KR101053992B1

KR101053992B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101053992B1
Application number: KR1020080114527A
Authority: KR
Inventors: 신원권; 전재식
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2008-11-18
Filing date: 2008-11-18
Publication date: 2011-08-04
Also published as: KR20100055684A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명은 커버에 의해 개방되는 개방면을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 베이스; 상기 개방면을 따라 상기 베이스에 일렬로 설치되는 제1 내지 제3처리 용기를 포함하되; 상기 베이스는 상기 제1처리용기가 설치되고 제1힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제1회전 베이스; 상기 제3처리용기가 설치되고 제2힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제2회전 베이스; 상기 제1회전 베이스와 상기 제2회전 베이스 사이에 제공되며 상기 제2처리용기가 설치된 고정 베이스를 포함한다.

힌지,정비,반도체

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing A Substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.

상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.

여기서, 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후 가열하는 공정, 상기 포토레지스트의 노광 후 가열하는 공정, 상기 포토레지스트를 현상한 후 가열하는 공정을 포함한다. 또한, 상기 포토리소그래피 공정은 상기 가열 공정 후 상기 포토레지스트를 일정 온도까지 냉각하는 냉각 공정을 포함한다.

포토리소그래피 공정을 수행하기 위한 시스템은 도포 공정을 담당하는 도포 처리 장치, 현상 공정을 담당하는 현상 처리 장치 및 베이크 공정을 담당하는 베이크 처리 장치를 구비하는 시스템과 노광 공정을 담당하는 별도의 시스템으로 구별된다. 포토리소그래피 공정을 수행하기 위한 시스템은 장비 공간을 효율적으로 이용하기 위해 도포 처리 장치와 현상 처리 장치 및 베이크 처리 장치들이 복층으로 배치된다.

그러나, 이러한 복층 배치 구조는 처리 장치 내부를 정비하기 위한 공간 확보가 어렵기 때문에 정비 작업에 어려움이 있다.

본 발명의 목적은 정비 공간을 확보할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는데 있다.

본 발명의 목적은 정비작업을 용이하게 함으로써 정비작업에 소요되는 시간과 시스템의 비가동시간을 줄여주어 작업의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부 공간에 힌지축 구조로 결합되고, 상기 힌지축을 중심으로 회전운동하여 상기 챔버의 일면을 통해 인출 가능한 처리 유닛을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리 유닛은 기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재; 상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 처리유체를 회수하는 처리용기; 및 상기 처리용기를 지지하는 그리고 상기 힌지축이 결합되어 상기 힌지축을 중심으로 회전되는 회전 베이스를 포함한다.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 커버에 의해 개방되는 개방면을 갖는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 베이스; 상기 개방면을 따라 상기 베이스에 일렬로 설치되는 제1 내지 제3처리 용기를 포함하되; 상기 베이스는 상기 제1처리용기가 설치되고 제1힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제1회전 베이스; 상기 제3처리용기가 설치되고 제2힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제2회전 베이스; 상기 제1회전 베이스와 상기 제2회전 베이스 사이에 제공되며 상기 제2처리용기가 설치된 고정 베이스를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1회전 베이스와 상기 고정 베이스의 경계면은 상기 제1회전 베이스의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상으로 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2회전 베이스와 상기 고정 베이스의 경 계면은 상기 제2회전 베이스의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상으로 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1힌지축과 상기 제2회전축은 상기 개방면에 가깝게 위치된다.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 기판 출입구를 갖는 제1면, 상기 제1면과 마주하고 개방면을 갖는 제2면 그리고 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하는 제3,4면을 갖는 챔버; 상기 챔버의 제2면과 제3면이 만나는 모서리에 인접하게 설치된 제1힌지축을 중심으로 상기 제2면의 개방면으로 인출 가능한 제1회전 베이스; 상기 챔버의 제2면과 제4면이 만나는 모서리에 인접하게 설치된 제2힌지축을 중심으로 상기 제2면의 개방면으로 인출 가능한 제2회전 베이스; 및 상기 제1회전 베이스와 상기 제2회전 베이스 사이에 제공되는 고정 베이스를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1회전 베이스, 상기 제2회전 베이스 그리고 상기 고정 베이스 각각에는 처리 용기가 설치된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1회전 베이스는 상기 고정 베이스와 인접한 측면이 호 형상으로 이루어지고, 상기 제2회전 베이스는 상기 고정 베이스와 인접한 측면이 호 형상으로 이루어진다.

본 발명에 의하면, 정비 공간을 확보할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 처리 장치가 복층으로 구성된 구조에서 정비 작업이 용이함으로써 정비작업에 소요되는 시간과 시스템의 비가동시간을 줄여주어 작업의 효율성을 향상시킬 수 있다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

( 실시 예 )

본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(1)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼 상에 포토리소그래피 공정을 수행한다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스부(10), 처리부(20), 그리고 인터페이스부(30)를 가지며, 이들은 순차적으로 일방향(이하, 제 1 방향(62))으로 나란히 배치된다. 인덱스부(10)는 카세트 거치대(12)와 로봇 이동로(14)를 가진다.

웨이퍼와 같은 반도체 기판들이 수용된 카세트들(12a)은 카세트 거치대(12)에 놓여진다. 로봇 이동로(14)에는 카세트 거치대(12)에 놓여진 카세트(12a)와 처 리부(20)간 웨이퍼를 이송하는 로봇(14a)이 설치된다. 로봇(14a)은 수평면 상에서 상술한 제 1 방향(62)과 수직한 방향(이하, 제 2 방향(64)) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다. 수평 방향 및 상하 방향으로 로봇(14a)을 이송하는 구조는 당업자라면 용이하게 구성할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.

처리부(20)는 웨이퍼에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정과 노광 공정이 수행된 웨이퍼에서 노광된 영역 또는 그 반대 영역의 포토레지스트를 제거하는 현상 공정을 수행한다. 처리부(20)에는 도포를 위한 스핀 유닛(70), 현상을 위한 스핀 유닛(80), 그리고 베이크 유닛(50)들이 제공된다.

처리부(20)의 일측에는 노광부(40)와 연결되는 인터페이스부(30)가 제공된다. 인터페이스부(30)에는 노광부(40)와 처리부(20) 간에 웨이퍼를 이송하는 로봇(32)이 배치된다. 로봇(32)은 상술한 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다.

도 2는 도 1의 처리부(20)의 일 예를 보여주는 사시도이다.

처리부(20)는 제 1 처리실(20a)과 제 2 처리실(20b)을 가진다. 제 1 처리실(20a)과 제 2 처리실(20b)은 서로 적층된 구조를 가진다. 제 1 처리실(20a)에는 도포 공정을 수행하는 스핀 유닛들이 제공되고, 제 2 처리실(20b)에는 현상 공정을 수행하는 스핀 유닛들이 제공된다. 즉, 제 1 처리실(20a)에는 도포를 위한 스핀 유닛(70)들과 베이크 유닛(50)들이 제공되며, 제 2 처리실(20b)에는 현상을 위한 스핀 유닛(80)들과 베이크 유닛(50)들이 제공된다. 일 예에 의하면, 제 1 처리실(20a)은 제 2 처리실(20b)의 상부에 배치된다. 이와 달리 제 1 처리실(20a)은 제 2처리실(20b)의 하부에 배치될 수 있다.

상술한 구조로 인해 웨이퍼는 인덱스부(10), 제 1 처리실(20a), 인터페이스부(30), 노광부(40), 인터페이스부(30), 제 2 처리실(20b), 그리고 인덱스부(10)를 순차적으로 이동된다. 즉, 포토리소그래피 공정 수행시 웨이퍼는 상하방향으로 루프식으로 이동된다.

도 3은 제 1 처리실(20a)의 평면도이다.

도 3을 참조하면, 제 1 처리실(20a)에는 중앙에 제 1 이동로(60a)가 상술한 제 1 방향(62)으로 길게 제공된다. 제 1 이동로(60a)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 1 이동로(60a)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 1 이동로(60a)의 일측에는 베이크 유닛(50)들이 제 1 이동로(60a)를 따라 일렬로 배치되고, 제 1 이동로(60a)의 타측에는 도포를 위한 스핀 유닛(70)들이 제 1 이동로(60a)를 따라 일렬로 배치된다. 이와 함께, 베이크 유닛(50)들 및 도포를 위한 스핀 유닛(70)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치된다. 제 1 이동로(60a)에는 인터페이스부(30), 도포를 위한 스핀 유닛(70), 베이크 유닛(50), 그리고 인덱스부(10)들 간에 웨이퍼를 이송하는 제 1 로봇(62a)이 제공된다. 제 1 로봇(62a)이 제 1 방향(62)으로 직선이동되도록 제 1 이동로(60a)에는 가이드 레일(64a)이 제공된다.

제 1 처리실(20a)의 베이크 유닛(50)으로는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 소정의 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(Pre-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 포토레지스트를 기판상에 도포 한 후에 행하는 소프트 베이크(Soft-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들수 있다.

도 4는 제 2 처리실(20b)의 평면도이다.

도 4를 참조하면, 제 2 처리실(20b)에는 중앙에는 제 2 이동로(60b)가 상술한 제 1 방향(62)으로 길게 제공된다. 제 2 이동로(60b)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 2 이동로(60b)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 2 이동로(60b)의 일측에는 베이크 유닛(50)들이 제 2 이동로(60b)를 따라 일렬로 배치되고, 제 2 이동로(60b)의 타측에는 현상을 위한 스핀 유닛(80)들이 제 2 이동로(60b)를 따라 일렬로 배치된다. 이와 함께, 베이크 유닛(50)들 및 현상을 위한 스핀 유닛(80)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치된다. 제 2 이동로(60b)에는 인터페이스부(30), 현상을 위한 스핀 유닛(80), 베이크 유닛(50), 그리고 인덱스부(10)들 간에 웨이퍼를 이송하는 제 2 로봇(62b)이 제공된다.

제 2 처리실(20b)의 베이크 모듈들(0)로는 광이 조사되어 변형된 포토 레지스트를 현상한 이후에 행하는 하드 베이크(Hard-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 포토 레지스트를 광원으로 노광시킨 이후에 행하는 노광 후 베이크(Post Exposure Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 그리고 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들을 수 있다.

제 2 로봇(162b)이 제 1 방향(62)으로 직선이동되도록 제 2 이동로(160b)에는 가이드 레일(164b)이 제공된다. 상술한 바와 달리, 제 1 처리실의 일측에는 제 1 이동로가 배치되고, 제 1 처리실의 타측에는 도포를 위한 스핀 유닛들과 베이크 유닛들이 배치될 수 있다. 또한, 제 2 처리실의 일측에는 제 2 이동로가 배치되고, 제 2 처리실의 타측에는 현상을 위한 스핀 유닛들과 베이크 유닛들이 배치될 수 있다.

도 5 및 도 6은 스핀 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도 및 측면 구성도이다. 본 실시예에서는 현상을 위한 스핀 유닛을 일예를 들어 설명하였으나, 도 5 및 도 6에 도시된 인출 가능한 구조를 갖는 스핀 유닛은 도포를 위한 스핀 유닛 또는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 세정 및 식각을 위한 스핀 유닛에 모두 적용될 수 있다. 도 6에는 도면 편의상 노즐부재를 생략하였다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 스핀 유닛(80)은 챔버(82), 제1,2,3처리 용기(100-1,100-2,100-3), 제1,2,3기판 지지부재(200-1,200-2,200-3) 및 제1,2,3노즐 부재(300-1,300-2,300-3)를 포함한다. 본 실시예의 스핀 유닛(80)은 3장의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 제1,2,3 처리 용기가 일렬로 배치된 멀티 처리 방식 구조를 갖는다.

챔버(82)는 제1면(83a)과 제2면(83b) 그리고 제3,4면(83c,83d) 의해 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(89)이 설치된다. 팬필터유닛(89)은 챔버(82) 내부에 수직기류를 발생시킨다. 챔버(82)는 제 2 이동로(160b)와 인접하는 제1면(83a)에 기판 출입구(84)들이 형성되며, 기판 출입구(84)들이 형성된 제1면(83a)과 마주하는 제2면(83b)은 정비 작업을 위해 개방되는 개방면(85)을 포함하며, 이 개방면(85)은 커버(86)에 의해 밀폐된다.

팬필터유닛(89)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버(82) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(89)을 통과하여 챔버(82) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 된다.

도 6에 도시된 바와 같이, 챔버(82)는 베이스(900)에 의해 공정 영역(PA)과 유틸리티 영역(UA)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유틸리티 영역(UA)에는 제1,2,3처리 용기(100-1,100-2,100-3)와 연결되는 배출라인(141), 배기라인(148) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 제1,2,3노즐 부재(300-1,300-2,300-3)와 연결되는 각종 배관들이 위치되는 공간으로, 공정 영역은 고청정도를 유지하기 위해 유틸리티 영역(UA)으로부터 격리되는 것이 바람직하다.

베이스(900)는 제1회전 베이스(900-1)와 제2회전 베이스(900-2) 그리고 고정 베이스(900-3)로 구획된다. 제1회전 베이스(900-1)는 제3면(83c)과 제2면(83b)이 만나는 모서리에 설치된 제1힌지축(910)을 중심으로 챔버(82)의 개방면(85)을 통해 회전되어 정비 위치(도 8에 표시됨)로 이동될 수 있다. 제2회전 베이스(900-2)는 제4면(83d)과 제2면(83b)이 만나는 모서리에 설치된 제2힌지축(920)을 중심으로 챔버(82)의 개방면(85)을 통해 회전되어 정비 위치(도 8에 표시됨)로 이동될 수 있다.

한편, 제1회전 베이스(900-1)와 고정 베이스(900-3)의 경계면은 제1회전 베이스(900-1)의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상의 측면(902)으로 이루어지고, 제2회전 베이스(900-2)와 고정 베이스(900-3)의 경계면 역시 제2회전 베이 스(900-2)의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상의 측면(904)으로 이루어진다.

제1회전 베이스(900-1)에는 제1처리 용기(100-1)와 제1노즐 부재(300-1) 그리고 제1기판 지지부재(200-1)가 설치되고, 제2회전 베이스(900-2)에는 제2처리 용기(100-2)와 제2노즐 부재(300-2) 그리고 제2기판 지지부재(200-2)가 설치되며, 고정 베이스(900-3)에는 제3처리 용기(100-3)와 제3노즐 부재(300-3) 그리고 제3기판 지지부재(200-3)가 설치된다.

제1처리 용기(100-1)와 제1노즐 부재(300-1) 그리고 제1기판 지지부재(200-1)는 제1회전 베이스(900-1)와 함께 공정 처리 위치(도 5에 표시된 제1상태)에서 정비 위치(도 8에 표시된 제2상태)로 이동된다. 제2처리 용기(100-2)와 제2노즐 부재(300-2) 그리고 제2기판 지지부재(200-2)는 제2회전 베이스(900-2)와 함께 공정 처리 위치(도 5에 표시된 제1상태)에서 정비 위치(도 8에 표시된 제2상태)로 이동된다.

처리 용기와 기판 지지부재에 대한 설명은 제1회전 베이스에 설치된 제1처리용기와 제1기판 지지부재를 예를 들어 설명한다.

도 7은 제1처리 용기와 제1기판 지지부재를 보여주는 단면도이다.

도 7을 참조하면, 제1처리 용기(100-1)는 제1회전 베이스(900-1)에 설치된다. 제1처리 용기(100-1)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 제1처리 용기(100-1)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다.

제1처리 용기(100-1)는 제1기판 지지부재(200-1) 주위를 둘러싸도록 설치된다. 제1처리 용기(100-1)는 기판(w)의 현상 및 세정 그리고 건조 공정이 진행되는 동안 회전되는 기판(w)상에서 비산되는 유체(현상액, 세정액, 건조가스 등)를 유입 및 모으기 위한 것이다. 이것에 의해 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 현상액 회수 및 기판 상부의 균일한 기류 흐름을 제공한다.

제1처리 용기(100-1)는 외측 공간(a)과 내측 공간(b)을 갖는다. 외측 공간(a)은 기판(w)으로부터 비산되는 현상액과 기체가 유입되는 공간으로 외측벽(132)과 수직격벽(134)에 의해 제공되며, 그 바닥면(136)에는 현상액을 드레인하기 위한 드레인 포트(150)가 형성된다. 그리고 제1처리 용기(100-1)의 내측 공간 바닥면에는 기체 배기를 위한 배기 포트(142)가 형성된다. 처리 용기의 배기 포트(142)에는 기체의 강제 배기가 이루어지도록 배기 라인(152)이 연결된다.

한편, 제1처리 용기(100-1)의 외측벽(132)에는 승강 가능한 환형의 커버(160)가 설치된다. 커버(160)는 기판(w)을 스핀 헤드(210) 상으로 반입하거나, 처리가 끝난 기판을 반출할 수 있도록 승강유닛(미도시됨)에 의해 승강된다. 커버(160)는 승강유닛(미도시됨)에 의해 기판보다 높은 업 위치와, 기판보다 낮은 다운 위치로 승강된다.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 제1처리 용기(100-1)를 수직 이동시켜 제1처리 용기(100-1)와 제1기판 지지부재(200-1) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 제1기판 지지부재(200-1)를 수직 이동시켜 제1처리 용기(100-1)와 제1기판 지지부재(200-1) 간의 상대적인 수직 위치를 변 경시킬 수도 있다.

제1기판 지지 부재(200-1)는 제1처리 용기(100-1)의 내측에 설치된다. 제1기판 지지 부재(200-1)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(240)에 의해 회전될 수 있다. 제1기판 지지부재(200-1)는 기판(w)이 놓여지는 평평한 상부면을 가지는 스핀 헤드(210)를 가진다. 스핀 헤드(210)는 기판이 원심력에 의해 스핀 헤드(210)로부터 이탈되지 않도록 내부에 형성된 진공라인(미도시됨)을 통해 기판을 직접 진공 흡착할 수 있다. 상술한 구조와 달리 제1기판 지지부재(200-1)는 스핀 헤드(210)에 설치되는 척킹핀들을 통해 기판의 측면으로부터 기판의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정할 수 있다. 스핀헤드(210)의 하부면에는 스핀들(220)이 고정 결합되며, 스핀들(220)은 구동기(240)에 의해 회전 가능하게 제공된다. 도시하지 않았지만, 구동기(240)는 회전력을 제공하기 위한 모터, 벨트 및 풀리 등을 구비한다.

제1노즐 부재(300-1)는 제1처리 용기(100-1)의 외측에 위치된다. 제1노즐 부재(300-1)는 기판(w)을 현상, 세정 그리고 건조하기 위한 처리유체를 제1기판 지지부재(200-1)에 고정된 기판(w)으로 공급한다.

도 8은 제1,2처리용기가 정비를 위해 챔버로부터 인출된 상태를 보여주는 도면이다.

스핀 유닛(80)의 내부 정비 작업을 위해서는 먼저, 챔버(82)의 개방면(85)에 설치된 커버(86)를 분리하고, 제1회전 베이스(900-1)와 제2회전 베이스(900-2)를 제1,2힌지축(910,920)을 중심으로 개방면 방향으로 잡아 당기면 제1,2회전 베이 스(900-1,900-2)가 제1,2힌지축(910,920)을 중심으로 챔버(82) 밖으로 인출된다. 이때, 제1처리 용기(100-1)와 제2처리 용기(100-2)도 함께 이동하여 챔버(82) 밖에 위치하게 된다. 이렇게, 양쪽에 배치된 제1처리 용기(100-1)와 제2처리 용기(100-2)가 제1,2회전 베이스(900-1,900-2)와 함께 챔버(82) 밖으로 인출됨으로써, 작업자는 제1,2회전 베이스(900-1,900-2)에 설치된 구성들 뿐만 아니라 고정 베이스(00-3)에 설치된 구성들의 정비(세정 및 보수) 작업에도 충분한 공간이 확보될 수 있는 것이다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 구성도이다.

도 2는 도 1의 장치에서 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다.

도 3은 도 2의 처리부에서 제 1 처리실의 평면도이다.

도 4는 도 2의 처리부에서 제 2 처리실의 평면도이다.

도 5 및 도 6은 스핀 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도 및 측면 구성도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

82 : 챔버 100 : 처리 용기

200 : 기판 지지부재 300 : 노즐 부재

90 : 베이스

Claims

삭제
기판 처리 장치에 있어서:

내부 공간을 갖는 챔버;

상기 챔버의 내부 공간에 힌지축 구조로 결합되고, 상기 힌지축을 중심으로 회전운동하여 상기 챔버의 일면을 통해 인출 가능한 처리 유닛을 포함하되;

상기 처리 유닛은

기판이 놓여지는 스핀 헤드를 포함하는 기판지지부재;

상기 스핀 헤드 주위를 감싸도록 설치되어 기판상에서 비산되는 처리유체를 회수하는 처리용기; 및

상기 처리용기를 지지하는 그리고 상기 힌지축이 결합되어 상기 힌지축을 중심으로 회전되는 회전 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
기판 처리 장치에 있어서:

커버에 의해 개방되는 개방면을 갖는 챔버;

상기 챔버의 내부에 설치되는 베이스;

상기 개방면을 따라 상기 베이스에 일렬로 설치되는 제1 내지 제3처리 용기 를 포함하되;

상기 베이스는

상기 제1처리용기가 설치되고 제1힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제1회전 베이스;

상기 제3처리용기가 설치되고 제2힌지축을 중심으로 회전운동되어 상기 챔버의 개방면을 통해 인출되는 제2회전 베이스;

상기 제1회전 베이스와 상기 제2회전 베이스 사이에 제공되며 상기 제2처리용기가 설치된 고정 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 제1회전 베이스와 상기 고정 베이스의 경계면은

상기 제1회전 베이스의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 제2회전 베이스와 상기 고정 베이스의 경계면은

상기 제2회전 베이스의 회전운동시 상호 충돌 방지를 위해 호형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 제1힌지축과 상기 제2회전축은

상기 개방면에 가깝게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
기판 처리 장치에 있어서:

기판 출입구를 갖는 제1면, 상기 제1면과 마주하고 개방면을 갖는 제2면 그리고 상기 제1면과 상기 제2면을 연결하는 제3,4면을 갖는 챔버;

상기 챔버의 제2면과 제3면이 만나는 모서리에 인접하게 설치된 제1힌지축을 중심으로 상기 제2면의 개방면으로 인출 가능한 제1회전 베이스;

상기 챔버의 제2면과 제4면이 만나는 모서리에 인접하게 설치된 제2힌지축을 중심으로 상기 제2면의 개방면으로 인출 가능한 제2회전 베이스; 및

상기 제1회전 베이스와 상기 제2회전 베이스 사이에 제공되는 고정 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 제1회전 베이스, 상기 제2회전 베이스 그리고 상기 고정 베이스 각각에는 처리 용기가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 제1회전 베이스는

상기 고정 베이스와 인접한 측면이 호 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 제2회전 베이스는 상기 고정 베이스와 인접한 측면이 호 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.