TWI731529B - 基板處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

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TWI731529B
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桑原丈二
金山幸司
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置及基板搬送方法。第1 ID區塊2自載置於載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至6個處理層3A～3F中之任一個。又，第2 ID區塊4例如將自處理層3A輸送來之基板W移回至載置於載置台47之載具C。藉此，第1 ID區塊2可將多個基板W更迅速地搬送至配置於上下方向之6個處理層3A～3F。又，同時，第2 ID區塊4可將自配置於上下方向之6個處理層3A～3F輸送來之多個基板W更迅速地搬送至載具C。其結果，能夠提高基板處理裝置1之處理量。

Description

基板處理裝置及基板搬送方法
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及該基板之搬送方法。基板例如可列舉半導體基板、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光罩用基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。FPD例如可列舉液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等。
先前之基板處理裝置具備傳載區塊及處理區塊(例如參照日本專利特開2014-022570號公報)。傳載區塊具備：載具載置台，其供載置可收納複數個基板之載具；及基板搬送機械手，其於載置於載具載置台之載具與處理區塊之間搬送基板。處理區塊對基板塗佈例如抗蝕劑液。
又，基板處理裝置具備存放裝置(載具緩衝裝置)(例如參照日本專利特開2011-187796號公報)。存放裝置以於水平方向上延長至載具載置台側之方式配置。存放裝置具備用於存放載具之存放架及載具搬送機構。
[發明所欲解決之問題]
然而，於具有此種構成之先前之基板處理裝置之情形時，存在如下問題。即，基板處理裝置之利用傳載區塊進行之基板搬送工序具備輸送工序及移回工序。輸送工序係自載置於載具載置台之載具取出基板，並將所取出之基板搬送至處理區塊之工序。又，移回工序係自處理區塊接收由處理區塊處理後之基板，並將所接收到之基板移回至載置於上述載具載置台之載具之工序。就輸送工序而言，移回工序可能會導致處理量降低。又，就移回工序而言，輸送工序可能會導致處理量降低。
本發明係鑒於此種情況完成者，其目的在於提供一種能夠提高處理量之基板處理裝置及基板搬送方法。 [解決問題之技術手段]
本發明為了達成此種目的，採用如下構成。即，本發明之對基板進行處理之基板處理裝置包含以下構件：第1傳載區塊，其設置有第1載具載置台，該第1載具載置台係用於載置可收納複數個基板之載具；單一處理區塊，其與上述第1傳載區塊連結，且於上下方向配置有複數個處理層；及第2傳載區塊，其與上述單一處理區塊連結，且設置有用於載置上述載具之第2載具載置台；上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將所取出之基板搬送至上述複數個處理層中之任一者，上述複數個處理層分別對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
根據本發明之基板處理裝置，第1傳載區塊自載置於第1載具載置台之載具取出基板，並將所取出之基板輸送至複數個處理層中之任一個。又，第2傳載區塊將自處理層輸送來之基板移回至載置於第2載具載置台之載具。藉此，第1傳載區塊能夠更迅速地將複數個基板搬送至配置於上下方向之複數個處理層。又，同時，第2傳載區塊可將自配置於上下方向之複數個處理層輸送來之複數個基板更迅速地搬送至載具。其結果，能夠提高基板處理裝置之處理量。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層，上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
各處理層將基板自作為基板之輸送源之傳載區塊輸送至其相反側之傳載區塊。基板搬送所使用之基板載置部設置於處理層與傳載區塊之間。於將基板移回至作為基板之輸送源之傳載區塊之情形時，必須將輸送用基板載置部與移回用基板載置部此兩種基板載置部設置於一傳載區塊之附近。因此，可載置於輸送用基板載置部與移回用基板載置部各自之基板W之片數亦受到限制。然而，藉由自作為基板之輸送源之傳載區塊向其相反側之傳載區塊輸送基板，能確保可載置於基板載置部之基板之片數。又，由於2個傳載區塊交替地搬送，故而2個傳載區塊可大致均等地分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層與第2處理層依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊將經上述第2處理層處理且被搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層，上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層、第2處理層及第3處理層依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出，上述第2傳載區塊將由上述第1處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置，上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板輸送至上述複數個處理層中之第2處理層。
於利用第1處理層、第2處理層及外部裝置依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層與第2處理層依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊將經上述第2處理層處理且被搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層，上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層、第2處理層及第3處理層依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可均等地分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出，上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置，上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板輸送至上述複數個處理層中之第3處理層。
於利用第1處理層、第2處理層、第3處理層及外部裝置依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層，上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層、第2處理層及第3處理層依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出，上述第2傳載區塊自載置於上述第2載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第1處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置，上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第1載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層、第2處理層及外部裝置依序對基板進行特定之處理之構成中，2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出，上述第2傳載區塊自載置於上述第2載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層，上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層，上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊，上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置，上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層，上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊，上述第1傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第1載具載置台之上述載具。
於利用第1處理層、第2處理層、第3處理層及外部裝置依序對基板進行特定之處理之構成中，由於2個傳載區塊交替地搬送，故而2個傳載區塊可分擔用於對載具放入取出基板之基板搬送及層間之基板搬送。又，藉由自作為基板之輸送源之傳載區塊向其相反側之傳載區塊輸送基板，能確保可載置於基板載置部之基板之片數。
又，較佳為上述基板處理裝置進而具備載具搬送機構，該載具搬送機構於上述第1載具載置台與上述第2載具載置台之間搬送上述載具。例如，於自載置於第1載具載置台之載具取出了所有基板之情形時，載具搬送機構將基板移回至該載具，故而可將載置於第1載具載置台之載具搬送至第2載具載置台。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為上述載具搬送機構搭載於上述單一處理區塊之上。先前，載具搬送機構相對於傳載區塊配置於水平方向。根據本發明，載具搬送機構設置於第1處理區塊及第2處理區塊之上。因此，能夠削減相對於傳載區塊配置於水平方向之先前之載具搬送機構之設置面積。即，能夠削減基板處理裝置之佔據面積。
又，本發明之基板處理裝置之基板搬送方法包含以下工序：基板處理裝置具備：第1傳載區塊，其設置有第1載具載置台，該第1載具載置台用於載置可收納複數個基板之載具；及單一處理區塊，其與上述第1傳載區塊連結，於上下方向配置有複數個處理層。上述工序係指：藉由上述第1傳載區塊，自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將所取出之基板搬送至上述複數個處理層中之任一者；藉由上述複數個處理層之各者，對輸送來之基板進行特定之處理，且將該基板搬送至與上述單一處理區塊連結之第2傳載區塊；及藉由上述第2傳載區塊，將由上述處理層處理後之基板移回至載置於上述第2傳載區塊中設置之第2載具載置台之上述載具。
根據本發明之基板搬送方法，第1傳載區塊自載置於第1載具載置台之載具取出基板，並將所取出之基板輸送至複數個處理層中之任一個。又，第2傳載區塊將自處理層輸送來之基板移回至載置於第2載具載置台之載具。藉此，第1傳載區塊能夠更迅速地將複數個基板搬送至配置於上下方向之複數個處理層。又，同時，第2傳載區塊可將自配置於上下方向之複數個處理層輸送來之複數個基板更迅速地搬送至載具。其結果，能夠提高基板處理裝置之處理量。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置及基板搬送方法，能夠提高處理量。
[實施例1]
以下，參照圖式說明本發明之實施例1。於以下說明中，將形成有電路圖案等各種圖案之基板之面稱為正面，將其相反側之面稱為背面。又，將朝向下方之基板之面稱為下表面，將朝向上方之基板之面稱為上表面。
圖1係實施例1之基板處理裝置1之縱剖視圖。圖2係基板處理裝置1之橫剖視圖。圖3係基板處理裝置1之右側視圖。圖4係表示基板處理裝置1之左側面之一部分之圖。
參照圖1、圖2。基板處理裝置1具備第1傳載區塊(以下適當稱為「第1 ID區塊」)2、單一處理區塊3、及第2傳載區塊(以下適當稱為「第2 ID區塊」)4、以及載具緩衝裝置8。第1 ID區塊2、處理區塊3及第2 ID區塊4呈直線狀配置成一行。
(第1傳載區塊2之構成) 第1 ID區塊2具備2個開啟機構9、10(參照圖2、圖6)及2個基板搬送機構(機械手)TM1、TM2。設置於第1 ID區塊2之2個開啟機構(載具載置部)9、10分別供載置載具C。
載具C可收納水平姿勢之多片(例如25片)基板W。載具C例如使用了FOUP(FOUP：Front Open Unified Pod，前開式晶圓盒)，但亦可為除FOUP以外之容器(例如SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械化介面)盒)。載具C例如具備載具本體及蓋部，該載具本體形成有用於供放入取出基板W之開口部，該蓋部用於蓋住載具本體之開口部。
各開啟機構9、10具備：載置台13，其供載置載具C；開口部14，其用於供基板W通過；擋板構件(未圖示)，其進行開口部14之開閉，並且對載具本體進行蓋部之裝卸；及擋板構件驅動機構(未圖示)，其驅動擋板構件。擋板構件驅動機構具備電動馬達。再者，擋板構件於自載具本體卸除蓋部後，例如朝下方向移動或者沿著開口部14於水平方向(Y方向)上移動。
載置台13設置於處理區塊3之頂部平台上。如圖1所示，載置台13設置於較處理區塊3高之位置、即處理區塊3之上方。載置台13亦可設置於處理區塊3上、即與處理區塊3之上表面相接地設置。再者，載置台13相當於本發明之第1載具載置台。
2個基板搬送機構TM1、TM2各自具備2個手部21、進退驅動部23及升降旋轉驅動部25。2個手部21各自保持基板W。又，2個手部21各自可移動地安裝於進退驅動部23上。進退驅動部23可使2個手部21兩者同時進入載具C內。又，進退驅動部23可使2個手部21個別進退。因此，進退驅動部23可使2個手部21中之一者進入載具C內。
升降旋轉驅動部25藉由使進退驅動部23升降及旋轉，而使2個手部21升降及旋轉。即，升降旋轉驅動部25可使進退驅動部23於上下方向(Z方向)移動，並且可使進退驅動部23繞垂直軸AX1旋轉。進退驅動部23及升降旋轉驅動部25各自具備電動馬達。再者，2個基板搬送機構TM1、TM2分別以無法於水平方向(尤其是Y方向)移動之方式固定於第1 ID區塊2之底部。
於第1 ID區塊2與下述6個處理層3A～3F之間，設置有6個基板載置部PS1A～PS6A。6個基板載置部PS1A～PS6A及下述例如6個基板載置部PS1B～PS6B等基板載置部構成為可載置1片或多片基板W。第1基板搬送機構TM1可於載置在開啟機構9之載具C及6個基板載置部PS1A～PS6A之間搬送基板W。第2基板搬送機構TM2可於載置在開啟機構10之載具C及6個基板載置部PS1A～PS6A之間搬送基板W。再者，第1基板搬送機構TM1無法對載置於開啟機構10之載具C進行基板W之取出及收納。又，第2基板搬送機構TM2無法對載置於開啟機構9之載具C進行基板W之取出及收納。
(處理區塊3之構成) 處理區塊3與第1 ID區塊2及第2 ID區塊4連結。即，處理區塊3配置於2個ID區塊2、4之間。處理區塊3對基板W進行塗佈處理。
處理區塊3具備6個處理層3A～3F。6個處理層3A～3F以於上下方向(Z方向)上積層之方式配置。6個處理層3A～3F分別具備第3基板搬送機構TM3、搬送空間27、液體處理部28及熱處理部29。6個處理層3A～3F構成為相同。
第3基板搬送機構TM3用於在各處理層3A～3F中搬送基板W。第3基板搬送機構TM3具備2個手部31、進退驅動部32、旋轉驅動部33、第1移動機構34及第2移動機構35。
2個手部31分別保持基板W。2個手部31分別可移動地安裝於進退驅動部32。進退驅動部32使2個手部31個別地進退。旋轉驅動部33使進退驅動部32繞垂直軸AX2旋轉。藉此，可改變2個手部31之朝向。第1移動機構34使旋轉驅動部33於圖1之前後方向(X方向)上移動。藉此，可使進退驅動部32於X方向上移動。第2移動機構35使第1移動機構34於上下方向(Z方向)上移動。藉此，可使進退驅動部32於Z方向上移動。
再者，進退驅動部32、旋轉驅動部33、第1移動機構34及第2移動機構35分別具備電動馬達。
如圖2所示，第3基板搬送機構TM3設置於搬送空間27中。搬送空間27構成為於水平方向(X方向)上呈直線狀延伸。液體處理部28與熱處理部29以隔著搬送空間27之方式配置。
圖3係表示處理區塊3之液體處理部28之配置之右側視圖。6個處理層3A～3F分別具備4個液體處理部28。該等4個液體處理部28以水平方向上為4行且上下方向上為1層之4行×1層之方式配置。4個液體處理部28中之第1 ID區塊2側之2個液體處理部28為塗佈單元BARC。又，第2 ID區塊4側之2個液體處理部28為塗佈單元RESIST。塗佈單元BARC於基板W形成抗反射膜。塗佈單元RESIST於基板W形成光阻抗蝕劑等抗蝕劑膜。
如圖2所示，液體處理部28具備保持旋轉部37、噴嘴38及噴嘴移動機構39。保持旋轉部37例如藉由真空吸附來保持基板W之下表面，使所保持之基板W繞垂直軸(Z方向)旋轉。旋轉係利用例如電動馬達進行。噴嘴38向基板W供給塗佈液(例如抗反射膜形成用之液體或光阻抗蝕劑液)。噴嘴移動機構39使噴嘴38移動至任意位置。噴嘴移動機構39具備例如電動馬達。
圖4係表示處理區塊3之熱處理部29之配置之左側面之一部分的圖。各處理層3A～3F具備複數個熱處理部29。熱處理部29進行熱處理，且具備供載置基板W之平板41(參照圖2)。平板41之加熱係利用例如加熱器進行，平板41之冷卻係利用例如水冷式之機構進行。
於6個處理層3A～3F中，熱處理部29構成為能以5行×3層之方式配置。於圖4中，6個處理層3A～3F分別具備14個熱處理部29。即，6個處理層3A～3F分別具備3個密接強化處理部PAHP、2個冷卻部CP及9個加熱冷卻部PHP。再者，例如於處理區塊3中，除液體處理部28及熱處理部29以外之處理單元之個數及種類可適當變更。例如，處理單元亦可為對基板W之周緣部進行曝光處理之邊緣曝光部EEW。
密接強化處理部PAHP藉由將六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接強化劑塗佈於基板W上並加熱，而提高基板W與抗反射膜之密接性。密接強化處理部PAHP亦具有於加熱後將基板W冷卻之功能。冷卻部CP將基板W冷卻。加熱冷卻部PHP依序相繼進行加熱處理與冷卻處理。
(第2傳載區塊4之構成) 第2 ID區塊4與處理區塊3連結。第2 ID區塊4具備2個開啟機構45、46(參照圖6)及2個基板搬送機構TM4、TM5。設置於第2 ID區塊4之2個開啟機構45、46分別配置有可收納複數個基板W之載具C。
各開啟機構45、46與開啟機構9同樣地具備：載置台47，其供載置載具C；開口部48，其用於供基板W通過；擋板構件(未圖示)，其使開口部48開閉並且對載具本體進行蓋部之裝卸；及擋板構件驅動機構，其驅動擋板構件。擋板構件驅動機構具備電動馬達。再者，擋板構件於自載具本體卸除蓋部後，例如朝下方向移動或者沿著開口部48於水平方向(Y方向)上移動。
載置台47設置於處理區塊3之頂部平台上。於圖1中，載置台47設置於較處理區塊3高之位置、即處理區塊3之上方。載置台47亦可設置於塗佈區塊3上、即與處理區塊3相接地設置。再者，載置台47相當於本發明之第2載具載置台。
各基板搬送機構TM4、TM5具備2個手部21、進退驅動部23及升降旋轉驅動部25。各基板搬送機構TM4、TM5構成為與基板搬送機構TM1(TM2)相同。
於6個處理層3A～3F與第2 ID區塊4之間，設置有6個基板載置部PS1B～PS6B。第4基板搬送機構TM4可於載置在開啟機構45之載具C及6個基板載置部PS1B～PS6B之間搬送基板W。第5基板搬送機構TM5可於載置在開啟機構46之載具C及6個基板載置部PS1B～PS6B之間搬送基板W。再者，第4基板搬送機構TM4無法針對載置於開啟機構46之載具C進行基板W之取出及收納。又，第5基板搬送機構TM5無法針對載置於開啟機構45之載具C進行基板W之取出及收納。
(載具緩衝裝置8) 基板處理裝置1例如於第1 ID區塊2、處理區塊3及第2 ID區塊4上、或其等之上方具備載具緩衝裝置8。載具緩衝裝置8具備載具搬送機構51及載具存放架53(參照圖6)。
參照圖5。圖5係表示載具搬送機構51之圖。載具搬送機構51具備2個多關節臂61、62。於第1多關節臂61之一端設置有固持部63，於第2多關節臂62之一端設置有固持部64。又，第1多關節臂61之另一端以可於上下方向上移動之方式支持於支柱狀之升降驅動部65，第2多關節臂62之另一端以可於上下方向上移動之方式支持於升降驅動部65。
2個固持部63、64分別例如以固持設置於載具C之上表面之突起部之方式構成。2個固持部63、64分別具備電動馬達。
2個多關節臂61、62各自具備1個或2個以上之電動馬達。第1多關節臂61構成為可使第1固持部63繞垂直軸AX3地360度旋轉驅動。第2多關節臂62構成為與第1多關節臂61相同。例如，亦可為第1多關節臂61負責圖6之上側(開啟機構10、46側)之載具C之搬送，第2多關節臂62負責圖6之下側(開啟機構9、45側)之載具C之搬送。
升降驅動部65構成為可將2個多關節臂61、62個別地升降。升降驅動部65具備電動馬達。升降驅動部65亦可對於1個多關節臂具備例如皮帶及複數個帶輪。
前後驅動部67具備支持升降驅動部65之支持部67A、於前後方向(X方向)縱長地延伸之縱長部67B、及電動馬達(未圖示)。例如，縱長部67B亦可為軌道(導軌)，支持部67A亦可為台車。於此情形時，亦可構成為藉由電動馬達使台車(支持部67A)沿著軌道(縱長部67B)移動。
又，例如亦可將電動馬達、複數個帶輪、皮帶及導軌內置於縱長部67B，且將支持部67A固定於皮帶。於此情形時，亦可藉由電動馬達使滑輪旋轉，使架於複數個滑輪上之皮帶移動，而使支持部67A沿著導軌移動。
參照圖6。載具存放架53具備輸入口71、輸出口72、未處理基板載具架73、空載具架74及處理過之基板載具架75。輸入口71係用於自外部搬送機構OHT(Overhead Hoist Transport，高架式起重搬運系統)接收收納有未處理基板W之載具C之架。外部搬送機構OHT於工廠內搬送載具C。所謂未處理係指未進行由處理區塊3進行之處理。如圖1、圖6所示，輸入口71設置於ID區塊2上、即ID區塊2之頂部平台上。於ID區塊2之上方，設置有外部搬送機構OHT之軌道77。外部搬送機構OHT將載具C搬送至2個輸入口71中之任一個。
又，於圖6中，未處理基板載具架73及處理過之基板載具架75以沿著縱長部67B之方式設置於基板處理裝置1之長度方向。未處理基板載具架73載置被載置於輸入口71、且收納有無法向2個載置台13中之任一個搬送之未處理之基板W的載具C。空載具架74載置基板W已在載置台13被全部取出、無法向2個載置台47中之任一個搬送的之載具C。空載具架74設置於第2 ID區塊4上、即第2 ID區塊4之頂部平台上。處理過之基板載具架75載置收納有處理過之基板W、且無法向2個輸出口72之任一個搬送的載具C。所謂處理過係指已由處理區塊3進行處理。
輸出口72係用於將收納有處理過之基板W的載具C交付至外部搬送機構OHT之架。如圖1、圖6所示，輸出口72設置於ID區塊2上、即ID區塊2之頂部平台上。載具搬送機構51可使載具C於各載置台13、47及各架71～75之間自由地移動。
又，如圖1、圖6所示，載置台13及開口部14(開啟機構9、10)設置於處理區塊3側，載置台47及開口部48(開啟機構45、46)設置於處理區塊3側。即，載置台13及載置台47以相向之方式設置。藉此，載置台13及載置台47朝向載具搬送機構51設置，故而載具搬送機構51容易搬送載具C。又，例如，於如先前般，隔著第1 ID區塊2於處理區塊3之相反側(參照圖6之箭頭AR2)設置有載置台之情形時，載置台13突出。但是，由於載置台13及載置台47以相向之方式設置，故而能夠抑制載置台13突出。因此，能夠減小基板處理裝置1之佔據面積。
再者，載具搬送機構51具備2組多關節臂及固持部，但亦可具備1組或3組以上之多關節臂及固持部。又，升降驅動部65亦可構成為相對於支持部67A繞垂直軸旋轉驅動。又，軌道77亦可通過除第1 ID區塊2之上方以外之位置。於此情形時，於軌道通過裝置1之上方之位置設置有輸入口71及輸出口72。載具存放架53之個數及種類可適當變更。
又，如圖2所示，基板處理裝置1具備1個或複數個控制部79、及操作部80。控制部79具備例如中央運算處理裝置(CPU)。控制部79控制基板處理裝置1之各構成。操作部80具備顯示部(例如液晶顯示器)、記憶部及輸入部。記憶部例如具備ROM(Read-Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random-Access Memory，隨機存取記憶體)及硬碟中之至少1個。輸入部具備鍵盤、鼠標、觸控面板及各種按鈕中之至少1個。記憶部中記憶有基板處理之各種條件及基板處理裝置1之控制所需之動作程式等。
＜基板處理裝置1之動作＞ 其次，說明基板處理裝置1之動作。再者，於基板處理裝置1中進行之複數個處理工序為一例，由操作者選擇所需之工序。參照圖1。外部搬送機構OHT向設置於第1 ID區塊2上之輸入口71搬送載具C。載具搬送機構51將載具C自輸入口71搬送至例如開啟機構9之載置台13。開啟機構9之擋板部一面將載具C之蓋部卸除並保持蓋部，一面使開口部14打開。
(步驟S01)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2自載置於2個開啟機構9、10中任一個之載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至6個處理層3A～3F中之任一個。例如，第1基板搬送機構TM1自載置於開啟機構9之載置台13之載具C取出基板W。第1基板搬送機構TM1將所取出之基板W搬送至例如基板載置部PS1A。又，第1基板搬送機構TM1將所取出之基板W大致均等地搬送至例如處理層3A～3F。再者，第2基板搬送機構TM2自載置於開啟機構10之載置台13之載具C取出基板W。
再者，於自載具C取出了所有基板W時，開啟機構9一面將蓋安裝於該載具C，一面利用擋板部關閉開口部14。其後，載具搬送機構51將取出基板W後變空之載具C置換為收納有未處理之基板W之其他載具C。繼而，將變空之載具C搬送至例如開啟機構45之載置台47。當無法將變空之載具C搬送至開啟機構45、46中之任一個時，載具搬送機構51將變空之載具C搬送至空載具架74。
(步驟S02)處理區塊3 處理區塊3之各處理層3A～3F對輸送來之基板W進行塗佈處理，且將進行了塗佈處理之基板W輸送至第2 ID區塊4。具體地進行說明。
例如，於處理區塊3之處理層3A中，第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1A接收基板W。第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照圖3或圖4所示之密接強化處理部PAHP、冷卻部CP、塗佈單元BARC之順序搬送。其後，第3基板搬送機構TM3將利用塗佈單元BARC形成了抗反射膜之基板W按照加熱冷卻部PHP、冷卻部CP、塗佈單元RESIST、加熱冷卻部PHP之順序搬送。第3基板搬送機構TM3將利用塗佈單元RESIST形成了抗蝕劑膜之基板W搬送至基板載置部PS1B。再者，處理層3B～3F與處理層3A同樣，對輸送來之基板W進行塗佈處理。再者，亦可省略利用密接強化處理部PAHP之工序。
(步驟S03)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4將由處理層3A～3F中之任一個處理後之基板W移回至載置於2個開啟機構45、46中任一個之載置台47之載具C。具體地進行說明。載置台47之載具C藉由開啟機構45成為開口部48打開之狀態。第4基板搬送機構TM4自基板載置部PS1B接收基板W，並將所接收到之基板W移回至載置於開啟機構45之載置台47之載具C。再者，基板W移回至進行塗佈處理之前所被收納之載具C。即，基板W移回至原本之載具C。又，於將基板W移回至載置於開啟機構46之載置台47之載具C之情形時，使用第5基板搬送機構TM5。
於處理過之基板W全部被收納至載具C之後，開啟機構45一面將蓋部安裝於載具C，一面關閉開口部48。載具搬送機構51將收納有處理過之基板W之載具C自開啟機構45之載置台47搬送至輸出口72。其後，外部搬送機構OHT自輸出口72向下一目的地搬送載具C。
說明本實施例之效果。圖7係用於說明先前之基板處理裝置之動作之圖。圖8係用於說明處理區塊3具有單一處理層之情形時之動作之圖。於圖7中，先前之基板處理裝置101之利用ID區塊102之基板搬送工序具備輸送工序及移回工序。輸送工序係自載置於載具載置台113之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理區塊103之工序。又，移回工序係自處理區塊103接收由處理區塊103處理過之基板W，並將所接收到之基板W移回至載置於上述載具載置台113之載具C之工序。
根據本實施例，第1 ID區塊2自載置於載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至6個處理層3A～3F(參照圖1)中之任一個(輸送工序)。又，第2 ID區塊4將自6個處理層3A～3F之各者輸送來之基板W移回至載置於載置台47之載具C(移回工序)。即，如圖8所示，2個ID區塊2、4分擔用於針對載具C放入取出基板W之基板搬送(輸送工序與移回工序)。藉此，第1 ID區塊2能夠向配置於上下方向之6個處理層3A～3F(參照圖1)更迅速地搬送較多之基板W。又，同時，第2 ID區塊4可將自配置於上下方向之6個處理層3A～3F輸送來之複數個基板W更迅速地搬送至載具C。其結果，能夠提高基板處理裝置1之處理量。
又，如圖1所示，基板處理裝置1具備於載置台13與載置台47之間搬送載具C之載具搬送機構51。例如，於自載置於載置台13之載具C取出了所有基板W之情形時，載具搬送機構51為了將基板W移回至該載具C，可將載置於載置台13之載具C搬送至載置台47。
又，載具搬送機構51搭載於單一處理區塊3之上。先前，載具搬送機構相對於第1 ID區塊2配置於水平方向。根據本發明，載具搬送機構51搭載於單一處理區塊3之上。因此，能夠削減相對於第1 ID區塊2配置於水平方向之先前之載具搬送機構之設置面積。即，能夠削減基板處理裝置1之佔據面積。
又，基板處理裝置1具備搭載於第1 ID區塊2、處理區塊3及第2 ID區塊4之上之載具存放架53。載具搬送機構51於載置台13、載置台47及載具存放架53之間搬送載具C。先前，載具存放架53相對於第1 ID區塊2設置於水平方向。根據本發明，載具存放架53例如搭載於處理區塊3之上。因此，能夠削減相對於第1 ID區塊2設置於水平方向之先前之載具存放架之設置面積。即，能夠削減基板處理裝置1之佔據面積。 [實施例2]
其次，參照圖式來說明本發明之實施例2。再者，省略與實施例1重複之說明。
於實施例1中，6個處理層3A～3F分別於對基板W形成抗反射膜之後，形成抗蝕劑膜。即，6個處理層3A～3F進行了相互相同之塗佈處理。與此相對，於實施例2中，亦可為一個處理層對基板W進行第1塗佈處理，另一個處理層對進行了第1塗佈處理之基板W進行第2塗佈處理。
圖9係表示實施例2之處理區塊3之液體處理部28之配置的右側視圖。於處理區塊3中，下側之3個處理層3A～3C進行形成抗反射膜之第1塗佈處理，上側之3個處理層3D～3F進行形成抗蝕劑膜之第2塗佈處理。
再者，於圖9中，於第2 ID區塊4與3個處理層3D～3F之間，設置有輸送用基板載置部PS4B～PS6B及移回用基板載置部PS4D～PS6D。
＜基板處理裝置1之動作＞ 其次，說明本實施例之基板處理裝置1之動作。參照圖9。
(步驟S11)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2自載置於2個開啟機構9、10中任一個之載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至3個處理層3A～3C中之任一個。例如，第1基板搬送機構TM1自載置於開啟機構9之載置台13之載具C取出基板W。第1基板搬送機構TM1將所取出之基板W搬送至基板載置部PS1A。又，第1基板搬送機構TM1將所取出之基板W大致均等地搬送至例如處理層3A～3C。
再者，當利用第1基板搬送機構TM1自開啟機構9之載具C取出所有基板W時，載具搬送機構51將變空之載具C搬送至例如開啟機構45之載置台47(參照圖9所示之載置台13之載具C與載置台47之載具C之間之虛線之箭頭)。
(步驟S12)處理區塊3之處理層3A～3C(第1塗佈處理) 處理區塊3之各處理層3A～3C對輸送來之基板W進行第1塗佈處理(例如形成抗反射膜)，且將進行了第1塗佈處理之基板W輸送至第2 ID區塊4。具體地進行說明。
例如，於處理區塊3之處理層3A中，圖1所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1A接收基板W。第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照密接強化處理部PAHP、冷卻部CP、塗佈單元BARC之順序搬送。於塗佈單元BARC中，於基板W形成抗反射膜。第3基板搬送機構TM3將利用塗佈單元BARC形成了抗反射膜之基板W搬送至基板載置部PS1B。再者，處理層3B、3C與處理層3A同樣，對輸送來之基板W進行第1塗佈處理。
(步驟S13)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4將由處理層3A處理後之基板W自處理層3A輸送至進行第2塗佈處理之處理層3D。即，2個基板搬送機構TM4、TM5中之一者自圖9所示之基板載置部PS1B向基板載置部PS4B搬送基板W。再者，由處理層3B進行了第1塗佈處理之基板W被輸送至處理層3E。由處理層3C進行了第1塗佈處理之基板W被輸送至處理層3F。
(步驟S14)處理區塊3之處理層3D～3F(第2塗佈處理) 處理區塊3之各處理層3D～3F對輸送來之基板W進行第2塗佈處理(例如形成抗蝕劑膜)，且將進行了第2塗佈處理之基板W移回至第2 ID區塊4。具體地進行說明。
於處理區塊3之處理層3D中，圖1所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS4B接收基板W。如圖4、圖9所示，第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照加熱冷卻部PHP、冷卻部CP、塗佈單元RESIST及加熱冷卻部PHP之順序搬送。第3基板搬送機構TM3將利用塗佈單元RESIST形成了抗蝕劑膜之基板W輸送至基板載置部PS4D。再者，處理層3E、3F與處理層3D同樣，對輸送來之基板W進行第2塗佈處理。
(步驟S15)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4將由處理層3D～3F中之任一個處理後之基板W移回至載置於2個開啟機構45、46中任一個之載置台47之載具C。具體地進行說明。載置台47之載具C藉由開啟機構45成為開口部48打開之狀態。第4基板搬送機構TM4自基板載置部PS4D接收基板W，並將所接收到之基板W移回至載置於開啟機構45之載置台47之載具C。再者，基板W移回至進行塗佈處理之前所被收納之載具C。又，於將基板W移回至載置於開啟機構46之載置台47之載具C之情形時，使用第5基板搬送機構TM5。
＜其他動作例＞ 再者，圖9所示之處理區塊3亦可如圖10所示般動作。於圖10中，於第1 ID區塊2與3個處理層3A～3C之間設置有輸送用基板載置部PS1A～PS3A及移回用基板載置部PS1C～PS3C。
第1 ID區塊2自載置於2個開啟機構9、10中任一個之載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至3個處理層3A～3C中之任一個。處理區塊3之各處理層3A～3C對輸送來之基板W進行第1塗佈處理(例如形成抗反射膜)，且將進行了第1塗佈處理之基板W移回至第1 ID區塊2。例如，於處理層3A中，第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1A接收基板W，進行第1塗佈處理之後，將進行了第1塗佈處理之基板W輸送至基板載置部PS1C。
第1 ID區塊2將由處理層3A處理後之基板W自處理層3A輸送至進行第2塗佈處理之處理層3D。處理區塊3之各處理層3D～3F對輸送來之基板W進行第2塗佈處理(例如形成抗蝕劑膜)，且將進行了第2塗佈處理之基板W輸送至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將由處理層3D～3F中之任一個處理後之基板W移回至載置於2個開啟機構45、46中任一個之載置台47之載具C。
根據本實施例，例如於利用處理層3A與處理層3D依序對基板W進行互不相同之塗佈處理之構成中，2個ID區塊2、4能夠分擔針對載具C放入取出基板W之基板搬送及層間之基板搬送。 [實施例3]
其次，參照圖式來說明本發明之實施例3。再者，省略與實施例1、2重複之說明。
於實施例1中，6個處理層3A～3F分別於對基板W形成抗反射膜之後，形成抗蝕劑膜。即，6個處理層3A～3F進行了相互相同之塗佈處理。與此相對，於實施例2中，亦可為一個處理層對基板W進行第1塗佈處理，另一個處理層對進行了第1塗佈處理之基板W進行第2塗佈處理。又，另一個處理層亦可對進行了第2塗佈處理之基板W進行第3塗佈處理。
圖11係表示實施例3之處理區塊3之液體處理部28之配置的右側視圖。於處理區塊3中，下側之2個處理層3A、3B進行形成抗反射膜之第1塗佈處理，中間之2個處理層3C、3D進行形成抗蝕劑膜之第2塗佈處理。繼而，上側之2個處理層3E、3F進行形成抗蝕劑保護膜之第3塗佈處理。用於形成抗蝕劑保護膜之塗佈單元例如具備保持旋轉部37、噴嘴38及噴嘴移動機構39(參照圖2)。抗蝕劑保護膜例如為具有撥水性之膜。再者，第1塗佈處理、第2塗佈處理及第3塗佈處理亦可形成如下所述之膜。即，第1塗佈處理形成下層膜(SOC：Spin On Carbon，旋塗式碳)，第2塗佈處理形成中間膜(SOG：Spin On Glass，旋塗式玻璃)，第3塗佈形成抗蝕劑膜。
＜基板處理裝置1之動作＞ 其次，說明本實施例之基板處理裝置1之動作。參照圖11。
(步驟S21)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2自載置於2個開啟機構9、10(參照圖6)中任一者之載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至2個處理層3A、3B中之任一個。例如，第1基板搬送機構TM1自載置於開啟機構9之載置台13之載具C取出基板W。第1基板搬送機構TM1將所取出之基板W搬送至基板載置部PS1A。
(步驟S22)處理區塊3之處理層3A、3B(第1塗佈處理) 處理區塊3之各處理層3A、3B對輸送來之基板W進行第1塗佈處理(例如形成抗反射膜)，且將進行了第1塗佈處理之基板W輸送至第2 ID區塊4。例如，於處理區塊3之處理層3A中，圖1所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1A接收基板W。第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照密接強化處理部PAHP、冷卻部CP、塗佈單元BARC之順序搬送。第3基板搬送機構TM3將利用塗佈單元BARC形成了抗反射膜之基板W搬送至基板載置部PS1B。
(步驟S23)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4將由處理層3A處理後之基板W自處理層3A輸送至進行第2塗佈處理之處理層3C。即，2個基板搬送機構TM4、TM5中之一者自圖11所示之基板載置部PS1B向基板載置部PS3B搬送基板W。再者，由處理層3B進行了第1塗佈處理之基板W被輸送至處理層3D。
(步驟S24)處理區塊3之處理層3C、3D(第2塗佈處理) 處理區塊3之各處理層3C、3D對搬送來之基板W進行第2塗佈處理(例如形成抗蝕劑膜)，且將進行了第2塗佈處理之基板W搬送至第1 ID區塊2。例如，於處理區塊3之處理層3C中，圖1所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS3B接收基板W。第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照加熱冷卻部PHP、冷卻部CP、塗佈單元RESIST及加熱冷卻部PHP之順序搬送。第3基板搬送機構TM3將由塗佈單元RESIST形成了抗蝕劑膜之基板W搬送至基板載置部PS3A。
(步驟S25)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2將由處理層3C處理後之基板W自處理層3C輸送至進行第3塗佈處理之處理層3E。即，2個基板搬送機構TM1、TM2中之一者自圖11所示之基板載置部PS3A向基板載置部PS5A搬送基板W。再者，由處理層3D進行了第2塗佈處理之基板W被輸送至處理層3F。
(步驟S26)處理區塊3之處理層3E、3F(第3塗佈處理) 處理區塊3之各處理層3E、3F對搬送來之基板W進行第3塗佈處理(例如形成抗蝕劑保護膜)，將進行了第3塗佈處理之基板W搬送至第2 ID區塊4。例如，於處理區塊3之處理層3E中，圖1所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS5A接收基板W。第3基板搬送機構TM3將所接收到之基板W按照形成抗蝕劑保護膜之塗佈單元、加熱冷卻部PHP之順序搬送。第3基板搬送機構TM3將形成了抗蝕劑保護膜之基板W搬送至基板載置部PS5B。再者，亦可將由加熱冷卻部PHP處理後之基板W搬送至邊緣曝光部EEW，將由邊緣曝光部EEW處理後之基板W搬送至基板載置部PS5B。
(步驟S27)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4將由處理層3E、3F中之任一個處理後之基板W移回至載置於2個開啟機構45、46(參照圖6)中任一者之載置台47之載具C。具體地進行說明。第4基板搬送機構TM4自基板載置部PS5B接收基板W，並將所接收到之基板W移回至載置於開啟機構45之載置台47之載具C。
根據本實施例，各處理層3A～3F自作為基板W之輸送源之ID區塊向其相反側之ID區塊(例如自第1 ID區塊2向第2 ID區塊4)輸送基板W。基板搬送所使用之基板載置部PS1A～PS6A設置於處理層3A～3F與第1 ID區塊2之間。又，基板載置部PS1B～PS6B設置於處理層3A～3F與第2 ID區塊4之間。於將基板W移回至作為基板W之輸送源之ID區塊之情形時(例如將自第1 ID區塊2輸送來之基板W移回至第1 ID區塊2之情形時)，必須將輸送用基板載置部與移回用基板載置部此兩種基板載置部設置於一ID區塊之附近(例如參照圖10所示之基板載置部PS2A、PS2C)。因此，可載置於輸送用基板載置部與移回用基板載置部各自之基板W之片數亦受到限制。然而，藉由自作為基板W之輸送源之ID區塊向其相反側之ID區塊輸送基板，能確保可載置於基板載置部之基板W之片數。又，由於2個ID區塊2、4交替地搬送，故而2個ID區塊2、4可大致均等地分擔層間之基板搬送。
其次，參照圖12A～圖12C來說明其他動作例。再者，於圖12A～圖12C中，處理區塊3具備3個處理層3A、3C、3E。再者，如上所述，處理層3A例如針對基板W形成抗反射膜，處理層3C例如針對基板W形成抗蝕劑膜。又，處理層3E例如針對基板W形成抗蝕劑保護膜。
＜其他動作例1＞ 參照圖12A。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。搬送至處理層3A之基板W依序被搬送至第2 ID區塊4、處理層3C、第2 ID區塊4、處理層3E及第2 ID區塊4。繼而，第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，3個處理層3A、3C、3E分別進行預先設定之塗佈處理。
＜其他動作例2＞ 參照圖12B。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。搬送至處理層3A之基板W依序被搬送至第1 ID區塊2、處理層3C、第1 ID區塊2、處理層3E及第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，3個處理層3A、3C、3E分別進行預先設定之塗佈處理。
根據其他動作例1、2，例如於利用處理層3A、3C、3E依序對基板W進行互不相同之塗佈處理之構成中，2個ID區塊2、4可分擔用於針對載具C放入取出基板W之基板搬送、及層間之基板搬送。
＜其他動作例3＞ 參照圖12C。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。搬送至處理層3A之基板W依序被搬送至第1 ID區塊2、處理層3C、第2 ID區塊4、處理層3E及第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，3個處理層3A、3C、3E分別進行預先設定之塗佈處理。
於該動作例之情形時，第1 ID區塊2於2個處理層3A、3C之間搬送基板W，第2 ID區塊4於2個處理層3C、3D之間搬送基板W。根據本動作例，例如於利用處理層3A、3C、3E依序對基板W進行互不相同之塗佈處理之構成中，2個ID區塊2、4可均等地分擔用於針對載具C放入取出基板W之基板搬送、及層間之基板搬送。尤其是，可利用2個ID區塊2、4均等地分擔2個處理層間之基板搬送。因此，能夠更簡單地進行基板搬送。 [實施例4]
其次，參照圖式來說明本發明之實施例4。再者，省略與實施例1～3重複之說明。
於實施例1中，第2 ID區塊4與處理區塊3連結，且設置有載置台47(開啟機構45、46)。關於該方面，於本實施例中，第2 ID區塊4進而構成為針對曝光裝置EXP進行基板W之搬入及搬出。
圖13係實施例4之基板處理裝置1之縱剖視圖。圖14係基板處理裝置1之橫剖視圖。圖15係基板處理裝置1之右側視圖。圖16係表示基板處理裝置1之左側面之一部分之圖。
如圖13所示，第2 ID區塊4構成為針對曝光裝置EXP進行基板W之搬入及搬出。第2 ID區塊4亦作為介面區塊發揮功能。第2 ID區塊4具備3個基板搬送機構TM4～TM6、複數個曝光前清洗單元161、複數個曝光後清洗單元162、加熱冷卻部PHP(PEB)、3個載置兼冷卻部P-CP及載置部PS9。
第4基板搬送機構TM4及第5基板搬送機構TM5以於與前後方向(X方向)正交之Y方向上排列之方式配置。第6基板搬送機構TM6配置於2個基板搬送機構TM4、TM5之後方(圖14之右側)。曝光前清洗單元161與曝光後清洗單元162以隔著2個基板搬送機構TM4、TM5對向之方式設置。3個清洗單元161與2個清洗單元162設置於第4基板搬送機構TM4側及第5基板搬送機構TM5側之兩側(參照圖14、15)。
曝光前清洗單元161將曝光處理前之基板W進行清洗並使其乾燥。曝光後清洗單元162將曝光處理後之基板W進行清洗並使其乾燥。各清洗單元161、162具備：保持旋轉部，其保持基板W；及噴嘴，其向基板W噴出例如清洗液及沖洗液。又，各清洗單元161、162亦可使用毛刷等對基板W之背面及端部(斜面部)進行拋光處理。再者，基板W之背面係指例如形成有電路圖案之面之相反側之面。
如圖14所示，IF區塊6之加熱冷卻部PHP以隔著第6基板搬送機構TM6對向之方式設置。於第4基板搬送機構TM4側(參照圖14、圖15)側，6個加熱冷卻部PHP配置於上下方向。又，於第5基板搬送機構TM5側(參照圖14)，6個加熱冷卻部PHP亦配置於上下方向。
於3個基板搬送機構TM4～TM6之間，設置有3個載置兼冷卻部P-CP及載置部PS9(參照圖13、圖14)。3個傳載兼冷卻部P-CP及基板傳載部PS9配置於上下方向。
第4基板搬送機構TM4可於8個基板載置部PS1B～PS7B、PS9、3個載置兼冷卻部P-CP、清洗單元161、162、加熱冷卻部PHP及載置於開啟機構45之載具C之間搬送基板W。
第5基板搬送機構TM5可於8個基板載置部PS1B～PS7B、PS9、3個載置兼冷卻部P-CP、清洗單元161、162、加熱冷卻部PHP及載置於開啟機構46之載具C之間搬送基板W。
第6基板搬送機構TM6可於基板載置部PS9、3個載置兼冷卻部P-CP及外部之曝光裝置EXP之間搬送基板W。3個基板搬送機構TM4～TM6分別構成為例如與第1基板搬送機構TM1大致相同，故而省略其說明。
於第1 ID區塊2與7個處理層3A～3G之間，配置有7個基板載置部PS1A～PS7A。又，於7個處理層3A～3G與第2 ID區塊4之間，配置有7個基板載置部PS1B～PS7B。
(處理區塊3之構成) 參照圖15。處理區塊3具備7個處理層3A～3G。7個處理層3A～3G以於上下方向(Z方向)上積層之方式配置。下側之2個處理層3A、3B具備用於針對基板W形成抗反射膜之塗佈單元BARC。中間之2個處理層3C、3D具備用於針對基板W形成抗蝕劑膜之塗佈單元RESIST。
又，上側之3個處理層3E～3G(3E、3F、3G)具備4個顯影單元DEV作為液體處理部28。顯影單元DEV對曝光後之基板W進行顯影處理。4個顯影單元DEV以4行×1層之方式配置。圖14所示之噴嘴38供給顯影液。
又，如圖16之處理層3G所示，3個處理層3E～3G之熱處理部29構成為能以5行×3層之方式配置。3個處理層3E～3G分別具備1個冷卻部CP及12個加熱冷卻部PHP。再者，除液體處理部28及熱處理部29以外之單元之個數及種類可適當變更。又，圖16係以7個處理層3A～3G為代表示出3個處理層3A、3C、3G之熱處理部29之配置。2個處理層3B、3D分別以與處理層3A及處理層3C相同之方式配置有熱處理部29。又，處理層3E、3F分別以與處理層3G相同之方式配置有熱處理部29。
＜基板處理裝置1之動作＞ 其次，說明本實施例之基板處理裝置1之動作。參照圖15。
(步驟S31)第2 ID區塊4 第2 ID區塊4自載置於2個開啟機構45、46中之任一個載置台47之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至2個處理層3A、3B中之任一個。具體地進行說明。於第2 ID區塊4中，例如第4基板搬送機構TM4自載置於開啟機構45之載置台47之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至基板載置部PS1B。
(步驟S32)處理區塊3之處理層3A、3B(第1塗佈處理) 處理層3A、3B各自對搬送來之基板W進行第1塗佈處理(例如形成抗反射膜)，且將進行第1塗佈處理後之基板W搬送至第1 ID區塊2。例如，於處理區塊3之處理層3A中，圖13、圖14所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1B接收基板W，並將接收到之基板W至少搬送至塗佈單元BARC。其後，第3基板搬送機構TM3將由塗佈單元BARC形成抗反射膜後之基板W搬送至基板載置部PS1A。
(步驟S33)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2進行第1塗佈處理，且將搬送來之基板W搬送至處理層3C。即，2個基板搬送機構TM1、TM2中之一者自圖15所示之基板載置部PS1A向基板載置部PS3A搬送基板W。再者，由處理層3B進行第1塗佈處理後之基板W被輸送至處理層3D(即自基板載置部PS2A輸送至PS4A)。
(步驟S34)處理區塊3之處理層3C、3D(第2塗佈處理) 各處理層3C、3D對搬送來之基板W進行第2塗佈處理(例如形成抗蝕劑膜)，且將進行第2塗佈處理後之基板W搬送至第2 ID區塊4。例如，於處理區塊3之處理層3C中，圖13、圖14所示之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS3A接收基板W。第3基板搬送機構TM3將接收到之基板W至少搬送至塗佈單元RESIST。第3基板搬送機構TM3將由塗佈單元RESIST形成抗蝕劑膜後之基板W搬送至基板載置部PS3B。
(步驟S35)第2 ID區塊4(由曝光裝置進行之曝光處理) 第2 ID區塊4將由2個處理層3C、3D中之一個處理後之基板W搬出至曝光裝置EXP。又，第2 ID區塊4自曝光裝置EXP搬入由曝光裝置EXP進行曝光處理後之基板W。第2 ID區塊4將搬入之基板W搬送至3個處理層3E～3G。具體地進行說明。
於第2 ID區塊4中，2個基板搬送機構TM4、TM5中之一者自基板載置部PS3B接收基板W，並將接收到之基板W按照曝光前清洗單元161、載置兼冷卻部P-CP之順序搬送。第6基板搬送機構TM6自載置兼冷卻部P-CP向曝光裝置EXP搬送基板W。曝光裝置EXP將搬送來之基板W進行曝光。
第6基板搬送機構TM6將由曝光裝置EXP進行曝光後之基板W自曝光機EXP搬送至基板載置部PS9。2個基板搬送機構TM4、TM5中之一者自基板載置部PS9接收基板W，並將接收到之基板W按照曝光後清洗單元162、第2 ID區塊4之加熱冷卻部PHP、及例如基板載置部PS5B之順序搬送。再者，於加熱冷卻部PHP中，進行曝光後烘烤(PEB)處理。
(步驟S36)處理區塊3之處理層3E～3G(顯影處理) 處理區塊3之3個處理層3E～3G中之任一個對搬送來之基板W進行顯影處理，且將進行顯影處理後之基板W搬送至第1 ID區塊2。例如於處理層3E中，第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS5B接收基板W，並將接收到之基板W按照冷卻部CP、顯影單元DEV、加熱冷卻部PHP、基板載置部PS5A之順序搬送。再者，於3個處理層3E～3G中，亦可省略顯影單元DEV之後之加熱冷卻部PHP之處理。
(步驟S37)第1 ID區塊2 第1 ID區塊2將由處理層3E～3G中之任一個進行了顯影處理之基板W移回至載置於2個開啟機構9、10中任一個之載置台13之載具C。具體地進行說明。例如，第1基板搬送機構TM1自基板載置部PS5A接收基板W，並將所接收到之基板W移回至載置於開啟機構9之載置台13之載具C。
根據本實施例，各處理層3A～3G自作為基板W之輸送源之ID區塊向其相反側之ID區塊(例如自第1 ID區塊2向第2 ID區塊4)輸送基板W。基板搬送所使用之基板載置部PS1A～PS7A設置於處理層3A～3G與第1 ID區塊2之間。又，基板載置部PS1B～PS7B設置於處理層3A～3G與第2 ID區塊4之間。於將基板W移回至作為基板W之輸送源之ID區塊之情形時(例如將自第1 ID區塊2輸送來之基板W移回至第1 ID區塊2之情形時)，必須將輸送用基板載置部與移回用基板載置部此兩種基板載置部設置於一ID區塊之附近。因此，可載置於輸送用基板載置部與移回用基板載置部各自之基板W之片數亦受到限制。然而，藉由自作為基板W之輸送源之ID區塊向其相反側之ID區塊輸送基板，能確保可載置於基板載置部之基板W之片數。又，由於2個ID區塊2、4交替地搬送，故而2個ID區塊2、4可大致均等地分擔層間之基板搬送。
其次，參照圖17A、圖17B來說明其他動作例。再者，於圖17A、圖17B中，處理區塊3具備3個處理層3A、3C、3E。再者，如上所述，處理層3A例如針對基板W形成抗反射膜，處理層3C例如針對基板W形成抗蝕劑膜。又，處理層3E例如對基板W進行顯影處理。
＜其他動作例1＞ 參照圖17A。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。被搬送至處理層3A且由處理層3A進行了處理之基板W依序被搬送至第1 ID區塊2、處理層3C(第2塗佈處理)、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3E(顯影處理)及第2 ID區塊4。繼而，第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台47之載具C。
＜其他動作例2＞ 參照圖17B。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。被搬送至處理層3A且由處理層3A進行了處理之基板W依序被搬送至第2 ID區塊4、處理層3C(第2塗佈處理)、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3E(顯影處理)及第2 ID區塊4。繼而，第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台47之載具C。
根據其他動作例1、2，例如於利用處理層3A、3C、3E及曝光裝置EXP依序對基板W進行互不相同之塗佈處理等之構成中，2個ID區塊2、4可分擔用於針對載具C放入取出基板W之基板搬送及層間側基板搬送。 [實施例5]
其次，參照圖式來說明本發明之實施例5。再者，省略與實施例1～4重複之說明。
於實施例4中，處理區塊3具備形成抗反射膜之2個處理層3A、3B、形成抗蝕劑膜之2個處理層3C、3D、及進行顯影處理之3個處理層3E～3G。即，實施例4之處理區塊3具備3種處理層。關於該方面，於本實施例中，亦可具備兩種處理層。
圖18係表示實施例5之處理區塊3之液體處理部28之配置的右側視圖。處理區塊3具備6個處理層3A～3F。下側之3個處理層3A～3C於形成抗反射膜之後，形成抗蝕劑膜。又，上側之3個處理層進行顯影處理。
其次，說明本實施例之基板處理裝置1之動作。參照圖18。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至例如處理層3A。被搬送至處理層3A且由處理層3A處理後之基板W依序被搬送至第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第2 ID區塊4。繼而，第2 ID區塊4將由處理層3D處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，由處理層3B處理後之基板W在曝光後，例如由處理層3E進行顯影處理。又，由處理層3C處理後之基板W在曝光後，例如由處理層3F進行顯影處理。
＜其他動作例＞ 參照圖19。第2 ID區塊4自載置台47之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。被搬送至處理層3A且由處理層3A處理後之基板W依序被搬送至第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第1 ID區塊2。繼而，第1 ID區塊2將由處理層3E處理後之基板W收納於載置台13之載具C上。
根據本實施例，例如於利用處理層3A、3D及曝光裝置EXP依序對基板W進行互不相同之塗佈處理等之構成中，2個ID區塊2、4可分擔用於針對載具C放入取出基板W之基板搬送及層間之基板搬送。
本發明並不限於上述實施方式，能以如下方式變化實施。
(1)於上述實施例1中，如圖3所示，6個處理層3A～3F分別具備4個液體處理部28，4個液體處理部28由2個塗佈單元BARC及2個塗佈單元RESIST構成。關於該方面，例如4個液體處理部28亦可全部由塗佈單元BARC構成。又，4個液體處理部28亦可全部由塗佈單元RESIST構成。4個液體處理部28亦可全部由形成抗蝕劑保護膜之塗佈單元構成。
(2)於上述實施例1中，如圖3所示，處理區塊3之各處理層3A～3F對基板W進行了塗佈處理，但各處理層3A～3F亦可對基板W進行顯影處理。又，各處理層3A～3F亦可對基板W進行清洗處理。再者，於進行基板W之背面之清洗處理之情形時，亦可構成為基板W藉由圖2之虛線所示之設置於2個ID區塊2、4的翻轉單元R1～R4中之任一個來翻轉。例如，當正面朝上時，將基板W翻轉為正面朝下。又，亦可於ID區塊2與各處理層3A～3F之間之基板載置部PS6A～PS6F中之至少一個設置翻轉單元。
作為用於清洗之處理液，例如亦可使用APM(氨過氧化氫水混合溶液)、純水(DIW)、碳酸水、氫水、氨水(NH4 OH)、SC1(Standard Clean 1，標準清洗液1)、SC2(Standard Clean 2，標準清洗液2)、檸檬酸水溶液、FOM(氫氟酸/臭氧之混合藥液)、FPM(氫氟酸/過氧化氫水/純水之混合藥液)、氫氟酸(HF)、HCl、IPA(異丙醇)、TMAH(氫氧化四甲基銨)及三甲基-2-羥基四乙基氫氧化銨水溶液(CHOLINE)。
(3)於上述實施例2中，如圖9所示，處理區塊3之下側之3個處理層3A～3C進行形成抗反射膜之第1塗佈處理，上側之3個處理層3D～3F進行形成抗蝕劑膜之第2塗佈處理。亦可為下側之3個處理層3A～3C進行背面清洗處理(第1清洗處理)，上側之3個處理層3D～3F進行正面清洗處理(第2清洗處理)。
進行正面清洗處理之清洗單元81例如如圖20A所示，具備保持旋轉部82、液體供給部83及噴霧清洗機構120。保持旋轉部82具備：旋轉卡盤86A，其將基板W之下表面進行例如真空吸附來保持基板W；及驅動部88，其使旋轉卡盤86A繞垂直軸AX4旋轉。液體供給部83具備噴出處理液之噴嘴90、及與噴嘴90連通連接之配管92。噴霧清洗機構120具備噴霧噴嘴(二流體噴嘴)121、及與噴霧噴嘴121連通連接之液體供給管123。
對噴嘴121通過液體供給管123供給處理液，並且供給氮氣(惰性氣體)。保持旋轉部82使所保持之基板W旋轉。自噴嘴90向旋轉之基板W之上表面噴出處理液。自噴嘴121向旋轉之基板W之上表面噴射霧狀之處理液。藉此，清洗基板W之上表面、即基板W之正面。圖20A所示之清洗單元81亦可代替旋轉卡盤86A而具備圖20B所示之旋轉卡盤86B。
又，進行背面清洗處理之清洗單元81例如如圖20B所示，具備保持旋轉部82、液體供給部83及毛刷清洗機構84。旋轉卡盤86B藉由複數個保持銷85與基板W之端部接觸而保持基板W。毛刷清洗機構84具備：毛刷清洗工具94；臂部96，其將毛刷清洗工具94以能夠旋轉之方式支持於一端；及驅動部98，其支持臂部96之另一端，使臂部96繞垂直軸AX5旋轉。又，該驅動部98可使臂部96升降。2個驅動部88、98分別具備電動馬達。圖20B所示之清洗單元81例如一面自噴嘴90向旋轉之基板W之上表面噴出處理液，一面使毛刷清洗工具94與基板W之上表面接觸。藉此，清洗基板W之上表面、即基板W之背面。
又，於圖9中，亦可為下側之3個處理層3A～3C進行斜面清洗處理(第1清洗處理)，上側之3個處理層3D～3F進行背面清洗處理(第2清洗處理)。再者，所謂斜面清洗係指利用外緣部清洗噴嘴對基板W之上表面之外緣部供給處理液而清洗基板W之外緣部。
(4)於上述實施例3中，如圖11所示，處理區塊3之下側之2個處理層3A、3B進行形成抗反射膜之第1塗佈處理，中間之2個處理層3C、3D進行形成抗蝕劑膜之第2塗佈處理，進而，上側之2個處理層3E、3F進行形成抗蝕劑保護膜之第3塗佈處理。與此相對，亦可為下側之處理層3A、3B進行第1清洗處理，中間之處理層3C、3D進行第2清洗處理，上側之處理層3E、3F進行第3清洗處理。
(5)於上述實施例3中，如圖11所示，第2 ID區塊4將搬送來之基板W搬送至例如處理層3C(A工序)。處理層3C對搬送來之基板W進行特定之處理，並將該基板搬送至第1 ID區塊2(B工序)。第1 ID區塊2將搬送來之基板W搬送至處理層3E(C工序)。處理層3E對搬送來之基板W進行特定之處理，並將該基板W搬送至第2 ID區塊4(D工序)。繼而，第2 ID區塊4將由處理層3E處理後之基板W移回至載置於載置台47之載具C。
亦可為第2 ID區塊4不將由處理層3E處理後之基板W移回至載具C，而由基板處理裝置1(或其控制部79)以如圖21所示之方式動作。即，基板處理裝置1進而具備進行互不相同之處理之2個處理層3G、3H。如自上述A工序至D工序，2個處理層3G、3H亦可一面分別進行特定之處理，一面於2個ID區塊2、4之間往復1次。再者，基板處理裝置1除具備2個處理層3G、3H以外，亦可具備進行互不相同之處理之2個處理層。此時，2個處理層亦可一面分別進行特定之處理，一面於2個ID區塊2、4之間進一步往復1次。繼而，亦能以如下方式動作：將由最後工序之處理層處理後之基板W移回至載置於載置台47之載具C。
說明圖21所示之基板處理裝置1之動作。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至2個處理層3A、3B中之任一個(例如處理層3A)。處理層3A對搬送來之基板W進行第1處理，且將該基板W搬送至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將搬送來之基板W搬送至處理層3C。處理層3C對搬送來之基板W進行第2處理，且將該基板W搬送至第1 ID區塊2。第1 ID區塊2將搬送來之基板W搬送至處理層3E。處理層3E對搬送來之基板W進行第3處理，且將該基板W搬送至第2 ID區塊4。
此處，第2 ID區塊4未將基板W移回至載置台47之載具C，而將基板W搬送至處理層3G。處理層3G對搬送來之基板W進行第4處理，且將該基板W搬送至第1 ID區塊2。第1 ID區塊2將搬送來之基板W搬送至處理層3H。處理層3H對搬送來之基板W進行第5處理，且將該基板W搬送至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將由最後工序之處理層3H處理後之基板W移回至載置台47之載具C。
圖21所示之處理區塊3係利用5個處理層3A、3C、3E、3F、3H進行第1～第5之5種處理，但亦可利用7個處理層進行7種處理。又，於圖21中，於基板W被搬送至處理層3B之情形時，由處理層3B進行了第1處理之基板W經第2 ID區塊4搬送至處理層3D。其後，由處理層3D進行了第2處理之基板W經第1 ID區塊2搬送至處理層3F。其後，如上所述，由處理層3F進行了第3處理之基板W按照處理層3G及處理層3H之順序被搬送。
(6)於上述實施例1～3中，第1 ID區塊2自載置於載置台13之載具C取出基板W，第2 ID區塊4將由處理區塊3處理後之基板W移回至載置於載置台47之載具C。關於該方面，基板W亦可被朝向反方向搬送。即，第2 ID區塊4自載置於載置台47之載具C取出基板W，第1 ID區塊2將由處理區塊3處理後之基板W移回至載置於載置台13之載具C。
(7)於上述實施例4中，例如如圖15所示，第1塗佈處理係利用2個處理層3A、3B進行，但第1塗佈處理亦可利用1個處理層進行，還可利用3個以上之處理層進行。又，第2塗佈處理係利用2個處理層3C、3D進行，但第2塗佈處理亦可利用1個處理層進行，還可利用3個以上之處理層進行。又，顯影處理係於3個處理層3E～3G中進行，但亦可於1個或2個處理層中進行，還可於4個以上之處理層中進行。
(8)於上述實施例4中，處理區塊3例如具備進行互不相同之3種處理之3個處理層3A、3C、3E。關於該方面，處理區塊3例如亦可具備進行互不相同之4種處理之4個處理層。
圖22A～圖22C、圖23A～圖23C係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。再者，於圖22A～圖23C及下述圖24A～圖25B中，適當省略重複之說明。於圖22A～圖23C及下述圖24A～圖25B中，處理區塊3具備進行互不相同之4種處理之4個處理層3A～3D。再者，例如第1處理係利用單一處理層3A進行，亦可利用複數個處理層進行。
於圖22A所示之處理區塊3中，處理層3A例如進行第1塗佈處理，處理層3B例如進行第2塗佈處理。又，處理層3C例如進行第3塗佈處理，處理層4D例如進行顯影處理。
於圖22A中，第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W，並將所取出之基板W搬送至處理層3A。處理層3A對搬送來之基板W進行第1塗佈處理，且將該基板W搬送至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將搬送來之基板W搬送至處理層3B。處理層3B對搬送來之基板W進行第2塗佈處理，且將該基板W搬送(移回)至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將搬送來之基板W搬送至處理層3C。處理層3C對搬送來之基板W進行第3塗佈處理，將該基板W搬送(移回)至第2 ID區塊4。
其後，第2 ID區塊4將由處理層3C處理後之基板W搬出至曝光裝置EXP。第2 ID區塊4自曝光裝置EXP搬入由曝光裝置EXP進行了曝光處理之基板W，並將所搬入之基板W搬送至處理層3D。處理層3D對搬送來之基板W進行顯影處理，將該基板W搬送至第2 ID區塊4。第2 ID區塊4將搬送來之基板W移回至載置台47之載具C。
再者，圖22A之4個處理層3A～3D例如亦可進行如下處理。處理層3A進行第1塗佈處理，處理層3B進行第2塗佈處理。處理層3C進行曝光後清洗及曝光後烘烤，處理層3D進行顯影處理。於此情形時，亦可如圖22A之虛線所示之箭頭AR1，於處理層3B與處理層3C之間利用曝光裝置EXP進行曝光處理。又，於箭頭AR1之位置進行曝光處理之情形時，由處理層3C處理後之基板W經第2 ID區塊4搬送至處理層3D。
說明圖22B之基板處理裝置1之動作。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W。經取出之基板W按照處理層3A、第2 ID區塊4、處理層3B、第1 ID區塊2、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第2 ID區塊4之順序被搬送。其後，第2 ID區塊4將由處理層3D處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，各處理層3A～3D分別進行第1～第4特定之處理。
說明圖22C之基板處理裝置1之動作。第1 ID區塊2自載置台13之載具C取出基板W。經取出之基板W按照處理層3A、第2 ID區塊4、處理層3B、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3C、第1 ID區塊2、處理層3D及第2 ID區塊4之順序被搬送。其後，第2 ID區塊4將由處理層3D處理後之基板W收納於載置台47之載具C。再者，各處理層3A～3D分別進行第1～第4特定之處理。
於圖23A中，自第1 ID區塊2之載置部13之載具C取出之基板W按照處理層3A、第1 ID區塊2、處理層3B、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3C、第1 ID區塊2、處理層3D及第2 ID區塊4之順序被搬送。
於圖23B中，自第1 ID區塊2之載置部13之載具C取出之基板W按照處理層3A、第1 ID區塊2、處理層3B、第2 ID區塊4、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第2 ID區塊4之順序被搬送。又，亦可如圖23B所示之箭頭AR1，於處理層3B與處理層3C之間利用曝光裝置EXP進行曝光處理。
於圖23C中，自第1 ID區塊2之載置部13之載具C取出之基板W按照處理層3A、第1 ID區塊2、處理層3B、第1 ID區塊2、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第2 ID區塊4之順序被搬送。
其次，說明圖24A～圖25B所示之基板處理裝置1之動作。於圖24A～圖25B所示之基板處理裝置1中，第2 ID區塊4自載置台47之載具C取出基板W，並將所取出之基板W輸送至處理層3A。第1 ID區塊2將由處理層3D處理後之基板W移回(收納)至載置台13之載具C。各處理層3A～3D分別進行第1～第4特定之處理。
於圖24A中，自第2 ID區塊4之載置部47之載具C取出之基板W按照處理層3A、第1 ID區塊2、處理層3B、第2 ID區塊4、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第1 ID區塊2之順序被搬送。又，亦可如圖24A之虛線所示之箭頭AR1，於處理層3B與處理層3C之間利用曝光裝置EXP進行曝光處理。
於圖24B中，自第2 ID區塊4之載置部47之載具C取出之基板W按照處理層3A、第1 ID區塊2、處理層3B、第1 ID區塊2、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第1 ID區塊2之順序被搬送。
於圖24C中，自第2 ID區塊4之載置部47之載具C取出之基板W按照處理層3A、第2 ID區塊4、處理層3B、第2 ID區塊4、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第1 ID區塊2之順序被搬送。又，亦可如圖24C之虛線所示之箭頭AR1，於處理層3B與處理層3C之間利用曝光裝置EXP進行曝光處理。
於圖25A中，自第2 ID區塊4之載置部47之載具C取出之基板W按照處理層3A、第2 ID區塊4、處理層3B、第1 ID區塊2、處理層3C、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3D及第1 ID區塊2之順序被搬送。
於圖25B中，自第2 ID區塊4之載置部47之載具C取出之基板W按照處理層3A、第2 ID區塊4、處理層3B、第2 ID區塊4、曝光裝置EXP、第2 ID區塊4、處理層3C、第1 ID區塊2、處理層3D及第1 ID區塊2之順序被搬送。
(9)於上述實施例4、5中，如圖13所示，第1 ID區塊2之第1基板搬送機構TM1於7個基板載置部PS1A～PS7A及開啟機構9之載具C之間搬送基板W。又，第2基板搬送機構TM2於7個基板載置部PS1A～PS7A及開啟機構10之載具C之間搬送基板W。
關於2個基板搬送機構TM1、TM2之作用，例如，第2基板搬送機構TM2亦可於4個基板載置部PS1A～PS4A之間搬送基板W。於此情形時，第1基板搬送機構TM1亦可於3個基板載置部PS5A～PS7A及開啟機構9之載具C之間搬送基板。該作用於第1基板搬送機構TM1與第2基板搬送機構TM2之間亦可相反。又，例如，如圖26所示，亦可為第1基板搬送機構TM1構成為可於開啟機構9、10排列之Y方向上移動，第2基板搬送機構TM2配置於第1基板搬送機構TM1與處理區塊3之間。
(10)於上述實施例4、5中，如圖13所示，第2 ID區塊4之第4基板搬送機構TM4於8個基板載置部PS1A～PS7A、PS9、曝光前清洗單元161、曝光後清洗單元162、加熱冷卻部PHP、3個載置兼冷卻部P-CP、及載置於開啟機構45之載具C之間搬送基板W。又，第5基板搬送機構TM5於8個基板載置部PS1A～PS7A、PS9、曝光前清洗單元161、曝光後清洗單元162、加熱冷卻部PHP、3個載置兼冷卻部P-CP、及載置於開啟機構46之載具C之間搬送基板W。
例如，第5基板搬送機構TM5亦可於6個基板載置部PS3B～PS7B、PS9、曝光前清洗單元161、曝光後清洗單元162、加熱冷卻部PHP、及3個載置兼冷卻部P-CP之間搬送基板W。於此情形時，第4基板搬送機構TM4亦可於2個基板載置部PS1B、PS2B及開啟機構45之載具C之間搬送基板W。該作用於第4基板搬送機構TM4與第5基板搬送機構TM5之間亦可相反。
(11)於上述各實施例及各變化例中，例如圖15所示之處理區塊3自下側起依序配置有進行第1塗佈處理之2個處理層3A、3B、進行第2塗佈處理之2個處理層3C、3D及進行顯影處理之3個處理層3E～3G。處理層之上下方向之配置並不限定於此。例如亦可將進行顯影處理之3個處理層3E～3G設置於較進行第1塗佈處理之2個處理層3A、3B更靠下側。
(12)於上述各實施例及各變化例中，圖15所示之下側之2個處理層3A、3B亦可分別針對基板W進行抗反射膜之形成及抗蝕膜之形成。又，中間之2個處理層3C、3D亦可分別針對基板W進行抗蝕劑保護膜之形成及背面清洗。上側之3個處理層3E～3G亦可針對基板W進行顯影處理。
(13)於上述實施例4、5中，第2 ID區塊4作為介面區塊發揮功能。如圖27所示，第2 ID區塊4亦可具備ID區塊本體200及介面區塊(以下適當稱為「IF區塊」)201。於此情形時，ID區塊本體200具備2個開啟機構45、46及2個基板搬送機構TM4、TM5。IF區塊201除具備曝光前清洗單元161、曝光後清洗單元162、加熱冷卻部PHP及第6基板搬送機構TM6以外，進而具備2個基板搬送機構TM7、TM8。再者，於ID區塊本體200與IF區塊201之間設置有基板載置部PS8。基板載置部PS8被區分為基板W之輸送用與移回用。
(14)於上述各實施例及各變化例中，第1 ID區塊2具備2個基板搬送機構TM1、TM2。如圖28所示，第1 ID區塊2亦可具備單一基板搬送機構TM1。於此情形時，亦可將複數個(例如4個)載置台13沿Y方向排列地設置於第1 ID區塊2之壁部206。為了對載置於該等載置台13之載具C進行基板W之取出及收納，基板搬送機構TM1亦可構成為藉由電動馬達之驅動於Y方向上移動。
又，單一基板搬送機構TM1亦可如實施例1般，以不於水平方向(尤其是Y方向)上移動之方式固定於第1 ID區塊2之底部。又，第1 ID區塊2亦可具備3個以上之基板搬送機構。
(15)於上述各實施例及各變化例中，第2 ID區塊4具備2個基板搬送機構TM4、TM5。如圖28所示，第2 ID區塊4亦可具備單一基板搬送機構TM4。於此情形時，亦可將複數個(例如4個)載置台47沿Y方向排列地設置於第2 ID區塊4之壁部208。為了對載置於該等載置台47之載具C進行基板W之取出及收納，基板搬送機構TM4亦可構成為藉由電動馬達之驅動於Y方向上移動。
又，單一基板搬送機構TM4亦可如實施例1般，以不於水平方向(尤其是Y方向)上移動之方式固定於第2 ID區塊4之底部。又，第2 ID區塊4亦可具備3個以上之基板搬送機構。
(16)於上述各實施例及各變化例中，處理區塊3之處理層為6～7層，但只要為複數個處理層即可。
(17)於上述各實施例及各變化例中，處理區塊3具備於上下方向上積層之複數個處理層(例如6個處理層3A～3F)。於圖1中，各處理層3A～3F之第3基板搬送機構TM3可僅利用處理區塊3於第1 ID區塊2與第2 ID區塊4之間搬送基板W。單一處理區塊3例如具備可於2個ID區塊2、4之間搬送基板W之至少1個處理層。例如，於圖1中，處理層3A之第3基板搬送機構TM3自基板載置部PS1A接收基板W，且將所接收到之基板W搬送至液體處理部28及熱處理部29(參照圖2)之後，將基板W搬送至基板載置部PS1B。
本發明可不脫離其思想或本質而以其他具體之形式實施，因此，作為表示發明範圍之內容，應當參照所附加之申請專利範圍而非以上說明。
1:基板處理裝置 2:第1傳載區塊(第1 ID區塊) 3:處理區塊 3A:處理層 3B:處理層 3C:處理層 3D:處理層 3E:處理層 3F:處理層 3G:處理層 3H:處理層 4:第2傳載區塊(第2 ID區塊) 8:載具緩衝裝置 9:開啟機構 10:開啟機構 13:載置台 14:開口部 21:手部 23:進退驅動部 25:升降旋轉驅動部 27:搬送空間 28:液體處理部 29:熱處理部 31:手部 32:進退驅動部 33:旋轉驅動部 34:第1移動機構 35:第2移動機構 37:保持旋轉部 38:噴嘴 39:噴嘴移動機構 41:平板 45:開啟機構 46:開啟機構 47:載置台 48:開口部 51:載具搬送機構 53:載具存放架 61:多關節臂(第1多關節臂) 62:多關節臂(第2多關節臂) 63:固持部(第1固持部) 64:固持部(第2固持部) 65:升降驅動部 67:前後驅動部 67A:支持部 67B:縱長部 71:輸入口 72:輸出口 73:未處理基板載具架 74:空載具架 75:處理過之基板載具架 77:軌道 79:控制部 80:操作部 81:清洗單元 82:保持旋轉部 83:液體供給部 84:毛刷清洗機構 85:保持銷 86A:旋轉卡盤 86B:旋轉卡盤 88:驅動部 90:噴嘴 92:配管 94:毛刷清洗工具 96:臂部 98:驅動部 101:基板處理裝置 102:ID區塊 103:處理區塊 113:載具載置台 120:噴霧清洗機構 121:噴霧噴嘴(二流體噴嘴) 123:液體供給管 161:曝光前清洗單元 162:曝光後清洗單元 200:ID區塊本體 201:IF區塊(介面區塊) 206:壁部 208:壁部 BARC:塗佈單元 C:載具 CP:冷卻部 DEV:顯影單元 EXP:曝光裝置 OHT:外部搬送機構 PAHP:密接強化處理部 P-CP:載置兼冷卻部 PHP:加熱冷卻部 PS1A:基板載置部 PS1B:基板載置部 PS1C~PS3C:移回用基板載置部(基板載置部) PS2A:基板載置部 PS2B:基板載置部 PS3A:基板載置部 PS3B:基板載置部 PS4A:基板載置部 PS4B:基板載置部 PS4D~PS6D:移回用基板載置部(基板載置部) PS5A:基板載置部 PS5B:基板載置部 PS6A:基板載置部 PS6B:基板載置部 PS7A:基板載置部 PS7B:基板載置部 PS8:基板載置部 PS9:基板載置部 R1~R4:翻轉單元 RESIST:塗佈單元 TM1:第1基板搬送機構 TM2:第2基板搬送機構 TM3:第3基板搬送機構 TM4:第4基板搬送機構 TM5:第5基板搬送機構 W:基板
為了說明發明而圖示了目前認為較佳之若干個形態，但要理解發明並不限定於如圖示之構成及方案。 圖1係實施例1之基板處理裝置之縱剖視圖。 圖2係實施例1之基板處理裝置之橫剖視圖。 圖3係實施例1之基板處理裝置之右側視圖。 圖4係表示實施例1之基板處理裝置之左側面之一部分的圖。 圖5係表示載具搬送機構之圖。 圖6係表示載具緩衝裝置之俯視圖。 圖7係用於說明先前之基板處理裝置之動作之圖。 圖8係用於說明實施例1之基板處理裝置之動作之圖。 圖9係實施例2之基板處理裝置之右側視圖，且係用於說明其動作之圖。 圖10係用於說明實施例2之變化例之基板處理裝置之動作的圖。 圖11係實施例3之基板處理裝置之右側視圖，且係用於說明其動作之圖。 圖12A～圖12C係用於說明實施例3之變化例之基板處理裝置之動作的圖。 圖13係實施例4之基板處理裝置之縱剖視圖。 圖14係實施例4之基板處理裝置之橫剖視圖。 圖15係實施例4之基板處理裝置之右側視圖，且係用於說明其動作之圖。 圖16係表示實施例4之基板處理裝置之左側面之一部分的圖。 圖17A、圖17B係用於說明實施例4之變化例之基板處理裝置之動作的圖。 圖18係實施例5之基板處理裝置之右側視圖，且係用於說明其動作之圖。 圖19係用於說明實施例5之基板處理裝置之動作之圖。 圖20A、圖20B係表示清洗裝置之圖。 圖21係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。 圖22A～圖22C係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。 圖23A～圖23C係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。 圖24A～圖24C係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。 圖25A、圖25B係用於說明變化例之基板處理裝置之構成及動作之圖。 圖26係表示變化例之第1傳載區塊之橫剖視圖。 圖27係表示變化例之第2傳載區塊之橫剖視圖。 圖28係表示變化例之基板處理裝置之橫剖視圖。
1:基板處理裝置
2:第1傳載區塊(第1 ID區塊)
3:處理區塊
4:第2傳載區塊(第2 ID區塊)
13:載置台
47:載置台
C:載具
W:基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其對基板進行處理，且包含以下構件： 第1傳載區塊，其設置有第1載具載置台，該第1載具載置台係用於載置可收納複數個基板之載具； 單一處理區塊，其與上述第1傳載區塊連結，且於上下方向配置有複數個處理層；及 第2傳載區塊，其與上述單一處理區塊連結，且設置有用於載置上述載具之第2載具載置台； 上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將所取出之基板搬送至上述複數個處理層中之任一者， 上述複數個處理層分別對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層， 上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊將經上述第2處理層處理且被搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層， 上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出， 上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置， 上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板輸送至上述複數個處理層中之第3處理層。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出， 上述第2傳載區塊將由上述第1處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置， 上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板輸送至上述複數個處理層中之第2處理層。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊將經上述第2處理層處理且被搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層， 上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出， 上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置， 上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板輸送至上述複數個處理層中之第3處理層。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1傳載區塊自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層， 上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第2載具載置台之上述載具。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出， 上述第2傳載區塊自載置於上述第2載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第1處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置， 上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板移回至載置於上述第1載具載置台之上述載具。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第2傳載區塊進而構成為對外部裝置進行基板之搬入及搬出， 上述第2傳載區塊自載置於上述第2載具載置台之上述載具取出基板，並將該基板搬送至上述複數個處理層中之第1處理層， 上述第1處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將搬送來之基板搬送至上述複數個處理層中之第2處理層， 上述第2處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第2傳載區塊， 上述第2傳載區塊將由上述第2處理層處理後之基板搬出至上述外部裝置， 上述第2傳載區塊自上述外部裝置搬入由上述外部裝置進行特定之處理後之基板，並將所搬入之基板搬送至上述複數個處理層中之第3處理層， 上述第3處理層對搬送來之基板進行特定之處理，並將該基板搬送至上述第1傳載區塊， 上述第1傳載區塊將由上述第3處理層處理後之基板移回至載置於上述第1載具載置台之上述載具。
  13. 如請求項1至12中任一項之基板處理裝置，其進而具備載具搬送機構， 該載具搬送機構於上述第1載具載置台與上述第2載具載置台之間搬送上述載具。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中 上述載具搬送機構搭載於上述單一處理區塊之上。
  15. 一種基板搬送方法，其係如下之基板處理裝置之基板搬送方法，上述基板處理裝置具備：第1傳載區塊，其設置有第1載具載置台，該第1載具載置台用於載置可收納複數個基板之載具；及 單一處理區塊，其與上述第1傳載區塊連結，於上下方向配置有複數個處理層；且該基板搬送方法包含以下工序： 藉由上述第1傳載區塊，自載置於上述第1載具載置台之上述載具取出基板，並將所取出之基板搬送至上述複數個處理層中之任一者； 藉由上述複數個處理層之各者，對輸送來之基板進行特定之處理，且將該基板搬送至與上述單一處理區塊連結之第2傳載區塊；及 藉由上述第2傳載區塊，將由上述處理層處理後之基板移回至載置於上述第2傳載區塊中設置之第2載具載置台之上述載具。
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