受け渡しアームＤ１とがアクセスできるように構成されている。この例では受け渡しユニットＴＲＳ１３には、ウエハＷの裏面側を保持する複数個例えば３個の突起が、メインアームＡ１３と第１の受け渡しアームＤ１とが進入してきたときに、これらと干渉しない位置に形成されている。

続いて前記搬送領域Ｒ１に設けられたメインアームＡ１３について説明する。このメインアームＡ１３は、当該ＣＯＴ層Ｂ１３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば塗布モジュールＣＯＴ１１〜ＣＯＴ１３と、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１３と、棚ユニットＵ４の各処理モジュールと、後述する受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ方向に移動自在に構成されている。

このメインアームＡ１３は、図４及び図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備えており、これら保持アーム５１，５２は基台５３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中５６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図中Ｙ方向）に伸びるガイドレール５６、図中５７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体５５は、この昇降用ガイドレール５７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール５７の下端部はガイドレール５６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール５７がガイドレール５６に沿って横方向（図中Ｙ方向）に移動することで、搬送基体５５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール５７は、棚ユニットＵ４の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように、保持アーム５１，５２が進退する位置からずれた位置において搬送基体５５に設けられている。

なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記ＢＣＴ１層Ｂ１２はＣＯＴ１層Ｂ１３と同様に構成されており、ＢＣＴ１層Ｂ１２は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜形成用の塗布液を供給して、第１の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１１〜ＢＣＴ１３を備えた第１の反射防止膜形成処理部が設けられ、棚ユニットＵ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行い、次いで冷却プレートにより保持して冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰと、ウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等を備えている。また棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、第１の受け渡しアームＤ１がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられ、これら第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、棚ユニットＵ１及び棚ユニットＵ４に設けられた各種モジュールと、後述する受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２２との間でメインアームＡ１２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

またＤＥＶ１層Ｂ１１は、図１及び図３に示すように、棚ユニットＵが３段×４列に構成され、シャトルアームＧ１，Ｇ４が設けられている以外は、上述のＣＯＴ１層Ｂ１３とほぼ同様に構成されており、ウエハＷに対して塗布液である現像液を供給して現像処理を行うための現像処理部３２が２段に設けられ、この現像処理部３２の１段には、液処理モジュールをなす例えば３個の現像モジュールＤＥＶ１１〜ＤＥＶ１３が設けられている。棚ユニットＵ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱モジュールＰＥＢ、この加熱モジュールＰＥＢにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュールＣＯＬ、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱モジュールＰＯＳＴ、この加熱モジュールＰＯＳＴにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等が設けられている。前記第１の反射防止膜形成処理部や現像処理部３２は、塗布処理部３１とほぼ同様に構成されている。

また棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられ、現像モジュールＤＥＶ１１〜ＤＥＶ１３と棚ユニットＵ１及び棚ユニットＵ４に設けられた各種モジュールと、後述する受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１との間でメインアームＡ１１によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。さらに棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、キャリアブロックＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うための入力ポートＰ１と出力ポートＰ２とが設けられ、これらは後述するシャトルアームＧ１，Ｇ４専用の受け渡し部として用いられる。

第１の処理ブロックＳ２の奥側には筐体２５にて周囲を囲まれる受け渡しブロックＳ３が接続されており、さらにその奥側には筐体２６にて周囲を囲まれる第２の処理ブロックＳ４が接続されている。先ず第２の処理ブロックＳ４について説明すると、この第２の処理ブロックＳ４は、受け渡し用の棚ユニットＵ３がインターフェイスブロックＳ５に隣接する領域に設けられる以外は、第１の処理ブロックＳ２と同様に構成されている。

つまりこの処理ブロックＳ４は、下方側から、現像処理用の単位ブロックである第２の現像処理層（ＤＥＶ２層）Ｂ２１と、第１の反射防止膜の形成処理を行うための単位ブロックである第２の反射防止膜形成処理層（ＢＣＴ２層）Ｂ２２と、レジスト膜の形成処理を行うための単位ブロックである第２の塗布処理層（ＣＯＴ２層）Ｂ２３とが積層して設けられている。ここで前記ＢＣＴ２層Ｂ２２、ＣＯＴ２層Ｂ２３は、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。また棚ユニットＵ３には第２の処理ブロック４の単位ブロックＢ２１〜Ｂ２３同士の間や、第２の処理ブロックＳ４とインターフェイスブロックＳ５との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部が多段に設けられている。

続いて第２の処理ブロックＳ４の単位ブロックＢ２１〜Ｂ２３について簡単に説明すると、既述のように棚ユニットＵ３がインターフェイスブロックＳ５側に設けられる以外には、ＣＯＴ２層Ｂ２３はＣＯＴ１層Ｂ１３と、ＢＣＴ２層Ｂ２２はＢＣＴ１層Ｂ１２と、ＤＥＶ２層Ｂ２１はＤＥＶ１層Ｂ１１と夫々同様に構成されている。つまりＣＯＴ２層Ｂ２３には、液処理モジュールとして、ウエハＷに対してレジスト液を塗布するための複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３が設けられ、棚ユニットＵ５には、加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えており、棚ユニットＵ３には第２の受け渡し部として、第２の受け渡しアームＤ２によりアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３３が設けられている。そしてこれら塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３と、棚ユニットＵ３及び棚ユニットＵ５に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ２３によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

またＢＣＴ２層Ｂ２２は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２１〜ＢＣＴ２３が設けられ、棚ユニットＵ５には、加熱冷却モジュールＬＨＰと、温調モジュールＣＰＬ等を備えている。また棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部として、第２の受け渡しアームＤ２がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３２が設けられ、これら第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２１〜ＢＣＴ２３と、棚ユニットＵ３及び棚ユニットＵ５に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ２２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

さらにＤＥＶ２層Ｂ２１は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して現像処理を行なうための複数個例えば３個の現像処モジュールＤＥＶ２１〜ＤＥＶ２３が設けられ、棚ユニットＵ５には、加熱モジュールＰＥＢと、冷却モジュールＣＯＬと、加熱モジュールＰＯＳＴと、温調モジュールＣＰＬ等を備えている。また棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部としてインターフェイスアームＦと第２の受け渡しアームＤ２がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３１が設けられ、これら現像モジュールＤＥＶ２１〜ＤＥＶ２３と、棚ユニットＵ３及び棚ユニットＵ５に設けられた各種モジュールとの間で、メインアームＡ２１によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

さらにまた棚ユニットＵ３には第２の受け渡し部として、インターフェイスアームＦと第２の受け渡しアームＤ２とがアクセスできる位置に出力ポートＰ３と入力ポートＰ４とが設けられており、これらは後述するシャトルアームＧ２，Ｇ３専用の受け渡し部として用いられる。

続いて受け渡しブロックＳ３について説明する。この受け渡しブロックＳ３は、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳと４に対してウエハＷを受け渡すためのブロックであり、図１及び図３に示すように、第１の処理ブロックＳ２の各単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３のメインアームＡ１１〜Ａ１３がアクセスできると共に、第２の処理ブロックＳ４の各単位ブロックＢ２１〜Ｂ２３のメインアームＡ２１〜Ａ２３がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられている。この棚ユニットＵ２には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための共用受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡し手段をなす受け渡しアームＥにより、棚ユニットＵ２に設けられた各共用受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。

この例では、図３に示すように、第１の処理ブロックＳ２のＢＣＴ１層Ｂ１２と第２の処理ブロックＳ４のＢＣＴ２層Ｂ２２と、第１の処理ブロックＳ２のＣＯＴ１層Ｂ１３と第２の処理ブロックＳ４のＣＯＴ２層Ｂ２３と、第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層Ｂ１１と第２の処理ブロックＳ４のＤＥＶ１層Ｂ２１とが、夫々受け渡しブロックＳ３を介して隣接するように設けられており、後述するように同じ処理を行う単位ブロックのメインアーム同士が、受け渡しブロックＳ３の共通の共用受け渡し部に対してアクセスできるように構成されている。

具体的には、ＣＯＴ１層Ｂ１３，ＣＯＴ２層Ｂ２３の両メインアームＡ１３，Ａ２３がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２３、ＢＣＴ１層Ｂ１２，ＢＣＴ２層Ｂ２２の両メインアームＡ１２，Ａ２２がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２２、ＤＥＶ１層Ｂ１１，ＤＥＶ２層Ｂ２１の両メインアームＡ１１，Ａ２１がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２１、ＤＥＶ１層Ｂ１１及びＤＥＶ２層Ｂ２１のシャトルアームＧ１，Ｇ２がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ-Ａ，シャトルアームＧ３，Ｇ４がアクセスできる位置にＴＲＳ−Ｂが夫々設けられている。

ここで棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３に設けられる受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜３３は、既述の受け渡しモジュールＴＲＳ１３と同様に構成されており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ３３に対してウエハＷの受け渡しを行う受け渡しアームＤ１，Ｄ２，Ｅも夫々同様に構成されている。

一方、第２の処理ブロックＳ４における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ５を介して露光装置Ｓ６が接続されている。インターフェイスブロックＳ５には、前記第２の処理ブロックＳ４の棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。

ここで前記シャトルアームＧ１〜Ｇ４について、図３及び図６を用いて説明する。前記シャトルアームＧ１，シャトルアームＧ２は、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６に向けてウエハＷの搬送を行うための専用の往路用直通搬送手段であり、前記シャトルアームＧ３，シャトルアームＧ４は、インターフェイスブロックＳ５からキャリアブロックＳ１に向けてからインターフェイスブロックＳ６に向けてウエハＷの搬送を行うための専用の復路用直通搬送手段である。

先ずシャトルアームＧ１について説明すると、ウエハＷの裏面側周縁部が載置されるアーム６１Ａが駆動機構６２Ａを介して、第１の処理ブロックＳ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるベースプレート６３Ａに沿って移動自在に構成されている。図６中６４Ａはアーム６１Ａ上に載置されたウエハＷの位置ずれを防止するための規制部材である。

前記ベースプレート６３Ａの一端側は、アーム６１ＡがキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行なう第１の受け渡し位置に移動できるように、キャリアブロックＳ１と隣接する領域まで伸びており、他端側はアーム６１Ａが受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに対してウエハＷの受け渡しを行なう第２の受け渡し位置に移動できるように受け渡しブロックＳ３と隣接する領域まで伸びている。

そして前記ベースプレート６３Ａの一端側には、トランスファーアームＣがアクセスできる位置に昇降ピン機構６５Ａが内蔵されている。この昇降ピン機構６５Ａは、図６に示すように、前記第１の受け渡し位置にアーム６１Ａが移動したときに、アーム６１Ａの内側領域において出没し、トランスファーアームＣとシャトルアームＧ１との間におけるウエハＷの受け渡しに用いられるものである。

続いてシャトルアームＧ２について説明すると、図中６１Ｂはアーム、６３Ｂは第２の処理ブロックＳ２の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるベースプレート、６２Ｂは駆動機構、６４Ｂは規制部材である。前記ベースプレート６３Ｂの一端側は、アーム６１Ｂが受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに対してウエハＷの受け渡しを行なう第３の受け渡し位置に移動できるように受け渡しブロックＳ３と隣接する領域まで伸びており、他端側はアーム６１ＢがインターフェイスブロックＳ５のインターフェイスアームＦとの間でウエハＷの受け渡しを行なう第４の受け渡し位置に移動できるように、インターフェイスブロックＳ５と隣接する領域まで伸びている。

そして前記ベースプレート６３Ｂの他端側には、インターフェイスアームＦがアクセスできる位置に昇降ピン機構６５Ｂが内蔵されている。この昇降ピン機構６５Ｂは、図６に示すように、前記第４の受け渡し位置にアーム６１Ｂが移動したときに、インターフェイスアームＦとシャトルアームＧ４との間におけるウエハＷの受け渡しに用いられるものである。

また前記受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａは、受け渡しステージ６６の内部に昇降ピン機構６７が内蔵されており、図６に示すように、前記第２の受け渡し位置にシャトルアームＧ１のアーム６１Ａが移動したときに、アーム６１Ａの内側領域において出没し、トランスファーアームＣとシャトルアームＧ１との間におけるウエハＷの受け渡しに用いられると共に、前記第３の受け渡し位置にシャトルアームＧ２のアーム６１Ｂが移動したときに、アーム６１Ｂの内側領域において出没し、トランスファーアームＣとシャトルアームＧ２との間におけるウエハＷの受け渡しに用いられる。

さらにこの受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａは、前記受け渡しブロックＳ３の受け渡しアームＥとの間においてウエハＷの受け渡しを行う場合には、受け渡しアームＥと干渉しないように昇降ピン機構６７の昇降ピンの配置位置が決定されていて、例えば予め昇降ピンを受け渡しステージ６６から突出させておき、この昇降ピンに対して受け渡しアームＥ側を昇降させることにより、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａと受け渡しアームＥとの間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

ここでシャトルアームＧ１、シャトルアームＧ２はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ５に向かって一方向にウエハＷを搬送するために用いられ、ベースプレート６３Ａの一端側が第１の受け渡し部の入力ポートＰ１として用いられ、ベースプレート６３Ｂの他端側が第２の受け渡し部の出力ポートＰ３として用いられる。

またシャトルアームＧ３、シャトルアームＧ４は夫々シャトルアームＧ１、シャトルアームＧ２と同様に構成されており、シャトルアームＧ４のベースプレート６３Ｄの一端側には昇降ピン機構６５Ｄが内蔵され、当該一端側はトランスファーアームＣとシャトルアームＧ３との間におけるウエハＷの受け渡し用の出力ポートＰ２として用いられる。また、シャトルアームＧ３のベースプレート６３Ｃの他端側には昇降ピン機構６５Ｃが内蔵され、当該他端側はインターフェイスアームＦとシャトルアームＧ３との間におけるウエハＷの受け渡し用の入力ポートＰ４として用いられる。さらに受け渡しブロックＳ３にはシャトルアームＧ３及びシャトルアームＧ４との間でウエハＷの受け渡しに用いられる受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂが設けられ、この受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂは受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａと同様に構成されている。

そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１１〜Ａ１３、Ａ２１〜Ａ２３、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、受け渡しアームＥ、シャトルアームＧ１〜Ｇ４、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そしてこれらプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

このようなこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして、図７を用いて説明する。ウエハＷの搬送は、制御部１００により、搬送フロー（搬送経路）のレシピに基づいて、メインアームＡ１１〜Ａ１３，Ａ２１〜Ａ２３、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、受け渡しアームＥ、シャトルアームＧ１〜Ｇ４、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。

先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の入力ポートＰ１にてシャトルアームＧ１に受け渡される。そしてシャトルアームＧ１により受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送され、次いで受け渡しアームＥにより受け渡しモジュールＴＲＳ２２に搬送される。続いてこの受け渡しモジュールＴＲＳ２２のウエハＷは、メインアームＡ１２又はメインアームＡ２２により第１の処理ブロックＳ２のＢＣＴ１層又は第２の処理ブロックＳ２のＢＣＴ２層に夫々受け取られる。

第１の処理ブロックＳ２では、前記ＢＣＴ１層に受け取られたウエハＷは、メインアームＡ１２により温調モジュールＣＰＬ→第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＬＨＰ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１２の経路で搬送されて、ウエハＷの表面に第１の反射防止膜が形成される。

次いで受け渡しモジュールＴＲＳ１２のウエハＷは、第１の受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、ここからメインアームＡ１３によりＣＯＴ１層に受け取られる。ＣＯＴ１層では、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３の経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。

一方、第２の処理ブロックＳ４に搬送されたウエハＷについては、前記ＢＣＴ２層に受け取られたウエハＷは、メインアームＡ２２により温調モジュールＣＰＬ→第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＬＨＰ→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３２の経路で搬送されて、ウエハＷの表面に第１の反射防止膜が形成される。

次いで受け渡しモジュールＴＲＳ３２のウエハＷは、第２の受け渡しアームＤ２により受け渡しモジュールＴＲＳ３３に搬送され、メインアームＡ２３によりＣＯＴ２層に受け取られる。ＣＯＴ２層では、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３の経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。

こうして第１の処理ブロックＳ２及び第２の処理ブロックＳ４にて、各々第１の反射防止膜とレジスト膜とが形成されたウエハＷは、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３に集められる。そして受け渡しアームＥにより受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送されて、ここからシャトルアームＧ２により棚ユニットＵ３の出力ポートＰ３に搬送され、ここでインターフェイスアームＦに受け渡される。次いでウエハＷはインターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ６に搬送され、所定の露光処理が行われる。

続いて露光処理後のウエハＷの搬送経路について説明する。先ず第１の処理ブロックＳ２にて現像処理を行なう場合について説明すると、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより入力ポートＰ４にて搬送され、ここでシャトルアームＧ３に受け渡される。次いでウエハＷはシャトルアームＧ３により受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂに搬送され、続いて受け渡しモジュールＴＲＳ−ＢのウエハＷは受け渡しアームＥにより受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送されて、ここからメインアームＡ１１により第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層に受け取られる。

ＤＥＶ１層では、加熱モジュールＰＥＢ→冷却モジュールＣＯＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１の経路で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ１１を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

一方第２の処理ブロックＳにて現像処理を行なう場合について説明すると、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより受け渡しモジュールＴＲＳ３１に搬送され、ここからメインアームＡ２１により第２の処理ブロックＳのＤＥＶ２層に受け取られる。ＤＥＶ２層では、加熱モジュールＰＥＢ→冷却モジュールＣＯＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１の経路で搬送され、所定の現像処理が行われる。

続いてウエハＷは受け渡しアームＥにより受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂに搬送され、次いでシャトルアームＧ４により棚ユニットＵ１の出力ポートＰ２まで移動される。こうして現像処理が行われたウエハＷは、前記出力ポートＰ２にてシャトルアームＧ４からトランスファーアームＣに受け渡されて、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このようなレジストパターン形成装置では、スループットの向上を図ることができる。つまり第１の処理ブロックＳ２及び第２の処理ブロックＳ４の各単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２１〜Ｂ２３には、例えば３個の液処理モジュールと、この液処理モジュールに対応した個数の処理モジュールとを備えているので、各処理ブロックＳ２，Ｓ４のスループットは、背景技術の欄にして説明した従来のレジストパターン形成装置とほぼ同じ程度であるが、これら２つの処理ブロックＳ２，Ｓ４を受け渡しブロックＳ３を介して接続しているので、１つの処理ブロックが増加した分、スループットの向上を図ることができる。

この際第１及び第２の処理ブロックＳ２,Ｓ４の内部に組み込まれるモジュールの個数は、従来の装置とほぼ同じあるので、各単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２１〜Ｂ２３内においては、メインアームＡ１１〜Ａ１３,Ａ２１〜Ａ２３の負担が増大することがなく、搬送スループットの低下のおそれがない。

また各単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３，Ｂ２１〜Ｂ２３へのウエハＷの搬送については、第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４内のウエハＷの搬送は、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２と各メインアームＡ１１〜Ａ１３，Ａ２１〜Ａ２３を用いて行う一方、キャリアブロックＳ１から第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４へのウエハＷの搬送は、シャトルアームＧ１と受け渡しアームＥ、第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４からインターフェイスブロックＳ５へのウエハＷの搬送は、受け渡しアームＥとシャトルアー
ムＧ２を夫々用いて行い、さらにインターフェイスブロックＳ５から受け渡しブロックＳ３への搬送と受け渡しブロックＳ３からキャリアブロックＳ１への搬送は夫々シャトルアームＧ４，Ｇ３により行なっている。

このため処理ブロックが増加したとしても、ウエハＷの搬送を、第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４のメインアームＡ１１〜Ａ１３,Ａ２１〜Ａ２３と、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２と、シャトルアームＧ１〜Ｇ４と、受け渡しブロックＳ３の受け渡しアームＥとにより分担して行っているので、１つのアームへの負荷が軽減され、搬送スループットの低下を抑えることができる。

さらにこの例では、キャリアブロックＳ１から受け渡しブロックＳ３にウエハＷを搬送した後、ここを基点として第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４にウエハＷを振り分けて搬送するというように、第１の処理ブロックＳ２から見ればウエハＷが当該処理ブロックＳ２の後ろ側から搬入されるため、ウエハＷが搬入されるまでの時間が長くなり、搬送スループットが低下するようにも考えられるが、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ５へ向かう往路用のシャトルアームＧ１，Ｇ２と、インターフェイスブロックＳ５からキャリアブロックＳ１に向かう復路用のシャトルアームＧ３，Ｇ４とを用意することにより、シャトルアームＧ１はキャリアブロックＳ１から受け渡しブロックＳ３までの搬送のみを行なえばよく、搬送スループットの低下のおそれは少ない。

さらにまた、シャトルアームＧ１〜Ｇ４はベースプレート６３Ａ〜６３Ｄ上を横方向に移動するのみであり、ウエハＷの受け渡しは昇降ピン機構６５Ａ〜６５Ｄを用いて行っているので、シャトルアームＧ１〜Ｇ４自体に昇降機構を設ける場合よりも、シャトルアームＧ１〜Ｇ４の駆動制御や容易であると共に、シャトルアームＧ１〜Ｇ４が軽量となることから、搬送スピードの増加を見込むことができる。

また本発明のレジストパターン形成装置は、搬送プログラムの作成が容易である。つまり２個の処理ブロックＳ２，Ｓ４が設けられていても、露光処理前のウエハＷは、キャリアブロックＳ１から受け渡しブロックＳ３に搬送され、ここを基点として第１の処理ブロックＳ２のＢＣＴ１層又は第２の処理ブロックＳ４のＢＣＴ２層に振り分けられる。

従ってキャリアブロックＳ１からＢＣＴ１層又はＢＣＴ２層に至るまでのウエハＷの搬送経路が同じとなるので、キャリアブロックＳ１に隣接する第１の処理ブロックＳ２に搬送するときにはシャトルアームＧ１を用いず、第２の処理ブロックＳ４に搬送するときにはシャトルアームＧ１を用いるというように、ウエハＷの搬送に使用するアームが搬送先の処理ブロックＳ２，Ｓ４に応じて異なったり、キャリアブロックＳ１から第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ４にウエハＷを受け渡すまでの搬送工程数が異なることがないので、搬送プログラムの作成が容易になる。

さらに第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ４内においては、夫々独立してＢＣＴ１層→ＣＯＴ１層の経路、又はＢＣＴ２層→ＣＯＴ２層の経路でウエハＷが搬送され、この後ＣＯＴ１層やＣＯＴ２層にて処理が行われたウエハＷは受け渡しブロックＳ３に集められる。このため第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ４内における搬送経路については互いに独立して制御できるので、この点からも搬送プログラムの作成が容易となる。

さらにまたレジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しブロックＳ３に一旦集められ、ここからインターフェイスブロックＳ５に搬送されるので、第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４→受け渡しブロックＳ３→インターフェイスブロックＳ５に至る搬送経路が第１の処理ブロックＳ２にて処理を行う場合であっても、第２の処理ブロックＳ４にて処理を行う場合であっても同じとなる。従ってインターフェイスブロックＳ５に隣接する第２の処理ブロックＳ４から搬送するときにはシャトルアームＧ２を用いず、第１の処理ブロックＳ２から搬送するときにはシャトルアームＧ２を用いるというように、処理が行われる処理ブロックに応じてウエハＷの搬送に使用するアームが異なったり、インターフェイスブロックＳ５にウエハＷを受け渡すまでの搬送工程数が異なることがないので、この点からも搬送プログラムの作成が容易になる。

また上述の例では、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４とでは、ＤＥＶ１層とＤＥＶ２層、ＢＣＴ１層とＢＣＴ２層、ＣＯＴ１層とＣＯＴ２層とが、互いに受け渡しブロックＳ３を介して隣接するように設けられており、ＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層同士や、ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層同士など同じ塗布膜の形成処理を行う単位ブロックに設けられたメインアームＡ１２，Ａ２２（Ａ１３，Ａ２３）が夫々共通の受け渡しモジュールＴＲＳ２２，ＴＲＳ２３（ＴＲＳ２４，ＴＲＳ２５）にアクセスできるように構成されている。

このため受け渡しブロックＳ３に設けられた受け渡しアームＥから見ると、ＢＣＴ１層又はＢＣＴ２層に搬送する前のウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａから受け渡しモジュールＴＲＳ２２に搬送し、レジスト膜が形成されたウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２３から受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送するというように、ウエハＷがどちらの処理ブロックＳ２，Ｓ４にて処理されるかに関わらずウエハＷの搬送を行うことができるので、この点からも搬送プログラムの作成が容易となる。

以上において、上述の例では、露光処理後のウエハＷを第２の処理ブロックＳ４に搬送するときには、受け渡しモジュールＴＲＳ３１からＤＥＶ２層のメインアームＡ２１により直接受け取るようにしたが、一旦シャトルアームＧ３により受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂに搬送し、ここから受け渡しアームＥ→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→メインアームＡ２１の経路にてＤＥＶ２層内に搬送するようにしてもよい。

続いて本発明の他の実施の形態について図８〜図１０を用いて説明する。この例のレジストパターン形成装置が、上述の装置と異なる点は、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４に第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられていないことと、受け渡しブロックＳ３に上下２段の受け渡しアームＥ１，Ｅ２が設けられていることと、棚ユニットＵ１〜Ｕ３に設けられているモジュールと、ウエハの搬送経路である。

この例では棚ユニットＵ１には、棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＳ１と第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層との間でウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１１と入力ポートＰ１と出力ポートＰ２とが設けられており、棚ユニットＵ３には第２の処理ブロックＳ２のＤＥＶ２層とインターフェイスブロックＳ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための第２の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ３１と出力ポートＰ３と入力ポートＰ４とが設けられている。

また受け渡しブロックＳ３の棚ユニットＵ２には、ＤＥＶ１層，ＤＥＶ２層のメインアームＡ１１，Ａ２１によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２１と、シャトルアームＧ１，Ｇ２によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａと、シャトルアームＧ３，Ｇ４によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂと、ＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層のメインアームＡ１２，Ａ２２によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２２，ＴＲＳ２３と、ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層のメインアームＡ１３，Ａ２３によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２４，ＴＲＳ２５とが夫々設けられている。

そして受け渡しブロックＳ３には受け渡しアームＥ１，Ｅ２が上下に２段に設けられており、例えば前記受け渡しモジュールＴＲＳ２１，ＴＲＳ−Ａ，ＴＲＳ−Ｂに対しては受け渡しアームＥ２によりウエハＷの受け渡しを行い、前記受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ，ＴＲＳ２２，ＴＲＳ２３，ＴＲＳ２４，ＴＲＳ２５に対しては受け渡しアームＥ１によりウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。

このようなレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして、図１０を用いて説明する。ウエハＷは、キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ１の入力ポートＰ１→シャトルアームＧ１→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ→受け渡しアームＥ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２２の経路で搬送され、受け渡しモジュールＴＲＳ２２のウエハＷは、メインアームＡ１１，Ａ２２により夫々ＢＣＴ１層、ＢＣＴ２層に受け取られる。

そしてＢＣＴ１層の内部では、メインアームＡ１２により既述のように所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３に搬送される。一方ＢＣＴ２層の内部においては、メインアームＡ２２により既述のように所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３に搬送される。

次いで受け渡しモジュールＴＲＳ２３のウエハＷは、受け渡しアームＥ１により受け渡しモジュールＴＲＳ２４に搬送され、ここからメインアームＡ１３，Ａ２３により夫々ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層に受け取られる。そしてＣＯＴ１層では、メインアームＡ１３により既述のように所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２５に搬送される。一方ＣＯＴ２層においてもメインアームＡ２３により所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２５に搬送される。

こうして第１の反射防止膜とレジスト膜とが形成されたウエハＷは、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２５に集められ、受け渡しアームＥ１により受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送され、ここからシャトルアームＧ２により棚ユニットＵ３の出力ポートＰ３まで移動する。次いでウエハＷはインターフェイスアームＦに受け渡されて露光装置Ｓ６に搬送され、所定の露光処理が行われる。

露光処理後のウエハＷについては、第１の処理ブロックＳ２にて現像処理を行なう場合には、インターフェイスアームＦ→入力ポートＰ４→シャトルアームＧ３→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂ→受け渡しアームＥ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→メインアームＡ１１→ＤＥＶ１層の経路で搬送される。そしてＤＥＶ１層では、メインアームＡ１１により既述のように所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬送され、現像処理後のウエハＷはトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

一方第２の処理ブロックＳ４にて現像処理を行なう場合については、インターフェイスアームＦにより受け渡しモジュールＴＲＳ３１に搬送され、ここからメインアームＡ２１によりＤＥＶ２層に受け取られる。そしてＤＥＶ２層では、メインアームＡ２１により所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送される。次いでウエハＷは、受け渡しアームＥ２→受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂ→シャトルアームＧ４→出力ポートＰ２の経路で搬送される。こうして現像処理が行われたウエハＷは、出力ポートＰ２を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このようなウエハＷの搬送は、制御部１００により、この制御部１００に格納された搬送レシピに基づいて、メインアームＡ１１〜Ａ１３,Ａ２１〜Ａ２３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＥ１，Ｅ２、シャトルアームＧ１,Ｇ２、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。

このような装置においても、２つの処理ブロックＳ２，Ｓ４においてウエハＷが処理されるので、スループットの向上を図ることができる。また各処理ブロックＳ２，Ｓ４には受け渡しアームＤ１，Ｄ２を設けず、受け渡しブロックＳ３に２段に受け渡しアームＥ１，Ｅ２を設けているので、トータルのアームの個数が少なくなり、低コスト化を図ることができる。この際、受け渡しブロックＳ３には受け渡しアームＥ１，Ｅ２を上下に２段に設けることにより、搬送を分担して行なうと共に、各アームＥ１，Ｅ２の移動領域が狭められるので、搬送スループットの低下について考慮する必要はない。

またこの例においても、受け渡しブロックＳ３を基点としてキャリアブロックＳ１から第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４へ至るウエハＷの搬送と、第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４からインターフェイスブロック５へ至るウエハＷの搬送とを行っているので、キャリアブロックＳ１→第１の処理ブロックＳ２→インターフェイスブロック５の搬送経路と、キャリアブロックＳ１→第２の処理ブロックＳ４→インターフェイスブロック５の搬送経路とが同じとなり、搬送プログラムの作成が容易となる。

この際この例においても、露光処理後のウエハＷを第２の処理ブロックＳ４に搬送するときには、一旦シャトルアームＧ３により受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂに搬送し、ここから受け渡しモジュールＴＲＳ２１→メインアームＡ２１の経路にてＤＥＶ２層内に搬送するようにしてもよい。

続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１１〜図１３を用いて説明する。この例のレジストパターン形成装置が、上述の第１の実施の形態の装置と異なる点は、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４に第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられていないことと、受け渡しブロックＳ３に上下２段に受け渡しアームＥ１，Ｅ２が設けられていることと、第１の処理ブロックＳ２及び第２の処理ブロックＳ４に設けられている単位ブロックと、棚ユニットＵ１〜Ｕ３に設けられているモジュールと、ウエハの搬送経路である。

この例では、第１の処理ブロックＳ２は、下方側からＤＥＶ１層と２つのＢＣＴ１層、ＢＣＴ２層とを積層して構成され、第２の処理ブロックＳ２は、下方側からＴＣＴ１層, ＴＣＴ２層、ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層が積層して構成されている。ここでＴＣＴ１層, ＴＣＴ２層とは、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成処理層であり、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。

そして前記第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層と第２の処理ブロックＳ４のＴＣＴ１層，ＴＣＴ２層、前記第１の処理ブロックＳ２のＢＣＴ１層と第２の処理ブロックＳ４のＣＯＴ１層、前記第１の処理ブロックＳ２のＢＣＴ２層と第２の処理ブロックＳ４のＣＯＴ２層とは、夫々受け渡しブロックＳ３を介して隣接するように設けられている。

ここでＢＣＴ２層はＢＣＴ１層と同様に構成されており、メインアームＡ１４により各モジュールの間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。またＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層は上述の実施の形態のＣＯＴ２層と同様に構成されており、夫々メインアームＡ２４，Ａ２５により各モジュールの間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

さらにＴＣＴ１層，ＴＣＴ２層は、上述の実施の形態のＣＯＴ２層とほぼ同様に構成されており、ＴＣＴ１層の内部には、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴが設けられ、棚ユニットＵ５には、加熱冷却モジュールＬＨＰと温調モジュールＣＰＬと周辺露光装置ＷＥＥ等とが設けられている。また棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部としてインターフェイスアームＦがアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３１が設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ２６によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

一方ＴＣＴ２層の内部には、液処理モジュールとして、例えば３個の第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴが設けられると共に、棚ユニットＵ５には、加熱冷却モジュールＬＨＰと温調モジュールＣＰＬと周辺露光装置ＷＥＥ等が設けられている。また棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部としてインターフェイスアームＦがアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３０，ＴＲＳ３２が設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ２７によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。またＴＣＴ２層は、シャトルアームＧ６を備えており、前記受け渡しステージＴＲＳ３０はシャトルアームＧ６専用の受け渡しモジュールとして用いられる。

また棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＳ１と第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層との間でウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ１１が設けられており、この内受け渡しモジュールＴＲＳ１０はシャトルアームＧ５専用の受け渡し部として用いられる。

また受け渡しブロックＳ３の棚ユニットＵ２には、ＤＥＶ１層のメインアームＡ１１とＴＣＴ１層のメインアームＡ２６及びＴＣＴ２層のメインアームＡ２７によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２１，ＴＲＳ２２と、シャトルアームＧ１，Ｇ２によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２０と、ＢＣＴ１層のメインアームＡ１２とＣＯＴ１層のメインアームＡ２４によりアクセスされる受け渡しステージＴＲＳ２３，ＴＲＳ２４と、ＢＣＴ２層のメインアームＡ１４とＣＯＴ２層のメインアームＡ２５によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２５，ＴＲＳ２６と、が設けられており、この内受け渡しモジュールＴＲＳ２０はシャトルアームＧ５，Ｇ６専用の受け渡し部として用いられる。

そして受け渡しブロックＳ３には受け渡しアームＥ１，Ｅ２が上下に２段に設けられており、例えば前記受け渡しモジュールＴＲＳ２１，ＴＲＳ２２，ＴＲＳ２０に対しては受け渡しアームＥ２によりウエハＷの受け渡しを行い、前記受け渡しモジュールＴＲＳ２０，ＴＲＳ２３，ＴＲＳ２４，ＴＲＳ２５，ＴＲＳ２６に対しては受け渡しアームＥ１によりウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。

この例のシャトルアームＧ５，Ｇ６について、ＤＥＶ層１に設けられるシャトルアームＧ５を例にして図１３を用いて説明すると、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台７２に沿って進退するための１本の保持アーム７１を備えており、前記基台７２は、搬送基体７４上に回転機構７３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体７４は、例えば棚ユニットＵ１の上部側に、棚ユニットの長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材７６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール７５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚ユニットＵ１の受け渡しユニットＴＲＳ１０と受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０との間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。

またシャトルアームＧ６もシャトルアームＧ５と同様に構成され、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０と棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３０との間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。なお受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０は既述の受け渡しモジュールＴＲＳ１３と同様に構成されている。

このようなレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成し、さらにその上に第２の反射防止膜を形成する場合を例にして、図１２を用いて説明する。ウエハＷは、キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０→シャトルアームＧ５→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０→受け渡しアームＥ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２３又は受け渡しモジュールＴＲＳ２５の経路で搬送される。そして受け渡しモジュールＴＲＳ２３又は受け渡しステージＴＲＳ２５のウエハＷは、メインアームＡ１２，Ａ１４により夫々ＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層に受け取られる。

そしてＢＣＴ１層の内部では、メインアームＡ１２により所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２４に搬送される。一方ＢＣＴ２層の内部においては、メインアームＡ１４により所定のモジュールに順次搬送された後、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２６に搬送される。

次いで受け渡しモジュールＴＲＳ２４，ＴＲＳ２６のウエハＷは、ここからメインアームＡ２４，Ａ２５により夫々ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層に受け取られる。そしてＣＯＴ１層では、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２３の経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。さらにＣＯＴ２層では、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２５の経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
続いてウエハＷは、夫々の受け渡しモジュールＴＲＳ２３，ＴＲＳ２５から受け渡しアームＥ１により一旦受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送された後、受け渡しアームＥ２により夫々受け渡しモジュールＴＲＳ２１，ＴＲＳ２２に搬送され、ここからメインアームＡ２６，Ａ２７により夫々ＴＣＴ１層，ＴＣＴ２層に受け取られる。ＴＣＴ１層では、温調モジュールＣＰＬ→第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３１の経路で搬送され、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。一方ＴＣＴ２層では、温調モジュールＣＰＬ→第２の反射防止膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ３２の経路で搬送され、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。

そして受け渡しモジュールＴＲＳ３１，ＴＲＳ３２のウエハＷはインターフェイスアームＦにて露光処理装置Ｓ６に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。一方露光処理後のウエハＷについては、インターフェイスアームＦ→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ６→受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０→受け渡しアームＥ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１又はＴＲＳ２２→メインアームＡ１１→ＤＥＶ１層の経路で搬送される。

そしてＤＥＶ１層では、メインアームＡ１１により所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬送され、次いで受け渡しモジュールＴＲＳ１１のウエハＷはトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このようなウエハＷの搬送は、制御部１００により、この制御部１００に格納された搬送レシピに基づいて、メインアームＡ１１〜Ａ１４，Ａ２４〜Ａ２７、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＥ１，Ｅ２、シャトルアームＧ５，Ｇ６、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。

このように第１の処理ブロックＳ２にＤＥＶ１層を設けると共に、第２の処理ブロックＳ４にＴＣＴ１層及びＴＣＴ２層を設けるようにしてもよく、この場合においても２個の処理ブロックＳ２，Ｓ４を用いて処理を行っているので、スループットの向上を図ることができる。

この際、ＢＣＴ１層とＣＯＴ１層、及びＢＣＴ２層とＣＯＴ２層とを受け渡しブロックＳ３を挟んで隣同士に設けているので、ＢＣＴ１層からＣＯＴ１層（ＢＣＴ２層からＣＯＴ２層）との間のウエハＷの受け渡しは、共通の受け渡しステージＴＲＳ２４（ＴＲＳ２６）を介して行うことができる。従ってＢＣＴ１層→ＣＯＴ１層（ＢＣＴ２層→ＣＯＴ２層）へのウエハＷの搬送は、メインアームＡ１２→受け渡しモジュールＴＲＳ２４→メインアームＡ２４（メインアームＡ１４→受け渡しモジュールＴＲＳ２６→メインアームＡ２５）により行われ、これらの搬送の際に受け渡しアームＥ１を用いる必要がないので、受け渡しアームＥ１の負担が軽減され、搬送スループットの向上に貢献することができる。

またキャリアブロックＳ１からＢＣＴ１層又はＢＣＴ２層へのウエハＷの受け渡し方が同じであり、またＢＣＴ１（ＢＣＴ２）層からＣＯＴ１（ＣＯＴ２）層のウエハＷの受け渡し方も同じであるので、搬送プログラムの作成も容易である。

続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１４〜図１６を用いて説明する。この例のレジストパターン形成装置が、上述の第１の実施の形態の装置と異なる点は、第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４に設けられた単位ブロックの配置と、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４に第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられていないことと、受け渡しブロックＳ３の構成と、棚ユニットＵ１,Ｕ３に設けられているモジュールと、ウエハの搬送経路である。

第１の処理ブロックＳ２には、下方側からＤＥＶ１層，ＣＯＴ１層，ＢＣＴ１層がこの順序で積層されており、第２の処理ブロックＳ４には、下方側からＤＥＶ２層，ＣＯＴ２層，ＢＣＴ２層がこの順序で積層されている。そしてＤＥＶ１層，ＤＥＶ２層同士と、ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層同士と、ＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層同士とは、夫々受け渡しブロックＳ３を介して隣接するように設けられている。なおＤＥＶ１層，ＤＥＶ２層、ＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層、ＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層の構成は夫々上述の第１の実施の形態の構成と同様である。

そして受け渡しブロックＳ３は、互いに隣接する２つの棚ユニットＵ２１，Ｕ２２を備えており、これら棚ユニットＵ２１，Ｕ２２には夫々受け渡し部が多段に構成されると共に、棚ユニットＵ２１に対しては受け渡しアームＥ３、棚ユニットＵ２２に対しては受け渡しアームＥ４により、夫々各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

前記棚ユニットＵ２１は、第１の処理ブロックＳ２に対してウエハＷの受け渡しを行うために用いられるので、棚ユニットＵ２１の各受け渡し部は、処理ブロックＳ２のメインアームＡ１１〜Ａ１３がアクセスできる位置に設けられる。また棚ユニットＵ２２は、第２の処理ブロックＳ４に対してウエハＷの受け渡しを行うために用いられるので、棚ユニットＵ２２の各受け渡し部は、処理ブロックＳ４のメインアームＡ２１〜Ａ２３がアクセスできる位置に設けられる。

さらにこれら棚ユニットＵ２１，Ｕ２２はシャトルアームＧ１，Ｇ２専用の共通の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａと、シャトルアームＧ３，Ｇ４専用の共通の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂとを備えており、これら受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ，ＴＲＳ−Ｂは、夫々両シャトルアームＧ１，Ｇ２、両シャトルアームＧ３，Ｇ４がアクセスできる位置に設けられる。一方前記受け渡しアームＥ３，Ｅ４は進退自在、昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在に構成され、これら受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ，ＴＲＳ−Ｂに対しては両受け渡しアームＥ３，Ｅ４がアクセスできるように構成されている。

そして受け渡しブロックＳ３の棚ユニットＵ２１には、ＤＥＶ１層のメインアームＡ１１によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ２１と、ＣＯＴ層Ｂ１３のメインアームＡ１３によりアクセスされる受け渡しステージＴＲＳ２２，ＴＲＳ２３と、ＢＣＴ１層のメインアームＡ１２によりアクセスされる受け渡しステージＴＲＳ２４，ＴＲＳ２５とが設けられる。さらに受け渡しブロックＳ３の棚ユニットＵ２２には、ＤＥＶ２層のメインアームＡ２１によりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ４１と、ＣＯＴ２層のメインアームＡ２３によりアクセスされる受け渡しステージＴＲＳ４２，ＴＲＳ４３と、ＢＣＴ２層のメインアームＡ２２によりアクセスされる受け渡しステージＴＲＳ４４，ＴＲＳ４５とが設けられる。

さらにまた第１の処理ブロックＳ１の棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＳ１とＤＥＶ１層との間でウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１１と、入力ポートＰ１と、出力ポートＰ２とが設けられている。そして第２の処理ブロックＳ４の棚ユニットＵ３には、ＤＥＶ２層とインターフェイスブロックＳ５との間でのウエハＷの受け渡しを行うための第２の受け渡し部として、出力ポートＰ３と入力ポートＰ４とが設けられている。

このようなレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして、図１６を用いて説明する。ウエハＷは、キャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣから棚ユニットＵ１の入力ポートＰ１を介してシャトルアームＧ１に受け渡され、受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送されて、ここから第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４とに振り分けて搬送される。

つまり第１の処理ブロックＳ２に搬送するときには、先ず受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ→受け渡しアームＥ３→受け渡しモジュールＴＲＳ２４の経路で搬送され、メインアームＡ１２によりＢＣＴ１層に受け取られる。そしてＢＣＴ１層の内部では、メインアームＡ１２により所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２５に搬送される。

この後ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２５→受け渡しアームＥ３→受け渡しモジュールＴＲＳ２２の経路で搬送されて、ここからＣＯＴ１層のメインアームＡ１３に受け取られる。そしてＣＯＴ１層では、所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２３に搬送される。次いでウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２３から受け渡しアームＥ３により受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送され、ここからシャトルアームＧ２により出力ポートＰ３を介してインターフェイスアームＦに受け渡される。そして露光装置Ｓ６に搬送され、所定の露光処理が行われる。

一方、第２の処理ブロックＳ４に搬送するときには、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａ→受け渡しアームＥ４→受け渡しモジュールＴＲＳ４４に搬送され、ここからメインアームＡ２２によりＢＣＴ２層に受け取られる。そしてＢＣＴ２層では、メインアームＡ２２により所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ４５に搬送される。

この後ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ４５→受け渡しアームＥ４→受け渡しモジュールＴＲＳ４２の経路で搬送されて、ＣＯＴ２層のメインアームＡ２３に受け取られ、ＣＯＴ２層内において、所定のモジュールに順次搬送された後、棚ユニットＵ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ４３に搬送される。この後ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ４３から受け渡しアームＥ４により、受け渡しモジュールＴＲＳ−Ａに搬送され、ここからシャトルアームＧ２により出力ポートＰ３に搬送され、インターフェイスアームＦに受け渡される。

続いて露光処理後のウエハＷについては、第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層に搬送するときには、インターフェイスアームＦ→入力ポートＰ４→シャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂ→受け渡しアームＥ３→受け渡しモジュールＴＲＳ２１→メインアームＡ１１→ＤＥＶ１層の経路で搬送される。そしてＤＥＶ１層内において、既述のように所定のモジュールに順次搬送した後、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１を介して、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

一方第２の処理ブロックＳ４のＤＥＶ２層に搬送するときには、インターフェイスアームＦ→受け渡しモジュールＴＲＳ３１→メインアームＡ２１→ＤＥＶ２層の経路で搬送される。そしてＤＥＶ２層内において、既述のように所定のモジュールに順次搬送した後、棚ユニットＵ２２の受け渡しモジュールＴＲＳ４１→受け渡しアームＥ４→受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂ→シャトルアームＧ４→棚ユニットＵ１の出力ポートＰ２の経路で搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

このようなウエハＷの搬送は、制御部１００により、この制御部１００に格納された搬送レシピに基づいて、メインアームＡ１１〜Ａ１３，Ａ２１〜Ａ２３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＥ３，Ｅ４、シャトルアームＧ１〜Ｇ４、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。

このように受け渡しブロックＳ３に、第１の処理ブロックＳ２との間でウエハの受け渡しを行なうための受け渡し部を多段に設けた棚ユニットＵ２１と、第２の処理ブロックＳ４との間でウエハの受け渡しを行なうための受け渡し部を多段に設けた棚ユニットＵ２２と、これら棚ユニットＵ２１，Ｕ２２の受け渡し部に対してアクセスする受け渡しアームＥ３，Ｅ４を設けたので、受け渡しアームＥ３，Ｅ４の負担が軽減され、スループットの向上を図ることができる。

またこの例においても、受け渡しブロックＳ３を基点としてキャリアブロックＳ１から第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４へ至るウエハＷの搬送と、第１の処理ブロックＳ２又は第２の処理ブロックＳ４からインターフェイスブロック５へ至るウエハＷの搬送とを行っているので、キャリアブロックＳ１→第１の処理ブロックＳ２→インターフェイスブロック５の搬送経路と、キャリアブロックＳ１→第２の処理ブロックＳ４→インターフェイスブロック５の搬送経路とが同じとなり、搬送プログラムの作成が容易となる。

この際この例においても、露光処理後のウエハＷを第２の処理ブロックＳ４に搬送するときには、一旦シャトルアームＧ３により受け渡しブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ−Ｂに搬送し、ここから受け渡しモジュールＴＲＳ４１→メインアームＡ２１の経路にてＤＥＶ２層内に搬送するようにしてもよい。
以上において本発明では、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４の夫々にシャトルアームを設けるようにしたが、共通のシャトルアームを用いて搬送を行なうようにしてもよい。またシャトルアームは往路用と復路用とを別個に設けるようにしたが、往路用と復路用として共通のシャトルアームを設けるようにしてもよい。さらにシャトルアームは、第１の処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４の最上層の単位ブロックに設けるようにしてもよいし、往路用のシャトルアームと復路用のシャトルアームとを別個の単位ブロックに設けるようにしてもよい。またシャトルアームとしては、図６に示す構成や図１３に示す構成のいずれの構成も用いることができる。
また本発明は、塗布膜としてレジスト膜のみを形成する場合や、レジスト膜の上に第２の反射防止膜を形成する場合、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜を形成する場合にも適用できる。さらに第１の処理ブロックＳ２及び第２の処理ブロックＳ４の両方に塗布膜形成用の単位ブロックが含まれており、第１の処理ブロックＳ２及び第２の処理ブロックＳ４のいずれかに現像処理用の単位ブロックが含まれていれば、第１及び第２の処理ブロックＳ２，Ｓ４に設ける単位ブロックは、ＢＣＴ層とＣＯＴ層とＴＣＴ層とＤＥＶ層から自由に選択でき、夫々の積層順も自由に設定できる。
さらにまた棚ユニットＵ４，Ｕ５に設けられる処理モジュールとしては、上述の例とは別の他のモジュールを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３に設けられる受け渡し部としては、受け渡しモジュールの数を多くするようにしてもよいし、温調機構を受け渡し部とを兼用するタイプの構成のモジュールを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ１〜Ｕ３には、疎水化処理を行なうモジュールを設けるようにしてもよいし、塗布膜の膜厚の検査やウエハＷの反り量の検査を行なう検査ユニットを設けるようにしてもよい。

さらにまた本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ１層の単位ブロックを示す平面図である。 前記ＣＯＴ１層の単位ブロックを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置に設けられるシャトルアームを示す断面図と平面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。 前記塗布、現像装置における他の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す側面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態を示す側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられるシャトルアームを説明するための斜視図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態を示す側面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。 従来の塗布、現像装置を示す側面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 第１の処理ブロック
Ｓ３ 受け渡しブロック
Ｓ４ 第２の処理ブロック
Ｓ５ インターフェイスブロック
Ｓ６ 露光装置
Ａ１１〜Ａ２３ メインアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 第１の受け渡しアーム
Ｄ２ 第２の受け渡しアーム
Ｅ 受け渡しアーム
Ｇ１，Ｇ２ シャトルアーム
Ｆ インターフェイスアーム
１００ 制御部

Claims (12)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、前記塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理用の単位ブロックはいずれも、薬液を基板に塗布するための液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュールの間で基板を搬送する単位ブロック用の基板搬送手段と、を備える塗布、現像装置において、
   前記キャリアブロックに接続されるように設けられると共に、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成され、キャリアブロックに設けられた受け渡し手段によりキャリアブロックとの間で基板の受け渡しが行なわれる第１の処理ブロックと、
   前記インターフェイスブロックに接続されるように設けられると共に、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成され、インターフェイスブロックに設けられたインターフェイスアームによりインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しが行われる第２の処理ブロックと、
   第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとの間に設けられ、第１の処理ブロックの単位ブロックの基板搬送手段及び第２の処理ブロックの単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われる共用受け渡し部が多段に設けられると共に、これら共用受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう受け渡しアームを備なえた受け渡しブロックと、
   第１の処理ブロックと第２の処理ブロックの少なくとも一方に設けられ、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックと、
   前記第１の処理ブロックに設けられ、キャリアブロックと受け渡しブロックの共用受け渡し部との間で基板の受け渡しを行なうための第１の直通搬送手段と、
   前記第２の処理ブロックに設けられ、受け渡しブロックの共用受け渡し部とインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための第２の直通搬送手段と、
   キャリアブロックから第１の直通搬送手段により基板を受け渡しブロックに搬送して、この受け渡しブロックから基板を第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックと第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックとに振り分けて受け渡し、次いで第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックから受け渡しブロックに受け渡し、この後受け渡しブロックから第２の直通搬送手段により基板をインターフェイスブロックに搬送するように、前記受け渡し手段と直通搬送手段と受け渡しアームと基板搬送手段とインターフェイスアームとを制御する手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
2. レジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を受け渡しブロックから第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する代わりに、レジスト膜を含む塗布膜が形成された基板を第２の処理ブロックから基板搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送することを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 前記第１の処理ブロックには、キャリアブロックと隣接する領域に、当該第１の処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行なうと共に、第１の処理ブロックとキャリアブロックとの間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡し部が多段に設けられ、これら第１の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第１の受け渡しアームが設けられることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
4. 前記第２の処理ブロックには、インターフェイスブロックと隣接する領域に、当該第２の処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行なうと共に、第２の処理ブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡し部が多段に設けられ、これら第２の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第２の受け渡しアームが設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
5. 前記第１の直通搬送手段及び第２の直通搬送手段は、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向けて基板を搬送するための往路用の直通搬送手段と、インターフェイスブロックからキャリアブロックに向けて基板を搬送するための復路用の直通搬送手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
6. 第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとには、同じ種類の塗布膜の形成を行なう単位ブロックが受け渡しブロックを介して隣接するように設けられており、前記同じ種類の塗布膜の形成を行なう単位ブロックの基板搬送手段が受け渡しブロックの共通の共用受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
7. 前記塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト膜を形成する単位ブロックと、基板にレジスト膜を形成する前又は後に、この基板に反射防止膜を形成する単位ブロックと、を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
8. 第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとには、基板にレジスト膜を形成する単位ブロックと、基板にレジスト膜を形成する前又は後に、この基板に反射防止膜を形成する単位ブロックと、が受け渡しブロックを介して隣接するように設けられており、前記単位ブロックの基板搬送手段が受け渡しブロックの共通の共用受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
9. 前記受け渡しブロックは、第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための多段に設けられた第１の処理ブロック用の受け渡し部と、これら第１の処理ブロック用の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第１の処理ブロック用の受け渡しアームと、第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための多段に設けられた第２の処理ブロック用の受け渡し部と、これら第２の処理ブロック用の受け渡し部同士の間で基板の搬送を行なう第２の処理ブロックＢの受け渡しアームと、を備えることを特徴とする請求項１，５，６，７又は８記載の塗布、現像装置。
10. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
    前記キャリアブロックから、このキャリアブロックの受け渡し手段により、このキャリアブロックに接続され、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成された第１の処理ブロックの第１の直通搬送手段に基板を受け渡す工程と、
    次いで基板を前記第１の直通搬送手段により、前記第１の処理ブロックと、塗布膜形成用の単位ブロックを含む複数の単位ブロックを積層して構成された第２の処理ブロックとに接続された受け渡しブロックに搬送する工程と、
    次いで基板を受け渡しブロックに設けられた受け渡しアームにより、受け渡しブロックに多段に設けられ、第１の処理ブロック及び第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに対して基板の受け渡しを行なうための共用受け渡し部に搬送する工程と、
    次いで共用受け渡し部の基板を、第１の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた基板搬送手段又は第２の処理ブロックの塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた基板搬送手段により、各々の単位ブロックに受け取る工程と、
    次いで基板が受け取られた塗布膜形成用の単位ブロック内において、所定の塗布膜の形成処理を行なう工程と、
    次いで基板搬送手段により、塗布膜が形成された基板を受け渡しブロックの共用受け渡し部に搬送する工程と、
    次いで受け渡しブロックの共用受け渡し部の基板を、第２の処理ブロックに設けられた第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
11. 受け渡しブロックの共用受け渡し部の基板を、第２の処理ブロックに設けられた第２の直通搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する代わりに、第２の処理ブロックの基板搬送手段によりインターフェイスブロックに搬送する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の塗布、現像方法。
12. キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記プログラムは、請求項１０または１１に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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