KR101667823B1 - 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 처리 블록의 설치 면적을 억제하는 것이다.
적층된 전단 처리용 단위 블록과, 각각 대응하는 적층된 후단 처리용 단위 블록 사이에 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와, 각 단의 도포 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구와, 상기 전단 처리용 단위 블록, 후단 처리용 단위 블록 각각에 적층된 현상 처리용 단위 블록을 구비하는 도포, 현상 장치를 구성한다. 각 층 사이에서 기판을 전달시키므로, 사용 불가로 된 단위 블록을 피해 기판을 반송할 수 있다. 또한, 현상용 단위 블록이, 전단 처리용 및 후단 처리용 단위 블록에 적층되어 있으므로, 설치 면적이 억제된다.

Description

도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판에 레지스트를 도포하여, 현상을 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치되어 있다.
처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 각 단위 블록에는 웨이퍼의 반송 기구가 설치되고, 당해 반송 기구에 의해 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈로 전달되어 처리를 받는다.
그런데, 보다 미세한 패턴을 형성하고, 또한 수율을 저하시키기 위해, 상기 처리 블록에 설치되는 처리 모듈은 다양화하고 있다. 예를 들어, 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 레지스트막 형성 모듈이나 현상액을 공급하는 현상 모듈 외에, 레지스트가 도포된 웨이퍼의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈, 레지스트막의 상층에 약액을 공급하고 또한 막을 형성하는 상층용 액처리 모듈 등이 설치되는 경우가 있다.
또한, 도포, 현상 장치에는 다종 다양한 반도체 제품을 제조할 수 있도록 구성하고 싶다는 요청이 있다. 구체적으로는, 상기 레지스트막 형성 모듈은 포지티브 레지스트, 네거티브 레지스트 중 한쪽의 레지스트를 웨이퍼에 공급하도록 구성하여, 각각의 레지스트에 대응한 현상 모듈을 설치하는 것이 검토되어 있다. 이와 같이 각종 처리 모듈을 처리 블록에 탑재한 후에, 어떻게 도포, 현상 장치의 점유 바닥 면적을 억제할지가 검토되고 있다.
상기한 단위 블록을 적층하는 구성은, 상기 점유 바닥 면적을 억제하기 때문에 유효하지만, 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록으로 반송되므로, 1개의 처리 모듈 또는 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리 전체를 정지해야만 하는 경우가 있다. 그렇게 되면, 장치의 처리량이 저하되어 버린다는 문제가 있다.
일본 특허 출원 공개 제2007-115831호
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 단위 블록에 이상이 발생하거나 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 처리 블록의 설치 면적을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치는 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하여, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은,
기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것과,
복수의 전단 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 전단 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 노광 전의 기판을 세정하기 위한 세정 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 후단 처리용 단위 블록과,
전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와,
기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제1 현상 처리용 적층 블록과,
기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 후단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제2 현상 처리용 적층 블록과,
제1 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록과, 이 단위 블록에 대응하는 제2 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 현상 처리용 전달부와,
각 단의 도포 처리용 전달부 사이 및 각 단의 현상 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구를 구비한 것과,
b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 반입출용 전달부와,
c) 캐리어로부터 전단 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 상기 전달부로 기판을 배분하여 전달하는 동시에, 현상 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 전달부로부터 기판을 캐리어로 복귀시키기 위한 제1 전달 기구와,
d) 상기 처리 블록에서 처리된 노광 전의 기판을 수취하여, 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록으로 배분하여 전달하기 위한 제2 전달 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
이 도포, 현상 장치의 구체적인 형태로서는, 예를 들어 하기와 같다.
(1) 상기 세정 모듈은 레지스트막이 형성된 기판의 이면측을 세정하기 위한 기구를 구비하고 있다.
(2) 상기 제1 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록군에 의해 구성되고,
상기 제2 현상 처리용 적층 블록은 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록군에 의해 구성되어 있다.
(3) 상기 제1 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록과 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록을 포함하고,
상기 제2 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록과 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록을 포함한다.
(4) 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 이후, 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한다.
(5) 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 이후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한다.
(6) 전단 처리용 단위 블록의 적층수 및 후단 처리용 단위 블록의 각각의 적층수는 3층인 것을 특징으로 하는, 청구항 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 도포, 현상 장치.
(7) 제1 현상 처리용 적층 블록 및 제2 현상 처리용 적층 블록의 각각의 단위 블록의 적층수는 3층이다.
(8) 상기 보조 반송 기구는 각 단의 도포 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제1 보조 이동 탑재 기구와, 각 단의 현상 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제2 보조 이동 탑재 기구를 구비하고 있다.
본 발명의 도포, 현상 방법은, 상기한 도포, 현상 장치를 사용하고,
전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 공정과,
그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정 및 기판을 세정하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 본 발명의 도포, 현상 방법은 상기한 도포, 현상 장치를 사용하고,
후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정 및 기판을 세정하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기억 매체는 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은 상기한 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하기 위한 전단 처리용 단위 블록을 복수 적층하고, 레지스트막 상에 상층측의 막을 형성하기 위한 후단 처리용 단위 블록을 복수 적층하고, 이들 적층체를 전후로 연결하는 동시에, 전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달부와, 각 층의 전달부 사이에서 보조 이동 탑재 기구에 의해 기판의 전달을 할 수 있도록 구성하고 있다. 따라서, 전단 처리용 단위 블록 및 후단 처리용 단위 블록 중 어느 하나를 사용할 수 없게 되어도, 보조 반송 기구를 이용하여 다른 쪽의 단위 블록에 의해 처리를 행할 수 있어, 처리량의 저하를 방지하는 것이 도모된다. 또한, 전단 처리용 단위 블록의 적층체 및 후단 처리용 단위 블록의 적층체에, 현상 처리를 행하기 위한 단위 블록을 복수 적층하고 있으므로, 장치의 설치 면적을 억제하면서, 장치의 깊이 치수(캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 방향을 따른 길이 치수)도 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 평면도.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 액처리 모듈의 종단 측면도.
도 5는 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 6은 상기 도포, 현상 장치의 제어부의 구성도.
도 7은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 8은 웨이퍼(W)가 노광되는 모습을 도시하는 설명도.
도 9는 웨이퍼(W)가 노광되는 모습을 도시하는 설명도.
도 10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 11은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 12는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 13은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 14는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 15는 다른 처리 블록의 구성도.
도 16은 또 다른 처리 블록의 구성도.
도 17은 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 18은 또 다른 처리 블록의 구성도.
본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치(1)를 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도 2는 상기 개략 사시도, 도 3은 상기 개략 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(1)는 기판인 웨이퍼(W)가, 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행하기 위한 처리 블록(S20)과, 인터페이스 블록(S4)을 직선 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S4)에는 액침 노광을 행하는 노광 장치(S5)가 접속되어 있다.
상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(C)를 적재하는 적재대(11)와, 이 적재대(11)로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 아암(13)이 설치되어 있다. 전달 아암(13)은 상하 방향으로 5개의 웨이퍼 보유 지지부(14)를 구비하고, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 후술하는 제어부(51)는 캐리어(C)의 웨이퍼(W)에 번호를 할당하여, 전달 아암(13)은 번호가 작은 것으로부터 5매씩 차례로 웨이퍼(W)를 처리 블록(S20)의 전달 모듈(BU1)로 일괄로 전달한다. 또한, 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 장소를 모듈로 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대해 가열, 액처리, 가스 공급 또는 주연 노광 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈로 기재한다. 또한, 처리 모듈 중, 웨이퍼(W)에 약액이나 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈로 기재한다.
처리 블록(S20)은 캐리어 블록(S1)측에 설치된 전단측 처리 블록(S2) 및 인터페이스 블록(S4)측에 설치된 후방측 처리 블록(S3)으로 이루어진다. 전방측 처리 블록(S2) 및 후방측 처리 블록(S3)의 개략적인 종단 측면도이다. 도 4도 참조하면서 설명을 계속한다. 전방측 처리 블록(S2)은 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)이 하부로부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 이들 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)은 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 단위 블록용 반송 수단인 메인 아암(A)과, 상기 메인 아암(A)이 이동하는 반송 영역(R1)을 구비하고 있고, 각 전방측 단위 블록(B)에서는 이들의 배치 레이아웃이 마찬가지로 구성되어 있다. 각 전방측 단위 블록(B)에서는 메인 아암(A)에 의해 서로 독립되어 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 행해진다.
도 1에서는 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해 도시하고 있고, 이하, 대표로 이 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해 설명한다. 이 제1 전방측 단위 블록(B1)의 중앙에는 캐리어 블록(S1)으로부터 후방측 처리 블록(S3)을 향하는 상기 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)을 캐리어 블록(S1)으로부터 제2 처리 블록(S3)측으로 본 좌우에는 액처리 유닛(21), 선반 유닛(U1 내지 U6)이 각각 배치되어 있다.
액처리 유닛(21)에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과, 레지스트막 형성 모듈(COT1)이 설치되어 있고, 캐리어 블록(S1)측으로부터 제2 처리 블록(S3)측을 향해 BCT1, COT1이, 이 순서로 배열되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은 반송 영역(R1)의 형성 방향을 따라서 2개의 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 스핀 척(22)은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하는 동시에 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 23은 처리컵으로, 상측이 개방되어 있다. 처리컵(23)은 스핀 척(22)의 주위를 둘러싸고, 약액의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리컵(23) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(22)에 보유 지지된다.
또한, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)에는 각 처리컵(23)에서 공용되는 노즐(24)이 설치되어 있다. 도면 중 부호 25는 노즐(24)을 지지하는 아암이고, 도면 중 부호 26은 구동 기구이다. 구동 기구(26)는 아암(25)을 통해 노즐(24)을 각 처리컵(23)의 배열 방향으로 이동시키는 동시에 아암(25)을 통해 노즐(24)을 승강시킨다. 구동 기구(26)에 의해, 노즐(24)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 각 처리컵(23) 사이를 이동하여, 각 스핀 척(22)으로 전달된 웨이퍼(W)의 중심에 반사 방지막 형성용 약액을 토출한다. 공급된 약액은 상기 스핀 척(22)에 의해 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주연으로 얇고 넓게 펴져, 반사 방지막이 성막된다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은 웨이퍼(W)의 둘레 단부에 용제를 공급하고, 당해 둘레 단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다.
레지스트막 형성 모듈(COT1)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 레지스트막 형성 모듈(COT1)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리컵(23) 및 스핀 척(22)을 2개씩 구비하고 있고, 2개의 처리컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 노즐이 공유되어 있다. 단, 이 노즐로부터는 반사 방지막 형성용 약액 대신에, 레지스트가 토출된다. 또한, 이 노즐은 포지티브형 레지스트를 공급하는 노즐(27)과 네거티브형 레지스트를 공급하는 노즐(28)에 의해 구성되어 있다.
선반 유닛(U1 내지 U6)은 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해 배열되어 있다. 각 선반 유닛(U1 내지 U6)은 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈이, 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 따라서, 전방측 단위 블록(B1)은 12기의 가열 모듈(27)을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어 블록(S1)측으로부터 후방측 처리 블록(S3)측으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 전방측 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
제2 전방측 단위 블록(B2) 및 제3 전방측 단위 블록(B3)은 상술한 제1 전방측 단위 블록(B1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이 제2 전방측 단위 블록(B2)에 설치되어 있는 반사 방지막 형성 모듈을 BCT2로 하고, 2기의 레지스트막 형성 모듈을 COT2로 한다. 또한, 제3 전방측 단위 블록(B3)에 설치되어 있는 반사 방지막 형성 모듈을 BCT3으로 하고, 레지스트막 형성 모듈을 COT3으로 한다. 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)은 전단 처리용 단위 블록을 구성한다.
계속해서, 제1 현상 처리용 적층 블록을 구성하는 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 대해 설명한다. 제4 전방측 단위 블록(B4)은 제1 전방측 단위 블록(B1)과의 차이점으로서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에, 현상 모듈(DEV1, DEV2)을 구비하고 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5) 및 제6 전방측 단위 블록(B6)은 제4 전방측 단위 블록(B4)과 마찬가지로 구성되어 있고, 각각 2기의 현상 모듈(DEV)을 구비하고 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5)에 설치되어 있는 현상 모듈을 DEV3, DEV4로 한다. 제6 전방측 단위 블록(B6)에 설치되어 있는 현상 모듈을 DEV5, DEV6으로 한다. 현상 모듈(DEV)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있다. 단, 웨이퍼(W)에 레지스트 대신에, 포지티브형의 레지스트를 현상하는 현상액을 공급하여, 현상 처리(포지티브 현상)를 행한다.
각 층의 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸쳐서 선반 유닛(U7)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U7)은 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 이들 각 모듈에 대해 이하에 설명한다. 제1 전방측 단위 블록(B1)의 높이 위치에는 소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2) 및 전달 모듈(CPL11, CPL12)이 설치되어 있다. 제2 전방측 단위 블록(B2)의 높이 위치에는 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4) 및 전달 모듈(CPL13, CPL14)이 설치되어 있다. 제3 전방측 단위 블록(B3)의 높이 위치에는 소수화 처리 모듈(ADH5, ADH6) 및 전달 모듈(CPL15, CPL16)이 설치되어 있다.
제4 전방측 단위 블록(B4)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL21) 및 전달 모듈(BU11)이 설치되어 있다. 제5 전방측 단위 블록(B5)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL22) 및 전달 모듈(BU12)이 설치되어 있다. 제6 전방측 단위 블록(B6)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL23) 및 전달 모듈(BU13)이 설치되어 있다. 설명 중, CPL로 기재한 전달 모듈은 적재한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. BU로 기재한 전달 모듈은 복수매의 웨이퍼(W)를 수용하여, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH6)은 웨이퍼(W)의 베벨부를 포함하는 표면에 처리 가스를 공급하여, 소수성을 향상시킨다. 이에 의해, 각 액처리 모듈에서 당해 둘레 단부의 막이 제거되어 웨이퍼(W)의 표면이 노출된 상태에서도, 당해 표면이 발수 작용을 갖고, 액침 노광 시에 당해 둘레 단부로부터 각 막의 벗겨짐이 억제된다.
또한, 선반 유닛(U7)에 있어서, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(13)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 반입출용 전달부를 구성하는 전달 모듈(BU1, CPL10)이 설치되어 있다. 전달 모듈(BU1)은 상술한 전달 아암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄로 수취하기 위해, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼(W)의 보유 지지부를 구비하고 있다. 전달 모듈(BU1)로 반송된 웨이퍼(W)는 제어부(51)에 의해 배정된 번호가 작은 것으로부터 순서대로 각 단위 블록으로 배분된다. 전달 모듈(CPL10)은 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키기 위해 사용된다.
또한, 선반 유닛(U7)에는 검사 모듈(31)이 설치되어 있다. 검사 모듈(31)은 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하여, 패턴 쓰러짐, 선 폭 이상, 레지스트 용해 불량 등의 각종 검사 항목에 대해 이상의 유무를 검사한다. 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)으로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때에, 검사 모듈(31)로 반입하는 웨이퍼(W)는, 예를 들어 전달 모듈(BU11 내지 BU13)로 반송된다. 검사 모듈(31)로 반송되지 않는 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL)로부터 전달 모듈(BU11 내지 BU13)을 통하지 않고 캐리어(C)로 복귀된다. 이와 같이 전달 모듈을 구분지어 사용함으로써, 상기 번호가 작은 순, 즉 캐리어(C)로부터의 반출순으로 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키도록, 웨이퍼(W)의 반송이 제어된다.
또한, 전방측 처리 블록(B2)에 있어서, 선반 유닛(U7)의 근방에는 승강 가능, 진퇴 가능한 제1 전달 기구인 전달 아암(30)이 설치되어 있다. 당해 전달 아암(30)은 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
계속해서 후방측 처리 블록(S3)에 대해 설명한다. 이 후방측 처리 블록(S3)은 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)이, 적층되어 구성되어 있다. 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)은 각각 전방측 단위 블록(B1 내지 B6)과 동일한 높이에 위치하고 있다. 이들 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)은 전방측 단위 블록(A)과 대략 동일한 레이아웃으로 구성되어 있고, 액처리 유닛(21)에 대응하는 액처리 유닛(32)과, 가열 모듈과, 단위 블록용 반송 수단인 메인 아암(A)에 대응하는 메인 아암(E)과, 상기 반송 영역(R1)에 대응하는 반송 영역(R2)을 구비하고 있다. 각 단위 블록(D)에서는, 메인 아암(E)에 의해 서로 독립되어 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 행해진다. 이하, 도 1을 참조하면서 대표로 제1 후방측 단위 블록(D1)에 대해 설명한다.
이 후방측 단위 블록(D1)의 액처리 유닛(32)에는 보호막 형성 모듈(TCT1), 이면 세정 모듈(BST1)이 인터페이스 블록(S4)을 향해 이 순서대로 설치되어 있다. 보호막 형성 모듈(TCT1)은 웨이퍼(W)에 발수성의 보호막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 것을 제외하고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과 동일한 구성이다. 즉, 보호막 형성 모듈(TCT1)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리컵(23) 및 스핀 척(22)을 2개씩 구비하고 있고, 2개의 처리컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 노즐(24)이 공유되어 있다.
이면 세정 모듈(BST)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되지만, 노즐(24)이 설치되는 대신에, 처리컵(23)마다 웨이퍼(W)의 이면 및 베벨부에 세정액을 공급하여 세정을 행하는 도시하지 않은 노즐이 설치된다. 또한, 이면 세정 모듈(BST)은 이면 또는 베벨부의 한쪽에 세정액을 공급하도록 구성되어 있어도 좋다. 또한, 액처리 유닛(32)에 대향하도록, 각 선반 유닛(U8 내지 U12)이 설치되어 있고, 각 선반 유닛은 2기의 가열 모듈(33)에 의해 구성되어 있다.
후방측 단위 블록(D2)은 상술한 제1 후방측 단위 블록(D1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제2 후방측 단위 블록(D2)에 설치되어 있는 보호막 형성 모듈을 TCT2로 하고, 이면측 세정 모듈을 BST2로 한다. 제3 후방측 단위 블록(D3)에 설치되어 있는 보호막 형성 모듈을 TCT3으로 하고, 이면측 세정 모듈을 BST3으로 한다.
제4 후방측 단위 블록(D4)은 제1 후방측 단위 블록(D1)과의 차이점으로서, 보호막 형성 모듈(TCT1) 및 이면 세정 모듈(BST1) 대신에, 네거티브 톤 현상 모듈(NTD1, NTD2)을 구비하고 있다. 이 네거티브 톤 현상 모듈(NTD)은 웨이퍼(W)에 네거티브형의 레지스트를 현상하는 현상액을 공급하여, 현상 처리(네거티브 현상)를 행한다. 현상액의 종류가 다른 것을 제외하고, 네거티브 톤 현상 모듈(NTD1)은 현상 모듈(DEV)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제5 후방측 단위 블록(D5) 및 제6 후방측 단위 블록(D6)은 제4 후방측 단위 블록(D4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제5 후방측 단위 블록(D5)은 네거티브 톤 현상 모듈로서 NTD3, NTD4를 구비하고 있고, 제6 후방측 단위 블록(D6)은 네거티브 톤 현상 모듈로서 NTD5, NTD6을 구비하고 있다.
네거티브 톤 현상 모듈(NTD)에서 사용되는 현상액, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에서 사용되는 약액 및 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 사용되는 레지스트는 유기 용제를 포함하고 있다. 네거티브 톤 현상 모듈(NTD)의 처리컵(23), 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)의 처리컵(23)에는 사용 종료된 약액 및 현상액을 액체 배출하는 액체 배출로가 접속되어 있고, 이들 액체 배출로의 하류측은 서로 합류되어 있다. 이들 NTD, BCT 및 COT에 접속된 액체 배출로는, 다른 액처리 모듈에 접속된 액체 배출로와 구획하여 설치되고, 유기 용제를 다른 액처리 모듈로부터의 액체 배출로 구별하여 액체 배출할 수 있다.
각 층의 반송 영역(R2)의 전방측 처리 블록(S2)측에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U13)이 각 후방측 단위 블록(D1 내지 D6)에 걸쳐서 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U13)의 구성에 대해 설명한다. 선반 유닛(U13)은 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있다. 제1 후방측 단위 블록(D1)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL31, CPL32)이 설치되어 있다. 제2 후방측 단위 블록(D2)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL33, CPL34)이 설치되고, 제3 후방측 단위 블록(D3)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL35, CPL36)이 설치되어 있다. 또한, 제4 후방측 단위 블록(D4)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL41, CPL42)이 설치되어 있다. 제5 후방측 단위 블록(D5)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL43, CPL44)이 설치되고, 제6 후방측 단위 블록(D6)의 높이 위치에는 전달 모듈(CPL45, CPL46)이 설치되어 있다.
선반 유닛(U13)을 구성하는 모듈에는 당해 모듈과 동일한 높이 위치에 있는 후방측 단위 블록(D)의 메인 아암(E)과, 전방측 단위 블록(B)의 메인 아암(A)을 액세스할 수 있다. 또한, 후방측 처리 블록(S3)에 있어서, 선반 유닛(U13)의 근방에는 전달 아암(40)이 설치되어 있고, 승강 가능, 선반 유닛(U13)에 대해 진퇴 가능하게 구성된다. 전달 아암(40)은 선반 유닛(U13)의 단위 블록(B1 내지 B6)의 높이 위치에 있는 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
계속해서, 인터페이스 블록(S4)의 구성에 대해, 도 5도 참조하면서 설명한다. 인터페이스 블록(S4)에는 각 후단측 단위 블록의 메인 아암(E1 내지 E6)을 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은 후방측 단위 블록(D4, D5, D6)의 높이 위치에 각각 TRS1, TRS2, TRS3을 구비하고 있다. 단위 블록(D1, D2, D3)의 높이 위치에는 각각 CPL51, CPL52, CPL53을 구비하고 있다. 또한, 선반 유닛(U11)은 전달 모듈(BU21 내지 BU23, CPL54)을 구비하고 있다. 이들 모듈은 서로 적층되어 설치되어 있다.
또한, 인터페이스 블록(S4)에는, 예를 들어 4기의 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)이 적층되어 설치되어 있다. 각 노광 후 세정 모듈(PIR)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있고, 웨이퍼(W) 표면에 레지스트 대신에, 보호막 제거 또는 세정용 처리액을 공급한다.
또한, 인터페이스 블록(S4)에는 2기의 인터페이스 아암(35, 36)이 설치되어 있다. 인터페이스 아암(35, 36)은 승강 가능 및 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 또한 인터페이스 아암(35)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스 아암(35)은 노광 장치(S5), 전달 모듈(BU21, CPL54)에 액세스하여, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(36)은 선반 유닛(U11)을 구성하는 각 모듈 및 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
계속해서, 도포, 현상 장치(1)에 설치된 제어부(51)에 대해 도 6을 참조하면서 설명한다. 도면 중 부호 52는 버스이고, 도면 중 부호 53은 CPU, 부호 54는 프로그램이다. 이 프로그램(54)에는 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 후술하는 바와 같이 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하여, 각 웨이퍼(W)에 대해 약액이나 세정액의 공급, 가열 등의 처리를 행하도록 명령(각 스텝)이 짜여져 있다. 이 프로그램(54)은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(51)에 인스톨된다.
또한, 버스(52)에는 메모리(55)가 접속되어 있다. 예를 들어, 메모리(55)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력값 등의 처리 파라미터의 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU(53)가 프로그램(54)의 각 명령을 실행할 때, 이들 처리 파라미터가 판독되고, 그 파라미터 값에 따른 제어 신호가 이 도포, 현상 장치(1)의 각 부위로 보내지게 된다.
또한, 메모리(55)에는 반송 스케줄 기억 영역(56)이 형성되어 있다. 이 기억 영역(56)에서는 웨이퍼(W)의 ID와, 당해 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈과, 반송되는 모듈의 순서가 서로 대응된 반송 스케줄이 기억되어 있다. 또한, 이 반송 스케줄에 있어서, 각 액처리 모듈에 대해서는 2개 있는 처리컵(23) 중, 어느 쪽으로 반입되는지에 대해서도 기억되어 있다. 이 반송 스케줄은 웨이퍼(W)의 처리 전에 미리 설정되어 있지만, 후술하는 바와 같이 단위 블록이나 모듈로의 반송 정지가 결정되면, 반송 정지로 되는 단위 블록이나 모듈에 따라서 변경되고, 변경된 스케줄로 반송이 행해진다.
또한, 버스(52)에는 설정부(57)가 접속되어 있다. 설정부(57)는, 예를 들어 키보드나 마우스, 터치 패널 등에 의해 구성되어, 사용자가 웨이퍼(W)의 반송 모드를 선택할 수 있도록 되어 있다. 모든 단위 블록이 동작 가능한 상태의 반송 모드를 통상 반송 모드로 하면, 이 통상 반송 모드에는 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 네거티브형의 레지스트가 도포되고, 후단측 단위 블록(D4 내지 D6)에서 현상 처리를 행하는 제1 통상 반송 모드(F1)와, 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 포지티브형의 레지스트가 도포되고, 전단측 단위 블록(B4 내지 B6)에서 현상 처리를 행하는 제2 통상 반송 모드(G1)가 있어, 사용자가 설정부(57)로부터 실행하는 통상 반송 모드를 선택할 수 있다.
또한, 사용자는 통상 반송 모드(F1 또는 G1) 실행 중에, 메인터넌스를 행하는 단위 블록에 따라서 반송 모드를 후술하는 F2 내지 F3 또는 G2 내지 G3으로 전환할 수 있다. 또한, 이 반송 모드의 전환은, 후술하는 바와 같이 자동으로 전환되는 경우도 있다. 반송 모드가 전화되면, 전환된 반송 모드에 따라서 반송 스케줄이 변화되고, 각 메인 아암(A, E), 전달 아암(13, 30, 40), 인터페이스 아암(35, 36)으로 제어 신호가 송신되어, 웨이퍼(W)의 반송처가 전환된다. 또한, 사용자는 설정부(57)로부터 웨이퍼(W)의 ID를 지정하여, 검사 모듈(31)에서 검사를 행하는 웨이퍼(W)를 설정할 수 있다.
메인 아암(A, E)은, 예를 들어 그 위치에 따른 위치 신호를 제어부(51)에 출력하고, 이 위치 신호에 기초하여, 제어부(51)는 메인 아암(A, E)의 동작 이상의 유무를 판정한다. 또한, 각 처리 모듈은 그 동작에 따라서 제어부(51)에 신호를 출력하고, 이 신호에 기초하여, 제어부(51)는 각 처리 모듈의 동작 이상의 유무를 판정한다. 그리고, 제어부(51)는 메인 아암(A, E)이나 각 단위 블록의 처리 모듈에 동작 이상이 있다고 판정했을 때에, 상기한 반송 모드의 변경을 행한다.
[통상 반송 모드(F1)]
계속해서, 통상 반송 모드(F1)가 실행되어 있을 때의 도포, 현상 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 도 10은 이 반송 경로의 개략을 도시한 것으로, 캐리어(C)로부터 버퍼 모듈(BU1)로 취출된 웨이퍼(W)는, 제1 내지 제3 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)으로 배분되어, 각각 처리를 받은 후, 제1 전방측 단위 블록(B1) → 제1 후방측 단위 블록(D1), 제2 전방측 단위 블록(B2) → 제2 후방측 단위 블록(D2), 제3 전방측 단위 블록(B3) → 제3 후방측 단위 블록(D3)의 경로에서 각각 반송된다. 제1 내지 제3 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)는 노광 장치(S5)로 반입 후, 제4 내지 제6 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)으로 배분되어, 현상 처리를 받는다.
이 예에서는, 후방측 단위 블록(D1, D2, D3)에 배분된 웨이퍼(W)는, 후방측 단위 블록(D4, D5, D6)에 각각 배분되고, 그 후, 전방측 단위 블록(B4, B5, B6)을 각각 통과하여 캐리어(C)로 복귀된다. 또한, 웨이퍼(W)는 제어부(51)에 배정된 번호가 작은 것으로부터 순서대로, 예를 들어 단위 블록(B1, B2, B3, B1, B2, B3, B1…)의 순으로 사이클릭으로 단위 블록(B1 내지 B3)으로 배분된다.
웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 모듈 단위로 상세하게 설명하면, 전달 모듈(BU1)로부터 제1 전방측 단위 블록(B1)으로 배분되도록 설정된 웨이퍼(W)는 전달 아암(30) → 소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2)의 순으로 반송되어, 소수화 처리된다. 그 후 메인 아암(A1)이, 상기 웨이퍼(W)를 전달 모듈(CPL11) → 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL12) → 레지스트막 형성 모듈(COT1) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL31)의 순으로 반송하여, 웨이퍼(W)에 반사 방지막, 네거티브형의 레지스트막이 순서대로 형성된다.
상기 웨이퍼(W)는 메인 아암(E1)에 의해 제1 후방측 단위 블록(D1)으로 반입되고, 보호막 형성 모듈(TCT1) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL32)의 순서대로 반송되어, 보호막이 형성되고, 또한 이면 세정 모듈(BST1)로 반송되어 이면 세정 처리를 받는다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E1) → 전달 모듈(CPL51)의 순서대로 반송되어, 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(BU22, BU23) → 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(CPL54) → 인터페이스 아암(35) → 노광 장치(S5)의 순으로 반송되어, 액침 노광된다.
도 8, 도 9는 이 노광 장치(S5)에서의 처리의 모습을 도시한 것이다. 도면 중 부호 61은 노광되는 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지로, 연직축 주위로 회전한다. N은 웨이퍼(W)의 노치이다. 부호 63은 노광 헤드로, 웨이퍼(W)를 노광하면서 이동한다. 노광 헤드(63)는, 쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)에 광을 조사하면서 웨이퍼(W)의 일방측과 타방측 사이에서 이동하고, 이 이동을 행할 때마다 이동 방향과는 직교하도록 어긋난다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 줄무늬 형상으로 노광 영역(64)이 형성된다. 도면 중 노광 영역(64)에는 다수의 점을 부여하고 있다. 그 후, 웨이퍼(W)가 90도 회전하여, 노광 헤드(63)가 다시 웨이퍼(W) 상을 마찬가지로 움직여, 웨이퍼(W)가 井자 형상으로 노광된다. 도면 중 부호 65는 비노광 영역이다.
액침 노광 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(35) → 전달 모듈(BU21) → 인터페이스 아암(36) →노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4) → 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(TRS1)의 순으로 반송된다. 그 후, 상기 웨이퍼(W)는 메인 아암(E4)에 의해 제4 후방측 단위 블록(D4)을, 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL41) → 네거티브 톤 현상 모듈(NTD1 내지 NTD2)의 순으로 반송되고, 비노광 영역(65)이 현상액에 용해되어, 격자 형상으로 구멍이 배열된 패턴이 형성된다. 또한, 상기 구멍은, 예를 들어 콘택트 홀의 형성에 이용된다. 현상 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E4) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL42)의 순서대로 반송된다.
메인 아암(A4)이 상기 웨이퍼(W)를 전달 모듈(CPL21) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(BU11) → 전달 아암(30) → 검사 모듈(31)의 순서대로 반송되고, 검사 후, 전달 아암(30) → 전달 모듈(CPL10) → 전달 아암(13)의 순으로 반송되어, 전달 아암(13)이 당해 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시킨다. 또한, 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)는 현상, 가열 처리 후, 전달 모듈(CPL21) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(CPL10) → 전달 아암(13) → 캐리어(C)의 순으로 반송된다.
제2 전방측 단위 블록(B2)에 배분되는 웨이퍼(W)는 제1 전방측 단위 블록(B1)에 배분되는 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 모듈 사이를 반송되어, 동일한 처리를 받는다. 이후, 간단하게 제2 전방측 단위 블록(B2)에 배분된 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 당해 웨이퍼(W)는 전달 모듈(BU1) → 전달 아암(30) → 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4)의 순으로 반송된 후, 메인 아암(A2)이, 이 웨이퍼(W)를 전달 모듈(CPL13) → 반사 방지막 형성 모듈(BCT2) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL14) → 레지스트막 형성 모듈(COT2) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL33)의 순서대로 반송되어, 네거티브형의 레지스트막이 형성된다.
그 후, 메인 아암(E2)에 의해, 상기 웨이퍼(W)는 보호막 형성 모듈(TCT2) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL34) → 이면측 세정 모듈(BST2) → 전달 모듈(CPL52)의 순서대로 반송되어, 인터페이스 아암(36)으로 전달된 후, 제1 전방측 단위 블록(B1)에 배분된 웨이퍼(W)와 동일한 경로에서 노광 장치(S5), 노광 후 세정 모듈(PIR)로 순서대로 반송된다. 그 후, 상기 웨이퍼(W)는 상기 노광 후 세정 모듈(PIR) → 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(TRS2) → 메인 아암(E5) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL43) → 네거티브 톤 현상 모듈(NTD3 내지 NTD4)의 순으로 반송되어, 현상 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E5) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL44) → 메인 아암(A5) → 전달 모듈(CPL22) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(BU12) → 전달 아암(30) → 검사 모듈(31) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(CPL10) → 전달 아암(13) → 캐리어(C)의 순으로 반송된다. 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)는 현상, 가열 처리 후, 전달 모듈(CPL22)로부터, 상기한 경로에 의해 캐리어(C)로 복귀된다.
제3 전방측 단위 블록(B3)에 배분되는 웨이퍼(W)도, 제1 전방측 단위 블록(B1)에 배분되는 웨이퍼(W)와 동일한 순서로 처리를 받도록, 모듈 사이를 반송된다. 이하에, 간단하게 반송 경로를 설명하면, 전달 모듈(BU1) → 전달 아암(30) → 소수화 처리 모듈(ADH5, ADH6)의 순으로 반송된 후, 메인 아암(A3)이, 당해 웨이퍼(W)를 전달 모듈(CPL15) → 반사 방지막 형성 모듈(BCT3) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL16) → 레지스트막 형성 모듈(COT3) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL35)의 순으로 반송되어, 네거티브형의 레지스트막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E3) → 보호막 형성 모듈(TCT3) → 메인 아암(E3) → 가열 모듈(33) → 메인 아암(E3) → 전달 모듈(CPL36) → 이면측 세정 모듈(BST3) → 전달 모듈(CPL53) → 인터페이스 아암(36)의 순으로 반송된다. 이후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(S4)을 상기한 경로에서 반송되어 노광, 노광 세정 처리를 받고, 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(TRS3)로 전달된 후, 메인 아암(E6)에 의해 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL43) → 네거티브 톤 현상 모듈(NTD5, NTD6)의 순으로 반송되어, 현상 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(E6) → 가열 모듈(33) → 전달 모듈(CPL44) → 메인 아암(A5) → 전달 모듈(CPL23) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(BU13) → 전달 아암(30) → 검사 모듈(31) → 전달 아암(30) → 전달 모듈(CPL10) → 전달 아암(13) → 캐리어(C)의 순으로 반송된다. 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)는 현상, 가열 처리 후, 전달 모듈(CPL23)로부터, 상기한 경로에 의해 캐리어(C)로 복귀된다.
[통상 반송 모드(G1)]
계속해서, 통상 반송 모드(G1)의 반송 경로에 대해 도 10을 참조하면서, 반송 모드(F1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 통상 반송 모드(F1) 실행 시와 마찬가지로 웨이퍼(W)는 전방측 단위 블록(B1 내지 B3), 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 및 인터페이스 블록(S4), 노광 장치(S5)로 반송된다. 단, 각 레지스트막 형성 모듈(COT)에서는, 웨이퍼(W)에 포지티브형 레지스트가 공급된다. 노광 후에 전방측 단위 블록(B1, B2, B3)에 배분된 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(S4)의 전달 모듈(TRS1, TRS2, TRS3)로 각각 반입된다.
전달 모듈(TRS1)로 반입된 웨이퍼(W)는 메인 아암(E4) → 전달 모듈(CPL41) → 메인 아암(A4)의 순서대로 전달되어 전방측 단위 블록(B4)으로 반입되고, 메인 아암(A4)은 당해 웨이퍼(W)를 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL42) → 현상 모듈(DEV1, DEV2) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL21)로 전달한다.
전달 모듈(TRS2)로 반입된 웨이퍼(W)는 메인 아암(E5) → 전달 모듈(CPL43) → 메인 아암(A5)의 순서대로 전달되어 전방측 단위 블록(B4)으로 반입된다. 메인 아암(A5)은 당해 웨이퍼(W)를 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL44) → 현상 모듈(DEV3, DEV4) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL22)로 전달한다.
전달 모듈(TRS3)의 웨이퍼(W)는 메인 아암(E6) → 전달 모듈(CPL45) → 메인 아암(A6)의 순서대로 전달되어 전방측 단위 블록(B6)으로 반입되고, 메인 아암(A6)은 당해 웨이퍼(W)를 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL46) → 현상 모듈(DEV5, DEV6) → 가열 모듈(27) → 전달 모듈(CPL23)로 전달한다. 이와 같이 전달 모듈(CPL21 내지 CPL23)로 반송된 웨이퍼(W)는 통상 반송 모드(F1) 실행 시와 마찬가지로 캐리어(C)로 반송된다. 예를 들어, 이 통상 반송 모드(G1)에서는, 도 9에서 도시한 바와 같이 웨이퍼(W) 전체를 1회 노광한 후의 스테이지(61)의 회전, 노광 헤드(63)의 재이동 및 재노광이 행해지지 않아, 통상 반송 모드(F1)와는 다른 형상의 레지스트 패턴이 형성된다.
[반송 모드(F2)]
계속해서, 반송 모드(F2)가 실행된 경우에 대해 설명한다. 이 반송 모드(F2)는 반송 모드(F1)가 실행되고 있을 때에, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3) 중, 어느 하나의 단위 블록에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드로, 처리 가능한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(D1 내지 D3)에 배분하여 반송을 행한다. 이후, 도 11을 참조하면서, 예를 들어 제어부(51)가 반송 아암(A1)에 이상을 검출한 경우에 대해 설명한다. 상기 이상이 검출되면, 제어부(51)는 반송 아암(A1)의 동작 및 전방측 단위 블록(B1)의 각 처리 모듈의 동작을 정지시킨다. 그리고, 전달 아암(30)에 의해 후속의 웨이퍼(W)를 제2, 제3 전방측 단위 블록(B2, B3)으로 교대로 반송하고, 상술한 반송 경로에서 각 웨이퍼(W)는 각 전방측 단위 블록(B2, B3)이 반송되어 처리를 받고, 그 후, 선반 유닛(U13)의 전달 모듈(CPL33, CPL35)로 반송된다.
그리고, 전달 모듈(CPL33, CPL35)로 반송된 웨이퍼(W) 중, 예를 들어 통상 반송 모드(F1) 실행 시에는 전방측 단위 블록(B1)에서 처리될 예정이었던 웨이퍼(W)는 전달 아암(40)에 의해 전달 모듈(CPL31)로 반송되고, 메인 아암(E1)에 의해 후방측 단위 블록(D1)으로 반입된다. 그 밖의 웨이퍼(W)에 대해서는, 전달 모듈(CPL32, CPL33)로부터 메인 아암(E2, E3)에 의해 후방측 단위 블록(D2, D3)으로 각각 반입된다. 이후에는, 통상 반송 모드(F1) 실행 시와 마찬가지로 각 웨이퍼(W)는 반송되어, 처리를 받는다. 그리고, 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 제1 전방측 단위 블록(B1)에 대해, 사용자는 고장 시의 수리나 정기 점검, 조정 확인 등의 메인터넌스를 행할 수 있다.
전방측 단위 블록(B2, B3)에서 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 없게 된 경우에도 이 예와 마찬가지로, 사용 가능한 전방측 단위 블록(B)에 의해 처리가 행해지고, 그 후, 전달 아암(40)에 의해, 각 후방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 전달 모듈(CPL)에 웨이퍼(W)가 배분된다.
[반송 모드(F3)]
계속해서, 반송 모드(F3)가 실행된 경우에 대해 설명한다. 이 반송 모드(F3)는 반송 모드(F1)가 실행되고 있을 때에, 후방측 단위 블록(D1, D2, D3) 중 어느 하나에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드로, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)를, 상기 D1 내지 D3의 후방측 단위 블록 중, 처리 가능한 후방측 단위 블록으로 배분한다.
이후, 도 12를 참조하면서, 예를 들어 메인 아암(E1)에 이상이 검출된 경우에 대해 설명한다. 제어부(51)는 메인 아암(E1)의 동작 및 후방측 단위 블록(D1)의 각 처리 모듈의 동작을 정지시킨다. 그리고, 전달 모듈(CPL31)에 전방측 단위 블록(D1)에서 처리된 웨이퍼(W)가 반송되면, 이 웨이퍼(W)는 전달 아암(40)에 의해, 선반 유닛(U13)의 전달 모듈(CPL33, CPL35)에 교대로 배분되어, 전달 모듈(CPL33, CPL33)로부터 후방측 단위 블록(D2, D3)으로 반입되어 처리를 받는다.
노광 후, 이들 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(37)에 의해 후방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 배분되어 처리를 받고, 통상 반송 모드(F1) 실행 시와 마찬가지로 캐리어(C)로 복귀된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 제1 후방측 단위 블록(D1)에 대해, 사용자는 상술한 바와 같은 메인터넌스를 행할 수 있다. 후방측 단위 블록(D2, D3)에서 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 없게 된 경우에도 이 예와 마찬가지로, 전달 아암(40)에 의해 D1 내지 D3 중 사용 가능한 후방측 단위 블록(D)에 웨이퍼(W)가 배분되어, 웨이퍼(W)는 당해 단위 블록(D)에서 처리 후, 각 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)에 배분된다.
[반송 모드(G2)]
계속해서, 반송 모드(G2)에 대해 설명한다. 이 반송 모드(G2)는 반송 모드(G1)가 실행되고 있을 때에, 전방측 단위 블록(B1, B2, B3) 중, 어느 하나에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드이다. 처리 가능한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(D1 내지 D3)에 배분하여 반송을 행하는 모드이다. 도 13에는 도 11과 마찬가지로 전방측 단위 블록(B1)에서 처리를 행할 수 없게 된 경우의 반송 경로를 도시하고 있다. 후방측 단위 블록(D4 내지 D6) 대신에, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에서 현상 처리되는 것을 제외하면, 반송 모드(F2)와 마찬가지로 웨이퍼(W)가 반송된다.
[반송 모드(G3)]
계속해서, 반송 모드(G3)에 대해 설명한다. 이 반송 모드(G3)는 반송 모드(G1)가 실행되고 있을 때에, 후방측 단위 블록(D1, D2, D3) 중 어느 하나에서 처리를 행할 수 없게 된 경우에 실행되는 반송 모드로, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)를, 상기 D1 내지 D3의 후방측 단위 블록 중, 처리 가능한 후방측 단위 블록에 배분한다. 도 13은 도 11과 마찬가지로 후방측 단위 블록(D1)에서 처리를 행할 수 없게 된 경우의 반송 경로를 도시하고 있다. 후방측 단위 블록(D4 내지 D6) 대신에, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에서 현상 처리되는 것을 제외하면, 반송 모드(F3)와 마찬가지로 웨이퍼(W)가 반송된다.
웨이퍼(W)의 처리 중에 자동으로 반송 모드가 F1 및 G1로부터 전환되는 예에 대해 나타냈지만, 사용자가, 예를 들어 설정부(57)로부터 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키는 단위 블록을 선택하여, 반송 모드(F2, F3, G2 및 G3)로의 전환을 지시할 수도 있다. 그리고, 사용자는 반송을 정지시킨 단위 블록을 상술한 바와 같이 메인터넌스할 수 있다.
상기한 예에서는 3중화된 동일한 구성의 단위 블록 중 1개로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지되는 예에 대해 나타내고 있지만, 동일한 구성의 단위 블록 중 2개로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시켜도 좋다. 또한, 반송 모드(F2, F3)는 서로 조합하여 실행되어도 좋고, 반송 모드(G2, G3)는 서로 조합하여 실행되어도 좋다. 따라서, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3) 중 1개 또는 2개, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중 1개 또는 2개로의 웨이퍼(W)의 반송이 동시에 정지되어도 좋다.
또한, 도포, 현상 장치(1)에서는 검사 모듈(31)에서 웨이퍼(W)를 검사한 결과에 따라서, 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 웨이퍼(W)에 이상이 검출되었을 때에, 제어부(51)는 이상으로 된 검사 항목과, 당해 웨이퍼(W)의 ID와, 반송 경로를 서로 대응시켜 검사의 이력으로서 메모리(55)에 기억한다. 그리고, 제어부(51)는 지금까지 메모리(55)에 기억된 과거의 검사의 이력에 기초하여, 동일한 단위 블록을 통과한 소정의 매수의 웨이퍼(W)에, 동일한 검사 항목에 대해 이상이 검출되어 있는지 여부를 판정한다.
이상이 검출된 매수가 소정의 매수보다 적다고 판정된 경우에는 처리가 속행된다. 이상이 검출된 매수가 소정의 매수 이상이라고 판정된 경우에는, 당해 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키도록 결정한다. 이와 같이 결정하면, 제어부(51)는 반송 정지로 되어 있지 않은 단위 블록에 웨이퍼(W)를 배분하도록, 각 전달 아암 및 인터페이스 아암의 동작을 제어하여, 이들 단위 블록을 사용하여 웨이퍼(W)의 처리가 계속된다. 또한, 제어부(51)는 반송의 정지를 결정한 단위 블록에 있어서의 각 처리 모듈의 동작 및 메인 아암의 동작을 정지시킨다. 이에 의해, 사용자가 당해 단위 블록에 대해 상술한 메인터넌스를 행할 수 있다.
이와 같이 검사 결과에 의해 단위 블록의 반송을 정지시키는 경우에는, 상기한 반송 모드(F2, G2) 등의 실행 시와 달리, 예를 들어 이상이 발생한 웨이퍼(W)가 통과하는 모든 단위 블록에 대해 반송이 정지된다. 즉, 단위 블록(B1 내지 B3 및 D1 내지 D3) 외에, 단위 블록(B4 내지 B6 및 D4 내지 D6)에 대해서도, 이상으로 된 웨이퍼(W)가 통과한 단위 블록으로의 반송이 정지된다.
또한, 도포, 현상 장치(1)에서는 처리 모듈마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제어부(51)는 웨이퍼(W)에 이상이 검출되었을 때에, 상술한 바와 같이 검사의 이력을 기억한다. 계속해서, 과거의 검사의 이력을 참조하여, 동일한 처리 모듈을 통과한 웨이퍼(W) 중, 소정의 매수의 웨이퍼(W)에 동일한 검사 항목에 대해 이상이 검출되어 있다고 판정한 경우에, 제어부(51)가 당해 처리 모듈로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킨다. 즉, 단위 블록에 있어서, 반송 정지로 된 처리 모듈 이외의 동종의 처리 모듈로 웨이퍼(W)가 반송되어, 단위 블록에서의 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다. 단, BCT, COT, TCT 및 BST에 대해서는, 각 단위 블록에 1기씩 설치되어 있으므로, 이들 액처리 모듈로의 반송 정지가 결정된 경우에는, 예를 들어 당해 액처리 모듈을 포함하는 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지한다. 이와 같이 단위 블록마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬지, 처리 모듈 단위에서 웨이퍼(W)의 반송을 정지시킬지에 대해서는, 설정부(57)로부터 사용자가 설정할 수 있다.
이 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하기 위한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)을 적층하고, 레지스트막 상에 상층측의 막을 형성하기 위한 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)을 적층하여, 이들 적층체를 전후로 연결하는 동시에, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)과, 대응하는 후단 처리용 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 사이의 각 층에 전달 모듈이 설치되어, 전달 아암(40)에 의해 이 전달 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 할 수 있도록 구성하고 있다. 따라서, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3) 중 어느 하나가 고장이나 메인터넌스 등에 의해 사용할 수 없게 되어도, 사용 가능한 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)의 각 층에 웨이퍼(W)를 배분할 수 있다. 또한, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중 어느 하나가, 고장이나 메인터넌스 등에 의해 사용할 수 없게 되어도, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리를 행한 후, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3) 중, 사용 가능한 각 층에 웨이퍼(W)를 배분할 수 있다. 그것에 의해, 처리량의 저하를 도모할 수 있다. 또한, 전방측 단위 블록(B1 내지 B3)의 적층체 상, 후방측 단위 블록(D1 내지 D3)의 적층체 상에 각각, 현상 처리를 행하기 위한 전방측 단위 블록(B4 내지 B6), 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)을 적층하고 있으므로, 장치의 설치 면적을 억제하면서, 장치의 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S4)을 향하는 길이 치수도 억제할 수 있다.
또한, 이 도포, 현상 장치(1)에서는 네거티브 현상, 포지티브 현상을 선택하여 행할 수 있으므로, 이들 현상 처리를 각각 행하는 도포, 현상 장치를 복수 설치하는 경우에 비해, 비용의 저하 및 공장 내에 있어서의 장치의 설치 면적의 삭감을 도모할 수 있다. 또한, 도 8, 도 9에 도시한 반송 모드(F1 내지 F3)에서의 노광 패턴은 일례이고, 상기와 같이 웨이퍼(W)의 회전 전후에서 노광을 행하는 것으로는 한정되지 않고, 노광 헤드(63)가 1회만 웨이퍼(W) 상을 스캔하면서 노광해도 좋다.
도포, 현상 장치(1)에 있어서, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)의 각 선반 유닛(U8 내지 U12)은 가열 모듈(33) 외에 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 주연 노광을 행하는 주연 노광 모듈(WEE) 및 검사 모듈을 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 예를 들어 주연 노광 모듈(WEE) → 검사 모듈 → 보호막 형성 모듈(TCT)의 순으로 반송된다.
상기 검사 모듈에서는, 예를 들어 레지스트막의 표면의 이물질의 유무 및 레지스트의 막 두께가 검사된다. 그리고, 웨이퍼(W)에 이상이 검출된 경우에는, 제어부(51)가 반송 스케줄에 기초하여 상술한 판정을 행하여, 이상이 검출된 웨이퍼(W)가 통과한 처리 모듈이나 단위 블록에 대해, 후속의 웨이퍼(W)의 반송이 정지된다. 또한, 후방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 보호막 형성 모듈(TCT) → 가열 모듈(33) → 검사 모듈의 순으로 웨이퍼(W)를 반송하여, 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)에 대해 이물질이나 각 막의 막 두께를 검사해도 좋다. 이 경우에도, 웨이퍼(W)에 이상이 검출되면, 마찬가지로 웨이퍼(W)가 통과한 처리 모듈이나 단위 블록에 대해 후속의 웨이퍼(W)의 반송이 정지된다.
또한, 각 검사 모듈의 검사 결과에 의해 각 처리 모듈로의 반송을 정지하는 데 있어서, 액처리 모듈(BCT, COT, TCT, BST 및 DEV)에 대해서는, 예를 들어 각 처리컵마다 웨이퍼(W)의 반송의 정지를 제어할 수도 있다. 즉, 이들 각 처리 모듈에 있어서, 이상이 발생한 웨이퍼(W)를 처리한 쪽의 처리컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지하고, 당해 처리컵(23)과 노즐(24)을 공유하고 있는 처리컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송은 계속시킬 수 있다. 이와 같이 처리컵(23)마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키는 경우, 장치 내에서의 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정하기 위해, 예를 들어 1개의 BCT의 처리컵(23)을 사용하지 않는 것으로 한 경우에, 동일한 단위 블록의 1개의 COT의 처리컵(23)을 사용하지 않는 것으로 하도록 설정할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 1개의 COT의 처리컵(23)을 사용하지 않는 것으로 한 경우에 동일한 단위 블록의 1개의 BCT도 사용하지 않는 것으로 설정할 수 있다. 또한, 이와 같이 COT 및 BCT의 처리컵(23)으로의 반송이 정지된 단위 블록과 마찬가지로 구성된 단위 블록에서도, COT의 1개의 처리컵(23) 및 BCT의 1개의 처리컵(23)으로의 반송을 정지시킴으로써, 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정해도 좋다.
또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)에 있어서, TCT는 보호막 형성 모듈이 아니라, 레지스트막의 상층에 반사 방지막을 형성하는 모듈이라도 좋다. 또한, 소수화 처리 모듈(ADH)에서의 소수화 처리는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에서 반사 방지막의 형성 전에 행하는 대신에, 상기 반사 방지막의 형성 후, 레지스트 도포 전에 행해도 좋고, 레지스트 도포 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(B3, B4)으로 반송하기 전에 행해도 좋다.
각 액처리 유닛(21, 32)에 있어서, 웨이퍼(W)에 공급된 약액은, 예를 들어 도포, 현상 장치(1)의 하방측에 설치된 도시하지 않은 액체 배출로를 향해 액체 배출된다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(TCT)에서 웨이퍼(W)에 공급되는 약액의 점도는 현상 모듈(DEV 및 NTD)에서 공급되는 현상액의 점도보다도 높기 때문에, 이 실시 형태와 같이 현상 모듈(DEV, NTD)을 상측의 단위 블록에 배치하고, 다른 액처리 모듈을 하측의 단위 블록에 배치함으로써, 각 약액을 빠르게 액체 배출할 수 있다. 그 결과로서, 각 처리 모듈에 있어서 약액이 휘발되는 것을 방지할 수 있으므로, 액처리 유닛(21) 내의 처리 환경이 변화되는 것을 방지할 수 있다. 단, 현상 모듈(DEV) 및 네거티브 톤 현상 모듈(NTD)을 포함하는 단위 블록이, 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(TCT)을 포함하는 단위 블록보다도 하방에 위치하고 있어도 좋다.
또한, 도 15에 도시한 바와 같이 현상 모듈(DEV)을 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에, 네거티브 톤 현상 모듈(NTD)을 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)에 각각 배치해도 좋다. 도 16에 도시한 바와 같이, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6) 및 후방측 단위 블록(D4 내지 D6)에 현상 모듈(DEV 및 NTD)이 포함되어 있어도 좋다. 또한, 단위 블록(B4 내지 B6 및 D4 내지 D6)의 액처리 모듈을 모두 DEV 또는 NTD에 의해 구성해도 좋다.
도 17에는 다른 인터페이스 블록(S4)의 구성을 도시하고 있다. 상술한 인터페이스 블록(S4)과의 차이점으로서는, 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)이 적층되어 설치되어 있는 것 및 인터페이스 아암(37)이 설치되어 있는 것을 들 수 있다. 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)은 노광 전의 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)의 표면 용출물을 씻어낸다.
후방측 단위 블록(B1 내지 B3)에서 처리되어, 전달 모듈(CPL51 내지 CPL53)로 각각 반송된 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(BU22) → 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)의 순으로 반송되어, 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)에 의해 세정된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(37) → 전달 모듈(BU23) → 인터페이스 아암(36) → 전달 모듈(CPL54) → 노광 처리(S5)의 순으로 반송된다.
또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)는 후방측 단위 블록(D4 내지 D6) 중 사용 불가로 된 단위 블록을 피해 반송을 행하는 반송 모드(H)를 구비하고 있어도 좋다. 이 반송 모드(H)에서는 인터페이스 블록(S4)의 선반 유닛(U14) 중, 사용 불가로 된 상기 단위 블록으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 모듈로의 반송이 정지한다. 그리고, 사용 가능한 단위 블록(D4 내지 D6)을 통과하여 선반 유닛(U13)으로 반송된 웨이퍼(W)를, 전달 아암(40)에 의해 각 전방측 단위 블록(B4 내지 B6)에 배분한다.
예를 들어, 후방측 단위 블록(D4)의 반송 아암(E4)이 고장나면, 인터페이스 아암(36)은 당해 후방측 단위 블록(D4)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)로의 액세스를 정지한다. 그리고, 인터페이스 아암(36)은 노광 후의 웨이퍼(W)를 후방측 단위 블록(D5, D6)에 각각 대응하는 전달 모듈(TRS2, TRS3)에 각각 배분한다. 그리고, 전달 모듈(TRS2, TRS3)의 웨이퍼(W)는 단위 블록(D5, D6)을 각각 통과하여, 선반 유닛(U13)의 전달 모듈(CPL43, CPL45)로 각각 반송된다.
그리고, 상기 전달 모듈(CPL43, CPL45)로 전달된 웨이퍼(W) 중, 제4 전방측 단위 블록(B4)을 통과하도록 설정된 웨이퍼(W)는 전달 아암(40)에 의해 전달 모듈(CPL41)에 배분되어, 당해 단위 블록(B4)으로 반입된다. 그 밖의 웨이퍼(W)에 대해서는, 전달 모듈(43, 45)로부터 전방측 단위 블록(B5, B6)으로 반입된다. 이후에는, 상술한 경로에서 캐리어(C)로 복귀된다. 각 단위 블록 반송 중에, 상술한 각 모드와 마찬가지로, 웨이퍼(W)는 네거티브 현상 또는 포지티브 현상 처리를 받는다.
또한, 상기한 도포, 현상 장치(1)는 전방측 단위 블록(B4 내지 B6) 중 사용 불가로 된 단위 블록을 피해 반송을 행하는 반송 모드(I)를 구비하고 있어도 좋다. 이 반송 모드(I)에서는, 노광 처리를 받고, 후방측 단위 블록의 선반 유닛(U13)의 전달 모듈(CPL41, CPL43, CPL45)로 반송된 웨이퍼(W) 중, 사용 불가로 된 상기 단위 블록에 대응하는 전달 모듈(CPL)로 전달된 웨이퍼(W)를, 전달 아암(40)에 의해 다른 전달 모듈(CPL)로 반송한다. 그리고, 전방측 단위 블록(B4 내지 B6) 중 사용 가능한 단위 블록을 통과시킨다.
예를 들어, 전방측 단위 블록(B4)의 반송 아암(A4)이 고장나면, 전달 아암(40)은 노광 처리를 받아 전달 모듈(CPL41)로 반송된 웨이퍼(W)를, 예를 들어 전달 모듈(CPL43, CPL45)로 교대로 반송하고, CPL43, CPL45로부터 전방측 단위 블록(B5, B6)으로 반입된다. 각 단위 블록 반송 중에, 상술한 각 모드와 마찬가지로 웨이퍼(W)는 네거티브 현상 또는 포지티브 현상 처리를 받는다. 반송 모드(H, I)는 다른 반송 모드와 마찬가지로, 사용자가 임의로 통상 반송 모드(F1, G1)로부터 전환하여 실행할 수도 있다. 또한, 다른 반송 모드(F2, F3, G1, G2)와 동시에 실행할 수도 있다.
또한, 도 18에 도시한 바와 같이, 예를 들어 전달 아암(40) 대신에, 선반 유닛(U13)에서 단위 블록(B1 내지 B3)에 대응하는 각 전달 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 전달 아암(41)과, 예를 들어 단위 블록(B4 내지 B6)에 대응하는 각 전달 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 전달 아암(42)을 설치해도 좋다. 이들 제1 및 제2 전달 아암(41, 42)은 서로 별개로 구성되어, 독립되어 웨이퍼(W)를 반송함으로써, 각 아암의 반송의 부하를 억제하여, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
A1 내지 A6 : 메인 아암
BCT : 반사 방지막 형성 모듈
B1 내지 B6 : 전방측 단위 블록
COT : 레지스트막 형성 모듈
DEV : 현상 모듈
D1 내지 D6 : 후방측 단위 블록
TCT : 보호막 형성 모듈
S1 : 캐리어 블록
S2 : 전방측 처리 블록
S3 : 후방측 처리 블록
S4 : 인터페이스 블록
W : 웨이퍼
1 : 도포, 현상 장치
27, 33 : 가열 모듈
30, 40 : 전달 아암
51 : 제어부

Claims (18)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하여, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은,
    기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것과,
    복수의 전단 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 전단 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 노광 전의 기판을 세정하기 위한 세정 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 후단 처리용 단위 블록과,
    전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와,
    기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제1 현상 처리용 적층 블록과,
    기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 후단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제2 현상 처리용 적층 블록과,
    제1 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록과, 이 단위 블록에 대응하는 제2 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 현상 처리용 전달부와,
    각 단의 도포 처리용 전달부 사이 및 각 단의 현상 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구를 구비한 것과,
    b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 반입출용 전달부와,
    c) 캐리어로부터 전단 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 상기 전달부에 기판을 배분하여 전달하는 동시에, 현상 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 전달부로부터 기판을 캐리어로 복귀시키기 위한 제1 전달 기구와,
    d) 상기 처리 블록에서 처리된 노광 전의 기판을 수취하여, 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록으로 배분하여 전달하기 위한 제2 전달 기구를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 모듈은 레지스트막이 형성된 기판의 이면측을 세정하기 위한 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록군에 의해 구성되고,
    상기 제2 현상 처리용 적층 블록은 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록군에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록과 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록을 포함하고,
    상기 제2 현상 처리용 적층 블록은 포지티브형 현상을 행하는 단위 블록과 네거티브형 현상을 행하는 단위 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 스텝을 포함하는 모드를 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전단 처리용 단위 블록의 적층수 및 후단 처리용 단위 블록의 각각의 적층수는 3층인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 현상 처리용 적층 블록 및 제2 현상 처리용 적층 블록의 각각의 단위 블록의 적층수는 3층인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보조 이동 탑재 기구는 각 단의 도포 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제1 보조 이동 탑재 기구와, 각 단의 현상 처리용 전달부 사이의 반송을 행하기 위한 제2 보조 이동 탑재 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  10. 제1항에 기재된 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법이며,
    전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
    계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 공정과,
    그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정 및 기판을 세정하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  11. 제1항에 기재된 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법이며,
    후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않고, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
    계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
    그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정 및 기판을 세정하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  12. 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제10항 또는 제11항에 기재된 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
  13. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하여, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은,
    기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것과,
    복수의 전단 처리용 단위 블록의 인터페이스 블록측에 당해 전단 처리용 단위 블록에 인접하여 각각 설치되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 복수의 후단 처리용 단위 블록과,
    전단 처리용 단위 블록과, 대응하는 후단 처리용 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 도포 처리용 전달부와,
    기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 전단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제1 현상 처리용 적층 블록과,
    기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록측으로부터 인터페이스 블록측으로 연신되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층하여 이루어지고, 상기 후단 처리용 단위 블록을 복수 상하에 적층한 것에 대해 상하 방향으로 적층된 제2 현상 처리용 적층 블록과,
    제1 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록과, 이 단위 블록에 대응하는 제2 현상 처리용 적층 블록의 단위 블록 사이에 각각 설치되어, 양 단위 블록의 반송 기구 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 현상 처리용 전달부와,
    각 단의 도포 처리용 전달부 사이 및 각 단의 현상 처리용 전달부 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능하게 설치된 보조 이동 탑재 기구를 구비한 것과,
    b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 반입출용 전달부와,
    c) 캐리어로부터 전단 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 상기 전달부에 기판을 배분하여 전달하는 동시에, 현상 처리용 각 단위 블록에 대응하는 반입출용 전달부로부터 기판을 캐리어로 복귀시키기 위한 제1 전달 기구와,
    d) 상기 처리 블록에서 처리된 노광 전의 기판을 수취하여, 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록으로 배분하여 전달하기 위한 제2 전달 기구를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  14. 제13항에 있어서, 전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록으로서 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 상기 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 스텝을 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록으로서 사용하지 않고, 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 스텝과, 이 스텝 후, 당해 기판을 상기 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 스텝을 실행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  16. 제13항에 기재된 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법이며,
    전단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록으로서 사용하지 않고, 다른 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
    계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 상기 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 인터페이스 블록측의 후단 처리용 단위 블록으로 기판을 반송하는 공정과,
    그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  17. 제13항에 기재된 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법이며,
    후단 처리용 단위 블록에 대해 문제가 발생했을 때 혹은 메인터넌스를 행할 때에는, 당해 단위 블록을 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록으로서 사용하지 않고, 상기 사용하지 않는 것으로 된 단위 블록의 캐리어 블록측의 전단 처리용 단위 블록에서 기판에 하층측의 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 공정과,
    계속해서 당해 기판을 보조 이동 탑재 기구를 통해, 다른 계층의 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
    그 후, 당해 후단 처리용 단위 블록 내의 모듈에 의해, 상층측의 막을 형성하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  18. 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제16항 또는 제17항에 기재된 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.


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