JP7419966B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
半導体デバイスの製造工程のうちの一工程として、フォトリソグラフィが行われている。そのフォトリソグラフィでは、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジストを塗布してレジスト膜を形成すること、及び現像液を供給して露光済みのレジスト膜を現像することが行われる。例えば特許文献１には、そのようなレジスト膜の形成及び現像を行う基板処理装置について記載されている。
特開２０１９－４０７２号公報
本開示は、基板処理装置において、占有床面積を小さくすることができる技術を提供する。
本開示の基板処理装置は、
基板を各々液処理する複数の液処理モジュールが設けられる処理ブロックを含む基板処理装置において、
複数の前記基板が収容される容器が載置される容器載置部と、前記容器に対して前記基板を受け渡す第１の搬送機構と、を備え、前記処理ブロックに対して左右の一方に設けられる基板搬送ブロックと、
前記処理ブロックにて左右に延びる前記基板の搬送路と、
前記搬送路に対する前後の一方にて前記液処理モジュールが縦方向に列をなすように、前記処理ブロックを構成すると共に当該液処理モジュールを各々含む複数の階層と、
前記搬送路に対する前後の他方にて縦方向に複数設けられ、前記液処理モジュールの処理の前または後で前記基板の処理を行う第１の処理モジュールと、
前記搬送路を移動して、前記液処理モジュールと前記第１の処理モジュールとの間で前記基板を搬送する第２の搬送機構と、
前記処理ブロックにて前記搬送路に対して前後の一方且つ前記液処理モジュールの列に対して左右の一方に設けられて、前記第１の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために当該基板が載置される受け渡し部と、
を備える。
本開示によれば、基板処理装置において、占有床面積を小さくすることができる。
本開示の一実施形態である基板処理装置の横断平面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置におけるウエハの搬送経路の一例を示す図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 前記基板処理装置の他の例を模式的に示す縦断側面図である。 本開示の他の実施形態である基板処理装置の横断平面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置に設けられる検査モジュールの一例を示す縦断側面図である。 本開示のさらに他の実施形態である基板処理装置の横断平面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。
（第１の実施形態）
本開示の基板処理装置の第１の実施形態について、図１の横断平面図、図２及び図３の縦断正面図、図４の縦断側面図を参照しながら説明する。基板処理装置１は、例えば半導体製造工場のクリーンルームに設けられ、ウエハＷに液処理として、レジスト液の塗布処理を実施するものである。この基板処理装置１は、キャリアブロックＤ１及び処理ブロックＤ２が、横方向（左右方向）に一列に並ぶと共に、互いに接続されて構成され、これらキャリアブロックＤ１及び処理ブロックＤ２について底部の高さは互いに揃っている。キャリアブロックＤ１は、基板搬送ブロックをなすものである。
以降の説明にあたり、キャリアブロックＤ１を左、処理ブロックＤ２を右に見て、これらブロックＤ１、Ｄ２の配列方向を左右方向とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左に見たときの手前を前方、奥を後方とする。各図中では互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向において、Ｘ方向は前後方向、Ｙ方向は左右方向、Ｚ方向は高さ方向を夫々示している。なお図２及び図３は、基板処理装置１の縦断正面図を示すが、装置の一部について前後に異なる位置の縦断面を示している。
キャリアブロックＤ１は、基板処理装置１の外部に設けられる外部搬送機構（図示省略）により、複数のウエハＷが収容される容器が搬送されると共に、容器と基板処理装置１内との間でウエハＷを受け渡す役割を果たすものである。容器としては、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣが用いられる。キャリアブロックＤ１を構成する筐体１１の右側は、左側に比べて高くなるように上方に突出しており、それによって正面視、段が形成されている。そのように構成された筐体１１の左側、右側を夫々低身部１２、高身部１３とする。
低身部１２は、キャリアＣが載置される容器載置部をなすものであり、その上面には４つのキャリアステージ１４が、前後方向に間隔を空けて設けられている。キャリアＣは、基板処理装置１に対してウエハＷを搬入、搬出するために当該キャリアステージ１４に載置される。筐体１１において高身部１３を形成すると共に左に向かう側壁には、キャリアステージ１４に対応する位置にウエハＷの搬送口１５が開口しており、当該搬送口１５は開閉機構１６により開閉される。
筐体１１内において、高身部１３には、キャリアステージ１４上のキャリアＣと処理ブロックＤ２との間でウエハＷの受け渡しを行う第１の搬送機構１７が設けられている。この第１の搬送機構１７は、前後方向（Ｘ方向）に移動自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ昇降自在に構成された移動体１７１と、当該移動体１７１を進退自在であると共にウエハＷを保持する保持体１７２と、を備えている。
高身部１３内における、第１の搬送機構１７の搬送領域１０の上方側には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１８が設けられている。ガス供給部であるファンフィルタユニット１８は、図示しない吸引路を介して基板処理装置１の周囲の空気を吸引し、フィルタを介して当該空気を清浄化して下方に供給する。それにより、下降気流（ダウンフロー）を形成する。ファンフィルタユニット１８を構成する上記のフィルタは、平面視、キャリアブロックＤ１内の第１の搬送機構１７の移動領域全体に亘って設けられ、当該移動領域全体に下降気流が形成される。例えば筐体１１の底部の図示しない排気口から、当該下降気流を形成した空気は除去される。なお、処理ブロックＤ２の搬送路等の各所でもダウンフローが形成されるが、そのダウンフローを形成する機構の図示は省略する。
続いて、処理ブロックＤ２について説明する。処理ブロックＤ２は方形の筐体２１により構成され、平面視前後方向の中央には、左右に伸びるウエハＷの搬送路２０を備えている。この搬送路２０は、後述する第２の搬送機構によりウエハＷが搬送される領域であり、図１に示すように、処理ブロックＤ２の筐体２１において、左右方向の左端から右端に至るまで伸びるように形成されている。
図１に示すように、処理ブロックＤ２における、搬送路２０の前方には、キャリアブロックＤ１と隣接し、かつ搬送路２０に面する領域が、受け渡し部３の設置領域３０として設定されている。また、処理ブロックＤ２は、ウエハＷの処理液としてレジスト液を供給して（即ち、レジストを塗布して）、レジスト膜を形成する液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール４を備えている。このレジスト塗布モジュール４は、搬送路２０の前方において、前記設置領域３０の右に並んで当該搬送路２０に面するように設置される。
この処理ブロックＤ２は、図３及び図４に示すように、レジスト塗布モジュール４を各々含む複数の階層を積層して構成されている。この例において、処理ブロックＤ２は６個の階層Ｅ１～Ｅ６を備え、各階層Ｅ１～Ｅ６には、各々１つのレジスト塗布モジュール４が設けられている。こうして、処理ブロックＤ２を前方から見ると、レジスト塗布モジュール４は縦方向に列をなすように配置されており、各レジスト塗布モジュール４の左右の位置は揃っている。なお、図１は処理ブロックＤ２の階層Ｅ３を示す横断平面図である。
レジスト塗布モジュール４は、当該モジュールを、搬送路２０及び後述する受け渡し部３に対して区画する区画壁４１を備え、この区画壁４１には、搬送路２０に面して、ウエハＷの搬送口（図示省略）が形成されている。レジスト塗布モジュール４は、図１、図３及び図４に模式的に示すように、ウエハＷを囲んで処理するためのカップ４２を１つのみ備えており、カップ４２内にはウエハＷの裏面を吸着保持して回転させるスピンチャック４３が設けられる。また、レジスト塗布モジュール４は、ウエハＷの表面にレジスト液を吐出するノズル４４を備えている。このノズル４４はノズル移動機構４５により、カップ４２内のウエハＷ上と、図１に示すカップ４２の外の待機領域との間を移動自在に構成される。
さらに、図１に示すように、処理ブロックＤ２における搬送路２０の後方には、当該搬送路２０に面するように、第１の処理モジュールである熱処理モジュール５１が左右に複数例えば３個並ぶように設けられている。熱処理モジュール５１は、各階層Ｅ１～Ｅ６に配置されており、処理ブロックＤ２を後方から見ると、熱処理モジュール５１が縦方向に列をなすように配置されている。従って、処理ブロックＤ２において熱処理モジュール５１は左右に３列に設けられている。そして、その３列のうち、同じ列を構成する熱処理モジュール５１の左右の位置は揃っている。
この例の熱処理モジュール５１は、レジスト膜形成後のウエハＷの加熱処理（ＰＡＢ：Pre applied bake）を行うモジュールである。この熱処理モジュール５１では、レジスト膜が形成されたウエハＷを加熱してレジスト膜中の溶剤を除去する処理が実施される。例えば熱処理モジュール５１は、図１に模式的に示すように、ウエハＷを加熱するための熱板５２と、ウエハＷの温度調整を行う冷却プレート５３と、を備えている。熱板５２と冷却プレート５３とは、冷却プレート５３が搬送路２０に面するように、前後に並べて配置される。冷却プレート５３は、搬送路２０に設けられた後述する第２の搬送機構と熱板５２との間でウエハＷを搬送するように構成されている。
処理ブロックＤ２には、搬送路２０を移動して、レジスト塗布モジュール４と熱処理モジュール５１との間でウエハＷを搬送する第２の搬送機構６が設けられている。この例の第２の搬送機構６は下側搬送機構６１と上側搬送機構６２と、を備え、下側搬送機構６１は、下側の階層のレジスト塗布モジュール４及び熱処理モジュール５１に対してウエハＷを搬送するように構成される。また、上側搬送機構６２は、上側の階層のレジスト塗布モジュール４及び熱処理モジュール５１に対してウエハＷを搬送するように構成される。下側の階層及び上側の階層は、各々複数の階層により構成され、この例では、下側の階層は３つの階層Ｅ１～Ｅ３、上側の階層は３つの階層Ｅ４～Ｅ６により夫々構成される。
これら下側搬送機構６１及び上側搬送機構６２（第２の搬送機構６）は、図１及び図４に示すように、ウエハＷを各々保持する２つの保持体６３と、各保持体６３を独立して進退させる移動体６４と、を備えている。そして、移動体６４は回動部６５により鉛直軸回りに回動されると共に、回動部６５は昇降部６６により昇降され、かつ昇降部６６は移動機構６７により左右方向（Ｙ方向）に移動可能に構成されている。例えば保持体６３、移動体６４、回動部６５及び昇降部６６は、搬送路２０に設けられ、移動機構６７は、熱処理モジュール５１の下方に配設される。なお、既述したキャリアブロックＤ１の第１の搬送機構１７については移動機構６７による移動方向が異なることを除いて、下側搬送機構６１及び上側搬送機構６２と同様に構成されている。
受け渡し部３は、第１の搬送機構１７と第２の搬送機構６（下側搬送機構６１及び上側搬送機構６２）との間でウエハＷを受け渡すために、ウエハＷを載置するものである。この例の受け渡し部３は、平面視、レジスト塗布モジュール４の左に、レジスト塗布モジュール４と並んで設けられる。より詳しくは、レジスト塗布モジュール４のカップ４２に対して並んでいる。また、最も左方側(左右の一方側)に設けられた熱処理モジュール５１の左右方向の左端部を含む左領域(左右の一方側の部位)と、当該受け渡し部３における左右方向の右端部を含む右領域(左右の他方側の部位)とについて、左右の位置が同じであるように配置される。つまり、前記熱処理モジュール５１の左領域（図１中に鎖線の枠で囲み、ａ１として表示している）と、受け渡し部３の右領域（図１中に鎖線の枠で囲み、ｂ１として表示している）とが左右の同じ位置に位置する。ここでの左右の位置が同じであるとは、高さが揃っているものとした場合に、互いに対向する位置関係にあることをいう。なお、この例では、受け渡し部３及び熱処理モジュール５１が同じ階層に位置することにより、実際に左領域ａ１と右領域ｂ１とが搬送路２０を介して対向している。図１中の搬送路２０における点線は、当該左領域ａ１、右領域ｂ１の互いの左右の位置関係が明確になるように、これらの領域ａ１、ｂ１を接続するように引いた仮想線である。
このように、受け渡し部３はキャリアブロックＤ１に隣接するように設けられると共に、熱処理モジュール５１は、その左端が、搬送路２０を介して対向する受け渡し部３の右端よりもキャリアブロックＤ１に寄った位置に配置されている。
なお、モジュールとはウエハＷが載置される場所である。従って、熱処理モジュール５１に搬送されたウエハＷの左側の部位と、受け渡し部３をなすモジュールに搬送されたウエハＷの右側の部位とについて、前後に見たときに左右の位置が同じであるとする。そのような場合、熱処理モジュール５１の左右の一方側（この例では左側）の部位と、受け渡し部３の左右の他方側（この例では右側）の部位とについて、左右の位置が同じである。なお、左右の一方側の部位、他方側の部位とは、モジュールまたはウエハＷを左右に分割するとした場合の半分の部位であることに限られない。前記一方側の部位、他方側の部位には、左領域ａ１のように前記半分の部位よりも左右方向の長さが大きい部位や、右領域ｂ１のように前記半分の部位よりも左右方向の長さが小さい部位も含まれる。これら一方側の部位、他方側の部位について、上記したように高さが揃ったときに互いに対向する場合には、これらの部位の左右位置が同じものとする。
この例では、受け渡し部３として、ウエハＷが載置される載置モジュール（ＴＲＳ）３１と、温度調整モジュール（ＳＣＰＬ）３２と、を備え、これら多数の載置モジュール３１と多数の温度調整モジュール３２とが多段に積層されている。例えば一つの載置モジュール３１は、複数のウエハＷを縦方向に並べて載置するように、縦方向に並ぶ複数の載置部を備えている。また、温度調整モジュール３２は、レジスト塗布モジュール４及び熱処理モジュール５１による処理の前に、ウエハＷの温度を調整する温度調整機能を有するものである。
例えば温度調整モジュール３２は、ウエハＷを載置する載置部と、当該載置部における冷媒の流路と、を備え、当該載置部に載置されたウエハＷの温度が所望の温度に調整されるように構成される。ここでは、受け渡し部３に設けられる載置モジュール３１及び温度調整モジュール３２を区別するために、ＴＲＳ、ＳＣＰＬの後に夫々数字を付して示す。また、以降載置モジュールを「ＴＲＳ」、温度調整モジュールを「ＳＣＰＬ」と記載する場合もある。
このような受け渡し部３は、例えば設置領域３０において、下側搬送機構６１によりウエハＷが搬送される階層のうち、最も上側の階層である階層Ｅ３の高さ位置と、上側搬送機構６２によりウエハＷが搬送される階層のうち、最も下側の階層である階層Ｅ４の高さ位置と、に設けられる。
受け渡し部３の階層Ｅ３の高さ位置にある各モジュールに対しては、第１の搬送機構１７及び下側搬送機構６１によりウエハＷが搬送される。また、受け渡し部３の階層Ｅ４の高さ位置にある各モジュールに対しては、第１の搬送機構１７及び上側搬送機構６２によりウエハＷが搬送される。従って、キャリアブロックＤ１の第１の搬送機構１７、処理ブロックＤ２の下側搬送機構６１及び上側搬送機構６２は、受け渡し部３の対応するモジュールに対してウエハＷを搬送できるように、夫々移動領域が設定されている。
図２、図３及び図５に、受け渡し部３の構成例を示す。この例では、ＴＲＳ１、ＴＲＳ４がキャリアブロックＤ１から処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬入用、ＴＲＳ２、ＴＲＳ３が処理ブロックＤ２からキャリアブロックＤ１へのウエハＷの搬出用の載置モジュール３１である。なお、実際には、受け渡し部３には、上記構成例よりも多くの載置モジュール３１及び温度調整モジュール３２が搭載されている。
この例において、設置領域３０における受け渡し部３の下方には、図１～図３に示すように貯留領域２２が設けられる。貯留領域２２には、各レジスト塗布モジュール４にてウエハＷに供給されるレジスト液を貯留するボトルが配置され、当該ボトル内のレジスト液が図示しない供給系を介して、各レジスト塗布モジュール４のノズル４４に供給される。なお、受け渡し部３の上方は、各種の電装設備（電気機器）が設けられる機器設置領域２３として構成される。こうして、受け渡し部３と貯留領域２２と機器設置領域２３とは、平面視重なるように構成されている。
また、搬送路２０の前方のレジスト塗布モジュール４の右の領域は、このレジスト塗布モジュール４の付帯設備が設置される付帯設備設置領域４６として構成されている。この付帯設備には、当該モジュールに電力を供給するケーブル、モジュールを構成するカップ４２内を排気するための排気用ダクト、モジュールから排液するための排液管、モジュールに処理液を供給するための供給管などが含まれる。カップ４２は排気用ダクトを介して、工場の排気路などの排気源に接続され、当該カップ４２の内部が排気される。また、カップ４２には付帯設備である排液管が接続される。
さらに、搬送路２０の後方の熱処理モジュール５１の左右の領域は、熱処理モジュール５１の付帯設備設置領域５４、５５として夫々構成されている。この付帯設備には、当該モジュールに電力を供給するケーブル、モジュール内を排気する排気用ダクトなどが含まれる。なお、熱処理モジュール５１とキャリアブロックＤ１との間に付帯設備設置領域５４が介在することで、最も左側の熱処理モジュール５１と受け渡し部３とについて、上記したように各々の一部同士が対向した位置関係となっている。
階層Ｅ１、Ｅ２は、受け渡し部３の設置領域３０が貯留領域２２として設けられること以外は、階層Ｅ３と同様に構成されている。階層Ｅ１、Ｅ２に設けられた各モジュールに対しては、既述のように、下側搬送機構６１によりウエハＷが搬送される。階層Ｅ４は階層Ｅ３と同様に構成され、階層Ｅ４に設けられた各モジュールに対しては、既述のように、上側搬送機構６２によりウエハＷが搬送される。階層Ｅ５、Ｅ６は、受け渡し部３の設置領域３０が機器設置領域２３として設けられること以外は、階層Ｅ３と同様に構成されている。階層Ｅ５、Ｅ６に設けられた各モジュールに対しては、既述のように、上側搬送機構６２によりウエハＷが搬送される。なお、モジュールはウエハＷが載置される場所として構成されるものであり、受け渡し部３の各ＴＲＳ、ＳＣＰＬ、レジスト塗布モジュール４、熱処理モジュール５１を含んでいる。
基板処理装置１は、制御部１００を備えている（図１参照）。この制御部１００はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、基板処理装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１００は基板処理装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送及びウエハＷの処理が実施される。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１００にインストールされる。
続いて、図５を参照して、基板処理装置１におけるウエハＷの搬送経路の一例について説明する。図５では、載置モジュール３１を「ＴＲＳ」、温度調整モジュール３２を「ＳＣＰＬ」、レジスト塗布モジュール４を「ＣＯＴ」、熱処理モジュール５１を「ＰＡＢ」としている。
キャリアブロックＤ１のキャリアＣ内のウエハＷは、第１の搬送機構１７によって処理ブロックＤ２の受け渡し部３のＴＲＳ１、又はＴＲＳ４に受け渡される。ＴＲＳ１に搬送されたウエハＷ（以下、「ウエハＷ１」と称する）は、下側の階層Ｅ１～Ｅ３にて処理されるウエハである。また、ＴＲＳ４に搬送されたウエハＷ（以下、「ウエハＷ２」と称する）は、上側の階層Ｅ４～Ｅ６にて処理されるウエハである。
ＴＲＳ１のウエハＷ１は、下側搬送機構６１により受け渡し部３のＳＣＰＬ１に搬送され、設定された温度に調整される。次いで、ウエハＷ１は、下側搬送機構６１にて、階層Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のいずれかのレジスト塗布モジュール４に搬送され、レジスト液の液処理が実施される。このレジスト液の液処理は、ウエハＷ１が載置されたスピンチャック４３を回転させながら、スピンチャック４３上のウエハＷ１の回転中心に対してノズル４４からレジスト液を供給することにより行われる。ウエハＷ１のほぼ中心に供給されたレジスト液は、回転の遠心力により外方に向けて広がっていき、ウエハＷ１全面に塗布される。
次いで、ウエハＷ１は下側搬送機構６１により、当該下側搬送機構６１が搬送可能な階層の熱処理モジュール、例えばレジスト液の塗布を実施したレジスト塗布モジュール４と同じ階層の熱処理モジュール５１に搬送される。ここで、ウエハＷ１は、下側搬送機構６１により、冷却プレート５３を介して熱板５２に受け渡され、熱板５２によりレジスト液中の溶剤が揮発する温度以上の温度に加熱される。この熱処理により、ウエハＷ１に形成されたレジスト膜中の溶剤が揮発除去された後、ウエハＷ１は熱板５２から冷却プレート５３に受け取られ、冷却プレート５３により温度調整される。続いて、ウエハＷ１は、下側搬送機構６１に受け渡され、受け渡し部３のＴＲＳ２に搬送される。ＴＲＳ２上のウエハＷ１は、第１の搬送機構１７によりキャリアブロックＤ１の元のキャリアＣに戻される。
一方、ＴＲＳ４のウエハＷ２は、上側搬送機構６２→ＳＣＰＬ４→上側搬送機構６２→階層Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６のいずれかのレジスト塗布モジュール４の経路で搬送され、レジスト液の液処理が実施される。次いで、ウエハＷ２は、上側搬送機構６２→熱処理モジュール５１→上側搬送機構６２→ＴＲＳ３→第１の搬送機構１７→キャリアＣの経路で搬送される。この経路で搬送される熱処理モジュール５１としては、上側搬送機構６２が搬送可能な階層の熱処理モジュール５１、例えばレジスト液の塗布を実施したレジスト塗布モジュール４と同じ階層の熱処理モジュール５１である。
この基板処理装置１によれば、キャリアブロックＤ１の第１の搬送機構１７と処理ブロックＤ２の第２の搬送機構６との間でウエハＷの受け渡しに用いられる受け渡し部３がレジスト塗布モジュール４の並びに設けられている。仮に受け渡し部３を、搬送路２０のキャリアブロックＤ１寄りの位置に設けたとする場合に比べて、この基板処理装置１では搬送路２０に受け渡し部が無い分、第２の搬送機構６の移動範囲を、キャリアブロックＤ１寄りに広く確保することができる。従って、十分なスループットを確保するために熱処理モジュール５１を複数左右に並べて設けるにあたり、その左右に並ぶ熱処理モジュール５１をキャリアブロックＤ１側に寄せて設けることができる。それにより、処理ブロックＤ２の左右方向（Ｙ方向）の長さを小さくできるため、基板処理装置１の占有床面積を縮小することができる。
そして、上記のように左右に並ぶ熱処理モジュール５１をキャリアブロックＤ１に寄せて配置するにあたり、最もキャリアブロックＤ１寄りの熱処理モジュール５１とキャリアブロックＤ１との間には付帯設備設置領域５４のみを設けるようにしている。つまり、当該熱処理モジュール５１とキャリアブロックＤ１との間には搬送機構や熱処理モジュール５１以外のモジュールが設けられず、熱処理モジュール５１の稼働に必要な付帯設備のみが設けられるようにしている。それにより、上記したように平面視、キャリアブロックＤ１に近い熱処理モジュール５１の左領域と、受け渡し部３の右領域とが搬送路２０を介して対向した配置とされている。見方を変えれば、このようにキャリアブロックＤ１に近い熱処理モジュール５１の左領域と、受け渡し部３の右領域とが対向する配置とすることによって、熱処理モジュール５１の左右の並びがキャリアブロックＤ１に近接する。それにより、処理ブロックＤ２の左右の長さが小さくなるように装置が構成されている。
また、ボトルの貯留領域２２については、ボトルとモジュールのノズル４４とを接続する配管を短くするためにレジスト塗布モジュール４に近い装置の前方側に設けることが好ましい。基板処理装置１では、そのように前方側に設けられる設定領域３０の上方の空間を利用し、受け渡し部３に対してボトルの貯留領域２２が重なるように設けられる。それによって、受け渡し部３及び貯留領域２２が占有する床面積の増加が抑制され、装置の専有床面積の縮小化がより確実になされるようにしている。なお、貯留領域２２としては、その一部がキャリアブロックＤ１の底部に及んでいてもよい。
本開示の基板処理装置１のように占有床面積を縮小できる構成は、クリーンルームにより多くの半導体製造装置（基板処理装置１やそれ以外の装置）が設置可能となるため、半導体工場において生産性向上に寄与することができる。また、クリーンルーム内にてキャリアＣを搬送する外部搬送機構は所定の移動経路を移動するが、占有床面積が小さい当該基板処理装置１は、その移動経路上で装置の設置スペースが小さくても、設置が可能であるという利点が有る。
以上において、処理ブロックＤ２に設けられる第２の搬送機構は、上述の例に限らず、図６～図９に示すように構成してもよい。これら図６～図９の構成においても、第２の搬送機構は処理ブロック２の搬送路２０に設けられ、受け渡し部３は、処理ブロックＤ２内において、搬送路２０の前方であって、レジスト塗布モジュール４の左に隣接する領域に設けられる。図６に示す例は、６層の階層Ｅ１～Ｅ６に対して１台の第２の搬送機構７１にてウエハＷの搬送を行う構成である。この例の第２の搬送機構７１は、下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成され、各階層Ｅ１～Ｅ６の各モジュール４、５１、受け渡し部３の各モジュール３１、３２にウエハＷを搬送するように移動領域が設定される。
また、図７は、２台の第２の搬送機構を備え、一方の搬送機構（下側搬送機構）７２１にて２層の階層Ｅ１、Ｅ２に対して、他方の搬送機構（上側搬送機構）７２２にて４層の階層Ｅ３～Ｅ６に対してウエハＷの搬送を行う構成例である。下側搬送機構７２１及び上側搬送機構７２２は、既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成されて、搬送路２０に上下に２段に設けられる。また、受け渡し部３３は、下側搬送機構７２１によりウエハＷが搬送される階層のうち最も上層の階層Ｅ２の高さと、上側搬送機構７２２によりウエハＷが搬送される階層のうち最も下層の階層Ｅ３の高さに配設される。この例では、下側搬送機構７２１は、２つの階層Ｅ１、Ｅ２の各モジュール、及び対応する高さ位置の受け渡し部３の各モジュール３１、３２にウエハＷを搬送するように移動領域が設定される。また、上側搬送機構７２２は、４つの階層Ｅ３～Ｅ６の各モジュール、及び対応する高さ位置の受け渡し部３の各モジュール３１、３２にウエハＷを搬送するように移動領域が設定される。
さらに、図８に示す例は、２層の階層毎に第２の搬送機構を備える構成である。第２の搬送機構は、既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成され、搬送路２０において上下に３段に設けられる。この例では、下方の搬送機構７３１にて、階層Ｅ１、Ｅ２の各モジュール、中央の搬送機構７３２にて、階層Ｅ３、Ｅ４の各モジュール、上方の搬送機構７３３にて、階層Ｅ５、Ｅ６の各モジュールに夫々ウエハＷを搬送するように夫々の移動領域が設定される。また、受け渡し部３は、例えば上下に分かれて設けられ、第１の受け渡し部３４１は、搬送機構７３１、７３２がウエハＷを搬送できる高さ位置に設けられる。また、第２の受け渡し部３４２は、搬送機構７３２、７３３がウエハＷを搬送できる高さ位置に設けられる。
さらに、図９に示す例は、各階層Ｅ１～Ｅ６毎に専用の第２の搬送機構を備える構成である。この例では、第２の搬送機構７４１～７４６は、各階層Ｅ１～Ｅ６の搬送路２０に夫々設けられ、上下に隣接する階層間に亘って移動しないこと以外は、既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成される。また、受け渡し部３５１～３５６は、各階層Ｅ１～Ｅ６に対応する位置において、夫々の第２の搬送機構７４１～７４６がウエハＷを搬送できる高さ位置に夫々設けられる。
以上に例示したように、第２の搬送機構については、処理ブロックＤ２に設けられる各階層において共通化されていてもよいし、共通化されていなくてもよい。各階層において第２の搬送機構が共通化されない場合（即ち、第２の搬送機構を複数設ける場合）、１つの第２の搬送機構が搬送を受け持つ階層の数に制限は無く、当該階層の数は１つであってもよいし、複数であってもよい。そして、各第２の搬送機構が搬送を受け持つ階層の数が同じであってもよいし、異なっていてもよい。第２の搬送機構の数が少なければ、装置の製造コストを低減させることができるため好ましい。ただし、基板処理装置１の構成のように第２の搬送機構６を複数設けることで、第２の搬送機構６の搬送の負荷が抑えられるため、高いスループットを得る観点から好ましい。また、基板処理装置１のように、各第２の搬送機構６が同じ数の階層の搬送を受け持つようにすることで、第２の搬送機構６間で搬送の負荷が偏ることが防止され、高いスループットを得ることができるので好ましい。
これら図６～図９の構成例において、貯留領域２２及び機器設置領域２３については、受け渡し部に干渉しないように設ければよく、受け渡し部の上下のスペースを利用して設けることができる。例えば、上下に並ぶ受け渡し部と受け渡し部とがなすスペース、装置の床と受け渡し部とがなすスペース、装置の天井と受け渡し部とがなすスペースを利用し、貯留領域２２、機器設置領域２３について各々複数に分割して設けてもよい。なお、上記の基板処理装置１については処理ブロックＤ２の高さ中央部に受け渡し部３を配置し、下側搬送機構６１、上側搬送機構６２が各々当該受け渡し部にアクセスする構成とすることで、受け渡し部３の下側のスペース、上側のスペースが有効に利用可能であるため有利である。具体的に詳しく述べると、当該下側のスペースにて上記のようにボトルの貯留領域２２を一まとめに設定することができる。つまり当該下側のスペースに処理液が各々貯留された複数のボトルを集約して置けることになり、装置のユーザーが当該各ボトルの交換等の作業を行うにあたり、ボトルが低い位置に有るためにその作業が容易である。また、受け渡し部３の上側に比較的広いスペースが確保されることになり、電装設備の大きさが制限されることが防止される。
また、処理ブロックＤ２を構成する階層の積層数は、上述の例に限らず、図１０～図１２に示すように構成してもよい。これら図１０～図１２の構成においても、第２の搬送機構は処理ブロックＤ２の搬送路２０に設けられ、受け渡し部３は、処理ブロックＤ２内において、搬送路２０の前方であって、レジスト塗布モジュール４の左に隣接する位置に設けられる。図１０に示す例は、階層を５層として、３層の階層Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に対して下側搬送機構７５１にて、２層の階層Ｅ４、Ｅ５に対して上側搬送機構７５２にて、夫々ウエハＷの搬送を行う構成例である。搬送機構７５１、７５２は既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成され、例えば受け渡し部３６は、搬送機構７５１、７５２が夫々ウエハＷを搬送できる高さ位置に設けられる。
図１１に示す例は、階層を４層として、２層の階層Ｅ１、Ｅ２に対して下側搬送機構７６１にて、２層の階層Ｅ３、Ｅ４に対して上側搬送機構７６２にて、夫々ウエハＷの搬送を行う構成例である。搬送機構７６１、７６２は既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成され、例えば受け渡し部３７は、搬送機構７６１、７６２が夫々ウエハＷを搬送できる高さ位置に設けられる。
図１２に示す例は、階層を３層として、３層の階層Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に対して共通の第２の搬送機構７７にて、ウエハＷの搬送を行う構成例である。搬送機構７７は既述の下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成され、例えば受け渡し部３８は、階層Ｅ２に対応する高さ位置に設けられる。これら図１０～図１２の構成例においても、受け渡し部３の下方や上方の領域を、貯留領域２２や機器設置領域２３の設置スペースとして利用することができる。
（第２の実施形態）
続いて、本開示の第２の実施形態の基板処理装置１Ａについて、図１３の横断平面図、図１４の縦断正面図を参照しながら説明する。この基板処理装置１Ａが第１の実施形態と異なる点は、第２の処理モジュールと、受け渡し部３と第２の処理モジュールとの間でウエハＷを受け渡す第３の搬送機構と、を備えることである。第２の処理モジュールは、ウエハＷに第１の処理モジュール（熱処理モジュール５１）による処理とは異なる処理を行うモジュールである。
この例では、第２の処理モジュールが、レジスト塗布モジュール４による処理前、及び熱処理モジュール５１による処理後のウエハＷを検査するための検査モジュール８である場合について説明する。レジスト塗布モジュール４による処理前のウエハＷを検査するための検査モジュールを処理前検査モジュール８１（ＷＩＳ１）とする。また、熱処理モジュール５１による処理後の検査を行う検査モジュールを処理後検査モジュール８２（ＷＩＳ２）とする。
この例では、これら処理前検査モジュール８１及び処理後検査モジュール８２は、キャリアブロックＤ１における、第１の搬送機構１７の搬送領域１０の上方、例えばファンフィルタユニット１８の上方位置に上下に積層して配設されている。また、これら検査モジュール８１、８２は、平面視、前記搬送領域１０に重なり、かつ処理ブロックＤ２の受け渡し部３と隣接する位置に設けられている。検査モジュール８は、後述するように平面視長方形状の縦長の筐体８３を備えており、この筐体８３の長辺方向が、前記搬送領域１０の第１の搬送機構１７の移動方向（Ｘ方向）に揃うように配置される。図１３においては、図示の便宜上、キャリアブロックＤ１は処理前検査モジュール８１の上方位置の横断平面図、処理ブロックＤ２は階層Ｅ３の横断平面図を夫々示している。
さらに、第３の搬送機構９は、処理ブロックＤ２において、検査モジュール８にウエハＷを搬送できるように設けられ、例えば平面視、検査モジュール８に隣接して、受け渡し部３の前方に設置される。この第３の搬送機構９は、水平移動を行わないこと以外は、第１の実施形態における下側及び上側搬送機構６１、６２と同様に構成される。
この例では、受け渡し部３には、図２及び図３に示すＴＲＳ１～４、ＳＣＰＬ１～４が設けられると共に、検査モジュール８に搬送するウエハＷを載置する載置モジュールＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２がさらに設けられる。ＴＲＳ１１は、検査前のウエハＷを載置する載置モジュール（検査用の載置モジュール）であり、ＴＲＳ１２は、検査後のウエハＷを載置するモジュールである。これらＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２は、下側搬送機構６１及び上側搬送機構６２がアクセスできる高さ位置に夫々複数設けられる。第３の搬送機構９は、受け渡し部３のＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２と、検査モジュール８１、８２との間でウエハＷを搬送するように構成される。この例の基板処理装置１Ａは、処理前及び処理後検査モジュール８１、８２及び第３の搬送機構９が設けられること以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。
検査モジュール８（処理前及び処理後検査モジュール８１、８２）について、図１５を参照して説明する。検査モジュール８は、平面視長方形状の扁平な筐体８３を備え、筐体８３の処理ブロックＤ２に面する側壁には、第３の搬送機構９に対応する位置にウエハＷの搬送口８３１が形成されている。筐体８３内には、ウエハＷを水平に保持する載置部８４が設けられ、この載置部８４は、筐体８３内にて図１５中実線にて示す待機位置と、一点鎖線にて示す移動完了位置との間で、移動機構８４１により移動自在に構成される。待機位置は、第３の搬送機構９との間でウエハＷの受け渡しを行う位置である。
筐体８３内において、載置部８４によるウエハＷの移動路の上方には、筐体８３内の短辺方向に伸びる横長のハーフミラー８５と、このハーフミラー８５を介して下方に光を照射する照明８６と、が設けられている。図１５中符号８７は、カメラを示す。照明８６からハーフミラー８５の下方の照射領域に光を照射し、この照射領域における物体の反射光をハーフミラー８５で反射して、カメラ８７に取り込む。こうして、カメラ８７により、ハーフミラー８５の下方の撮像領域に位置する物体を撮像するように構成される。
検査モジュール８では、待機位置にてウエハＷが受け渡された載置部８４が移動完了位置へ向けて移動する間に、カメラ８７が間欠的に撮像を行うことで、ウエハＷの表面全体が撮像されて、画像データが取得される。この画像データはカメラ８７から制御部１００に送信され、制御部１００により画像データに基づいて、ウエハＷの表面の検査が行われる。なお、移動完了位置へ移動した載置部８４は、第３の搬送機構９にウエハＷを受け渡すために待機位置へ移動する。
この実施形態におけるウエハＷの搬送経路の一例について説明する。キャリアブロックＤ１のキャリアＣ内のウエハＷは、第１の搬送機構１７→受け渡し部３のＴＲＳ１１→第３の搬送機構９→処理前検査モジュール８１に搬送され、既述のように、ウエハＷの表面の検査が行われる。処理前検査モジュール８１における表面の検査とは、例えばウエハＷの傷の有無の検査である。
次いで、検査後のウエハＷは、第３の搬送機構９→受け渡し部３のＴＲＳ１２→第２の搬送機構６（６１、６２）→受け渡し部３のＳＣＰＬ→第２の搬送機構６→レジスト塗布モジュール４→第２の搬送機構６→熱処理モジュール５１→第２の搬送機構６→受け渡し部３のＳＣＰＬの経路で搬送される。この後、ウエハＷは、第２の搬送機構６→受け渡し部３のＴＲＳ１１→第３の搬送機構９→処理後検査モジュール８２の経路で搬送され、既述のように、ウエハＷの表面の検査が行われる。処理後検査モジュール８２における表面の検査とは、例えばウエハに形成されたレジスト膜の欠陥の検査である。そして、検査後のウエハＷは、第３の搬送機構９→受け渡し部３のＴＲＳ１２→キャリアブロックＤ１の第１の搬送機構１７の経路で搬送されて、例えば元のキャリアに戻される。
この実施形態では、基板処理装置１Ａに、検査モジュール８を、キャリアブロックＤ１の第１の搬送機構１７によるウエハＷの搬送領域１０と平面視重なるように、搬送領域１０の上方に設けている。つまり、平面視長方形状の検査モジュール８の長辺方向と搬送領域１０における第１の搬送機構１７の移動方向とが揃うように設けている。このため、縦長の検査モジュール８を設置するにあたり、基板処理装置１Ａの左右方向の増長を抑え、占有床面積の増大を抑制することができる。また、受け渡し部３と検査モジュール８との間でウエハＷを受け渡す第３の搬送機構９を備えているので、検査モジュール８へのウエハＷの搬送は、第１の搬送機構１７や第２の搬送機構６によるウエハＷの搬送とは独立して行うことができる。このため、検査モジュール８を設置する場合であっても、第２の搬送機構の搬送負荷の増大を抑え、搬送スループットの低下を抑制することができる。
さらに、この例では、検査モジュール８はファンフィルタユニット１８の上方に設けられ、熱処理モジュール５１と離隔されている。従って、カメラ８７等の光学的部材を備えた検査モジュール８に対して、熱処理モジュール５１からの熱影響を抑えることができ、精度の高い検査を安定して実施することができる。さらにまた、検査モジュール８をキャリアブロックＤ１に設けているので、基板処理装置１Ａに搬入された直後のウエハＷ、及び基板処理装置１Ａから搬出される直前のウエハＷに対して検査を実施することができる。このため、基板処理装置１Ａへの搬入前にウエハＷに異常が起きている場合には、基板処理装置１Ａの外部で発生した異常であることを精度高く特定することができる。また、基板処理装置１Ａ内の処理及び搬送で異常が発生した場合には、当該異常を確実に検出することができる。
さらにキャリアブロックＤ１の上方に検査モジュール８を設けることにより、キャリアブロックＤ１の空いているスペースを有効利用できる。また、キャリアブロックＤ１の上方には他のモジュールが設置されていないことから、作業者によるメンテナンス作業を容易に実施することができるという利点もある。
（第３の実施形態）
続いて、本開示の基板処理装置の第３の実施形態について、図１６の横断平面図、図１７の縦断正面図を参照しながら説明する。この基板処理装置１Ｂは、検査モジュール８を、基板処理装置１Ｂが設けられる床から浮いて、基板処理装置１Ｂの前方に突出する突出部１９を形成するように、レジスト塗布モジュール４よりも前方側に設ける構成例である。この例では、処理前検査モジュール８１及び処理後検査モジュール８２は、処理ブロックＤ２における、受け渡し部３の上端部付近の高さでファンフィルタユニット１８の下方近傍の高さに上下に積層して配設されている。これら検査モジュール８１、８２の配設位置は、平面視、処理ブロックＤ２の受け渡し部３の設置領域３０の近傍にて、基板処理装置１Ｂの正面壁の前方である。こうして、基板処理装置１Ｂの前方の上方には、キャリアブロック１Ａと処理ブロック１Ｂとに跨るように突出部１９が形成されることになる。なお、図１６は、図示の便宜上、処理ブロックＤ２は階層Ｅ３の横断平面図であり、突出部１９のみ検査モジュール８１、８２の上方位置の横断平面図である。
第３の搬送機構９は、処理ブロックＤ２において、検査モジュール８にウエハＷを搬送できるように、例えば平面視、受け渡し部３の前方の領域に設けられている。また、例えば受け渡し部３には、上述の載置モジュール３１、温度調整モジュール３２に加えて、検査用の載置モジュールＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２が、下側搬送機構６１と上側搬送機構６２が夫々アクセスできる高さ位置に設けられる。そして、第３の搬送機構９は、受け渡し部３のＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２と、処理前及び処理後検査モジュール８１、８２との間でウエハＷを搬送するように、第２の実施形態と同様に構成される。処理前及び処理後検査モジュール８１、８２は第２の実施形態と同様に構成され、筐体８３の処理ブロックＤ２に面する側壁には、第３の搬送機構９に対応する位置にウエハＷの搬送口が形成される。この例の基板処理装置１Ｂは、処理前及び処理後検査モジュール８１、８２及び第３の搬送機構９が設けられること以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。
この実施形態におけるウエハＷの搬送経路の一例について説明する。キャリアブロックＤ１のキャリアＣ内のウエハＷは、第１の搬送機構１７→ＴＲＳ１１→第３の搬送機構９→処理前検査モジュール８１の経路で搬送され、ウエハＷの表面の検査が行われる。次いで、検査後のウエハＷは、第３の搬送機構９→ＴＲＳ１２→第２の搬送機構６→ＳＣＰＬ→第２の搬送機構６→レジスト塗布モジュール４の経路で搬送され、レジスト膜が形成される。続いて、ウエハＷは、第２の搬送機構６→熱処理モジュール５１→第２の搬送機構６→ＳＣＰＬ→第２の搬送機構６→ＴＲＳ１１で搬送される。この後、ウエハＷは、第３の搬送機構９→処理後検査モジュール８２の経路で搬送され、ウエハＷの表面の検査が行われる。そして、検査後のウエハＷは、第３の搬送機構９→ＴＲＳ１２→第１の搬送機構１７→キャリアＣの経路で搬送される。
この実施形態では、基板処理装置１Ｂに、検査モジュール８を、基板処理装置１Ｂが設けられる床から浮いて、基板処理装置１Ｂの前方に突出する突出部１９を形成するように設けている。このように、検査モジュール８を床から浮いて設けているため、平面視長方形状の縦長の検査モジュール８を設置するにあたり、占有床面積の増大を抑制することができる。また、受け渡し部３と検査モジュール８との間でウエハＷを搬送する第３の搬送機構９を設けているので、検査モジュール８を設けたことによる搬送のスループットの低下を抑制することができる。
さらに、この例では、検査モジュール８は、レジスト塗布モジュール４の前方に設けられ、熱処理モジュール５１と離隔されている。従って、検査モジュール８に対する熱処理モジュール５１からの熱影響を抑えることができる。また、検査モジュール８をキャリアブロックＤ１近傍に設けているので、基板処理装置１Ａに搬入された直後のウエハＷ、及び基板処理装置１Ａから搬出される直前のウエハＷに対して検査を実施することができ、既述の利点が得られる。さらに、検査モジュール８は、ファンフィルタユニット１８の直ぐ下方の高さ位置に突出するように設けられていることから、作業者の通行の妨げにならず、作業者によるメンテナンス作業を容易に実施することができるという利点もある。補足して説明すると、検査モジュール８の高さについては、そのように作業者にとって適切なスペースが確保されればよく、例えば処理ブロックＤ２を構成する階層のうち上方側の階層の高さに設けることが好ましい。ここでいう上方側の階層は、階層の数を２で割って端数がでた場合には切り捨てて上方側から数えた階層の高さである。つまり、階層数が６である場合には上から３つのいずれかの階層の高さ、階層数が５である場合には上から２つのいずれかの階層の高さに設けることが好ましい。
なお説明及び図示を簡略化するために各実施形態の搬送経路において、同じ番号を付したＴＲＳを複数回経由して搬送されるように示したが、より詳しくは、このＴＲＳに含まれる複数の載置部を順番に経由して搬送され、同一の載置部は経由せずに搬送される。具体的には例えば第２の実施形態及び第３の実施形態で処理前のウエハＷ、処理済みのウエハＷがいずれもＴＲＳ１１に搬送されるものとして述べたが、処理前のウエハＷ、処理済みのウエハＷはＴＲＳ１１を構成する互いに異なる載置部に搬送される。ＳＣＰＬについても同様であり、搬送経路においてウエハＷはＳＣＰＬを構成する互いに異なる載置部に順番に搬送される。
また、第２の実施形態及び第３の実施形態では、制御部１００によるウエハＷの検査結果（異常の有無の判定結果）に応じて、当該制御部１００が後続のウエハＷの搬送を続行するか否かを決定するようにしてもよい。つまり、異常有りと判定された場合に、装置におけるウエハＷの搬送が停止されるように制御信号が出力されてもよい。また、受け渡し部３に、検査で異常があると判定されたウエハＷを載置する載置部を設け、このようなウエハＷは第３の搬送機構により当該載置部に搬送する指令を出力するように構成してもよい。このような搬送の変更、停止を行わず、異常があったウエハＷについて画面表示等でユーザーに報知するのみであってもよい。
以上において、処理ブロックを構成する階層は、少なくとも液処理モジュールを含むものであればよく、第１の処理モジュールは、第２の搬送機構がウエハＷを搬送できれば、２つの階層に跨る高さ位置に設けるようにしてもよい。また、第２の搬送機構が複数階層の搬送を受け持つ場合、第１の処理モジュールが設けられない階層があってもよい。上記の例では第１の処理モジュールである熱処理モジュール５１が各階層に設けられるため、熱処理モジュール５１の一部と受け渡し部３の一部とが対向するが、熱処理モジュール５１が設けられない階層に受け渡し部３があってもよい。つまり、熱処理モジュール５１の左領域と受け渡し部３の右領域とが対向せず、それらの左領域と右領域との左右の位置が同じという位置関係であってもよい。また、各階層に設けられる液処理モジュールは、上述の例に限らず、複数個のカップ４２が左右方向に配列される構成であってもよい。但し、カップ４２を１つのみ設ける構成であれば、処理ブロックＤ２の左右方向の長さの低減に寄与することができる。さらに、第１の処理モジュールの設置個数は上述の例に限らず、１つの階層において、処理モジュールを積層して設けるようにしてもよい。
さらにまた、第１の処理モジュールの設置個数は、１つの階層に３つであることには限られないし、複数の階層で互いに同じである必要もなく、階層毎に第１の処理モジュールの個数が異なっていてもよい。この場合、第１の処理モジュールの左右方向の設置位置についても全ての階層において同じである必要はなく、第１の処理モジュールの設置個数によって、これらの左右方向の設置個所が階層毎にずれていてもよい。さらにまた、処理ブロックＤ２を構成する階層の積層数は７層や８層であってもよく、例示した積層数に限られない。
また、液処理モジュールは、反射防止膜形成用の液処理や、保護膜形成用の液処理を行うモジュールであってもよいし、現像液を処理液としてウエハＷに現像処理を実施する現像モジュールであってもよい。その他、絶縁膜を形成するための処理液（薬液）を塗布するモジュールであったり、ウエハＷを貼り合わせるための接着材を供給するモジュールであったり、ウエハＷに洗浄液を供給して洗浄する洗浄モジュールであってもよい。なお、上記の保護膜とは、液浸露光時にレジスト膜を保護するために形成される膜である。
また、上記の現像モジュールを設ける場合、第１の処理モジュールとして、現像処理の前にウエハＷの加熱処理（ＰＥＢ：Post exposure bake)を行う熱処理モジュールが例示される。つまり、処理ブロックＤ２において熱処理モジュール→現像モジュールの順にウエハＷが搬送されてもよい。従って、第１の処理モジュールとしては、液処理モジュールの後にウエハＷを処理するモジュールであることに限られず、また、液処理モジュールとしては、塗布膜を形成するモジュールであることに限られない。さらに、第１の処理モジュールとしてウエハＷにガスを供給して、疎水化処理を行う疎水化処理モジュールとして構成してもよい。例えば第１の処理モジュールとして疎水化処理モジュール、液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュールを設け、疎水化処理モジュール→反射防止膜形成モジュールの順で搬送してもよい。従って、第１の処理モジュールとして、単にウエハＷを加熱するモジュールであることに限られない。
また、基板処理装置１等では、下側搬送機構６１と上側搬送機構６２とが独立してウエハＷを搬送する。つまり階層Ｅ１～Ｅ３と、階層Ｅ４～Ｅ６とで互いに独立してウエハＷが搬送される。このため、階層Ｅ１～Ｅ３で行われる処理と、階層Ｅ４～Ｅ６で行われる処理とが異なるようにしてもよい。例えば階層Ｅ１～Ｅ３ではレジスト塗布、ＰＡＢを行い、階層Ｅ４～Ｅ６ではＰＥＢ、現像を行うように、下側の階層と、上側の階層とで配置されるモジュールが異なっていてもよい。
また、受け渡し部３の構成は上述の例に限らず、載置モジュール（ＴＲＳ）３１、温度調整モジュール（ＳＣＰＬ）３２の設置数は適宜選択可能である。ところで、上記の検査モジュール８について、受け渡し部３に、検査モジュール８を載置モジュール３１や温度調整モジュール３２に対して積層して設けてもよい。この場合、検査モジュール８は第１の搬送機構１７の搬送領域１０及び第２の搬送機構６の搬送路２０に面するように設けられ、検査モジュール８の載置部８４に対して、第２の搬送機構６がウエハＷの受け渡しを行うように構成される。但し、検査モジュール８については図１３、図１６等で説明したように第３の搬送機構９を設けて当該第３の搬送機構９がアクセスできる位置に設けることで、上記した第２の搬送機構６の負荷の低減効果が得られる他、載置モジュール３１、温度調整モジュール３２の設置スペースを大きくすることができて好ましい。つまり、検査モジュール８については載置モジュール３１及び温度調整モジュール３２に重ねずに設けることで、その分、これらのモジュールの設置数を多くし、それによって装置のスループットの向上を図ることができる。
ところで、上記したように検査モジュール８は搬送領域１０及び搬送路２０に面して設けることができるので、検査モジュール８を受け渡し部３として構成してもよい。従って、第２の搬送機構６の他に、第１の搬送機構１７も検査モジュール８に対してウエハＷを受け渡すようにする。そして、当該検査モジュール８を介することによって、ウエハＷがキャリアブロックＤ１と処理ブロックＤ２との間で搬送され、処理ブロックＤ２における液処理モジュール、熱処理モジュールへの受け渡しの前後で載置モジュール３１や温度調整モジュール３２にウエハＷが搬送されるようにしてもよい。
さらに、本開示の受け渡し部３は、載置モジュール３１、温度調整モジュール３２、検査モジュール８のモジュールのうち、少なくとも一つを設ける構成であればよい。従って、第１の搬送機構１７→受け渡し部３の温度調整モジュール３２→第２の搬送機構６→処理ブロックＤ２内の処理モジュール（液処理モジュール及び第１の処理モジュール）→受け渡し部３の温度調整モジュール３２→第１の搬送機構１７の経路で搬送してもよい。受け渡し部３として検査モジュール８を設ける場合には、この搬送経路において、温度調整モジュール３２の代わりに検査モジュール８に搬送されることになる。このように受け渡し部３についてはウエハＷが仮置きされ、第１の搬送機構１７と、第２の搬送機構６とが各々ウエハＷの受け渡しを行えるものであればよい。
なお、補足しておくとＴＲＳやＳＣＰＬとしては、プレートが上下に多段に設けられた構成とすることができる。そして、プレートの外形を搬送機構の形状に対応する形状としたり、プレートの表面に搬送機構の形状に対応する溝を形成したりすることで、各搬送機構が当該プレートの表面に対して昇降可能で、プレートに対してウエハＷが受け渡し可能であるようにすればよい。検査モジュール８についても受け渡し部３として用いる場合は、検査モジュール８内の載置部８４をそのようなプレートと同様に構成すればよい。なお、ＳＣＰＬについては当該プレートに冷媒流路を接続し、冷却される構成とする。また、ＴＲＳについては横方向に並んだ複数のピンが、上下に多段に設けられ、各段のピンに対して搬送機構が昇降し、当該各段のピンに対してウエハＷが各々載置される構成としてもよい。
さらに、第２の処理モジュールは検査モジュールであることには限られず、例えばウエハＷにレジスト膜を形成した後に、紫外線を照射してキュア処理を実施する処理モジュールであってもよい。この処理モジュールは、例えば図１５に示す検査モジュール８において、カメラを備えず、ハーフミラー８５及び照明８６の位置に、これらの代わりに紫外線照射部を設けて構成される。そして、紫外線照射部から下方に向けて紫外線を照射しながら、ウエハＷが載置された載置部８４を待機領域から移動完了位置まで移動させ、ウエハＷの表面全体に紫外線を照射することによりキュア処理が実施される。
さらにまた、上述の実施形態では、第２の搬送機構６の搬送路２０の前方に第１の処理モジュール５１を配置し、前記搬送路２０の後方に受け渡し部３及び液モジュール４を並べて配置してもよい。また、必ずしも処理前検査モジュール８１及び処理後検査モジュール８２を両方備える必要はなく、いずれか一方の検査モジュールを備える構成であればよい。
今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。
Ｃ キャリア（容器）
Ｄ１ キャリアブロック（基板搬送ブロック）
Ｄ２ 処理ブロック
Ｅ１～Ｅ６ 階層
１７ 第１の搬送機構
２０ 搬送路
３ 受け渡し部
４ 液処理モジュール
５１ 熱処理モジュール（第１の処理モジュール）
６ 第２の搬送機構

Claims (15)

  1. 基板を各々液処理する複数の液処理モジュールが設けられる処理ブロックを含む基板処理装置において、
    複数の前記基板が収容される容器が載置される容器載置部と、前記容器に対して前記基板を受け渡す第１の搬送機構と、を備え、前記処理ブロックに対して左右の一方に設けられる基板搬送ブロックと、
    前記処理ブロックにて左右に延びる前記基板の搬送路と、
    前記搬送路に対する前後の一方にて前記液処理モジュールが縦方向に列をなすように、前記処理ブロックを構成すると共に当該液処理モジュールを各々含む複数の階層と、
    前記搬送路に対する前後の他方にて縦方向に複数設けられ、前記液処理モジュールの処理の前または後で前記基板の処理を行う第１の処理モジュールと、
    前記搬送路を移動して、前記液処理モジュールと前記第１の処理モジュールとの間で前記基板を搬送する第２の搬送機構と、
    前記処理ブロックにて前記搬送路に対して前後の一方且つ前記液処理モジュールの列に対して左右の一方に設けられて、前記第１の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために当該基板が載置される受け渡し部と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記第１の処理モジュールは左右に複数並んで設けられ、
    左右の最も一方側に位置する当該第１の処理モジュールにおける当該左右の一方側の部位と、前記受け渡し部における左右の他方側の部位とについて、左右の位置が同じである請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記左右の最も一方側に位置する第１の処理モジュールにおける当該左右の一方側の部位と、前記受け渡し部における左右の他方側の部位とが、互いに対向する請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記基板に前記第１の処理モジュールによる処理とは異なる処理を行う第２の処理モジュールと、
    前記受け渡し部に対して前後の一方に設けられ、前記受け渡し部と第２の処理モジュールとの間で前記基板を受け渡す第３の搬送機構と、
    を備える請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記基板搬送ブロックには、前記第１の搬送機構による前記基板の搬送領域に向けて上方からガスを供給するガス供給部が設けられ、
    前記第２の処理モジュールは、平面視前記搬送領域に重なると共に、前記基板搬送ブロックにおける前記ガス供給部よりも上方位置に設けられる請求項４記載の基板処理装置。
  6. 前記第２の処理モジュールは、前記液処理モジュールよりも前後の一方側に設けられ、前記基板処理装置が設けられる床から浮いて当該前後の一方側に突出する突出部を形成する請求項４記載の基板処理装置。
  7. 前記第２の処理モジュールは、前記液処理モジュール及び前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の前記基板を検査するための検査モジュールである請求項４ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記第２の搬送機構は、
    前記複数の階層のうち下側の階層の前記液処理モジュールと、当該下側の階層における高さの前記第１の処理モジュールに対して前記基板を受け渡す下側搬送機構と、
    前記複数の階層のうち上側の階層の前記液処理モジュールと、当該上側の階層における高さの前記第１の処理モジュールに対して前記基板を受け渡す上側搬送機構と、
    を含む請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置
  9. 前記下側の階層及び前記上側の階層は、各々複数の階層により構成され、
    前記受け渡し部は、前記下側搬送機構により前記基板が搬送される階層のうち最も上側の階層の高さと、上側搬送機構により前記基板が搬送される階層のうち最も下側の階層の高さと、に各々設けられる請求項８記載の基板処理装置。
  10. 前記下側の階層及び前記上側の階層は、各々３つの階層により構成される請求項９記載の基板処理装置。
  11. 前記受け渡し部は、
    前記各液処理モジュールにて前記基板に供給される処理液が貯留される貯留領域に、平面視重なる請求項１ないし１０記載の基板処理装置。
  12. 前記各階層の液処理モジュールは、前記基板を囲んで処理するためのカップを各々１つのみ備える請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  13. 前記受け渡し部は、前記液処理モジュール及び前記第１の処理モジュールによる処理前に基板の温度を調整する温度調整機能を有するか、あるいは前記液処理モジュール及び前記第１の処理モジュールによる処理前あるいは処理後の前記基板を検査するための検査モジュールである請求項１ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  14. 前記第１の処理モジュールは、
    前記基板を加熱する熱処理モジュールである請求項１ないし１３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  15. 基板を各々液処理する複数の液処理モジュールが設けられる処理ブロックを含む基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    前記処理ブロックに対して左右の一方に設けられる基板搬送ブロックに設けられる容器載置部に複数の前記基板が収容される容器を載置する工程と、
    前記基板搬送ブロックに設けられる第１の搬送機構により、前記容器に対して前記基板を受け渡す工程と、
    前記処理ブロックを構成する階層に各々含まれ、前記処理ブロックにおいて左右に延びる前記基板の搬送路に対する前後の一方にて縦方向に列をなすように設けられる前記複数の液処理モジュールにて各々前記基板を処理する工程と、
    前記搬送路に対する前後の他方にて縦方向に複数設けられる第１の処理モジュールにおいて、前記液処理モジュールの処理の前または後で前記基板の処理を行う工程と、
    前記搬送路を移動する第２の搬送機構により、前記液処理モジュールと前記第１の処理モジュールとの間で前記基板を搬送する工程と、
    前記第１の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために、前記処理ブロックにて前記搬送路に対して前後の一方且つ前記液処理モジュールの列に対して左右の一方に設けられる受け渡し部に当該基板を載置する工程と、
    を備える基板処理方法。
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