JP6548513B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に処理を行う基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、基板に液処理を行う液処理ユニットと基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備える基板処理装置がある。この基板処理装置では、液処理および熱処理を含む一連の処理に行うことができる（例えば、特許文献１参照）。ここで、液処理は、例えば、レジスト膜材料を基板に塗布する処理や現像液を基板に供給する処理である。

特開２００９−０１０２９１号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来の装置では、液処理ユニットと熱処理ユニットが高密度に配置されている。例えば、液処理ユニットと熱処理ユニットは、同じブロック内に配置されている。例えば、液処理ユニットと熱処理ユニットは、搬送スペースを挟んで向かい合っている。したがって、液処理ユニットが、熱処理ユニットの影響を受けるおそれがある。具体的には、液処理ユニットにおける処理温度が、熱処理ユニットの影響によって、変動するおそれがある。また、熱処理ユニット内の雰囲気が搬送スペースに放出されることによって、液処理ユニット内の雰囲気の清浄度が低下するおそれがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理ユニットが液処理ユニットに及ぼす影響を低減できる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、前部熱処理ブロックと、前部中継ブロックと、液処理ブロックと、を備え、前記前部熱処理ブロックは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記前部中継ブロックは、基板を載置する載置部と、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記液処理ブロックは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、前記液処理ユニットに基板を搬送する液処理用搬送機構と、を備え、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記前部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記前部熱処理ブロックとの間に配置されている基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、液処理ブロックと前部熱処理ブロックとの間に、前部中継ブロックが配置されている。ここで、前部中継ブロックは、載置部と搬送機構とを備えている。したがって、前部中継ブロックの載置部および搬送機構が、液処理ユニットと前部熱処理ブロックの熱処理ユニットとの間に配置されている。前部中継ブロックの載置部および搬送機構は、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットが放出する熱や雰囲気が、液処理ユニットに到達することを好適に妨げる。よって、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットが液処理ユニットに及ぼす影響を低減できる。
なお、本明細書および特許請求の範囲では、前部熱処理ブロックの主搬送機構を適宜に前部主搬送機構と呼び、前部中継ブロックの搬送機構を適宜に前部搬送機構と呼ぶ。

上述した発明において、平面視で、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、この順番で一列に並ぶことが好ましい。このような配置によれば、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットと液処理ユニットとの離隔距離を効果的に大きくできる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックは、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、前記液処理ブロックは、前記液処理用搬送機構が設置される搬送スペースを有し、前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送スペースと前記液処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されていることが好ましい。前部中継ブロックの載置部は、前部熱処理ブロックの搬送スペースの雰囲気が液処理ブロックの搬送スペースに流れることを好適に妨げることができる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構は、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１主搬送機構と、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２主搬送機構と、を備え、前記前部中継ブロックの前記搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第１搬送機構と、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第２搬送機構と、を備え、前記液処理ブロックの前記液処理用搬送機構は、前記液処理ユニットに基板を搬送する第１液処理用搬送機構と、前記液処理ユニットに基板を搬送する第２液処理用搬送機構と、を備え、前記前部熱処理ブロックの第１主搬送機構と前記前部中継ブロックの第１搬送機構と前記液処理ブロックの前記第１液処理用搬送機構は、第１の基板を搬送し、前記前部熱処理ブロックの前記第２主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記第２搬送機構と前記液処理ブロックの前記第２液処理用搬送機構は、前記第１の基板とは異なる第２の基板を搬送することが好ましい。第１の基板を搬送する搬送機構を「第１の搬送機構群」と呼ぶとすると、前部熱処理ブロックの第１主搬送機構と前部中継ブロックの第１搬送機構と液処理ブロックの第１液処理用搬送機構は、第１の搬送機構群に属する。また、第２の基板を搬送する搬送機行を「第２の搬送機構群」と呼ぶとすると、前部熱処理ブロックの第２主搬送機構と前部中継ブロックの第２搬送機構と液処理ブロックの第２液処理用搬送機構は、第２の搬送機構群に属する。ここで、第１、第２の搬送機構群の両方に属する共通の搬送機構は無いので、第１の搬送機構群による基板の搬送と第２の搬送機構群による基板の搬送は、互いに独立している。よって、第１の搬送機構群による基板の搬送と第２の搬送機構群による基板の搬送を並行して実行できる。これにより、基板処理装置の稼働率を向上させることができる。また、第１の搬送機構群と第２の搬送機構群が、相互に影響を及ぼすことを防止できる。例えば、第１の搬送機構群による基板の搬送に支障が発生した場合であっても、第２の搬送機構群による基板の搬送を滞りなく実行できる。
なお、本明細書および特許請求の範囲では、前部熱処理ブロックの第１主搬送機構を適宜に前部第１主搬送機構と呼び、前部熱処理ブロックの第２主搬送機構を適宜に前部第２主搬送機構と呼び、前部中継ブロックの第１搬送機構を適宜に前部第１搬送機構と呼び、前部中継ブロックの第２搬送機構を適宜に前部第２搬送機構と呼ぶ。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、前記第１の基板とは異なる第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、を備え、前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、を備え、前記液処理ユニットは、前記第１の基板に液処理を行う、複数の第１液処理ユニットと、前記第２の基板に液処理を行う、複数の第２液処理ユニットと、を備えることが好ましい。第１熱処理ユニットと第１載置部と第１液処理ユニットは第１の基板のみを受け入れ、第２熱処理ユニットと第２載置部と第２液処理ユニットは第２の基板のみを受け入れる。 第１の基板は、第１熱処理ユニットと第１載置部と第１液処理ユニットを結ぶ第１経路に沿って、搬送される。他方、第２の基板は、第２熱処理ユニットと第２載置部と第２液処理ユニットを結ぶ第２経路に沿って、搬送される。ここで、第１経路と第２経路に共通して含まれる処理ユニットや載置部は無く、第１経路と第２経路は完全に分離されている。よって、例えば第１経路に沿った基板の搬送に支障が発生した場合であっても、第２送経路に沿った基板の搬送を滞りなく実行できる。さらに、前部熱処理ブロックは複数の第１熱処理ユニットを備え、液処理ブロックは複数の第１液処理ユニットを備える。よって、一部の第１熱処理ユニットや一部の第１液処理ユニットが故障した場合であっても、他の第１熱処理ユニットや他の第１液処理ユニットに基板を搬送することによって、第１経路に沿った基板の搬送を続行できる。第２経路に沿った基板の搬送も、同様に、第２熱処理ユニットや第２液処理ユニットの故障の影響を受けにくい。

また、本発明は、基板処理装置であって、前部熱処理ブロックと、前部中継ブロックと、液処理ブロックと、後部中継ブロックと、後部熱処理ブロックと、を備え、前記前部熱処理ブロックは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記前部中継ブロックは、基板を載置する載置部と、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記液処理ブロックは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、前記液処理ユニットに基板を搬送する液処理用搬送機構と、を備え、前記後部中継ブロックは、基板を載置する載置部と、前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記後部熱処理ブロックは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記液処理ブロックと前記後部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記後部中継ブロックと前記後部熱処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、前記前部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記前部熱処理ブロックとの間に配置され、前記後部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記後部熱処理ブロックとの間に配置されている基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、液処理ブロックと前部熱処理ブロックとの間に、前部中継ブロックが配置されている。ここで、前部中継ブロックは、載置部と搬送機構とを備えている。したがって、前部中継ブロックの載置部および搬送機構が、液処理ユニットと前部熱処理ブロックの熱処理ユニットとの間に配置されている。前部中継ブロックの載置部および搬送機構は、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットが放出する熱や雰囲気が、液処理ユニットに到達することを好適に妨げる。よって、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットが液処理ユニットに及ぼす影響を低減できる。
なお、本明細書および特許請求の範囲では、前部熱処理ブロックの主搬送機構を適宜に前部主搬送機構と呼び、前部中継ブロックの搬送機構を適宜に前部搬送機構と呼ぶ。

液処理ブロックと後部熱処理ブロックとの間に、後部中継ブロックが配置されている。ここで、後部中継ブロックは、載置部と搬送機構とを備えるブロックである。したがって、後部中継ブロックの載置部および搬送機構が、液処理ユニットと後部熱処理ブロックの熱処理ユニットとの間に配置されている。後部中継ブロックの載置部および搬送機構は、後部熱処理ブロックの熱処理ユニットが放出する熱や雰囲気が、液処理ユニットに到達することを好適に妨げる。よって、後部熱処理ブロックの熱処理ユニットが液処理ユニットに及ぼす影響を低減できる。
なお、本明細書および特許請求の範囲では、後部熱処理ブロックの主搬送機構を適宜に後部主搬送機構と呼び、後部中継ブロックの搬送機構を適宜に後部搬送機構と呼ぶ。

上述した発明において、平面視で、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックと前記後部中継ブロックと前記後部熱処理ブロックは、この順番で一列に並ぶことが好ましい。このような配置によれば、前部熱処理ブロックの熱処理ユニットと液処理ユニットとの離隔距離を効果的に大きくできる。さらに、後部熱処理ブロックの熱処理ユニットを液処理ユニットから効果的に遠ざけることができる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックは、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、前記液処理ブロックは、前記液処理用搬送機構が設置される搬送スペースを有し、前記後部熱処理ブロックは、前記後部熱処理ブロックの前記主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送スペースと前記液処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されており、前記後部中継ブロックの前記載置部は、前記液処理ブロックの前記搬送スペースと前記後部熱処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されていることが好ましい。前部中継ブロックの載置部は、前部熱処理ブロックの搬送スペースの雰囲気が液処理ブロックの搬送スペースに流れることを好適に妨げることができる。さらに、後部中継ブロックの載置部は、後部熱処理ブロックの搬送スペースの雰囲気が液処理ブロックの搬送スペースに流れることを好適に妨げることができる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構は、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１主搬送機構と、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２主搬送機構と、を備え、前記前部中継ブロックの前記搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第１搬送機構と、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第２搬送機構と、を備え、前記液処理ブロックの前記液処理用搬送機構は、前記液処理ユニットに基板を搬送する第１液処理用搬送機構と、前記液処理ユニットに基板を搬送する第２液処理用搬送機構と、を備え、前記後部中継ブロックの前記搬送機構は、前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第１搬送機構と、前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第２搬送機構と、を備え、前記後部熱処理ブロックの前記主搬送機構は、前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１主搬送機構と、前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２主搬送機構と、を備え、前記前部熱処理ブロックの第１主搬送機構と前記前部中継ブロックの第１搬送機構と前記液処理ブロックの前記第１液処理用搬送機構と前記後部中継ブロックの前記第１搬送機構と前記後部熱処理ブロックの前記第１主搬送機構は、第１の基板を搬送し、前記前部熱処理ブロックの前記第２主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記第２搬送機構と前記液処理ブロックの前記第２液処理用搬送機構と前記後部中継ブロックの前記第２搬送機構と前記後部熱処理ブロックの前記第２主搬送機構は、前記第１の基板とは異なる第２の基板を搬送することが好ましい。第１の基板を搬送する搬送機構を「第１の搬送機構群」と呼ぶとすると、第１の搬送機構群は、前部熱処理ブロックの第１主搬送機構と前部中継ブロックの第１搬送機構と液処理ブロックの第１液処理用搬送機構と後部中継ブロックの第１搬送機構と後部熱処理ブロックの第１主搬送機構は、第１の搬送機構群に属する。また、第２の基板を搬送する搬送機行を「第２の搬送機構群」と呼ぶとすると、前部熱処理ブロックの第２主搬送機構と前部中継ブロックの第２搬送機構と液処理ブロックの第２液処理用搬送機構と後部中継ブロックの第２搬送機構と後部熱処理ブロックの第２主搬送機構は、第２の搬送機構群に属する。ここで、第１、第２の搬送機構群の両方に属する共通の搬送機構は無いので、第１の搬送機構群による基板の搬送と第２の搬送機構群による基板の搬送は、互いに独立している。よって、第１の搬送機構群による基板の搬送と第２の搬送機構群による基板の搬送を並行して実行できる。これにより、基板処理装置の稼働率を向上させることができる。また、第１の搬送機構群と第２の搬送機構群が、相互に影響を及ぼすことを防止できる。例えば、第１の搬送機構群による基板の搬送に支障が発生した場合であっても、第２の搬送機構群による基板の搬送を滞りなく実行できる。
なお、本明細書および特許請求の範囲では、前部熱処理ブロックの第１主搬送機構を適宜に前部第１主搬送機構と呼び、前部熱処理ブロックの第２主搬送機構を適宜に前部第２主搬送機構と呼び、前部中継ブロックの第１搬送機構を適宜に前部第１搬送機構と呼び、前部中継ブロックの第２搬送機構を適宜に前部第２搬送機構と呼び、後部中継ブロックの第１搬送機構を適宜に後部第１搬送機構と呼び、後部中継ブロックの第２搬送機構を適宜に後部第２搬送機構と呼び、後部熱処理ブロックの第１主搬送機構を適宜に後部第１主搬送機構と呼び、後部熱処理ブロックの第２主搬送機構を適宜に後部第２主搬送機構と呼ぶ。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、を備え、前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、を備え、前記液処理ユニットは、第１の基板に液処理を行う、複数の第１液処理ユニットと、第２の基板に液処理を行う、複数の第２液処理ユニットと、を備え、前記後部中継ブロックの前記載置部は、前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、を備え、前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、を備えることが好ましい。前部／後部熱処理ブロックの第１熱処理ユニットと前部／後部中継ブロックの第１載置部と液処理ブロックの第１液処理ユニットは、第１の基板のみを受け入れる。他方、前部／後部熱処理ブロックの第２熱処理ユニットと前部／後部中継ブロックの第２載置部と液処理ブロックの第２液処理ユニットは、第２の基板のみを受け入れる。第１の基板は、前部／後部熱処理ブロックの第１熱処理ユニットと前部／後部中継ブロックの第１載置部と液処理ブロックの第１液処理ユニットを結ぶ第１経路に沿って搬送される。他方、第２の基板は、前部／後部熱処理ブロックの第２熱処理ユニットと前部／後部中継ブロックの第２載置部と液処理ブロックの第２液処理ユニットを結ぶ第２経路に沿って、搬送される。ここで、第１経路と第２経路に共通して含まれる処理ユニットや載置部は無く、第１経路と第２経路は完全に分離されている。よって、例えば第１経路に沿った基板の搬送に支障が発生した場合であっても、第２送経路に沿った基板の搬送を滞りなく実行できる。さらに、前部／後部熱処理ブロックはそれぞれ複数の第１熱処理ユニットを備え、液処理ブロックは複数の第１液処理ユニットを備える。よって、一部の第１熱処理ユニットや一部の第１液処理ユニットが故障した場合であっても、他の第１熱処理ユニットや他の第１液処理ユニットに基板を搬送することによって、第１経路に沿った基板の搬送を続行できる。第２経路に沿った基板の搬送も、同様に、第２熱処理ユニットや第２液処理ユニットの故障の影響を受けにくい。

上述した発明において、前記前部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、前記前部中継ブロックの複数の前記搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、複数の前記液処理用搬送機構は、互いに上下方向に並び、前記液処理用搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。このような構造によれば、上下方向に並ぶ液処理用搬送機構のそれぞれは、前部中継ブロックの載置部を介して、前部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、前部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの複数の前記主搬送機構は、上下方向および横方向のいずれかの方向に並び、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。このような構造によれば、前部熱処理ブロックの複数の主搬送機構が上下方向に並ぶ場合であっても、横方向に並ぶ場合であっても、前部熱処理ブロックの主搬送機構のそれぞれは、前部中継ブロックの載置部を介して、前部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、前部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。

上述した発明において、前記前部中継ブロックの少なくともいずれかの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの１つ以上の前記主搬送機構、および、前記液処理ブロックの１つ以上の前記液処理用搬送機構の両方と向かい合う位置に配置されることが好ましい。前部熱処理ブロックの主搬送機構と液処理ブロックの液処理用搬送機構は、前部中継ブロックの載置部を介して、相互に基板を搬送可能である。すなわち、前部熱処理ブロックの主搬送機構と液処理ブロックの液処理用搬送機構は、前部中継ブロックの搬送機構を使用せずに、相互に基板を搬送可能である。よって、前部熱処理ブロックと液処理ブロックとの間において、基板を効率良く搬送できる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、前記前部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構の側方において、互いに上下方向に並び、前記前部中継ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部熱処理ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。前部熱処理ブロックの主搬送機構と前部中継ブロックの搬送機構は、前部中継ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができるのみならず、前部熱処理ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができる。よって、前部熱処理ブロックと前部中継ブロックとの間における基板搬送の信頼性を高めることができる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックに接続されるインデクサ部に開放されており、前記前部熱処理ブロックの前記主搬送機構と前記インデクサ部は、前記前部熱処理ブロックの前記載置部を介して相互に基板を搬送することが好ましい。前部熱処理ブロックとインデクサ部との間で、基板を好適に搬送できる。

上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの少なくともいずれかの前記載置部は、前記前部中継ブロックの１つ以上の前記搬送機構と向かい合い、かつ、前記前部熱処理ブロックに接続されるインデクサ部に開放されていることが好ましい。前部中継ブロックの搬送機構とインデクサ部は、前部熱処理ブロックの載置部を介して、相互に基板を搬送可能である。すなわち、前部中継ブロックの搬送機構とインデクサ部は、前部熱処理ブロックの主搬送機構を使用せずに、相互に基板を搬送可能である。よって、前部中継ブロックとインデクサ部との間において、基板を効率良く搬送できる。

上述した発明において、前記液処理ユニットは、基板に塗膜材料を塗布する塗布ユニットと、基板を現像液を供給する現像ユニットと、を備えることが好ましい。基板に塗膜を形成でき、基板を現像できる。

上述した発明において、前記前部中継ブロックは、前記基板処理装置内においていずれの処理も行われていない基板を蓄積するインバッファ部と、前記基板処理装置内において一連の処理が行われた基板を蓄積するアウトバッファ部と、を備えていることが好ましい。処理部はインバッファ部に蓄積された未処理の基板を処理でき、処理部は処理済の基板をアウトバッファ部に蓄積できる。このため、基板処理装置に対する基板の供給や基板処理装置からの基板の回収が停止した場合であっても、基板処理装置の生産能力が低下することを抑制できる。

本発明に係る基板処理装置によれば、熱処理ユニットが液処理ユニットに及ぼす影響を低減できる。

実施例１に係る基板処理装置の概念図である。 実施例１に係る基板処理装置の平面図である。 図２における矢視ａ−ａの側面図である。 図２における矢視ｂ−ｂの側面図である。 搬送機構と載置部の関係を模式的に示す概念図である。 インデクサ部から見た前部熱処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た前部中継ブロックの正面図である インデクサ部から見た液処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部熱処理ブロックの正面図である。 実施例１に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板の搬送経路を模式的に示す図である。 基板に行う処理の手順を示すフローチャートである。 第１の基板および第２の基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 各搬送機構が繰り返し行う動作例を模式的に示す図である。 実施例１に係る基板処理装置の概念図である。 実施例２に係る基板処理装置の平面図である。 図１７における矢視ａ−ａの側面図である。 図１７における矢視ｂ−ｂの側面図である。 インデクサ部から見た前部熱処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た前部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た液処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部熱処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見たインターフェースブロックの前部の正面図である。 インデクサ部から見たインターフェースブロックの後部の正面図である。 基板の往路の搬送経路を模式的に示す図である。 基板の復路の搬送経路を模式的に示す図である。 基板に行う処理の手順を示すフローチャートである。 各搬送機構が繰り返し行う動作例を模式的に示す図である。 変形実施例において、第１の基板および第２の基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 図３２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、変形実施例に係る液処理ブロックの構成を模式的に示す側面図である。

以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。

＜基板処理装置の概要＞
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概念図である。実施例１は、液処理および熱処理を含む一連の処理を基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに行う基板処理装置１である。

基板処理装置１はインデクサ部１１と処理部１７とを備える。インデクサ部１１は基板Ｗを処理部１７に搬送する。処理部１７は基板Ｗに処理を行う。インデクサ部１１と処理部１７は、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。なお、「相互に搬送する」とは、一方から他方に基板Ｗを搬送すること、および、他方から一方に基板Ｗを搬送することの両方を意味する。

さらに、基板処理装置１は、露光機ＥＸＰと接続されている。より具体的には、処理部１７と露光機ＥＸＰは、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。露光機ＥＸＰは、基板処理装置１の外部機器である。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。

処理部１７は、熱処理ブロックＢＡと中継ブロックＢＢと液処理ブロックＢＣと中継ブロックＢＤと熱処理ブロックＢＥを備えている。熱処理ブロックＢＡ、ＢＥはそれぞれ、基板Ｗに熱処理を行う。中継ブロックＢＢ、ＢＤはそれぞれ、基板Ｗを中継する。液処理ブロックＢＣは、基板Ｗに液処理を行う。

ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥは、この順番で繋がっている。ブロックＢＡ−ＢＢは、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。同様に、ブロックＢＢ−ＢＣ、ＢＣ−ＢＤ、ＢＤ−ＢＥはそれぞれ、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。ただし、ブロックＢＡは、ブロックＢＣ、ＢＤ、ＢＥと直接的に接続されていない。ブロックＢＢは、ブロックＢＤ、ＢＥと直接的に接続されていない。ブロックＢＣは、ブロックＢＡ、ＢＥと直接的に接続されていない。

ブロックの機能に着目すれば、ブロックＢＡからブロックＢＥまでの機能の配列は、以下の通りである。
機能の配列：熱処理→中継→液処理→中継→熱処理
この機能の配列は、逆向きの（すなわち、ブロックＢＥからブロックＢＡまでの）機能の配列と同じである。

前部熱処理ブロックＢＡは、さらに、インデクサ部１１と直接的に接続されている。後部熱処理ブロックＢＥは、さらに、露光機ＥＸＰと直接的に接続されている。

以下では、熱処理ブロックＢＡを「前部熱処理ブロックＢＡ」と呼び、熱処理ブロックＢＥを「後部熱処理ブロックＢＡ」と呼ぶ。同様に、中継ブロックＢＢを「前部中継ブロックＢＢ」と呼び、中継ブロックＢＤを「後部熱中継ブロックＢＤ」と呼ぶ。

前部熱処理ブロックＢＡは、熱処理ユニットＨＡと主搬送機構ＴＡとを備える。熱処理ユニットＨＡは、基板Ｗに熱処理を行う。熱処理は、例えば加熱処理や冷却処理である。主搬送機構ＴＡは、熱処理ユニットＨＡに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡは、いわゆるローカル搬送機構（熱処理ユニットごとに設置され、専ら１つの熱処理ユニットに対して基板を搬入／搬出するための機構）を意味しない。

前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢと搬送機構ＴＢを備える。載置部ＰＢは、基板Ｗを載置する。搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢに基板Ｗを搬送する。

液処理ブロックＢＣは、液処理ユニットＳＣと液処理用搬送機構ＴＣを備える。液処理ユニットＳＣは、基板Ｗに液処理を行う。液処理は、基板Ｗに処理液を供給する処理である。処理液は、例えば塗膜材料や現像液である。すなわち、液処理は、例えば塗布処理や現像処理である。液処理用搬送機構ＴＣは、液処理ユニットＳＣに基板Ｗを搬送する。

後部中継ブロックＢＤは、載置部ＰＤと搬送機構ＴＤを備える。載置部ＰＤは、基板Ｗを載置する。搬送機構ＴＤは、載置部ＰＤに基板Ｗを搬送する。

後部熱処理ブロックＢＥは、熱処理ユニットＨＥと主搬送機構ＴＥを備える。熱処理ユニットＨＥは、基板Ｗに熱処理を行う。主搬送機構ＴＥは、熱処理ユニットＨＥに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＥは、いわゆるローカル搬送機構を意味しない。

なお、例えば、「熱処理ユニットＨＡ」と単に記載したときは、前部熱処理ブロックＢＡの熱処理ユニットを意味し、後部熱処理ブロックＢＥの熱処理ユニットを意味しない。他の同じ名称の部材についても、同様に、符号によって区別するものとする。

隣り合う搬送機構同士は、相互に基板Ｗを搬送する。具体的には、搬送機構ＴＡ−ＴＢは、相互に基板Ｗを搬送する。同様に、搬送機構ＴＢ−ＴＣ、ＴＣ−ＴＤ、ＴＤ−ＴＥはそれぞれ、相互に基板Ｗを搬送する。さらに、主搬送機構ＴＡとインデクサ部１１とは、相互に基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＥと露光機ＥＸＰとは、相互に基板Ｗを搬送する。

基板処理装置１は、例えば、次のように動作する。インデクサ部１１から処理部１７に基板Ｗを搬送する。処理部１７は基板Ｗに処理を行う。具体的には、液処理ユニットＳＣが液処理（例えば、塗布処理）を基板Ｗに行い、熱処理ユニットＨＥが熱処理を基板Ｗに行う。これにより、基板Ｗに塗膜が形成される。塗膜が形成された基板Ｗを処理部１７から露光機ＥＸＰに搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。露光された基板Ｗを露光機ＥＸＰから処理部１７に搬送する。処理部１７は露光された基板Ｗに処理を行う。具体的には、液処理ユニットＳＣが液処理（例えば、現像処理）を基板Ｗに行い、熱処理ユニットＨＡが熱処理を基板Ｗに行う。これにより、基板Ｗが現像される。処理部１７からインデクサ部１１に、現像された基板Ｗを搬送する。

このように構成される基板処理装置１では、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣとの間に、第１中継ブロックＢＢが配置されている。すなわち、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣは直接的に接続されていない。前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢと搬送機構ＴＢとを備えている。したがって、載置部ＰＢおよび搬送機構ＴＢが、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨＡとの間に配置されている。載置部ＰＢと搬送機構ＴＢは、熱処理ユニットＨＡが放出する熱や雰囲気が液処理ユニットＳＣに到達することを好適に妨げる。すなわち、熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。その結果、液処理ユニットＳＣは液処理を品質良く行うことができる。

液処理ブロックＢＣと後部熱処理ブロックＢＥとの間に、後部中継ブロックＢＤが配置されている。すなわち、液処理ブロックＢＣと後部熱処理ブロックＢＥは直接的に接続されていない。ここで、後部中継ブロックＢＤは、載置部ＰＤと搬送機構ＴＤとを備えている。したがって、載置部ＰＤおよび搬送機構ＴＤが、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨＥとの間に配置されている。載置部ＰＤと搬送機構ＴＤは、熱処理ユニットＨＥが放出する熱や雰囲気が液処理ユニットＳＣに到達することを好適に妨げる。すなわち、熱処理ユニットＨＥが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。その結果、液処理ユニットＳＣは液処理を一層品質良く行うことができる。

以下では、基板処理装置１の構造について、さらに詳しく説明する。

＜基板処理装置１の全体構造＞
図２は、実施例１に係る基板処理装置１の平面図である。
各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥは、一列に並ぶ。各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥが並ぶ方向は水平である。

ここで、各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥが並ぶ方向を「前後方向Ｘ」と呼ぶ。特に、ブロックＢＥからブロックＢＡに向かう方向を「前方ＸＦ」と呼び、前方ＸＦとは反対の方向を「後方ＸＢ」と呼ぶ。また、前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「横方向Ｙ」または単に「側方」と呼ぶ。さらに、「横方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方ＹＲ」とよび、右方ＹＲとは反対の他方向を「左方ＹＬ」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。

各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥはそれぞれ、平面視で略矩形である。各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥの横方向Ｙの長さは、略同じである。処理部１７の全体も、平面視で略矩形である。

インデクサ部１１と処理部１７と露光機ＥＸＰも、この順番で前後方向Ｘに一列に並ぶ。インデクサ部１１は、前部熱処理ブロックＢＡの前面に接続されている。露光機ＥＸＰは、後部熱処理ブロックＢＥの背面に接続されている。

＜インデクサ部１１＞
図２乃至４を参照する。図３は、図２における矢視ａ−ａの側面図である。図４は、図２における矢視ｂ−ｂの側面図である。

インデクサ部１１は、キャリア載置部１２と、インデクサ用搬送機構１３と、搬送スペース１６を備えている。

キャリア載置部１２はキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。キャリアＣは、例えば不図示の外部搬送機構によって、キャリア載置部１２上に載置される。

搬送スペース１６は、キャリア載置部１２の後方ＸＢに設けられている。搬送スペース１６には、インデクサ用搬送機構１３が設置されている。インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣに基板Ｗを搬送する。インデクサ用搬送機構１３は、さらに、前部熱処理ブロックＢＡに基板Ｗを搬送可能である。

例えば、インデクサ用搬送機構１３は、基板Ｗを保持する２つのハンド１４と、各ハンド１４を駆動するハンド駆動機構１５とを備えている。各ハンド１４は、それぞれ１枚の基板Ｗを保持する。ハンド駆動機構１５は、前後方向Ｘ、横方向Ｙおよび上下方向Ｚにハンド１４を移動させ、かつ、上下方向Ｚを中心にハンド１４を回転させる。これにより、インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣおよび前部熱処理ブロックＢＡに基板Ｗを搬送する。

＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞
図２乃至６を参照する。図５は、搬送機構と載置部の関係を模式的に示す概念図である。矢印付の線は、搬送機構がアクセスする載置部を示す。なお、「アクセスする」とは、載置部／処理ユニットに基板Ｗを搬入したり、載置部／処理ユニットから基板Ｗを搬出する位置に搬送機構が移動することを言う。図６は、インデクサ部１１から前部熱処理ブロックＢＡを見た正面図である。

前部熱処理ブロックＢＡは、熱処理ユニットＨＡと主搬送機構ＴＡのほかに、搬送スペースＡＡと載置部ＰＡを備えている。

平面視において、搬送スペースＡＡは前部熱処理ブロックＢＡの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、搬送スペースＡＡは、基板処理装置１の横方向Ｙの中心を通る中心線ＩＣ上に配置されている。中心線ＩＣは、仮想線であり、前後方向Ｘに平行である。平面視で、搬送スペースＡＡは、前後方向Ｘに延びる。

前部熱処理ブロックＢＡは、さらに、搬送スペースＡＡに清浄な気体を供給する給気ユニットＳＡＡと、搬送スペースＡＡから気体を排出する排気ユニットＥＸＡとを備える。給気ユニットＳＡＡは、搬送スペースＡＡの上部に配置され、気体を下方に吹き出す。排気ユニットＥＸＡは、搬送スペースＡＡの下部に配置されている。これにより、搬送スペースＡＡには、下向きの気体の流れ（ダウンフロー）が形成される。

主搬送機構ＴＡは、搬送スペースＡＡに設置されている。主搬送機構ＴＡは、主搬送機構ＴＡＲと主搬送機構ＴＡＬを含む。主搬送機構ＴＡＲと主搬送機構ＴＡＬは、互いに横方向Ｙに並ぶように配置されている。

熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡは、搬送スペースＡＡの両側方にそれぞれ配置されている。熱処理ユニットＨＡは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置される２つの熱処理ユニットＨＡＲと、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置される２つの熱処理ユニットＨＡＬを含む。載置部ＰＡは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置される載置部ＰＡＲと、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置される載置部ＰＡＬとを含む。

熱処理ユニットＨＡＲおよび載置部ＰＡＲは、主搬送機構ＴＡＲの右方ＹＲに位置する。主搬送機構ＴＡＲは、２つの熱処理ユニットＨＡＲおよび１つの載置部ＰＡＲと向かい合う。２つの熱処理ユニットＨＡＲと１つの載置部ＰＡＲとは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。主搬送機構ＴＡＲは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、熱処理ユニットＨＡＲおよび載置部ＰＡＲにアクセスする。

熱処理ユニットＨＡＬおよび載置部ＰＡＬは、主搬送機構ＴＡＬの左方ＹＬに位置する。主搬送機構ＴＡＬは、２つの熱処理ユニットＨＡＬおよび１つの載置部ＰＡＬと向かい合う。２つの熱処理ユニットＨＡＬと１つの載置部ＰＡＬとは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。主搬送機構ＴＡＬは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、熱処理ユニットＨＡＬおよび載置部ＰＡＬにアクセスする。

＜前部中継ブロックＢＢの構造＞
図２−５、７を参照する。図７は、前部中継ブロックＢＢをインデクサ部１１から見た正面図である。

前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢと搬送機構ＴＢを備えている。

平面視において、載置部ＰＢは前部中継ブロックＢＢの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、載置部ＰＢは、基板処理装置１の中心線ＩＣ上に配置されている。

複数の載置部ＰＢは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。より具体的には、載置部ＰＢは、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４を含む。載置部ＰＢ１、ＰＢ１、ＰＢ３、ＰＢ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４は、下から上に向かってこの順番に並ぶ。

搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢの両側方にそれぞれ配置されている。具体的には、搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢの右方ＹＲに配置される搬送機構ＴＢＲと、載置部ＰＢの左方ＹＬに配置される搬送機構ＴＢＬを含む。搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、載置部ＰＢと向かい合う。

換言すれば、前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢの右方ＹＲに形成される搬送スペースＡＢＲと、載置部ＰＢの左方ＹＬに形成される搬送スペースＡＢＬとを備える。搬送スペースＡＢＲには搬送機構ＴＢＲが設置される。搬送スペースＡＢＬには搬送機構ＴＢＬが設置される。

なお、搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬの上部にはそれぞれ、給気ユニットＳＡＢＲ、ＳＡＢＬが設置される。搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬの下部にはそれぞれ、排気ユニットＥＸＢＲ、ＥＸＢＬが設置されている。

搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、載置部ＰＢと向かい合う。搬送機構ＴＢＲは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、少なくとも載置部ＰＢ１、ＰＢ３にアクセスする。搬送機構ＴＢＬは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、少なくとも載置部ＰＢ２、ＰＢ４にアクセスする。

＜液処理ブロックＢＣの構造＞
図２−５、８を参照する。図８は、液処理ブロックＢＣをインデクサ部１１から見た正面図である。

液処理ブロックＢＣは、上下方向に並ぶ複数の階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４を含む階層構造を有する。各階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４はそれぞれ、１つの液処理用搬送機構ＴＣと、その液処理用搬送機構ＴＣが基板Ｗを搬送する１つ以上の液処理ユニットＳＣを有する。階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。以下、具体的に説明する。

液処理ブロックＢＣは、液処理ユニットＳＣと液処理用搬送機構ＴＣのほか、搬送スペースＡＣを備えている。平面視において、搬送スペースＡＣは液処理ブロックＢＣの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、搬送スペースＡＣは、基板処理装置１の中心線ＩＣ上に配置されている。平面視で、搬送スペースＡＣは、前後方向Ｘに延びる。

搬送スペースＡＣは、複数（例えば４つ）の分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に区分されている。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。

分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の上部にはそれぞれ、給気ユニット（不図示）が設置され、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の下部にはそれぞれ、排気ユニット（不図示）が設置されている。

液処理ブロックＢＣは、複数（例えば３つ）の遮蔽板４０を備えてもよい。遮蔽板４０は、上下方向に隣り合う２つの分割スペースの間に設置され、２つの分割スペースの雰囲気を遮断する。例えば、遮蔽板４０は、分割搬送スペースＡＣ１と分割搬送スペースＡＣ２との間、分割搬送スペースＡＣ２と分割搬送スペースＡＣ３との間、および、分割搬送スペースＡＣ３と分割搬送スペースＡＣ４との間に設置されている。

分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４には、液処理用搬送機構ＴＣが１つずつ設置されている。各液処理用搬送機構ＴＣは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。

より具体的には、液処理用搬送機構ＴＣは、液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４を含む。液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に設置される。各液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４は、互いに上下方向に並ぶ。各液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。液処理用搬送機構ＴＣ１は、分割搬送スペースＡＣ１内を動き、他の分割搬送スペースＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に及ばない。他の液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４も、同様である。

液処理ユニットＳＣは、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の側方にそれぞれ配置されている。より具体的には、液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４を含む。液処理ユニットＳＣ１は、分割搬送スペースＡＣ１の両側方にそれぞれ配置される。本実施例１では、１つの液処理ユニットＳＣ１が液処理用搬送機構ＴＣ１の右方ＹＲに配置され、他の１つの液処理ユニットＳＣ１が液処理用搬送機構ＴＣ１の左方ＹＬに配置される。同様に、液処理ユニットＳＣ２は、分割搬送スペースＡＣ２の両側方にそれぞれ配置される。液処理ユニットＳＣ３は、分割搬送スペースＡＣ３の両側方にそれぞれ配置される。液処理ユニットＳＣ４は、分割搬送スペースＡＣ４の両側方にそれぞれ配置される。

搬送スペースＡＣの右方ＹＲに配置される液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。搬送スペースＡＣの左方ＹＬに配置される液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４も、互いに上下方向Ｚに並ぶ。

液処理用搬送機構ＴＣ１は、両側方に設けられる２つの液処理ユニットＳＣ１と向かい合う。液処理用搬送機構ＴＣ１は、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、２つの液処理ユニットＳＣ１にアクセスする。ただし、液処理用搬送機構ＴＣ１は、他の階層に設けられる液処理ユニットＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４にアクセスしない。同様に、液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、液処理ユニットＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４にアクセスする。

上述した分割搬送スペースＡＣｉ、液処理用搬送機構ＴＣｉ、液処理ユニットＳＣｉは、それぞれ階層Ｋｉを構成する要素である（但し、ｉは、１、２、３、４のいずれかである）。

＜後部中継ブロックＢＤの構造＞
図２−５、９を参照する。図９は、後部中継ブロックＢＤをインデクサ部１１から見た正面図である。

後部中継ブロックＢＤは、前部中継ブロックＢＢと同じ構造を有する。すなわち、後部中継ブロックＢＤは、載置部ＰＤと搬送機構ＴＤのほかに、搬送スペースＡＤＲ、ＡＤＬ、給気ユニットＳＡＤＲ、ＳＡＤＬ、排気ユニットＥＸＤＲ、ＥＸＤＬを備えている。載置部ＰＤは、載置部ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４を含み、搬送機構ＴＤは、搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬを含む。これら後部中継ブロックＢＤの各要素の相対的な位置関係は、前部中継ブロックＢＢの各要素の相対的な位置関係と同じである。

具体的には、後部中継ブロックＢＤの構造については、上述した＜前部中継ブロックＢＢの構造＞の説明において、前部中継ブロックＢＢを後部中継ブロックＢＤに読み替え、搬送機構ＴＢ、ＴＢＲ、ＴＢＬをそれぞれ、搬送機構ＴＤ、ＴＤＲ、ＴＤＬに読み替え、載置部ＰＢ、ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４をそれぞれ、載置部ＰＤ、ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４に読み替え、搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬを搬送スペースＡＤＲ、ＡＤＬに読み替え、給気ユニットＳＡＢＲ、ＳＡＢＬを給気ユニットＳＡＤＲ、ＳＡＤＬに読み替え、排気ユニットＥＸＢＲ、ＥＸＢＬを排気ユニットＥＸＤＲ、ＥＸＤＬに読み替えるものとする。

＜後部熱処理ブロックＢＥの構造＞
図２−５、１０を参照する。図１０は、後部熱処理ブロックＢＥをインデクサ部１１から見た正面図である。

後部熱処理ブロックＢＥは、前部熱処理ブロックＢＡと同じ構造を有する。すなわち、後部熱処理ブロックＢＥは、熱処理ユニットＨＥと主搬送機構ＴＥのほかに、搬送スペースＡＥと載置部ＰＥと給気ユニットＳＡＥと排気ユニットＥＸＥを備えている。熱処理ユニットＨＥは、熱処理ユニットＨＥＲと熱処理ユニットＨＥＬを含み、載置部ＰＥは、載置部ＰＥＲと載置部ＰＥＬを含み、主搬送機構ＴＥは主搬送機構ＴＥＲと主搬送機構ＴＥＬを含む。後部熱処理ブロックＢＥの各要素の相対的な位置関係は、前部熱処理ブロックＢＡの各要素の相対的な位置関係と同じである。

具体的には、後部熱処理ブロックＢＥの構造については、上述した＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞の説明において、前部熱処理ブロックＢＡを後部熱処理ブロックＢＥに読み替え、主搬送機構ＴＡ、ＴＡＲ、ＴＡＬをそれぞれ、主搬送機構ＴＥ、ＴＥＲ、ＴＥＬに読み替え、熱処理ユニットＨＡ、ＨＡＲ、ＨＡＬをそれぞれ、熱処理ユニットＨＥ、ＨＥＲ、ＨＥＬに読み替え、載置部ＰＡ、ＰＡＲ、ＰＡＬをそれぞれ、載置部ＰＥ、ＰＥＲ、ＰＥＬに読み替え、搬送スペースＡＡを搬送スペースＡＥに読み替え、給気ユニットＳＡＡを給気ユニットＳＡＥに読み替え、排気ユニットＥＸＡを排気ユニットＥＸＡに読み替えるものとする。

＜インデクサ部１１とブロックＢＡとの関係＞
図２−５を参照する。載置部ＰＡ（載置部ＰＡＲおよび載置部ＰＡＬ）は、インデクサ部１１（搬送スペース１６）に対して開放されている。インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡにアクセスする。これにより、インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＡＲを介して基板Ｗを相互に搬送する。インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＡＬを介して基板Ｗを相互に搬送する。

＜前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの関係＞
主搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、前部熱処理ブロックＢＡの載置部ＰＡを介して、基板Ｗを相互に搬送する。

具体的には、搬送機構ＴＢＲと載置部ＰＡＲは、前後方向Ｘに並ぶ。載置部ＰＡＲは、搬送スペースＡＢＲに開放されている。搬送機構ＴＢＲと載置部ＰＡＲは、向かい合う。搬送機構ＴＢＲは、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、載置部ＰＡＲにアクセスする。これにより、主搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲを介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。

同様に、搬送機構ＴＢＬと載置部ＰＡＬは、前後方向Ｘに並ぶ。載置部ＰＡＬは、搬送スペースＡＢＬに開放されている。搬送機構ＴＢＬと載置部ＰＡＬは、向かい合う。搬送機構ＴＢＬは、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、載置部ＰＡＬにアクセスする。これにより、主搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬを介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。

さらに、主搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、前部中継ブロックＢＢの載置部ＰＢを介して、基板Ｗを相互に搬送する。

具体的には、載置部ＰＢと搬送スペースＡＡは、前後方向Ｘに並ぶ。すなわち、主搬送機構ＴＡＲと載置部ＰＢは略前後方向に並び、主搬送機構ＴＡＬと載置部ＰＢは略前後方向に並ぶ。各載置部ＰＢは、搬送スペースＡＡに開放されている。主搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢに向かい合う。主搬送機構ＴＡＬも、載置部ＰＢに向かい合う。主搬送機構ＴＡＲは、上下方向Ｚに昇降し、上下方向Ｚを中心に回転することによって、少なくとも載置部ＰＢ１、ＰＢ３にアクセスする。これにより、主搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢ１、ＰＢ３を介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。主搬送機構ＴＡＬは、上下方向Ｚに昇降し、上下方向Ｚを中心に回転することによって、少なくとも載置部ＰＢ２、ＰＢ４にアクセスする。これにより、主搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢ２、ＰＢ４を介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。

＜インデクサ部１１とブロックＢＡとブロックＢＢの関係＞
インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢは、主搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、載置部ＰＡＲは、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＲの両方と向かい合う。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＲは、主搬送機構ＴＡをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

同様に、載置部ＰＡＬはインデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬの両方と向かい合う。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬは、主搬送機構ＴＡをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

＜ブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送スペースＡＣと載置部ＰＢは前後方向Ｘに並ぶ。
載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４と向かい合う位置に配置されている。
載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に開放されている。各液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４と向かい合う。

各液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、前後方向Ｘに移動可能に構成され、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４にアクセスする。これにより、液処理用搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢ１を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢ２を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ３と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢ３を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢ４を介して基板Ｗを相互に搬送する。

＜ブロックＢＡとブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞

主搬送機構ＴＡと液処理用搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、載置部ＰＢ１は、液処理用搬送機構ＴＣ１と主搬送機構ＴＡＲの両方と向かい合う。液処理用搬送機構ＴＣ１と主搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣ１と主搬送機構ＴＡＲは、搬送機構ＴＢＲをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

載置部ＰＢ２は、液処理用搬送機構ＴＣ２と主搬送機構ＴＡＬの両方と向かい合う。液処理用搬送機構ＴＣ２と主搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＢ２を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣ２と主搬送機構ＴＡＬは、搬送機構ＴＢＬをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

載置部ＰＢ３は、液処理用搬送機構ＴＣ３と主搬送機構ＴＡＲの両方と向かい合う。液処理用搬送機構ＴＣ３と主搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ３を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣ３と主搬送機構ＴＡＲは、搬送機構ＴＢＲをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

載置部ＰＢ４は、液処理用搬送機構ＴＣ４と主搬送機構ＴＡＬの両方と向かい合う。液処理用搬送機構ＴＣ４と主搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＢ４を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣ４と主搬送機構ＴＡＬは、搬送機構ＴＢＬをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。

＜ブロックＢＣとブロックＢＤの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤの関係は、前部中継ブロックＢＢと液処理ブロックＢＣとの関係と同じである。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣと搬送機構ＴＤは、載置部ＰＤを介して基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、液処理用搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＤ１を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＤ２を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＤ３と搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＤ３を介して基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＤ４を介して基板Ｗを相互に搬送する。

＜ブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。

すなわち、搬送機構ＴＤと主搬送機構ＴＥは、後部中継ブロックＢＤの載置部ＰＤを介して、基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、搬送機構ＴＤＲと主搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ１、ＰＤ３を介して、相互に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＬと主搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ２、ＰＤ４を介して、相互に基板Ｗを搬送する。

さらに、搬送機構ＴＤと主搬送機構ＴＥは、後部熱処理ブロックＢＥの載置部ＰＥを介して、基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、搬送機構ＴＤＲと主搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＥＲを介して、相互に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＬと主搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＥＬを介して、相互に基板Ｗを搬送する。

＜ブロックＢＣとブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、液処理ブロックＢＣと前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣと主搬送機構ＴＥとは、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、液処理用搬送機構ＴＣ１と主搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ１を介して、基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ２と主搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ２を介して、基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ３と主搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ３を介して、基板Ｗを相互に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ４と主搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ４を介して、基板Ｗを相互に搬送する。

＜後部熱処理ブロックＢＥと露光機ＥＸＰの関係＞
各載置部ＰＥは、露光機ＥＸＰに開放されている。露光機ＥＸＰは、載置部ＰＥＲと載置部ＰＥＬにアクセスする。これにより、主搬送機構ＴＥＲと露光機ＥＸＰとは、載置部ＰＥＲを介して基板Ｗを相互に搬送する。主搬送機構ＴＥＬと露光機ＥＸＰとは、載置部ＰＥＬを介して基板Ｗを相互に搬送する。

＜前部熱処理ブロックＢＡの各要素の構造＞
なお、本明細書では、異なる要素が同じ構造を有する場合には、その構造に共通の符号を付すことで詳細な説明を省略する。

熱処理ユニットＨＡは、プレート２１とチャンバー２３とシャッター２４とを備えている。熱処理プレート２１は、基板Ｗを載置する。プレート２１の内部または外部には、プレート２１の温度を調節する温調機器（例えば、ヒータなどの発熱機器やヒートシンクなどの吸熱機器）が取り付けられている。プレート２１はプレート２１上の基板Ｗに熱を与え、または、プレート２１上の基板Ｗから熱を奪い、基板Ｗを所定の温度に調整する（すなわち、熱処理する）。チャンバー２３は、プレート２１を収容する。チャンバー２３は、チャンバー２３の表面に形成される基板搬送口２３ａを有する。基板搬送口２３ａは、主搬送機構ＴＡと向かい合う（換言すれば、搬送スペースＡＡと接する）位置に配置されている。シャッター２４は、基板搬送口２３ａを開閉する。図６では、熱処理ユニットＨＡＲのチャンバー２３は閉塞されており、熱処理ユニットＨＡＬのチャンバー２３は開放されている。

載置部ＰＡは、基板Ｗを載置するプレート２６を備えている。プレート２６は、棚２７上に設置されている。プレート２６はチャンバーなどで閉塞されておらず、基本的に水平方向（前後方向Ｘおよび横方向Ｙ）に開放されている。このため、主搬送機構ＴＡのみならず、インデクサ用搬送機構１３や搬送機構ＴＢなども、載置部ＰＡに容易にアクセスできる。

主搬送機構ＴＡは、ガイド軸部３１と駆動機構３２と一対のハンド３３を備えている。ガイド軸部３１は、上下方向Ｚに延びている。駆動機構３２は、ガイド軸部３１に取り付けられている。駆動機構３２は、ガイド軸部３１に沿って昇降し、かつ、ガイド軸部３１回りに回転する。さらに、駆動機構３２は、ガイド軸部３１に対して水平方向に進退移動（伸縮）する。例えば、駆動機構３２は、屈伸可能なリンク機構（不図示）を備えてもよい。一対のハンド３３は、駆動機構３２に取り付けられている。各ハンド３３は１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。

＜前部中継ブロックＢＢの各要素の構造＞
載置部ＰＢは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＢは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。

搬送機構ＴＢは、主搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、搬送機構ＴＢは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。

＜液処理ブロックＢＣの各要素の構造＞
液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、塗布処理を基板Ｗに行う。液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は略同じ構造を有する。具体的には、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２はそれぞれ、回転保持部４１とカップ４２とノズル４３とチャンバー４４とシャッター４５を備えている。回転保持部４１は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ４２は、回転保持部４１の周囲に設けられ、飛散された処理液を回収する。ノズル４３は、塗膜材料を処理液として基板Ｗに吐出する。塗膜材料は、例えば、レジスト膜材料である。ノズル４３は、回転保持部４１の上方の処理位置と、カップ４２の上方から外れた退避位置との間にわたって移動可能に設けられる。チャンバー４４は、回転保持部４１とカップ４２とノズル４３を収容する。チャンバー４４は、チャンバー４４の表面に形成される基板搬送口４４ａを有する。基板搬送口４４ａは、液処理用搬送機構ＴＣ１又はＴＣ２と向かい合う（換言すれば、分割搬送スペースＡＣ１又はＡＣ２と接する）位置に配置されている。シャッター４５は、基板搬送口４４ａを開閉する。図８では、液処理ユニットＳＣ１のチャンバー４４は閉塞されており、液処理ユニットＳＣ２のチャンバー４４は開放されている。

液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４は、現像処理を基板Ｗに行う。液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４は略同じ構造を有する。液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４はそれぞれ、回転保持部５１とカップ５２とノズル５３とチャンバー５４とシャッター５５を備える。回転保持部５１は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ５２は、回転保持部５１の周囲に配置され、飛散された処理液を回収する。ノズル５３は、現像液（処理液）を基板Ｗに吐出する。ノズル５３は、回転保持部５１の上方の処理位置と、カップ５２の上方から外れた退避位置との間にわたって移動可能に設けられる。チャンバー５４は、回転保持部５１とカップ５２とノズル５３を収容する。チャンバー５４は、チャンバー５４の表面に形成される基板搬送口５４ａを有する。基板搬送口５４ａは、液処理用搬送機構ＴＣ３又はＴＣ４と向かい合う（換言すれば、分割搬送スペースＡＣ３又はＡＣ４と接する）位置に配置されている。シャッター５５は、基板搬送口５４ａを開閉する。図８では、液処理ユニットＳＣ３のチャンバー５４は閉塞されており、液処理ユニットＳＣ４のチャンバー５４は開放されている。

液処理用搬送機構ＴＣは、駆動機構６１と１対のハンド６２を備えている。駆動機構６１は、例えば、遮蔽板４０に取り付けられている。ハンド６２は、駆動機構６１に取り付けられている。駆動機構６１は、各種方向Ｘ、Ｙ、Ｚに各ハンド６２を移動させ、上下方向Ｚを中心に各ハンド６２を回転させる。各ハンド６２は基板Ｗを保持する。

＜後部中継ブロックＢＤの各要素の構造＞
載置部ＰＤは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＤは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。

搬送機構ＴＤは、主搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、搬送機構ＴＤは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。

＜後部熱処理ブロックＢＥの各要素の構造＞
熱処理ユニットＨＥは、熱処理ユニットＨＡと略同じ構造を有する。すなわち、熱処理ユニットＨＥは、プレート２１とチャンバー２３とシャッター２４とを備えている。

載置部ＰＥは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＥは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。

主搬送機構ＴＥは、主搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、主搬送機構ＴＥは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。

＜ブロックの接続構造＞
図２−４、図６−１０を参照する。前部熱処理ブロックＢＡは、さらに、フレームＦＡを備える。フレームＦＡは、熱処理ユニットＨＡと主搬送機構ＴＡと載置部ＰＡを支持する。フレームＦＡは、略箱形状を有し、熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡと主搬送機構ＴＡとを収容する。フレームＦＡは、載置部ＰＡをインデクサ部１１および前部中継ブロックＢＢにそれぞれ開放するための開口（不図示）を有する。

同様に、他のブロックＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥはそれぞれ、フレームＦＢ、ＦＣ、ＦＤ、ＦＥを備える。各フレームＦＢ−ＦＥはそれぞれ、ブロックＢＢ−ＢＥの処理ユニット、載置部、搬送機構などを支持する。各フレームＦＢ−ＦＥはそれぞれ、略箱形状を有し、ブロックＢＢ−ＢＥの要素を収容する。各フレームＦＢ、ＦＣ、ＦＤ、ＦＥはそれぞれ、載置部ＰＢ、ＰＤ、ＰＥを隣接するブロックに開放するための開口（不図示）を有する。

ブロックＢＡ−ＢＢの接続は、フレームＦＡ−ＦＢの連結によって実現される。ブロックＢＢ−ＢＣ、ＢＣ−ＢＤ、ＢＤ−ＢＥの接続はそれぞれ、フレームＦＢ−ＦＣ、ＦＣ−ＦＤ、ＦＤ−ＦＥの連結によって実現される。

基板処理装置１を製造するときには、まず、ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥを組み立てる。例えばブロックＢＡの場合、フレームＦＡに熱処理ユニットＨＡと主搬送機構ＴＡと載置部ＰＡを取り付ける。続いて、各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥを相互に接続するとともに、ブロックＢＡにインデクサ部１１を接続する。

＜制御系の構成＞
図１１は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、さらに、制御部６７を備えている。

制御部６７は、例えば、処理部１７に設置されている。制御部６７は、インデクサ部１１および処理部１７を統括的に制御する。具体的には、インデクサ部１１のインデクサ用搬送機構１３の動作を制御し、ブロックＢＡ−ＢＥに設けられる各搬送機構およびブロックＢＡ、ＢＣ、ＢＥに設けられる各処理ユニットの動作を制御する。

制御部６７は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）や、各基板Ｗを識別するための情報など各種情報を記憶されている。

＜処理部１７における基板の搬送経路＞
図１２は基板Ｗの搬送経路を模式的に示す図である。図１２に示すように、処理部１７内において基板Ｗが移動する経路は、２つある。便宜上、処理部１７内の経路を、往路と復路に分ける。往路は、インデクサ部１１から処理部１７に入ってから、処理部１７から露光機ＥＸＰに出るまでの基板Ｗの経路である。復路は、露光機ＥＸＰから処理部１７に入ってから、処理部１７からインデクサ部１１に出るまでの基板Ｗの経路である。

（往路）
往路の第１経路は、以下の各要素をこの順序で通る：
載置部ＰＡＲ→載置部ＰＢ１→液処理ユニットＳＣ１→載置部ＰＤ１→熱処理ユニットＨＥＲ→載置部ＰＥＲ。
往路の第２経路は、以下の各要素をこの順序で通る：
載置部ＰＡＬ→載置部ＰＢ２→液処理ユニットＳＣ２→載置部ＰＤ２→熱処理ユニットＨＥＬ→載置部ＰＥＬ。

（復路）
復路の第１経路は、以下の各要素をこの順序で通る：
載置部ＰＥＲ→載置部ＰＤ３→液処理ユニットＳＣ３→載置部ＰＢ３→熱処理ユニットＨＡＲ→載置部ＰＡＲ。
復路の第２経路は、以下の各要素をこの順序で通る：
載置部ＰＥＬ→載置部ＰＤ４→液処理ユニットＳＣ４→載置部ＰＢ４→熱処理ユニットＨＡＬ→載置部ＰＡＬ。

ここで、第１経路と第２経路に共通して含まれる処理ユニットや載置部は、無い。すなわち、第１経路と第２経路は、完全に異なる（完全分離されている）。

載置部ＰＡＲ、ＰＢ１、ＰＢ３、ＰＤ１、ＰＤ３、ＰＥＲは、本発明の第１載置部の例であり、載置部ＰＡＬ、ＰＢ２、ＰＢ４、ＰＤ２、ＰＤ４、ＰＥＬは、本発明の第２載置部の例である。液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ３は、本発明の第１液処理ユニットの例であり、液処理ユニットＳＣ２、ＳＣ４は、本発明の第２液処理ユニットの例である。熱処理ユニットＨＡＲ、ＨＥＲは、本発明の第１熱処理ユニットの例であり、熱処理ユニットＨＡＬ、ＨＥＬは、ＥＲ、本発明の第２熱処理ユニットの例である。

さらに、第１経路上には、複数の処理ユニットＳＣ１が並列に接続される。他の処理ユニットＨＥＲ、ＳＣ３、ＨＡＲも、同様である。

第１経路を移動する基板Ｗと第２経路を移動する基板Ｗとは、異なる。以下では、第１経路を移動する基板Ｗを「第１の基板Ｗ」と適宜に呼び、第２経路を移動する基板Ｗを「第２の基板Ｗ」と適宜に呼ぶ。

また、搬送機構ＴＡＲ、ＴＢＲ、ＴＣ１、ＴＣ３、ＴＤＲ、ＴＥＲが搬送する基板Ｗと、搬送機構ＴＡＬ、ＴＢＬ、ＴＣ２、ＴＣ４、ＴＤＬ、ＴＥＬが搬送する基板Ｗは、異なる。搬送機構ＴＡＲ、ＴＢＲ、ＴＣ１、ＴＣ３、ＴＤＲ、ＴＥＲを第１の搬送機構群と呼ぶとすると、第１の搬送機構群は上述した第１の基板Ｗを第１経路に沿って搬送する。搬送機構ＴＡＬ、ＴＢＬ、ＴＣ２、ＴＣ４、ＴＤＬ、ＴＥＬを第２の搬送機構群と呼ぶとすると、第２の搬送機構群は上述した第２の基板Ｗを第２経路に沿って搬送する。ここで、第１の搬送機構群と第２の搬送機構群に共通して含まれる搬送機構は、無い。すなわち、第１の搬送機構群と第２の搬送機構群とは、相互に独立している。

主搬送機構ＴＡＲ、ＴＥＲは、本発明の第１主搬送機構の例であり、主搬送機構ＴＡＬ、ＴＥＬは、本発明の第２主搬送機構の例である。搬送機構ＴＢＲ、ＴＤＲは、本発明の第１搬送機構の例であり、搬送機構ＴＢＬ、ＴＤＬは、本発明の第２搬送機構の例である。液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ３は、本発明の第１液処理用搬送機構の例であり、液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ４は、本発明の第２液処理用搬送機構の例である。

＜基板処理装置１の動作例＞
図１２−１５を参照して、基板処理装置１の動作例を説明する。図１３は、基板に行う処理の手順を示すフローチャートである。図１４は、第１の基板Ｗおよび第２の基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。なお、図１４では、便宜上、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２に塗布処理を意味する「ＣＯＡＴ」を付記し、液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４に現像処理を意味する「ＤＥＶ」を付記する。図１５は、各搬送機構が繰り返し行う動作例を模式的に示す図である。

＜インデクサ部１１が処理部１７に基板Ｗを供給する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから１枚の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを載置部ＰＡＲ上に載置する。続いて、インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから１枚の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを載置部ＰＡＬ上に載置する。その後、インデクサ用搬送機構１３は、再び、キャリアＣから載置部ＰＡＲに基板Ｗを搬送する。このように、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲと載置部ＰＡＬに交互に、基板Ｗを１枚ずつ搬送する。

＜処理部１７の動作（往路）＞
第１経路に関連する動作と第２経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第１経路に関連する動作を説明する。なお、第２経路に関連する動作は、以下の説明において、搬送機構ＴＢＲ、ＴＣ１、ＴＥＲをそれぞれ、搬送機構ＴＢＬ、ＴＣ２、ＴＥＬに読み替え、載置部ＰＡＲ、ＰＢ１、ＰＤ１、ＰＥＲをそれぞれ、載置部ＰＡＬ、ＰＢ２、ＰＤ２、ＰＥＬに読み替え、処理ユニットＳＣ１、ＨＥＲを、処理ユニットＳＣ２、ＨＥＬに読み替えたものに相当する。

搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲ上の基板Ｗを取り、その基板Ｗを載置部ＰＢ１に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１上の基板Ｗを取り、その基板Ｗを液処理ユニットＳＣ１に搬送する。ここで、液処理用搬送機構ＴＣ１は、２つの液処理ユニットＳＣ２に交互に基板Ｗを搬送する。

液処理用搬送機構ＴＣ１が液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送するとき、シャッター４５が基板搬送口４４ａを一時的に開放する。これにより、ハンド６２がチャンバー４４内に進入することを許容する。ハンド６２がチャンバー４４の外部に退出した後、再び、シャッター４５は基板搬送口４４ａを閉塞する。これにより、液処理ユニットＳＣ１は、チャンバー４４が閉塞された状態で、液処理を行う。

液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗに塗膜材料を塗布する（ステップＳ１）。具体的には、回転保持部４１が基板Ｗを保持する。ノズル４３が退避位置から処理位置に移動する。回転保持部４１が基板Ｗを回転させ、ノズル４３が塗膜材料を吐出する。塗膜材料が基板Ｗの表面に塗布される。塗膜材料の一部は基板Ｗから振り切られてカップ４２に回収される。

塗布処理が終了すると、液処理用搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー４４は分割搬送スペースＡＣ１に開放される。そして、液処理用搬送機構ＴＣ１は、その基板Ｗを載置部ＰＤ１に搬送する。

なお、液処理用搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１から取った未処理の基板Ｗを保持した状態で、液処理ユニットＳＣ１から処理済みの基板Ｗを搬出し、続けて、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＳＣ１に搬入してもよい。

主搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ１から基板Ｗを取り、熱処理ユニットＨＥＲに搬送する。ここで、主搬送機構ＴＥＲは、２つの熱処理ユニットＨＥＲに交互に基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＥＲが熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗを搬送するとき、シャッター２４が基板搬送口２３ａを一時的に開放する。これにより、主搬送機構ＴＥＲのハンド３３がチャンバー２３内に進入することを許容する。ハンド３３がチャンバー２３の外部に退出した後、再び、シャッター２４は基板搬送口２３ａを閉塞する。これにより、熱処理ユニットＨＥＲは、チャンバー２３が閉塞された状態で、熱処理を行う。

熱処理ユニットＨＥＲは、基板Ｗに熱処理を行う（ステップＳ２）。

熱処理が終了すると、主搬送機構ＴＥＲは、熱処理ユニットＨＥＲから基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー２３は搬送スペースＡＥに開放される。そして、主搬送機構ＴＥＲは、その基板Ｗを載置部ＰＥＲに搬送する。

以上が、往路における第１経路に関連する動作である。往路における第１経路および第２経路に関連する各動作を、並行して行ってもよい。

＜露光機ＥＸＰの動作＞
載置部ＰＥＲおよび載置部ＰＥＬ上の基板Ｗは、露光機ＥＸＰに搬送される。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う（ステップＳ３）。露光処理が終了すると、露光機ＥＸＰから載置部ＰＥＲおよび載置部ＰＥＬに基板Ｗは搬送される。

＜処理部１７の動作（復路）＞
第１経路に関連する動作と第２経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第１経路に関連する動作を説明する。なお、第２経路に関連する動作は、以下の説明において、搬送機構ＴＡＲ、ＴＣ３、ＴＤＲをそれぞれ、搬送機構ＴＡＬ、ＴＣ４、ＴＤＬに読み替え、載置部ＰＡＲ、ＰＢ３、ＰＤ３、ＰＥＲをそれぞれ、載置部ＰＡＬ、ＰＢ４、ＰＤ４、ＰＥＬに読み替え、処理ユニットＳＣ３、ＨＡＲを、処理ユニットＳＣ４、ＨＡＬに読み替えたものに相当する。

搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＥＲから載置部ＰＤ３に搬送する。液処理用搬送機構ＴＣ３は、載置部ＰＤ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。ここで、液処理用搬送機構ＴＣ３は、２つの液処理ユニットＳＣ３に交互に基板Ｗを搬送する。

液処理用搬送機構ＴＣ３が液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送するとき、シャッター５５が基板搬送口５４ａを一時的に開放する。

液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＳ４）。具体的には、回転保持部５１が基板Ｗを保持する。ノズル５３が退避位置から処理位置に移動する。ノズル５３が現像液を吐出する。現像液は基板Ｗの表面を覆う。このとき、回転保持部５１が基板Ｗを回転させてもよい。所定の時間が経過すると、基板Ｗ上から現像液を除去する。例えば、回転保持部５１が基板Ｗを回転させることによって基板Ｗ上から現像液を振り切ってもよい。あるいは、ノズル５３とは異なるノズル（不図示）が洗浄液を基板Ｗに供給し、基板Ｗ上の現像液を洗浄液に置換してもよい。現像液等は、カップ５２に回収される。

現像処理が終了すると、液処理用搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー５４は分割搬送スペースＡＣ３に開放される。そして、液処理用搬送機構ＴＣ３は、その基板Ｗを載置部ＰＢ３に搬送する。

主搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ３から熱処理ユニットＨＡＲに搬送する。ここで、主搬送機構ＴＡＲは、２つの熱処理ユニットＨＡＲに交互に基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡＲが熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗを搬送するとき、シャッター２４は熱処理ユニットＨＥＲのチャンバー２３を開閉する。

熱処理ユニットＨＡＲは、基板Ｗに熱処理を行う（ステップＳ５）。

熱処理が終了すると、主搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー２３は搬送スペースＡＡに開放される。そして、主搬送機構ＴＡＲは、その基板Ｗを載置部ＰＡＲに搬送する。

以上が、復路における第１経路に関連する動作である。復路における第１経路および第２経路に関連する各動作を、並行して行ってもよい。

＜インデクサ部１１が処理部１７から基板Ｗを回収する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。続いて、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。その後、インデクサ用搬送機構１３は、再び、載置部ＰＡＲからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。このように、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲと載置部ＰＡＬから交互に、基板Ｗを１枚ずつ搬出する。

なお、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲ上の基板Ｗを取る動作に続いて、別の基板Ｗを載置部ＰＡＲに載置してもよい。同様に、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＬ上の基板Ｗを取る動作に続いて、別の基板Ｗを載置部ＰＡＬに載置してもよい。

＜実施例１の効果＞
上述したとおり、熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。また、熱処理ユニットＨＥが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。

この効果をより具体的に例示する。熱処理ユニットＨＡに基板Ｗを搬入するときや熱処理ユニットＨＡから基板Ｗを搬出するとき、チャンバー２３が搬送スペースＡＡに開放される。このため、熱処理ユニットＨＡ（チャンバー２３）内の処理ガス（以下、「熱処理ガス」という）が、搬送スペースＡＡに流出することは避けられない。しかしながら、搬送スペースＡＡと液処理ユニットＳＣとの間には、前部中継ブロックＢＢ（すなわち、載置部ＰＢと搬送機構ＴＢ）が設けられている。このため、搬送スペースＡＡの熱処理ガスが液処理ユニットＳＣに到達することを好適に抑制できる。同様に、熱処理ユニットＨＥを開放する度に熱処理ユニットＨＥから搬送スペースＡＥに熱処理ガスが流出しても、液処理ユニットＳＣを好適に保護できる。

前部熱処理ブロックＢＡは、給気ユニットＳＡＡと排気ユニットＥＸＡを備えているので、熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を一層低減できる。前部中継ブロックＢＢは、給気ユニットＳＡＢＲ、ＳＡＢＬと排気ユニットＥＸＢＲ、ＥＸＢＬを備えているので、熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を一層低減できる。液処理ブロックＢＣは、給気ユニット（不図示）と排気ユニット（不図示）を備えているので、熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を一層低減できる。

同様に、ブロックＢＤ、ＢＥも、給気ユニットＳＡＤＲ、ＳＡＤＬとＳＡＥと排気ユニットＥＸＤＲ、ＥＸＤＬ、ＥＸＥを備えているので、熱処理ユニットＨＥが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を一層低減できる。

ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣはこの順番で一列に並ぶので、熱処理ユニットＨＡを液処理ユニットＳＣから効果的に遠ざけることができる。同様に、ブロックＢＣ、ＢＤ、ＢＥはこの順番で一列に並ぶので、熱処理ユニットＨＥを液処理ユニットＳＣから効果的に遠ざけることができる。

載置部ＰＢが搬送スペースＡＡと搬送スペースＡＣとの間に配置されている。より具体的には、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４がそれぞれ、搬送スペースＡＡと分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４との間に配置されている。このため、載置部ＰＢ（ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４）は、搬送スペースＡＡの雰囲気が搬送スペースＡＣ（ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４）に流れることを好適に妨げることができる。

同様に、載置部ＰＤが搬送スペースＡＥと搬送スペースＡＣとの間に配置されている。より具体的には、載置部ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４がそれぞれ、搬送スペースＡＥと分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４との間に配置されている。このため、載置部ＰＤ（ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４）は、搬送スペースＡＥの雰囲気が搬送スペースＡＣ（ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４）に流れることを好適に妨げることができる。

特に、搬送スペースＡＡと載置部ＰＢと搬送スペースＡＣが、中心線ＩＣに沿って１列に並んでいるので、搬送スペースＡＡの雰囲気が搬送スペースＡＣに流れることを一層好適に防止できる。同様に、搬送スペースＡＥと載置部ＰＤと搬送スペースＡＣが、中心線ＩＣに沿って１列に並んでいるので、搬送スペースＡＥの雰囲気が搬送スペースＡＣに流れることを一層好適に防止できる。

第１の搬送機構群と第２の搬送機構群とは、相互に独立している。よって、第１の搬送機構群による基板Ｗの搬送と第２の搬送機構群による基板Ｗの搬送が、相互に影響を及ぼすことを防止できる。例えば、第１の搬送機構群に属する少なくとも１つの搬送機構が故障した場合であっても、第２の搬送機構群による基板Ｗの搬送が遅延したり、停止することがない。これにより、基板処理装置１の稼働率が低下することを抑制できる。

第１経路と第２経路は、完全に分離されている。すなわち、第１の基板Ｗが通る載置部／処理ユニットと、第２の基板Ｗが通る載置部／処理ユニットは、完全に異なる。よって、第１経路に沿った基板搬送と第２経路に沿った基板搬送が、相互に影響を及ぼすことを防止できる。例えば、第１経路上の少なくとも１つ以上の載置部／処理ユニットが故障した場合であっても、第２経路に沿った基板搬送を止める必要はない。これにより、基板処理装置１の稼働率が低下することを一層抑制できる。

第１経路上には、処理ユニットＳＣ１、ＳＣ３、ＨＡＲ、ＨＥＲがそれぞれ２つずつ配置されている。２つの処理ユニットＳＣ１は互いに並列に接続される。他の処理ユニットＳＣ３、ＨＡＲ、ＨＥＲも同様である。よって、液処理や熱処理を並行して行うことができる。その結果、第１経路における基板Ｗの処理能力（スループット）を高めることができる。また、例えば処理ユニットＳＣ１の一方が故障した場合であっても、他方の処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送することによって第１経路に沿った基板搬送を継続できる。その結果、第１経路における基板搬送の信頼性を高めることができる。

同様に、第２経路上には、処理ユニットＳＣ２、ＳＣ４、ＨＡＬ、ＨＥＬが２つずつ配置されている。よって、第２経路における基板Ｗの処理能力を高めることができ、かつ、第２経路に沿った基板搬送の信頼性を高めることができる。

第１経路に沿って搬送される第１の基板Ｗと、第２経路に沿って搬送される第２の基板Ｗは、異なる。よって、第１の基板Ｗの搬送と第２の基板Ｗの搬送が、相互に影響を及ぼすことを防止できる。例えば、第１の基板Ｗの搬送を停止した場合であっても、第２の基板Ｗの搬送を止める必要はない。これにより、基板処理装置１の稼働率が低下することを一層抑制できる。

載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４は互いに上下方向に並び、かつ、液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４も互いに上下方向に並ぶ。さらに、載置部ＰＢ１は、液処理用搬送機構ＴＣ１と向かい合う位置に配置されている。同様に、載置部ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４と向かい合う位置に配置されている。このため、液処理用搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＢＲとは、載置部ＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送できる。同様に、液処理用搬送機構ＴＣ３と搬送機構ＴＢＲとは、載置部ＰＢ３を介して、基板Ｗを相互に搬送できる。また、液処理用搬送機構ＴＣ２／ＴＣ４と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢ２／ＰＢ４を介して、基板Ｗを相互に搬送できる。

同様に、載置部ＰＤと液処理用搬送機構ＴＣとは、載置部ＰＢと液処理用搬送機構ＴＣとの相対的な位置関係と同様に配置されている。このため、各液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ３はそれぞれ、搬送機構ＴＤＲと基板Ｗを相互に搬送でき、各液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ４はそれぞれ、搬送機構ＴＤＬと基板Ｗを相互に好適に搬送できる。

主搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは横方向Ｙに並ぶ。載置部ＰＢ１は、主搬送機構ＴＡＲおよび主搬送機構ＴＡＬの両方と向かい合う位置に配置されている。同様に、載置部ＰＢ２ーＰＢ４はそれぞれ、主搬送機構ＴＡＲおよび主搬送機構ＴＡＬの両方と向かい合う位置に配置されている。このため、主搬送機構ＴＡＲは搬送機構ＴＢＲと基板Ｗを相互に搬送でき、主搬送機構ＴＡＬは搬送機構ＴＢＬと基板Ｗを相互に好適に搬送できる。

主搬送機構ＴＡＲと液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ３は、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。また、主搬送機構ＴＡＬと液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ４は、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣとの間でので、基板Ｗを効率良く搬送できる。

同様に、主搬送機構ＴＥＲと液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ３は、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。また、主搬送機構ＴＥＬと液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ４は、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、後部熱処理ブロックＢＥと液処理ブロックＢＣとの間でので、基板Ｗを効率良く搬送できる。

載置部ＰＡＲは、主搬送機構ＴＡＲの側方で、かつ、搬送機構ＴＢＲと向かい合う位置に配置されている。よって、主搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢを介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＡＲを介して基板Ｗを相互に搬送できる。同様に、載置部ＰＡＬは、主搬送機構ＴＡＬの側方で、かつ、搬送機構ＴＢＬと向かい合う位置に配置されている。よって、主搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢを介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＡＬを介して基板Ｗを相互に搬送できる。したがって、前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの間において、基板を柔軟に搬送できる。

同様に、主搬送機構ＴＥＲと搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＤ１、ＰＤ３、ＰＥＲのいずれを使っても、基板Ｗを相互に搬送できる。主搬送機構ＴＥＬと搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＤ２、ＰＤ４、ＰＥＬのいずれを使っても、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、後部熱処理ブロックＢＥと後部中継ブロックＢＤとの間において、基板を柔軟に搬送できる。

載置部ＰＡＲ、ＰＡＬはそれぞれ、インデクサ部１１に対して開放されている。よって、インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡＲは、基板Ｗを相互に好適に搬送でき、インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡＬは、基板Ｗを相互に好適に搬送できる。

インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＲとは、主搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。また、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬとは、主搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、インデクサ部１１と前部中継ブロックＢＢとの間でので、基板Ｗを効率良く搬送できる。

液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ４を備え、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、塗膜材料を基板Ｗに塗布する塗布ユニットであり、ＳＣ３、ＳＣ４は現像液を基板Ｗに供給する現像ユニットである。よって、基板Ｗに塗布処理および現像処理を好適に行うことができる。

液処理用搬送機構ＴＣの数は、他のブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＤ、ＢＥよりも多い（具体的には、他のブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＤ、ＢＥの倍に相当する）。よって、液処理ブロックＢＣにおける基板Ｗの搬送能力を効果的に向上させることができる。

ブロックＢＡからブロックＢＥまでの機能の配列は、ブロックＢＥからブロックＢＡまでの機能の配列と同じである。よって、インデクサ部１１をブロックＢＡに接続せずに、ブロックＢＥに接続することもできる。

図１６を参照する。図１６は、ブロックＢＥにインデクサ部１１を接続することによって得られる基板処理装置１Ｒの概念図である。図示するように、基板処理装置１Ｒは、実施例１に係る基板処理装置１と同等の機能を発揮する。

さらに、基板処理装置１と基板処理装置１Ｒとは、基本的に同じ構造を有するので、同一視できる。つまり、前部熱処理ブロックＢＡと後部熱処理ブロックＢＥとは、基本的に同じ構造であり、同一視でき、前部中継ブロックＢＢと後部中継ブロックＢＤとは、基本的に同じ構造であり、同一視でき、ブロックＢＡから見た処理部１７の構造は、ブロックＢＥから見た処理部１７の構造と同じである。このため、インデクサ部１１をブロックＢＡ、ＢＥのいずれに接続しても誤接続とはならず、基板処理装置１の組立作業を簡易化できる。また、ブロックＢＡ、ＢＥのいずれにインデクサ部１１を接続するかによって、ブロックＢＡ、ＢＥや、処理部１７の設計図が変わることはない。よって、ブロックＢＡ、ＢＥのいずれにインデクサ部１１が接続されるか、まだ決まっていない段階で処理部１７を製造しておくことができる。インデクサ部１１の接続位置が決まれば、その通りにインデクサ部１１と処理部１７とを接続するだけであり、基板処理装置１を短期間に完成させることができる。

次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

＜基板処理装置１の全体構造＞
図１７は、実施例２に係る基板処理装置１の平面図である。実施例２に係る基板処理装置１は、基板Ｗに反射防止膜、レジスト膜および保護膜を形成し、かつ、基板Ｗを現像する装置である。

基板処理装置１は、インデクサ部１１と処理部１７とインターフェースブロックＢＦを備える。インターフェースブロックＢＦは、露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを相互に搬送する。インデクサ部１１と処理部１７とインターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰは、この順番で前後方向Ｘに１列に並ぶ。インターフェースブロックＢＦは、処理部１７（後部熱処理ブロックＢＥ）および露光機ＥＸＰと直接的に接続されている。露光機ＥＸＰは、例えば液浸法により基板Ｗに露光処理を行う。

＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞
図１７−２０を参照する。図１８は、図１７における矢視ａ−ａの側面図である。図１９は、図１７における矢視ｂ−ｂの側面図である。図２０は、前部熱処理ブロックＢＡをインデクサ部１１から見た正面図である。

前部熱処理ブロックＢＡは、上下方向に並ぶ２つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＡは、２つの分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２に区分されている。分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２は、この順番で下から上に向かって並ぶ。

主搬送機構ＴＡは、主搬送機構ＴＡ１と主搬送機構ＴＡ２を備える。主搬送機構ＴＡ１は、分割搬送スペースＡＡ１に設置され、主搬送機構ＴＡ２は分割搬送スペースＡＡ２に設置されている。各主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。

前部熱処理ブロックＢＡは、熱処理ユニットとして、加熱ユニットＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡと疎水化処理ユニットＡＨＰを備える。前部熱処理ブロックＢＡは、載置部ＳＰＡ、ＲＰＡを備えている。各要素ＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡ、ＡＨＰ、ＳＰＡ、ＲＰＡはそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の側方に配置されている。以下では、各要素の符号に、設置場所を示す記号を適宜に付す。設置場所を示す記号は、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２）と、右方ＹＲ、左方ＹＬのいずれかを示す「Ｒ」／「Ｌ」とを組み合わせたものである。高さ位置を示す数字「１」／「２」はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１／ＡＡ２と同じ高さを意味する。例えば、載置部ＳＰＡ１Ｒは、分割搬送スペースＡＡ１の右方ＹＲに設置される載置部ＳＰＡであり、加熱ユニットＨＰａＡ２Ｌは、分割搬送スペースＡＡ２の左方ＹＬに設置される加熱ユニットＨＰａＡである。

各加熱ユニットＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡはそれぞれ、基板Ｗを加熱する。疎水化処理ユニットＡＨＰは、基板Ｗと塗膜との密着性を高める疎水化処理を行う。具体的には、密着強化処理ユニットＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ：Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）を含む処理ガスを基板Ｗに供給しつつ、基板Ｗを温調する。

加熱ユニットＨＰａＡは、実施例１で説明したプレート２１とチャンバー２３とシャッター２４の他に、ローカル搬送機構２５を備えている（図１５参照）。ローカル搬送機構２５は、基板Ｗを横方向Ｙに搬送し、基板Ｗをプレート２１上に載置する。他の加熱ユニットＨＰｂＡ、ＨＰｃＡおよび疎水化処理ユニットＡＨＰも同様に、ローカル搬送機構２５を備えている。

載置部ＳＰＡ、ＲＰＡは、実施例１の載置部ＰＡと同じ構造を有する。載置部ＳＰＡは、例えば、専ら後方ＸＢに向かう基板Ｗを載置するために使用され、載置部ＲＰＡは、例えば、専ら前方ＸＦに向かう基板Ｗを載置するために使用される。

主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２はそれぞれ、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。

主搬送機構ＴＡ１は、分割搬送スペースＡＡ１の右方ＹＲに設置される各要素ＨＰａＡ１Ｒ、ＨＰｂＡ１Ｒ、ＨＰｃＡ１Ｒ、ＡＨＰ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒと、分割搬送スペースＡＡ１の左方ＹＬに設置される各要素ＨＰａＡ１Ｌ、ＨＰｂＡ１Ｌ、ＨＰｃＡ１ＬＲ、ＡＨＰ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒにアクセスする。

主搬送機構ＴＡ２は、分割搬送スペースＡＡ２の右方ＹＲに設置される各要素ＨＰａＡ２Ｒ、ＨＰｂＡ２Ｒ、ＨＰｃＡ２Ｒ、ＡＨＰ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒと、分割搬送スペースＡＡ２の左方ＹＬに設置される各要素ＨＰａＡ２Ｌ、ＨＰｂＡ２Ｌ、ＨＰｃＡ２ＬＲ、ＡＨＰ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒにアクセスする。

＜前部中継ブロックＢＢの構造＞
図１７−１９、２１を参照する。図２１は、前部中継ブロックＢＢをインデクサ部１１から見た正面図である。

前部中継ブロックＢＢは、載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと冷却載置部ＰＣＰＢと冷却ユニットＣＰＢとを備えている。冷却ユニットＣＰＢは、熱処理ユニットの一態様であり、基板Ｗを冷却する。冷却載置部ＰＣＰＢは、基板Ｗを載置するとともに冷却する。冷却載置部ＰＣＰＢは、載置部の一態様であるとともに熱処理ユニットの一態様でもある。冷却載置部ＰＣＰＢは、プレート２６と、プレート２６の熱を奪う吸熱機器（不図示）を備えている。冷却載置部ＰＣＰＢは、載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと同様に、水平方向に開放されている。

載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと冷却載置部ＰＣＰＢと冷却ユニットＣＰＢとは、前部中継ブロックＢＢの横方向Ｙ中央において、互いに上下方向に積層されている。

液処理ブロックＢＣは後述するように分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８を有し、要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢとは、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８のそれぞれと向かい合う高さに配置されている。以下では、各要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢの符号に、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２、…、８）を付す。高さ位置を示す数字「ｉ」は、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣｉと同じ高さを意味する。例えば、要素ＲＰＢ８、ＳＰＢ８、ＣＰＢ８はいずれも、分割搬送スペースＡＣ８と向かい合う位置に配置されている。

なお、分割搬送スペースＡＣ１−ＡＣ４の全体と分割搬送スペースＡＡ１とが、同等の高さであり、分割搬送スペースＡＣ５−ＡＣ８の全体と分割搬送スペースＡＡ２とが、同等の高さである。

前部中継ブロックＢＢは、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎとアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔを備える。インバッファ部Ｂｆ−ｉｎは、基板処理装置１内において熱処理や液処理などの如何なる処理も行われていない基板Ｗを蓄積する。アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔは、基板処理装置１内において一連の処理が完了した基板Ｗを蓄積する。インバッファ部Ｂｆ−ｉｎおよびアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔがそれぞれ蓄積可能な基板Ｗの数は、例えば５０枚である。

インバッファ部Ｂｆ−ｉｎは、搬送スペースＡＢＲ（搬送機構ＴＢＲ）の右方ＹＲに配置されている。アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔは、搬送スペースＡＢＬ（搬送機構ＴＢＬ）の左方ＹＬに配置されている。

搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、各要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢにアクセスする。搬送機構ＴＢＲは、さらに、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎにアクセスする。搬送機構ＴＢＬは、さらに、インバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔにアクセスする。

＜液処理ブロックＢＣの構造＞
図１７−１９、２２を参照する。図２２は、液処理ブロックＢＣをインデクサ部１１から見た正面図である。

液処理ブロックＢＣは、上下方向に並ぶ８つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＣは、８つの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８に区分されている。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。

液処理用搬送機構ＴＣは、液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８を含む。液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８に設置されている。

液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８を含む。液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８の側方に設置されている。

液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ６は、塗布ユニットである。より詳しくは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は反射防止膜用塗布ユニット（ＢＡＲＣ）であり、液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４はレジスト膜用塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ）であり、液処理ユニットＳＣ５、ＳＣ６は保護膜用塗布ユニット（ＴＡＲＣ）である。反射防止膜用塗布ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布する。レジスト膜用塗布ユニットＳＣ３、ＳＣ４は、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する。保護膜用塗布ユニットＳＣ５、ＳＣ６は、基板Ｗに保護膜材料塗布する。液処理ユニットＳＣ７、ＳＣ８は、現像ユニット（ＤＥＶ）である。

なお、実施例２では、図１７、１８に示すように、２つの液処理ユニットＳＣが液処理用搬送機構ＴＣの右方ＹＲに配置され、２つの液処理ユニットＳＣが液処理用搬送機構ＴＣの左方ＹＬに配置されている。液処理用搬送機構ＴＣの右方ＹＲに設置される２つ液処理ユニットＳＣは、ノズル４３／５３およびチャンバー４４／５４を共用している。液処理用搬送機構ＴＣの左方ＹＬに設置される２つ液処理ユニットＳＣも、同様に、ノズル４３／５３およびチャンバー４４／５４を共用している。

液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８にアクセスする。

＜後部中継ブロックＢＤの構造＞
図１７−１９、２３を参照する。図２３は、後部中継ブロックＢＤをインデクサ部１１から見た正面図である。

後部中継ブロックＢＤは、載置部ＳＰＤ、ＲＰＤと冷却載置部ＰＣＰＤと冷却ユニットＣＰＤを備えている。載置部ＳＰＤ、ＲＰＤと冷却載置部ＰＣＰＤと冷却ユニットＣＰＤとは、後部中継ブロックＢＤの横方向Ｙ中央において、互いに上下方向に積層されている。

要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤは、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８のそれぞれと向かい合う高さ位置に配置されている。以下では、各要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤの符号に、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２、…、８）を付す。高さ位置を示す数字「ｉ」は、その要素が液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣｉと向かい合うことを意味する。

搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬはそれぞれ、各要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤにアクセスする。

なお、搬送機構ＴＤＲの右方ＹＲや搬送機構ＴＤＬの左方ＹＬには、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎやアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔが設置されていない。このため、後部中継ブロックＢＤの右側部や左側部に、例えば、液処理ブロックＢＣに処理液を供給するためのポンプ等を設置できる。

＜後部熱処理ブロックＢＥの構造＞
図１７−１９、２４を参照する。図２４は、後部熱処理ブロックＢＥをインデクサ部１１から見た正面図である。

後部熱処理ブロックＢＥは、前部熱処理ブロックＢＡと同様に、２つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＥは、分割搬送スペースＡＥ１、ＡＥ２に区分されている。

主搬送機構ＴＥは、主搬送機構ＴＥ１と主搬送機構ＴＥ２を備える。主搬送機構ＴＥ１は、分割搬送スペースＡＥ１に設置され、主搬送機構ＴＥ２は分割搬送スペースＡＥ２に設置されている。

後部熱処理ブロックＢＥは、熱処理ユニットとして、加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥと、冷却ユニットＣＰＥとを備えている。また、後部熱処理ブロックＢＥは、載置部ＳＰＥ、ＲＰＥとエッジ露光ユニットＥＥＷを備えている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗ上のレジスト膜の周縁部を露光する。

各要素ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、ＣＰＥ、ＳＰＥ、ＲＰＥ、ＥＥＷはそれぞれ、分割搬送スペースＡＥ１、ＡＥ２の側方に配置されている。以下では、各要素の符号に、設置場所を示す記号を適宜に付す。設置場所を示す記号は、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２）と、右方ＹＲ、左方ＹＬのいずれかを示す「Ｒ」／「Ｌ」とを組み合わせたものである。高さ位置を示す数字「１」／「２」はそれぞれ、要素が分割搬送スペースＡＥ１／ＡＥ２と向かい合うことを意味する。

＜インターフェースブロックＢＦの構造＞
図１７−１９、２５、２６を参照する。図２５は、インターフェースブロックＢＦの前部をインデクサ部１１から見た正面図である。図２６は、インターフェースブロックＢＦの後部をインデクサ部１１から見た正面図である。

インターフェースブロックＢＦの前部（処理部１７側）には、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２と搬送機構ＴＦＲ、ＴＦＬと露光前洗浄ユニットＢＳＲ、ＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬが設置されている。

露光前洗浄ユニットＢＳＲ、ＢＳＬは、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。露光前洗浄処理ユニットＢＳＲ、ＢＳＬは、例えば、基板Ｗの裏面や端部を洗浄する。露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬは、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。例えば、露光前洗浄処理ユニットＢＳＲ、ＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬはそれぞれ、基板Ｗを回転させる基板回転機構や、基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構や、基板Ｗを洗浄するためのブラシ等の洗浄具など（いずれも不図示）を備える。

載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央に配置されている。載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１は、後部熱処理ブロックＢＥの分割搬送スペースＡＥ１と向かい合う位置に配置されている。載置部ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、後部熱処理ブロックＢＥの分割搬送スペースＡＥ２と向かい合う位置に配置されている。

搬送機構ＴＦＲは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２の右方ＹＲに配置される。露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、搬送機構ＴＦＲの右方ＹＲに配置されている。露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。

搬送機構ＴＦＬは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２の左方ＹＬに配置される。露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬは、搬送機構ＴＦＬの左方ＹＬに配置されている。露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。

インターフェースブロックＢＦの後部（露光機ＥＸＰ側）には、冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと搬送機構ＢＨＵと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲ、ＰＥＢＬと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆが設置されている。

露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲ、ＰＥＢＬは、熱処理ユニットの一態様であり、露光処理後の基板Ｗを加熱する露光後加熱処理（Post Exposure Bake）を行う。送りバッファ部ＳＢｆは、露光機ＥＸＰに搬送する前の基板Ｗを蓄積する。戻りバッファ部ＲＢｆは、露光機ＥＸＰから返ってきた基板Ｗを蓄積する。

冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢは、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央に配置されている。冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。搬送機構ＢＨＵは、冷却載置部ＰＣＰＦおよび載置部ＲＰＦＢの右方ＹＲに配置される。

送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆは、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央で、冷却載置部ＰＣＰＦおよび載置部ＲＰＦＢの上方に配置されている。送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。

露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、送りバッファ部ＳＢｆおよび戻りバッファ部ＲＢｆの右方ＹＲに配置されている。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬは、送りバッファ部ＳＢｆおよび戻りバッファ部ＲＢｆの左方ＹＬに配置されている。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。

搬送機構ＴＦＲは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１と露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲと冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆにアクセスする。

搬送機構ＴＦＬは、載置部ＳＰＦ２、ＲＰＦ２と露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬと冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆにアクセスする。

搬送機構ＢＨＵは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２にアクセスする。搬送機構ＢＨＵは、さらに、露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取る。

＜インデクサ部１１とブロックＢＡとの関係＞
図１７−１９を参照する。インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡは基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、載置部ＳＰＡ、ＲＰＡは、インデクサ部１１（搬送スペース１６）に対して開放されており、インデクサ用搬送機構１３は載置部ＳＰＡ、ＲＰＡにアクセス可能である。インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡ１は、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送する。インデクサ用搬送機構１３と主搬送機構ＴＡ２は、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送する。

＜前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの関係＞
主搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、搬送機構ＴＢＲは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒのみならず、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｒ、ＨＰｂＡ１Ｒ、ＨＰｃＡ１Ｒ、ＡＨＰ１Ｒ、ＨＰａＡ２Ｒ、ＨＰｂＡ２Ｒ、ＨＰｃＡ２Ｒ、ＡＨＰ２Ｒにもアクセス可能である。よって、主搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。主搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＢＲは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｒ等に基板Ｗを搬送可能である。

同様に、搬送機構ＴＢＬは、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されている載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌ、ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌのみならず、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されているユニットＨＰａＡ１Ｌ、ＨＰｂＡ１Ｌ、ＨＰｃＡ１Ｌ、ＡＨＰ１Ｌ、ＨＰａＡ２Ｌ、ＨＰｂＡ２Ｌ、ＨＰｃＡ２Ｌ、ＡＨＰ２Ｌにもアクセス可能である。よって、主搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。主搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＢＬは、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｌ等に基板Ｗを搬送可能である。

分割搬送スペースＡＣ１−ＡＣ４と向かい合う載置部ＳＰＢ、ＲＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢは、分割搬送スペースＡＡ１とも向かい合う。このような前部中継ブロックＢＢの下半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢに、主搬送機構ＴＡ１はアクセス可能である。よって、主搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、前部中継ブロックＢＢの下半分の載置部ＳＰＢ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。

分割搬送スペースＡＣ５−ＡＣ８と向かい合う載置部ＳＰＢ、ＲＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢは、分割搬送スペースＡＡ２とも向かい合う。このような前部中継ブロックＢＢの上半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢに、主搬送機構ＴＡ２はアクセス可能である。よって、主搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、前部中継ブロックＢＢの上半分の載置部ＳＰＢ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。

＜インデクサ部１１とブロックＢＡとブロックＢＢの関係＞
インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢは、主搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒ、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送できる。また、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌ、載置部ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送できる。

＜ブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送機構ＴＢと液処理用搬送機構ＴＣとは、基板Ｗを相互に搬送可能である。

具体的には、液処理用搬送機構ＴＣ１は、載置部ＲＰＢ１と冷却載置部ＰＣＰＢ１にアクセス可能である。搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬと液処理用搬送機構ＴＣ１は、載置部ＲＰＢ１または冷却載置部ＰＣＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。同様に、液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、…、ＴＣ８はそれぞれ、同じ高さ位置に配置される載置部ＳＰＢ、ＲＰＢまたは冷却載置部ＰＣＰＢを介して、搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬとの間で、基板Ｗを相互に搬送可能である。

＜ブロックＢＡとブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
主搬送機構ＴＡと液処理用搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。例えば、主搬送機構ＴＡ１と液処理用搬送機構ＴＣ１は、要素ＲＰＢ１、ＰＣＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。

＜ブロックＢＣとブロックＢＤの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤの関係は、前部中継ブロックＢＢと液処理ブロックＢＣとの関係と同じである。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬとの間で、基板Ｗを相互に搬送可能である。

＜ブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。

具体的には、搬送機構ＴＤＲと主搬送機構ＴＥ１は、載置部ＳＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ１Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＲと主搬送機構ＴＥ２とは、載置部ＳＰＥ２Ｒ、ＲＰＥ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。同様に、搬送機構ＴＤＬと主搬送機構ＴＥ１は、載置部ＳＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＬと主搬送機構ＴＥ２とは、載置部ＳＰＥ２Ｌ、ＲＰＥ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＤＲ，ＴＤＬと主搬送機構ＴＥ１とは、後部中継ブロックＢＤの下半分の載置部ＳＰＤ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＲ，ＴＤＬと主搬送機構ＴＥ２とは、後部中継ブロックＢＤの上半分の載置部ＳＰＤ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。

搬送機構ＴＤＲは、搬送スペースＡＥの右方ＹＲに配置されている加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、冷却ユニットＣＰＥおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに基板Ｗを搬送可能である。搬送機構ＴＤＬは、搬送スペースＡＥの左方ＹＬに配置されている加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、冷却ユニットＣＰＥおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに基板Ｗを搬送可能である。

＜ブロックＢＣとブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、液処理ブロックＢＣと前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。すなわち、液処理用搬送機構ＴＣと主搬送機構ＴＥとは、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。

＜後部熱処理ブロックＢＥと露光機ＥＸＰの関係＞
搬送機構ＢＨＵは、露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取る。

＜処理部１７における基板の搬送経路＞
図２７は基板Ｗの往路の搬送経路を模式的に示す図である。図２８は基板Ｗの復路の搬送経路を模式的に示す図である。図２７、２８に示すように、処理部１７内において基板Ｗが移動する経路は、２つ（すなわち、第１経路と第２経路）ある。

第１経路と第２経路に共通して含まれる処理ユニットや載置部は、無い。すなわち、第１経路と第２経路は、完全に分離されている。第１経路上の各要素はそれぞれ、本発明の第１載置部、第１熱処理ユニットおよび第１液処理ユニットのいずれかの例であり、第２経路上の各要素はそれぞれ、本発明の第２載置部、第２熱処理ユニットおよび第２液処理ユニットのいずれかの例である。

第１経路上には、処理ユニットＡＨＰ、ＳＣ１など各種の処理ユニットがそれぞれ複数配置されている。第２経路上にも、同様に、各種の処理ユニットがそれぞれ複数配置されている。

なお、第１経路に沿って基板Ｗを搬送する搬送機構群と、第２経路に沿って基板Ｗを搬送する搬送機構群とは、相互に独立していない。例えば、主搬送機構ＴＡ１は、第１経路上を搬送される第１の基板Ｗ、および、第２経路上を搬送される第２の基板Ｗの両方を搬送する。

＜基板処理装置１の動作例＞
図２７−３０を参照して、実施例２に係る基板処理装置１の動作例を説明する。図２９は、基板に行う処理の手順を示すフローチャートである。図３０は、各搬送機構が繰り返し行う動作例を模式的に示す図である。

＜インデクサ部１１が処理部１７に基板Ｗを供給する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＳＰＡに基板Ｗを搬送する。例えば、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｌ、ＳＰＡ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｌに交互に基板Ｗを搬送する。

＜処理部１７の動作（往路）＞
第１経路に関連する動作と第２経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第１経路に関連する動作を説明し、第２経路に関連する動作の説明は省略する。

搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ／ＳＰＡ２Ｒから疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒに搬送する。疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒは基板Ｗに疎水化処理を行う。搬送機構ＴＢＲは、疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ１に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ１は基板Ｗを冷却する。これらの一連の熱処理が、図２７に示すステップＳ１１に相当する。

液処理用搬送機構ＴＣ１は、冷却載置部ＰＣＰＢ１から液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布する（ステップＳ１２）。液処理用搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から載置部ＲＰＢ１に基板Ｗを搬送する。

搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ１から加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒは、基板Ｗを加熱する。主搬送機構ＴＡ１は、加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒから加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒは、基板Ｗを加熱する。例えば、加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒが加熱する温度は、加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒよりも高い。これによれば、基板Ｗの温度を速やかに高めることができる。搬送機構ＴＢＲは、加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ３に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ３は、基板Ｗを冷却する。これらの一連の熱処理が、図２７に示すステップＳ１３に相当する。

液処理用搬送機構ＴＣ３は、冷却載置部ＰＣＰＢ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ１４）。

液処理用搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から載置部ＳＰＤ３に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＲは、載置部ＳＰＤ３から加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒに搬送する。加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒは基板Ｗを加熱する。搬送機構ＴＤＲは、加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＤ５に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＤ５は、基板Ｗを冷却する。これらの一連の熱処理が、図２７に示すステップＳ１５に相当する。

液処理用搬送機構ＴＣ５は、冷却載置部ＰＣＰＤ５から液処理ユニットＳＣ５に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ５は、基板Ｗに保護膜材料を塗布する（ステップＳ１６）。

液処理用搬送機構ＴＣ５は、液処理ユニットＳＣ５から載置部ＳＰＤ５に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＲは、載置部ＳＰＤ５から加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒ／ＨＰｂＥ２Ｒに搬送する。加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒ／ＨＰｂＥ２Ｒは基板Ｗを加熱する。主搬送機構ＴＥ１は、加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒから冷却ユニットＣＰＥ１Ｒに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＥ２は、加熱ユニットＨＰｂＥ２Ｒから冷却ユニットＣＰＥ２Ｒに基板Ｗを搬送する。冷却ユニットＣＰＥ１Ｒ／ＣＰＥ２Ｒは、基板Ｗを冷却する。これらの一連の熱処理が、図２７に示すステップＳ１７に相当する。

主搬送機構ＴＥ１は、冷却ユニットＣＰＥ１Ｒからエッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＥ２は、冷却ユニットＣＰＥ２Ｒからエッジ露光ユニットＥＥＷ２Ｒに基板Ｗを搬送する。エッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒ／ＥＥＷ２Ｒは、基板Ｗの周縁部を露光する（ステップＳ１８）。

搬送機構ＴＦＲは、エッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒ／ＥＥＷ２Ｒから載置部ＳＰＦ１に基板Ｗを搬送する。

＜インターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰの動作＞
搬送機構ＴＦＲは、露光前洗浄ユニットＢＳＲに基板Ｗを搬送する。露光前洗浄ユニットＢＳＲは、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ１９）。

搬送機構ＴＦＲは、露光前洗浄ユニットＢＳＲから冷却載置部ＰＣＰＦに基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＦは基板Ｗを所定の温度に調整する。

搬送機構ＢＨＵは、冷却載置部ＰＣＰＦから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは、露光処理を基板Ｗに行う（ステップＳ２０）。

搬送機構ＢＨＵは、露光機ＥＸＰから載置部ＲＰＦＢに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＦＲは、載置部ＲＰＦＢから露光後洗浄処理ユニットＳＯＲに基板Ｗを搬送する。露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ２１）。

搬送機構ＴＦＲは、露光後洗浄処理ユニットＳＯＲから露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲに基板Ｗを搬送する。露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、基板Ｗを加熱する（ステップＳ２２）。

搬送機構ＴＦＲは、露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲから載置部ＲＰＥ１に基板Ｗを搬送する。

＜処理部１７の動作（復路）＞
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＲＰＥ１から冷却載置部ＰＣＰＤ７に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＤ７は、基板Ｗを冷却する（ステップＳ２３）。

液処理用搬送機構ＴＣ７は、冷却載置部ＰＣＰＤ７から液処理ユニットＳＣ７に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ７は、基板Ｗを現像する（ステップＳ２４）。

液処理用搬送機構ＴＣ７は、液処理ユニットＳＣ７から載置部ＲＰＢ７に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ７から加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒ／ＨＰｃＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒ／ＨＰｃＡ２Ｒは、基板Ｗを加熱する。主搬送機構ＴＡ１は、加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒから冷却ユニットＣＰＢ４に基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡ２は、加熱ユニットＨＰｃＡ２Ｒから冷却ユニットＣＰＢ５に基板Ｗを搬送する。冷却ユニットＣＰＢ４、ＣＰＢ５は基板Ｗを冷却する。これらの一連の熱処理が、図２７に示すステップＳ２５に相当する。

主搬送機構ＴＡ１は、冷却ユニットＣＰＢ４から載置部ＲＰＡ１Ｒに基板Ｗを搬送する。主搬送機構ＴＡ２は、冷却ユニットＣＰＢ５から載置部ＲＰＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。

＜インデクサ部１１が処理部１７から基板Ｗを回収する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＲＰＡ１Ｒ／ＲＰＡ２ＲからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

＜実施例２の効果＞
上述したとおり、実施例２に係る基板処理装置１によっても、実施例１と同じような効果を奏する。

特に、放出される熱や処理ガスが高温になる加熱ユニットＨＰａ、ＨＰｂ、ＨＰｃや疎水化処理ユニットが、液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。また、加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響も低減できる。

また、実施例２に係る基板処理装置１によれば、基板Ｗに各種の処理を行うことができる。例えば、レジスト膜と反射防止膜と保護膜を基板Ｗに形成できる。

実施例２では、主搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は上下方向Ｚに並ぶ。冷却載置部ＰＣＰＢ１−ＰＢＰＢ４や載置部ＲＰＢ１−ＲＰＢ４はそれぞれ主搬送機構ＴＡ１と向かい合い、載置部ＳＰＢ５−ＳＰＢ８、ＲＰＢ５−ＲＰＢ８はそれぞれ主搬送機構ＴＡ２と向かい合う。このため、主搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲは、基板Ｗを相互に搬送でき、主搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、基板Ｗを相互に好適に搬送できる。

前部中継ブロックＢＢは、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎを備えている。よって、インデクサ部１１から処理部１７への基板Ｗの供給が停止した場合であっても、処理部１７はインバッファ部Ｂｆ−ｉｎに蓄積された基板Ｗに対して処理できる。
前部中継ブロックＢＢは、アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔを備えている。よって、処理部１７からインデクサ部１１への基板Ｗの回収が停止した場合であっても、処理部１７はアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔに基板Ｗを蓄積できる。よって、基板処理装置の生産能力が低下することを抑制できる。

インデクサ部１１がブロックＢＥに接続され、インターフェースブロックＢＦが前部熱処理ブロックＢＡに接続された装置を、基板処理装置１Ｒとすると、この基板処理装置１Ｒは、実施例２に係る基板処理装置１と同等の機能を発揮する。したがって、インデクサ部１１をブロックＢＥに接続することも可能である。これにより、基板処理装置１の組立作業を簡易化できる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例１では、図１４に示すように、液処理ユニットＳＣ１から搬出した基板Ｗであっても、液処理ユニットＳＣ２から搬出した基板Ｗであっても、後部熱処理ブロックＢＥに搬送したが、これに限られない。すなわち、液処理ユニットＳＣ１から搬出した基板Ｗを、前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥの一方に搬送し、液処理ユニットＳＣ２から搬出した基板Ｗを、前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥの他方に搬送してもよい。

図３１を参照する。図３１は、変形実施例において、第１の基板Ｗおよび第２の基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。図示するように、第１の基板Ｗを、液処理ユニットＳＣ１から前部熱処理ブロックＢＡに搬送し、第２の基板Ｗを、液処理ユニットＳＣ２から後部熱処理ブロックＢＥに搬送する。また、第１の基板Ｗを、液処理ユニットＳＣ３から前部熱処理ブロックＢＡに搬送し、第２の基板Ｗを、液処理ユニットＳＣ４から後部熱処理ブロックＢＥに搬送する。このような変形実施例によっても、第１の基板Ｗと第２の基板Ｗに、同じ一連の処理を行うことができる。

（２）上述した実施例１、２において、液処理ブロックＢＣの構成を適宜に変更してもよい。例えば、階層Ｋの数、液処理ユニットＳＣの数、液処理ユニットＳＣの処理内容などを適宜に変更してもよい。

図３２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、変形実施例に係る液処理ブロックの構成を模式的に示す側面図である。

図３２（ａ）に示すように、階層Ｋ１、Ｋ２の液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２を反射防止膜用塗布ユニット（ＢＡＲＣ）とし、階層Ｋ３、Ｋ４の液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４をレジスト膜用塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ）とし、階層Ｋ５−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ５ーＳＣ８を現像ユニット（ＤＥＶ）に変更してもよい。

図３２（ｂ）に示すように、階層Ｋ１−Ｋ４の液処理ユニットＳＣ１ーＳＣ４を反射防止膜およびレジスト膜を塗布する塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ／ＢＡＲＣ）とし、階層Ｋ５−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ５ーＳＣ８を現像ユニット（ＤＥＶ）に変更してもよい。

図３２（ｃ）に示すように、階層Ｋ１−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ１ーＳＣ８を反射防止膜およびレジスト膜を塗布する塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ／ＢＡＲＣ）としてもよい。

（３）上述した実施例１、２において、液処理ユニットＳＣが使用する処理液を適宜に変更してもよい。例えば、処理液は、洗浄液や薬液であってもよい。また、上述した実施例１、２において、基板Ｗに行う一連の処理の手順は、適宜に変更してもよい。

（４）上述した実施例１、２において、ブロックＢＤ、ＢＥを省略してもよい。このような変形実施例によっても、前部熱処理ブロックＢＡに設けられる熱処理ユニットＨＡが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響を低減できる。

（５）上述した実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。

１ … 基板処理装置
１Ｒ … 基板処理装置
１１ … インデクサ部
１２ … キャリア載置部
１３ … インデクサ用搬送機構
ＢＡ … 前部熱処理ブロック
ＢＢ … 前部中継ブロック
ＢＢ … 第１中継ブロック
ＢＣ … 液処理ブロック
ＢＥ … 後部熱処理ブロック
ＢＦ … インターフェースブロック
ＴＡ、ＴＡＲ、ＴＡＬ、ＴＡ１、ＴＡ２ … 前部熱処理ブロックの主搬送機構
ＴＢ、ＴＢＲ、ＴＢＬ … 前部中継ブロックの搬送機構
ＴＣ、ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４ … 液処理用搬送機構
ＴＤ、ＴＤＲ、ＴＤＬ … 後部中継ブロックの搬送機構
ＴＥ、ＴＥＲ、ＴＥＬ、ＴＥ１、ＴＥ２ … 後部熱処理ブロックの主搬送機構
ＴＦＲ、ＴＦＬ、ＢＨＵ … インターフェースブロックの搬送機構
ＡＡ … 前部熱処理ブロックの搬送スペース
ＡＡ１ … 前部熱処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＡ２ … 前部熱処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＢＲ、ＡＢＬ … 前部中継ブロックの搬送スペース
ＡＣ … 液処理ブロックの搬送スペース
ＡＣ１−ＡＣ８ … 液処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＤＲ、ＡＤＬ … 後部中継ブロックの搬送スペース
ＡＥ … 後部熱処理ブロックの搬送スペース
ＡＥ１、ＡＥ２ … 後部熱処理ブロックの分割搬送スペース
ＨＡ、ＨＡＲ、ＨＡＬ … 前部熱処理ブロックの熱処理ユニット
ＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡ … 前部熱処理ブロックの加熱ユニット
ＡＨＰ … 前部熱処理ブロックの密着強化処理ユニット
ＰＡ、ＰＡＲ、ＰＡＬ、ＳＰＡ、ＲＰＡ … 前部熱処理ブロックの載置部
ＰＢ、ＰＢ１−ＰＢ４、ＳＰＢ５ーＳＰＢ８、ＲＰＢ１ーＲＰＢ８ … 前部中継ブロックの載置部
ＰＣＰＢ１−ＰＣＰＢ８ … 前部中継ブロックの冷却載置部
ＣＰＢ１ーＣＰＢ８ … 前部中継ブロックの冷却ユニット
Ｂｆ−ｉｎ … 前部中継ブロックのインバッファ部
Ｂｆ−ｏｕｔ … 前部中継ブロックのアウトバッファ部
ＳＣ、ＳＣ１−ＳＣ８ … 液処理ユニット
Ｋ１ーＫ８ … 階層
ＰＤ、ＰＤ１ーＰＤ４、ＳＰＤ１−ＳＰＤ８、ＲＰＤ１−ＲＰＤ４ … 後部中継ブロックの載置部
ＰＣＰＤ５−ＰＣＰＤ８ … 後部中継ブロックの冷却載置部
ＣＰＤ１−ＣＰＤ８ … 後部中継ブロックの冷却ユニット
ＨＥ、ＨＥＲ、ＨＥＬ … 後部熱処理ブロックの熱処理ユニット
ＨＰａＥ、ＨＰｂＥ … 後部熱処理ブロックの加熱ユニット
ＣＰＥ … 後部熱処理ブロックの冷却ユニット
ＰＥ、ＰＥＲ、ＰＥＬ、ＳＰＥ、ＲＰＥ … 後部熱処理ブロックの載置部
Ｗ … 基板
Ｃ … キャリア
ＥＸＰ … 露光機

Claims (18)

1. 基板処理装置であって、
   前部熱処理ブロックと、
   前部中継ブロックと、
   液処理ブロックと、
   後部中継ブロックと、
   後部熱処理ブロックと、
   を備え、
   前記前部熱処理ブロックは、
   基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
   前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する前部主搬送機構と、
   を備え、
   前記前部中継ブロックは、
   基板を載置する載置部と、
   前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する前部搬送機構と、
   を備え、
   前記液処理ブロックは、
   基板に液処理を行う液処理ユニットと、
   前記液処理ユニットに基板を搬送する液処理用搬送機構と、
   を備え、
   前記後部中継ブロックは、
   基板を載置する載置部と、
   前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する後部搬送機構と、
   を備え、
   前記後部熱処理ブロックは、
   基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
   前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する後部主搬送機構と、
   を備え、
   前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記液処理ブロックと前記後部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記後部中継ブロックと前記後部熱処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記前部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記前部熱処理ブロックとの間に配置され、
   前記後部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記後部熱処理ブロックとの間に配置されている基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   平面視で、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックと前記後部中継ブロックと前記後部熱処理ブロックは、この順番で一列に並ぶ基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記前部熱処理ブロックは、前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、
   前記液処理ブロックは、前記液処理用搬送機構が設置される搬送スペースを有し、
   前記後部熱処理ブロックは、前記後部熱処理ブロックの前記後部主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、
   前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送スペースと前記液処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されており、
   前記後部中継ブロックの前記載置部は、前記液処理ブロックの前記搬送スペースと前記後部熱処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されている基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構は、
   前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１前部主搬送機構と、
   前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２前部主搬送機構と、
   を備え、
   前記前部中継ブロックの前記前部搬送機構は、
   前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第１前部搬送機構と、
   前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第２前部搬送機構と、
   を備え、
   前記液処理ブロックの前記液処理用搬送機構は、
   前記液処理ユニットに基板を搬送する第１液処理用搬送機構と、
   前記液処理ユニットに基板を搬送する第２液処理用搬送機構と、
   を備え、
   前記後部中継ブロックの前記後部搬送機構は、
   前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第１後部搬送機構と、
   前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する第２後部搬送機構と、
   を備え、
   前記後部熱処理ブロックの前記後部主搬送機構は、
   前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１後部主搬送機構と、
   前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２後部主搬送機構と、
   を備え、
   前記前部熱処理ブロックの前記第１前部主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記第１前部搬送機構と前記液処理ブロックの前記第１液処理用搬送機構と前記後部中継ブロックの前記第１後部搬送機構と前記後部熱処理ブロックの前記第１後部主搬送機構は、第１の基板を搬送し、
   前記前部熱処理ブロックの前記第２前部主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記第２前部搬送機構と前記液処理ブロックの前記第２液処理用搬送機構と前記後部中継ブロックの前記第２後部搬送機構と前記後部熱処理ブロックの前記第２後部主搬送機構は、前記第１の基板とは異なる第２の基板を搬送する基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、
   第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、
   第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、
   を備え、
   前記前部中継ブロックの前記載置部は、
   前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、
   前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、
   を備え、
   前記液処理ユニットは、
   第１の基板に液処理を行う、複数の第１液処理ユニットと、
   第２の基板に液処理を行う、複数の第２液処理ユニットと、
   を備え、
   前記後部中継ブロックの前記載置部は、
   前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、
   前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、
   を備え、
   前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、
   第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、
   第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、
   を備える基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記前部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、
   前記前部中継ブロックの複数の前記前部搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、
   複数の前記液処理用搬送機構は、互いに上下方向に並び、
   前記液処理用搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
7. 基板処理装置であって、
   前部熱処理ブロックと、
   前部中継ブロックと、
   液処理ブロックと、
   を備え、
   前記前部熱処理ブロックは、
   基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
   前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する前部主搬送機構と、
   を備え、
   前記前部中継ブロックは、
   基板を載置する載置部と、
   前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する前部搬送機構と、
   を備え、
   前記液処理ブロックは、
   基板に液処理を行う液処理ユニットと、
   前記液処理ユニットに基板を搬送する液処理用搬送機構と、
   を備え、
   前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、接続されて、相互に基板を搬送可能であり、
   前記前部中継ブロックは、前記液処理ブロックと前記前部熱処理ブロックとの間に配置されており、
   前記前部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、
   前記前部中継ブロックの複数の前記前部搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、
   複数の前記液処理用搬送機構は、互いに上下方向に並び、
   前記液処理用搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
8. 請求項６または７に記載の基板処理装置において、
   前記前部熱処理ブロックの複数の前記前部主搬送機構は、上下方向および横方向のいずれかの方向に並び、
   前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
   前記前部中継ブロックの少なくともいずれかの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの１つ以上の前記前部主搬送機構、および、前記液処理ブロックの１つ以上の前記液処理用搬送機構の両方と向かい合う位置に配置される基板処理装置。
10. 請求項８または９に記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、
    前記前部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構の側方において、互いに上下方向に並び、
    前記前部中継ブロックの前記前部搬送機構のそれぞれが前記前部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部熱処理ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックに接続されるインデクサ部に開放されており、
    前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構と前記インデクサ部は、前記前部熱処理ブロックの前記載置部を介して相互に基板を搬送する基板処理装置。
12. 請求項１０または１１に記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックの少なくともいずれかの前記載置部は、前記前部中継ブロックの１つ以上の前記前部搬送機構と向かい合い、かつ、前記前部熱処理ブロックに接続されるインデクサ部に開放されている基板処理装置。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    平面視で、前記前部熱処理ブロックと前記前部中継ブロックと前記液処理ブロックは、この順番で一列に並ぶ基板処理装置。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックは、前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構が設置される搬送スペースを有し、
    前記液処理ブロックは、前記液処理用搬送機構が設置される搬送スペースを有し、
    前記前部中継ブロックの前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送スペースと前記液処理ブロックの前記搬送スペースとの間に配置されている基板処理装置。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックの前記前部主搬送機構は、
    前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第１前部主搬送機構と、
    前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する第２前部主搬送機構と、
    を備え、
    前記前部中継ブロックの前記前部搬送機構は、
    前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する前部第１搬送機構と、
    前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する前部第２搬送機構と、
    を備え、
    前記液処理ブロックの前記液処理用搬送機構は、
    前記液処理ユニットに基板を搬送する第１液処理用搬送機構と、
    前記液処理ユニットに基板を搬送する第２液処理用搬送機構と、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックの前記前部第１主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記前部第１搬送機構と前記液処理ブロックの前記第１液処理用搬送機構は、第１の基板を搬送し、
    前記前部熱処理ブロックの前記第２前部主搬送機構と前記前部中継ブロックの前記第２前部搬送機構と前記液処理ブロックの前記第２液処理用搬送機構は、前記第１の基板とは異なる第２の基板を搬送する基板処理装置。
16. 請求項１から１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットは、
    第１の基板に熱処理を行う、複数の第１熱処理ユニットと、
    前記第１の基板とは異なる第２の基板に熱処理を行う、複数の第２熱処理ユニットと、
    を備え、
    前記前部中継ブロックの前記載置部は、
    前記第１の基板を載置する、１つ以上の第１載置部と、
    前記第２の基板を載置する、１つ以上の第２載置部と、
    を備え
    前記液処理ユニットは、
    前記第１の基板に液処理を行う、複数の第１液処理ユニットと、
    前記第２の基板に液処理を行う、複数の第２液処理ユニットと、
    を備える基板処理装置。
17. 請求項１から１６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記液処理ユニットは、
    基板に塗膜材料を塗布する塗布ユニットと、
    基板に現像液を供給する現像ユニットと、
    を備える基板処理装置。
18. 請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部中継ブロックは、
    前記基板処理装置内においていずれの処理も行われていない基板を蓄積するインバッファ部と、
    前記基板処理装置内において一連の処理が行われた基板を蓄積するアウトバッファ部と、
    を備えている基板処理装置。
    

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