KR20210145680A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210145680A
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processing module
transfer
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쇼타 우에야마
미츠아키 마루야마
아키라 오오조노
세이지 나카시마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송 블록을 처리 블록의 왼쪽에 마련한다. 기판 반송 블록은, 복수의 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 용기에 대하여 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하는 것이다. 또한, 처리 블록에, 좌우로 연장되는 기판의 반송로와, 이 반송로를 이동하여, 액 처리 모듈로 기판을 반송하는 제 2 반송 기구를 마련한다. 또한, 처리 블록에서 반송로에 대하여 전방, 또한 액 처리 모듈에 대하여 왼쪽에, 제 1 반송 기구와 제 2 반송 기구와의 사이에서 기판을 전달하기 위하여 기판이 배치되는 전달부를 마련한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정 중 일공정으로서, 포토리소그래피가 행해지고 있다. 그 포토리소그래피에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 기재함)에 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 것, 및 현상액을 공급하여 노광이 끝난 레지스트막을 현상하는 것이 행해진다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 그러한 레지스트막의 형성 및 현상을 행하는 기판 처리 장치에 대하여 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2019-004072호
본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 처리 장치는,
기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
복수의 상기 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 상기 용기에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록과,
상기 처리 블록에서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로와,
상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 상기 액 처리 모듈이 종방향으로 열을 이루도록, 상기 처리 블록을 구성하고 또한 상기 액 처리 모듈을 각각 포함하는 복수의 계층과,
상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 종방향으로 복수 마련되고, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 모듈과,
상기 반송로를 이동하여, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
상기 처리 블록에서 상기 반송로에 대하여 전후의 일방 또한 상기 액 처리 모듈의 열에 대하여 좌우의 일방에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 기판이 배치되는 전달부
를 구비한다.
본 개시에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서, 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 기판 처리 장치의 종단 정면도이다.
도 4는 상기 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로의 일례를 나타내는 도이다.
도 6은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 7은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 8은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 9는 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 10은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 11은 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 12는 상기 기판 처리 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 종단 측면도이다.
도 13은 본 개시의 다른 실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 14는 상기 기판 처리 장치의 종단 정면도이다.
도 15는 상기 기판 처리 장치에 마련되는 검사 모듈의 일례를 나타내는 종단 측면도이다.
도 16은 본 개시의 또 다른 실시 형태인 기판 처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 17은 상기 기판 처리 장치의 종단 정면도이다.
<제 1 실시 형태>
본 개시의 기판 처리 장치의 제 1 실시 형태에 대하여, 도 1의 횡단 평면도, 도 2및 도 3의 종단 정면도, 도 4의 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 반도체 제조 공장의 클린룸에 마련되어, 웨이퍼(W)에 액 처리로서, 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 것이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 블록(D1) 및 처리 블록(D2)이, 횡방향(좌우 방향)으로 일렬로 배열되고 또한, 서로 접속되어 구성되며, 이들 캐리어 블록(D1) 및 처리 블록(D2)에 대하여 저부의 높이는 서로 일치되어 있다. 캐리어 블록(D1)은, 기판 반송 블록을 이루는 것이다.
이후의 설명에 있어, 캐리어 블록(D1)을 왼쪽, 처리 블록(D2)을 오른쪽으로 봤을 때, 이들 블록(D1, D2)의 배열 방향을 좌우 방향이라 한다. 또한, 장치의 전후 방향에 대하여, 캐리어 블록(D1)을 왼쪽으로 봤을 때의 앞을 전방, 안쪽을 후방이라 한다. 각 도면 중에서는 서로 직교하는 X 방향, Y 방향, Z 방향에 있어서, X 방향은 전후 방향, Y 방향은 좌우 방향, Z 방향은 높이 방향을 각각 나타내고 있다. 또한 도 2 및 도 3은, 기판 처리 장치(1)의 종단 정면도를 나타내지만, 장치의 일부에 대하여 전후로 상이한 위치의 종단면을 나타내고 있다.
캐리어 블록(D1)은, 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련되는 외부 반송 기구(도시 생략)에 의해, 복수의 웨이퍼(W)가 수용되는 용기가 반송되고 또한, 용기와 기판 처리 장치(1) 내와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 역할을 하는 것이다. 용기로서는, 예를 들면 FOUP(Front Opening Unify Pod)이라 불리는 캐리어(C)가 이용된다. 캐리어 블록(D1)을 구성하는 하우징(11)의 우측은, 좌측에 비해 높게 되도록 상방으로 돌출되어 있으며, 그에 따라 정면에서 봤을 때, 단이 형성되어 있다. 그와 같이 구성된 하우징(11)의 좌측, 우측을 각각 하부(12), 상부(13)라 한다.
하부(12)는, 캐리어(C)가 배치되는 용기 배치부를 이루는 것이며, 그 상면에는 4 개의 캐리어 스테이지(14)가, 전후 방향으로 간격을 두고 마련되어 있다. 캐리어(C)는, 기판 처리 장치(1)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위하여 당해 캐리어 스테이지(14)에 배치된다. 하우징(11)에 있어서 상부(13)를 형성하고 또한 왼쪽을 향하는 측벽에는, 캐리어 스테이지(14)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(15)가 개구되어 있고, 당해 반송구(15)는 개폐 기구(16)에 의해 개폐된다.
하우징(11) 내에 있어서, 상부(13)에는, 캐리어 스테이지(14) 상의 캐리어(C)와 처리 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제 1 반송 기구(17)가 마련되어 있다. 이 제 1 반송 기구(17)는, 전후 방향(X 방향)으로 이동 가능, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 승강 가능하게 구성된 이동체(171)와, 당해 이동체(171)를 진퇴 가능하고 또한 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체(172)를 구비하고 있다.
상부(13) 내에 있어서의, 제 1 반송 기구(17)의 반송 영역(10)의 상방측에는, 팬 필터 유닛(FFU)(18)이 마련되어 있다. 가스 공급부인 팬 필터 유닛(18)은, 도시하지 않는 흡인로를 개재하여 기판 처리 장치(1)의 주위의 공기를 흡인하고, 필터를 개재하여 당해 공기를 청정화하여 하방으로 공급한다. 그에 따라, 하강 기류(다운 플로우)를 형성한다. 팬 필터 유닛(18)을 구성하는 상기의 필터는, 평면에서 봤을 때, 캐리어 블록(D1) 내의 제 1 반송 기구(17)의 이동 영역 전체에 걸쳐 마련되고, 당해 이동 영역 전체에 하강 기류가 형성된다. 예를 들면 하우징(11)의 저부의 도시하지 않는 배기구로부터, 당해 하강 기류를 형성한 공기는 제거된다. 또한, 처리 블록(D2)의 반송로 등의 각 곳에서도 다운 플로우가 형성되는데, 그 다운 플로우를 형성하는 기구의 도시는 생략한다.
이어서, 처리 블록(D2)에 대하여 설명한다. 처리 블록(D2)은 사각형의 하우징(21)에 의해 구성되고, 평면에서 봤을 때 전후 방향의 중앙에는, 좌우로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(20)를 구비하고 있다. 이 반송로(20)는, 후술하는 제 2 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 영역이며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)의 하우징(21)에 있어서, 좌우 방향의 좌단으로부터 우단에 이르기까지 연장되도록 형성되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)에 있어서의, 반송로(20)의 전방에는, 캐리어 블록(D1)과 인접하고, 또한 반송로(20)에 면하는 영역이, 전달부(3)의 설치 영역(30)으로서 설정되어 있다. 또한, 처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)의 처리액으로서 레지스트액을 공급하여(즉, 레지스트를 도포하여), 레지스트막을 형성하는 액 처리 모듈인 레지스트 도포 모듈(4)을 구비하고 있다. 이 레지스트 도포 모듈(4)은, 반송로(20)의 전방에 있어서, 상기 설치 영역(30)의 오른쪽으로 나란히 당해 반송로(20)에 면하도록 설치된다.
이 처리 블록(D2)은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 모듈(4)을 각각 포함하는 복수의 계층을 적층하여 구성되어 있다. 이 예에 있어서, 처리 블록(D2)은 6 개의 계층(E1 ~ E6)을 구비하고, 각 계층(E1 ~ E6)에는, 각각 1 개의 레지스트 도포 모듈(4)이 마련되어 있다. 이렇게 하여, 처리 블록(D2)을 전방에서 보면, 레지스트 도포 모듈(4)은 종방향으로 열을 이루도록 배치되어 있고, 각 레지스트 도포 모듈(4)의 좌우의 위치는 일치되어 있다. 또한, 도 1은 처리 블록(D2)의 계층(E3)을 나타내는 횡단 평면도이다.
레지스트 도포 모듈(4)은, 당해 모듈을, 반송로(20) 및 후술하는 전달부(3)에 대하여 구획하는 구획벽(41)을 구비하고, 이 구획벽(41)에는, 반송로(20)에 면하여, 웨이퍼(W)의 반송구(도시 생략)가 형성되어 있다. 레지스트 도포 모듈(4)은, 도 1, 도 3 및 도 4에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 둘러싸서 처리하기 위한 컵(42)을 1 개만 구비하고 있고, 컵(42) 내에는 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지하여 회전시키는 스핀 척(43)이 마련된다. 또한, 레지스트 도포 모듈(4)은, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 토출하는 노즐(44)을 구비하고 있다. 이 노즐(44)은 노즐 이동 기구(45)에 의해, 컵(42) 내의 웨이퍼(W) 상과, 도 1에 나타내는 컵(42)의 밖의 대기 영역과의 사이를 이동 가능하게 구성된다.
또한 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 블록(D2)에 있어서의 반송로(20)의 후방에는, 당해 반송로(20)에 면하도록, 제 1 처리 모듈인 열 처리 모듈(51)이 좌우로 복수 예를 들면 3 개 배열되도록 마련되어 있다. 열 처리 모듈(51)은, 각 계층(E1 ~ E6)에 배치되어 있고, 처리 블록(D2)을 후방에서 보면, 열 처리 모듈(51)이 종방향으로 열을 이루도록 배치되어 있다. 따라서, 처리 블록(D2)에 있어서 열 처리 모듈(51)은 좌우로 3 열로 마련되어 있다. 그리고, 그 3 열 중, 동일한 열을 구성하는 열 처리 모듈(51)의 좌우의 위치는 일치되어 있다.
이 예의 열 처리 모듈(51)은, 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)의 가열 처리(PAB：Pre applied bake)를 행하는 모듈이다. 이 열 처리 모듈(51)에서는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 가열하여 레지스트막 중의 용제를 제거하는 처리가 실시된다. 예를 들면 열 처리 모듈(51)은, 도 1에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 열판(52)과, 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 냉각 플레이트(53)를 구비하고 있다. 열판(52)과 냉각 플레이트(53)는, 냉각 플레이트(53)가 반송로(20)에 면하도록, 전후로 배열되어 배치된다. 냉각 플레이트(53)는, 반송로(20)에 마련된 후술하는 제 2 반송 기구와 열판(52)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.
처리 블록(D2)에는, 반송로(20)를 이동하여, 레지스트 도포 모듈(4)과 열 처리 모듈(51)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 2 반송 기구(6)가 마련되어 있다. 이 예의 제 2 반송 기구(6)는 하측 반송 기구(61)와 상측 반송 기구(62)를 구비하고, 하측 반송 기구(61)는, 하측의 계층의 레지스트 도포 모듈(4) 및 열 처리 모듈(51)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다. 또한, 상측 반송 기구(62)는, 상측의 계층의 레지스트 도포 모듈(4) 및 열 처리 모듈(51)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다. 하측의 계층 및 상측의 계층은, 각각 복수의 계층에 의해 구성되고, 이 예에서는, 하측의 계층은 3 개의 계층(E1 ~ E3), 상측의 계층은 3 개의 계층(E4 ~ E6)에 의해 각각 구성된다.
이들 하측 반송 기구(61) 및 상측 반송 기구(62)(제 2 반송 기구(6))는, 도 1 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 2 개의 유지체(63)와, 각 유지체(63)를 독립하여 진퇴시키는 이동체(64)를 구비하고 있다. 그리고, 이동체(64)는 회동부(65)에 의해 연직축 둘레로 회동되고 또한, 회동부(65)는 승강부(66)에 의해 승강되고 또한, 승강부(66)는 이동 기구(67)에 의해 좌우 방향(Y 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면 유지체(63), 이동체(64), 회동부(65) 및 승강부(66)는, 반송로(20)에 마련되고, 이동 기구(67)는, 열 처리 모듈(51)의 하방에 배치된다. 또한, 기술한 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)에 대해서는 이동 기구(67)에 의한 이동 방향이 상이한 것을 제외하고, 하측 반송 기구(61) 및 상측 반송 기구(62)와 동일하게 구성되어 있다.
전달부(3)는, 제 1 반송 기구(17)와 제 2 반송 기구(6)(하측 반송 기구(61) 및 상측 반송 기구(62))와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여, 웨이퍼(W)를 배치하는 것이다. 이 예의 전달부(3)는, 평면에서 봤을 때, 레지스트 도포 모듈(4)의 왼쪽에, 레지스트 도포 모듈(4)과 나란히 마련된다. 보다 상세하게는, 레지스트 도포 모듈(4)의 컵(42)에 대하여 나란해 있다. 또한, 가장 좌방측(좌우의 일방측)에 마련된 열 처리 모듈(51)의 좌우 방향의 좌단부를 포함하는 왼쪽 영역(좌우의 일방측의 부위)과, 당해 전달부(3)에 있어서의 좌우 방향의 우단부를 포함하는 오른쪽 영역(좌우의 타방측의 부위)에 대하여, 좌우의 위치가 동일하도록 배치된다. 즉, 상기 열 처리 모듈(51)의 왼쪽 영역(도 1 중에 쇄선의 테두리로 둘러싸서, a1로서 표시하고 있음)과, 전달부(3)의 오른쪽 영역(도 1 중에 쇄선의 테두리로 둘러싸서, b1로서 표시하고 있음)이 좌우의 동일한 위치에 위치한다. 여기서의 좌우의 위치가 동일하다는 것은, 높이가 일치되어 있는 것으로 한 경우에, 서로 대향하는 위치 관계에 있는 것을 말한다. 또한 이 예에서는, 전달부(3) 및 열 처리 모듈(51)이 동일한 계층에 위치함으로써, 실제로 왼쪽 영역(a1)과, 오른쪽 영역(b1)이 반송로(20)를 개재하여 대향하고 있다. 도 1 중의 반송로(20)에 있어서의 점선은, 당해 왼쪽 영역(a1), 오른쪽 영역(b1)의 서로의 좌우의 위치 관계가 명확하게 되도록, 이들 영역(a1, b1)을 접속하도록 그은 가상선이다.
이와 같이, 전달부(3)는 캐리어 블록(D1)에 인접하도록 마련되고 또한, 열 처리 모듈(51)은, 그 좌단이, 반송로(20)를 개재하여 대향하는 전달부(3)의 우단보다 캐리어 블록(D1)으로 치우친 위치에 배치되어 있다.
또한, 모듈이란 웨이퍼(W)가 배치되는 장소이다. 따라서, 열 처리 모듈(51)로 반송된 웨이퍼(W)의 좌측의 부위와, 전달부(3)를 이루는 모듈로 반송된 웨이퍼(W)의 우측의 부위에 대하여, 전후로 봤을 때에 좌우의 위치가 동일하다고 한다. 그러한 경우, 열 처리 모듈(51)의 좌우의 일방측(이 예에서는 좌측)의 부위와, 전달부(3)의 좌우의 타방측(이 예에서는 우측)의 부위에 대하여, 좌우의 위치가 동일하다. 또한, 좌우의 일방측의 부위, 타방측의 부위는, 모듈 또는 웨이퍼(W)를 좌우로 분할한다고 한 경우의 절반의 부위인 것에 한정되지 않는다. 상기 일방측의 부위, 타방측의 부위에는, 왼쪽 영역(a1)과 같이 상기 절반의 부위보다 좌우 방향의 길이가 큰 부위, 또는 오른쪽 영역(b1)과 같이 상기 절반의 부위보다 좌우 방향의 길이가 작은 부위도 포함된다. 이들 일방측의 부위, 타방측의 부위에 대하여, 상기한 바와 같이 높이가 일치되었을 때에 서로 대향하는 경우에는, 이들 부위의 좌우 위치가 동일한 것으로 한다.
이 예에서는, 전달부(3)로서, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치 모듈(TRS)(31)과, 온도 조정 모듈(SCPL)(32)을 구비하고, 이들 다수의 배치 모듈(31)과 다수의 온도 조정 모듈(32)이 다단으로 적층되어 있다. 예를 들면 하나의 배치 모듈(31)은, 복수의 웨이퍼(W)를 종방향으로 배열하여 배치하도록, 종방향으로 배열되는 복수의 배치부를 구비하고 있다. 또한, 온도 조정 모듈(32)은, 레지스트 도포 모듈(4) 및 열 처리 모듈(51)에 의한 처리 전에, 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 온도 조정 기능을 가지는 것이다.
예를 들면 온도 조정 모듈(32)은, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치부와, 당해 배치부에 있어서의 냉매의 유로를 구비하고, 당해 배치부에 배치된 웨이퍼(W)의 온도가 원하는 온도로 조정되도록 구성된다. 여기서는, 전달부(3)에 마련되는 배치 모듈(31) 및 온도 조정 모듈(32)을 구별하기 위하여, TRS, SCPL의 뒤에 각각 숫자를 붙여 나타낸다. 또한, 이후 배치 모듈을 'TRS', 온도 조정 모듈을 'SCPL'이라 기재하는 경우도 있다.
이러한 전달부(3)는, 예를 들면 설치 영역(30)에 있어서, 하측 반송 기구(61)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중, 가장 상측의 계층인 계층(E3)의 높이 위치와, 상측 반송 기구(62)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중, 가장 하측의 계층인 계층(E4)의 높이 위치에 마련된다.
전달부(3)의 계층(E3)의 높이 위치에 있는 각 모듈에 대해서는, 제 1 반송 기구(17) 및 하측 반송 기구(61)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 전달부(3)의 계층(E4)의 높이 위치에 있는 각 모듈에 대해서는, 제 1 반송 기구(17) 및 상측 반송 기구(62)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 따라서, 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17), 처리 블록(D2)의 하측 반송 기구(61) 및 상측 반송 기구(62)는, 전달부(3)의 대응하는 모듈에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 각각 이동 영역이 설정되어 있다.
도 2, 도 3 및 도 5에, 전달부(3)의 구성예를 나타낸다. 이 예에서는, TRS1, TRS4가 캐리어 블록(D1)으로부터 처리 블록(D2)으로의 웨이퍼(W)의 반입용, TRS2, TRS3가 처리 블록(D2)으로부터 캐리어 블록(D1)으로의 웨이퍼(W)의 반출용의 배치 모듈(31)이다. 또한 실제로는, 전달부(3)에는, 상기 구성예보다 많은 배치 모듈(31) 및 온도 조정 모듈(32)이 탑재되어 있다.
이 예에 있어서, 설치 영역(30)에 있어서의 전달부(3)의 하방에는, 도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이 저류 영역(22)이 마련된다. 저류 영역(22)에는, 각 레지스트 도포 모듈(4)에서 웨이퍼(W)로 공급되는 레지스트액을 저류하는 보틀이 배치되고, 당해 보틀 내의 레지스트액이 도시하지 않는 공급계를 거쳐, 각 레지스트 도포 모듈(4)의 노즐(44)로 공급된다. 또한, 전달부(3)의 상방은, 각종의 전장 설비(전기 기기)가 마련되는 기기 설치 영역(23)으로서 구성된다. 이렇게 하여, 전달부(3)와 저류 영역(22)과 기기 설치 영역(23)은, 평면에서 봤을 때 중첩되도록 구성되어 있다.
또한, 반송로(20)의 전방의 레지스트 도포 모듈(4)의 오른쪽의 영역은, 이 레지스트 도포 모듈(4)의 부대 설비가 설치되는 부대 설비 설치 영역(46)으로서 구성되어 있다. 이 부대 설비에는, 당해 모듈에 전력을 공급하는 케이블, 모듈을 구성하는 컵(42) 내를 배기하기 위한 배기용 덕트, 모듈로부터 배액하기 위한 배액관, 모듈로 처리액을 공급하기 위한 공급관 등이 포함된다. 컵(42)은 배기용 덕트를 개재하여, 공장의 배기로 등의 배기원에 접속되고, 당해 컵(42)의 내부가 배기된다. 또한, 컵(42)에는 부대 설비인 배액관이 접속된다.
또한, 반송로(20)의 후방의 열 처리 모듈(51)의 좌우의 영역은, 열 처리 모듈(51)의 부대 설비 설치 영역(54, 55)으로서 각각 구성되어 있다. 이 부대 설비에는, 당해 모듈에 전력을 공급하는 케이블, 모듈 내를 배기하는 배기용 덕트 등이 포함된다. 또한, 열 처리 모듈(51)과 캐리어 블록(D1)과의 사이에 부대 설비 설치 영역(54)이 개재됨으로써, 가장 좌측의 열 처리 모듈(51)과 전달부(3)에 대하여, 상기한 바와 같이 각각의 일부끼리가 대향한 위치 관계로 되어 있다.
계층(E1, E2)은, 전달부(3)의 설치 영역(30)이 저류 영역(22)으로서 마련되는 것 이외는, 계층(E3)과 동일하게 구성되어 있다. 계층(E1, E2)에 마련된 각 모듈에 대해서는, 기술한 바와 같이, 하측 반송 기구(61)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 계층(E4)은 계층(E3)과 동일하게 구성되고, 계층(E4)에 마련된 각 모듈에 대해서는, 기술한 바와 같이, 상측 반송 기구(62)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 계층(E5, E6)은, 전달부(3)의 설치 영역(30)이 기기 설치 영역(23)으로서 마련되는 것 이외는, 계층(E3)과 동일하게 구성되어 있다. 계층(E5, E6)에 마련된 각 모듈에 대해서는, 기술한 바와 같이, 상측 반송 기구(62)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 모듈은 웨이퍼(W)가 배치되는 장소로서 구성되는 것이며, 전달부(3)의 각 TRS, SCPL, 레지스트 도포 모듈(4), 열 처리 모듈(51)을 포함하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(100)를 구비하고 있다(도 1 참조). 이 제어부(100)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 프로그램에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 일련의 동작을 실시할 수 있도록 단계군이 짜여진다. 그리고, 당해 프로그램에 의해 제어부(100)는 기판 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 당해 각 부의 동작이 제어된다. 그에 의해, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송 및 웨이퍼(W)의 처리가 실시된다. 상기의 프로그램은, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, DVD 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(100)에 인스톨된다.
이어서, 도 5를 참조하여, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 일례에 대하여 설명한다. 도 5에서는, 배치 모듈(31)을 'TRS', 온도 조정 모듈(32)를 'SCPL', 레지스트 도포 모듈(4)을 'COT', 열 처리 모듈(51)을 'PAB'라 하고 있다.
캐리어 블록(D1)의 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 기구(17)에 의해 처리 블록(D2)의 전달부(3)의 TRS1, 또는 TRS4로 전달된다. TRS1로 반송된 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W1)'라 칭함)는, 하측의 계층(E1 ~ E3)에서 처리되는 웨이퍼이다. 또한, TRS4로 반송된 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W2)'라 칭함)는, 상측의 계층(E4 ~ E6)에서 처리되는 웨이퍼이다.
TRS1의 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(61)에 의해 전달부(3)의 SCPL1로 반송되어, 설정된 온도로 조정된다. 이어서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(61)에서, 계층(E1, E2, E3) 중 어느 하나의 레지스트 도포 모듈(4)로 반송되어, 레지스트액의 액 처리가 실시된다. 이 레지스트액의 액 처리는, 웨이퍼(W1)가 배치된 스핀 척(43)을 회전시키면서, 스핀 척(43) 상의 웨이퍼(W1)의 회전 중심에 대하여 노즐(44)로부터 레지스트액을 공급함으로써 행해진다. 웨이퍼(W1)의 대략 중심에 공급된 레지스트액은, 회전의 원심력에 의해 외방을 향해 확산되어, 웨이퍼(W1) 전면에 도포된다.
이어서, 웨이퍼(W1)는 하측 반송 기구(61)에 의해, 당해 하측 반송 기구(61)가 반송 가능한 계층의 열 처리 모듈, 예를 들면 레지스트액의 도포를 실시한 레지스트 도포 모듈(4)과 동일한 계층의 열 처리 모듈(51)로 반송된다. 여기서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(61)에 의해, 냉각 플레이트(53)를 개재하여 열판(52)으로 전달되고, 열판(52)에 의해 레지스트액 중의 용제가 휘발하는 온도 이상의 온도로 가열된다. 이 열 처리에 의해, 웨이퍼(W1)에 형성된 레지스트막 중의 용제가 휘발 제거된 후, 웨이퍼(W1)는 열판(52)으로부터 냉각 플레이트(53)로 수취되어, 냉각 플레이트(53)에 의해 온도 조정된다. 이어서, 웨이퍼(W1)는, 하측 반송 기구(61)로 전달되어, 전달부(3)의 TRS2로 반송된다. TRS2 상의 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 기구(17)에 의해 캐리어 블록(D1)의 원래의 캐리어(C)로 되돌려진다.
한편, TRS4의 웨이퍼(W2)는, 상측 반송 기구(62) → SCPL4 → 상측 반송 기구(62) → 계층(E4, E5, E6) 중 어느 하나의 레지스트 도포 모듈(4)의 경로로 반송되어, 레지스트액의 액 처리가 실시된다. 이어서, 웨이퍼(W2)는, 상측 반송 기구(62) → 열 처리 모듈(51) → 상측 반송 기구(62) → TRS3 → 제 1 반송 기구(17) → 캐리어(C)의 경로로 반송된다. 이 경로로 반송되는 열 처리 모듈(51)로서는, 상측 반송 기구(62)가 반송 가능한 계층의 열 처리 모듈(51), 예를 들면 레지스트액의 도포를 실시한 레지스트 도포 모듈(4)과 동일한 계층의 열 처리 모듈(51)이다.
이 기판 처리 장치(1)에 의하면, 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)와 처리 블록(D2)의 제 2 반송 기구(6)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 전달부(3)가 레지스트 도포 모듈(4)의 옆에 마련되어 있다. 가령 전달부(3)를, 반송로(20)의 캐리어 블록(D1)쪽의 위치에 마련했다고 하는 경우에 비해, 이 기판 처리 장치(1)에서는 반송로(20)에 전달부가 없는 만큼, 제 2 반송 기구(6)의 이동 범위를, 캐리어 블록(D1)쪽에 넓게 확보할 수 있다. 따라서, 충분한 스루풋을 확보하기 위하여 열 처리 모듈(51)을 복수 좌우로 배열하여 마련함에 있어, 그 좌우로 배열되는 열 처리 모듈(51)을 캐리어 블록(D1)측에 치우쳐 마련할 수 있다. 그에 의해, 처리 블록(D2)의 좌우 방향(Y 방향)의 길이를 작게 할 수 있기 때문에, 기판 처리 장치(1)의 점유 바닥 면적을 축소시킬 수 있다.
그리고, 상기와 같이 좌우로 배열되는 열 처리 모듈(51)을 캐리어 블록(D1)에 치우쳐 배치함에 있어, 가장 캐리어 블록(D1)쪽의 열 처리 모듈(51)과 캐리어 블록(D1)과의 사이에는 부대 설비 설치 영역(54)만을 마련하도록 하고 있다. 즉, 당해 열 처리 모듈(51)과 캐리어 블록(D1)과의 사이에는 반송 기구 및 열 처리 모듈(51) 이외의 모듈이 마련되지 않고, 열 처리 모듈(51)의 가동에 필요한 부대 설비만이 마련되도록 하고 있다. 그에 의해, 상기한 바와 같이 평면에서 봤을 때, 캐리어 블록(D1)에 가까운 열 처리 모듈(51)의 왼쪽 영역과, 전달부(3)의 오른쪽 영역이 반송로(20)를 개재하여 대향한 배치로 되어 있다. 관점을 바꾸면, 이와 같이 캐리어 블록(D1)에 가까운 열 처리 모듈(51)의 왼쪽 영역과, 전달부(3)의 오른쪽 영역이 대향하는 배치로 함으로써, 열 처리 모듈(51)의 좌우의 배열이 캐리어 블록(D1)에 근접한다. 그에 의해, 처리 블록(D2)의 좌우의 길이가 작아지도록 장치가 구성되어 있다.
또한, 보틀의 저류 영역(22)에 대해서는, 보틀과 모듈의 노즐(44)을 접속하는 배관을 짧게 하기 위하여 레지스트 도포 모듈(4)에 가까운 장치의 전방측에 마련하는 것이 바람직하다. 기판 처리 장치(1)에서는, 그와 같이 전방측에 마련되는 설정 영역(30)의 상방의 공간을 이용하여, 전달부(3)에 대하여 보틀의 저류 영역(22)이 중첩되도록 마련된다. 그에 따라, 전달부(3) 및 저류 영역(22)이 점유하는 바닥 면적의 증가가 억제되어, 장치의 전유 바닥 면적의 축소화가 보다 확실하게 이루어지도록 하고 있다. 또한 저류 영역(22)으로서는, 그 일부가 캐리어 블록(D1)의 저부에 이르고 있어도 된다.
본 개시의 기판 처리 장치(1)와 같이 점유 바닥 면적을 축소시킬 수 있는 구성은, 클린룸에 의해 많은 반도체 제조 장치(기판 처리 장치(1) 또는 그 이외의 장치)가 설치 가능하게 되기 때문에, 반도체 공장에 있어서 생산성 향상에 기여할 수 있다. 또한, 클린룸 내에서 캐리어(C)를 반송하는 외부 반송 기구는 정해진 이동 경로를 이동하지만, 점유 바닥 면적이 작은 당해 기판 처리 장치(1)는, 그 이동 경로 상에서 장치의 설치 스페이스가 작아도, 설치가 가능하다고 하는 이점이 있다.
이상에 있어서, 처리 블록(D2)에 마련되는 제 2 반송 기구는, 상술한 예에 한정되지 않고, 도 6 ~ 도 9에 나타내는 바와 같이 구성해도 된다. 이들 도 6 ~ 도 9의 구성에 있어서도, 제 2 반송 기구는 처리 블록(2)의 반송로(20)에 마련되고, 전달부(3)는, 처리 블록(D2) 내에 있어서, 반송로(20)의 전방으로서, 레지스트 도포 모듈(4)의 왼쪽에 인접하는 영역에 마련된다. 도 6에 나타내는 예는, 6 층의 계층(E1 ~ E6)에 대하여 1 대의 제 2 반송 기구(71)로 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구성이다. 이 예의 제 2 반송 기구(71)는, 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되고, 각 계층(E1 ~ E6)의 각 모듈(4, 51), 전달부(3)의 각 모듈(31, 32)로 웨이퍼(W)를 반송하도록 이동 영역이 설정된다.
또한, 도 7은, 2 대의 제 2 반송 기구를 구비하고, 일방의 반송 기구(하측 반송 기구)(721)로 2 층의 계층(E1, E2)에 대하여, 타방의 반송 기구(상측 반송 기구)(722)로 4 층의 계층(E3 ~ E6)에 대하여 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구성예이다. 하측 반송 기구(721) 및 상측 반송 기구(722)는, 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되어, 반송로(20)에 상하로 2 단으로 마련된다. 또한, 전달부(33)는, 하측 반송 기구(721)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중 가장 상층의 계층(E2)의 높이와, 상측 반송 기구(722)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 계층 중 가장 하층의 계층(E3)의 높이에 배치된다. 이 예에서는, 하측 반송 기구(721)는, 2 개의 계층(E1, E2)의 각 모듈, 및 대응하는 높이 위치의 전달부(3)의 각 모듈(31, 32)로 웨이퍼(W)를 반송하도록 이동 영역이 설정된다. 또한, 상측 반송 기구(722)는, 4 개의 계층(E3 ~ E6)의 각 모듈, 및 대응하는 높이 위치의 전달부(3)의 각 모듈(31, 32)로 웨이퍼(W)를 반송하도록 이동 영역이 설정된다.
또한 도 8에 나타내는 예는, 2 층의 계층마다 제 2 반송 기구를 구비하는 구성이다. 제 2 반송 기구는, 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되고, 반송로(20)에 있어서 상하로 3 단으로 마련된다. 이 예에서는, 하방의 반송 기구(731)로, 계층(E1, E2)의 각 모듈, 중앙의 반송 기구(732)로, 계층(E3, E4)의 각 모듈, 상방의 반송 기구(733)로, 계층(E5, E6)의 각 모듈로 각각 웨이퍼(W)를 반송하도록 각각의 이동 영역이 설정된다. 또한, 전달부(3)는, 예를 들면 상하로 나누어져 마련되고, 제 1 전달부(341)는, 반송 기구(731, 732)가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 마련된다. 또한, 제 2 전달부(342)는, 반송 기구(732, 733)가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 마련된다.
또한 도 9에 나타내는 예는, 각 계층(E1 ~ E6)마다 전용의 제 2 반송 기구를 구비하는 구성이다. 이 예에서는, 제 2 반송 기구(741 ~ 746)는, 각 계층(E1 ~ E6)의 반송로(20)에 각각 마련되고, 상하로 인접하는 계층 간에 걸쳐 이동하지 않는 것 이외는, 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성된다. 또한, 전달부(351 ~ 356)는, 각 계층(E1 ~ E6)에 대응하는 위치에 있어서, 각각의 제 2 반송 기구(741 ~ 746)가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 각각 마련된다.
이상에 예시한 바와 같이, 제 2 반송 기구에 대해서는, 처리 블록(D2)에 마련되는 각 계층에 있어서 공통화되어 있어도 되고, 공통화되어 있지 않아도 된다. 각 계층에 있어서 제 2 반송 기구가 공통화되지 않는 경우(즉, 제 2 반송 기구를 복수 마련하는 경우), 1 개의 제 2 반송 기구가 반송을 담당하는 계층의 수에 제한은 없고, 당해 계층의 수는 1 개여도 되고, 복수여도 된다. 그리고, 각 제 2 반송 기구가 반송을 담당하는 계층의 수가 동일해도 되고, 상이해도 된다. 제 2 반송 기구의 수가 적으면, 장치의 제조 코스트를 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 단, 기판 처리 장치(1)의 구성과 같이 제 2 반송 기구(6)를 복수 마련함으로써, 제 2 반송 기구(6)의 반송의 부하가 억제되기 때문에, 높은 스루풋을 얻는 관점으로부터 바람직하다. 또한, 기판 처리 장치(1)와 같이, 각 제 2 반송 기구(6)가 동일한 수의 계층의 반송을 담당하도록 함으로써, 제 2 반송 기구(6) 간에서 반송의 부하가 치우치는 것이 방지되어, 높은 스루풋을 얻을 수 있으므로 바람직하다.
이들 도 6 ~ 도 9의 구성예에 있어서, 저류 영역(22) 및 기기 설치 영역(23)에 대해서는, 전달부에 간섭하지 않도록 마련하면 되며, 전달부의 상하의 스페이스를 이용하여 마련할 수 있다. 예를 들면, 상하로 배열되는 전달부와 전달부가 이루는 스페이스, 장치의 바닥과 전달부가 이루는 스페이스, 장치의 천장과 전달부가 이루는 스페이스를 이용하여, 저류 영역(22), 기기 설치 영역(23)에 대하여 각각 복수로 분할하여 마련해도 된다. 또한, 상기의 기판 처리 장치(1)에 대해서는 처리 블록(D2)의 높이 중앙부에 전달부(3)를 배치하고, 하측 반송 기구(61), 상측 반송 기구(62)가 각각 당해 전달부에 액세스하는 구성으로 함으로써, 전달부(3)의 하측의 스페이스, 상측의 스페이스가 유효하게 이용 가능하기 때문에 유리하다. 구체적으로 상세하게 말하면, 당해 하측의 스페이스에서 상기와 같이 보틀의 저류 영역(22)을 일괄하여 설정할 수 있다. 즉 당해 하측의 스페이스에 처리액이 각각 저류된 복수의 보틀을 집약하여 둘 수 있게 되어, 장치의 유저가 당해 각 보틀의 교환 등의 작업을 행함에 있어, 보틀이 낮은 위치에 있기 때문에 그 작업이 용이하다. 또한, 전달부(3)의 상측에 비교적 넓은 스페이스가 확보되게 되어, 전장 설비의 크기가 제한되는 것이 방지된다.
또한, 처리 블록(D2)을 구성하는 계층의 적층 수는, 상술한 예에 한정되지 않고, 도 10 ~ 도 12에 나타내는 바와 같이 구성해도 된다. 이들 도 10 ~ 도 12의 구성에 있어서도, 제 2 반송 기구는 처리 블록(D2)의 반송로(20)에 마련되고, 전달부(3)는, 처리 블록(D2) 내에 있어서, 반송로(20)의 전방으로서, 레지스트 도포 모듈(4)의 왼쪽에 인접하는 위치에 마련된다. 도 10에 나타내는 예는, 계층을 5 층으로 하여, 3 층의 계층(E1, E2, E3)에 대하여 하측 반송 기구(751)로, 2 층의 계층(E4, E5)에 대하여 상측 반송 기구(752)로, 각각 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구성예이다. 반송 기구(751, 752)는 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되고, 예를 들면 전달부(36)는, 반송 기구(751, 752)가 각각 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 마련된다.
도 11에 나타내는 예는, 계층을 4 층으로 하여, 2 층의 계층(E1, E2)에 대하여 하측 반송 기구(761)로, 2 층의 계층(E3, E4)에 대하여 상측 반송 기구(762)로, 각각 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구성예이다. 반송 기구(761, 762)는 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되고, 예를 들면 전달부(37)는, 반송 기구(761, 762)가 각각 웨이퍼(W)를 반송할 수 있는 높이 위치에 마련된다.
도 12에 나타내는 예는, 계층을 3 층으로 하여, 3 층의 계층(E1, E2, E3)에 대하여 공통의 제 2 반송 기구(77)로, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 구성예이다. 반송 기구(77)는 기술한 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성되고, 예를 들면 전달부(38)는, 계층(E2)에 대응하는 높이 위치에 마련된다. 이들 도 10 ~ 도 12의 구성예에 있어서도, 전달부(3)의 하방 및 상방의 영역을, 저류 영역(22) 및 기기 설치 영역(23)의 설치 스페이스로서 이용할 수 있다.
<제 2 실시 형태>
이어서, 본 개시의 제 2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)에 대하여, 도 13의 횡단 평면도, 도 14의 종단 정면도를 참조하여 설명한다. 이 기판 처리 장치(1A)가 제 1 실시 형태와 상이한 점은, 제 2 처리 모듈과, 전달부(3)와 제 2 처리 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 제 3 반송 기구를 구비하는 것이다. 제 2 처리 모듈은, 웨이퍼(W)에 제 1 처리 모듈(열 처리 모듈(51))에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 모듈이다.
이 예에서는, 제 2 처리 모듈이, 레지스트 도포 모듈(4)에 의한 처리 전, 및 열 처리 모듈(51)에 의한 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하기 위한 검사 모듈(8)인 경우에 대하여 설명한다. 레지스트 도포 모듈(4)에 의한 처리 전의 웨이퍼(W)를 검사하기 위한 검사 모듈을 처리 전 검사 모듈(81)(WIS1)이라 한다. 또한, 열 처리 모듈(51)에 의한 처리 후의 검사를 행하는 검사 모듈을 처리 후 검사 모듈(82)(WIS2)이라 한다.
이 예에서는, 이들 처리 전 검사 모듈(81) 및 처리 후 검사 모듈(82)은, 캐리어 블록(D1)에 있어서의, 제 1 반송 기구(17)의 반송 영역(10)의 상방, 예를 들면 팬 필터 유닛(18)의 상방 위치에 상하로 적층되어 배치되어 있다. 또한, 이들 검사 모듈(81, 82)은, 평면에서 봤을 때, 상기 반송 영역(10)과 중첩되고, 또한 처리 블록(D2)의 전달부(3)와 인접하는 위치에 마련되어 있다. 검사 모듈(8)은, 후술하는 바와 같이 평면에서 봤을 때 장방형(長方形) 형상의 세로로 긴 하우징(83)을 구비하고 있고, 이 하우징(83)의 긴 변 방향이, 상기 반송 영역(10)의 제 1 반송 기구(17)의 이동 방향(X 방향)에 일치하도록 배치된다. 도 13에 있어서는, 도시의 편의상, 캐리어 블록(D1)은 처리 전 검사 모듈(81)의 상방 위치의 횡단 평면도, 처리 블록(D2)은 계층(E3)의 횡단 평면도를 각각 나타내고 있다.
또한 제 3 반송 기구(9)는, 처리 블록(D2)에 있어서, 검사 모듈(8)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 마련되고, 예를 들면 평면에서 봤을 때, 검사 모듈(8)에 인접하여, 전달부(3)의 전방에 설치된다. 이 제 3 반송 기구(9)는, 수평 이동을 행하지 않는 것 이외는, 제 1 실시 형태에 있어서의 하측 및 상측 반송 기구(61, 62)와 동일하게 구성된다.
이 예에서는, 전달부(3)에는, 도 2 및 도 3에 나타내는 TRS1 ~ TRS4, SCPL1 ~ SCPL4가 마련되고 또한, 검사 모듈(8)로 반송하는 웨이퍼(W)를 배치하는 배치 모듈(TRS11, TRS12)이 더 마련된다. TRS11는, 검사 전의 웨이퍼(W)를 배치하는 배치 모듈(검사용의 배치 모듈)이며, TRS12는, 검사 후의 웨이퍼(W)를 배치하는 모듈이다. 이들 TRS11, TRS12는, 하측 반송 기구(61) 및 상측 반송 기구(62)를 액세스할 수 있는 높이 위치에 각각 복수 마련된다. 제 3 반송 기구(9)는, 전달부(3)의 TRS11, TRS12와, 검사 모듈(81, 82)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성된다. 이 예의 기판 처리 장치(1A)는, 처리 전 및 처리 후 검사 모듈(81, 82) 및 제 3 반송 기구(9)가 마련되는 것 이외는, 제 1 실시 형태와 동일하게 구성되어 있다.
검사 모듈(8)(처리 전 및 처리 후 검사 모듈(81, 82))에 대하여, 도 15를 참조하여 설명한다. 검사 모듈(8)은, 평면에서 봤을 때 장방형 형상의 편평한 하우징(83)을 구비하고, 하우징(83)의 처리 블록(D2)에 면하는 측벽에는, 제 3 반송 기구(9)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(831)가 형성되어 있다. 하우징(83) 내에는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 배치부(84)가 마련되고, 이 배치부(84)는, 하우징(83) 내에서 도 15 중 실선으로 나타내는 대기 위치와, 일점 쇄선으로 나타내는 이동 완료 위치와의 사이에서, 이동 기구(841)에 의해 이동 가능하게 구성된다. 대기 위치는, 제 3 반송 기구(9)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다.
하우징(83) 내에 있어서, 배치부(84)에 의한 웨이퍼(W)의 이동로의 상방에는, 하우징(83) 내의 짧은 변 방향으로 연장되는 가로로 긴 하프 미러(85)와, 이 하프 미러(85)를 개재하여 하방에 광을 조사하는 조명(86)이 마련되어 있다. 도 15 중 부호(87)는, 카메라를 나타낸다. 조명(86)으로부터 하프 미러(85)의 하방의 조사 영역에 광을 조사하고, 이 조사 영역에 있어서의 물체의 반사광을 하프 미러(85)로 반사하여, 카메라(87)로 받는다. 이렇게 하여, 카메라(87)에 의해, 하프 미러(85)의 하방의 촬상 영역에 위치하는 물체를 촬상하도록 구성된다.
검사 모듈(8)에서는, 대기 위치에서 웨이퍼(W)가 전달된 배치부(84)가 이동 완료 위치를 향해 이동하는 사이에, 카메라(87)가 간헐적으로 촬상을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 촬상되어, 화상 데이터가 취득된다. 이 화상 데이터는 카메라(87)로부터 제어부(100)로 송신되고, 제어부(100)에 의해 화상 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 또한, 이동 완료 위치로 이동한 배치부(84)는, 제 3 반송 기구(9)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 대기 위치로 이동한다.
이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 일례에 대하여 설명한다. 캐리어 블록(D1)의 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 기구(17) → 전달부(3)의 TRS11 → 제 3 반송 기구(9) → 처리 전 검사 모듈(81)로 반송되어, 기술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 처리 전 검사 모듈(81)에 있어서의 표면의 검사란, 예를 들면 웨이퍼(W)의 흠집의 유무의 검사이다.
이어서, 검사 후의 웨이퍼(W)는, 제 3 반송 기구(9) → 전달부(3)의 TRS12 → 제 2 반송 기구(6)(61, 62) → 전달부(3)의 SCPL → 제 2 반송 기구(6) → 레지스트 도포 모듈(4) → 제 2 반송 기구(6) → 열 처리 모듈(51) → 제 2 반송 기구(6) → 전달부(3)의 SCPL의 경로로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 기구(6) → 전달부(3)의 TRS11 → 제 3 반송 기구(9) → 처리 후 검사 모듈(82)의 경로로 반송되어, 기술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 처리 후 검사 모듈(82)에 있어서의 표면의 검사란, 예를 들면 웨이퍼에 형성된 레지스트막의 결함의 검사이다. 그리고, 검사 후의 웨이퍼(W)는, 제 3 반송 기구(9) → 전달부(3)의 TRS12 → 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)의 경로로 반송되어, 예를 들면 원래의 캐리어로 되돌려진다.
이 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1A)에, 검사 모듈(8)을, 캐리어 블록(D1)의 제 1 반송 기구(17)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역(10)과 평면에서 봤을 때 중첩되도록, 반송 영역(10)의 상방에 마련하고 있다. 즉, 평면에서 봤을 때 장방형 형상의 검사 모듈(8)의 긴 변 방향과 반송 영역(10)에 있어서의 제 1 반송 기구(17)의 이동 방향이 일치하도록 마련하고 있다. 이 때문에, 세로로 긴 검사 모듈(8)을 설치함에 있어, 기판 처리 장치(1A)의 좌우 방향의 증대를 억제하여, 점유 바닥 면적의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 전달부(3)와 검사 모듈(8)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 제 3 반송 기구(9)를 구비하고 있으므로, 검사 모듈(8)로의 웨이퍼(W)의 반송은, 제 1 반송 기구(17) 및 제 2 반송 기구(6)에 의한 웨이퍼(W)의 반송과는 독립하여 행할 수 있다. 이 때문에, 검사 모듈(8)을 설치하는 경우라도, 제 2 반송 기구의 반송 부하의 증대를 억제하여, 반송 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
또한 이 예에서는, 검사 모듈(8)은 팬 필터 유닛(18)의 상방에 마련되고, 열 처리 모듈(51)과 이격되어 있다. 따라서, 카메라(87) 등의 광학적 부재를 구비한 검사 모듈(8)에 대하여, 열 처리 모듈(51)로부터의 열 영향을 억제할 수 있어, 정밀도가 높은 검사를 안정적으로 실시할 수 있다. 또한, 검사 모듈(8)을 캐리어 블록(D1)에 마련하고 있으므로, 기판 처리 장치(1A)로 반입된 직후의 웨이퍼(W), 및 기판 처리 장치(1A)로부터 반출되기 직전의 웨이퍼(W)에 대하여 검사를 실시할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(1A)로의 반입 전에 웨이퍼(W)에 이상이 일어나고 있는 경우에는, 기판 처리 장치(1A)의 외부에서 발생한 이상인 것을 정밀도 높게 특정할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1A) 내의 처리 및 반송에 이상이 발생한 경우에는, 당해 이상을 확실하게 검출할 수 있다.
또한 캐리어 블록(D1)의 상방에 검사 모듈(8)을 마련함으로써, 캐리어 블록(D1)의 비어 있는 스페이스를 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 캐리어 블록(D1)의 상방에는 다른 모듈이 설치되어 있지 않은 것으로부터, 작업자에 의한 메인터넌스 작업을 용이하게 실시할 수 있다고 하는 이점도 있다.
<제 3 실시 형태>
이어서, 본 개시의 기판 처리 장치의 제 3 실시 형태에 대하여, 도 16의 횡단 평면도, 도 17의 종단 정면도를 참조하여 설명한다. 이 기판 처리 장치(1B)는, 검사 모듈(8)을, 기판 처리 장치(1B)가 마련되는 바닥으로부터 이격되어, 기판 처리 장치(1B)의 전방으로 돌출되는 돌출부(19)를 형성하도록, 레지스트 도포 모듈(4)보다 전방측에 마련하는 구성예이다. 이 예에서는, 처리 전 검사 모듈(81) 및 처리 후 검사 모듈(82)은, 처리 블록(D2)에 있어서의, 전달부(3)의 상단부 부근의 높이로 팬 필터 유닛(18)의 하방 근방의 높이에 상하로 적층되어 배치되어 있다. 이들 검사 모듈(81, 82)의 배치 위치는, 평면에서 봤을 때, 처리 블록(D2)의 전달부(3)의 설치 영역(30)의 근방으로써, 기판 처리 장치(1B)의 정면벽의 전방이다. 이렇게 하여, 기판 처리 장치(1B)의 전방의 상방에는, 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)에 걸치도록 돌출부(19)가 형성되게 된다. 또한 도 16은, 도시의 편의상, 처리 블록(D2)은 계층(E3)의 횡단 평면도이며, 돌출부(19)만 검사 모듈(81, 82)의 상방 위치의 횡단 평면도이다.
제 3 반송 기구(9)는, 처리 블록(D2)에 있어서, 검사 모듈(8)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 예를 들면 평면에서 봤을 때, 전달부(3)의 전방의 영역에 마련되어 있다. 또한, 예를 들면 전달부(3)에는, 상술한 배치 모듈(31), 온도 조정 모듈(32)에 더하여, 검사용의 배치 모듈(TRS11, TRS12)이, 하측 반송 기구(61)와 상측 반송 기구(62)가 각각 액세스할 수 있는 높이 위치에 마련된다. 그리고, 제 3 반송 기구(9)는, 전달부(3)의 TRS11, TRS12와, 처리 전 및 처리 후 검사 모듈(81, 82)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록, 제 2 실시 형태와 동일하게 구성된다. 처리 전 및 처리 후 검사 모듈(81, 82)은 제 2 실시 형태와 동일하게 구성되고, 하우징(83)의 처리 블록(D2)에 면하는 측벽에는, 제 3 반송 기구(9)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구가 형성된다. 이 예의 기판 처리 장치(1B)는, 처리 전 및 처리 후 검사 모듈(81, 82) 및 제 3 반송 기구(9)가 마련되는 것 이외는, 제 1 실시 형태와 동일하게 구성되어 있다.
이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 일례에 대하여 설명한다. 캐리어 블록(D1)의 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 기구(17) → TRS11 → 제 3 반송 기구(9) → 처리 전 검사 모듈(81)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 이어서, 검사 후의 웨이퍼(W)는, 제 3 반송 기구(9) → TRS12 → 제 2 반송 기구(6) → SCPL → 제 2 반송 기구(6) → 레지스트 도포 모듈(4)의 경로로 반송되어, 레지스트막이 형성된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 기구(6) → 열 처리 모듈(51) → 제 2 반송 기구(6) → SCPL → 제 2 반송 기구(6) → TRS11로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 제 3 반송 기구(9) → 처리 후 검사 모듈(82)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면의 검사가 행해진다. 그리고, 검사 후의 웨이퍼(W)는, 제 3 반송 기구(9) → TRS12 → 제 1 반송 기구(17) → 캐리어(C)의 경로로 반송된다.
이 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1B)에, 검사 모듈(8)을, 기판 처리 장치(1B)가 마련되는 바닥으로부터 이격되어, 기판 처리 장치(1B)의 전방으로 돌출되는 돌출부(19)를 형성하도록 마련하고 있다. 이와 같이, 검사 모듈(8)을 바닥으로부터 이격시켜 마련하고 있기 때문에, 평면에서 봤을 때 장방형 형상의 세로로 긴 검사 모듈(8)을 설치함에 있어, 점유 바닥 면적의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 전달부(3)와 검사 모듈(8)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 3 반송 기구(9)를 마련하고 있으므로, 검사 모듈(8)을 마련한 것에 의한 반송의 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
또한 이 예에서는, 검사 모듈(8)은, 레지스트 도포 모듈(4)의 전방에 마련되고, 열 처리 모듈(51)과 이격되어 있다. 따라서, 검사 모듈(8)에 대한 열 처리 모듈(51)로부터의 열 영향을 억제할 수 있다. 또한, 검사 모듈(8)을 캐리어 블록(D1) 근방에 마련하고 있으므로, 기판 처리 장치(1B)로 반입된 직후의 웨이퍼(W), 및 기판 처리 장치(1B)로부터 반출되기 직전의 웨이퍼(W)에 대하여 검사를 실시할 수 있어, 기술한 이점이 얻어진다. 또한 검사 모듈(8)은, 팬 필터 유닛(18)의 바로 하방의 높이 위치에 돌출되도록 마련되어 있는 것으로부터, 작업자의 통행의 방해가 되지 않아, 작업자에 의한 메인터넌스 작업을 용이하게 실시할 수 있다고 하는 이점도 있다. 보충 설명하면, 검사 모듈(8)의 높이에 대해서는, 그와 같이 작업자에게 있어 적절한 스페이스가 확보되면 되며, 예를 들면 처리 블록(D2)을 구성하는 계층 중 상방측의 계층의 높이에 마련하는 것이 바람직하다. 여기서 말하는 상방측의 계층은, 계층의 수를 2로 나누어 단수(端數)가 나온 경우에는 버리고 상방측으로부터 센 계층의 높이이다. 즉, 계층 수가 6인 경우에는 위로부터 3 개의 어느 하나의 계층의 높이, 계층 수가 5인 경우에는 위로부터 2 개의 어느 하나의 계층의 높이에 마련하는 것이 바람직하다.
또한 설명 및 도시를 간략화하기 위하여 각 실시 형태의 반송 경로에 있어서, 동일한 번호를 붙인 TRS를 복수 회 경유하여 반송되도록 나타냈지만, 보다 상세하게는, 이 TRS에 포함되는 복수의 배치부를 차례로 경유하여 반송되고, 동일한 배치부는 경유하지 않고 반송된다. 구체적으로 예를 들면 제 2 실시 형태 및 제 3 실시 형태에서 처리 전의 웨이퍼(W), 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 모두 TRS11로 반송되는 것으로서 기술했지만, 처리 전의 웨이퍼(W), 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 TRS11를 구성하는 서로 상이한 배치부로 반송된다. SCPL에 대해서도 동일하며, 반송 경로에 있어서 웨이퍼(W)는 SCPL을 구성하는 서로 상이한 배치부로 차례로 반송된다.
또한, 제 2 실시 형태 및 제 3 실시 형태에서는, 제어부(100)에 의한 웨이퍼(W)의 검사 결과(이상의 유무의 판정 결과)에 따라, 당해 제어부(100)가 후속의 웨이퍼(W)의 반송을 속행할지 여부를 결정하도록 해도 된다. 즉, 이상 있음이라 판정된 경우에, 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송이 정지되도록 제어 신호가 출력되어도 된다. 또한, 전달부(3)에, 검사에서 이상이 있다고 판정된 웨이퍼(W)를 배치하는 배치부를 마련하고, 이러한 웨이퍼(W)는 제 3 반송 기구에 의해 당해 배치부로 반송하는 지령을 출력하도록 구성해도 된다. 이러한 반송의 변경, 정지를 행하지 않고, 이상이 있던 웨이퍼(W)에 대하여 화면 표시 등으로 유저에 알리는 것 뿐이어도 된다.
이상에 있어서, 처리 블록을 구성하는 계층은, 적어도 액 처리 모듈을 포함하는 것이면 되며, 제 1 처리 모듈은, 제 2 반송 기구가 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으면, 2 개의 계층에 걸치는 높이 위치에 마련하도록 해도 된다. 또한, 제 2 반송 기구가 복수 계층의 반송을 담당하는 경우, 제 1 처리 모듈이 설치되지 않는 계층이 있어도 된다. 상기의 예에서는 제 1 처리 모듈인 열 처리 모듈(51)이 각 계층에 마련되기 때문에, 열 처리 모듈(51)의 일부와 전달부(3)의 일부가 대향하지만, 열 처리 모듈(51)이 마련되지 않는 계층에 전달부(3)가 있어도 된다. 즉, 열 처리 모듈(51)의 왼쪽 영역과 전달부(3)의 오른쪽 영역이 대향하지 않고, 그들 왼쪽 영역과 오른쪽 영역과의 좌우의 위치가 동일하다고 하는 위치 관계여도 된다. 또한, 각 계층에 마련되는 액 처리 모듈은, 상술한 예에 한정되지 않고, 복수 개의 컵(42)이 좌우 방향으로 배열되는 구성이어도 된다. 단, 컵(42)을 1 개만 마련하는 구성이면, 처리 블록(D2)의 좌우 방향의 길이의 저감에 기여할 수 있다. 또한, 제 1 처리 모듈의 설치 개수는 상술한 예에 한정하지 않고, 1 개의 계층에 있어서, 처리 모듈을 적층하여 마련하도록 해도 된다.
또한, 제 1 처리 모듈의 설치 개수는, 1 개의 계층에 3 개인 것에는 한정되지 않고, 복수의 계층에서 서로 동일할 필요도 없고, 계층마다 제 1 처리 모듈의 개수가 상이해도 된다. 이 경우, 제 1 처리 모듈의 좌우 방향의 설치 위치에 대해서도 모든 계층에 있어서 동일할 필요는 없고, 제 1 처리 모듈의 설치 개수에 의해, 이들 좌우 방향의 설치 개소가 계층마다 차이가 있어도 된다. 또한, 처리 블록(D2)을 구성하는 계층의 적층 수는 7 층 또는 8 층이어도 되며, 예시한 적층 수에 한정되지 않는다.
또한, 액 처리 모듈은, 반사 방지막 형성용의 액 처리, 또는 보호막 형성용의 액 처리를 행하는 모듈이어도 되고, 현상액을 처리액으로서 웨이퍼(W)에 현상 처리를 실시하는 현상 모듈이어도 된다. 그 외, 절연막을 형성하기 위한 처리액(약액)을 도포하는 모듈이거나, 웨이퍼(W)를 붙이기 위한 접착재를 공급하는 모듈이거나, 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하여 세정하는 세정 모듈이어도 된다. 또한, 상기의 보호막이란, 액침 노광 시에 레지스트막을 보호하기 위하여 형성되는 막이다.
또한 상기의 현상 모듈을 마련하는 경우, 제 1 처리 모듈로서, 현상 처리 전에 웨이퍼(W)의 가열 처리(PEB : Post exposure bake)를 행하는 열 처리 모듈이 예시된다. 즉, 처리 블록(D2)에 있어서 열 처리 모듈 → 현상 모듈의 순으로 웨이퍼(W)가 반송되어도 된다. 따라서, 제 1 처리 모듈로서는, 액 처리 모듈 뒤에 웨이퍼(W)를 처리하는 모듈인 것에 한정되지 않고, 또한, 액 처리 모듈로서는, 도포막을 형성하는 모듈인 것에 한정되지 않는다. 또한, 제 1 처리 모듈로서 웨이퍼(W)에 가스를 공급하여, 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 모듈로서 구성해도 된다. 예를 들면 제 1 처리 모듈로서 소수화 처리 모듈, 액 처리 모듈로서 반사 방지막 형성 모듈을 마련하고, 소수화 처리 모듈 → 반사 방지막 형성 모듈의 순으로 반송해도 된다. 따라서, 제 1 처리 모듈로서, 단순히 웨이퍼(W)를 가열하는 모듈인 것에 한정되지 않는다.
또한, 기판 처리 장치(1) 등에서는, 하측 반송 기구(61)와 상측 반송 기구(62)가 독립하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉 계층(E1 ~ E3)과, 계층(E4 ~ E6)에서 서로 독립하여 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 때문에, 계층(E1 ~ E3)에서 행해지는 처리와, 계층(E4 ~ E6)에서 행해지는 처리가 상이하도록 해도 된다. 예를 들면 계층(E1 ~ E3)에서는 레지스트 도포, PAB를 행하고, 계층(E4 ~ E6)에서는 PEB, 현상을 행하도록, 하측의 계층과, 상측의 계층에서 배치되는 모듈이 상이해도 된다.
또한, 전달부(3)의 구성은 상술한 예에 한정되지 않고, 배치 모듈(TRS)(31), 온도 조정 모듈(SCPL)(32)의 설치 수는 적절히 선택 가능하다. 그런데, 상기한 검사 모듈(8)에 대하여, 전달부(3)에, 검사 모듈(8)을 배치 모듈(31) 및 온도 조정 모듈(32)에 대하여 적층하여 마련해도 된다. 이 경우, 검사 모듈(8)은 제 1 반송 기구(17)의 반송 영역(10) 및 제 2 반송 기구(6)의 반송로(20)에 면하도록 마련되고, 검사 모듈(8)의 배치부(84)에 대하여, 제 2 반송 기구(6)가 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 구성된다. 단, 검사 모듈(8)에 대해서는 도 13, 도 16 등에서 설명한 바와 같이 제 3 반송 기구(9)를 마련하여 당해 제 3 반송 기구(9)를 액세스할 수 있는 위치에 마련함으로써, 상기한 제 2 반송 기구(6)의 부하의 저감 효과가 얻어지는 것 외에, 배치 모듈(31), 온도 조정 모듈(32)의 설치 스페이스를 크게 할 수 있어 바람직하다. 즉, 검사 모듈(8)에 대해서는 배치 모듈(31) 및 온도 조정 모듈(32)에 중첩하지 않고 마련함으로써, 그 만큼, 이들 모듈의 설치 수를 많게 하고, 그에 따라 장치의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
그런데, 상기한 바와 같이 검사 모듈(8)은 반송 영역(10) 및 반송로(20)에 면하여 마련할 수 있으므로, 검사 모듈(8)을 전달부(3)로서 구성해도 된다. 따라서, 제 2 반송 기구(6) 외에, 제 1 반송 기구(17)도 검사 모듈(8)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하도록 한다. 그리고, 당해 검사 모듈(8)을 개재함으로써, 웨이퍼(W)가 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)과의 사이에서 반송되어, 처리 블록(D2)에 있어서의 액 처리 모듈, 열 처리 모듈으로의 전달의 전후에서 배치 모듈(31) 및 온도 조정 모듈(32)로 웨이퍼(W)가 반송되도록 해도 된다.
또한, 본 개시의 전달부(3)는, 배치 모듈(31), 온도 조정 모듈(32), 검사 모듈(8)의 모듈 중, 적어도 1 개를 마련하는 구성이면 된다. 따라서, 제 1 반송 기구(17) → 전달부(3)의 온도 조정 모듈(32) → 제 2 반송 기구(6) → 처리 블록(D2) 내의 처리 모듈(액 처리 모듈 및 제 1 처리 모듈) → 전달부(3)의 온도 조정 모듈(32) → 제 1 반송 기구(17)의 경로로 반송해도 된다. 전달부(3)로서 검사 모듈(8)을 마련하는 경우에는, 이 반송 경로에 있어서, 온도 조정 모듈(32) 대신에 검사 모듈(8)로 반송되게 된다. 이와 같이 전달부(3)에 대해서는 웨이퍼(W)가 임시 배치되어, 제 1 반송 기구(17)와, 제 2 반송 기구(6)가 각각 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있는 것이면 된다.
또한, 보충 설명하면 TRS 및 SCPL로서는, 플레이트가 상하로 다단으로 마련된 구성으로 할 수 있다. 그리고, 플레이트의 외형을 반송 기구의 형상에 대응하는 형상으로 하거나, 플레이트의 표면에 반송 기구의 형상에 대응하는 홈을 형성하거나 함으로써, 각 반송 기구가 당해 플레이트의 표면에 대하여 승강 가능하고, 플레이트에 대하여 웨이퍼(W)가 전달 가능하도록 하면 된다. 검사 모듈(8)에 대해서도 전달부(3)로서 이용하는 경우는, 검사 모듈(8) 내의 배치부(84)를 그러한 플레이트와 동일하게 구성하면 된다. 또한, SCPL에 대해서는 당해 플레이트에 냉매 유로를 접속하고, 냉각되는 구성으로 한다. 또한, TRS에 대해서는 횡방향으로 배열된 복수의 핀이, 상하로 다단으로 마련되고, 각 단의 핀에 대하여 반송 기구가 승강하고, 당해 각 단의 핀에 대하여 웨이퍼(W)가 각각 배치되는 구성으로 해도 된다.
또한, 제 2 처리 모듈은 검사 모듈인 것에는 한정되지 않고, 예를 들면 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성한 후에, 자외선을 조사하여 큐어 처리를 실시하는 처리 모듈이어도 된다. 이 처리 모듈은, 예를 들면 도 15에 나타내는 검사 모듈(8)에 있어서, 카메라를 구비하지 않고, 하프 미러(85) 및 조명(86)의 위치에, 이들 대신에 자외선 조사부를 마련하여 구성된다. 그리고, 자외선 조사부로부터 하방을 향해 자외선을 조사하면서, 웨이퍼(W)가 배치된 배치부(84)를 대기 영역으로부터 이동 완료 위치까지 이동시켜, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 자외선을 조사함으로써 큐어 처리가 실시된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 제 2 반송 기구(6)의 반송로(20)의 전방에 제 1 처리 모듈(51)을 배치하고, 상기 반송로(20)의 후방에 전달부(3) 및 액 모듈(4)을 배열하여 배치해도 된다. 또한, 반드시 처리 전 검사 모듈(81) 및 처리 후 검사 모듈(82)을 양방 구비할 필요는 없으며, 어느 일방의 검사 모듈을 구비하는 구성이면 된다.
금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.

Claims (15)

  1. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수의 상기 기판이 수용되는 용기가 배치되는 용기 배치부와, 상기 용기에 대하여 상기 기판을 전달하는 제 1 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록과,
    상기 처리 블록에서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로와,
    상기 반송로에 대한 전후의 일방에서 상기 액 처리 모듈이 종방향으로 열을 이루도록, 상기 처리 블록을 구성하고 또한 상기 액 처리 모듈을 각각 포함하는 복수의 계층과,
    상기 반송로에 대한 전후의 타방에서 종방향으로 복수 마련되고, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 제 1 처리 모듈과,
    상기 반송로를 이동하여, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 2 반송 기구와,
    상기 처리 블록에서 상기 반송로에 대하여 전후의 일방 또한 상기 액 처리 모듈의 열에 대하여 좌우의 일방에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 기판이 배치되는 전달부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈은 좌우로 복수 배열되어 마련되고,
    좌우의 가장 일방측에 위치하는 상기 제 1 처리 모듈에 있어서의 상기 좌우의 일방측의 부위와, 상기 전달부에 있어서의 좌우의 타방측의 부위에 대하여, 좌우의 위치가 동일한 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 좌우의 가장 일방측에 위치하는 제 1 처리 모듈에 있어서의 상기 좌우의 일방측의 부위와, 상기 전달부에 있어서의 좌우의 타방측의 부위가, 서로 대향하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리와는 상이한 처리를 행하는 제 2 처리 모듈과,
    상기 전달부에 대하여 전후의 일방에 마련되어, 상기 전달부와 제 2 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 전달하는 제 3 반송 기구
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 반송 블록에는, 상기 제 1 반송 기구에 의한 상기 기판의 반송 영역을 향해 상방으로부터 가스를 공급하는 가스 공급부가 마련되고,
    상기 제 2 처리 모듈은, 평면에서 봤을 때 상기 반송 영역과 중첩되고 또한, 상기 기판 반송 블록에 있어서의 상기 가스 공급부보다 상방 위치에 마련되는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 상기 액 처리 모듈보다 전후의 일방측에 마련되고, 상기 기판 처리 장치가 마련되는 바닥으로부터 떠 상기 전후의 일방측으로 돌출되는 돌출부를 형성하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 상기 액 처리 모듈 및 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리 전 혹은 처리 후의 상기 기판을 검사하기 위한 검사 모듈인 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반송 기구는,
    상기 복수의 계층 중 하측의 계층의 상기 액 처리 모듈과, 상기 하측의 계층에 있어서의 높이의 상기 제 1 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 하측 반송 기구와,
    상기 복수의 계층 중 상측의 계층의 상기 액 처리 모듈과, 상기 상측의 계층에 있어서의 높이의 상기 제 1 처리 모듈에 대하여 상기 기판을 전달하는 상측 반송 기구
    를 포함하는 기판 처리 장치
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하측의 계층 및 상기 상측의 계층은, 각각 복수의 계층에 의해 구성되고,
    상기 전달부는, 상기 하측 반송 기구에 의해 상기 기판이 반송되는 계층 중 가장 상측의 계층의 높이와, 상측 반송 기구에 의해 상기 기판이 반송되는 계층 중 가장 하측의 계층의 높이에 각각 마련되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하측의 계층 및 상기 상측의 계층은, 각각 3 개의 계층에 의해 구성되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달부는,
    상기 각 액 처리 모듈에서 상기 기판에 공급되는 처리액이 저류되는 저류 영역에, 평면에서 봤을 때 중첩되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 계층의 액 처리 모듈은, 상기 기판을 둘러싸서 처리하기 위한 컵을 각각 1 개만 구비하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달부는, 상기 액 처리 모듈 및 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리 전에 기판의 온도를 조정하는 온도 조정 기능을 가지거나, 혹은 상기 액 처리 모듈 및 상기 제 1 처리 모듈에 의한 처리 전 혹은 처리 후의 상기 기판을 검사하기 위한 검사 모듈인 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈은,
    상기 기판을 가열하는 열 처리 모듈인 기판 처리 장치.
  15. 기판을 각각 액 처리하는 복수의 액 처리 모듈이 마련되는 처리 블록을 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 처리 블록에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 기판 반송 블록에 마련되는 용기 배치부에 복수의 상기 기판이 수용되는 용기를 배치하는 공정과,
    상기 기판 반송 블록에 마련되는 제 1 반송 기구에 의해, 상기 용기에 대하여 상기 기판을 전달하는 공정과,
    상기 처리 블록을 구성하는 계층에 각각 포함되고, 상기 처리 블록에 있어서 좌우로 연장되는 상기 기판의 반송로에 대한 전후의 일방에서 종방향으로 열을 이루도록 마련되는 상기 복수의 액 처리 모듈에서 각각 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 반송로에 대한 전후의 타방에서 종방향으로 복수 마련되는 제 1 처리 모듈에 있어서, 상기 액 처리 모듈의 처리 전 또는 후에 상기 기판의 처리를 행하는 공정과,
    상기 반송로를 이동하는 제 2 반송 기구에 의해, 상기 액 처리 모듈과 상기 제 1 처리 모듈과의 사이에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 제 1 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여, 상기 처리 블록에서 상기 반송로에 대하여 전후의 일방 또한 상기 액 처리 모듈의 열에 대하여 좌우의 일방에 마련되는 전달부에 상기 기판을 배치하는 공정
    을 구비하는 기판 처리 방법.
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