KR100546503B1 - 기판처리장치 및 그 방법 - Google Patents

기판처리장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100546503B1
KR100546503B1 KR1020030085045A KR20030085045A KR100546503B1 KR 100546503 B1 KR100546503 B1 KR 100546503B1 KR 1020030085045 A KR1020030085045 A KR 1020030085045A KR 20030085045 A KR20030085045 A KR 20030085045A KR 100546503 B1 KR100546503 B1 KR 100546503B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
unit
board
indexer
Prior art date
Application number
KR1020030085045A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050051280A (ko
Inventor
수기모토켄지
마츠나가미노부
사나다마사카즈
요시오카카츠시
아오키카오루
야노모리타카
야마모토사토시
미츠하시츠요시
나가오타카시
고다마미츠마사
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority to KR1020030085045A priority Critical patent/KR100546503B1/ko
Publication of KR20050051280A publication Critical patent/KR20050051280A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100546503B1 publication Critical patent/KR100546503B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로를, 상하 계층구조로 배설(配設)함과 동시에, 1층의 처리부 반송경로 및 2층의 처리부 반송경로 사이에서 기판의 수수를 가능하게 구성하고, 처리부 반송경로를 기판이 순방향으로 반송되는 진행전용경로와, 기판이 역방향으로 반송되는 리턴전용경로를 상하로 배설하여 구성한다. 또 처리부 반송경로의 각각의 일단을 인덱서(1)로 연결하고, 각각의 타단을 인터페이스로 연결한다. 이와 같이 구성함으로써 진행전용경로 상에서 반송되는 기판과, 리턴전용경로 상에서 반송되는 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시키고, 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
인덱서, 인터페이스, 반송경로, 계층구조

Description

기판처리장치 및 그 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}
도1은 종래의 기판처리장치의 구성을 나타내는 블록도,
도2는 제1 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 사시도,
도3은 제1 실시예에 관한 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도4는 제1 실시예에 관한 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도5의 A는 제1 실시예에 관한 인덱서용 반송기구의 개략구성을 나타내는 도면으로서, 인덱서용 반송기구의 평면도, B는 A의 우측면도,
도6의 A는 제1 실시예에 관한 열처리부용/반사방지막 형성처리용/레지스트막 형성처리용/에지노광용/현상용 반송기구의 개략구성을 나타내는 도면으로서, 그들의 반송기구의 평면도, B는 A의 우측면도,
도7의 A는 제1 실시예에 관한 반송기구가 고정되는 장소 및 주변의 위치관계를 나타내는 도면으로서, 열처리부용 반송기구가 고정된 경우의 평면도, B는 인덱서측에 있는 반사방지막 형성처리용/현상용 반송기구가 고정된 경우의 평면도,
도8의 A는 제1 실시예 관한 반송기구가 고정되는 장소 및 주변의 위치관계를 나타내는 도면으로서, 인터페이스측에 있는 레지스트막 형성처리용/현상용 반송기 구가 고정된 경우의 평면도, B는 에지노광용 반송기구가 고정된 경우의 평면도,
도9의 A는 제1 실시예에 관한 노광후 가열용 반송기구의 개략구성을 나타내는 도면으로서, 노광후 가열용 반송기구의 평면도, B는 A의 측면도, C는 A의 정면도,
도10은 제1 실시예에 관한 열처리부의 개략구성을 나타내는 사시도,
도11은 제1 실시예에 관한 열처리부가 퇴피위치까지 이동했을 때의 상태를 나타내는 측면도,
도12는 제1 실시예에 관한 기판처리장치에서의 포토리소그래피공정에서 일련의 기판처리를 나타내는 플로우차트,
도13은 제1 실시예에 관한 기판처리장치에서의 포토리소그래피공정에서 일련의 기판처리를 나타내는 플로우차트,
도14는 일련의 기판처리 중의 각 처리에서의 기판의 위치와, 그 기판을 반송하는 반송기구와의 관계를 나타낸 도면,
도15는 평면상에 진행/리턴전용경로를 구성한 경우의 기판처리장치의 평면블록도,
도16은 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 사시도,
도17은 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도18은 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도19는 제2 실시예에 관한 기판처리장치에서의 포토리소그래피공정에서 일련의 기판처리를 나타내는 플로우차트,
도20은 제2 실시예에 관한 기판처리장치에서의 포토리소그래피공정에서 일련의 기판처리를 나타내는 플로우차트,
도21은 일련의 기판처리 중의 각 처리에서 검사의 대상이 되는 기판의 위치와, 그 기판을 반송하는 반송기구와의 관계를 나타낸 도면,
도22는 일련의 기판처리 중의 각 처리에서 검사의 대상 이외의 나머지 기판의 위치와, 그 기판을 반송하는 반송기구와의 관계를 나타낸 도면,
도23은 바깥 프레임 부착의 제1~제3의 처리유닛의 개략구성을 나타내는 사시도,
도24는 제1 실시예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도25는 제1 실시예에 관한 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도26은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도27은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도28은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도29는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도30은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도31은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도32는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도33은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도34는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도35는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도36의 A는 변형예에 관한 열처리부용/반사방지막 형성처리용/레지스트막 형성처리용/에치노광용/현상용 반송기구의 개략구성을 나타내는 도면으로서, 그들의 반송기구의 평면도이며, B는 A의 측면도,
도37은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도38은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도39는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도40은 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치를 측면에서 본 경로 블록도,
도41은 제2 실시예에 관계있는 변형예에 관한 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도42는 제2 실시예에 관계있는 변형예에 관한 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도,
도43의 A는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, B는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, C는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도,
도44의 A는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, B는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, C는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도,
도45의 A는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, B는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도, C는 또 다른 변형예에 관한 기판처리장치의 평면 블록도이다.
본 발명은, 반도체기판, 액정표시기의 유리기판, 포토마스크용의 유리기판, 광디스크용의 기판(이하, 단순히 기판이라 한다)에 대해서 처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치 및 그 방법에 관한 것이다.
종래, 이와 같은 기판처리장치는, 예를 들면 포토레지스트막을 기판에 도포형성하고, 도포된 그 기판에 대해서 노광처리를 행하며, 또 노광처리 후의 기판을 현상하는 포토리소그래피공정에 이용되고 있다.
이것을 도1의 평면도에 나타내고, 이하에 설명한다. 이 기판처리장치는, 미처리의 복수매(예를 들면 25장)의 기판(W), 또 후술하는 처리부(104)에서 처리가 완료된 기판(W)이 수납되는 카셋트(C)가 복수개 재치(載置)되는 카셋트 재치대(102)와, 이 각 카셋트(C)의 앞을 수평이동하고, 각 카셋트(C)·처리부(104) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 반송기구(108a)를 구비한 인덱서(103)와, 복수의 처리부(104)와, 복수의 처리부(104) 사이에서 기판(W)을 반송하는 경로인 기판반송경로(105)와, 처리부(104) 및 외부처리장치(107) 사이에서 기판(W)의 수수를 중계하는 인터페이스(106)로 구성되어 있다.
인덱서(103)는 카셋트 재치대(102)에 놓여진 카셋트(C)에서 미처리의 기판을 순서대로 추출하여 처리부(104)에 반출하는 한편, 처리완료된 기판을 처리부(104)에서 수취하여 미리 정해진 카셋트(C)에 처리완료된 기판을 순서대로 수납하도록 구성되어 있다.
인터페이스(106)는 처리부(104)와 외부처리장치(107)를 연결한다. 기판처리장치가 상술한 레지스트 도포 및 현상처리를 행하는 장치의 경우, 이 외부처리장치(107)는 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치가 된다.
또 기판반송경로(105) 상을 반송하는 반송기구(108b)와, 인터페이스(106)의 반송경로상을 반송하는 반송기구(108c)가 각각 배설(配設)되어 있다. 그 이외에, 인덱서(103)와 기판반송경로(105)와의 연결부에는 재치대(109a), 기판반송경로(105)와 인터페이스(106)와의 연결부에는 재치대(109b)가 각각 배설되어 있다.
상술한 기판처리장치에 있어서, 이하의 순서대로 기판처리가 행해진다. 미처리의 기판(W)을 수납한 카셋트(C)를 카셋트 재치대(102)에 재치하고, 이 카셋트(C)에서 1장의 기판을 반송기구(108a)가 추출하여 반송기구(108b)에 기판(W)을 넘기기 위해서 재치대(109a)까지 반송한다. 반송기구(108b)는 재치대(109a)에 재치된 기판(W)을 수취한 후, 각 처리부(104) 내에서 미리 정해진 처리(예를 들면, 레지스트 도포 등의 처리)를 각각 행하기 위해, 그들 처리부(104)에 기판(W)을 각각 반입한다. 미리 정해진 각 처리가 각각 종료하면, 반송기구(108b)는 그들 처리부(104)에서 기판(W)을 각각 반출하고, 다음의 처리를 행하기 위해 별도의 처리부(104)에 기판(W)을 반입한다.
노광 전의 일련의 처리가 종료하면, 반송기구(108b)는 반송기구(108c)에 기판(W)을 넘기기 위해 재치부(109b)까지 반송한다. 반송기구(108c)는 재치대(109b)에 재치된 기판(W)을 수취한 후, 외부처리장치(107)까지 반송한다. 외부처리장치(107)에 반입하여 미리 정해진 처리(예를 들면, 노광처리 등의 처리)가 종료하면, 반송기구(108c)는 외부처리장치(107)에서 기판(W)을 반출하여 재치부(109b)까지 반송한다. 그 다음은, 반송기구(108b)에 의해 각 처리부(104)에 기판(W)이 반송되며, 노광 후의 일련의 기판처리(예를 들면, 가열처리, 냉각처리, 현상처리)가 행해지고, 카셋트 재치대(102)에 놓여진 미리 정해진 카셋트(C)에 처리완료된 기판을 순서대로 수납하여 일련의 기판처리가 종료한다.
그러나, 이와 같은 구성을 가지는 종래예의 경우에는, 하기와 같은 (Ⅰ)~(Ⅲ)의 과제가 있다.
(Ⅰ)의 과제에 대해서
즉, 종래의 기판처리장치에서는, 인덱서(103)에서 인터페이스(106)까지의 반송과, 인터페이스(106)에서 인덱서(103)까지의 반송을 겸해 반송기구(108b)는 기판(W)의 반송을 행하고 있다. 따라서, 반송기구(108b)는 기판(W)의 (인덱서(103)에서 인터페이스(106)까지, 인테페이스(106)에서 인덱서(103)까지의) 양쪽의 반송을 동시에 행할 수 없다. 가령, 2개의 반송기구(108b)의 한쪽을 인덱서(103) 측에, 다른쪽을 인터페이스(106) 측에 각각 구비했다 하더라도, 인덱서(103)에서 인터페이스(106)까지 반송된 기판(W)과, 인터페이스(106)에서 인덱서(103)까지 반송된 기 판(W)이 기판반송경로(105) 상에서 간섭하는 경우에는, 어느 한쪽의 기판(W)을 처리부(104)로 퇴피 또는 반입할 때까지의 동안, 다른쪽의 기판(W)을 재치대(109a, 109b) 또는 도시를 생략하는 임시 트레이(버퍼)에서 대기시키지 않으면 안된다. 그 결과, 기판(W)의 쓸데없는 대기시간이 증대하여 처리효율을 향상하기 어렵게 된다.
또한, 상술한 바와 같이 반송기구(108b)는 인덱서(103)에서 인터페이스(106)까지의 반송과, 인터페이스(106)에서 인덱서(103)까지의 반송과의 양쪽의 반송을 행하고 있으므로, 기판처리를 제어하기 위한 반송제어를 하기 어렵게 되는 문제도 생긴다.
(Ⅱ)의 과제에 대해서
즉, 종래의 기판처리장치에서는, 대량의 기판에 대해서 처리를 행하기 위해서는 한도가 있으며, 복수매의 기판을 동시에 처리하면 기판끼리의 간섭이 발생하여 처리효율이 악화된다. 대량의 기판처리에 대응하기 위해서 기판반송경로(105)를 장대화(長大化)시키거나, 별도의 기판반송경로를 설치하는 것도 생각할 수 있지만, 그것에 의해, 장치를 설치하는 바닥면적(풋프린트)이 증대하여 버린다.
(Ⅲ)의 과제에 대해서
이와 같은 일련의 처리 도중에 기판(W)을 검사하기 위해서, 검사기(도시생략)가 기판처리장치와는 별도로 설치되어 있으며, 기판처리장치에서 기판(W)을 반출하여, 이 검사기까지 반송한다. 검사기로, 예를 들면 포토리소그래피공정에서 형성된 배선패턴의 선폭을 검사하는 것, 노광시의 중첩 정밀도를 검사하는 것, 기판(W)에 부착한 파티클의 크기와 수를 검사하는 것, 배선패턴의 결함을 검사하는 것 등이 있다. 이와 같은 검사기는 광학현미경 등으로 구성되어 있다. 일련의 처리 도중에 기판(W)을 검사하기 위해서는 검사하는 대상의 처리에 관한 처리부(104)에서 반출된 기판(W)을 검사기에 반송하는 것으로 행해진다.
상술한 바와 같이 기판처리장치와 검사기와는 서로 별개의 장치이므로, 기판의 반송시간 등에 의해 기판의 처리시간이 증대하여 버린다. 그래서, 기판처리장치에 검사기를 조립하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 기판처리의 도중에 검사기를 설치하고 있으므로 검사의 대상이 되는 기판과 다른 기판과의 간섭을 피하기 위해서, 다른 기판을 대기시키지 않으면 안된다. 그 결과, 기판의 쓸데없는 대기시간이 증대하여 처리효율을 향상하기 어렵게 된다.
본 발명은, 이와 같은 사정에 감안하여 이루어진 것으로, (Ⅰ) 기판의 처리효율을 향상시키고, 또 기판의 반송제어를 간단하게 행한다, (Ⅱ) 풋프린트를 증대시키지 않고 기판의 처리효율을 향상시킨다, (Ⅲ) 기판을 검사하는 경우에 있어서 기판의 처리효율을 향상시키는 기판처리장치 및 그 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 (Ⅰ)의 문제를 해결하기 위해서 창작된 본 발명에 관한 기판처리장치는 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에서의 기판처리장치는, 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있음과 동시에, 각 층의 기판반송경로 사이에서 기판의 수수가 가능하게 구성되어 있다;
상기 각 층의 기판반송경로는, 기판의 반송방향이 교대로 역방향으로 설정되는 것에 의해, 기판이 순방향으로 반송되는 진행전용경로와, 기판이 역방향으로 반송되는 리턴전용경로가 상하 교대로 배설되어 구성되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로를 상하 계층구조로 배설함과 동시에, 각 층의 기판반송경로 사이에서 기판의 수수를 가능하게 구성하며, 기판의 반송방향을 교대로 역방향으로 설정함으로써 각 층의 기판반송경로를 기판이 순방향으로 반송되는 진행전용경로와, 기판이 역방향으로 반송되는 리턴전용방향을 상하 교대로 배설하여 구성한다. 이와 같이 구성함으로써, 먼저 기판의 진행전용경로 상에서 반송되고, 역방향으로 설정된 후에 기판은 리턴전용경로 상에서 반송된다. 또한 역방향으로 설정되면 기판은 진행전용경로 상에서 반송된다. 이와 같이, 처리부 사이에서 기판은 진행/리턴전용경로를 통해서 반송되어 기판처리가 각각 행해지므로, 진행전용경로 상에서 반송되는 기판과, 리턴전용경로 상에서 반송되는 기판이 간섭하는 일이 없다. 따라서, 그들 기판의 간섭에 의한 쓸데없는 대기시간을 저감시킬 수 있으며, 그 결과, 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 진행전용경로를 따라 기판을 반송하는 기판반송수단을 배설함과 동시에, 리턴전용경로를 따라 기판을 반송하는 전자(前者)와는 별도의 기판반송수단을 배설 하는 경우, 각각의 기판반송수단은 진행 또는 리턴의 어느 한쪽의 반송밖에 각각 행해지지 않으므로 기판처리를 제어하기 위한 반송제어를 간단하게 행할 수 있다.
또한, 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 각 층의 기판반송경로 사이에서 기판의 수수가 가능하게 구성되어 있으므로, 장치를 배설하는 바닥면적(풋프린트)를 경감할 수 있다는 효과도 나타낸다.
본 발명에 관한 기판처리장치에 있어서, 인덱서 또는 인터페이스를 그 기판처리장치에 병설함으로써 하기와 같은 복수 종류의 형태를 들 수 있다. 또한 인덱서는, 처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 것이다. 또 인터페이스는 상기 기판처리장치에 연설(連設)되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 것이다.
하나의 형태로서는, 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며, 상기 일련의 기판반송경로의 일단이 상기 인덱서에 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 하기의 2가지의 작용이 생긴다. 즉, 한쪽의 작용에 대해서 설명하면, 카셋트 재치부에 카셋트가 재치되는 것으로, 카셋트에 수납되어 있는 기판이 순서대로 추출되어 처리부로 반출된다. 즉 기판은 카셋트 재치부를 가지는 인덱서를 통해서 인덱서에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되는 것으로 반출된다. 재치된 기판은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다.
다른쪽의 작용에 대해서 설명하면, 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 각각의 기판은, 처리부에서 카셋트 내로 순서대로 수납된다. 즉 처리된 기판은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또 그 일련의 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 그 인덱서에 있는 카셋트 재치부에 재치된 카셋트 내에 수납된다.
다른 형태로서는, 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 카셋트 재치부에 카셋트가 재치됨으로써, 카셋트에 수납되어 있는 기판이 순서대로 추출되어 처리부로 반출된다. 즉 기판은 카셋트 재치부를 가지는 인덱서를 통해서 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치되는 것으로 반출된다. 재치된 기판은 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 처리된 각각의 기판은 처리부에서 카셋트 내로 순서대로 수납된다. 즉 처리된 기판은 상술한 재치된 층의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 그 인덱서에 있는 카셋트 재치부에 재치된 카셋트 내에 수납된다.
또한 복수매의 기판을 인덱서를 통해서, 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단에 거의 동시에 각각 재치하여 복수의 기판처리를 거의 동시에 행해도 되며, 일련의 기판처리가 종료한 기판을 재치된 층의 기판반송경로의 일단에 재치하고, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 기판반송 경로의 일단에 재차 재치하여 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
또 다른 형태로서는, 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며, 상기 일련의 기판반송경로의 일단이 상기 인터페이스에 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 하기의 2가지의 작용이 생긴다. 즉 한쪽의 작용에 대해서 설명하면, 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판은 인터페이스를 통해서 인터페이스에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치된다. 재치된 기판은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다.
다른쪽의 작용에 대해서 설명하면, 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또 그 일련의 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스를 통해서 기판은 외부처리장치로 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 행해진다.
또 다른 형태로서는, 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며, 상기 각 계층의 기판반송경로의 각각의 일련이 상기 인터페이스에 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판은 인터페이스를 통해서 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치된다. 재치된 기판은 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판은 상술한 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 그 기판반송경로의 일단에 재치되며, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스를 통해서 기판 은 외부처리장치에 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 재차 행해진다.
또한 외부처리장치에 의한 처리가 종료한 복수매의 기판을 인터페이스를 통해서 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단에 거의 동시에 각각 재치하여 복수의 기판처리를 거의 동시에 행해도 되고, 일련의 기판처리가 종료한 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 그 기판반송경로의 일단에 재치하며, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스를 통해서 기판을 외부처리장치에 재차 넘겨 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
또 다른 형태로서는, 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단측에 병설됨과 동시에, 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 타단측에 병설되어 있으며, 상기 일련의 기판반송경로의 타단이 상기 인덱서에 연결됨과 동시에, 상기 일련의 기판반송경로의 타단이 상기 인터페이스에 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 하기의 2가지의 작용이 생긴다. 즉 한쪽의 작용에 대해서 설명하면, 카셋트 재치부에 카셋트가 재치됨으로써, 카셋트에 수납되어 있는 기판이 순서대로 추출되어 처리부로 반출된다. 즉 기판은 카셋트 재치부를 가지는 인덱서를 통해서 인덱서에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되는 것으로 반출된다. 재치된 기판은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판은 일련의 기판반송경로의 타단에 재치되며, 또 그 일련의 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 기판은 외부처리장치로 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 행해진다.
다른쪽의 작용에 대해서 설명하면, 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판은 인터페이스를 통해서 인터페이스에 연결된 일련의 기판반송경로의 타단에 재치된다. 재치된 기판은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 처리된 각각의 기판은 처리부에서 카셋트 내에 순서대로 수납된다. 즉 처리된 기판은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되며, 또 그 일련의 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 그 인덱서에 있는 카셋트 재치부에 재치된 카셋트 내에 수납된다.
또 다른 형태로서는, 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단측에 병설됨과 동시에, 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 타단측에 병설되어 있으며, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 연결됨과 동시에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 상기 인터페이스에 연결되어 있다. 이 형태에 의하면, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인덱서에 연결됨과 동시에, 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 인터페이스에 연결되어 있으므로, 인덱서·인터페이스 사이를 각각 연결하는 각 층의 반송경로를 통해서 복수매의 기판이 각각 개별로 반송될때, 각각의 기판이 간섭하는 일이 없다. 그 결과, 인덱서·인터페이스 사이의 반송에 있어서, 외부처리장치에 의한 처리도 포함한 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
여러가지 기판처리에 대해서, 이와 같은 기판처리장치를 적용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피공정에서 기판에 처리액을 도포하는 도포처리 및 처리액이 도포된 기판을 현상하는 현상처리가 있다. 그 한편으로, 파티클(입자) 등에 의해 기판에 악영향을 미치기 때문에, 기판처리장치는 클린룸 내에 설치된다. 클린룸에 대해서는 장치의 위쪽에서 기체를 받아들여 아래쪽으로 기체를 내뿜는 다운플로우 형식을 통상적으로 채용하고 있으며, 이것에 의해 파티클 등을 아래쪽으로 내보내 배출시킨다. 기판처리가 도포처리 및 현상처리로서 본 발명의 기판처리장치를 이와 같은 클린룸 내에 설치하는 경우에, 각 층의 기판반송경로는 상하 계층구조로 배설되어 있으므로 도포처리에 관한 처리부 또는 현상처리에 관한 현상처리부 중 어느 하나의 처리부를 장치의 위쪽에 배설하고, 또 다른 하나의 처리부를 장치의 아래쪽에 배설하게 된다. 또 도포처리부에서 이용되는 기판을 도포하기 위한 처리액(예를 들면 포토레지스트액)의 쪽이 현상처리부에서 이용되는 현상액보다도 점성이 높다는 사정이 있다. 이와 같은 사정을 감안하여 창작된 본 발명에 관한 기판처리장치는 이하와 같은 구성을 채용한다.
즉 본 발명에서의 기판처리장치는, 이하의 요소를 포함한다:
상기 진행전용경로에 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부를 배설함과 동시에;
상기 리턴전용경로에 상기 도포처리부에서 처리액이 도포된 상기 기판을 현상하는 현상처리부를 배설하고 있다;
상기 도포처리부가 배설된 진행전용경로의 위쪽에 상기 현상처리부가 배설된 리턴전용경로를 배설하여 각각의 경로 사이에서 기판의 수수를 가능하게 구성하는 것으로 일련의 기판반송경로를 구성한다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 도포처리부에 배설된 진행전용경로 현상 처리부에 배설된 리턴전용경로 사이에서 기판의 수수가 가능하게 구성됨으로써, 일련의 기판반송경로가 구성되어 있으므로 도포처리 후에 현상처리를 연속적으로 행할 수 있다. 또 도포처리부가 배설된 진행전용경로의 위쪽에 현상처리부가 배설된 리턴전용경로가 배설되어 있음으로써 도포처리부의 위쪽에 현상처리부가 배설됨으로 도포처리부의 온도를 조절하기 위한 별도의 공조를 필요치 않으며, 클린룸의 다운플로우를 그대로 이용하여 도포처리부를 온도 조절할 수 있다. 또한 도포처리부의 위쪽에 현상처리부가 배설됨으로써 처리액의 비산을 방지하여 그 처리액을 배출시키는 컵도 아래쪽에 배설하게 됨으로 점도가 높은 처리액이 접착한 상술의 컵을 교환할 때에, 현상처리부의 위쪽에 도포처리부가 배설되는 것으로 컵이 위쪽에 배설되어 있는 경우와 비교하여, 컵 교환을 용이하게 할 수 있다.
또 기판처리를 더욱 효율적으로 행하기 위해, 각 층의 기판반송경로를 따라 기판을 차례차례 보내 반송하는 복수의 기판경로수단을 구비함과 동시에, 각 기판반송수단은 처리부에 기판을 반입하는 반입용 반송기구와, 처리부에서 기판을 반출하는 반출용 반송기구로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 반입용 반송기구가 처리부에 기판을 차례차례 보내 반입하는 동안에, 반출용 반송기구가 기판을 순방향으로 반출할 수 있다.
또 기판을 처리하는 처리매 수의 증감에 대응하기 위해, 계층구조의 기판반송경로를 따라 배설된 처리부군 중, 상하로 대향하고 있는 복수의 처리부와, 각 층의 기판반송경로 중, 상하로 대향하고 있는 기판반송경로의 일부를 포함하여 1단위의 기판처리유닛을 구성하고, 복수개의 기판처리유닛을 기판의 반송방향으로 나란 히 배설하여 기판처리장치를 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 처리매수에 따라 기판처리유닛을 기판의 반송방향으로 나열하여 증설, 또는 기판처리유닛을 줄일 수 있다.
또한 상술한 구성의 경우, 각 기판처리유닛 내의 각 층의 기판반송경로를 인접하는 별도의 기판처리유닛 내의 같은 층에서 기판반송경로에 각각 연결하는 것이 바람직하다. 이와 같이 연결함으로써, 기판처리유닛을 기판의 반송방향으로 나열하여 배설하면, 각 층의 기판반송경로를 각각 간단하게 구성할 수 있다. 또한 인접하는 2개의 기판처리유닛 사이에, 그들 기판처리유닛 사이에서 기판을 수수하기 위해 기판을 재치하는 재치대를 각 층의 기판반송경로 상에 각각 배설하는 것이 바람직하다. 이와 같이 배설함으로써, 인접하는 기판처리유닛 사이에서 기판의 수수를 용이하게 행할 수 있다.
또 도포처리를 예로 들면, 복수의 기판처리유닛 중 적어도 1개는 처리부로서 포토레지스트막을 기판에 도포 형성하는 레지스트 도포처리부 또는 복수의 기판처리유닛 중 적어도 1개는 처리부로서 기판 상에 형성된 포토레지스트막으로부터의 광의 반사를 방지하기 위해서 반사방지막을 기판에 도포 형성하는 반사방지막 도포처리부인 것이 바람직하다.
또 본 발명에 관한 기판처리방법은, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에서의 기판처리방법은, 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단측에 병설됨과 동시에, 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 타단측에 병설되어 있으며, 상기 각 층의 기판반송 경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 연결됨과 동시에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 상기 인터페이스에 연결되어 있는 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다:
상기 인덱서에서의 미처리 기판을 상기 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하여 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서, 재치된 층의 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치로 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정;
외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을, 상기 인터페이스를 통해서 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단 중 어느 하나에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하여 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
이들 공정을 행함으로써, 상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 행한다.
본 발명의 기판처리방법에 의하면, 미처리 기판을 인덱서를 통해서 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하고, 재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하여 각각의 처리부에서 기판 처리를 행한다. 각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서, 재치된 층의 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 외부처리장치로 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행한다. 외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 인터페이스를 통해서 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단 중 어느 하나에 재치하며, 재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하여 각각의 처리부에서 기판처리를 행한다. 이 기판처리방법에 의해, 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를, 인덱서 및 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 단부를 통해서 용이하게 행할 수 있다.
또 상술한 발명에 있어서, 상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리가 종료한 기판을 상기 각 계층의 기판반송경로의 각각의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하고, 재치된 그 기판에 대해서 상기 일련의 기판처리를 반복하여 행하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 알맞게 반복할 수 있다.
상기 (Ⅱ)의 문제를 해결하기 위해 창작된 본 발명에 관한 기판처리장치는 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에서의 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있다.
처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서를 구비하고 있다;
상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 상하 계층구조로 배설된 기판반송경로에 있어서, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인덱서에 연결되어 있으므로 카셋트 재치부에 카셋트를 재치하고, 카셋트에 수납되어 있는 기판을 순서대로 추출하여 처리부로 반출하기 위해서는 인덱서를 통해서 어느한층의 기판반송경로의 일단에 기판을 재치함으로써 처리부로의 반출을 행할 수 있으며, 기판처리 후에 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하기 위해서는 어느한층의 기판반송경로의 일단에 재치된 기판을 인덱서를 통해서 그 인덱서에 있는 카셋트 재치부에 재치된 카셋트 내로 재치하는 것으로 카셋트 내로의 수납을 행할 수 있다. 또한 인덱서를 통해서 각 층의 기판반송경로 사이에서의 기판의 수수를 행할 수 있다. 또 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으므로, 장치를 설치하는 바닥면적(풋프린트)이 증대하는 일도 없다. 또한 대량의 기판에 대해서 처리를 행하는 경우에서도 필요에 따라 인덱서를 통해서 기판을 각 층의 기판반송경로로 퇴피 혹은 반송시킴으로써 기판끼리의 간섭을 저감시킬 수 있으며, 그 결과, 종래와 비교하여 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 본 발명에서의 다른 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치에 있어서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있다;
상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비하고 있다;
상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인터페이스에 각각 연결되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 상하 계층구조로 배설된 기판반송경로에 있어서, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인터페이스에 연결되어 있으므로 외부처리장치에 의한 처리가 종료한 기판을 인터페이스를 통해서 어느한층의 기판반송경로의 일단에 기판을 재치할 수 있으며, 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판을 어느한층의 기판반송경로의 일단에 재치하고, 인터페이스를 통해서 외부처리장치로 기판을 넘겨 외부처리장치에 의한 처리를 행할 수 있다. 또한 인터페이스를 통해서 각 계층의 기판반송경로 사이에서의 기판의 수수를 행할 수 있다. 청구항 1의 경우와 마찬가지로, 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으므로 풋프린트가 증대하는 일도 없다. 또한 대량의 기판에 대해서 처리를 행하는 경우에서도, 필요에 따라 인터페이스를 통해서 기판을 각 층의 기판반송경로로 퇴피 혹은 반송시킴으로써 기판끼리의 간섭을 저감시킬 수 있어, 그 결과 종래와 비교하여 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 본 발명에서의 또 다른 기판처리장치는, 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있다;
처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지며, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서와,
상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비하고 있다:
상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결됨과 동시에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 인터페이스에 각각 연결되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 상하 계층구조로 배설된 기판반송경로에 있어서, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인덱서에 각각 연결됨과 동시에, 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 인터페이스에 각각 연결되어 있으므로, 하기의 3가지의 작용이 생긴다.
즉 1번째의 작용에 대해서 설명하면, 인덱서를 통해서 어느한층의 기판반송경로의 일단에 기판이 재치되고, 재치된 기판은 그 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판이 그 층의 기판반송경로의 타단에 재치되며, 인터페이스를 통해서 외부처리장치에 기판이 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 행해진다.
2번째의 작용에 대해서 설명하면, 외부처리장치에 의한 처리가 종료한 기판이 인터페이스를 통해서 어느한층의 기판반송경로의 타단에 재치되고, 그 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판이, 그 층의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 인덱서를 통해서 그 인덱서에 있는 카셋트 재치부에 재치된 카셋트 내로 수납된다.
3번째의 작용에 대해서 설명하면, 인덱서 또는 인터페이스를 통해서 각 층의 기판반송경로 사이에서의 기판의 수수를 행할 수 있다.
상기에서 서술한 다른 2개의 기판처리장치와 마찬가지로, 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으므로 풋프린트가 증대하는 일도 없다. 또한 대량의 기판에 대해서 처리를 행하는 경우에서도, 필요에 따라 인덱서 또는 인터페이스를 통해서 기판을 각 층의 기판반송경로에 퇴피 혹은 반송함으로써 기판끼리의 간섭을 저감시킬 수 있으며, 그 결과 종래와 비교하여 처리효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 인덱서를 구비한 기판처리장치의 경우에 있어서, 즉 각 층의 기판반송경로의 단부가 인덱서에 각각 연결되어 있는 경우에 있어서, 하기와 같이 구성하는 것이 바람직하다. 즉 각 층의 기판반송경로의 단부와 인덱서와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제1의 재치부를 인덱서, 또는 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비한다. 이 경우, 제1의 재치부를 구비함으 로써 제1의 재치부를 통해서 기판반송경로의 단부·인덱서 사이에서 기판의 수수를 용이하게 행할 수 있다.
마찬가지로, 인터페이스를 구비한 기판처리장치의 경우에 있어서, 즉 각 층의 기판반송경로의 단부가 인터페이스에 각각 연결되어 있는 경우에 있어서도, 하기와 같이 구성하는 것이 바람직하다. 즉 각 층의 기판반송경로의 단부와 인터페이스와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제2의 재치부를 인터페이스, 또는 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비한다. 이 경우, 제2의 재치부를 구비함으로써 제2의 재치부를 통해서 기판반송경로의 단부·인터페이스 사이에서 기판의 수수를 용이하게 행할 수 있다.
또 본 발명에서의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있기 때문에, 상술한 제1 또는 제2의 재치부를 기판반송경로의 최상층에서 최하층까지 상하로 대향하도록 계층구조로 배설하고, 계층구조의 제1 또는 제2의 재치부를 인덱서 또는 인터페이스에 배설하는 것이 바람직하다.
또 본 발명에 관한 기판처리방법은, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에서의 기판처리방법은, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결됨과 동시에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 인터페이스에 각각 연결되어 있는 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다:
상기 인덱서가 추출한 미처리 기판을 상기 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하여 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서 상기 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치로 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정;
외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 인터페이스 각각에 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하여 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
이들 공정을 행함으로써, 상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 행한다.
본 발명의 기판처리방법에 의하면, 미처리 기판을 인덱서를 통해서 인덱서에 연결된 어느한층의 기판반송경로의 일단에 재치하고, 재치된 그 기판을 기판반송경로를 따라 반송하여 각각의 처리부에서 기판처리를 행한다. 각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 외부처리장치로 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행한다. 외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 인터페이스를 통해서 인터페이스에 연결된 어느한층의 기판반송경로의 타단에 재치하고, 재치된 그 기판을 기판반송경로를 따라 반송하여 각각의 처리부에서 기판처리를 행한다. 이 기판처리방법에 의해서, 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 인덱서 및 인터페이스에 연결된 기판반송경로를 통해서 용이하게 행할 수 있다.
또 기판반송경로의 단부가 인덱서 및 인터페이스에 연결되어 있기 때문에, 본 발명의 기판처리방법을 하기와 같이 행함으로써, 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 반복할 수도 있다. 즉 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리가 종료한 기판을 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하고, 재치된 그 기판에 대해서 상술한 일련의 기판처리를 반복하여 행한다. 이 발명에 의해, 일련의 기판처리를 알맞게 반복하여 행할 수 있다.
상기 (Ⅲ)의 과제를 해결하기 위해 창작된 본 발명에 관한 기판처리장치는 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에서의 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지며, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서를 구비함과 동시에;
기판을 검사하는 제1의 검사부를, 상기 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부중 어느 하나에 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에, 기판을 검사하는 제1의 검사부를 구비하고 있으므로 기판처리를 행하기 전의 기판의 상태, 또는 기판처리가 종료한 직후의 기판의 상태를 검사할 수 있다. 따라서, 검사의 대상이 되는 기판과 다른 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시킬 수 있다. 또 제1의 검사부가 기판처리장치에 조립되어 있으므로 검사를 위해 기판을 반송하는 시간을 저감시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판을 검사하는 경우에 있어서 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 본 발명에서의 다른 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비함과 동시에;
기판을 검사하는 제2의 검사부를, 상기 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부중 어느 하나에 기판을 검사하는 제2의 검사부를 구비하고 있으므로 기판처리장치 내의 기판처리를 행한 후에 외부처리장치에 의한 처리를 행하기 전의 기판의 상태, 또는 외부처리장치에 의한 처리를 행한 직후에 기판처리장치 내의 기판처리를 행하기 전의 기판의 상태를 검사할 수 있다. 따라서, 검사의 대상이 되는 기판과 다른 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시킬 수 있다. 또 제2의 검사부가 기판처리장치에 조립되어 있으므로 검사를 위해 기판을 반송하는 시간을 저감시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판을 검사하는 경우에 있어서 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 본 발명에서의 또 다른 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지며, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서와,
상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비함과 동시에;
기판을 검사하는 제1의 검사부를 상기 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비하고 있다;
기판을 검사하는 제2의 검사부를 상기 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 기판을 검사하는 제1의 검사부를 구비하고, 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 기판을 검사하는 제2의 검사부를 구비하고 있으므로 기판처리를 행하기 전의 기판의 상태 또는 기판처리가 종료한 직후의 기판의 상태를 제1의 검사부가 검사할 수 있음과 동시에, 기판처리장치 내의 기판처리를 행한 후에 외부처리장치에 의한 처리를 행하기 전의 기판의 상태 또는 외부처리장치에 의한 처리를 행한 직후에 기판처리장치 내의 기판처리를 행하기 전의 기판의 상 태를 제2의 검사부가 검사할 수 있다. 따라서, 검사의 대상이 되는 기판과 다른 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시킬 수 있다. 또 제1, 제2의 검사부가 기판처리장치에 조립되어 있으므로 검사를 위해 기판을 반송하는 시간을 저감시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판을 검사하는 경우에 있어서 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 인덱서를 구비한 기판처리장치의 경우에 있어서, 하기와 같이 구성하는 것이 바람직하다. 즉 인덱서와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제1의 재치부를 구비하고, 제1의 검사부는, 제1의 재치부에 재치된 기판을 검사한다. 이 경우, 인덱서와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행할 때, 제1의 재치부에 재치된 기판을 제1의 검사부가 검사하므로 기판의 수수를 행하면서 검사를 행할 수 있어, 기판의 처리효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
마찬가지로, 인터페이스를 구비한 기판처리장치의 경우에 있어서, 하기와 같이 구성하는 것이 바람직하다. 인터페이스와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제2의 재치부를 구비하고, 제2의 검사부는 제2의 재치부에 재치된 기판을 검사한다. 이 경우, 인터페이스와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행할 때, 제2의 재치부에 재치된 기판을 제2의 검사부가 검사하므로 기판의 수수를 행하면서 검사를 행할 수 있어, 기판의 처리효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기에서 서술한 기판처리장치와 같이 기판의 수수를 행하면서 검사를 행하 는 경우, 기판의 처리효율을 더욱 한층 향상시키는 점에 있어서, 하기와 같이 구성하는 것이 더욱 바람직하다. 즉 인덱서 또는 인터페이스와 각 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 제1 또는 제2의 검사부에서 검사하기 위해서 제1 또는 제2의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 것이 더욱 바람직하다. 이 경우, 검사의 대상이 되는 기판 이외의 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 인덱서 또는 인터페이스와 각 처리부와의 사이에서의 기판의 수수가 행해지므로 검사의 대상이 되는 기판을 검사하고 있는 동안에, 나머지 기판의 수수를 행할 수 있어, 처리효율을 더욱 한층 향상시킬 수 있다.
또 장치를 설치하는 바닥면적(풋프린트)을 저감시키기 위해, 상하 계층구조로 배설된 처리부를 가지는 기판처리장치에 대해서도 적용할 수 있으며, 하기의 기판처리장치와 같이 구성할 수 있다.
즉 이 기판처리장치는 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다:
상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있다;
각 층의 기판반송경로의 시점(始點) 혹은 종점(終點)에 기판을 검사하는 제3의 검사부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 의하면, 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으며, 각 층의 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 기판을 검사하는 제3의 검사부를 구비하고 있으므로 각 층의 기판반송경로의 시점에 위치하는 기판의 상태, 즉 기판처리를 행하기 전의 기판의 상태를 검사할 수 있다, 혹은 각 층의 기판반송경로의 종점에 위치하는 기판의 상태, 즉 기판처리가 종료한 직후의 기판의 상태를 검사할 수 있다. 또 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 제3의 검사부를 구비하고 있으므로 기판반송경로의 도중에 검사하는 경우와 비교하여, 검사의 대상이 되는 기판과 다른 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시킬 수 있다. 또 제3의 검사부가 기판처리장치에 조립되어 있으므로 검사를 위해 기판을 반송하는 시간을 저감시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판을 검사하는 경우에 있어서 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
이 기판처리장치의 경우에도, 기판의 처리효율을 더욱 향상시키기 위해, 인덱서를 구비함과 동시에, 인덱서와 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제3의 재치부를 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비하고, 제3의 검사부는 제3의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 것이 바람직하고, 인터페이스를 구비함과 동시에, 인터페이스와 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제4의 재치부를 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비하며, 제3의 검사부는 제4의 재치부에 재치된 기판을 검사하는(청구항9에 기재의 발명) 것이 바람직하다.
전자의 경우에는, 인덱서와 처리부와의 사이에서의 기판의 수수를 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비된 제3의 재치부에서 행하면서, 제3의 검사부에서 검 사를 행할 수 있으며, 후자의 경우에는 인터페이스와 처리부와의 사이에서의 기판의 수수를 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비된 제4의 재치부에서 행하면서, 제3의 검사부에서 검사를 행할 수 있다.
상하 계층구조로 배설된 처리부를 가지는 기판처리장치에 있어서, 기판의 수수를 행하면서 검사를 행하는 경우도, 기판의 처리효율을 더욱 한층 향상시키는 점에 있어서, 하기와 같이 구성하는 것이 더욱 바람직하다. 즉 인덱서 또는 인터페이스와, 처리부와의 사이에서 수수된 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 제3의 검사부에서 검사하기 위해서 제3 또는 제4의 재치부를 통해서 수수를 행하고, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 것이 더욱 바람직하다. 이 경우, 검사의 대상이 되는 기판을 검사하고 있는 동안에, 인덱서와 처리부와의 사이, 또는 인터페이스와 처리부와의 사이에서 나머지 기판의 수수를 행할 수 있다.
또 기판의 처리 매수에 따른 범용성이 있는 기판처리장치를 실현하기 위해서 기판처리장치를, 처리부를 각각 포함하는 복수의 유닛으로 구성하고, 그들 유닛을 기판의 반송방향으로 나열하여 배설한다. 이와 같이 구성함으로써, 기판의 처리매수에 따라 유닛을 증감할 수 있다. 즉 처리 매수가 증가하는 경우에는, 종래의 기판처리장치에 유닛을 기판의 반송방향으로 나란히 배설하여 유닛을 증가시킬 수 있다. 또 처리 매수가 감소하는 경우에는, 종래의 기판처리장치에서 유닛을 제외시켜 유닛을 저감시킬 수 있다. 이와 같이, 종래의 기판처리장치를 이용하여 처리매수에 따라 유닛을 증감할 수 있으므로, 범용성이 있는 기판처리장치를 실현할 수 있다.
상기 (Ⅲ)의 문제를 해결하기 위해 창작된, 이들 기판처리장치에 있어서, 제1, 제2 및 제3의 검사부의 적어도 어느 하나의 검사부를 포함하는 검사유닛을 구비하고, 검사유닛을 기판의 반송방향으로 처리부에 대해서 나열하여 배설한다. 이와 같이 구성함으로써 검사가 필요하지 않은 경우에는 검사유닛을 종래의 기판처리장치에서 제외시킬 수 있으며, 검사가 필요한 경우에는 검사유닛을 종래의 기판처리장치에 증설할 수 있다. 그 결과, 범용성이 있는 기판처리장치를 실현할 수 있다.
또 본 발명에 관한 기판처리방법은, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉 본 발명에 관한 기판처리방법은, 기판을 검사하는 제1의 검사부를 상기 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비한 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다:
미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부에서 행하는 공정;
불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하여 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정.
본 발명의 기판처리방법에 의하면, 각각의 처리부에서 처리된 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부가 행하고, 불합격으로 인정된 기판을 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하여 기판처리를 재차 행하고 있으므로 불합격으로 인정된 기판이라 도 재차 기판처리(rework)를 즉시 행할 수 있다.
또 본 발명에 관한 별도의 기판처리방법은, 제1의 검사부를 상기 인덱서 또는 이들에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비하고, 기판을 검사하는 제2의 검사부를 상기 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비한 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다:
미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치로 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정;
외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 처리부에 반입하여 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부에서 행하는 공정;
불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하여 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정.
본 발명의 기판처리방법에 의하면, 외부처리장치를 포함하는 각각의 처리부에서 처리된 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부가 행하고, 불합격으로 인정된 기판을 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하여 기판처리를 재차 행하고 있으므로 불합격으로 인정된 기판이라도 재차 기판처리(rework)를 즉시 행할 수 있다.
또 본 발명에 관한 또 다른 기판처리방법은, 상기 인덱서와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제3의 재치부를 상기 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비한 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서, 상기 방법은 이하의 공정을 포함한다:
미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 기판반송경로의 시점에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하여 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정;
각각의 처리부에서 처리된 그 기판을 기판반송경로의 종점에 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 인덱서에 넘기기 위해 제3의 재치부에 재치하는 공정;
재치된 그 기판의 합격, 불합격을 제3의 검사부에서 행하는 공정;
불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 기판반송경로의 시점에 재차 재치하는 공정;
재치된 그 기판을 기판반송경로를 따라 재차 반송하여 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정.
본 발명의 기판처리방법에 의하면, 각각의 처리부에서 처리된 기판의 합격, 불합격을 제3의 검사부가 행하고, 불합격으로 인정된 기판을 인덱서를 통해서 기판반송경로의 시점에 재차 재치하고, 재치된 그 기판을 기판반송경로를 따라 재차 반송하여 기판처리를 재차 행하고 있으므로 불합격으로 인정된 기판이라도 재차 기판처리(rework)를 즉시 행할 수 있다.
이하, 본 발명의 알맞은 실시예를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
제1 실시예
도2는 제1 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 사시도이며, 도3은 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도이며, 도4는 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도이다. 또한 지면의 형편상, 도2에서는 기판을 다단으로 수납한 카셋트를 재치하는 카셋트 재치대의 도시를 생략한다. 또 도3, 도4에 대해서는 후술하는 상하 계층구조로 배설된 열처리부와 인터페이스용 재치대 등에 대해서는 전계 평면도에서 나타낸다. 또한 설명의 형편상, 도3, 도4의 각 도면에 기재한 후술하는 인덱서와 인터페이스는 제1 실시예 장치에 각각이 1개 구비된 것이며, 각 층에 설치된 것이 아닌 것에 유의해야 한다. 또 제1 실시예에서는 포토리소그래피공정에 있어서 기판을 회전시키면서 레지스트 도포를 행하는 스핀코터 및 레지스트 도포되고, 또 노광처리가 행해진 기판을 회전시키면서 현상처리를 행하는 스핀디벨로프를 예로 들어 기판처리를 설명한다.
제1 실시예에 관한 기판처리장치는 도2~도4에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)와 프로세스 유닛(3)과 인터페이스(4)로 구성되어 있다. 제1 실시예의 경우에는, 인터페이스(4)는 레지스트 도포 및 현상처리 등을 행하는 프로세스 유닛(3)과, 기판의 노광처리를 행하는 외부처리장치로서의 노광장치(예를 들면, 스텝 노광을 행하는 스텝퍼 등)를 연결한다.
다음에, 인덱서(1)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 인덱서(1)는 도2~도4에 나타내는 바와 같이, 카셋트 재치대(2)와 인덱서용 반송경로(7)와 인덱서용 반송기구(8)로 구성되어 있다. 카셋트 재치대(2)는 복수매(예를 들면 25장)의 미처리 기판(W) 또는 처리완료된 기판(W)을 수납한 카셋트(C)가 복수개(도3, 도4에서는 4 개) 재치 가능하게 구성되어 있다. 또 반송경로(7)는 복수개의 카셋트(C)가 재치되는 카셋트 재치대(2)를 따라 수평방향으로 형성되어 있다. 반송기구(8)는 승강이동 및 반송경로(7) 상을 수평 이동함으로써, 카셋트 재치대(2) 상의 카셋트(C)와 프로세스 유닛(3)과의 사이에서 기판(W)의 수수를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 구체적으로 설명하면, 반송기구(8)는 카셋트 재치대(2)에 재치된 카셋트(C)에서 미처리 기판(W)을 순서대로 추출하여 프로세스 유닛(3)에 반출하는 한편, 처리완료된 기판(W)을 프로세스 유닛(3)에서 수취하여 카셋트 재치대(2)에 놓여진 미리 정해진 카셋트(C)에 처리완료된 기판(W)을 순서대로 수납한다. 이 카셋트 재치대(2)는 본 발명에서의 카셋트 재치부에 상당한다.
다음에, 인덱서용 반송기구(8)의 구체적 구성에 대해서, 도5를 참조하여 설명한다. 반송기구(8)는 도5A의 평면도 및 도5B의 우측면도에 나타내는 바와 같이, 인덱서용 반송경로(7)의 방향(y방향)인 화살표 RA의 방향으로 암 베이스(8a)를 수평 이동시키는 y축 이동기구(8b)와, 화살표 RB의 방향(z방향)으로 암 베이스(8a)를 승강 이동시키는 z축 승강기구(8c)와, z축 주위(화살표 RC의 방향)로 암 베이스(8a)를 회전시키는 회전구동기구(8d)를 구비하고 있다. 이 암 베이스(8a)에는 기판(W)을 유지하는 암(8e)이 구비되어 있으며, 이 암(8e)은 회전반경방향(화살표 RD의 방향)으로 진퇴 이동 가능하게 구성되어 있다.
y축 이동기구(8b)는 도5A에 나타내는 바와 같이, 나사축(8f)과, 이 나사축(8f)을 축심 주위로 회전시키는 모터(8g)를 구비하고 있으며, 이 나사축(8f)에는 상술한 z축 승강기구(8c)의 기부(基部)가 나사결합되어 있다. 모터(8g)의 회 전에 의해 나사축(8f)에 설치된 z축 승강기구(8c)가 수평방향으로 이동한다.
z축 승강기구(8c)는 도5B에 나타내는 바와 같이, y축 이동기구(8b)와 동일하게 나사축(8h)과 이 나사축(8h)을 축심 주위로 회전시키는 모터(8i)를 구비하고 있으며, 이 나사축(8h)에는 상술한 회전구동기구(8d)의 기부가 나사결합되어 있다. 모터(8i)의 회전에 의해 나사축(8h)에 설치된 회전구동기구(8d)가 승강 이동한다.
회전구동기구(8d)는 도5B에 나타내는 바와 같이, 상술한 암 베이스(8a)와, 이 암 베이스(8a)를 축심 주위로 회전시키는 모터(8j)와, 암 베이스(8a)와 모터(8j)를 지지하는 지지부재(8k)를 구비하고 있다. 모터(8j)의 회전에 의해 암 베이스(8a)가 암(8e)과 함께 수평면 내에서 회전한다.
이와 같이 구성됨으로써, 암 베이스(8a)의 암(8e)에 유지된 기판(W)은 카셋트 재치대(2)에 따른 수평이동, 승강이동, 수평면 내의 회전이동, 수평면 내의 진퇴이동이 각각 가능하게 된다.
도2~도4로 되돌아가, 프로세스 유닛(3)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 프로세스 유닛(3)은 도3, 도4에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)측에서 순서대로 배치된 제1의 처리유닛(9), 제2의 처리유닛(10), 제3의 처리유닛(11)으로 구성되어 있다. 이 제1~제3의 처리유닛(9~11)은 본 발명에서의 기판처리 유닛에 상당한다.
또 상술한 제1~제3의 처리유닛(9~11)은 1층에서 2층에 걸쳐 관통되도록 각각 배치되어 있다. 제1의 처리유닛(9)의 1층에는 도3에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 형성된 포토레지스트막으로부터의 광의 반사를 방지하기 위해 베이스용의 반사방지막(Bottom Anti-Reflective Coating)을 기판(W)에 도포 형성하는 스핀코터( 도3 중의 부호「SC」로 나타낸다)와 열처리부 등을 포함하는 반사방지막 형성용 셀(12)이 배설되어 있다. 제2의 처리유닛(10)의 1층에는 기판(W)을 회전시키면서 포토레지스트막을 기판(W)에 도포 형성하는 스핀코터와 열처리부 등을 포함하는 레지스트막 형성용 셀(13)이 배설되어 있다. 제3의 처리유닛(11)의 1층에는 노광처리 후의 기판(W)을 가열하기(Post Exposure Bake)(도4 중에 부호 『PEB』로 나타낸다) 위한 노광후 가열용 셀(14)이 배설되어 있다. 이 반사방지막 형성용 및 레지스트막 형성용의 스핀코터(SC)는 본 발명에서 도포처리부에 상당하고, 반사방지막 형성용 셀(12) 내의 스핀코터(SC)는 본 발명에서 반사방지막용 도포처리부에, 레지스트막 형성용 셀(13) 내의 스핀코터(SC)는 본 발명에서 레지스트 도포처리부에 각각 상당한다.
한편, 제1의 처리유닛(9)의 2층에는 도4에 나타내는 바와 같이, 노광처리 후의 기판(W)을 회전시키면서 현상처리를 행하는 스핀디벨로퍼(Spin Developer)(도4 중에 부호 『SD』로 나타낸다)와 열처리부 등을 포함하는 현상용 셀(15A)이 배설되어 있다. 제2의 처리유닛(10)의 2층에는 제1의 처리유닛(9)과 동일한 현상용 셀(15B)이 배설되어 있다. 제3의 처리유닛(11)의 2층에는 동(同)유닛(11)의 1층과 동일한 노광후 처리용 셀(14)이 배설되어 있다. 이 현상용 셀(15) 내의 스핀디벨로퍼(SD)는 본 발명에서 현상처리부에 상당한다.
이상과 같이, 반사방지막 형성용 셀(12)과 인덱서(1)측에 있는 현상용 셀(15A)로 제1의 처리유닛(9)을, 레지스트막 형성용 셀(13)과 인터페이스(4) 측에 있는 현상용 셀(15B)로 제3의 처리유닛(10)을, 1층 및 2층에 설치된 2개의 노광후 가열용 셀(14)로 제3의 처리유닛(11)을 각각 구성하고 있다.
다음에, 반사방지막 형성용 셀(12)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 반사방지막 형성용 셀(12)은 도3에 나타내는 바와같이, 3개의 열처리부(16A, 16B, 16C)와, 이들 열처리부(16A, 16B, 16C) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 열처리부용 반송기구(17)와, 반사방지막을 기판(W)에 각각 도포하는 2개의 스핀코터(SC)와, 열처리부(16A) 및 2개의 스핀코터(SC) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)로 구성되어 있다.
3개의 열처리부(16A, 16B, 16C)는 도3에 나타내는 바와 같이, 열처리부용 반송기구(17)에 대향하도록, 그 주위의 3개소에 배설되어 있으며, 각각의 열처리부(16A, 16B, 16C)는 상하 계층구조로 각각 배설되어 있다.
인덱서(1)에 인접하여 배설되어 있는 열처리부(16A)는 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위한 2개의 냉각부(도3, 도4 중에 부호 『CP』로 나타낸다), 기판(W)과 포토레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위한 처리를 행하는 4개의 어드히젼(Adhesion) 처리부(도3, 도4 중에 부호 『AHL』로 나타낸다), 열처리를 행하지 않고 기판(W)을 재치하여 기판(W)을 수수하기 위한 기판 재치부(도3, 도4 중에 부호 『Pass』로 나타낸다)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 구성되어 있다. 또한 어드히젼 처리에서는 HMDS{(CH3)3SiNHSi(CH3)3]를 증기상태로 하여 레지스트 도포 전의 기판(W)을 처리한다.
이 열처리부(16A)는 기판 재치부(Pass), 어드히젼 처리부(AHL), 냉각부(CP)를 사용하여 인덱서(1)에 있는 인덱서용 반송기구(8)와, 열처리부용 반송기구(17) 와, 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 더 구비하고 있다. 즉 인덱서용 반송기구(8)와 열처리부용 반송기구(17)와는 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 행하는 구성으로 되어 있으며, 기판 재치부(Pass)에는 인덱서용 반송기구(8)와 열처리부용 반송기구(17)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도10 참조). 또 열처리부용 반송기구(17)와 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)는 냉각부(CP)를 통해서 수수를 행하는 구성으로 되어 있으며, 냉각부(CP)에는 열처리부용 반송기구(17)와 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도10 참조). 또한 어드히젼 처리부(AHL)는 열처리부용 반송기구(17)로밖에 기판(W)의 수수를 행하지 않으므로 열처리부용 반송기구(17)가 진입할 수 있도록 열처리부용 반송기구(17)에 대치한 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다(도10 참조).
이 열치리부(16A)내의 기판 재치부(Pass)는 후술하는 처리부 반송경로(25)와 인덱서(1)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 재치부로서, 이 열처리부(16A)내의 기판 재치부(Pass) 및 후술하는 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)는 본 발명에서 제1의 재치부에 상당한다.
열처리부(16B)에는 열처리부용 반송기구(17)에 면하여 개구부(16a)(도2, 도10 참조)가 각각 각 층에 설치되어 있다. 그리고, 열처리부용 반송기구(17)는 이 개구부(16a)를 통해서 열처리부(16B)에 기판(W)을 반입하고, 열처리부(16B)에서 기판(W)을 반출한다. 또 기판(W)을 가열하기 위한 7개의 가열부(도3, 도4 중에 부호 『HP』로 나타낸다)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 열처리부(16B)는 구성되어 있다.
열처리부(16C)는 반사방지막 형성용 셀(12)과 레지스트막 형성용 셀(13)에 걸쳐 배설되어 있다. 이와 같이 배설됨으로써 반사방지막 형성용 셀(12) 이외에 레지스트막 형성용 셀(13)도, 이 열처리부(16C)를 공용하고 있다. 이 열처리부(16C)는 열처리부(16A)와 동일한 3개의 냉각부(CP), 열처리부(16B)와 동일한 3개의 가열부(HP), 열처리부(16A)와 동일한 기판 재치부(Pass)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 구성되어 있다.
이중, 제1 실시형태의 구성에 있어서는, 3개의 CP는 필요에 따라 반사방지막 형성용 셀(12)용으로서 이용되고, 3개의 가열부(HP)는 레지스트막 형성용 셀(13)용으로서 이용된다. 이 열처리부(16C)의 기판 재치부(Pass)에는 열처리부용 반송기구(17)와 후술하는 레지스트막 형성용 셀(13)내에 배치된 열처리부용 반송기구(19)와의 사이에서 기판(W)의 수수가 가능하도록, 각각 열처리부용 반송기구(17) 및 열처리부용 반송기구(19)에 대치한 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다(도10 참조). 열처리부(16C)를 구성하는 3개의 냉각부(CP)에는 열처리부용 반송기구(17)만 기판(W)의 수수가 가능하도록, 열처리부용 반송기구(17)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 열처리부(16C)를 구성하는 3개의 가열부(HP)에는 열처리부용 반송기구(19)만 기판(W)의 수수가 가능하도록, 열처리부용 반송기구(19)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다.
이 열처리부(16C)내의 기판 재치부(Pass)는 서로 인접하는 반사방지막 형성 용 셀(12)·레지스트막 형성용 셀(13) 사이에서 기판을 수수하기 위한 재치대로서, 이 열처리부(16C)내의 기판 재치부(Pass) 및 후술하는 열처리부(16H)내의 기판 재치부(Pass)는 본 발명에서 재치대에 상당한다.
반사방지막 형성용 셀(12)내의 스핀코터(SC)는 상술한 바와같이 기판(W)을 회전시키면서 반사방지막 형성처리를 행하도록 구성되어 있다. 상술하면, 기판(W)을 유지하여 수평면내로 회전시키는 스핀척, 반사방지액을 토출하는 노즐 등으로 구성되어 있다. 이 스핀척에 유지되어 회전하고 있는 기판(W)의 중심을 향해 노즐에서 반사방지액을 토출함으로써 기판(W)의 원심력에 의해 반사방지막이 기판(W)의 중심에서 전면에 걸쳐 도포 형성된다.
열처리부용 반송기구(17)와 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)와, 후술하는 열처리부용 반송기구(19)와 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)와 에지노광용 반송기구(21)와 열처리부용 반송기구(23)와 형상용 반송기구(24)와는 같은 구성으로 된다. 이들 반송기구의 구체적 구성에 대해서는 후에 설명한다.
다음에, 레지스트막 형성용 셀(13)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 레지스트막 형성용 셀(13)은 도3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막 형성용 셀(12)과 마찬가지로, 3개의 열처리부(16C, 16D, 16E)와, 이들 열처리부(16C, 16D, 16E) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 열처리부용 반송기구(19)와, 포토레지스트액을 기판(W)에 각각 도포하는 2개의 스핀코터(SC)와, 열처리부(16D) 및 2개의 스핀코터(SC) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)로 구성되어 있다.
반사방지막 형성용 셀(12)과 마찬가지로, 3개의 열처리부(16C, 16D, 16E)는 도3에 나타내는 바와 같이, 열처리부용 반송기구(19)에 대향하도록, 그 주위의 3개소에 배설되어 있으며, 각각의 열처리부(16C, 16D, 16E)는 상하 계층구조로 각각 배설되어 있다.
제3의 처리유닛(11)에 인접하여 배설되어 있는 열처리부(16D)는 6개의 냉각부(CP), 기판 재치부(Pass)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 구성되어 있다.
이 열처리부(16D)는 기판 재치부(Pass)를 통해서 열처리부용 반송기구(19)와 후술하는 노광후 가열용 셀(14)내에 배설된 에지노광용 반송기구(21)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 기능을 더 구비하고 있다. 즉 열처리부용 반송기구(19)와 에지노광용 반송기구(21)는 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 행하는 구성으로 되어 있으며, 기판 재치부(Pass)에는 열처리부용 반송기구(19)와 에지노광용 반송기구(21)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도10 참조). 또 6개의 냉각부(CP)에는 각각 열처리부용 반송기구(19)와 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도2, 도10 참조).
열처리부(16E)에는 열처리부용 반송기구(17)에 면하여 개구부(16a)(도2, 도10 참조)가 각각 각 층에 배설되어 있다. 그리고, 열처리부용 반송기구(19)는 이 개구부(16a)를 통해서 열처리부(16E)에 기판(W)을 반입하여 열처리부(16E)에서 기판(W)을 반출한다. 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16B)와 거의 같은 구성으로, 4개의 냉각부(CP), 3개의 가열부(HP)를 밑에서 순서대로 적층함으로써 열처 리부(16E)는 구성되어 있다.
상술한 바와 같이 열처리부(16C)는 반사방지막 형성용 셀(12)과 레지스트막 형성용 셀(13)에 걸쳐 배설되어 있으며, 레지스트막 형성용 셀(13) 이외에 반사방지막 형성용 셀(12)도, 이 열처리부(16C)를 공용하고 있다. 즉 열처리부(16C)는 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16C)이기도 하다. 열처리부(16C)의 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
레지스트막 형성용 셀(13)내의 스핀코터(SC)는 포토레지스트액을 토출하여 포토레지스트막을 도포 형성하는 이외에는 반사방지막 형성용 셀(12)내의 스핀코터(SC)와 동일한 구성을 하고 있으므로, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 스핀코터(SC)의 설명을 생략한다.
다음에, 1층 부분의 노광후 가열용 셀(14)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 노광후 가열용 셀(14)의 1층 부분은 도3에 나타내는 바와 같이, 노광처리 전에 기판(W)의 단연(edge)부분을 노광하는 에지노광처리(Edge Exposure Unit)를 각각 행하기 위한 2개의 에지노광부(도3 중에 부호『EE』로 나타낸다)와, 열처리부(16D), 2개의 에지노광부(EE) 및 인터페이스(4)내의 후술하는 인터페이스용 재치대(30) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 에지노광용 반송기구(21)로 구성되어 있다.
2개의 에지노광부(EE)는 도3에 나타내는 바와 같은 위치에서, 각각이 서로 상하로 적층된 상태로 배설되어 있다. 다른 열처리부(16)와 마찬가지로, 각 에지노광부(EE)에는 에지노광용 반송기구(21)에 면하여 개구부(16a)(도2, 도10 참조)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 에지노광용 반송기구(21)는 이 개구부(16a)를 통해서 에지노광부(EE)에 기판(W)을 반입하여 에지노광부(EE)에서 기판(W)을 반출한다.
다음에, 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 노광후 가열용 셀(14)의 2층 부분은 도4에 나타내는 바와 같이, 노광처리 후의 기판(W)을 각각 가열하는 8개의 노광후 가열부(도4 중에 부호『PEB』로 나타낸다)와, 4개의 냉각부(CP)와, 이들 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP), 인터페이스(4)내의 후술하는 인터페이스용 재치대(30) 및 현상용 셀(15B)내의 후술하는 열처리부(16F) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 노광후 가열용 반송기구(22)로 구성되어 있다.
8개의 노광후 가열부(PEB), 4개의 냉각부(CP) 중, 각각 반수(2개의 냉각부(CP), 4개의 노광후 가열부(PEB))가 밑에서부터 순서대로 적층된 상태로, 도4에 나타내는 바와 같이 노광후 가열용 반송기구(22)에 대향하도록 각각 배설되어 있다. 각 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP)에는 노광후 가열용 반송기구(22)에 면하여 개구부(16a)(도2, 도10 참조)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 노광후 가열용 반송기구(22)는 이 개구부(16a)를 통해서 각 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP)에 기판(W)을 반입하고, 각 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP)에서 기판(W)을 반출한다. 노광후 가열용 반송기구(22)의 구체적 구성에 대해서도 후에 설명한다.
다음에, 현상용 셀(15)(15A, 15B)의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 현상용 셀(15) 중, 인터페이스(4) 측에 있는 현상용 셀(15B)은 도4에 나타내는 바와 같이 3개의 처리부(16F, 16G, 16H)와, 이들 열처리부(16F, 16G, 16H) 사이에서 기판(W) 의 수수를 행하는 열처리부용 반송기구(23)와, 노광처리 후의 기판(W)을 회전시키면서 현상처리를 각각 행하는 2개의 스핀디벨로퍼(SD)와, 열처리부(16F) 및 2개의 스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 현상용 반송기구(24)로 구성되어 있다.
3개의 열처리부(16F, 16G, 16H)는 도4에 나타내는 바와 같이, 열처리부용 반송기구(23)에 대향하도록, 그 주위의 3개소에 배설되어 있으며, 열처리부(16F, 16G)는 상하 계층구조로 각각 배설되어 있다.
제3의 처리유닛(11)에 인접 즉 인터페이스(4) 측에 배설되어 있는 열처리부(16F)는 4개의 냉각부(CP), 기판 재치부(Pass)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 구성되어 있다.
이 열처리부(16F)는 기판 재치부(Pass)를 통해서 열처리부용 반송기구(23)와 노광후 가열용 반송기구(22)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 더 구비하고 있다. 즉 열처리부용 반송기구(23)와 노광후 가열용 반송기구(22)는 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 행하는 구성으로 되어 있으며, 기판 재치부(Pass)에는 열처리부용 반송기구(23)와 노광후 가열용 반송기구(22)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도2, 도10 참조). 또 4개의 CP에는 각각 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 반송기구(24)에 대치하는 면에만 각각의 반송기구가 진입할 수 있도록 개구부(16a)가 형성되어 있다(도2, 도10 참조).
열처리부(16G)에는 열처리부용 반송기구(23)에 면하여 개구부(16a)(도2, 도10 참조)가 각각 각 층에 설치되어 있다. 그리고, 열처리부용 반송기구(23)는 이 개구부(16a)를 통해서 열처리부(16G)에 기판(W)을 반입하고, 열처리부(16G)에서 기판(W)을 반출한다. 또 2개의 냉각부(CP), 3개의 가열부(HP)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 열처리부(16G)는 구성되어 있다.
열처리부(16H)는 현상용 셀(15A, 15B)에 걸쳐 배설되어 있다. 이와 같이 배설됨으로써 현상용 셀(15B) 이외에 현상용 셀(15A)도, 이 열처리부(16H)를 공용하고 있다. 이 열처리부(16H)는 2개의 냉각부(CP), 2개의 가열부(HP), 1개의 기판 재치부(Pass)를 밑에서부터 순서대로 적층함으로써 구성되어 있다.
이중, 제1 실시형태의 구성에 있어서는, 밑에서부터 2단째의 냉각부(CP)와 밑에서부터 4단째의 가열부(HP)는 현상용 셀(15B)용으로서 이용되고, 밑에서 1단째의 냉각부(CP)와 밑에서 3단째의 가열부(HP)는 현상용 셀(15A)용으로서 이용된다. 이 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)에는 열처리부용 반송기구(23)와 후술하는 현상용 셀(15A)내에 배치되는 열처리부용 반송기구(23)와의 사이에서 기판(W)의 수수가 가능하도록 각각 열처리부용 반송기구(23), 열처리부용 반송기구(23)에 대치한 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다(도2, 도10 참조). 열처리부(16H)를 구성하는 현상용 셀(15B)로서 이용되는 냉각부(CP)와 가열부(HP)에는 현상용 셀(15B)내에 배치된 열처리부용 반송기구(23)만 기판(W)의 수수가 가능하도록 열처리부용 반송기구(23)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 열처리부(16H)를 구성하는 현상용 셀(15A)용으로서 이용되는 냉각부(CP)와 가열부(HP)에는 현상용 셀(15A)내에 배치된 열처리부용 반송기구(23)만 기판(W)의 수수가 가능하도록 열처리부용 반송기구(23)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다.
인덱서(1) 측에 있는 현상용 셀(15A)은 각각의 구성이 현상용 셀(15B)에 대해서 좌우 반대로(yz 평면에 대해서 좌우대칭) 배설되어 있는 이외에는, 인터페이스(4) 측에 있는 현상용 셀(15B)과 동일한 구성으로 하고 있으므로, 현상용 셀(15A)의 설명을 생략한다. 또한 현상용 셀(15A)내의 가열처리부(16F)는 냉각부(CP)에 있어서, 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 반송기구(24)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 가지고 있음과 동시에, 기판 재치부(Pass)에서 열처리부용 반송기구(23)와 인덱서용 반송기구(8)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 더 달성하고 있다. 즉 열처리부(16F)의 냉각부(CP)는 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 반송기구(24)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되고, 기판 재치부(Pass)에는 열처리부용 반송기구(23)와 인덱서용 반송기구(8)에 대치하는 면에만 개구부(16a)가 형성되어 있다. 또 2개의 현상용 셀(15)(현상용 셀 15A, 15B)을 설치한 이유는, 한쪽의 현상용 셀(15)내에 있는 2개의 스핀디벨로퍼(SD)에서 기판(W)이 함께 처리되고 있을 때에, 노광후 가열처리 후의 별도의 기판(W)을 다른쪽의 현상용 셀(15)내에 있는 스핀디벨로퍼(SD)에서 처리하기 때문이다.
이와 같이, 프로세스 유닛(3)은 반사방지막 형성용 셀(12)과 현상용 셀(15A)로 이루어지는 제1의 처리유닛(9), 레지스트막 형성용 셀(13)과 현상용 셀(15B)로 이루어지는 제2의 처리유닛(10), 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)과 1층 부분의 노광후 가열용 셀(14)로 이루어지는 제3의 처리유닛(11)으로 구성되어 있다.
그리고, 1층 부분에 관해서는, 열처리부용 반송기구(17)와 열처리부용 반송기구(19)가 열처리부(16)(16A~16G) 중, 열처리부(16C)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써, 그들 반송기구(17, 19)가 그 열처리부(16C)를 공용하고, 열처리부용 반송기구(17)와 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)가 열처리부(16A)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써, 그들 반송기구(17, 18)가 그 열처리부(16A)를 공용하고, 열처리부용 반송기구(19)와 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)와 에지노광용 반송기구(21)가 열처리부(16D)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써, 그들 반송기구(19, 20, 21)가 그 열처리부(16D)를 공용한다. 즉 이들의 열처리부(16A, 16C, 16D)를 개재시키고, 이들 반송기구(17~21)를 나열하여 배설함으로써 각 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이에서 기판(W)을 반송하는 경로인 처리부 반송경로(25)를 구성하고 있다. 또 처리부 반송경로(25)는 도3 중의 화살표의 방향으로 기판(W)이 수수되어 반송된다. 이 처리부 반송경로(25)는 본 발명에서 기판반송경로에 상당한다.
2층 부분에 관해서는 현상용 셀(15A) 및 현상용 셀(15B)의 각각의 열처리부용 반송기구(23)가 열처리부(16(16A~16G)) 중, 열처리부(16H)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써 그들 반송기구(23)가 그 열처리부(16H)를 공용하고, 노광후 가열용 반송기구(22)와 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 셀(15B)내의 현상용 반송기구(24)가 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16F)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써 그들 반송기구(22~24)가 그 열처리부(16F)를 공용하고, 현상용 셀(15A)내의 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 셀(15A)내의 현상용 반 송기구(24)가 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써 그들 반송기구(23, 24)가 그 열처리부(16F)를 공용한다. 즉 이들 열처리부(16F, 16H)를 개재시키고, 이들 반송기구(22~24)를 나영하여 배설함으로써 각 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 기판(W)을 반송하는 경로인 처리부 반송경로(26)를 구성하고 있다. 또 처리부 반송경로(26)는 도4 중의 화살표 방향으로 기판(W)이 수수되어 반송된다. 이 처리부 반송경로(26)도, 본 발명에서의 기판반송경로에 상당한다.
즉 처리부 반송경로(25, 26)가 상하 2층의 계층구조로 배설되어 있게 된다. 또 1층의 처리부 반송경로(25) 및 2층의 처리부 반송경로(26)의 일단측(도3, 도4에서는 좌측)이 인덱서(1)에 각각 연결되어 있다. 또 1층의 처리부 반송경로(25) 및 2층의 처리부 반송경로(26)의 타단측(도3, 도4에서는 우측)이 인터페이스(4)에 각각 연결되어 있다. 이들 처리부 반송경로(25, 26)는 기판의 반송방향이 서로 역방향으로 설정되는 것에 의해 처리부 반송경로(25)는 기판(W)이 순방향(제1 실시예에서는 인덱서(1)에서 나오는 방향)으로 반송되는 진행전용경로를 구성하고, 처리부 반송경로(26)는 기판(W)이 역방향(제1 실시예에서는, 인덱서(1)로 되돌아가는 방향)으로 반송되는 리턴전용경로를 구성하고 있다.
다음에, 반송기구(17~21, 23, 24)의 구체적 구성에 대해서, 도6~도8을 참조하여 설명한다. 또한 상술한 바와 같이, 이들 반송기구는 같은 구성으로 이루어지므로 열처리부용 반송기구(17)에만 대해서 설명한다. 열처리부용 반송기구(17)는 도6A의 평면도 및 도6B의 우측면도에 나타내는 바와 같이, z축 주위(화살표(RE)의 방향)로 암 베이스(17a)를 회전시키는 회전구동기구(17b)와, 암 베이스(17a)를 화살표 RF의 방향(z방향)으로 승강 이동시키는 z축 승강기구(17c)를 구비하고 있다. 이 암 베이스(17a)에는 기판(W)을 유지하는 암(17d)이 구비되어 있으며, 이 암(17d)은 회전반경방향(화살표 RG의 방향)으로 진퇴 이동 가능하게 구성되어 있다.
인덱서용 반송기구(8)의 회전구동기구(8d)와 마찬가지로, 회전구동기구(17b)는 도6B에 나타내는 바와 같이, 암 베이스(17a)를 회전시키는 모터(17e)와, 암 베이스(17a)와 모터(17e)를 지지하는 지지부재(17f)를 구비하고 잇다.
z축 승강기구(17c)는 도6B에 나타내는 바와 같이, 나사축(17g)과, 이 나사축(17g)을 회전시키는 모터(17h)를 구비하고 있으며, 이 나사축(17g)에는 상술한 회전구동기구(17b)의 기부가 나사결합되어 있다. 모터(17h)의 회전에 의해, 나사축(17g)에 설치된 회전구동기구(17b)가 승강 이동한다. 또 이 z축 승강기구(17c)는 장치 베이스상에 직립 설치 고정되어 있으므로, 인덱서용 반송기구(8)의 z축 승강기구(8c)와 같이 수평방향으로는 이동하지 않는다.
이와 같이 구성됨으로써, 암 베이스(17a)의 암(17d)에 유지된 기판(W)은 수평면내에서의 회전이동, 승강이동 및 진퇴이동이 각각 가능하게 된다. 또 z축 승강기구(17c)는 도7A에 나타내는 바와 같이 열처리부(16A, 16B, 16C)의 3방향 이외인 스핀코터(SC)의 방향에 면하여 고정된다. 이것에 의해 기판(W)은 열처리부용 반송기구(17)에 의해 열처리부(16A, 16B, 16C) 사이에서 수수된다.
열처리부용 반송기구(17)와 마찬가지로, 열처리부용 반송기구(19), 열처리부 용 반송기구(23)의 z축 승강기구(19c, 23c)에 대해서도, 도7A에 나타내는 방향, 즉 열처리부용 반송기구(19)의 경우는 스핀코터(SC), 열처리부용 반송기구(23)의 경우는 스핀디벨로퍼(SD)의 방향에 면하여 고정된다.
반사방지막 형성처리용 반송기구(18), 인덱서(1) 측에 있는 현상용 셀(15A)내의 현상용 반송기구(24)의 z축 승강기구(18c, 24c)에 대해서는 도7B에 나타내는 방향, 즉 인덱서(1)의 방향에 면하여 고정되며, 이것에 의해 기판(W)은 이들 각 반송기구(18, 24)에 의해 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)의 경우는 스핀코터(SC)와 열처리부(16A)와의 사이에서, 현상용 반송기구(24)의 경우는 스핀디벨로퍼(SD)와 열처리부(16F)와의 사이에서 각각 수수된다.
레지스트막 형성처리용 반송기구(20), 인터페이스(4) 측에 있는 현상용 셀(15B)내의 현상용 반송기구(24)의 z축 승강기구(20c, 24c)에 대해서는 도8A에 나타내는 방향, 즉 인터페이스(4)의 방향에 면하여 고정되고, 이것에 의해 기판(W)은 이들 각 반송기구(20, 24)에 의해, 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)의 경우는 스핀코터(SC)와 열처리부(16D)와의 사이에서, 현상용 반송기구(24)의 경우는 스핀디벨로퍼(SD)와 열처리부(16F)와의 사이에서 각각 수수된다.
에지노광용 반송기구(21)의 z축 승강기구(21c)에 대해서는 도8B에 나타내는 바와 같이, 열처리부(16D), 에지노광부(EE) 및 인터페이스용 재치대(30)에는 면하고 있지 않은 측에 고정되며, 이것에 의해 기판(W)은 에지노광용 반송기구(21)에 의해 열처리부(16D)와 에지노광부(EE)와 인터페이스(4) 내의 후술하는 인터페이스용 재치대(30)와의 사이에서 수수된다.
이들 반송기구(17~21, 23, 24)는 본 발명에서의 기판반송수단에 상당한다.
다음에, 노광후 가열용 반송기구(22)의 구체적 구성에 대해서, 도9를 참조하여 설명한다. 노광후 가열용 반송기구(22)는 도9A의 평면도, 도9B의 측면도 및 도9C의 정면도에 나타내는 바와 같이 암 베이스(22a)를 승강 구동하는 z축 승강기구(22b), 그 z축 승강기구(22b)를 z축 주위(화살표 RI의 방향)로 회전구동하는 모터(22c)를 구비하고 있다. 이 암 베이스(22a)에는 기판(W)을 유지하는 암(22d)이 구비되어 있으며, 이 암(22d)은 회전반경방향인 화살표 RJ방향으로 진퇴이동 가능하게 구성되어 있다.
z축 승강기구(22b)는 도9A~9C에 나타내는 바와 같이, 나사축(22f)과, 이 나사축(22f)을 축심 주위로 회전시키는 모터(22g)를 구비하고 있으며, 이 나사축(22f)에는 암 베이스(22a)가 나사결합되어 있다. 모터(22g)의 회전에 의해 나사축(22f)에 나사결합된 암 베이스(22a)가 승강 이동한다.
z축 승강기구(22b)의 바닥부에는, 상술한 모터(22c)가 설치되어 있으며, 모터(22c)의 회전에 의해 z축 승강기구(22b) 자체가 암 베이스(22a) 및 암(22d)과 함께 종축심 주위로 회전 구동된다.
이와 같이 구성됨으로써, 암 베이스(22a)의 암(22d)에 유지된 기판(W)은 수평면 내에서의 회전이동, 승각이동 및 진퇴이동이 가능하게 된다. 이것에 의해 기판(W)은 노광후 가열용 반송기구(22)에 의해 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP), 인터페이스(4) 내의 후술하는 인터페이스용 재치대(30) 및 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16F) 사이에서 수수된다.
또 반송기구(17~21, 23, 24)의 경우에는 고정 설치된 z축 승강기구가 설치되어 있는 방향으로는 기판(W)을 수수할 수 없지만, 노광후 가열용 반송기구(22)의 경우에는 그 z축 승강기구(22b) 자체가 회전 가능하게 되어 있으므로 수평면 내의 모든 방향으로 기판(W)을 수수할 수 있다.
그 반면, 반송기구(17~21, 23, 24)의 경우에는 각 처리부에 면하고 있지 않은 측(z축 승강기구가 설치된 측)에서 각 반송기구의 보수가 용이하지만, 노광후 가열용 반송기구(22)의 경우에는 그 주위에 각 처리부가 배치되는 관계에서 반송기구의 보수 스페이스의 확보가 용이하지 않다.
다음에, 열처리부(16)(16A~16G)의 구체적 구성에 대해서, 도10, 도11을 참조하여 설명한다. 또한 도10에서는 열처리부(16)의 주변에 있는 반송기구 등에 대해서는, 도시를 생략한다. 도10에 나타내는 바와 같이, 1층 부분에 있는 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16A) 상에, 2층 부분에 있는 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)가 적층되어 있다. 마찬가지로, 셀(12)내의 열처리부(16B) 상에 셀(15A)내의 열처리부(16G)가 적층되어 있다. 또 열처리부(16C) 상에 열처리부(16H)가 적층되어 있다. 또한 레지스트막 형성용 셀(13)내의 열처리부(16D) 상에 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16F)가 적층되며, 동일하게 열처리부(16E) 상에 열처리부(16G)가 적층되어 있다.
1층 부분에 있는 열처리부(16)(16A~16D)의 바닥부에 해당하는 장치 베이스 상에는, 레일(27)이 각각 깔려져 있으며, 각각의 레일(27)은 각 반송기구(17~20, 23, 24)에 면하는 정상위치(C)에서 퇴피위치(D)까지 연장하고 있다. 각각의 레일(27)에 적층된 각 열처리부(16)가 탑재되어 있으므로, 제1 실시예 장치, 특히 각 반송기구(17~20, 23, 24)를 각각 보수(메이터넌스)할 때에는, 도11에 나타내는 바와 같이, 각각의 레일(27) 상에서 각 열처리부(16)를 정상위치(C)에서 퇴피위치(D)까지 각각 이동함으로써 메인터넌스 소스(E)가 확보된다.
도2~도4로 되돌아가, 인터페이스(4)의 구체적 구성에 대해서 설명한다.
인터페이스(4)는 인테페이스용 반송기구(28)와 인터페이스용 반송기구(29)와 인터페이스용 재치대(30)를 구비하고 있다. 인터페이스용 반송경로(28)는 도3, 도4에 나타내는 바와 같이, 인덱서용 반송경로(7)와 평행하게 형성되어 있다. 인터페이스용 반송기구(29)는 인터페이스용 반송경로(28) 상을 이동함으로써 인터페이스용 재치대(30)와, 도3, 도4 중의 이점쇄선으로 나타낸 노광장치(스텝퍼)(STP)와의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 이 노광장치(STP)는 제1 실시예 장치와는 별개의 장치이다. 이 노광장치(STP)는 본 발명에서 외부처리장치에 각각 상당한다. 또 인터페이스용 재치대(30)는 처리부 반송경로(26)와 인터페이스(4)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 재치대로서, 인터페이스용 재치대(30)는 본 발명에서 제2의 재치부에 상당한다.
인터페이스용 반송기구(29)의 구체적 구성에 대해서는 인덱서용 반송기구(8)의 z축 승강기구(8c)의 설치위치가 상위(相違)하는 이외에는, 인덱서용 반송기구(8)와 동일한 구성이므로, 그 설명을 생략한다.
인터페이스용 재치대(30)는 도2에 나타내는 바와 같이, 1층 전용의 기판 재치부(Pass)와 2층 전용의 기판 재치부(Pass)가 적층구조로 배설되어 있다. 1층 전 용의 기판 재치부(Pass)는 노광후 가열용 셀(14)의 1층 부분에 있는 에지노광용 반송기구(21)와 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 것이다. 2층 전용의 기판 재치부(Pass)는 노광후 가열용 셀(14)의 2층 부분에 있는 노광후 가열용 반송기구(22)와 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 것이다. 양 기판 재치부(Pass)의 사이 및 2층 전용의 기판 재치부(Pass)의 상측에는 기판(W)을 각각 임시 수납하기 위한 복수의 버퍼(도2 중에 부호『BF』로 나타낸다)가 있다. 이상과 같이, 1층 전용의 기판 재치부(Pass)와 버퍼(BF) 및 2층 전용의 기판 재치부(Pass)와 버퍼(BF)가 적층구조로 배설되어 있다.
양 기판 재치부(Pass)는 노광후 가열용 셀(14) 및 인터페이스용 반송기구(29)의 양 방향에 면하여 각각 개구되어 있으며, 이들 개구를 통해서 1층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광용 반송기구(21) 및 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 노광후 가열용 반송기구(22)와, 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수가 각각 행해진다.
또 1층 전용의 버퍼(BF) 및 2층 전용의 버퍼(BF)는 각각 적어도 인터페이스용 반송기구(29) 측에 면하여 개구되어 있으며, 이 개구를 통해서 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수가 행해진다.
계속해서, 포토리소그래피공정에서의 일련의 기판처리에 대해서, 도12, 도13의 플로우챠트 및 도14를 참조하여 설명한다. 또한 각 처리에서 복수매의 기판(W)이 병행해서 처리되지만, 1매의 기판(W)에만 주목하여 설명한다. 또 도14 중의 반 송기구에 있어서, ID는 인덱서를 나타내며, SC는 스핀코터(부호(18)의 경우는 반사방지막 형성처리, 부호(20)의 경우는 레지스트막 형성처리)를 나타내며, EE는 에지노광을 나타내고, IF는 인터페이스를 나타내며, PEB는 노광후 가열을 나타내고, SD는 현상을 나타낸다.
(스텝 S1) 인덱서에서의 반송
미처리 복수매의 기판(W)을 수납한 카셋트(C)를 카셋트 재치대(2)에 재치한다. 이 카셋트(C)에서 1장의 기판(W)을 추출하기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 카셋트(C)에 대향하는 위치까지 인덱서용 반송경로(7) 상을 수평 이동한다. 암 베이스(8a)가 수평면 내에서 회전하여 카셋트(C)에 대향함과 동시에, 카셋트(C)내의 추출 대상인 기판(W)에 대향하는 위치까지 암 베이스(8a)가 승강한다. 계속해서, 암(8e)이 전진하여 기판(W)의 하측에 진입한다. 암(8e)이 조금 상승하여 기판(W)을 수취한다. 기판(W)을 유지한 암(8e)이 후퇴하는 것에 의해 기판(W)을 카셋트(C)에서 추출한다.
(스텝 S2) 기판 재치부에서의 수수
반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부용 반송기구(17)에 기판(W)을 넘기기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 인덱서용 반송경로(7)를 이동하여 셀(12)내의 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다. 구체적으로 설명하면, 반송기구(8)가 기판 재치부(Pass)에 대향하는 위치까지 반송경로(7) 상을 이동하고, 계속해서, 암 베이스(8a)가 상승 및 회전하는 것에 의해 암(8e)이 기판 재치부(Pass)에 대향한다. 그리고, 기판(W)을 유지한 암(8e)이 전진하여 기판 재치부(Pass)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 기판 재치부(Pass)에 재치한다. 그후, 암(8e)이 후퇴한다.
(스텝 S3) 어드히젼(AHL)처리
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해, 열처리부용 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 상승 및 수평면 내에서 회전한다. 암(17d)이 기판 재치부(Pass)에 대향하면, 암(17d)이 전진하여 기판 재치부(Pass)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다. 그후, 기판(W)을 유지한 상태로 암(17d)이 후퇴한다.
그리고, 열처리부(16A)의 어드히젼 처리부(AHL)에서 처리하기 위해서 기판 재치부(Pass)의 아래쪽에 있는 어드히젼 처리부(AHL)까지 암 베이스(17a)가 하강한다. 그리고, 암(17d)이 전진하여 어드히젼 처리부(AHL)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 어드히젼 처리부(AHL)에 재치한다. 그후, 암(17d)이 후퇴한다.
어드히젼 처리부(AHL)에 재치된 기판(W)에 대해서, 기판(W)과 포토레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위해 어드히젼처리가 행해진다.
또한 어드히젼 처리부(AHL)에서 다음의 냉각부(CP)에 기판(W)을 건넬 때에도 열처리부용 반송기구(17)에 의해 기판(W)의 반송이 행해지므로, 어드히젼처리가 종료할 때까지, 어드히젼 처리부(AHL) 앞에서 반송기구(17)가 대기해도 좋으나, 처리효율을 향상시키기 위해서 어드히젼처리가 종료할 때까지의 동안, 반송기구(17)가 다른 기판(W)을 반송해도 된다.
(스텝 S4) 냉각(CP)처리
어드히젼처리가 종료하면, 반송기구(17)의 암(17d)이 어드히젼 처리부(AHL)내에 진입하여 기판(W)을 어드히젼 처리부(AHL)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16A)의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 어드히젼 처리부(AHL)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 암 베이스(17a)가 하강하고, 계속해서 암(17d)이 전진하여 냉각부(CP)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 어드히젼 처리부(AHL)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해서 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S5)반사방지막 형성(BARC)처리
냉각처리가 종료하면, 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)의 암(18d)이 냉각부(CP)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 반사방지막 형성용 셀(12)내의 스핀코터(SC)에서 처리하기 위해서 반송기구(18)의 암 베이스(18a)가 하강 및 회전하고, 계속해서 암(18d)이 전진하여 기판(W)을 스핀코터(SC)의 스핀척(도시생략)에 재치한다.
스핀코터(SC)에 재치된 기판(W)에 대해서 기판(W)을 회전시키면서 반사방지막을 도포 형성하는 반사방지막 형성처리가 행해진다.
(스텝 S6) 냉각부(CP)에서의 수수
반사방지막 형성처리가 종료하면, 반송기구(18)는 기판(W)을 스핀코터(SC)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16A)의 냉각부(CP)로 반입하기 위해서 반송기구(18)의 암 베이스(18a)가 상승 및 회전하고, 계속해서 암(18d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다. 이때 기판(W)을 냉각할 필요가 있으면 이 냉각부(CP)에서 냉각처리를 행해도 된다.
(스텝 S7) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 냉각부(CP)내에 진입하여 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16B)의 가열부(HP)에서 처리하기 위해서 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 가열부(HP)내에 진입하여 기판(W)을 가열부(HP)에 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 반사방지막 형성처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S8) 기판 재치부에서의 수수
가열처리가 종료하면, 반송기구(17)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다.
그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 열처리부용 반송기구(19)에 기판(W)을 넘기기 위해서, 열처리부용 반송기구(17)는 열처리부(16C)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S9) 냉각부(CP)에서의 수수
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
그리고, 반송기구(19)는 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 이 냉각부(CP)에서는 기판(W)을 미리 정해진 온도까지 냉각하는 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S10) 레지스트막 형성처리(SC) 처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 스핀코터(SC)에서 처리하기 위해서 반송기구(20)는 스핀코터(SC)의 스핀척(도시생략)에 기판(W)을 재치한다.
스핀코터(SC)에 재치된 기판(W)에 대해서 기판(W)을 회전시키면서 레지스트 도포를 행하는 레지스트막 형성처리가 행해진다.
(스템 S11) 냉각부(CP)에서의 수수
레지스트막 형성처리가 종료하면, 반송기구(20)는 기판(W)을 스핀코터(SC)로부터 반출한다.
그리고, 반송기구(20)는 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 이때, 기판(W)을 냉각할 필요가 있으면, 이 냉각부(CP)에서 냉각처리를 행해도 된다.
(스텝 S12) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 열처리부(16E)의 가열부(HP)에서 처 리하기 위해서 반송기구(19)는 가열부(HP)에 기판(W)을 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서 레지스트막 형성처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S13) 냉각(CP)처리
가열처리가 종료하면, 반송기구(19)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 반송기구(19)는 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서 가열부(HP)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S14) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광용 반송기구(21)에 기판(W)을 넘기기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 열처리부(16D)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S15) 에지노광(EE)처리
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 에지노광용 반송기구(21)는 기판 재치부(Pass)에 진입하고, 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
그리고, 1층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광부(EE)에서 처리하기 위해서 반송기구(21)는 에지노광부(EE)에 기판(W)을 재치한다.
에지노광부(EE)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광처리 전에 기판(W)의 단연(에지)부분을 노광하는 에지노광처리가 행해진다.
(스텝 S16) 기판 재치부에서의 수수
에지노광부(EE)에서의 에지노광처리가 종료하면, 에지노광용 반송기구(21)는 기판(W)을 에지노광부(EE)로부터 반출한다.
그리고, 인터페이스(4)내의 인터페이스용 반송기구(29)로 넘기기 위해서 에지노광용 반송기구(21)는 인터페이스(4)내의 인터페이스용 재치부(30)에 있는 1층 전용의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S17) 버퍼(BF)에서의 임시 수납
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)에 기판(W)을 수취하기 위해서 인터페이스용 반송기구(29)는 기판 재치부(Pass)에 진입하여 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다. 그리고, 노광장치(STP)에서 처리시간과의 관계에서, 기판(W)에 대기시간이 발생하는 경우에는 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 1층 전용의 버퍼(BF)에 기판(W)을 수납한다. 또한 기판(W)에 대기시간이 발생하지 않고 그대로 노광처리가 행해지는 경우에는 이 버퍼(BF)에서의 임시 수납부는 생략된다.
(스텝 S18) 인터페이스에서의 반송
버퍼(BF)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 인터페이스용 반송기구(29)가 인터페이스용 반송경로(28)를 이동하고, 반송기구(29)의 암(29e)이 전진하여 버퍼(BF)의 개구를 통해서 기판(W)을 버퍼(BF)로부터 반출한다.
(스텝 S19) 노광처리
인터페이스(4)에 연결된 노광장치(STP)에서 처리하기 위해서 반송기구(29)가 반송경로(28)를 이동하고, 반송기구(29)의 암(29e)이 전진하여 노광장치(STP)에 반입한다. 노광장치(STP)에 반입된 기판(W)에 대해서 기판(W)의 노광처리가 행해진다.
(스텝 S20) 인터페이스에서의 반송
노광처리가 종료하면, 노광장치(STP)로부터 반출하기 위해서 반송기구(29)가 반송경로(28)를 이동한다.
(스텝 S21) 기판 재치부에서의 수수
2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 노광후 가열용 반송기구(22)로 넘기기 위해서 인터페이스(4)내의 인터페이스용 재치대(30)에 있는 2층 전용의 기판 재치부(Pass)에 반송기구(29)는 기판(W)을 재치한다.
만약, 노광후 가열용 반송기구(22)로 넘기기 위한 시간조정이 필요한 사태가 발생한 경우에는, 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 2층 전용의 버퍼(BF)에 기판(W)을 반송하여 시간조정을 행하고, 노광후 가열용 반송기구(22)에 수수할 수 있도록 된 시점에서, 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 그 버퍼(BF)로부터 기판 재치부(Pass)까지 기판(W)을 반송한다.
(스텝 S22) 노광후 가열(PEB)처리
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 노광후 가열용 반송 기구(22)는 기판 재치부(Pass)로부터 기판(W)을 반출한다.
그리고, 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 노광후 가열부(PEB)에서 처리하기 위해서 노광후 가열용 반송기구(22)는 노광후 가열부(PEB)에 기판(W)을 재치한다.
노광후 가열부(PEB)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광처리 후의 기판(W)을 가열하는 노광후 가열처리가 행해진다.
(스텝 S23) 냉각(CP)처리
노광후 가열처리가 종료하면, 반송기구(22)는 기판(W)을 노광후 가열부(PEB)로부터 반출한다.
그리고, 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 노광후 가열부(PEB)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 반송기구(22)의 암 베이스(22a)가 하강하고, 계속해서 암(22d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광후 가열부(PEB)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S24) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 반송기구(22)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)로 넘기기 위해서 반송기구(22)는 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한 다.
또한 셀(15B)내에 있는 2개의 스핀디벨로퍼(SD)에서 기판(W)이 함께 처리되고 있는 경우에는, 반송기구(22)가 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 통해서 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)로 넘기고, 또한 셀(15B)내의 반송기구(23)가 셀(15A, 15B)이 공용하는 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)를 통해서 현상용 셀(15A)내의 반송기구(23)로 넘기며, 또한 셀(15A)내의 반송기구(23)가 셀(15A)내의 열처리부(16F)의 냉각부(CP)를 통해서 셀(15A)내의 현상용 반송기구(24)로 넘겨진 후에, 셀(15A)내의 반송기구(24)가 셀(15A)내의 스핀디벨로퍼(SD)에 재치하여 그 스핀디벨로퍼(SD)에서 현상처리를 행해도 된다.
(스텝 S25) 냉각부(CP)에서의 수수
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(23)는 기판 재치부(Pass)로부터 기판(W)을 반출한다.
그리고, 열처리부(16F)의 어느것의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 기판(W)이 재치된 그 냉각부(CP)에서는 기판(W)이 더욱 고정밀도로 상온정도의 온도가 되도록 온도 조정하도록 해도 상관없다.
(스텝 S26) 현상(SD)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 현상용 반송기구(24)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 스핀디벨로퍼(SD)에서 처리하기 위해서 반송기구(24)는 스핀디벨로퍼(SD)의 스핀척(도시생략)에 기판(W)을 재치한다.
스핀디벨로퍼(SD)에 재치된 기판(W)에 대해서 기판(W)을 회전시키면서 현상처리가 행해진다.
(스텝 S27) 냉각부(CP)에서의 수수
현상처리가 종료하면, 반송기구(24)는 기판(W)을 스핀디벨로퍼(SD)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)에 기판(W)을 넘기기 위해서 반송기구(24)는 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S28) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 반송기구(23)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16G)의 가열부(HP)에서 처리하기 위해서 반송기구(23)는 기판(W)을 가열부(HP)에 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서 현상처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S29) 냉각(CP)처리
가열처리가 종료하면, 반송기구(23)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16G)의 냉각부(CP)에서 기판(W)을 처리하기 위해서 가열부(HP)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 반송기구(23)의 암 베이스(23a)가 하 강하고, 계속해서 암(23d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서 가열부(HP)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S30) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 반송기구(23)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15A)내의 열처리부용 반송기구(23)에 넘기기 위해서 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)는 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S31) 기판 재치부에서의 수수
현상용 셀(15A)내에 있는 열처리부용 반송기구(23)는 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
그리고, 인덱서(1)내의 인덱서용 반송기구(8)에 넘기기 위해서 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S32) 인덱서에서의 반송
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 반출하기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 인덱서용 반송경로(7)를 이동하고, 반송기구(8)의 암(8e)이 전진하여 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
카셋트 재치대(2)에 재치된 카셋트(C)에 기판을 수납하기 위해서 반송기구(8)가 카셋트(C)에 대향하는 위치까지 반송경로(7)를 이동하여 반송기구(8)의 암 베이스(8a)가 수평면 내에서 회전하여 카셋트(C)에 대향한다. 계속해서, 카셋트(C)내의 추출대상인 기판(W)에 대향하는 위치까지 암 베이스(8a)가 하강하고, 암(8e)이 전진하여 기판(W)의 하측에 진입한다. 암(8e)이 조금 하강하여 기판(W)을 재치한다. 기판(W)을 유지한 암(8e)이 후퇴하는 것에 의해 기판(W)을 카셋트(C)내로 수납한다.
카셋트(C)내에 미리 정해진 매수만큼 처리완료된 기판(W)이 순서대로 수납되어 일련의 기판처리가 종료한다.
이 제1 실시예에서는, (Ⅰ)의 문제 및 (Ⅱ)의 문제를 해결한다.
(Ⅰ)의 문제에 대해서
상술한 구성을 가지는 제1 실시예에 관한 기판처리장치는 이하의 효과를 나타낸다. 즉 상하 2층의 계층구조로 배설된 1층의 처리부 반송경로(25) 및 2층의 처리부 반송경로(26)를 함께 인덱서(1) 및 인터페이스(4)에 연결함으로써 처리부 반송경로(25, 26) 사이에서 기판(W)의 수수가 가능하게 되도록 구성하고, 기판(W)의 반송방향을 교대로 역방향으로 설정함으로써 처리부 반송경로(25)를 기판(W)이 순방향으로 반송되는 진행전용경로로 구성하며, 처리부 반송경로(26)를 기판(W)이 역방향으로 반송되는 리턴전용경로로 구성하고, 이들 전용경로를 상하로 배설하고 있다. 이와 같이 구성됨으로써, 열처리부(16), 스핀코터(SC) 및 스핀디벨로퍼(SD) 등으로 구성되어 있는 프로세스 유닛(3) 사이에서, 기판(W)은 진행/리턴전용경로를 통해서 반송되어 기판처리가 각각 행해진다. 따라서, 진행전용경로인 처리부 반송경로(25) 상에서 반송되는 기판(W)과, 리턴전용경로인 처리부 반송경로(26) 상에서 반송되는 기판(W)이 간섭하는 일 없이, 그들 기판(W)의 간섭에 의한 쓸데없는 대기시간을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또한 상술의 스텝(S1~S32)에서도 기술한 바와 같이, 미처리 기판(W)을 인덱서(1)(스텝 S1)를 통해서, 1층의 처리부 반송경로(25)에 있는 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치하고(스텝 S2), 재치된 기판(W)은 1층의 처리부 반송경로(25)를 통해서 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다(스텝S3~S15). 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 인터페이스용 재치대(30)에 있는 1층 전용의 기판 재치부(Pass), 버퍼(BF)에 재치하고(스텝 S16, S17), 인터페이스(4)(스텝 S18)를 통해서 본 발명에서의 외부처리장치인 노광장치(STP)로 기판(W)을 넘겨서 노광장치(STP)에 의한 노광처리를 행한다(스텝 S19).
노광장치(STP)에 의한 노광처리가 종료한 기판(W)을 인터페이스(4)(스텝 S20)를 통해서 인터페이스용 재치대(30)에 있는 2층 전용의 기판 재치부(Pass)에 재치하고(스텝 S21), 2층의 처리부 반송경로(26)를 통해서 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다(스텝 S22~S30). 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 2층의 처리부 반송경로(26)에 있는 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 재치하고(스텝 S31), 인덱서(1)(스텝 S32)를 통해서 카셋트(C)내에 수납한다.
이들 스텝(S1~S32)에 관한 일련의 기판처리방법에 의해, 노광처리를 포함하는 일련의 기판처리를 인덱서(1) 및 인터페이스(4)에 연결된 처리부 반송경로(25, 26)를 통해서 용이하게 행할 수 있다. 또 제1 실시예의 경우에서는, 상술한 일련의 기판처리를 1회만 행했지만, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 처리부 반송경로(25, 26)에 연결된 인덱서(1)를 통해서 처리부 반송경로(25)에 있는 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 재차 재치하고, 재치된 기판(W)에 대해서 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
또 각각의 반송기구(17~21, 23, 24)는 진행 또는 리턴 중 어느 한쪽의 반송밖에 각각 행하지 않으므로, 기판처리를 제어하기 위한 반송제어를 간단하게 행할 수 있다. 또한 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 1층, 2층의 처리부 반송경로(25, 26) 사이에서 기판(W)의 수수가 가능하게 구성되어 있으므로 장치를 설치하는 바닥면적(풋프린트)을 경감할 수 있다.
예를 들면, 평면상에 진행/리턴전용경로를 구성하면, 도15에 나타내는 바와 같이, 진행에 관한 처리(예를 들면 스핀코터(SC))의 공정수와, 리턴에 관한 처리(예를 들면 스핀디벨로퍼(SD))의 공정수가 틀린 경우, 공정수가 많은 처리(도15에서는 스핀코터(SC))의 쪽에 맞추어 처리부 반송경로를 설계하지 않으면 안되고, 공정수가 적은 처리부(도15에서는 스핀디벨로퍼(SD))를 따라 형성된 처리부 반송경로(26)의 쪽에 쓸데없는 길이가 생겨버린다. 이것에 대해서, 제1 실시예 장치의 경우에는 상하로 진행/리턴전용경로를 각각 구성하고 있으므로, 공정수가 많은 처리부를 아래쪽으로 설치하면, 공정수가 적은 처리부를 위쪽에 설치하는 것만으로 장치를 구성할 수 있으며, 쓸데없는 반송경로를 저감시킬 수 있다.
또 제1 실시예의 경우, 처리부 반송경로(25)가 인덱서(1)에 연결됨과 동시 에, 처리부 반송경로(26)가 인터페이스(4)에 연결되어 있으므로 인덱서(1)·인터페이스(4) 사이의 반송에 있어서, 노광장치(스텝퍼)(STP)에 의한 처리인 노광처리도 포함한 기판(W)의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또 제1 실시예의 경우, 1층 부분이 스핀코터(SC)에 관한 처리 셀(반사방지막 형성용 셀(12), 레지스트막 형성용 셀(13))로, 2층 부분이 스핀디벨로퍼(SD)에 관한 처리 셀(현상용 셀(15A, 15B))로 구성되어 있으므로 스핀코터(SC)에 관한 처리 셀의 위쪽에 스핀디벨로퍼(SD)에 관한 처리 셀이 배설되게 된다. 따라서, 셀(12, 13)의 온도를 조절하기 위한 개별 공조를 필요로 하지 않으며, 클린룸의 다운 플로우를 그대로 이용하여, 셀(12, 13)을 온도 조절할 수 있다. 또한 포토레지스트액의 비산을 방지하여 그 액을 배출시키는 비산방지컵(도시생략)도 아래쪽에 배설하게 되므로 점도가 높은 포토레지스트액이 접착한 비산방지컵을 교환할 때에, 현상용 셀(15A, 15B)의 위쪽에 반사방지막 형성용 셀(12), 레지스트막 형성용 셀(13)이 위쪽에 배설되어 있는 경우와 비교하여 컵교환을 용이하게 할 수 있다.
(Ⅱ)의 문제에 대해서
상술의 구성을 가지는 제1 실시예에 관한 기판처리장치는 이하의 효과를 나타낸다. 즉 상하 계층구조로 배설된 1층의 처리부 반송경로(25) 및 2층의 처리부 반송경로(26)가 인덱서(1)에 각각 연결됨과 동시에, 1층, 2층의 처리부 반송경로(25, 26)가 인터페이스(4)에 연결되어 있다. 이와 같이 처리부 반송경로(25, 26)가 연결됨으로써 기판(W)은 다음과 같이 처리된다.
즉 상술한 스텝(S1~S32)에서도 기술한 바와 같이, 미처리 기판(W)을 인덱서(1)(스텝 S1)를 통해서 1층의 처리부 반송경로(25)에 있는 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치하고(스텝 S2), 재치된 기판(W)은 1층의 처리부 반송경로(25)를 통해서 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다(스텝 S3~S15). 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 인터페이스용 재치대(30)에 있는 1층 전용의 기판 재치부(Pass), 버퍼(BF)에 재치하고(스텝 S16, S17), 인터페이스(4)(스텝 S18)를 통해서 본 발명에서의 외부처리장치인 노광장치(STP)에 기판(W)을 넘겨서 노광장치(STP)에 의한 노광처리를 행한다(스텝 S19).
노광장치(STP)에 의한 노광처리가 종료한 기판(W)을 인터페이스(4)(스텝 S20)를 통해서 인터페이스용 재치대(30)에 있는 2층 전용의 기판 재치부(Pass)에 재치하고(스텝 S21), 2층의 처리부 반송경로(26)를 통해서 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다(스텝 S22~S30). 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 2층의 처리부 반송경로(26)에 있는 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 재치하고(스텝 S31), 인덱서(1)(스텝 S32)를 통해서 카셋트(C) 내에 수납한다.
이들 스텝(S1~S32)에 관한 일련의 기판처리방법에 의해, 노광처리를 포함하는 일련의 기판처리를 인덱서(1) 및 인터페이스(4)에 연결된 처리부 반송경로(25, 26)를 통해서 용이하게 행할 수 있다. 또 제1 실시예의 경우에서는 상술한 일련의 기판처리를 1회만 행했지만, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 처리부 반송경로(25, 26)에 연결된 인덱서(1)를 통해서 처리부 반송경로(25)에 있는 열처 리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 다시 재치하고, 재치된 기판(W)에 대해서 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
또 처리부 반송경로(25, 26)가 상하 계층구조로 배설되어 있으므로, 장치를 설치하는 바닥면적(풋프린트)이 증대하는 일도 없다. 또한 대량의 기판(W)에 대해서 처리를 행하는 경우라도 필요에 따라서, 인덱서(1)를 통해 기판(W)을 1층, 2층의 처리부 반송경로(25, 26)에 퇴피 혹은 반송함으로써 기판(W)끼리의 간섭을 저감시킬 수 있으며, 그 결과, 종래와 비교하여 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또한 인덱서(1) 또는 인터페이스(4)를 통해서 1층, 2층의 처리부 반송경로(25, 26) 사이에서의 기판(W)의 수수를 행할 수 있다. 또 열처리부(16A) 내의 기판 재치부(Pass)를 처리부 반송경로(25)에 열처리부(16F) 내의 기판 재치부(Pass)를 처리부 반송경로(26)에 각각 구비함과 동시에, 처리부 반송경로(25)에서(즉 1층에서), 처리부 반송경로(26)까지(즉 2층까지) 상하로 대향하도록 적층 배치된 인터페이스용 재치대(30)를 인터페이스(4)에 구비함으로써 열처리부(16A, 16F) 내의 기판 재치부(Pass) 및 인터페이스용 재치대(30)를 통해서 열처리부 반송경로(25, 26)와 인덱서(1)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 용이하게 행할 수 있음과 동시에, 처리부 반송경로(25, 26)와 인터페이스(2)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 용이하게 행할 수 있다.
특히 인터페이스용 재치대(30)는 1층에서 2층까지 상하로 대향하도록 적층배치되어 있으므로, 상하 계층구조로 배설된 처리부 반송경로(25, 26)를 구비한 장치에 이 인터페이스용 재치대(30)를 설치하는 것만으로, 상술한 기판(W)의 수수를 용 이하게 행할 수 있다.
제2 실시예
도16은, 제2 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 사시도이며, 도17은 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도이며, 도18은 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도이다. 제1 실시예와 공통하는 개소에 대해서는 같은 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
제2 실시예의 열처리부(16A)는 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지한 2개의 냉각부(도17, 도18 중에 『CP』로 나타낸다), 기판(W)과 포토레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위한 처리를 행하는 3개의 어드히젼(Adhesion) 처리부(도17, 도18 중에『AHL』로 나타낸다), 열처리 및 검사를 행하지 않고 기판(W)을 재치하여 기판(W)을 수수하기 위한 기판 재치부(도17, 도18 중에 『Pass』로 나타낸다), 검사부(T)를 밑에서 순서대로 적층하는 것으로 구성되어 있다. 또한 어드히젼처리는 HMDS[(CH3)3SiNHSi(CH3)3]를 증기상태로 하여 레지스트 도포전의 기판(W)을 처리한다.
이 열처리부(16A) 내의 기판 재치부(Pass) 및 후술하는 현상용 셀(15A)에서의 열처리부(16F) 내의 기판 재치부(Pass)와 열처리부(16SA) 내의 검사부(T) 및 현상용 셀(15A)에서의 열처리부(16F) 내의 검사부(T)는 본 발명에서 제3의 재치부에, 후술하는 인터페이스용 재치대(30) 내의 기판 재치부(Pass)와 인터페이스용 재치대(30) 내의 검사부(T)는 본 발명에서 제4의 재치부에, 열처리부(16A) 내의 검사부(T), 현상용 셀(15A)에서의 열처리부(16F) 내의 검사부(T) 및 인터페이스용 재 치대(30) 내의 검사부(T)는 본 발명에서 제3의 검사부에, 열처리부(16A) 내의 기판 재치부(Pass), 현상용 셀(15A)에서의 열처리부(16F) 내의 기판 재치부(Pass) 및 인터페이스용 재치대(30) 내의 기판 재치부(Pass)는 본 발명에서의 바이패스용의 통과부에 각각 상당한다.
또 검사부(T)는 예를 들면 광학현미경 등으로 구성되어 있으며, 열처리부(16A) 내의 검사부(T)는 기판(W)에 부착하는 파티클의 크기와 수를 검사하는 기구로 후술하는 인터페이스용 재치대(30) 내의 검사부(T)는 노광시의 중첩 정밀도를 검사하는 기구로, 동일하게 후술하는 현상용 셀(15A)에서의 열처리부(16F) 내의 검사부(T)는 배선패턴의 결함을 검사하는 기구로 각각 구성된다.
인덱서(1) 측에 있는 현상용 셀(15A)은 각각의 구성이 현상용 셀(15B)에 대해서 좌우반대(yz 평면에 대해서 좌우대칭)로 배설되어 있는 것 및 현상용 셀(15A) 내의 열처리부(16F)에 검사부(T)가 배설되어 있는 것 이외에는, 인터페이스(4) 측에 있는 현상용 셀(15B)과 동일한 구성을 하고 있으므로, 현상용 셀(15A)의 설명을 생략한다. 또한 현상용 셀(15A) 내의 열처리부(16F)는 검사부(T)에서 기판(W)을 검사하는 기능을 가지는 이외에, 냉각부(CP)에서, 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 반송기구(24)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 가짐과 동시에, 기판 재치부(Pass)에서 열처리부용 반송기구(23)와 인덱서용 반송기구(8)와의 사이에서 기판(W)을 수수하는 기능을 더 달성한다.
또 진행전용경로인 처리부 반송경로(25)의 시점, 즉 인덱서(1)에 인접하는 부분에 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하는 열처리부(16A)의 검사부(T), 나머 지 기판(W)을 검사하지 않고 수수를 행하는 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)가 배설됨과 동시에, 처리부 반송경로(25)의 종점, 즉 인터페이스(4)에 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하는 인터페이스용 재치대(30)의 검사부(T), 나머지 기판(W)을 검사하지 않고 수수를 행하는 인터페이스용 재치대(30)의 기판 재치부(Pass)가 배설되게 된다.
또 리턴전용경로인 처리부 반송경로(26)의 종점, 즉 인터페이스(4)에 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하는 인터페이스용 재치대(30)의 검사부(T), 나머지 기판(W)을 검사하지 않고 수수를 행하는 인터페이스용 재치대(30)의 기판 재치부(Pass)가 배설됨과 동시에, 처리부 반송경로(26)의 종점, 즉 인덱서(1)에 인접하는 부분에 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하는 열처리부(16F)의 검사부(T), 나머지 기판(W)을 검사하지 않고 수수를 행하는 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)가 배설되게 된다.
인터페이스용 재치대(30)는 도16에 나타내는 바와 같이, 1층 전용의 기판 재치부(Pass)와 2층 전용의 기판 재치부(Pass)가 적층구조로 배설되어 있다. 1층 전용의 기판 재치부(Pass)는 노광후 가열용 셀(14)의 1층 부분에 있는 에지노광용 반송기구(21)와 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 것이다. 2층 전용의 기판 재치부(Pass)는 노광후 가열용 셀(14)의 2층 부분에 있는 노광후 가열용 반송기구(22)와 인터페이스용 반송기구(29)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위한 것이다. 양 기판 재치부(Pass)의 사이 및 2층 전용의 기판 재치부(Pass)의 상측에는 기판을 각각 임시 수납하기 위한 복수의 버퍼(도16 중에 부호『BF』로 나타낸다)가 있다. 또한 2층 전용의 버퍼(BF) 상에 있는 최상부에는 검사부(T)가 적층되어 있다. 이상과 같이, 1층 전용의 기판 재치부(Pass)와 버퍼(BF), 2층 전용의 기판 재치부(Pass)와 버퍼(BF) 및 검사부(T)가 적층구조로 배설되어 있다.
계속해서, 포토리소그래피공정에서의 일련의 기판처리에 대해서, 도19, 도20의 플로우차트 및 도21, 도22를 참조하여 설명한다. 또한 각 처리에서 복수매의 기판(W)이 병행하여 처리되지만, 1매의 기판(W)에만 주목하여 설명한다. 또 도21, 도22 중의 반송기구에 있어서, ID는 인덱서를 나타내고, SC는 스핀코터(부호18의 경우는 반사방지막 형성처리, 부호20의 경우는 레지스트막 형성처리)를 나타내고, EE는 에지노광을 나타내며, IF는 인터페이스를 나타내고, PEB는 노광후 가열을 나타내며, SD는 현상을 나타낸다.
(스텝 S1) 인덱서에서의 반송
미처리 복수매의 기판(W)을 수납한 카셋트(C)를 카셋트 재치대(2)에 재치한다. 이 카셋트(C)에서 1장의 기판(W)을 추출하기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 카셋트(C)에 대향하는 위치까지 인덱서용 반송경로(7) 상을 수평 이동한다. 암 베이스(8a)가 수평면 내에서 회전하여 카셋트(C)에 대향함과 동시에, 카셋트(C) 내의 추출 대상인 기판(W)에 대향하는 위치까지, 암 베이스(8a)가 승강한다. 계속해서, 암(8e)이 전진하여 기판(W)의 하측에 진입한다. 암(8e)이 조금 상승하여 기판(W)을 수취한다. 기판(W)을 유지한 암(8e)이 후퇴하는 것에 의해 기판(W)을 카셋트(C)에서 추출한다.
(스텝 S2) 검사부에서 검사
반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16A)의 검사부(T)에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 인덱서용 반송경로(7)를 이동하여 셀(12)내의 열처리부(16A)의 검사부(T)에 기판(W)을 재치한다. 구체적으로 설명하면, 반송기구(8)가 검사부(T)에 대향하는 위치까지 반송경로(7) 상을 이동하고, 계속해서 암 베이스(8a)가 상승 및 회전하는 것에 의해 암(8e)이 검사부(T)에 대향한다. 그리고, 기판(W)을 유지한 암(8e)이 전진하여 기판(W)을 검사부(T)에 재치한다. 그후, 암(8e)이 후퇴한다.
검사부(T)에 재치된 기판(W)에 대해서, 예를 들면 기판(W)에 부착하는 파티클의 크기와 수에 대한 검사가 행해진다. 검사후, 만약 미리 정해진 크기 이상의 파티클과 미리 정해진 수 이상의 파티클이 기판(W)에 부착하고 있으면, 불합격으로 인정한다. 불합격으로 인정된 기판(W)을 열처리부(16A~16H), 스핀코터(SC), 스핀디벨로퍼(SD) 등에 반입하지 않고, 인덱서(1)의 카셋트의 재치대(2)로 되돌아가, 그 기판(W)에 대한 기판처리를 중단하도록 제어한다. 이때, 후술하는 나머지 각각의 기판(W)에 대해서도, 검사의 대상이 되는 기판(W)과 동일한 카셋트(C) 내에 수납되어 있기 때문에, 그들 기판(W)에 대해서도 열처리부(16A~16H), 스핀코터(SC), 스핀디벨로퍼(SD) 등에 반입하지 않고, 인덱서(1)의 카셋트 재치대(2)로 되돌리며, 그들 기판(W)에 대한 기판처리를 중단하도록 제어하는 것이 바람직하다.
(스텝 S3) 기판 재치부에서의 수수
그 한편에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하고 있는 동안에, 나머지 각각의 기판(W)에 대해서, 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 각각 행한다. 즉 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부용 반송기구(17)에 기판(W)을 넘기기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 인덱서용 반송경로(7)를 이동하여 셀(12)내의 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S4) 어드히젼(AHL) 처리
검사부(T) 또는 기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 상승 및 수평면 내에서 회전한다. 검사부(T)에 기판(W)이 재치되어 있는 경우에는 암(17d)이 검사부(T)에 대향하면, 암(17d)이 전진하여 기판(W)을 검사부(T)로부터 반출한다. 또 기판 재치부(Pass)에 기판(W)이 재치되어 있는 경우에는 암(17d)이 기판 재치부(Pass)에 대향하면, 암(17d)이 전진하여 기판 재치부(Pass)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다. 그후, 기판(W)을 유지한 상태로 암(17d)이 후퇴한다.
그리고, 열처리부(16A)의 어드히젼 처리부(AHL)에서 처리하기 위해서 검사부(T), 기판 재치부(Pass)의 아래쪽에 있는 어드히젼 처리부(AHL)까지 암 베이스(17a)가 하강한다. 그리고, 암(17d)이 전진하여 어드히젼 처리부(AHL)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 어드히젼 처리부(AHL)에 재치한다. 그후, 암(17d)이 후퇴한다.
어드히젼 처리부(AHL)에 재치된 기판(W)에 대해서 기판(W)과 포토레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위해 어드히젼 처리가 행해진다.
또한 어드히젼 처리부(AHL)에서 다음의 냉각부(CP)에 기판(W)을 건넬때에도, 열처리부용 반송기구(17)에 의해 기판(W)의 반송이 행해지므로 어드히젼 처리가 종료할 때까지, 어드히젼 처리부(AHL) 앞에서 반송기구(17)가 대기해도 좋지만, 처리효율을 향상시키기 위해서 어드히젼처리가 종료할 때까지의 동안, 반송기구(17)가 다른 기판(W)을 반송해도 된다.
(스텝 S5) 냉각(CP)처리
어드히젼처리가 종료하면, 반송기구(17)의 암(17d)이 어드히젼 처리부(AHL) 내에 진입하여 기판(W)을 어드히젼 처리부(AHL)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16A)의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 어드히젼 처리부(AHL)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 암 베이스(17a)가 하강하고, 계속해서 암(17d)이 전진하여 냉각부(CP)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 어드히젼 처리부(AHL)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S6) 반사방지막 형성(BARC)처리
냉각처리가 종료하면, 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)의 암(18d)이 냉각부(CP)의 개구부(16a)를 통해서 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 반사방지막 형성용 셀(12)내의 스핀코터(SC)에서 처리하기 위해서 반송기구(18)의 암 베이스(18a)가 하강 및 회전하고, 계속해서 암(18d)이 전진하여 기판(W)을 스핀코터(SC)의 스핀척(도시생략)에 재치한다.
스핀코터(SC)에 재치된 기판(W)에 대해서, 기판(W)을 회전시키면서 반사방지 막을 도포 형성하는 반사방지막 형성처리가 행해진다.
(스텝 S7) 냉각부(CP)에서의 수수
반사방지막 형성처리가 종료하면, 반송기구(18)는 기판(W)을 스핀코터(SC)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16A)의 냉각부(CP)에 반입하기 위해서 반송기구(18)의 암 베이스(18a)가 상승 및 회전하고, 계속해서 암(18d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다. 이때 기판(W)을 냉각할 필요가 있으면, 이 냉각부(CP)에서 냉각처리를 행해도 된다.
(스텝 S8) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 냉각부(CP) 내에 진입하여 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16B)의 가열부(HP)에서 처리하기 위해서 반송기구(17)의 암 베이스(17a)가 가열부(HP) 내에 진입하여 기판(W)을 가열부(HP)에 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 반사방지막 형성처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S9) 기판 재치부에서의 수수
가열처리가 종료하면, 반송기구(17)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다. 그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 열처리부용 반송기구(19)에 기판(W)을 넘기기 위해서 열처리부용 반송기구(17)는 열처리부(16C)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S10) 냉각부(CP)에서의 수수
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
그리고, 반송기구(19)는 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 이 냉각부(CP)에서는 기판(W)을 미리 정해진 온도까지 냉각하는 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S11) 레지스트막 형성처리(SC) 처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 레지스트막 형성처리용 반송기구(20)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 스핀코터(SC)에서 처리하기 위해서 반송기구(20)는 스핀코터(SC)의 스핀척(도시생략)에 기판(W)을 재치한다.
스핀코터(SC)에 재치된 기판(W)에 대해서, 기판(W)을 회전시키면서 레지스트 도포를 행하는 레지스트막 형성처리가 행해진다.
(스텝 S12) 냉각부(CP)에서의 수수
레지스트막 형성처리가 종료하면, 반송기구(20)는 기판(W)을 스핀코터(SC)로부터 반출한다.
그리고, 반송기구(20)는 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 이때, 기판(W)을 냉각할 필요가 있으면, 이 냉각부(CP)에서 냉각처리를 행해도 된 다.
(스텝 S13) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 레지스트막 형성용 셀(13)내의 열처리부(16E)의 가열부(HP)에서 처리하기 위해서 반송기구(19)는 가열부(HP)에 기판(W)을 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 레지스트막 형성처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S14) 냉각(CP)처리
가열처리가 종료하면, 반송기구(19)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16D)의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 반송기구(19)는 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서, 가열부(HP)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S15) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 열처리부용 반송기구(19)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광용 반송기구(21)에 기판(W)을 넘기기 위해서 열처리부용 반송기구(19)는 열처리부(16D)의 기판 재치부(Pass)에 기 판(W)을 재치한다.
(스텝 S16) 에지노광(EE)처리
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 에지노광용 반송기구(21)는 기판 재치부(Pass)에 진입하고, 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
그리고, 1층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광부(EE)에서 처리하기 위해서 반송기구(21)는 에지노광부(EE)에 기판(W)을 재치한다.
에지노광부(EE)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광처리 전에 기판(W)의 단연(에지)부분을 노광하는 에지노광처리가 행해진다.
(스텝 S17) 기판 재치부에서의 수수
에지노광부(EE)의 에지노광처리가 종료하면, 에지노광용 반송기구(21)는 기판(W)을 에지노광부(EE)로부터 반출한다.
그리고, 인터페이스(4) 내의 인터페이스용 반송기구(29)로 넘기기 위해서 에지노광용 반송기구(21)는 인터페이스(4) 내의 인터페이스용 재치부(30)에 있는 1층 전용의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S18) 버퍼(BF)에서의 임시 수납
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)에 기판(W)을 수취하기 위해서 인터페이스용 반송기구(29)는 기판 재치부(Pass)에 진입하고, 기판(W)을 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다. 그리고, 노광장치(STP)에서 처리시간과의 관계에서, 기판(W)에 대기시간이 발생하는 경우에는 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 1층 전용의 버퍼(BF)에 기판(W)을 수납한다. 또한 기판(W)에 대기시간이 발생하지 않고 그대로 노광처리가 행해지는 경우에는 이 버퍼(BF)에서의 임시 수납은 생략된다.
(스텝 S19) 인터페이스에서의 반송
버퍼(BF)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 인터페이스용 반송기구(29)가 인터페이스용 반송경로(28)를 이동하고, 반송기구(29)의 암(29e)이 전진하여 버퍼(BF)의 개구를 통해서 기판(W)을 버퍼(BF)로부터 반출한다.
(스텝 S20) 노광처리
인터페이스(4)에 연결된 노광장치(STP)에서 처리하기 위해서 반송기구(29)가 반송경로(28)를 이동하고, 반송기구(29)의 암(29e)이 전진하여 노광장치(STP)에 반입한다. 노광장치(STP)에 반입된 기판(W)에 대해서 기판(W)의 노광처리가 행해진다.
(스텝 S21) 인터페이스에서의 반송
노광처리가 종료하면, 노광장치(STP)에서 반출하기 위해서 반송기구(29)가 반송경로(28)를 이동한다.
(스텝 S22) 검사부에서 검사
인터페이스용 재치대(30)의 최상부에 있는 검사부(T)에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하기 위해서 반송기구(29)는 검사부(T)에 기판(W)을 재치한다.
검사부(T)에 재치된 기판(W)에 대해서, 예를 들면 노광시의 중첩 정밀도에 대한 검사가 행해진다. 검사후, 만약 미리 정해진 정밀도 이상으로 기판(W)과 포토마스크와 중첩이 어긋나 있으면, 불합격으로 인정한다. 불합격으로 인정된 기판(W) 을 직접 추출하여 그 기판(W)에 대한 기판처리를 중단하도록 제어한다. 이때, 후술하는 나머지 각각의 기판(W)에 대해서도 검사의 대상이 되는 기판(W)과 거의 같은 시기에 처리되고 있기 때문에, 그들 기판(W)을 각각 직접 추출하여 그들 기판(W)에 대한 기판처리를 중단하도록 제어하는 것이 바람직하다.
(스텝 S23) 기판 재치부에서의 수수
그 한편에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하고 있는 동안에, 나머지 각각의 기판(W)에 대해서 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 각각 행한다. 즉 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 PEB용 반송기구(22)로 넘기기 위해서 인터페이스(4) 내의 인터페이스용 재치대(30)에 있는 2층 전용의 기판 재치부(Pass)에 인터페이스용 반송기구(29)는 기판(W)을 재치한다.
만약, 노광후 가열용 반송기구(22)로 넘기기 위한 시간 조정이 필요한 사태가 생긴 경우에는, 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 2층 전용 버퍼(BF)에 기판(W)을 반송하여 시간조정을 행하고, 노광후 가열용 반송기구(22)로 수수할 수 있게 된 시점에서, 인터페이스용 반송기구(29)에 의해 그 버퍼(BF)에서 기판 재치부(Pass)까지 기판(W)을 반송한다.
(스텝 S24) 노광후 가열(PEB)처리
검사부(T) 혹은 기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 노광후 가열용 반송기구(22)는 검사부(T) 혹은 기판 재치부(Pass)로부터 기판(W)을 반출한다.
그리고, 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 노광후 가열부(PEB)에서 처리 하기 위해서 노광후 가열용 반송기구(22)는 노광후 가열부(PEB)에 기판(W)을 재치한다.
노광후 가열부(PEB)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광처리 후의 기판(W)을 가열하는 노광후 가열처리가 행해진다.
(스텝 S25) 냉각(CP)처리
노광후 가열처리가 종료하면, 반송기구(22)는 기판(W)을 노광후 가열부(PEB)로부터 반출한다.
그리고, 2층 부분의 노광후 가열용 셀(14)내의 냉각부(CP)에서 처리하기 위해서 노광후 가열부(PEB)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 반송기구(22)의 암 베이스(22a)가 하강하고, 계속해서 암(22d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서 노광후 가열부(PEB)에서 가열된 기판(W)을 냉각하여 상온으로 유지하기 위해 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S26) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 반송기구(22)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)로 넘기기 위해서 반송기구(22)는 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
또한 셀(15B)내에 있는 2개의 스핀디벨로퍼(SD)에서 기판(W)이 동시에 처리 되고 있는 경우에는 반송기구(22)가 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 통해서 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)로 넘기고, 또한 셀(15B)내의 반송기구(23)가 셀(15A, 15B)이 공용하는 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)를 통해서 현상용 셀(15A)내의 반송기구(23)로 넘기며, 또한 셀(15A)내의 반송기구(23)가 셀(15A)내의 열처리부(16F)의 냉각부(CP)를 통해서 셀(15A)내의 현상용 반송기구(24)로 넘겨진 후에, 셀(15A)내의 반송기구(24)가 셀(15A)내의 스핀디벨로퍼(SD)에 재치하여 그 스핀디벨로퍼(SD)에서 현상처리를 행해도 된다.
(스텝 S27) 냉각부(CP)에서의 수수
기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 열처리부용 반송기구(23)는 기판 재치부(Pass)로부터 기판(W)을 반출한다.
그리고, 열처리부(16F)의 어느것의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다. 기판(W)이 재치된 그 냉각부(CP)에서는 기판(W)이 더욱 고정밀도로 상온정도의 온도가 되도록 온도 조정하도록 해도 상관없다.
(스텝 S28) 현상(SD)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 현상용 반송기구(24)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 스핀디벨로퍼(SD)에서 처리하기 위해서 반송기구(24)는 스핀디벨로퍼(SD)의 스핀척(도시생략)에 기판(W)을 재치한다.
스핀디벨로퍼(SD)에 재치된 기판(W)에 대해서 기판(W)을 회전시키면서 현상처리가 행해진다.
(스텝 S29) 냉각부(CP)에서의 수수
현상처리가 종료하면, 반송기구(24)는 기판(W)을 스핀디벨로퍼(SD)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)에 기판(W)을 넘기기 위해 반송기구(24)는 형상용 셀(15B)내의 열처리부(16F)의 냉각부(CP)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S30) 가열(HP)처리
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)을 수취하기 위해서 반송기구(23)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15B)내의 열처리부(16G)의 가열부(HP)에서 처리하기 위해서 반송기구(23)는 기판(W)을 가열부(HP)에 재치한다.
가열부(HP)에 재치된 기판(W)에 대해서 현상처리 후의 기판(W)을 가열하는 가열처리가 행해진다.
(스텝 S31) 냉각(CP)처리
가열처리가 종료하면, 반송기구(23)는 기판(W)을 가열부(HP)로부터 반출한다.
그리고, 열처리부(16G)의 냉각부(CP)에서 기판(W)을 처리하기 위해서 가열부(HP)의 아래쪽에 있는 냉각부(CP)까지 반송기구(23)의 암 베이스(23a)가 하강하고, 계속해서 암(23d)이 전진하여 기판(W)을 냉각부(CP)에 재치한다.
냉각부(CP)에 재치된 기판(W)에 대해서 가열부(HP)에서 가열된 기판(W)을 냉 각하여 상온으로 유지하기 위해서 냉각처리가 행해진다.
(스텝 S32) 기판 재치부에서의 수수
냉각처리가 종료하면, 반송기구(23)는 기판(W)을 냉각부(CP)로부터 반출한다.
그리고, 현상용 셀(15A)내의 열처리부용 반송기구(23)로 넘기기 위해서 현상용 셀(15B)내의 열처리부용 반송기구(23)는 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)에 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S33) 검사부에서 검사
현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)의 검사부(T)에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하기 위해서 현상용 셀(15A)내에 있는 열처리부용 반송기구(23)는 기판(W)을 열처리부(16H)의 기판 재치부(Pass)로부터 반출하고, 검사부(T)에 기판(W)을 재치한다. 검사부(T)에 재치된 기판(W)에 대해서는 후술하는 스텝(S35)(합격?)에서 상세하게 설명한다.
(스텝 S34) 기판 재치부에서의 수수
그 한편에서, 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하고 있는 동안에, 나머지 각각의 기판(W)에 대해서 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 각각 행한다. 즉 인덱서(1) 내의 인덱서용 반송기구(8)로 넘기기 위해 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)에 열처리부용 반송기구(23)는 기판(W)을 재치한다.
(스텝 S35) 합격?
검사부(T)에 재치된 기판(W)에 대해서, 예를 들면 배선패턴의 결함에 대한 검사가 행해진다. 검사후, 만약 배선패턴의 결함이 있으면, 불합격으로 인정된다. 불합격으로 인정된 기판(W)에 대해서 기판처리(rework)를 재차 행하기 위해서 인덱서(1)를 통해서 반사방지막 형성용 셀(12)내의 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 재차 재치함으로써 기판 재치부(Pass)에서의 수수(스텝 S3)를 재차 행하도록 제어한다. 이때, 스텝(S34)에서 기판 재치부(Pass)를 통해서 각각 수수되는 나머지 각각의 기판(W)에 대해서도 검사의 대상이 되는 기판(W)과 거의 같은 시기에 처리되고 있기 때문에, 스텝(S34)의 후에, 인덱서(1)를 통해서 그들 기판(W)을 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 재차 재치함으로써 그들 기판(W)에 대한 리워크(rework)를 행하도록 제어하는 것이 바람직하다.
(스텝 S36) 인덱서에서의 반송
검사부(T) 또는 기판 재치부(Pass)에 재치된 기판(W)을 반출하기 위해서 인덱서용 반송기구(8)가 인덱서용 반송경로(7)를 이동하고, 반송기구(8)의 암(8e)이 전진하여 기판(W)을 검사부(T) 또는 기판 재치부(Pass)로부터 반출한다.
카셋트 재치대(2)에 재치된 카셋트(C)에 기판을 수납하기 위해서 반송기구(8)가 카셋트(C)에 대향하는 위치까지 반송경로(7)를 이동하고, 반송기구(8)의 암 베이스(8a)가 수평면 내에서 회전하여 카셋트(C)에 대향한다. 계속해서 카셋트(C) 내의 추출대상인 기판(W)에 대향하는 위치까지 암 베이스(8a)가 하강하고, 암(8e)이 전진하여 기판(W)의 하측으로 진입한다. 암(8e)이 조금 하강하여 기판(W)을 재치한다. 기판(W)을 유지한 암(8e)이 후퇴하는 것에 의해 기판(W)을 카셋트(C)내에 수납한다.
카셋트(C)내에 미리 정해진 매수만큼 처리완료된 기판(W)이 순서대로 수납되어 일련의 기판처리가 종료한다.
이 제2 실시예에서는 (Ⅲ)의 문제를 해결한다.
(Ⅲ)의 문제에 대해서,
상술의 구성을 가지는 제2 실시예에 관한 기판처리장치는 이하의 효과를 나타낸다. 즉 열처리부(16)·스핀코터(SC) 사이, 혹은 열처리부(16)·스핀디벨로퍼(SD) 사이에서 기판(W)을 반송하는 경로인 처리부 반송경로(25, 26)가 상하 계층구조로 배설되어 있으며, 1층의 처리부 반송경로(25)의 시점, 즉 인덱서(1)의 인접부분에 열처리부(16A)의 검사부(T)를, 처리부 반송경로(25)의 종점(이 종점은 2층의 처리부 반송경로(26)의 시점이기도 하다), 즉 인터페이스(4)에 인터페이스용 재치대(30)의 검사부(T)를, 처리부 반송경로(26)의 종점, 즉 인덱서(1)의 인접부분에 열처리부(16F)의 검사부(T)를 각각 구비하고 있다.
1층의 처리부 반송경로(25)의 시점에 검사부(T)를 구비함으로써 처리부 반송경로(25)의 시점에 위치하는 기판(W)의 상태, 즉 일련의 열처리 및 반사방지막 형성처리와 레지스트막 형성처리를 행하기 전의 기판(W)의 상태를 검사할 수 있다(스텝 S2). 처리부 반송경로(25)의 종점에 검사부(T)를 구비함으로써 처리부 반송경로(25)의 종점에 위치하는 기판(W)의 상태, 즉 일련의 열처리 및 반사방지막 형성처리와 레지스트막 형성처리의 직후의 기판(W)의 상태를 검사할 수 있다(또한, 상술한 스텝에서는 일련의 열처리 및 반사방지막 형성처리와 레지스트막 형성처리의 직후에서는 기판(W)의 검사를 행하고 있지 않다).
또 2층의 처리부 반송경로(26)의 시점에 검사부(T)를 구비함으로써 처리부 반송경로(26)에 위치하는 기판(W)의 상태, 즉 일련의 열처리 및 현상처리를 행하기 전의 기판(W)의 상태를 검사할 수 있다(스텝 S22). 처리부 반송경로(26)의 종점에 검사부(T)를 구비함으로써 처리부 반송경로(26)에 위치하는 기판(W)의 상태, 즉 일련의 열처리 및 현상처리의 직후의 기판(W)의 상태를 검사할 수 있다(스텝 S33).
또 처리부 반송경로(26)의 시점의 단계에서, 일련의 열처리 및 현상처리를 행하기 전단계에서의 기판(W)의 상태를 검사(스텝 S22)할 수 있는 것은 제2 실시예에서 다시 말하면, 노광처리 직후의 기판(W)의 상태를 검사할 수 있는 것을 의미한다.
이와 같이, 처리부 반송경로(25, 26)의 시점·종점에 검사부(T)를 각각 구비하고 있으므로 처리부 반송경로(25, 26)의 각 도중에 각각 검사하는 경우와 비교하여 검사의 대상이 되는 기판(W)과, 다른 기판(W)과의 간섭에 의한 기판(W)의 대기시간을 저감시킬 수 있다. 또 이들의 검사부(T)가 제2 실시예 장치에 조립되어 있으므로 검사를 위해서 기판(W)을 반송하는 시간을 저감시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판(W)을 검사하는 경우에 있어서, 기판(W)의 처리효율을 향상시킬 수 있다.
또한 제2 실시예에 있어서, 처리부 반송경로(25)의 시점에 있는 열처리부(16A)와 인덱서(1)와의 사이에서의 기판(W)의 수수를 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)와 검사부(T)에서 행하면서, 열처리부(16A)의 검사부(T)에서 검사 를 행할 수 있으며, 처리부 반송경로(25)의 종점(26의 시점)에 있는 인터페이스(4)와 노광후 가열용 셀(14)의 각 처리부(예를 들면, 에지노광부(EE), 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP))와의 사이에서 기판(W)의 수수를 인터페이스용 재치대(30)의 기판 재치부(Pass)와 검사부(T)에서 행하면서, 인터페이스용 재치대(30)의 검사부(T)에서 검사를 행할 수 있으며, 처리부 반송경로(26)의 종점에 있는 열처리부(16F)와 인덱서(1)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 열처리부(16F)의 기판 재치부(Pass)와 검사부(T)에서 행하면서, 열처리부(16F)의 검사부(T)에서 검사를 행할 수 있다. 이 결과, 기판(W)의 처리효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한 제2 실시예에 있어서, 검사의 대상이 되는 기판(W) 이외의 기판(W)에 대해서는 검사하지 않고 기판 재치부(Pass)를 통해서 인덱서(1) 및 인터페이스(4)와 각 처리부(16)·스핀코터(SC)·스핀디벨로퍼(SD)와의 사이에서의 기판(W)의 수수가 행해지므로 검사의 대상이 되는 기판(W)을 검사하고 있는 동안에, 나머지 기판(W)의 수수를 행할 수 있으며, 처리효율을 더욱 한층 향상시킬 수 있다.
또 이들 스텝(S1~S36)에 관한 일련의 기판처리방법에 의하면, 노광처리를 포함하는 각각의 처리부에서 처리된 기판(W)의 합격, 불합격을 검사부(T)가 행하고 있다. 특히, 스텝(S33)에서 불합격으로 인정된 기판(W)을 인덱서(1)를 통해서 처리부 반송경로(25)의 시점이기도 한 열처리부(16A)의 기판 재치부(Pass)에 재차 재치하고, 재치된 그 기판(W)을 처리부 반송경로(25)를 따라 재차 반송하여 기판처리를 재차 행하고 있으므로, 불합격으로 인정된 기판(W)이라도 리워크를 행할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상술한 제1, 제2 실시예에서는, 기판처리로서, 포토리소그래피공정에서의 레지스트 도포 및 현상처리를 예로 들어 설명했지만, 상술한 기판처리에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판을 처리액에 침지하여 세정처리, 에칭처리, 건조처리를 포함하는 처리를 행하는 약액처리와, 상술한 침지 타입 이외의 에칭처리(예를 들면, 드라이 에칭과 플라즈마 에칭 등)와, 상술한 침지 타입 이외로 기판을 회전시켜 세정하는 세정처리(예를 들면 소닉세정과 화학세정 등), 에칭처리와, 화학기계연마(CMP) 처리와, 스퍼터링 처리와, 화학기상성장(CVD) 처리와, 애싱처리 등과 같이 반도체기판, 액정표시기의 유리기판, 포토마스크용의 유리기판, 광디스크용의 기판을 통상의 수법으로 행하는 기판처리이면, 본 발명에 적용할 수 있다.
(2) 상술한 제1, 제2 실시예에 관한 제1~제3의 처리유닛(9~11)의 각 유닛을 하기와 같이 구성해도 된다. 즉 도23에 나타내는 바와 같이, 각 유닛의 우측면에 개구부(Fa)를, 좌측면에 개구부(Fb)를, 정면에 개구부(Fc)를, 배면에 개구부(Fd)를 각각 설치한다. 이들 개구부(Fa~Fd)가 설치됨으로써 개구부(Fa~Fd) 이외의 각 유닛의 외벽부분이 바깥틀의 프레임(F)으로서 각각 구성된다. 인접하는 2개의 유닛의 프레임(F)끼리를 서로 접속부재(f)(예를 들면 금구(金具))로 연결함으로써 한쪽의 유닛의 우측면에서의 개구부(Fa)가 다른쪽의 유닛의 좌측면에서의 개구부(Fb)에 일치하고, 인접하는 유닛이 연통(連通) 접속된다. 이것에 의해 각 유닛내의 처리부 반송경로도, 유닛 사이에 걸쳐 연통 접속된다. 이와 같이 구성함으로써 제1 ~제3의 처리유닛(9~11)을 기판(W)의 반송방향으로 나열하여 배설할 수 있다. 또 기판의 처 리매수에 따라 각 유닛을 증감 가능하게 할 수 있도록 착탈 자유로운 구성으로 해도 된다. 특히 후술하는 제2 실시예에 관한 변형예와 같이 검사유닛(41)을 구비하는 경우에는 검사유닛(41)도, 제1~제3의 처리유닛(9~11)과 동일하게 구성해도 된다.
제1 실시예에서 (Ⅰ)의 문제를 해결하는 데 관해서는 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(3) 상술한 제1 실시예에서는, 도24의 측면에서 본 경로 블록도에 나타내는 바와 같이, 처리부 반송경로(25)가 인덱서(1)에 연결됨과 동시에, 처리부 반송경로(26)가 인터페이스(4)에 연결되어 있지만, 하기와 같은 경로로 변형할 수도 있다. 또한 도24~도35 중의 검은점에 대해서는 연결을 나타냄과 동시에, 도24~도35 중의 화살표에 대해서는 기판(W)의 반송방향을 나타낸다.
예를 들면 제1 실시예의 경우는 각 층의 기판반송경로는 2층으로 이루어지는 계층구조(처리부 반송경로(25, 26))로 배설되어 있지만, 도25에 나타내는 바와 같이, 3층 이상이라도 된다.
또 인터페이스(4)를 연결하지 않고, 인덱서(1)만을 연결하여 계층구조의 일련의 기판반송경로의 일단을 도26 또는 도27에 나타내는 바와 같이, 그 인덱서(1)에 연결해도 되고, 도28에 나타내는 바와 같이, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단을 그 인덱서(1)에 연결해도 된다.
도26 또는 도27의 구조에 대해서는 서로 동일하지만, 기판(W)의 반송방향이 서로 반대로 되어 있다. 즉 도26의 경우에는 투입된 기판(W)은 인덱서(1)를 통해서 인덱서(1)에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치된다. 재치된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 또한 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)은 도시를 생략하는 반출전용의 출구를 통해서 기판처리장치에서 외부로 반출된다. 한편, 도27의 경우에는 도시를 생략하는 투입전용의 입구를 통해서 외부에서 기판처리장치내의 처리부로 반출된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 행해진다. 그리고, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또한 그 일련의 기판경로의 일단에 연결된 인덱서(1)를 통해서 기판처리장치에서 외부로 기판(W)이 반출된다.
도28의 경우에는, 미처리 기판(W)은 인덱서(1)를 통해서 인덱서(1)에 각각 연결된 각층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치된다. 재치된 기판(W)은, 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판(W)은 상술한 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 그 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또한 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서(1)를 통해서 기판처리장치에서 외부로 기판(W)이 반출된다.
또한 복수매의 기판(W)을 인덱서(1)를 통해서 인덱서(1)에 각각 연결된 각층의 기판반송경로의 각각의 일단에 거의 동시에 각각 재치하여 복수의 기판처리를 거의 동시에 행해도 되며, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 재치된 층의 기판반송경로를 통해서, 그 기판반송경로의 일단에 재치하고, 또한 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서(1)를 통해서 기판반송경로의 일단에 재차 재치하며, 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
어쨌든, 도26~도28에 관한 기판처리장치의 경우에는 제1 실시예와 같이 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치를 연결하지 않고 기판처리를 행할 때에 유효하다.
반대로, 인덱서(1)를 연결하지 않고, 인터페이스(4)만을 연결하여 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단을 도29 또는 도30에 나타내는 바와 같이, 그 인터페이스(4)에 연결해도 되며, 도31에 나타내는 바와 같이, 각층의 기판반송경로의 각각의 일단을 그 인터페이스(4)에 연결해도 된다.
도29 또는 도30의 구조에 대해서는 서로 동일하지만, 기판(W)의 반송방향이 서로 반대로 되어 있다. 즉 도29의 경우에는 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판(W)은 인터페이스(4)를 통해서 인터페이스(4)에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치된다. 재치된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 또한 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)은 도시를 생략하는 반출전용의 출구를 통해서 기판처리장치에서 외부로 반출된다. 한편, 도30의 경우에는 도시를 생략하는 투입전용의 입구를 통해서 외부에서 기판처리장치 내의 처리부로 반출된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부분 사이에서 반송되어 일련의 기판처리가 행해진다. 그리고, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또한 그 일련의 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스(4)를 통해서 기판(W)은 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치로 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 행해진다.
도31의 경우에는 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판(W)은 인터페이스(4)를 통해서 인터페이스(4)에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치된다. 재치된 기판(W)은 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판(W)은 상술한 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 그 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스(4)를 통해서 기판(W)은 외부처리장치로 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 재차 행해진다.
또한 외부처리장치에 의한 처리가 종료한 복수의 기판(W)을 인터페이스(4)를 통해서 인터페이스(4)에 각각 연결된 각층의 기판반송경로의 각각의 일단에 거의 동시에 각각 재치하여 복수의 기판처리를 거의 동시에 행해도 되며, 일련의 기판처리가 종료한 기판(W)을 재치된 층의 기판반송경로를 통해서 그 기판반송경로의 일단에 재치하고, 또 그 기판반송경로의 일단에 연결된 인터페이스(4)를 통해서 기판(W)을 외부처리장치에 재차 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 반복하여 행해도 된다.
또 상술한 제1 실시예의 경우, 각층의 기판반송경로(처리부 반송기구(25, 26))의 각각의 일단이 인덱서(1)에 연결되어 있으며, 타단이 인터페이스(4)에 연결되어 있지만, 도32 또는 도33에 나타내는 바와 같이, 계층구조의 일련의 기판반송경로의 일단을 인덱서(1)에 연결함과 동시에, 타단을 인터페이스(4)에 연결해도 된다.
도32, 도33의 구조에 대해서는 서로 동일하지만, 기의 반송방향이 서로 반대 로 되어 있다. 즉 도32의 경우에는 투입된 기판(W)은 인덱서(1)를 통해서 인덱서(1)에 연결된 일련의 기판반송경로의 일단에 재치된다. 재치된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판(W)은 일련의 기판반송경로의 타단에 재치되고, 또 그 일련의 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스(4)를 통해서 기판(W)은 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치로 넘겨져 외부처리장치에 의한 처리가 행해진다. 한편, 도33의 경우에는 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치에 의한 처리가 종료하면, 종료한 기판은 인터페이스(4)를 통해서 인터페이스(4)에 연결된 일련의 기판반송경로의 타단에 재치된다. 재치된 기판(W)은 일련의 기판반송경로를 통해서 처리부 사이에서 반송되어 기판처리가 행해진다. 기판처리가 종료하면, 기판(W)은 일련의 기판반송경로의 일단에 재치되고, 또 그 일련의 기판반송경로의 일단에 연결된 인덱서(1)를 통해서 기판처리장치에서 외부로 기판(W)이 반출된다.
또 제1 실시예의 도25와, 도26~도33의 경우, 각층의 기판반송경로는 기판의 반송 순서대로 위 혹은 아래를 행해 적층되어 있지만, 도34에 나타내는 바와 같이, 기판의 반송 순서대로 일단 위를 향해 적층된 기판반송경로를 아래쪽 방향으로 되접고, 재차 위쪽을 향해 되접어 적층해도 된다. 다시말하면, 기판의 반송방향이 교대로 역방향으로 설정됨으로써 진행전용경로와 리턴전용경로가 상하 교대로 배설되어 구성되어 있으면 된다.
또 상술한 제1 실시예의 경우, 진행전용경로인 처리부 반송경로(25)를 아래쪽에, 리턴전용경로인 처리부 반송경로(26)를 위쪽에 각각 배설했지만, 도35에 나 타내는 바와 같이, 진행전용경로인 처리부 반송경로(25)를 위쪽에, 리턴전용경로인 처리부 반송경로(26)를 아래쪽에 각각 배설해도 된다.
(4) 상술한 제1 실시예에서는, 각각의 처리부 반송경로(25, 26)의 일부를 포함하는 제1 ~ 제3의 처리유닛(9~11)이 기판(W)의 반송방향으로 나열되어 배설되어 있지만, 유닛구성이 아니라, 일체로 기판반송경로(처리부 반송경로(25, 26))가 구성되어 있어도 된다.
(5) 상술한 제1 실시예에서는, 기판반송경로(처리부 반송경로(25, 26))를 따라 기판(W)을 각각 반송하는 각 반송기구(17~21, 23, 24)는 도6에 나타내는 바와 같이, 암(열처리부용 반송기구(17)의 경우는 암(17d))을 1개 구비하고, 이 암은 기판(W)의 반입·반출의 양쪽을 행하고 있지만, 도36에 나타내는 바와 같이, 암을 2개 구비하여 한쪽의 암을 처리부에 기판(W)을 반입하는 반입용 암(31)으로 하고, 다른쪽의 암을 처리부에서 기판(W)을 반출하는 반출용 암(32)으로 해도 된다.
예를 들면, 반입용 암(31), 반출용 암(32) 중 어느 하나의 암을 기판(W)의 이면을 흡착함으로써 기판(W)을 유지하는 암으로 구성하고, 다른쪽의 암을 기판(W)의 단연을 파지(把持)함으로써 기판(W)을 유지하는 암으로 구성한다. 도36의 경우, 반출용 암(32)을 기판(W)의 이면을 흡착함으로써 기판(W)을 유지하는 암으로 구성하고, 반입용 암(31)을 기판(W)의 단연을 파지함으로써 기판(W)을 유지하는 암으로 구성한다. 또 도36B에 나타내는 바와 같이, 반출용 암(32)의 위에 반입용 암(31)을 배설한다. 또 도36B에 나타내는 바와 같이, 각 암(31, 32)을 각각이 z축 주위(화살표 RK의 방향)로 회전 가능하게, 또 회전 반경방향(화살표 RL방향)으로 진퇴 이동 가능하게 구성한다. 반출용 암(32)이 기판(W)의 이면을 유지하여 반출하면, 반입용 암(31)이 기판(W)의 단연을 파지하도록 반출용 암(32)을 수평방향으로 진퇴시키면서, 반입용 암(31)을 수평방향으로 전진시킨다. 반입용 암(31)이 기판(W)의 단연을 파지하여 기판(W)을 유지하면, 반출용 암(32)은 기판(W)의 이면의 흡착 유지를 해제한다. 그리고, 반입용 암(32)은 기판(W)을 유지하면서 전진하여 처리부에 기판(W)을 반입한다. 이 경우, 반입용 암(31)이 처리부에 기판(W)을 반입하는 동안에, 반출용 암(32)이 처리부에 기판(W)을 반출할 수 있으며, 그 결과, 기판처리를 더욱 효율좋게 행할 수 있다. 이 반입용 암(31)은 본 발명에서 반입용 반송기구에, 반출용 암(32)은 본 발명에서 반출용 반송기구에 각각 상당한다.
제1 실시예에서 (Ⅱ)의 문제를 해결하는 것에 관해서는 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(6) 상술한 제1 실시예에서는, 에지노광처리 및 노광후 열처리를 행하기 위해서 노광후 가열용 셀(14)로 이루어지는 제3 처리유닛(11)을 제1, 제2 처리유닛(9, 10)에 나열하여 배설하고 있지만, 에지노광처리 및 노광후 가열처리를 행하지 않는 경우에는 제3의 처리유닛을 반드시 구비할 필요는 없다. 이 경우에는 레지스트막 형성용 셀(13), 현상용 셀(15B)로 이루어지는 제2의 처리유닛(10)과, 인터페이스(4)가 직접적으로 연결되며, 레지스트막 형성용 셀(13)에 있는 열처리부(16D) 내의 기판 재치부(Pass) 및 현상용 셀(15B)에 있는 열처리부(16F) 내의 기판 재치부(Pass)가 인터페이스용 재치대(30)와 함께, 본 발명에서 제2의 재치부가 된다.
(7) 상술한 제1 실시예에서는, 본 발명에서 제1의 재치부이기도 한 열처리부(16A, 16F) 내의 기판 재치부(Pass)를 처리부 반송경로(25, 26)의 인덱서(1)에 인접하는 부분에, 즉 단부에 각각 구비하고 있지만, 양 기판 재치부(Pass)를 1층에서 2층까지 상하로 대향하도록 적층 배치하여 그 적층 배치된 기판 재치부(Pass)를 인덱서(1)에 구비해도 되고, 인덱서(1) 및 처리부 반송경로(25, 26)에 걸쳐 구비해도 된다. 마찬가지로, 본 발명에서의 제2의 재치부이기도 한 인터페이스용 재치대(30)를 인터페이스(4)에 구비하고 있지만, 인터페이스용 재치대(30)를 1층 전용의 기판 재치부(Pass)와 2층 전용의 기판 재치부(Pass)로 나누어, 각 층의 기판 재치부(Pass)를 처리부 반송경로(25, 26)의 인터페이스(4)에 인접하는 부분에, 즉 단부에 각각 구비하여도 되며, 인터페이스(4) 및 처리부 반송경로(25, 26)에 걸쳐 구비되어도 된다.
(8) 상술한 제1 실시예에서는, 본 발명에서 제1의 재치부이기도 한 열처리부(16A, 16F) 내의 기판 재치부(Pass)를 구비함과 동시에, 본 발명에서 제2의 재치부이기도 한 인터페이스용 재치대(30)를 구비하고 있지만, 기판 재치부(Pass)와 인터페이스용 재치대(30)를 통하지 않고, 즉 기판 재치부(Pass)와 인터페이스용 재치대(30)에 기판(W)을 재치하지 않고, 직접적으로 기판(W)의 수수를 행하는 경우에는 반드시 기판 재치부(Pass)와 인터페이스용 재치대(30)를 구비할 필요는 없다. 물론, 기판 재치부(Pass) 또는 인터페이스용 재치대(30) 중 어느것을 구비해도 된다.
(9) 상술한 제1 실시예에서는, 도24의 측면에서 본 경로 블록도에 나타내는 바와 같이, 각층의 처리부 반송경로(25, 26)가 인덱서(1)에 연결됨과 동시에, 각층의 처리부 반송경로(25, 26)가 인터페이스(4)에 연결되어 있지만, 하기와 같은 경로로 변형할 수도 있다. 또한 도24, 도37~도40 중 검은점에 대해서는 연결을 나타냄과 동시에, 도24, 도37~도40 중 화살표에 대해서는 기판(W)의 반송방향을 나타낸다.
예를 들면 제1 실시예의 경우에는, 상술한 변형예 (3)과 동일하게, 각 층의 기판반송경로는 2층으로 이루어지는 계층구조(처리부 반송경로(25, 26))로 배설되어 있지만, 도25에 나타내는 바와 같이, 3층 이상이라도 된다.
또 인터페이스(4)를 연결하지 않고, 인덱서(1)만을 연결하여 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단을, 도37에 나타내는 바와 같이, 그 인덱서(1)에 연결해도 된다. 기판반송경로의 각각의 타단에는, 예를 들면 도시를 생략하는 투입전용의 입구 또는 반출전용의 출구가 연결된다. 도37에 관한 기판처리장치의 경우에는 제1 실시예와 같이 노광장치(STP)와 같은 외부처리장치를 연결하지 않고 기판처리를 행할 때에 유효하다.
반대로, 인덱서(1)를 연결하지 않고, 인터페이스(4)만을 연결하여, 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단을 도38에 나타내는 바와 같이, 그 인터페이스(4)에 연결해도 된다. 기판반송경로의 각각의 타단에는 예를 들면 상술한 투입전용의 입구 또는 반출전용의 출구가 연결된다.
또 도24, 도25, 도37, 도38 중의 화살표인 기판(W)의 반송방향에는 한정되지 않고, 예를 들면 도39에 나타내는 바와 같이, 도25에 나타내는 기판(W)의 반송방향 에 대해서 모두 역방향이라도 되며, 도40에 나타내는 바와 같이, 도25에 나타내는 기판(W)의 반송방향에 대해서 일부 층의 기판반송경로만으로 기판(W)이 역방향으로 반송되어 있어도 된다.
제2 실시예에 관해서는, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(10) 상술한 제2 실시예에서는, 1층의 처리부 반송경로(25)의 시점(이 시점은 2층의 처리부 반송경로(26)의 종점이기도 하다), 즉 인덱서(1)에 인접하는 부분에 열처리부(16A)의 검사부(T)를 처리부 반송경로(25)의 종점(이 종점은 처리부 반송경로(26)의 시점이기도 하다), 즉 인터페이스(4)에 검사부(T)를 각각 구비하고 있지만, 처리부 반송경로(25)의 시점(처리부 반송경로(26)의 종점)은 인덱서(1)에 인접하는 부분에 한정되지 않고, 또 처리부 반송경로(25)의 종점(처리부 반송경로(26)의 시점)도, 인터페이스(4)에 한정되지 않는다. 즉 처리부 반송경로(25)의 시점(처리부 반송경로(26)의 종점)은 인덱서(1)이라도 되며, 또 처리부 반송경로(25)의 종점(처리부 반송경로(26)의 시점)은 인터페이스(4)에 인접하는 부분(예를 들면 1층의 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광부(EE))이라도 된다. 예를 들면, 인덱서(1)에 검사부(T)를 구비해도 되며, 인터페이스(4)에 인접하는 부분에 검사부(T)를, 예를 들면 처리부 반송경로(25)의 종점에 있는 1층의 노광후 가열용 셀(14)내의 에지노광부(EE)에 검사부(T)를 더 구비해도 된다.
(11) 상술한 제2 실시예에서는, 처리부 반송경로(25, 26)의 모든 시점·종점에 검사부(T)를 구비했지만, 경로의 시점 혹은 종점의 어느 한쪽에만 검사부(T)를 구비해도 되며, 처리부 반송경로(25, 26) 중 어느 한쪽의 경로에만 검사부(T)를 구 비해도 된다.
(12) 상술한 제2 실시예에서는, 열처리부(16A, 16F)의 각각에 검사부(T)를 구비했지만, 도41, 도42에 나타내는 바와 같이, 각각의 검사부(T)를 열처리부(16)와는 독립하여 구비함과 동시에, 이들 검사부(T)를 포함하는 검사유닛(41)을 구비해도 된다. 도41은 기판처리장치의 1층을 평면에서 보았을 때의 블록도이며, 도42는 기판처리장치의 2층을 평면에서 보았을 때의 블록도이다. 또한 지면의 형편상, 도41, 도42에서는 기판을 다단으로 수납한 카셋트를 재치하는 카셋트 재치대의 도시를 생략한다. 또 제2 실시예와 공통하는 개소에 대해서는 설명을 생략하고, 공통하는 구성에 대해서도 공통하는 부호를 붙이는 것으로 한다.
제2 실시예와 동일한 제1 ~ 제3의 처리유닛(9~11) 이외에 도41, 도42에 나타내는 바와 같이, 검사유닛(41)을 구비하고 있다. 검사유닛(41)은 본 발명에서 검사유닛에 상당한다.
제1 ~제3의 처리유닛(9~11)과 마찬가지로, 검사유닛(41)은 1층에서 2층에 걸쳐 관통하도록 배치되어 있다. 검사유닛(41)의 1층의 검사셀(41A)에는 도41에 나타내는 바와 같이, 검사용 재치부(42), 스핀코터(SC)가 검사부용 반송기구(43)에 대향하도록 그 주위의 2개소에 배설되어 있다. 검사유닛(41)의 2층의 검사셀(41B)에는 도42에 나타내는 바와 같이, 검사용 재치부(42), 스핀디벨로퍼(SD)가 검사부용 반송기구(43)에 대향하도록, 그 주위의 2개소에 배설되어 있다. 검사 셀(41A, 41B) 내의 각각의 검사부용 반송기구(43)는 열처리부용 반송기구(17)와 동일한 구성으로 이루어진다.
노광후 가열용 셀(14)의 1층 부분은 도41에 나타내는 바와 같이, 제2 실시예와 동일한 에지노광부(EE)로 구성됨과 동시에, 스핀코터(SC)로 구성되어 있다. 셀(14)의 2충 부분은 도42에 나타내는 바와 같이, 제2 실시예와 동일한 노광후 가열부(PEB), 냉각부(CP)로 구성됨과 동시에, 스핀디벨로퍼(SD)로 구성되어 있다.
검사셀(41A, 41B)에 각각 배설되어 있는 각 검사용 재치부(42)는 인덱서(1)에 있는 인덱서용 반송기구(8)와, 검사부용 반송기구(43)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위해 기판(W)을 재치하고, 그 수수의 사이에 검사의 대상이 되는 기판(W)의 검사하는 기능을 구비하고 있다. 즉 각 검사용 재치부(42)는 검사의 대상이 되는 기판(W) 이외의 기판(W)을 수수하는 기판 재치부(Pass), 검사의 대상이 되는 기판(W)을 재치하여 검사하는 검사부(T)를 밑에서 순서대로 적층함으로써 각각 구성되어 있다. 이 검사용 재치부(42)는 본 발명에서의 제3의 재치부에 상당한다.
열처리부(16A)는 제2 실시예와 마찬가지로, 열처리부용 반송기구(17)와, 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하고, 그 수수의 사이에 열처리를 행하는 기능을 구비하고 있는 이외에, 검사부용 반송기구(43)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 기능을 더 구비하고 있다. 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)는 제2 실시예와 동일하게 열처리부용 반송기구(23)와, 현상용 반송기구(24)와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하고, 그 수수의 사이에 열처리를 행하는 기능을 구비하고 있는 이외에, 검사부용 반송기구(43)와의 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 기능을 더 구비하고 있다.
이와 같이 구성됨으로써 1층 부분에 관해서는, 인덱서용 반송기구(8)와 검사부용 반송기구(43)가 검사용 재치부(42)에 대해서 기판(W)의 수수를 행한다. 또 검사부용 반송기구(43)와 열처리부용 반송기구(17)와 반사방지막 형성처리용 반송기구(18)가 열처리부(16A)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써 그들 반송기구(43, 17, 18)가 그 열처리부(16A)를 공용한다. 또 2층 부분에 관해서는 인덱서용 반송기구(8)와 검사부용 반송기구(43)가 검사용 재치부(42)에 대해서 기판(W)의 수수를 행한다. 또 검사부용 반송기구(43)와 열처리부용 반송기구(23)와 현상용 반송기구(24)가 현상용 셀(15A)내의 열처리부(16F)에 대해서 기판(W)의 수수를 행함으로써, 그들 반송기구(43, 23, 24)가 그 처리부(16F)를 공용한다. 즉 처리부 반송경로(25)는 검사 셀(41A)의 검사용 재치부(42)와 검사부용 반송기구(43)를 나열하여 배설하고, 또 제2 실시예와 마찬가지로, 반송기구(17~21)를 개재시켜 열처리부(16A, 16C, 16D)를 나열하여 배설함으로써 구성된다. 처리부 반송경로(26)는 검사 셀(41B)의 검사용 배치부(42)와 검사부용 반송기구(43)를 나열하여 배설하고, 제2 실시예와 마찬가지로, 반송기구(22~24)를 개지시켜 열처리부(16F, 16H)를 나열하여 배설함으로써 구성된다.
상술의 구성과 같이, 검사유닛(41)을 구비한 경우, 기판(W)의 검사를 행하지 않을 때는 제1~제3의 처리유닛(9~11)에서 검사유닛(41)을 제외하여 유닛을 줄일 수 있다. 또 기판(W)의 검사를 행할 때에는, 인덱서(1)와 제1의 처리유닛(9)과의 사이에 검사유닛(41)을 나열하여 배설할 수 있다. 이와 같이, 기판(W)의 검사를 행하지 않는 장치에 검사유닛(41)을 병설할 수 있으며, 범용성이 높은 기판처리장치를 실 현할 수 있다.
(13) 상술한 제2 실시예에서는, 인덱서(1) 및 인터페이스(4)의 양쪽을 구비하고, 인덱서(1), 이것에 인접하는 처리부, 인터페이스(4), 혹은 이것에 인접하는 처리부에 검사부(T)를 설치했지만, 인덱서(1) 또는 인터페이스(4) 중 어느 한쪽만을 구비하여 그 한쪽에만 검사부(T)를 설치해도 된다.
(14) 상술한 제2 실시예에서는, 각각의 처리부 반송경로(25, 26)의 일부를 포함하는 제1 ~ 제3의 처리유닛(9~11)이 기판(W)의 반송방향으로 나란히 배설되어 구성되어 있지만, 유닛구성이 아니라 일체로 기판반송경로(처리부 반송경로(25, 26))가 구성되어 있어도 된다.
(15) 상술한 제2 실시예 및 (10)~(14)의 변형예에서의 장치는 어느 경우라도, 2층으로 이루어지는 계층구조이지만, 3층 이상이라도 되며, 1층만으로 이루어지는 장치라도 된다. 1층만으로 구성되는 장치인 경우에는, 예를 들면 도43에 나타내는 바와 같이, 검사부(T1)를 인덱서(1) 또는 이것에 인접하는 처리부(44) 중 어느 하나에 배치해도 되며, 도44에 나타내는 바와 같이, 검사부(T2)를 인터페이스(4) 또는 이것에 인접하는 처리부(44) 중 어느 하나에 배치해도 되고, 도45에 나타내는 바와 같이 검사부(T1)를 인덱서(1) 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 배설함과 동시에, 검사부(T2)를 인터페이스(4) 또는 이것에 인접하는 처리부(44) 중 어느 하나에 배설해도 된다. 검사부(T1)는 본 발명에서 제1의 검사부에, 검사부(T2) 는 본 발명에서 제2의 검사부에 각각 상당한다. 또 검사부(T1, T2)와 함께, 도시를 생략하는 기판 재치부를 배설하는 경우에는, 검사부(T1)와 기판 재치부가 본 발명에서 제1의 재치부에, 검사부(T2)와 기판 재치부가, 본 발명에서 제2의 재치부에, 기판 재치부는 본 발명에서 바이패스용의 통과부에 각각 상당한다.
도43A에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)에만 검사부(T1)를 배설해도 되며, 도43B에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)에 인접하는 처리부(44)에만 검사부(T1)를 배설해도 된다. 또 인덱서(1) 및 이것에 인접하는 처리부(44)의 양쪽에 각 검사부(T1)를 각각 배설해도 되며, 도43C에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)와 이것에 인접하는 처리부(44)에 걸쳐 검사부(T1)를 배설해도 된다.
검사부(T2)를 인터페이스(4) 또는 이것에 인접하는 처리부(44) 중 어느 하나에 배설하는 경우에는 도44A에 나타내는 바와 같이, 인터페이스(4)에만 검사부(T2)를 해도 되며, 도44B에 나타내는 바와 같이, 인터페이스(4)에 인접하는 처리부(44)에만 검사부(T2)를 해도 된다. 또 인터페이스(4) 및 이것에 인접하는 처리부(44)의 양쪽에 각 검사부(T2)를 각각 배설해도 되며, 도44C 인터페이스(4)와 이것에 인접하는 처리부(44)에 걸쳐 검사부(T2)를 배설해도 된다.
검사부(T1)를, 인덱서(1) 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 배설 함과 동시에, 검사부(T2)를, 인터페이스(4) 또는 이것에 인접하는 처리부(44) 중 어느 하나에 배설하는 경우에는 도45A에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)·인터페이스(4)에만 각각의 검사부(T1·T2)를 각각 배설해도 되며, 도45B에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)에 인접하는 처리부(44) 및 인터페이스(4)에 인접하는 처리부(44)에만 각각의 검사부(T1·T2)를 각각 배설해도 된다. 또 인덱서(1) 및 이것에 인접하는 처리부(44)의 양쪽에 각 검사부(T1)를 인터페이스(4) 및 이것에 인접하는 처리부(44)의 양쪽에 각 검사부(T2)를 각각 배설해도 되며, 도45C에 나타내는 바와 같이, 인덱서(1)와 이것에 인접하는 처리부(44)에 걸쳐 검사부(T1)를 배설함과 동시에, 인터페이스(4)와 이것에 인접하는 처리부(44)에 걸쳐 검사부(T2)를 배설해도 된다. 또 검사부(T1)를 인덱서(1)에, 검사부(T2)를 인터페이스(4)와 이것에 인접하는 처리부(44)에 걸쳐 혹은 인터페이스(4)에 인접하는 처리부(44)에 각각 배설해도 된다.
(16) 상술한 제2 실시예에서는, 본 발명에서 바이패스용의 통과부로서 기판 재치부(Pass)를 구비하고, 검사의 대상이 되는 기판(W) 이외의 기판(W)을, 그 기판 재치부(Pass)를 통해서 수수를 행하고 있지만, 반드시 기판 재치부(Pass)를 구비할 필요는 없다. 또 본 발명에서의 제1 ~ 제3의 검사부인 검사부(T)(T1·T2를 포함한다)는 검사하는 이외에, 검사된 기판(W)의 수수를 행하는 기능, 즉 본 발명에서 제1 ~ 제4의 재치부의 기능을 더 구비하고 있지만, 검사를 행하는 기능만을 구비하 고, 기판(W)의 수수에 대해서는 행하지 않아도 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로를, 상하 계층구조로 배설함과 동시에, 1층의 처리부 반송경로 및 2층의 처리부 반송경로 사이에서 기판의 수수가 가능하게 구성하고, 처리부 반송경로를 기판이 순방향으로 반송되는 진행전용경로와, 기판이 역방향으로 반송되는 리턴전용경로를 상하로 배설하여 구성하며, 또 처리부 반송경로의 각각의 일단을 인덱서로 연결하고, 각각의 타단을 인터페이스로 연결하여 구성함으로써 진행전용경로 상에서 반송되는 기판과, 리턴전용경로 상에서 반송되는 기판과의 간섭에 의한 기판의 대기시간을 저감시키고, 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.

Claims (52)

  1. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로가, 상하 계층구조로 배설(配設)되어 있음과 동시에, 각 층의 기판반송경로 사이에서 기판의 수수(授受)가 가능하게 구성되어 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로는 기판의 반송방향이 교대로 역방향으로 설정되는 것에 의해, 기판이 순방향으로 반송되는 진행전용경로와, 기판이 역방향으로 반송되는 리턴전용경로가 상하 교대로 배설되어 구성되어 있는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치(載置)되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며,
    상기 일련의 기판반송경로의 일단이 상기 인덱서에 연결되어 있는 기판처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상 기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결되어 있는 기판처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판처리장치에 연설(連設)되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며,
    상기 일련의 기판반송경로의 일단이 상기 인터페이스에 연결되어 있는 기판처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로에 병설되어 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인터페이스에 연결되어 있는 기판처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서가, 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단측에 병설됨과 동시에,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 타단측에 병설되어 있으며,
    상기 일련의 기판방송경로의 일단이 상기 인덱서에 연결됨과 동시에, 상기 일련의 기판반송경로의 타단이 상기 인터페이스에 연결되어 있는 기판처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서가, 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 일단측에 병설됨과 동시에,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스가 상기 계층구조로 되어 있는 일련의 기판반송경로의 타단측에 병설되어 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 연결됨과 동시 에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 상기 인터페이스에 연결되어 있는 기판처리장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 진행전용경로에, 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부를 배설(配設)함과 동시에,
    상기 리턴전용경로에, 상기 도포처리부에서 처리액이 도포된 상기 기판을 현상하는 현상처리부를 배설하고 있으며,
    상기 도포처리부가 배설된 진행전용경로의 위쪽에 상기 현상처리부가 배설된 리턴전용경로를 배설하고, 각각의 경로 사이에서 기판의 수수가 가능하게 구성함으로써 일련의 기판반송경로를 구성하는 기판처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 층의 기판반송경로를 따라 기판을 순서대로 반송하는 복수의 기판반송수단을 구비함과 동시에,
    상기 각 기판반송수단은 처리부에 기판을 반입하는 반입용 반송기구와, 처리부로부터 기판을 반출하는 반출용 반송기구로 이루어지는 기판처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 계층구조의 기판반송경로를 따라 배설된 처리부군 중, 상하로 대향하고 있는 복수의 처리부와, 상기 각 층의 기판반송경로 중, 상하로 대향하고 있는 기판반송경로의 일부를 포함하여 1단위의 기판처리유닛을 구성하고 있으며,
    복수개의 상기 기판처리유닛을 기판의 반송방향으로 나란히 배설하여 상기 기판처리장치를 구성한 기판처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 각 기판처리유닛 내의 각 층의 기판반송경로가 인접하는 별개의 기판처리유닛 내의 같은 층에서 기판반송경로에 각각 연결되어 있는 기판처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    인접하는 2개의 기판처리유닛 사이에는, 그들 기판처리유닛 사이에서 기판을 수수하기 위해서 기판을 재치하는 재치대가 각 층의 기판반송경로 상에 각각 배설되어 있는 기판처리장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 기판처리유닛 중 적어도 1개는 상기 처리부로서, 포토레지스트막을 기판에 도포 형성하는 레지스트 도포처리부인 기판처리장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 기판처리유닛 중 적어도 1개는 상기 처리부로서, 기판상에 형성 된 포토레지스트막으로부터의 광의 반사를 방지하기 위해서 반사방지막을 기판에 도포 형성하는 반사방지막용 도포처리부인 기판처리장치.
  15. 제 7 항 기재의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    상기 인덱서로부터의 미처리 기판을, 상기 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단(一端) 중 어느 하나에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하여, 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서, 재치된 층의 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치에 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정,
    외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을, 상기 인터페이스를 통해서 인터페이스에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단 중 어느 하나에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 재치된 층의 기판반송경로를 따라 반송하고, 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    이들 공정을 행함으로써 상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 행하는 기판처리방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리가 종료한 기판을, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하고, 재치된 그 기판에 대해서 상기 일련의 기판처리를 반복하여 행하는 기판처리방법.
  17. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으며,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서를 구비하고 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결되어 있는 기판처리장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 각 층의 기판반송경로의 단부와 상기 인덱서와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제1의 재치부를, 상기 인덱서 또는 상기 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비하고 있는 기판처리장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제1의 재치부가, 상기 기판반송경로의 최상층에서 최하층까지 상하로 대향하도록 계층구조로 배설되어 있으며,
    상기 계층구조의 제1의 재치부를 상기 인덱서에 배설하는 기판처리장치.
  20. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으며,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비하고 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 인터페이스에 각각 연결되어 있는 기판처리장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 각 층의 기판반송경로의 단부와 상기 인터페이스와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제2의 재치부를 상기 인터페이스 또는 상기 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비하고 있는 기판처리장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제2의 재치부가 상기 기판반송경로의 최상층에서 최하층까지 상하로 대 향하도록 계층구조로 배설되어 있으며,
    상기 계층구조의 제2의 재치부를 상기 인터페이스에 배설하는 기판처리장치.
  23. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으며,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서와,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비하고 있으며,
    상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단이 상기 인덱서에 각각 연결됨과 동시에, 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 타단이 인터페이스에 각각 연결되어 있는 기판처리장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 각 층의 기판반송경로의 단부와 상기 인덱서와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제1의 재치부를 상기 인덱서 또는 상기 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비하고 있는 기판처리장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1의 재치부가 상기 기판반송경로의 최상층에서 최하층까지 상하로 대향하도록 계층구조로 배설되어 있으며,
    상기 계층구조의 제1의 재치부를 상기 인덱서에 배설하는 기판처리장치.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 각 층의 기판반송경로의 단부와 상기 인터페이스와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제2의 재치부를, 상기 인터페이스 또는 상기 각 층의 기판반송경로의 단부 중 어느 하나에 구비하고 있는 기판처리장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 제2의 재치부가 상기 기판반송경로의 최상층에서 최하층까지 상하로 대향하도록 계층구조로 배설되어 있으며,
    상기 계층구조의 제2의 재치부를 상기 인터페이스에 배설하는 기판처리장치.
  28. 제 23 항 기재의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    상기 인덱서가 추출한 미처리 기판을 상기 인덱서에 각각 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하고, 상기 각각의 처리부 에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판에 대해서, 상기 기판반송경로의 타단에 연결된 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치에 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정,
    외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 인터페이스 각각에 연결된 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하여 상기 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    이들 공정을 행함으로써 상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리를 행하는 기판처리방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 외부처리장치에 의한 처리를 포함하는 일련의 기판처리가 종료한 기판을 상기 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단에 연결된 인덱서를 통해서 각 층의 기판반송경로의 각각의 일단 중 어느 하나에 재치하며,
    재치된 그 기판에 대해서 상기 일련의 기판처리를 반복하여 행하는 기판처리방법.
  30. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서를 구비함과 동시에,
    기판을 검사하는 제1의 검사부를, 상기 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부중 어느 하나에 구비하는 기판처리장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 제1의 검사부를 포함하는 검사유닛을 구비하고 있으며,
    상기 검사유닛을 기판의 반송방향으로 상기 처리부에 대해서 나열하여 배설하는 기판처리장치.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 인덱서와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제1의 재치부를 구비하고 있으며,
    상기 제1의 검사부는 상기 제1의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 인덱서와, 각 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매(枚)의 기판 중, 검 사의 대상이 되는 기판에 대해서는, 상기 제1의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제1의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는, 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  34. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비함과 동시에,
    기판을 검사하는 제2의 검사부를, 상기 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비하는 기판처리장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제2의 검사부를 포함하는 검사유닛을 구비하고 있으며,
    상기 검사유닛을 기판의 반송방향으로 상기 처리부에 대해서 나열하여 배설하는 기판처리장치.
  36. 제 34 항에 있어서,
    상기 인터페이스와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제2의 재치부를 구비하고 있으며,
    상기 제2의 검사부는 상기 제2의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 인터페이스와, 각 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 상기 제2의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제2의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  38. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서와,
    상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비함과 동시에,
    기판을 검사하는 제1의 검사부를, 상기 인덱서 또는 이것에 인접하는 처리부중 어느 하나에 구비하고 있으며,
    기판을 검사하는 제2의 검사부를, 상기 인터페이스 또는 이것에 인접하는 처리부 중 어느 하나에 구비하는 기판처리장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2의 검사부의 적어도 어느 하나의 검사부를 포함하는 검사유닛을 구비하고 있으며,
    상기 검사유닛을 기판의 반송방향으로 상기 처리부에 대해서 나열하여 배설하는 기판처리장치.
  40. 제 38 항에 있어서,
    상기 인덱서와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제1의 재치부를 구비하고 있으며,
    상기 제1의 검사부는 상기 제1의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 인덱서와, 각 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 상기 제1의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제1의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  42. 제 38 항에 있어서,
    상기 인터페이스와 이것에 인접하는 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제2의 재치부를 구비하고 있으며,
    상기 제2의 검사부는 상기 제2의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 인터페이스와, 각 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 상기 제2의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제2의 재치부를 통해서 수수를 행하고, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  44. 기판처리를 행하는 복수의 처리부를 구비한 기판처리장치로서,
    상기 처리부 사이에서 기판을 반송하는 경로인 일련의 기판반송경로가 상하 계층구조로 배설되어 있으며,
    각 층의 기판반송경로의 시점(始點) 혹은 종점(終點)에 기판을 검사하는 제3의 검사부를 구비하는 기판처리장치.
  45. 제 44 항에 있어서,
    상기 제3의 검사부를 포함하는 검사유닛을 구비하고 있으며,
    상기 검사유닛을 기판의 반송방향으로 상기 처리부에 대해서 나열하여 배설하는 기판처리장치.
  46. 제 44 항에 있어서,
    처리대상의 기판을 수납하는 카셋트가 재치되는 카셋트 재치부를 가지고, 상기 카셋트로부터 미처리 기판을 순서대로 추출하여 상기 처리부로 반출함과 동시에, 처리된 기판을 처리부로부터 수취하여 카셋트 내로 순서대로 수납하는 인덱서를 구비함과 동시에,
    상기 인덱서와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 기판을 재치하는 제3의 재치부를 상기 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비하고 있으며,
    상기 제3의 검사부는 상기 제3의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  47. 제 46 항에 있어서,
    상기 인덱서와, 상기 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는, 상기 제3의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제3의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  48. 제 44 항에 있어서,
    기판반송경로의 시점 혹은 종점에 인접하는 처리부와, 상기 기판처리장치에 연설되는 외부처리장치와의 사이에서 기판의 수수를 중계하는 인터페이스를 구비함과 동시에,
    상기 인터페이스와 상기 처리부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해서 기판을 재치하는 제4의 재치부를 상기 기판반송경로의 시점 혹은 종점에 구비하고 있으며,
    상기 제3의 검사부는 상기 제4의 재치부에 재치된 기판을 검사하는 기판처리장치.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 인터페이스와, 상기 처리부와의 사이에서 수수되는 복수매의 기판 중, 검사의 대상이 되는 기판에 대해서는 상기 제3의 검사부에서 검사하기 위해서 상기 제4의 재치부를 통해서 수수를 행하며, 나머지 기판에 대해서는 검사하지 않고 바이패스용의 통과부를 통해서 수수를 행하는 기판처리장치.
  50. 제 30 항 기재의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부에서 행하는 공정,
    불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정을 가지는 기판처리방법.
  51. 제 38 항 기재의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 상기 외부처리장치에 넘겨서 외부처리장치에 의한 처리를 행하는 공정,
    외부처리장치에 의해 처리된 그 기판을 상기 인터페이스를 통해서 처리부에 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판의 합격, 불합격을 제1의 검사부에서 행하는 공정,
    불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 처리부에 재차 반입하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정을 가지는 기판처리방법.
  52. 제 47 항 기재의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    미처리 기판을 상기 인덱서를 통해서 기판반송경로의 시점에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 상기 기판반송경로를 따라 반송하고, 각각의 처리부에서 기판처리를 행하는 공정,
    각각의 처리부에서 처리된 그 기판을 기판반송경로의 종점에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 인덱서에 넘기기 위해서 제3의 재치부에 재치하는 공정,
    재치된 그 기판의 합격, 불합격을 제3의 검사부에서 행하는 공정,
    불합격으로 인정된 기판을 상기 인덱서를 통해서 기판반송경로의 시점에 재 차 재치하는 공정,
    재치된 그 기판을 기판반송경로를 따라 재차 반송하여, 각각의 처리부에서 기판처리를 재차 행하는 공정을 가지는 기판처리방법.
KR1020030085045A 2003-11-27 2003-11-27 기판처리장치 및 그 방법 KR100546503B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030085045A KR100546503B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 기판처리장치 및 그 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030085045A KR100546503B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 기판처리장치 및 그 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050051280A KR20050051280A (ko) 2005-06-01
KR100546503B1 true KR100546503B1 (ko) 2006-01-26

Family

ID=38666527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030085045A KR100546503B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 기판처리장치 및 그 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100546503B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
KR100920323B1 (ko) * 2007-10-22 2009-10-07 주식회사 케이씨텍 습식세정장치 및 기판처리방법
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP7175191B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050051280A (ko) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6832863B2 (en) Substrate treating apparatus and method
JP4566035B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
EP1684333B1 (en) Film coating and developing system and coating and developing method
EP1684334B1 (en) Film coating and developing system and film coating and developing method
CN100570484C (zh) 涂敷、显影装置及其方法
CN100565343C (zh) 涂敷、显影装置及其方法
KR100684627B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100797666B1 (ko) 기판처리장치
US20060201616A1 (en) Coating and developing system
JP2003209154A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN103094160A (zh) 基板处理系统和基板搬送方法
TW201804559A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
CN103094164A (zh) 基板处理系统和基板搬送方法
JP2004015023A (ja) 基板処理装置およびその方法
KR100546503B1 (ko) 기판처리장치 및 그 방법
JP2006216886A (ja) チャック、処理ユニット、基板処理装置およびチャック面洗浄方法
JP7442386B2 (ja) 基板処理装置
JP4162420B2 (ja) 基板処理装置
JPH08274143A (ja) 搬送装置及び搬送方法
JP2004015021A (ja) 基板処理装置
JP2005243690A (ja) 基板処理装置
JP4408606B2 (ja) 基板処理装置
JP2000124129A (ja) 処理装置
KR101053992B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009283980A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161219

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180104

Year of fee payment: 13