JP7190979B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。
特許文献１は、塗布現像装置（１）を開示する。塗布現像装置（１）は、キャリアブロック（Ｓ１）と処理ブロック（Ｓ２）を備える。キャリアブロック（Ｓ１）は、載置台（１１）と受け渡しアーム（１３）を備える。載置台（１１）はキャリア（Ｃ）を載置する。受け渡しアーム（１３）はウエハ（Ｗ）を搬送する。
処理ブロック（Ｓ２）は、６つの単位ブロック（Ｂ１－Ｂ６）を備える。単位ブロック（Ｂ１－Ｂ６）のそれぞれは、メインアーム（Ａ１－Ａ６）と液処理モジュールと加熱モジュールを備える。メインアーム（Ａ１－Ａ６）はそれぞれ、液処理モジュールと加熱モジュールにウエハ（Ｗ）を搬送する。
処理ブロック（Ｓ２）は、棚ユニット（Ｕ７）を備える。棚ユニット（Ｕ７）は、複数のモジュールを備える。モジュール（ＢＵ１、ＣＰＬ０）は、受け渡しアーム（１３）がアクセスできる高さ位置に配置される。モジュール（ＣＰＬ１－ＣＰＬ３）は、メインアーム（Ａ１）がアクセスできる高さ位置に配置される。モジュール（ＣＰＬ７－ＣＰＬ８）は、メインアーム（Ａ３）がアクセスできる高さ位置に配置される。モジュール（ＣＰＬ１４－ＣＰＬ１５）は、メインアーム（Ａ６）がアクセスできる高さ位置に配置される。
処理ブロック（Ｓ２）は、受け渡しアーム（３０）を備える。受け渡しアーム（３０）は、棚ユニット（Ｕ７）の各モジュールの間でウエハ（Ｗ）を搬送する。
塗布現像装置（１）は、例えば、次のように動作する。受け渡しアーム（１３）は、キャリア（Ｃ）からモジュール（ＢＵ１）にウエハ（Ｗ）を搬送する。受け渡しアーム（３０）は、モジュール（ＢＵ１）からモジュール（ＣＰＬ１）にウエハ（Ｗ）を搬送する。メインアーム（Ａ１）は、モジュール（ＣＰＬ１）から単位ブロック（Ｂ１）の液処理モジュールと加熱モジュールに搬送する。その後、メインアーム（Ａ１）は、モジュール（ＣＰＬ３）にウエハ（Ｗ）を搬送する。受け渡しアーム（３０）は、モジュール（ＣＰＬ３）からモジュール（ＣＰＬ７）にウエハ（Ｗ）を搬送する。メインアーム（Ａ３）は、モジュール（ＣＰＬ７）から単位ブロック（Ｂ３）の液処理モジュールと加熱モジュールに搬送する。ウエハ（Ｗ）は、さらに、単位ブロック（Ｂ５）等に搬送された後、ウエハ（Ｗ）は、モジュール（ＣＰＬ１５）に搬送される。受け渡しアーム（３０）は、モジュール（ＣＰＬ１５）からモジュール（ＣＰＬ０）にウエハ（Ｗ）を搬送する。受け渡しアーム（１３）は、モジュール（ＣＰＬ０）からキャリア（Ｃ）にウエハ（Ｗ）を搬送する。
特開２０１２－３３８６３号公報
しかしながら、特許文献１に示される塗布現像装置（１）は、次のような問題を有する。受け渡しアーム（１３）は、モジュール（ＢＵ１、ＣＰＬ０）にアクセスする。しかし、メインアーム（Ａ１－Ａ５）はそれぞれ、モジュール（ＢＵ１、ＣＰＬ０）にアクセスできない。よって、受け渡しアーム（１３）がモジュール（ＢＵ１）に載置したウエハ（Ｗ）を、メインアーム（Ａ１－Ａ５）は直接的に取ることができない。メインアーム（Ａ１－Ａ５）が棚ユニット（Ｕ７）のモジュールに載置したウエハ（Ｗ）を、受け渡しアーム（１３）は直接的に取ることはできない。このため、受け渡しアーム（１３）とメインアーム（Ａ１－Ａ５）との間でウエハ（Ｗ）を受け渡すために、棚ユニット（Ｕ７）のモジュールの間でウエハ（Ｗ）を搬送する必要がある。このため、受け渡しアーム（１３）とメインアーム（Ａ１－Ａ５）との間でウエハ（Ｗ）を効率良く搬送できない。したがって、塗布現像装置（１）のスループットをさらに向上させることは困難である。
メインアーム（Ａ１）は、モジュール（ＣＰＬ１－ＣＰＬ３）にアクセスする。しかし、他のメインアーム（Ａ２－Ａ５）は、モジュール（ＣＰＬ１－ＣＰＬ３）にアクセスできない。よって、メインアーム（Ａ１）と他のメインアーム（Ａ２－Ａ５）との間でウエハ（Ｗ）を搬送するために、棚ユニット（Ｕ７）のモジュールの間でウエハ（Ｗ）を搬送する必要がある。このため、専ら棚ユニット（Ｕ７）の各モジュールの間でウエハ（Ｗ）を搬送する受け渡しアーム（３０）を設ける必要がある。したがって、塗布現像装置（１）のフットプリント（設置面積）は大きい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理装置のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置のスループットを向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、インデクサ部と、上下方向に並ぶように配置される複数の階層と、前記インデクサ部と前記階層を制御する制御部と、を備え、前記階層のそれぞれは、基板が載置される第１載置部と、基板を処理する処理部と、前記第１載置部と前記処理部に基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記インデクサ部は、キャリアを載置するキャリア載置部と、前記キャリア載置部に載置される前記キャリアと前記第１載置部との間で基板を搬送する搬送部と、を備え、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記キャリア載置部に載置される前記キャリアから前記第１載置部に基板を搬送する供給動作、および、前記第１載置部から前記キャリア載置部に載置される前記キャリアに基板を搬送する回収動作の少なくともいずれかを行う第１搬送機構と、を備え、前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、さらに、異なる前記階層に設けられる２つの前記第１載置部の間で基板を搬送する層間搬送動作を行う基板処理装置である。
インデクサ部の第１搬送機構は、供給動作および回収動作の少なくともいずれか１つを行う。インデクサ部の第１搬送機構が供給動作を行う場合、インデクサ部の第１搬送機構が第１載置部に載置した基板を、主搬送機構が直接的に取ることができる。よって、インデクサ部の第１搬送機構と主搬送機構との間で、基板を効率良く搬送できる。このため、基板処理装置のスループットを好適に向上できる。インデクサ部の第１搬送機構が回収動作を行う場合、主搬送機構が第１載置部に載置した基板を、インデクサ部の第１搬送機構が直接的に取ることができる。よって、インデクサ部の第１搬送機構と主搬送機構との間で、基板を効率良く搬送できる。このため、基板処理装置のスループットを好適に向上できる。
インデクサ部の第１搬送機構は、さらに、層間搬送動作を行う。よって、専ら異なる２つの階層の間で基板を搬送する搬送機構（例えば、特許文献１の受け渡しアーム（３０））を、別途設けなくてもよい。したがって、基板処理装置のフットプリント（設置面積）を好適に低減できる。
以上の通り、上述した基板処理装置によれば、基板処理装置のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
上述した基板処理装置において、１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に第１処理を行い、他の１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に前記第１処理とは異なる第２処理を行い、前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部と、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部との間で基板を搬送することが好ましい。第１処理および第２処理を基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理は、露光処理の前に行われる第１露光前処理を含み、前記第２処理は、露光処理の前に行われる、第１露光前処理とは異なる第２露光前処理を含むことが好ましい。第１露光前処理と第２露光前処理を基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理は、第１液処理を含み、前記第２処理は、第１液処理とは異なる第２液処理を含むことが好ましい。第１液処理と第２液処理を基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成処理、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、基板上のレジスト膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成処理、基板を現像する現像処理および基板を洗浄する洗浄処理の一部を含み、前記第２処理は、前記反射防止膜形成処理、前記レジスト膜形成処理、前記保護膜形成処理、前記現像処理および前記洗浄処理の他の一部を含むことが好ましい。言い換えれば、上述した基板処理装置において、前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成処理、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、基板上のレジスト膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成処理、基板を現像する現像処理および基板を洗浄する洗浄処理の１つ以上かつ４つ以下を含み、前記第２処理は、前記反射防止膜形成処理、前記レジスト膜形成処理、前記保護膜形成処理、前記現像処理および前記洗浄処理の１つ以上かつ４つ以下を含み、前記第１処理が前記反射防止膜形成処理を含むとき、前記第２処理は前記反射防止膜形成処理を含まず、前記第１処理が前記レジスト膜形成処理を含むとき、前記第２処理は前記レジスト膜形成処理を含まず、前記第１処理が前記保護膜形成処理を含むとき、前記第２処理は前記保護膜形成処理を含まず、前記第１処理が前記現像処理を含むとき、前記第２処理は前記現像処理を含まず、前記第１処理が前記洗浄処理を含むとき、前記第２処理は前記洗浄処理を含まないことが好ましい。例えば、第１処理は反射防止膜処理を含み、第２処理はレジスト膜形成処理を含んでもよい。これによれば、反射防止膜処理、および、レジスト膜形成処理を基板に効率良く行うことができる。例えば、第１処理は反射防止膜処理、レジスト膜形成処理、および、保護膜形成処理を含み、第２処理は現像処理を含んでもよい。これによれば、反射防止膜処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理、および、現像処理を基板に効率良く行うことができる。このように、反射防止膜処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理、現像処理および洗浄処理の少なくとも２つ以上を、基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する処理を含み、前記第２処理は、基板にレジスト膜を形成する処理を含み、前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送することが好ましい。反射防止膜形成処理を基板に行い、その後、レジスト膜形成処理を基板に行うことができる。さらに、反射防止膜処理、および、レジスト膜形成処理を基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する処理および基板にレジスト膜を形成する処理を含み、前記第２処理は、基板にレジスト膜を保護する保護膜を形成する処理を含み、前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送することが好ましい。反射防止膜形成処理、および、レジスト膜形成処理を基板に行い、その後、保護膜形成処理を基板に行うことができる。さらに、反射防止膜処理、レジスト膜形成処理、および、保護膜形成処理を基板に効率良く行うことができる。
上述した基板処理装置において、前記第２処理が行われる前記階層の前記処理部は、さらに、基板を現像する処理を行い、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記キャリア載置部に載置された前記キャリアに、基板を搬送することが好ましい。現像処理を基板に効率良く行うことができる。さらに、現像処理が行われた基板をキャリアに効率良く搬送できる。ここで、第２処理は、基板を現像する処理を含まないことが好ましい。第２処理は、露光処理の後に行われる露光後処理を含まないことが好ましい。
上述した基板処理装置において、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記キャリア載置部に載置された前記キャリアから、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送することが好ましい。キャリアから第１処理が行われる階層に基板を効率良く搬送できる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理が行われる前記階層の数は、２つ以上であり、前記第２処理が行われる前記階層の数は、２つ以上であることが好ましい。２つ以上の階層において、基板に第１処理を行うことができる。２つ以上の階層において、基板に第２処理を行うことができる。したがって、基板処理装置のスループットを好適に向上できる。
上述した基板処理装置において、前記第１処理が行われる前記階層および前記第２処理が行われる前記階層とは異なる、他の１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に第３処理を行い、前記第３処理は、基板を現像する処理を含み、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第３処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記キャリア載置部に載置される前記キャリアに基板を搬送することが好ましい。現像処理を基板に効率良く行うことができる。さらに、現像処理が行われた基板をキャリアに効率良く搬送できる。
上述した基板処理装置において、前記第３処理が行われる前記階層の数は、２つ以上であることが好ましい。２つ以上の階層において、基板に第３処理を行うことができる。したがって、基板処理装置のスループットを好適に向上できる。
上述した基板処理装置において、前記階層のそれぞれは、基板が載置される第２載置部と、を備え、前記基板処理装置は、インターフェース部と、を備え、前記インターフェース部は、前記第２載置部と、前記基板処理装置とは別体の露光機との間で基板を搬送する搬送部と、を備え、前記インターフェース部の前記搬送部は、異なる前記階層に設けられる２つの前記第２載置部の間で基板を搬送しないことが好ましい。インターフェース部の搬送部は、層間搬送動作を行わない。したがって、インターフェース部の搬送部は、階層と露光機との間で基板を効率良く搬送できる。
上述した基板処理装置において、前記第１載置部は、専ら前記インデクサ部の前記搬送部が基板を載置する第１送り載置部と、専ら前記主搬送機構が基板を載置する第１戻り載置部と、を備えることが好ましい。インデクサ部の搬送部の搬送動作を簡素化できる。よって、インデクサ部の搬送部は、キャリアと階層との間で基板を一層効率良く搬送できる。同様に、主搬送機構の搬送動作を簡素化できる。よって、主搬送機構は、基板を一層効率良く搬送できる。
上述した基板処理装置において、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第１送り載置部に２枚の基板を同時に載置し、前記第１送り載置部に少なくとも４枚以上の基板を載置可能に、前記第１送り載置部は構成されることが好ましい。第１送り載置部には少なくとも４枚以上の基板を載置できる。よって、インデクサ部の搬送部は、第１送り載置部に第１、第２の基板を同時に載置し、その後、第１送り載置部に第３、第４の基板を同時に載置できる。インデクサ部の搬送部が第１送り載置部に第３、第４の基板を載置している間に、主搬送機構は、第１、第２の基板を第１送り載置部から取ることができる。なお、仮に、インデクサ部の搬送部と主搬送機構が第１送り載置部に同時にアクセスしても、第１送り載置部に基板を置くインデクサ部の搬送部と、第１送り載置部から基板を取る主搬送機構とが、干渉するおそれがない。例えば、第１、第２の基板が載置される第１送り載置部の位置は、第３、第４の基板が載置される第１送り載置部の位置と異なるからである。したがって、その後、インデクサ部の搬送部は、第５、第６の基板を第１送り載置部（より詳しくは、第１、第２の基板を載置した位置と同じ位置）に載置できる。このように、インデクサ部の搬送部は、第１送り載置部に基板を載置する動作を、滞りなく、繰り返すことができる。
上述した基板処理装置において、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第１戻り載置部から２枚の基板を同時に取り、前記第１戻り載置部に少なくとも４枚以上の基板を載置可能に、前記第１戻り載置部は構成されることが好ましい。第１戻り載置部には少なくとも４枚以上の基板を載置できる。よって、インデクサ部の搬送部は、第１戻り載置部から第１、第２の基板を同時に取り、その後、第１戻り載置部から第３、第４の基板を同時に取ることができる。インデクサ部の搬送部が第１戻り載置部から第３、第４の基板を取っている間に、主搬送機構は、第５、第６の基板を第１送り載置部（より詳しくは、第１、第２の基板を載置した位置と同じ位置）に載置できる。なお、仮に、インデクサ部の搬送部と主搬送機構が第１戻り載置部に同時にアクセスしても、第１戻り載置部に基板を置くインデクサ部の搬送部と、第１戻り載置部から基板を取る主搬送機構とが、干渉するおそれがない。例えば、第３、第４の基板が載置される第１戻り載置部の位置は、第５、第６の基板が載置される第１戻り載置部の位置と異なるからである。したがって、その後、インデクサ部の搬送部は、第５、第６の基板を第１戻り載置部から取ることができる。このように、インデクサ部の搬送部は、第１戻り載置部から基板を取る動作を、滞りなく、繰り返すことができる。
上述した基板処理装置において、前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記供給動作および前記回収動作の一方を行い、前記供給動作および前記回収動作の他方を行わず、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記供給動作および前記回収動作の前記一方を行わず、前記供給動作および前記回収動作の他方を行う第２搬送機構と、を備えることが好ましい。インデクサ部の搬送部は第２搬送機構を備えるので、インデクサ部の搬送部は、基板を一層効率良く搬送できる。インデクサ部の第１搬送機構は供給動作および回収動作の一方を行い、インデクサ部の搬送部の第２搬送機構は供給動作および回収動作の他方を行う。このため、インデクサ部の搬送部は、供給動作および回収動作の両方を好適に行うことができる。インデクサ部の第１搬送機構は、供給動作および回収動作の他方を行わないので、インデクサ部の第１搬送機構の動作を簡素化できる。インデクサ部の第２搬送機構は、供給動作および回収動作の一方を行わないので、インデクサ部の第２搬送機構の動作も簡素化できる。
上述した基板処理装置において、前記インデクサ部の前記第２搬送機構は、さらに、前記層間搬送動作を行うことが好ましい。異なる２つの階層の間で、基板を一層効率良く搬送できる。
上述した基板処理装置において、前記階層の中で基板が最後に通る階層を最終階層とし、前記インデクサ部の前記搬送部は、前記最終階層の前記第１載置部から前記キャリア載置部に載置された前記キャリアに基板を搬送し、前記基板処理装置は、前記キャリア載置部から退避した位置で前記キャリアを載置するキャリア退避部と、前記キャリア載置部と前記キャリア退避部との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送部と、を備え、前記制御部は、前記最終階層の前記主搬送機構が前記最終階層の前記第１載置部に基板を載置する払い出し動作を検出し、前記最終階層の前記主搬送機構の前記払い出し動作の検出結果に基づいて、前記キャリア搬送部の動作のタイミングを決定することが好ましい。最終階層の第１載置部は、基板がキャリアに搬入される前において基板が最後に載置される場所である。制御部は、最終階層に設けられる主搬送機構の払い出し動作を検出する。最終階層の主搬送機構の払い出し動作の検出結果によれば、最終階層の主搬送機構が第１載置部に基板を実際に載置した時刻を特定できる。制御部は、最終階層の主搬送機構の払い出し動作の検出結果に基づいて、キャリア搬送部の動作のタイミングを決定する。よって、キャリア搬送部は、キャリアを常に適切なタイミングで搬送できる。その結果、インデクサ部の搬送部による回収動作を遅滞なく行うことができる。例えば、キャリア搬送部によるキャリアの搬送の遅れに起因して、インデクサ部の搬送部による回収動作が遅れるおそれがない。このように、インデクサ部の搬送部による回収動作と、キャリア搬送部によるキャリアの搬送動作とを、時間的に好適に連携させることができる。
上述した基板処理装置において、前記制御部は、前記最終階層の前記主搬送機構の前記払い出し動作の検出結果に基づいて、前記キャリア退避部に載置される前記キャリアに搬入される予定の基板が前記最終階層の前記第１載置部に載置されたか否かを判定し、前記キャリア退避部に載置される前記キャリアに搬入される予定の基板が前記最終階層の前記第１載置部に載置されたと前記制御部が判定した時点において、前記制御部は前記キャリア退避部から前記キャリア載置部に前記キャリアを搬送する前記キャリア搬送部の動作を開始させることが好ましい。インデクサ部の搬送部が回収動作を始める前に、キャリア搬送部は、基板が搬入される予定のキャリアをキャリア載置部に確実に載置できる。その結果、インデクサ部の搬送部による回収動作を遅滞なく行うことができる。
また、本発明は、基板処理方法であって、キャリアから複数の階層の少なくとも１つに基板を搬送する供給工程と、複数の前記階層のそれぞれにおいて、基板を搬送しつつ、基板に処理を行う処理工程と、異なる２つの前記階層の間で基板を搬送する層間搬送工程と、複数の前記階層の少なくとも１つから前記キャリアに基板を搬送する回収工程と、を備え、前記供給工程および前記回収工程の少なくともいずれかと、前記層間搬送工程とは、同じ１つの搬送機構によって実行される基板処理方法である。
供給工程および回収工程の少なくとも１つは、１つの搬送機構によって実行される。供給工程が１つの搬送機構によって実行される場合、キャリアから階層に基板を効率良く搬送できる。このため、処理工程を効率良く実行できる。よって、基板処理のスループットを好適に向上できる。回収工程が１つの搬送機構によって実行される場合、階層からキャリアに基板を効率良く搬送できる。このため、処理工程を効率良く実行できる。よって、基板処理のスループットを好適に向上できる。
層間搬送工程は、供給工程および回収工程の少なくともいずれかを実行する１つの搬送機構によって、実行される。すなわち、１つの搬送機構が、供給工程および回収工程の少なくともいずれかと、層間搬送工程を実行する。よって、専ら異なる２つの階層の間で基板を搬送する搬送機構（例えば、特許文献１の受け渡しアーム（３０））を、別途設けなくてもよい。したがって、基板処理方法を実行するためのスペースを好適に低減できる。
本発明によれば、基板処理装置のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
第１実施形態の基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す左側面図である。 基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。 インデクサ部の正面図である。 インデクサ部の内部の構成を示す正面図である。 処理ブロックの正面図である。 図８（ａ）、８（ｂ）は、第１載置部の拡大側面図である。 インターフェース部の前部の背面図である。 インターフェース部の後部の背面図である。 インデクサ部の第１搬送機構のサイクル動作を模式的に示す図である。 インデクサ部の第２搬送機構のサイクル動作を模式的に示す図である。 基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 基板が通過する基板処理装置１の要素を模式的に示す図である。 第１載置部とインデクサ部の第１搬送機構と主搬送機構の側面図である。 ストッカ部とインデクサ部の動作を模式的に示す図である。 第２実施形態の基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 図１９（ａ）、１９（ｂ）、１９（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 第１変形実施形態に係る基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 図２１（ａ）、２１（ｂ）、２１（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 図２２（ａ）、２２（ｂ）、２２（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 第２変形実施形態に係る基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 図２４（ａ）、２４（ｂ）、２４（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 第３変形実施形態に係る基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 図２６（ａ）、２６（ｂ）、２６（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。 第４変形実施形態に係る基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 図２８（ａ）、２８（ｂ）、２８（ｃ）は、基板の搬送経路の概要を模式的に示す図である。
以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。
［第１実施形態］
＜基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置の平面図である。第１実施形態の基板処理装置１は、一連の処理を基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに行う。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。
基板処理装置１は、ストッカ部１１とインデクサ部２１と処理ブロック３１とインターフェース部７１とを備える。ストッカ部１１は、複数のキャリアＣを保管する。ストッカ部１１は、キャリアＣをインデクサ部２１に搬送する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。
インデクサ部２１は、キャリアＣから処理ブロック３１に基板Ｗを搬送する。インデクサ部２１は、処理ブロック３１からキャリアＣに基板Ｗを搬入する。
処理ブロック３１は、基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに処理を行う。
インターフェース部７１は、処理ブロック３１と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは、基板処理装置１の要素ではない。露光機ＥＸＰは、基板処理装置１の外部機器である。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。
ストッカ部１１とインデクサ部２１と処理ブロック３１とインターフェース部７１は、この順番で１列に並ぶように配置される。ストッカ部１１はインデクサ部２１に接続される。インデクサ部２１は、処理ブロック３１に接続される。処理ブロック３１は、インターフェース部７１に接続される。インターフェース部７１は、露光機ＥＸＰに接続される。
ストッカ部１１とインデクサ部２１と処理ブロック３１とインターフェース部７１が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘのうち、インターフェース部７１からストッカ部１１に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「幅方向Ｙ」または「側方」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。上下方向Ｚは、前後方向Ｘと直交し、かつ、幅方向Ｙと直交する。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
ストッカ部１１とインデクサ部２１と処理ブロック３１とインターフェース部７１を、以下に説明する。
＜ストッカ部１１＞
図１－４を参照する。図２は、基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。図３は、幅方向Ｙにおける基板処理装置１の中央部の構成を示す左側面図である。図４は、基板処理装置１の右部の構成を示す右側面図である。
ストッカ部１１は、外壁１２と複数（例えば２つ）の棚１３を備える。外壁１２は、ストッカ部１１の前面に配置される。棚１３は、外壁１２に支持される。棚１３は、外壁１２とインデクサ部２１との間に配置される。棚１３は、外壁１２の後方に配置される。棚１３は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。
棚１３は、略水平な板形状を有する。棚１３には、複数のキャリアＣが載置される。棚１３は、幅方向Ｙに延びる。棚１３の幅方向Ｙの長さは、棚１３の前後方向Ｘの長さよりも大きい。キャリアＣは、幅方向Ｙに並ぶように、棚１３に載置される。
キャリアＣの状況に応じて、キャリアＣをいくつかの種別に分類できる。例えば、キャリアＣを、ストッカ部１１と不図示の外部搬送機構との間で受け渡されるキャリアＣ（「前者のキャリアＣ」と呼ぶ）と、それ以外のキャリアＣ（「後者のキャリアＣ」と呼ぶ）に分類できる。ここで、外部搬送機構は、基板処理装置１の外部機器である。外部搬送機構は、例えば、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transfer）である。前者のキャリアＣを、さらに、ストッカ部１１が外部搬送機構から受けるキャリアＣと、ストッカ部１１が外部搬送機構に渡すキャリアＣに分類できる。後者のキャリアＣを、さらに、未処理の基板Ｗを収容するキャリアＣ、基板Ｗを収容していないキャリアＣ、および、処理済みの基板Ｗを収容するキャリアＣに分類できる。
上述したキャリアＣの状況または分類ごとに、キャリアＣを棚１３の異なる位置に載置してもよい。例えば、棚１３は、専ら前者のキャリアＣが載置されるロードポートを備えてもよい。ロードポートは、外部搬送機構がアクセス可能な位置に配置される。ロードポートは、入力ロードポートと出力ロードポートを備えてもよい。入力ロードポートは、ストッカ部１１が外部搬送機構から受けるキャリアＣが載置される。出力ロードポートは、ストッカ部１１が外部搬送機構に渡すキャリアＣが載置される。例えば、棚１３は、専ら後者のキャリアＣが載置される保管部を備えてもよい。保管部は、外部搬送機構がアクセスできない位置に配置されることが好ましい。保管部は、さらに、未処理の基板Ｗを収容するキャリアＣが専ら載置される第１保管部を備えてもよい。保管部は、基板Ｗを収容していないキャリアＣが専ら載置される第２保管部を備えてもよい。保管部は、処理済みの基板Ｗを収容するキャリアＣが専ら載置される第３保管部を備えてもよい。
ストッカ部１１は、キャリア搬送機構１５を備える。キャリア搬送機構１５は、棚１３とインデクサ部２１との間でキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構１５は、さらに、異なる棚１３の位置の間で、キャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構１５は、棚１３とインデクサ部２１との間に配置される。キャリア搬送機構１５は、棚１３にアクセス可能である。キャリア搬送機構１５は、棚１３にキャリアＣを載置する。キャリア搬送機構１５は、棚１３からキャリアＣを取る。
キャリア搬送機構１５は、レール１６ａと、支柱１６ｂと、第１昇降部１６ｃと、第１アーム部１６ｄと、第１保持部１６ｅとを備える。レール１６ａは、幅方向Ｙに延びる。支柱１６ｂは、レール１６ａに支持される。支柱１６ｂは、上下方向Ｚに延びる。支柱１６ｂは、レール１６ａに対して幅方向Ｙに移動可能である。第１昇降部１６ｃは、支柱１６ｂに支持される。第１昇降部１６ｃは、支柱１６ｂに対して上下方向Ｚに移動可能である。第１アーム部１６ｄは、第１昇降部１６ｃに支持される。第１アーム部１６ｄは、第１昇降部１６ｃに接続される基端部を有する。第１アーム部１６ｄは、先端部を有する。第１アーム部１６ｄの先端部は、第１昇降部１６ｃに対して水平方向に旋回可能、かつ、第１昇降部１６ｃに対して水平方向に進退可能である。第１アーム部１６ｄは、例えば、多関節アームである。第１保持部１６ｅは、第１アーム部１６ｄの先端部に支持される。第１保持部１６ｅは、１つのキャリアＣを保持する。具体的には、第１保持部１６ｅは、キャリアＣの上部を把持する。
キャリア搬送機構１５は、さらに、第２昇降部１６ｆと第２アーム部１６ｇと第２保持部１６ｈを備える。第２昇降部１６ｆと第２アーム部１６ｇと第２保持部１６ｈはそれぞれ、第１昇降部１６ｃと第１アーム部１６ｄと第１保持部１６ｅと略同じ構造を有する。第２昇降部１６ｆと第２アーム部１６ｇと第２保持部１６ｈは、第１昇降部１６ｃと第１アーム部１６ｄと第１保持部１６ｅの下方に配置される。第２昇降部１６ｆと第２アーム部１６ｇと第２保持部１６ｈは、支柱１６ｂに対して上下方向Ｚに移動可能である。第２昇降部１６ｆは、第１昇降部１６ｃとは独立して動作可能である。第２アーム部１６ｇは、第１アーム部１６ｄとは独立して動作可能である。第２保持部１６ｈは、第１保持部１６ｅとは独立して動作可能である。
キャリア搬送機構１５は、本発明におけるキャリア搬送部の例である。
＜インデクサ部２１＞
図１－５を参照する。図５は、インデクサ部２１の正面図である。インデクサ部２１は、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２を備える。キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。
キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２は、キャリア搬送機構１５の後方に配置される。キャリア搬送機構１５は、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２にアクセス可能である。キャリア搬送機構１５は、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２にキャリアＣを載置する。キャリア搬送機構１５は、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ１、２２Ｂ２からキャリアＣを取る。
キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。キャリア載置部２２Ａ１は、キャリア載置部２２Ａ２の上方に配置される。キャリア載置部２２Ｂ１、２２Ｂ２は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。キャリア載置部２２Ｂ１は、キャリア載置部２２Ｂ２の上方に配置される。キャリア載置部２２Ａ１、２２Ｂ１は、幅方向Ｙに並ぶように配置される。キャリア載置部２２Ａ１は、キャリア載置部２２Ｂ１の右方に配置される。キャリア載置部２２Ａ１は、キャリア載置部２２Ｂ１と略同じ高さ位置に配置される。キャリア載置部２２Ａ２、２２Ｂ２は、幅方向Ｙに並ぶように配置される。キャリア載置部２２Ａ２は、キャリア載置部２２Ｂ２の右方に配置される。キャリア載置部２２Ａ２は、キャリア載置部２２Ｂ２と略同じ高さ位置に配置される。
以下では、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２を区別しない場合には、「キャリア載置部２２Ａ」と記載する。キャリア載置部２２Ｂ１、２２Ｂ２を区別しない場合には、「キャリア載置部２２Ｂ」と記載する。
上述した棚１３は、キャリア載置部２２Ａ、２２Ｂから退避した位置でキャリアＣを載置する。棚１３は、本発明におけるキャリア退避部に相当する。
図１－４、６を参照する。図６は、インデクサ部２１の内部の構成を示す正面図である。インデクサ部２１は、搬送スペース２３を備える。搬送スペース２３は、キャリア載置部２２Ａ、２２Ｂの後方に配置される。
搬送スペース２３は、略箱形状を有する。搬送スペース２３は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
インデクサ部２１は、フレーム２４を備える。フレーム２４は、搬送スペース２３の骨組み（骨格）として、設けられる。フレーム２４は、搬送スペース２３の形状を画定する。フレーム２４は、例えば、金属製である。
インデクサ部２１は、搬送部２５を備える。搬送部２５は、搬送スペース２３に設置される。搬送部２５は、キャリアＣと処理ブロック３１の間で、基板Ｗを搬送する。
搬送部２５は、第１搬送機構２６と第２搬送機構２７を含む。第１搬送機構２６と第２搬送機構２７はそれぞれ、基板Ｗを搬送する。
第１搬送機構２６と第２搬送機構２７は、幅方向Ｙに並ぶように配置される。第１搬送機構２６は、第２搬送機構２７の右方に配置される。第１搬送機構２６は、第２搬送機構２７と略同じ高さ位置に配置される。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａの後方に配置される。第２搬送機構２７は、キャリア載置部２２Ｂの後方に配置される。
キャリア載置部２２Ａは、第１搬送機構２６がアクセス可能な領域内に配置される。キャリア載置部２２Ａは、第２搬送機構２７がアクセス可能な領域の外に配置される。キャリア載置部２２Ｂは、第２搬送機構２７がアクセス可能な領域内に配置される。キャリア載置部２２Ｂは、第１搬送機構２６がアクセス可能な領域の外に配置される。
第１搬送機構２６は、支柱２８ａと昇降部２８ｂと回転部２８ｃと保持部２８ｄ、２８ｅとを備える。支柱２８ａは、フレーム２４に支持される。支柱２８ａは、フレーム２４に固定される。支柱２８ａは、フレーム２４に対して移動不能である。支柱２８ａは、上下方向Ｚに延びる。昇降部２８ｂは、支柱２８ａに支持される。昇降部２８ｂは、支柱２８ａに対して上下方向Ｚに移動可能である。昇降部２８ｂは、支柱２８ａに対して水平方向に移動不能である。回転部２８ｃは、昇降部２８ｂに支持される。回転部２８ｃは、昇降部２８ｂに対して、上下方向Ｚと平行な軸線回りに回転可能である。回転部２８ｃは、昇降部２８ｂに対して水平方向に移動不能である。保持部２８ｄ、２８ｅは、回転部２８ｃに支持される。保持部２８ｄ、２８ｅは、回転部２８ｃに対して、水平方向に進退移動可能である。保持部２８ｄ、２８ｅは、互いに独立して、進退移動可能である。保持部２８ｄ、２８ｅはそれぞれ、基板Ｗと接触する。保持部２８ｄ、２８ｅはそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。
第２搬送機構２７は、左右対称である点を除き、インデクサ部２１の第１搬送機構２６と略同じ構造および形状を有する。すなわち、第２搬送機構２７は、支柱２８ａと昇降部２８ｂと回転部２８ｃと保持部２８ｄ、２８ｅとを備える。
このように、本明細書では、異なる要素が同じ構造を有する場合には、その構造に共通の符号を付すことで詳細な説明を省略する。
＜処理ブロック３１＞
図１－４、７を参照する。図７は、処理ブロック３１の正面図である。処理ブロック３１は、略箱形状を有する。処理ブロック３１は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
処理ブロック３１は、フレーム３２を備える。フレーム３２は、処理ブロック３１の骨組み（骨格）として、設けられる。フレーム３２は、処理ブロック３１の形状を画定する。フレーム３２は、例えば、金属製である。
図７を参照する。処理ブロック３１は、上下方向Ｚに並ぶように配置される複数（例えば７つ）の階層３３を備える。複数の階層３３は、平面視で、互いに重なる。各階層３３はそれぞれ、基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに処理を行う。各階層３３は、並行して、動作可能である。各階層３３は、互いに独立して動作可能である。
処理ブロック３１は、複数の隔壁３４を備える。隔壁３４は、フレーム３２に支持される。隔壁３４は、水平な板形状を有する。複数の隔壁３４は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。隔壁３４は、各階層３３を区画する。隔壁３４は、上下方向Ｚに隣り合う２つの階層３３の間に配置される。隔壁３４は、上下方向Ｚに隣り合う２つの階層３３を隔てる。さらに、隔壁３４は、最も低い階層３３の下方に配置される。隔壁３４は、階層３３の底壁として機能する。
複数の階層３３はそれぞれ、略同じ要素を備える。階層３３に含まれる要素の構造および形状は、複数の階層３３の間において、略同じである。階層３３に含まれる要素の配置は、複数の階層３３の間において、略同じである。以下、各階層３３が備える要素を説明する。
図１、７を参照する。階層３３はそれぞれ、搬送スペース３５を備える。搬送スペース３５は、平面視において、幅方向Ｙにおける階層３３の中央部に配置される。搬送スペース３５は、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース３５は、前部と後部を有する。搬送スペース３５の前部は、インデクサ部２１の搬送スペース２３に接する。搬送スペース３５の前部は、第１搬送機構２６の左方かつ後方に配置される。搬送スペース３５の前部は、第２搬送機構２７の左方かつ後方に配置される。
階層３３はそれぞれ、１つの主搬送機構３６を備える。主搬送機構３６は、搬送スペース３５に設置される。主搬送機構３６は、基板Ｗを搬送する。
図１、３を参照する。主搬送機構３６は、支柱３７ａ、３７ｂと、昇降部３７ｃと、前後動部３７ｄと、回転部３７ｅと、保持部３７ｆ、３７ｇとを備える。支柱３７ａ、３７ｂは、フレーム３２に支持される。支柱３７ａ、３７ｂは、フレーム３２に固定される。支柱３７ａ、３７ｂは、フレーム３２に対して移動不能である。支柱３７ａ、３７ｂは、上下方向Ｚに延びる。支柱３７ａ、３７ｂは、前後方向Ｘに並ぶように配置される。支柱３７ａは、搬送スペース３５の前部に配置される。支柱３７ｂは、搬送スペース３５の後部に配置される。より詳しくは、支柱３７ａは、搬送スペース３５の前部の左部に配置される。支柱３７ｂは、搬送スペース３５の後部の左部に配置される。昇降部３７ｃは、支柱３７ａ、３７ｂに支持される。昇降部３７ｃは、支柱３７ａ、３７ｂに対して上下方向Ｚに移動可能である。昇降部３７ｃは、前後方向Ｘに延びる。昇降部３７ｃは、前端と後端を有する。昇降部３７ｃの前端は、支柱３７ａに接続される。昇降部３７ｃの後端は、支柱３７ｂに接続される。前後動部３７ｄは、昇降部３７ｃに支持される。前後動部３７ｄは、昇降部３７ｃに対して前後方向Ｘに移動可能である。回転部３７ｅは、前後動部３７ｄに支持される。回転部３７ｅは、前後動部３７ｄと一体に、前後方向Ｘに移動可能である。回転部３７ｅは、前後動部３７ｄに対して、上下方向Ｚと平行な軸線回りに回転可能である。保持部３７ｆ、３７ｇは、回転部３７ｅに支持される。保持部３７ｆ、３７ｇは、回転部３７ｅに対して、水平方向に進退移動可能である。保持部３７ｆ、３７ｇは、互いに独立して、進退移動可能である。保持部３７ｆ、３７ｇはそれぞれ、基板Ｗと接触する。保持部３７ｆ、３７ｇはそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。
図１，７を参照する。階層３３はそれぞれ、処理部４１を備える。処理部４１は、基板Ｗを処理する。
処理部４１は、搬送スペース３５の側方に配置される。処理部４１は、搬送スペース３５に接する。
処理部４１は、主搬送機構３６の側方に配置される。同じ階層３３に設けられる処理部４１と主搬送機構３６は、略同じ高さ位置に配置される。処理部４１は、主搬送機構３６がアクセス可能な位置に配置される。
処理部４１は、液処理部４２と熱処理部４７を備える。液処理部４２は、搬送スペース３５の左方に配置される。熱処理部４７は、搬送スペース３５の右方に配置される。液処理部４２は、基板Ｗに液処理を行う。液処理は、基板Ｗに処理液を供給することによって行われる処理である。熱処理部４７は、基板Ｗに熱処理を行う。
液処理部４２は、複数（例えば３つ）の液処理ユニット４３を備える。１つの液処理部４２に含まれる全ての液処理ユニット４３は、略同じ高さ位置に配置される。液処理ユニット４３は、前後方向Ｘに１列に並ぶように配置される。各液処理ユニット４３は、搬送スペース３５に接する位置に配置される。
階層３３はそれぞれ、チャンバ４５を備える。チャンバ４５は、液処理ユニット４３を収容する。
液処理ユニット４３は、回転保持部４４ａとノズル４４ｂとカップ４４ｃを備える。回転保持部４４ａは、主搬送機構３６がアクセス可能な位置に配置される。回転保持部４４ａは、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。回転保持部４４ａは、保持した基板Ｗを上下方向Ｚと平行な軸線回りに回転可能である。ノズル４４ｂは、処理液を基板Ｗに吐出する。ノズル４４ｂは、吐出位置と退避位置に移動可能に設けられる。吐出位置は、回転保持部４４ａに保持された基板Ｗの上方の位置である。ノズル４４ｂが吐出位置にあるとき、ノズル４４ｂは、平面視において、回転保持部４４ａに保持された基板Ｗと重なる。ノズル４４ｂが吐出位置にあるとき、ノズル４４ｂは、基板Ｗに処理液を吐出する。ノズル４４ｂが退避位置にあるとき、ノズル４４ｂは、平面視において、回転保持部４４ａに保持された基板Ｗと重ならない。ノズル４４ｂが退避位置にあるとき、ノズル４４ｂは、基板Ｗに処理液を吐出しない。ノズル４４ｂが退避位置にあるとき、主搬送機構３６が回転保持部４４ａにアクセスすることが許容される。カップ４４ｃは、処理液を回収する。カップ４４ｃは、上下方向Ｚと平行な軸線を中心とする略円筒形状を有する。カップ４４ｃは、回転保持部４４ａおよび回転保持部４４ａに保持された基板Ｗを収容可能である。カップ４４ｃは、回転保持部４４ａに保持された基板Ｗの側方を囲む。
図４を参照する。熱処理部４７は、複数（例えば１２個）の熱処理ユニット４８を備える。熱処理ユニット４８は、側面視において、行列状に配置される。例えば、熱処理ユニット４８は、前後方向Ｘに４列、および、上下方向Ｚに３段で、配置される。各熱処理ユニット４８は、搬送スペース３５に接する位置に配置される。
図１、７を参照する。熱処理ユニット４８は、第１プレート４９ａを備える。第１プレート４９ａは、主搬送機構３６がアクセス可能な位置に配置される。第１プレート４９ａは、略円盤形状を有する。第１プレート４９ａは、略水平な上面を有する。１枚の基板Ｗが、プレート４９ａの上面に載置される。熱処理ユニット４８は、不図示の第１温調部を備える。第１温調部は、第１プレート４９ａに取り付けられる。第１温調部は、第１プレート４９ａを第１温度に調整する。第１プレート４９ａは、基板Ｗを第１温度に調整する。第１プレート４９ａは、例えば、基板Ｗを冷却する。
熱処理ユニット４８は、さらに、第２プレート４９ｂを備えてもよい。第２プレート４９ｂは、第１プレート４９ａの側方に設けられる。第２プレート４９ｂは、第１プレート４９ａと略同じ高さに配置される。第２プレート４９ｂは、主搬送機構３６がアクセス不能な位置に配置される。第２プレート４９ｂは、第１プレート４９ａよりも主搬送機構３６から遠い位置に配置される。第２プレート４９ｂは、例えば、第１プレート４９ａの右方に配置される。熱処理ユニット４８が第２プレート４９ｂを備える場合、不図示のローカル搬送機構と第２温調部を備える。ローカル搬送機構は、第１プレート４９ａと第２プレート４９ｂの間で基板Ｗを搬送する。第２温調部は、第２プレート４９ｂに取り付けられる。第２温調部は、第２プレート４９ｂを第２温度に調整する。第２プレート４９ｂは、基板Ｗを第２温度に調整する。第２温度は、例えば、第１温度よりも高い。第２プレート４９ｂは、例えば、基板Ｗを加熱する。
図１、３を参照する。階層３３はそれぞれ、第１載置部５１を備える。第１載置部５１には、基板Ｗが載置される。
第１載置部５１は、インデクサ部２１の搬送部２５と主搬送機構３６の間に配置される。具体的には、第１載置部５１は、第１搬送機構２６の後方かつ左方に配置される。第１載置部５１は、第２搬送機構２７の後方かつ右方に配置される。第１載置部５１は、第１搬送機構２６および第２搬送機構２７がそれぞれアクセス可能な位置に配置される。第１載置部５１は、主搬送機構３６の前方に配置される。同じ階層３３に設けられる第１載置部５１と主搬送機構３６は、略同じ高さ位置に配置される。第１載置部５１は、第１載置部５１と同じ階層３３に設けられる主搬送機構３６がアクセス可能な位置に配置される。
第１載置部５１は、階層３３の搬送スペース３５とインデクサ部２１の搬送スペース２３とにまたがって設置される。具体的には、第１載置部５１の一部は、搬送スペース３５の前部に配置される。第１載置部５１の残りの部分は、インデクサ部２１の搬送スペース２３に配置される。
上述した、インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリア載置部２２Ａ、２２Ｂに載置されるキャリアＣと、第１載置部５１との間で、基板Ｗを搬送する。
第１載置部５１は、第１送り載置部５２を備える。第１送り載置部５２には、専らインデクサ部２１の搬送部２５が基板Ｗを載置する。主搬送機構３６は、第１送り載置部５２に基板Ｗを載置しない。専ら主搬送機構３６が、第１送り載置部５２から基板Ｗを取る。インデクサ部２１の搬送部２５は、第１送り載置部５２から基板Ｗを取らない。
第１載置部５１は、第１戻り載置部５３を備える。第１戻り載置部５３には、専ら主搬送機構３６が基板Ｗを載置する。インデクサ部２１の搬送部２５は、第１戻り載置部５３に基板Ｗを載置しない。専らインデクサ部２１の搬送部２５が、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取る。主搬送機構３６は、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取らない。
第１送り載置部５２と第１戻り載置部５３は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。第１送り載置部５２は、平面視において、第１戻り載置部５３と重なる。
各階層３３の第１送り載置部５２は、第１送り載置部５２に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、構成される。各階層３３の第１戻り載置部５３は、第１戻り載置部５３に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、構成される。以下、具体的に説明する。
図８（ａ）、８（ｂ）は、第１載置部の拡大側面図である。１つの階層３３に設けられる第１載置部５１は、８つの載置ユニット５４を備える。１つの載置ユニット５４には、１枚の基板Ｗが載置される。載置ユニット５４は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。載置ユニット５４は、平面視において、互いに重なる。８つの載置ユニット５４のうち、４つの載置ユニット５４は、第１送り載置部５２に属する。残りの４つの載置ユニット５４は、第１戻り載置部５３に属する。
載置ユニット５４は、１つの載置プレート５５ａと複数（例えば３つ）の支持ピン５５ｂを備える。載置プレート５５ａは、インデクサ部２１のフレーム２４および処理ブロック３１のフレーム３２の少なくともいずれかに支持される。載置プレート５５ａは、略水平な板形状を有する。支持ピン５５ｂは、載置プレート５４に支持される。支持ピン５５ｂは、上下方向Ｚに延びる。支持ピン５５ｂは、上端と下端を有する。支持ピン５５ｂの下端は、載置プレート５５ａに接続される。各支持ピン５５ｂの上端は、同じ高さ位置に配置される。支持ピン５５ｂの上端は、基板Ｗの裏面と接触する。支持ピン５５ｂは、１枚の基板Ｗを支持する。これにより、１枚の基板Ｗが水平姿勢で載置ユニット５４に載置される。
図１、３を参照する。階層３３はそれぞれ、第２載置部５６を備える。第２載置部５６には、基板Ｗが載置される。
第２載置部５６は、主搬送機構３６とインターフェース部７１との間に配置される。
第２載置部５６は、主搬送機構３６の後方に配置される。同じ階層３３に設けられる第２載置部５６と主搬送機構３６は、略同じ高さ位置に配置される。第２載置部５６は、第２載置部５６と同じ階層３３に設けられる主搬送機構３６がアクセス可能な位置に配置される。
第２載置部５６は、階層３３の搬送スペース３５とインターフェース部７１とにまたがって設置される。具体的には、第２載置部５６の一部は、搬送スペース３５の後部に配置される。第２載置部５６の残りの部分は、インターフェース部７１に配置される。
第２載置部５６は、第２送り載置部５７と第２戻り載置部５８を備える。第２送り載置部５７には、専ら主搬送機構３６が基板Ｗを載置する。インターフェース部７１が、第２送り載置部５７から、基板Ｗを受ける。第２戻り載置部５８には、専らインターフェース部７１が基板Ｗを渡す。専ら主搬送機構３６が、第２戻り載置部５８から、基板Ｗを取る。
第２送り載置部５７と第２戻り載置部５８は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。第２送り載置部５７は、平面視において、第２戻り載置部５８と重なる。
各階層３３の第２送り載置部５７は、第２送り載置部５７に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、構成される。各階層３３の第２戻り載置部５８は、第２戻り載置部５８に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、構成される。以下、具体的に説明する。
１つの階層３３に設けられる第２載置部５６は、８つの載置ユニット（不図示）を備える。１つの載置ユニットには、１枚の基板Ｗが載置される。載置ユニットは、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。載置ユニットは、平面視において、互いに重なる。８つの載置ユニットのうち、４つの載置ユニットは、第２送り載置部５７に属する。残りの４つの載置ユニットは、第２戻り載置部５８に属する。第２載置部５６の載置ユニットは、第１載置部５１の載置ユニット５４と略同じ構造および形状を有する。
主搬送機構３６は、処理部４１と第１載置部５１と第２載置部５６に基板Ｗを搬送する。より詳しくは、主搬送機構３６は、主搬送機構３６と同じ階層３３に設けられる処理部４１と第１載置部５１と第２載置部５６に基板Ｗを搬送する。主搬送機構３６は、主搬送機構３６と異なる階層３３に設けられる処理部４１と第１載置部５１と第２載置部５６に基板Ｗを搬送しない。
図１、２を参照する。処理ブロック３１は、ポンプ室６１を備える。ポンプ室６１は、液処理部４２に隣接した位置に配置される。より詳しくは、ポンプ室６１は、液処理部４２の後方に配置される。ポンプ室６１は、搬送スペース３５の右方に配置される。
ポンプ室６１は、平面視において、階層３３と重ならない位置に配置される。例えば、ポンプ室６１は、階層３３の下方に配置されていない。例えば、ポンプ室６１は、液処理部４２の下方に配置されていない。
平面視におけるポンプ室６１の面積は、比較的に小さい。ポンプ室６１の前後方向Ｘの長さは、ポンプ室６１の上下方向Ｚの長さよりも小さい。ポンプ室６１の幅方向Ｙの長さは、ポンプ室６１の上下方向Ｚの長さよりも小さい。
ポンプ室６１は、上下方向Ｚに延びる。ポンプ室６１は、上端と下端を有する。ポンプ室６１の上端は、最も高い階層３３よりも低い。ポンプ室６１の上端は、２番目に高い階層３３と略同じ高さ位置に配置される。ポンプ室６１の下端は、１番低い階層３３よりも低い。
処理ブロック３１は、複数のポンプ６２を備える。ポンプ６２は、ポンプ室６１に設置される。ポンプ６２は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。ポンプ６２は、少なくともいずれかの階層３３に設けられる液処理ユニット４３に処理液を送る。ポンプ６２は、少なくともいずれかの階層３３に設けられる液処理ユニット４３のノズル４４ｂに連通接続される。
図２を参照する。各階層３３が基板Ｗに行う処理を説明する。便宜上、各階層３３を、下から上に向かって、第１階層３３ａ、第２階層３３ｂ、第３階層３３ｃ、第４階層３３ｄ、第５階層３３ｅ、第６階層３３ｆ、第７階層３３ｇと呼ぶ。第１階層３３ａは、階層３３の中で最も低い。第７階層３３ｇは、階層３３の中で最も高い。
第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜形成処理を含む。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、基板Ｗにレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を含む。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、基板Ｗを現像する現像処理を含む。
なお、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、レジスト膜形成処理および現像処理を含まない。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、反射防止膜形成処理および現像処理を含まない。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理と現像処理はともに、液処理に属する。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、露光処理の前に行われる露光前処理に属する。現像処理は、露光処理の後に行われる露光後処理に属する。
反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理は、本発明における第１露光前処理および第２露光前処理の例である。
階層３３間における処理の違いに応じて、上述した処理部４１の構成の細部は、階層３３間で異なる。以下、具体的に説明する。
第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの液処理部４２は、反射防止膜材料を処理液として使用する。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの液処理ユニット４３は、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣに相当する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの液処理部４２は、レジスト膜材料を処理液として使用する。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの液処理ユニット４３は、レジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴに相当する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの液処理部４２は、現像液を処理液として使用する。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの液処理ユニット４３は、現像ユニットＳＤに相当する。
第６－第７階層３３ｆ－３３ｇと第４－第５階層３３ｄ－３３ｅとの間で、ノズル４４ｂの形状が異なってもよい。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇと第１－第３階層３３ａ－３３ｃとの間で、ノズル４４ｂの形状が異なってもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅと第１－第３階層３３ａ－３３ｃとの間で、ノズル４４ｂの形状が異なってもよい。
ちなみに、ポンプ６２は、第４－第７階層３３ｄ－３３ｇに設けられる液処理ユニット４３に処理液を送る。ポンプ６２は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃに設けられる液処理ユニット４３に処理液を送らない。
図４を参照する。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、疎水化処理と加熱処理と冷却処理を含む。疎水化処理と加熱処理と冷却処理はともに、熱処理に属する。疎水化処理は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ：Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）を含む処理ガスを基板Ｗに供給しつつ、基板Ｗを所定の温度に調整する処理である。疎水化処理は、基板Ｗと塗膜との密着性を高めるために行われる。加熱処理は、基板Ｗを加熱する。冷却処理は、基板Ｗを冷却する。
したがって、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの熱処理ユニット４８の一部は、疎水化処理ユニットＡＨＰに相当する。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの熱処理ユニット４８の他の一部は、加熱ユニットＨＰに相当する。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの熱処理ユニット４８の残りは、冷却ユニットＣＰに相当する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、加熱処理と冷却処理を含む。
したがって、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの熱処理ユニット４８の一部は、加熱ユニットＨＰに相当する。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの熱処理ユニット４８の残りは、冷却ユニットＣＰに相当する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、加熱処理と冷却処理を含む。
したがって、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの熱処理ユニット４８の一部は、加熱ユニットＨＰに相当する。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの熱処理ユニット４８の残りは、冷却ユニットＣＰに相当する。
疎水化処理ユニットＡＨＰと加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰとの間で、熱処理ユニット４８の構造が互いに異なってもよい。例えば、疎水化処理ユニットＡＨＰと加熱ユニットＨＰは、第２プレート４９ｂを備えてもよい。冷却ユニットＣＰは、第２プレート４９ｂを備えなくてもよい。疎水化処理ユニットＡＨＰは、さらに、処理ガスを基板Ｗに供給するガス供給部を備えてもよい。
第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、本発明における第１処理の例である。第６－第７階層３３ｆ－３３ｇは、本発明における第１処理が行われる階層の例である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、本発明における第２処理の例である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅは、本発明における第２処理が行われる階層の例である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、本発明における第３処理の例である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、本発明における第３処理が行われる階層の例である。
＜インターフェース部７１＞
図１－４、９、１０を参照する。図９は、インターフェース部７１の前部の背面図である。図１０は、インターフェース部７１の後部の背面図である。インターフェース部７１は、略箱形状を有する。インターフェース部７１は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
インターフェース部７１は、フレーム７２を備える。フレーム７２は、インターフェース部７１の骨組み（骨格）として、設けられる。フレーム７２は、インターフェース部７１の形状を画定する。フレーム７２は、例えば、金属製である。
インターフェース部７１は、搬送部７３を備える。搬送部７３は、第２載置部５６と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。
搬送部７３は、第１搬送機構７４と第２搬送機構７５を備える。第１搬送機構７４と第２搬送機構７５は、それぞれ基板Ｗを搬送する。第１搬送機構７４と第２搬送機構７５は、幅方向Ｙに並ぶように配置される。第１搬送機構７４は、第２搬送機構７５の右方に配置される。第１搬送機構７４は、第２搬送機構７５と略同じ高さ位置に配置される。
第１搬送機構７４は、第２載置部５６の後方かつ右方に配置される。第２搬送機構７５は、第２載置部５６の後方かつ左方に配置される。第１搬送機構７４と第２搬送機構７５はそれぞれ、第２載置部５６にアクセス可能である。
第１搬送機構７４は、インデクサ部２１の第１搬送機構２６と略同じ構造および形状を有する。第２搬送機構７５は、左右対称である点を除き、インデクサ部２１の第１搬送機構２６と略同じ構造および形状を有する。
搬送部７３は、第３搬送機構７６を備える。第３搬送機構７６は、基板Ｗを搬送する。第３搬送機構７６は、第１搬送機構７４および第２搬送機構７５の後方に配置される。より詳しくは、第３搬送機構７６は、第１搬送機構７４の後方かつ左方に配置される。第３搬送機構７６は、第２搬送機構７５の後方かつ右方に配置される。第３搬送機構７６は、第１搬送機構７４および第２搬送機構７５と略同じ高さ位置に配置される。より詳しくは、第３搬送機構７６は、第１搬送機構７４の下部および第２搬送機構７５の下部と略高さ位置に配置される。第３搬送機構７６は、露光機ＥＸＰにアクセス可能である。第３搬送機構７６は、露光機ＥＸＰに基板Ｗを渡し、かつ、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受ける。
第３搬送機構７６は、駆動部７７ａと２つの保持部７７ｂ、７７ｃとを備える。駆動部７７ａは、フレーム７２に支持される。保持部７７ｂ、７７ｃは、駆動部７７ａに支持される。駆動部７７ａは、保持部７７ｂ、７７ｃを移動させる。駆動部７７ａは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび上下方向Ｚに保持部７７ｂ、７７ｃを移動させる。駆動部７７ａは、例えば、上下方向Ｚと平行な軸線回りに保持部７７ｂ、７７ｃを回転させる。保持部７７ｂ、７７ｃはそれぞれ、基板Ｗと接触する。保持部７７ｂ、７７ｃはそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。
インターフェース部７１は、中間載置部８１を備える。中間載置部８１には、基板Ｗが載置される。
中間載置部８１は、第１搬送機構７４と第２搬送機構７５と第３搬送機構７６の間に配置される。中間載置部８１は、第１搬送機構７４および第２搬送機構７５の後方に配置される。中間載置部８１は、第１搬送機構７４の後方かつ左方に配置される。中間載置部８１は、第２搬送機構７５の後方かつ右方に配置される。中間載置部８１は、第３搬送機構７６の前方に配置される。中間載置部８１は、第１搬送機構７４、第２搬送機構７５および第３搬送機構７６と略同じ高さ位置に配置される。中間載置部８１は、第１搬送機構７４の下部および第２搬送機構７５の下部と略高さ位置に配置される。中間載置部８１は、第１搬送機構７４、第２搬送機構７５および第３搬送機構７６がアクセス可能な位置に配置される。
図３、１０を参照する。中間載置部８１は、送り載置部８２と戻り載置部８３を備える。送り載置部８２には、第１搬送機構７４および第２搬送機構７５が基板Ｗを載置する。専ら第３搬送機構７６が、送り載置部８２から基板Ｗを取る。戻り載置部８３には、第３搬送機構７６が基板Ｗを載置する。第１搬送機構７４および第２搬送機構７５が、戻り載置部８３から基板Ｗを取る。
送り載置部８２と戻り載置部８３は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。送り載置部８２は、平面視において、戻り載置部８３と重なる。
送り載置部８２は、複数の冷却載置ユニット８４を備える。１つの冷却載置ユニット８４には、１枚の基板Ｗが載置される。冷却載置ユニッ８４は、冷却載置ユニット８４に載置された基板Ｗを冷却する。冷却載置ユニット８４は、例えば、基板Ｗの温度を露光処理に適した温度に調整する。
冷却載置ユニット８４は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。冷却載置ユニット８４は、平面視において、互いに重なる。
冷却載置ユニット８４は、図示を省略するが、載置ユニット５４に温調部を付加した構造を有する。温調部は、載置ユニット５４の載置プレート５５ａに取り付けられ、載置プレート５５ａの温度を調整する。
戻り載置部８３は、複数の載置ユニット８５を備える。１つの載置ユニット８５には、１枚の基板Ｗが載置される。
載置ユニット８５は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。載置ユニット８５は、平面視において、互いに重なる。載置ユニット８５は、平面視において、冷却載置ユニット８４と重なる。
載置ユニット８５は、載置ユニット５４と略同じ構造および形状を有する。
図１、２、４、９を参照する。インターフェース部７１は、洗浄部９１を備える。洗浄部９１は、基板Ｗを洗浄する洗浄処理を行う。洗浄部９１は、さらに、基板Ｗを乾燥する乾燥処理を行う。インターフェース部７１の搬送部７３は、洗浄部９１に基板Ｗを搬送する。
洗浄部９１は、第１洗浄部９２を備える。第１洗浄部９２は、第１搬送機構７４がアクセス可能な位置に配置される。第１洗浄部９２は、第１搬送機構７４に隣接した位置に配置される。第１洗浄部９２は、第１搬送機構７４の側方に配置される。第１洗浄部９２は、第１搬送機構７４の右方に配置される。第１洗浄部９２は、第１搬送機構７４と略同じ高さ位置に配置される。
第１洗浄部９２は、複数（例えば３つ）の露光前洗浄ユニット９３を備える。露光前洗浄ユニット９３は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。露光前洗浄ユニット９３は、平面視において、互いに重なる。露光前洗浄ユニット９３は、第１搬送機構７４がアクセス可能な位置に配置される。
露光前洗浄ユニット９３は、露光処理前の基板Ｗに洗浄処理を行う。具体的には、露光前洗浄ユニット９３は、基板Ｗに洗浄液を供給することによって、基板Ｗを洗浄する。例えば、露光前洗浄ユニット９３は、基板Ｗの裏面に洗浄液を供給し、基板Ｗの裏面および周縁部を洗浄してもよい。露光前洗浄ユニット９３は、例えば、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを洗浄してもよい。露光前洗浄ユニット９３は、例えば、ブラシを基板Ｗに接触させながら、基板Ｗを洗浄してもよい。露光前洗浄ユニット９３は、さらに、露光処理前の基板Ｗに乾燥処理を行う。
第１洗浄部９２は、複数（例えば３つ）の露光後洗浄ユニット９４を備える。露光後洗浄ユニット９４は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。露光後洗浄ユニット９４は、平面視において、互いに重なる。露光後洗浄ユニット９４は、露光前洗浄ユニット９３の下方に配置される。露光後洗浄ユニット９４は、平面視において、露光前洗浄ユニット９３と重なる。露光後洗浄ユニット９４は、第１搬送機構７４がアクセス可能な位置に配置される。
露光後洗浄ユニット９４は、露光処理後の基板Ｗに洗浄処理を行う。具体的には、露光後洗浄ユニット９４は、基板Ｗに洗浄液を供給することによって、基板Ｗを洗浄する。露光後洗浄ユニット９４は、さらに、基板Ｗに乾燥処理を行う。
洗浄部９１は、第２洗浄部９５を備える。第２洗浄部９５は、第２搬送機構７５がアクセス可能な位置に配置される。第２洗浄部９５は、第２搬送機構７５に隣接した位置に配置される。第２洗浄部９５は、第２搬送機構７５の側方に配置される。第２洗浄部９５は、第２搬送機構７５の左方に配置される。第２洗浄部９５は、第２搬送機構７５と略同じ高さ位置に配置される。
第２洗浄部９５は、複数（例えば３つ）の露光前洗浄ユニット９６を備える。第２洗浄部９５は、複数（例えば３つ）の露光後洗浄ユニット９７を備える。露光前洗浄ユニット９６および露光後洗浄ユニット９７は、左右対称である点を除き、露光前洗浄ユニット９３および露光後洗浄ユニット９４と同様に配置される。露光前洗浄ユニット９６および露光後洗浄ユニット９７は、左右対称である点を除き、露光前洗浄ユニット９３および露光後洗浄ユニット９４と同じ構造および形状を有する。
上述した洗浄処理（例えば、洗浄部９１が基板Ｗに行う処理）は、液処理に属する。露光処理前の基板Ｗに行われる洗浄処理（例えば、露光前洗浄ユニット９３および露光前洗浄ユニット９６が基板Ｗに行う処理）は、露光前処理に属する。露光処理後の基板Ｗに行われる洗浄処理（例えば、露光後洗浄ユニット９４および露光後洗浄ユニット９７が基板Ｗに行う処理）は、露光後処理に属する。
図１、２、４、１０を参照する。インターフェース部７１は、熱処理部１０１を備える。熱処理部１０１は、基板Ｗに熱処理を行う。インターフェース部７１の搬送部７３は、熱処理部１０１に基板Ｗを搬送する。
熱処理部１０１は、第１熱処理部１０２を備える。第１熱処理部１０２は、第１搬送機構７４がアクセス可能な位置に配置される。第１熱処理部１０２は、第１搬送機構７４に隣接した位置に配置される。第１熱処理部１０２は、第１搬送機構７４の後方に配置される。第１熱処理部１０２は、第１洗浄部９２の後方に配置される。第１熱処理部１０２は、第３搬送機構７６よりも高い位置に配置される。第１熱処理部１０２は、平面視において、中間載置部８１の右方に配置される。第１熱処理部１０２は、第１搬送機構７４と略同じ高さ位置に配置される。より詳しくは、第１熱処理部１０２は、第１搬送機構７４の上部と略同じ高さ位置に配置される。
第１熱処理部１０２は、複数の露光後加熱ユニット１０３を備える。露光後加熱ユニット１０３は、上下方向Ｚに１列に並ぶように配置される。露光後加熱ユニット１０３は、平面視において、互いに重なる。露光後加熱ユニット１０３は、第１搬送機構７４がアクセス可能な位置に配置される。
露光後加熱ユニット１０３は、露光処理後の基板Ｗに加熱処理（すなわち、露光後加熱処理（Post Exposure Bake））を行う。露光後加熱ユニット１０３は、熱処理ユニット４８と略同じ構造および形状を有する。より具体的には、露光後加熱ユニット１０３は、加熱ユニットＨＰに相当する熱処理ユニット４８と略同じ構造および形状を有する。
熱処理部１０１は、第２熱処理部１０４を備える。第２熱処理部１０４は、第２搬送機構７５がアクセス可能な位置に配置される。第２熱処理部１０４は、第２搬送機構７５に隣接した位置に配置される。第２熱処理部１０４は、第２搬送機構７５の後方に配置される。第２熱処理部１０４は、第２洗浄部９５の後方に配置される。第２熱処理部１０４は、第３搬送機構７６よりも高い位置に配置される。第２熱処理部１０４は、平面視において、中間載置部８１の左方に配置される。第２熱処理部１０４は、第２搬送機構７５と略同じ高さ位置に配置される。より詳しくは、第２熱処理部１０４は、第２搬送機構７５の上部と略同じ高さ位置に配置される。
第２熱処理部１０４は、複数の露光後加熱ユニット１０５を備える。露光後加熱ユニット１０５は、左右対称である点を除き、露光後加熱ユニット１０３と同様に配置される。露光後加熱ユニット１０５は、左右対称である点を除き、露光後加熱ユニット１０３と同じ構造および形状を有する。
上述した露光後加熱処理（例えば、熱処理部１０１が基板Ｗに行う処理）は、熱処理に属する。露光後熱処理は、露光後処理に属する。
＜制御部１０７＞
図１を参照する。基板処理装置１は、制御部１０７を備える。制御部１０７は、例えば、インデクサ部２１に設置される。制御部１０７は、ストッカ部１１とインデクサ部２１と処理ブロック３１とインターフェース部７１を制御する。より具体的には、制御部１０７は、キャリア搬送機構１５と搬送部２５と主搬送機構３６と搬送部７３を制御する。制御部１０７は、さらに、処理部４１と洗浄部９１と熱処理部１０１を制御する。
制御部１０７は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）や、各基板Ｗを識別するための情報など各種情報を記憶されている。
＜インデクサ部２１の搬送部２５の動作＞
図１１は、インデクサ部２１の第１搬送機構２６のサイクル動作を模式的に示す図である。図１２は、インデクサ部２１の第２搬送機構２７のサイクル動作を模式的に示す図である。
インデクサ部２１の第１搬送機構２６および第２搬送機構２７は、制御部１０７の制御に従って、図１１および１２に示すサイクル動作を繰り返す。第１搬送機構２６のサイクル動作は、供給動作と層間搬送動作を含む。すなわち、第１搬送機構２６は、供給動作と層間搬送動作を行う。供給動作は、キャリアＣから第１載置部５１に基板Ｗを搬送する動作である。層間搬送動作は、異なる階層３３に設けられる２つの第１載置部５１の間で基板Ｗを搬送する動作である。
第２搬送機構２７のサイクル動作は、回収動作を含む。すなわち、第２搬送機構２７は、回収動作を行う。回収動作は、第１載置部５１からキャリアＣに基板Ｗを搬送する動作である。
なお、第１搬送機構２６は、回収動作を行わない。第２搬送機構２７は、供給動作と層間搬送動作を行わない。
＜基板処理装置の動作＞
図１３は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。図１３は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で示す。図１３、１４は、便宜上、第１階層３３ａの要素の符号に、「ａ」を付す。例えば、「５２ａ」は、第１階層３３ａの第１送り載置部５２を指す。同様に、第２－第７階層３３ｂ－３３ｇの要素の符号に、「ｂ－ｇ」を付す。
基板処理装置１は、少なくとも２つ以上の階層３３において、各基板Ｗに処理を行う。このため、基板処理装置１は、各基板Ｗを複数の階層３３に搬送する。
具体的には、各基板Ｗは、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇのいずれか１つと、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅのいずれか１つと、第１－第３階層３３ａ－３３ｃのいずれか１つに、搬送される。各基板Ｗは、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇのいずれか１つと、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅのいずれか１つと、第１－第３階層３３ａ－３３ｃのいずれか１つにおいて、処理される。
図１４は、基板Ｗが通過する基板処理装置１の要素（例えば処理ユニット）を模式的に示す図である。図１４は、便宜上、第１－第７階層３３ａ－３３ｇの要素の符号に、「ａ―ｇ」を付す。基板処理装置１の動作例は、供給工程と処理工程と層間搬送工程と回収工程を含む。
図１１－１４を参照して、供給工程と処理工程と層間搬送工程と回収工程について説明する。
＜＜供給工程＞＞
第１搬送機構２６は、供給動作を行い、キャリアＣから第６－第７階層３３ｆ－３３ｇに基板Ｗを搬送する。
具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されたキャリアＣから基板Ｗを搬出し、第６階層３３ｆの第１送り載置部５２ｆに基板Ｗを載置する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されたキャリアＣから基板Ｗを搬出し、第７階層３３ｇの第１送り載置部５２ｇに基板Ｗを載置する。
＜＜処理工程＞＞
第６階層３３ｆにおいて、反射防止膜形成処理を含む処理を基板Ｗに行う。
具体的には、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、第６階層３３ｆの第１送り載置部５２ｆから基板Ｗを取り、第６階層３３ｆの処理部４１に基板Ｗを搬送する。第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、例えば、疎水化処理ユニットＡＨＰｆ、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣｆ、加熱ユニットＨＰｆ、冷却ユニットＣＰｆに、この順番で基板Ｗを搬送する。第６階層３３ｆの処理部４１は、基板Ｗに処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、例えば、疎水化処理、反射防止膜形成処理、加熱処理および冷却処理を、この順に基板Ｗに行う。第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、第６階層３３ｆにおける処理が行われた基板Ｗを第１戻り載置部５３ｆに載置する。
第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆが疎水化処理ユニットＡＨＰｆに基板Ｗを搬送するとき、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、疎水化処理ユニットＡＨＰｆ内の処理済みの基板Ｗを、未処理の基板Ｗに置換してもよい。例えば、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆが未処理の基板Ｗを保持部３７ｆで保持した状態で、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、保持部３７ｇを用いて、疎水化処理ユニットＡＨＰｆ内の処理済みの基板Ｗを疎水化処理ユニットＡＨＰｆから搬出し、続いて、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、保持部３７ｆを用いて、未処理の基板Ｗを疎水化処理ユニットＡＨＰｆに搬入してもよい。第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆが他のユニットＢＡＲＣｆ、ＨＰｆ、ＣＰｆに基板Ｗを搬送するときも、第６階層３３ｆの主搬送機構３６ｆは、処理済みの基板Ｗを未処理の基板Ｗに置換してもよい。
第６階層３３ｆと同様に、第７階層３３ｇにおいて、反射防止膜形成処理を含む処理を基板Ｗに行う。第７階層３３ｇにおける処理が行われた基板Ｗは、第１戻り載置部５３ｇに載置される。
＜＜層間搬送工程＞＞
第１搬送機構２６は、層間搬送動作を行い、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇから第４－第５階層３３ｄ－３３ｅに基板Ｗを搬送する。
具体的には、第１搬送機構２６は、第６階層３３ｆの第１戻り載置部５３ｆ上の基板Ｗを取り、第４階層３３ｄの第１送り載置部５２ｄに基板Ｗを載置する。第１搬送機構２６は、第７階層３３ｇの第１戻り載置部５３ｇ上の基板Ｗを取り、第４階層３３ｅの第１送り載置部５２ｅに基板Ｗを載置する。
＜＜処理工程＞＞
第４階層３３ｄにおいて、レジスト膜形成処理を含む処理を基板Ｗに行う。
具体的には、第４階層３３ｄの主搬送機構３６ｄは、第４階層３３ｄの第１送り載置部５２ｄから基板Ｗを取り、第４階層３３ｄの処理部４１に基板Ｗを搬送する。第４階層３３ｄの主搬送機構３６ｄは、例えば、レジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴｄ、加熱ユニットＨＰｄ、冷却ユニットＣＰｄに、この順番で基板Ｗを搬送する。第４階層３３ｄの処理部４１は、基板Ｗに処理を行う。第４階層３３ｄの処理部４１は、例えば、レジスト膜形成処理、加熱処理および冷却処理を、この順に基板Ｗに行う。第４階層３３ｄの主搬送機構３６ｄは、第４階層３３ｄにおける処理が行われた基板Ｗを第２送り載置部５７ｄに載置する。
第４階層３３ｄと同様に、第５階層３３ｅにおいて、レジスト膜形成処理を含む処理を基板Ｗに行う。第５階層３３ｅにおける処理が行われた基板Ｗは、第２送り載置部５７ｅに載置される。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第２送り載置部５７ｄ、５７ｅから露光前洗浄ユニット９３、９６を経由して露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。
具体的には、第１搬送機構７４は、第２送り載置部５７ｄから露光前洗浄ユニット９３に搬送する。露光前洗浄ユニット９３は、基板Ｗに洗浄処理を行う。第１搬送機構７４は、露光前洗浄ユニット９３から送り載置部８２（すなわち、冷却載置ユニット８４）に基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５は、第２送り載置部５７ｅから露光前洗浄ユニット９６に基板Ｗを搬送する。露光前洗浄ユニット９６は、基板Ｗに洗浄処理を行う。第２搬送機構７５は、露光前洗浄ユニット９６から送り載置部８２に基板Ｗを搬送する。第３搬送機構７６は、送り載置部８２から露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、露光機ＥＸＰから、露光後洗浄ユニット９４、９７および露光後加熱ユニット１０３、１０５を経由して、第２戻り載置部５８ａ－５８ｃに基板Ｗを搬送する。
具体的には、第３搬送機構７６は、露光機ＥＸＰから戻り載置部８３（すなわち、載置ユニット８５）に搬送する。第１搬送機構７４は、戻り載置部８３から露光後洗浄ユニット９４に基板Ｗを搬送する。露光後洗浄ユニット９４は基板Ｗに洗浄処理を行う。第１搬送機構７４は、露光後洗浄ユニット９４から露光後加熱ユニット１０３に基板Ｗを搬送する。露光後加熱ユニット１０３は基板Ｗに露光後加熱処理を行う。第１搬送機構７４は、露光後加熱ユニット１０３から、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２戻り載置部５８ａ－５８ｃに基板Ｗを搬送する。同様に、第２搬送機構７５は、戻り載置部８３から露光後洗浄ユニット９７に基板Ｗを搬送する。露光後洗浄ユニット９７は基板Ｗに洗浄処理を行う。第２搬送機構７５は、露光後洗浄ユニット９７から露光後加熱ユニット１０５に基板Ｗを搬送する。露光後加熱ユニット１０５は基板Ｗに露光後加熱処理を行う。第２搬送機構７５は、露光後加熱ユニット１０５から、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２戻り載置部５８ａ－５８ｃに基板Ｗを搬送する。
なお、インターフェース部７１の搬送部７３は、層間搬送動作を行わない。
第１階層３３ａにおいて、現像処理を含む処理を基板Ｗに行う。
具体的には、第１階層３３ａの主搬送機構３６ａは、第１階層３３ａの第２戻り載置部５８ａから基板Ｗを取り、第１階層３３ａの処理部４１に基板Ｗを搬送する。第１階層３３ａの主搬送機構３６ａは、例えば、現像ユニットＳＤａ、加熱ユニットＨＰａ、冷却ユニットＣＰａに、この順番で基板Ｗを搬送する。第１階層３３ａの処理部４１は、基板Ｗに処理を行う。第１階層３３ａの処理部４１は、例えば、現像処理、加熱処理および冷却処理を、この順に基板Ｗに行う。第１階層３３ａの主搬送機構３６ａは、第１階層３３ａにおける処理が行われた基板Ｗを第１戻り載置部５３ａに載置する。
第１階層３３ａと同様に、第２－第３階層３３ｂ－３３ｃにおいて、現像処理を含む処理を基板Ｗに行う。第２－第３階層３３ｂ－３３ｃにおける処理が行われた基板Ｗは、第２送り載置部５７ｂ－５７ｃに載置される。
＜＜回収工程＞＞
第２搬送機構２７は、回収動作を行い、第１－第３階層３３ａ－３３ｃからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
具体的には、第２搬送機構２７は、第１階層３３ａの第１戻り載置部５３ａから基板Ｗを取り、キャリア載置部２２Ｂに載置されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する。同様に、第２搬送機構２７は、第２階層３３ｂの第１戻り載置部５３ｂからキャリア載置部２２Ｂに載置されたキャリアＣに基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第３階層３３ｃの第１戻り載置部５３ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されたキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜第１載置部５１に対するインデクサ部２１の搬送部２５の動作＞
図８（ａ）、８（ｂ）を参照して、第１載置部５１に対するインデクサ部２１の搬送部２５の詳しい動作例を説明する。
上述のとおり、１つの階層３３に設けられる第１載置部５１は、８つの載置ユニット５４を備える。便宜上、１つの階層３３に設けられる８つ載置ユニット５４を、載置ユニット５４ａ、５４ｂ、・・・、５４ｈと呼ぶ。載置ユニット５４ａ－５４ｄは、第１戻り載置部５３に属するものとする。載置ユニット５４ｅ－５４ｈは、第１送り載置部５２に属するものとする。
図８（ａ）を参照する。第１搬送機構２６は、第１載置部５１に２枚の基板Ｗを同時に載置する。具体的には、第１搬送機構２６は、保持部２８ｄ、２８ｅで２枚の基板Ｗを保持した状態で、第１載置部５１にアクセスする。第１搬送機構２６は、第１送り載置部５２に２枚の基板Ｗを同時に載置する。例えば、第１搬送機構２６は、第１、第２の基板Ｗを同時に載置ユニット５４ｅ、５４ｆに載置する。
上述のとおり、第１送り載置部５２に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、第１送り載置部５２は構成される。このため、第１搬送機構２６は、第１送り載置部５２に、さらに２枚の基板Ｗを同時に載置できる。例えば、第１搬送機構２６は、第３、第４の基板Ｗを同時に載置ユニット５４ｇ、５４ｈに載置できる。
第１搬送機構２６が第３、第４の基板Ｗを載置ユニット５４ｇ、５４ｈに載置している間に、主搬送機構３６は載置ユニット５４ｅ、５４ｆから基板Ｗを取ることができる。より詳しくは、第１搬送機構２６が第１、第２の基板Ｗを載置ユニット５４ｅ、５４ｆに載置した後から、第１搬送機構２６が第５、第６の基板Ｗを再び載置ユニット５４ｅ、５４ｆに載置するまでの間に、主搬送機構３６は載置ユニット５４ｅ、５４ｆから第１、第２の基板Ｗを取ることができる。
ここで、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が第１送り載置部５２に同時にアクセスすることがある。例えば、第１搬送機構２６が載置ユニット５４ｇ、５４ｈにアクセスするとき、主搬送機構３６が載置ユニット５４ｅ－５４ｆにアクセスすることがある。載置ユニット５４ｇ、５４ｈの位置は、載置ユニット５４ｅ－５４ｆの位置と異なる。載置ユニット５４ｇ、５４ｈは、載置ユニット５４ｅ－５４ｆの上方に配置される。このため、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が互いに干渉するおそれがない。よって、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が第１送り載置部５２に同時にアクセスすることは、許容されている。したがって、第１搬送機構２６と主搬送機構３６の一方が第１送り載置部５２にアクセスするときに、第１搬送機構２６と主搬送機構３６の他方が待機する必要はない。よって、第１搬送機構２６が基板Ｗを搬送する効率をさらに高めることができる。同様に、主搬送機構３６が基板Ｗを搬送する効率をさらに高めることができる。
したがって、１回の動作で第１搬送機構２６が第１送り載置部５２に２枚の基板Ｗを同時に載置する場合であっても、第１搬送機構２６は、第１送り載置部５２に基板Ｗを載置する動作を、滞りなく繰り返すことができる。
なお、第１送り載置部５２に基板Ｗを載置する動作は、上述した供給動作に含まれる。第１送り載置部５２に基板Ｗを載置する動作は、上述した層間搬送動作にも含まれる。
図８（ｂ）を参照する。第１搬送機構２６は、第１載置部５１から２枚の基板Ｗを同時に取る。具体的には、第１搬送機構２６は、保持部２８ｄ、２８ｅを使って、第１戻り載置部５３から２枚の基板Ｗを同時に取る。例えば、第１搬送機構２６は、載置ユニット５４ａ、５４ｂ上の第１、第２の基板Ｗを同時に取る。
上述のとおり、第１戻り載置部５３に４枚の基板Ｗを同時に載置可能に、第１戻り載置部５３は構成される。このため、第１搬送機構２６は、第１戻り載置部５３から、さらに２枚の基板Ｗを同時に取ることができる。例えば、第１搬送機構２６は、載置ユニット５４ｃ、５４ｄ上の第３、第４の基板Ｗを同時に取ることができる。
第１搬送機構２６が載置ユニット５４ｃ、５４ｄ上の第３、第４の基板Ｗを取っている間に、主搬送機構３６は載置ユニット５４ａ、５４ｂに第５、第６の基板Ｗを載置できる。より詳しくは、第１搬送機構２６が載置ユニット５４ａ、５４ｂ上の第１、第２の基板Ｗを取った後から、第１搬送機構２６が再び載置ユニット５４ａ、５４ｂにアクセスするまでの間に、主搬送機構３６は載置ユニット５４ａ、５４ｂに基板Ｗを載置できる。
ここで、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が第１戻り載置部５３に同時にアクセスすることがある。例えば、第１搬送機構２６が載置ユニット５４ｃ、５４ｄにアクセスするとき、主搬送機構３６が載置ユニット５４ａ－５４ｂにアクセスすることがある。載置ユニット５４ｃ、５４ｄの位置は、載置ユニット５４ａ、５４ｂの位置と異なる。このため、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が互いに干渉するおそれがない。よって、第１搬送機構２６と主搬送機構３６が第１戻り載置部５３に同時にアクセスすることは、許容されている。したがって、第１搬送機構２６と主搬送機構３６の一方が第１戻り載置部５３にアクセスするときに、第１搬送機構２６と主搬送機構３６の他方が待機する必要はない。よって、第１搬送機構２６が基板Ｗを搬送する効率をさらに高めることができる。同様に、主搬送機構３６が基板Ｗを搬送する効率をさらに高めることができる。
したがって、１回の動作で第１搬送機構２６が第１戻り載置部５３から２枚の基板Ｗを同時に取る場合であっても、第１搬送機構２６は、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取る動作を、滞りなく繰り返すことができる。
なお、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取る動作は、上述した層間搬送動作に含まれる。
図示を省略するが、第２搬送機構２７は、第１戻り載置部５３から２枚の基板Ｗを同時に取る。第１戻り載置部５３に４枚の基板Ｗを載置可能であるので、第２搬送機構２７は、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取る動作を、滞りなく繰り返すことができる。
上述の通り、供給動作では、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１送り載置部５２にアクセスし、第１戻り載置部５３にアクセスしない。回収動作では、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１戻り載置部５３にアクセスし、第１送り載置部５２にアクセスしない。第１送り載置部５２の位置は、第１戻り載置部５３の位置と異なる。よって、供給動作において第１送り載置部５２にアクセスする搬送部２５の動作は、回収動作において第１戻り載置部５３にアクセスする搬送部２５の動作と干渉しない。
層間搬送動作では、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１送り載置部５２にアクセスする。ここで、層間搬送動作において搬送部２５がアクセスする第１送り載置部５２が設けられる階層３３は、供給動作において搬送部２５がアクセスする第１送り載置部５２が設けられる階層３３と異なる。よって、層間搬送動作において第１送り載置部５２にアクセスする搬送部２５の動作は、供給動作において第１送り載置部５２にアクセスする搬送部２５の動作と干渉しない。
層間搬送動作では、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１戻り載置部５３にアクセスする。ここで、層間搬送動作において搬送部２５がアクセスする第１戻り載置部５３が設けられる階層３３は、回収動作において搬送部２５がアクセスする第１戻り載置部５３が設けられる階層３３と異なる。よって、層間搬送動作において第１戻り載置部５３にアクセスする搬送部２５の動作は、回収動作において第１戻り載置部５３にアクセスする搬送部２５の動作と干渉しない。
＜ストッカ部１１とインデクサ部の動作＞
図１５（ａ）－１５（ｄ）は、ストッカ部１１とインデクサ部２１の動作を模式的に示す図である。図１５（ａ）－１５（ｄ）は、キャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２を、図１とは異なる位置に示す。
インデクサ部２１の第２搬送機構２７が供給動作を行わない。インデクサ部２１の第１搬送機構２６のみが供給動作を行う。インデクサ部２１の第１搬送機構２６はキャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣにアクセス可能であり、キャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣにアクセス不能である。したがって、インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣのみから基板Ｗを搬出する。よって、図１５（ａ）－１５（ｄ）では、キャリア載置部２２Ｂの図示を省略する。
図１５（ａ）を参照する。キャリアＣａがキャリア載置部２２Ａ１に載置される。インデクサ部２１の搬送部２５（具体的には第１搬送機構２６）は、キャリアＣａ内の全ての基板Ｗ（例えば、基板Ｗａ１、Ｗａ２、Ｗａ３）を既に搬出した。キャリアＣａは基板Ｗを収容していない。キャリアＣｂがキャリア載置部２２Ａ２に載置されている。キャリアＣｂは未処理の基板Ｗを収容している。搬送部２５は、キャリアＣｂ内の基板Ｗｂ１を搬出している。キャリアＣｃは、棚１３に載置される。キャリアＣｃは未処理の基板Ｗを収容する。
図１５（ｂ）を参照する。キャリア搬送機構１５はキャリアＣａをキャリア載置部２２Ａ１から棚１３に搬送する。搬送部２５は、キャリアＣｂ内の基板Ｗｂ２を搬出している。
図１５（ｃ）を参照する。キャリア搬送機構１５はキャリアＣｃを棚１３からキャリア載置部２２Ａ１に搬送する。搬送部２５は、キャリアＣｂ内の基板Ｗｂ３を搬出している。
図１５（ｄ）を参照する。搬送部２５は、キャリアＣｂ内の全ての基板Ｗを既に搬出した。搬送部２５は、キャリアＣｃから基板Ｗｃ１を搬出している。
このように、インデクサ部２１は２つのキャリア載置部２２Ａ１、２２Ａ２を備える。このため、搬送部２５がキャリア載置部２２Ａ２上のキャリアＣｂから全ての基板Ｗを搬出する前に、キャリア搬送機構１５はキャリアＣｃをキャリア載置部２２Ａ１に載置できる。よって、搬送部２５がキャリアＣｂから全ての基板Ｗを搬出した後、速やかに、搬送部２５はキャリアＣｃから基板Ｗを搬出し始めることができる。したがって、キャリアＣを交換するとき、搬送部２５が基板Ｗを搬送する効率が低下するおそれがない。
図１６（ａ）－１６（ｃ）は、ストッカ部１１とインデクサ部２１の動作を模式的に示す図である。図１６（ａ）－１６（ｃ）は、キャリア載置部２２Ｂ１、２２Ｂ２を、図１とは異なる位置に示す。
インデクサ部２１の第１搬送機構２６は、回収動作を行わない。インデクサ部２１の第２搬送機構２７のみが回収動作を行う。インデクサ部２１の第２搬送機構２７はキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣにアクセス可能であり、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣにアクセス不能である。したがって、インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣのみに基板Ｗを搬入する。よって、図１６（ａ）－１６（ｃ）では、キャリア載置部２２Ａの図示を省略する。
第２搬送機構２７の回収動作は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃからキャリアＣに基板Ｗを搬送する動作である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、第１－第７階層３３ａ－３３ｇの中で、基板Ｗが最後に通る階層３３である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１は、基板ＷがキャリアＣに搬入される前において、基板Ｗが最後に載置される場所に相当する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、本発明における最終階層の例である。
以下の説明では、第１－第３階層３３ａ－３３ｃを特に区別しない場合には、階層３３ｏｕｔと記載する。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの主搬送機構３６を特に区別しない場合には、主搬送機構３６ｏｕｔと記載する。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１を特に区別しない場合には、第１載置部５１ｏｕｔと記載する。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１戻り載置部５３を特に区別しない場合には、第１戻り載置部５３ｏｕｔと記載する。
図１６（ａ）を参照する。キャリアＣａがキャリア載置部２２Ｂ１に載置される。キャリア載置部２２Ｂ２にはキャリアＣは載置されていない。キャリアＣｂは、棚１３に載置される。インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリアＣａに基板Ｗを搬入している。具体的には、第２搬送機構２７は、階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔ（具体的には、第１戻り載置部５３ｏｕｔ）からキャリアＣａに基板Ｗａ２を搬送する。階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔは、階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔ（具体的には、第１戻り載置部５３ｏｕｔ）に基板Ｗａ３を載置する。階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔは、階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔに向かって、基板Ｗｂ１、Ｗｂ２を搬送する。
ここで、基板Ｗａ３は、キャリアＣａに搬入される予定の基板Ｗである。基板Ｗａ３は、例えば、インデクサ部２１の搬送部２５によってキャリアＣａから搬出された基板Ｗである。基板Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３は、キャリアＣｂに搬入される予定の基板Ｗである。基板Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３は、例えば、インデクサ部２１の搬送部２５によってキャリアＣｂから搬出された基板Ｗである。
図１６（ｂ）を参照する。搬送部２５は、基板Ｗａ３をキャリアＣａに搬入している。主搬送機構３６ｏｕｔは、第１載置部５１ｏｕｔに基板Ｗｂ１を載置する。制御部１０７は、主搬送機構３６ｏｕｔが第１載置部５１ｏｕｔに基板Ｗｂ１を載置する動作（以下、「払い出し動作」という）を検出する。制御部１０７は、払い出し動作の検出結果に基づいて、キャリア搬送機構１５の動作のタイミングを決定する。キャリア搬送機構１５の動作は、例えば、キャリアＣｂを棚１３からキャリア載置部２２Ｂ２に搬送するキャリア搬送機構１５の動作である。
具体的には、制御部１０７は、払い出し動作の回数を計数する。制御部１０７は、払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定する。所定値は、予め、決められている。所定値は、例えば、第１載置部５１ｏｕｔに基板Ｗｂ１が実際に載置される前に、決められている。所定値は、制御部１０７が参照可能な情報（例えば、スケジュール情報）によって決められている。
ここで、スケジュール情報は、基板処理装置１における基板Ｗの処理予定および搬送予定に関する情報である。スケジュール情報は、将来の時刻と基板Ｗの位置との関係に関する情報である。スケジュール情報は、例えば、基板Ｗｂ１が、いつ、どの位置にあるかに関する情報を含む。このため、スケジュール情報は、基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに載置される予定時刻に関する情報を含む。仮に、スケジュール情報が上述した予定時刻に関する情報を含まなくても、制御部１０７は、スケジュール情報から上述した予定時刻を推定可能である。さらに、スケジュール情報は、基板Ｗの搬送順序に関する情報も含む。例えば、スケジュール情報は、基板Ｗａ２、Ｗａ３、Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３が、この順序で、第１載置部５１ｏｕｔに載置されることに関する情報を含む。例えば、スケジュール情報は、基板Ｗａ２、Ｗａ３、Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３の中で、基板Ｗｂ１が３番目に第１載置部５１ｏｕｔに載置されることに関する情報を含む。仮に、スケジュール情報が上述した基板Ｗｂ１の順番（「３番目」）に関する情報を含まなくても、制御部１０７は、スケジュール情報から上述した基板Ｗｂ１の順番を推定可能である。
例えば、基板Ｗｂ１が３番目に第１載置部５１ｏｕｔに載置される予定である場合、上述した所定値は、「３」に決められる。
払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに載置されたか否かを判定することに相当する。払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに実際に載置された時刻を特定することに相当する。ここで、基板Ｗｂ１は、棚１３に載置されるキャリアＣｂに搬入される予定の基板Ｗである。より詳しく言えば、基板Ｗｂ１は、基板Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３の中で、棚１３に載置されるキャリアＣｂに最初に搬入される予定の基板Ｗである。基板Ｗｂ１は、棚１３に載置されるキャリアＣｂに搬入される予定の基板Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３の中で、最初に第１載置部５１ｏｕｔに載置される基板Ｗである。したがって、払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、棚１３に載置されるキャリアＣｂに最初に搬入される予定の基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに載置されたか否かを判定することに相当する。払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、棚１３に載置されるキャリアＣｂに搬入される予定の基板Ｗが第１載置部５１ｏｕｔに初めて載置されたか否かを判定することに相当する。払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、棚１３に載置されるキャリアＣｂに最初に搬入される予定の基板Ｗが第１載置部５１ｏｕｔに実際に載置された時刻を特定することに相当する。払い出し動作の回数が所定値になったか否かを判定することは、棚１３に載置されるキャリアＣｂに搬入される予定の基板Ｗが第１載置部５１ｏｕｔに初めて実際に載置された時刻を特定することに相当する。
基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに載置されたと制御部１０７が判定したとき、制御部１０７は、キャリアＣｂを棚１３からキャリア載置部２２Ｂ２に搬送するキャリア搬送機構１５の動作を開始させる。
制御部１０７の制御に従って、キャリア搬送機構１５は、キャリアＣｂを棚１３からキャリア載置部２２Ｂ２に搬送する。キャリアＣｂは、キャリア載置部２２Ｂ２に載置される。
図１６（ｃ）を参照する。搬送部２５は、基板Ｗｂ１をキャリアＣｂに搬入する。主搬送機構３６ｏｕｔは、基板Ｗｂ２を第１載置部５１ｏｕｔに載置する。キャリア搬送機構１５は、キャリアＣａをキャリア載置部２２Ｂ１から棚１３に搬送する。その結果、キャリア載置部２２Ｂ１には、キャリアＣは載置されていない。
このように、スケジュール情報から、基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに載置される予定時刻を推定可能であるにも関わらず、制御部１０７は、払い出し動作の検出結果に基づいて、基板Ｗｂ１が第１載置部５１ｏｕｔに実際に載置された時刻を特定する。よって、キャリア搬送機構１５の動作のタイミングをより的確に決定できる。
＜第１実施形態の効果＞
第１実施形態の基板処理装置１は、インデクサ部２１と階層３３を備える。階層３３は、第１載置部５１を備える。インデクサ部２１は、キャリア載置部２２Ａ、２２Ｂと、搬送部２５を備える。搬送部２５は、キャリア載置部２２Ａ、２２Ｂに載置されるキャリアＣと、第１載置部５１との間で基板Ｗを搬送する。搬送部２５は、第１搬送機構２６を備える。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第１載置部５１に基板Ｗを搬送する供給動作を行う。このため、第１搬送機構２６が第１載置部５１に載置した基板Ｗを、主搬送機構３６が直接的に取ることができる。よって、第１搬送機構２６と主搬送機構３６との間で、基板Ｗを効率良く搬送できる。したがって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。
第１搬送機構２６は、異なる階層３３に設けられる２つの第１載置部５１の間で基板Ｗを搬送する層間搬送動作を行う。よって、専ら異なる２つの階層３３の間で基板Ｗを搬送する搬送機構を、基板処理装置１に別途設けなくてもよい。したがって、基板処理装置１のフットプリント（設置面積）を好適に低減できる。
以上の通り、第１実施形態の基板処理装置１によれば、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの処理部４１は、基板Ｗに第１処理を行う。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに第１処理とは異なる第２処理を行う。第１搬送機構２６は、第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆと、第４階層３３ｄの第１載置部５１ｄの間で基板Ｗを搬送する層間搬送動作を行う。第１搬送機構２６は、第７階層３３ｇの第１載置部５１ｇと、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅの間で基板Ｗを搬送する層間搬送動作を行う。よって、第１処理および第２処理を基板Ｗに効率良く行うことができる。
第１処理は、露光処理の前に行われる第１露光前処理（具体的には反射防止膜形成処理）を含む。第２処理は、露光処理の前に行われる、第１露光前処理とは異なる第２露光前処理（具体的にはレジスト膜形成処理）を含む。よって、第１露光前処理と第２露光前処理を基板Ｗに効率良く行うことができる。
第１処理は、第１液処理（具体的には反射防止膜形成処理）を含む。第２処理は、第１液処理とは異なる第２液処理（具体的にはレジスト膜形成処理）を含む。よって、第１液処理と第２液処理を基板に効率良く行うことができる。
第１処理は、反射防止膜形成処理を含む。第２処理は、レジスト膜形成処理を含む。よって、反射防止膜処理、および、レジスト膜形成処理を基板Ｗに効率良く行うことができる。
第１搬送機構２６は、第６階層３３ｆの第１載置部５１から、第４階層３３ｄの第１載置部５１に、基板Ｗを搬送する。よって、反射防止膜形成処理を基板Ｗに行い、その後、レジスト膜形成処理を基板Ｗに行うことができる。
インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリア載置部２２Ａに載置されたキャリアＣから、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇの第１載置部５１に、基板Ｗを搬送する。よって、キャリアＣから、第１処理が行われる階層３３（具体的には、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇ）に基板Ｗを効率良く搬送できる。
第１処理が行われる階層３３の数は、２つである。よって、２つの階層３３において、基板Ｗに第１処理を行うことができる。したがって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。
第２処理が行われる階層３３の数は、２つである。２つの階層３３において、基板に第２処理を行うことができる。したがって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１は、基板Ｗに第３処理を行う。第３処理は、現像処理を含む。よって、現像処理を基板Ｗに効率良く行うことができる。
搬送部２５は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１から、キャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。よって、現像処理が行われた基板ＷをキャリアＣに効率良く搬送できる。
第３処理が行われる階層３３の数は、３つである。よって、３つの階層３３において、基板Ｗに第３処理を行うことができる。したがって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第２載置部５６と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。但し、インターフェース部７１の搬送部７３は、層間搬送動作を行わない。具体的には、インターフェース部７１の搬送部７３は、異なる階層３３に設けられる２つの第２載置部５６の間で基板Ｗを搬送しない。よって、インターフェース部７１の搬送部７３は、階層３３と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを効率良く搬送できる。
インターフェース部７１は洗浄部９１と熱処理部１０１を備える。インターフェース部７１の搬送部７３は、さらに、洗浄部９１と熱処理部１０１に基板Ｗを搬送する。上述のとおり、インターフェース部７１の搬送部７３は、層間搬送動作を行わない。このため、インターフェース部７１が洗浄部９１と熱処理部１０１を備える場合であっても、インターフェース部７１の搬送部７３の搬送負担が過度に大きくなることを抑制できる。よって、インターフェース部７１の搬送部７３は、洗浄部９１と熱処理部１０１に基板Ｗを効率良く搬送できる。このように、インターフェース部７１が洗浄部９１と熱処理部１０１を備える場合には、インターフェース部７１の搬送部７３が層間搬送動作を行わないメリットは、特に大きい。
第１載置部５１は、専らインデクサ部２１の搬送部２５が基板Ｗを載置する第１送り載置部５２と、専ら主搬送機構３６が基板Ｗを載置する第１戻り載置部５３を備える。よって、インデクサ部２１の搬送部２５の搬送動作を簡素化できる。このため、インデクサ部２１の搬送部２５は、キャリアＣと階層３３との間で基板Ｗを一層効率良く搬送できる。同様に、主搬送機構３６の搬送動作を簡素化できる。よって、主搬送機構３６は、基板Ｗを一層効率良く搬送できる。
インデクサ部２１の搬送部２５は、第１送り載置部５２に２枚の基板Ｗを同時に載置する。第１送り載置部５２に少なくとも４枚以上の基板Ｗを載置可能に、第１送り載置部５２は構成される。このため、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１送り載置部５２に基板Ｗを載置する動作を、滞りなく行うことができる。
インデクサ部２１の搬送部２５は、第１戻り載置部５３から２枚の基板Ｗを同時に取る。第１戻り載置部５３に少なくとも４枚以上の基板Ｗを載置可能に、第１戻り載置部５３は構成される。このため、インデクサ部２１の搬送部２５は、第１戻り載置部５３から基板Ｗを取る動作を、滞りなく行うことができる。
インデクサ部２１の搬送部２５は、第２搬送機構２７を備える。よって、インデクサ部２１の搬送部２５は、基板Ｗを一層効率良く搬送できる。
第１搬送機構２６は、供給動作を行う。第２搬送機構２７は、回収動作を行う。このため、インデクサ部２１の搬送部２５は、供給動作および回収動作の両方を好適に行うことができる。
第１搬送機構２６は、回収動作を行わない。よって、第１搬送機構２６の動作を簡素化できる。
第２搬送機構２７は、供給動作を行わない。よって、第２搬送機構２７の動作を簡素化できる。
階層３３ｏｕｔ（具体的には第１－第３階層３３ａ－３３ｃ）は、最終階層に相当する。インデクサ部２１の搬送部２５は、階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔからキャリア載置部２２Ｂに載置されたキャリアＣに基板を搬送する。制御部１０７は、階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔが階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔに基板Ｗを載置する払い出し動作を検出する。よって、制御部１０７は、階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔが第１載置部５１ｏｕｔに基板Ｗを実際に載置した時刻を特定できる。制御部１０７は、階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔの払い出し動作の検出結果に基づいて、キャリア搬送機構１５の動作のタイミングを決定する。よって、キャリア搬送機構１５は、キャリアＣを常に適切なタイミングでキャリア載置部２２Ｂに搬送できる。その結果、インデクサ部２１の搬送部２５による回収動作を遅滞なく行うことができる。例えば、キャリア搬送機構１５によるキャリアＣの搬送の遅れに起因して、インデクサ部２１の搬送部２５による回収動作の効率が低下することを好適に防止できる。このように、インデクサ部２１の搬送部２５による回収動作と、キャリア搬送機構１５によるキャリアＣの搬送動作とを、時間的に好適に連携させることができる。
制御部１０７は、階層３３ｏｕｔの主搬送機構３６ｏｕｔの払い出し動作の検出結果に基づいて、棚１３に載置されるキャリアＣに搬入される予定の基板Ｗが階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔに載置されたか否かを判定する。そして、棚１３に載置されるキャリアＣに搬入される予定の基板Ｗが階層３３ｏｕｔの第１載置部５１ｏｕｔに載置されたと制御部１０７が判定した時点において、制御部１０７は、棚１３からキャリア載置部２２ＢにキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構１５の動作を開始させる。このため、インデクサ部２１の搬送部２５が回収動作を始める前に、キャリア搬送機構１５は適切なキャリアＣをキャリア載置部２２Ｂに確実に載置できる。例えば、インデクサ部２１の搬送部２５が基板Ｗｂ１に対して回収動作を始める前に、キャリア搬送機構１５は、基板Ｗｂ１を収容する予定のキャリアＣｂをキャリア載置部２２Ｂに確実に載置できる。その結果、インデクサ部２１の搬送部２５による回収動作を遅滞なく行うことができる。
第１実施形態の基板処理方法は、供給工程と処理工程と層間搬送工程と回収工程を備える。供給工程は、キャリアＣから階層３３の少なくとも１つに基板を搬送する。処理工程は、各階層３３において、基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに処理を行う。処理工程は、少なくとも２つ以上の階層３３において、各基板Ｗに処理を行う。層間搬送工程は、異なる２つの階層３３の間で基板Ｗを搬送する。回収工程は、階層３３の少なくとも１つからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。供給工程は、１つの搬送機構（すなわち、第１搬送機構２６）によって実行される。よって、キャリアＣから階層３３に基板Ｗを効率良く搬送できる。このため、処理工程を効率良く実行できる。よって、基板処理のスループットを好適に向上できる。
層間搬送工程は、供給工程を実行する１つの搬送機構（すなわち、第１搬送機構２６）によって、実行される。すなわち、１つの搬送機構（すなわち、第１搬送機構２６）が、供給工程と層間搬送工程を実行する。よって、専ら異なる２つの階層３３の間で基板Ｗを搬送する搬送機構を、基板処理装置１に別途設けなくてもよい。したがって、基板処理方法を実行するためのスペースを好適に低減できる。
回収工程は、１つの搬送機構（すなわち、第２搬送機構２７）によって実行される。よって、階層３３からキャリアＣに基板Ｗを効率良く搬送できる。このため、処理工程を効率良く実行できる。よって、基板処理のスループットを好適に向上できる。
ポンプ室６１は、平面視において、階層３３と重ならない位置に配置される。このため、処理部４１の上下方向Ｚの長さ（すなわち、処理部４１の高さ）が、過度に大きくなることを好適に防止できる。
平面視におけるポンプ室６１の面積は、比較的に小さい。このため、基板処理装置１のフットプリントが過度に大きくなることを好適に防止できる。
［第２実施形態］
図面を参照して、第２実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
図１７は、第２実施形態の基板処理装置１の平面図である。図１８は、基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第２実施形態の基板処理装置１は、処理部３１の構成の点で、第１実施形態の基板処理装置１と異なる。
処理ブロック３１は、複数（例えば、６つ）の階層３３を備える。
各階層３３の液処理部４２は、複数（例えば、４つ）の液処理ユニット４３を備える。
液処理ユニット４３は、前後方向Ｘに１列に並ぶように配置される。
各階層３３の熱処理部４７は、複数（例えば１５個）の熱処理ユニット４８を備える。熱処理ユニット４８は、側面視において、行列状に配置される。例えば、熱処理ユニット４８は、前後方向Ｘに５列、および、上下方向Ｚに３段で、配置される。
図１８を参照する。各階層３３が基板Ｗに行う処理を説明する。便宜上、各階層３３を、下から上に向かって、第１階層３３ａ、第２階層３３ｂ、第３階層３３ｃ、第４階層３３ｄ、第５階層３３ｅ、第６階層３３ｆと呼ぶ。第１階層３３ａは、階層３３の中で最も低い。第６階層３３ｆは、階層３３の中で最も高い。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理を含む。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、基板Ｗ上のレジスト膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成処理を含む。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、ネガティブトーン現像処理を含む。
第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、ポジティブトーン現像処理を含む。
なお、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、保護膜形成処理、ネガティブトーン現像処理およびポジティブトーン現像処理を含まない。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理およびポジティブトーン現像処理を含まない。第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理およびネガティブトーン現像処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理と保護膜形成処理とネガティブトーン現像処理とポジティブトーン現像処理はともに、液処理に属する。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理と保護膜形成処理は、露光前処理に属する。ネガティブトーン現像処理およびポジティブトーン現像処理は、露光後処理に属する。
反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理の全体は、本発明における第１露光前処理の例である。保護膜形成処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
階層３３間における処理の違いに応じて、上述した処理部４１の構成の細部は、階層３３間で異なる。以下、具体的に説明する。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｇの液処理部４２は、反射防止膜材料およびレジスト膜材料を処理液として使用する。第５階層３３ｅの２つの液処理ユニット４３は、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣに相当する。第５階層３３ｅの残りの２つの液処理ユニット４３は、レジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴに相当する。同様に、第６階層３３ｆの２つの液処理ユニット４３は、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣに相当する。第６階層３３ｆの残りの２つの液処理ユニット４３は、レジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴに相当する。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの液処理部４２は、保護膜材料およびネガティブトーン現像用の現像液を、処理液として使用する。第３階層３３ｃの２つの液処理ユニット４３は、保護膜用塗布ユニットＴＣに相当する。第３階層３３ｃの残りの２つの液処理ユニット４３は、ネガティブトーン現像ユニットＮＴＤに相当する。同様に、第４階層３３ｄの２つの液処理ユニット４３は、保護膜用塗布ユニットＴＣに相当する。第４階層３３ｄの残りの２つの液処理ユニット４３は、ネガティブトーン現像ユニットＮＴＤに相当する。
第１－第２階層３３ａ－３３ｂの液処理部４２は、ポジティブトーン現像用の現像液を、処理液として使用する。第１階層３３ａおよび第２階層３３ｂの液処理ユニット４３は、ポジティブトーン現像ユニットＰＴＤに相当する。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、疎水化処理と加熱処理と冷却処理を含む。図示を省略するが、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの熱処理部４７は、疎水化処理ユニットＡＨＰと加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰを、熱処理ユニット４８として含む。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、加熱処理と冷却処理を含む。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの熱処理部４７は、加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰを、熱処理ユニット４８として含む。
第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、さらに、加熱処理と冷却処理を含む。第１－第２階層３３ａ－３３ｂの熱処理部４７は、加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰを、熱処理ユニット４８として含む。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、本発明における第１処理の例である。第５－第６階層３３ｅ－３３ｆは、本発明における第１処理が行われる階層の例である。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１が基板Ｗに行う処理（具体的には、保護膜用塗布ユニットＴＣが基板Ｗに行う保護膜形成処理）は、本発明における第２処理の例である。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄは、本発明における第２処理が行われる階層の例である。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、さらに基板Ｗを現像する処理を行う。このような第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１の構成は、本発明における「前記第２処理が行われる前記階層の前記処理部は、さらに、基板を現像する処理を行い」の例である。第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１が基板Ｗに行う処理は、本発明における第３処理の例である。第１－第２階層３３ａ－３３ｂは、本発明における第３処理が行われる階層の例である。
＜基板処理装置の動作＞
図１９（ａ）、１９（ｂ）、１９（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。第２実施形態の基板処理装置１は、種々の動作例を有する。以下に、３つの動作例を例示する。
図１９（ａ）は、第１動作例を示す。図１９（ａ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第１動作例では、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理およびポジティブトーン現像処理を基板Ｗに行う。第１動作例では、各基板Ｗは、３つの階層３３において処理される。
図１９（ｂ）は、第２動作例を示す。図１９（ｂ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第２動作例では、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理およびネガティブトーン現像処理を基板Ｗに行う。第２動作例では、各基板Ｗは、２つの階層３３において処理される。
図１９（ｃ）は、第３動作例を示す。図１９（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線と破線で示す。第３動作例では、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理およびポジティブトーン現像処理を一部の基板Ｗ（以下、第１基板Ｗという）に行う。第１基板Ｗは、３つの階層３３において処理される。図１９（ｃ）の一点鎖線は、第１基板Ｗの搬送経路を模式的に示す。反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理およびネガティブトーン現像処理を他の基板Ｗ（以下、第２基板Ｗという）に行う。第２の基板Ｗは、２つの階層３３において処理される。図１９（ｃ）の破線は、第２基板Ｗの搬送経路を模式的に示す。
第１－第３動作例を、具体的に説明する。
＜＜第１動作例＞＞
図１９（ａ）を参照する。インデクサ部２１の第１搬送機構２６は、供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２ＡのキャリアＣから、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの第１載置部５１ｅ、５１ｆに基板Ｗを搬送する。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１は、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を含む処理を行う。第５－第６階層３３ｅ－３３ｆにおける処理が行われた基板Ｗは、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの第１載置部５１ｅ、５１ｆに載置される。
第１搬送機構２６は、層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅから第３階層３３ｃの第１載置部５１ｃに基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆから第４階層３３ｄの第１載置部５１ｄに基板Ｗを搬送する。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、保護膜形成処理を含む処理を基板Ｗに行う。ただし、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、ネガティブトーン現像処理を基板Ｗに行わない。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄにおける処理が行われた基板Ｗは、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの第２載置部５６ｃ、５６ｄに載置される。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、インターフェース部７１の搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第２階層３３ａ－３３ｂに基板Ｗを搬送する。この際、インターフェース部７１の洗浄部９１および熱処理部１０１は、基板Ｗに処理を行ってもよい。
第１―第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第１－第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１はそれぞれ、ポジティブトーン現像処理を含む処理を基板Ｗに行う。第１－第２階層３３ａ－３３ｂにおける処理が行われた基板Ｗは、第１－第２階層３３ａ－３３ｂの第１載置部５１ａ、５１ｂに載置される。
インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第２搬送機構の第１載置部５１ａ、５１ｂからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
以上の通り、第１動作例では、第１搬送機構２６は供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７は回収動作を行う。なお、インターフェース部７１の搬送部７３は層間搬送動作を行わない。
第１動作例では、全ての階層３３ａ－３３ｆに基板Ｗが搬送される。図１９（ａ）の動作例では、全ての階層３３ａ－３３ｆにおいて基板Ｗに対する処理が行われる。
第１動作例では、第１－第２階層３３ａ－３３ｂは、本発明における最終階層の例である。
＜＜第２動作例＞＞
図１９（ｂ）を参照する。インデクサ部２１の第１搬送機構２６は、供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２ＡのキャリアＣから、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの第１載置部５１ｅ、５１ｆに基板Ｗを搬送する。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１は、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を含む処理を行う。第５－第６階層３３ｅ－３３ｆにおける処理が行われた基板Ｗは、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの第２載置部５６ｅ、５６ｆに載置される。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、インターフェース部７１の搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第３－第４階層３３ｃ－３３ｄに基板Ｗを搬送する。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、ネガティブトーン現像処理を含む処理を基板Ｗに行う。ただし、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、保護膜形成処理を基板Ｗに行わない。第３－第４階層３３ｃ－３３ｄにおける処理が行われた基板Ｗは、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの第１載置部５１ｃ、５１ｄに載置される。
インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの第１載置部５１ｃ、５１ｄからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
以上の通り、第２動作例では、第１搬送機構２６は供給動作を行う。第２搬送機構２７は回収動作を行う。ただし、第２動作例は層間搬送動作を必要としないので、第１搬送機構２６および第２搬送機構２７のいずれも、層間搬送動作を行わない。
第２動作例では、基板Ｗは一部の階層３３のみに搬送される。第２動作例では、第３－第６階層３３ｃ－３３ｆに基板Ｗが搬送され、第１－第２階層３３ａ－３３ｂに基板Ｗが搬送されない。第２動作例では、一部の階層３３のみにおいて基板Ｗに対する処理が行われる。第２動作例では、第３－第６階層３３ｃ－３３ｆにおいて基板Ｗに対する処理が行われ、第１－第２階層３３ａ－３３ｂにおいて基板Ｗに対する処理が行われない。
第２動作例では、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄは、本発明における最終階層の例である。
＜＜第３動作例＞＞
インデクサ部２１の第１搬送機構２６は、供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２ＡのキャリアＣから、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２ＡのキャリアＣから、第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第２基板Ｗを搬送する。
第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに処理を行う。具体的には、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの処理部４１は、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を含む処理を、第１、第２基板Ｗに行う。第５階層３３ｅにおける処理が行われた第１基板Ｗは、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅに載置される。第６階層３３ｆにおける処理が行われた第２基板Ｗは、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆに載置される。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅから第３階層３３ｃの第１載置部５１ｃに第１基板Ｗを搬送する。
第３階層３３ｃの処理部４１は、第１基板Ｗに処理を行う。具体的には、第３階層３３ｃの処理部４１は、保護膜形成処理を含む処理を第１基板Ｗに行う。ただし、第３階層３３ｃの処理部４１は、ネガティブトーン現像処理を第１基板Ｗに行わない。第３階層３３ｃにおける処理が行われた第１基板Ｗは、第３階層３３ｃの第２載置部５６ｃに載置される。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第３階層３３ｃの第２載置部５６ｃから、露光機ＥＸＰを経由して、第１階層３３ａの第２載置部５６ａに第１基板Ｗに搬送する。インターフェース部７１の搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから、露光機ＥＸＰを経由して、第４階層３３ｄの第２載置部５６ｄに第２基板Ｗに搬送する。
第１階層３３ａの処理部４１は、第１基板Ｗに処理を行う。具体的には、第１階層３３ａの処理部４１は、ポジティブトーン現像処理を含む処理を第１基板Ｗに行う。第１階層３３ａにおける処理が行われた第１基板Ｗは、第１階層３３ａの第１載置部５１ａに載置される。
第４階層３３ｄの処理部４１は、第２基板Ｗに処理を行う。具体的には、第４階層３３ｄの処理部４１は、ネガティブトーン現像処理を含む処理を第２基板Ｗに行う。ただし、第４階層３３ｄの処理部４１は、保護膜形成処理を第２基板Ｗに行わない。第４階層３３ｄにおける処理が行われた第２基板Ｗは、第４階層３３ｄの第１載置部５１ｄに載置される。
インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１、第４階層３３ａ、３３ｄの第１載置部５１ａ、５１ｄからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに、第１、第２基板Ｗを搬送する。
以上の通り、第３動作例では、第１搬送機構２６は供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７は回収動作を行う。
第３動作例では、基板Ｗは一部の階層３３のみに搬送される。第３動作例では、第１、第３－第６階層３３ａ、３３ｃ－３３ｆに基板Ｗが搬送され、第２階層３３ｂに基板Ｗが搬送されない。第３動作例では、一部の階層３３のみにおいて基板Ｗに対する処理が行われる。第３動作例では、第１、第３－第６階層３３ａ、３３ｃ－３３ｆにおいて基板Ｗに対する処理が行われ、第２階層３３ｂにおいて基板Ｗに対する処理が行われない。
第３動作例では、第１階層３３ａおよび第４階層３３ｄは、本発明における最終階層の例である。
＜第２実施形態の効果＞
第２実施形態の基板処理装置１によっても、第１実施形態の基板処理装置１と同様の効果を奏する。例えば、第１搬送機構２６が供給動作と層間搬送動作を行うので、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
第５―第６階層３３ｅ－３３ｆにおいて行われる処理は、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を含み、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄにおいて行われる処理は、保護膜形成処理を含む。このため、反射防止膜処理、レジスト膜形成処理、および、保護膜形成処理を基板に効率良く行うことができる。
第１動作例では、第１搬送機構２６は、第１処理が行われる第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの第１載置部５１ｅ－５１ｆから、第２処理が行われる第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの第１載置部５１ｃ－５１ｄに基板Ｗを搬送する。よって、反射防止膜形成処理、および、レジスト膜形成処理を基板Ｗに行い、その後、保護膜形成処理を基板Ｗに行うことができる。
同様に、第３動作例では、反射防止膜形成処理、および、レジスト膜形成処理を第１基板Ｗに行い、その後、保護膜形成処理を第１基板Ｗに行うことができる。
第３－第４階層３３ｃ－３３ｄにおいて行われる処理は、さらに、現像処理を含む。よって、現像処理を基板Ｗに効率良く行うことができる。
第１動作例では、インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、第１―第２階層３３ａ－３３ｂの第１載置部５１ａ、５１ｂからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。第２動作例では、インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの第１載置部５１ｃ、５１ｄからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。第３動作例では、インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、第１、第４階層３３ａ、３３ｄの第１載置部５１ａ、５１ｄからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。よって、現像処理が行われた基板ＷをキャリアＣに効率良く搬送できる。
第３―第４階層３３ｃ－３３ｄの処理部４１は、ネガティブトーン現像処理を行う。第１―第２階層３３ａ－３３ｂの処理部４１は、ポジティブトーン現像処理を行う。このため、ネガティブトーン現像処理およびポジティブトーン現像処理を、選択的に基板Ｗに行うことができる。
この発明は、上記第１、第２実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
上述した第１、第２実施形態では、インデクサ部２１の第１搬送機構２６は、供給動作と層間搬送動作を行った。ただし、これに限られない。例えば、第１搬送機構２６は、供給動作を行わず、回収動作および層間搬送動作を行ってもよい。例えば、第１搬送機構２６は、供給動作、回収動作および層間搬送動作を行ってもよい。
上述した第１、第２実施形態では、インデクサ部２１の第２搬送機構２７は、回収動作を行った。ただし、これに限られない。例えば、第２搬送機構２７は、層間搬送動作を行ってもよい。第１搬送機構２６および第２搬送機構２７の両方が層間搬送動作を行うことによって、異なる２つの階層３３の間で基板Ｗを一層効率良く行うことができる。
例えば、第２搬送機構２７は、図１１、１３に示す２つの層間搬送動作の少なくともいずれかを行ってもよい。例えば、第１搬送機構２６が第６階層３３ｆの第１載置部５１から第４階層３３ｄの第１載置部５１に基板Ｗを搬送し、第２搬送機構２７が第７階層３３ｇの第１載置部５１から第５階層３３ｅの第１載置部５１に基板Ｗを搬送してもよい。
例えば、第２搬送機構２７は、回収動作、供給動作および層間搬送動作の少なくともいずれかを行ってもよい。例えば、第２搬送機構２７は、供給動作を行ってもよい。
上述した第１、第２実施形態では、各階層３３で行われる処理を例示した。但し、これに限られない。各階層３３で行われる処理は、柔軟に変更できる。例えば、一部の階層３３で行われる処理は、反射防止膜形成処理を含み、他の階層３３で行われる処理は、レジスト膜形成処理および保護膜形成処理を含んでもよい。例えば、一部の階層３３で行われる処理は、反射防止膜形成処理と保護膜形成処理を含み、他の階層３３で行われる処理は、レジスト膜形成処理を含んでもよい。
上述した第１、第２実施形態では、液処理として、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理、保護膜形成処理、現像処理を例示した。ただし、これに限られない。洗浄処理も、液処理の一例である。例えば、一部の階層３３で行われる処理は、洗浄処理を含んでもよい。例えば、一部の階層３３で行われる処理は、露光前洗浄処理を含んでもよい。例えば、一部の階層３３で行われる処理は、露光後洗浄処理を含んでもよい。例えば、一部の階層３３の液処理部４２は、洗浄ユニットを備えてもよい。例えば、一部の階層３３の液処理部４２は、露光前洗浄ユニットを備えてもよい。例えば、一部の階層３３の液処理部４２は、露光後洗浄ユニットを備えてもよい。
上述した第１、第２実施形態では、インターフェース部７１の熱処理部１０１は露光後加熱ユニット１０３、１０５を備えた。階層３３の熱処理部４７は露光後加熱ユニットを備えなかった。ただし、これに限られない。例えば、階層３３は、露光後加熱ユニットを備えてもよい。階層３３の熱処理部４７は、露光後加熱ユニットを備えてもよい。例えば、第１実施形態において、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの熱処理部４７は、露光後加熱ユニットを備えてもよい。例えば、第２実施形態において、第１－第２階層３３ａ－３３ｂの熱処理部４７は、露光後加熱ユニットを備えてもよい。例えば、第２実施形態において、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの熱処理部４７は、露光後加熱ユニットを備えてもよい。例えば、インターフェース部７１の露光後加熱ユニット１０３、１０５を省略してもよい。例えば、インターフェース部７１の熱処理部１０１を省略してもよい。
上述した第１実施形態では、第６－第７階層３３ｆ－３３ｇはともに反射防止膜形成処理を含む処理（第１処理）を行った。すなわち、第１処理を行う階層３３の数は、２つであった。ただし、これに限られない。第１処理を行う階層３３の数は、１つ、または、３つ上でもよい。
上述した第１実施形態では、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはともにレジスト膜形成処理を含む処理（第２処理）を行った。すなわち、第２処理を行う階層３３の数は、２つであった。ただし、これに限られない。第２処理を行う階層３３の数は、１つ、または、３つ上でもよい。
上述した第１実施形態では、第１－第３階層３３ａ－３３ｃはともに現像処理を含む処理（第３処理）を行った。すなわち、第３処理を行う階層３３の数は、３つであった。ただし、これに限られない。第３処理を行う階層３３の数は、１つ、２つ、または、４つ上でもよい。
例えば、第３処理を行う階層３３の数は、零でもよい。すなわち、第１－第３階層３３ａ－３３ｃを省略してもよい。この場合、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅは、本発明における最終階層の例となる。
図面を参照して、第１－第４変形実施形態を説明する。なお、第１実施形態または第２実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
＜第１変形実施形態＞
図２０は、第１変形実施形態に係る基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第１変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態に係る基板処理装置１よりも、第１処理が行われる階層３３を多く備えている。第１変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態に係る基板処理装置１よりも、第３処理が行われる階層３３を多く備えている。
具体的には、処理ブロック３１は、複数（例えば８つ）の階層３３を備える。便宜上、各階層３３を、第１階層３３ａ、第２階層３３ｂ、第３階層３３ｃ、第４階層３３ｄ、第５階層３３ｅ、第６階層３３ｆ、第７階層３３ｇ、第８階層３３ｈと呼ぶ。後述する第２－４変形実施形態においても、各階層３３を、同様に表記する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。第１処理は、レジスト膜形成処理を含む。第１処理は、反射防止膜形成処理をさらに含んでもよいし、反射防止膜形成処理を含まなくてもよい。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、２つの反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣと、２つのレジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴを備える。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２処理と現像処理を基板Ｗに行う。第２処理は、保護膜形成処理を含む。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理は、具体的には、有機現像処理である。有機現像処理は、有機溶剤を含む現像液を基板Ｗに供給する。有機溶剤は、例えば、酢酸ブチル（ＢｕｔｙｌＡｃｅｔａｔｅ）である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、２つの保護膜用塗布ユニットＴＣと、２つの有機現像ユニットＳＤ２を備える。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。第３処理は、現像処理を含む。第３処理に含まれる現像処理は、具体的には、アルカリ現像処理である。アルカリ現像処理は、アルカリ性水溶液を現像液として基板Ｗに供給する。アルカリ性水溶液は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｔｅｔｒａ Ｍｅｔｈｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、または、水酸化カリウム（ＫＯＨ：Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、４つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備える。
第１処理は、第２処理と異なる。第１処理は、第３処理と異なる。第２処理は、第３処理と異なる。第１処理は、保護膜形成処理および現像処理を含まない。第２処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および現像処理を含まない。第３処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および保護膜形成処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１液処理の例である。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１露光前処理の例である。保護膜形成処理は、本発明における第２液処理の例である。保護膜形成処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈは、本発明における「第１処理が行われる階層」の例である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅは、本発明における「第２処理が行われる階層」の例である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、本発明における「第３処理が行われる階層」の例である。
図２１（ａ）－２１（ｃ）、２２（ａ）－２２（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。便宜上、第１－第８階層３３ａ－３３ｈに設けられる第１載置部５１を、第１載置部５１ａ－５１ｈと呼ぶ。第１－第８階層３３ａ－３３ｈに設けられる第２載置部５６を、第２載置部５６ａ－５６ｈと呼ぶ。後述する第２－４変形実施形態においても、各第１載置部５１および各第２載置部５６を、同様に表記する。第１変形実施形態に係る基板処理装置１の動作例を以下に例示する。
図２１（ａ）は、第１動作例を示す。図２１（ａ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第１動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行わない。このため、図２１（ａ）では、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅに設けられる有機現像ユニットを示す符号「ＳＤ２」の表記を省略する。すなわち、図２１（ａ）では基板Ｗに処理を行う処理ユニットを示す符号を表記し、基板Ｗに処理を行わない処理ユニットの符号の表記を省略する。後述する第１－第４変形実施形態の他の動作例を示す図においても、同様に、基板Ｗに処理を行わない処理ユニットの符号の表記を省略する。以下、第１動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理（より詳しくは、レジスト膜形成処理を含む処理）を行う。
例えば、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理を基板Ｗに行ってもよい。あるいは、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、反射防止膜形成処理を基板Ｗに行うことなく、レジスト膜形成処理を基板Ｗに行ってもよい。後述する他の動作例においても、第１処理を同様に行ってもよい。さらに、後述する第２－第４変形実施形態の動作例においても、第１処理を同様に行ってもよい。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第２処理（より詳しくは、保護膜形成処理を含む処理）を行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに現像処理を行わない。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理（より詳しくは、アルカリ現像処理を含む処理）を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２１（ｂ）は、第２動作例を示す。図２１（ｂ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第２動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第２動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。ただし、第２処理を基板Ｗに行わない。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行わない。以下、第２動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２１（ｃ）は、第３動作例を示す。図２１（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第３動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第３動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理を基板Ｗに行う。その後、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行う。ただし、第２処理と第３処理を基板Ｗに行わない。以下、第３動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、現像処理（より詳しくは、有機現像処理）を基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに第２処理を行わない。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２２（ａ）は、第４動作例を示す。図２２（ａ）は、第１基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示し、第２基板Ｗの搬送経路を破線で模式的に示す。第４動作例は、第１動作例と第２動作例の組み合わせに相当する。第４動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と第３処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第１基板Ｗに行わない。第２処理を第２基板Ｗに行わない。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第２基板Ｗに行わない。以下、第４動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第２基板Ｗを搬送する。
第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第１処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、第２基板Ｗに第１処理を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第２処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから露光機ＥＸＰに第２基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第２載置部５６ｂ－５６ｃに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１階層３３ａの第２載置部５６ａに第２基板Ｗを搬送する。
第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第３処理を行う。第１階層３３ａの処理部４１は、第２基板Ｗに第３処理を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第１載置部５１ｂ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第１階層３３ａの第１載置部５１ａからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第２基板Ｗを搬送する。
図２２（ｂ）は、第５動作例を示す。図２２（ｂ）は、第１基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示し、第２基板Ｗの搬送経路を破線で模式的に示す。第５動作例は、第１動作例と第３動作例の組み合わせに相当する。第５動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第１基板Ｗに行わない。第２処理と第３処理を第２基板Ｗに行わない。以下、第５動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第２基板Ｗを搬送する。
第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第１処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、第２基板Ｗに第１処理を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈから、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。
第５階層３３ｅの処理部４１は、第２処理を第１基板Ｗに行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第５階層３３ｅの第２載置部５６ｅから露光機ＥＸＰに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから露光機ＥＸＰに第２基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第２載置部５６ｂ－５６ｃに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第４階層３３ｄの第２載置部５６ｄに第２基板Ｗを搬送する。
第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、第３処理（より詳しくは、アルカリ現像処理）を第１基板Ｗに行う。第４階層３３ｄの処理部４１は、現像処理（より詳しくは、有機現像処理）を第２基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第１載置部５１ｂ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第４階層３３ｄの第１載置部５１ｄからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第２基板Ｗを搬送する。
図２２（ｃ）は、第６動作例を示す。図２２（ｃ）は、第１基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示し、第２基板Ｗの搬送経路を破線で模式的に示し、第３基板Ｗの搬送経路を二点鎖線で模式的に示す。第６動作例は、第１動作例と第２動作例と第３動作例の組み合わせに相当する。第６動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と第３処理をこの順番で第２基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理をこの順番で第３基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第１基板Ｗに行わない。第２処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第２基板Ｗに行わない。第２処理と第３処理を第３基板Ｗに行わない。以下、第６動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第８階層３３ｈの第１載置部５１ｈに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第７階層３３ｇの第１載置部５１ｇに第２基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第３基板Ｗを搬送する。
第８階層３３ｈの処理部４１は、第１基板Ｗに第１処理を行う。第７階層３３ｇの処理部４１は、第２基板Ｗに第１処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、第３基板Ｗに第１処理を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第８階層３３ｈの第１載置部５１ｈから、第５階層３３ｅの第１載置部５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。
第５階層３３ｅの処理部４１は、第２処理を第１基板Ｗに行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第５階層３３ｅの第２載置部５６ｅから露光機ＥＸＰに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第７階層３３ｇの第２載置部５６ｇから露光機ＥＸＰに第２基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから露光機ＥＸＰに第３基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第３階層３３ｃの第２載置部５６ｃに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第２階層３３ｂの第２載置部５６ｂに第２基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第４階層３３ｄの第２載置部５６ｄに第３基板Ｗを搬送する。
第３階層３３ｃの処理部４１は、第１基板Ｗに第３処理（より詳しくは、アルカリ現像処理）を行う。第２階層３３ｂの処理部４１は、第２基板Ｗに第３処理を行う。第４階層３３ｄの処理部４１は、現像処理（より詳しくは、有機現像処理）を第３基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第３階層３３ｃの第１載置部５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第２階層３３ｂの第１載置部５１ｂからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第２基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第４階層３３ｄの第１載置部５１ｄからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第３基板Ｗを搬送する。
図示を省略するが、第１変形実施形態に係る基板処理装置１は、第１－第６動作例以外の動作を行うことができる。
例えば、第１変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２動作例と第３動作例の組み合わせに相当する第７動作例を行うことができる。第７動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第７動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理と第３処理を第１基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を第２基板Ｗに行う。
以上の通り、第１変形実施形態によっても、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
＜第２変形実施形態＞
図２３は、第２変形実施形態に係る基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第１処理が行われる階層を多く備えている。第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第３処理が行われる階層を多く備えている。第２変形実施形態の第２処理は、洗浄処理を含む。
具体的には、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。第１処理は、レジスト膜形成処理を含む。第１処理は、反射防止膜形成処理をさらに含んでもよいし、反射防止膜形成処理を含まなくてもよい。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、２つの反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣと、２つのレジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴを備える。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２処理と現像処理を基板Ｗに行う。第２処理は、洗浄処理を含む。洗浄処理は、基板Ｗに洗浄液を供給することによって、基板Ｗを洗浄する。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理は、具体的には、有機現像処理である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、２つの洗浄処理ユニットＳＳと、２つの有機現像ユニットＳＤ２を備える。
ここで、洗浄処理は、第１洗浄処理および第２洗浄処理のいずれか１つであってもよい。第１洗浄処理は、基板Ｗの表面を洗浄する。第２洗浄処理は、基板Ｗの裏面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかを洗浄する。
洗浄処理は、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを洗浄してもよいし、基板Ｗを回転させずに、基板Ｗを洗浄してもよい。洗浄処理は、ブラシを用いて、基板Ｗを洗浄してもよいし、ブラシを用いずに、基板Ｗを洗浄してもよい。洗浄処理は、例えば、ブラシを基板Ｗに接触させて、基板Ｗを洗浄してもよい。洗浄処理は、基板Ｗを洗浄した後に、基板Ｗを乾燥してもよい。
洗浄処理ユニットＳＳは、第１洗浄処理を行う第１洗浄処理ユニット、および、第２洗浄処理を行う第２洗浄処理ユニットのいずれか１つであってもよい。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。第３処理は、現像処理を含む。第３処理に含まれる現像処理は、具体的には、アルカリ現像処理である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、４つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備える。
第１処理は、第２処理と異なる。第１処理は、第３処理と異なる。第２処理は、第３処理と異なる。第１処理は、洗浄処理および現像処理を含まない。第２処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および現像処理を含まない。第３処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および洗浄処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１液処理の例である。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１露光前処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２液処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈは、本発明における「第１処理が行われる階層」の例である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅは、本発明における「第２処理が行われる階層」の例である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、本発明における「第３処理が行われる階層」の例である。
図２４（ａ）－２４（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。第２変形実施形態に係る基板処理装置１の動作例を以下に例示する。
図２４（ａ）は、第１動作例を示す。図２４（ａ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第１動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。ただし、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行わない。以下、第１動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、第１処理（より詳しくは、レジスト膜形成処理を含む処理）を基板Ｗに行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２処理（より詳しくは、洗浄処理を含む処理）を基板Ｗに行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、第３処理（より詳しくは、アルカリ現像処理を含む処理）を基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２４（ｂ）は、第２動作例を示す。図２４（ｂ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第２動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第２動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。ただし、第２処理を基板Ｗに行わない。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行わない。以下、第２動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２４（ｃ）は、第３動作例を示す。図２４（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第３動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第３動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理を基板Ｗに行う。その後、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行う。ただし、第２処理と第３処理を基板Ｗに行わない。以下、第３動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、現像処理（より詳しくは、有機現像処理）を基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図示を省略するが、第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第１－第３動作例以外の動作を行うことができる。
例えば、第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第１動作例と第２動作例の組み合わせに相当する第４動作例を行うことができる。第４動作例では、例えば、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と第３処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。
例えば、第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第１動作例と第３動作例の組み合わせに相当する第５動作例を行うことができる。第５動作例では、例えば、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。
例えば、第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第１動作例と第２動作例と第３動作例の組み合わせに相当する第６動作例を行うことができる。第６動作例では、例えば、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と第３処理をこの順番で第２基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理をこの順番で第３基板Ｗに行う。
例えば、第２変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２動作例と第３動作例の組み合わせに相当する第７動作例を行うことができる。第７動作例では、例えば、第１処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおける現像処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。
第４－第６動作例では、第１搬送機構２６は、例えば、供給動作と層間搬送動作を行う。層間搬送動作では、第１搬送機構２６は、第１処理を行う階層３３ｆ－３３ｈの１つまたは２つから、第２処理を行う階層３３ｄ－３３ｅの１つまたは２つに、第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、例えば、回収動作を行う。
第７動作例では、第１搬送機構２６は、例えば、供給動作を行う。第２搬送機構２７は、例えば、回収動作を行う。ただし、第７動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。
上述の通り、第２変形実施形態によっても、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
＜第３変形実施形態＞
図２５は、第３変形実施形態に係る基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第３変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第１処理が行われる階層を多く備えている。第３変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第３処理が行われる階層を多く備えている。第２変形実施形態の第２処理は、洗浄処理を含む。第２変形実施形態では、第２処理が行われる階層３３の処理部４１は、現像処理を行わない。
具体的には、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。第１処理は、レジスト膜形成処理を含む。第１処理は、反射防止膜形成処理をさらに含んでもよいし、含まなくてもよい。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、２つの反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣと、２つのレジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴを備える。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２処理を基板Ｗに行う。第２処理は、洗浄処理を含む。洗浄処理は、具体的には、第１洗浄処理と第２洗浄処理の少なくともいずれかを含む。第１洗浄処理および第２洗浄処理はともに、基板Ｗに洗浄液を供給することによって、基板Ｗを洗浄する。第１洗浄処理は、基板Ｗの表面を洗浄する。第２洗浄処理は、基板Ｗの裏面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかを洗浄する。第１洗浄処理および第２洗浄処理の少なくともいずれかは、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを洗浄してもよいし、基板Ｗを回転させずに、基板Ｗを洗浄してもよい。第１洗浄処理および第２洗浄処理の少なくともいずれかは、ブラシを用いて、基板Ｗを洗浄してもよいし、ブラシを用いずに、基板Ｗを洗浄してもよい。第１洗浄処理および第２洗浄処理の少なくともいずれかは、例えば、ブラシを基板Ｗに接触させて、基板Ｗを洗浄してもよい。第１洗浄処理および第２洗浄処理の少なくともいずれかは、基板Ｗを洗浄した後に、基板Ｗを乾燥してもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１洗浄処理を行う２つの第１洗浄処理ユニットＳＳＡと、第２洗浄処理を行う２つの第２洗浄処理ユニットＳＳＢを備える。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。第３処理は、現像処理を含む。第３処理に含まれる現像処理は、例えば、アルカリ現像処理である。あるいは、第３処理に含まれる現像処理は、有機現像処理でもよい。第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、４つの現像ユニットＳＤを備える。
第１処理は、第２処理と異なる。第１処理は、第３処理と異なる。第２処理は、第３処理と異なる。第１処理は、洗浄処理および現像処理を含まない。第２処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および現像処理を含まない。第３処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および洗浄処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１液処理の例である。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１露光前処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２液処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈは、本発明における「第１処理が行われる階層」の例である。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅは、本発明における「第２処理が行われる階層」の例である。第１－第３階層３３ａ－３３ｃは、本発明における「第３処理が行われる階層」の例である。
図２６（ａ）－２６（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。第３変形実施形態に係る基板処理装置１の動作例を以下に例示する。
図２６（ａ）は、第１動作例を示す。図２６（ａ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第１動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。以下、第１動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理（より詳しくは、レジスト膜形成処理を含む処理）を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第２処理（より詳しくは、洗浄処理を含む処理）を行う。
ここで、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１洗浄処理と第２洗浄処理の少なくともいずれかを基板Ｗに行う。例えば、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１洗浄処理のみを基板Ｗに行い、第２洗浄処理を基板Ｗに行わなくてもよい。例えば、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２洗浄処理のみを基板Ｗに行い、第１洗浄処理を基板Ｗに行わなくてもよい。例えば、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１洗浄処理と第２洗浄処理の両方に基板Ｗに行ってもよい。この場合、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１洗浄処理と第２洗浄処理をこの順番に基板Ｗに行ってもよい。あるいは、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２洗浄処理と第１洗浄処理をこの順番に基板Ｗに行ってもよい。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理（より詳しくは、現像処理を含む処理）を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２６（ｂ）は、第２動作例を示す。図２６（ｂ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第２動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第２動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理と第３処理を、この順番で、基板Ｗに行う。ただし、第２処理を基板Ｗに行わない。以下、第２動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第３処理を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２６（ｃ）は、第３動作例を示す。図２６（ｃ）は、第１基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示し、第２基板Ｗの搬送経路を破線で模式的に示す。第３動作例は、第１動作例と第２動作例の組み合わせに相当する。第３動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理と第３処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理と第３処理をこの順番で第２基板Ｗに行う。ただし、第２処理を第２基板Ｗに行わない。以下、第３動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第２基板Ｗを搬送する。
第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第１処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、第２基板Ｗに第１処理を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第２処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから露光機ＥＸＰに第２基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第２載置部５６ｂ－５６ｃに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１階層３３ａの第２載置部５６ａに第２基板Ｗを搬送する。
第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第３処理を行う。第１階層３３ａの処理部４１は、第２基板Ｗに第３処理を行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第１載置部５１ｂ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第１階層３３ａの第１載置部５１ａからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第２基板Ｗを搬送する。
上述の通り、第３変形実施形態によっても、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
第３変形実施形態の第４－第５階層３３ｄ－３３ｅを、さらに、以下のように、変更してもよい。すなわち、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅにおいて行われる第２処理は、洗浄処理に加えて、保護膜形成処理を含んでもよい。この場合、保護膜形成処理および洗浄処理は、本発明における第２液処理の例である。保護膜形成処理および洗浄処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
例えば、第２処理は、保護膜形成処理と第１洗浄処理と第２洗浄処理を含んでもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはそれぞれ、第１洗浄処理ユニットＳＳＡと、第２洗浄処理ユニットＳＳＢと保護膜形成処理ユニットＴＣを備えてもよい。
例えば、第２処理は、保護膜形成処理と第１洗浄処理を含み、第２洗浄処理を含まなくてもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはそれぞれ、第１洗浄処理ユニットＳＳＡと、保護膜形成処理ユニットＴＣを備えてもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはそれぞれ、第２洗浄処理ユニットＳＳＢを備えなくてもよい。
例えば、第２処理は、保護膜形成処理と第２洗浄処理を含み、第１洗浄処理を含まなくてもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはそれぞれ、第２洗浄処理ユニットＳＳＢと、保護膜形成処理ユニットＴＣを備えてもよい。第４－第５階層３３ｄ－３３ｅはそれぞれ、第１洗浄処理ユニットＳＳＡを備えなくてもよい。
＜第４変形実施形態＞
図２７は、第４変形実施形態に係る基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第４変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第１処理が行われる階層を多く備えている。第４変形実施形態に係る基板処理装置１は、第２実施形態よりも、第２処理が行われる階層を多く備えている。第４変形実施形態では、第２処理が行われる階層３３の処理部４１は、さらに、２種類の現像処理を行うことができる。第４変形実施形態に係る基板処理装置１は、第３処理が行われる階層３３を備えていない。
具体的には、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。第１処理は、レジスト膜形成処理を含む。第１処理は、反射防止膜形成処理をさらに含んでもよいし、反射防止膜形成処理を含まなくてもよい。第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、２つの反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣと、２つのレジスト膜用塗布布ユニットＲＥＳＩＳＴを備える。
第１－第５階層３３ａ－３３ｅの処理部４１は、基板Ｗに同じ処理を行う。第１－第５階層３３ａ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第２処理と現像処理を基板Ｗに行う。第２処理は、洗浄処理を含む。第１－第５階層３３ａ－３３ｅにおける現像処理は、具体的には、アルカリ現像処理と有機現像処理のいずれか１つを選択的に行う。第１－第５階層３３ａ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと、２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１と、１つの有機現像ユニットＳＤ２を備える。
第１処理は、第２処理と異なる。第１処理は、洗浄処理および現像処理を含まない。第２処理は、反射防止膜形成処理、レジスト膜形成処理および現像処理を含まない。
反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１液処理の例である。反射防止膜形成処理とレジスト膜形成処理は、本発明における第１露光前処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２液処理の例である。洗浄処理は、本発明における第２露光前処理の例である。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈは、本発明における「第１処理が行われる階層」の例である。第１－第５階層３３ａ－３３ｅは、本発明における「第２処理が行われる階層」の例である。
図２８（ａ）－２８（ｃ）は、基板Ｗの搬送経路の概要を模式的に示す図である。第４変形実施形態に係る基板処理装置１の動作例を以下に例示する。
図２８（ａ）は、第１動作例を示す。図２８（ａ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第１動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理を、この順番で、基板Ｗに行う。その後、第１－第５階層３３ａ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行う。以下、第１動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理（より詳しくは、レジスト膜形成処理を含む処理）を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第２処理（より詳しくは、洗浄処理を含む処理）を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、現像処理を基板Ｗに行う。
より詳しくは、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、アルカリ現像処理および有機現像処理のいずれか１つを基板Ｗに行う。例えば、第１－第３階層３３ａ－３３ｃにおいて、アルカリ現像処理を基板Ｗに行ってもよい。例えば、第１－第３階層３３ａ－３３ｃにおいて、有機現像処理を基板Ｗに行ってもよい。例えば、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの一部において、アルカリ現像処理を基板Ｗに行い、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの他の一部において、有機現像処理を基板Ｗに行ってもよい。後述する他の動作例においても、第１－第３階層３３ａ－３３ｃにおける現像処理を同様に行ってもよい。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２８（ｂ）は、第２動作例を示す。図２８（ｂ）は、基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示す。第２動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。ただし、第２動作例では、搬送部２５は、層間搬送動作を行わない。これにより、第１処理を基板Ｗに行う。その後、第１－第５階層３３ａ－３３ｅにおける現像処理を基板Ｗに行う。ただし、第２処理を基板Ｗに行わない。以下、第２動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第１載置部５１ｆ－５１ｈに基板Ｗを搬送する。
第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、基板Ｗに第１処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第６－第８階層３３ｆ－３３ｈの第２載置部５６ｆ－５６ｈから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第２載置部５６ａ－５６ｃに基板Ｗを搬送する。
第１－第３階層３３ａ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、現像処理を基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第１－第３階層３３ａ－３３ｃの第１載置部５１ａ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
図２８（ｃ）は、第３動作例を示す。図２８（ｃ）は、第１基板Ｗの搬送経路を一点鎖線で模式的に示し、第２基板Ｗの搬送経路を破線で模式的に示す。第３動作例は、第１動作例と第２動作例の組み合わせに相当する。第３動作例では、第１搬送機構２６が、供給動作と層間搬送動作を行う。第２搬送機構２７が、回収動作を行う。これにより、第１処理と第２処理をこの順番で第１基板Ｗに行い、第１処理を第２基板Ｗに行う。その後、第１－第３階層３３ａ－３３ｃにおける現像処理を、第１基板Ｗおよび第２基板Ｗに行う。ただし、第２処理を第２基板Ｗに行わない。以下、第３動作例を具体的に説明する。
第１搬送機構２６は供給動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈに第１基板Ｗを搬送する。第１搬送機構２６は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから第６階層３３ｆの第１載置部５１ｆに第２基板Ｗを搬送する。
第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第１処理を行う。第６階層３３ｆの処理部４１は、第２基板Ｗに第１処理を行う。
第１搬送機構２６は層間搬送動作を行う。具体的には、第１搬送機構２６は、第７－第８階層３３ｇ－３３ｈの第１載置部５１ｇ－５１ｈから、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第１載置部５１ｄ－５１ｅに第１基板Ｗを搬送する。
第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの処理部４１はそれぞれ、第１基板Ｗに第２処理を行う。
インターフェース部７１の搬送部７３は、第４－第５階層３３ｄ－３３ｅの第２載置部５６ｄ－５６ｅから露光機ＥＸＰに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、第６階層３３ｆの第２載置部５６ｆから露光機ＥＸＰに第２基板Ｗを搬送する。さらに、搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第２載置部５６ｂ－５６ｃに第１基板Ｗを搬送する。搬送部７３は、露光機ＥＸＰから第１階層３３ａの第２載置部５６ａに第２基板Ｗを搬送する。
第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの処理部４１はそれぞれ、現像処理を第１基板Ｗに行う。第１階層３３ａの処理部４１は、現像処理を第２基板Ｗに行う。
第２搬送機構２７は回収動作を行う。具体的には、第２搬送機構２７は、第２－第３階層３３ｂ－３３ｃの第１載置部５１ｂ－５１ｃからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第１基板Ｗを搬送する。第２搬送機構２７は、第１階層３３ａの第１載置部５１ａからキャリア載置部２２Ｂに載置されるキャリアＣに第２基板Ｗを搬送する。
上述の通り、第４変形実施形態によっても、基板処理装置１のフットプリントを低減でき、かつ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
第４実施形態の第１－第５階層３３ａ－３３ｅを、さらに、以下のように、変更してもよい。
例えば、第２処理に含まれる洗浄処理は、第１洗浄処理および第２洗浄処理のいずれか１つであってもよい。ここで、第１洗浄処理は、基板Ｗの表面を洗浄する。第２洗浄処理は、基板Ｗの裏面および基板Ｗの周縁部の少なくともいずれかを洗浄する。具体的には、洗浄処理ユニットＳＳは、第１洗浄処理ユニットＳＳＡおよび第２洗浄処理ユニットＳＳＢのいずれか１つであってもよい。第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの第１洗浄処理ユニットＳＳＡと２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１と１つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。あるいは、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの第２洗浄処理ユニットＳＳＢと２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１と１つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。
例えば、第２処理に含まれる洗浄処理は、第１洗浄処理と第２洗浄処理の両方を含んでもよい。具体的には、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの第１洗浄処理ユニットＳＳＡと１つの第２洗浄処理ユニットＳＳＢと１つのアルカリ現像ユニットＳＤ１と１つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。この場合において、有機現像ユニットＳＤ２を省略してもよい。すなわち、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの第１洗浄処理ユニットＳＳＡと１つの第２洗浄処理ユニットＳＳＢと２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備えてもよい。あるいは、アルカリ現像ユニットＳＤ１を省略してもよい。すなわち、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの第１洗浄処理ユニットＳＳＡと１つの第２洗浄処理ユニットＳＳＢと２つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。
例えば、第２処理は、洗浄処理に加えて、保護膜形成処理を含んでもよい。具体的には、第２処理は、保護膜形成処理と洗浄処理を含んでもよい。第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと１つの保護膜形成処理ユニットＴＣと１つのアルカリ現像ユニットＳＤ１と１つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。この場合において、有機現像ユニットＳＤ２を省略してもよい。すなわち、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと１つの保護膜形成処理ユニットＴＣと２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備えてもよい。あるいは、アルカリ現像ユニットＳＤ１を省略してもよい。すなわち、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと１つの保護膜形成処理ユニットＴＣと２つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。
例えば、第１－第５階層３３ａ－３３ｅにおいて行われる現像処理は、アルカリ現像処理を含み、有機現像処理を含まなくてもよい。具体的には、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと、３つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備えてもよい。あるいは、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、２つの洗浄処理ユニットＳＳと、２つのアルカリ現像ユニットＳＤ１を備えてもよい。
例えば、第１－第５階層３３ａ－３３ｅにおいて行われる現像処理は、有機現像処理を含み、アルカリ現像処理を含まなくてもよい。具体的には、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、１つの洗浄処理ユニットＳＳと、３つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。あるいは、第１－第５階層３３ａ－３３ｅはそれぞれ、２つの洗浄処理ユニットＳＳと、２つの有機現像ユニットＳＤ２を備えてもよい。
上述した第１変形実施形態の第４動作例では、供給動作は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣから、第１基板Ｗと第２基板Ｗを搬出する。ここで、供給動作は、第１基板Ｗと第２基板Ｗを異なるキャリアＣから搬出してもよい。例えば、第１基板Ｗを第１キャリアＣから搬出し、第２基板Ｗを、第１キャリアＣとは異なる第２キャリアＣから搬出してもよい。あるいは、供給動作は、第１基板Ｗと第２基板Ｗを同じキャリアＣから搬出してもよい。第１基板Ｗおよび第２基板Ｗに処理を行う第１－第４変形実施形態の他の動作例においても、供給動作を同様に行ってもよい。
上述した第１変形実施形態の第４動作例では、回収動作は、キャリア載置部２２Ａに載置されるキャリアＣに、第１基板Ｗと第２基板Ｗを搬入する。ここで、回収動作は、第１基板Ｗと第２基板Ｗを異なるキャリアＣに搬入してもよい。例えば、第１基板Ｗを第１キャリアＣに搬入し、第２基板Ｗを、第１キャリアＣとは異なる第２キャリアＣに搬入してもよい。あるいは、回収動作は、第１基板Ｗと第２基板Ｗを同じキャリアＣに搬入してもよい。第１基板Ｗおよび第２基板Ｗに処理を行う第１－第４変形実施形態の他の動作例においても、回収動作を同様に行ってもよい。
上述した第１－第４変形実施形態の各動作例では、第２処理を基板Ｗに行った後、第３処理、または、第２処理が行われる階層３３における現像処理を、基板Ｗに行った。ただし、これに限られない。例えば、第２処理を基板Ｗに行った後、基板Ｗにさらに処理を行うこと無く、基板ＷをキャリアＣに回収してもよい。上述した第１－第４変形実施形態の各動作例では、第２処理を基板Ｗに行った後、露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送した。ただし、これに限られない。例えば、第２処理を基板Ｗに行った後、露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送することなく、基板ＷをキャリアＣに回収してもよい。
上述した第１、第２実施形態では、第１載置部５１は、階層３３の搬送スペース３５とインデクサ部２１の搬送スペース２３にまたがって配置された。ただし、これに限られない。例えば、第１載置部５１の全部を、階層３３の搬送スペース３５に配置してもよい。例えば、第１載置部５１の全部を、階層３３の搬送スペース３５以外の場所に配置してもよい。
上述した第１、第２実施形態では、第２載置部５６は、階層３３の搬送スペース３５とインターフェース部７１とにまたがって設置される。ただし、これに限られない。例えば、第２載置部５６の全部を、階層３３の搬送スペース３５に配置してもよい。例えば、第２載置部５６の全部を、階層３３の搬送スペース３５以外の場所に配置してもよい。
上述した第１、第２実施形態では、基板処理装置１は、インターフェース部７１を備えた。ただし、これに限られない。インターフェース部７１を省略してもよい。
第２実施形態において、第５－第６階層３３ｅ－３３ｆの液処理部４２は、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣとレジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴを、液処理ユニット４３として備える。ここで、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣとレジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴの間で、雰囲気を遮断してもよい。例えば、反射防止膜用塗布ユニットＢＡＲＣを第１チャンバに収容し、レジスト膜用塗布ユニットＲＥＳＩＳＴを、第１チャンバとは異なる第２チャンバに収容してもよい。
第２実施形態において、第３－第４階層３３ｃ－３３ｄの液処理部４２は、保護膜用塗布ユニットＴＣとネガティブトーン現像ユニットＮＴＤを、液処理ユニット４３として備える。このため、保護膜用塗布ユニットＴＣとネガティブトーン現像ユニットＮＴＤの間で、雰囲気を遮断してもよい。例えば、保護膜用塗布ユニットＴＣを第１チャンバに収容し、ネガティブトーン現像ユニットＮＴＤを、第１チャンバとは異なる第２チャンバに収容してもよい。
上述した第１、第２実施形態では、処理ブロック３１は、隔壁３４を備えた。ただし、これに限られない。隔壁３４を省略してもよい。言い換えれば、各階層３３の搬送スペース３５は、互いに連通していてもよい。本変形実施形態によれば、処理ブロック３１および各階層３３のメンテナンスを容易に行うことができる。
上述した第１、第２実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。
１ … 基板処理装置
１１ … ストッカ部
１３ … 棚
１５ … キャリア搬送機構
２１ … インデクサ部
２２Ａ、２２Ａ１、２２Ａ２、２２Ｂ、２２Ｂ１、２２Ｂ２ … キャリア載置部
２５ … インデクサ部の搬送部
２６ … インデクサ部の第１搬送機構
２７ … インデクサ部の第２搬送機構
３１ … 処理ブロック
３３ … 階層
３５ … 搬送スペース
３６ … 主搬送機構
４１ … 処理部
４２ … 液処理部
４３ … 液処理ユニット
４７ … 熱処理部
４８ … 熱処理ユニット
５１ … 第１載置部
５２ … 第１送り載置部
５３ … 第１戻り載置部
５６ … 第２載置部
５７ … 第２送り載置部
５８ … 第２戻り載置部
６１ … ポンプ室
６２ … ポンプ
７１ … インターフェース部
７３ … インターフェース部の搬送部
７４ … インターフェース部の第１搬送機構
７５ … インターフェース部の第２搬送機構
７６ … インターフェース部の第３搬送機構
９１ … 洗浄部
１０１ … 熱処理部
１０７ … 制御部
Ｃ … キャリア
ＢＡＲＣ … 反射防止膜用塗布ユニット
ＲＥＳＩＳＴ … レジスト膜用塗布ユニット
ＳＤ … 現像ユニット
ＴＣ … 保護膜用塗布ユニット
ＮＴＤ … ネガティブトーン現像ユニット
ＰＴＤ … ポジティブトーン現像ユニット
ＥＸＰ … 露光機
Ｗ … 基板
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 上下方向

Claims (19)

  1. 基板処理装置であって、
    インデクサ部と、
    上下方向に並ぶように配置される複数の階層と、
    前記インデクサ部と前記階層を制御する制御部と、
    を備え、
    前記階層のそれぞれは、
    基板が載置される第１載置部と、
    基板を処理する処理部と、
    前記第１載置部と前記処理部に基板を搬送する主搬送機構と、
    を備え、
    前記インデクサ部は、
    キャリアを載置するキャリア載置部と、
    前記キャリア載置部に載置される前記キャリアと前記第１載置部との間で基板を搬送する搬送部と、
    を備え、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、
    前記キャリア載置部に載置される前記キャリアから前記第１載置部に基板を搬送する供給動作、および、前記第１載置部から前記キャリア載置部に載置される前記キャリアに基板を搬送する回収動作の少なくともいずれかを行う第１搬送機構と、
    を備え、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、さらに、異なる前記階層に設けられる２つの前記第１載置部の間で基板を搬送する層間搬送動作を行い、
    前記階層の中で基板が最後に通る階層を最終階層とし、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記最終階層の前記第１載置部から前記キャリア載置部に載置された前記キャリアに基板を搬送し、
    前記基板処理装置は、
    前記キャリア載置部から退避した位置で前記キャリアを載置するキャリア退避部と、
    前記キャリア載置部と前記キャリア退避部との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記最終階層の前記主搬送機構が前記最終階層の前記第１載置部に基板を載置する払い出し動作を検出し、前記最終階層の前記主搬送機構の前記払い出し動作の検出結果に基づいて、前記キャリア搬送部の動作のタイミングを決定する
    基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記最終階層の前記主搬送機構の前記払い出し動作の検出結果に基づいて、前記キャリア退避部に載置される前記キャリアに搬入される予定の基板が前記最終階層の前記第１載置部に載置されたか否かを判定し、
    前記キャリア退避部に載置される前記キャリアに搬入される予定の基板が前記最終階層の前記第１載置部に載置されたと前記制御部が判定した時点において、前記制御部は前記キャリア退避部から前記キャリア載置部に前記キャリアを搬送する前記キャリア搬送部の動作を開始させる
    基板処理装置。
  3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    １つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に第１処理を行い、
    他の１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に前記第１処理とは異なる第２処理を行い、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部と、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部との間で基板を搬送する
    基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成処理、基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、基板上のレジスト膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成処理、基板を現像する現像処理および基板を洗浄する洗浄処理の一部を含み、
    前記第２処理は、前記反射防止膜形成処理、前記レジスト膜形成処理、前記保護膜形成処理、前記現像処理および前記洗浄処理の他の一部を含む
    基板処理装置。
  5. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する処理を含み、
    前記第２処理は、基板にレジスト膜を形成する処理を含み、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送する
    基板処理装置。
  6. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する処理および基板にレジスト膜を形成する処理を含み、
    前記第２処理は、基板にレジスト膜を保護する保護膜を形成する処理を含み、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送する
    基板処理装置。
  7. 基板処理装置であって、
    インデクサ部と、
    上下方向に並ぶように配置される複数の階層と、
    前記インデクサ部と前記階層を制御する制御部と、
    を備え、
    前記階層のそれぞれは、
    基板が載置される第１載置部と、
    基板を処理する処理部と、
    前記第１載置部と前記処理部に基板を搬送する主搬送機構と、
    を備え、
    前記インデクサ部は、
    キャリアを載置するキャリア載置部と、
    前記キャリア載置部に載置される前記キャリアと前記第１載置部との間で基板を搬送する搬送部と、
    を備え、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、
    前記キャリア載置部に載置される前記キャリアから前記第１載置部に基板を搬送する供給動作、および、前記第１載置部から前記キャリア載置部に載置される前記キャリアに基板を搬送する回収動作の少なくともいずれかを行う第１搬送機構と、
    を備え、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、さらに、異なる前記階層に設けられる２つの前記第１載置部の間で基板を搬送する層間搬送動作を行い、
    １つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に第１処理を行い、
    他の１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に前記第１処理とは異なる第２処理を行い、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部と、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部との間で基板を搬送し、
    前記第１処理は、基板に反射防止膜を形成する処理および基板にレジスト膜を形成する処理を含み、
    前記第２処理は、基板にレジスト膜を保護する保護膜を形成する処理を含み、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送し、
    前記第２処理が行われる前記階層の前記処理部は、さらに、基板を現像する処理を行い、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第２処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記キャリア載置部に載置された前記キャリアに、基板を搬送する
    基板処理装置。
  8. 請求項３から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１処理は、露光処理の前に行われる第１露光前処理を含み、
    前記第２処理は、露光処理の前に行われる、第１露光前処理とは異なる第２露光前処理を含む
    基板処理装置。
  9. 請求項３から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１処理は、第１液処理を含み、
    前記第２処理は、第１液処理とは異なる第２液処理を含む
    基板処理装置。
  10. 請求項３から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記キャリア載置部に載置された前記キャリアから、前記第１処理が行われる前記階層の前記第１載置部に、基板を搬送する
    基板処理装置。
  11. 請求項３から１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１処理が行われる前記階層の数は、２つ以上であり、
    前記第２処理が行われる前記階層の数は、２つ以上である
    基板処理装置。
  12. 請求項３から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１処理が行われる前記階層および前記第２処理が行われる前記階層とは異なる、他の１つ以上の前記階層の前記処理部は、基板に第３処理を行い、
    前記第３処理は、基板を現像する処理を含み、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第３処理が行われる前記階層の前記第１載置部から、前記キャリア載置部に載置される前記キャリアに基板を搬送する
    基板処理装置。
  13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    前記第３処理が行われる前記階層の数は、２つ以上である
    基板処理装置。
  14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記階層のそれぞれは、
    基板が載置される第２載置部と、
    を備え、
    前記基板処理装置は、
    インターフェース部と、
    を備え、
    前記インターフェース部は、
    前記第２載置部と、前記基板処理装置とは別体の露光機との間で基板を搬送する搬送部と、
    を備え、
    前記インターフェース部の前記搬送部は、異なる前記階層に設けられる２つの前記第２載置部の間で基板を搬送しない
    基板処理装置。
  15. 請求項１から１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１載置部は、
    専ら前記インデクサ部の前記搬送部が基板を載置する第１送り載置部と、
    専ら前記主搬送機構が基板を載置する第１戻り載置部と、
    を備える
    基板処理装置。
  16. 請求項１５に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第１送り載置部に２枚の基板を同時に載置し、
    前記第１送り載置部に少なくとも４枚以上の基板を載置可能に、前記第１送り載置部は構成される
    基板処理装置。
  17. 請求項１５または１６に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、前記第１戻り載置部から２枚の基板を同時に取り、
    前記第１戻り載置部に少なくとも４枚以上の基板を載置可能に、前記第１戻り載置部は構成される
    基板処理装置。
  18. 請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部の前記第１搬送機構は、前記供給動作および前記回収動作の一方を行い、前記供給動作および前記回収動作の他方を行わず、
    前記インデクサ部の前記搬送部は、
    前記供給動作および前記回収動作の前記一方を行わず、前記供給動作および前記回収動作の他方を行う第２搬送機構と、
    を備える
    基板処理装置。
  19. 請求項１８に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部の前記第２搬送機構は、さらに、前記層間搬送動作を行う
    基板処理装置。
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