CN100565343C - 涂敷、显影装置及其方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种涂敷、显影装置及其方法，通过层叠而设置抗蚀剂膜形成用单位块、和反射防止膜形成用单位块，在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜时，实现空间节省化。再者，不管是不是在形成反射防止膜的情况下，都可以应对，可以实现这时软件的简易化。在处理块(S2)上，相互层叠而设置作为涂敷膜形成用单位块的TCT层(B3)、COT层(B4)、BCT层(B5)和作为显影处理用的单位块的DEV层(B1、B2)。不管是不是在形成反射防止膜的情况下，通过在TCT层(B3)、COT层(B4)、BCT层(B5)内选择使用的单位块都可以应对，可以抑制这时的运送程序的复杂化，并实现软件的简易化。

Description

涂敷、显影装置及其方法

技术领域

本发明涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液等的涂敷处理和曝光后的显影处理等的涂敷、显影装置和涂敷、显影方法。

背景技术

在半导体设备和LCD基板的制造工序中，由称为光刻法的技术对基板进行抗蚀剂图形的形成。该技术由以下一连串的工序进行：通过在例如半导体晶片(以下称为晶片)等基板上涂敷抗蚀剂液并在该晶片表面形成液膜，使用光掩模使该抗蚀剂膜曝光后，进行显影处理，来获得所希望的图形。

一般在进行抗蚀剂液的涂敷和显影的涂敷、显影装置上，使用连接有曝光装置的抗蚀剂图形形成装置进行这样的处理。作为这样的装置，已知的是例如专利文献1所示的构成，在该装置中，例如如图23所示，收纳有多片晶片W的承载体10被运入承载块1A的承载台11，承载体10内的晶片由交接臂12交接至处理块1B。然后运送至处理块1B内的涂敷组件13A，涂敷抗蚀剂液，接下来经由接口块1C运送至曝光装置1D。

曝光处理后的晶片，再次返回至处理块1B，并在显影组件13B中进行显影处理，然后返回至原来的承载体10内。图中14(14a～14c)为具备用于在涂敷组件13A和显影组件13B的处理前后对晶片进行规定的加热处理和冷却处理的加热组件、冷却组件、和交接台等的搁板组件。在此晶片W，由设在处理块1B上的2个运送机构15A、15B，在涂敷组件13A、显影组件13B和搁板组件14a～14c的各部分等在处理块1B内放置有晶片W的模块间运送。这时，对晶片W实施上述处理时，根据预先分别确定了在什么时刻运送至哪个模块的运送计划，运送处理预定的全部晶片W。

另外，根据目标抗蚀剂膜的种类，在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜的情况；只在抗蚀剂膜的上方或下方形成反射防止膜的情况；和只形成抗蚀剂膜而不形成反射防止膜的情况等而涂敷的方式不同，因此有时由于批量不同而用于所需的涂敷组件、加热组件、和冷却组件等涂敷膜形成的组件的处理条件不同。在这种情况下，在这些涂敷组件、加热组件、和冷却组件设在相同的处理块内的构成中，由于根据目标抗蚀剂膜的种类而使用的组件不同，所以晶片的运送的路径不同，因此，必须针对每种抗蚀剂膜准备复杂的运送程序，依照上述运送计划制定的运送程序本来就很复杂，针对每种目标抗蚀剂膜准备运送程序会成为非常烦杂的作业，不现实。

再者，在涂敷组件、加热组件、和冷却组件设在相同的处理块内的构成中，组装入一个处理块中的组件数较多，处理块大型化，占有面积增大。进而，近年来，曝光装置的生产量提高，在涂敷、显影装置中也追求与曝光装置的生产量一致的处理能力。但是存在高产化困难的问题，这是由于，对用于作为曝光前处理的抗蚀剂形成的组件和用于反射防止膜形成的组件的晶片W的运送、和对用于进行作为曝光后处理的显影的组件的晶片W的运送，用共同的运送系统进行。

因此本发明的发明者们探讨通过把收纳曝光处理前模块的区域和收纳曝光处理后模块的区域上下配置，并在各个区域分别设置运送机构，而减小运送机构的负荷，提高运送效率，由此来提高涂敷、显影装置的生产量，并获得运送自由度高的多层化系统。

在专利文献2中记载了这样把进行涂敷处理的区域和进行显影处理的区域分别上下配置，并在各个区域设置运送机构的构成，但是关于提高运送效率和运送自由度这点，在专利文献2中没有任何公开。

专利文献1：特开2004-193597号公报

专利文献2：特许第3337677号公报

发明内容

本发明是基于这样的问题作成的，其目的在于提供一种在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜时，可以实现空间节省化，再者基板的运送自由度较大，可获得较高运送效率的技术。进而，另一目的在于提供一种在不管是不是涂敷反射防止膜的情况下都可以应对且可以实现软件简易化的技术。

因此，本发明的涂敷、显影装置，把由承载体运入承载块中的基板交接至处理块，在该处理块中形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，经由接口块运送至曝光装置，经由上述接口块返回来的曝光后的基板在上述处理块中进行显影处理并交接至上述承载块，其特征在于，

(a)上述处理块，具备相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，

(b)上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块分别为用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块、和用于在基板上涂敷反射防止膜用药液的单位块，

(c)上述各单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；和在这些组件之间运送基板的单位块用的运送机构。再者，上述各单位块可以具备冷却基板的冷却组件。

在此，在上述涂敷、显影装置中，可以具备：运送方法(recipe)，对每个单位块指定该单位块内的基板的运送路线；和在包括以下模式的模式组中选择运送基板的模式的模式选择机构，这些模式有：向全部单位块运送基板的模式；把基板运送至用于涂敷抗蚀剂液的单位块、用于在涂敷抗蚀剂液之前涂敷反射防止膜用药液的单位块、和进行显影处理的单位块上的模式；把基板运送至用于涂敷抗蚀剂液的单位块、用于在涂敷了抗蚀剂液后涂敷反射防止膜用药液的单位块、和进行显影处理的单位块上的模式，由模式选择机构选择运送基板的单位块，并且选择在选定的单位块中使用的运送方法来进行处理。

再者，在上述涂敷、显影装置中，可以构成为具备：第1交接台组，把设在每个单位块上承载块侧且在各单位块的运送机构之间进行基板交接的第1交接台层叠而构成；第2交接台组，把设在每个单位块上接口块侧且在各单位块的运送机构之间进行基板交接的第2交接台层叠而构成；第1基板交接机构，用于在上述第1交接台彼此之间进行基板交接；第2基板交接机构，用于在上述第2交接台彼此之间进行基板交接，且与第1基板交接机构分开设置。这时，第1交接台组可以包含用于在承载块和处理块之间进行基板交接的承载块用交接台，第2交接台组可以包含用于在接口块和处理块之间进行基板交接的接口块用交接台。

再者，设在上述涂敷膜形成用的单位块中的液体处理组件，最好构成为具备多个基板保持部，设在共用的处理容器内，且为了分别保持多个基板而沿横向排列；和共用的药液喷嘴，设在上述处理容器内，且对保持在多个基板保持部上的基板涂敷药液。

进而在本发明中可以构成为，在处理块和接口块之间，设置具备进行涂敷膜形成后曝光处理前和/或曝光处理后显影处理前以及显影处理后的、某一处理的组件的辅助块，这种情况下，设在上述辅助块中的组件可以为至少一个以下装置：用于检查形成在基板上的涂敷膜的膜厚的膜厚检查组件；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗组件；用于检测在曝光装置中产生的图形的位置错开的散焦检查装置；用于检测抗蚀剂液的涂敷不均的涂敷不均检测装置；用于检测显影处理不良的显影不良检测装置；用于检测附着在基板上的微粒数的微粒数检测装置；用于检测在抗蚀剂涂敷后的基板上产生的毛刺(comet)的毛刺检测装置；回溅(splash back)检测装置；用于检测基板表面缺陷的缺陷检测装置；用于检测残留在显影处理后的基板上的抗蚀剂残渣的浮渣(scum)检测装置；用于检测抗蚀剂涂敷处理和/或显影处理的问题的问题检测装置；用于测定基板上形成的抗蚀剂膜的线宽的线宽测定装置；和用于检查曝光后的基板和光掩模的重合精度的重合检查装置，上述曝光装置在基板表面形成液层来进行液浸曝光时，设在上述辅助块上的组件可以为清洗上述液浸曝光后的基板的清洗组件。

在此，在上述涂敷、显影装置中，在上述相互层叠的多个涂敷膜形成用单位块之间，上述液体处理组件、加热组件、冷却组件和运送机构的配置布局最好构成为相同。

再者，上述曝光装置为在基板表面形成液层进行液浸曝光的装置，设在上述辅助块上的组件可以为用于在上述抗蚀剂膜上方形成防水性保护膜的保护膜涂敷组件，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，设在上述辅助块上的组件可以为用于去除上述防水性保护膜的保护膜去除组件。再者，保护膜去除组件可以设置在显影处理用的单位块上。进而，上述曝光装置，为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，可以把清洗上述液浸曝光(immersion exposure)后的基板的清洗组件设置在接口块上。进而，可构成为在上述相互层叠的多个涂敷膜形成用单位块上，进而层叠设置用于相对于形成有抗蚀剂膜的基板、在上述抗蚀剂膜上方形成防水性保护膜的涂敷膜形成用单位块。

可以在上述第1交接台组中设置调温组件，用于载置形成涂敷膜之前的基板，并调节基板温度至对基板进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理的温度；可以在第2交接台组中设置调温组件，用于载置形成涂敷膜之前的基板，并调节基板温度至对基板进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理的温度。

该调温组件例如具备载置由加热组件加热的基板且把基板的温度粗调至第1温度的第1调温板；和载置基板进而精密调节基板温度的第2调温板。

在这样的涂敷、显影装置中，实施包括以下工序的涂敷、显影方法：在涂敷膜形成用单位块中，在基板上形成第1反射防止膜的工序；接下来在与进行上述第1反射防止膜形成的单位块不同的层上设置的涂敷膜形成用单位块中，在形成于上述基板表面的第1反射防止膜上涂敷抗蚀剂液的工序；接下来在与进行上述抗蚀剂液涂敷的单位块不同的层上设置的涂敷膜形成用单位块中，在涂敷于上述基板表面的抗蚀剂液上形成第2反射防止膜的工序；和接下来在与上述多个涂敷膜形成用单位块不同的层上设置的显影处理用单位块中，对形成有上述抗蚀剂膜的曝光后的基板进行显影处理的工序。

再者，实施以包括下述工序为特征的涂敷、显影方法，在以下模式间选择模式的工序：向全部涂敷膜形成用单位块运送基板的模式、把基板运送至用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块和用于在涂敷抗蚀剂液之前涂敷反射防止膜用药液的单位块上的模式、和把基板运送至用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块和用于在涂敷抗蚀剂液后涂敷反射防止膜用药液的单位块上的模式；接下来基于选定的模式，依次把基板运送至使用的涂敷膜形成用单位块上，并在基板上形成涂敷膜的工序；和接下来在与上述多个涂敷膜形成用单位块不同的层上设置的显影处理用单位块中，对形成有上述涂敷膜的曝光后的基板进行显影处理的工序。

在如上所述的本发明中，作为多个涂敷膜形成用单位块，由于相互层叠地设置用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块、和用于在基板上涂敷反射防止膜用药液的单位块，所以即使在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜的情况下，也可以减小处理块的占有面积，并实现空间节省化。

再者，通过选择使用的涂敷膜形成用单位块，不管是不是在涂敷反射防止膜的情况下，都可以应对。这时由于单位块内基板的运送路线相同，所以即使用1台涂敷、显影装置形成不同的涂覆膜的情况下，也可以抑制运送程序的烦杂化，还可以实现软件的简易化。

进而，由于用第1和第2基板交接机构在层叠的各单位块之间进行基板的运送，所以可以使用任一基板交接机构向下一层的单位块运送在各涂敷膜形成用单位块进行了各涂敷处理的基板，运送的自由度变大。再者通过由2个基板交接机构在各单位块间进行基板的运送，基板交接机构的负荷被分担，运送效率上升，可以提高生产量。进而，由于设置可以访问全部单位块的专用基板交接机构，并由该基板交接机构进行和不同层单位块的基板的交接，所以运送系统的构成单纯化，且易于实现运送程序的简易化。

进而根据本发明的其他发明，由于把用于在基板上涂敷药液的多个涂敷部收纳在共用的处理容器内，所以可以使处理气氛相同，实现调温系统和药液供给喷嘴等的共用化。

附图说明

图1是表示本发明的涂敷、显影装置实施方式的俯视图。

图2是表示上述涂敷、显影装置的立体图。

图3是表示上述涂敷、显影装置的侧部剖视图。

图4是表示上述涂敷、显影装置中涂敷组件、搁板组件和运送机构的立体图。

图5是表示从运送区域侧观察上述涂敷、显影装置中的搁板组件的主视图。

图6是表示上述涂敷、显影装置中接口块的侧部剖视图。

图7是表示上述涂敷、显影装置中各单位块的侧部剖视图。

图8是表示上述涂敷、显影装置中接口臂的一个例子的立体图。

图9是表示上述涂敷、显影装置中涂敷组件的俯视图和纵剖视图。

图10是表示上述涂敷、显影装置的另一个实施方式的一个例子的俯视图。

图11是表示上述涂敷、显影装置的进而又一个实施方式的一个例子的俯视图。

图12是表示上述涂敷、显影装置的侧剖视图。

图13是从接口块侧观察上述涂敷、显影装置中辅助块的剖视图。

图14是表示上述涂敷、显影装置中保护膜去除组件的一个例子的纵剖视图和俯视图。

图15是表示在上述涂敷、显影装置中的清洗组件中进行的清洗方法的一个例子的工序图。

图16是表示在上述涂敷、显影装置中的清洗组件中进行的清洗方法的一个例子的工序图。

图17是表示上述涂敷、显影装置的进而又一个实施方式的一个例子的俯视图。

图18是表示上述涂敷、显影装置的侧剖视图。

图19是从接口块侧观察上述涂敷、显影装置中处理块的剖视图。

图20是表示上述涂敷、显影装置中调温组件的一个例子的纵剖视图。

图21是表示上述涂敷、显影装置中调温组件的一个例子的俯视图和立体图。

图22是表示在上述涂敷、显影装置上设置有上述调温组件的情况的布局的一个例子的侧部剖视图。

图23是表示现有的涂敷、显影装置的俯视图。

具体实施方式

以下，说明本发明的涂敷、显影装置的第1实施方式。图1是表示将本发明的涂敷、显影装置使用于抗蚀剂图形形成装置的情况的一个实施方式的俯视图，图2是上述涂敷、显影装置的概略立体图，图3是上述涂敷、显影装置的概略侧视图。该装置具备：用于运入运出密闭收纳有例如13片作为基板的晶片W的承载体20的承载块S1；纵向排列多个例如5个单位块B1～B5而构成的处理块S2；接口块S3和曝光装置S4。

在上述承载块S1上，设置：可以载置多个上述承载体20的载置台21；从该载置台21看设在前方壁面上的开闭部22；和用于经由开闭部22将晶片W从承载体20取出的传送臂C。该传送臂C构成为，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、在承载体20的排列方向移动自如，以便在后述的单位块B1的交接台TRS1、2、-F之间进行晶片W的交接。

在承载块S1的内侧连接有被筐体24包围周围的处理块S2。处理块S2在该例中从下方侧分为，下段侧的2级为用于进行显影处理的第1和第2单位块(DEV层)B1、B2，用于进行在抗蚀剂膜的上层侧形成的反射防止膜(以下称为“第2反射防止膜”)的形成处理的第3单位块(TCT层)B3；用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第4单位块(COT层)B4；和用于进行形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜(以下称为“第1反射防止膜”)的形成处理的第5单位块(BCT层)B5。在此，上述DEV层B1、B2相当于显影处理用的单位块，TCT层B3、COT层B4和BCT层B5相当于涂敷膜形成用的单位块。

接下来，关于第1～第5单位块(B1～B5)的构成进行说明。这些各单位块B1～B5具备：用于对晶片W涂敷药液的液体处理组件；和用于进行在上述液体处理组件中进行的处理的前处理和后处理的各种加热·冷却类的处理组件；和作为用于在上述液体处理组件和加热·冷却类的处理组件之间进行晶片W的交接的专用运送机构A的主臂部A1～A5。

这些单位块B1～B5，在该例中，在各单位块B1～B5之间，上述液体处理组件、加热·冷却类处理组件、和运送机构A的配置布局同样地形成。在此所谓的配置布局相同是指各处理组件中载置晶片W的中心即液体处理组件中的后述的旋转卡盘的中心、和加热组件及冷却组件中的加热板或冷却板的中心相同。

首先以图1所示的COT层B4为例进行以下说明。在该COT层B4的大致中央，沿COT层B4的长度方向(图中Y轴方向)形成用于连接承载块S1和接口块S3的晶片W的运送区域R1。

在从该运送区域R1的承载块S1侧观察的两侧，在从近前侧(承载块S1侧)朝向内侧的右侧，设置有具备用于进行抗蚀剂涂敷处理的多个涂敷部的涂敷组件31作为上述液体处理组件。各单位块构成为，在从近前侧朝向内侧的左侧，依次设置有将加热·冷却类组件多层化的4个搁板组件U1、U2、U3、U4，层叠多层例如2层用于进行在涂敷组件31中进行的处理的前处理和后处理的各种组件。这样，上述运送区域R1被分割，通过例如向该分割的运送区域R1喷出清洁空气进行排气，来抑制该区域内的微粒的浮游。

用于进行上述前处理和后处理的各种组件中，例如如图4和图5所示，包含：用于在抗蚀剂液涂敷前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL4)；用于在抗蚀剂液涂敷后进行晶片W的加热处理的例如称为预烘焙组件等的加热组件(CHP4)；用于提高抗蚀剂液和晶片W的密贴性的疏水化处理组件(ADH)；和用于只选择晶片W的缘部进行曝光的周缘曝光装置(WEE)等。再者，冷却组件(COL4)和加热组件(CHP4)等各处理组件，分别收纳在处理容器51内，搁板组件U1～U4构成为上述处理容器51分别层叠为2级，在各处理容器51的朝向运送区域R1的表面上形成晶片运入运出口52。此外，上述疏水化处理组件在HMDS气氛中进行气体处理，可以设在涂覆膜形成用的单位块B3～B5的某一个上。

在上述运送区域R1上设置上述主臂部A4。该主臂部A4构成为在该COT层B4内的全部模块(放置晶片W的位置)，例如搁板组件U1～U4的各处理组件、涂敷组件31、后述的搁板组件U5和搁板组件U6各部分之间进行晶片的交接，因此构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、沿Y轴方向移动自如。

再者，运送区域R1与承载块S1邻接的区域，成为第1晶片交接区域R2。在该区域R2中，如图1和图3所示，在传送臂C和主臂部A4可以访问的位置设置搁板组件，并且具备成为用于对该搁板组件U5进行晶片W的交接的第1基板交接机构的第1交接臂D。

如图3所示，在该例中各单位块B1～B5，具备1个以上例如2个第1交接台TRS1～TRS5，由此构成多级层叠有第1交接台的第1交接台组，以便使上述搁板组件U5在各单位块B1～B5的主臂部A1～A5之间进行晶片W的交接。再者第1交接臂D1构成为进退自如和升降自如，以便可以向各第1交接台TRS1～TRS5进行晶片W的交接。再者，上述第1和第2单位块B1、B2的第1交接台TRS1、TRS2在该例中构成为在其与传送臂C之间可以进行晶片W的交接，相当于承载块用交接台。进而，在该例中，第2单位块B2具备例如2个交接台TRS-F作为第1交接台，该交接台TRS-F，作为用于由传送臂C将晶片W运入处理块S2中的专用交接台使用。该交接台TRS-F也相当于承载块用交接台，可以设置在第1单位块B1上，也可以不另外设置该交接台TRS-F，在将晶片W从传送臂C运入处理块S2中时，使用交接台TRS1和TRS2进行。

进而，运送区域R1的与接口块S3邻接的区域成为第2晶片交接区域R3，如图1所示，在该区域R3中，在主臂部A4可以访问的位置设置搁板组件U6，并且具备用于向该搁板组件U6进行晶片W交接的成为第2基板交接机构的第2交接臂D2。

在该例中，如图3和图6所示，各单位块B1～B5具备1个以上例如2个第2交接台TRS6～TRS10，以便使该搁板组件U6在各单位块B1～B5的主臂部A1～A5之间进行晶片W的交接，由此构成层叠有多级第2交接台的第2交接台组。第2交接臂D2构成为进退自如和升降自如，以便可以向各第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接。由此在本实施方式中构成为，可以利用上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，可以分别经由第1交接台TRS1～TRS5、TRS-F和第2个交接台TRS6～TRS10，在层叠为5级的各单位块B1～B5之间自由进行晶片W的交接。

接下来用图5和图7简单说明其他单位块B。在此图5是从运送区域R1侧观察搁板组件U1～U4的图。DEV层B1、B2同样地构成，除了设置用于对晶片W进行显影处理的显影组件32作为液体处理组件，并在搁板组件U1～U4上具备：对曝光后的晶片W进行加热处理的称为曝光后烘焙组件等的加热组件(PEB1、PEB2)；用于在该加热组件(PEB1、PEB2)中的处理后将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL1、COL2)；和为了蒸发显影处理后的晶片W的水分进行加热处理的称为后烘焙组件等的加热组件(POST1、POST2)以外，与COT层B4同样构成。

另外在这些DEV层B1、B2中，分别由主臂部A1、A2分别向第1交接台TRS1、TRS2、TRS-F；第2交接台TRS6、TRS7；显影组件32；和搁板组件U1～U4的各处理组件进行晶片W的交接。

再者，TCT层B3，除了作为液体处理组件，设置用于对晶片W进行第2反射防止膜形成处理的第2反射防止膜形成组件33，并在搁板组件U1～U4上具备：用于在反射防止膜形成处理前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL3)；和加热处理反射防止膜形成处理后的晶片W的加热组件(CHP3)以外，与COT层B4同样构成。另外，在该TCT层B3中，由主臂部A3对第1交接台TRS3、第2交接台TRS8、第2反射防止膜形成组件33、和搁板组件U1～U4的各处理组件进行晶片W的交接。

另外，BCT层B5，除了作为液体处理组件，设置用于对晶片W进行第1反射防止膜形成处理的第1反射防止膜形成组件34，在搁板组件U1～U4上具备：用于在反射防止膜形成处理前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL5)；和加热处理反射防止膜形成处理后的晶片W的加热组件(CHP5)，而且不具备周缘曝光装置(WEE)以外，与COT层B4构成相同。另外，在该第5单位块B5中，由主臂部A5对第1交接台TRS5、第2交接台TRS10、第1反射防止膜形成组件34、和搁板组件U1～U4的各处理组件进行晶片W的交接。

在此，作为上述加热组件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)，如图1所示，使用如下构成的装置：具备加热板53、和兼用作运送臂的冷却板54，利用冷却板54进行在主臂部A4和加热板53之间的晶片W的交接，在一个组件中可以进行加热冷却，作为冷却组件(COL1～5)，使用具备例如水冷方式的冷却板。再者，上述加热组件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)的冷却板54相当于本发明的冷却组件。

此外，图5为表示这些处理组件的布局的一个例子的图，该布局比较方便，处理组件不限于加热组件(CHP、PEB、POST)、冷却组件(COL)、疏水化处理组件(ADH)、和周缘曝光装置(WEE)，也可以设置其他处理组件，在实际的装置中，考虑各处理组件的处理时间等来确定组件的设置数量。

另一方面，在处理块S2中的搁板组件U6的内侧，经由接口块S3连接有曝光装置S4。在接口块S3中，具备用于向处理块S2的搁板组件U6和曝光装置S4进行晶片W的交接的接口臂B。该接口臂B，成为夹在处理块S2和曝光装置S4之间的晶片W的运送机构，在该例中，构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如，以便向第1～第4单位块B1～B4的第2交接台TRS6～TRS9进行晶片W的交接，在该例中，第2交接台TRS6～TRS9相当于接口块用交接台。

再者，上述接口臂B可以构成为向全部单位块B1～B5的第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接，在这种情况下，第2交接台TRS6～TRS10相当于接口块用交接台。

接下来简单说明主臂部A(A1～A5)、第1和第2交接臂D1、D2、接口臂B、液体处理组件的构成。首先，主臂部A，例如如图4所示，具备用于支承晶片W的内面侧周缘区域的2个臂部101、102，这些臂部101、102相互独立地构成为沿基台103进退自如。再者，基台103构成为借助旋转机构104绕铅直轴旋转自如，并且由移动机构105沿Y轴轨道107在Y轴方向移动自如，并且沿升降轨道108升降自如，所述Y轴轨道安装在支承搁板组件U1～U4的台部106朝向运送区域R1的表面上。这样，臂部101、102构成为进退自如，沿Y轴方向移动自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板组件U1～U6的各组件和第1及第2交接台TRS1～TRS10与液体处理组件之间进行晶片W的交接。这样的主臂部A基于来自后述的控制部6的指令由未图示的控制器控制驱动。再者，为了防止臂部在加热组件的蓄热，可以由程序任意控制晶片W的接受顺序。

再者，上述接口臂B，例如如图8所示，沿基台202进退自如地设置有具备用于支承晶片W的内面侧中央区域的1个臂部201。上述基台202由旋转机构204绕铅直轴旋转自如地安装在升降台203上，并设置为沿升降轨道205升降自如。这样，臂部201构成为进退自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板组件U6的第2交接台TRS6～TRS9之间进行晶片W的交接。

上述第1和第2交接臂D1、D2，也除不绕铅直轴旋转以外，与接口臂B的构成一样。这样的第1和第2交接臂D1、D2和接口臂B基于来自后述的控制部6的指令由未图示的控制器控制驱动。

接下来，关于涂敷组件31，利用图9进行简单说明。在该例中，3个涂敷部301、302、303收纳在共用的处理容器300内部，以横向(Y轴方向)排列而分别朝向运送区域R1的状态设置在共用的基座304上。

由于这些涂敷部301、302、303具有相同的构成，所以以涂敷部301为例进行说明，图中305为成为基板保持部的旋转卡盘，构成为由真空吸附将晶片W保持为水平。该旋转卡盘305由驱动部306可以绕铅直轴旋转和升降。再者，在旋转卡盘305的周围设置包围从晶片W到旋转卡盘305的侧部的杯部307，在该杯部307的底面设置包含排气管和排液管等的排液部308。图中309是用于向保持在旋转卡盘305上的晶片W的周缘部供给漂洗液的侧漂洗机构，构成为升降自如和绕铅直轴旋转自如。

再者，图中310是用于向3个涂敷部301、302、303供给涂敷液的共用的供给喷嘴(药液喷嘴)，该供给喷嘴310构成为借助移动机构312沿着沿处理容器300的长度方向(Y方向)设置的导轨311，从一端侧的涂敷部301的杯部307的外侧自由移动至另一端侧的涂敷部303的杯部307的外侧，并且升降自如。由此，在该例中，利用供给喷嘴310，将抗蚀剂液供给至保持在各涂敷部301～303的旋转卡盘305上的晶片W的大致中央区域。图中313是设置在另一端侧的涂敷部303的外侧的供给喷嘴310的待机区域。

图中314是安装在处理容器300的顶板部上的过滤器组件，315是设置在处理容器300的底面上的排气部，通过从排气部以规定的排气量排气，并且从过滤器组件314供给规定流量的调节了温度和湿度的清洁气体，而在处理容器300内形成清洁气体的下流，设定为比主臂部A4的运送区域R1更靠近正压力一侧。图中316是在处理容器300朝向运送区域R1的表面上形成的晶片W运入运出口，并设有开闭门。

在该涂敷组件31中，由主臂部A4将晶片W经由运入运出口316运入处理容器300内，并交接至预先确定的涂敷部301、302、303的某一个旋转卡盘305。另外从供给喷嘴310向该晶片W的中央部供给抗蚀剂液，并使旋转卡盘305旋转，由离心力使抗蚀剂液向晶片W的径向扩散，在晶片W表面形成抗蚀剂的液膜。这样形成有抗蚀剂液膜的晶片W经由运入运出口316由主臂部A4运送至涂敷组件31的外部。

在这样的涂敷组件31中，由于3个涂敷部301～303设置在共用的处理容器300的内部，所以处理气氛相同。因此可以使供给喷嘴310共用化，并可以由一个供给喷嘴310向3个涂敷部301～303供给抗蚀剂液，因此与在各涂敷部301～303上分别设置处理容器300和供给喷嘴310的情况相比，可以减少总共的部件个数和占有面积。

进而，由于处理气氛相同，所以关于进行形成下流的空气的供给和该空气的排出的机构也可以共用化，所以从这点考虑也对可减少部件个数和占有面积较有效。再者，由于涂敷部301～303配置在共用的气氛内，所以在各涂敷部301～303中始终可以在相同的气氛内进行抗蚀剂液的涂敷，可以更均匀地进行被气氛影响的抗蚀剂液的涂敷处理。

再者，由于3个涂敷部301～303设置在共用的基座304上，所以在进行对旋转卡盘305和主臂部A4的臂部101、102的高度调节时，对1个涂敷部301～303进行即可。再者，由于构成为由共用的供给喷嘴310向各涂敷部301～303供给抗蚀剂液，所以关于各旋转卡盘305和供给喷嘴310的高度调节，也是对1个涂敷部301～303进行即可。因此，减少这些高度调节需要的功夫，再者缩短调节时间。

显影组件32除了沿着供给喷嘴310的长度方向形成显影液的供给区域，构成为沿晶片W的直径方向供给显影液，并具备清洗液喷嘴这几点以外，与涂敷组件31的构成大致相同，成为涂敷部的多个显影处理部收纳在共用的处理容器300内。清洗液喷嘴与供给喷嘴310同样构成，构成为由移动机构可以沿上述导轨311自由移动，并且升降自如，用于向保持在各涂敷部301～303的旋转卡盘305上的晶片W供给清洗液。

在这样的显影组件32中，由主臂部A1、A2，经由运入运出口316将晶片W运入处理容器300内，并将晶片W交接至预先确定的涂敷部(显影处理部)301、302、303的某一个旋转卡盘305上。另外，从供给喷嘴310向该晶片W的中央部分供给显影液，并且由旋转卡盘305例如使晶片W半旋转，由此将显影液供给至晶片W的整个表面。然后经过规定时间后，通过将清洗液从清洗液喷嘴供给至晶片W，洗掉晶片W表面的显影液，然后使晶片W旋转并干燥，来结束显影处理。

再者，在该显影组件32中，不另外设置清洗液喷嘴，而是设置与涂敷组件31的侧漂洗机构309相同构成且构成为升降自如、绕铅直轴旋转自如的清洗机构，由此，可以向保持在旋转卡盘305上的晶片W的中央部分供给清洗液。

上述第1反射防止膜形成组件33，用于在涂敷抗蚀剂液前在晶片W上涂敷反射防止膜用的药液，第2反射防止膜形成组件34，用于在涂敷了抗蚀剂液后在晶片W上涂敷反射防止膜用的药液，这些组件33、34，除了从供给喷嘴310供给反射防止膜用药液以外，分别与涂敷组件31构成相同。

在此，以在抗蚀剂膜上下分别形成反射防止膜的情况为例说明该抗蚀剂图形形成装置中的晶片W的路径。首先，从外部向承载块S1运入承载体20，利用传送臂C把晶片W从该承载体20内取出。为了把晶片W从传送臂C首先交接至第2单位块B2的搁板组件U5的第1交接台TRS-F，然后把晶片W交接至BCT层B5，而把晶片W由第1交接臂D1经由第1交接部TRS5交接至BCT层B5的主臂部A5。然后在BCT层B5中，由主臂部A5，以冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件34→加热组件(CHP5)→搁板组件U6的第2交接台TRS10的顺序运送晶片W，形成第1反射防止膜。

接下来，为了把晶片W交接至COT层B4，而由第2交接臂D2将第2交接台TRS10的晶片W运送至第2交接台TRS9，接下来，交接至该COT层B4的主臂部A4。另外，在COT层B4中，由主臂部A4，以疏水化处理组件(ADH)→冷却组件COL4→涂敷组件31→加热组件CHP4→第1交接台TRS4的顺序运送晶片W，在第1反射防止膜的上层形成抗蚀剂膜。

然后，为了把晶片W交接至TCT层B3，而由第1交接臂D将第1交接台TRS4的晶片W运送至第1交接台TRS3，然后交接至该TCT层B3的主臂部A3。另外，在TCT层B3中，由主臂部A3，以冷却组件(COL3)→第2反射防止膜形成组件33→加热组件(CHP3)→周缘曝光装置(WEE)→搁板组件U6的第2交接台TRS8的顺序运送晶片W，并在抗蚀剂膜的上层形成第2反射防止膜。

接下来由接口臂B把第2交接台TRS8的晶片W运送至曝光装置S4，并在这里进行规定的曝光处理。为了把晶片W交接至DEV层B1(DEV层B2)，曝光处理后的晶片W，由接口臂B运送至搁板组件U6的第2交接台TRS6(TRS7)，该台TRS6(TRS7)上的晶片W，被DEV层B1(DEV层B2)的主臂部A1(主臂部A2)接受，在该DEV层B1(B2)中，首先以加热组件(PEB1(PEB2))→冷却组件(COL1(COL2))→显影组件32→加热组件(POST1(POST2))的顺序运送，进行规定的显影处理。为了把晶片W交接至传送臂C，这样进行了显影处理的晶片W，被运送至第1交接台TRS1(TRS2)，并由传送臂C，返回至载置在承载块S1上的原来的承载体20。

在以上的说明中，上述抗蚀剂图形形成装置具备由计算机构成的控制部6，进行各处理组件的方法的管理、晶片W的运送流程(运送路线)的方法的管理、各处理组件中的处理、主臂部A1～A5、传送臂C、第1和第2交接臂D1、D2、接口臂B的驱动控制。在该控制部6中，使用单位块B1～B5运送基板，进行处理。

上述运送流程的方法指定单位块内的晶片W的运送路线(运送顺序)，根据在每个单位块B1～B5上形成的涂敷膜的种类制定，且由此针对每个单位块B1～B5的多个运送流程方法被存储在控制部6中。

再者，根据形成的涂覆膜，存在以下模式：向全部单位块B1～B5运送晶片W的模式；把晶片W运送至用于进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)、用于进行抗蚀剂液的涂敷的单位块(COT层B4)、和用于形成第1反射防止膜的单位块(BCT层B5)的模式；把晶片W运送至用于进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)、用于进行抗蚀剂液的涂敷的单位块(COT层B4)、和用于形成第2反射防止膜的单位块(TCT层B3)的模式；和只把晶片W运送至进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)的模式，通过由控制部6的模式选择机构根据欲形成的涂敷膜的种类，选择运送晶片W的单位块，并且通过针对每个选定的单位块从准备的多个运送流程方法中选择最合适的方法，来选择根据形成的涂敷膜使用的单位块，在该单位块中，控制各处理组件和臂部的驱动，进行一连串的处理。

在这样的抗蚀剂图形形成装置中，由于把各涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块设置在不同的区域，并在各个区域上分别设置专用的主臂部A，所以主臂部A的负荷降低。因此，由于主臂部A的运送效率提高，所以作为结果可以提高生产量。

再者，作为涂敷形成用的单位块，由于使以下单位块相互层叠来设置：用于形成抗蚀剂膜的专用单位块(COT层B4)、用于形成第1反射防止膜的专用单位块(BCT层B5)、用于形成第2反射防止膜的专用单位块(TCT层B3)，所以即使在抗蚀剂膜上下形成反射防止膜的情况下，也可以使处理块S2的占有面积和只形成抗蚀剂膜的情况相同，而实现空间节省化。

进而，作为涂敷膜形成用的单位块，由于如已经说明的那样，把COT层B4、BCT层B5和TCT层B3作为单独的单位块构成，所以在通过从DEV层B1、B2(或者DEV层B1、B2的某一个)、BCT层B5、COT层B4和TCT层B3中选择使用的单位块，不管是不是在形成反射防止膜的情况下，都可以应对。再者，这时由于使用的单位块的晶片W的运送路线相同，所以即使在1台涂敷、显影装置中对形成每个批量不同的涂覆膜的情况下，也可以抑制运送程序的烦杂化，采用简易的运送程序，而实现软件的简易化。

这时，使用哪个单位块B1～B5进行处理，如已经说明的那样，通过根据目标涂敷膜从存储在控制部6中的晶片W的运送目的地的单位块和每个单位块的晶片W的运送流程方法中，选择运送晶片的单位块和运送流程方法来确定。

即例如在不形成反射防止膜的处理中，只选择DEV层B1、B2和COT层B4，这种情况下，以承载体20→传送臂C→搁板组件U5的第1交接台TRS-F→第1交接臂D1→第1交接台TRS4→COT层B4的主臂部A4→疏水化处理组件(ADH)→冷却组件(COL4)→涂敷组件31→加热组件(CHP4)→搁板组件U6的第2交接台TRS9→接口臂B→曝光装置S4→接口臂B→第2交接台TRS6(TRS7)DEV层B1(B2)的路线进行运送。

再者，在只在抗蚀剂膜下部形成反射防止膜的情况下，只选择DEV层B1(B2)、BCT层B5和COT层B4，这种情况下，例如以承载体20→传送臂C→搁板组件U5的第1交接台TRS-F→第1交接臂D1→第1交接台TRS5→BCT层B5的主臂部A5→冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件34→加热组件(CHP5)→第2交接台TRS10→第2交接臂D2→第2交接台TRS9→COT层B4的主臂部A4→疏水化处理组件(ADH)→冷却组件(COL4)→涂敷组件31→加热组件(CHP4)→搁板组件U6的第2交接台TRS9→接口臂B→曝光装置S4→接口臂B→第2交接台TRS6(TRS7)→DEV层B1(B2)的路线进行运送。

进而，在只在抗蚀剂膜上部形成反射防止膜的情况下，只选择DEV层B1(B2)、COT层B4和TCT层B3，这种情况下，例如以承载体20→传送臂C→搁板组件U5的第1交接台TRS-F→第1交接臂D1→第1交接台TRS4→COT层B4的主臂部A4的顺序进行运送。COT层B4内的晶片W的运送路线和COT层B4以后的晶片W的运送路线与上述例子相同。

由于这样选择的各涂敷膜形成用的单位块(COT层B4、BCT层B5和TCT层B3)内的晶片W的运送路线相同，所以即使在形成不同的涂覆膜的情况下，只要选择使用的单位块，并把晶片W运送至该单位块即可，运送程序简单。

进而，在上述实施方式中，由于把用于向5层单位块B1～B5进行晶片W交接的接口臂和交接台设在处理块S2与承载块S1邻接的区域、和它与接口块S3邻接的区域两处，所以可以使用第1和第2交接臂D1、D2的任一个臂部把在各涂敷膜形成用的单位块B3～B5中处理的晶片W交接至下一层，晶片W的运送路线的自由度较大。

即、针对在上述抗蚀剂膜上下形成反射防止膜的情况，在BCT层B5形成了反射防止膜后，可以经由搁板组件U5的第1交接台TRS5由第1交接臂D1向COT层B4交接晶片W，也可以经由搁板组件U6的第2交接台TRS10由第2交接臂D2向COT层B4交接晶片W。

再者，由于运送路线的自由度较高，所以各单位块B1～B5的主臂部A1～A5与第1和第2交接臂D1、D2的运送程序的制定变得容易。进而，由于这样可以使用第1和第2交接臂D1、D2的任一个臂部把在各涂敷膜形成用的单位块B3～B5中处理的晶片W交接至下一层，所以1个交接臂D1、D2的负荷被分担，进而可以实现生产量的增多。

进而，由于设置有用于在各单位块间进行晶片W交接的第1和第2交接台TRS1～TRS10、和用于进入该交接台的专用交接臂D1、D2，所以各单位块间的晶片W的运送系统的构成变得简单，从这点考虑也可以实现运送程序的简易化。

在此，上述涂敷膜形成用的单位块，由于液体处理组件的药液只是种类彼此不同，所以可以把涂敷液等药液的配管、排液路和排气路等的配管较近地汇集，再者可以较近地汇集电力系统的缆线等，上述配管和缆线等的缠绕简单化，组装作业变得容易。因此可以实现制造所需时间的缩短，并且由于制造量增多可以降低制造成本。

再者，如已经说明的那样，由相同的单位块构成这些BCT层B5、COT层B4和TCT层B3，即构成为使液体处理组件、加热组件、冷却组件和主臂部的配置布局在单位块彼此间相同，如果只改变液体处理组件的药液种类，则由于可以制造相同的单位块，所以与制造构成不同的单位块的情况相比，制造作业容易，制造错误减少。因此，制造量增多可以降低制造成本。再者由于使用共用的部件，所以从这点考虑也有助于制造成本的降低。进而，如果由相同的单位块构成上述BCT层B5、COT层B4和TCT层B3，则如已经说明的那样，由于制造错误减少，所以精度提高，调节变得容易。因此，也具有使调节所需时间缩短的优点。

进而，在某一个涂敷膜形成用的单位块发生异常而不能使用的情况下，不使用该单位块而使用剩下的两个涂敷膜形成用单位块也可以进行涂覆膜的形成。

接下来基于图10说明本发明的第2实施方式。该例使用在晶片W表面形成液层来进行液浸曝光的装置作为曝光装置S4，并且在处理块S2和接口块S3之间设置辅助块S5，在例如COT层B4的上层侧、TCT层B3的上层侧，在第2反射防止膜的上方进而层叠设置具有用于形成防水性保护膜的组件的单位块(未图示)，作为涂敷膜形成用的单位块。上述所谓用于形成防水性保护膜的组件是对应于液浸曝光时需求的液体处理组件，是涂敷用于防止液浸曝光时的液体浸入抗蚀剂中的保护膜的防水性保护膜涂敷组件，再者，也可以在该单位块上设置清洗组件，用于去除在曝光后的保护膜，去除清洗曝光前后附着在晶片W上的微粒、和给曝光带来阻碍的成分。

在上述辅助块S5上具备：检查组件71，例如用于进行涂敷膜形成后曝光处理前的检查、和曝光处理后显影处理前的检查；清洗组件72，用于进行液浸曝光后的例如清洗处理；搁板组件U7，设置有多层用于在与接口块S3的接口臂B之间进行晶片W的交接的交接台TRS；和第3交接臂E，用于向处理块S2的搁板组件U6的例如交接台TRS6～TRS8、检查组件71、清洗组件72和搁板组件U7各部分进行晶片W的交接。这些检查组件71和清洗组件72可以多层构成，也可以在交接机构E的两侧，只设置清洗组件72或检查组件71，配置比较自由。

上述第3交接臂E构成为进退自如、升降自如、和绕铅直轴旋转自如，作为上述涂敷膜形成后曝光处理前进行的检查，有涂敷膜膜厚检查和异物检查等，作为曝光处理后显影处理前进行的检查，有曝光重合检查等。再者不限于此，也可以设置检测基板上的对准标记的组件、或由激光处理去除一部分膜的组件。

另外，作为设在上述辅助块上的组件，设置以下装置中的至少一个：膜厚检查组件，用于检查晶体表面的状态，例如用于检查形成在晶体W上的涂敷膜膜厚；用于检测抗蚀剂液的涂敷不均的涂敷不均检测装置；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗组件；用于检测在曝光装置中产生的图形的位置错开的散焦检查装置；用于检测显影处理不良的显影不良检测装置；用于检测附着在晶片W上的微粒数的微粒数检测装置；用于检测在抗蚀剂涂敷后的晶片W表面上由抗蚀剂液中的气泡或异物产生的毛刺的毛刺检测装置；用于检测从晶片W表面飞出的抗蚀剂液的溶剂再附着在晶片W上的回溅的回溅检测装置；检测在晶片W表面的同一位置以同一形状显现的共同缺陷的共同缺陷检测装置；用于检测残留在显影处理后的晶片W上的抗蚀剂残渣的浮渣检测装置；用于检测不进行抗蚀剂涂敷处理和/或显影处理的问题的NO RESIST，NODEVELOP检查装置(问题检测装置)；用于测定晶片W上形成的抗蚀剂膜的线宽的线宽测定装置；和用于把曝光装置中曝光了的晶片W和光掩模的重合精度和规格值比较来检查的重合检查装置。

上述散焦检查通过和预先登记的准确的图形比较来检测曝光装置中的焦点偏离，线宽测定装置通过例如和预先登记的准确的图形比较来检测曝光装置中的曝光量和曝光时间是否适当，重合检查装置通过把例如可以和下层的图形比较的特定部位的图形、和预先登记的准确的图形比较来检测曝光装置中的曝光位置的位置错开。

在这样的构成中，在曝光后对晶片W进行清洗处理的情况下，例如与上述第1实施方式同样，先以承载块S1→BCT层B5→COT层B4→TCT层B3→用于形成防水性的保护膜的单位块的顺序运送晶片W，然后以搁板组件U6的第2交接台→第2交接臂D2→例如第2交接台TRS8→辅助块S5的第3交接臂E→搁板组件U7的交接台→接口块S3的接口臂B→曝光装置S4的路线运送，并且以接口块S3的接口臂B→辅助块S5的搁板组件U7的交接台→第3交接臂E→清洗组件72→第3交接臂E→搁板组件U6的交接台TRS6(TRS7)→主臂部A1(A2)→DEV层B1(B2)的路线运送曝光后的晶片W。

再者在进行各种检查的情况下，对以间隔一定片数抽出的晶片W进行规定的检查。例如在涂敷膜形成后检查的情况下，在运送至曝光装置S4之前在辅助块S5中进行检查，在曝光后检查的情况下，对从曝光装置S4返回辅助块S5中来的晶片W进行检查，在显影处理后检查的情况下，在处理块S2中进行了显影处理后，再次将晶片W运送至辅助块S5中进行检查。

在此，之所以在上述第2反射防止膜上方形成防水性的保护模，是因为由该保护膜弹起液浸曝光时的液体，而不易把上述液体残留在晶体W的表面上，例如在晶体W的表面和周缘部内面侧形成。再者，为了抑制上述保护膜从晶片W剥落而成为微粒产生的原因，进行液浸曝光后的清洗处理用于去除该保护膜，例如通过向晶片W的表面和内面侧周缘部供给用于去除上述保护膜的药液来去除上述保护膜，然后供给用于清洗上述药液的清洗液来进行。

在该实施方式中，由于在处理块S2和接口块S3之间设置具备检查组件和清洗组件的辅助块S5，所以例如在上述涂敷膜形成后曝光处理前进行检查和清洗的情况，和/或在曝光处理后显影处理前进行检查和清洗的情况下，可以在处理块S2和接口块S3之间的晶片W的通道上进行上述检查和清洗。因此，可以一边抑制晶片W的运送路线的复杂化，一边在涂敷膜形成后和曝光处理后的适当时刻进行检查和清洗，在进行这样的检查和清洗的情况下，也可以抑制运送程序的复杂化。

在该实施方式中，在不形成反射防止膜的情况下，也可以在抗蚀剂膜的上方形成上述保护膜，清洗处理可以在曝光处理之前或之后进行，也可以在曝光处理前后都进行。再者，在没有保护膜的情况下，上述清洗组件72单纯用于去除晶体W的污渍而使用。

在以上说明的本发明中，可以只向显影处理用的单位块B1、B2运送晶片W并进行处理。再者，可以将显影处理用的单位块设为1层，如果如上述实施方式那样，将涂覆膜形成用的单位块排列为从下方侧朝向上方侧依次为TCT层、COT层和BCT层，则由于进行曝光处理前的最后涂敷处理的TCT层或COT层；和欲进行曝光处理后处理的DEV层较近，所以具有接口臂B的进入区域较窄的优点，也可以将涂覆膜形成用的单位块排列为从下方侧朝向上方侧依次为BCT层、COT层和TCT层。

进而在本发明中，传送臂C可以访问的搁板组件U5的交接台不限于DEV层B1、DEV层B2，只要在传送臂C和层叠的单位块的一个以上单位块之间进行晶片W的交接即可。进而可以在搁板组件U6上也设置用于在与接口臂B之间进行晶片W交接的专用第2交接台TRS，并经由该第2交接台TRS和第2接口臂D2在各单位块B1～B5和接口块S3之间进行晶片W的交接。进而关于DEV层B1、B2内的模块也可以使用共用的主臂部A来进行晶片W的运送。

再者设在各单位块上的搁板组件U5、U6的交接台TRS为1个以上即可，还可以具备冷却功能。进而可以在承载块S1和接口块S3之间进行晶片W的交接的单位块上，设置与主臂部A分开的专用运送机构，用于在传送臂C和接口臂B之间，或搁板组件U5和搁板组件U6之间进行晶片W的运送。进而可以在搁板组件U5、U6上，设置交接台以外的模块例如冷却组件等，也可以设置依据目的的检查组件作为层叠在处理块S2上的单位块B1～B5的处理组件。例如可以代替设在COT层B4和TCT层B3上的周缘曝光装置(WEE)，设置膜厚测定器，也可以在DEV层B1、B2上设置图形重合检查和显影处理后的显影缺陷检查组件。再者也可以在单位块上设置检查组件，在这种情况下也可以在主臂部A的运送路的两侧设置检查组件，可以设置检查组件专用的单位块。

进而，关于DEV层B1、B2内的模块可以只共用主臂部A进行晶片W的运送。再者本发明除了半导体晶片也适用于处理所谓的液晶显示器用玻璃基板(LCD基板)的基板的涂敷、显影装置。

再者本发明的抗蚀剂图形形成装置可以如下构成。关于该实施方式使用图11～图16进行说明，该例在辅助块S5内设置涂敷用于防止液浸曝光时的液体浸入抗蚀剂中的保护膜的防水性保护膜涂敷组件(ITC)(以下称为“保护膜涂敷组件(ITC)”)和用于去除该防水性保护膜的防水性保护膜去除组件(ITR)(以下称为“保护膜去除组件(ITR)”)，并且在接口块S3上设置用于在液浸曝光前后清洗晶片W的清洗组件(RD)。

在此简单说明液浸曝光，该液浸曝光目的在于通过在基板表面上形成使光透过的液层的状态下曝光，来提高曝光的析像度，例如使光透过纯水中，由于在水中光的波长变短所以193nm的ArF的波长在水中实质上变成134nm，利用该特征进行曝光。

另外，在液浸曝光中，由于在抗蚀剂的表面形成液层，所以存在以下担心：抗蚀剂在液相侧洗脱而且其洗脱成分残留在晶片W上，或者在曝光处理结束后，从晶片W排出形成在晶片W表面上的液层时，液滴例如微小水滴残留在晶体表面。如果抗蚀剂的洗脱成分或液滴这样残存在晶片W上，则存在以下问题：上述洗脱成分附着在晶片W上，从而成为作为缺陷原因的微粒产生的主要原因，或者在曝光处理后的加热处理时引起洗脱成分产生的微粒固定或熔接，而会影响图形的线宽，或者由于液滴的存在在曝光处理后的加热处理时产生温度差，热处理的表面内均匀性恶化，或者液滴和空气反应而成为晶片W表面水印的主要产生原因。

因此在液浸曝光处理中，为了在向晶片W涂敷了抗蚀剂液后进行液浸曝光之前，抑制抗蚀剂液的洗脱，并且使液浸曝光时的液体不易残留在晶片W表面，在晶片W表面上涂敷防水性保护膜，在保护膜涂敷组件(ITC)中进行该处理。再者如果在涂敷有该保护膜的状态下进行显影处理，则由于不能由显影液使抗蚀剂溶解，所以需要在显影处理前去除该保护膜，在保护膜去除组件(ITR)中进行该处理。进而，为了更可靠地去除附着在晶片W上的抗蚀剂液的洗脱成分、或作为液浸曝光时的液体的水滴，在进行了液浸曝光处理后，清洗晶片W表面，在清洗组件(RD)中进行该清洗。

接下来具体说明该实施方式的布局，关于承载块S1和处理块S2，除了单位块B1～B5的层叠顺序不同以外，构成与已述的图1所示的抗蚀剂图形形成装置大致相同。

在此说明与上述图1所示的抗蚀剂图形形成装置的不同点，处理块S2，如图12所示，以从下方侧开始依次为2个DEV层B1、B2、BCT层B5、COT层B4和TCT层B3的顺序层叠；来自承载块S1的晶片W经由BCT层B5的交接台TRS5直接交接至BCT层B5；来自处理块S2的晶片W，经由COT层B4的交接台TRS9或BCT层B5的交接台TRS10交接至辅助块S5。此外在图12中，为了图示上的方便，在搁板组件U5、U6上针对各单位块B2～B5的每一个只分别画出了1个第1交接台TRS1～TRS5和第2交接台TRS6～TRS10。

另外在与该处理块S2邻接设置的辅助块S5中，在中央设置第4交接臂F，在该第4交接臂F的周围，例如从承载块S1观察的内侧、右侧和左侧，分别设置搁板组件U7、U8和U9。设置为在上述搁板组件U7上，层叠有多层用于在与接口块S3的接口臂B之间进行晶片W交接的交接台TRS11和TRS12，在搁板组件U8上，层叠有多层例如保护膜涂敷组件(ITC)和保护膜去除组件(ITR)，在搁板组件U9上，层叠有多层已经说明的检查组件71、已经说明的冷却组件(COL)、和加热组件(CHP)等加热·冷却类组件等。

在此，关于设在搁板组件U7～U9上的各部分的位置关系用图12、图13进行说明。例如在该例中，在搁板组件U8中，多级层叠为在2个保护膜去除组件(ITR)的上方层叠2个保护膜涂敷组件(ITC)401，下方侧的2个保护膜去除组件(ITR)402设在与处理块S2的2个DEV层B1、B2的对应的位置，上方侧的2个保护膜涂敷组件(ITC)设在与处理块S2的BCT层B5和COT层B4的对应的位置。

再者搁板组件U7的交接台TRS11和TRS12，在该例中设置与在搁板组件U8中段的保护膜涂敷组件401和保护膜去除组件402的对应的位置，以使例如一个交接台TRS12对应于某一个保护膜涂敷组件401，另一个交接台TRS11对应于某一个保护膜去除组件402，一侧例如交接台TRS12在从辅助块S5向接口块S3交接晶片W时使用，另一侧在例如交接台TRS11从接口块S3向辅助块S5交接晶片W时使用。

另外，上述第4交接臂F，例如如图13所示，设为上下2级，上方侧的交接臂F1构成为，在处理块S2的BCT层B5和COT层B4之间进行晶片W的交接，并且向该辅助块S5的搁板组件U7～U9的各部分进行晶片W的交接，例如构成为向处理块S2的搁板组件U6的交接台TRS9、TRS10；搁板组件U8的保护膜涂敷组件(ITC)；搁板组件U7的交接台TRS12和搁板组件U9的对应各部分进行晶片W的交接。

再者，下方侧的交接臂F2构成为，在处理块S2的DEV层B1、B2之间进行晶片W的交接，并且向该辅助块S5的搁板组件U7～U9的各部分进行晶片W的交接，例如构成为向处理块S2的搁板组件U6的交接台TRS6、TRS7、搁板组件U8的保护膜去除组件(ITR)、搁板组件U7的交接台TRS11和搁板组件U9的对应各部分进行晶片W的交接。

该交接臂F1、F2例如与主臂部A1～A5同样构成，构成为沿Y轴轨道107，在例如图中Y方向上移动自如、进退自如、升降自如和绕铅直轴旋转自如，所述Y轴轨道107安装在支承搁板组件U9的未图示的台部的臂部F1、F2朝向运送区域的表面上。再者在接口块S3中，在接口臂B可以访问的位置，层叠设置用于在液浸曝光后清洗晶片W的例如2个清洗组件(RD)403。

进而，在承载块S1的传送臂C的运送区域的上方侧设置过滤器组件(FFU)404，其构成为通过从该过滤器组件404供给规定流量的调节了温度和湿度的清洁气体，在上述运送区域内形成清洁气体的下流。进而在接口块S3的上方侧设置ULPA过滤器405，向接口块S3内供给由该ULPA过滤器405去除了灰尘、尘埃等的清洁空气。此外在已经说明的实施方式中也可以在承载块S1和接口块S3上分别设置过滤器组件404和ULPA过滤器405。

接下来简单说明上述保护膜涂敷组件401、保护膜去除组件402、和清洗组件403的结构，由于它们为大致相同的结构，所以首先使用图14以保护膜去除组件402为例进行说明。图中410是成为基板保持部的旋转卡盘，构成为由真空吸附将晶片W保持为水平。该旋转卡盘410由驱动部411可以绕铅直轴旋转并升降。再者，在旋转卡盘410的周围设置包围从晶片W到旋转卡盘410的侧部的杯部412，在该杯部412的底面设置有包含排气管413和排液管414等的排液部。

再者，图中420是用于向晶片W的大致旋转中心供给剥离保护膜用的剥离液的药液喷嘴，该药液喷嘴420构成为，借助移动机构421，沿着沿处理容器430的长度方向(Y方向)设置的导轨422，在设在杯部412的一端侧的外侧的待机区域423和向晶片W的大致旋转中心供给药液的位置之间移动自如，并且升降自如。

进而，图中424是用于向晶片W的大致旋转中心供给清洗液的清洗喷嘴，该清洗喷嘴424构成为，借助移动机构425，沿上述导轨422，在设在杯部412的另一端侧的外侧的待机区域426和向晶片W的大致旋转中心供给清洗液的位置之间移动自如，并且升降自如。进而431是在处理容器430朝向交接臂F2的运送区域的表面上形成的晶片W的运入运出口，并设有开闭门432。

另外，在该保护膜去除组件402中，由交接臂F2把晶片W经由运入运出口431运入处理容器430内，并交接至旋转卡盘410。另外，从药液喷嘴420向该晶片W的大致旋转中心供给保护膜去除用的剥离液，并且使旋转卡盘410旋转，由离心力使上述剥离液向晶片W的径向扩散，这样将上述剥离液供给至这样在晶片W表面形成的整个保护膜上，由此把保护膜从晶片W表面剥离。

其后，使药液喷嘴420移动至待机区域423，另一方面使清洗喷嘴424移动至向晶片W的大致旋转中心供给清洗液的位置，向晶片W的大致旋转中心供给清洗液，并使旋转卡盘410旋转。这样由离心力使上述清洗液向晶片W的径向扩散，由此用清洗液洗掉并去除从晶片W表面剥离的保护膜。然后使晶片W高速旋转，使晶片W表面的清洗液干燥后，由第4交接臂F2经由运入运出口431把晶片W运出至保护膜去除组件402的外部。

再者在保护膜涂敷组件401中除了从药液喷嘴420向晶片W表面供给保护膜形成用药液，并且不设置清洗喷嘴424这些点以外与保护膜去除组件402构成相同。另外，从药液喷嘴420向该晶片W的大致旋转中心供给保护膜形成用的药液，并且使旋转卡盘410旋转，由离心力使上述药液向晶片W的径向扩散，在晶片W表面上形成药液液膜从而形成保护膜。

接下来说明清洗组件403，该清洗组件403，除了从清洗喷嘴424向晶片W表面供给清洗液例如纯水，并且不设置药液喷嘴420这些点以外与保护膜去除组件402构成相同。再者上述清洗喷嘴424构成为在沿导轨422移动时，从该清洗喷嘴424向通过晶片W的大致旋转中心的直线L上供给清洗液。

在该清洗组件403中，如图15(a)所示，在使旋转卡盘410旋转的状态下，首先从清洗喷嘴424向该晶片W的大致旋转中心供给清洗液，然后如图15(b)所示，一边使该清洗喷嘴424逐渐向晶片W的外缘移动，一边向晶片W的上述直线L上供给清洗液。

这样一来，虽然由离心力使清洗液向晶片W的径向扩散，但是在向晶片W的大致旋转中心O供给清洗液时，如果16(a)所示，呈以上述旋转中心O为中心的同心圆状扩散。再者如果使来自清洗喷嘴424的清洗液的供给点P朝向晶片W的外缘移动，则由于晶片W旋转，所以清洗液供给至联结该供给点P的圆(图16(b)中虚线所示的圆)上，清洗液向联结该供给点P的圆的外侧扩散，这样通过将清洗液从晶片W的中心O向外侧供给到上述晶片W的上述直线L上，从而由清洗液润湿的区域从晶片W的中心O逐渐向外侧转移，结果清洗晶片W整个表面。

这时，由于由清洗液润湿的区域从晶片W的中心O逐渐向外侧转移，所以从晶片W的中心向外侧依次清洗。再者由于由离心力使清洗液扩散，所以清洗液不扩散至清洗液的供给点P的内侧，因此晶片W从中心依次干燥，从而抑制该区域液滴的残存。由此可以可靠地去除附着在晶片W上的抗蚀剂液的洗脱成分、或液浸曝光时的液体，所以抑制抗蚀剂液的洗脱成分的附着引起的微粒产生或给图形的线宽带来的坏影响，可以防止残存在晶片W上的液滴引起的热处理表面内均匀性恶化，或者水印的产生。

在这样构成的抗蚀剂图形形成装置中，在进行液浸曝光处理，然后在该曝光处理后进行清洗处理的情况下，例如与上述第1实施方式一样，先以承载块S1→BCT层B5→COT层B4→TCT层B3的顺序运送晶片W，然后以搁板组件U6的第2交接台TRS8→第2交接臂D2→第2交接台TRS9(或交接台TRS10)→辅助块S5的第4交接臂F1→搁板组件U8的保护膜涂敷组件401→搁板组件U7的交接台TRS12→接口块S3的接口臂B→曝光装置S4的路线运送，并以接口块S3的接口臂B→清洗组件403→接口臂B→辅助块S5的搁板组件U7的交接台TRS11→第4交接臂F2→搁板组件U8的保护膜去除组件402→第4交接臂F2→处理块S2的搁板组件U6的交接台TRS6(或交接台TRS7)→主臂部A1、A2→DEV层B1(B2)的路线运送曝光后的晶片W。

在该实施方式中，由于在处理块S2和接口块S3之间设置的辅助块S5上，设置有作为进行液浸曝光的情况下所需的组件的保护膜涂敷组件401和保护膜去除组件402，所以通过将该辅助块S5装入，无需改变处理块S2的布局即可应对进行液浸曝光的情况和不进行液浸曝光的情况。在此时不进行该液浸曝光的情况下，可以运送晶片W使经过辅助块S5内而不处理。

再者，如果在此设置进行上述涂敷膜形成后曝光处理前的处理的保护膜涂敷组件401、和进行曝光处理后显影处理前的处理的保护膜去除组件402，则可以在处理块S2和接口块S3之间的晶片W的通道中进行上述处理。此外，在此所说的涂敷膜是指抗蚀剂膜和反射防止膜。因此既可以抑制晶片W的运送路线的复杂化，又可以在涂敷膜形成后和曝光处理后的适当时刻进行处理，在进行这样的处理的情况下，也可以抑制运送程序的复杂化。

进而通过在接口块S3上设置清洗组件403，可以把接口块S3空闲的空间作为清洗组件403的设置空间有效利用。因此即使设置清洗组件403也无需把清洗组件403装入设在处理块S2和接口块S3上的搁板组件，无需改变设在这些搁板组件上的组件的种类、个数和布局，再者由于也可不另外设置其它设置空间，所以可以抑制装置的大型化。

进而通过在接口块S3上设置清洗组件403，从液浸曝光装置S4到清洗组件403的晶片W的运送距离较短，在液浸曝光后马上可以进行清洗，所以即使假定抗蚀剂的洗脱成分或液滴附着在晶片W上，也可以更可靠地进行清洗。即如果在液浸曝光后以抗蚀剂的洗脱成分或液滴附着的状态运送较长距离，则存在以下担心：晶片W和空气接触时间变长，上述洗脱成分或液滴与空气反应而变为水印等不能容易清洗的状态，但是如果像该例这样在液浸曝光装置S4附近设置清洗组件403，则由上述洗脱成分或液滴与空气接触而产生变化的可能性变小，从而以清洗液进行的清洗可以容易从晶体W表面去除上述洗脱成分等。

此外在该实施方式中，在不形成反射防止膜的情况下，可以在抗蚀剂膜上方形成上述保护膜，清洗处理可以在曝光处理之前或之后进行，也可以在曝光处理前后都进行。再者，在没有保护膜的情况下，可以将上述清洗组件403只用于去除晶片W的污渍，可以把该清洗组件403组装入辅助块S5内。

进而在本发明中，例如如图17～图19所示，在不像图1所示的抗蚀剂图形形成装置那样设置辅助块S5的构成中，可以设置保护膜形成用单位块(ITC层)B6作为一个单位块，并在DEV层B1、B2上设置保护膜去除组件402。该例为应对在抗蚀剂的上层侧不形成反射防止膜，而形成保护膜的情况的布局，处理块S2，如图18所示，除了以从下方侧开始依次为2个DEV层B1、B2、BCT层B5、COT层B4和ITC层B6的顺序层叠，上述ITC层B6除了设置有上述保护膜涂敷组件401作为液体处理组件以外，与TCT层B3同样构成。

再者，在DEV层B1、B2中，如图17所示，设置有例如2个显影组件和1个保护膜去除组件402作为液体处理组件，并在接口块S3上设置清洗组件403。来自承载块S1的晶片W，经由BCT层B5的交接台TRS5直接交接至BCT层B5，来自处理块S2的晶片W，经由例如BCT层B5的交接台TRS10交接至接口块S3。再者在2个DEV层B1、B2中，构成为由共用的主臂部A2向各部分运送晶片W，第1和第2交接台TRS2、TRS7、搁板组件U1、U2、U3构成为只设置在DEV层B2上。此外，在图18中，为了图示上的方便，在搁板组件U5、U6上对DEV层B2、BCT层B5、COT层B4和ITC层B6分别画出了1个第1交接台TRS2、TRS5、TRS4和TRS13；第2交接台TRS7、TRS10、TRS9和TRS14。

进而在承载块S1的传送臂C的运送区域的上方侧设置已经说明的过滤器组件(FFU)404，在接口块S3的上方侧设置ULPA过滤器405，这些点与上述图11所示的装置相同。

在这样构成的抗蚀剂图形形成装置中，在进行液浸曝光处理，然后在该曝光处理后进行清洗处理的情况下，例如与上述第1实施方式一样，先以承载块S1→BCT层B5→COT层B4→ITC层B6的顺序运送晶片W，然后以搁板组件U6的第2交接台TRS14→第2交接臂D2→第2交接台TRS10→接口块S3的接口臂B→曝光装置S4的路线运送，并以接口块S3的接口臂B→清洗组件403→接口臂B→处理块S2的搁板组件U6的交接台TRS7→主臂部A2→DEV层B1(B2)的保护膜去除组件402→主臂部A2→DEV层B1(B2)的路线运送曝光后的晶片W。

在该实施方式中，由于在处理块S2上层叠用于涂敷保护膜的单位块(ITC层)B6，并且在接口块S3上设置曝光处理后的清洗组件403，在DEV层B1、B2上设置保护膜去除组件402，所以在处理块S2和曝光装置S4之间的晶片W的通道中无需使晶片W的运送路线逆行即可进行液浸曝光前的保护膜的形成、曝光处理后的清洗处理、该清洗处理后显影处理前的保护膜的去除处理。因此，既可以抑制晶片W的运送路线的复杂化，又可以在涂敷膜形成后和曝光处理后的适当时刻进行规定的处理，在进行这样的处理的情况下，也可以抑制运送程序的复杂化。进而，通过在接口块S3上设置清洗组件403，可以有效利用接口块S3空闲的空间，也获得从液浸曝光装置S4到清洗组件403的晶片W的运送距离较短的效果。

此外在该实施方式中，可以在抗蚀剂膜上方形成反射防止膜，并在其上方进而形成保护膜，在这种情况下，例如构成为，以从处理块S2的下方侧开始依次为2个DEV层B1、B2、BCT层B5、COT层B4、TCT层B3和ITC层B6的顺序层叠。

进而在本发明中，可以为将设在上述搁板部件U5上的第1交接台和设在搁板部件U6上的第2交接台的至少一个兼用作用于调节晶片W温度的调温组件(CPL)。该调温组件(CPL)500载置形成涂敷膜前的晶片W，并把该晶片W的温度调节为对其进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理时的温度，例如如图20所示，具备：第1调温板510，载置由加热组件加热的晶片W且把晶片W的温度粗调至第1温度；和第2调温板520，进而把晶片W的温度精密调节至进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理时的温度，它们在共用的处理容器501内设置为相互层叠。在此作为上述涂敷涂敷膜形成用药液的处理，可以举出对晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的处理；在晶片W上形成反射防止膜时的处理；在晶片W上形成液浸曝光时的防水性保护膜时的处理等。

在该例中，在处理容器501的内部，上方侧设置第1调温板510，其下方侧设置第2调温板520。在处理容器501内，设置用于沿上下方向划分该容器501内部的基板502，该基板502由从处理容器501的底壁503垂直延伸的第1支承部504支承。在该基板502上方以由例如圆柱状的载置部511支承内面侧中心部的状态设置有第1调温板510，所述第1调温板510由铜或铝等导热性良好的部件构成。

在该例中，第1调温板510由例如铝构成，形成为具有例如15mm左右的厚度的大致圆板状，具有与晶片W大致相同大小的直径。再者在其表面上设置以从调温板510凸出0.1mm～0.3mm左右的状态用于支承晶片W的突起512。再者在该调温板510周缘部的例如4处，如图21所示，朝向该调温板510的中心部形成切口部513。

进而在调温板510上设有第1加热管514，该加热管514设置为埋入例如形成在调温板510的背面侧的未图示的槽部中，该加热管514的一部分和载置部511相连接。在此加热管514设置为例如围绕调温板510的整个背面侧。

再者在基板502上以与载置部511的下表面接触的方式埋设第2加热管515，该第2加热管515以沿基板502向基板502的一端侧伸展的方式埋入，另一端侧从基板502延伸出并向上方侧弯曲，该另一端侧的一部分和由例如铜或铝构成的传热部件516的表面相连接。

在此说明加热管514、515，该加热管为利用蒸发、冷凝引起的潜热的吸收、放出而进行热输送的传热元件，通过在由例如铝、不锈钢、铜等构成的金属制管体内壁上贴设多孔质体来构成。上述多孔质体用于获得后述的毛细管现象，由例如编织金属细线而制作的金属网或金属毡等制成。该管体两端封闭，内部被排气而设定为例如真空状态，其中封入少量由例如钠或樟脑等制成的挥发性液体(工作流体)。

在这样的加热管中，如果加热一端侧(蒸发部)则工作流体蒸发(蒸发潜热引起的热的吸收)，成为蒸气流并借助较小的压力差在管体内部向另一端侧的冷凝部(低温部)高速移动，在这里上述蒸气流和管体壁面接触而冷却冷凝。这时，由于由冷凝热放出热，所以热被输送至冷凝部。然后冷凝液穿过多孔质体利用毛细管现象流回至蒸发部，再次反复进行蒸发→移动→冷凝的循环，从而连续输送热，因此如果冷却另一端侧则加热管的整个表面被均匀冷却。此外这里所说的加热管不一定非要局限于一般概念上的管，也可以为在具有较宽空洞部的扁平板内封入工作液的部件。

再者，上述第2调温板520由例如铝构成，形成为具有例如15mm左右厚度的大致圆板状，具有比晶片W大的直径。再者在内部具备用于使调节为规定温度的调温液流过的调温液流路521。该第2调温板520由从处理容器501的底壁503起在第1支承部504的内侧垂直延伸的第2支承部505支承背面侧的周缘区域附近，在其表面上设有用于以从调温板520凸出0.1mm～0.3mm左右的状态支承晶片W的突起522。

再者在上述调温板520上设置支承销506，用于在其与外部运送机构之间进行晶片W的交接且从冷却板520的表面突没自如地设置其前端部，在上述第1支承部504内部设置上述支承销506的升降机构507。

图中530作为使调节了温度的调温液循环的调温液循环通路，设置为借助例如由铝等传热性良好的部件形成的通流管而在上下方向上贯通处理容器501。再者该调温液循环通路530设置为将上述传热部件516的大致中心贯通，进而在调温液循环通路530上连接有：调温液供给通路531，用于向第2调温板520的调温液流路521供给上述调温液；和调温液排出通路532，用于从第2调温板520的调温液流路521排出调温液。图中534是设置在处理容器501外部的调温液的调温机构。

如果这样使调节为规定温度例如23℃的调温液在调温液循环通路530中循环，则由于第1加热管514经由载置部511、第2加热管515和传热部件516而与调温液循环通路530的外表面热接触，所以调温液循环通路530外表面的热以传热部件516→第2加热管515→载置部511→第1加热管514的路线传递，这样把第1加热管514的温度调节为调温液循环通路530外表面的温度。由此第1调温板510的表面温度被大致精密调节为23℃。再者由于向第2调温板520的调温液流路循环供给调温液，所以由此始终把第2调温板520的表面温度准确调节为23℃的温度。

接下来说明向第1调温板510和第2调温板520交接晶片W的晶片W的运送机构530，作为该运送机构530，在搁板组件U5上设置调温组件500的情况下，使用例如设在承载块S1上的传送臂C、设在处理块S2上的第1交接臂D1和设在各单位块上的主臂部A；在搁板组件U6上设置调温组件500的情况下，使用设在处理块S2上的第2交接臂D2、各单位块的主臂部A、设在接口块S3上的接口臂B、设在辅助块S5上的第3或第4交接臂E、F1、F2。

另外该运送机构530具有如图21所示的水平的马蹄形状的运送臂531，该运送臂531内周的大小形成为比第1调温板510的直径大一些，在该内周中的下部设置朝向内侧的4个突片533，如图所示，在这些突片533上保持晶片W。

运送臂531构成为由例如未图示的驱动机构经由运送基体532升降自如并且进退自如，在把晶片W交接至第1调温板510时，保持有晶片W的运送臂531经由处理容器501的运送口(未图示)进入处理容器501内。在此由于调温板510外周的切口部513分别设在与运送臂531的突片533对应的位置，所以运送臂531下降以从上方侧覆盖调温板510，由此运送臂531通过调温板510的下方侧，把运送臂531上的晶片W交接至调温板510。交接了晶片W的运送臂531向近前侧后退以使前方的切口部534穿过载置部511的外侧而从处理容器501内退出。因此载置部511的直径设定为比上述运送臂531上形成的切口部534小。

再者在与第2调温板520之间，通过使支承销506向第2调温板520的上方侧突出，并且运送臂531下降以从上方侧覆盖支承销506，来把运送臂531上的晶片W交接到支承销506上。交接了晶片W的运送臂531向近前侧后退以使前方的切口部534穿过支承销506的外侧而从处理容器501内退出，然后支承销506下降，由此把晶片W从支承销506交接至第2调温板520。因此设定支承销506的位置使形成在上述运送臂531上的切口部534可以通过支承销506的外侧。

这样的调温组件500可以组装入上述任一个抗蚀剂图形形成装置中，在此以组装入例如图17～图19所示的装置中的情况为例进行说明。在该例中，例如如图22所示，调温组件(CPL)在搁板组件U 5的BCT层B5、COT层B4和ITC层B6上分别设置调温组件CPL5、CPL4和CPL6，在搁板组件U6的BCT层B5、COT层B4和ITC层B6上分别设置调温组件CPL7、CPL8和CPL9，在搁板组件U6的DEV层B2上设置2个调温组件CPL1和CPL2，一个调温组件CPL2在从处理块S2向接口块S3交接晶片W时使用，另一个调温组件CPL1在从接口块S3向处理块S2交接晶片W时使用。

此外在图22中，为了图示上的方便，只在DEV层B2的搁板组件U5上画出了交接台TRS，但是实际上，在各单位块的搁板组件U5、U6上都可以和调温组件一起设置交接台TRS，也可以构成为具备只设置有交接台TRS的单位块。再者适当选择设置在搁板组件U上的调温组件和交接台的数量。

接下来说明这样的装置中的晶片W的路径，承载块S1的晶片W由传送臂C经由BCT层B5的调温组件(CPL5)交接至BCT层B5，并通过在该调温组件(CPL5)的第2调温板520上载置规定时间，而将晶片W的温度调节为(23+0.2)℃。然后由主臂部A5以第1反射防止膜形成组件34→加热组件(CHP5)→搁板组件U6的调温组件(CPL7)的第1调温板510的顺序运送。在此在加热组件(CHP5)中，如已经说明的那样，晶片W由加热板53加热后，由冷却板54粗调整至50℃左右，所以通过把晶片W在调温组件(CPL7)的第1调温板510上载置12秒左右，而把晶片W从50℃粗冷却至(23+1)℃。

然后为了把调温组件(CPL7)的晶片W由第2交接臂D2交接至COT层B4，通过将其运送至调温组件(CPL8)的第2调温板520，并在该调温板520上载置例如12秒，而把晶片W从(23+1)℃冷却至(23+0.2)℃。然后由主臂部A4以疏水化处理组件(ADH)→冷却组件(COL4)→涂敷组件31→加热组件(CHP4)→搁板组件U5的调温组件(CPL4)的第1调温板510的顺序运送，通过把由加热组件(CHP4)的冷却板54粗调整至50℃左右的晶片W在该第1调温板510上载置12秒左右，从而晶片W被粗冷却至(23+1)℃。

然后为了把调温组件(CPL4)的晶片W由第1交接臂D1交接至ITC层B6，通过将其运送至调温组件(CPL6)的第2调温板520，并在该调温板520上载置例如12秒，而把晶片W从(23+1)℃冷却至(23+0.2)℃。然后由主臂部A6以保护膜涂敷组件401→加热组件(CHP6)→搁板组件U6的调温组件(CPL9)的第1调温板510的顺序运送，通过把由加热组件(CHP6)的冷却板54粗调整至50℃左右的晶片W在该调温组件(CPL9)的第1调温板510上载置12秒左右，而冷却至(23+1)℃。

然后把调温组件(CPL9)的晶片W由第2交接臂D2运送至调温组件(CPL7)或调温组件(CPL2)的第2调温板520，并在该第2调温板520上方载置例如12秒，由此把晶片W从(23+1)℃冷却至(23+0.2)℃。然后由接口臂B取出该调温组件(CPL7)或调温组件(CPL2)的晶片W并运送至曝光装置S4，在这里进行规定的液浸曝光处理。曝光处理后的晶片W，以接口臂B→清洗处理组件403→接口臂B→调温组件(CPL1)的第2调温板520的顺序运送，并在这里冷却至(23+0.2)℃。

这之后在DEV层B1(DEV层B1)中，由主臂部A2以保护膜去除组件402→加热组件(PEB1(PEB2))→冷却组件(COL1(COL2))→显影组件32→加热组件(POST1(POST2))的顺序运送，进行规定的显影处理。这样进行了显影处理的晶片W，经由第1交接台TRS2，由传送臂C返回至载置在承载块S1上的原来的承载体20中。

如果这样在搁板组件U5、U6上设置兼用作交接台的调温组件500，则由于可在各单位块之间、或承载块S1和处理块S2之间、处理块S2和接口块S3之间、或处理块S2和辅助块S5之间的晶片W交接的待机时间中进行晶片W的温度调节，所以可以缩短整个的处理时间，可以实现生产量的提高。

这时，在各涂敷膜形成用的单位块B4、B5和B6之间进行晶片W的运送时，首先把晶片W交接至形成有1个涂敷膜的单位块的调温组件500的第1调温板510，在把晶片W的温度粗调至(23+1)℃之后，把晶片W运送到用于形成下一个涂敷膜的单位块的调温组件的第2调温板520，由于在这里把晶片W的温度精密调节至(23+0.2)℃，所以分阶段进行温度调节(冷却)，可以缩短整个的调节时间(冷却时间)。

再者上述调温组件500中，关于把晶片W的温度调节为(23+1)℃的第1调温板510，使用加热管514、515进行调温板510的温度调节，关于把晶片W的温度调节为(23+0.2)℃的第2调温板520，循环供给调温液进行调温板520的温度调节。因此在第1调温板510的温度调节时，由于对调温液循环通路没有调温液的出入，所以不产生调温液循环通路的调温液的流量压力损失即可进行该调温板510的温度调节，由此在第2调温板520中，由于循环供给到该板520内的调温液的流量不变化，所以可以高精度进行该调温板520的温度调节。

再者上述调温组件500的第1调温板510、第2调温板520，由于起到与上述图1例示的冷却组件(COL)的冷却板相同的作用，所以可以在各单位块中不设置冷却板，取代该冷却组件而借助调温组件500的第1调温板510或第2调温板520冷却晶片W。

通过这样减少各单位块上设置的冷却组件的数量，或不设置冷却组件，而可以在单位块中，在至今为止设置冷却组件的空间组装入其他组件。在此为了提高生产量，需要在各单位块上设置4列加热组件(CHP)，由于可以应对这样的要求，所以可以进一步增加总的生产量。

进而在该调温组件500中，可以设置为将层叠2片以上第1调温板510。在此在该第1调温板510中，由于构成为，外部的运送机构530从该调温板510的上方侧穿过下方侧而把晶片W交接至调温板510，所以与使支承销升降来进行晶片W交接的情况相比不需要升降机构，因此可以减小设有调温板510的区域的上下方向的大小，即使上下方向的空间不那么大也可以容易应对层叠结构。

另一方面，关于第2调温板520，由于使支承销506升降来进行晶片W的交接，所以可以把第2调温板520形成得比晶片W大，在晶片W的周缘区域也可以充分进行温度调节。由此与高精度调节该第2调温板520的温度一致，可以提高晶片W温度的面内均匀性，所以在形成以后的涂敷膜的工序中，可以形成面内均匀性高的涂敷膜。

此外关于第1调温板510，与晶片W大致相同大小，通过把加热处理后温度调节为50℃左右的晶片W在这里载置12秒，而确认可以把晶片W的温度在表面内充分调节至(23+1)℃。

在以上说明的本发明中，进行液浸曝光时使用的保护膜涂敷组件401除了设置在辅助块S5或专用单位块(ITC)B6上以外，也可以组装入其他涂敷膜形成用单位块B3～B5的某一个。再者关于进行液浸曝光时使用的保护膜去除组件402同样，除了设置在辅助块S5或DEV层B1、B2上以外，也可以组装入其他涂敷膜形成用单位块B3～B5的某一个。进而，关于进行液浸曝光时使用的清洗组件403，除了设置在接口块S3或辅助块S5上以外，也可以组装入构成处理块S2的单位块B1～B6的某一个。

Claims (21)

1.一种涂敷、显影装置，把由承载体运入承载块中的基板交接至处理块，在该处理块中形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，经由接口块运送至曝光装置，经由上述接口块返回来的曝光后的基板在上述处理块中进行显影处理并交接至上述承载块，其特征在于，

(a)上述处理块，具备相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，

(b)上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块分别为用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块、和用于在基板上涂敷反射防止膜用药液的单位块，

(c)上述各单位块具备用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；和在这些组件之间运送基板的单位块用运送机构。

2.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述各单位块具备冷却基板的冷却组件。

3.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具备：

在包括以下模式的模式组中选择运送基板的模式的模式选择机构，这些模式有：向全部单位块运送基板的模式；把基板运送至用于涂敷抗蚀剂液的单位块、用于在涂敷抗蚀剂液之前涂敷反射防止膜用药液的单位块、和进行显影处理的单位块上的模式；把基板运送至用于涂敷抗蚀剂液的单位块、用于在涂敷了抗蚀剂液后涂敷反射防止膜用药液的单位块、和进行显影处理的单位块上的模式，

借助模式选择机构选择运送基板的单位块，并且选择在选定的单位块中使用的运送方法来进行处理，上述方法是指对每个单位块指定该单位块内的基板的运送路线。

4.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具备：第1交接台组，把设在每个单位块上承载块侧且在各单位块的运送机构之间进行基板交接的第1交接台层叠而构成；

第2交接台组，把设在每个单位块上接口块侧且在各单位块的运送机构之间进行基板交接的第2交接台层叠而构成；

第1基板交接机构，用于在上述第1交接台彼此之间进行基板交接；

和第2基板交接机构，用于在上述第2交接台彼此之间进行基板交接，且与第1基板交接机构分开设置。

5.如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于，第1交接台组包含用于在承载块和处理块之间进行基板交接的承载块用交接台。

6.如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于，第2交接台组包含用于在接口块和处理块之间进行基板交接的接口块用交接台。

7.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，设在上述涂敷膜形成用的单位块中的液体处理组件，具备：多个基板保持部，设在共用的处理容器内，为了分别保持多个基板而沿横向排列；和共用的药液喷嘴，设在上述处理容器内，且对保持在多个基板保持部上的基板涂敷药液。

8.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在处理块和接口块之间，设置具备进行涂敷膜形成后曝光处理前和/或曝光处理后显影处理前和显影处理后的某一处理的组件的辅助块。

9.如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于，设在上述辅助块中的组件是至少一个以下装置：用于检查基板表面状态且用于检查形成在基板上的涂敷膜的膜厚的膜厚检查组件；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗组件；用于检测在曝光装置中产生的图形的位置错开的散焦检查装置；用于检测抗蚀剂液的涂敷不均的涂敷不均检测装置；用于检测显影处理不良的显影不良检测装置；用于检测附着在基板上的微粒数的微粒数检测装置；用于检测在抗蚀剂涂敷后的基板上产生的毛刺的毛刺检测装置；回溅检测装置；用于检测基板表面缺陷的缺陷检测装置；用于检测残留在显影处理后的基板上的抗蚀剂残渣的浮渣检测装置；用于检测抗蚀剂涂敷处理和/或显影处理的问题的问题检测装置；用于测定基板上形成的抗蚀剂膜的线宽的线宽测定装置；和用于检查曝光后的基板和光掩模的重合精度的重合检查装置。

10.如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，

设在上述辅助块上的组件为清洗上述液浸曝光后的基板的清洗组件。

11.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在上述相互层叠的多个涂敷膜形成用单位块之间，上述液体处理组件、加热组件、和运送机构的配置布局相同。

12.如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，

设在上述辅助块上的组件为用于在抗蚀剂膜上形成防水性保护膜的保护膜涂敷组件。

13.如权利要求8所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，

设在上述辅助块上的组件为用于去除在抗蚀剂膜上形成的防水性保护膜的保护膜去除组件。

14.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，

在上述显影处理用的单位块上，设置有用于去除在抗蚀剂膜上形成的防水性保护膜的保护膜去除组件。

15.如权利要求10所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在上述相互层叠的多个涂敷膜形成用单位块上还层叠地设置有涂敷膜形成用单位块，用于相对于形成有抗蚀剂膜的基板而在上述抗蚀剂膜上形成防水性保护膜。

16.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述曝光装置为在基板表面形成液层来进行液浸曝光的装置，

清洗上述液浸曝光后的基板的清洗组件设置在接口块上。

17.如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在第1交接台组中设置调温组件，用于载置形成涂敷膜之前的基板，将基板温度调节到对基板进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理的温度。

18.如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在第2交接台组中设置调温组件，用于载置形成涂敷膜之前的基板，将基板温度调节到对基板进行涂敷涂敷膜形成用药液的处理的温度。

19.如权利要求17所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述调温组件具备：第1调温板，载置由加热组件加热的基板且把基板的温度粗调至第1温度；和第2调温板，载置基板，对基板温度精密地进行温度调节。

20.一种涂敷、显影方法，在涂敷、显影装置中进行，

上述涂敷、显影装置，把由承载体运入承载块中的基板交接至处理块，在该处理块中形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，经由接口块运送至曝光装置，经由上述接口块返回来的曝光后的基板在上述处理块中进行显影处理并交接至上述承载块，

(a)上述处理块，具备相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，

(b)上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块分别为用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块、和用于在基板上涂敷反射防止膜用药液的单位块，

(c)上述各单位块，具备用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；和在这些组件之间运送基板的单位块用运送机构，

该涂敷、显影方法包括：

在涂敷膜形成用单位块中，在基板上形成第1反射防止膜的工序；

在与进行上述反射防止膜形成的单位块不同的层上设置的涂敷膜形成用单位块中，在形成于上述基板表面的第1反射防止膜上涂敷抗蚀剂液的工序；

在与进行上述抗蚀剂液涂敷的单位块不同的层上设置的涂敷膜形成用单位块中，在涂敷于上述基板表面的抗蚀剂液上形成第2反射防止膜的工序；

和在与上述多个涂敷膜形成用单位块不同的层上设置的显影处理用单位块中，对形成有上述抗蚀剂膜的曝光后的基板进行显影处理的工序。

21.一种涂敷、显影方法，在涂敷、显影装置中进行，

上述涂敷、显影装置，把由承载体运入承载块中的基板交接至处理块，用该处理块形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，经由接口块运送至曝光装置，经由上述接口块返回来的曝光后的基板在上述处理块中进行显影处理并交接至上述承载块，

(a)上述处理块，具备相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，

(b)上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块分别为用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块、和用于在基板上涂敷反射防止膜用药液的单位块，

(c)上述各单位块，具备用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；和在这些组件之间运送基板的单位块用运送机构，

该涂敷、显影方法包括：在以下模式间选择模式的工序：向全部涂敷膜形成用的单位块运送基板的模式、把基板运送至用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块和用于在涂敷抗蚀剂液之前涂敷反射防止膜用药液的单位块上的模式、和把基板运送至用于在基板上涂敷抗蚀剂液的单位块和用于在涂敷抗蚀剂液后涂敷反射防止膜用药液的单位块上的模式；

基于选定的模式，依次把基板运送至使用的涂敷膜形成用单位块上，并在基板上形成涂敷膜的工序；

和在与上述多个涂敷膜形成用单位块不同的层上设置的显影处理用单位块中，对形成有上述涂敷膜的曝光后的基板进行显影处理的工序。

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